201044108 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種保護基板表面的特定區域的保 護技術。 【先前技術】 光钱刻微影製程中，以曝光光線照明光罩，以來自 〇 該光罩的曝光光線而使用曝光基板的曝光裝置。光罩配 備有光罩基板（mask blanks)以及保護該光軍基板表面 的圖案區域的保護裝置。保護裝置配備有連接光罩基 板’被稱為薄膜框（pellicle fraine)的框部’以及展開 设置於該框部，被稱為薄膜（pellicle)的薄膜部。下列 專利文件中揭露了關於光罩技術的一個例子。 【先前技術文件】 【專利文件1】特許第4043232號公報 Q 在以往的光罩由於會對應光罩基板的撓曲而薄膜 部也撓曲’例如照射光於薄膜部表面，來檢測該表面狀 態（例如有無異物）時，因薄膜部的位置使光照射條件 或光檢測條件產生變化，而可能發生檢測不良的狀況。 本發明之實施形態之目的係為提供一種能抑制薄 膜部撓曲的保護裂置、光罩、光罩形成裝置以及光罩形 成方法。又’本發明之實施形態之目的，係為提供一種 經由抑制薄膜部撓曲的光罩而能曝光基板的曝光裝置 以及組件製造方法。又，本發明之實施形態之目的，係 3 201044108 為提供一種在抑制薄膜部撓曲的光罩的薄膜部表面檢 測異物的異物檢測裝置。 【發明内容】 依照本發明的第一實施形態，提供一種保護裝置， 保護一基板表面的一特定區域，包括：一框部，包含沿 著一第一方向配置且彼此相對的一對可撓部，該框部係 連接於該基板表面並包圍該特定區域的周圍；以及一薄 膜部，面對該特定區域而被展開設置於該框部，並閉塞 以該框部所形成的一開口部，該可撓部具有該薄膜部側 的端面向連接該基板的一連接部側凹著的彎曲形狀。 依照本發明的第二實施形態，提供一種光罩，包 括：一基板，具有圖案區域於表面；一第一實施形態的保 護裝置，連接於該表面，保護該圖案區域。 依照本發明的第三實施形態，提供一種在基板表面 設置圖案區域的光罩，包括：一框部，包含沿著一第一 方向配置且彼此相對的一對可撓部，該框部係連接於該 基板表面並包圍該圖案區域的周圍；以及一薄膜部，面對 該圖案區域而被展開設置於該框部’並閉塞以該框部所 形成的一開口部，其中該可撓部是該基板的該第一方向 的兩端部從該薄膜部侧被支持的狀態下，該可撓部的該 薄膜部側的端面具有成為平坦的形狀。 依照本發明的第四實施形態，提供一種光罩形成裝 置，該光罩包括具有圖案區域於表面的一基板以及連接 於該表面並保護該圖案區域的一第一實施形態的保護 201044108 裝置’該光罩形成裝置包括一按壓機構，包含按壓該芙 板的一第一按壓部與按壓該框部的一第二按壓部 ， 圖案區域與該薄膜部處於相對狀態下，使該第— ^ 與該第二按壓部至少其中之一移動’將該：板：該：: 往彼此接近方向按壓，其中該第一按壓部或該第二广 部具有一接觸部，該接觸部沿著與該可撓部的該: 狀對應的曲線，接觸該基板或該框部。 7 Ο Ο 依照本發明的第五實施形態，提供—種光 法，形成的該光罩包括具有圖案區域於表面的板以 及連接於該表面並保護該圖案區域的—二 的保瘦裝置，其步驟包括··使按壓縣板的 的：第二按壓部’沿著與該可撓部的該 與該薄膜部處於相對狀態下，使該匕= 往彼此接近方•壓1、中㈣’將絲板與該框部 勺括依發明的第六實施形態，提供-種曝光裝置， 使該光罩移匕或第三實施形態的-光罩’ 移動裝置ί曝光光線的一照射區域；以及一基板 ，隹持—感光基板，使該感光基板移動至經由 “膜部^3_該照㈣域’其中該光罩台係從 J/支持該光罩的該第一方向的兩端部。 本發明的第七實施形態，提供一種組件製造方 所具有步驟包括：轉寫如第二或第三實施形態之一光罩 /、的一圖案於一感光基板，該圖案具有之光罩;根據 201044108 5亥圖案加工已轉寫該圖案的該感光基板。 2本發明的第八實施形態，提供—種組件製 包括：採用第六實施形態的曝光裝置，轉寫 =ϊΐ /、有之—圖案於該感光基板;根據該圖案加工已 轉寫该圖案的該感光基板。 3本發明的第九實施形態’提供一種異物檢測聚 罝，匕栝.一支持部，從該薄膜部側支持第二 的光罩的該第一方向的兩端部;以及一檢測部，將 Ο t者該第一方向以線狀照射於該薄膜部的表面並接 叉散射光，根據該散射光的接受結果 膜部的表面的異物。 根據本發明實麵態’能抑制賴基板表面的 區域的保護裝置所具有薄膜部的撓曲。 【實施方式】 以下參,¾圖式來說明關於本發明的實施形態，但並 非用來限制本發明。在以下的說明，設定χγζ直角坐 私系，參照該ΧΥΖ直角坐標系來說明關於各部的位置◎ 關係。水平面内的特定方向為χ軸方向，在水平面内垂 直於X軸方向為γ軸方向，χ軸方向以及丫軸方向分 別垂直的方向（即鉛直方向）為Ζ軸方向。又，χ軸、 Υ軸以及Ζ軸周圍的回轉（傾斜）方向分別為0χ、0γ 以及θ Ζ方向。 〈第一實施形態> 說明關於第一實施形態，第一圖為第一實施形態之 6 201044108 例示光罩Μ之平面圖，第二圖與第三圖為光罩Μ的侧 面圖。第一圖是從-Ζ側看光罩Μ的圖，第二圖是從-X 側看光罩Μ的圖’第三圖是從-γ側看光罩μ的圖。 在第一圖、第二圖以及第三圖中，光罩Μ包括光罩 基板1與保護裝置2，光罩基板丨在表面（下面）具有 圖案區域ΡΑ，保護裝置2連接於光罩基板1，保護設置 於該光罩基板1的表面的圖案區域ρΑ。 Ο
光罩Μ具有上面（向+Z侧的表面）ία與面對上面 1Α的下面（向_ζ側的表面）1Β。保護裝置2被配置於 光罩基板1的下面1Β的對向。 第一圖、第二圖以及第三圖表示沒有重力作用狀態 下的光罩Μ。在第一圖、第二圖以及第三圖中，光罩Μ 被配置為大致平行於光罩基板丨的表面（1Α、1Β)與 ΧΥ平面。在下面的說明中，沒有重力作用的狀態被稱 為適當:基準狀態。因此，在第—圖、第二圖以及第三 圖中表不基準_的光罩Μ。在基準狀態，光罩基板i 的上面1A與下！^ 1B被轉為與χγ平面平行的平面形 光罩土板即所谓空白光罩（mask blanks )，且有 光透過性的基板（破璃基板）盥配 ^ 光膜。基板為例如以石—沾试: 、〜土板表面之遮 以鉻ίΓτΟ 士 央玻璃為主成分。遮光膜為例如 » "成分。遮光膜於基板上圖案化，形成光 ^案。光罩圖案（遮光膜） 叫的周緣部以外的區域（中央 ζ下面 圖案區域ΡΑ相當於該中央區域。 '中’ 7 201044108 保屢裝置2包括-薄膜框部4與一薄膜部5，薄膜 卩4係連接於光罩基板}的下面，包圍圖案區域 A周圍。薄膜部5係面對圖案區域pA而被展開設置於 f膜框部4，朗塞以該框部所形成的開口部4K。薄膜 樞部4包含一對可撓部3 ’係沿著Y軸方向被配置並彼 此相對。 4膜框σ卩4疋以例如黑氧化銘膜（aiumite)處理的 叙所形成。薄膜5是以例如纖維料所形成。且薄膜框 4 4也此以合成樹脂等來形成。 、薄膜框部4具有Y軸方向長的一對第一部分4A， 以及與Y軸方向略成直角的W方向長的—對第二部分 ，被連接於光罩基板1。第一部分4A與第二部分4B 彼此連接，在平面視角形成矩形的框體與開口部4K。 又’薄膜框體4的第一部分4Α與第二部分4Β的圖中+ζ 側面為第一端面6,該第一端面6被連接於光罩基板j。 光罩基板1的下面1Β具有相對於第一端面6的第一區 域AIU，以及第-區域AR1周圍的第二區域AR2。 ★薄膜5被展開設置於第二端面7，該第二端面7為 第一部分4A與第二部分4B的圖中_z側面。薄膜5與 光罩基板1之間’以薄膜框體4形成特定間隔。 第一部分4A包含可撓部3,可撓部3配置於第一部 分4A。也就疋§兒第一部分4A的至少一部分為可撓性。 如第二圖所示，在基準狀態下，第一部分4A的第 —鳊面7的至少一部分為非平行於第一端面6 (圖中不 平行於XY平面）。本實施形態中，包含可撓部3的第一 万面’在基準狀態下
201044108 = 形狀，形狀是在基準狀態下薄膜5 構成連接光罩基板1的連接部側的第 的第凹著。又，在本實施形態中，包含可繞部3 从具有在基準狀態下薄膜5侧的第二端面7 化者特疋的撓曲曲線R1存在的彎曲形狀。 rt 面^平坦，大致平行於Χγ平面（光罩基板丨的下^ )。也就是說，包含可撓部3的第一部分4A，在光 :，1侧的第一端面6為平坦的狀態下，薄膜5側 -端面7沿著特㈣撓曲曲線R1於光罩 凹的彎曲形狀。 形成 在本實施形態，第-部分4A中關於Z軸方向 -端面6與第二端面7之間的距離（高度）出，對 於Y軸方向的位置而有變化。距離H1關於γ軸方^， 在第-部分4Α的大致中央部為最短，往+ ^、 側端逐漸變長。 ㈣與々 也就是說，在本實施形態，第一部分4Α的第二 面7在+Ζ方向（光罩基板1側）具有凹的凹部8。 部8的頂點被配置於關於γ軸方向第二端面7的大= 央。 〒 凹部8疋根據包含頂點的曲面部8Α，關於γ轴方 向從曲面部8Α向第二端面7的+Υ側並向下方傾斜 一傾斜部8Β’以及從曲面部8Α向第二端面7的彳側 向下方傾斜的第二傾斜部8C而被提供。第—部分4八的 第二端面7的+Υ側端與-Υ侧端，與第二部分4β的二 9 201044108 端面7平滑地結合。 在本實施形態的基準狀態中，第二部分4B的第二 端面7約為平坦，大致平行於XY平面。同樣在基準狀 態下，第二部分4B的第一端面6約為平坦，大致平行 於XY平面。 也就是說，薄膜框部4中包含可撓部3的第一部分 4A與相異的第二部分4B，使薄膜5側的第二端面7以 及光罩基板1的連接部側的第一端面6平行而被形成。 又，第二部分4B的第一端面6與第二端面7為平 行，並非嚴格地限定為平行的狀況，實質上也包含大致 平行的狀況。又，在第二部分4B的第一端面6與第二 端面7較佳為平行，但也並不限定為平行，例如也可以 使彼此傾斜而形成。 在本實施形態XY平面内的光罩基板1的形狀為矩 形。在本實施形態XY平面内的光罩基板1的形狀為以 X軸方向長的長方形。 開口部4K係被形成於一對的第一部分4A以及一對 的第二部分4B的内側。XY平面内的開口部4K的形狀 為矩形。做為本實施形態的一例，關於Y軸方向之第一 部分4A的長度較關於X軸方向之第二部分4B的長度 為短。在本實施形態XY平面内的開口部4K的形狀為 以X轴方向長的長方形。 第四圖表示從薄膜5側以特定支持部材9支持光罩 基板1的Y軸方向的兩端部的狀態。第四圖所示為重力 作用狀態下的光罩M。光罩Μ能以支持部材9來支持光 201044108 罩基板1的下面1B的第二區域AR2。 如第四圖所示，支持部材9在保護裝置2 (薄膜框 部4)的外側’支持光罩基板1的下面1B的Y軸方向 的兩端部。光罩基板1的下面1B的Y軸方向的兩端部， 係在設置保護裝置2的光罩基板1的下面1B内，光罩 基板1的Y軸方向的邊緣與保護裝置2之間的區域。 如第四圖所示’本實施形態中，包含可撓部3的第 一部分4A在光罩基板1的γ軸方向的兩端部從薄膜5 側（-Z側）以支持部材9而被支持的狀態下，該第一部 分4 A的第二端面7被形成為平坦形狀。 也就是說’光罩基板1的下面1B的γ軸方向的兩 端部被支持的狀況’經由重力作用，換言之，以光罩M 的本身重量來撓曲光罩基板1。又，經由撓曲光罩基板 1’該光罩基板1所連接的薄膜框部4的第一部分4A(可 撓部3)也會對應光罩基板1的撓曲而撓曲。 本實施形態中，以本身重量將光罩基板丨往名側凸 出撓曲時，使薄膜框部4的第二端面7大致為平坦，也
就是說大致平行於XY平面，在基準狀態下第一部分4A 的第二端面7的撓曲曲線R1被決定。因此，如第四圖 所示，以本身重量將光罩基板丨撓曲時，第二端面7為 大致平坦。 在本實施形態的基準狀態，第—部分4A的第二端 邱^的撓曲曲線R1 ’在光罩基板1的Y軸方向的兩端 ^缚膜5側被支持的狀態下，成為與衫基板】的下 的圖案區域PA所形成的撓曲曲線R2是互補的曲 201044108 線（即對稱於χγ平面的曲線）。 在第四圖中支持部材9使光罩基板1的下面1B Y軸方向的兩端部與χγ平面大致平行，而支持該光罩 基板1的下面1Β。在本實施形態的基準狀態，第」 4Α的第二端面7的撓曲曲線iU，在光罩基板1的^二 轴7的兩端部與XY平面大致平行的狀態下， 從溥Μ 側支持該光罩基板丨的γ軸方向的兩端部 大致相等於光罩基板i的下面1Β的圖案區域 ’ 的撓曲曲線R2。 Α所形成 又，光罩基板丨的γ軸方向的兩端部從 支持的狀態下，第一部分4Α的第一端面6的挽曲= R3’大致相等於在絲罩基板丨的γ財向的兩端邱從 _ 5側被支持的狀態下的光罩基板〗 案區域Μ所成撓曲曲線R2。 卸1β的圖 也就是說’光罩基板i的γ軸方向的兩端部從 5側被支持的狀態下的第一部分4a的第一端面6，使第 4伤4A的第二端面7為平坦而撓曲。光罩基板1 Y軸方向的兩端部從薄膜5側被支持的狀態下的 分4A的第-端面6的撓曲曲線R3，成為與在基準狀^ =-部分4A的第二端面7的撓曲曲線R = 線（即對稱於XY平面的曲線）。 _曲 如上所述’本實施形態中，以本身 側凸出撓曲時，使薄膜框部4的第二端 為平坦’也就是說大致平行於灯平面。換句話％ 膜框部4的第二端面7係沿著χγ平面以大財行配 201044108 置，而包含可撓部3的第一部分4A撓曲。又，以本身 重量將光罩基板1往-Z側凸出撓曲時，被配置於該薄膜 框部4的薄膜5也沿著XY平面被配置。換句話說，本 實施形態中’以本身重量將光罩基板1往-Z侧凸出撓曲 時’薄膜5沿著χγ平面被配置，而包含可撓部3的第 一部分4Α撓曲。
又’第二端面7的撓曲曲線Ri能以例如預備實驗 或模擬等來獲得。撓曲曲線R1可為根據例如光罩基板J 的厚度、光罩基板的支持部的γ軸方向間隔、關於光罩 基板1的剛性的物性值以及光罩基板1的比重中任選至 少一來決定。 光罩基板1的厚度是上面1A與下面1B間的距離。 光罩基板1的支持部的γ軸方向的間隔，是以γ軸方向 被配置的兩個支持部材9支持光罩基板1的部分的γ軸 方向的間隔。關於光罩基板1的剛性的物性值，包含楊 氏模數（Youpgs modulus)、蒲松比（p〇isson，srati〇)、 斷面係數以及剪力模數（shearm〇dulus)中任選至少一。 第五圖、第六圖以及第七圖顯示關於比較例的光罩 MJ。在基準狀態下，設置於光罩MJ的薄膜框部4J的第 一端面6J與第二端面7J為平坦、大致平行。又，在基 準狀恶下，設置於光罩Mj的薄膜5J大致平行於χγ 面。 第六圖與第七圖為第五圖所示的光罩MJ的 板1J的Y軸方向的兩端部，從薄膜51側支持 ς 的形狀顯示圖。第六圖為第五圖的Α 專膜 13 201044108 線、A3-A3線、A4-A4線各自的剖面圖。第七圖為第五 圖的B1-B1線、B2-B2線、B3-B3線、B4-B4線各自的 剖面圖。 如第六圖與第七圖所示，關於比較例的光罩MJ是 對應以自體重量導致光罩基板U的撓曲，薄膜5J未被 配置於XY平面内而撓曲。 如參照第一〜四圖所說明，以本實施形態的光罩 M，就算是以自體重量而光罩基板被撓曲的狀況，能抑 制薄膜5的撓曲’也能將薄膜5配置於χγ平面内。 ◎ 接下來說明關於本實施形態的光罩Μ的形成方法 的一例。第八圖是關於本實施形態的光罩Μ的形成裝置 1〇〇的例示圖。如第八圖所述，形成裝置1〇〇包括：第 一部材101、第二部材102。第一部材101具有第一面 101Ρ此相對於光罩基板1的上面1Α。第二部材102具 有第二面102Ρ能相對於薄膜框部4的第二端面7。第一 部材1〇1為按壓光罩基板1的按壓墊（按壓部），第二 部材102為按壓薄犋框部4的按壓墊（按壓部）。第一 面101Ρ與第一面102Ρ為分別鄰接於上面ία與第二端〇 面7的按壓面。 ^ 至少:第一部材101與第二部材1〇2能以促動哭 (圖未顯示）來驅動。形成裝置1〇〇在第一部材ι〇ι ^ 第二部材1G2間，配置光罩基板1與祕框部4，使ΐ 一面101Ρ與上面1Α接觸，同時使第二面1⑽ρ盥二 端面7接觸的狀態下，使第一部材1〇1與第二部材102 至少-者移動，並將光罩絲丨與_框部4往彼此接 14 201044108 近方向按壓。由此，形成裝置100使光罩基板1的下面 1B緊密連接於薄膜框部4的第一端面6。 本實施形態中，形成裝置100在下面1B與第一端 面6之間被配置接著部（黏著部）300的狀態下，使光 罩基板1的下面1B與薄膜框部4的第一端面6緊密連 接。由此，光罩基板1與薄膜框部4經由接著部300接 著。 又，在本實施形態，第一面101P以平面狀被形成， 〇 第二面102P的至少一部份在基準狀態下具有沿著第二 端面7的撓曲曲線R1的彎曲形狀。因此，第一面101P 與上面1A，以及第二面102P與第二端面7個別良好地 接觸。 又，在本實施型態，光罩基板1的下面1B與薄膜 框部4的第一端面6係於基準狀態下被接著，形成裝置 100將光罩基板1的上面1A與薄膜框部4的第一端面 6，在對XY平面（水平面）垂直配置的狀態下，也就是 光罩基板1與薄膜框部4以鉛直站立狀態下，使光罩基 ® 板1的下面1B與薄膜框部4的第一端面6緊密接著。 在此，垂直於水平面並非嚴格地限定為垂直的狀況，也 包含大致垂直狀況的概念。也就是說，上面1A、下面 1B以及第一端面6，也可以沿著與鉛直面大致平行的面 配置。 再者，第一面101P與上面1A間的接觸，以及第二 面102P與第二端面7之間的接觸，並不限定於面接觸 (面對面的接觸）。例如，第一面101P在對向於第一部 15 201044108 二面請也可以理解為對向於第二部==) = 面。換句活說，第一部材1〇1沿著特 二二: 態下大致平行於錯直面的面 面$貫： 土面1A的接觸部，第二部材Π)2為沿= ^觸可撓部3 (第―部分⑷的_部= 面二^ R二ΓΛ曲曲曲二Γ的彎曲面（即沿著互補於撓曲曲線 可祷部3 彎曲面）°又’第二部材1〇2在與 了紅。Ρ 3 (苐一部分4Α)接觸狀態下， 部分犯且圖未顯示的接觸部。 “有接觸第- 第九圖是相異於第八圖的另一 二的It第九圖所示的形成裝置刚〇 I括二第 (按懕iin目士 （按壓面）’以及一第二部材1002 第二面°〇_、(#^向)1膜框部4的第二端面7的 叉符光罩基板1的γ軸方向的兩端部。 少""第—部材讓與第二部材腦能以促動器 、VL?t顯不）來驅動。形成裝置1_在以支持裝置1003 面Ϊ持光罩基板1的¥軸方向的兩端部被支持 氺署^下，苐二部材1001與第二部材1002之間，配置 接網土板I與λ·薄膜框部4,使第一面ιοοιρ與上面认 ,同時使，二面i〇〇2P與第二端面7接觸的狀態 ，使至少一第一部材10〇1與第二部材1002移動，將 16 201044108 光罩基板1與薄膜框部4往彼此接近方向按壓。由此， 幵> 成裝置1000使光罩基板1的下面1B與薄膜框部4的 第一端面6緊密接著。 本實施形態的形成裝置1 〇〇〇在下面1B與第一端面 6之間被配置接著部（黏著部）300的狀態下，使光罩 基板1的下面1B與薄膜框部4的第一端面6緊密接著， 由此光罩基板1與薄膜框部4經由接著部300而被接著。 又，在本實施形態，第二面1002P是以平面狀被形 巧，第一面1001P的至少一部份在以支持裝置1〇〇3沿 著水平面支持光罩基板1的γ軸方向的兩端部被支持的 狀恶下，具有沿著上面1A的撓曲曲線r4 (大致平行於 撓曲曲線R2、R3的曲線）的彎曲形狀。因此，第一面 1001P與上面1A，以及第二面1002p與第二端面7個 良好地接觸。 又，在本實施形態，如接近光罩基板丨實際使用狀 態下被接著，形成裝置1000在沿著水平面支持光罩基 板1的Y軸方向的兩端部被支持的狀態 _ 端面7平行於水平面被配置的狀態下^光tit 下面1B與薄膜框部4的第一端面6緊密接著。在此， 平行於水平面並非嚴格地限定為平行的狀況，也包含大 致平行的狀況的概念。也就是說，第二端面7可以沿著 大致平行於水平面的面來配置。 口 再者，第一面1001Ρ與上面1Α間的接觸，以及第 一面10G2P與第二端面7之間的接觸，並不限定為面接 觸（面對面的接觸）。也就是說，第二部材1〇〇2沿著特 17 201044108 疋平，（本實施形態中大致平行於水平面的面），包含 接觸第二端面7的接觸部，第一部材1〇〇1是沿著上面 ^包含接觸鮮基板1的接觸部，上© 1A為撓曲曲線 \的芎曲面（即沿著撓曲曲線R2的彎曲面）。又，第 邛材102在與可撓部3 (第一部分4A)接觸狀態下， 具有接觸第二部分4B且圖未顯示的接觸部。 —第十圖與第十—圖為本實施形態之檢測光罩Μ的 ί膜5的表面異物的異物檢測裝置1〇的例示圖。在第 十圖與第十―®中，異物檢測裝置10包括：-支持邻 = 財持光^ Μ的光祕板1的下面、⑺ 異:據該散射光的受光結果，一 本實施形態中，投光部n. 管13.—瑨¥加二 包括.丫軸方向的長螢光 丄覆皿邛I4,配置為包圍螢光管n，具有γ ==V5。縫隙開口 15配置為面向薄膜5。 傾斜方^昭射m由面覆蓋部14的縫隙開口15，已 U、二： 表面。從螢光管13射出的光經 1測：開ΐΓ 整形為具有方向性的直線狀光。 CCD1 ”有Υ軸方向的長攝影元件（例如 LCD)。檢測薄膜5表面（ 扪戈 裝置10以支持部材9支持 物牯’異物檢測 _ 河叉符先罩基板1的狀離，以沪出 口”1將光照射至薄膜5。薄膜5的 1 又先 據照射在薄膜5的光，從薄膜5 子，/、物時，根 守联^屋生散射光。檢測部12 201044108 能接受該散射光。檢測部12根據散射光 能檢測出附著於薄膜5表面的異物。再、雙光結果， 也可以為經由鮮系統以攝影it件來檢二’剛部！ 2 異物的結構。 '、/祺5表面的
-厂只四 六个丨双衣直1 〇將古 持的光罩Μ、投光部11以及檢測部12以寺部材所支 地移動，並以投光部11來照射光。檢測 f方向相訝 罩Μ，係與投光部n 一起相對移動，:^相ff於光 AiL .1. · ι. ......... *^攸溥腹 S 在本實施形態，異物檢測裝置1〇將 光罩M、投光部11以及檢湔如卜：支持部材所支 Ο ο 向 ff 受散射光。由此，異物檢測裝置1〇能^==媒5來接 (下面）的幾乎全部區域檢測到異物。 、5的表面 根據本實施形態的異物檢測裝置1 〇，抑告 撓曲’同時能沿著XY平面檢測平坦配置的^#5膜5的 所以能全面良好地檢測出該薄膜5的表面異物、面’ 五圖所示的先前技術，由於薄膜5J為撓曲（變形），第 應沿著該表面的位置，薄膜5J與異物檢測裝置1〇之^ 的配置關係會改變。也就是說，根據沿著薄膜5J的表面 位置，光的照射條件或光的檢測條件等會改變。因此， 異物檢測裝置10在全面的薄膜5J並沒有辦法確保相同 的檢測精確度’有產生檢測不良之虞。對此，在本實施 开> 態的光罩Μ的異物檢測裝置1〇在遍及全面的薄膜5J 而能確保相同的薄膜5之間的配置關係。例如檢測部12 經由光學系統以攝影元件檢測出薄膜5表面的光學影像 時，薄膜5能遍及其全面維持在光學系統的焦點深度（景 深）内。因此，本實施形態的光罩Μ的異物檢測裝置 10遍及全面的薄膜5而能確保良好的檢測精確度，遍及 201044108 全面的_ 5而能獲得良好的檢測結果。 #第^ —圖為本實施形態的曝光裝置EX的例示圖。 在第十—圖中，曝光裝置EX包括：一光罩台21，維持 光fM，使光罩Μ移動至 曝光光線EL的照射區域;一基 板口 22 ’維持做為感光基板的基板ρ，做為移動裝置使 基板Ρ移動至經由光罩Μ的曝光光線el的照射區域。 在本實施形態’光罩台21是從薄膜5側支持光罩 光罩基板1的下面1B的Y軸方向的兩端部。由此， 就算是在曝光中，薄膜5的撓曲會被抑制。 又’曝光装置EX包括：一照明系統IS，以曝光光 線EL照明光罩台21所維持的光罩μ;—投影系統PS， 將以曝光光線EL照明的光罩Μ的圖案影像投影到基板 台22所維持的基板Ρ;以及一干涉計系統23，能計算測 里光罩台21與基板台22的位置。 基板Ρ包括例如玻璃板等基材以及形成於該基材上 的感光膜（塗佈的感光劑）。在本實施形態中，基板ρ 是包含被稱為母玻璃的大型玻璃板，該基板Ρ的一邊的 尺寸為例如500mm以上。本實施形態’做為基板ρ的 基材’採用一邊為約3000mm的矩形的玻璃板。 照明系統IS將曝光光線EL照射至特定的照明區域 IR °照明區域IR是從照明系統IS射出的曝光光線1扯 的照射區域。照明系統IS是以均勻照度分饰的曝光 EL，照明配置於照明區域IR的光罩Μ的至少1 / 光罩台21具有一支持部90，從薄膜5側支持、> Μ的光罩基板1的下面iB的Υ軸方向的兩蠕部、 20 201044108 台21經由包括例如線性馬達（linear motor )等的第一 驅動系統（圖未顯示）的運作，而能移動光罩Μ至照明 區域IR。在本實施形態，光罩台21能以X軸、Υ軸以 及ΘΖ方向的三個方向移動。 投影系統P S將曝光光線E L照射至特定的投影區域 PR。投影區域PR是從投影系統PS射出的曝光光線EL 的照射區域。投影系統PS是將光罩Μ的圖案影像以特 定倍率投影至配置於投影區域PR的基板Ρ的至少一部 Ο 分。投影系統PS是將光罩Μ的圖案影像投影至配置於 投影區域PR的基板Ρ的至少一部分。 基板台22具有一支持部，支持基板Ρ的内面的至 少一部分。基板台22經由包括例如線性馬達等的第二 驅動系統（圖未顯示）的運作，而能維持並移動基板Ρ 至投影區域PR。在本實施形態，基板台22能以X轴、 Υ軸、Ζ軸、0Χ、ΘΥ以及0Ζ方向的六個方向移動。 干涉計系統23包括：一第一干涉計單元23Α，能光 學地計算測量ΧΥ平面内光罩台21 (光罩Μ)的位置; ❹ 以及一第二干涉計單元23Β，能光學地計算測量ΧΥ平 面内基板台22 (基板Ρ )的位置。執行基板Ρ的曝光處 理時，或執行特定的計算測量處理時，根據干涉計系統 23的計測結果，第一、第二驅動系統被運作，光罩台 21 (光罩Μ)以及基板台22 (基板Ρ)的位置控制被執 行。 本實施形態的曝光裝置ΕΧ將光罩Μ與基板Ρ以特 定掃瞄方向同步移動，並將光罩Μ的圖案影像投影、轉 21 201044108 寫至基板p的掃瞄型曝光裝置（所謂掃瞄光刻機， Scanning Stepper)。本實施形態中，基板P的掃目苗方向 (同步移動方向）為X軸方向，光罩Μ的掃瞄方向（同 步移動方向）為X軸方向。基板Ρ曝光時，光罩台21 在維持光罩Μ的狀態下，於投影系統PS的物體面側以 X軸方向移動，基板台22在維持基板Ρ的狀態下，於 投影系統PS的影像面側以X軸方向移動。 在本實施形態，投影系統PS具有複數個投影光學 系統PL。複數個投影光學系統PL被配置於大致平行於 基板Ρ表面的ΧΥ平面内。照明系統IS對應複數個投影 光學系統PL，而具有複數個照明模組IL。又，如上所 述，本實施形態的曝光裝置EX將光罩Μ與基板P以特 定的掃瞄方向（X軸方向）同步移動，並將光罩Μ的圖 案影像投影至基板Ρ。也就是說，本實施形態的曝光裝 置ΕΧ是所謂多鏡頭（multi-lens)型掃瞄曝光裝置。 在本實施形態，投影系統PS具有7個投影光學系 統PL。照明系統IS具有7個照明模組IL。再者，投影 光學系統PL以及照明模組IL並不限定為7個，也可以 設置為至少一個。 再者，本實施形態的投影光學系統PL為等倍系統， 但也可以為縮小系統或擴大系統。又，投影光學系統PL 可為不包含反射光學元件的曲折系統、不包含曲折光學 元件的反射系統或包含反射光學系統與曲折光學系統 的反射曲折系統。又，投影光學系統PL可形成倒立像 或正立像。 22 201044108 晉在=形態’曝光裝置EX配備上述異物檢測裝 =則裝置10可被配置於例如將光罩m搬入 先罩σ 21時的搬入路徑（搬送路徑），或從 將光罩Μ搬出時的搬出路徑（搬送路徑）。曝光 物二測裳置1〇來檢測例如搬入至光罩台、1前 的先罩Μ的薄膜5是否有異物附著。 = 實施形態’異物檢測裝置10配備支持
先罩#支持梢9’但支持部材9也可以具有能將光 之搬送部㈣魏。異物檢測裝 、又光。卩11能將光照射至被支持於該支持部材9 ^下的光罩Μ的薄膜5。檢測部12能根據來自該薄 膜5的光峨測出薄膜5的表面附著的異物。支持部材 9能將被異物檢測動作執行的光罩Μ搬入至光罩台21。 再者，支持部材9可以具有搬送部材的功能，能將 光罩Μ從光罩台21搬出。 再者’做為搬送部材而能搬送光罩Μ的的支持部材 可以不通過異物檢測裝置10而搬送光罩Μ。也就是 §兒，做為搬送部材而能搬送光罩Μ的的支持部材9可以 適當地經由或非經由異物檢測裝置10 (投光部11以及 檢測部12)來搬送光罩Μ。 再者’在本實施形態，曝光裝置ΕΧ配備異物檢測 裝置10 ’但也可以將異物檢測裝置1〇配置於曝光裝置 ΕΧ外。 如以上說明，根據本實施形態，在光罩基板1撓曲 的狀況下’能抑制薄膜5的撓曲。因此，例如在異物檢 23 201044108 測裝置10，遍及全面的薄膜5而能確俾_ 度，遍及全面的薄膜5而能獲得良好的檢測纟則精確 在異物檢測裝置10能抑制異物檢測不良的、^果。因此’ 在曝光裝置EX，例如在忽視異物附著在又薄*生。又丄 下’將曝光光線RL照射至光罩]y[，能如的狀心 的曝光處理後產生的不良狀態，也能抑制 又’根據本實施形態，能抑制薄膜5撓 f 台21支持光罩Μ，執行曝光處理。又，根 態，能抑制薄膜5撓曲並採用搬送部材（本貫也/ 搬送光罩]Vi。 叉持部材9) 又，根據本實施形態，經由抑制薄犋5 計關於z軸方向的光罩Μ的省空間化M疋 此0又 罩庫（耐仙-)，在以Z軸方稱為光 $二的收容裝置，能縮小這些複數個忍二 的長態，光罩基板1是X轴方向的長 /仁也可以為例如正方形，也可 的長的長方形。 仏為Y軸方向 的長3，’ Ϊ Γ實施形態，開口部4 Κ是Χ軸方向的長 S也可以為例如正方形’切IX為Υ轴方向 在本實施形態，關於γ轴方二第 匕等I;部分4Α與第二部分祀的長度也可以幾 等，關於Υ軸方向的第一部分4Α的長度，也可以 24 201044108 比關於X轴方向的第二部分4B的長度還長。 再者，在本實施形態，開口部4K是矩形，但也可 以是矩形以外的形狀。例如第二部分4B可以不為直線 狀而為曲線狀。 <第二實施形態> 接下來，說明第二實施形態的光罩M2。在以下的 說明中，關於相同或等同於上述的實施形態的結構部 分，附上相同的元件符號，將簡略或是省略其說明。 〇 第十三圖與第十四圖為顯示第二實施形態的光罩 M2的一部分的剖面圖。在第十三圖與第十四圖中，光 罩M2包括：光罩基板1;保護裝置2，包含薄膜框部4 與薄膜5;中間層30，被配置於光罩基板1與薄膜框部4 之間。與上述的第一實施形態相同，薄膜框部4具有第 一部分4A與第二部分4B。第一部分4A的第二端面7 是沿著撓曲曲線R1被形成為彎曲狀。 第十三圖所示為光罩M2中，平行於包含第二部分 4B的YZ平面的剖面。第十四圖所示為光罩M2中，平 ® 行於包含第一部分4A的XZ平面的剖面。如第十三圖 與第十四圖所示，在本實施形態，薄膜框部4的第一端 面6與光罩基板1的下面1B經由特定間隔彼此相對。 在本實施形態，中間層30為將薄膜框部4與光罩 基板1接著的接著部（黏著部）。在本實施形態，中間 層30被配置於薄膜框部4的第一端面6的一部分與下 面1B的第一區域AR1之間。 在本實施形態，中間層30被配置於薄膜框部4的 25 201044108 第二部分4β的第一端面6與光罩基板1的下面iB的第 一區域AR1之間。 在本實施形態，第一部分4A的撓曲曲線R1是根據 中間層30的厚度分佈來決定。 中間層30具有特定厚度分佈的狀況，對應該厚度 分佈，以自體重量而光罩基板1撓曲時的第二端面7的 形狀有變化的可能性。 因此，在本實施形態，根據中間層3〇的厚度分佈， 決定在基準狀態下的撓曲曲線Rl。由此，以自體重量而 光罩基板1撓曲的狀況下，第二端面7被配置於χγ平 面内，被展開設置於該第二端面7的薄膜5也抑制撓曲 的產生’並被配置於χγ平面内。 又’在本實施形態’光罩M2配備一可撓性的密封 部材31 ’連接於光罩基板丨與薄膜框部4，從光罩基板 1與薄膜框部4之間’抑制氣體流入至以光罩基板1與 溥膜框部4形成的内部空間32。密封部材31是風箱 (bellows)部材’且能夠撓曲。在本實施形態，密封部 材31是金屬風箱。金屬風箱較佳為以例如不銹鋼或鈦 等’氣體外洩（Outgassing)少的材料所形成。再者， 密封部材31也可以是合成樹脂製造的風箱。合成樹脂 的風相較佳為以例如碳氟聚合物（f[uorocarb〇n polymers )等，氣體外洩（〇utgassing )少的材料所形成。 在本實施形態，由於密封部材31被設置，所以能 防止氣體流入内部空間32 (所謂air pass)。 <第三實施形態> 26 201044108 接下來，說明第三實施形態的光罩M3。在以下的 說明中’關於相同或等同於上述的實施形態的結構部 分，附上相同的元件符號，將簡略或是省略其說明。 第十五圖為從-Z側所見之第三實施形態的光罩M3 的圖。在第十五圖中，光罩M3包括：光罩基板1;保護 *置2C，包含薄膜框部43與薄膜5。薄膜框部43具有 ，含可撓部3的第一部分“A與相異於第一部分43A的 第二部分43B。第一部分43Λ的第二端面7是沿著撓曲 曲線R1被形成為，彎曲狀。 在本實施形態，包含可撓部3的第一部分43A的至 少一部分的寬w卜比第二部分4B的寬W2大。 薄膜框部43的寬是大致平行於光罩基板丨的下面 ㈤XY平面内的尺寸。也就是說，μ方向的長的第 —部分43Α的寬W1包含關於χ軸方向的第一部分43Α 的尺寸，X軸方向的長的第二部分43Β的寬w2，包含 關於Y軸方向的第二部分43B的尺寸。 〇 在本實施形態，薄膜框部43具有—内面41，面對 薄膜框部43 #中心;以及一外面42，才晴於中心面向外 側。在本實施形態，内面41大致垂直於第一端面6與 第二端面7。外面42大致垂直於第一端面6與第二端^ 7 〇 寬W1在第一部分43八内，包含挽曲曲線幻的頂 點（凹部8的頂點）被形成的特定部位的内面41盥外 面42之間的距離。寬W2包含第二部分43b的内面41 與外面42之間的距離。 27 201044108 如第十五圖所示，在本實施形態，第一部分43A的 特定部位的外面42突出於外側。 在本實施形態，關於Y轴方向，包含可撓部3的第 一部分43A的寬W1會對應該第一部分43A的高H1而 改變。換言之，關於Y軸方向的寬W1，會對應撓曲曲 線R1而改變。 在本實施形態，在XY平面内的特定部位的外面42 的形狀，具有對應YZ平面内的撓曲曲線R1的形狀。 例如，第一部分43A的第二端面7沿著撓曲曲線 R1形成為彎曲狀的狀況，換言之，將凹部8設置於第一 部分43A的第二端面7的狀況，第一部分43A的中央部 的強度，與第一部分43A的端部的強度有可能相異。例 如附加於薄膜5的張力有可能因第一部分43A與端部而 相異。也就是說，對薄膜5的拉伸強度（Tensile Strength ) 會對應第一部分43A的位置而改變。 在本實施形態，關於Z軸方向的第一部分43A的尺 寸（高度）是比第二部分43B的尺寸（高度）小，關於 XY方向的第一部分43的尺寸（寬），比第二部分43B 的尺寸（寬）大，所以能將均勻的張力附加於薄膜5。 因此，能更加抑制薄膜5的撓曲。 再者，做為上述的第一〜第三實施形態的基板P， 不僅適用顯示裝置用的玻璃基板，還適用半導體裝置製 造用的半導體晶圓、薄膜磁頭用的陶瓷晶圓或在曝光裝 置使用的光罩或標線（Reticle)的原版（合成石英、矽 晶圓）等。 28 201044108 又’第一〜第三實施形態的基板p，並不限定為上 述的玻璃基板、半導體晶圓以及陶瓷晶圓等，也可以適 用具有可撓性的薄層狀基板（例如面積厚度比較玻璃基 板與半導體晶圓小的基板）。這種狀況下，維持並移動 基板P的基板移動襞置為例如以滾軸（r〇ller )分別維持 薄層狀的基板的兩端部，能使用從一滾軸移送基板至另 一滾軸的機構。這種滾軸式基板移動裝置，也可以在兩 滾轴間再設置使被移送的薄層狀基板的移送方向產生 偏向的滚軸等。 再者’曝光裝置EX除了適用步進掃描（step and scan)方式的掃瞒型曝光装置（掃瞄光刻機），將光罩μ 與基板Ρ同步移動，以經由光罩Μ的圖案的曝光光線 EL來掃瞄曝光基板ρ之外，還能適用步進重複（“印and repeat)方式的投影曝光裝置（光刻機），在光罩μ與基 板Ρ靜止狀態下曝光所有光罩Μ的圖案，使基板ρ依序 步進移動。 又，本發明如美國專利第6341007號說明書、美國 專利第6208407號說明書、美國專利第6262796號說明 書等所揭示的内容’也能適用配備複數個基板台的雙台 型（twin stage)曝光裝置。 又’本發明如美國專利第6897963號說明書、歐洲 專利申請公開第1713113號說明書等所揭示的内容，也 適用於一曝光裝置，包括：一基板台，維持一基板;以及 一計測台’在不維持基板下，形成基準記號的基準部材 及/或搭載各種光電感應器。又，也可以採用配備複數個 29 201044108 基板台與計測台的曝光裝置。 曝光裝置EX的種類並不限於製造液 的曝光裝置，製造有機EL顯示用的曝光骏置、 η光半導體元件圖案的半導體元件用的曝光裂 置，薄膜磁頭、攝影元件（CCD)、微機械、mems、 =A、晶片或是用於製造標線或光罩等的曝光裝置也能 、再者，在上述各實施形態，採用包含雷射干涉計的 干涉計系統來計算測量各台的位置資訊，但也不限於〇 此，可以採用例如編碼系統（encoder system )檢測設置 於各台上的刻度（繞射光柵）。 、，者，在上述實施形態，採用在光透過性基板上形 成特定遮光圖案（或相位圖案、減光圖案）的光透過性 罩，但取代該光罩，例如美國專利第6778257號說明 I，揭不的内容，，可以採用根據應曝光的圖案的電子 貝料而形成透過圖案或反射圖案，或發光圖案的可變成 $光罩（被稱為電子光罩、主動光罩（mask )或 P像模擬益（simulator ))。又，替代配備非發光tJ 型圖像表示元件的可變成形光罩，也可以配備包含自發 光型圖像顯示it件的圖案形成裝置。 '^述實施形態的曝光裝置EX，經由裝配包含本案 明範圚列舉的各構成要素的各種次系統（subsystem) ίΐ特定的機械精準度、電性精準度、光學精準度而被 :坆、°，了確保這些精準度，在該裝配前後，進行關於 種光+系統為達成光學精準度的調整，關於各種機械 30 201044108 為達成接謝精準度的調整，以及關於各種電系統為 ^性精準度的調整。從各種次系統到曝光裝置的裝 姓V驟包3各種_人系統彼此機械地連接、電路的配線連 Ϊ壯氣壓f路的配f連接等。從各種次祕到曝光裝置 ^配步驟前’更不用說還有各次系統個別裝配的步 驟二若到各種次系統的曝光裝置的裝配步驟結束，就進 行综合調整，確保曝光裝置整體的各種精準度。再者，
2光裝置的製造，較佳為在管理溫度與潔淨度等的無塵 室(cleanroom)中進行。 如第十六圖所示，半導體組件等的微組件，經由 行微組件的功能、性能設計的步驟2〇1、製造根撼兮 計步驟的光罩(標線)的步驟2〇2、製造 基板的步驟203、基板處理步驟204，包括根據上述實 施形態採用曝光裝置EX ’將來自於光罩μ的曝光^ EL照射至基板Ρ ’將光罩Μ的圖案轉寫至基板ρ ' 顯像該轉寫圖案的基板Ρ ’形成對應圖案的形狀的轉 層於基板Ρ的基板處理（曝光處理）、包含經由轉寫: 案層加工基板Ρ的組件裝配步驟（包含切割、鍵合:， 裝等加工程序）205、檢查步驟206等步驟而被製造。' 又’除了半導體組件以外，一般來說，經由轉寫第 一〜第三實施形態的光罩Μ、M2、M3中任一光罩^斤| 有的圖案到基板Ρ，以及根據該圖案加工被轉寫了該^ 案的基板Ρ ’而能製造包含基板Ρ的至少一部份的矣且 件。在此，根據被轉寫的圖案加工基板Ρ可以適用根據 該轉寫圖案蝕刻基板Ρ、根據該轉寫圖案印刷基板相 31 201044108 據轉寫圖案例如將導電性墨水等塗佈特定材料）等。 再者，在上述各實施形態，保護裝置2保護光罩基 板1的圖案區域PA，但保護裝置2的保護對象並不限於 光罩基板1。於各種基板’保護成為保護對象的特定區 域的狀況下，可以採用具有框部以及展開設置於該框部 的薄膜部的保護裝置。 再者，上述實施形態以及變形例的要件能適當組 合。又，也有不採用一部分構成要素的狀況。又，在法 令所容許的範圍下，可援用關於以上述實施形態以及變 形例所引用的曝光裝置等所有公開公報與美國專利的 揭示，而成為本文記載的一部分。 【圖式簡單說明】 第一圖：本發明之第一實施形態之例示光罩之平面圖。 第二圖：本發明之第一實施形態之例示光罩之側面圖。 第三圖：本發明之第一實施形態之例示光罩之側面圖。 第四圖：本發明之第一實施形態之例示光罩之側面圖。 第五圖：比較例之例示光罩之斜視圖。 第六圖：比較例之例示光罩之薄膜之狀態圖。 第七圖：比較例之例示光罩之薄膜之狀態圖。 第八圖：本發明之第一實施形態之光罩形成方法之例示 圖。 第九圖：本發明之第一實施形態之光罩形成方法之例示 圖。 第十圖：本發明之第一實施形態之異物檢測裝置之例示 32 201044108 圖。 第十一圖：本發明之第一實施形態之異物檢測裝置之例 示圖。 第十二圖：本發明之第一實施形態之例示曝光裝置之斜 視圖。 第十三圖：本發明之第二實施形態之例示光罩之剖面 圖。 第十四圖：本發明之第二實施形態之例示光罩之剖面 Ο 圖。 第十五圖：本發明之第三實施形態之例示光罩之平面 圖。 第十六圖：用來說明微組件的製造步驟例的流程圖。 【主要元件符號說明】 1、1J光罩基板 1A上面 1B下面 ❹ 2、2C保護裝置 3可撓部 4、 4J、43薄膜框部 4K開口部 4A、43A第一部分 4B、43B第二部分 5、 5J薄膜 6、 6J第一端面 33 201044108 7第二端面 8凹部 8 A曲面部 8B第一傾斜部 8C第二傾斜部 9支持部材 10異物檢測裝置 11投光部 12檢測部 13螢光管 14覆蓋部 15縫隙開口 21光罩台 22基板台 23干涉計系統 23A第一干涉計單元 23B第二干涉計單元 30中間層 31密封部材 32内部空間 41内面 42外面 90支持部 100、1000形成裝置 101P、1001P 第一面 201044108 102P、1002P 第二面 300接著部 1001第一部材 1002第二部材 1003支持裝置 AR1第一區域 AR2第二區域 EX曝光裝置 O EL曝光光線 H1高 IS照明系統 IR照明區域 IL照明模組 Μ、MJ、M2、M3 光罩 Ρ基板 PS投影系統 PR投影區域 ® PL投影光學系統
Rl、R2、R3、R4撓曲曲、線 Wl、W2 寬 35