TW201124999A - Transparent conducting film and touch panel - Google Patents

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201124999 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種透明導電 板 守电丨生獏、及使用其之觸控面 〇 【先前技術】 於可見光區域透明且呈右道φ k 用於…遷月且具有導電性之透明導電性構件除了 用於液日日顯示器、電致發井顯 σ ·’’不盗等顯示器或觸控面板等 之透明電極以外，亦用於腌。 ' 二 ；σσ之抗靜電或電磁波屏蔽等。 先月丨J ’作為透明導電性構件， ^ 已/月邊知曉於玻璃上形忐 氧化銦薄膜之所謂的導在 為玻璃，故可撓性、導電性玻璃由於基材 疋 加工性較差，從而有根據用途而難以

使用之情形。因讲，4在七 、叩難U 、年來，就除了可撓性、加工

外’耐衝擊性亦優昱、釦旦 U 一 -t里寺優點而言，使用將以聚對笨 =甲^二㈣代表之各種塑膠膜作為基材之透明導電性 作為觸控面板等中用以檢測輸人位置之透明導電性膜， 已知有具傷具有特定圖案形狀之透明導電層的透明導恭 然而’若將透明導電層圖案化，則存在圖案部與二 開口㈣圖案部）之差異明顯化，存在作為顯 外 觀變差之虞。 于之外 、，為改善將透明導電層圖案化之情形時的外觀，例如於 述專利文獻1中，提出有於透明基材與透明導電層之下 成透明介電質層。 4形 [先前技術文獻] 151267.doc 201124999 [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2009-76432號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 然而，於先前之透明導電性膜中，由於圖案部與圖案開 口部正下方之間的反射光之色相差異，圖案部與圖案開口 部之邊界明顯化，其結果係存在作為顯示元件之外觀變差 之虞。 因此，本發明提供一種於透明導電層經圖案化之透明導 電性膜中，可抑制由圖案部與圖案開口部正下方之間的反 射光之色相差異所導致的外觀惡化之透明導電性膜、及使 用其之觸控面板。 [解決問題之技術手段] 為達成上述目的，本發明之透明導電性膜之特徵在於， 其係於透明基材上依序形成第丨透明介電質層及透明導電 曰者且上述透明導電層藉由圖案化而形成圖案部與圖案 開口部，於將對上述圖案部照射白光時之反射光之色相a'* 值及色相b值分別設為a ?及，將對上述圖案開口部之 正下方照射白光時之反射光之色相，值及色相b*值分別設 為^及心時，滿足μ丨aVa!^4〇〇之關係，且滿足 _bVbw5.⑽之關係。再者，上述「反射光」係指藉 〃、且以10度入射角自透明導電層側朝圖案部或圖案 開邛正下方照射白光時之反射光。 乂據本明之透明導電性膜’圖案部與圖案開口部正下 151267.doc 201124999 方之間的反射光之色相差異得到抑制，故難以判別圖案部 與圖案開口部，從而可提供外觀良好之透明導電性膜。 本發明之透明導電性膜較佳為進而包含配置於上述第i 透明介電質層與上述透明導電層u斤射率與上述幻 透明介電質層不同之第2透明介電質層。其原因在於，由 於可降低圖案部與圖案開口部正下方之間之反射率差，故 可進一步抑制圖案部與圖案開口部之差異。 於本發明之透明導電性膜進而包含上述第2透明介電質 層之If形時，較佳為上述第1透明介電質層之光學厚度為 3〜45 nm，上述第2透明介電質層之光學厚度為3〜5〇邮， 上述透明導電層之光學厚度為2〇〜1〇〇 nm，於將上述第城 明介電質層之折射率設為nl、將上述透明導電層之折射率 設為n2時，滿足nl<n2之關係。其原因在於可進一步抑制 圖案部與圖案開口部正下方之間的反射光之色相差異。 又，由於可進一步降低圖案部與圖案開口部正下方之間的 反射率差，故可進一步抑制圖案部與圖案開口部之差異。 再者，各層之「光學厚度」係指各層之物理厚度（以厚度 。十等測疋之厚度）乘以該層之折射率所得之值。又，本發 =中之折射率係對波長589 3⑽之光之折射率。再者，於 本發明中，物理厚度簡稱作「厚度」。 上述第2透明介電質層較佳為 荦邻細㈣ “又佳為错由進仃圖案化而形成圖 术4與圖案開口部。其原 圖荦開了進步抑制圖案部與 方之間的反射光之色相差異。於該情形 乂佳為上述透明導電層之圖案部與上述第2透明介電 151267.doc 201124999 貝層之圖案部一致。其原因在於，不但可進—步 部與圖案開口部正下方之間的反射光之色相差異，而= 進一步降低圖案部與圖案開口部正下方之間的反射率差。 本發明之觸控面板係包含上述本發明之透明導電性膜 者。根據本發明之觸控面板，可獲得與上述明 Μ —μ果相㈣效果。 u相 【實施方式】 以下’―面參照圖式，-面對本發明之實施形態進行說 月再者，對相同構成要素標註相同符號，並省略重複之 說明。 灵< 圖1係表示本發明之透明導電性膜之一例的剖面圖。圖i 所T之透明導電性膜10包含透明基材i、以及依序形成於 該透明基材1上之第1透明介電質層2、第2透明介電質層3 及透明導電層4。透明導電層4及第2透明介電質層3經圖曰案 化’分別形成圖案部p與圖案開口部〇。又，透明導電層4 之圖案部P與第2透明介電質層3之圖案部p一致。 曰 亚且，透明導電性膜10於將對透明導電層4之圖案部p照 光才之反射光之色相a值及色相b*值分別設為&及 b%’將對透明導電層4之圖案開口部〇之正下方照射白光 時之反射光之色相a*值及色相b*值分別設為a，。Ab*〇時， 滿足_〜*0丨各4.00之關係，且滿足㈤丨“ 〇〇 之關係。藉此，圖案部！>與圖案開口部〇之正下方之間的反 射光之色相差異得到抑制，故難以判別圖案部p與圖案開 口部〇,從而可形成外觀良好之透明導電性膜1〇。再者， 151267.doc 201124999

所謂「圖案開口部〇之正下方」，於圖i之情形日寺，係指面 對圖案開口部0之請明介電質層2之表面。於透心電 性膜10中，為進-步抑制上述反射光之色相差異，較佳為 滿足a|a*P-a*M3.00之關係，且滿足M|bVb^U 之關係。就同樣之觀點而言，|aVa*〇|之值更佳為 〇〜2.00，尤佳為〇〜〗·〇〇,特佳為〇〜〇 7〇。 於透明‘電性膜1 〇中，就進—步抑制圖案部p與圖案開 口部Ο之正下方之間的反射光之色相差異之觀點而言:、以 及降低圖案部P與圖案開口部〇之正下方之間之反射率差， 進一步抑制圖案部P與圖案開口部〇之差異的觀點而古，透 明導電性膜Μ較佳為滿足以下條件。即，透明導電性㈣ 較佳為第1透明介電質層2之光學厚度為3〜45 ，第2透明 介電質層3之光學厚度為3〜5〇 nm，透明導電層化光學厚 度為2〇〜⑽㈣，於將第2透明介電質層3之折射率設為 …將透明導電層4之折射率設為心時，滿足㈣之關 係。關於各層之光學厚度之更佳範圍，第1透明介電質層2 為3〜22 nm，第2透明介電質層3為3〜4〇⑽，透日月導電層4 為 20〜75 nm 〇 作為透明基材！，並無特別限制，可使用具有透明性之 各種塑膠膜，如，作為其材料’可列舉：聚醋系樹脂、 乙酸醋系樹脂、聚喊硬系樹脂、聚碳酸I系樹脂、聚醯胺 糸樹脂、聚酿亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、（甲基）丙稀酸 糸樹脂、聚氣乙烯系樹脂、聚偏二氣乙稀系樹脂、聚苯乙 烯系樹脂、聚乙稀醇系樹脂、聚芳醋系樹脂、聚苯街 151267.doc 201124999 樹月曰等肖等之中，尤佳者為聚醋系樹脂、聚碳酸醋系樹 脂、聚烯烴系樹脂。 又，亦可使用日本專利特開2〇〇卜343529號公報（w〇 01/37007)中記載之高分子膜。例如可例示含有於側鍵具有 經取代及/或未經取代之酿亞胺基之熱塑性樹脂、及於側 鏈具有經取代及/或未經取代之苯基及猜基之熱塑性樹脂 的樹脂組合物。具體而言，亦可使用含有包含異丁稀及N_ 曱基馬來si亞胺之父替共聚物、及丙烯腈.苯乙稀共聚物 的樹脂組合物之高分子膜。 透明基材1之厚度較佳為2〜2〇〇 μηι之範圍内，更佳為 2〜100，之範圍内。其原因在於，若為該範圍内，則不但 確保機械強度，而且透料電性㈣之㈣化變得容易。 透明基材丨亦可預先於表面實施濺鍍'電暈放電、火 焰、紫外線照射、電子束照射、化學合成、氧化等蚀刻處 理或底塗處理’而提高設置於其上之第】透明介電質層2對 相基材1之密著性。X，於設置p透明介電質層2之 前’視需要亦可藉由溶劑清洗或超音波清洗等進行曰 淨化。 “ 第1及第2透明介電質層2、3可由無機物或有機物、 無機物與有機物之混合物而形成”列如作為無機物 ^：NaF(1.3)^Na3AlF6(1.35).LiF(1.36^MgF2(i38^

CaF2(l.4) > BaF2(1.3) . Si02(1.46) , LaF3(1.55)

CeF3(l .63)、A1203(1.63)等無機物[上述各材料之括弧、 數值為折射率]。X，除了上述以外，亦可使用至^ = I5l267.doc 201124999 氧化銦及氧化錦之複合氧化物。x，作為有機物，可列舉 丙婦酸系樹脂、胺基甲酸醋樹脂、三聚氛胺樹脂、醇㈣ 脂、石夕氧烧系聚合物、有機石夕烧縮合物、及該等之混人物 等。 σ 其中，第2透明介電質層3較佳為由無機物形成。其原因 在於，由於可防止光劣化，故可提高透明導電性膜1〇之财 久性。於該情形時，上述無機物較佳為Si〇2。叫廉價且 容易獲得’而且耐酸性較高，故於藉由酸對透明導電層4 進行㈣而進行圖案化之情形時，可防止第2透明介電曰質 層3之劣化。 第1及第2透明介電質層2、3禆讯番 μ J係叹置於透明基材1與透明 電層4之間者，係不具有作為導電層之功能者。即第^ 及第2透明介電質層2、3係 ’、了使透明導電層4之圖案部 P間絕緣之方式設置為介雷曾恳 介電質層W 此，第1及第2透明 "电貝層2、3之表面電阻例如 马1 10 Ω/口以上，較佳為 1χ1〇 Ω/□以上，更佳為} 8 H ϋ Ω/□以上。再者，第1及第2 透明介電質層2、3之表 _ 電阻之上限並無特別限定。一般 而舌，第1及第2透明介電質戶2 定抆™ η 貝層2 3之表面電阻之上限為測 疋極限之 1X1 〇13 Ω/口 y· 士 + 口左右，亦可為超出1Χ1013Ω/□者。 作為透明導電層4之構点铋 使用6 #成材科’並無特別限定，例如可 ^ 弟、鈦、石夕、錯、鎂、鋁、 至、銀、銅、鈀及鎢所組 ήΑ & 上 至^1種金屬（或半金屬） 中所n該氧化物中，視f要亦可進—步添加上述群 中所不之金屬元素或其氧化物。例如較佳為使用含有氧化 15l267.doc 201124999 錫之氧化銦、含有銻之氧化錫等。 第1透明介電質層2之折射率（11〇)較佳為丨3〜2 5，更佳為 Μ〜2.3。第2透明介電質層3之折射率（ni)較佳為13〜2.^ 更佳為1.3M.6。透明導電層4之折射率（n2)較佳為 1.9〜2.1。若各層之折射率為上述範圍内，則不但可確保透 明性，而且可有效地抑制圖案部p與圖案開口部〇之正下方 之間的反射光之色相差異。 再者，就厚度之均勻性、防止產生龜裂及提高透明性之 觀點而言，第丨透明介電質層2之厚度較佳為2〜3〇 ，更 佳為2〜12 nm。就同樣之觀點而言，第2透明介電質層3之 厚度較佳為2〜30 nm。就同樣之觀點而言，透明導電層4之 厚度較佳為H)〜50 nm，更佳為1〇〜4〇⑽，尤佳為二〇 nm ® 作為透明導電性膜i 〇之製造方法，例如可例示包括下述 步驟之方纟：於透明基材1之單面上，自透明基材^側開 始’依序形成第1透明介電質層2、第2透明介電質層3及透 明導電層4之步驟；藉心刻液對透明導電層4進行姓刻而

進仃圖案化之步驟；以及藉由蝕刻液對第2透明介電質層3 進行蝕刻而進行圖案化之步驟。 'S 作為第1透明介電質層2、第2透明介電質層3及透明導電 層4之形成方法’例如可列舉真空諸法、濺鑛法、 包鑛法、塗敷法等，可根據材料之種類及需要之厚度而採 用適當之方法。 進行透明導電層4之蝕刻時，只要藉由用以形成圖案之 151267.doc 201124999 遮罩覆蓋透明導電層4，藉由酸等蝕刻液對透明導電層4進 行餘刻即可。作為上述酸’可列舉：氣化氫、漠化氮、硫 酸、硝酸、磷酸等無機酸，乙酸等有機酸，及該等之混合 物’以及其等之水溶液。 進行第2透明介電質層3之蝕刻時，只要藉由用以形成與 對透明導電層4進行蝕刻之情形同樣之圖案的遮罩覆蓋透 明導電層4，藉由姓刻液對第2透明介t質層3進行姓刻即 可。如上所述，第2透明介電質層3可較佳地使用以〇2等無 機物’故作為姓刻液，可較佳地使驗。作為驗，例如可 列舉：氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、氫氧化四甲基銨等之水 溶液、及該等之混合物。 再者，將透明導電層4圖案化後，視需要亦可對經圖案 化之透明導電層4進行熱處理。其原因在於，使透明導電 層4士之構成成分發生結晶化，故可提高透明性及導電性" 此=之加熱溫度例如為！⑽〜峨之範圍内，加熱時間例 如為15〜1 80分鐘之範圍内。 對於透明導電詹4及第2透明介電質詹3之圖案之能様， 並無特別限定，根據應用透明導電性㈣之料，可形成 條紋狀等各種圖案。 繼而’-面參關2，-面對本發明 電性膜進行說明。如圖2所亍，於读明道 例之透月¥ ,.+. ^ 所不，於透明導電性膜20中，於 =之透盘明導電性㈣之透明基之圖中下面（即，透明基 ”第1透明介t質層2相反側之 層5而設置透明基體6。 由透明黏者劑 15I267.doc 201124999 作為透明黏著劑層5之構成材料，只要為具有透明性 者，則可無特別限制地使用。例如可適當選擇使用以丙烯 酸系聚合物，聚矽氧系聚合物，聚酯，聚胺基曱酸酯，'聚 醯胺，聚乙烯醚，乙酸乙烯酯/氣乙烯共聚物，改性聚烯 烴，竦氧系聚合物，氟系聚合物，天然橡膠 '合成橡膠等 橡膠系等聚合物作為基礎聚合物者。尤其是就光學透明性 優異，表現適度之潤濕性、凝聚性及接著性等黏著特性， 耐候性及耐熱性等亦優異之方面而言，可較佳地使用丙烯 酸系黏著劑。 又，透明黏著劑層5通常係由基礎聚合物或將其組合物 溶解或分散於溶劑中而成之黏著劑溶液（固體成分濃度為 10〜50重量％左右）形成.作為上述溶劑，可適當選擇使用 甲苯、乙酸乙酯等有機溶劑或水等與黏著劑之種類相對應 者。 〜 透 明基姐6之厚度較佳為1〇〜3〇〇 μιη，更佳為 μπι。又，於由複數個基體膜形成透明基體6之情形時，各 基體膜之厚度較佳為1〇〜2〇〇 μιη，更佳為2〇〜15〇。作為 透明基體6或上述基體膜，可使用與上述透明基材丨相同 者0 關於透月基材1與透明基體6之站合，可預先於透明基體 6側設置透明黏著劑層5，並於其上貼合透明基材丨，反 之，亦可預先於透明基材1側設置透明黏著劑層5，並於其 上貼合透明基體6。於後者之方法令，由於相對於輥狀透 明基材1而可連續地形成透明黏著劑層5，故於生產性方面 151267.doc •12· 201124999 更加有利。又，亦可藉由利用透明黏著劑層（未圖示），於 透明基材1上依序貼合複數個基體膜而形成透明基體6。再 者’基體膜之積層中所使用之透明黏著劑層可使用與上述 透明黏著劑層5相同者。 透明黏著劑層5例如具有以下功能：於透明基體6之接著 後’藉由其緩衝效果而提高設置於透明基材丨之―面的透 明導電層4之耐擦傷性或作為觸控面板狀打點特性（所謂 2寫筆輸入耐久性或面壓耐久性）。就更有效地發揮該功 月匕之觀點而言，較佳為將透明黏著劑層5之彈性係數設定 於1〜1〇〇 N/Cm2之範圍，將厚度設定於1 μηι以上（更佳為 00 μηι)之範圍。若為該範圍内，則可充分發揮上述效 果，透明基體6與透明基材丨之密著力亦變得充分。 經由此種透明黏著劑層5而貼合之透明基體6可對透明基 才賦予良好之機械強&，提高手寫筆輸入耐久性或面壓 耐久性。 又，視需要亦可於透明基體6之外表面設置以保護外表 面為目的之硬塗層（未圖示）。作為該硬塗層，例如可較佳 ,使用包含三聚氰胺系樹脂、胺基甲酸醋系樹脂、醇酸系 树月曰丙烯酸系樹脂、聚矽氧系樹脂等硬化型樹脂之硬化 覆膜。作為上述硬塗層之厚度’就硬度之觀點、及防止產 生龜裂或捲曲之觀點而言，較佳為0.1〜30 μιη。 以上，對作為本發明之一例的透明導電性膜進行了說 明，但本發明並不限定於上述實施形態。例如，於上述實 施形態中’例示了第2透明介電質層經圖案化之情形，但 s 151267.doc •13· 201124999 第2透明介電質層亦可不進行圖案化。 又，於本發明中’亦可不設置第2透明介電質層。於該 情形時’較佳為以下述方式選擇構成材料：於將第1透明 介電質層之折射率設為nO、將透明導電層之折射率設為n2 時’滿足n0<n2之關係。 又，於本發明中，如圖3八~圖3C所示，亦可於第2透明 介電質層3與透明導電層4之間形成第3透明介電質層7 ^於 該情形時，可如圖3Α之透明導電性膜3〇般，各透明介電質 層可不進行圖案化，亦可如圖3Β、圖3(：般，一部分透明 介電質層進行圖案化。即，可如圖3Β之透明導電性膜4〇 般，第3透明介電質層7進行圖案化，亦可如圖3(：之透明導 電性膜50般，第2及第3透明介電質層3、7進行圖案化。 又，雖未圖示，但亦可設置4層以上透明介電質層。 亦可於本發明之透明導電性膜上設置以提高視認性 之為目的之防眩處理層或抗反射層。尤其是用於電阻膜方 式之觸控面板之情形時，可與上述硬塗層同樣地於透明基 。卜表面（與透明黏著劑層相反側之面）設置防眩處理層 ' 射層又，亦可於硬塗層上設置防眩處理層或抗反 射^另方面，用於電容方式之觸控面板之情形時，亦 有字防眩處理層或抗反射層設置於透明導電層上之情形。 圮防眩處理層之構成材料，並無特別限定，例如 可使用電離輕射硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、熱塑性樹脂 述抗反射層’可使用氧化鈦、氧化錯、氧化矽、 151267.doc -14 - 201124999 氟化鎂等。為更大地表現抗反射功能，較佳為使用氧化鈦 層與氧化矽層之積層體。上述積層體較佳為於透明基體或 硬塗層上形成折射率較高之氧化鈦層（折射率··約lb)， 並於忒氧化鈦層上形成折射率較低之氧化矽層（折射率： 約1.46)而成的2層積層體。更佳為進而於該2層積層體上依 序形成氧化鈦層及氧化石夕層而成之4層積層體。藉由設置 此種2層積層體或4層積層體之抗反射層，可均勻地降低可 見光之波長區域（380〜780 nm)之反射。 本發明之透明導電性膜例如可較佳地用於電容方式、電 阻膜方式等之觸控面板。 [實施例] 以下’對本發明之實施例及比較例—併加以說明，但本 發明並非限^於下述實施例而解釋者。再者，實施例及比 較例中之評價係以下述所示之方法進行。 <各層之折射率> 各層之折射率係使用〜。公司製造之阿貝折射計，於 25.〇°C之條件了，對各測定面入射測定光（波[589.3 nm)，藉由示於該折射計之規^之測定方法進行測定。 <各層之厚度> /透明基材之厚度係利用黯_〇製造之微測式厚度計進 行測定。其他層之厚度係藉由曰立製作所製造之穿透式電 子顯微鏡H-7650進行剖面觀察而測定。 <可見光透射率> 使用島津製作所製造之分光分析震置υν_24〇，測定波長 J51267.doc 201124999 550 nm之可見光之透射率。 <反射率差> 使用曰立製作所製造之分光光度計U4100之積分球測定 模式’將入射角設為1〇度而測定反射光譜，算出波長 450〜650 nm之區域的圖案部與圖案開口部正下方之平均反 射率。並且，由該等平均反射率之值算出圖案部與圖案開 口部正下方之間的反射率差之絕對值。再者，關於上述測 定，係使用黑色噴霧於透明導電性膜（樣品）之背面側（透明 基材側）形成遮光層，於幾乎無來自樣品背面之反射或來 自为面側之光之入射的狀態下進行測定。 <色相差異> 以10度入射角，自透明導電層側朝圖案部或圖案開口部 正下方照射白 使用日立製作所製造之分光光度計 U4100測疋此時之波長38〇〜78〇職之反射光之色相^值及 b值。利用下式，由所得之測定值算出△，及…。反射色 彩之計算係、採用ns Z 872〇中規定之標準之光D65，於2度 視野之條件下進行。再者’了式中，Λ及b%分別係指對 圖案部照射白光時之反射夯之多4 * * 兀町I汉耵九之色相a值及色相b*值，a，〇及 b 〇分別係指對圖案開口部正 , r力知' 射白光時之反射光之 色相a值及色相b*值。 △a*=|aVa*0| △b、|b*P-b*0| <外觀評價> 於太陽光下，於黑色板上，以读 Μ透明導電層側朝上之方式 151267.doc 201124999 放置樣品，藉由目視依據下述基準進行外觀評價。 ◎:難以判別圖案部與圖案開口部。 〇：稍可判別圖案部與圖案開口部。 X:可清楚判別圖案部與圖案開口部。 <實施例1> (第1透明介電質層之形成） 於厚度125 μιη之包含聚對苯二子酸乙二酯膜（以下稱作 PET膜）之透明基材（折射率nf=1，66)之一面上塗敷三聚氰胺 樹脂：醇酸樹脂··有機矽烷縮合物（重量比為2:2:1)之熱硬 化型樹脂，使其硬化，形成第丨透明介電質層（折射率 n0=1.54，厚度：4 nm)。 (第2透明介電質層之形成） 繼而，於lxl〇_2〜3x10-2Pa之真空度下，藉由電子束加熱 法，於第1透明介電質層上真空蒸鍍Si〇2(折射率nl = 146) ’形成厚度為2〇 nm之第2透明介電質層。 (透明導電層之形成） 繼而，於氬氣98%與氧氣2%之混合氣體（〇·4 pa)之環境 下’使用氧!化銦9 7重量％、氧化錫3重量％之燒結體材料， 藉由反應性濺鍍法於第2透明介電質層上形成作為透明導 電層的厚度為22 nm之ITO(Indium Tin Oxide，氧化鋼錫）声 (折射率 n2=2.00)。 (ΙΤΟ層藉由钮刻之圖案化） 於上述ΙΤΟ層上形成圖案化成條紋狀之光阻膜後，將其 於2 5 °C、5重量％之鹽酸（氣化氫水溶液）中浸潰1分鐘，進 151267.doc 201124999 行ΓΓΟ層之钱刻。所得IT0層之圖案寬度為5咖，圖案間 距為1 mm。 (第2透明介電質層藉由蝕刻之圖案化） 於上述IT〇層之所有圖案部上形成光阻膜後，將其於 5(TC、2重量％之氫氧化納水溶液浸^分鐘，對ιτ〇層之 圖案開口部正下方之第2透明介電質層進行㈣。所得日第2 透明介電質層之圖案寬度為5 mm，圖案間距“職。 〈實施例2~6> 於實施例1中，將第1透明介電質層及第2透明介電質層 之厚度調整為表!所示之數值，除此以外，進行與實施 相同之操作，而獲得透明導電性膜。 <實施例7> 於實施例丨中，以下述所示之方法形成第丨透明介電質 層，並將透明導電層（ITO層）之厚度調整為4〇 nm，除此以 外，進仃與實施例丨相同之操作，而獲得透明導電性膜。 (實施例7之第1透明介電質層之形成方法） 於氬氣50 4與氧氣5〇%之混合氣體（〇·5 pa)之環境下使 用鈦靶材，藉由反應性濺鍍法，於厚度125 μιη之包含ρΕτ 膜之透明基材（折射率0问.66)之一面上，形成包含氧化鈦 之第1透明介電質層（折射率η0=2·35，厚度· 8nm)。 <比較例1〜4> 於只施例1中，將第丨透明介電質層及第2透明介電質層 之厚度調整為表1所示之數值，除此以外，進行與實施 相同之操作’而獲得透明導電性膜。 151267.doc -18 - 201124999 <比較例5> 於貫施例7令，脾 將透明導電層（IT〇層） nm，除此以外，進杆偽〜 〇之尽度變更為55 订與貫施例7相同之操作， 蛉電性膜。 乍而獲得透明 <比較例6> 於只施例1中’將第1透明介電質層之戶 ㈣’且不設置第2透明介電質層，除此以外予，;變更為35 例1相同之操作’而獲得透明導電‘_。 4仃與實施 對上述實施例及比較例之透明導 評價。將結果示於幻中。 ^膜（樣品）進行上述 151267.doc -19- 201124999 外觀評價 ◎ ◎ ◎ ◎ 〇 ◎ 〇 X X X X X X 色相差異 1 Ab* 3.35 4.42 3.40 3.31 1 4.80 | o cn 4.46 6.39 5.90 0.80 13.40 5.34 5.90 % 0.25 0.23 0.20 0.05 0.60 0.00 0.60 0.37 0.80 4.70 7.50 0.20 1 0.10 反射率差 g 0.72 1.17 1.00 1.38 ' 0.38 1.60 5.38 OO CN 0.50 1.40 0.80 6.00 2.20 可見光透射率 g 89.8 89.7 89.6 89.3 90.6 ! 89.0 1 83.4 90.0 90.8 89.6 90.4 82.7 89.2 透明導電層 光學厚度 /—s i 5 5 § 5 〇 厚度 i (N CN (N <N (N (N CN (N <N (N 〇 <N (N CS (N CM (N (N CN CN (N 折射率 2.00 2.00 2.00 2.00 2.00 2.00 2.00 2.00 2.00 2.00 1 2.00 2.00 _1 2.00 第2透明介電質層 光學厚度 /-—\ i CN (N <N 5 (N Os CN (N 1 厚度 /·-N i V_^ o in o o cn cn cn cn 折射率 1.46 1.46 1.46 1.46 1.46 1.46 1.46 1.46 1.46 1.46 1.46 1 1.46 ___1 第1透明介電質層 光學厚度 -s i V_^ yn 00 oo CT> OO CN 277 〇\ 1厚度 1 _^ 寸 o o oo 〇 00 1 折射率 1.54 1.54 1.54 1.54 1.54 1.54 2.35 1.54 1.54 1.54 2.35 1.54 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 比較例1 比較例2 比較例3I 比較例4| 比較例 比較例6 -20- 151267.doc 201124999 如表1所示，可知於實施例中均可獲得釭•及Ab*之值得 到抑制，且外觀良好之透明導電性臈。【圖式簡單說明】 圖 圖 圖 面圖 1係表示本發明之透明導電性膜 .r „ Αί ^ π 书1王腰之一例之剖面圖； 2係表示本發明之透明導電性膣 电汪腰之另一例之剖面圖；及 3Α〜圖3C係表示本發明之透明導 必乃¥電性膜之其他例之剖 【主要元件符號說明】 1 2 3 4 5 6 7 10 、 20 、 3〇 、 40 、 50 Ο Ρ 透明基材 第1透明介電質層 第2透明介電質層 透明導電層 透明黏著劑層 透明基體 第3透明介電質層 透明導電性膜 圖案開口部 圖案部 151267.doc

Claims (1)

1. 201124999 七、申請專利範圍： 1. 一種ϋ料電㈣，其㈣在於，其係於㈣基材上依 序形成有第1透明介電質層及透明導電層者，且 上述透明導電層藉由進行圖案化而形成圖案部與圖案 開口部， "對上述圖案部照射白光時之反射光之色相，值及 色相b值分別設為a ?及’將對上述圖案開口部之正下 :照射，光時之反射光之色相，值及色相b、分別設為 aa及b 一’滿足〇·ν^〇|^4〇〇κ系，且滿足 0S|b*P-b*o|S5.00之關係。 2.如請求項！之透明導電性膜，其中進一步包含配置於上 边第1透明介電質層與上述透明導電層.之間且折射㈣ 上述第1透明介電質層不同之第2透明介電質層。 如請求項2之透明導電性膜，其中上述第】透明介電質層 之光學厚度為3〜45 nm， 上述第2透明介電質層之光學厚度為3〜5〇咖， 上述透明導電層之光學厚度為2〇〜1〇〇nm，且 4. 5. 6. 於將上述第2透明介電質層之折射率設為m、將上述 透明導電層之折射率設為邮，滿之關係。 =請求項2或3之透明導電性膜，其中上述第技明介電 貝層错由進行圖案化而形成圖案部與圖案開口部。 月长項4之透明導电性膜’其中上述透明導電詹之圖 案部與上述第2透明介電質層之圖案部一致。 —種觸控面板 電性膜。 其包含如請求項1至5中任一項之透明導 151267.doc