CN102446746A - 一种预防多晶硅层图形倒塌的方法 - Google Patents
一种预防多晶硅层图形倒塌的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102446746A CN102446746A CN2011103223370A CN201110322337A CN102446746A CN 102446746 A CN102446746 A CN 102446746A CN 2011103223370 A CN2011103223370 A CN 2011103223370A CN 201110322337 A CN201110322337 A CN 201110322337A CN 102446746 A CN102446746 A CN 102446746A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- polysilicon layer
- layer
- planarization
- figures
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种预防多晶硅层图形倒塌的方法，通过在多晶硅层上设置平坦化层，使得有源区和浅沟槽隔离区上的防反射层厚度均匀，从而有效避免由于防反射层厚度不均造成的反射率变化，以致后续光刻定义图形的倒塌。
Description
技术领域
本发明涉及半导体集成电路及其制造领域，尤其涉及一种预防多晶硅层图形倒塌的方法。
背景技术
随着半导体性能要求的不断提高，集成电路芯片的尺寸也越来越小，光刻工艺逐渐成为芯片制造中核心的工序。通常在一个完整的芯片制造工艺中，需要进行多次光刻工序，如在一个完整的45纳米工艺芯片制造工艺中，视性能要求的不同大约需要40至60次光刻工序；而随着器件尺寸的缩小，光刻的图形也相应不断缩小，光阻的厚度及光刻完成后的尺寸也越来越小；当芯片生产工艺从微米级到目前最先进的15纳米工艺时，光刻所使用的波长也在随着芯片工艺的进步不断缩小，已经从汞的I、G系线发展到紫外区域的193nm紫外线、极紫外线EUV、乃至电子束；即光刻已经成为一项精密加工技术。
图1是本发明背景技术中防反射层的厚度与其反射率曲线关系的示意图；其中，纵轴表示基体反射率（substrate reflectivity），横轴表示基体厚度（thickness process ），厚度单位为nm。图2是本发明背景技术中采用传统工艺产生多晶硅（poly）层图形倒塌的结构示意图。
半导体芯片制造中，使用光刻机（scanner）曝光来定义电路图形，曝光之前需要涂布光阻和防反射层（BARC），在曝光过程中，防反射层会吸收光的反射，减少光对图形的干涉；如图1所示，防反射层的不同厚度对应不同的反射率，且防反射层的反射率越低，对图形的定义越好。在曝光多晶硅（poly）层的图形时，如图2所示，在有源区（Active）11和浅沟槽隔离区（STI）12上淀积多晶硅层13后，涂布防反射层（BARC）14，由于多晶硅层13覆盖有不同的衬底，即有源区（Active）11和浅沟槽隔离区（STI）12，所以浅沟槽隔离区（STI）12上的防反射层（BARC）14厚度比有源区（Active）11上的防反射层（BARC）14厚度小，造成防反射层（BARC）14反射率增大，从而导致浅沟槽隔离区（STI）12上的图形15由于光学干涉而使其线条变细倒塌。
发明内容
本发明公开了一种预防多晶硅层图形倒塌的方法，其中，包括以下步骤：
步骤S1：在一包含有有源区和浅沟槽隔离区的衬底上淀积多晶硅层，该多晶硅层覆盖有源区和浅沟槽隔离区；
步骤S2：于多晶硅层上制备平坦化层。
上述的预防多晶硅层图形倒塌的方法，其中，还包括步骤S3：涂布防反射层覆盖平坦化层后，继续光刻工艺。
上述的预防多晶硅层图形倒塌的方法，其中，步骤S2中采用光阻涂布机喷涂形成平坦化层。
上述的预防多晶硅层图形倒塌的方法，其中，平坦化层的材质为具有较高平坦化的有机聚合物。
上述的预防多晶硅层图形倒塌的方法，其中，平坦化层的厚度至少为50nm。
上述的预防多晶硅层图形倒塌的方法，其中，平坦化层的上表面在同一水平面上。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明提出一种预防多晶硅层图形倒塌的方法，通过在多晶硅层上设置平坦化层，使得有源区和浅沟槽隔离区上的防反射层厚度均匀，从而有效避免由于防反射层厚度不均造成的反射率变化，以致后续光刻定义图形的倒塌。
附图说明
图1是本发明背景技术中防反射层的厚度与其反射率曲线关系的示意图；
图2是本发明背景技术中采用传统工艺产生多晶硅（poly）层图形倒塌的结构示意图；
图3是本发明预防多晶硅层图形倒塌的方法的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明：
图3是本发明预防多晶硅层图形倒塌的方法的结构示意图。如图3所示，本发明一种预防多晶硅层图形倒塌的方法：
在55nm工艺中，首先，在包含有有源区21和浅沟槽隔离区22的基底2上淀积多晶硅层23， 其中，多晶硅层23覆盖有源区21和浅沟槽隔离区22；由于有源区21的厚度小于浅沟槽隔离区22的厚度，造成覆盖其上的多晶硅层23形成于浅沟槽隔离区22上形成一定的凸起。
然后，通过使用光阻涂布机喷涂材质为具有较高平坦化的有机聚合物，覆盖多晶硅层23形成厚度至少为50nm的平坦化层24，并使得平坦化层24的上表面在同一水平面上，以填平由于有源区21和浅沟槽隔离区22厚度不同造成的多晶硅层23的凸起。
最后，涂布防反射层25覆盖平坦处24，由于平坦处24的上表面为一水平面，所以防反射层25的厚度较为均匀，使得后续进行的光刻工艺定义的图形26符合工艺的要求，不至于坍塌。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本发明提出一种预防多晶硅层图形倒塌的方法，通过在多晶硅层上设置平坦化层，使得有源区和浅沟槽隔离区上的防反射层厚度均匀，从而有效避免由于防反射层厚度不均造成的反射率变化，以致后续光刻定义图形的倒塌。
通过说明和附图，给出了具体实施方式的特定结构的典型实施例，基于本发明精神，还可作其他的转换。尽管上述发明提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。
对于本领域的技术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本发明的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本发明的意图和范围内。
Claims (6)
1.一种预防多晶硅层图形倒塌的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在一包含有有源区和浅沟槽隔离区的衬底上淀积多晶硅层，该多晶硅层覆盖有源区和浅沟槽隔离区；
步骤S2：于多晶硅层上制备平坦化层。
2.根据权利要求1所述的预防多晶硅层图形倒塌的方法，其特征在于，还包括步骤S3：涂布防反射层覆盖平坦化层后，继续光刻工艺。
3.根据权利要求1所述的预防多晶硅层图形倒塌的方法，其特征在于，步骤S2中采用光阻涂布机喷涂形成平坦化层。
4.根据权利要求1或3所述的预防多晶硅层图形倒塌的方法，其特征在于，平坦化层的材质为具有较高平坦化的有机聚合物。
5.根据权利要求1或3所述的预防多晶硅层图形倒塌的方法，其特征在于，平坦化层的厚度至少为50nm。
6.根据权利要求1或3所述的预防多晶硅层图形倒塌的方法，其特征在于，平坦化层的上表面在同一水平面上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011103223370A CN102446746A (zh) | 2011-10-21 | 2011-10-21 | 一种预防多晶硅层图形倒塌的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011103223370A CN102446746A (zh) | 2011-10-21 | 2011-10-21 | 一种预防多晶硅层图形倒塌的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102446746A true CN102446746A (zh) | 2012-05-09 |
Family
ID=46009141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011103223370A Pending CN102446746A (zh) | 2011-10-21 | 2011-10-21 | 一种预防多晶硅层图形倒塌的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102446746A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108899321A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-11-27 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 快闪存储器的制造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201041011A (en) * | 2009-01-08 | 2010-11-16 | Ibm | Substrate planarization with imprint materials and processes |
-
2011
- 2011-10-21 CN CN2011103223370A patent/CN102446746A/zh active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201041011A (en) * | 2009-01-08 | 2010-11-16 | Ibm | Substrate planarization with imprint materials and processes |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108899321A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-11-27 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 快闪存储器的制造方法 |
| CN108899321B (zh) * | 2018-07-20 | 2020-09-15 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 快闪存储器的制造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10685838B1 (en) | Semiconductor structure providing for an increased pattern density on a substrate and method for forming same | |
| KR100858877B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| US20110171585A1 (en) | Photolithography Method | |
| US20100099046A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| CN105652586A (zh) | 利用曝光辅助图形来减少基底反射影响的方法 | |
| CN107658267B (zh) | 阵列基板的制造方法 | |
| US20130034962A1 (en) | Method for Reducing a Minimum Line Width in a Spacer-Defined Double Patterning Process | |
| US10734284B2 (en) | Method of self-aligned double patterning | |
| CN1996569B (zh) | 用于制造半导体器件的方法 | |
| US6627388B2 (en) | Method for reducing roughness of photoresist through cross-linking reaction of deposit and photoresist | |
| CN103439862A (zh) | 栅极lele双重图形成型方法 | |
| CN101308330B (zh) | 利用可显影填充材料的两次图形曝光方法 | |
| CN102881567B (zh) | 一种双重图形化方法 | |
| CN102446746A (zh) | 一种预防多晶硅层图形倒塌的方法 | |
| US8415088B2 (en) | Method for forming a material layer | |
| CN104157556A (zh) | 金属硬掩模开口刻蚀方法 | |
| CN103107178B (zh) | 一种用负性光刻胶制作背照式影像传感器深沟槽的方法 | |
| KR101039140B1 (ko) | 고집적 반도체 메모리소자의 제조방법 | |
| CN102915950B (zh) | 在半导体器件上同时制作通孔和沟槽的方法 | |
| CN103515198B (zh) | 连续形成两道深度不同的孔或槽的工艺方法 | |
| CN102468129B (zh) | 用于半导体制备中的表面平坦化的方法 | |
| JP2013074269A (ja) | 反射型マスクおよびマスクブランク、その製造方法 | |
| US20160336172A1 (en) | Lithography stack and method | |
| CN102005374B (zh) | 浮栅的构造方法 | |
| KR100731069B1 (ko) | 플래시 메모리 소자의 플로팅 게이트 및 그 형성방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20120509 |