JP2013519863A - 基板を熱処理する装置 - Google Patents
基板を熱処理する装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013519863A JP2013519863A JP2012553212A JP2012553212A JP2013519863A JP 2013519863 A JP2013519863 A JP 2013519863A JP 2012553212 A JP2012553212 A JP 2012553212A JP 2012553212 A JP2012553212 A JP 2012553212A JP 2013519863 A JP2013519863 A JP 2013519863A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner chamber
- heat treatment
- substrate
- wall
- treatment inner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 154
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 49
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 17
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 11
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 7
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 6
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 claims description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N [Cu].[Se].[Se].[In] Chemical compound [Cu].[Se].[Se].[In] KTSFMFGEAAANTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000995 Spectralon Polymers 0.000 description 2
- 229910000963 austenitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKQMNPVDJIHLPD-UHFFFAOYSA-N OS(=O)(=O)[Se]S(O)(=O)=O Chemical compound OS(=O)(=O)[Se]S(O)(=O)=O BKQMNPVDJIHLPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N chalcopyrite Chemical compound [S-2].[S-2].[Fe+2].[Cu+2] DVRDHUBQLOKMHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052951 chalcopyrite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009997 thermal pre-treatment Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D11/00—Arrangement of elements for electric heating in or on furnaces
- F27D11/12—Arrangement of elements for electric heating in or on furnaces with electromagnetic fields acting directly on the material being heated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Furnace Details (AREA)
- Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
Claims (22)
- 基板(20)を熱加工するための熱処理内側チャンバ(3)であって、
壁(10)を備え、該壁(10)は、熱処理内側チャンバ(3)の内室(24)を包囲し、
熱加工の間に基板(20)を支承するための支承装置(8)を備え、
熱処理内側チャンバ(3)の内室(24)にエネルギを導入するためのエネルギ源(11)を備え、
壁(10)の内側面の少なくとも一部は、エネルギ源(11)により導入される出力を反射するように形成されるものにおいて、
壁(10)の内側面の少なくとも一部は、少なくとも赤外線高反射性の材料から成ることを特徴とする、基板を熱処理する熱処理内側チャンバ。 - 特に請求項1に記載の、基板(20)を熱加工するための熱処理内側チャンバ(3)であって、
壁(10)を備え、該壁(10)は、熱処理内側チャンバ(3)の内室(24)を包囲し、
熱加工の間に基板(20)を支承するための支承装置(8)を備え、
熱処理内側チャンバ(3)の内室(24)にエネルギを導入するためのエネルギ源(11)を備えるものにおいて、
壁(10)の少なくとも一部を冷却するための冷却装置(14)を設けることを特徴とする、基板を熱処理する熱処理内側チャンバ。 - 壁(10)は、熱処理内側チャンバ(3)の内室(24)を、複数面で、好適には全面的に包囲する、請求項1または2記載の熱処理内側チャンバ。
- 冷却装置(14)は、液状の冷媒、特に油用の回路(15)を備える、請求項2または3記載の熱処理内側チャンバ。
- 熱処理内側チャンバ(3)の少なくとも1つの壁(10)に冷却通路(16)を設ける、請求項4記載の熱処理内側チャンバ。
- 熱処理内側チャンバ(3)の壁面の少なくとも80%および/または全ての壁(10)に冷却通路(16)を設ける、請求項5記載の熱処理内側チャンバ。
- 冷却通路(16)は、熱処理内側チャンバ(3)の壁(10)内で蛇行状に延びる、請求項5または6記載の熱処理内側チャンバ。
- 冷却通路(16)は、略矩形の横断面を有する、請求項5から7までのいずれか1項記載の熱処理内側チャンバ。
- 隣り合う冷却通路(16)は、ウェブ(18)によって仕切られ、該ウェブ(18)の幅(19)および/または高さ(18a)は、冷却通路(16)の幅(17)の20%〜80%である、請求項5から8までのいずれか1項記載の熱処理内側チャンバ。
- 熱エネルギ源(11)は、熱エネルギを放出するための加熱手段(11’)を備え、該加熱手段(11’)は、熱処理内側チャンバ(3)内に配置される、請求項2から9までのいずれか1項記載の熱処理内側チャンバ。
- 加熱手段(11’)は、好適には基板面(20)に対して平行に延びる複数の石英ロッド(12)により形成される、請求項10記載の熱処理内側チャンバ。
- 石英ロッド(12)は、基板面(20)の両側に配置される、請求項11記載の熱処理内側チャンバ。
- 熱処理内側チャンバ(3)に、エネルギ源(11)から入射される出力を反射するための中間反射壁(28)および/または縁反射器(30)が設けられている、請求項2から12までのいずれか1項記載の熱処理内側チャンバ。
- 少なくとも1つの壁(10)および/または少なくとも熱処理内側チャンバ(3)の内側面(29)は、少なくとも部分的に、耐熱性のかつ/またはセレンに対する耐性を有するかつ/または少なくとも赤外線高反射性の材料、好適には特殊鋼、モリブデン、金、窒化物、窒化チタン、窒化ケイ素または拡散高反射性の熱可塑性樹脂から成るか、またはそのような材料を含む、請求項13記載の熱処理内側チャンバ。
- 中間反射壁(28)および/または縁反射器(30)は、エネルギ源(11)から放射される出力を基板(20)に集束するように成形されている、請求項13記載の熱処理内側チャンバ。
- 熱処理内側チャンバ(3)の冷却される壁(10)と基板(20)との間に、温度均一化のための少なくとも1つの中間反射器(20’’)が配置されている、請求項13記載の熱処理内側チャンバ。
- 熱処理内側チャンバ(3)は、基板(20)を導入しかつ取り出すための閉鎖可能な開口(6)を備える、請求項2から16までのいずれか1項記載の熱処理内側チャンバ。
- 熱処理内側チャンバ(3)は、基板(20)を搬送するための搬送装置(8)と結合され、かつ/または基板(20)は、基板ボックスに収容される、請求項2から17までのいずれか1項記載の熱処理内側チャンバ。
- 基板(20)を熱加工するための加工チャンバ(1)であって、
周囲に対して基板(20)を遮蔽するための外側チャンバ(2)を備え、
該外側チャンバ(2)内に配置された、熱加工の間に基板(20)を収容するための熱処理内側チャンバ(3)を備え、
熱処理内側チャンバ(3)の内室(24)にエネルギを導入するためのエネルギ源(11)を備えるものにおいて、
加工チャンバ(1)は、熱処理内側チャンバ(3)の壁(10)の少なくとも一部を冷却するための冷却装置(14)を備え、かつ/または熱処理内側チャンバ(3)は、壁(10)を備え、エネルギ源(11)により導入される出力を反射するための壁(10)の内側面の少なくとも一部が、少なくとも赤外線高反射性の材料から成ることを特徴とする、基板を熱処理する加工チャンバ。 - 熱処理内側チャンバ(3)は、スペーサ(26)により、外側チャンバ(2)に固定される、請求項19記載の加工チャンバ。
- 冷却装置(14)は、液状の冷媒、特に油用の回路(15)を備え、
スペーサ(26)は、冷媒を供給しかつ排出するための中空室(27)を備える、請求項20記載の加工チャンバ。 - 外側チャンバ(2)は、真空チャンバである、請求項19から21までのいずれか1項記載の加工チャンバ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102010008084A DE102010008084A1 (de) | 2010-02-15 | 2010-02-15 | Vorrichtung zur thermischen Behandlung von Substraten |
DE102010008084.5 | 2010-02-15 | ||
PCT/EP2011/000680 WO2011098295A1 (de) | 2010-02-15 | 2011-02-14 | Vorrichtung zur thermischen behandlung von substraten |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013519863A true JP2013519863A (ja) | 2013-05-30 |
Family
ID=43984014
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012553212A Pending JP2013519863A (ja) | 2010-02-15 | 2011-02-14 | 基板を熱処理する装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130129329A1 (ja) |
EP (1) | EP2537175A1 (ja) |
JP (1) | JP2013519863A (ja) |
KR (1) | KR20130020882A (ja) |
CN (1) | CN102859646A (ja) |
DE (1) | DE102010008084A1 (ja) |
TW (1) | TW201135847A (ja) |
WO (1) | WO2011098295A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102010015263B4 (de) | 2010-04-15 | 2013-06-27 | Leybold Optics Gmbh | Hitzeschild in einer thermischen Bearbeitungskammer und Verfahren zu seiner Herstellung |
KR101720438B1 (ko) * | 2012-07-09 | 2017-03-27 | 쌩-고벵 글래스 프랑스 | 물체를 열처리하기 위한 장치 및 방법 |
KR102106969B1 (ko) * | 2013-02-26 | 2020-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 열처리 장치 및 그 방법 |
KR101476987B1 (ko) * | 2014-07-23 | 2014-12-30 | 한양대학교 산학협력단 | 열처리 장치 |
CN107475776B (zh) * | 2017-07-14 | 2019-07-16 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 用于kdp类晶体的油浴退火炉 |
Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5442705U (ja) * | 1977-08-30 | 1979-03-23 | ||
JPH05254882A (ja) * | 1992-03-12 | 1993-10-05 | Nippon Sekiei Glass Kk | 不透明石英ガラス |
JPH10270372A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置の熱処理炉 |
JP2000055561A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Shinku Riko Kk | 基板熱処理装置 |
JP2001183070A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Seiko Denki Sangyo:Kk | 陶芸用電気炉 |
JP2002064215A (ja) * | 2000-05-30 | 2002-02-28 | Kurt L Barth | 光起電力モジュールの大量製造装置および方法 |
JP2002106851A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Matsushita Kotobuki Electronics Industries Ltd | 加熱調理器 |
JP2003178857A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Miwa Seisakusho:Kk | オーブン |
WO2004072323A2 (en) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Solaicx | High reflectivity atmospheric pressure furnace for preventing contamination of a work piece |
JP2004327653A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 真空処理装置 |
JP2005175401A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Ngk Insulators Ltd | 反応容器 |
JP2005183728A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | セラミックスヒータ |
WO2006003798A1 (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-12 | Ulvac, Inc. | 基板温度測定装置及び処理装置 |
JP2006046926A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Ushio Inc | 放射温度測定装置 |
JP2006071212A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 炉体水冷ジャケット |
JP2008107050A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Iwasaki Electric Co Ltd | 高温加熱炉 |
JP2009231661A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
WO2009153059A1 (de) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Volker Probst | Prozessvorrichtung zum prozessieren von insbesondere gestapelten prozessgütern |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994007269A1 (de) | 1992-09-22 | 1994-03-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Schnelles verfahren zur erzeugung eines chalkopyrit-halbleiters auf einem substrat |
US6182851B1 (en) * | 1998-09-10 | 2001-02-06 | Applied Materials Inc. | Vacuum processing chambers and method for producing |
US6310328B1 (en) * | 1998-12-10 | 2001-10-30 | Mattson Technologies, Inc. | Rapid thermal processing chamber for processing multiple wafers |
DE19936081A1 (de) | 1999-07-30 | 2001-02-08 | Siemens Ag | Vorrichtung und Verfahren zum Temperieren eines Mehrschichtkörpers, sowie ein unter Anwendung des Verfahrens hergestellter Mehrschichtkörper |
US6496648B1 (en) * | 1999-08-19 | 2002-12-17 | Prodeo Technologies, Inc. | Apparatus and method for rapid thermal processing |
ATE481740T1 (de) | 1999-10-20 | 2010-10-15 | Saint Gobain | Vorrichtung und verfahren zum temperieren mindestens eines prozessierguts |
DE10060628A1 (de) * | 2000-12-06 | 2002-01-31 | Infineon Technologies Ag | RTP-Reaktor sowie dazugehöriges Betriebsverfahren |
FR2843629B1 (fr) * | 2002-08-14 | 2005-05-06 | Joint Industrial Processors For Electronics | Dispositif de traitement thermique rapide comportant a l'interieur de la chambre de reaction des lampes infrarouges halogenes a paroi froide |
DE10304774B3 (de) | 2003-02-05 | 2004-07-15 | Pink Gmbh Vakuumtechnik | Verfahren und Vorrichtung zur Temperaturbeaufschlagung von Werkstücken |
WO2008099449A1 (ja) * | 2007-02-09 | 2008-08-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 断熱構造体、加熱装置、加熱システム、基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
DE102007048564A1 (de) * | 2007-10-09 | 2009-04-23 | Heraeus Noblelight Gmbh | Vorrichtung für eine Bestrahlungseinheit |
-
2010
- 2010-02-15 DE DE102010008084A patent/DE102010008084A1/de not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-02-14 EP EP11708696A patent/EP2537175A1/de not_active Withdrawn
- 2011-02-14 WO PCT/EP2011/000680 patent/WO2011098295A1/de active Application Filing
- 2011-02-14 JP JP2012553212A patent/JP2013519863A/ja active Pending
- 2011-02-14 KR KR1020127024094A patent/KR20130020882A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-02-14 CN CN2011800191944A patent/CN102859646A/zh active Pending
- 2011-02-14 US US13/579,212 patent/US20130129329A1/en not_active Abandoned
- 2011-02-15 TW TW100104858A patent/TW201135847A/zh unknown
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5442705U (ja) * | 1977-08-30 | 1979-03-23 | ||
JPH05254882A (ja) * | 1992-03-12 | 1993-10-05 | Nippon Sekiei Glass Kk | 不透明石英ガラス |
JPH10270372A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-10-09 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体製造装置の熱処理炉 |
JP2000055561A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Shinku Riko Kk | 基板熱処理装置 |
JP2001183070A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Seiko Denki Sangyo:Kk | 陶芸用電気炉 |
JP2002064215A (ja) * | 2000-05-30 | 2002-02-28 | Kurt L Barth | 光起電力モジュールの大量製造装置および方法 |
JP2002106851A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Matsushita Kotobuki Electronics Industries Ltd | 加熱調理器 |
JP2003178857A (ja) * | 2001-12-10 | 2003-06-27 | Miwa Seisakusho:Kk | オーブン |
WO2004072323A2 (en) * | 2003-02-07 | 2004-08-26 | Solaicx | High reflectivity atmospheric pressure furnace for preventing contamination of a work piece |
JP2004327653A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 真空処理装置 |
JP2005175401A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-06-30 | Ngk Insulators Ltd | 反応容器 |
JP2005183728A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Kyocera Corp | セラミックスヒータ |
WO2006003798A1 (ja) * | 2004-07-01 | 2006-01-12 | Ulvac, Inc. | 基板温度測定装置及び処理装置 |
JP2006046926A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Ushio Inc | 放射温度測定装置 |
JP2006071212A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-03-16 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 炉体水冷ジャケット |
JP2008107050A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Iwasaki Electric Co Ltd | 高温加熱炉 |
JP2009231661A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
WO2009153059A1 (de) * | 2008-06-20 | 2009-12-23 | Volker Probst | Prozessvorrichtung zum prozessieren von insbesondere gestapelten prozessgütern |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201135847A (en) | 2011-10-16 |
US20130129329A1 (en) | 2013-05-23 |
KR20130020882A (ko) | 2013-03-04 |
WO2011098295A1 (de) | 2011-08-18 |
EP2537175A1 (de) | 2012-12-26 |
CN102859646A (zh) | 2013-01-02 |
DE102010008084A1 (de) | 2011-08-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6941063B2 (en) | Heat-treating methods and systems | |
US20120171632A1 (en) | Device and treatment chamber for thermally treating substrates | |
JP2013519863A (ja) | 基板を熱処理する装置 | |
JP5361106B2 (ja) | 多層構造体を温度処理するための装置および方法、並びにその種の多層構造体 | |
CN102576676A (zh) | 用于改善控制加热和冷却基板的设备与方法 | |
US20110174790A1 (en) | Annealing apparatus | |
JP2003526940A (ja) | 基板の局部加熱および局部冷却 | |
JP2008177300A (ja) | 加熱装置、塗布、現像装置、加熱方法及び記憶媒体 | |
AU769237B2 (en) | Device and method for tempering at least one process good | |
US6787485B1 (en) | Appliance and method for tempering a plurality of process items by absorption of electromagnetic radiation generated by plural sources of the radiation | |
US8796160B2 (en) | Optical cavity furnace for semiconductor wafer processing | |
JP2008053401A (ja) | ランプ加熱装置 | |
JP5964630B2 (ja) | 熱処理装置 | |
TWI671804B (zh) | 熱處理裝置 | |
WO2002047123A1 (en) | Heat-treating methods and systems | |
JP2007303805A (ja) | 平板表示素子製造用熱処理炉、これを含む平板表示素子製造装置、その製造方法、およびこれを利用した平板表示素子 | |
KR100620444B1 (ko) | 열처리 방법 | |
JP2007335344A (ja) | 加熱装置 | |
KR102155100B1 (ko) | 아크 램프용 전극 팁 | |
TW201327706A (zh) | 基板處理裝置及基板處理系統 | |
KR101736265B1 (ko) | 폴리이미드 기판제조용 열처리 오븐 | |
Singh | Processing (RIP) | |
GB2406711A (en) | Heat treatment methods and systems |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140331 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140627 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140704 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140725 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140801 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140829 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140930 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141027 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150127 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150319 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150525 |