TW201127777A - Method of densifying porous silicon carbide base material - Google Patents
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201127777 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種使用聚矽氧組合物對多孔質碳化矽基 材所具有之細孔填充碳化矽,而使該碳化矽基材緻密化之 方法》 【先前技術】 原本碳化矽為難燒結性,因此難以於常壓下獲得緻密之 燒結體,通常為多孔質(非專利文獻丨)。碳化矽材料可使用 於爐材料或軸承、滑動材料等用途,於此種用途中若碳 化矽材料為多孔質,則有機械強度不足之問題。因此,要 求緻密結構之碳化矽材料。 先别,作為獲得緻密之碳化矽燒結體之方法,已知:使 用硼等燒結助劑之方法(專利文獻1};使熔融矽與以碳化 矽'碳為主體之成型體接觸之方法(非專利文獻1);及使Si〇 氣體穿透以碳化矽、碳為主體之成型體之方法(專利文獻2)。 但是,於使用硼等燒結助劑之方法中,由於所用之燒結 助劑,所得之碳化矽燒結體會受到硼等雜質元素污染,於 半導體裝置製造領域中存在難以使用之問題。至於使熔融 石夕接觸之方法、及使Si〇氣體穿透成型體之方法,為了對所 得之成形體進一步進行處理,而需要附加步驟,因此亦需 要特別之裝置。 有揭示:於使熔融聚碳矽烷含浸碳化矽纖維/碳化矽複合 材料後,進行不熔化繼而進行燒成,藉此進行緻密化之方 法(專利文獻3),但存在步驟數多且煩雜之問題。 151414.doc 201127777 [先行技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2000-247744號公報 [專利文獻2]曰本專利特開2007-145665號公報 [專利文獻3]曰本專利特開平n-12038號公報 [非專利文獻] [非專利文獻1] 「SiC系陶瓷新材料」日本學術振興會高 溫陶瓷材料第124委員會編 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 因此,本發明之課題在於解決上述先前技術之問題,並 提供一種保持多孔質碳化矽基材之純度、且簡便地將其緻 密化之方法。 [解決問題之技術手段] 本發明者等人發現,使液狀硬化性聚矽氧組合物含浸多 孔質碳化矽基材,並進行熱分解,藉此用碳化矽填充細孔 而可解決上述課題。 即,本發明提供-種多孔質碳化石夕基材之緻密化方法, 其包括以下步驟: 使液狀硬化性聚魏組合物含浸多孔質碳切基材之至 少表面層; 使如此含浸之上述聚矽氧組合物硬化: 將如此所得之含浸狀態之W氧硬化㈣非氧化性氣體 裱境中進行熱分解而轉化為碳化矽。 1514I4.doc 201127777 本發明亦提供一種如此而得之緻密化碳化矽體。 即,本發明提供一種緻密化碳化矽體,其具有多孔質碳 化矽基材、以及於該基材之至少表面層填充於該基材之細 孔的碳化矽。該緻密化碳化矽體可藉由上述緻密化方法而 製造。 [發明之效果] 根據本發明之緻密化方法,由於填充材料為液狀聚矽氧 a物因此可谷易地對多孔質碳化矽基材之細孔進行含 浸、填充。 右使用含有碳化矽粉末者作為液狀硬化性聚矽氧組合 物,則可減少因加熱(即燒成)所致之減量。其結果係可更容 易地使多孔質碳化矽基材緻密化。 又於本發明之方法中,由於在用於含浸之硬化性聚矽 氧組合物之階段可提高純度、並於半導體製造領域中可減 少有害雜質元素,因此可使所得之緻密化碳化石夕基材容易 實現南純度。 石反化矽不僅填充於細孔,而且亦可於碳化矽基材表面形 成為被膜’因❿此時可獲得以下優點:即便基材含有雜質 元素,亦可藉由所填充及被覆之碳化矽封閉雜質元素。 【實施方式】 以下,對本發明進行詳細地說明。再者,於本說明書中, 「室溫」係指周圍溫度,通常可於10〜35t之範圍内變動。 本發明之方法包括以下步驟作為必須之步驟: (1)使液狀硬化性聚矽氧組合物含浸多孔質碳化矽基材 151414.doc 201127777 之至少表面層之步驟; ⑺使如此含浸之上述聚石夕氧組合物硬化之步驟;及 氣=^此而得之含浸狀態U錢硬化物於非氧化性 衰兄中進行熱分解而轉化為碳化石夕之步驟。 以下’依序對步驟進行說明。 -步驟(1)- ::驟⑴中,使含碳切粉末之液狀硬化性聚石夕氧組合 物3次多孔質碳化矽基材之至少一部分。 •多孔質碳化矽基材: 作為本發明之方法之被處理材料的多孔質碳切基材之 製造方法並無特別限定,通常將碳化石夕粉末與纖維素等結 合材料等-起混練而製備底土,繼而將底土成形為所需之 形狀而製成成形體,將其燒成而獲得所需形狀之碳化石夕燒 結體。如此獲得之碳化石夕燒結體係通常具有孔徑(M μιη〜100 μηι之連續細孔的多孔質材料。 •液狀硬化性聚矽氧組合物: 本發明之方法中所用之液狀硬化性聚石夕氧組合物較佳為 含有碳化石夕粉末。碳化石夕粉末係於步驟⑺中將聚石夕氧硬化 物燒成而進行碳化石夕化時抑制聚石夕氧硬化物之體積收縮並 有助於提高緻密性。作為碳化石夕粉末,藉由雷射繞射•散 射式粒徑•粒度分佈測定裝置進行測定,較佳為平均粒徑 為0.1 μπι〜100 μηι者,更佳為!帥〜5〇叩者。 此處,「平均粒徑」係中值粒徑,係以某粒徑為界將粉體 分為2部分時,較大側之粉末量與較小側之粉末量於質量上 151414.doc 201127777 ' 為專量之粒徑。碳化石夕粉末可使用市售之高純度碳化石夕粉 末曰。又,可為藉由以下方式而獲得者:將聚石夕氧粉末、特 別是放射線硬化性或過氧化物硬化性聚石夕氧組合物之硬化 物於料化性氣體環境下於40〇t〜15〇〇t下加熱,而實質 反夕及氧轉變為無機陶究,進而於該氣體環境下於 超過15〇代、220代以下之溫度下進行加熱分解。 碳化石夕粉末於組合物中之含量較佳為5〜90體積%之範 圍,更佳為1〇〜8〇體積%之範圍,尤佳為20〜70體積%之範 圍。若碳化石夕粉末之含量過少,則添加碳化石夕粉末之效果 缺乏。 作為硬化性聚石夕氧組合物,可使用公知者。作為其具體 例’可列舉有機過氧化物硬化性、放射線硬化性、加成硬 化反性型、縮合硬化性等之聚石夕氧組合物。於使所填充之 =化石夕為高純度之方面而言,有機過氧化物硬化性及放射 、、硬化氧組合物較為有利,可將所得 形體中之雜質元素的合計含量抑制〜以下、較佳為 〇.5ppm以下、更佳為0.lppm以下。作為雜質元素可列舉 以上述方式抑制該等之合計含量。 作為有機過氧化物硬化性聚石夕氧組合物,例如可列舉: 使於分子鍵末端部分(單末端或兩末端)及分子鏈非末端部 =任:者或該兩者具有乙稀基等稀基的直鏈狀有機聚石夕 氧組合物。 下進仃自由基聚合而硬化之聚石夕 151414.doc 201127777 作為放射線硬化性聚碎氧組合物,可列舉紫外線硬化性 聚矽氧組合物及電子束硬化性聚矽氧組合物。 作為紫外線硬化性聚⑪氧組合物,例如可列舉:藉由波 長200〜·⑽之紫外線的能量而硬化之聚石夕氧組合二此 時’硬化機制並無特別限制。作為其具體例,可列舉:包 含具有丙烯醯基或甲基丙稀醯基之有機聚石夕氧炫與絲: 起始劑的丙烯酸系聚矽氧系聚矽氧組合物、包含含有哼: 之有機聚石夕氧烧與具有乙稀基等稀基之有機聚⑦氧烧:二 光聚合起始劑㈣基·乙縣加成聚H切氧組 用與熱硬化性加成反應型相同之麵族金屬系觸媒的加成反 應系聚石夕氧組合物、包含具有環氧基之有機聚石夕氧院盘鑌 鹽觸媒之陽離子聚合系聚石夕氧組合物等,均可用作紫外線 硬化性聚矽氧組合物。 作為電子束硬化性聚石夕氧組合物,亦可使用由藉由對具 有自由基聚合性基之有機聚矽氧烷照射電子束而起始之自 由基聚合而硬化之任一種聚矽氧組合物。 作為加成硬化性聚矽氧組合物’例如可列舉:藉由使上 述具有稀基之直鏈狀有機聚錢料有錢化❹氧烧於 翻族金屬系觸媒存在下進行反應(氫錢基化加成反應)而 硬化的聚矽氧組合物。 作為縮合硬化性㈣氧組合物,例如可列舉:藉由使兩 末端錢軸鏈有料有錢化料Μ或四烧 氧基石夕烧、有機二院氧基碎炫等水解性碎院及/或其部分水 解縮合物於有機錫系觸媒等縮合反應觸媒存在下反應而硬 151414.doc 201127777 化的聚石夕t組合#;或藉由使兩末端由三烧氧&、二燒氧 基有機基、三燒氧基石夕絲基乙基、二&氧基有機矽院氧 基乙基等封鏈之有機聚矽氧烷於有機錫觸媒等縮合反應觸 媒存在下反應而硬化的聚矽氧組合物等。 其中,就極力避免雜質元素混入之觀點而言,較理想的 是放射線硬化性聚矽氧組合物及有機過氧化物硬化性聚矽 氧組合物。 以下,對各硬化性聚矽氧組合物進行詳述。任一情況下, 碳化矽粉末均為如上所述之必須成分,於以下說明中省略。 •有機過氧化物硬化性聚石夕氧組合物: 作為有機過氧化物硬化性聚矽氧組合物,具體而言例 如可列舉包含以下成分之有機過氧化物硬化性聚矽氧組合 物: (a) 含有至少2個鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧烷;及 (b) 有機過氧化物;及作為任意成分的 (c) 含有至少2個鍵結於矽原子之氫原子(即SiH基)之有 機氫化聚矽氧烷,相對於全部硬化性聚矽氧組合物中之烯 基1莫耳,本(c)成分中之鍵結於矽原子之氫原子的量為 〇·1〜2莫耳之量。 • · (a)成分 U)成分之有機聚石夕氧烧係有機過氧化物硬化性聚石夕氧 組合物之基礎聚合物。(a)成分之有機聚矽氧烷之聚合度並 無特別限定,作為(a)成分,可使用於25t下為液狀之f機 聚石夕氧烧至生膠狀有機聚石夕氧烷’可較佳地使用平均聚合 151414.doc 201127777 度較佳為50〜20,000,更佳為1〇〇〜1〇〇〇〇,尤佳為1〇〇〜2〇〇〇 左右之有機聚矽氧烷。X ’⑷成分之有機聚矽氧烷就原料 獲得之今易性之觀點而言,基本上具有以下結構:分子鏈 包含二有機矽氧烷單元(R^SiOw單元)之重複單元、且分子 鏈兩末端由三有機矽烷氧基或羥基二有機矽烷 氧基((HO)R 2Si〇W2單元)封鍵之不具有分支的直鏈結構;或 分子鏈包含該二有機矽氧烷單元之重複單元、且不具有分 支之環狀結構;但亦可部分地含有三官能性矽氧烷單元或
Si〇2單元等分支狀結構。此處,Ri係如於以下說明之式(1) 中所定義般。 作為(a)成分,例如可使用下述平均組成式(丨): R aSiO(4.a)/2 (1) (式中,R1表示相同或不同之未經取代或經取代之碳原子數 為1〜10、更佳為1〜8之一價烴基,R1之50〜99莫耳%為烯基, a為1.5〜2.8 '更佳為1.8〜2.5、尤佳為1 95〜2 〇5之範圍的正 數)所示,且於一分子中具有至少2個烯基之有機聚矽氧烷。 作為上述R1之具體例,可列舉:甲基、乙基、丙基、丁 基、戊基、己基等烷基;苯基、甲苯基、二甲苯基、蔡基 等芳基;環戊基、環己基等環烷基;乙烯基、烯丙基、丙 烯基、異丙烯基、丁烯基等烯基;該等烴基之氫原子之_ 部分或全部被氟、溴、氣等_素原子、氰基等取代之基例 如氣甲基、氣丙基、溴乙基、三氟丙基、氰基乙基等,就 高純度之觀點而言,較佳為僅由烴基構成。 此時,R中之至少2個為稀基(特別是碳原子較佳為2〜8、 151414.doc 10 201127777 更佳為2〜6之烯基)。再者,烯基之含量於鍵結於矽原子之 全部有機基中(即上述平均組成式(1)中由Rl所示之未經取 代或經取代之全部一價烴基中),較佳為5〇〜99莫耳%,特佳 $ 75〜95莫耳%。於⑷成分之有機聚矽氧烷具有直鏈狀結構 時,該烯基可僅於分子鏈末端及分子鏈非末端之部分之任 . 一者鍵結於矽原子,亦可於該兩者鍵結於矽原子。 • · (b)成分 (b)成分係於有機過氧化物硬化性有機聚矽氧烷組合物 中用作用以促進(a)成分之交聯反應的觸媒之有機過氧化 物。作為(b)成分,只要可促進⑷成分之交聯反應,則可使 用先則公知之有機過氧化物。作為其具體例,可列舉:過 氧化苯甲醯、過氧化2,4_二氣笨曱醯、過氧化對甲基笨曱 醯、過氧化鄰甲基苯曱酿、過氧化2,4_二異丙苯、2,5_二甲 基-雙(2,5-第三丁基過氧基)己烧、過氧化二第三丁基、、 過氧化苯曱酸第三丁酿、U•雙(第三丁基過氧基緩基)己院 等’但並不特別限定於該等。 ㈨成分之添加量係#為用以促進(a)成分之交聯反應的 觸媒之有效量。相對於⑷成分_質量份,較佳為可設定為 0’1〜10質量份之範圍’更佳為可設定為〇_2〜2質量份之範 圍。若該添加量係相對於(a)成分1〇〇質量份而少於〇1質量 伤之从篁,則直至硬化為止之時間花費較長’於經濟上不利。 又旦若該添加量係相對於(a)成分1〇〇質量份而多於10質量份 a產生來源於(b)成分之發泡,而且該硬化反應物 之強度及耐熱性會受到不良影響。 1514I4.doc 201127777 • · (C)成分 作為任意成分的(c)成分之有機氫化聚矽氧烧含有至少2 個(通常2〜200個)、較佳為3個以上(通常3〜1〇〇個)鍵結於矽 原子之氫原子(SiH基)。可單獨將(a)成分亦可添加(b)成分進 行加熱而硬化,藉由添加(c)成分,與(a)成分單獨之情形相 比,更容易與(a)成分反應,因此可於更低溫度且以更短時 間進行硬化。(c)成分之分子結構並無特別限定,例如線狀、 環狀' 分支狀、立體網狀(樹脂狀)等之先前所製造之任一種 有機氫化聚矽氧烷均可用作(c)成分。於(c)成分具有線狀結 構時,SiH基可僅於分子鏈末端及分子鏈非末端之部分之任 一者鍵結於矽原子,亦可於該兩者鍵結於矽原子。又,^ 分子中之妙原子數(或聚合度)通常為2〜3〇〇個、較佳為 4〜150個左右,於室溫(25t)T為液狀之有機氫化聚矽氧烷 可較佳地用作(c)成分。 作為(C)成分,例如可使用下述平均組成式(2): R2bHcSiO(4.b.c)/2 (2) (式中,R2為相同或不同之未經取代或經取代之不含脂肪族 不飽和鍵之碳原子數為丨〜⑺、更佳為^之一價烴基, 較佳為滿足0.7$bS2.1、O.OOlScSl.O、且〇.8^b + cSL〇 之正數’更佳為滿足l_〇$b$2.0、O.Olgcgl.O、且 1 ·5 $ b + c $ 2.5之正數) 所不之有機氫化聚矽氧烷。作為上述R2 ,例如可列舉與 上述平均組成式(1)中之R1相同之基(其中,烯基除外)。 作為上述平均組成式(2)所示之有機氫化聚矽氧烷之具 151414.doc •12- 201127777 體例,可列舉:U’3,3-四甲基二石夕氧燒、•四甲基環 四m三(氫化二甲基錢a基)ψ基料、三(氯化二 曱基石夕燒氧基)苯基錢、甲基氫化環聚石夕氧烧、甲基氣化 矽氧烷•二甲基矽氧烷環狀共聚物、兩末端三甲基矽烷氧 基封鏈甲基氫化聚石m兩末端三甲基我氧基封鍵甲 基氫化碎氧烧.二甲基⑦氧烧共聚物、兩末端甲基氯化石夕 烷氧基封鏈二甲基聚矽氧烷、兩末端甲基氫化矽烷氧基封 鏈甲基氫切㈣•二甲基魏烧共聚物、兩末端三甲基 矽烷氧基封鏈曱基氫化矽氧烷·二苯基矽氧烷共聚物'兩 末端二甲基矽烷氧基封鏈甲基氫化矽氧烷•二苯基矽氧烷 .二甲基矽氧烷共聚物、兩末端三甲基矽烷氧基封鏈甲基 氫化碎氧烧•甲基苯基石夕氧烧•二甲基石夕氧烧共聚物、兩 末编甲基氫化矽烷氧基封鏈甲基氫化矽氧烷•二苯基矽氧 烷·二曱基矽氧烷共聚物、兩末端节基氫化矽烷氧基封鏈 甲基氫化矽氧烷.曱基苯基矽氧烷•二甲基矽氧烷共聚 物、包含(CH3)2HSiO丨/2單元與(CH3)2Si02/2單元以及Si〇4/2 單元之共聚物、包含(C^LHSiOw單元與Si〇4/2單元之共聚 物、包含(CH3)2HSiO"2單元與Si04/2單元以及(C6H5)3Si〇"2 單元之共聚物等。 (0成分之添加量相對於(a)成分1〇〇質量份,較佳為可設 疋為0〜100質量份之範圍,更佳為可設定為〇〜5〇質量份之範 圍。若該添加量係相對於⑷成分100質量份而多於丨〇〇質量 份之量,則會產生來源於(c)成分之發泡,而且該硬化反應 物之強度及耐熱性會受到不良影響。 151414.doc -13- 201127777 •紫外線硬化性聚矽氧組合物: 作為紫外線硬化性聚梦氧組合物,具體而言,例如可列 舉包含以下成分之紫外線硬化性聚矽氧組合物: (d)紫外線反應性有機聚碎氧烧,·及 0)光聚合起始劑。 • · (d)成分 ⑷成分之紫外線反應性有機聚⑦氧炫通常於紫外線硬 化性聚石夕氧組合物_發揮出作為基礎聚合物之作用。⑷成 分並無特別限定,較佳為】分子中具有至少2個、更佳為㈣ 個、特佳為2〜職之紫外線反應性基的有機聚⑪氧院。於 該有機聚矽氧烷中存在複數個之上述紫外線硬化性基可全 部相同亦可不同。 ▲ (d)成分之有機聚矽氧烷就原料獲得之容易性之觀點而 °基本上具有以下結構:分子鏈(主鏈)包含二有機矽氧烷 單元(1^山〇2/2單元)之重複單元、且分子鍵兩末端由三有機 夕燒氧基(R 3Si01/2)封鏈之不具有分支的直鏈狀結構;或分 子1包含該:有㈣氧料元之重複單元、且不具有分支 之%狀結;f冓’但亦可部分地含有三官能性矽氧烷單元或 2單元等分支狀結構。此處,r】係如式(1 )中所述。於(幻 成刀之有機聚石夕氧燒具有直鏈狀結構時,可僅於分子鍵末 端及刀子鏈非末端之部分的任一者具有紫外線反應性基, 亦可於该兩者具有’較佳為至少於分子鏈兩末端具有紫外 線反應性基。 乍為》玄1外線反應性基,例如可列舉:乙烯基、烯丙基、 151414.doc • 14 - 201127777 丙婦基等烯基;乙絲基、稀丙氧基、丙婦氧基、異丙稀 乳基等稀氧基;丙_基m «基等烯基以外之月匕 肪族不飽和基;環氧基,·氫料基等,較佳為可列舉丙烯曰 醯基、甲基丙烯醢基、録、環氧基、及氫料基,更佳 為可列舉丙烯醯基及甲基丙烯醯基。 上述有機聚㈣烧之黏度並無特別限^,於饥下較佳 為 100 激卜1,000,000 mPa.S,更佳為〜5〇0,000 mPa.s, 特佳為 200〜100,000 mPa.s。 作為⑷成分之較佳之—形態’例如可列舉·下述通式 (3a): R33-f R3 R3 R33-g R4jSi— (〇|i)m~ —(OSi)n-0SiR4g R5 (3a) [式中,R3為相同或不同之不具有料線反應性基之未經取 代或經取代之一彳貝烴基,R4為相同或不同之具有紫外線反 應性基之基,R5為相同或不同之具有紫外線反應性基之 基,m為5〜1,000之整數,n為0〜10〇之整數,f為o〜3之整數, g為0~3之整數,其中,f+g+ng2] 或下述通式(3b): 1514l4.doc 15 201127777 R3 3-f R3 3-i R3 R3 R33-j R4fSi(CH2)h -Si〇-(〇Si)sr-(〇Si)iT—Si- R3 R5 (3b) R33-g (CH2)hSiR4e
[式中,R3、R4、R5、m、n、f、g係如上述通式(3a)所定義 般’ h為2〜4之整數,i及j分別為1〜3之整數,其中fi+gj+n^2] 所示之具有至少2個紫外線反應性基之有機聚矽氧烧。 上述通式(3a)及(3b)中,R3為相同或不同之不具有紫外線 反應性基之未經取代或經取代之碳原子數較佳為丨〜2〇、更 佳為1〜10、尤佳為1〜8之一價烴基。作為R3所示之一價烴 基,例如可列舉:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基 等烷基;苯基、甲苯基、二曱苯基、萘基等芳基;環戊基、 環己基、環戊基等環烷基;苄基、苯基乙基等芳烷基;鍵 結於該等烴基之氫原子的一部分或全部被鹵素原子、氰 基、羧基等取代之基例如氣甲基、氯丙基、溴乙基、三氟 丙基氰基乙基、3 -氰基丙基等,較佳為可列舉曱基及苯 基更佳為可列舉甲基。又,上述R3所示之一價烴基於其 月架中可具有1種或2種以上之磺醯基、醚鍵(-〇-)、羰基等。 上述通式(3a)及(3b)中,作為r4及r5所含之紫外線反應性 基例如可列舉:乙烯基、烯丙基、丙烯基等烯基;乙烯 氧基 '稀丙氧基、丙烯氧基、異丙稀氧基料氧基;丙稀 醢基、甲基丙烯醯基等烯基以外之脂肪族不飽和基;巯基; 衣氧基,氫矽烷基等,較佳為可列舉丙烯醯基甲基丙烯 151414.doc -16 - 201127777 醯基、%氧基、及氫矽烷基,更佳為可列舉丙烯醯基及甲 基丙稀醯基。因此,…及以所示之具有紫外線反應性基之 基係例如具有上述例示之紫外線反應基之一價基,作為其 具體例,可列舉:乙烯基、烯丙基、3'缩水甘油氧基丙基、 2-(3,4-環氧環己基)乙基、3_曱基丙烯醯氧基丙基、弘丙烯 醯氧基丙基、3-疏基丙基、2_{雙(2_甲基丙稀醯氧基乙氧基) 甲基石夕烧基}乙基、2-{雙(2-丙稀醯氧基乙氧基)甲基石夕烧 基}乙基、2-((2-丙烯醯氧基乙氧基)二甲基矽烷基}乙基、 2_{雙(1,3-二甲基丙稀醯氧基_2_丙氧基)甲基矽烷基}乙 基2-{(1,3-一甲基丙烯醯氧基·2_丙氧基)二甲基石夕烧基}乙 基、2-{雙(1-丙烯酿氧基_3_甲基丙烯醯氧基_2_丙氧基)甲基 矽烷基}乙基、及2-{雙(1_丙烯醯氧基_3_甲基丙烯醯氧基_2· 丙氧基)二曱基石夕烧基}乙基等,較佳為可列舉:3甲基丙烯 醢氧基丙基、3·丙稀醯氧基丙基、2_{雙(2_甲基丙烯酿氧基 乙氧基)曱基石夕院基}乙基、2_{雙(2·丙烯醯氧基乙氧基)甲 基石夕烧基}乙基、2-{(2·丙稀醯氧基乙氧基)二甲基石夕院幻 乙基、2-Ul,3-二甲基两稀醯氧基·2_丙氧基)二甲基錢幻 乙基、:{雙(1-丙烯醯氧基_3_甲基丙烯醯氧基_2_丙氧基)甲 基石夕竭乙基、及2-{雙(1_丙稀酿氧基甲基丙婦酿氧基 -2-丙氧基)二甲基石夕烧基}乙基HR5分別可相同亦可不 同’ R4及R5彼此可相同亦可不同。 上述通式(3a)及(3b)中, Η)〜800、更佳為50〜500之整數,㈣f為〇〜ι〇〇、較佳 〇〜50、更佳為0〜20之整數,3、較佳為〇〜2更 151414.doc 17 201127777 之整數,g為0〜3、較佳為〇〜2之整數、更佳為1或2。上述式 (3b)中,h通常為2〜4之整數、較佳為2或3。丨及』分別為丨〜3 之整數、較佳為1或2整數。進而,上述通式(3a)及(3b)所示 之有機聚矽氧烷如上所述般,由於具有至少2個上述紫外線 反應性基,因此於式(3a)中成為f+g+n^2,並且於式(31?)中 成為 fi+gj+n — 2。 作為上述式(3a)及(3b)所示之有機聚矽氧烷之具體例,可 列舉下述所示者等。
ch3 /ch3
CH2=CH~C-〇-CH2-CH2-CH2-SiO—f-SiO |i-CH2-CH2-CH2-〇_^CH=CH2 o
CH3 \ ΓΜ / I \ 3 /200 ch3 |CH3=CsC-〇-CH2-CH2—0 CH3A
151414.doc -18 - 201127777
R6 I .Si- CH2-CH2'
[上述式中,R6係90莫耳%為甲基、10莫耳%為苯基] • · 0)成分 (e)成分之光聚合起始劑具有促進上述(d)成分中之紫外 作為 線反應性基之光聚合的作用。(e)成分並無特別限定 其具體例’可列舉:笨乙酮、笨丙酮、二苯甲酮龙 n @原醇(+ 寸 > 卜一小,Xanth〇l)、苐、苯曱醛、蒽醌、三笨義胺 甲基苯乙_、3-戊基苯乙酮、4-曱氧基苯乙酮、濞笨乙4’ 4-烯丙基苯乙酮、對二己醯基苯、3_甲氧基二笨 Τ 綱、4 甲基二苯甲_、4·氯二苯甲酮、4,4,_二甲氧基二 个亍、 •'氣 4 、4卞基—苯甲嗣、山酿)、3,9 -二氣'^山购、 甲 壬基"山酮、安息香、安息香甲醚、安息香丁醚、雙(4 151414.doc -19· 201127777 基胺基苯基)酮、苄基甲氧基縮醛、2_氣_9_氧硫咄蠖、二乙 基苯乙酮、1-羥基氯苯基酮、丨_羥基環己基苯基酮、2_甲基 -(4-(甲硫基)苯基)_2·嗎啉基_丨_丙烷、2,2二甲氧基_2_苯基 苯乙酮、二乙氧基苯乙酮及2_羥基_2_甲基_丨·苯基丙烷-卜 酮等,就尚純度之觀點而言,較佳為可列舉二苯甲酮、4· 甲氧基苯乙酮、4-甲基二苯甲酮、二乙氧基苯乙酮、丨_羥基 環己基苯基酮及2-經基_2_甲基+苯基丙烧小酮,更佳為可 列舉二乙氧基苯乙酮、丨_羥基環己基苯基酮及2_羥基_2_甲 基小苯基丙烷-1-酮。該等光聚合起始劑可單獨使用i種也 可併用2種以上。 (e) 成分之添加量並無特別限定,相對於(d)成分1〇〇質量 份,較佳為0_01〜10質量份,更佳為〇」~3質量份,尤佳為 〇.5〜3質量份。若該添加量為該範圍内,則容易控制聚石夕氧 組合物之硬化。 •加成硬化性聚矽氧組合物: 作為加成硬化性聚矽氧組合物,具體而言,例如可列舉 包含以下成分之加成硬化性聚矽氧組合物: (f) 含有至少2個鍵結於石夕原子之稀基的有機聚石夕氧院; (g) 含有至少2個鍵結於矽原子之氫原子(即sm基)之有 機氫化聚石夕氧院,相對於全部硬化性聚石夕氧組合物中之稀 基1莫耳’本(g)成分中之鍵結於矽屌 么/原千之虱原子的量為 0.1〜5莫耳之量;及 (h) 鉑族金屬系觸媒,有效量。 • · (f)成分 151414.doc -20· 201127777 (f)成分之有機聚矽氧烷係加成硬化性聚矽氧組合物之 基礎聚合物,含有至少2個鍵結於矽原子之烯基。作為⑴ 成为,可使用公知之有機聚矽氧烷。藉由凝膠滲透層析法 (以下稱為「GPC」)測定之⑴成分的有機聚矽氧烷之重量平 均分子量以聚苯乙烯換算較佳為3〇〇〇〜3〇〇,〇〇〇左右。進而 ⑴成分之有機聚石夕氧烷置於25t下之黏度較佳為 1〇〇〜1’〇〇〇,〇〇〇1^』’特佳為1 000〜1〇〇,〇〇〇1^』左右。若 為1〇〇 mPa.s以下,則拉絲性較低而難以實現纖維之細徑 化,若為1,000,000 mPa.s以上,則難以操作。⑴成分之有 機聚矽氧烷就原料獲得之容易性之觀點而言,基本上具有 以下結構:分子鏈(主鏈)包含二有機矽氧烷單元(R72si〇2,2 單兀)之重複單元、且分子鏈兩末端由三有機矽烷氧基 (R^SiOm)封鏈之不具有分支的直鏈狀結構;或分子鏈包含 該二有機矽氧烷單元之重複單元、且不具有分支之環狀結 構,但亦可部分地具有含有R7Si〇w單元或si〇…單元之分 支狀結構。此處,R7係如以下說明之式(4)中所述般。 作為(f)成分,例如可使用下述平均組成式(4): R7|SiO(4.1)/2 (4) (式中,R7為相同或不同之未經取代或經取代之碳原子數為 1〜1〇、更佳為1〜8之一價烴基,i較佳為丨5〜2 8,更佳為 18〜2.5’尤佳為L95〜2·05之範圍的正數)所示,且—分子中 具有至少2個烯基之有機聚矽氧烷。作為上述R7,例如可列 舉對於上述平均組成式(1)中之Ri所例示之基。 此時,R7中之至少2個為烯基(特別是碳原子較佳為八 151414.doc •21 · 201127777 更佳為2〜6之烯基再者’烯基之含量於鍵結於矽原子之 全部有機基甲(即上述平均組成式⑷中由r7所示之未經取 代或經取代之全部-價烴基中),較佳為5㈣莫耳%,㈣ 為75〜95莫耳%。於⑴成分之有機㈣氧烧具有直鏈狀結構 時,該烯基可僅於分子鏈末端及分子鍵非末端之部分之任 -者鍵結於石夕原子’亦可於該兩者鍵結於石夕原子就組合 物之硬化速度、硬化物之物性等方面而言,較理想的是至 少一個烯基鍵結於分子鏈末端之矽原子。 • · (g)成分 (g)成分之有機氫化聚矽氧烷含有至少2個(通常2〜2〇〇 個)、較佳為3個以上(通常3〜1〇〇個)鍵結於矽原子之氫原子 (SiH基)。(g)成分與(f)成分反應而發揮出作為交聯劑之作 用。(g)成分之分子結構並無特別限定,例如線狀、環狀、 分支狀、立體網狀(樹脂狀)等之先前所製造之任一種有機氫 化聚石夕氧院均可用作(b)成分。於(g)成分具有線狀結構時,
SiH基可僅於分子鏈末端及分子鏈非末端之部分之任一者 鍵結於石夕原子,亦可於該兩者鍵結於矽原子。又,1分子中 之矽原子數(或聚合度)通常為2〜3〇〇個、較佳為4〜15〇個左 右’於室溫(25。(〕)為液狀之有機氫化聚矽氧烷可較佳地用作 (g)成分。 作為(g)成分’例如可使用下述平均組成式(5): R pHqSiO(4.p.q)/2 (5 ) (式中’R8為相同或不同之未經取代或經取代之不具有脂肪 族不飽和鍵的碳原子數為1〜10、更佳為1〜8之一價烴基,p 151414.doc •22- 201127777 及q較佳為滿足0.7$Pm、0.001sqy 〇、且〇 之正數,更佳為滿足1〇gpg2〇、〇〇1各q^l〇、且 1.5 $ p + q$ 2.5之正數) 所示之有機氫化聚矽氧烷。作為上述R8,例如可列舉對 於上述平均組成式(1)中之Rl所例示之基(其中,稀基除外)。 作為上述平均組成式(3)所示之有機氫化聚矽氧烷之具 體例,可列舉:U,3,3-四甲基二矽氧院、^5,7·四曱基環 四矽氧烷、三(氫化二曱基矽烷氧基)曱基矽烷、三(氫化二 曱基矽烷氧基)苯基矽烷、甲基氫化環聚矽氧烷、曱基氫化 矽氧烷•二甲基矽氧烷環狀共聚物、兩末端三甲基矽烷氧 基封鏈甲基氫化聚碎氧烧' 兩末端三甲基钱氧基封鍵甲 基氫切氧院•二甲基⑦氧烧共㈣、兩末端甲基氮化石夕 烷氧基封鏈二曱基聚矽氧烷、兩末端曱基氫化矽烷氧基封 鏈甲基氫化矽氧烷.二甲基矽氧烷共聚物、兩末端三甲基 石夕炫氧基封鏈甲基氫化矽氧烷.二苯基矽氧烷共聚物、兩 末私一甲基石夕院氧基封鏈甲基氫化石夕氧烧.二苯基石夕氧院 .二曱基矽氧烷共聚物、兩末端三曱基矽烷氧基封鏈甲基 氫化矽氧烷·f基苯基矽氧烷•二甲基矽氧烷共聚物兩 末端甲基氫化矽烷氧基封鏈甲基氫化矽氧烷•二苯基矽氧 烷·二甲基矽氧烷共聚物、兩末端甲基氫化矽烷氧基封鏈 甲基虱化石夕氧烧•甲基苯基石夕氧炫.二曱基石夕氧烧共聚 物、包含(CH3)2HSiO"2單元與(CH3)2Si〇2/2單元以及Si〇4/2 單兀之共聚物、包含(CH3)2HSi〇i/2單元與Si〇4/2單元之共聚 物、包含(CH3)2HSiO〗/2單元與Si〇4/2單元以及(C6H5)3Si〇|/2 1514l4.doc •23· 201127777 單元之共聚物等。 成刀之添加量相對於全部硬化性聚石夕氧組合物中之 ㈣好料純料^合物中之鍵 '、稀* !莫耳,尤其是相對於(〇成分中之鍵結於 石夕原:之稀基!莫耳,本(g)成分中之仙基量為U〜5〇莫 耳,較佳為0.5〜3.0莫耳,更佳為U〜2〇莫耳之量。此時, Ο成刀中之與0原子鍵結之烯基相對於全部硬化性聚石夕氧 組合物中所存在之稀基的比例較佳為80〜100莫耳%,更佳 為90〜1GG莫耳%。於全部硬化性Μ氧組合物t僅存在⑺ 成分作為具有稀基之成分時’相對於⑴成分中之稀基磧 耳’本ω成分中之SiH量為(MM莫耳,較佳為〇 5〜3 〇莫 耳’更佳為0.8〜2.0莫耳之量。若該添加量係上述siH量少於 〇_1莫耳之量,則直至硬化為止時間花費較長,於經濟上不 利。 又’若該添加量係上述SiH量多於5〇莫耳之量,則於該 硬化反應物中會產生因脫氫反應所致之發泡,而且該硬化 反應物之強度及财熱性會受到不良影響。 • · (h)成分 (h)成分之鉑族金屬系觸媒係用作用以促進(f)成分與(g) 成分之加成硬化反應(氫矽烷基化反應)的觸媒。作為(h)成 分’可使用公知之舶族金屬系觸媒、,較佳為使用始或始化 合物。作為⑻成分之具體例,可列舉:在白黑,氯化翻氣 鉑酸,氯鉑酸之醇改性物,氣鉑酸與烯烴、醛、乙烯基矽 氧烷或乙炔醇類之錯合物。 151414.doc -24- 201127777 ⑻成分之添加量係作為觸媒之有效量,根據所希望之硬 化反應速度適時增減即可,相對於⑴成分換算成 以質量基準計較佳為CM〜U00 、屬 範圍。 更佳為u〜1〇oPpm之 •縮合硬化性聚矽氧組合物: 例如可列舉 作為縮合硬化性聚矽氧組合物,具體而言 包含以下成分之縮合硬化性聚矽氧組合物: ⑴含有至少2個、較佳為於分子鏈兩末端含有石夕统醇基 (院即石夕原子鍵結Μ基)切原子鍵結水解性基之有機聚石夕氧 G)作為任意成分之水解性矽烷及/或其部分水解縮合 物;以及 口 (k)作為任意成分之縮合反應觸媒。 • ·⑴成分 ⑴成分係含有至少2财㈣基切原子鍵結水解性基 之有機聚錢院,係縮合硬化性聚碎氧組合物之基礎聚: ^。⑴成分之有機聚♦氧烧就原料獲得之容易性之觀點而 y基本上具有以下結構:分子鍵(主鍵)包含二有機石夕氧燒 單元(心〜單力)之重複單元、且分子鏈兩末端由三有機 石夕貌氧基(R93SiQ1/2)封鏈之*具有分支的直鏈狀結構;或分 子鏈包含該二有機石夕氧烧單元之重複單元、且不具有分支 之環狀結構;但亦可部分地含有分支狀結構。此處,尺9表 示未經取代或經取代之碳原子數為卜1〇、更佳為丨〜8之—價 烴基。 、 J514l4.doc -25. 201127777 於⑴成分之有機聚矽氧烷中,作為矽烷醇基以外之水解 性基,例如可列舉:乙醯氧基、辛醯氧基、苯甲醯氧基等 醯氧基;二甲基酮肟、甲基乙基酮肟、二乙基酮肟等酮肟(即 亞胺氧基)’甲氧基、乙氧基、丙氧基等烧氧基;甲氧基乙 氧基、乙氧基乙氧基、甲氧基丙氧基等烷氧基烷氧基;乙 烯氧基、異丙烯氧基、丨·乙基_2_甲基乙烯氧基等烯氧基; 一甲基胺基、二乙基胺基、丁基胺基、環己基胺基等胺基; 二甲基胺基氧基、二乙基胺基氧基等胺基氧基;N-甲基乙 醯胺、N-乙基乙醯胺基、N—甲基苯甲醯胺基等醯胺基等。 該等水解性基較理想的是例如以三烷氧基矽烷氧基、二 烷氧基有機矽烷氧基、三醯氧基矽烷氧基、二醯氧基有機 石夕院氧基、三亞胺氧基矽烷氧基(即三酮肟矽烷氧基)、二亞 胺氧基有機矽烷氧基、三烯氧基矽烷氧基、二烯氧基有機 矽烷氧基、三烷氧基矽烷氧基乙基、二烷氧基有機矽烷氧 基乙基等含有2個或3個水解性基之矽烷氧基或含有2個或3 個水解性基之矽烷氧基烷基等之形態位於直鏈狀二有機聚 石夕氧烧的分子鏈兩末端。 作為鍵結於石夕原子之其他一價烴基,例如可列舉:與對 於上述平均組成式(1)中之Ri所例示者相同之未經取代或經 取代之一價烴基。 作為(i)成分,例如可列舉:
I51414.doc -26 - 201127777
CH3 OH-SiO- ch3
•c H2 2CH Η a cII c——si CH3—S丨CH3
CH—sio—CH (fH3)3_a CH2CH2 Si-(X)a (严3)3_a CH3 / CH3 \ / C6H5\ CH3 (CH3)3-a (X)a—Si—CH2CH2—SiO—|-SiO--pSiO—j-SiO——CH2CH2Si—(x)a CH3 \cH3/n \c6H5/m CH3 [上述式中’ X為上述矽烷醇基以外之水解性基,a為1、2 或3,η及m分別為1〜ι,〇〇〇之整數]。 作為(i)成分之具體例’可列舉:分子鏈兩末端矽烷醇基 封鏈二甲基聚矽氧烷、分子鏈兩末端矽烷醇基封鏈二甲基 矽氧烷•甲基笨基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端矽烷醇基 封鏈二甲基矽氧烷•二苯基聚矽氧烷共聚物、分子鏈兩末 端二甲氧基矽烷氧基封鏈二甲基聚矽氧烷 、分子鏈兩末端 二甲氧基料氧基封鏈二甲基m甲 基碎氧炫共 151414.doc •27· 201127777 聚物、分子鏈兩末端三甲氡基錢氧基封鏈二甲基石夕氧 烧.二苯基聚錢院共聚物、分子鍵兩末端2•三甲氧基石夕 烷氧基乙基封鏈二甲基聚石夕氧燒等。該等可單獨使用i種亦 可將2種以上組合而使用。 •⑴成分 ω成分之水解性㈣及/或其部分水解縮合物為任意成 分,且發揮出作為硬化劑之作用。於作為基礎聚合物的⑴ 成分為於丨分子中含有至少2個錢醇基以外之㈣子鍵社 水解性基之有機聚石夕氧燒時,可省略將⑴成分添加至縮合 硬化性聚料組合物中。作為⑴成分,可較佳地使w分子 中含有至少3個石夕原子鍵結水解性基之石夕烧及/或其部分水 解縮合物(即至少1個、較佳為2個以上之水解性基殘存的有 機聚矽氧烷ρ 作為上述矽烷,例如可較佳地使用式: R,〇rSiX4.r (6) (式中’Rl°為未經取代或經取代之碳原子數為W0、更佳為 之一價烴基,χ為水 ^ 〇 勹八解11基’ r為0或1)所示者。作為上 «,可特佳地列舉:甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、 ^基以基’苯基、甲笨基等芳基;乙稀基、烯两基等烯 作為⑴成分之具體例, 乙烯基三乙氧基石夕烷、乙 酯等及該等之部分水解縮 2種以上組合而使用。 例如可列舉:▼基三乙氧基矽烷、 烯基三乙醯氧基矽烷、正矽酸乙 合物。該等可單獨使用】種亦可將 151414.doc 201127777 於使用⑴成分之水解性矽烷及/或其部分水解縮合物 時,其添加量相對於⑴成分100質量份,較佳為0.01〜20質 量份,特佳為〇.1〜10質量份。於使用⑴成分時,若其添加
量為上述範圍内’則本發明組合物之儲存穩定性及硬化反 應速度特別良好CJ • (k)成分 (k)成分之縮合反應觸媒為任意成分,於上述⑴成分之水 解性矽烷及/或其部分水解縮合物具有例如胺基氧基、胺 基、酮肟時,亦可不使用。作為(k)成分之縮合反應觸媒, 例如可列舉:鈦酸四丁酯、鈦酸四異丙酯等有機鈦酸酯; 二異丙氧基雙(乙醯基丙酮酸)鈦、二異丙氧基雙(乙基乙醯 乙酸)鈦等有機鈦螯合化合物;三(乙醯基丙酮酸)鋁三(乙 基乙醯乙酸)鋁等有機鋁化合物;四(乙醯基丙酮酸)鍅、四 丁酸鍅等有機锆化合物;二丁基二辛酸錫、二丁基二月桂 酸錫、二丁基二(2_乙基己酸)錫等有機錫化合物;環烷酸 錫 '油酸錫、丁酸錫、環烷酸鈷、硬脂酸辞等有機羧酸之 金屬鹽;己基胺、磷酸十二烷基胺等胺化合物、及其鹽; 苄基三乙基乙酸銨等四級銨鹽;乙酸鉀、硝酸鋰等鹼金屬 之低級脂肪酸鹽;二甲基羥基胺、二乙基羥基胺等二烷基 羥基胺,含胍基之有機矽化合物等。該等可單獨使用丨種亦 可將2種以上組合而使用。 於使用(k)成分之縮合反應觸媒時,其添加量並無特別限 定,作為觸媒之有效量即可,相對於⑴成分1〇〇質量份較佳 為0_01〜20質量份,特佳為CM〜1〇質量份。於使用(k)成分 151414.doc -29- 201127777 時’若其添加量為上述範圍肉 之觀… 爛内’則就硬化時間與硬化溫度 ^覜點而言,於經濟上有利。 =驟⑴中,使硬化性心氧組合物含浸多孔質碳化石夕 =時;為了使含浸之作業性達到良好,組合物以液狀而 作為液狀組合物之形態,可為無溶劑液狀組合 經夕&飞乂甲本或四虱呋喃等有機溶劑稀 型組合物的任一種。液狀組合物之黏度較理相的 是考慮多孔質碳化石夕基材之多孔質結構而以獲得良好= 透後的方式進打選擇。於組合物為無溶劑之液狀時,進行 力:熱達到UO,· mPa.s、較佳為1〇〜1〇,_ mpa s而用於含 浸。於水系乳液狀態、或以甲苯或四氫呋喃等有機溶劑稀 釋之狀態下,於25C下調整為ido’ooo mPa s、較佳為 10〜1〇,_ mPa.s。此時之含浸方法並無特別限定例如可 採用浸潰、喷霧塗佈等方法。若含浸液之黏度高於⑽⑻ mPa.s’則對基材之渗透性降低而無法形成良好之含浸層。 硬化性聚矽氧組合物對基材之含浸可僅於表面層部分, 亦可完全含浸至基材之深部。該組合物之一部分能以塗佈 基材表面之方式而殘存。通常以形成塗佈層之形態覆蓋基 材表面而殘留,如有需要亦可將表面殘留組合物除去。至 於表面之含浸率(即深度方向之含浸程度),根據緻密化之目 的及所獲得之特性,可適當選擇。通常較佳為〇〇1%以上, 更佳為0.1 %以上,尤佳為2 %以上。上限為i 〇〇%以下。範圍 較佳為0.1〜100%,更佳為。若含浸率過低,則無法 充分防止雜質元素自碳化矽基材漏出、或無法充分提高碳 151414.doc •30- 201127777 化石夕基材之機械強度。於基材之深部以多孔質之狀態殘留 時,典型的是50%以下、有可能為4〇%以下或35%以下等。 步驟(2): ’° 於步驟(2)中’將步驟⑴中所含浸之硬化性聚碎氧組合物 進行硬化,而形成包含聚矽氧硬化物之含浸層。此時之硬 • 化條件根據所使用之硬化性聚矽氧組合物之種類而適當設 定。以下對此點進行說明。 .有機過氧化物硬化性聚矽氧組合物之情形·· 藉由對含浸了有機過氧化物硬化性聚矽氧組合物之基材 進行加熱,而進行自由基反應’並進行硬化反應,從而有 機過氧化物聚矽氧組合物發生硬化。至於使有機過氧化物 聚矽氧組合物硬化之溫度,由於硬化反應依賴於硬化性聚 矽氧組合物之含浸率或含浸量,因此並無特別限定,較佳 為80°C〜30(TC,更佳為150。(:〜25(rc。又,視需要可進行之 次硬化,作為此時之溫度條件,較佳&12(rc以上,更佳為 150C〜250 C。此時之硬化時間較佳為1〇分鐘〜48小時,更 佳為30分鐘〜24小時。 •紫外線硬化性聚>5夕氧組合物之情形: 藉由對含浸了紫外線硬化性聚矽氧組合物之基材照射紫 - 外線’而光聚合起始劑發生反應,並進行硬化反應,從而 紫外線硬化性聚矽氧組合物發生硬化。至於紫外線照射條 件,由於硬化反應依賴於含浸率或含浸量,因此並無特別 限定’使用於365 nm具有發光波長之紫外線發光二極體, 以照度5〜500 mW/cm2、較佳為1〇〜2〇〇 mw/cm2、光量 151414.doc -31 - 201127777 0.5〜100 J/cm、較佳為10〜5〇 J/cm2之條件進行紫外線照 射,藉此可使其硬化。又,視需要可進行2次硬化,此時之 溫度較佳為120°(:以上、更佳為15〇。(:〜25〇。(:。此時之硬化 時間較佳為10分鐘〜48小時,更佳為3〇分鐘〜24小時。 •加成硬化性聚矽氧組合物之情形: 藉由對含浸了加成硬化性聚矽氧組合物之基材進行加 熱’而進行氫石浅基化反應,從而加成硬化性聚石夕氧組合 物發生硬化。作為此時之加熱溫度,由於硬化反應依賴於 含浸率或含浸量,因此並無特別限定,較佳為8〇〜3〇〇它, 更佳為100〜20(TC。又,視需要可進行2次硬化,作為此種 之溫度條件,較佳為12〇t以上,更佳*15(rc〜25〇t:。此 時之硬化時間較佳為1〇分鐘〜48小時,更佳為3〇分鐘〜Μ小 時。 •縮合硬化性聚矽氧組合物之情形: 错由對含浸了縮合硬化性聚矽氧組合物之基材進行加 熱,而進行縮合反應,從而縮合硬化性聚矽氧組合物發生 硬化。至於使縮合硬化性聚矽氧組合物硬化之溫度,由於 硬化反應依賴於含浸率或含浸量,因此並無特別限定,較 佳為80°C〜300t,更佳為loot:〜2〇(rc。又,視需要可進行 2-人硬化,作為此時之溫度條件,較佳為i2〇t>c以上,更佳 為150°C〜25〇t:。此時之硬化時間較佳為⑺分鐘〜48小時, 更佳為3 0分鐘〜24小時。 步驟(3;): 於步驟(3)中’使於前步驟中所含浸之狀態下形成的聚矽 1514M.doc •32· 201127777 =硬化物於非氧化性氣體環境下加熱分解,而轉化為碳化 該加熱處理係於非氧純氣體環境下進行,較佳為於惰 性现體環境下進行。作為惰性氣體,例如可列舉氮氣、氯 氣、氦氣等,特別是為了獲得高純度之碳化石夕時,較佳為 氬氣。 ” 又,該加熱處理於超過1500t、且22〇〇t以下之範圍之 溫度下進行。該加熱之溫度較佳為16_以上。又,古亥加 熱之溫度較佳為简以下’更佳為2_t以下。於該溫 度下之加熱處理前’於相同之非氧化性氣體環境十,首先 較理想的是於400〜150(rc之範圍内進行加熱,藉由該溫度 下之加熱處理而引起聚矽氧所含之碳_氫鍵的斷裂而使氫 自材料脫離,但碳及石夕不脫離而進行無機化。然後,藉由 超過1 500 C之溫度下之熱處理而一氧化碳開始脫離,不久 形成碳化矽。又若超過220(rc,則碳化矽之昇華過於劇烈 而欠佳。 又,加熱處理之結束點係例如將加熱產物於i 80(rc下加 熱1小時而質量減少以聚矽氧組合物換算亦未達丨質量%之 時刻。 如此,以填充至多孔質碳化矽基材之細孔中之形態生成 碳化矽,而獲得緻密化材料。此時,於步驟(1)中以硬化性 聚矽氧組合物塗佈基材表面之形態進行處理時,形成以將 内部之含浸碳化矽相一體化之形態被覆該表面之碳化矽被 膜。 151414.doc •33· 201127777 本發明提供可藉由上述方法而獲得之緻密化碳化矽體, 其具有多孔質碳化矽基材、以及於該基材之至少表面層填 充於該基材之細孔的碳化矽。碳化矽自表面起之填充率(即 自表面朝深度方向之填充率’對應於前述含浸率)通常較佳 為0.01%以上,更佳為以上,尤佳為1%以上。上限為 100%以下。範圍較佳為0.1〜100%,更佳為1〜1〇〇〇/0。 特別是作為其一實施形態,提供上述多孔質碳化矽基材 之表面層之細孔被碳化矽填充、且該基材之核心部之細孔 為非填充者。該緻密化碳化矽體與作為基材的多孔質碳化 石夕基材相比機械強度明顯提高。於該實施形態時,碳化石夕 自表面起之填充率典型的是5〇%以下,可為4〇%以下、35% 以下等。如此更容易製造深部仍為多孔質之製品,儘管那 樣’仍具有機械強度相當提高之優點。 [實施例] 以下表示實施例’對本發明進行更詳細地說明,但本發 明並不限定於該等實施例。 [實施例1] 材料: (A)下式所示之於一分子中含有烯基之二有機聚矽氧烷 100質量份、
3 3 HUH CISIC 〇 /IV Η -c η =) 3 Η i Η c I s I C 〇 /ι\ 3 j 3 Η i Η c I s I C 3 Η C ch3I 〇 S i CHI ch3 151414.doc ·34· 201127777 (式中,η、m係n/m = 4/1、且访w ^ 。 且及妙軋烷於25°C下之黏度為600 mPa.s之數)、 及、 (B) 過氧化苯甲醯〇·5質量份、 (C) 下式所示之具有鍵結於矽原子之氫原子的二有機聚 矽氧烷33質量份、 CIS—C 3 H c
3 H
3 H c — s I c 〇
H
H H c j s — H 〇
3 Η C Η c • 1 3 SH 〇—c (D)碳化石夕粉末(平均粒經2 pm) i6〇質量份 (即’為本聚矽氧組合物總體之3 3體積%之量) 將平均孔徑5 μΐη之多孔質碳化矽基材(縱2〇 111〇1><橫2〇 〇11!^厚2 111111、1.98、比重:2.38)浸潰於該組合物中,使組 合物充分含浸該基材。將所得之聚矽氧含浸多孔質碳化矽 基材於約200C之溫度下加熱30分鐘而使所含浸之聚石夕氧 組合物硬化。稱量如此所得之硬化聚矽氧含浸碳化碎材 料,結果與未處理之碳化矽基材相比質量增加〇·3 g。將該 硬化聚矽氧含浸碳化矽材料投入至由碳製成之容器中,於 環境氣體爐内、氬氣環境下、以1 00°C /小時之升溫速度斤 時20小時將溫度升高至2000°c,繼而於200(TC下保持2小 時。然後,以200°C /小時之速度冷卻至室溫進行冷卻而赛 得綠色固體材料。該綠色固體材料尺寸係縱20 mmx橫2() mmx厚2mm,與未處理之基材相同’尺寸、形狀均未變化。 151414.doc •35- 201127777 稱量該綠色固體材料,結果為2·1 g(比重:2·5〇)。 將未處理之碳化矽基材及上述處理後之綠色固體材料分 別加工成長度18麵、厚度2職、寬度3麵之棒狀,依據 JIS R 1601測定二處寶曲強度。未處理之碳化石夕基材之三處 考曲強度為7G MPa ’相對於此’處理後之綠色固體材料之 二處彎曲強度測定為1丨〇 MPa,有所提高。 •元素比之測定: :所得之綠色固體材料之表面部所形成的來源於硬化聚 矽乳之碳化矽被膜削去一部分’使用氧分析裝置⑽⑶公 司製造、商品f TC436)進行氧分析’結果氧含量為〇 :質 量%以下。元素比為ShCroo。 •雜質元素之分析: 不使上述硬化性聚矽氧組合物含浸多孔質碳化矽基材, 而投入5 g至(補充尺寸、材質)碳製之容器中,於該狀態下 進行處理,除此以外,以與上述相同之方式進行硬化心、、, 進行熱處理而獲得綠色固體。將其供於Icp發光八才 ^ 關於各種元素之含量’而獲得表1所示之处里「 ^ # 指未達作為測定極限的0.1 ppm。 」” [表1] 分析元素 <0Λ ' ________ ~Cr -- ~<0Λ ~~~------ Νι ~<〇ΐ -~--- "αϊ ~<〇Λ _ Ύι "〇1 ---^ ~ai~~' ~ ----- Na "αΐ -------- ~·-- 1514l4.doc -36· 201127777
根據上述結果 質元素之鎳、鉻 [實施例2] 將下述式: ’於半導體裝置領域巾通常成 ,m . 馬問題的雜 鐵' 銘均未達檢測極限。 、
ch2ch2-
0—CH CH2-CH2 ——0—c—CH: II > 〇 CH3 :ch2 ch2*ch2 — o*c一 ch=ch2 o 所示之液狀有機聚矽氧烷100質量份、2·經基_2_曱基 苯基丙烷-1-酮2質量份、2,4,6-三曱基苯曱醯基二苯基氧4 膦1質量份 '四曱氧基矽烷之部分水解縮合物(曱氧基矽^ 烷寡聚物)1質量份、及下述式 9h3 ch3I 1 C3H7—Si~ .gj q ? 〇 I I , C3H7—|丨一〇^_〇/ CH3 CH,
Ti p—c 0: ,ch3 c OC2H5 151414.doc •37· 2 201127777 。鈦螯α化合物1質量份及本聚矽氧組合物總體之 :曰α之里的兔化石夕粉末(平均粒徑2 μπι)投入至行星式 k δ機(註冊商標、并 一、w ^ V上裂作所(股)製造之混合機))中,於 半展Dl小時於室溫下獲得黏度為2000 mPa.s之紫 、·硬化H令矽氧組合物。於該組合物中浸潰與實施例1 中利者相同、平均孔徑5 _之多孔質碳切基材(縱2〇 7曰mmx厚2 mm、i 9 g),使組合物充分浸潰該基材。 1斤付之聚⑪氧含浸多孔質碳切基材藉由金屬_素燈水 銀燈2燈(照度8〇 w/em2、能量彻_)照射紫外線而使聚 f氧.·且。物硬化。稱量如此所得之硬化聚石夕氧含浸多孔質 反化夕材料,結果質量增加G 3 g。將該硬化聚石夕氧含浸多 =質碳切材料以與實施例1相同之方式於氬氣環境中進 订加熱’而獲得綠色@體㈣。該綠色固體材料之尺寸為 縱20_x橫20nimx厚2_,與未處理之碳化石夕基材相同。 稱量該綠色固體材料,結果為2」g(比重:25〇)。 以與實施例1相同之方式,將處理前之基材及上述處理後 之基材分別加工成長度“⑺⑺、厚度2mm、寬度3mm之棒 狀,依據JIS-R-丨60!測定三處f曲強度。處理後之綠色固體 材料之三處彎曲強度測定為110 MPa,有所提高。 •元素比之測定 使用碳分析裝置(LECO公司製造、商品名:CS_444LS), 對該綠色固體材料之表面部之碳化矽被膜進行碳分析,結 果碳含量為30.3質量%。又,使用氧分析裝置(LEC〇公司製 造、商品名:TC436)對該黃綠色固體材料進行氧分析,結 151414.doc -38· 201127777 果氧含量為0.2質量%以下。元素比為s“Ci。” •雜質元素之分析: 以與實施例1相同之方式製作元素分析用試料’供於Icp 發光分析,結果獲得表2所示之結果。「後^係指未達作 為測定極限的0.1 p p m。 [表2] 分析元素 --- " —---- 測定值(ppm) -—-- re -- <0.1 --- <0.1 -- ~Cr ----— χτ; ----- 1Μ - <0.1 -<0.1 A1 ' ---- Τί ------- Ii Cu — 0.1 ---- <0.1 - JNa 一— 7約 ---------- 0.1 -- jLw Ca --- <0.1 Zr U. 1 <0.1 Mo ------—— iVi呂 n " -~—---— <0.1 u —------- <0.1__ [產業上之可利用性] 藉由本發明之方法而緻密化之多孔質碳化矽材料係例如 於半導體裴置製造領域中可用於對半導體晶圓進行熱處 理、或將微量元素熱擴散至半導體晶圓之步驟中之板、製 程管等。 151414.doc • 39·
Claims (1)
- 201127777 七、申請專利範圍: 1. -種多孔質碳化矽基材之緻密化方法,其包括以下步驟: 使液狀硬化性聚石夕氧組合物含浸多孔#碳化石夕基材之 至少表面層; 使如此含浸之上述聚矽氧組合物硬化; , 將如此所得之含浸狀態的聚矽氧硬化物於非氧化性氣 體環境中進行熱分解而轉化為碳化石夕。 2. 如請求们之方法,其中上述液狀硬化性聚石夕氧组合物含 有碳化矽粉末。 3如叫求項2之方法,其中於該組合物中含有5〜90體積%之 範圍的該碳化矽粉末。 4. 如請求項!之方法,其中上述硬化性聚石夕氧組合物係有機 過氧化物硬化性聚矽氧組合物。 5. 請求項4之方法,其中上述有機過氧化物硬化性聚矽氧組 合物係包含以下成分: (a) 含有至少2個鍵結於矽原子之烯基的有機聚發氧 烷;及 (b) 有機過氧化物;及 - (C)作為任意成分的含有至少2個鍵結於矽原子之氫原 - 子之有機氫化聚矽氧烷,相對於全部硬化性聚矽氧組合 物中之烯基1莫耳,該(c)成分中之鍵結於矽原子之氫原子 的量為〇_ 1〜2莫耳之量。 6. 如凊求項!之方法,其中上述硬化性聚石夕氧組合物係放射 線硬化性聚矽氧組合物。 15I414.doc 201127777 7. 如明求項6之方法,其中上述放射線硬化性聚矽氧組合物 係包含以下成分之紫外線硬化性聚矽氧組合物: (d) 紫外線反應性有機聚矽氧烷;及 (e) 光聚合起始劑。 8. 如印求項7之方法,其中上述(d)成分之紫外線反應性有機 聚矽氧烷係下述通式(3a): R33-f R3 R3 R33.g R4fSi~~(〇Si)m-—(OSi)n-R3 R5 OSiR4g (3a) [式中’ R3為相同或不同之不具有紫外線反應性基之未經 取代或經取代之一價烴基,R4為相同或不同之具有紫外 線反應性基之基,R5為相同或不同之具有紫外線反應性 基之基’ m為5〜1,000之整數,η為0〜100之整數,f為〇〜3 之整數’ g為〇〜3之整數,其中,f+g+ng 2] 所示之具有至少2個紫外線反應性基之聚有機矽氧烷。 9·如請求項8之方法,其中上述紫外線反應性基係烯基、烯 氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巯基、環氧基或氫矽 烧基。 10.如請求項7之方法,其中上述(d)成分之紫外線反應性有機 聚矽氧烷係下述通式(3b): 151414.doc 201127777 R3 3-f R33-i r3 R3 r33. R3 3-g R4fSi(CH2)h -SiO· (〇Si)s一-(〇Si)s—Si-1 (CH2)hSiR R3 R5 (3b) [式中,R3為相同或不同之不具有紫外線反應性基之未經 取代或經取代之一價烴基,R4為相同或不同之具有紫外 線反應性基之基,R5為相同或不同之具有紫外線反應性 基之基’ m為5~1,〇〇〇之整數,η為〇〜1〇〇之整數,[為〇〜3 之整數’ g為0〜3之整數,h為2~4之整數,i及j分別為卜3 之整數,其中fi+gj+n22] 所示之具有至少2個紫外線反應性基之有機聚矽氧烷。 11·如請求項10之方法,其中上述紫外線反應性基係烯基、 烯氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基 '酼基、環氧基或氫 矽烷基。 12. 如明求項7之方法,其中(e)成分相對於(d)成分1⑼質量份 而含有0.01〜1〇質量份。 13. 如請求項丨之方法,其中上述硬化性聚矽氧組合物係加成 硬化性聚矽氧組合物。 14·如請求項Π之方法,其中該加成硬化性聚矽氧組合物係 包含以下成分之組合物: (f)含有至少2個鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧 烷; (幻含有至少2個鍵結於碎原子之氫原子之有機氫化聚 矽氧烷,相對於全部硬化性聚矽氧組合物中之烯基丨莫 151414.doc 201127777 耳’該(g)成分中之鍵結於石夕原 耳之量;及 子之氫原子的量為0.1〜5莫 (h) 舶族金屬系觸媒,有效量。 15. 如請求机方法’其中上述硬化性聚石夕氧組 硬化性聚矽氧組合物。 σ 16. 如請求項15之方法,其中該縮合硬 性戊矽氧組合物得 包含以下成分之組合物: (i) 含有至少2個石夕院醇基或秒月早紐# ^ * 巫X /原子鍵結水解性基之有 機聚矽氧烷; ⑴作為任意成分的水解性矽烷、其部分水解縮合物或 該等之組合;以及 (k)作為任意成分的縮合反應觸媒。 17.如請求項1之方法,其中上述熱分解之溫度為超過 1500°C、且2200°C以下之溫度範圍内。 1 8. —種緻密化碳化矽體,其具有多孔質碳化矽基材、以及 於該基材之至少表面層填充於該基材之細孔的碳化矽。 19. 如請求項18之緻密化碳化矽體,其中上述多孔質碳化矽 基材之表面層的細孔由碳化矽填充,該基材之核心部之 細孔為非填充。 20. 如請求項18之緻密化碳化矽體,其係藉由如請求項1之方 法而製造。 151414.doc 201127777 四、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:(無) (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 五、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: (無) 151414.doc
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