TW201044463A - Transparent conductive film encapsulating mesh-like structure formed from metal microparticles, substrate on which transparent conductive film is laminated, and method for producing the same - Google Patents

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201044463 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於層合有以金屬微粒子構成之網目狀構造 物內包之氧化矽作爲主成分之氧化物膜之透明導電性膜及 透明導電性膜層合基板以及其製造方法。 【先前技術】 ^ 電漿顯示器或有機EL等之顯示裝置、觸控面板等之輸 〇 入感應器、薄膜型無定型Si太陽電池或色素增感型太陽電 池等之電極中係使用具有透明性之導電性膜。 其中主要使用以透明氧化物的ITO ( In與Sn之氧化物 )或ZnO作爲主成分之薄膜，雖亦有藉由微粒子分散溶液 之塗佈法製作之情況，但爲了獲得高透明性與高導電性， 通常利用使用濺鍍裝置或蒸鍍裝置之氣相法製作。 另一方面，作爲具有導電性膜之形成法，替代如前述 Q 之藉由氣相法之連續膜之透明導電性膜，而揭示有將金屬 膜形成爲格子狀或網目狀，以金屬膜部負責導電性、以空 孔部負責光透過性之形式之不連續型導電性膜。例如，實 際上採用製作Cu膜之連續膜後將Cu蝕刻成格子狀之電漿顯 示器用之EMI遮蔽膜，又，探討有基於同樣目的而塗佈或 印刷金屬微粒子分散溶液形成具有網目狀構造之導電性部 ’進而施以電鍍之方法。任一種方法均不需要於氣相法中 所需要之真空裝置，而爲仍可確保透明性且提高導電性之 可能方法。 -5- 201044463 以往，於基板上網目狀地印刷金屬微粒子糊膏並予以 燒成之具有網目狀構造物之透明導電性膜層合基板及其製 造方法爲已知（專利文獻1)。又由金屬微粒子分散溶液 調製油包水（w/o )型乳液’塗佈於基材上並乾燥而使金 屬微粒子形成網目狀構造而在基板上形成導電性膜之方法 亦爲已知（專利文獻2及3 )。 [專利文獻1]特開2007-227906號公報 [專利文獻2]特表2005-530005號公報 [專利文獻3]特開2007-23 4299號公報 【發明內容】 [發明欲解決之課題] 爲高透過率、高導電性且具有平坦性，而且以耐熱性 與耐候性優異之材料構成之透明導電性膜及透明導電性膜 層合基板爲目前最被需求者，但仍無法獲得。 亦即，上述不連續型之透明導電性膜雖可獲得具有作 爲透明導電性膜之重要高透過率與高導電性之透明導電性 膜層合基板，但該等透明導電性膜層合基板由於其製造方 法而於透明導電性膜層合基板表面上導電性部最後必然成 爲凸起狀’使平坦性不足。因此於上部層合其他機能性薄 膜時，例如用於有機EL用電極或薄膜型太陽電池之電極時 ’會有發光效率或發電效率降低之問題。 又，層合機能性薄膜時’大多數不得不仰賴目前之氣 相法製程，且製膜時或製膜前後有必要使基板或機能性薄 -6 _ 201044463 膜層合基板加熱等而要求透明導電性膜層合基板有足夠之 耐熱性。 另外，對於在室外長時間使用而要求足夠耐熱性與性 能維持之太陽電池所用之透明導電性膜層合基板，由於隨 著時間經過會有內部所含之有機物等分解析出時將導致發 電效率降低之虞，因此期望以長時間安定之材料構成透明 導電性膜。 因此，本發明提供一種高透過率、高導電性且平坦性 ◎ 獲得改善之以耐熱性與耐候性均優之材料構成之透明導電 性膜及透明導電性膜層合基板。 [用以解決課題之手段] 亦即，本發明爲一種透明導電性膜，其爲由以將以金 屬微粒子所構成之網目狀構造物內包而成之氧化矽作爲主 成分之氧化物膜所成（本發明1 )。 Q 另外，本發明爲本發明1所述之透明導電性膜，其中 金屬微粒子爲選自Au、Ag、Cu、Pt、Pd、Fe、Co、Ni、 Al、In、Sn之金屬或包含兩種以上之前述金屬之合金（本 '發明2 )。 又’本發明爲本發明1或2所述之透明導電性膜，其中 氧化矽係使用二氧化矽微粒子、二氧化矽系化合物、聚矽 氮烷之一種以上所生成（本發明3)。 另外’本發明爲一種透明導電性膜層合基板，其係將 本發明1〜3所述之透明導電性膜層合於玻璃基板或陶瓷基 -7- 201044463 板上而成（本發明4)。 又，本發明爲如本發明4所述之透明導電性膜層合基 板之製造方法，其特徵爲於基材上形成以金屬微粒子構成 之網目狀構造物之後，透過包含二氧化矽微粒子、二氧化 矽系化合物之一種以上及有機結合劑之接著層，將網目構 造物與接著層一起轉印於玻璃基板或陶瓷基板上後，進行 加熱燒成（本發明5 )。 另外，本發明爲如本發明5所述之製造方法，其中將 以聚矽氮烷作爲主成份之溶液塗佈於前述透明導電性膜層 合基板之表面上之後，進行加熱燒成及/或加濕（本發明6 )° 又，本發明爲如本發明6所述之製造方法，其中使前 述透明導電性膜層合基板之表面進行化學性濕式蝕刻及/ 或物理性硏磨（本發明7 )。 【實施方式】 本發明之構成依循圖1所示之製造步驟更詳細說明如 下。 最先將金屬微粒子分散溶液或含有金屬微粒子之油墨 塗佈或印刷於基材1 〇上，隨後藉由加熱及/或化學處理形 成具有網目狀構造之導電性部（圖1之（A))。 接著，使用包含二氧化矽微粒子及/或二氧化砍系化 合物與有機結合劑之接著層塗佈劑2，塗佈於具有前述網 目狀構造之導電性部之基材1 〇上，經乾燥形成接著層（圖 201044463 1之（B ))。接著朝光學透過性及耐熱性優異之玻璃基板 11或陶瓷基板予以接著（圖1之（C))。確認充分接著後 去除基材10，將網目狀構造物與接著層一起轉印（圖1之 (D ))。 接著’以600°C以下之溫度加熱燒成，使前述接著層 中之有機結合劑或有機溶劑等分解•飛散，而可獲得高透 過率、高導電性且平坦性獲得改善之以耐熱性與耐候性優 異之材料構成之透明導電性膜及透明導電性膜層合基板（ ❹ 5 )(圖 1 之（E ))。 接著，爲了改善表面平坦性，於表面上塗佈以聚矽氮 烷作爲主成分之溶液後（圖1之（F ))，經加熱及/或加 濕，使聚矽氮烷玻璃化，可獲得高透過率、高導電性且平 坦性獲得改善之以耐熱性及耐候性均優之材料構成之透明 導電性膜4及透明導電性膜層合基板5 (圖1之（G ))。 又，前述爲了更提高表面平坦性經改善之透明導電性 Q 膜之平坦性及導電性，亦可使表面進行化學性濕式蝕刻及 /或物理性硏磨（蝕刻或硏磨）（圖1之（Η))。 據此，本發明中，透明導電性膜稱爲將以金屬微粒子 _ 構成之網目狀構造物予以「內包」（內含）之意，係包含 如圖1之（G)所示之使網目構造物完全埋入之樣態以及如 圖1之（Η )所示之網目狀構造物之至少一部份形成表面之 樣態。 前述接著層之形成亦可設置於玻璃基板或陶瓷基板側 ，將網目狀構造物貼合於基板上，去除基材而轉印網目狀 -9- 201044463 構造物。 本發明之金屬微粒子之金屬種類可使用An、Ag、Cu 、Pt、Pd、Fe、Co、Ni、Al、In、Sn等。或者亦可爲包含 兩種以上之前述金屬之合金。更好使用近年來於電子電路 之微細電路形成用中所用之Au、Ag、Cu、Pt' Pd或包含 兩種以上之Au、Ag、Cu、Pt、Pd之合金。 金屬微粒子係如過去所揭示，可使用氣相法、液相法 、金屬鹽之熱分解法等調製。或者，亦可使用利用前述金 屬之金屬鹽或有機金屬化合物形成網目狀構造後，經化學 性或物理性還原之方法。 金屬微粒子係調製成分散溶液或印刷用油墨，並塗佈 或印刷於基材上。據此，金屬微粒子之表面較好經適當之 表面處理劑或分散劑等處理。表面處理劑或分散劑較好使 用適度分散於各分散溶液或各印刷用油墨中之表面處理劑 或分散劑。 塗佈或印刷金屬微粒子分散溶液或包含金屬微粒子之 印刷油墨之基材需要耐受藉由金屬微粒子分散溶液或包含 金屬微粒子之印刷油墨形成具有網目狀構造之導電性部， 而有必要具有耐藥品性及耐熱性。又，就使以金屬微粒子 構成之網目狀構造物容易轉印於玻璃基板或陶瓷基板上之 方面而言，符合上述條件之基材較好爲聚對苯二甲酸乙二 酯或聚萘二甲酸乙二酯等聚酯樹脂，或聚醯亞胺樹脂、聚 醯胺樹脂等。 接著，在形成具有包含金屬微粒子之網目狀構造之導 -10- 201044463 電性部時，亦可使用專利文獻2所述之金 液之塗佈方法或專利文獻1中所述之使金 墨進行網版印刷之方法。 形成具有包含金屬微粒子之網目狀構 ’爲了提升導電性，較好在基材可耐受之 及/或化學處理。 具有包含金屬微粒子之網目狀構造之 較好爲0_4〜lOym。比〇·4"ηι薄時，無法 性。超過1〇βιη時，同時亦容易使網目部 結果是造成透過率下降。 接著’如圖1 ( B )所示以透明性高之 有具有網目狀構造之導電性部之基材之一 著層2。 又’本發明之接著層中使用之接著劑 粒子、二氧化矽系化合物之一種以上及有 主要原料。 有機物結合劑例示爲由聚氯乙烯、聚 烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁 、聚乙烯縮丁醛、聚乙烯縮乙醛、聚苯醚 (N -乙烯基咔唑）、聚乙烯吡咯啶酮、烴 苯氧樹脂、聚醯胺、氯化聚丙烯 '聚醯亞 素、乙酸乙烯酯、ABS樹脂、聚胺基甲酸 聚氰胺樹脂、不飽和聚酯樹脂、酚醛樹脂 砂氧樹脂及該等之共聚物所組成群組之至 屬微粒子分散溶 屬微粒子分散油 造之導電性部後 範圍內進行加熱 導電性部之厚度 獲得充分之導電 份之線寬變寬， 接著劑被覆形成 面整面，形成接 係以二氧化矽微 機物結合劑作爲 碳酸酯、聚苯乙 酯、聚酯、聚颯 、聚丁二烯、聚 樹脂、酮樹脂、 胺、尿素、纖維 酯、酚樹脂、三 、環氧樹脂、聚 少一種，及該等 -11 - 201044463 任意之混合物。 二氧化矽微粒子、二氧化矽系化合物可使用將膠體狀 態之二氧化矽微粒子分散於水或有機溶劑中而成之膠體二 氧化矽、矽酸烷酯、矽烷偶合劑或該等之混合物等。 上述膠體二氧化矽較好爲粒徑（直徑）在1〜5 Onm左右 之超微粒子者。又，本發明中之膠體二氧化矽之粒徑爲以 BET法測定之平均粒徑（利用BET法測定表面積，將粒子 作爲真球換算而算出平均粒徑）。 上述膠體二氧化矽爲習知者，至於市售者可列舉爲例 如以「甲醇二氧化矽溶膠」、「MA-ST-M」、「IPA-STj 、「EG-ST」、「EG-ST-ZL」、「NPC-ST」、「DMAC-ST」、「MEK-ST」、「XBA-ST」、「MIBK-ST」（以上 爲日產化學工業（股）製品，均爲商品名），「 OSCAL1132」、「OSCAL1 232」、「OSCAL 1 3 3 2」、「 OSCAL1 432」、「OSCAL 1 53 2」、「OSCAL 1 63 2」、「 0SCAL1 132」（以上爲觸媒化成工業（股）製品，均爲商 品名）銷售者。 上述矽酸烷酯舉例爲例如矽酸甲酯、矽酸乙酯、矽酸 丁酯、或者使該等與溶劑、水、水解聚合觸媒一起混合， 藉由水解•聚合獲得之水解聚合反應物。 上述矽烷偶合劑列舉爲甲基三甲氧基矽烷、二甲基二 甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、 甲基三乙氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、苯基三乙氧基 矽烷、二苯基二乙氧基矽烷、異丁基三甲氧基矽烷、乙烯 -12- 201044463 基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基叁 甲氧基乙氧基）矽烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧矽烷、甲基-3,3,3-三氟丙基二甲氧基矽烷、；5-(3,4-環氧基環己基） 乙基三甲氧基矽烷，7-縮水甘油氧基甲基三甲氧基矽烷 、r -縮水甘油氧基甲基三乙氧基矽烷、r -縮水甘油氧基 乙基三甲氧基矽烷、r-縮水甘油氧基乙基三乙氧基矽烷 、r-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、7-縮水甘油氧基 丙基三甲氧基矽烷、7-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷 〇 、r -縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、7 - ( /3 -縮水甘油 氧基乙氧基）丙基三甲氧基矽院、7-(甲基）丙烯醯氧 基甲基三甲氧基矽烷、r-(甲基）丙烯醯氧基甲基三乙 氧基矽烷、r-(甲基）丙烯醯氧基乙基三甲氧基矽烷、 r-(甲基）丙烯醯氧基乙基三乙氧基矽烷、r-(甲基） 丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、r-(甲基）丙烯醯氧基 丙基三甲氧基砂院、(甲基）丙輝酿氧基丙基三乙氧 q 基矽烷、r-(甲基）丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、丁 基三甲氧基矽烷、異丁基三乙氧基矽烷、己基三乙氧基矽 烷、辛基三乙氧基矽烷、癸基三乙氧基矽烷、丁基三乙氧 基矽烷、異丁基三乙氧基矽烷、己基三乙氧基矽烷、辛基 三乙氧基矽烷、癸基三乙氧基矽烷、3 -脲基異丙基丙基三 乙氧基矽烷、全氟辛基乙基三甲氧基矽烷、全氟辛基乙基 三乙氧基矽烷、全氟辛基乙基三異丙氧基矽烷、三氟丙基 三甲氧基矽烷、N-/3 (胺基乙基）7-胺基丙基甲基二甲 氧基矽烷、N-/3 (胺基乙基）r-胺基丙基三甲氧基矽烷 -13- 201044463 、N-苯基-7 -胺基丙基三甲氧基矽烷、r —锍基丙基三甲氧 基矽烷、三甲基矽烷醇、甲基三氯矽烷等。 本發明之接著層中所含之該二氧化矽微粒子、二氧化 矽系化合物之含量較好在接著層中之10重量％至80重量％ 之範圍。該二氧化砂微粒子、二氧化砂系化合物之含量在 上述範圍以外時，最後獲得之透明導電性膜層合基板之平 坦性變差故而不佳。 又’接著層中亦可適當地、因應需要而使用紫外線吸 收劑、著色顏料、抗靜電劑、抗氧化劑、矽烷偶合劑等作 爲添加劑。 接著層亦可取代設置於基材側而設置於被轉印基板（ 玻璃基板或陶瓷基板）之一面。 作爲接著層之形成方法可使用將上述接著劑材料溶解 於有機溶劑或水中’或者分散於水中調整黏度，製備塗佈 劑，且利用凹版塗佈、旋轉塗佈等習知之塗佈法予以塗佈 乾燥。 接著層之厚度較好爲0.5〜50// m，更好爲1 .〇~30// m。 接著層之厚度小於0.5 // m時會有無法對基板獲得充分接著 性之情況故而不佳。又，接著層之厚度比5 0 β m厚時，於 下一步驟加熱燒成時之燒成時間變長故而不佳。 接著如圖1 ( C)所示’貼合基材與玻璃基板i !後，依 據需要進行加熱處理 '加壓處理等，將基材剥離，而將透 明導電性膜轉印於玻璃基板1 1上。轉印方法可使用習知之 轉印方法’只要對應於所使用之基材與被轉印基板之材質 •14· 201044463 、接著層而適當選擇即可。例如，可使用以層合機轉印之 方法，以壓製機轉印之方法，以加熱頭熱轉印之方法等。 接著使用通常使用之加熱燒成爐加熱燒成轉印有透明 導電性膜之基板，使有機物結合劑分解•飛散。此處，加 熱燒成溫度以在3 00〜600 °C之溫度範圍內進行較佳。加熱 燒成溫度低於3 00 °C時，不僅燒成步驟時間拉長，造成生 產性下降，且有機結合劑之一部份未經分解•飛散而殘留 於透明導電膜中，有使透過率降低之可能性故而不佳。另 〇 —方面，加熱燒成溫度高於600 °c時，亦有玻璃基板產生 翹曲之情況故而不佳。 加熱燒成時間只要對應於所使用之有機物結合劑與燒 成溫度一起調整即可，通常處理5分鐘至1 0小時左右即可 ，而無特別限制。 由前述製法可獲得爲高透過率、高導電性且具有平坦 性且以耐熱性與耐候性優異之材料構成之透明導電性膜及 Q 透明導電性膜層合基板。 再者，前述透明導電性膜層合基板，隨著具有包含金 屬微粒子之網目狀構造之導電性部之金屬種類、膜厚、線 寬及加熱燒成時之加熱溫度、時間，而有因二氧化矽微粒 子及/或二氧化矽系化合物與金屬微粒子之體積收縮率差 異引起表面平坦化惡化之情況。因此，針對更改善表面平 坦性之方法說明如下。 首先，將以聚矽氮烷作爲主原料之溶液塗佈於利用上 述製作方法獲得之透明導電性膜層合基板之表面。 -15- 201044463 聚矽氮烷爲具有- SiRS-NR^-SiR^- ( R1及R2各獨立表 示氫原子或烴基）矽氮烷鍵之直鏈狀或環狀化合物之總稱 ，藉由加熱或與水反應使Si-NR2-Si鍵分解形成Si-0-Si網 絡之材料。本發明中較好使用上述通式之R1、R2爲氫之全 氫聚矽氮烷，或R2爲甲基之部分有機化之聚矽氮烷。 以聚矽氮烷作爲主原料所調製之溶液中，爲了提高聚 矽氮烷之矽氮烷鍵之反應性，亦可包含金屬微粒子觸媒（ Pd微粒子等）或胺觸媒。 以聚矽氮烷作爲主原料之溶液中，聚矽氮烷之含量較 好爲4〇wt%以下。更好爲20wt%以下。比40wt%濃時，塗佈 時會有黏度上升之情況，或有儲存安定性之問題故而不佳 。濃度之下限値並無特別限制，但在1 wt%以下時，爲了獲 得期望之厚度而需要重複塗佈，故生產性變差而不佳。 以聚矽氮烷作爲主原料之溶液中所使用之溶劑只要是 可使聚矽氮烷急速溶解且不與聚矽氮烷反應之溶劑則無特 別限制。具體而言舉例爲脂肪族烴、芳香族烴、酮類、酯 類 '醚類、鹵化烴類等。該等溶劑可單獨使用亦可混合使 用。就聚矽氮烷之溶解性及與聚矽氮烷之低反應性而言， 較好爲辛烷、壬烷、癸烷、十一碳烷、十二碳烷、十三碳 院、十四碳烷等脂肪族烴，苯、甲苯、二甲苯等芳香族烴 〇 塗佈以聚矽氮烷作爲主原料之溶液之方法並無特別限 制’列舉爲例如浸漬塗佈法、旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、 柔版印刷法、網版印刷法、凹版印刷法、輥塗法、半月板 -16- 201044463 (meniscus)塗佈法、模嘴塗佈法等。 塗佈以聚矽氮烷作爲主原料之溶液後，在大氣中，以 100〜5 0 0 t將層合有前述氧化矽凝膠體膜之玻璃基板加熱 1 〇分鐘至24小時，使之玻璃化，可獲得表面平坦性獲得改 善之透明導電性膜層合基板（圖丨之（H))。 或者’可在大氣中室溫下靜置1週至4週而玻璃化，獲 得表面平坦性獲得改善之透明導電性膜層合基板。 於大氣中1 〇〇 °C以下加熱時，較好經加濕。藉由加濕 〇 可促進矽氮烷鍵之反應，而縮短用以玻璃化之靜置時間。 再者，爲了提高由上述製法獲得之透明導電性膜層合 基板之表面性與導電性，較好進行化學性濕式蝕刻法及/ 或物理性硏磨法（蝕刻或硏磨）。 化學性濕式鈾刻法通常係在玻璃之濕式蝕刻時使用， 係使用氟酸、氟化銨等之混酸，較好使用市售之玻璃蝕刻 劑（例如，Fro s tec公司製造之玻璃蝕刻劑等）。 Q 蝕刻條件較好邊確認透明導電性膜基板之表面平坦性 及導電性邊適當決定最適宜條件而進行。 物理性硏磨法可使用一般玻璃硏磨布、玻璃硏磨裝置 '等。在大面積下要求高速作業性之情況下，亦可使用顯示 器玻璃硏磨用之市售裝置等進行硏磨。 本發明之透明導電性層合基板中之表面電阻値較好爲 100 Ω /□以下，更好爲50 Ω /□以下，又更好爲10 Ω /□以 下。在1 00 Ω /□以上時，難以稱爲高導電性膜而不佳。 本發明之透明導電性膜層合基板中之中心線表面粗糙 -17- 201044463 度（Ra)較好爲i_〇#m以下，更好爲〇.5#ηι以下，又更好 爲0.1 # m。大於1.〇 " „1時，層合機能性薄膜時由於機能降 低故而不佳。 本發明之透明導電性膜層合基板中之全光線透過率較 好爲60%以上，更好爲70%以上，又更好爲80%以上。60% 以下時，難以稱爲高透明性故而不佳。 [實施例] 本發明之代表性實施例如下。 實施例中雖描述銀微粒子之例作爲金屬微粒子，但並 不限定金屬種類。 透明導電性膜層合基板之表面粗糙度係使用觸針式表 面粗糙度計（DEKTAK製造）測定中心線表面粗糙度（Ra )° 表面電阻係使用MCP-T600 (三菱化學股份有限公司 製造）’測定試料之三點，以其平均値作爲表面電阻値。 全光線透過率係使用濁度計ND Η 2 0 0 0 (日本電色工業 股份有限公司製造），測定試料三點之全光線透過率，以 其平均値作爲透過率。 <銀微粒子1之調製法> 添加硝酸銀40g、丁基胺37.9g、甲醇200 mL，攪拌1 小時’調製A液。另取62.2g之異抗壞血酸，添加400 mL水 攪拌使之溶解’接著添加200 mL甲醇調製B液。充分攪拌 -18- 201044463 B液且在1小時20分鐘內將A液滴加於B液中。滴加結束後 ’持續攪拌3小時30分鐘。攪拌結束後，靜置3〇分鐘使固 體成分沉降。以傾析去除上澄液後，重新添加水500mL， 攪样 '靜置、藉傾析去除上澄液。重複該純化操作三次。 使沉降之固體成分在4〇°C之乾燥機中乾燥，去除水分。接 著’將20g所得之銀粒子與〇.2g Disperbyk-106(曰本BYK 公司製造）混合於1 〇〇 mL甲醇與5 mL純水之混合溶液中， 混合1小時後’添加1 0 0 m L純水，過濾漿料後，在4 0 t：之 〇 乾燥機中乾燥’獲得銀微粒子1。銀微粒子1以電子顯微鏡 觀察之一次粒子平均粒徑爲60nm。 <銀微粒子分散溶液2之調製法 > (參考日本特表2〇〇5-5 3 0 0 0 5 調製） 混合4g之銀微粒子1、30g甲苯、〇.2g BYK-410(日本 BYK公司製造）’以輸出功率18 0W之超音波分散機進行分 Q 散化處理1.5分鐘’添加l5g純水，以輸出功率180W之超音 波分散機分散處理所得乳濁液體3 0秒，調製銀微粒子分散 溶液2。 <包含銀微粒子之網目狀構造物之製法> 以塗佈棒塗佈器將銀微粒子塗佈於厚度100# m之聚對 苯二甲酸乙二酯樹脂基材（以下稱爲PET基材）上後，使 之乾燥而在PET基材上製作使金屬微粒子連結成網目狀之 透明導電性膜。接著，在大氣中以7 0 t進行熱處理3 0秒， -19- 201044463 以提高導電性部位之導電性，接著在包含甲酸蒸汽之氛圍 中，以70°C熱處理3〇分鐘，製作層合有以銀微粒子構成之 網目狀構造物之基材。 實施例1 : 在層合有由上述方法製作之包含銀微粒子之網目狀構 造物之PET基材上，以乾燥後之厚度成爲5 /z m之方式塗佈 下述接著層塗佈液1，於100 °C之溫度下使其乾燥5分鐘形 成接著層。 〈接著層塗佈液1> 將8g聚乙烯縮丁醛樹脂（積水化學製，S-REC BL-2) 溶解於52g正丁醇中之後，添加40g之二氧化矽溶膠之甲醇 分散體（氧化矽溶膠30重量％，平均粒徑15nm )並經攪拌 ，製作接著層塗佈液1。 〈轉印> 於厚度lmm之玻璃基材表面上，使形成有包含銀微粒 子之網目狀構造物與接著層之PET基材之形成有接著層之 表面對向，使用熱層合機（大成層合積製，大成FAST LAMINATOR V A11 - 7 0 0 )於1 8 0 °C熱壓著，放置至室溫下 之後，剝離PET基材將包含銀微粒子之網目狀構造物及接 著層轉印於玻璃基板上。 -20- 201044463 <加熱燒成> 將層合有包含前述銀微粒子之網目狀構造物及接著層 之玻璃基板於加熱至5〇〇°C之燒成爐（Advantech東洋股份 有限公司製造，電氣高溫爐（muffl e furnace ) KM-2 8 0 ) 中加熱燒成3 0分鐘，製作層合有透明導電性膜之玻璃基板 <平坦化> 〇 使用旋轉塗佈機將全氫聚矽氮烷（AZ-電子材料公司 製造，商品名：AQUAMICA NP-110)塗佈於前述透明導 電性膜層合基板表面上。 接著，以250 °C燒成3小時，使全氫聚矽氮烷玻璃化， 獲得層合有具有以銀微粒子構成之網目狀構造物、以氧化 矽作爲主成分之氧化物膜之透明導電性膜層合基板。 中心線平均粗糙度（R a )爲0.3 // m，相較於過去之透 Q 明導電性膜之表面平坦性優異。表面電阻値爲5 Ω / □，全 光線透過率爲8 1 %。作爲耐熱性試驗，在3 0 0 °C下加熱一小 時之耐熱性試驗，具有與加熱前相同之表面電阻値與全光 線透過率。 實施例2 : 與上述實施例1同樣，製作層合有具有以銀微粒子構 成之網目狀構造物、以氧化矽作爲主成分之氧化物膜之透 明導電性膜層合基板。 -21 - 201044463 接著，使用市售玻璃蝕刻劑硏磨處理透明導電性膜層 合基板之表面，製作成改善表面性之透明導電性膜層合基 中心線平均粗糙度（Ra )爲0· 1 // m，表面平坦性獲得 改善。表面電阻値爲3 Ω /□，全光線透過率爲8 1 %。 比較例1 : 以上述方法將銀微粒子分散溶液塗佈於PET基材上並 乾燥，實施熱處理及化學處理，層合包含銀微粒子之網目 狀構造物。表面電阻値爲6Ω /□，全光線透過率爲86%。 以表面粗糙度計測定之中心線平均粗糙度（Ra )爲 1 · 2 // m，爲缺乏平坦性之表面。作爲耐熱性試驗，於3 0 0 °C加熱一小時後，PET薄膜收縮同時變成黃色，而喪失作 爲透明導電性膜之機能。 [產業上之可能利用性] 本發明之透明導電性膜及透明導電性膜層合基板在低 電阻下爲高透過率，耐熱性及平坦性優異，本發明之透明 導電性膜及透明導電性膜層合基板之製造方法可在不使用 特殊裝置下輕易地製作，故適用於薄膜型太陽電池或有機 EL用之透明電極。 【圖式簡單說明】 圖1爲顯示本發明之透明導電性膜層合基板之製造方 -22- 201044463 法之流程圖。 【主要元件符號說明】 1 :以金屬微粒子構成之網目狀構造物 2 :二氧化矽塡充劑混合系接著層 3 :聚矽氮烷溶液 4 :透明導電性膜 5 :透明導電性膜層合基板 〇 10 :基材 1 1 :玻璃基板

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Claims (1)

1. 201044463 七、申請專利範圍： 1. 一種透明導電性膜，其特徵爲其係由以將以金屬微 粒子所構成之網目狀構造物內包而成之氧化矽作爲主成分 之氧化物膜所成。 2. 如申請專利範圍第1項之透明導電性膜，其中金屬 微粒子爲選自 Au、Ag、Cu、Pt、Pd、Fe、Co、Ni、A1、 In、Sn之金屬或包含兩種以上之前述金屬之合金。 3. 如申請專利範圍第1或2項之透明導電性膜，其中氧 化砂係使用二氧化砂微粒子、二氧化矽系化合物、聚砂氮 烷之一種以上所生成。 4. 一種透明導電性膜層合基板，其特徵爲將申請專利 範圍第1至3項之透明導電性膜層合於玻璃基板或陶瓷基板 上而成。 5. 如申請專利範圍第4項之透明導電性膜層合基板之 製造方法’其特徵爲於基材上形成以金屬微粒子構成之網 目狀構造物之後’透過包含二氧化矽微粒子、二氧化矽系 化合物之一種以上及有機物結合劑之接著層，將網目構造 物與接著層一起轉印於玻璃基板或陶瓷基板上後，進行加 熱燒成。 6. 如申請專利範圍第5項之製造方法，其中將以聚矽 氮烷作爲主成份之溶液塗佈於前述透明導電性膜層合基板 之表面上之後’進行加熱燒成及/或加濕。 7 .如申請專利範圍第6項之製造方法，其中使前述透 明導電性膜層合基板之表面進行化學性濕式蝕刻及/或物 理性硏磨。 -24-