TWI418089B - 無線射頻識別標籤及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明係有關於一種無線射頻識別標籤及其製造方法。前述無線射頻識別標籤可作為諸如可貼附於金屬上之對應金屬之無線射頻識別標籤而使用。
RFID(Radio Frequency Identification)系統已知為無線通訊系統之一。該RFID系統一般具有無線射頻識別標籤(亦稱為RFID標籤)與讀寫(RW)裝置，而由RW裝置對無線射頻識別標籤藉無線通訊而進行資訊讀寫。
無線射頻識別標籤則已知分為可藉無線射頻識別標籤本身所內設之電源而動作之類型(稱為主動式標籤)，以及以來自RW裝置之接收電波為驅動電力而動作之類型(稱為被動式標籤)。
使用被動式標籤之RFID系統之無線射頻識別標籤，係以來自RW裝置之無線訊號為驅動電力，而使內設之IC及LSI等積體電路動作，以進行對應接收無線訊號(控制訊號)之各種處理。由無線射頻識別標籤對RW裝置發送時，則利用前述接收無線訊號之反射波而進行之。即，以該反射波攜帶標籤ID及前述各種處理之結果等資訊，而對RW裝置進行發送。
另，RFID系統可利用各種頻帶，但最近較受矚目者則
為UHF頻帶(860MHz~960MHz)。UHF頻帶與既有之13.56MHz帶及2.45GHz帶相較，其通訊距離較長。歐洲使用868MHz、美國使用915MHz、日本則使用953MHz左右之頻率。UHF頻帶之無線射頻識別標籤(以下亦簡稱為「標籤」)之通訊距離亦受標籤內使用之IC晶片及LSI等積體電路之性能影響，但約為3~5m。又，RW裝置之輸出約為1瓦特(W)左右。
另，習知之無線射頻識別標籤則有諸如後述之專利文獻1及專利文獻2所揭露者。
專利文獻1中揭露了具有由地板之預定端邊切成預定形狀而形成之切口部，藉僅將切口部構成回折構造，即可降低阻抗，即便不設置阻抗轉換電路等其它電路，亦可整合於50 Ω之供電線路，並簡化構造，而實現成本降低之平面天線。
專利文獻2中則揭露了以使無線射頻識別標籤中天線阻抗降低並達成頻帶擴大為目的，而於包含一對天線圖形所構成之平面天線及與該平面天線之供電點連接之IC晶片之無線射頻識別標籤中，使構成平面天線之天線圖形相對於供電點側之端部，形成距供電點較遠側之端部之圖形寬度較大之面圖形，而達成平面天線之頻帶擴大(涵蓋89MHz頻寬)，並使與平面天線鄰接而形成之輔助圖形形成具有與平面天線之一天線圖形相同面積之面圖形而非線狀，以降低天線阻抗。
而，假定用於貼附紙箱及塑膠上之一般片狀之無線射
頻識別標籤具有200MHz左右之通過頻寬，故可涵蓋歐洲、美國、日本之所有使用頻率。然而，可貼附於金屬上之對應金屬之標籤之通過頻帶則極小，僅存在各國之專用設計者。
舉例言之，第16圖所示之形狀之平面天線具有第15圖所示之頻率對通訊距離特性時，若使中心頻率與美國(US)之使用頻率一致，則兩側之歐洲(EU)及日本(JP)之使用頻率之通訊距離將極度縮小。若使中心頻率與歐洲或日本之使用頻率一致，則亦相同，其外之地區之使用頻率之通訊距離將極度縮小。又，即便於同一國內使用，若將標籤貼附於曲面上，或標籤之構成要素之介電體基板(墊片基板)之介電係數(ε r)或厚度(t)改變，則頻率特性將生偏差，故通訊距離將縮小。
因此，具有可完全涵蓋歐洲、美國、日本之使用頻率之寬頻帶之頻率特性，並可貼附於金屬上之標籤即備受期待。
上述之對應金屬之標籤多使用貼片天線，但為實現頻帶擴大，則可考量諸如排列大小不同之複數貼片天線之技術。後述之非專利文獻1雖非用於RFID標籤，但記載有其例。
依據該非專利文獻1，將貼片天線複數排列於同一平面時，如其第1圖所示，為避免貼片天線彼此之干擾，須至少間隔半波長(0.5 λ)而排列兩貼片天線。
專利文獻1：特開2006－140735號公報專利文獻2：特開2006－109396號公報
非專利文獻1：Desai,B.；Gupta,S.、”Dual－band microstrip patch antenna”、Microwave,Antenna,Propagation
and EMC Technologies for Wireless Communications,2005.MAPE 2005.IEEE International Symposium on Volume 1,8－12 Aug.2005 Page(s)：180－184 Vol.1
然而，UHF頻帶之RFID標籤中，半波長之間隔相當於約17cm，故RFID標籤將過於巨大，而不實用。不對應金屬之一般RFID標籤雖依廠商不同而有各式各樣，但約為100mm×20mm左右之大小。期能抑制其大小而為上述之相同程度，且使頻率特性儘可能地均一，而可完全涵蓋歐洲、美國、日本之使用頻率。
如以往般單純排列貼片天線時，至少須間隔半波長左右，若兩貼片天線過近，則貼片天線將彼此干擾，而使中心頻率附近之通訊距離極度縮小，造成問題。
另，前述之專利文獻1及專利文獻2所揭露之技術皆未假定金屬為標籤之貼附對象，故無法解決上述問題。
本發明之目的之一即在提供一種具有優於過去之寬頻帶之通過頻帶(頻率對通訊距離)特性之對應金屬之無線射頻識別標籤。
另，不限於上述目的，後述之實施發明之較佳形態所示之各構造所導出之作用效果無法藉習知技術而達成，亦可加以定義為其它目的。
舉例言之，可使用以下之無線射頻識別標籤。
(1)即，可使用一種無線射頻識別標籤，包含有：第1共振器圖形，具有與晶片連接之晶片連接部及可調整與前述晶片之阻抗匹配之電感部；及，第2共振器圖形，係藉經由前述電感部之電磁感應耦合而接受供電者。
(2)其中，前述第1及第2共振器圖形亦可分別具有方形之導體圖形，且在同一面上並列設置。
(3)又，前述同一面亦可為介電體基板之一面。
(4)進而，前述介電體基板之另一面上亦可設有反射層。
(5)又，前述電感部宜於前述第1共振器圖形之局部設置槽孔而形成者。
(6)進而，前述第1及第2共振器圖形之相互並行之方向之電長度宜為不同。
(7)舉例言之，前述第1共振器圖形之與前述第2共振器圖形並行之方向之長度宜大於前述第2共振器圖形之長度。
(8)又，前述第1及第2共振器圖形亦可於貼附在介電體基板之樹脂製基板之一面上之片狀構件上，由導電性材料所形成。
(9)進而，前述無線射頻識別標籤亦可設有覆蓋第1及第2共振器圖形之樹脂材料。
(10)又，前述晶片連接部亦可連接於前述晶片。
(11)進而，前述第1及第2共振器圖形亦可透過介電體而貼附於金屬上。
(12)又，前述介電體基板之另一面之包含與前述第1及
第2共振器圖形對向之領域之部分，亦可設有導體圖形，且前述導體圖形與前述第1及第2共振器圖形亦可藉通過前述介電體基板之一側面之路徑而電性連接。
(13)進而，前述一側面上亦可設有電性連接前述導體圖形與前述第1及第2共振器圖形之側面導體。
(14)又，前述側面導體亦可為金屬鍍敷物或導電性之片狀構件。
(15)進而，前述側面導體與前述導體圖形及前述第1及第2共振器圖形之一者或兩者亦可一體形成。
(16)又，前述導體圖形亦可為與前述第1及第2共振器圖形共通之共振器圖形。
(17)進而，亦可具有可藉經由前述電感部之電磁感應耦合而接受供電之第3共振器圖形，在包含前述第1及第2共振器圖形之面上，前述第2及第3共振器圖形亦可設於以前述第1共振器圖形為中心之對稱位置上。
(18)又，前述第3共振器圖形亦可具有小於前述第1及第2共振器圖形之電長度的電長度。
(19)進而，亦可設有整體覆蓋前述第1及第2共振器圖形與前述導體圖形之樹脂材料。
(20)又，無線射頻識別標籤之製造方法亦可使用以下步驟：於可覆蓋定出介電體基板之長向之周長之4面中，與前述長向對向之前述介電體基板之側面之一面以外之3面之片狀構件的相當於前述介電體基板之一面及側面之領域，形成具有與晶片連接之晶片連接部及可調整與前述晶片之
阻抗匹配之電感部之第1共振器圖形、及可藉經由前述電感部之電磁感應耦合而接受供電之第2共振器圖形，並且於前述片狀構件之相當於前述介電體基板之另一面之領域，形成可與前述各共振器圖形電性連通之導體圖形；將前述片狀構件纏繞於前述介電體基板上而加以固定，以使前述第1及第2共振器圖形位於前述介電體基板之一面上，且前述導體圖形位於前述介電體基板之另一面上。
(21)其中，前述介電體基板上亦可設有前述纏繞時之前述片狀構件之定位用導引構件。
依據上述之本發明，即可實現具有優於過去之寬頻帶之通過頻帶(頻率對通訊距離)特性之對應金屬之無線射頻識別標籤。
第1圖係顯示一實施例之無線射頻識別標籤之構造之模式立體圖。
第2圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之通訊距離特性之一例之圖表。
第3圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之反射特性之一例之圖表。
第4圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之增益特性之一例之圖表。
第5圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之晶片阻抗與天線阻抗之史密斯圖。
第6圖係顯示無線射頻識別標籤之天線與晶片之等效電路之一例者。
第7圖係說明第1圖所示之無線射頻識別標籤之動作之模式平面圖。
第8圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之天線圖形之指向性(第1圖中ZY面及ZX面之相關指向性)者。
第9圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之墊片之介電係數或厚度改變後之各通訊距離特性之一例之圖表。
第10圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之墊片之尺寸(主要為厚度)改變後之各通訊距離特性之一例之圖表。
第11圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之尺寸(主要為寬度)改變後之各通訊距離特性之一例之圖表。
第12圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之墊片之尺寸(主要為厚度)改變後之各通訊距離特性之一例之圖表。
第13圖係說明第1圖所示之無線射頻識別標籤之製造方法之一例之模式圖。
第14圖係說明第1圖所示之無線射頻識別標籤之製造方法之一例之模式圖。
第15圖係顯示習知之無線射頻識別標籤之通訊距離特性之一例之圖表。
第16圖係顯示習知之無線射頻識別標籤之外觀之模式立體圖。
第17圖係局部透視而顯示變形例之無線射頻識別標籤之模式立體圖。
第18圖係顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之晶片阻抗與天線阻抗之史密斯圖。
第19圖係顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之通訊距離特性之一例之圖表。
第20圖係顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之增益特性之一例之圖表
第21圖係顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之反射特性之一例之圖表。
第22圖係說明第17圖所示之無線射頻識別標籤之動作之模式立體圖。
第23圖(1)~(3)係說明第17圖所示之無線射頻識別標籤之製造方法之一例者。
第24圖(1)~(3)係說明第17圖所示之無線射頻識別標籤之製造方法之他例者。
第25圖係局部透視而顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第26圖係局部透視而顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第27圖係局部透視而顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第28圖係局部透視而顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第29圖係局部透視而顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第30圖係局部透視而顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第31圖係局部透視而顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第32圖係顯示第31圖所示之無線射頻識別標籤之頻率對通訊距離特性之一例者。
第33圖係局部透視而顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第34圖係顯示第33圖所示之無線射頻識別標籤之頻率對通訊距離特性之一例者。
第35圖係局部透視而顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第36圖係顯示第35圖所示之無線射頻識別標籤之頻率對通訊距離特性之一例者。
第37圖係局部透視而顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第38圖係顯示第37圖所示之無線射頻識別標籤之頻率對通訊距離特性之一例者。
第39圖係局部透視而顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第40圖係局部透視而顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第41圖係局部透視而顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
[A]一實施例
第1圖係顯示一實施例之無線射頻識別標籤之構造之模式立體圖，該第1圖所示之無線射頻識別標籤係假定用於貼附金屬(metal)4者，厚度t＝5mm，相對介電係數ε r＝4，介電損耗tan δ＝0.001之平板狀之介電體墊片(介電體基板)1之一面(第1圖中表面)上，形成有天線圖形2(21,22)。
介電體墊片(以下亦簡稱為「墊片」)1之另一面(第1圖中背面)上，宜設置金屬製之反射構件(reflecter)3，而可於無線射頻識別標籤之貼附對象物為非金屬時，亦維持同等之特性。當然，亦可不設置該反射構件3。
天線圖形2包含有第1圖之X軸方向之長度L1＝90mm之帶狀(方形)之第1導體圖形21，以及X軸方向之長度L2＝86mm之帶狀(方形)之第2導體圖形22，兩者於墊片1上朝第1圖之Y軸方向間隔2mm而設置。
第1導體圖形21具有共振頻率f1之共振器圖形之功能，第2導體圖形22具有大於共振頻率f1之共振頻率f2之共振器圖形之功能。又，天線圖形2之Y軸方向之長度(寬度)包含前述2mm之間隔在內而為27mm。因此，第1圖所示之墊片1之尺寸至少為長90mm×寬27mm×厚(t)5mm。
在此，無線射頻識別標籤之天線圖形2須與無線射頻識別標籤內所使用之IC晶片及LSI等積體電路(以下亦稱為晶片)進行阻抗匹配。晶片則如諸如第6圖之右側所示，可以
並聯之電容成分Ccp及並聯之電阻成分Rcp代表之。其值雖依廠商不同而有異，但Ccp＝1pF(微微法拉)左右，Rcp＝200 Ω~20000 Ω。
因此，可與該晶片整合之天線等效電路一如第6圖之左側所示，可以與電容成分Ccp共振之並聯電感成分Lap以及與電阻成分Rcp相同程度之並聯電阻Rap代表之。
即，天線圖形2必須包含電感成分Lap與放射電阻成分Rap。然，此並不限於對應金屬之無線射頻識別標籤，而係RFID之無線射頻識別標籤均共通之條件。
因此，第1導體圖形21形成有可連接IC晶片及LSI等積體電路(以下亦稱為晶片)之晶片連接部(供電點)211，以及電感部212。
上述電感部212宜於第1導體圖形21之局部形成X軸方向之長度S2之槽孔(Y軸方向之長度(寬度)在第1圖中為2mm)而構成，以節省空間。當然，除設置槽孔以外，亦可代以自晶片連接部211設置環狀線路等其它方法，而對第1導體圖形賦予(形成)同等之電感成分。
另，改變前述槽孔之全長(環長)，即可調整電感值。即，可調整與晶片阻抗之整合。舉例言之，若延長前述電感長S2，即可增大電感。
進而，第1導體圖形21包含電感部212，故宜較第2導體圖形22更為延長X軸方向之長度，以獲得不同共振頻率f1、f2(f1<f2)。此時，亦可改變一部分之墊片1之介電係數，而延長第1導體圖形21之電長度。
具有上述構造之無線射頻識別標籤中，第1導體圖形21之電感部212可發揮以下3種功能。
(1)用於與晶片整合之電感
(2)對第1導體圖形21直接供電
(3)對第2導體圖形22進行電磁耦合供電
舉例言之，如第7圖所示，一旦由供電點211對第1導體圖形21供電，則電流將如箭號所示，對電感部212大量流入(電感部212之電流分布綿密)，故就第2導體圖形22而言，該部分(電感部212)係作為電源而動作。即，電感部212與第2導體圖形22雖未直接連接(間隔了2mm)，但可藉電磁感應耦合而經電感部212進行電磁耦合供電。
以往，若如此間隔2mm而近接配置貼片天線，則將彼此干擾，並使天線性能劣化，故原本視為不宜，但如此利用電感部212之電磁感應耦合，即可將電感部212視為第2導體圖形22之電源。
因此，若兩共振器圖形21,22距離過大，則兩者之耦合度將減弱，而將使對第2導體圖形22之供電不充分，並難以放射電波。
即，將各共振器圖形21,22近接配置以使電感部212可被視為第2導體圖形22之電源，即可將天線圖形2整體設計成更小。
換言之，設置電感部212(槽孔)之位置宜為可適當進行對第1導體圖形21之直接供電，以及對第2導體圖形22之電磁耦合供電之位置。舉例言之，可為由第1導體圖形21之長
向(X軸方向)中心偏移之位置，而以設於第1圖所示之端部近旁為更佳。
以下，就本例中之無線射頻識別標籤之特性，顯示使用3次元電磁場模擬器之計算結果。
首先，以第3圖顯示晶片與天線圖形2之反射特性(S11)。代表縱軸之S11愈接近0，反射量愈高，值愈小(負)，整合度愈高，天線圖形2之輸入功率愈可輕易傳導至晶片連接部211(即晶片)。
以上之計算例係設定晶片之電容成分Ccp＝1.4pF，電阻成分Rcp＝400 Ω。電感長S2(在此為S2＝20mm、23mm、25mm之3種)之不同，將使整合之程度改變，但可知具有不同頻率f1,f2之2共振點。
共振頻率f1、f2之值分別可藉共振器圖形21之長度L1、共振器圖形22之長度L2加以控制(調整)。舉例言之，若延長L1，則共振頻率f1將降低，若縮短L2，則共振頻率f2將提高而改變(轉移)。即，可調整無線射頻識別標籤之通過頻寬。另，就天線增益而言，如第4圖所示，在涵蓋歐洲、美國、日本之各使用頻率之頻帶內，相對於頻率而大致為固定。
綜上所述，可計算通訊距離特性，並加以例示於第2圖。如該第2圖所示，設電感長S2＝23mm時，在涵蓋歐洲、美國、日本之各使用頻率之頻帶中，顯示了最一致之特性。另，通訊距離係第1圖中Z軸方向之通訊距離，計算條件如下：RW裝置之天線(RW天線)：9dBi之圓形極化波、RW天
線之輸出：27dBm(0.5W)、晶片之動作電力：－9dBm。
其次，第5圖顯示了使用頻率由700MHz改變為1200MHz時之史密斯圖上之天線阻抗軌跡。史密斯圖上，對天線阻抗成對稱之點(即晶片阻抗之複數共軛)為天線阻抗之最佳點，其周邊之天線阻抗軌跡宜形成較小圓形。第5圖中，阻抗軌跡在最佳點之周邊旋轉2次，而可知具有頻率f1(860MHz)及f2(1000MHz)之2共振點。另，第8圖則顯示本例之天線圖形2之指向性(第1圖之ZY面及ZX面之相關指向性)。
如上所述，依據本實施例之無線射頻識別標籤，可實現具有可涵蓋歐洲、美國、日本之各使用頻率之寬頻帶之通過頻帶特性之對應金屬之無線射頻識別標籤，故可實現可維持在各國之共通通訊距離之對應金屬之無線射頻識別標籤。
又，由於可使通過頻帶特性之頻帶擴大，故舉例言之，即便將無線射頻識別標籤貼附於圓瓶等曲面上，墊片1之介電係數及厚度因製造誤差而有不同，而使通過頻帶之頻率特性偏向高頻側或低頻側，若事先設計成較可涵蓋歐洲、美國、日本之各使用頻率之頻寬更寬頻，即可常保安定之特性(通訊距離)。
舉例言之，第9圖顯示了製造誤差之相關計算結果。以墊片1之介電係數ε r＝4.0、墊片1之厚度t＝5mm為基準，即便因製造誤差，而使介電係數ε r＝4.2或厚度t＝5.2mm時，亦可大致將歐洲、美國、日本之通訊距離保持一定。
又，第10圖中顯示了使墊片1之寬度(第1圖之X軸方向)(即天線圖形2之寬度)固定為14mm，其厚度t＝3mm、4mm、5mm、10mm而改變時之計算結果。由該第10圖可知，厚度t愈大，在涵蓋歐洲、美國、日本之各使用頻率之頻帶中，愈出現通訊距離增長之傾向。但，t＝10mm時，無線射頻識別標籤之厚度過大，而不實用。反之，若減薄至t＝3mm程度，與他值相較，雖通訊距離縮小，但可確保應用上無問題之通訊距離，故可實現薄型標籤。
進而，第11圖顯示了以第1圖所示之墊片1之尺寸(長90mm×寬27mm×厚(t)5mm)為基準，而改變墊片1之長度(90mm)及寬度(27mm)時之計算結果。由該第11圖可知，即便寬度縮小至14mm，在涵蓋歐洲、美國、日本之各使用頻率之頻帶中，通訊距離之劣化亦較少。
又，第12圖顯示了以第1圖所示之墊片1之尺寸(長90mm×寬27mm×厚(t)5mm)為基準，而將寬度固定為27mm，並改變長度(90mm)及厚度t(5mm)時之計算結果。由該第12圖可知，即便寬度較大而為27mm，故即便減薄厚度t(3mm)，在涵蓋歐洲、美國、日本之各使用頻率之頻帶中，亦可維持3m以上之通訊距離。
如上所述，由於可視需要而變更設計墊片1之介電係數及尺寸(無線射頻識別標籤之尺寸)，故可理解已說明之尺寸、墊片1之介電係數ε r、尺寸等之值僅為例示。
(製造方法)
其次，上述之本例之無線射頻識別標籤則如第13圖之
模式性顯示，可將於薄片或紙張等片狀構件上印刷銅(Cu)、銀(Ag)、鋁(Al)等導電性材料等而形成有天線圖形2(共振器圖形21,22)之天線圖形片20，以及同樣於薄片或紙張等片狀構件上印刷Cu、Ag、Al等而形成有反射板3之反射片(片狀反射構件)30，藉黏著劑黏著或積層加工等方法對ABS樹脂製之墊片1加以一體化而製造。
又，如第14圖之模式性顯示，若以諸如聚胺酯樹脂片(片狀樹脂材)23覆蓋天線圖形片20之兩面，則可補強乃至保護天線圖形2，故可實現環境耐性之提昇。
另，當然可能於墊片1之一面上設置銅箔板(貼附等)，並藉該銅箔板之液體蝕刻而形成天線圖形2(共振器圖形21,22)。
[B]其它
另，前述之例中，雖以2個共振器圖形21,22構成天線圖形2，但亦可以3個以上之共振器圖形構成之。舉例言之，如依據第35~38圖之後述，除共振器圖形21,22以外，亦可進而夾置諸如第1共振器圖形21而朝第1共振器圖形22之相反側構成另一共振器圖形24，而構成具有3共振點。即，共振器圖形數並不限於2個，係不言自明。
又，各共振器圖形21,22之形狀(面形)不限於方形。舉例言之，如第39圖之後述，亦可分別形成楔形，而互異地鄰接配置。此時，可使天線圖形2之寬度(第1圖之Y軸方向)更為縮小。
[C]第1變形例
第17圖係局部透視而顯示第1變形例之無線射頻識別標籤之模式立體圖，該第17圖所示之無線射頻識別標籤則例示地於介電體墊片(以下亦稱為介電體塊)100之一面(第17圖之Z軸方向之一面)上，形成有天線圖形200(201,202)。又，介電體塊100之另一面上，則形成有導體圖形300。
介電體墊片100可使用相對介電係數ε r＝2~4程度之介電體基板或樹脂。其可舉PP(聚丙烯)、ABS(丙烯－丁二烯－苯乙烯共聚樹脂)、PC(聚碳酸酯)、PBT(聚對苯二甲酸二丁酯)、PPS(聚苯硫醚)、PEEK(聚二醚酮)等為例。但，並不限於其等。
介電體塊100之尺寸雖依使用之頻率及相對介電係數ε r而不同，但諸如UHF頻帶(860~960MHz)、ε r＝3.1、介電損耗tan δ＝0.001時，則為長50mm×寬30mm×厚(t)4mm左右。即，與第1圖所例示之無線射頻識別標籤相較，X軸方向之長度尺寸約為一半。
天線圖形200包含諸如朝介電體塊100之長向(第17圖之X軸方向)延伸之帶狀(方形)之第1導體圖形201，以及與該第1導體圖形201在Y軸方向上鄰接之帶狀(方形)之第2導體圖形202。
該等導體圖形201,202宜配置成可輕易進行電磁感應耦合。其一例係於第17圖中，於介電體塊100上朝第17圖之Y軸方向間隔諸如3mm而平行設有導體圖形201,202。第1導體圖形201之X軸方向之長度L1為諸如45mm，第2導體圖形202之X軸方向之長度L2則為諸如43mm。
其次，本例中，第1導體圖形201具有共振頻率f1之共振器圖形之功能，第2導體圖形202具有大於共振頻率f1之共振頻率f2之共振器圖形之功能。又，天線圖形200之Y軸方向之長度(寬度)包含前述3mm之間隔在內而為諸如27mm。
導體圖形300例示地為第1共振器圖形201及第2共振器圖形202之面積以上，且，具有小於介電體塊100之XY平面之面積之面積。舉例言之，導體圖形300具有可覆蓋天線圖形200整體之程度之尺寸，諸如45mm×27mm程度之面積，而具有對第1共振器圖形201與第2共振器圖形202共通之共振器圖形之功能。另，第1共振器圖形201、第2共振器圖形202及共振器圖形300亦可分別記為第1共振器201、第2共振器202及共通共振器300。
因此，第1及第2共振器201,202分別藉設於介電體塊100之一側面上之導體圖形(側面導體)204及205，而與共通共振器300電性連接。即，共通共振器(導體圖形)300與第1及第2共振器201、202係藉經由介電體塊100之一側面之路徑而電性連接。
換言之，2個帶狀之導體圖形201,202(包含側面導體204,205)係由介電體塊100之前述另一面(背面)之共通共振器300經由介電體塊100之長向之一側面而朝前述一面(表面)延伸。由側面(Y軸方向)觀察上述之無線射頻識別標籤時，可知導體圖形留下介電體塊100之長向之一側面而以環狀(半環)存在於介電體塊100。
因此，形成於介電體塊100之該等導體圖形201~205若展開顯示，則具有第23及24圖之(1)所示之形狀。另，側面導體204及205亦可一體形成於共振器圖形201,202與導體圖形300之一者或兩者。又，導體圖形201~205可例示地分別藉鍍金或鍍銅而形成。又，側面導體204、205亦可例示地使用銅或鋁製之導電性貼帶(片狀構件)。
本例中，無線射頻識別標籤之天線圖形200亦將與無線射頻識別標籤內所使用之IC晶片及LSI等積體電路(以下亦稱為晶片)進行阻抗匹配。晶片則如第6圖之例示，可以並聯之電容成分Ccp與並聯之電阻成分Rcp代表之。例示而言，Ccp＝1pF(微微法拉)左右(諸如1.4pF)，Rcp＝200 Ω~20000 Ω(諸如400 Ω)。
因此，可與上述晶片整合之天線等效電路如第6圖之例示，可以與電容成分Ccp共振之並聯電感成分Lap以及與電阻成分Rcp同程度之並聯電阻Rap代表之。即，天線圖形200要求具有電感成分Lap與放射電阻成分Rap。
因此，第1共振器圖形201形成有可連接前述晶片之晶片連接部(供電點)211。又，該第1共振器圖形201亦設有於X軸方向上具有長邊(長度S2)之槽孔部212。該槽孔部212具有電感長S2之電感部之功能。
該電感部(槽孔部)212可設定成可與前述晶片進行阻抗匹配之適當尺寸。舉例言之，如第22圖之例示，第2(第1)共振器202(201)、側面導體205(204)及共通共振器300之長度(箭號500所代表之電長度)宜為使用頻率之半波長(1/2 λ)。
該λ/2共振長則受使用頻率f、相對介電係數ε r之影響。
其次，本例中，電感部212具有以下3種功能。
(1)用於與晶片整合(消除晶片之電容成分)之電感。
(2)對第1共振器圖形21直接供電。
(3)對第2共振器圖形22之電磁耦合供電。
舉例言之，如第22圖所示，一旦由供電點211對第1共振器圖形201供電，則電流將如箭號400所示，大量流入電感部212(電感部212之電流分布綿密)，故電感部212對於第2共振器圖形202可作為電源而動作。即，電感部212與第2共振器圖形202雖未直接連接，但可藉電磁感應耦合而經電感部212進行電磁耦合而供電。
因此，即便共振器圖形201,202彼此如此接近而排列，藉有效利用電感部212，即可將第1共振器圖形201視為第2共振器圖形202之電源。故而，一旦各共振器圖形201,202之間隔過大，則電磁耦合度將減弱，而使對第2共振器圖形202之供電不足，且難以放射電波。
即，本例中，將各共振器圖形201,202近接配置，而使電感部212可被視為第2共振器圖形202之電源，即可將天線圖形200整體設計成更小。
因此，設置電感部212(槽孔)之位置宜為可適當進行對第1共振器圖形201之直接供電，以及對第2共振器圖形202之電磁耦合供電之位置。舉例言之，可為由第1共振器圖形201之長向(X軸方向)中心偏移之位置，而以設於第17圖所例示之端部近旁為更佳。
以下，就上述第1變形例之無線射頻識別標籤之特性，顯示使用3次元電磁場模擬器之計算(模擬)結果之一例。另，本模擬中，第2共振器圖形22之尺寸設為X軸方向之電感長S2＝18mm×Y軸方向之電感寬＝2.5mm。
首先，以第21圖顯示晶片與天線圖形200之反射特性(S11)。縱軸之S11愈接近0，反射量愈高，值愈小(負)，整合度愈高，天線圖形200之輸入功率愈可輕易傳導至晶片連接部211(即晶片)。
以上之計算例係設定晶片之電容成分Ccp＝1.4pF，電阻成分Rcp＝400 Ω。電感長S2之不同，將使整合之程度改變，但可知具有不同頻率f1,f2之2共振點。
共振頻率f1,f2之值分別可藉共振器圖形21之長度L1、共振器圖形22之長度L2加以控制(調整)。舉例言之，若延長L1，則共振頻率f1將降低，若縮短L2，則共振頻率f2將提高而改變(轉移)。即，可調整無線射頻識別標籤之通過頻寬。
就天線增益而言，如第20圖之例示，在涵蓋歐洲(EU)、美國(US)、日本(JP)之各使用頻率(諸如EU＝868MHz，US＝915MHz，JP＝953MHz)之頻帶內，相對於頻率而大致控制在實用上無問題之範圍內。
綜上所述，可計算通訊距離(read range)特性，並加以例示於第19圖。如該第19圖之例示，在涵蓋EU、US、JP之各使用頻率之頻帶中，可獲得實用上無問題之通訊距離特性。另，此之所謂通訊距離係指第17圖中Z軸方向之通訊距
離，計算條件如下：RW裝置之天線(RW天線)：9dBi之圓形極化波、RW天線之輸出：27dBm(0.5W)、晶片之動作電力：－9dBm。
其次，第18圖顯示了使用頻率由700MHz改變為1200MHz時之史密斯圖上之天線阻抗軌跡。史密斯圖上，對天線阻抗成對稱之點(即晶片阻抗之複數共軛)為天線阻抗之最佳點，其周邊之天線阻抗軌跡宜形成較小圓形。第18圖中，阻抗軌跡在最佳點之周邊旋轉2次，而可知具有2共振點。另，第18圖中，並分別例示美國(US)之使用頻率、歐洲(EU)之使用頻率、日本(JP)之使用頻率為fU、fE、fJ。
則顯示本例之天線圖形2之指向性(第1圖之ZY面及ZX面之相關指向性)。
如上所述，依據本變形例之無線射頻識別標籤，可獲得與上述之實施例相同之作用效果，並可使X軸方向之長度減為約一半，故可使可涵蓋EU、US、JP之使用頻率而無實用上問題之寬頻帶之無線射頻識別標籤，進而小型化。
即，可實現在EU、US、JP之任一使用頻帶中皆具有實用上充分之通訊距離特性之對應金屬之標籤。因此，即便貼附於曲面上，介電體塊100之相對介電係數及厚度有誤差，亦可確保安定之通訊距離特性。又，可於介電體塊100之兩面上形成半波長(λ/2)共振狀態，故可實現極小型之無線射頻識別標籤。
(製造方法)
其次，上述之第1變形例之無線射頻識別標籤可依諸如
第23圖之例示而製造。如第23圖之(1)之例示，可將於薄片或紙張等片狀構件(導體圖形片)20A上印刷銅(Cu)、銀(Ag)、鋁(Al)等導電性材料等而形成導體圖形201,202,300。
在此，片狀構件20A例示地具有可覆蓋除定出介電體塊100之長向(X軸方向)之周長之4面中與前述長向對向之介電體塊100之側面之一以外之3個面之尺寸。
其次，於相當於片狀構件20A之前述3個面中對向之一面及側面之領域，形成導體圖形201(晶片連接部211及電感部212)與導體圖形202。另，於相當於片狀構件20A之介電體塊100之另一面(3個面中之最後一面)之領域，形成與各共振器201,202電性連通之導體圖形300。
形成有該等導體圖形201,202,300之片狀構件20A，則對第23圖之(2)所例示之塑膠等介電體塊100纏繞而黏著。此時，導體圖形201及202之一部分則對位而分別位於介電體塊100之側面上。因此，前述一部分具有側面導體204及205之功能，而如第23圖之(3)之例示，可製造上述第1變形例之無線射頻識別標籤。
另，如第24圖之(2)之例示，介電體塊100亦可設置導引部(定位構件)110。藉此，即可輕易進行前述纏繞時之導體圖形片20A對介電體塊100之對位作業(防止位置偏差)。導引部110可藉配合導體圖形片20A之尺寸切削介電體塊100之表面等而形成，亦可於介電體塊100之周緣上個別設置作為導引部110之構件而形成。
依據第23及24圖所例示之製造方法，即可更輕易製造
第1變形例之無線射頻識別標籤，亦可於短時間內大量製造廉價之無線射頻識別標籤。
此外，亦可於介電體塊100之兩面及一側面上分別設置銅箔板(貼附等)，並藉銅箔板之液體蝕刻而個別形成任一或複數(包含全部)之各導體圖形201~205。又，側面導體204及205之任一者或兩者亦可藉金屬鍍敷物或作為第25及27圖所例示之導電性貼帶，而與導體圖形201(204)及202(205)電性連接。
又，如第26圖之例示，亦可以樹脂600覆蓋保護無線射頻識別標籤(各共振器201,202,203)整體(但，亦可為局部)。因此，可防止外力對無線射頻識別標籤造成損傷、裝設無線射頻識別標籤之對象之損傷，而實現環境耐性之提昇。
另，樹脂600可使用諸如PP(聚丙烯)、ABS(丙烯－丁二烯－苯乙烯共聚樹脂)、PC(聚碳酸酯)、PBT(聚對苯二甲酸二丁酯)、PPS(聚苯硫醚)、PEEK(聚二醚酮)等。
[D]第2變形例
上述之共振器圖形201,202,300無須於介電體塊100之表面上具有四角形狀。舉例言之，如第28圖之例示，亦可以由與介電體塊100之長邊平行之方向僅偏移預定角度之方向為X軸，而使第1及第2共振器圖形201,202延伸於與該X軸方向平行之方向上。
此則相當於第23及24圖中已說明之製造方法中，對介電體塊100纏繞導體圖形片20A時，朝非與介電體塊100之長邊平行之方向偏移而進行纏繞，並切除多餘之導體圖形201,
202,300後者。第28圖之例中，共振器圖形202呈三角形。
又，電感部212並不限於槽孔形狀。舉例言之，如第29圖之例示，亦可為延長供電線213而與晶片(晶片連接部211)連接之電感形狀。進而，如第29及30圖之例示，晶片連接部211亦可設於接近第2共振器202之側。如此，即可使形成一定厚度之晶片搭載部分位於無線射頻識別標籤之中央側，舉例言之，具有製造天線捲圈時之捲圈平衡較佳之優點。
又，如第31圖之例示，亦可於介電體塊100之一面上，夾置第1共振器圖形201而追加設置第3共振器圖形(第3共振器)203。此時，宜於以第1共振器圖形201為中心之對稱位置上，設置第2及第3共振器202,203。第3共振器203亦可藉側面導體206而與設於介電體塊100之另一面上之共通共振器300電性連接。
即，3個帶狀之共振器圖形201,202,203(包含側面導體204~206)係自介電體塊100之另一面(背面)之共通共振器300經由介電體塊100之一側面而朝一面(表面)延伸。
此時之無線射頻識別標籤則如第32圖之頻率對通訊距離特性所例示，可具有對應3個共振器201~203之3種共振頻率f1、f2、f3。因此，可擴大可利用之頻帶。
又，如第33圖之例示，在X軸方向上，第3共振器203之長度亦可設成與其它共振器201,202之長度不同之長度。舉例言之，若將第3共振器203之X軸方向之長度(電長度)設成小於(一半程度)其它共振器201,202之長度(電長度)，則如第34圖之頻率對通訊距離特性所例示，亦可實現
對應UHF頻帶與2.45MHz帶兩者之無線射頻識別標籤。即，調整第3共振器203之長度，即可調整無線射頻識別標籤之使用頻率。
另，第31~34圖所例示之變形(第3共振器之附加、第3共振器之X軸方向之長度調整)則如第35~38圖之例示，亦可分別適用於第1實施例之無線射頻識別標籤。但，第35圖及第37圖中，24代表第3導體(共振器)圖形，而可與第1及第2導體圖形21,22共同形成天線圖形22。又，如第39~41圖之例示，第28~30圖所例示之變形亦可分別適用於第1實施例之無線射頻識別標籤。
又，上述之例中，雖使共振器圖形203對各共振器圖形201,202(或201~203)為共通者，但亦可為個別分開者。此時，將2個(或3個)必要長度之帶狀之導體圖形形成於片狀構件20A，並纏繞於介電體塊100之長向之周圍3面上，即可更輕易地製造無線射頻識別標籤。
如以上之詳細說明，依據上述之無線射頻識別標籤，可提供具有優於過去之寬頻之通過頻帶(頻率對通訊距離)特性之對應金屬之無線射頻識別標籤，故極為適用於無線通訊技術範疇、物品之生產、庫存、流通管理、POS系統、保安系統等技術範疇。
1,100‧‧‧介電體墊片、介電體塊、介電體基板
2,200‧‧‧天線圖形
3‧‧‧反射構件、反射板
4‧‧‧金屬
20‧‧‧天線圖形片
20A‧‧‧導體圖形片、片狀構件
21,201‧‧‧第1導體圖形(共振器圖形)
22,202‧‧‧第2導體圖形(共振器圖形)
23‧‧‧聚胺酯樹脂片、片狀樹脂材
24,203‧‧‧第3導體圖形(共振器圖形)
30‧‧‧反射片、片狀反射構件
110‧‧‧導引部、定位構件
204,205,206‧‧‧導體圖形、側面導體
211‧‧‧晶片連接部、供電點
212‧‧‧電感部、槽孔部
213‧‧‧供電線
300‧‧‧導體圖形、共通共振器
400‧‧‧箭號
500‧‧‧箭號
600‧‧‧樹脂
S2‧‧‧電感長
f1,f2‧‧‧頻率
L1,L2‧‧‧長度
t‧‧‧厚度
第1圖係顯示一實施例之無線射頻識別標籤之構造之模式立體圖。
第2圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之通訊距離特性之一例之圖表。
第3圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之反射特性之一例之圖表。
第4圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之增益特性之一例之圖表。
第5圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之晶片阻抗與天線阻抗之史密斯圖。
第6圖係顯示無線射頻識別標籤之天線與晶片之等效電路之一例者。
第7圖係說明第1圖所示之無線射頻識別標籤之動作之模式平面圖。
第8圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之天線圖形之指向性(第1圖中ZY面及ZX面之相關指向性)者。
第9圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之墊片之介電係數或厚度改變後之各通訊距離特性之一例之圖表。
第10圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之墊片之尺寸(主要為厚度)改變後之各通訊距離特性之一例之圖表。
第11圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之尺寸(主要為寬度)改變後之各通訊距離特性之一例之圖表。
第12圖係顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之墊片之尺寸(主要為厚度)改變後之各通訊距離特性之一例之圖表。
第13圖係說明第1圖所示之無線射頻識別標籤之製造方法之一例之模式圖。
第14圖係說明第1圖所示之無線射頻識別標籤之製造方法之一例之模式圖。
第15圖係顯示習知之無線射頻識別標籤之通訊距離特性之一例之圖表。
第16圖係顯示習知之無線射頻識別標籤之外觀之模式立體圖。
第17圖係局部透視而顯示變形例之無線射頻識別標籤之模式立體圖。
第18圖係顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之晶片阻抗與天線阻抗之史密斯圖。
第19圖係顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之通訊距離特性之一例之圖表。
第20圖係顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之增益特性之一例之圖表
第21圖係顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之反射特性之一例之圖表。
第22圖係說明第17圖所示之無線射頻識別標籤之動作之模式立體圖。
第23圖(1)~(3)係說明第17圖所示之無線射頻識別標籤之製造方法之一例者。
第24圖(1)~(3)係說明第17圖所示之無線射頻識別標籤之製造方法之他例者。
第25圖係局部透視而顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第26圖係局部透視而顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第27圖係局部透視而顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第28圖係局部透視而顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第29圖係局部透視而顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第30圖係局部透視而顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第31圖係局部透視而顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第32圖係顯示第31圖所示之無線射頻識別標籤之頻率對通訊距離特性之一例者。
第33圖係局部透視而顯示第17圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第34圖係顯示第33圖所示之無線射頻識別標籤之頻率對通訊距離特性之一例者。
第35圖係局部透視而顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第36圖係顯示第35圖所示之無線射頻識別標籤之頻率對通訊距離特性之一例者。
第37圖係局部透視而顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第38圖係顯示第37圖所示之無線射頻識別標籤之頻率對通訊距離特性之一例者。
第39圖係局部透視而顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第40圖係局部透視而顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
第41圖係局部透視而顯示第1圖所示之無線射頻識別標籤之變形例之模式立體圖。
1‧‧‧介電體墊片
2‧‧‧天線圖形
3‧‧‧反射構件
4‧‧‧金屬
21‧‧‧第1導體圖形
22‧‧‧第2導體圖形
211‧‧‧晶片連接部
212‧‧‧電感部、槽孔部
S2‧‧‧電感長
f1,f2‧‧‧頻率
L1,L2‧‧‧長度
t‧‧‧厚度
Claims (23)
- 一種無線射頻識別標籤，包含有：第1共振器圖形，具有可與晶片連接之晶片連接部、及可調整與前述晶片之阻抗匹配之電感部；及第2共振器圖形，係藉經由前述電感部之電磁感應耦合而接受供電，前述電感部係作為前述第2共振器圖形之電源，前述第1共振器圖形與前述第2共振器圖形係配置成相互接近到可利用由流於前述電感部之電流所造成之電磁感應耦合來達成對前述第2共振器圖形之電磁耦合供電。
- 如申請專利範圍第1項之無線射頻識別標籤，其中前述第1及第2共振器圖形分別具有方形之導體圖形，且在同一面上並列設置。
- 如申請專利範圍第2項之無線射頻識別標籤，其中前述同一面係介電體基板之一面。
- 如申請專利範圍第3項之無線射頻識別標籤，其中前述介電體基板之另一面上設有反射層。
- 如申請專利範圍第1至4項中任一項之無線射頻識別標籤，其中前述電感部係於前述第1共振器圖形之局部設置槽孔而形成者。
- 如申請專利範圍第2項之無線射頻識別標籤，其中前述第1及第2共振器圖形之相互並行之方向之電長度不同。
- 如申請專利範圍第6項之無線射頻識別標籤，其中前述 第1共振器圖形之與前述第2共振器圖形並行之方向之長度大於前述第2共振器圖形之長度。
- 如申請專利範圍第1至4、6、7項中任一項之無線射頻識別標籤，其中前述第1及第2共振器圖形係以導電性材料形成於片狀構件，前述片狀構件係貼附在作為介電體基板之樹脂製基板之一面上。
- 如申請專利範圍第1至4、6、7項中任一項之無線射頻識別標籤，其中設有覆蓋第1及第2共振器圖形之樹脂材料。
- 如申請專利範圍第1至4、6、7項中任一項之無線射頻識別標籤，其中於前述晶片連接部連接有前述晶片。
- 如申請專利範圍第1至4、6、7項中任一項之無線射頻識別標籤，其中前述第1及第2共振器圖形係隔著介電體而貼附於金屬上。
- 如申請專利範圍第3項之無線射頻識別標籤，其中前述介電體基板之另一面之包含與前述第1及第2共振器圖形對向之領域之部分，設有導體圖形，前述導體圖形與前述第1及第2共振器圖形係藉通過前述介電體基板之一側面之路徑而電性連接。
- 如申請專利範圍第12項之無線射頻識別標籤，其中前述一側面上設有電性連接前述導體圖形與前述第1及第2共振器圖形之側面導體。
- 如申請專利範圍第13項之無線射頻識別標籤，其中前述側面導體係金屬鍍敷物或導電性之片狀構件。
- 如申請專利範圍第13或14項之無線射頻識別標籤，其中前述側面導體與前述導體圖形以及前述第1及第2共振器圖形之一者或兩者一體形成。
- 如申請專利範圍第12至14項中任一項之無線射頻識別標籤，其中前述導體圖形係與前述第1及第2共振器圖形共通之共振器圖形。
- 如申請專利範圍第16項之無線射頻識別標籤，更具有可藉經由前述電感部之電磁感應耦合而接受供電之第3共振器圖形，在包含前述第1及第2共振器圖形之面上，前述第2及第3共振器圖形設於以前述第1共振器圖形為中心之對稱位置上。
- 如申請專利範圍第17項之無線射頻識別標籤，其中前述第3共振器圖形具有小於前述第1及第2共振器圖形之電長度的電長度。
- 如申請專利範圍第12至14項中任一項之無線射頻識別標籤，其中設有整體覆蓋前述第1及第2共振器圖形與前述導體圖形之樹脂材料。
- 如申請專利範圍第17項之無線射頻識別標籤，其中設有整體覆蓋前述第1及第2共振器圖形與前述導體圖形之樹脂材料。
- 如申請專利範圍第18項之無線射頻識別標籤，其中設有整體覆蓋前述第1及第2共振器圖形與前述導體圖形之樹脂材料。
- 一種無線射頻識別標籤之製造方法，包含以下步驟：於片狀構件形成第1共振器圖形及第2共振器圖形；前述片狀構件可覆蓋定出介電體基板之長向之周長之4面中，與前述長向對向之前述介電體基板之側面之其中一面以外之3面；前述第1共振器圖形及第2共振器圖形係形成於前述片狀構件中的相當於前述介電體基板之一面及側面之領域；前述第1共振器圖形具有可與晶片連接之晶片連接部、及可調整與前述晶片之阻抗匹配之電感部；前述第2共振器圖形可藉經由前述電感部之電磁感應耦合而接受供電；並且於前述片狀構件中之相當於前述介電體基板之另一面之領域，形成可與前述各共振器圖形電性連通之導體圖形；及將前述片狀構件纏繞固定於前述介電體基板，以使前述第1及第2共振器圖形位於前述介電體基板之一面，且前述導體圖形位於前述介電體基板之另一面，前述電感部係作為前述第2共振器圖形之電源，前述第1共振器圖形與前述第2共振器圖形係配置成相互接近到可利用由流於前述電感部之電流所造成之電磁感應耦合來達成對前述第2共振器圖形之電磁耦合供電。
- 如申請專利範圍第22項之無線射頻識別標籤之製造方法，其中於前述介電體基板設有用以於前述纏繞時定位前述片狀構件之導引構件。
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