TW201125730A - Purification of metal nanostructures for improved haze in transparent conductors made from the same - Google Patents

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201125730 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本申請案依據U.S.C. § 119⑷，主張2〇〇9年8月24曰申嗜 之美國臨時專利中請案第61/274,974號，此臨時申請案之 王文係以引用的方式併入本文中。 【先前技術】 技術領域 此揭示内容係關於一種今属太止g j 金屬不'未結構及由其製得之低濁 度透明導體之純化。 相關技術之描述 透明導體係光學上透明且且道_ f k , 边a1具導電性之薄膜。其等係廣泛 用於顯示器、觸控式面板'光電板（PV)、各種類型之電子 紙、靜電屏蔽、加熱或抗反射塗層(例如，窗戶)等領域。 已有各種技術以製造基於—式玄 签K 或多種導電介質之透明導體 (諸如導電奈米結構）。诵赍 丁 T、〇饵；逋*，该導電奈米結構通過遠程互 聯性形成導電網路。 視最終用途而定，可利用包括（例如）薄膜電阻、光透性 及濁度之㈣的特性參數製造透明導體。此等特性參數通 常直：與導電奈米結構之形態及單分散性相關。 目刖用於製備金屬奈米結構之合成方法通常製造某一範 圍之奈米結構形態’此等形態並未完全令人滿意。因此， 此項技術需分離並富集某些所希望形態之金屬奈米結構。 【發明内容】 本發明提供一種自粗製物及複合反應混合物分離且純化 I50364.doc 201125730 金屬奈米線路之古、土 c . 方法，忒反應混合物係包 奈米結構及低寬古士 #社—太上 匕括相對向寬高比

臥見円比形狀之奈米結構， Q 結構製備之導電薄膜。 、、坐純化之奈米 貫細*例提供一種分離会®太丰姑 含： 種刀離金屬不水線路之方法，該方法包 ⑷提供包含寬高比為1G或更高之奈米結構及寬 於10之奈米結構之粗製奈米結構混合物，該粗製： 係懸浮於多元醇溶劑中； 製此δ物 (b)提供藉由水與粗製混合物 混合物； 成之第-經稀釋之粗製 ⑷提供藉由經稀釋的粗製混合 合的酮混合物； 成至㈣ (句提供包含寬高比為1〇或更高之奈米結構之沉殿物， …至少-部分寬高比不大於1〇之奈米結構之上清液， 提供包括允許所結合之酮混合物沉降之沉殿物；及 广）自沉澱物移除包含至少一部分寬高比不大㈣之奈 米結構之上清液。 在其他特定實施例中，該方法可進一步包含： (〇使（d)之沉澱物重新懸浮於水中以提供第二經稀釋之 粗製混合物；及 (g)重複步驟（c)至（f)。 在各實施例中’寬高比為1G或更高之奈米結構係銀奈米 銀0 在各種實施例中’該g同係丙酮。 150364.doc 201125730 另一貫施例提供一種墨水組合物，其包含： 複數個寬高比為1 0或更高之奈米結構； 液態載劑；其中該寬高比為10或更高之奈米結構係藉由 以下步驟純化： (a) 提供包含寬高比為1〇或更高之奈米結構及寬高比不 大於10之奈米結構之粗製奈米結構之混合物，該粗製混合 物係懸浮於多元醇溶劑中； (b) 提供藉由水與粗製混合物形成之第一經稀釋之粗製 混合物； (c) 提供藉由經稀釋的粗製混合物與鲷結合形成經結合 的鋼混合物； (d) 提供包含寬高比為1〇或更高之奈米結構之沉澱物， 及包3至少一部分寬高比不大於1〇之奈米結構之上清液， 提供允弁經結合之混合物之沉降之沉澱物丨及 (e) 自沉澱物中移除包含至少一部分寬高比不大於丨❹之 奈米結構之上清液。 (f) 使（d)之沉澱物重新懸浮於水中以提供第二經稀釋之 粗製混合物；及 (g) 重複步驟（c)至⑴。 再另—實施例提供一種包含以下物質之導電薄膜：具有 至v為2〇〇 〇hm/Sq之電阻的複數條銀奈米線路之導電網 路，及每平方毫米導電薄膜之面積不多於ι 5〇〇個寬高比小 於1〇之奈米結構。 在另實施例中’該導電薄膜具有不大於〇5%之濁度。 150364.doc 201125730 另一實施例提供—種電阻至少為6〇〇 〇hm/sqi導電薄 膜；及不多於500個寬高比小於1〇/平方毫米導電薄膜之面 積之奈米結構。 在另一實施例中’該導電薄膜具有不大於0.25%之濁 度。 【實施方式】 本文提供一種自各種形態之奈米結構混合物中分離及純 化某些形.4之奈米結構之方法。特定言之，實f上所有經 純化的金屬奈米結構的寬高比皆為1〇或更高。 名巴 如本文使用「導電奈米結構」或「奈米結構」通常意指 導電奈米尺寸結構，其至少-個維度係小於500 nm，更佳 J於250 nm 100 nm、50 nm或25 nm。通常由金屬材料 (諸如疋素金屬（例如，過渡金屬）或金屬化合物（例如，金 屬氧化物））m亥奈米結構。該金屬材料亦可係雙金屬材 料或金屬合金，其包含兩種或更多種類型之金屬。合適的 金屬包括(但不限於)銀、金、銅、鎳'鍵金之銀、麵及 /該不米結構可係、任意形狀或幾何形狀。以奈米結構 其寬高比之簡化方式定義’其係該奈米結構之 (;寬之比率。例如’某些奈米結構係各向同性成 寬馬比叫。典型的等方性奈米結構包括奈米微粒、 季义佳的實施例中，兮太半έ士樓办々人 卡、·、。構係各向異性成形(即寬高1 m異性奈米結構通#具有沿著其長度之縱轴。： 各向異性奈米結構包括如本文定義之奈米線路、奈; 150364.doc 201125730 柱及奈米管。 、，奈米結構可係實^或空^。實心、奈米結構包括（例如）奈 米微粒、奈米柱及奈米線路。「奈米線路」通f意指寬= 比大於ίο，較佳大於50及更佳大於1〇〇之較長的薄奈米結 構。該奈米線路通常大於則nm，大於丨_，或大於⑺二 長。「奈米柱」通常係較短及較寬的寬高比不大於1〇之各 向異性奈米結構。 二〜奈米結構包括（例如）奈米管。該奈米管通常具有大 於10，較佳大於50，及更佳大於100之寬高比（長度：直 U 11亥奈米官長度通常係大於5〇〇 nm ,大於1 μηι或大於 1 0 μιη ° 與更低寬高比（不大於1〇)之奈米結構相比，可能更傾向 於更尚寬高比之奈米結構（例如，奈米線路），由於可能需 要夕ϊ：更長之奈米結構以獲得目標電導率。導電薄膜中奈 米結構越少亦可導致越高的光學透明度及較低的濁度，兩 種參數發現可較廣泛應用於顯示技術。 金屬奈米結構之合成及純化 以/谷液為主之合成法（亦稱為「多元醇」方法）係合理地 在大規模製備金屬奈米結構中發揮效果。參見（例如）Sun, Y.等人 ’（2002) SczMa，298，2176; Sun，Y.等人，（2002) 2，165 ; Sun，Y.等人，（2002) /idv· 14, 833，Kim，F.等人，（2004) hgew. C/zew. 116, 3 759 ;及美國公開申請案2〇〇5/00561 18。該多元醇方法涉 及在聚（乙烯吡咯啶酮）（「p VP」）之存在下’藉由多元醇 150364.doc 201125730 (包含至少兩個羥基之有機化合物（例如，乙二醇））還原金 屬奈米結構之前驅物（例如，金屬鹽）。該多元醇通常提供 還原劑及溶劑之雙重功能。示例性多元醇包括（但不限於 乙二醇、1，2-丙二醇、ι，3-丙二醇及甘油。 一般而言’所形成的奈米結構之形狀及尺寸受到包括 PVP及金屬鹽之相對數量、pvp及金屬鹽之濃度、反應時 間及反應溫度之參數之影響。此外，發現將合適的離子添 加劑（例如，氯化四丁銨或溴化四丁銨）加至以上反應混合 物中可增加所產生之奈米線路之產量及單分散性。此^ 法係更詳細描述於申請人之共有及審理中之美國專=第 1 1/766,552號中’ t亥申請案之全文以引用的方 中。 +又 儘管可優化多元醇過程以主要製備奈米線路；然而實際 上一組複雜之奈米結構係形成為粗製反應產物。例如，^ 金屬奈米線路外，亦可獲得各種形態之金屬奈米結構，^ 括奈米微粒、奈米塊、奈米棒、奈米錐及多重孿晶粒子^ 該過程之再現性較差而加重關題，其可能藉^ 中之微量污染物引起。參見(例如)Wiley，B•等人， #膽 4(9)，1733-1739。 如本文討論，爲了形成透明導體(其中奈米結構 電網路），可能希望減少奈米結構之數量而非奈米線路， 由於後者何能料料率具有有效之貢獻，且其 在可能促成濁度。如本文使用之「低寬高比奈求： 「污染物」包括（例如）相對寬及/或短（例如 」或 不'木微粒、 150364.doc 201125730 奈米棒)’且具有相對小寬高比(<1〇)之奈米結構。某些或 所有此等低寬高比奈米結構可視為導電薄膜中之「發光物 體」，由於其等在暗場顯微圖上之發光表面。因此，該發 光物體可大幅地增加導電薄膜之濁度。 已證明自粗製產物之混合物中之低寬高比奈米結構中分 離奈米線路較困難或效率低。特定言之，典型的分離方法 涉及沉降，其允許奈米結構沉殿同時包括多元醇及PVP之 2相形成上^月液。但疋’通常低寬高比奈米結構與奈米線 沉殿且幾乎無法分離。此外，共同沉卿米線路 及低寬面比奈米結構通常難於重新懸浮於液相令，妨礙任 :進一步純化之努力。此外，某些多元醇溶軸如，甘 如此黏滯以至於在任意適量奈米結構可沉搬前，可 月b ‘要延長沉降過程。 小=，—實施例提供—種自包括金屬奈米線路及寬高比 ' 〇之金屬奈米結構（例如，奈米微粒及奈米棒）之粗製 :應混合物中分離金屬奈米線路合成後。特^言之，該純 接^介紹-或多個藉由㈣例如’㈣）之清洗循環，其 選擇11或逐漸移除所有寬高比小於⑺之金屬奈 :二方法解決通常面臨的以下因難：藉由允 二 ==:支—物之奈米線路純化，奈米線2 二:=新懸浮用於進—步純化，及上清液中低寬高比 於10)之奈米結構之選擇性再分佈。 更特定言之，該方法包含： (a)提供包括以下物質之奈米結構之粗製混合物：寬高 150364.doc 201125730 比為ίο或更高之奈米結構及寬高比不大於10之奈米結構， 該粗製混合物係懸浮於多元醇溶劑中； (b) k供藉由水與粗製混合物結合形成的第_經稀釋之 粗製混合物； (c) k供藉由經稀釋之粗製混合物與酮結合形成的經結 合的酮混合物； (d) 乂供包含寬向比為1 〇或更高之奈米結構之沉殿物， 及包含至少一部分寬高比不大於10之奈米結構之上清液， 提供包括允許經結合的酮混合物之沉降之沉殿物；及 (e) 自包含至少一部分寬高比不大於1〇之奈米結構之上 清液中移除沉澱物。 該方法更佳進一步包含： (f) 使（d)之沉澱物重新懸浮於水中以提供第二經稀釋之 粗製混合物；及 重複步驟（c)至（f)。 若移除或減少該等低寬高比奈米結構，如本文所使用 「粗製混合物」包括奈米線路及任意含量之低寬高比杂 結構。在某些實施例中，該粗製混合物係反應混合物， 後在進行任意純化前立即合成金屬奈米線路。在其它賀 例中，該粗製混合物可包括藉由至少_種_清洗之奈米 路，並將進一步純化。 儘管該方法錢詩任意具有相對高的各向異性奈米 構’諸如（但不限於）奈米線路及奈米管，該方法較:係 於銀奈米線路純化。多元醇溶劑可係(例如)乙二醇、;、 150364.doc •10· 201125730 丙一醇、1，3-丙二醇及甘油。 酮較佳係低沸點、呈有蛐 例性酮句衽“ ”有〜量不大於8個碳之簡單酮。示 S不限於)丙嗣、尹基乙基嗣(MEK)、2或3_戊 二：的鲷係丙酮。清洗循環令所使用的嗣之量可變 通节其係粗製混合物中過量的懸浮溶劑⑽如 里之卜2、3、4、5或6倍。 程^係^述用於純化銀奈米線路之過程1〇〇之實施例之流 PVP另初藉由混合反應中之合適的試劑(例如，銀鹽、 合成銀奈米線路（方塊1G2)。此後，加熱該反 並允許反應賴小時（方塊1〇4)。然後冷卻該反 :溫以產生主要為奈米線路及伴隨污染物之粗製混合 2 ’然後加水以形成經稀釋的粗製混合物（方塊1G6)。此 後’將粗製產物加至過量丙剩（例如’兩倍或更多重量之 丙酮)中並沉殿出奈米線路、伴隨定量沉搬物(方塊108)。 液包含水、甘油及丙酮，其等係互溶且形成可促進污 L再刀佈於上清液中之均質水相。然後丢棄丙嗣相（方 塊110)。將奈米線路沉殺物重新懸浮於水中（方塊叫且重 複（例如，10次）方塊108、110及112中闡述的步驟。因此， 各丙酮清洗循環分別引起奈米線路、沉殿物及上清液中之 巧染物之再分佈’直至沉殿物逐漸包含越來越多之奈米線 路且逐漸忽略低寬高比奈米結構。 導電薄膜 太如本文討論之「導電薄膜」或「透明導體」係藉由互連 奈米結構之網路形成的薄膜。通常藉由「薄膜電阻率」或 150364.doc 11 201125730 「薄片電阻」測定導電薄膜之電導率，其係以〇hm/平方 (或「Ω/口」）表示。薄膜電阻係至少表面負荷密度之功能 (即導電奈米線路/單位平方面積之數量），奈米結構之尺寸/ 形狀’及奈米結構成份之内在電學性質。#如本文所使用 之薄膜具有不高於1〇8 Ω/□之薄片電阻，認為其導電。該 薄片電阻較佳不大於1〇4 Ω/口、3,〇〇〇 Ω/〇、υοο Ω/□或 100 Ω/D藉由金屬奈米結構形成的導電網路之薄片電阻 係10 Ω/□至1〇〇〇 □之間，1〇〇 Ω/口至75〇⑴□之間，別 Ω/□至 200 Ω/口之間，1〇〇 Ω/□至 5〇〇 Ω/□之間， 至 250 Ω/□之間，1〇 Ω/□至 2〇〇 Ω/□之間，ι〇 ω/□至 5〇 Ω/□之間’或1 Ω/□至1〇 Ω/口之間。 光學上，該導電薄膜可藉由「光透射」及「濁度」描述 其特徵。透射意指發射通過介質之入射光之百分率。入射 光意扎条外線（UV)或具有波長約250 nm^ 8〇〇 nmi間之可 見光線。在諸多實施例中，導電薄膜之光透射係至少 50%、至少60。/。、至少70%、至少8〇%、至少85%、至少 90%或至少95%。若光透射係至少85%，認為該導電薄膜 係「透明」。濁度係光擴散之係數。其意指自入射光分離 及在透射期間分散的光線之數量之百分率（即，透射濁 度）。與光透射不同，其主要係介質（例如，導電薄臈）之性 質，濁度通常係生產所擔心、之問題且通f藉由表面粗链度 及嵌入微粒或介質中之組分異質性引起。在諸多實施例 令透明導體之濁度係不大於1 0%，不大於8%，不大於 5%，不大於1.5%或不大於ι〇/〇。 150364.doc •12- 201125730 藉由自低寬向比奈米結構中分離奈米線路，彳能減少或 消除其形成的導電薄膜中之發光物體。因&，在某些實施 例中’對於特定的特性參數而言，諸如相對低之電阻及低 濁度’限制低於特$閾值之低寬高比奈米結構之數量較重 要，其可藉由單位面積内之奈米結構之計數描述其特徵。 】 貫施例&供一種具有至少200 ohm/sq之電阻之 導電薄膜，及不大於15⑼低寬高比奈米結構/平方毫米導 電薄膜面積。在特定實施例中，該導電薄膜具有不大於 0.5°/。之濁度。 、 “另—實施例提供一種具有至少6〇〇 〇hm/sq之電阻之導電 等膜及不大於5〇〇低寬高比奈米結構/平方毫米導電薄膜 面積。在特定實施例中’該導電薄膜具有不大於。挪之 可藉由在暗視野模式t於放大（例如，χ ，膜確定低寬高比奈米結構之數量或計數。低= 奈米結構越少，可能期望傳導率更高之指定 。爲了製備該導電薄膜’經純化之奈米線路之液體；散液 積在基U，隨後進行賴或熟化㈣。該液體分散 二「、油广合物」或「油墨調配物」。該油墨組合 為k ι3稷數個奈米線路及液態载劑。 總奈米結構(例如’奈米 備油墨組合物，其係形成於基板上之 = 密度之係數。 电4胰之負載 該液態載體可係任意合適的有機或無機溶劑或溶劑，包 I50364.doc •13· 201125730 括（例如）水、酮、醇或其混合物。以酮為主之溶劑可係（例 如）丙酮、甲基乙基酮及類似物。以醇為主之溶劑可係（例 如）甲醇、乙醇 '異丙醇、乙二醇、二乙二醇、三乙二 醇、丙二醇及類似物。 該油墨組合物可進一步包括一或多種預防或減少奈米结 構聚集或腐蝕，及/或促使奈米結構固定在基板上之試 劑。此等試劑通常係非揮發性且包括界面活性劑、黏度改 質劑、腐蝕抑制劑及類似物。 在某些實施例中，該油墨組合物包括界面活性劑，其可 用於減少奈米結構之聚集。合適的界面活性劑之代表性實 例包括氟界面活性劑，諸如Z0NYL®界面活性劑，包括 ZONYL® FSN ^ ZONYL® FSO . ZONYL® FSA ^ ZONYL® FSH (DuPont Chemicals，Wilmington，DE)，及 NOVEC™ (3M，St. Paul，MN)。其他示例性界面活性劑包括基於烷基 酚聚氧乙烯醚之非離子性界面活性劑。較佳的界面活性劑 包括（例如）辛基酴聚氧乙烯喊（諸如Trit〇Ntm(x1〇〇、 xll4、χ45))，及壬基酚聚氧乙烯醚（諸如TERgIT〇ltm(d〇w Chemical Company，Midland MI))。其他示例性非離子性界 面/舌性劑包括以炔為主之界面活性劑（諸如DYN〇L® (6〇4, 6〇7)(Air Products and Chemicals, Inc., Allentown, PA))^ 正十二烷基β-D-麥芽糖苷。 在某些實施例中，該油墨組合為包括一或多種黏度改質 诗J，其作為將奈米結構固定在基板上之黏合劑。合適的黏 性改質劑之實例包括羥丙基曱基纖維素（HpMC)、甲基纖 150364.doc •14· 201125730 維素、黃原膠、聚乙烯醇 素。 缓甲基纖維素及羥 乙基纖維 在特定實施例中’界面活性劑對黏度改f劑之比率較佳 係約80至約0_01之間；黏度改質劑對金屬奈米線路之比率 較佳係約5至0__625之間，或2至〇5之間，或1〇至〇 ^之 間，或0至2之間；及金屬奈米線路對界面活性劑之比率較 佳係約560至約5之間。該油墨組合物之組分比率可依賴於 基板及所使用的應用方法而改質。油墨組合物之較佳的黏 度範圍係約1至100 cP之間。在任意以上實施例之—中， 金屬奈米線路較佳可係銀奈米線路。 基板可係任意奈米線路沉積之材料。基板可係剛性或軟 質。該基板較佳亦係光學透明，，可見區域（伽⑽至 70〇nm)中該材料之光透射係至少8〇%。 剛性基板之實例包括玻璃、聚碳酸錯、丙稀酸及類似 物特定口之，可使用特種玻璃（諸如無驗玻璃（例如，硼 石夕酸鹽）、低驗玻璃）及零膨脹玻璃陶究。特種玻璃特別適 用於薄板顯示系統，包括液晶顯示（LCD)。 可撓性基板之實例包括（但不限於）聚醋（例如，聚對苯二 甲酉夂乙—Ss (PET)、聚萘二曱酸§旨、及聚碳酸醋）、聚稀烴 (例如’直鏈、分支鏈及環狀聚烯烴）、聚乙稀（例如，聚氯 乙烯、聚二氯乙烯、聚乙烯縮醛、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯 及類似物）、纖維专· 甘，，， 隹京S曰基（例如，三乙酸纖維素、乙酸纖維 素）聚風（諸如心風）、聚酿亞胺、石夕酮及其他習知的聚 合薄膜。 150364.doc -15- 201125730 油墨組合物可沉積在根據（例如）描述於共同審理之美國 專利申請案第11/504,822中之方法之基板上。 旋轉塗布係典型的用於將均勻薄膜沉積於基板上之技 術。藉由控制負載數量、旋轉速度及時間，可形成不同厚 度之薄膜。應瞭解黏度、懸浮流體之剪切行為及奈米線路 之間之相互作用可影響所沉積奈米線路之分佈及互連性。 例如，本文描述之油墨組合物可以400至2000 rpm之速 度與1000 rpm/s之加速度旋轉塗布於玻璃基板上達6〇秒。 該薄膜可進一步進行某些後處理’包括在50°C下烘烤9〇秒 及140 °C下90秒。使用或不使用熱之壓力處理可進一步用 於調整最終薄膜規格。 如熟習此項技術者之理解，可使用其他沉積技術，例 如，藉由狹窄通道之沉降流量測定、壓模流量、斜面上之 流量、狹縫塗布、凹面塗布、微凹版塗布、珠塗、浸塗、 狹縫壓模式塗布及類似物。印刷技術亦可用於直接將油墨 組合物印刷在含有或不含圖案之基板上。例如，可使用喷 墨、彈性印刷及網版印刷。 實例 實例1 藉由丙酮清洗之純化 將7.5 g PVP、55 mg TBAC、2.5 g硝酸銀加至乾淨玻璃 瓶中之500 g甘油中。將該瓶子加蓋並在110°C對流烘箱中 加熱該混合物約14小時。一旦冷卻該反應混合物至30°c， 加入500 DIW。將粗製的經稀釋之反應混合物加至2 kg丙 150364.doc -16- 201125730 酮中，產生半固體深褐色沉殿物。藉由傾析或藉由通過中 4孔彳二玻璃搪瓷之過濾自半固體沉殿物中分離上清液體。 不希望此沉殿物中包含之銀奈米線路可能易於重新懸浮於 DIW中。因此，然後將沉澱物重新懸浮於約200 g DIW中 並重新於800 g丙酮中沉澱。重複此等沉澱/重新懸浮步驟 數次直至獲得淡褐色蓬鬆的沉殿物。將此沉殿物重新懸浮 於DIW中並發現主要包含較薄及較長的銀奈米線路，幾乎 不含小奈米微粒、大微粒及發光的三角形銀晶體，及主要 合於丙酮相之不希望的微粒，及少量或銀奈米線路。 實例2 由經純化之奈米線路製得之透明導體 藉由將包含實例1之經純化之銀奈米線路之油墨組合物 及水中之HPMC旋轉塗布在玻璃底板上製備透明導體薄 膜亦同樣使用除了用於各合成及合成後丙酮清洗中之各 自的多tl醇溶劑外，同樣合成之銀奈米線路製備透明導體 之相對樣品。表1顯示對於規定的薄片電阻率而言，極大 文良了由甘油溶劑獲得的經純化之銀奈米線路所形成的

^明導體之透射及濁度’由於減少低寬高比奈米結構之數 置及奈米線路中之稀釋劑直徑。 表1

實例3 150364.doc 201125730 透明導電薄膜中發光物體之計數 藉由如實例2中描述之旋轉塗布製備導電薄膜結。藉由 在顯微鏡下於約摩放大及在暗視野模式中對經純化的銀 奈米線路形成之導電薄膜可視觀察心低寬高比奈米結構 之數量。獲得多框圖片並計數低寬高比奈米結構（圖2)。低 寬高比奈米結構200通常比銀奈米線路更光亮、更短或更 寬m之’低寬高比奈米線路具有小於1G之寬高比。 平均計算各框之計數並轉變為每單位表面積。 圖2顯不兩種不同負載密度 之计數’其對應各自的電阻、透射及濁度。特定言之， 膜2之濁度係薄膜1之5〇%，至少箪 芏/系種程度上，低寬高 米結構數量較少。 表2

本說明書所提及/或列於申請案資料表 中之所有 以上美 150364.doc 201125730 國專利、美國專利申請公開案、美國專利申請案、外國專 利外國專利申請案及非專利刊物，其整體内容皆以引用 方式併入本文中。 一，上文應可瞭解儘管已針對闡釋之目的描述了本發明特 疋貫施例’但是仍可在不偏離本發明之精神及範圍之情況 下進行各種修飾。是故’除附屬申請專利範圍夕 不受限制。 【圖式簡單說明】 圖1顯示根據此揭示内宠每， 厶厘太 貝鈀例精由丙酮清洗而純化 金屬奈米線路之過程；及 圖2顯示透明導體之單 宮- L , 早位面積中之奈米結構計數，盆中

寬南比小於1 0之奈米結構係 /、T 傅你經硯覺識別並計數。 【主要元件符號說明】 100 純化銀奈米線路之 102 方塊 104 方塊 106 方塊 108 方塊 110 方塊 112 方塊 114 方塊 200 低寬南比奈米結構 150364.doc •19·

Claims (1)

1. 201125730 七、申請專利範圍： 1. 一種分離金屬奈米線路之方 /ir ’其包含： (a) 提供包括以下物質之 一 卡〜構之粗製混合物：寬 咼比為10或更咼之奈米結構 址斗I制a人， 久見呵比不大於10之奈米結 構，该粗製 '此合物係懸浮於客_ 汁％夕兀醇溶劑中； (b) 提供藉由水與粗製混 之粗製混合物； I。合形成的第一經稀釋 (c) 提供藉由經稀釋之粗 ，丄人& 表/吧合物與酮結合形成的經 結合的S同混合物； (d) 提供包含寬高比為i ^ ”’、 或更向之奈米結構之沉澱 物，及包含至少一部分窗离 主.A ^ 比不大於10之奈米結構之上 /月液，提供包括允許經结入 ,,.、 D的_混合物之沉降之沉澱 物，及 (e) 自沉澱物中移除包含至少 ., 至夕―部分寬高比不大於10 之奈米結構之上清液。 2·如請求項1之方法，其進一步包含： (f) 使（d)之沉澱物重新懸津於 ,〜子於水中以提供第二經稀釋 之粗製混合物；及 (g) 重複步驟（c)至（f)。 I Π:項2之方法，其中寬高比為1〇或更高之奈米結構 係銀奈米線路。 4.如1求項2之方法，其中該多元醇溶劑係乙二醇、1>2_丙 一醇、1，3-丙二醇或甘油。 5·如請求項4之方法’其中該多元醇溶劑係甘油。 150364.doc 201125730 6.如請求項2之方法，其中酮係丙酮、曱基乙基酮（mek)、 2-戊酮或3 -戊鯛。 7 ·如請求項2之方法，其中該酮係丙酮。 8. —種油墨組合物，其包含： 複數個寬高比為1 〇或更高之奈米結構； 液態載劑，其中寬高比為10或更高之奈米結構係藉由 以下步驟純化： (a) 提供包括以下物質之奈米結構之粗製混合物： 寬高比為10或更高之奈米結構及寬高比不大於1〇之奈 米、構，δ玄粗製混合物係懸浮於多元醇溶劑中； (b) 提供藉由水與粗製混合物結合形成的第一經稀 釋之粗製混合物； (c) 提供藉由經稀釋之粗製混合物與_結合形成的 經結合的酮混合物； (d) 提供包含寬高比為10或更高之奈来結構之沉澱 物及包含至少一部分寬高比不大於1〇之奈米結構之 上^液，提供包括允許經結合的酮混合物之沉降之沉 澱物；及 (e) 自沉澱物中移除包含至少一部&寬高比不大於 10之奈米結構之上清液； (f) 使（d)之沉澱物重新懸浮於水中以提供第二經稀 釋之粒製混合物；及 (g) 重複步驟（c)至⑺。 9. 如請求項8之油墨組合物，其進一步包含黏度改質劑。 150364.doc 201125730 10·如請求項8之油墨組合物，其進—牛 步包含界面活性劑。 11 ·如請求項9之油墨組合物，其中該 Λ黏度改質劑及銀奈米 線路之w/w比率係1 〇 :〇. 1。 12.如請求項1之油墨組合物，其中該黏 次黏度改質劑係HPMC。 13·如請求項8之油墨組合物，其中該_係丙酮、甲基乙茂 酮（MEK)、2-戊酮或3-戊_。 14. 一種導電薄膜，其包含： 複數個具有至少200 ohm/sq電阻之銀奈米線路之導電 網路；及 每平方毫米導電薄膜面積不多於15〇〇個寬高比小於ι〇 之奈米結構。 15. 如請求項14之導電薄膜，其中該導電薄膜具有不大於 0.5%之濁度。 16. 如請求項14之導電薄膜，其中該導電薄膜具有至少 ohm/sq之電阻；及每平方毫米導電薄膜面積不多於5〇〇 個寬高比小於1 〇之奈米結構。 17·如請求項16之導電薄膜，其中該導電薄膜具有不大於 0.25%之濁度。 150364.doc