TW201135240A - Contact probe - Google Patents

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    • G01R1/067Measuring probes
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201135240 - 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於—種用於半導 等檢查對象之導通肤能柃在斗、仏 义履B日面板 【先前技術】態檢査或動作特性檢査之接觸探針, 之導:二=半導趙積體電路或液晶面板等檢查 之導通狀態檢查杨作特性檢查時,為了 對; 查用信號之信號處理裝置之間的電性連接7二: 積體化、細微化的進展,藉由使接===!之高 中。 门積體化、細微化之檢查對象的技術正進步 心而上述接觸探針之尖 為平㈣^ 使用目的而分_ 接點構件的接觸。此外/、,點形係使用在與平垣之 接點構件的接觸。’王冠形係使用在與銲球等球面之 際,為了^具有皇⑽彡之料形狀之探針與銲球接觸之 :二:確:電氣信號之通電性,必須突破存在於銲= 銲料内部接觸。因此,?二稱為氧化被膜」),且與 頂點。 王冠形之尖端部係要求具有銳利之 性之觸探針,㈣了謀求探針電氣朱 " 未與外部電極接觸之基底部設為| 322587 3 201135240 金屬以確保電性敎性’且以與外部電極接觸之尖端部設 ,不同種類之金屬或金屬合金’以抑制外部電極材料之附 著及因外。P電極材料之氧化被膜所致之接觸電阻的增加 (參照例如專利文獻1 )。 (先前技術文獻) (專利文獻) (專利文獻1)日本特開2〇〇9_2581〇〇號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之課題) 、然而’在上述專利文獻1記载之習知接觸探針中,當 =尖端部與比鄰接之頂點的間隔更小的鋅球接觸時,由^ 在皇冠形狀之内周側會與輝球接觸,因此無法突破銲料表 之氧化被膜’而有在與接觸對象之間產生導通不良之虞。 p ’在以習知的接觸探針的尖端部使鄰接之頂點與鲜球 接觸時’其頂點亦無法完全突破氧化被膜而到達銲料,以 致在與接觸對象之間會有產轉通不良之虞。 本發明係鑑於上述問題而研創者,其目的在於提供一 可在與接㈣象之間獲得確實之導通的接觸探針。 (解決課題之手段) 為了要解決上述課題’並達成上述目的,本發 :探針係為可沿著長度方向伸縮之呈針狀的接觸探針,: =長度方向之至少—方端部係具備彼此形成相同之錐狀而 犬出之複數個爪部,該複數個爪部係以前述長度方向 心車由為對稱轴而配置成旋轉對稱,前述爪部係具有通過其 322587 4 201135240 尖端及前述對稱歡祕H線至少在接近該尖端之部 分呈連續複數個凸部之階梯狀。 再者,本發明之接觸探針係在前述發明中,通過前述 爪部之尖端、前述複數個凸部之頂點、及前述對稱轴與前 述稜線之交點⑽巾之長度最小㈣係成直線狀。 ,者本發明之接觸楝針係在前述發明中,前述複數 個」之頂點係位於通過前述對難與前述棱線之交點以 及則述爪部之尖端’而通過前述對鄉與下述之直線之間 的盅:線上,則述直線係通過前述交點與前述尖端。 心:者,本發明之接觸探針係在前述發明中,形成前述 I5白梯狀之部分係施有電場鍍覆。 (發明之效果) j本發明之接觸探針,由於在探針之尖端部設置複 呈階梯狀之稜線的爪部。且不論接觸對象大小 =r狀部分之任-頂點接觸,:=二 實之導通的效果。 【實施方式】 外,::明明用以實施本發明之形態。此 中夂日… 之實施形態所限定者。在以下說明 度^形狀、2係僅為概略性顯示可理解本發明之内容之程 圖中例示之形’因此本發明並非僅限定在各 〜狀、大小及位置關係者。 視圖第顯示本發明實施形態之探針單元之構成的斜 所不之探針單元1係在進行屬於檢查對象物 322587 5 201135240 之半導體積體電路⑽之電氣特性檢查時所使用的裝置, 且為將半導體積體電路議與用以將檢查用信號輸出至半 導體積體電路100之電路基板200之間予以電性連接的裝 置。 ^針單70 1係具有:導電性之接觸探針2(以下簡稱「探 十」)其在長度方向之兩端與彼此不同之二個被接觸體 的半導體積體電路刚及電路基板·接觸;探針保持具 3 ’依據預定之圖案收容並㈣複數個探針2 ;及保持具構 件4,設在探針保持具3之周圍,用以抑制在檢查之際發 生”複數個探針2接觸之半導體積體電路刚的位置偏離。 第2圖係顯不收容在探針保持具3之探針2之詳細構 成的圖。帛2圖所示之探針2係具有:第1柱塞2卜使用 導電1±材料來形成,在進行半導體積體電路⑽之檢查時 與該半導體積體電路1〇〇之連接用電極接觸;第2柱塞 22,與具備檢查電路之電路基板之電極制;及彈酱 構件23,設置在第1柱塞21與第2柱塞22之間,且以伸 縮自如之方式連結2個第1柱塞與第2柱塞22。構成 探針2之第1桂塞2卜第2柱塞22及彈簀構件23係具有 ^之軸線。探針2係在使半導體積體電路100接觸之際, 藉由彈簧構件23朝轴線方向伸縮而緩和半導體積體電路 謂對連接用電極之撞擊,並且對半導體積體電路100及 電路基板2 0 0施加荷重。 緣部 弟i枉基21係、具有:尖端部…,形成皇冠形狀; 21c,具有比尖端部21a之直徑更大之直徑;凸台 322587 6 201135240 21d,隔著凸緣部21c朝與尖端部21a之相反側延伸,且其 直徑比凸緣部21 c之直控小’有彈簣構件23之端部屋入; 及基端部21e,隔著凸台部21d朝與凸緣部21c之相反側 延伸,且其直徑比凸台部21 d之直徑略小。 在此,第3圖係顯示第1柱塞21的尖端部21 a之上 方斜視圖。第4圖係顯示第3圖所示之第1柱塞21之爪部 21b形狀之箭頭A方向的斜視圖。如第3圖所示,第j柱 塞21之尖端部21a係具有複數個爪部2ib。複數個爪部21匕 係彼此形成相同之錐狀而突出,且以第1杈室— + $ “之軸線為 對稱轴而配置成旋轉對稱,各爪部21b係如第4圖所八 具有連結爪部21b之尖端P0與第丨柱塞21之對稱輛不, 棱線L1。稜線L1之尖端側係形成分別具有頂點ρι〜的 個凸部連續之階梯狀。此外,稜線L1相對於對稱軸之複數 斜角度0係可藉由要使用之連接用電極而在〇。^ 〇之傾 圍任意地設定。 之範 冉有,第5圖係將通過爪部21b之稜線q的、, 為切斷面之剖視圖。如第5圖所示,對稱軸〇與=面作 之交點Q1、爪部21b之尖端P0、及稜線u之^線L1 P1係位在直線C1上。藉由使交點Q1、尖端p〇 3的了貝點 位在直線ci上’爪部21b之尖端p〇或階梯狀之點P1 係可分別對應連接用電極之球面而接觸,因此^點P1 大小之連接用電極’亦可使爪部21b與連接 疋不同 接觸。 極確實地 具 第2柱塞22係如第2圖所示,具備:尖蠕部% 7 322587 201135240 有與开>成在電路基板200上之電極抵接之尖銳端;凸緣部 22b,其直徑比尖端部22a之直徑大;凸台部22c,與凸緣 部22b之尖端部22a相對向而配置,且其直徑比凸緣部22b 之直徑小,有彈簧構件23之端部壓入;及基端部22d,與 凸台部22c之凸緣部22b相對向而配置,且其直徑比凸台 部22C之直徑略小。該第2柱塞22係藉由彈簧構件23之 伸縮作用而可朝轴線方向移動,且藉由彈簧構件Μ之彈性 力朝電路基板200方向賴,而與電路基板2⑽之電極接 觸。 产^簧構件23係在第1柱塞21側為密捲繞部23a,而 麼入22側為疏捲繞部咖。密捲繞部23&之端部係 a入凸σ郤21c,且與凸緣部21c 繞部23b之端部係壓入凸△ - 疏’ 此外,第1枝窠W t 與凸緣部22b抵接。 第柱塞21、第2柱塞22 簧之捲繞力及/或銲接轉合。料構件^係藉由彈 探針保持具3係使用樹 緣性材料而形成,且㈣* 機械加H石夕等絕 件3卜及位於下面;第2圖之上面側的第1構 3!及第2構件32,分別^ 2H構成°在第1構件 數量的保持具孔33 卩收合複數個探針2之同 及34係以使彼此之^4,:以收容探針2之保持具孔33 34之形成位置係依據 |方:切成。保持具孔33及 定。 積體電路100之配線圖案而設 之 保持具孔33及34㈣沿著貫通方向形成直徑不同 322587 8 201135240 附階=之孔狀。亦即,保持具孔33係由在探針保持具3 之上端面具有開口之小徑部33a、及直徑比該小捏邱如 之直徑大之大捏部33b所構成。另—方面,保持 係由在探針保持具3之下端面具有開口之小徑部仏、及 直控比該小徑部34a之直徑A之缝部咖所構成。 =具孔33及34之形狀係依據要收容之探針成 奴。第!柱塞21之凸緣部21c係藉由與保持具=之 部33a與大徑部33b之交界壁面抵接,而具有防止從 針2之探針保持具3贿的功能。此外,第2柱塞22 ^凸緣部22b係藉由與保持具孔34之小徑部⑽與大徑部 脫落抵接,而具有防止從探針2之探針保持具3 第6圖_示使雜針㈣具3之半導體積體電路 干之莖3時之狀態的圖。而且’第7圖係顯示第6圖所 電路2柱塞21之爪部训附近的剖視圖。在半導體積體 荷番,《之檢查時’由於來自半導體積體電路1GG之接觸 彈簧槿 1簧構件23係成為沿著長度方向壓縮之狀態。當對 係與ί 時,如第6圖所示,密捲繞部23a 氣導诵 部22d接觸。藉此可獲得確實之電 捲繞^=由 ==塞22之基端部_進人至密 # 4第2柱塞22之軸線不會大幅晃動。 形成,二Γ圖所示,爪部21b之尖端p〇係尖銳地 連接二=接用電極101之表面抵接,突破形成在 之表面的氧化被膜,而可使爪部灿之尖 322587 9 201135240 端P0與連接用電極101直接接觸。 在檢查時從電路基板200供給至半導體積體電路1〇〇 之檢查用信號係從電路基板200之電極201經由探針2之 第1柱塞21、密捲繞部23a、第2柱塞22到達半導體積體 電路100之連接用電極101。如此,在探針2中,第1柱 塞21與第2柱塞22係透過密捲繞部23a而導通,因此可 將電氣彳§號之導通路徑設為最小。因此,可防止在檢查時 仏號^泉通於疏捲繞部23b,且謀求電感之減低及穩定化。 '第8圖所示之剖視圖係為連接用電極之寬度比 穴端部21a之直徑小的情形。此時,複數個爪部21b之内 則中之從尖端算起第1個及第2個之頂點P1係與連接用 電極l〇la接觸。此時,尖銳之各頂點ρι之任一個亦可突 破連接用電極1Gla之氧化被膜而與連接用電極接觸。 比口 =據上述之實施形態,不論接觸用電極之大小為何, ::广破連接用電極表面之氧化被膜,因此可破實地使電 電路基板與半導體積體電路之間,且可維持 凸部的各頂:係卜:由於柱塞之尖端部或形成階梯狀之 之氧化、^ 、>成為尖銳狀,因此在可突破連接用電極 端部及各概之磨耗,而可防止探針之壽命^探針之尖 爪部::===被膜來覆蓋至少 =部時’第“圖所示之尖端P。及頂點P1 = 比周邊部之料還厚。0此,可使^PQ及觀广= 322587 10 201135240 久性提升。此外,爪部之個數係可任意地設定。 第9圖係顯示本發明實施形態之變形例之探針 之構成的别視圖。第9圖所示之第1柱㈣的爪部21f 中,稜線L2之-部分係形錢微,對餘◦與棱線 之交點Q2、爪部2ib之尖端P2、稜線L2中之全部頂里 係通過弧狀曲線C2。弧狀曲、線C2#藉由通過直線c3‘ 稱軸0之間,而形成相對於接觸用電極1〇1之球面逆向、 曲之弧狀,該直線C3係通過對稱軸〇與棱線U之交點卯 及爪部训之尖端P2。如狐狀曲線C2 ϋ由形成相對於接 觸用電極101之球面逆向之弧狀,即使在制比柱塞 之直徑小且從半導體積體電路突出之高度低之連接用電極 之情形下’爪部21f之尖端P2亦不會與半導體積體電路之 基板表面接觸,而可使階梯狀之各頂點P3與連接用電極接 觸。 (產業上之可利用性) 如上所述,本發明之接觸探針係有益於與球面之電極 接觸,、且使電氣信號導通,特财適合在使用銲料等於表 面形成氧化被祺之電極的情形。 【圖式間單說明】 第1圖係顯示本發明實施形態之探針單元之構成的斜 視圖。 嫌係顯示本發明實施形態之探針單元之主要部分 構成的局部剖規圖。 第3圖係顯示本發明實施形態之接觸探針之第j柱塞 322587 11 201135240 的尖端部之上方斜視圖。 第4圖係顯示第3圖所示之接觸探針之爪部形狀之箭 頭A方向的斜視圖。 第5圖係將本發明實施形態之通過爪部之棱線的平面 作為切斷面之剖視圖。 第6圖係顯示半導體積體電路之檢查時之探針單元之 主要部分構成的局部剖視圖。 第7圖係顯示第6圖所示之第1柱塞之爪部附近的剖 視圖。 第8圖係顯示將其他連接用電極使用於第6圖所示之 爪部之情形的剖視圖。 第9圖係顯示本發明實施形態之變形例之探針的爪部 之構成的剖視圖。 【主要元件符號說明】 1 探針單元 2 接觸探針(探針) 3 探針保持具 21 第1柱塞 21a、22a 尖端部 21b 、 21f 爪部 21c、22b 凸緣部 21d、22c 凸台部 21e、22d 基端部 22 第2柱塞 23 彈簧構件 23a 密捲繞部 23b 疏捲繞部 31 第1構件 32 第2構件 33、34 保持具孔 33a、34a 小徑部 33b 、 34b 大徑部 100 半導體積體電路 101、101a 連接用電極 12 322587 201135240 200 電路基板 Cl ' C3 直線 C2 弧狀曲線 U、L2 稜線 0 對稱軸 P0、P2 尖端 PI ' P3 頂點 Ql、Q2 交點 13 322587

Claims (1)

  1. 201135240 七、申請專利範圍: ^ 種接觸探針,係為可沿著長度方向伸縮之呈針狀的導 電性接觸探針, 前述長度方向之至少一方的端部具備彼此形成相 同之錐狀而突出之複數個爪部,該複數個爪部係以前述 長度方向之中心軸為對稱軸而配置成旋轉對稱, 前述爪部具有通過其尖端及前述對稱軸之棱線, 該稜線至少在接近該尖端之部分呈由連續的複數個凸 部構成之階梯狀。 .如申請專利範圍第1項所述之接觸探針,其中,通過前 述爪部之尖端、前述複數個凸部之頂點、及前述對稱2 與前述稜線之交點的線中之長度最小的線係成直線狀。 3·如申請專利範圍第1項所述之接觸探針,其中,前述複 數個凸部之頂點(P3)係位於通過前述對稱軸(〇)與前= 稜線(L2)之交點(Q2)以及前述爪部(2lf)之尖端(p2)之 弧狀曲線(C2)上,該弧狀曲線(C2)並且通過前述對稱轴 (〇)與下述之直線(C3)之間; 前述直線(C3)係通過前述交點(Q2)與前述尖端(P2)。 1如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之接觸探 針,其中,形成前述階梯狀之部分係施有電場鍍覆。 322587 1
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