201107512 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於構成材料之回收較為容易的跑链乾材及 賤鑛#巴材的處理方法。 【先前技術】 成膜方法之一種的濺鍍法，係使具有高能量之粒子衝 撞於由金屬等構成的賴乾材(以下稱為姆)表面(被賤錢 面）’使從靶材釋出之原子堆積於基材的成膜方法。濺鍍中， 為了在基材表面均勻地成膜，必須使料有某種程度^賤 錢面積之姆。供麵之已使狀乾材可作為金屬材料再 利用。尤其是近年來’隨著FPD_ ρ_此㈣)等基材 (被成膜物)之大面積化、成膜材料之高價値化等 乾材材料再利用之重要性增加。 μ/於續Ή，轉如上述之輕，基材的組成和 為相關連。因此，將合金成膜時，使用由合金 構成的靶材。但是’由合金構成 的金屬（成分金屬）時會有觀刀_成合金 顯著較低之^題早—金屬構成之柿，有其再利用價値 另一方面 金成膜。例如專利讀 昌^ — ’、可在基材上將合 水_等，將同法中’使用加熱靜 相擴散接合，而_彳^捕所構成之㈣材料進行固 轉材料被高強度地接合之大面積 4/25 201107512 靶材 先行技術文獻 專利文獻 =文獻1·日本特開細I·53號公報 發明所欲解決之問題 、請f 料利文獻1記載之方法卿成的姆，係 複數靶材材料藉由固相 τ 口相擴散接合而強固地被接合著。因 •F，㈣材的情形 头、金屬時，必須機械加工等而作業費功 而蕤*炷人Ξ由為了使1巴材材料容易分離成各成分金屬， =由接β強度弱的接合方法接合之情形下，可想 &處因電弧放電造+ 變形等。 如她子產生、因姆材料熱膨脹造成 【發明内容】 靶材及該濺鍍理::明::的在：提供-種濺鍍 離成分金屬。 / ，八忐利用單純的處理來分 解決問題之技術手段 為了達成上述目的，關於 的處理方法，係包含土月之㈣之濺鍍靶材 第酬部^侧啦㈣’使上述 回收上述第2材料。 回收上述第1材料。 5/25 201107512 2了達成上述目的’關於本發明之—形態之濺鍍靶 材，其係用於形成由合金構成的薄膜，而該_ 被濺鍍面且具備第1靶材部分和第2靶材部分。 八 、上述第1靶材部分，係由第1材料所構成而形成 被錢鑛面的一部分’該第1材料係在氫雾圍中 非氫脆性材料。 彳&化之 上述第2輯部分’係衫2材料所構成並與上 乾材部分接合而形成前述被錢鑛面之另外—Α卩八上 材料係在上述氫雾圍中脆化之氫脆性材料。刀°亥第2 關於本發明之-實施形態之濺鍍乾材的處理 接合有第_分(由非氫跪性 i材所 構成)和第2補部分(由氫脆性材料 ：計所 贿树，藉由氫聽處理的方式，使/ 從上述濺鍍靶材分離。 乐乾材4刀 回收上述第2材料。 回收上述第1材料。 藉由氫脆化處理，第2釦 1 ν 乾材4分被脆化破壞，另一方 面第1乾材部分因為不脆化而 H力方 可選擇性地时第1材料和第來的狀態赫。因此’ 被氫脆化破壞，ϋ此即使㈣轉。第2姆部分由於 被強固地接合時，或第！糾％材部分和第2乾材部分 時，皆能容易地回收。如以上^分係由細微的乾材片構成 鐘輕材的處理方法，可選擇性根據關於本實施形態之濺 或異種之第1材料彼此和第f收第1材料和第2材料、 理來分離成分金屬。 料。亦即，可以單純的處 上述氫脆化處理之步驟 J J包含：使上述濺鍍靶材在 6/25 201107512 氫雾圍中維持於第1、、Θ择，+ 4 , 溫度。 Μ度之後維持於較第1溫度低的第2 在第1溫度，氫被吸收到第2乾材部分，在第2 :經成氣體而膨脹，使第2婦部分脆二 第_部分脆化。第2树部分氫脆化，不使 入今發明之一實施形態之濺鍍靶材，係用以成膜由 合金構成的溥膜且具有祜、.路 X联田 及第2树部分。有破赠面，且其具備第1乾材部分 前述第1乾材部分係由在氫雾圍中不被脆化 生材所構成，形成前述被滅錄面的-部分。 成刖述被濺鍍面之另外一部分。 按。形 藉由使用該濺鑛革巴材進行錢 材料和第2材料之合金所編錄材切成由第1 和第2編在被濺：=面:用第⑽部分 膜之組成。軸魏材係如上===金薄 方式使第2靶材部分π s由進仃虱脆化處理的 第 2 二成， 姆片之間亦可設有上述第2乾材片轉成’在上述複數第1 由於第1乾材片各個被接合在 氫脆化處理除去第4材0 2^片，因此藉由 犯將卓1乾材部分分離成 7/25 201107512 各第1靶材片。 上述第1材料係包含：含有第1元素之第1材料種， 和ΐ有與前述第1元素不同的第2元素之第2材料種，前 述f數第1無材片亦可包含：由各前述第1材料種所構成 之靶巧片，和由前述第2材料種所構成之靶材片。 藉由使用構成材料不同的複數種第i乾材片，第 材。I5刀就可由複數材料構成。由於氫脆化處理，第】乾 =分破分離成各第1乾材片，因此即使第1乾材部分係由 複數材料構成之情形下，仍能依各種類回收第1材料。 亦可上述第1材料種為A卜Cu、w、Mo、Pt、Cr之中 的任-種，上述第2材料種為HFe'H 中的杯一鍤。 【實施方式】 (第1實施形態) 圖1、係顯示關於本實施形態之賤_材(以下稱為乾 材)1之俯視圖。5細係顯示從被滅鑛面側所見之 且’以下各®式巾，平行於被麟面之-方向為X方向， 平行於被着Μ垂直於χ方向之方向為γ t X方向及柔直於 圖2係將1巴材1的-部分擴大顯示之立體圖。 如該等圖所示’乾材1係接合在背板2上。 匕背板2係保持、使其冷卻、且作為電極之 背板2的材無特別限定，例如可用Cu。 ^ 靶材1係具有第1|£材部分3和第 1係藉由焊接、顧式保料找，接合於賴2將^ 8/25 201107512 鍍 面 的表面(與被接合在背板2之面相反側之面）當作被濺 〇 乾材1係如後述，由構成金屬為各自不同的2種把材 片構成。靶材1係包含：由非氫脆性材料所構成之第】靶 材片和由氫脆性材料所構成之第2靶材片6。亦即，靶 材1係用於形成含有該等材料作為成分之薄膜的靶材。 第1乾材部分3係由複數第i革巴材片5構成， 濺=面的一部分。第1乾材片5可從A卜Cu、w、M〇、pt、 Cr等金屬、該等之合金、氧化物等非氮脆性材 、 關1 _分3的材料而選擇“ 斗為第1材枓。關於本貫施形態之第！材料係由 才料種所構成，第丨姉片5皆由該材料種所構成。^ 乾材片5係例如’具有在χ方向具有長邊、在 短邊的矩形板狀之形狀，且各自形成為同—大小。°八 第2乾材部分4係由複數第2乾材片 機錄面的-部分…_6可從：=成：，皮
Nb等金屬、該等之合金、氧化物等氫脆性材料:二 之中選擇。作為第2妹部分4的材料 ' 弟2材料。第2乾材片6係例如具有在X方向呈為 乾材片5同-長度之長邊、在丫方向具有 =^ 之形狀，且各自形成為同一大小。 咬]矩形板狀 而且，上述第1及第2材料之組合， 合金薄膜的元素組成而選定。 ’、，％、應製作之 第1輕材片5和第2乾材片6係以各自在χ 交替的方式排列。帛4材片5及第2乾 2形成 配置數等可適當變更。$1純片5及第2把材==大 9/25 201107512 小’在靶材1的被濺鍍面規定第〗靶材部分3和第2靶材 部分4所佔面積。亦即，能控制濺鍍中被成膜之合金紲成 比。 第1靶材片5及第2靶材片6係與鄰接的第1靶材片5、 或第2把材片6接合，且各自接合背板2。接合方法並不限 定於焊接、擴散接合等’但藉由擴散接合的方式，能防止 在靶材片間的間隙產生的電弧放電造成之微粒子產生、熱 膨脹率相異造成的應力集中。 接著，說明關於本實施形態之乾材丨的製造方法。 圖3係靶材丨的製造方法之說明圖。 刀別準備複數由第㈠才料構成之第工板5，和由第2材 3成之第2板6。第1板5，及第2板6，係例如可藉 2解鑄造、_燒結等方法製作。第1板5,可為具有與第！ 相短邊同—厚度(Y方向）、與第^材片5的長邊 向）的矩形形狀。第2板6,可為具有與第 邊=,同厚度(γ方向）、與第2械^的長 邊相同之-邊(X方向）的矩形形狀。 彼此^ ^圖3(Α)所示，將複數第1板5,和第2板6, 接，方向並接合。其係例如可為擴散 ^ 1由對第1板5, *第2板6,在丫方向施加壓力的 方式^以充分的強度接合第1板5,和第2板6,。 接者，如圖3(B)所示，將第u 著與圖3⑻中虛線所示之χ =_和第2板6以沿 例如藉由機械式切肖彳接合。_由、'仃之面’予以裁切， ^ 月』接〇糟由如此地裁切，第1板5，和 第二6自被分斷，形成交替地排列之 10/25 201107512 如此一來，如圖3(c)所示，切出成為把材之板。藉由 將雜接合在背板的方式製造補i。藉由以如此方 ^材匕相較於接合*1|£材片5和第作材片6之端二 It形’月匕使第1把材片5和第2輕材片6之接合強产 之二ΐ可Γ關於使用乾材1之濺鑛。關“實::態 =材1可ί、於各種麵法、（AC(Altemating⑽刺)法、 dC(d騰t Current)法、RF(radi〇 frequency)法磁控法 將如供於磁控趣法之情形。圖"'顯示 濺鍍裝置10之概略構成圖。 示’濺鑛裝置1〇係具備：處理室U ;被配置 u 1卩之雜陰極12;及被配置於賴鑛陰極 係包^ΪΓ。形成磁場分布之磁場形成部13铺陰極12 ' 又，在處理室11内載置有基材S。 ，處^室n連接有：將處理室U真空排氣之真空排 :糸4，和將製程氣體導入處理室n之氣體導入系15。 台|6 Π室11内部’設有用於支撐基材s且成為陽極之 σ 土材S被配置成與濺鍍陰極12呈對向。 接人極12係錄材1和背板2所構成。在背板2之 有磁場形❻ts面(f面)的相反方向之面(背面)方向，配置 成如圖卿3係彻1表面附近形 被真空配亥濺鍍裝置10進行的濺鍍’最初處理室11内 著，n*’接著將Ar等製程氣體導入處理室11内。接 磁場形成:陰極12和屬陽極之台16之間施加電壓，藉由 磁場將制在濺鑛陰極12附近形成磁場。藉由電場及 轉衣Μ體賴化，藉由離子衝錄材〗表面的方式 11/25 201107512 進行濺鍍。 餘材1的第1 _部分3，第〗材料 ’從第_分4 ’第2材料 ;飛= Γ上以第1材料和第2材料的合金成膜。藉 ，面中之第1乾材部分3和第2蝴分4所:J 積’控制膜中合金的組成。 们占之面 製程氣體的離子衝撞在乾材！的被顧面之 為 ^場形成位置等影響，在被频面上不均勻 ς 在被_面上形成：離子衝撞賴高，乾^ =耗大的侵區域；及離子衝撞頻度低，姆材料 2侵區域。若與侵區域相等的妹材料厚度減少，則即 非侵區域相等的乾材材料充分殘存，仍必須交換乾 t亦即，於經錢之妹，依然存在妹㈣料，該 =材料仍有再利用之餘地。而且，在磁控賤鐘以外之並他 歲鍍法也會產生非侵區域。 ’、 接著’說明關於從乾材i回收第]材料及第 方法。 τ v 將供滅鑛之树！從背板2取下。乾材i係例如藉由 破加熱至焊材熔點以上即可被取下。 接著，在供濺鍍之靶材1施行氫脆化處理。將靶材】 ，容在處理用處理室，將處理用處理室真空排氣後，導入 虱氣體。將氫氣體導人至例如形成大氣壓以上之壓力。 接著，將靶材1加熱。加熱係於氫可被吸收至第2材 料之溫度(第1溫度)(例如6〇〇。〇)維持預定時間。第丨溫度 係根據第2材料的種類而調節。 又 接著，將加熱溫度改為較第丨溫度低的第2溫度。第2 12/25 201107512 ==:度中被第2材料所吸收之氣氣體化之 溫度(例如Utr種f藉由使树】在第2 體化，將第2革巴㈣、疋時間’使# 2材料所吸收之氫氣 氫脆化處理H ° 韻。如以上方式將把材1 垃裳 且，虱脆化處理並非受限於此處所示者。 使第2 第1材料及第2材料。藉由氫脆化處理， 地分離。 彳Μ 1糾片5㈣狀’因此能容易 第1藉由收集經破碎之破片的方式而被回收， 第1乾材片二回收°從乾材1分離的 材斜mm U㈣片6接合的部分，會有第2 機竹切=散的情形。於該情形，藉由噴砂處理、 、"式料除去該第2材料，能回收高純度的第1材料。 以上方式’第1材料及第2材料被回收。以利用氡 :=的方式，不利用第1乾材片5和第2乾材片6 i 接3強度，就能以高純度狀態回收。 =以上’關於本實施形態之姆係藉由關於本實施形 L之處理方法而能以再利祕高的祕，回收其構成材料。 (弟2實施形態） 以下，s兒明關於第2實施形態。第2實施形態中，第i 無材部分係由2種以上的材料種所構成之點，與第i實施 形態不同。此外，與有關第1實施形態已說明之内容重禮 之處，省略記載。 /圖5係顯示關於本實施形態之乾材21之俯視圖。該圖 係顯示從被濺鍍面側所見之靶材21。 13/25 201107512 圖6係將乾材21的一部分擴大顯示之立體圖。 如該等圖所示，把材21係接合在背板22上。 粑材21係具有第1靶材部分23和第2靶材部分24。 靶材21係藉由焊接、機械式保持等方法接合在背板22。把 材21的表面(與接合在背板22之面相反側之面）為被濺鍍 面 粑封21係如後述，由構成金屬各自不同的3種靶材片 所構成。靶材21係包含：由非氫脆性材料構成之第1靶材 片25a’及由與第1靶材片25a不同的非氫脆性材料構成之 第1靶材片25b，及由氫脆性材料構成之第2靶材片％。 亦即，輕材21係用於形成含有該等材料作為成分之薄膜的 靶材。 、 第1革巴材部分23係由複數第1乾材片25構成，形成 被濺鍍面的一部分。第1靶材片25可從入卜Cu、W、Mo 5化败合金、氧爾非輪材料(不。氫 的材料為第1材料。本實施職之第丨材^而3 類之材料種（第1材料種及第2姑 本由2種 夕由“ 弟材科種)所構成。第1乾材片 25之中’由第！材料種構成者為第 材料種構成者為第！乾材片2Sh ’由第2 且有在X方二t 第崎片25係例如， ^有在X方向具有短邊、 形狀。第1姉^ 的矩形板狀之 有同-長度 和第1歸片攻係形成為長邊具 ，1 Ig材片25a和第〗起材片25 一長度’亦可形成為不同長度。 且邊了形成為同 第2乾材部分24係由複數第2树片26構成，形成 14/25 201107512 被濺鍍面的一部分。第2靶材片26可從Ti、Zr、、Ni、 Ta、Nb等金屬、該等之合金、氧化物等氫脆性材料(氫脆化 之材料)之中選擇。作為第2靶材部分24的材料而選擇的材 料為第2材料。第2乾材片26係例如’具有在X方向具有 短邊、在Y方向具有與第1靶材片5同一長度之長邊的矩 形板狀之形狀’且各自形成為同一大小。 而且，可對應所欲製作之合金薄膜的元素組成，選擇 上述第1及第2材料之組合。 第1乾材片25和第2歡材片26係以各自在X方向形 成交替的方式排列。而且，第1靶材片25係以第1靶材片 25a和第1靶材片25b形成交替的方式排列。第1靶材片5 及第2靶材片6的大小、配置數等可適當變更。第1靶材 片25a、第1靶材片25b及第2靶材片26的大小，係在靶 材1的被濺鍍面規定第1靶材部分23和第2靶材部分24 所佔面積。亦即’能控制濺鍍中被成膜之合金組成比。 第1把材片25及第2 |&材片26係與鄰接的第1把材 片25、或第2靶材片26接合，且各自接合背板22。接合 方法，不限定於焊接、擴散接合等，但藉由擴散接合的方 式此防止在乾材片間的間隙產生的電弧放電造成之微粒 子產生、熱膨脹率相異造成的應力集中。 接著，說明關於本實施形態之靶材1的製造方法。 圖7係靶材1的製造方法之說明圖。 分別準備複數由第1材料種構成之第1板25^和由第 2材料種構成之第1板挪，和由第2材料構成之第2板 。第1板25a’ 、第】板25b，及第2板26，係例如可 藉由炫解鑄造、燒結等方法製作。第1板25a，可為具有與 15/25 2〇ll〇75l 第i粑材片25a的短邊同一厚度(丫方向）、與第i靶材片25 的長邊相同之-邊(X方向)的矩形形狀。第"反既，可為 具有與第1靶材片25b的短邊同一厚度(γ方向）、與第丄靶 材片25b的長邊相同之—邊(χ方向）的矩形形狀。第2板 26, <為具有與第2姉片26的短邊同-厚度(Υ方向）、 與第2，材片26的長邊相同之一邊(χ方向）的矩形形狀。 接著，如圖7(Α)所示，將複數第1板25a，、第1板 25b’及第2板26’轉個各自交替地f疊於丫方向並接 合。在此，，係以第1板25a’和第lfe25b，形成交替，且 第2板26以3又在第1;fe25a’和第！板挪之間的方式 重4。該接合係例如可為擴散接合。藉由對第丨板况、 第1板25b及第2板26，在z方向施加壓力的方式，能 以充分的強度接合。 接著，如圖7⑻所示，將第1板25a，、第1板25b， 及第2板26’卩沿著與圖7(b)中虛線所示之χ_γ平面平行 之面’予以裁切。例如，可藉由機械式切削接合。藉由如 此地裁切，第1板25a，、第1板说，及第2板26，各自 被分斷，形成交替地排列之第1乾材片25和第2把材片26。 =來’如圖7(C)所示，切出成為靶材之板。藉由 將該^合在背板的方式製造Μ Μ。藉由以如此方式製 造把材21，相較於接合第1輕材片25和第2乾材片26之 ’能使第i乾材片25和第2純片％之接合 強度提尚。 =’說明關於從靶材21回收第i材料(第ι材料種、 第2材料種)及第2材料之方法。 將供濺鍍之崎21從背板22取下。純^係例如藉 '6/25 201107512 至焊材溶點以上即可被取下，然後藉由钱刻完全 收容t理行氫脆化處理。_ 21 =處理用處理至’且將處理用處理室進行直 J力導入氫氣體。將氫氣體導入至例如形成大氣壓 斜夕，餘材21加熱。加熱係於氫可被吸收至第2材 係根it第度)(例如6〇〇t)維持預定時間。第1溫度 '、根據第2材料的種類而調節。 、、田加熱溫度改為較第1溫度低的第2溫度。第2 = 溫度中被第2材料所吸收之氫氣體二 的!r調節。藉由咖在第2 之, ΐ、、轉—疋時間的方式，使第2材料所吸收 靶:、二化二第2靶材部分?4脆性破壞。如以上方式將 示者。' a处理。而且，氫脆化處理並非受限於此處所 材料妾:由::::材料(第1材料種、第2材料種)及第2 被破碎，曰而黛1 s &理’使第2乾材部分24亦即第1材料 材片25a、第！乾:^亦;即第1材料係維持著第1乾 使第1材料係由複數材^^ ’因此能容易地分離。即 槿点抹數種材枓種(第1材料種、第2材料種） 成=母—種材料種形成-崎片，因此能分離 第1把材U係於^ 2 ^而被回收。_才1分離的 〜、第2靶材片26接合的部分，會有第2 17/25 201107512 材料附著或擴散的'1#形。於該情形，藉 機械式研磨等除去嗲第彳^ J用嘴v處理、 料。#除去衫1材科，就能畔高純度的第】材 2材料冰上方式第1材料(第1材料種、第2材料種)及第 ==利用氫脆化處理的方式，不_第_ 收。 # %之接合強度，魏以高純度狀態回 如以上’關於本實施形態之靶材 態之處理方法而能以再性高的態 =。=不本實施形態中’第】材料係包含2種類之 者’但不限於此，也可以是包含3 :直 絲 卜4 乃了利用虱脆化處理的方式分離各材料 種。 [實施例] 以下，說明實施例。 本實施例_於用以在基材上將Ti_w W90。/。)成膜之靶材。 、八 。、 、第1革巴材部分係由非氫脆性材料之W(帛1材料)所構 成’第2乾材部分係由氫脆性材料之Ti(第2材料)所構成。 參照圖3，說明關於該靶材的製造方法。 將39片一邊(X方向遍m、另一邊(2方向）刚聰、 厚度(Y方向)7mmiW所構成之板(第1板5,）、和一邊(χ 方向）13〇mm、另一邊(Ζ方向）l〇〇mm、厚度(γ方向)3mm之 Τι所構成之板(第2板6，），如圖3(A)所示，使之疊合、擴 散接合。擴散接合係利用真空熱壓法，於5 〇xl〇-3Pa以下 之壓力下，於1300〜140(TC施加300〜400kg/cm2之壓力。藉 18/25 201107512 此，如圖3⑻所示，形成一邊方向）13〇mm、另一邊(z 方向）100mm、厚度(γ方向)390mm之塊體。 接著’如圖3(B)虛線所示，利用切削將該塊體裁切成 厚度6mm(Z方向）。藉此，如圖3(c)所示，切出長邊(γ方 向)390mm、短邊(X方向）13〇mm、厚度(ζ方向)6mm之作為 乾材^之板。利用In等焊材將該板接合在背板而獲得乾材。 說明關於使用如以上製作所得之靶材之濺鍍。 將該輕材安裝在圖4顯示概略構成之賴裝置，實施 濺鍍。濺鍍條件為施加電壓3 5kv、壓力7χ]〇_3。 、濺鑛後，在基材上成膜由具有Ti_w合金構成之均勾組 成之薄膜。 、 9 ^明關於從供賴之該姆，隨W(第1㈣)及Ti(第 2材料)之方法。 將该已使用之靶材加熱至2〇〇t以使由 =_下後’進魏刻除去焊材。將該= 無材收容讀_處理室，將處理 彳^ 氣氣體導人處理用處理室内，加壓至12“、。工^: 氣零圍中絲材加熱至_t，_小時, 加熱处定為赋，維持14小時(氫脆化處理)絲材 藉由如此之氩脆化處理， 於姆片的職被啊。被啊之ς 碎’w直接 该W為原料作為材予以利用。q -例如可以 本發明並非伽定於上 明之要旨範圍内得以變更。、 者在不超脫本發 (變形例1) 說明關於本發明之變形例工。 19/25 201107512 圖8係顯示關於變形例1之靶材31 I圖。 圖8(A)係從被濺鍍面側看靶材31之俯視圖’圖8(B) 係將乾材31的一部分放大顯示之立體圖。 如該圖所示，革巴材31係由第1革巴讨部分幻(由複數之 正方形之第1靶材片35構成)與第2靶材部分34(複數之正 方形之第2靶材片36構成)所構成，接合在背板32 °將各 個第1靶材片35和第2靶材片36以不鄰接的方式配置成 格子紋狀。而且，第1靶材部分33也巧*以是由2種以上的 材料(第1材料種及第2材料種)所構成者。於該情形下’由 第1材料種構成之第1靶材片35和由第2材料種構成之第 1靶材片35，係隔著第2靶材片36交替地配置。靶材31 係如上述般藉由氫脆化處理，使第2輕讨片36被脆性破 壞’而第1革巴材片35維持其形狀殘存。因此，能有效地分 離第1材料和第2材料、並回收。 (變形例2) 說明關於本發明之變形例2。 圖9係顯示關於變形例2之靶材41之圖。 圖9(A)係從被⑲錢面側看乾材41之俯視圖，圖9⑻ 係將靶材41的一部分放大顯示之立體圖。 如該圖所示，妹41係由以複數正方形之第1乾材片 45構成的第1乾材部分4^、《$、. 〇〇 刀43和以格子狀單一構件構成的第 2靶材部分44所構成，並杻人 兀镬合在背板42。各個第1靶材片 45被嵌入在第2乾材部分4 刀44的格子間之間隙，與各個周圍 之第2靶材部分44接合，而办# m °而與其他第1粑材片45之間俜 藉由第2靶材部分44隔聞。^ α 乃 间加 h開。而且，第1靶材部分43也 以是由2種以上的材料（第】咕μ丨刀w也』 (弟1材料種及第2材料種)所構成 20/25 2〇ll〇75l2 者。於該情形下’由第1材料種構成之第1靶材片45和由 第2材料種構成之第1靶材片45，係隔著第2靶材部分44 交替地配置。靶材41係如上述般藉由氫脆化處理，使第2 靶材部分44被脆性破壞，而第丨靶材片45係維持其形狀 殘存。因此，能有效地分離第1材料和第2材料、並回收。 (變形例3) 說明關於本發明之變形例3。 圖10係顯示關於變形例3之乾材51之圖。 圖10(A)係從被濺鍍面側看靶材51之俯視圖，圖1〇(B) 係將靶材51的一部分放大顯示之立體圖。 如該圖所示’把材5 i係由以單一構件構成之梳齒狀第 1把材部分53、與以單-構件制讀餘帛2乾材部分 54)所構成組合成對應於各個齒的部分彼此不@，並接人 在背板52。藉此，能使第1材料和第2材料的合金組成二 ^化。把材51係、如上述般藉由氫脆化處理，使第2乾材部 =被脆性破壞，而第】妹片％維持其形狀殘存。因 此’此有效地分離第1材料和第2材料、並回收。 上述各^施形態中，例舉糾才為矩形者，但不限於該 專’也可以是圓形、：他开彡灿 ,θ 〃他幵遍。又，乾材不限於平面者， 也可以是圓柱形等立體形狀。 石 【圖式簡單說明】 圖1係顯示關於第i實施形態 圖2係顯示關於第i每 又祀材之俯視圖。 圖3係關於第！實施 ,材之立體圖 明圖。 〜之，續购的製造方法之說 21/25 201107512 圖4係顯示使用關於第1實施形態之濺鍍靶材的濺鍍 装置之概略構成圖。 圖5係顯示關於第2實施形態之濺鍍靶材之俯視圖。 圖6係顯示關於第2實施形態之濺鍍靶材之立體圖。 圖7係關於第2實施形態之濺鍍靶材的製造方法之說 明圖。 圖8係顯示關於變形例1之濺鍍靶材之圖。 圖9係顯示關於變形例2之濺鍍靶材之圖。 圖10係顯示關於變形例3之滅鍵把材之圖。 【主要元件符號說明】 I 濺鍍靶材 2、 22、32、42、52 背板 3、 23、33、43、53 第1靶材部分 4、 24、34、44、54 第2靶材部分 5、 25、35、45、55、25a、25b 第 1 靶材片 5’ 、25a’ 、25b’ 第 1 板 6、 26、36 第2靶材片 6’ 、26’ 第 2 板 10 濺鍍裝置 II 處理室 12 濺鍍陰極 13 磁場形成部 14 真空排氣系 15 氣體導入系 16 台 22/25 201107512
21 S 31 、 41 、 51 基材 革巴材 23/25