TW201120992A - Semiconductor structure and method for making the same - Google Patents

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Description

201120992 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體結構及其製造方法，詳言之， 係關於一種半導體結構及其製造方法。 【先前技術】 參考圖1 ’顯示習知半導體結構之剖面示意圖。該習知 半導體結構1具有複數個晶圓11及一底膠（Underfill)12。該 等晶圓11具有一第一表面111、一第二表面112、一第一重 佈層113、一第二重佈層114、複數個晶片ip、複數個穿 導孔115及複數個凸塊116。該第一重佈層113係位於該第 一表面111。該第二重佈層114係位於該第二表面112，該 等晶片117係位於該晶圓内11，且顯露於該第一表面^及 該第二表面112，該等穿導孔115係位於該等晶片117内， 顯露於該第一表面111及該第二表面112,且電性連接該第 一重佈層113及該第二重佈層114。該等凸塊U6係位於該 第二重佈層114上，且電性連接至該等穿導孔115。該底膠 12係位於相鄰二晶圓丨丨之間，且包覆該等凸塊丨16 ,以連 接該等晶圓11。 該習知半導體結構1之缺點如下。該半導體結構1係由該 等晶圓11堆疊而成，為了使該等晶片117彼此電性連接， 則必須先分別於每一晶片117内形成該等穿導孔115，且於 每一晶圓11形成該第一重佈層113、該第二重佈層n4及該 等凸塊110’導致製造成本提高。此外，該等晶圓丨丨之凸 塊116之間距’為了因應產品尺寸而縮小，導致連接該等 143278.doc 201120992 晶圓ii時，該底膠12不易進入該等品塊116之間隙，而無 法疋整包覆該等凸塊116，進而降低產品良率。 因此有必要提供一種半導體結構及其製造方法，以解 決上述問題。 【發明内容】
本發明提供一種半導體結構。該半導體結構包括一第二 晶片、一第一晶片、一溝槽、一穿導孔及至少一電性連接 凡件。該第二晶片具有一第二主動面及至少一第二電性連 接墊，該第二電性連接墊（c〇nductive pad)係顯露於該第二 主動面。該第一晶片係位於該第二晶片上，具有一第一主 動面及至少n性連接墊’該第—電性連接塾係顯露 於該第-主動面，1具有至少一穿子匕。該溝槽係位於該第 一晶片内，該溝槽係與該第一電性連接墊之穿孔相連通， 且顯露該第一電性連接墊及該第二電性連接墊。該穿導孔 係位於該溝槽内，且電性連接該第一電性連接墊及該第二 電性連接墊。該電性連接元件係位於該第一晶片上，且電 性連接至該穿導孔。 本發明另提供一種半導體結構。該半導體結構包括一負 晶 片、一第三晶片、一第一晶片、至少一第一電性連名 塾、-溝槽、-穿導孔及至少-電性連接元件。該第二晶 片具有-第二主動面及至少-第二電性連接墊，該第二電 性連接墊（Conductive Pad)係顯露於該第二主動面。該第三 晶片係位於該第二晶片1 ’且具有_第三主動面。該第一 具有—第一主動面。該第一 143278.doc 201120992 電性連接塾具有至少-穿孔’該第—電性連接塾係位於該 第一晶片或該第三晶片内。該溝槽係位於該第一晶片及該 第三晶片内，該溝槽係與該第一電性連接墊之穿孔相連 通，且顯露該第一電性連接墊及該第二電性連接墊。該穿 導孔係位於該溝槽内，且電性連接該第一電性連接墊及該 第二電性連接墊。該電性連接元件係位於該第一晶片上， 且電性連接至該穿導孔。 本發明更提供一種半導體結構之製造方法。該製造方法 匕括以下步驟.（a)提供一第一晶圓及一第二晶圓，該第一 晶圓具有一第一主動面及至少一第一電性連接墊 (Conductive Pad)，該第一電性連接墊係顯露於該第一主動 面，且具有至少一穿孔，該第二晶圓具有一第二主動面及 至少一第二電性連接墊，該第二電性連接墊係顯露於該第 一主動面，（b)配置該第一晶圓於該第二晶圓上；（c)移除 部分該第一晶圓，以形成一溝槽，該溝槽係與該第一電性 連接墊之穿孔相連通，且顯露該第一電性連接墊及該第二 電性連接墊；（d)形成一穿導孔於該溝槽内，該穿導孔係電 性連接該第一電性連接墊及該第二電性連接墊；及（e)形成 至夕電性連接元件於該第一晶圓上，該電性連接元件係 電性連接至該穿導孔。 本發明再提供一種半導體結構之製造方法。該製造方法 包括以下步驟：（a)提供一第一晶圓、一第三晶圓、一第二 圓及至夕 第一電性連接墊（Conductive Pad)，該第一晶 圓具有一第一主動面，該第三晶圓具有一第三主動面，該 I S3 143278.doc -6- 201120992 第二晶圓具有一第二主動面及至少一第二電性連接墊，該 第二電性連接墊係顯露於該第二主動面，該第一電性連接 墊具有至少-穿孔，該第一電性連接塾係位於該第一晶圓 或該第三晶圓内；（b)配置該第三晶圓於該第二晶圓上，配 置該第-晶圓於該第三晶圓上；⑷移除部分該第一晶圓及 部分該第三晶圓，以形成一溝槽，該溝槽係與該第一電性 連接墊之穿孔相連通，且顯露該第一電性連接墊及該第二 電丨生連接墊’（d)开> 成一穿導孔於該溝槽内，該穿導孔係電 性連接該第一電性連接墊及該第二電性連接墊；及（e)形成 至少一電性連接元件於該第一晶圓上，該電性連接元件係 電性連接至該穿導孔。 藉此，在本發明中，只需形成一個穿導孔即可貫穿且電 性連接該等晶圓或該等晶片，故可簡化製程且降低成本。 此外，在本發明中，該等晶圓及該等晶片係直接連接或利 用一連接材相互連接，而不形成複數個凸塊，因此可以避 免產生習知技術中’該底膠無法完整包覆該等凸塊之缺 點’進而提升良率。 【實施方式】 參考圖2至圖12 ’顯示本發明半導體結構之第一實施例 之製造方法之示意圖。參考圖2，提供一第一晶圓21及一 第一晶圓22。該第一晶圓21具有一第一主動面211及至少 第電性連接墊（Conductive Pad)2 12，該第一電性連接 塾212係顯露於該第一主動面211，且具有至少一穿孔 213 °該第二晶圓22具有一第二主動面221及至少一第二電 I43278.doc 201120992 性連接墊222，該第二電性連接墊222係顯露於該第二主動 面221。在本實施例中，該第一電性連接墊212及其穿孔 213之形狀係為圓形，該穿孔213係位於該第一電性連接墊 212之中央，如圖3所示。然而，在其他應用中，該第一電 险連接墊212及其穿孔213之形狀係可為方形，該穿孔213 係位於該第一電性連接墊212之中央，如圖4所示，或者， 該第一電性連接墊212具有複數個穿孔213，如圖5所示。 參考圖6，配置該第一晶圓21於該第二晶圓22上。在本 實施例中，係利用一連接材（B〇nding Materiai)23連接該第 一晶圓21及該第二晶圓22 ,該第二晶圓22之第二主動面 221係面對該第一晶圓21之第一主動面211。該連接材以之 材質係為氧化矽（Sincon 〇xide，Si〇2)或苯環丁烯 (BenZocyclobutene，BCB)。然而，在其他應用中係可利 用陽極鍵合（Anodic Bonding)方法連接該第一晶圓21及該 第一晶圓22。在另一應用中，該第二晶圓22更包括一第二 背面223，該第二晶圓22之第二背面223係面對該第一晶圓 之第主動面211 ’亦即，該第二晶圓22與圖6相比係翻 轉180度。 參考圖7，較佳地，移除部分該第一晶圓以，以減少該 第一晶圓21之厚度。參考圖8，移除部分該第一晶圓21， 以形成一溝槽24。該溝槽24係與該第一電性連接墊212之 穿孔213相連通，且顯露該第一電性連接墊212及該第二電 性連接墊222。在本實施例中，係利用乾蝕刻方法移除部 分該第-晶圓21，且利用SF6或CF4作為乾钱刻之银刻氣體 143278.doc -8 - 201120992 (Etching Gas)。 該溝槽24之截面積係小於或等於該第一電性連接墊212 及該第一電J·生連接墊222之截面積，該溝槽24之截面積係 大於或等於該第一電性連接墊212之穿孔213之截面積。然 而，在其他應用中，如上述「該第二晶圓22之第二背面 223係面對該第一晶圓21之第一主動面211」之情況下，則 需同時移除部分該第二晶圓22，以形成該溝槽24，才能顯 露該第二電性連接塾222。 參考圖9至圖U，形成一穿導孔25(圖u)於該溝槽以内， 該穿導孔25係電性連接該第一電性連接墊212及該第二電 性連接墊222。在本實施例中，形成該穿導孔乃之方法如 下所述。參考圖9，形成一第一阻絕層251於該第一晶圓2ι 上參考圖10 ’移除部分該第一阻絕層251，以顯露該第 一電性連接墊212及該第二電性連接墊222，而僅保留位於 該溝槽24之側壁之第一阻絕層251，且定義出一第一中心 槽252。參考圖u，形成一導體253於該第一中心槽252 内’且填滿該第一中心槽252。然而，在其他應用中，該 導體253係可僅形成於該第一中心槽252之側壁，且定義出 第一中心槽（圖中未示），最後，再形成一第二阻絕層（圖 中未示）於該第二中心槽内，且填滿該第二中心槽。 參考圖12，形成一保護層28及至少一電性連接元件26於 該第一晶圓21上，該保護層28係位於該第一晶圓2丨之一第 一背面214，且具有一開口以顯露該穿導孔25，該電性連 接元件26係位於該開口内’且電性連接至該穿導孔乃，同 143278.doc 201120992 時，形成一堆疊式晶圓結構。在本實施例中，該電性連接 兀件26係為一銲墊。然而，在其他應用中，該電性連接元 件26係可為一重佈層（Redistributi〇n [叮％ RDL)。較佳 地，更切割該堆疊式晶圓結構，以形成複數個本發明半導 體結構2之第一實施例，再將該等半導體結構2設置於一基 板（圖中未示）或一電路板（圖中未示）上。 再參考圖12，顯示本發明半導體結構之第一實施例之剖 ^ 面示意圖。該半導體結構2包括一第一晶片21(該第一晶片 21係由該第一晶圓21所切割而成，故賦予相同的編號）、 一第二晶片22(該第二晶片22係由該第二晶圓22所切割而 成’故賦予相同的編號）、一溝槽24、一穿導孔25、一保 s蒦層2 8及至少一電性連接元件2 6。在本實施例中，該半導 體結構2更包括一連接材（Bonding Material)23。 該第二晶片22具有一第二主動面221及至少一第二電性 連接墊（Conductive Pad)222，該第二電性連接墊222係顯露 φ 於該第二主動面221。在本實施例中，該連接材23係位於 該第一 a曰片21及該第一晶片22之間’較佳地，該連接材23 之材質係為氧化石夕（Silicon Oxide, Si〇2)或苯環丁稀 (Benzocyclobutene，BCB)。 該第一晶片21係位於該第二晶片22上，具有一第一主動 面211及至少一第一電性連接墊212。該第一電性連接塾 212係顯露於該第一主動面211，且具有至少一穿孔213。 在本實施例中’該第一晶片21之厚度係小於或等於該第二 晶片22之厚度’且該第二晶片22之第二主動面221係面對 143278.doc •10· 201120992 該第一晶片21之第一主動面211。然而，在其他應用中， 該第二晶片22更包括一第二背面223，該第二晶片22之第 二背面223係面對該第一晶片21之第一主動面211，亦即， 該第二晶片22與圖12相比係翻轉180度。 該溝槽24係位於該第一晶片21内，該溝槽24係與該第一 電性連接墊212之穿孔213相連通，且顯露該第一電性連接 墊2 12及該第二電性連接墊222。在本實施例中，該溝槽24 之截面積係小於或等於該第一電性連接墊212及該第二電 性連接墊222之截面積，該溝槽24之截面積係大於或等於 該第一電性連接墊212之穿孔213之截面積。然而，在其他 應用中’如上述「該第二晶片22之第二背面223係面對該 第一晶片2 1之第一主動面211」之情況’則該溝槽24更位 於該第二晶片22内。 該穿導孔25係位於該溝槽24内，且電性連接該第一電性 連接墊212及該第二電性連接墊222。在本實施例中，該穿 導孔25包括一第一阻絕層251及一導體253。該第一阻絕層 251係位於該溝槽24之側壁，且定義出一第一中心槽252。 該導體253係位於該第一中心槽252内，且填滿該第一中心 槽252。然而，在其他應用中，該導體253係可僅位於該第 一中心槽252之側壁，且定義出一第二中心槽（圖中未示）， 且該穿導孔25更包括一第二阻絕層（圖中未示），該第二阻 絕層係位於該第二中心槽内，且填滿該第二中心槽。 該保§蒦層28係位於該第一晶片21之一第一背面214，且 具有一開口以顯露該穿導孔25。該電性連接元件26係位於 143278.doc -11 - 201120992 該開口内，且電性連接至該穿導孔25 ^在本實施例中，該 電性連接元件26係為一銲塾。然而，在其他應用中，該電 性連接元件26係可為一重佈層（Redistributi〇n Layer， RDL)。
參考圖13至圖20，顯示本發明半導體結構之第二實施例 之製造方法之示意圖。參考圖13,提供一第一晶圓21、一 第一 bb圓27、一第_晶圓22及至少一第一電性連接墊 (Conductive Pad)212。該第一晶圓21具有一第一主動面 211。該第三晶圓27具有一第三主動面271，該第二晶圓22 具有一第二主動面221及至少一第二電性連接墊222，該第 一電性連接墊222係顯露於該第二主動面221。該第一電性 連接墊212具有至少一穿孔213，該第一電性連接墊212係 位於該第一晶圓22或該第三晶圓27内。在本實施例中，該 第一電性連接塾212係㈣該第-曰曰曰圓22内，且顯露於該 第一主動面211。然而，在其他實施例中，如圖21所示， 更提供至少一第三電性連接墊272，其具有一穿孔273，該 第三電性連接墊272係位於該第三晶圓27内，且顯露於該 第三主動面271 ’或者’如圖22所示’該第—電性連接塾 212係位於該第三晶圓27内，且顯露於該第三主動面27卜 參考圖14’配置該第三晶圓27於該第二晶圓22上，配置 該第-晶圓21於該第三晶圓27上。在本實施例中，係利用 -連接材23係連接該第—晶圓21、該第二晶圓以該第三 晶圓27’且該第二晶圓22之第二主動面221及該第三晶圓 27之第二主動面271择而#++ 曰曰 1係面斟該篦一旦® 21之第一主動面 143278.doc -12- 201120992 211。然而，在其他應用中，該第三晶圓27更包括一第三 背面274，該第三晶圓27之第三背面274係面對該第一晶圓 21之第一主動面211，亦即，該第三晶圓27與圖14相比係 翻轉180度。 參考圖15，較佳地，移除部分該第一晶圓以，以減少該 第一晶圓21之厚度。參考圖16,移除部分該第一晶圓^及 部分該第二晶圓27，以形成一溝槽24 ^該溝槽24係與該第 一電性連接墊212之穿孔213相連通，且顯露該第一電性連 接墊212及該第二電性連接墊222。參考圖17至圖19，形成 一穿導孔25(圖19)於該溝槽24内，該穿導孔25係電性連接 該第一電性連接墊212及該第二電性連接墊222。在本實施 例中形成該穿導孔25之方法如下所述。參考圖η，形成 第阻絕層251於該第一晶圓21上。參考圖18，移除部 分該第一阻絕層251，使該第一阻絕層251具有複數個區段 254，並顯露該第一電性連接墊212及該第二電性連接墊 222而僅保留位於該溝槽24之側壁之第一阻絕層251，且 定義出一第一中心槽252。參考圖19，形成一導體253於該 第一中心槽252内，且填滿該第一中心槽252。然而，在其 他應用中，該導體253係可僅形成於該第一中心槽252之侧 壁，且疋義出一第二中心槽（圖中未示），最後，再形成一 第二阻絕層（圖中未示）於該第二中心槽内，且填滿該第二 中心槽。 參考圖20 ’形成一保護層28及至少一電性連接元件％於 該第一晶圓21上，該保護層28係位於該第一晶圓21之一第 143278.doc -13- 201120992 一背面214，且具有一開口以顯露該穿導孔25，該電性連 接元件26係位於該開口内，且電性連接至該穿導孔乃，同 時，形成一堆疊式晶圓結構。較佳地，更切割該堆疊式晶 圓結構，以形成複數個本發明半導體結構3之第二實施 例，再將該等半導體結構3設置於一基板（圖中未示）或一電 路板（圖中未示）上。 再參考圖20，顯示本發明半導體結構之第二實施例之剖 面示意圖。該半導體結構3包括一第一晶片21(該第一晶片 21係由該第一晶圓21所切割而成，故賦予相同的編號）、 一第二晶片22(該第二晶片22係由該第二晶圓22所切割而 成’故賦予相同的編號）、一第三晶片27(該第三晶片27係 由該第三晶圓27所切割而成，故賦予相同的編號）、至少 一第一電性連接墊212、一溝槽24、一穿導孔25、一保護 層28及至少一電性連接元件26。在本實施例中，該半導體 結構3更包括一連接材（Bonding Material)23。該第二晶片 22具有一第二主動面221及至少一第二電性連接塾 (Conductive Pad)222 ’該第二電性連接墊222係顯露於該第 二主動面221。該第三晶片27係位於該第二晶片22上，且 具有一第三主動面271。該第一晶片21係位於該第三晶片 27上，且具有一第一主動面211。 在本實施例中，該第一晶片21之厚度係小於或等於該第 二晶片22及該第三晶片27之厚度。該第二晶片22之第二主 動面221及該第三晶片27之第三主動面271係面對該第一晶 片21之第一主動面211。然而，在其他應用中，該第二晶 143278.doc 14- 201120992 片22更包括一第二背面223，該第三晶片27更包括一第三 背面271。該第二晶片22之第二背面223及該第三晶片27之 第三背面271係面對該第一晶片21之第一主動面211，亦 即，該第二晶片22及該第三晶片27與圖20相比係翻轉180 度。 在本實施例中，該連接材23係位於該第一晶片21、該第 二晶片22之間及第二晶片22及該第三晶片27之間，該連接 材23之材質係為氧化矽（Silicon Oxide, Si02)或苯環丁烯 (Benzocyclobutene, BCB) »該第一電性連接墊212具有至少 一穿孔213 ’該第一電性連接墊212係位於該第一晶片21或 該第三晶片27内。在本實施例中，該第一電性連接墊212 係位於該第一晶片21内’且顯露於該第一主動面211» 該溝槽24係位於該第一晶片21及該第三晶片27内，該溝 槽24係與該第一電性連接墊212之穿孔213相連通，且顯露 該第一電性連接墊212及該第二電性連接墊222。在本實施 例中，該溝槽24之截面積係小於或等於該第一電性連接墊 212及該第二電性連接墊222之截面積，該溝槽24之截面積 係大於或等於該第一電性連接墊212之穿孔213之截面積。 然而，在其他應用中，如上述「該第二晶片22之第二背面 2B係面對該第一晶片21之第一主動面211」之情況，則該 溝槽24更位於該第二晶片22内。 該穿導孔25係位於該溝槽24内，且電性連接該第一電性 連接墊212及該第二電性連接墊222。在本實施例中，該穿 導孔25包括一第-阻絕層251及-導體⑸。該第一阻絕層 I43278.doc •15- 201120992 25 1係位於該溝槽24之側壁，具有複數個區段254，並顯露 該第電性連接墊212’且定義出一第一中心槽252。該導 體253係位於該第一中心槽252内，且填滿該第一中心槽 252。然而’在其他應用中，該導體253係可僅位於該第一 中心槽252之侧壁，且定義出一第二中心槽（圖中未示），且 該穿導孔25更包括一第二阻絕層（圖中未示），該第二阻絕 層係位於該第二中心槽内，且填滿該第二中心槽。 φ 該保護層28係位於該第一晶片21之一第一背面214，且 具有一開口以顯露該穿導孔25。該電性連接元件26係位於 該開口内，且電性連接至該穿導孔25。在本實施例中該 電性連接7L件26係為一銲墊。然而，在其他應用中，該電 性連接70件26係可為一重佈層（Redistributi〇n L r RDL)。 參考圖21，顯示本發明半導體結構之第三實施例之剖面 示意圖。本實施例之半導體結構4與第二實施例之半導體 • 結構3(圖2〇)大致相同，其中相同之元件賦予相同之編號。 本實施例與第二實施例不同處在於該半導體結構4更包括 一第三電性連接墊272,其具有至少一穿孔273，該第三電 性連接墊272係位於該第三晶片27内，且顯露於該第三主 動面271。該溝槽24更與該第三電性連接墊272之穿孔273 相連通，且更顯露該第三電性連接墊272。該溝槽之截 面積係小於或等於該第三電性連接墊272之截面積，該溝 槽24之截面積係大於或等於該第三電性連接墊272之穿孔 273之截面積。 143278.doc -16- 201120992 參考圖22 ’顯示本發明半導體結構之第四實施例之剖面 示意圖。本實施例之半導體結構5與第二實施例之半導體 結構3(圖20)大致相同，其中相同之元件賦予相同之編號。 本實施例與第二實施例不同處在於該半導體結構5之第一 電性連接墊212係位於該第三晶片27内，且顯露於該第三 主動面271。 藉此，在本發明中，只需形成一個穿導孔25即可貫穿且 電性連接該等晶圓（該第一晶圓21及該第二晶圓22，成 者’§亥第二晶圓22及該第三晶圓27，或者，該第一晶圓 21、該第二晶圓22及該第三晶圓27)或該等晶片（該第一晶 片21及該第二晶片22，或者，該第二晶片22及該第三晶片 27，或者，該第一晶片21、該第二晶片22及該第三晶片 27)，相較於習知技術中（圖1}，分別於每一晶圓丨丨形成該 穿導孔115，再連接該等晶圓丨丨之製造方法，本發明之製 造方法係可簡化製程且降低成本。此外，在本發明中，該 等晶圓及該等晶片係直接連接或利用該連接材23相互連 接，而不形成複數個凸塊，因此可以避免產生習知技術中 (圖1) ’該底膠12無法完整包覆該等凸塊116之缺點，進而 提升良率。 惟上述實Μ例僅為說明本發明之原理及其功效，而非用 以限制本發明。因此，習於此技術之人士對上述實施例進 行修改及變化仍不脫本發明之精神。本發明之權利範圍應 如後述之申請專利範圍所列。 【圖式簡單說明】 143278.doc 17 201120992 圖1顯示習知半導體結構之剖面示意圖； 圖2至圖12顯示本發明半導體結構之第一實施例之製造 方法之示意圖； 圓13至圖20顯示本發明半導體結構之第二實施例之製造 方法之示意圖； 圖21顯示本發明半導體έ士槿 — 固遐、〇樽之苐二實施例之剖面示意 圖；及 圖22顯示本發明丰導^魏έ士基 个货β干导體結構之第四實施例之剖面示意 【主要元件符號說明】 習知半導體結構 2 本發明半導體結構之第—實施例 3 本發明半導體結構之第二實施例 4 本發明半導體結構之第三實施例 5 本發明半導體結構之第四實施例 11 晶圓 12 底膠 21 第一晶圓 21 第一晶片 22 第二晶圓 22 第二晶片 23 連接材 24 溝槽 25 穿導孔 143278.doc -18- 201120992
26 電性連接元件 27 第三晶圓 27 第三晶片 28 保護層 111 第一表面 112 第二表面 113 第一重佈層 114 第二重佈層 115 穿導孔 116 凸塊 117 晶片 211 第一主動面 212 第一電性連接墊 213 穿孔 214 第一背面 221 第二主動面 222 第二電性連接墊 223 第二背面 251 第一阻絕層 252 第一中心槽 253 導體 254 區段 271 第三主動面 272 第三電性連接墊 143278.doc •19- 201120992 273 穿孔 274 第三背面
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Claims (1)

  1. 201120992 七、申請專利範圍： 1. 一種半導體結構之製造方法，包括： 〇)提供第一晶圓及一第二晶圓，該第—晶圓具有一 第一主動面及至少一第一電性連接墊（C0nductive Pad) ’該第一電性連接墊係顯露於該第一主動面， 且具有至少一穿孔，該第二晶圓具有一第二主動面 及至少-第二電性連接墊，該第二電性連接墊係顯 露於該第二主動面；
    (b) 配置該第一晶圓於該第二晶圓上； (c) 移除部分該第一晶圓’以形成一溝槽，該溝槽係與 該第一電性連接墊之穿孔相連通，且顯露該第一電 性連接墊及該第二電性連接塾； ⑷形成-穿導孔於該溝槽内，該穿導孔係電性連接該 第一電性連接墊及該第二電性連接墊；及 ⑷形成i少-電性連接元件於該第一晶圓上，該電性 連接元件係電性連接至該穿導孔。 2·如請求们之方法’其中該步驟（b)中，係、利用—連接材 (Bonding Material)連接該第—晶圓及該第二晶圓。 3·如請求項2之方法’其中該步驟⑼中，該連接材之材質 係為氧化石夕（Silicon 〇xide，⑽2)或苯環丁稀 (Benzocyclobutene, BCB)。 4.如請求項!之方法’其中該步驟(b)中，係利用陽極鍵人 (Anoche B()nding)方法連接該第—晶圓及該第二晶圓。 5·如請求項1之方法，其中該步驟⑷中，該溝槽之截面積 143278.doc E S] 201120992 係小於或等於該第—電性連㈣及該第二電性連接塾之 截面積’該溝槽之截面積係大於或等於該第—電性連接 墊之穿孔之截面積。 6. 如明求項】之方法，其中該步驟⑷中，同時形成一堆疊 式晶圓結構，該步驟⑷之後，1包括—切割該堆疊式曰^ 圓結構之步驟，以形成複數個半導體結構。 7. 一種半導體結構之製造方法，包括：
    (a)提供一第一晶圓、 弟三晶圓 矛一 曲圓及至少 一第一電性連接墊（Conductive Pad)，該第一晶圓具 有一第一主動面，該第三晶圓具有一第三主動面， 该第二晶圓具有一第二主動面及至少一第二電性連 接墊，該第二電性連接墊係顯露於該第二主動面， 該第一電性連接墊具有至少一穿孔，該第一電性連 接墊係位於該第一晶圓或該第三晶圓内；
    〇〇配置該第三晶圓於該第二晶圓上，配置該第一晶圓 於該第三晶圓上； (c)移除部分該第一晶圓及部分該第三晶圓，以形成一 溝槽，該溝槽係與該第一電性連接墊之穿孔相連 通’且顯露該第一電性連接墊及該第二電性連接 墊； (d) 形成一穿導孔於該溝槽内，該穿導孔係電性連接該 第一電性連接墊及該第二電性連接墊；及 (e) 形成至少一電性連接元件於該第一晶圓上，該電性 連接元件係電性連接圭該穿導孔。 143278.doc -2- 201120992 .=以7之方法’其中該步驟⑷中，該第—電性連接 塾係位於該第三晶圓内’且顯露於該第三主動面。 9·如請求項7之方法’其中該步驟⑷中，該第—電性連接 墊係位於該第一晶圓内，且顯露於該第一主動面。 1〇·如請求項9之方法’其中該步驟⑷中，更提供至少一第 2性連接塾’具有—穿孔，該第三電性連接墊係位於 該弟二晶圓内，且顯露於該第三主動面。 η·=Γ之方法’其中該步驟(b)中，係利用-連接材 r第-晶圓、該第二晶圓及該第三晶圓，該第三晶 上於該第二晶圓上，該第-晶圓係位於該第三晶圓 12. 如請求項u之方法，豆中 八T该步驟（b)中’該連接材之材質 係為氧化石夕（suic〇n 〇xide，叫）或苯環丁烯 (Benzocycl〇butene，BCB)。 13. 如請求項7之方法，其中 · 肀該步驟（b)中，係利用陽極鍵合 (Anodic Bonding)方法連接兮笛 a _ U連接該第―晶圓、該第二晶圓及 該第一曰圓，該第三晶圓係位於該第二晶圓上，該第一 晶圓係位於該第三晶圓上。 14. Π:Γ之方法’其中該步驟⑷中，該溝槽之截面積 該卜電性連接塾及該第二電性連接塾之 ’該溝槽之截面積係大於或等於該第一 墊之穿孔之截面積。 侵 項7之方法，其中該步驟⑷中，該穿導孔係包括 阻絕層’該第-阻絕層係位於該溝槽之側壁，且 具有複數個區段，並顯露該第-電性連接塾。 143278.doc 201120992 16·如請求項7之方法，其巾該步驟⑷巾同時形成—堆疊 式晶圓結構，該步驟（e)之後，更包括一切割該堆疊式晶 圓結構之步驟’以形成複數個半導體結構。 17· —種半導體結構，包括： 一第二晶片，具有一第二主動面及至少一第二電性連 接墊，該第二電性連接墊（c〇nductive Pad)係顯露於該第 二主動面； φ 一第一晶片，位於該第二晶片上，具有一第一主動面 及至少一第一電性連接墊，該第一電性連接墊係顯露於 該第一主動面，且具有至少一穿孔； 溝槽，位於該第一晶片内，該溝槽係與該第一電性 連接墊之穿孔相連通，且顯露該第一電性連接墊及該第 二電性連接墊； 一穿導孔，位於該溝槽内，且電性連接該第一電性連 接塾及該第二電性連接墊；及 φ 至少一電性連接元件，位於該第一晶片上，且電性連 接至該穿導孔。 18, 如請求項17之結構，更包括一連接材（Β〇η(Η^ Matenal)，該連接材係位於該第一晶片及該第二晶片之 間。 19. 如凊求項18之結構，其中該連接材之材質係為氧化矽 (Silicon Oxide，Si02)或苯環丁烯（Benz〇cycl〇butene， BCB)〇 ’ 2〇.如請求項17之結構，其中該溝槽之截面積係小於或等於 143278.doc -4- 201120992 該第一電性連接墊及該第二電性連接墊之截面積，該溝 槽之截面積係大於或等於該第一電性連接墊之穿孔之截 面積。 21. —種半導體結構，包括： 一第二晶片，具有一第二主動面及至少一第二電性連 接墊，該第二電性連接墊（c〇nductive Pad)係顯露於該第 二主動面； 一第三晶片，位於該第二晶片上，且具有一第三主動 面； 一第一晶片，位於該第三晶片上，且具有一第一主動 面； 至少一第一電性連接墊，具有至少一穿孔，該第—電 性連接墊係位於該第一晶片或該第三晶片内； -溝槽，位於該第一晶片及該第三晶片内，該溝槽係 與該第-電性連接墊之穿孔相連通，且顯露該第_ 連接塾及該第二電性連接墊； -穿導孔’位於該溝槽内，且電性連接該第 接墊及該第二電性連接墊；及 「王建 電性i 至少一電性連接元件，位於該第一晶片上，且 接至該穿導孔。 22.如請求項21之結構，更包括一連 . Material)，該連接材係位於該第_晶片、該帛〇ndm 間及第二晶片及該第三晶片之間。 23·如請求項22之結構，豆中 八中料接材之材t係為氧I 143278.doc 201120992 (Silicon Oxide，Si02)或苯環丁稀（Benz〇CyCi〇butene， BCB)。 ’ 24. 如請求項21之結構，叾中該第一電性連接塾係位於該第 三晶片内，且顯露於該第三主動面。 25. 如請求項21之結構，其中該第一電性連接塾係位於該第 一晶片内，且顯露於該第一主動面。 26. 如請求項25之結構，更包括一第三電性連接墊，具有至
    少一穿孔’該第三電性連接墊係位於該第三晶片内，且 顯露於該第三主動面。 27. 如請求項21之結構，纟中該溝槽之截面積係小於或等於 ^第―電性連接墊及該第二電性連接塾之截面積，該溝 槽之截面積係大於或等於該第—電性連接塾之穿孔之截 28.:凊求項21之結構，其中該穿導孔係包括—第一阻絕 =該第-阻絕層係位於該溝槽之侧壁，且具有複數個 £ ’並顯露該第一電性連接墊。 143278.doc 6-
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