CN102575117B - 用于提高由金属纳米结构制成的透明导体雾度的金属纳米结构的纯化 - Google Patents

用于提高由金属纳米结构制成的透明导体雾度的金属纳米结构的纯化 Download PDF

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Abstract

提供了从包含相对高的长宽比的纳米结构以及低长宽比形状的纳米结构的粗混合物和复杂反应混合物中分离和纯化金属纳米线的方法，并且提供了由该纯化的纳米结构制成的导电膜。

Description

用于提高由金属纳米结构制成的透明导体雾度的金属纳米结构的纯化
相关申请的引用
本申请根据35 U.S.C.§119(e)要求2009年8月24日提交的第61/274,974号美国临时专利申请的权益，其中该临时申请以其整体内容通过引用并入本文。
背景
技术领域
本公开涉及金属纳米结构的纯化和由所述金属纳米结构制成的低雾度透明导体。
相关技术的描述
透明导体为光学透明且导电的膜。它们广泛用于显示器、触摸屏、光伏(PV)、各种类型的电子纸、静电屏蔽、加热或抗反射涂层(例如，窗口)等领域。基于一种或多种诸如导电纳米结构的导电介质，多种技术已经制备透明导体。通常，导电纳米结构通过远程互联形成导电网络。
取决于最终用途，能使用包括例如薄膜电阻、光学透明度和雾度的预设性能参数建立透明导体。通常，这些性能参数与导电纳米结构的形态学和单分散性直接相关。
目前可使用的用于制备金属纳米结构的合成方法通常产生一系列纳米结构形态学并且它们不全都是期望的。因此，本领域亟需分离和富集某些期望形态学的金属纳米结构。
简述
提供了从包含相对高的长宽比的纳米结构以及低长宽比形状的纳米结构的粗混合物和复杂反应混合物中分离和纯化金属纳米线的方法，以及由所述纯化的纳米结构制成的导电膜。
一个实施方案提供了分离金属纳米线的方法，所述方法包括：
(a)提供纳米结构的粗混合物，所述粗混合物包含长宽比为10或更高的纳米结构和长宽比不大于10的纳米结构，所述粗混合物悬浮于多元醇溶剂中；
(b)通过将水与所述粗混合物合并来提供第一稀释的粗混合物；
(c)通过将所述稀释的粗混合物与酮合并来提供合并的酮混合物；
(d)提供包含长宽比为10或更高的纳米结构的沉淀物以及包含长宽比不大于10的至少部分的纳米结构的上清液，提供所述沉淀物包括允许所述合并的酮混合物沉淀；以及
(e)从所述沉淀物去除所述包含所述长宽比不大于10的至少部分的纳米结构的上清液。
在其它具体的实施方案中，所述方法还可包括
(f)在水中将(d)的沉淀物再悬浮以提供第二稀释的粗混合物；以及
(g)重复步骤(c)-(f)。
在多种实施方案中，长宽比为10或更高的纳米结构为银纳米线。
在多种实施方案中，酮为丙酮。
其它实施方案提供了墨组合物，其包含：
多个长宽比为10或更高的纳米结构；
液体载体；其中通过下列步骤纯化所述长宽比为10或更高的纳米结构：
(a)提供纳米结构的粗混合物，所述粗混合物包含长宽比为10或更高的纳米结构和长宽比不大于10的纳米结构，所述粗混合物悬浮于多元醇溶剂中；
(b)通过将水与所述粗混合物合并来提供第一稀释的粗混合物；
(c)通过将所述稀释的粗混合物与酮合并来提供合并的酮混合物；
(d)提供包含长宽比为10或更高的纳米结构的沉淀物以及包含长宽比不大于10的至少部分的纳米结构的上清液，提供所述沉淀物包括允许所述合并的酮混合物沉淀；以及
(e)从所述沉淀物去除所述包含所述长宽比不大于10的至少部分的纳米结构的上清液；
(f)在水中将所述(d)的沉淀物再悬浮以提供第二稀释的粗混合物；以及
(g)重复步骤(c)-(f)。
另一实施方案提供了导电膜，其包含：电阻为至少200ohm/sq的多个银纳米线的导电网络；以及每平方毫米面积的所述导电膜的不大于1500个长宽比小于10的纳米结构。
在其它实施方案中，这类导电膜的雾度不大于0.5％。
其它实施方案提供了电阻为至少600ohm/sq的导电膜；且每平方毫米面积的所述导电膜的长宽比小于10的纳米结构不大于500个。
在其它实施方案中，这类导电膜的雾度不大于0.25％。
若干视图简述
图1显示了根据本公开的实施方案通过丙酮洗涤纯化金属纳米线的方法。
图2阐述了单位面积的透明导体中纳米结构计数，其中长宽比小于10的纳米结构在视觉上可确定并可计算。
发明详述
本文提供了用于从各种形态的纳米结构的混合物中分离和纯化某些形态的纳米结构的方法。特别地，基本上所有纯化的金属纳米结构的长宽比为10或更高。
如本文使用的，“导电纳米结构”或“纳米结构”通常是指导电纳米级结构，其至少一维小于500nm，更优选小于250nm、100nm、50nm或25nm。通常，纳米结构由诸如元素金属(例如，过渡金属)或金属化合物(例如，金属氧化物)的金属材料制成。金属材料还能为双金属材料或金属合金，其包含两种或多种类型的金属。适合的金属包括但不限于银、金、铜、镍、镀金的银、铂和钯。
纳米结构能为任何形状或几何结构。能通过其长宽比的简化方式来定义给定纳米结构的形态，所述长宽比为纳米结构的长度与直径的比。例如，某些纳米结构为各向同性形的(即，长宽比＝1)。典型的各向同性纳米结构包括纳米粒。在优选的实施方案中，纳米结构为各向异性形的(即，长宽比≠1)。各向异性纳米结构通常具有沿着其长度的纵轴。示例性的各向异性纳米结构包括如本文定义的纳米线、纳米棒和纳米管。
纳米结构能为固体或中空的。固体纳米结构包括例如纳米粒、纳米棒和纳米线。“纳米线”通常是指长宽比大于10，优选大于50，且更优选大于100的长、薄的纳米结构。通常，纳米线的长度大于500nm，大于1μm，或大于10μm。通常，“纳米棒”为长宽比不大于10的短且宽的各向异性的纳米结构。
中空的纳米结构包括例如纳米管。通常，纳米管的长宽比(长度∶直径)大于10，优选大于50，且更优选大于100。通常，纳米管的长度大于500nm，大于1μm，或大于10μm。
较高长宽比的纳米结构(例如，纳米线)可能比较低长宽比(不大于10)的纳米结构有利，因为可能需要较少的较长的纳米结构来实现目标导电性。导电膜中的较少的纳米结构还可能使得光学透明度更高且雾度更低，这两个参数在显示器技术中有广泛的应用。
金属纳米结构的合成和纯化
基于溶液的合成(还称为“多元醇”方法)在金属纳米结构的大规模生产中是相当有效的。参见例如，Sun，Y.等人，(2002)Science，298，2176；Sun，Y.等人，(2002)Nano Lett.2，165；Sun，Y.等人，(2002)Adv.Mater.14，833；Kim，F.等人，(2004)Angew.Chem.Int.Ed.116，3759；和第2005/0056118号美国公开的申请。多元醇方法包括通过在聚(乙烯基吡咯烷酮)(“PVP”)的存在下，通过多元醇、包含至少两个羟基的有机化合物(例如，乙二醇)还原金属纳米结构的前体(例如，金属盐)。通常，多元醇发挥还原剂以及溶剂的双重功能。示例性的多元醇包括但不限于乙二醇、1，2-丙二醇、1，3-丙二醇和丙三醇。
一般而言，形成的纳米结构的形状和尺寸受包括PVP和金属盐的相对量、PVP和金属盐的浓度、反应时间和反应温度的参数影响。此外，发现将适合的离子添加剂(例如，四丁基氯化铵或四丁基溴化铵)加入至上述反应混合物增加了产生的纳米线的产率和单分散性。该合成在申请人的第11/766,552号共同拥有和共同待审的美国专利申请中更详细地进行描述，该申请以其整体内容通过引用并入本文。
尽管可将多元醇方法最优化以更大量地产生纳米线，实际上以粗反应产物的形式形成纳米结构的复杂聚集。例如，除金属纳米线之外，还可获得包括纳米粒、纳米管、纳米棒、纳米椎体和多重孪晶粒子的各种形态学的金属纳米结构。问题是该方法的再现性差，其可能由合成组分中痕量的污染物产生。参见例如，Wiley，B.等人，(2004)NanoLett.4(9)，1733-1739。
如本文讨论的，为形成其中纳米结构形成导电网络的透明导体，可能期望降低除纳米线之外的纳米结构的量，因为纳米线可能并不能对导电性作出有效贡献，并且它们的存在可能会增加雾度。如本文使用的，“低长宽比的纳米结构”或“污染物”包括例如，相对宽和/或短的纳米结构(例如，纳米粒、纳米棒)以及具有相对小的长宽比(＜10)的纳米结构。可将一些或所有的这些低长宽比的纳米结构中视为导电膜中的“明亮的物体”，这是由于它们在暗视野显微镜上的明亮外观。因此，明亮的物体可显著增加导电膜的雾度。
从粗产物混合物中的低长宽比的纳米结构中分离纳米线已被证明是困难或效率低的。特别地，典型的分离方法包括沉淀，其允许纳米结构沉淀而包含多元醇和PVP的液相形成上清液。然而，常见的是低长宽比的纳米结构随纳米线共沉淀并变得几乎不能分离。此外，共沉淀的纳米线和低长宽比的纳米结构常难于再悬浮于液相中，阻碍进一步纯化的任何努力。此外，某些多元醇溶剂如此粘稠(例如，丙三醇)使得可能需要经过延迟的沉淀过程之后才能有可观量的纳米结构沉淀。
因此，一个实施方案提供了从包含金属纳米线以及长宽比小于10(例如，纳米粒和纳米棒)的金属纳米结构的粗反应混合物中分离金属纳米线的合成后的纯化方法。特别地，该纯化方法引入了一个或多个酮(例如，丙酮)的洗涤循环，其有选择地并逐渐去除基本上所有长宽比小于10的金属纳米结构。该方法解决了纳米线纯化中通常面对的困难，该方法允许快速形成纳米线占优势的沉淀、将纳米线沉淀容易地再悬浮用于进一步纯化以及上清液中低长宽比(例如，不大于10)的纳米结构的选择性再分布。
更具体地，所述方法包括：
(a)提供纳米结构的粗混合物，所述粗混合物包含长宽比为10或更高的纳米结构和长宽比不大于10的纳米结构，所述粗混合物悬浮于多元醇溶剂中；
(b)通过将水与所述粗混合物混合来提供第一稀释的粗混合物；
(c)通过将所述稀释的粗混合物与酮混合来提供合并的酮混合物；
(d)提供包含长宽比为10或更高的纳米结构的沉淀物，和包含长宽比不大于10的至少部分的纳米结构的上清液，提供所述沉淀物包括允许所述合并的酮混合物沉淀；以及
(e)从所述沉淀物去除所述包含所述长宽比不大于10的至少部分的纳米结构的上清液；
(f)在水中将所述(d)的沉淀物再悬浮以提供第二稀释的粗混合物；以及
(g)重复步骤(c)-(f)。
如本文使用的，如果这样的低长宽比的纳米结构待被去除或减少，那么“粗混合物”包含纳米线和任何水平的低长宽比的纳米结构。在某些实施方案中，粗混合物为未经过任何纯化的在金属纳米线合成之后立即产生的反应混合物。在其它实施方案中，粗混合物可包含已经通过至少一次酮洗涤纯化并将被进一步纯化的纳米线。
尽管所述方法可应用于诸如但不限于纳米线和纳米管的具有相对高的各向异性的任何纳米结构，但所述方法优选用于银纳米线纯化。多元醇溶剂能为例如，乙二醇、1，2-丙二醇、1，3-丙二醇和丙三醇。
酮优选为低沸点的，具有总共不大于8个碳的简单酮。示例性的酮包括但不限于丙酮、甲基乙基酮(MEK)、2-戊酮或3-戊酮。优选的酮为丙酮。洗涤循环中所使用的酮的量可以变化。以重量计其通常超过粗混合物中悬浮溶剂(例如，水)的1、2、3、4、5或6倍。
图1是例示用于纯化银纳米线的这样的方法100的实施方案的流程图。最初通过在反应中混合适合的试剂(例如，银盐、PVP和丙三醇)合成银纳米线(程序块102)。此后，将反应加热至110℃并使其反应约14小时(程序块104)。然后，将反应冷却至室温以便纳米线在粗混合物中占多数并伴随着污染物，因此加入水以形成稀释的粗混合物(程序块106)。此后，将粗产物加入至过量的丙酮(例如，以重量计两倍或更高的丙酮)并且伴随一定水平的污染物的纳米线沉淀出(程序块108)。上清液包含水、丙三醇和丙酮，其为可混溶的并形成均匀液相，该液相似乎促进污染物再分配至上清液中。然后，将丙酮相(上清液)抛弃(程序块110)。在水中将纳米线沉淀物再悬浮(程序块112)并重复程序块108、110和112中例示的步骤(例如，10次)。因此，各个丙酮洗涤循环分别使纳米线和污染在沉淀和上清液中再分配，直至沉淀逐渐包含越来越多的纳米线并且低长宽比的纳米结构逐渐可以忽略。
导电膜
如本文讨论的，“导电膜”或“透明导体”是通过互相连接的纳米结构网络形成的薄膜。导电膜的导电率常通过由“欧姆/平方(ohm/square)”或“ohm/sq”或“Ω/□”表示的“膜电阻率”或“薄层电阻”进行检测。膜电阻至少随表面负载密度(即，每单位平方面积的导电纳米线数量)、纳米结构的大小/形状、以及纳米结构组分的本征电性质变化。如本文使用的，如果其具有不大于108Ω/□的薄层电阻，那么将薄膜视为导电的。优选地，薄层电阻不高于104Ω/□、3,000Ω/□、1,000Ω/□或100Ω/□。通常，由金属纳米结构形成的导电网络的薄层电阻为10Ω/□至1000Ω/□，100Ω/□至750Ω/□，50Ω/□至200Ω/□，100Ω/□至500Ω/□，100Ω/□至250Ω/□，10Ω/□至200Ω/□，10Ω/□to 50Ω/□或1Ω/□至10Ω/□。
任选地，导电膜能由“透光率”以及“雾度”表征。穿透率是指透射穿过介质的入射光的百分比。入射光是指波长为约250nm至800nm的紫外光(UV)或可见光。在多种实施方案中，导电膜的透光率为至少50％，至少60％，至少70％，至少80％，至少85％，至少90％或至少95％。如果透光率为至少85％，那么认为导电膜是“透明的”。雾度是光扩散的指标。其是指在在传播过程中从入射光分离的光与散射的光的数量的百分比(即，透射雾度)。与光透射不同，其主要为介质(例如，导电膜)的性质，雾度常关注于产品并通常由介质的表面粗糙度以及嵌入的颗粒或组成不均匀性产生。在多种实施方案中，透明导体的雾度不大于10％，不大于8％，不大于5％，不大于1.5％或不大于1％。
通过从低长宽比的纳米结构中分离纳米线，能够使其形成的导电膜中的明亮的物体最小化或消除。因此，在某些实施方案中，对于诸如相对低的电阻和低的雾度的一组特殊的性能参数，重要的是将低长宽比的纳米结构的数量限制在特定的阈值以下，其能由单位面积内这样的纳米结构的计数表征。
因此，一个实施方案提供的导电膜的电阻为至少200ohm/sq，并且每平方毫米面积的导电膜的低长宽比的纳米结构不大于1500个。在具体的实施方案中，导电膜的雾度不大于0.5％。
另一实施方案提供的导电膜的电阻为至少600ohm/sq且每平方毫米面积的导电膜的低长宽比的纳米结构不大于500个。在具体的实施方案中，导电膜的雾度不大于0.25％。
通过以暗场模式在放大率(例如，×100)下裸眼观察导电膜能够确定低长宽比的纳米结构的数量或计数。低长宽比的纳米结构越少，对于给定的负载密度能期望越高的导电率。
为制备这样的导电膜，能将纯化的纳米线的液体分散体沉积在基板上，随后是干燥或固化过程。液体分散体还称为“墨组合物”或“墨制剂”。墨组合物通常包含多个纳米线和液体载体。
能根据总纳米结构(例如，纳米线)的期望浓度制备墨组合物，其为基板上形成的最终导电膜的负载密度的指标。
液体载体能为任何适合的有机或无机溶剂或包括例如水、酮和醇或其混合物的溶剂。酮类溶剂能为例如，丙酮、甲基乙基酮等。醇类溶剂能为例如，甲醇、乙醇、异丙醇、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇等。
墨组合物还可包含一种或多种防止或减少纳米结构的聚集或腐蚀的试剂，和/或促进纳米结构在基板上固定化的试剂。这些试剂通常为非挥发性的并包含表面活性剂、粘度改进剂、腐蚀抑制剂等。
在某些实施方案中，墨组合物包含用于减少纳米结构的聚集的表面活性剂。适合的表面活性剂的代表性实例包括诸如ZONYL表面活性剂的氟表面活性剂，包括ZONYLFSN、ZONYLFSO、ZONYLFSA、ZONYLFSH(DuPont Chemicals，Wilmington，DE)和NOVECTM(3M，St.Paul，MN)。其它示例性的表面活性剂包括基于烷基苯酚乙氧基化物的非离子表面活性剂。优选的表面活性剂包括例如，诸如TRITONTM(×100、×114，×45)的辛基苯酚乙氧基化物和诸如TERGITOLTM(Dow Chemical Company，Midland，MI)的壬基苯酚乙氧基化物。其它示例性的非离子表面活性剂包括诸如DYNOL(604、607)(Air Products and Chemicals，Inc.，Allentown，PA)和正十二烷基β-D-麦芽糖苷的乙炔类表面活性剂。
在某些实施方案中，墨组合物包含一种或多种充当使纳米结构固定化在基板上的粘结剂的粘度改进剂。适合的粘度改进剂的实例包括羟丙基甲基纤维素(HPMC)、甲基纤维素、黄原胶、聚乙烯基醇、羧甲基纤维素和羟乙基纤维素。
在特殊的实施方案中，表面活性剂与粘度改进剂的比优选为约80至约0.01；粘度改进剂与金属纳米线的比优选为约5至约0.000625、或为2至0.5、或为10至0.1、或为0至2；且金属纳米线与表面活性剂的比优选为约560至约5。可依赖所使用的基板和应用方法来改变墨组合物的组分的比例。墨组合物优选的粘性范围为约1cP至100cP。在上述实施方案的任一个中，金属纳米线可优选为银纳米线。
基板能为在其上沉积纳米线的任何材料。基板能为坚硬的或柔韧的。优选地，基板还任选为透明的，即，材料在可见光区域(400nm-700nm)的透光率为至少80％。
坚硬基板的实例包括玻璃、聚碳酸酯、丙烯酸树脂等。特别地，能使用诸如不含碱的玻璃(例如，硼硅酸盐)、低碱玻璃和零膨胀玻璃陶瓷的特殊玻璃。特殊玻璃特别适用于包括液晶显示器(LCD)的薄板显示器系统。
柔韧基板的实例包括但不限于聚脂(例如，聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸酯(polyester naphthalate)和聚碳酸酯)、聚烯烃(例如，直链、支链和环状聚烯烃)、聚乙烯(例如，聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚乙烯醇缩醛、聚苯乙烯、聚丙烯酸酯等)、纤维素酯类(例如，三醋酸纤维素、醋酸纤维素)、诸如聚醚砜的聚砜、聚酰亚胺、硅酮和其它常规聚合膜。
根据例如第11/504,822号共同待审的美国专利申请描述的方法能将墨组合物沉积在基板上。
旋转涂布是用于在基板上沉积均匀膜的典型技术。通过控制负载量、旋转速度和时间，能形成各种厚度的薄膜。应当理解，悬浮液体的粘性、切变行为以及纳米线间的相互作用可能影响沉积的纳米线的分布和相互连接性。
例如，能在1000rpm/s的加速度，以400-2000rpm的速度，在60秒内将本文描述的墨组合物旋转涂布在玻璃基板上。能使薄膜进一步进行某些后处理，包括在50℃下烘焙90秒和在140℃下烘焙90秒。能另外采用加热或不加热的压力处理以调整最终膜的性能规范。
如本领域技术人员理解的，能采用其它沉积技术，例如，通过狭窄通道测量的沉积流动、模具流动、倾斜流动、狭缝涂布、凹版涂布、微凹版涂布、液滴涂布、浸渍涂布、狭缝模具涂布等。还能使用印刷技术以在有图案或没有图案的情况下直接在基板上印刷墨组合物。例如，能采用喷墨、柔性印刷和丝网印刷。
实施例
实施例1
通过丙酮洗涤纯化
向干净玻璃瓶中的500g的丙三醇加入7.5g PVP、55mg TBAC、2.5g硝酸银。将瓶子封盖并将混合物在110℃的对流烘箱中加热约14小时。当反应混合物冷却至30℃，加入500g的DIW。将粗的稀释的反应混合物加入至2kg的丙酮，产生半固体黑褐色沉淀物。通过倾析或通过中型多孔玻璃粉过滤从半固体沉淀物中分离上清液液体。出乎预料地，在该沉淀物中包含的银纳米线能容易地再悬浮于DIW。因此，然后将沉淀物再悬浮于约200g的DIW并在800g的丙酮中再沉淀。将这些沉淀/再悬浮步骤重复若干次直至获得浅棕色蓬松沉淀物。将该沉淀物再悬浮于DIW并发现主要包含薄且长的银纳米线，几乎不含小的纳米粒、大颗粒和明亮的三角形银结晶，而丙酮相主要包含这些不期望的颗粒以及少量的银纳米线。
实施例2
由纯化的纳米线制成的透明导体
通过在玻璃基板上旋转涂布包含实施例1的纯化的银纳米线和在水中的HPMC的墨组合物来制备透明导电薄膜。类似地，除了在各个合成中使用分别的多元醇溶剂以及合成后的丙酮洗涤之外，使用类似地合成的银纳米线制备透明导体的对比实例。表1证实，对于给定的薄层电阻率，由从丙三醇溶剂中获得的纯化的银纳米线形成的透明导体中透射和雾度显著改善，这是因为低长宽比的纳米结构数量的减少以及纳米线的直径更小。
表1
  没有丙酮洗涤   丙酮洗涤
  多元醇溶剂   乙二醇   丙三醇
  ％透射   88.1   90.1
  ％雾度   2.85   1.54
  电阻率   25   24
实施例3
透明导电膜中明亮的物体的计数
按照实施例2的描述通过旋转涂布制备导电膜。通过在约100×放大率并以暗场模式的显微镜下裸眼观察由纯化的银纳米线形成的导电膜来确定低长宽比的纳米结构的数量。采集多帧图片并计数低长宽比的纳米结构(图2)。低长宽比的纳米结构200通常比银纳米线更明亮、更短或更宽。特别地，低长宽比的纳米线的长宽比小于10。将每一帧的计数平均并转换成每单位表面积。
表2显示在不同负载密度的两个膜中的低长宽比的纳米结构的计数，其相应于各自的电阻、透射和雾度。特别地，膜2的雾度为膜1的雾度的50％，这至少部分是因为低长宽比的纳米结构的数量较少。
表2
在本说明书中提及的和/或在本申请数据表中列举的所有上述美国专利、美国专利申请公开、美国专利申请、外国专利、外国专利申请和非专利申请公开均以其整体内容通过引用并入本文。
从前述内容应当理解，尽管本文描述的本发明的具体实施方案出于说明的目的，但在不违背本发明主旨和范围的情况下可进行各种修改。因此，除了受附加的权利要求限制外本发明不受限制。

Claims (12)

1.分离金属纳米线的方法，其包括：
(a) 提供纳米结构的粗混合物，所述粗混合物包含长宽比为10或更高的纳米结构和长宽比小于10的纳米结构，所述粗混合物悬浮于包括丙三醇的多元醇溶剂中；
(b) 通过将水与所述粗混合物合并来提供第一稀释的粗混合物；
(c) 通过将所述稀释的粗混合物与酮合并来提供合并的酮混合物；
(d) 提供包含长宽比为10或更高的纳米结构的沉淀物以及包含长宽比小于10的至少部分的纳米结构的上清液，提供所述沉淀物包括允许所述合并的酮混合物沉淀；以及
(e) 从所述沉淀物去除所述包含所述长宽比小于10的至少部分的纳米结构的上清液。
2.如权利要求1所述的方法，其还包括：
(f) 在水中将所述(d)的沉淀物再悬浮以提供第二稀释的粗混合物；以及
(g) 重复步骤(c)-(f)。
3. 如权利要求2所述的方法，其中所述长宽比为10或更高的纳米结构为银纳米线。
4. 如权利要求2所述的方法，其中所述多元醇溶剂包括1,2-丙二醇和1,3-丙二醇。
5. 如权利要求2所述的方法，其中所述酮为丙酮、甲基乙基酮(MEK)、2-戊酮或3-戊酮。
6. 如权利要求2所述的方法，其中所述酮为丙酮。
7. 墨组合物，其包含：
多个长宽比为10或更高的纳米结构；和
液体载体；
其中通过下列步骤纯化所述长宽比为10或更高的纳米结构：
(a) 提供纳米结构的粗混合物，所述粗混合物包含长宽比为10或更高的纳米结构和长宽比小于10的纳米结构，所述粗混合物悬浮于包括丙三醇的多元醇溶剂中；
(b) 通过将水与所述粗混合物合并来提供第一稀释的粗混合物；
(c) 通过将所述稀释的粗混合物与酮合并来提供合并的酮混合物；
(d) 提供包含长宽比为10或更高的纳米结构的沉淀物以及包含长宽比小于10的至少部分的纳米结构的上清液，提供所述沉淀物包括允许所述合并的酮混合物沉淀；以及
(e) 从所述沉淀物去除所述包含所述长宽比小于10的至少部分的纳米结构的上清液；
(f) 在水中将所述(d)的沉淀物再悬浮以提供第二稀释的粗混合物；以及
(g) 重复步骤(c)-(f)。
8. 如权利要求7所述的墨组合物，其还包含粘度改进剂。
9. 如权利要求7所述的墨组合物，其还包含表面活性剂。
10. 如权利要求8所述的墨组合物，其中所述长宽比为10或更高的纳米结构为银纳米线，所述粘度改进剂和所述银纳米线的w/w比为10至0.1。
11.  如权利要求8所述的墨组合物，其中所述粘度改进剂为HPMC。
12. 如权利要求7所述的墨组合物，其中所述酮为丙酮、甲基乙基酮(MEK)、2-戊酮或3-戊酮。
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