TW201041011A - Substrate planarization with imprint materials and processes - Google Patents

Description

201041011 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明-般係關於半導體製造的材料與方法 是，本發明係針對光微影方法中用於基板平扭化之平 料，以及使用該平坦化材料的方法。 —化材 【先前技術】 ❹ 〇 方法=化=方積體電路，典型上係使用光微影 =露在光阻的曝光區域造成化學反應並 在顯影劑溶液中光阻接著被顯影以移除 ===r二或_型先阻的光阻“ 沈積、關或離子植入製程被用n的後續製造過程，例如 在光微影製程中主要的去由古 focus，DOF)。DOF俾、、則曰* ‘"項就疋聚焦深度（depth Of 光工具的透鏡後方;;面仍然存在於焦點中的曝 良.· D〇F = 0l财 離存在。D0F係由下述式所決 其中對於特定的微影絮 射的波長、NA為降光工/ 〜為吊數、λ為曝光所用之輻 製程的解像度，半導透鏡之數值孔徑。為改良光微影 具，然而，更高階的正持續轉向更高階的NA曝光工 工具之使用傾向於徹底減少D〇f， 4 201041011 如上述方程式所示 “為了製造具有高解像度的微影圖案，曝光光必 :缚，度而聚焦’並穿過整個半導體晶圓基板。這樣= 光阻薄膜厚度與基城面構科於卿。然而料 階段’尤其是後段製程(back-end-0f_the_line，be〇l) 曝光過程中的基板表面構形經常同於可用的腳大小^ 甚至大於可㈣膽。如此會導致微影結果大幅降低。若使 ❸ 用高NA曝光工具時，情況會惡化，這是由於開始時可用的 DOF很小。 為了緩和基板表面構形之作用，使用各種技術以使已在 表面沈積光阻的基板表面平坦化，例如底層或底部抗反射層 (bottom anti-reflective coating，BARC)已經被旋轉塗布於基板 上以使基板表面平坦化。然而，經旋轉塗布之底層或BARC 僅具有短距離(少於2μηι)之平坦化效果。換句話說，目前的科 技水準曝光系統已足以補償表面構形，不過僅超過一相當長 〇 的距離（毫米）。因此中等程度的距離（由約2μιη至約500/mi) 則不易被旋轉塗布技術所平坦化，且不能被曝光系統所補償。 另一種經常使用的平坦化技術為化學機械研磨法 (chemical-mechanical polishing，CMP)。然而 CMP 僅能使基 板表面構形減少至100-200nm範圍且性能因電路設計之不同 而有大幅差異。要獲得可預測的CMP性能，則可加諸新的限 制條件於設計佈置圖與密度。 201041011 因此，吾人期望可提供—種方法 基板表面平板化，且適合於高ΝΑ影像製在程中^等術級距離可使 【發明内容】 在本發明之一態樣中，本發明係 ”包含下列步驟：在基板上形成具有；一種光微影方法’ 層’其中該平坦化組成物含有至少=組成物之平坦化 種非芳香族單體；使__實質 種方日族早體與至少- ο 接觸；藉由使平坦化層暴露於第二2與ί板上之平坦化層 而使平垣化層固化；移除實質上射或藉由烘烤平坦化層 成光阻層；使歧層暴露於具有面；在平坦化層上形 f且層顯影以在光阻層中形成凸紋第二幸畐射；使 基板中。 心像，及轉印凸紋影像於 較佳是，若平坦化組成物包含 ο 從另-觀點，當平坦化組成物為阻為不含石夕光阻。 較佳為含矽光阻。 &矽的組成物時，則光阻 在另一態樣中，本發明係關於 下列步驟：在基板上形成具有平土曰化其包含 基板上將實質上平坦的表面與平在 移除實質上平H 層以使平坦化層固化，· 、· . —化層上形成一矽抗反射塗 幵μ #nr:re ectlve coating ’ Si~ARC)層；在 si_ARc 層上 層；使光阻層暴露於具有-影像波長的第二輻射. 使先阻層顯影以在光阻層中形成凸紋影像；及轉印凸紋影像 6 201041011 於基板中。 明一態樣中’本發明係關 層；使實f上作表平坦化組成㈣平坦化 坦化層暴露於第-=====接觸；藉由使平 在硬二在::化層上形成-硬光罩層; ♦的第n 層，使光阻層暴露於具有—影像波 〇 ^的Π田射’使光阻層顯影以在光 ==影像於基板中。硬光罩層較佳為成lt〇凸= 且絲成細狀前，此級景彡法可進-ν W硬光罩層上形成—抗反射塗(ARC)層的步驟。 令在上述光微影法中平坦化層可能在基板上覆蓋二或多個 模，第二輻射的影像波長較佳為約 193nm。 ^ 纟本發明之另—態樣中’本發明係關於具有至少一種关 ❹*族單體與至少-種非芳香族單體的平坦她成物。方 較佳為平坦化組成物在約19311111之折射率 約1.8,且吸收參數⑻為約0.2至約〇.5。 為約1·4至 至 >、種芳香知單體之濃度較佳為平坦化組成物總重量 之約5%至約35%。至少一種非芳香族單體之濃度較佳^平= 化組成物總重量之約65%至約95%。 — 7 201041011 較佳為至少一種芳香族單體係選自由：

所構成群組。 較佳為至少一種非芳香族單體係選自由:

i. (Ill) (IV) 及 (V)

所構成群組。

平坦化組成物可進一步包含光酸產生劑、增感劑、界面 活性劑、黏著劑及驗性淬媳、劑之至少一種 平坦化組成物亦至少包含一染料，該染料在約900nm至 約1200nm的波長範圍使平坦化組成物產生第一吸收峰值，且 在約1 OOnm至300nm的波長範圍產生第二吸收峰值。較佳為 第一吸收峰值的吸收參數(k)大於約0.5，且第二吸收峰值的吸 收參數(k)約0.1至約0.7。較佳為在約500mri至約600nm之 波長範圍，平坦化組成物的吸收參數(k)小於0.1。 8 201041011 【實施方式】 在說明本發明之較佳具體實施例，可參考附圖的圖

圖9’其中在本發明中相同數字代表相同的發明特徵。在 本發明之特徵不需按比例表示。 θ T 吾^需瞭解，一元件，例如一層，係指「在另一元件之 上」或「覆蓋另-元件」，則其為直接在另一元件之 有居間的元件存在’相形之下，若—元件係指「直接在另= 〇，件之上」或「直接覆蓋另—元件」則表示並無居間的 存在。 什 本發明係提供-種使用壓印材料與製㈣光微影方法以 使基板平坦化。與旋轉塗布的底層或BARC抑，壓 Q 垣化層亦能作為用於上覆光阻的 達成更佳的光微影結果，光微豪 及三層光阻方案。 $程提供較長輯之平域(>1/xm)。壓特料典型為 ^合物配方，其在齡製程巾被熱或uv細化。在 月之各具體實施财，平坦化材料的光性倾最佳化^ xH A\- S τΛτ /λ- ^ ν. —. 先阻的BARC或底層，再者，為了 光微影方法的方案設計則包含雙層

9 201041011 輪^坦化組成物是一種包含可聚合或可交聯之單體或聚合 =之壓印材料。平坦化組成物較佳為在用於上覆光阻的輕射 衫像波長中折射率(n)在約1.4至約1.8的範圍。在用於上覆光 阻的輪射之影像波長中，平坦化組成物的折射率(k)(在此亦稱 為及收參數)的虛數部分（imaginary component),較佳為約 〇.2至約0.5。吸收參數(k)顯示在電磁波透過一材料傳播時吸 收損失之量，用於上覆光阻之輻射影像波長較佳為約 365nm、248nm、193nm 或 13.5nm，更佳為約 193nm。 〇 較佳是本發明中平坦化材料包括至少一種芳香族單體及 至少一種非芳香族單體。更佳是至少一種芳香族單體的濃度 為平坦化組成物總重量的約5%至約35%。至少一種非芳香族 單體之濃度是平坦化組成物總重量的約65%至約95%。 平坦化組成物中芳香族單體之例包括，但不限於:

平坦化組成物中非芳香族單體之例子包括’但不限於 10 201041011 i- (ΙΠ)

(V) 除了可聚合或可交聯之單體或聚合物，平坦化組成物可 進一步包含光酸產生劑(photoacid generator，PAG)、增感劑、 界面活性劑、黏著劑及驗性淬媳劑之至少一種。上述PAG可 在暴露於例如可視光、紫外線(ultraviolet，UV)、遠紫外光 〇 (extreme ultraviolet，EUV)之韓射時產生酸。PAG可包含，例 如錡鹽、碘鏽鹽、N-羥醯胺的磺酸酯，醯亞胺或其組合。在 本發明之一例示性具體實施例中，PAG包含4-(1-丁氧萘基) 四氫嗟吩鑌全氟丁烧續酸鹽、三苯疏全氟丁烧續酸鹽、三級 丁基苯二苯疏全氟丁烧續酸鹽、4-(1-丁氧萘基)四氫嗟吩鑌全 氟辛烧續酸鹽、三苯锍全氟辛烧續酸鹽、三級丁苯基二苯锍 全氟辛烷磺酸鹽、二(三級丁苯基)碘鑌全氟丁烷續酸鹽、二(三 級丁苯基)碘鏽全氟己烷磺酸鹽、二(三級丁苯基)碘鑌全氟乙 ❹ 基環己烷磺酸鹽、二(三級丁苯基)碘鏽樟腦磺酸鹽，與全氟丁 基磺醯氧雙環[2.2.1]-庚-5-稀-2,3-二羧亞醯胺之至少」=。 本發明中適當增感劑之例包括’但不限於：9_蒽甲醇、經 取代的9-蒽曱醇、啡噻嗪與經取代的啡噻唤。 本發明之界面活性劑包含含氟界面活性劑與含石夕氧炫界 面活性劑之至少一種。例如氟化乙烯醚可用作界面活性劑。 氟化乙烯醚可例舉乙烯2,2,2-三氟乙醚。本發明之界面活二劑 亦可作為脫模劑。 ’ θ 201041011 本發明中適當的黏著劑包括但不限於：六曱二矽氮烷 (hexamethyldisilazane，HMDS)、四乙氧甲矽烷、 一”犬凡 胺乙基胺丙基三烧氧碎烧、胺丙基三燒氧@烧、 氧雜、四烧氧鈦酸鹽、及其組合，尚有其他對孰 藝人士為周知之例。黏著劑可為平坦化組成物之。另 -方面，在平坦化組成物沈積前，轉劑可個別塗覆於^板。 較佳是平坦化組成物亦含有祕淬_。H衫自劑包 〇 含，例如脂肪族胺類、芳香族胺類、鲮酸鹽、氫氧化物或豆 組合。 /' 平坦她成物亦包含-染料，其提供平坦化纟减物用以 改良焦點面測量與缺陷掃瞄所需的光學性質。較佳是平坦化 組成物在約900nm至約1200nm的波長範圍中具有第一吸收 峰值，且在約l〇〇nm至約300nm的波長範圍中具有第二吸收 峰值，更佳是第一吸收峰值之吸收參數(k)大於約〇 $，且第二 吸收峰值之吸收參數(k)約0.1至約0.7。較佳為平坦化組成物 Ο 在約500nm至約600nm波長範圍中之吸收參數(k)小於〇」。 試例舉可用於本發明上下文中一適當染料之例，如商業 上可購得之來自美國佛羅里達州33477朱比特市H. W. Sands 公司，產品編號SDA4137。另一種可用於本發明上下文中之 適當染料包括庫尼氏的美國專利號碼5，723,617所教示之異喹 啉染料。 平坦化組成物並不限於各種組成份的任何特定比例。平 12 201041011 坦化組成物概是基於平坦她絲總重量 至約98刪，更佳是約85重量心=重 畺％平化組成物較佳是基於組成物中單體總重量，包含 PA=約G·5重量％至約1G重量％，更佳是約1重量％至約5 重罝％。平坦化組成純佳是基於單體總重量，包含敏化劑 ，0.01重量％至約1重量％’更佳是約〇J 至約〇3重 Ο

G 量％。平坦化組成物較佳是基於單體之總重量，包含界面活 ，劑約0.01重量％至約0 05重量％，更佳是約〇 〇1重量％至 約〇.=重量％。平坦她成物較佳是基於單體之總重量，包 ^黏著劑約0.01重量％至約0 05重量％，更佳是約〇 〇1重量 %至約0.03重量％。平坦化組成物較佳是基於組成物中單體 之總重量，包括鹼性淬熄劑約〇丨重量％至約2 〇重量％，更 佳是約0.2重量％至約1〇重量％。 步驟110包含使實質上平坦表面與基板上之平坦化層接 觸。實質上平坦表面可為展開樣板(flattemplate)i底面。^開 樣板較佳是對平坦化組成物可感光的輻射之波長呈透明，可 對展開樣板朝向基板方向施加壓力，以使基板中之平垣化層 7C全充填溝(或凹槽），且使實質上平坦表面之平坦度轉印至 坦化層。 在步驟120’平坦化層藉由暴露平坦化層於第一輻射或藉 由供烤平坦化層而固化。在此步驟中，在進行輻射或加熱時曰， 平坦化組成物中所含之PAG產生酸。然後酸催化單體的聚合 或在平坦化組成物中所含聚合物之交聯。聚合或交聯使平= 化層固化。在本發明所使用的第一輻射可為可視光或紫外光 201041011 賴波細U約2GGnm至約45°nm。烘烤溫 度的較佳關約室溫至約綱。C，更佳是Μ贼至約⑽。c。 步驟130包含從固化的平坦化層移除實質上平坦表面。 在步驟140,光阻層在已固化之平坦化層上形成 =吏用於半導體聽的任何傳統光阻，包括⑼細與祕⑽ Ο ❹ 、且。正型光阻與貞㈣阻兩者均可使祕本發明。光阻 可以任何包括旋轉塗布法的標準手段形成。曰 (塗布後烘烤_))以移除來自光阻的任何溶劑，二 阻層之_度（eGhe職e)。光阻層之pA j 約抓至約_，更佳是約㈣至約13Qt，== 之較佳2Gnm至約4(K)nm，更佳是約5Qnm至約3 光阻可為不切光阻或切光阻。若光阻為 較佳為平坦化組成物含㈣。另—方面，若光阻= 光阻，例如半導體工業所通常使用的雙層光阻，則伟 坦化組成物為不含秒組成物。 ’、’、平 步驟150包含使光阻層暴露於具有影像波長的 — 射，本發明所使用之第二輻射可為可視光、紫外光(uv)了幸f 紫外光(EUV)與電子線束(E_電子束）。較佳為第二輻射之I;遠 波長約365nm、248nm、l93mn或13nm。更佳為^二知=像 影像波長約193nm。 中形成 在步驟160,光阻層在鹼水溶液中顯影以在光 14 201041011 一凸紋影像。較佳為驗水溶液是氫氧化四曱銨

(tetramethylammonium hydroxide，TMAH)溶液。更佳為 TMaH 溶液之濃度約0.263N。驗水溶液進一步至少包含添加劑，例 如界面活性劑、聚合物、異丙醇、乙醇等。 在光阻層暴露於第二輻射之後且在其顯影之前可實施曝 光後烘烤(post exposure bake，PEB)步驟。較佳pEB溫度為約 7〇°C至約120°C，更佳是約9(TC至約110°C。在某些情形，由 〇 於對某些化學製造業者，例如縮醛與縮酮業者，光阻聚合物 之去保護化係在室溫進行，故PEB步驟可以省略。 4 . 步驟丨70包含藉由移除不被圖案化光阻層所覆蓋的基板 部分而轉印凸紋影像於基板。典―言’基板部分係被反應 性離子钮刻或其他對熟悉該項技藝人士為周知之技術所移 除。本發明之方法可用以製造圖案化構造，例如金屬配線、 接觸用孔或穿孔、絕緣部分(勤金屬職溝錢渠溝隔離）、 ο 電容ϋ構·料，該等可祕紐電路裝置之設計。 圖2至® 9表祕據本發明之具體實_之例示性製造 二=橫截面視圖。在圖2，平坦化組成物被塗覆於基板雇 物二ΪΓΓ匕層202 ’例如上述步驟100所描述。平坦化組成 是祕上覆光阻之韓射影像波長中之折射率⑻約Μ 至約1.8，且吸收參數(k)在約〇 2至約〇 5。 圖3係表示在展開樣板綱之實f上平坦表面2G5 坦化層搬接觸後之基板·，例如上述步驟】ι〇。展開樣板 201041011 204可朝向基板方向施加壓力以使平坦化層2〇2A完全充填於 基板200中的溝(或凹槽）。實質上平坦表面205之平坦度被轉 印至平坦化層202A。如圖3所示，平坦化層202A具有一平 坦表面203。 圖4表示暴露平坦化層2〇2A於第一輻射2〇6的步驟，例 如上述步驟120。第一輻射2〇6可為可視光或uv光。由於展 開樣板204對第一輻射2〇6呈透明，大部分第一輻射2〇6光 ❹可達到平坦化層202A。聚合反應或交聯反應被初始化以使平 坦化層202A固化。被固化的平坦化層在圖4中係以2〇2B表 示0 圖5表不在實質上平坦表面2〇5被移除後，具有固化的 平坦化層202B之基板200，如上述之步驟13〇。 在圖6a，光阻層208形成於固化的平坦化層2〇2β，例如 上述步驟140。光阻層較佳是以旋轉塗布形成。在層2〇8形成 U 後’可實施應步驟以移除光阻層2〇8中任何殘餘溶劑。 在本發明之-具體實施例中’光阻層纖直接形成於固 化的平坦化層202B上。 在本發明之另-具體實施例中，在實質上平坦2〇5被移 除後，石夕抗反射層（Si-ARC)2〇7首先形成於固化的平坦化層 202B。光阻層208之後以覆蓋Si-ARC | 2〇7而形成，如圖 6b所示。適合於形成S]_ARC層2〇7的商業上可購得之 201041011 配方之例包含，但不限於：信越SHBA940、SHBA629、 AZS2H4 ’與對熟悉該項技藝人士所周知之任何其他商業上可 購得之之矽ARC(或旋塗硬光罩）。Si-ARC層207可藉由事實 上包括旋轉塗布的任意標準手段來形成。在Si_ARC層2〇7形 成後基板200可視需要烘烤。烘烤製程可移除任何來自 Si-ARC層207的溶劑，並改良Si-ARC層的同調度與均一性。 烘烤製程亦可使交聯反應初始化，而該交聯反應會使用於光 阻層208之溶劑中使Si-ARC層不溶解，較佳烘烤溫度為約 0 160°C至約25〇°C之範圍，更佳是約180〇C至約2HTC之範圍。 在本發明之另一具體實施例中，在實質上平坦2〇5被移 除後，硬光罩層209首先形成於固化的平坦化層2〇2b。光阻 層208之後以覆蓋硬光罩層209而形成，如上述第&圖。硬 光罩包含任何適當的硬光罩材料，例如氧化物、氮化 物或氮氧化物，其可以周知技術進行沈積，該周知技術有例 如化學氣相沈積法(CVD)、電衆輔助CVD、原子層沈積(伽* 1啊d— ’ ALD)、蒸發、反應性濺鍍、化學溶液沈積 G與其他類似的沈積製程。較佳是硬光罩層謝包含低溫氧化 物（low temperature oxide ’ LT0)且以 CVD 製程沈積。 視需要但並非必須，在妹層_形成之前，抗反射層 (C)211可以覆i硬光罩層謝而形成，如圖^所示。舰 層包含-般用於與光阻相關聯的ARC材料。ar⑶可被烘烤 =除^溶劑’並改良ARC層的同雛。烘烤製程亦會使 父如反應初始化，該交聯反應會使用於光阻層雇之厦層 不溶於溶劑中。較佳的烘烤溫度範圍為約⑽。c至約2贼， 17 201041011 更佳是約20(TC至約220°C。 在圖7巾，光阻層208經由圖案化光罩212暴露於 輻射210’如上述步驟150。圖案化光罩212至少包含一圖一 該圖案中，—光罩部分214基本上龍射不透明或3魏量粒 子為無法穿透的；且無光罩部分216基本上為龍射 或對能量粒子為可穿透。通過無光罩部分2丨6的韓射或粒子 可傳送至光阻層208,而在曝光區域22〇被吸收，而在光阻層 〇 之該曝光區域22〇中’轄射或粒子會誘導產生酸。光阻層 208之無曝光區域218並不產生酸。暴露於輕射或能量粒子^ 導致曝光區域220在驗顯影液中溶解。 本發明所使用的圖案化光罩212可為任何通常使用於包 括稀薄化PSM的光微影製程之任何光罩。圖案化光罩212之 圖案特徵可包括，但不限於線、溝及接觸孔。 〇 圖8為在鹼水溶液中使光阻層2〇8顯影後基板2〇〇與圖7 之層之圖，如上述步驟160。在鹼溶液區域22〇被移除後，凸 、、文衫像218在光阻層208中形成。凸紋影像218包含於圖案 化光罩212所含的圖案。 在光阻層208曝光後且在顯影前，可實施pEB步驟。若 光阻為正型光阻，則PEB步驟在光阻層之曝光區域中會誘導 去保護化學反應，導致曝光區域在鹼顯影液中為可溶。若光 阻為負型光阻’則PEB步驟會在光阻層的曝光區域中誘導交 聯化學反應，並導祕絲域在彡液巾為不溶。pEB溫 18 201041011 度較佳範圍為約70°C至約14(TC，更佳是約90°C至約130°C。 圖9係在凸紋影像218被轉印至基板後基板200之圖， 如上述步驟17〇。凸紋影像218藉由移除不被圖案化光阻層 208所覆蓋之基板2〇〇之部分而被轉印至基板2〇〇，典型上， 基板部分之移除係藉由反應性離子蝕刻或某些其他對熟悉該 項技藝人士為周知的技術。在轉印步驟之後，光阻層2〇8及 固化的平坦化層202B之-部分殘留是可行的。在此情況，在 〇轉印步驟之後實施剝離步驟以自基板· _任何殘留的光 阻層208及固化的平坦化層2〇2B。 ㈣實施觸地說明並描述，對熟悉 可理解的是可在形式上及細節中做出前述與其 他改變，而不致偏離本發明之精神及料。五 ^ =不限於精確的形式’且所敘述 : 申請專利範圍之範如。 U㈣在後附 〇 【圖式簡單說明】 且與本發明之詳細說明:起，:::=: 表示根據本發料體實施_光微影 圖2至圖9表示根據本發明具體 …^ 例示性處理步驟的橫戴面視圖。“、· ’光微影方法之 201041011 Ο

【主要元件符號說明 1 100、110、120、130、140、150、160、1 200 基板 202 平坦化層 202Α 平坦化層 202Β 固化的平坦化層 203 平坦表面 204 展開樣板 205 實質上平坦表面 206 第一輻射 207 矽抗反射層（Si-ARC) 208 光阻層 209 硬光罩層 210 第二輻射 211 抗反射層（ARC) 212 圖案化光罩 214 光罩部分 216 無光罩部分 218 凸紋影像 218 無曝光區域 220 驗溶液區域 220 曝光區域 步驟 20

Claims (1)

1. 201041011 七、申請專利範圍： 1. 一種光微影方法，包含： 在基板上形成具有一平坦化組成物的一平坦化層，直·中該 平坦化組成物包含至少_芳香族單體及至少一非芳香族單體； 在該基板上，使—實質上平坦表面與該平坦化層接觸； 藉由使4平坦化層暴露於輕射或藉由 而固化該平坦化層； 移除該實質上平坦表面； 0 在該平坦化層上形成一光阻層； 錢絲縣胁具有—影第二輕射； 顯影以在該光阻層中形成一凸紋影像;以及 轉印該凸紋影像於該基板。 2. 如申請專利範圍第1項 約193nm。 ，，，、中〇弟二輻射之該影像波長 3. 如申請專利範圍第i項之方法， 〇 長，該平坦化組成物之折射率二~ —輕射的影像波 約〇_2至約0.5。 、、、、.至約L8，且吸收參數(k) 4. 如申請專利範圍第丨項之方 濃度為該平坦化組成物總重量的約’抓至;3Γ芳香族單體重量 5.如申請專利範圍第丨項之方 體重 量濃度為該平ie化組θ '、 ^非芳香族單 ，成物總重量的約65%至約95〇/。。 201041011

   所構成群組。 7.如申請專利範圍第1項之方法，其中該至少一非芳香族單體係 (V) or

   及 (ΠΙ) (IV) 所構成群組。 8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該平坦化組成物進一步包 含：光酸產生劑、增感劑、界面活性劑、黏著劑及鹼性淬熄劑的 至少一種。 9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該平坦化組成物包含一染 22 201041011 料，該染料使該平坦化組成物在約90〇nm至約1200nm的波長範 圍中具有第一吸收峰值，且在約l〇〇nm至約300nm的波長範圍中 具有第二吸收峰值； 其中該第一吸收峰值之吸收參數(k)大於約0.5，且該第二吸收 峰值之吸收參數(k)約0.1至約0.7 ; 其中該平坦化組成物在約500nm至約600nm的波長範圍之吸 收參數(k)小於0.1。 〇 1〇·如申請專利範圍第1項之方法，其中該平坦化層在該基板上覆 蓋二個或更多模； 其中該平坦化組成物含矽，且該光阻為不含矽之光阻； 其中該平坦化組成物為不含矽組成物，且該光阻為含矽之 阻。 一種光微影方法，包含·· 在基板上形成具有一平坦化組成物的一平坦化層； 〇 ，該基板上使實質上平坦表面與該平坦化層接觸； 以固—輻_由烘_坦化層， 移除該實質上平坦表面； 亥平坦化層上形成—魏反射塗(si_ARC)層； 在該Si-ARC層上形成—光阻層； 阻層恭露於具有—影像波長的第二輕射； ;以及 轉印該阻層内形成-凸紋影像 201041011 12. —種光微影方法，包含： 在^基板上形成具有—平坦化組成物之—平坦化層； ^基板上使實質上平坦表面與該平坦化層接觸； 藉由使辭坦化層暴露於第—輕射或藉由烘烤該平坦化層， 以固化該平坦化層； 移除該實質上平坦表面； 在該平坦化層上形成一硬光罩層； 在該硬光罩層上形成一光阻層； 〇 使該光阻層暴露於具有一影像波長的第二輻射； 使該光阻層顯影以在該光阻層内形成一凸紋影像；以及 轉印該凸紋影像於該基板。 13. 如申請專利範圍第12項之方法，更包含： 在形成該硬光罩層之後’且在形成該光_之前，在該硬光 罩層上形成一抗反射塗(ARC)層； 其中該硬光罩層包含LTO。 Ο 14. —種平坦化組成物，其包含至少一芳香族單體及至少一非芳香 族單體。 15. 如申請專利範圍第14項之平坦化組成物，其中該平坦化組成 物在約193之折射率⑻為約1.4至約U，且吸收參數⑻為約 0.2 至約 0.5。 16. 如申請專利範圍第14項之平坦化組成物，其中該至少一芳香 族單體之重量濃度為該平坦化組成物總重量的約5%至約35%。 24 201041011 17.如申請專利範圍第14項之平坦化組成物，其中該至少一非芳 香族單體之重量濃度為該平坦化組成物總重量的約6 5 %至約 95%。 18.如申請專利範圍第14項之平坦化組成物，其中該至少一芳香 族單體係選自由：

   所構成群組。 Ο 19.如申請專利範圍第14項之平坦化組成物，其中該至少一非芳 香族單體係選自由：

   (V) y (HI) (IV) 及所構成群組。 201041011 20.如申請專利範圍第Μ項之平坦化組成物，其中該平坦化組成 物更包含光酸產生劑、增感劑、界面活性劑、黏著劑及驗性泮媳 劑之至少一種， 其中該平坦化組成物包含一染料，該染料在約9〇〇nm至約 1200nm之波長範圍使該平坦化組成物產生第一吸收峰值，且在約 100nm至300nm之波長範圍產生第二吸收峰值； 其中該第一吸收峰值之吸收參數(k)大於約0.5，且該第二吸收 峰值之吸收參數(k)約0.1至約〇.7 ; 其中該平坦化組成物在約5〇〇nm至約600nm之波長範圍的吸 收參數⑻小於0.1。 〇 26