TW201135607A - Wireless tag - Google Patents

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TW201135607A
TW201135607A TW099134374A TW99134374A TW201135607A TW 201135607 A TW201135607 A TW 201135607A TW 099134374 A TW099134374 A TW 099134374A TW 99134374 A TW99134374 A TW 99134374A TW 201135607 A TW201135607 A TW 201135607A
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Manabu Kai
Teruhisa Ninomiya
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Fujitsu Ltd
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    • H01Q19/06Combinations of primary active antenna elements and units with secondary devices, e.g. with quasi-optical devices, for giving the antenna a desired directional characteristic using refracting or diffracting devices, e.g. lens
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    • H01Q7/00Loop antennas with a substantially uniform current distribution around the loop and having a directional radiation pattern in a plane perpendicular to the plane of the loop

Description

201135607 六、發明說明: 【發明戶斤屬之技術領域3 發明領域 本文說明之實施例係有關於一種無線標籤。 【先前技術;j 發明背景 例如’可用於該UHF頻帶之一雙極性類型RFID(射頻識 別)標籤以一無線標籤所著稱。該雙極性類型rFID標籤附接 於’諸如厚卡或衣物之非金屬物件。該雙極性類型rFid標 籤附接於一金屬表面時,其停止發送無線電波,天線之增 ϋ下降,而該天線及一晶片間之匹配瓦解,使得該雙極性 類型RFID標籤無法與一讀取器/寫入器(rw)通訊。 一迴路天線以可附接於金屬之一天線的一範例所著 稱。一迴路平面受安裝而與一金屬平面垂直。因此,鏡電 流於該金屬平面之相對側上流動,此表示該迴路天線具有 比該迴路天線實際上具有的還大的迴路。於是,該迴路天 線即使附跡該金屬平面時仍可通訊。該㈣天線僅配備 形成該迴路之一線圈以及連接至該線圈來操作之一晶片。 為人熟知的一相關技術為一RFID標籤,其中一天線薄 片使用連接於-晶片部分中之該天線薄片的兩端而於一介 電質基體附近轉動1而,製造^FID標籤之成本相當昂 貴。因為-晶片端子與該天線之—端連接,故該連接點相 當脆弱且可能麟。特別是,可附接於—金屬平面之該RFID 標藏可用於例如—汽車_線路中並附接於車體。此情況 3 201135607 中,強大力1會施加於該rfID上。 下列RFID標籤亦相當著名:一晶片安裝於在一介電質 基體上轉動之-天線薄片上,該天線之兩端彼此相當靠近 而因此可作c-耦合(電容性耦合)。由於該c耦合(電容性耦 合),忒天線之兩端可於—RFID頻帶(例如,86〇 MHz至96〇 MHz)中搞合κ:·#合部分之—間隙的距離需為數十微 米。然而’實際上,由於該介電質基體彎曲以及其他因素 故很難維持該間隙之距離。4匕夕卜,製造該RFID標鐵之成本 相當昂貴。 [專利文件1]曰本早期專利公開案標號第2〇〇7_272264號。 [專利文件2]日本早期專利公開案標號第2〇〇8 9〇8丨3號。 然而,如以上該無線標籤之範例中所述,报難製造即 使附接於金屬仍可通訊並具有穩定效能之一無線標籤。 【發明内容】 發明概要 疋,尽發明 有穩定效能之一無線標鐵。 根據本發明之-觀點種無線標籤包括:一包括輕 合至-迴路天線之第H端子並❹該迴路天線來執 行無線通訊的無線通訊電路;一第一導體,其形成一第一 彎曲表面並包括〆放置於該第一彎曲裘 叫衣囬之一第一端並耦 合至該第-端子的第三端子,以及包括—含有該第一彎曲 表面之-第二端的第-區;以及_第二導體,其形成一第 二彎曲表面、包括〆放置於該第二彎曲表面之—第三端並 201135607 耦合至該第二端子的第四端子,以及包括一含有該第二彎 曲表面之一第四端的第二區,該第二區與該第一區平行並 與該第一區重疊,該等第一及第二彎曲表面形成該迴路天 線。 圖式簡單說明 第1圖是一繪示一晶片及一RF1D標籤la之天線的操作 不意圖, 第2圖是一繪示該晶片及該RH D標籤1 a之天線的一等 效電路之電路圖; 第3圖是一繪示該RF1D標籤la之結構分解圖; 第4圖是一繪示於該核心樹脂6附近轉動前之一天線薄 片2a的結構立體圖; - 第5圖是一繪示一 RHD標籤製造方法之流程圖; . 第6圖是一繪示於該核心樹脂6附近轉動之該天線薄片 2a的結構立體圖; 第7圖是一繪示一晶片4以及金屬型樣5a及5b之結構立 體圖; 第8圖是一繪示一重疊部分24a之結構側面圖; 第9圖是一繪示該RFID標籤la之結構橫截面圖; 第10圖是一繪示該RFID標籤la之結構立體圖; 第11圖是一繪示S2及Lap間之關聯的計算值之圖形; 第12圖是一繪示S2及Rap間之關聯的計算值之圖形; 第13圖是一繪示通訊距離之一頻率特性的計算值之圖 形; *^|· 201135607 第14圖是一繪示支援多個頻率之該核心樹脂6的結構 立體圖; 第15圖是一繪示於該核心樹脂6附近轉動前之一天線 薄片2b的結構立體圖; 第16圖是一繪示於該核心樹脂6附近轉動之該天線薄 片2b的結構立體圖; 第17圖是一繪示一 RFID標籤lc之結構立體圖; 第18圖是一繪示一 RFID標籤Id之結構立體圖; 第19圖是一繪示一 RFID標籤le之結構立體圖;以及 第20圖是一繪示一晶片及該RFID標籤le之天線的一等 效電路之電路圖。 t:實施方式3 較佳實施例之詳細說明 下文中,將參照附圖來說明本發明之實施例。 <第一實施例> 下文說明該第一實施例之一RFID標籤la,其為本發明 之一無線標籤的一應用範例。該RFID標籤la使用該UHF頻 帶中之一RFID頻率以無線方式與一讀取器/寫入器通訊。該 讀取器/寫入器透過無線通訊從該RFID標籤la讀出資料並 透過無線通訊將資料寫入該RFID標藏la。 第1圖是一繪示一晶片及該RHD標籤la之天線的操作 示意圖。該RFID標籤la包括一晶片4及一迴路天線之一天線 21。該RHD標籤la附接於一金屬平面22時,該天線21如同 上述迴路天線一樣使用鏡電流23。 201135607 下文說明該晶片4與s亥天線21之關聯。該晶片4為一半 導體晶片,其包括一無線通訊電路並使用該天線21以無線 方式與·一1項取為/寫入益通5孔。该晶片4為例如LSI(大型積體 電路)。 第2圖是一繪示該晶片及該RFID標籤1 a之天線的一等 效電路之電路圖。該晶片4之等效電路以並聯電阻Rcp及並 聯電容Cep來表示。例如,Rep約為2,000Ω ; Cep約為l.〇pF。 該天線21之等效電路以並聯電阻(輻射電阻)Rap及並聯電 感Lap來表示。該晶片4之兩個端子以及該天線21之兩個端 子必須直接連接而不需一匹配電路介於之間。此情況中, 該晶片4及該天線21之一共振條件以下列方程式來表示。 [方程式1]
Cep及Lap於一 RFID頻率f0(—特定頻率)符合共振條件 而Rep及Rap之數值相同時,該天線21接收之所有功率皆供 應至該晶片4。例如,f0為該UHF頻帶中86〇MHz至 960MHz。例如 ’ Cep為 l.OpF時 ’ f〇為953MHz而Lap為28nH。
Cep及Lap不符合共振條件或者Rep及Rap之數值不同時,令 晶片4及β玄天線21之間會出現失配現象’其使得該rfid標鐵 之該通訊距離更短。 不像一習知可攜端子天線或無線LAN天線,該uhf-頻 帶RFID標籤la之該天線21並不連接至一 5〇Q (或75 Ω)高頻 率電路。因此,該天線21不需符合下列該習知可攜端子天 線的條件.輸入阻抗Rap為5 0 Ώ而該輸入阻抗之該虛數構件 (C及L構件)為0。於是,可使用不同於該習知可攜端子天線 7
S 201135607 之一天線設計方法來設計該天線21。因為該天線21及該晶 片4直接連接一起而不需一匹配電路,故Rap及Lap必須如上 述個別為,例如,約2,〇〇〇 Ω及28nH。 下文說明用來製造本發明可應用之該RFID標籤la的一 RFID標籤製造方法。 第3圖是一繪示該RFID標籤la之結構分解圖。該rFId 標鐵1 a包括一天線薄片2a、核心樹脂6、一容器7以及一外 蓋8。第4圖是·一繪示於s亥核心樹脂6附近轉動前之—天線薄 片2a的結構立體圖。 第5圖是一繪示該RFID標籤製造方法之流程圖。根據該 RF1D標籤製造方法,該天線薄片2a可藉由將該晶片4及金屬 型樣5a及5b放置於一絕緣膜薄片3上來製造(s 1 〇)。根據該 RFID標籤製造方法,該晶片可放置於該絕緣膜薄片3中央而 銀色膠糊可喷灑於該絕緣膜薄片3上,因而形成該等金屬型 樣5a及5b並將該晶片4之一第一端子連接至該金屬型樣元 以及將該晶片4之一第二端子連接至該金屬型樣%。該等第 一及第二端子為該天線21之饋送點。 一第一端為該金屬型樣5a之該較長方向端的其中之 - ’其比另-端更接近該晶片4。1二端為該金屬型樣& 之該較長方向端的其中之-,其針對該晶片4位於該金屬型 砂之該相對側。-第三端為該金屬型樣5b之該較長方向 端的其中之―’其比另—端更接近該晶片4。_第 金屬型樣5b之贿財㈣的其巾^,其針_晶片41 於該金屬型樣5b之該相對側。 201135607 第6圖是一繪示於該核心樹脂6附近轉動之該天線薄片 2a的結構立體圖。根據該RFID標籤製造方法,該天線薄片 2a可於該核心樹脂6之一預定位置附近轉動(S20)。此情況 中,該天線薄片2a於該核心樹脂6附近轉動使得該天線薄片 2a之該較長方向與該核心樹脂6之該較長方向排列對齊。由 於該核心樹脂6之該頂部表面的中央被視為一參考點,故該 晶片4可位於該核心樹脂6之該較長方向的一位置(一特定 位置)S2。該天線薄片2a之該較長方向長度比該核心樹脂6 之該較長方向周長還長:該長度差異為L2。因此,於該核 心樹脂6附近轉動之該天線薄片2 a的較長方向之兩端具有 重疊部分。 透過該絕緣膜薄片3平放於該金屬型樣5b上而與該金 屬型樣5b平行之該金屬型樣5a的一區域受定義為一第一 區。透過該絕緣膜薄片3平放於該金屬型樣5a上而與該金屬 型樣5a平行之該金屬型樣5b的一區域受定義為一第二區。 該等第一及第二區受定義為一重疊部分24a。此情況中,該 重疊部分24a位於該核心樹脂6之該下表面上。於該核心樹 脂6之較長方向該重疊部分24a的長度為L2。此方法中,上 述該預定位置由S2及L2決定。 第7圖是一繪示該晶片4以及金屬型樣5a及5b之結構立 體圖。該等金屬型樣5a及5b形成為一迴路天線之該天線21。 第8圖是一繪示該重疊部分24a之結構側面圖。該重疊 部分24a於該等兩個金屬型樣5a及5b之間具有一間隙:該間 隙之大小等於該絕緣膜薄片3之厚度(例如,0.1mm)。此方 9 9 201135607 法中,由於C-耦合所以該等金屬型樣5a及5b於該高頻RFID 頻帶中耦合;該等金屬型樣5a及5b不需為DC-耦合。 該核心樹脂6可由例如,諸如ABS樹脂、PET樹脂或聚 碳酸脂樹脂之合成樹脂(塑膠)所組成。 根據該RFID標籤製造方法,該天線薄片2a及該核心樹 脂6放置於該容器7中(S30)。該容器7由與該核心樹脂6相同 材料所組成,亦即,合成樹脂,並藉由樹脂塑造來製造。 根據該RFID標籤製造方法,該外蓋8放置於該容器7之 該頂部開口上,該容器7及該外蓋8黏結一起,而該容器7以 該外蓋8密封(S40)。該外蓋8由與該核心樹脂6相同材料所組 成,亦即,合成樹脂。此情況中,該容器7及該外蓋8以一 黏著劑、螺絲等等黏結一起。 第9圖是一繪示該RFID標籤1 a之結構橫截面圖。該橫截 面圖繪示該絕緣膜薄片3、該等金屬型樣5a及5b、該核心樹 脂6、該容器7及該外蓋8。該容器7之内壁深度以h表示。該 金屬型樣5a、該絕緣膜薄片3、該核心樹脂6、該絕緣膜薄 片3、該金屬型樣5a、該絕緣膜薄片3以及該金屬型樣5b於 該容器7内側組合的一部分(一組合)之高度以Η表示。其中 H>h,而該容器7及該外蓋8黏結一起,因而使該重疊部分 24a之該等金屬型樣5a及5b間的間隙保持固定。因此,組成 該重疊部分24a之該等第一及第二區不需組合一起。此情況 中,該容器7及該外蓋8有彈性;該外蓋8可如一彈簀般彎 曲。該重疊部分24a可以介於其間之一黏著劑等等黏結一 起。 10 201135607 第10圖是一繪示該RJFID標籤la之結構立體圖。該RFID 標籤1 a之維度為例如50mm X 15mm X 7mm,極度壓縮為一 UHF-頻帶RJID標籤。該天線薄片2a於該核心樹脂6附近轉 動,5亥天線薄片2a及該核心樹脂6以該容器7及該外蓋8覆 蓋。於是,該RHD標籤la之該機械強度可得以維持。 該RFID標籤製造方法之流程於上述程序中結束。 下文說明用來設計該RFID標籤1 a之一 RFID標鐵設計 方法。 根據該RFID標籤設計方法’由於使用一電磁場模擬 器’故該晶片4所見之天線輸入阻抗等等可以變化的[2及82 來計算。在此,該核心樹脂6、該容器7及該外蓋8為具有相 對電容率ε r=3之介電質材料。該絕緣膜薄片3之厚度為 0.1mm時,該重疊部分24a之該等金屬型樣5a及5b間的間隙 為0.1mm。如上述範例中,該晶片4中Ccp=l.〇pF而Rcp=2,000 Ω。 第11圖是一繪示S2及Lap間之關聯的計算值之圖形。該 圖形中,該水平軸表示S2[mm],而該垂直軸表示Lap[nH]。 具有三角形之曲線表示L2為5 [mm]的情況。具有圓形之曲 線表示L2為10[mm]的情況。具有正方形之曲線表示]^2為 20[mm]的情況。具有菱形之曲線表示L2為45[mm]的情況。 該情況中’ f0為日本RFID頻率標準953 MHz。f0為該RFID 標籤la共振之953 MHz時,Lap為28 nH並以繪示S2及Lap間 之關聯的計算值之圖形中具有符號JP之一線段表示。該情 況中,例如,L2為10 mm時,S2為9 mm。再者,f〇為915 MHz 11 201135607 之美國RFID頻率標準時,具有符號US之線段表示Lap之數 值;fO為868 MHz之歐洲RFID頻率標準時,具有符號EU之 線段表示Lap之數值。 第12圖是一繪示S 2及R a p間之關聯的計算值之圖形。該 圖形中,該水平轴表示S2[mm],而該垂直轴表示Rap[ Ω ]。 具有三角形之曲線表示L2為5[mm]的情況。具有圓形之曲 線表示L2為10[mm]的情況。具有正方形之曲線表示L2為 20[mm]的情況。具有菱形之曲線表示L2為45[mm]的情況。 繪示S2及Rap間之關聯的計算值之該圖形中,一虛線表示 2,000Ω,Rap之最適當值等於Rcp。 根據上述L2=10 mm而S2=9 mm時之S2及Rap計算值, Rap為8,100Ω ’其與最適當值2,〇〇〇Q不同。即使該差異對 通訊距離具有衝擊’但該衝擊微乎極微。 若上述情況中Rap及該最適當值之間有一差異,則若_ 天線用於一可攜式端子時該天線需調整至5〇Ω,該天線及 一咼頻電路(晶片)間需要一額外的匹配電路。 此外,假設該晶片4之最小操作功率Pmin等於_14 dBm,則與該RFID標籤1 a無線通訊之該讀取器/寫入器的輸 出為1W(=30 dBm),而該讀取器/寫入器之該天線增益為— 線性極化波6 dBi。此情況中,該腿)標籤^及讀取器/寫入 器之通訊距離的頻率特性可受計算。第13圖是—繪示通訊 距離之該頻率特性的計算值之圖形。該圖形中,該水平輪 表示頻率[MHz],而該垂直軸表示通訊距離(讀取範 圍)M。具有二角形之曲線表示12為5[_]的情況。具有圓 12 201135607 形之曲線表示L2為10[mm]的情況。具有正方形之曲線表示 1^2為20[111111]的情況。具有菱形之曲線表示]^2為45[1]1111]的情 況。根據上述計算值,其中f0=953 MHz,其為日本RFID頻 率’該通訊距離約為6 m至7m。該方法中,該RFID標籤la 之尺寸很小並且具有一長通訊距離。 第14圖是一繪示支援多個頻率之該核心樹脂6的結構 立體圖。根據該RFID標籤設計方法,為了支援多國之rFID 頻率’例如’ S2值可針對曰本、美國及歐洲之該等处出頻 率受叶异,該核心樹脂6可以表示每一國家之|§2值(該晶片4 之位置)的一符號(JP、US或EU)來標示。因f〇於日本為953 MHz,故Lap為28 nH。因f〇於美國為915 MHz,故Lap為30 nH。因f〇於歐洲為868 MHz,故Lap為33 nH。於日本L2為 ' 10 mm時,S2(JP)為9 mm,於美國 S2(US)為 10·6 mm,而於 - 歐洲S2(EU)為11 mm。該天線薄片2a於該核心樹脂6上轉動 使得該晶片4可放置於一所欲國家之該符號上。 根據該RFID標籤製造方法,上述S20中,該晶片4之位 置可根據每一國家之該符號來偏移。亦即,該相同材料用 於該天線薄片2a'該核心樹脂6、該容器7及該外蓋8時,該 晶片4之位置可被移動來支援每一國家之頻率。因此,運送 至許多國家的成本可得以降低。 上述範例中,該絕緣膜薄片3之厚度為〇.1 其不受 限於該圖形中。該絕緣膜薄片3變得較薄時,32及[叩之該 汁算值曲線向上移動,導致Lap增加。反之,該絕緣膜薄片 3變得較厚時,S2及Lap之該計算值曲線向下移動,導致Lap λ. 13 201135607 減少。 從S2及Lap之該計异值可清楚看出若L2固定,貝ij相對S2 之改變,Lap的改變變得較小,而該S2及Lap之計算值曲線 的梯度變得較緩和。因此,相對該最適當Lap,用於製造之 S2的容許範圍變得較大,導致製造成本降低。於是,;L2, 該材料等等之維度會以一種使S2更接近〇,亦即,使該晶片 4之位置更接近該核心樹脂6之較長方向的中央的方式來決 定。 從S2及Lap之該計算值可清楚看出若[2固定,則]^2減 少時S2增加。若使L2更接近〇,則S2及Lap之該計算值曲線 更向下移動,而針對Lap可取得該最適當值28 niL^S2變得 更大。此情況中,很清楚地該上述RFID標籤la之較長方向 的長度為50 mm時,該RFID標籤la便無法被實現。若因為 該迴路之大小增加而該電感值上升使得該RFID標籤u製造 得較大,則該RFH3標籤la可得以實現。然而,該RFm標籤 la之尺寸會變得較大。該天線之兩端為c_耦合時,若該間 隙部分如同一習知技術的情況為數十微米或者若該RFn^g 籤la之L2減少,則該RFID標籤la可得以實現。然而,兩種 情況中該RFID標籤la之尺寸會變得較大。 亦即,因該RFID標籤la具有該重疊部分24&,故該rf][d 標籤la之尺寸可製造得較小。 <第二實施例> 相較於該第一實施例之該RHD標籤la,該第二實施例 之一RFID標籤包括一天線薄片2b而非該天線薄片。 14 201135607 弟15圖是一、纟會示於該核心樹脂6附近轉動前之該天線 薄片2b的結構立體圖。該天線薄片2b上,與該天線薄片2a 相同的符號表示與該天線薄片2a相同的構件、或類似構 件’於此不再說明。切口 11a及Hb於該天線薄片2b上從該 較長方向之兩端朝向中央形成。該等切口 11a及lib之每一 個的長度上皆大於或等於L2/2。該圖形繪示之範例中,該 等切口 11a及lib之每一個的長度上為L2/2。 用來製造該第二實施例之該RFID標籤的該第二實施例 之一RFID標籤製造方法與該第一實施例之該RFID標籤製 造方法的相同。然而,根據該第二實施例之該RFID標籤製 造方法,於S20,該天線薄片2b於該核心樹脂6上轉動後該 等切口 1 la及1 lb會組合。結果是,該天線薄片2b之兩端會 叙合。第16圖是一繪示於該核心樹脂6附近轉動之該天線薄 片2b的結構立體圖。由於該等切口 ua及ub,該天線薄片 2b之兩端會組合’此使得於該核心樹脂6附近轉動之該天線 薄片2b很難從S20移至S30。因此,變得較容易產生該天線 薄片2b。 <第三實施例> 下文說明該第三實施例之一RFID標籤lc,其為本發明 之無線標籤的一應用範例。第17圖是一繪示該RF1D標籤lc 之結構立體圖。該RFID標籤lc中,與該RFID標籤ia相同的 符號表示與該RFID標籤1 a相同的構件、或類似構件,於此 不再說明。相較於該RFID標籤la,該RFID標籤lc包括一層 板薄膜12而非該容器7及外蓋8。 «%. 15 201135607 下文說明用來製造該第三實施例之標籤lc的該 第三實施例之一RFID標籤製造方法。根據該第三實施例之 該RFID標籤製造方法,上述sl〇及S2〇可得以實現。根據該 第三實施例之該RFID標籤製造方法,而非執行上述S3〇及 S40,δ亥天線薄片2a及該核心樹脂6可以該層板薄膜丨]來覆 蓋、或形成薄板。 若不需咼強度或需要較低成本時,則需要該^^瓜標籤 lc ° 〈第四貫施例> 下文說明該第四實施例之一 RnD標籤ld,其為本發明 之無線標_-應贿例。第_L^FID標藏ld 之結構立體圖。該RFID標籤1(1中,與該RFID標籤la相同的 符號表示與该RFID標籤la相同的構件 '或類似構件,於此 不再說明。相較於該RFID標籤la,該RHD標籤1(1包括一天 線薄片2柄非鼓線薄片2a。純於該天線薄片&,該天 線薄片2d形成-重4部分24b而非該重疊部分—。該天線 薄片2d之兩個金屬型樣間的長度差異比該天線薄片以之兩 個金屬型樣_長度差異還大。因此,該重疊部分施於該 核心樹脂6之頂部表面形成。因該重疊部分24b位於該核心 樹脂6之頂部表面,故從上文中可同時確認幻及12,導致製 造成本降低。 <第五實施例> 下文說明該第五實施例之— RFID標籤le,其為本發明 之無線標籤的一應用範例。該RnD標籤“比該第一實施例 16 201135607 之該RFID標織la還小。 第I9圖是一繪示該RFID標籤le之結構立體圖。該RFlt) 標籤le中,與該RFID標籤la相同的符號表示與該RFID標織 la相同的構件、或類似構件,於此不再說明。相較於該51打〇 才示鐵1 a,s亥RFID標臧1 e包括一天線薄片2e而非該天線薄片 2a。相車父於該天線薄片2a,該天線薄片以包括金屬型樣& 及5j而非該等金屬型樣5a及5b。上述RFID標籤la之維度為 50 mm X 15 mm X 7 mm。該RFID標籤 le之維度為34 mm x 14 mm x 4 mm。 第20圖是一繪示一晶片及該RFID標籤le之天線的一等 效電路之電路圖。該RFID標籤le之一迴路天線的周長小於 該RFID標籤la。該迴路天線之該電感值Lap2因此小於該 , RFID標籤1&之[叩。該等金屬型樣5i及5j以一交叉指型來形 - 成。一交叉指型之該等金屬型樣5i及5j間的距離約為〇.5 mm。由於上述外型,該等金屬型樣5丨及习之該^耦合具有 電容Cap2。若該晶片4之Cep維持不變,則因為該等金屬型 樣5ι及5j具有Cap2故可滿足一共振條件。於是,即可將該晶 片4與該迴路天線匹配。此情況中,該晶片4及迴路天線之 該共振條件以下列方程式表示。 [方程式2] 因為該RFID標籤le之尺寸小於該RFID標籤la,故該 RHD標籤1 e之該天線增益小於該rfid標籤丨a。該RFID標籤 le之該通訊距離稍小於該rfID標籤la。 上述每一實施例中,於該天線薄片厶之強度足夠的情 17 201135607 況下,該外蓋8、或該容器7及外蓋8兩者可加以省略。於該 天線薄片2a之強度足夠的情況下,該核心樹脂6可加以省 略。於該等金屬型樣5a及5b之強度足夠的情況下,該絕緣 膜薄片3可加以省略。於該等金屬型樣5a及5b之強度足夠的 情況下,可提供一黏著劑而非該絕緣膜薄片3。 根據上述每一實施例,可以低成本來實現一小型無線 標籤:該無線標籤之結構相當簡單並具有一較長通訊距 離,而該無線標籤即使附接於金屬時仍能通訊。 一第一導體為,例如,該金屬型樣5a或5i。一第二導體 為,例如,該金屬型樣5b或5j。一第一彎曲表面參照為, 例如,於該核心樹脂6附近轉動之該金屬型樣5a或5i的外 型。一第二彎曲表面參照為,例如,於該核心樹脂6附近轉 動之該金屬型樣5b或5j的外型。一薄片為,例如,該天線 薄片2a、2b、2d或2e。一介電質核心參照為,例如,該核 心樹脂6。 根據本申請案揭示之該等技術,附接於金屬之該無線 標籤可達到穩定的效能。 la、lc、Id、及 le 表示 RFID 標籤。2a、2b、2c、及 2e 表示天線薄片。3表示一絕緣膜薄片。4表示一晶片。5a及 5b表示金屬型樣。6表示核心樹脂。7表示一容器。8表示一 外蓋。11 a及lib表示切口。12表示一層板薄膜。21表示一 天線。22表示一金屬平面。23表示鏡電流。24a及24b表示 重疊部分。 本文列舉之所有範例及條件語言意欲作為教育目的以 18 201135607 協助讀者了解本發明及發明者貢獻促進該技術之概念,而 非視為僅侷限於該類特定列舉的範例及條件中,該說明書 中該類範例之組織亦與描述本發明之優劣勢無關。雖然本 發明之該(等)實施例已詳細說明,但應了解在不違背本發明 之精神與範疇下其可作各種不同的變化、取代、及交替。 I:圖式簡單說明】 第1圖是一繪示一晶片及一RFID標籤la之天線的操作 不意圖, 第2圖是一繪示該晶片及該RFID標籤la之天線的一等 效電路之電路圖; 第3圖是一繪示該RFID標籤la之結構分解圖; 第4圖是一繪示於該核心樹脂6附近轉動前之一天線薄 - 片2a的結構立體圖; , 第5圖是一繪示一 RFID標籤製造方法之流程圖; 第6圖是一繪示於該核心樹脂6附近轉動之該天線薄片 2a的結構立體圖; 第7圖是一繪示一晶片4以及金屬型樣5a及5b之結構立 體圖; 第8圖是一繪示一重疊部分24a之結構側面圖; 第9圖是一繪示該RFID標籤la之結構橫截面圖; 第10圖是一繪示該RFID標籤la之結構立體圖; 第11圖是一繪示S2及Lap間之關聯的計算值之圖形; 第12圖是一繪示S2及Rap間之關聯的計算值之圖形; 第13圖是一繪示通訊距離之一頻率特性的計算值之圖 19 201135607 形; 第14圖是一繪示支援多個頻率之該核心樹脂6的結構 立體圖; 第15圖是一繪示於該核心樹脂6附近轉動前之一天線 薄片2b的結構立體圖; 第16圖是一繪示於該核心樹脂6附近轉動之該天線薄 片2b的結構立體圖; 第17圖是一繪示一 RFID標籤lc之結構立體圖; 第18圖是一繪示一 RFID標籤Id之結構立體圖; 第19圖是一繪示一 RFID標籤le之結構立體圖;以及 第20圖是一繪示一晶片及該RFID標籤le之天線的一等 效電路之電路圖。 【主要元件符號說明】 la、lc、Id、le...RFID 標籤 21·.·天線 2a、2b、2c、2d、2e...天線薄片 22...金屬平面 3...絕緣膜薄片 23...鏡電流 4…晶片 24a、24b...重疊部分 5a、5b、5i、5j···金屬型樣 Cep···並聯電容 6...核心樹脂 Lap··.並聯電感 7...容器 Lap2.··電感值 8...外蓋 L2...長度差異 11a、lib···切口 Rep、RaP...並聯電阻 12...層板薄膜 S2...特定位置 20

Claims (1)

  1. 201135607 七、申請專利範圍: 1. 一種無線標籤,包含有: 一包括耦合至一迴路天線之第一及第二端子並使 用έ亥迴路天線來執行無線通訊的無線通訊電路; 弟一導體’其形成一第一彎曲表面,且其包括一 放置於該第一彎曲表面之一第一端並耦合至該第一端 子的第三端子,以及包括一含有該第一彎曲表面之一第 一端的第一區;以及 一第二導體,其形成一第二彎曲表面,且其包括一 放置於該第二彎曲表面之一第三端並耦合至該第二端 子的第四端子,以及包括一含有該第二彎曲表面之一第 四端的第二區,該第二區與該第一區平行並與該第一區 重i,6亥等第一及第二彎曲表面形成該迴路天線。 2·如申請專利範圍第1項之無線標籤,更包含: 該迴路天線之一介電質核心,該等第一及第二導體 於該核心上轉動。 3.如申請專利範圍第2項之無線標籤,更包含: 覆蓋該電路、該第一導體、以及該第二導體之一介 電質蓋子。 如申睛專利範圍第3項之無線標籤,更包含: 、·巴緣薄片’其可於該介電質核心附近轉動以便爽 於該等第-及第二導體之間’並使該等第—及第二區之 間保持一距離,該距離等於該薄片之一厚度。 如申請專利範圍第4項之無線標籤,其中: a 21 201135607 該蓋子包括一彈性容器及一彈性外蓋; 該核心、該第一導體、該第二導體以及該薄片之一 組合放置於該容器中; S亥組合之高度比該容器之一内侧牆的高度還長;且 該外蓋黏結至該容器。 6·如申請專利範圍第2項之無線標籤,其中: a亥電路放置於該核心之一表面上的一特定位置; "亥荨第一及第一區之母一區於該迴路天線之周圍 方向具有一特定長度;而 該特定位置及該特定長度係根據一特定頻率、該核 〜之一電容率、該第一導體之一大小以及該第二導體之 一大小來決定,以便使用該特定頻率將該無線標籤之無 線通訊的一距離最大化。 7·如申請專利範圍第6項之無線標籤,其中: 於該核心之一表面上的預定位置個別完成標示; 該等預定位置係個別與預定頻率相關; 該等個別預定位置係根據該等個別預定頻率、該核 〜之電谷率、该第-導體之大小以及該第二導體之大小 來決定,以便使用該等個別預定解將該無線標鐵之無 線通訊的一距離最大化; 該等預定位置包括該特定位置;而 該等預定頻率包括該特定頻率。 8‘如申請專利範圍第1項之無線標籤,其中: δ亥第一區包括一第一切口; 22 201135607 έ亥第二區包括一第二切口;而 ^該等第一及第二切口被組合以使得該第二區與該 第一區重疊。 如申请專利範圍第4項之無線標籤,其中: 該第一端之一部分以及該第三端之一部分係電容 性地耦合。 〇·如申請專利範圍第9項之無線標籤,其中: 該第一端之該部分以及該第三端之該部分形成一 交又指型。 U.如申請專利範圍第2項之無線標籤,其中: 該電路放置於該核心之一第一表面; 4等第-及第二區放置於該核心之—第二表面;而 該第二表面針對該第一表面位於該核心之—相 側。 12. 如申請專利範圍第2項之無線標籤,其中: 該電路放置於該核心之一第一表面;而 該等第一及第二區放置於該第一表面。 ,其中: '更包含: 二區黏結一起,並將 ’ 5亥距離等於該勒著 13. 如申請專利範圍第3項之無線標籤 該蓋子以層板來提供。 14·如申請專利範圍第3項之無線標籤 一黏著劑,其將該等第一及第 該等第-及第二區之間保持—距離 劑之一厚度。 S 23
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