TW201036043A - Process for manufacturing semiconductor device and sputtering device - Google Patents

Description

201036043 六、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明，係有關於在半導體元件等之製作中 的半導體裝置之製造方法、以及濺鍍裝置。 【先前技術】 包含.有金屬之氮氧化膜，係作爲半導體元件 0 質或是電極等，而具有廣泛的用途，例如，作爲 層，由於其之高阻障性，係使用有Ti ON。又， 著近年來之半導體裝置的細微化而被多所利用之 膜，由於其之高耐熱性，例如包含有Hf或是Zr 膜係有希望能作使用。又，作爲閘極電極，從 起，係使用有多晶矽，但是，由於其係身爲半導 因此係難以避免空乏化。故而，在專利文獻1中 有：使用耐熱性爲優良、且能夠得到良好的工作 〇 時亦身爲金屬材料之Ti等的氮氧化膜。 作爲用以製作此些之被作了氮氧化之金屬含 法，係存在有物理性方法以及化學性方法。在工 性爲高之方法，作爲物理性方法，係存在有濺鍍 化學性方法，係存在有包括ALD法之CVD法。 由於於多數之場合係將有機金屬化合物作爲原料 用，因此，係存在著在製作了的膜中容易混入 題。又，在CVD中所使用之原料氣體，在多 中，係爲有毒，因此，係有必要進行未使用原料 所被使用 中之介電 接觸阻障 作爲伴隨 高介電質 之氮氧化 先前技術 體材料， ，係揭示 函數，同 有膜的方 業上實用 法，作爲 CVD 法， 氣體來使 有碳之問 數之情況 或是副生 •5- 201036043 成物之除害。而’濺鍍法所致之成膜’由於係並沒有如同 CVD法一般之碳混入的問題或是未使用原料或副生成物 之除害的問題，因此，在裝置性能或是成本之點上’係爲 有利。 在使用濺鍍法來製作含有金屬之氮氧化膜的情況中’ 係可大略分爲下述之3種類的方法。 (1) 使用金屬標靶，並在包含有氧與氮之氛圍中藉 由反應性濺鍍法來進行成膜，而形成金屬氮氧化膜之方 0 法。 (2) 使用氧化金屬標靶或是氮化金屬標靶等之介電 質標靶，來藉由濺鍍法而形成金屬氮氧化膜之方法。 (3) 在基板上藉由濺鍍法來形成金屬或是含有金屬 之膜’而後’對於所形成之金屬或是含有金屬之膜施加氮 氧化處理，而製作金屬氮氧化膜或是含有金屬之氮氧化膜 之方法。 作爲第1方法（1)，例如，在專利文獻2中，係揭 ◎ 示有：在存在著水或是氧氣等之包含有氧元素的氣體與氮 氣的氛圍中’將Ti作爲標靶，並作爲薄膜電阻體而形成 Ti ON膜之方法。又，在專利文獻1中，係揭示有：在包 含有氮與氧之氛圍中’將以或Ta乃至其他之金屬作爲標 靶’並將Ti或Ta乃至其他之金屬的氮氧化膜作爲高介電 率膜上電極膜而形成的方法。又，在專利文獻3中，係揭 示有·在氧與氮之混合氛圍中’將Zr或是Hf作爲標靶， 而形成ZrOH或是Hf〇H之方法。又’作爲能夠形成此些 -6- 201036043 之氮氧化膜的裝置，在專利文獻4中，係揭示有：將反應 性氣體導入至基板近旁，並將惰性氣體導入至標靶近旁， 藉由此’而使得在標靶表面上難以形成標靶材與反應氣體 間之化合物，以對薄膜形成速度之降低作抑制，而能夠對 基板上進行成膜之反應性濺鍍裝置。 作爲第2方法（2 ) ’例如，在專利文獻5中，係揭 示有：使用例如氮氣、或是惰性氣體與氮氣之混合氣體， 0 並將氧化鈦作爲標靶，而形成TiON膜之方法。 在第3方法（3)中’係先形成金屬或是含有金屬之 膜’接著再進行氮氧化。作爲此種方法之其中一例，在專 利文獻6中，係揭示有：先形成TiN膜，而後使該TiN 膜與激發氧起反應’而形成Ti ON膜。又，作爲其他例 子’在專利文獻7中’係揭示有：先藉由Ar與N2之混合 氣體的反應性濺鍍來形成ZrN、ZrSiN ' HfN或是 HfSiN，而後進行氧化，而形成ZrON、ZrSiON、HfON或 Ο 是 HfSiON。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本特開2007-173796號公報 [專利文獻2]日本特開2〇〇〇_294738號公報 [專利文獻3]日本特開2〇〇〇_58832號公報 [專利文獻4]日本特開平5_65642號公報 [專利文獻5]日本特開平^-286773號公報 [專利文獻6]日本特開平5_6825號公報 201036043 [專利文獻7]日本特開2002-314〇67號公報 【發明內容】 在前述第1方法中，由於係能夠藉由1工程而形成金 屬氮氧化膜，且係使用金屬標靶，因此，成膜速度亦爲 快，而爲在3個手法中之最理想者。但是，若是欲將此適 用在閘極電極膜之形成中，則如同在專利文獻1中所揭示 一般，係要求使用氧漏洩閥（leak valve )來將氧作導 入，或者是將在濺鍍前而殘留於反應室內之1x1 (Γ4托爾 左右的氧（在文獻中，係將其描述爲背景壓力）利用在反 應中。此係因爲，相較於氮，氧的反應性係爲高，爲了得 到所期望之組成，相較於氮，係有必要將氧或者是含有氧 之氣體的分壓控制在非常低的程度之故。但是，此種控 制，係非常困難，作爲半導體元件之量產方法。係並不合 適。 又，在第2手法中，係與第1方法相同的，具備有能 夠以1工程而得到金屬氮氧化膜之優點，但是，由於係使 用介電質標靶，因此，係有著成膜速度爲慢之問題。 又，在第3手法中，成膜係成爲2工程以上，而使工 程數增加，伴隨於此，會有著由於處理室之數量的增加而 導致製造成本增大之問題。 如同上述一般，在氮氧化膜之形成中，想要不伴隨著 會使成本增大之工程數的增加，而將膜組成之控制性提升 一事，係爲困難。 -8 - 201036043 因此，本發明，係以提供一種：並不使工程增加，而 將金屬與反應性氣體間之膜組成作了改善的半導體裝置之 製造方法以及濺鍍裝置爲目的。 爲了達成此種目的，本發明，係爲一種半導體裝置之 製造方法，其特徵爲，具備有：將基板載置在處理室內之 基板支持器上的工程；和一面將第1反應性氣體以及較該 第1反應性氣體而反應性爲更高之第2反應性氣體導入至 〇 前述處理室中，一面對於前述處理室內之標靶施加電力而 進行濺鍍，來在前述基板上成膜含有標靶材料之膜的成膜 工程，前述成膜工程，係從被設置在前述標靶之近旁處的 第1氣體導入口，而至少將前述第1反應性氣體導入，並 從被設置在與前述標靶間之距離成爲較前述第1氣體導入 口而更爲遠離之位置處的第2氣體導入口，而導入前述第 2反應性氣體。 又，本發明，係爲一種濺鍍裝置’其特徵爲’具備 〇 有：處理室；和被設置在處理室中’用以將標靶作保持之 標靶支持器；和用以對於前述標靶支持器施加特定之電壓 的電壓供給機構；和用以在前述標靶支持器之近旁形成磁 場的磁場形成機構；和被設置在前述標靶支持器之近旁’ 並將第1反應性氣體導入至前述處理室內之第1氣體導入 口；和被設置在與前述標靶支持器間之距離成爲較前述第 1氣體導入口而更爲遠離之位置處，並將相較於前述第1 反應性氣體而反應性爲更高之第2反應性氣體導入至前述 處理室內之第2氣體導入口。 -9- 201036043 若依據本發明，則在使用有標靶與複數之反應性氣體 的半導體裝置之製造方法（例如，反應性濺鍍方法）中， 並不會使工程增加，便能夠成爲對於金屬與反應性氣體之 組成的控制性作了改善之成膜。 【實施方式】 以下，參考圖面，針對本發明之合適的實施形態作例 示性的詳細說明。但是，在此實施型態中所記載之構成要 素，係僅爲例示，本發明之技術性範圍，係經由申請專利 範圍之內容而被確定，而並不被以下之個別的實施型態所 限定。 參考圖1，針對濺鍍成膜裝置1之全體構成作說明。 圖1，係爲本發明之實施型態的濺鍍裝置1之槪略圖。濺 鍍成膜裝置1，係具備有：可進行真空排氣之真空處理室 2、和經介於排氣口而被與真空處理室2作鄰接設置的排 氣處理室8、和經介於排氣處理室而對於真空處理室2內 進行排氣之排氣裝置。於此，排氣裝置係具備有渦輪分子 幫浦48。又，在排氣裝置之渦輪分子幫浦48處，係更進 而被連接有乾式幫浦49。另外，在排氣處理室8之下方 設置排氣裝置的原因，係爲了儘可能地將裝置全體之佔據 面積（footprint)縮小之故。 在真空處理室2內，係被設置有經介於背板5而被作 保持之標iE支持器6。在標祀支持器6之近旁，係以將標 靶支持器6作覆蓋的方式，而被設置有標靶閘門i 4。標 -10- 201036043 靶閘門1 4 ’係具備有旋轉閘門之構造。標靶閘門1 4，係 作爲用以產生將基板支持器與標靶支持器6之間作遮蔽之 閉狀態（遮蔽狀態）、或者是將基板支持器與標靶支持器 6之間作開放之開狀態（退避狀態）的遮蔽構件而起作 用。在標靶閘門1 4處，係被設置有用以進行標靶閜門j 4 之開閉動作的標靶閘門驅動機構33。在標靶支持器6與 標靶閘門1 4之間的空間中，於標靶支持器6之周圍處， 0 係以將標靶支持器6之周圍作包圍的方式，而被安裝有身 爲筒狀遮罩之煙囪9。被安裝於標靶支持器6處之標靶4 的濺鍍面前面之磁控管放電空間，係經由煙囪9而被作包 圍，在閘門之開狀態下，係在標靶閘門1 4之開口部處而 成爲開口。 在從濺鍍面所視之標靶4的背後處，係被配設有用以 實現磁控管濺鍍之磁鐵13。磁鐵13，係被保持在磁鐵支 持器3處，並藉由未圖示之磁鐵支持器旋轉機構，而成爲 〇 可旋轉。爲了使標靶之侵蝕成爲均一，在放電中，此磁鐵 1 3係作旋轉。 標靶4，係被設置在相對於基板10而配置於斜上方 之位置（偏位（offset )位置）處。亦即是，標靶4之濺 鑛面的中心點，係位在相對於基板1 〇之中心點的法線而 偏移了特定之尺寸的位置處。在標靶支持器6處，係被連 接有施加濺鍍放電用電力之電源12。若是藉由電源12而 將電壓施加於標靶支持器6處，則放電係開始，而濺鍍粒 子係被堆積在基板上。若是將通過標靶4之中心的包含有 -11 - 201036043 基板支持器7之上面的平面之法線的與該平面相交叉之交 點、和標靶4之中心點，其兩者間的距離定義爲T/S距離 (參考圖1 ) ’則在本例中，T/S距離係爲240mm。另 外’在本實施型態中’於圖1中所示之成膜裝置，雖係具 備有D C電源，但是，係並不被限定於此，例如，亦可具 備有RF電源。當使用有RF電源的情況時，係有必要在 電源12與標靶支持器6之間設置整合器。 標靶支持器6’係藉由絕緣體34，而被從接地電位之 真空處理室2作絕緣，又，由於其係爲cu等之金屬製， 因此’當被施加有DC或是RF之電力的情況時，係成爲 電極。另外’標靶支持器6，係於內部具備有未圖示之水 路，並被構成爲能夠藉由從未圖示之配水管所供給而來之 冷卻水來作冷卻。標靶4，係包含有欲對於基板1 〇進行 成膜之材料成分。標靶4，由於係會對於所堆積之膜的純 度造城影響，因此，係以高純度者爲理想。 被設置在標靶4與標靶支持器6之間的背板5，係由 Cu等之金屬所成，並將標靶4作保持。 又，在真空處理室2內，係具備有：用以將基板1〇 作載置之基板支持器7、和被設置在基板支持器7與標靶 支持器6之間的基板閘門1 9、和對基板閘門進行開閉驅 動之基板閘門驅動機構32。於此，基板閘門19，係被配 置在基板支持器7之近旁，並作爲用以產生將基板支持器 7與標靶支持器6之間作遮蔽之閉狀態、或者是將基板支 持器7與標靶支持器6之間作開放之開狀態的遮蔽構件而 -12- 201036043 起作用。 在身爲基板支持器7之面上且爲基板10之載置部分 的外緣側（外週部）處，係被設置有具備環形狀之遮蔽構 件（以下，稱爲「基板周邊遮罩21」）。基板周邊遮罩 21，係防止濺鍍粒子附著在被載置於基板支持器7上之基 板1 〇的成膜面以外之場所處。於此，所謂成膜面以外之 場所，除了經由基板周邊遮罩21所被覆蓋之基板支持器 0 7的表面之外，亦包含有基板10之側面或是背面。在基 板支持器7處，係被設置有用以使基板支持器7作上下移 動並以特定之速度而作旋轉之基板支持器驅動機構31。 基板支持器驅動機構31，係能夠使基板支持器7上下移 動並固定在適當的位置處。 真空處理室2，係具備有：用以將第1反應性氣體導 入至真空處理室2中之第1氣體導入口 15、和用以將第2 反應性氣體導入之第2氣體導入口 17、和用以對真空處 Q 理室2之壓力作測定的壓力計41。第1氣體導入口 15, 係被與氣體導入手段501 (後述）相連接，該氣體導入手 段501，係具備有：用以至少將第〗反應性氣體（例如， 氮氣）作導入之配管、和用以控制第1反應性氣體之流量 的質量流控制器、和用以將第1反應性氣體之流動作遮斷 或是使該流動開始的閥類。此氣體導入手段501，係亦可 因應於需要，而具備有減壓閥或是濾網。此種第1氣體導 入口 1 5，係成爲能夠安定地流動藉由未圖示之控制裝置 所被指定了的氣體流量之構成。第1氣體導入口 15’係 -13- 201036043 位置在標靶4之近旁。第1氣體導入口 15，係成爲能夠 朝向標靶4之前面的產生磁控管放電之空間來將第1反應 性氣體作導入。 另外，亦可從第1氣體導入口 15來導入第1反應性 氣體以及惰性氣體（例如，氬氣）之混合氣體。 參考圖2以及圖3，對於用以從標靶之近旁來將反應 性氣體作導入之第1氣體導入口 12的詳細構成作說明。 圖2，係展示第1氣體導入口附近之詳細的縱剖面圖。用 以供給反應性氣體（氮氣N2)與惰性氣體（氬氣Ar)之 氣體導入手段501，係通過氣體導入管5 02，並通過煙囪 9之內部，而與被設置在煙囪9之前端部處的氣體導入口 15相通連。此氣體導入口 15,係被設置在標靶之近旁， 並被構成爲朝向標靶之中心軸來將氣體放出。於此之所謂 標靶（標靶支持器）的近旁，係指至少相較於標靶（標靶 支持器）與基板間之中間位置而更靠標靶（標靶支持器） 之側。更詳細而言，係將氣體導入口 15，設置在從標靶 表面而離開有特定之距離（10mm〜200mm)之身爲筒狀 遮罩的煙囪9之前端部處。藉由此構成，而將反應性氣體 (或是惰性氣體與反應性氣體之混合氣體），導入至身爲 磁鐵1 3所作出之磁場的相對於標靶表面而平行成份之磁 通量密度變大的部分、且磁場之平行成分的磁通量密度至 少爲0.2mT (微特斯拉））以上的部分處。此係因爲，在 平行成分之磁通量密度變高的部分處，於製程中，電漿密 度係變高，而容易使被導入的反應性氣體活性化之故。另 -14- 201036043 外，在本例中，此磁鐵1 3，係相當於本發明之磁場形成 機構，但是’係並不被限定於此’例如，作爲磁場形成機 構，亦可爲使用電磁石等而施加磁場者。 圖3，係爲第1氣體導入口 15之橫剖面圖。如圖3 中所不一般’在環狀之氣體導入管502處，複數之第1氣 體導入口 15，係以能夠朝向標靶4之前面的放電空間而 均等地（對稱地）進行導入的方式，而被點對稱地作配 Q 置。作爲身爲此種構造之氣體導入口 15的例子，例如， 係亦可爲瓦斯爐環一般之複數的導入孔，或是均一地細長 穿空之細縫。 參考圖4，對於用以從基板支持器之近旁來將反應性 氣體作導入之第2氣體導入口 17的詳細構成作說明。圖 4，係爲用以供給第2反應性氣體（氧氣02)之第2氣體 導入口附近的詳細之縱剖面圖。氣體導入手段6 0 1，係通 過氣體導入管602，而與被設置在基板閘門19之上部處 〇 的氣體導入口 17相通連。氣體導入口 17，係以使氣體朝 向基板而被導入至處理室內的方式’而被作配置。又，與 圖中所示之第1氣體導入口 15相同的，在環狀之氣體導 入管602處，複數之第2氣體導入口 1 7係被點對稱地作 配置。藉由此種構成，能夠將氣體均等地導入至基板近旁 處。 氣體導入手段601，係具備有：用以對於第2反應性 氣體之流量作控制的質量流控制器 '和用以將第2反應性 氣體之流動作遮斷或是使其開始之閥類。此氣體導入手段 -15- 201036043 601，係亦可因應於需要，而具備有減壓閥或是濾網。第 2氣體導入口 17’係成爲能夠安定地流動藉由未圖示之控 制裝置所被指定了的氣體流量之構成。第2氣體導入口 1 7，係位置在將基板1 〇作保持之基板支持器7之近旁。 亦即是，第2氣體導入口 17,係被設置在與標靶表面間 之距離成爲較第1氣體導入口而更爲遠離之位置處。第2 氣體導入口 17，係成爲能夠將第2反應性氣體導入至被 保持在基扳支持器7處之基板10的近旁。第2氣體導入 口，係以身爲能夠朝向基板前面1 〇之堆積面而均等地 (對稱地）來作導入一般之構造爲理想。作爲身爲此種構 造之氣體導入口 17的例子，例如，係亦可爲瓦斯爐環一 般之複數的導入孔，或是均一地細長穿空之細縫。 第1反應性氣體，係爲至少包含有氮之氣體。在本發 明之其中一種實施型態中，係亦可將作爲第1反應性氣體 之氮與氬等之惰性氣體間的混合氣體等，從第1氣體導入 口 15而導入至真空處理室2內。第2反應性氣體，係爲 相較於第1反應性氣體而活性度爲更高的氣體，更具體而 言，係爲至少包含有氧之氣體。如同上述一般，將第1氣 體導入口 15設置在標靶支持器6之近旁的原因，係爲了 將活性度爲低之氣體（亦即是反應性爲低之氣體）經由被 施加在標靶支持器6處之電力來活性化並使反應性提升之 故。又，所謂製程氣體，係指在成膜處理中被供給至真空 處理室2內之氣體的總稱，而並非爲代表特定之氣體者。 例如，在製程氣體中，係包含有第1反應性氣體、第2反 -16 - 201036043 應性氣體以及惰性氣體。 相反的，將第2氣體導入口設置在與標靶間之距離成 爲較第1氣體導入口〗5而更爲遠離之位置處、亦即是將 第2氣體導入口 17設置在基板支持器7之近旁處的原 因，係爲了藉由從標靶支持器6而遠離地來進行活性度爲 高之氣體（亦即是反應性爲高之氣體）的供給，而對於上 述反應性爲高之氣體被過度地活性化的事態作抑制乃至防 Ο 止之故。 如此這般，在本發明中，爲了將被施加在標靶支持器 6處之用以進行濺鍍的電力作流用，而將反應性爲低之第 1反應性氣體活性化，並且，針對反應性爲高之第2反應 性氣體，而對於上述電力所致之活性化作抑制，係將第1 氣體導入口 15設置在標靶支持器6之近旁，並將第2氣 體導入口 17設置在基板支持器7之近旁。亦即是，藉由 對第1氣體導入口 15與第2氣體導入口 17進行此種配 〇 置，能夠使藉由標靶支持器6所產生之電漿作用在欲進行 活性化之第1反應性氣體處，並將其活性化，而，關於並 不欲將其過度地活性化之第2反應性氣體，則能夠對於從 上述標靶支持器6而來之電漿的作用作抑制。 故而，就算是並不另外設置用以將第1反應性氣體活 性化的機構，亦能夠藉由爲了對於標靶4進行濺鍍所使用 之被供給至標靶支持器6處的電力，來將第1反應性氣體 活性化，因此，不會導致成本之增大，而能夠以良好效率 來進行膜之生成。又，由於用以將相較於第1反應性氣體 -17- 201036043 而反應性爲更高之第2反應性氣體導入至真空處理室2中 的第2氣體導入口 1 7，係從被供給有電力之標靶支持器6 而遠離地被作配置，因此，能夠對於第2反應性氣體之非 預期的活性化作抑制，而能夠如同預想一般地來進行第2 反應性氣體之反應，故能夠將所形成之膜組成的控制性提 升。 另外，所謂反應性氣體，係指與從標靶而來之濺鑛粒 子、標靶表面或者是被成膜了的膜起反應之氣體。又，所 0 謂基板支持器的近旁，係指至少相較於標靶與基板支持器 間之中間位置而更靠基板支持器之側。 第1反應性氣體與第2反應性氣體，係被導入至真空 處理室2內，並爲了形成膜而被使用，而後，除了用來形 成膜的一部份之外，其他氣體係通過排氣處理室8並藉由 渦輪分子幫浦48以及乾式幫浦49而被作排氣。 真空處理室2之內面，係被作接地。在標靶支持器6 與基板支持器之間的真空處理室2之內面處，係被設置有 U 被作了接地的筒狀遮蔽構件（遮罩40 )。於此之所謂遮 罩，係指爲了防止從標靶4所被放出之濺鍍粒子直接附著 在真空處理室2之內面處，並對於真空處理室之內面作保 護，而與真空處理室2分別獨立地被形成，並能夠定期地 進行交換，或是在洗淨後而作再利用的構件。 排氣處理室8，係將真空處理室2與渦輪分子幫浦48 之間作聯繫。在排氣處理室8與渦輪分子幫浦48之間， 係被設置有主閥47，其係爲當進行維修時，用以將成膜 -18- 201036043 裝置1與渦輪分子幫浦48之間作遮斷者。 參考圖5以及圖6，對於基板周邊遮罩21以及基板 閘門1 9之形狀作詳細說明。圖6，係爲對於與基板閘門 19相對向的基板周邊遮罩21之槪略作展示的圖。在基板 周邊遮罩21處，係被形成有朝向基板閘門1 9之方向而延 伸的具備有環形狀之突起部。如此這般，基板周邊遮罩 21係爲環狀，而，在基板周邊遮罩21之與基板閘門i 9 0 相對向的面上，係被設置有同心圓狀之突起部（突起 21a、21b) ° 圖5，係爲對於與基板周邊遮罩21相對向的基板閘 門1 9之槪略作展示的圖。在基板閘門1 9處，係被形成有 朝向基板遮罩21之方向而延伸的具備有環形狀之突起 部。在與基板周邊遮罩21相對向之基板閘門19的面上， 係被設置有突起部（突起19a)。另外，依突起21a、突 起19a、突起21b之順序，其之圓周係依序增大。 〇 在藉由基板支持器驅動機構31而使基板支持器作了 上升的位置處，突起19a與突起21a以及突起21b，係以 非接觸的狀態而相嵌。或者是，在藉由基板支持器驅動機 構32而使基板閘門1 9作了下降的位置處，突起丨9a與突 起2 1 a以及突起2 1 b ’係以非接觸的狀態而相嵌。於此情 況’在藉由複數之突起21a、21b所形成之凹部處，另外 一方之突起1 9a係以非接觸的狀態而相嵌。 另外，複數之突起的數量，係並不被限定爲上述者， 例如’係可設爲：被設置在基板周邊遮罩處之突起，係爲 19 - 201036043 1個以上，而被設置在基板閘門處之突起’係爲2個以 上，相反的，亦可設爲：被設置在基板閘門19處之突 起，係爲2個以上，而被設置在基板周邊遮罩處之突起’ 係爲1個以上。藉由以此種突起來構成迷路 (labyrinth)，能夠防止職鍍粒子附著在基板支持器之基 板載置面上。 接下來，參考圖7、圖8、圖9以及圖12，對於本發 明之其中一種實施型態的半導體裝置之製造方法作說明。 於本例中，作爲其中一例，對於包含有金屬之氮氧化膜的 製造工程作說明。 圖7，係爲經由本製造工程所致作了的具備有閘極堆 疊構造之半導體裝置的其中一例之剖面圖。於圖7中所示 之半導體裝置，係爲在基板901上，被層積有介面層 902、高介電質膜903、閘極電極904的構造。 作爲半導體基板901，係使用矽Si，但是，係並不被 限定於此，例如，亦可使用Ge、SiGe、SiC等之半導體材 料，或是使用砂晶絕緣體（Silicon on Insulator)構造。 作爲介面層902，係以氧化矽Si02爲理想，但是，係並不 被限定於此。介面層902之膜厚，係爲O.lnm〜5nm。作 爲高介電率膜903，係爲氧化物、氮化物、氮氧化物或是 此些之組合，例如，係爲 Hf02、Zr02、Al2〇3、Ti02 ' L a 2 0 3 ' SrTi〇3、L a A10 3、Y 2 〇 3、G a 2 〇 3、G d G a Ο、H f Ο N， 或是此些之混合物。高介電質膜之膜厚，係爲 0.5〜 3nm。作爲閘極電極904，係使用氮氧化鈦TiOxNY，且爲 201036043 5SXS40、5SYS40。另外，在本例中，雖係使用氮氧 化鈦，但是，係並不被限定於此，例如，亦可使用在 Si、Hf、Al、La、Ta或是其他之金屬的氮氧化膜之形成 中。另外，在本說明書中，爲了對組成作表示所使用之數 値，係均爲根據原子％ ( at% )。 圖8，係爲對於在實施本製造工程時所被使用的叢集 型態之製造裝置的其中一例作展示之槪略圖。 〇 製造裝置800，係於中心部處具備有轉移處理室 802，在轉移處理室802之周邊，係經介於閘閥，而被設 置有：裝載鎖定處理室801、和氧化處理處理室8 03、和 濺鍍處理室804、和加熱處理室805、和於本發明中具備 有特徵之濺鍍處理室（濺鍍裝置）1。轉移處理室802, 係具備有搬送機器人（未圖示），並被構成爲能夠將基板 在處理室間作搬送。各處理室 801、802、803、804、805 以及1，係分別被設置有可進行真空排氣之排氣手段。 Q 又，在各處理室間，由於係經介於閘閥而被作真空連結， 因此，不會有使基板露出於大氣中的情況，而能夠將所有 的工程在真空中來進行處理。 [實施例1] 圖9，係爲用以對在圖7中所示之閘極堆疊構造的半 導體裝置之製造方法作說明之製程流程圖。 在步驟S1中，半導體基板901，係藉由裝載鎖定室 801而被搬入至製造裝置中。在步驟S2中，半導體基板 -21 - 201036043 901，係藉由轉移處理室8 02之搬送機器人，而 鎖定室801來並不暴露在大氣中地而被搬送至氧 理室803中，並藉由熱氧化製程，而在半導體基 表面上形成由氧化矽Si02所成的介面層902。此 並不被限定爲熱氧化，而亦可使用ALD等之成 或者是使用電漿氧化製程。 在步驟S3以及步驟S4中，係在介面層902 形成高介電率膜9〇3。首先’在步驟S3中，係 機器人，而將被形成有介面層9 02之半導體基板 至濺鏟處理室804中，並藉由濺鍍等之物理性的 法，來在介面層9 02之上面形成由Hf所成之金 步驟S4中，藉由上述搬送機器人，而將被形成 之半導體基板901從濺鍍處理室804來不暴露在 而搬入至加熱處理室8 05中’並進行熱製程。藉 程，金屬層與介面層902係進行熱反應’並作爲 膜903而被形成有氧化給Hf02。 在步驟S5中，係藉由搬送機器人而將被形 電率膜903之半導體基板901搬入至濺鍍處理室 在高介電率膜903之上面’藉由反應性濺鍍法而 電極膜904。 具體而言，在步驟S5中，作爲標靶4之標 準備Ti，並在氫氣Ar以及作爲第1反應性氣體 還有作爲第2反應性氣體之氧氣〇2氛圍中，藉 來成膜TiON膜（閘極電極膜904 )。身爲製程 被從裝載 化處理處 板901之 製程，係 膜製程， 之上面， 經由搬送 901搬入 氣相成長 屬層。在 有金屬層 大氣中地 由此熱製 高介電率 成有高介 1內，並 形成閘極 靶材，而 之氮氣n2 由濺鍍法 氣體之一 -22- 201036043 的氬氣Ar、和活性度爲低之作爲第1反應性氣體的氮氣 N2，係從被設置在位置於標靶4近旁之煙囪9的前端部處 之第1氣體導入口 15，而被導入至濺鍍處理室1之真空 處理室2內。氬氣與氮氣之流量，係分別設爲了 2 Osccm (seem係爲將在每一分鐘所供給之氣體流量以0 t 1大氣 壓的體積來作表現的單位）、以及15sccm。作爲第2反 應性氣體之氧氣〇2，係從被設置在基板支持器7之近旁 0 的第2氣體導入口 17而被導入。02流量，係設爲了 2sccm。經由氬氣，Ti標粑係被濺鍍，濺鍍粒子，係與氮 氣以及氧氣產生反應，並形成氮氧化鈦膜。如此這般，若 是將氮氣導入至標靶4近旁，則係藉由從標靶支持器6而 來之電力來將氮氣活性化，而能夠成爲容易起反應的狀 態。於標靶處，係施加有1 〇〇〇 W之DC電力。藉由對於 DC電力之施加時間作調整，而致作了 7nm之Ti ON膜。 於此，針對步驟S5之Ti ON膜（閘極電極膜）的形 Q 成工程，使用圖11來作詳細說明。 圖11，係展示有在使用濺鍍處理室1來形成閘極電 極膜904時的處理程序。具體而言，係展示有：在各處理 中之時間、標靶施加電力、標靶閘門14之位置、基板閘 門1 9之位置、以及Ar氣體流量、氮氣流量、氧氣流量。 參考圖11，針對成膜之處理程序作說明。 首先，進行氣體尖衝（gas spike)。藉由此工程，而 提高真空處理室2內之壓力，並製作出容易在接下來之電 漿著火工程中而使放電開始之狀態。此條件，係設定爲： -23- 201036043 標靶閘門1 4以及基板閘門1 9係爲閉狀態，氬氣流量爲 200sccm、氮氣流量爲50sccm、氧氣流量爲2sccm。亦即 是，未圖示之控制裝置，係對於標靶閘門驅動機構3 3以 及基板閘門驅動機構20作控制’並將標靶閘門1 4以及基 板閘門1 9設爲閉狀態。又，上述控制裝置，係對於各質 量流控制器進行控制，而從第1氣體導入口 1 5來以流量 200sccm而導入氬氣、以流量50sccm而導入氮氣，並從 第2氣體導入口 17來以流量2sccm而導入氧氣。藉由此 處理程序，而將標靶4近旁之氬氣壓力提高，並且將反應 性氣體之壓力設爲相較於氬氣壓力而爲更低之狀態°爲了 在接下來的電漿著火工程中而將標靶表面設爲金屬型態 (metal mode)，相對於如此這般地被供給至真空處理室 2中之製程氣體的總流量（氬氣、第1反應性氣體以及第 2反應性氣體之總流量）之第1反應性氣體以及第2反應 性氣體的總量之比’係以設爲3 0%以下爲理想。 接著，進行電漿著火工程。在維持於前述各閘門位置 以及氣體條件的狀態下’對於Ti標靶4施加10〇〇w之 DC電力，並使電漿產生（電漿著火）。藉由使用此氣體 條件，能夠防止在低壓力下所容易發生之電漿產生不良的 情況。又，較理想’係藉由選擇能夠將標靶表面設爲金屬 型態一般之反應性氣體流量比之條件’而能夠防止由於反 應性氣體而在標靶4表面上形成氧化物、氮化物或是氮氧 化物的事態。爲了如此這般地將標靶4表面設爲金屬型態 的條件，具體而言’係以使相對於將反應性氣體（第〗反 -24- 201036043 應性氣體以及第2反應性氣體）與氬氣作了加總之製程氣 體的總流量之反應性氣體（第1反應性氣體以及第2反應 性氣體）的總流量之比率成爲3 0%以下爲理想，又，從同 樣之觀點來看，係以將標靶施加電力設爲500W以上爲理 想。 接著，進行預濺鍍1。在預濺鍍1中，係在維持於前 述標靶電力的狀態下，將氣體條件變更爲氬氣2〇SCCm、 ^ 氮氣15sccm、氧氣2sccm。亦即是，未圖示之控制裝置， 係對於各質量流控制器進行控制，而從第1氣體導入口 15來以流量20sccm而導入急氣、以流量15sccm而導入 氮氣，並從第2氣體導入口 17來以流量2SCCm而導入氧 氣。藉由此處理程序，能夠並不使電槳消失地而將其作維 持。 在本實施例中，藉由標靶閘門14，在預濺鍍1中， 能夠將包含有標靶支持器6(標靶4)與第1氣體導入口 〇 15的空間、和包含有基板支持器7(基板10)與第2氣 體導入口的空間，相互作遮斷。故而，當對於標靶4進行 濺鍍或是將身爲第1反應性氣體之氮活性化時，能夠對於 反應性爲高之身爲第2反應性氣體的氧到達至被施加有電 力之基板支持器6的近旁一事作抑制。因此，能夠藉由從 上述基板支持器6所產生之電漿來將反應性爲低的氮活性 化，且能夠將上述電漿之對於不欲使其過度的活性化之氧 的作用降低。 接著，進行預濺鍍2。預濺鍍2,係在將標靶電力、 -25- 201036043 氣體條件、以及將基板閘門1 4作了關閉的狀態作了維持 的狀況下，而將標靶閘門1 4開啓。亦即是，未圖示之控 制裝置，係對於標靶閘門驅動機構3 3作控制，並將標靶 閘門14設爲開狀態。藉由此，從Ti標靶4而來之濺鍍粒 子與身爲反應性氣體之氧和氮係產生反應，並使氮氧化膜 附著在包含有遮罩40內壁之真空處理室2的內壁上，藉 由此，當移行至接下來的基板成膜工程時，能夠防止真空 處理室2內之氣體狀態的急遽之變化。藉由防止真空處理 室2內之氣體狀態的急遽之變化，能夠使在接下來的基板 成膜工程中之成膜從初期起便安定地進行。特別是，在像 是於閘極堆疊的製造中而在閘極絕緣膜上堆積閘極電極的 情況一般之介面特性成爲重要的情況時，對於該裝置製造 中之裝置特性的提升以及其之製造安定性的提升上，係有 著大幅度的改善效果。 接著’進行基板成膜。在基板成膜工程中，係在將標 靶電力、氣體條件、以及標靶閘門14之位置作了維持的 狀況下’而將基板閘門19開啓。亦即是，未圖示之控制 裝置，係對於基板閘門驅動機構2 0作控制，並將基板聞 門19設爲開狀態。藉由此處理程序，由於將基板1〇與標 靶4之間作遮蔽的機構係被除去，因此，係開始對於基板 10而堆積作爲閘極電極膜904之氮氧化膜（TiON膜）。 以上之各處理程序中所需要的時間，係被設定爲最適當之 値’但是’在本實施例中’係將氣體尖衝設爲〇· 1秒、將 電漿著火設爲1秒’將預濺鍍1設爲4秒，將預濺鍍2設 -26- 201036043 爲10秒，並將基板成膜設爲28 8.8秒。 藉由以上之處理程序，而製作了 7nm之 用以進行標靶材之濺鍍的磁控管放電之 爲壓力未滿0.1 Pa之極低壓放電爲理想。一 使氮等之反應性爲低的氣體解離，係期望使 度成爲局。當放電壓力爲未滿0.1 P a的情況 度係成爲充分高。關於放電壓力之下限，只 〇 放電的壓力，則可爲任意之値。 在基板10之近旁處，係以不會使將氣 子溫度爲高的放電範圍增廣爲理想。故而。 管放電之有效的磁場，係以被限制在標靶 想。又，由於同樣的理由，標靶4與基板 離，係以盡可能的遠離爲理想。 [實施例2] 〇 在實施例2中，與上述實施例1之步顆

係將從被設置在基板支持器近旁之氣體導入 的氧氣（〇2)之流量設爲了 3sccm。除此之 施例1相同之製程，而製作了 7nm之TiON

[比較例1 ] 在比較例1中，與上述實施例1之步磨 從被設置在煙囪9前端部處之第1氣體導. 導入氬氣，而從被設置在基板支持器7之近

TiON 膜。 條件，係以設 般而言，爲了 電漿之電子溫 時，其電子溫 要是能夠進行 體活性化之電 用以進行磁控 4之近旁爲理 1 〇之間的距 S 5相異的， 口 1 7所導入 外，藉由與實 ;S5相異的， 、口 15，係僅 旁的第2氣體 -27- 201036043 導入口 17，係以3sccm而導入氧氣（〇2)，並以i5sccm 而導入氮氣（N2)。除此之外，藉由與實施例1相同之製 程，而成膜了 7nm之TiON膜。 [比較例2] 在比較例2中，與上述實施例1之步驟S5相異的， 係並不使用被設置在基板支持器7之近旁的第2氣體導入 口 17，而從被設置在煙囪9前端部處之第1氣體導入口 15，以3sccm而導入氧氣（〇2)，並以15sccm而導入氮 氣（N2)，且以2〇Sccm而導入Ar氣體。除此之外，藉由 與實施例1相同之製程，而成膜了 7nm之TiON膜。 藉由以上之各步驟，而形成具備有Si半導體、高介 電率膜以及金屬閘極電極膜之堆疊構造。 圖1〇，係爲對於藉由XPS(X線電子分光分析）而 對於以上述之方法所形成了的閘極堆疊構造之深度方向的 氧濃度分布作了評價後的結果作說明之圖。圖中，膜表面 之氧，係爲當將成膜後基板取出至大氣中時，表面氧化所 致者，對於半導體元件之特性，係並沒有影響。 比較例1所致之TiON膜，係混入有超過40%之量的 氧，而並不具備有作爲閘極電極之充分的功能。 比較例2所致之TiON膜，係混入有超過50%之量的 氧，而並不具備有作爲閘極電極之充分的功能。 另一方面，藉由實施例1(濺鑛中之氧流量2seem：> 所製作了的TiON膜，係爲1 %程度之氧濃度，相較於比 -28- 201036043 較例，係能夠大幅度地對於氧的混入濃度作抑制。進而， 藉由實施例2(濺鍍中之氧流量3sccm )所製作了的TiON 膜，係爲5%程度之氧濃度，相較於比較例，係能夠大幅 度地對於氧的混入濃度作抑制。 如同上述一般，將本實施型態之方法與裝置，使用在 將TiON膜作爲高介電率膜上之電極膜的情況中時，氧與 氮間之比率的控制性係被改良。又，在TiON中，藉由對 0 於氧與氮之比率作控制，能夠將TiON膜之工作函數値控 制在所期望之値。又，對於背景之殘留氧或是由於會容易 地被去疵而易於成爲不安定的少量之氧的導入作比較，而 得知了在再現性上係亦爲優良。 [實施例3 ] 在本實施例中，係針對：於圖7所示之閘極堆疊構造 的作成方法中’使用從被設置在標靶4之近旁的第1氣體 Ο 導入口 15而導入氬氣與氮氣，並從被設置在相較於上述 第1氣體導入口 15而與標靶4所相距之距離成爲更遠之 位置處的第2氣體導入口 17而導入反應性較氮氣爲更高 之氧氣的方法與裝置’而作成了高介電率膜903之情況， 進行說明。 圖12，係爲用以對在圖7中所示之閘極堆疊構造的 半導體裝置之實施例3中的製造方法作說明之製程流程 圖。 在步驟S21中，半導體基板901，係藉由裝載鎖定室 -29- 201036043 801而被搬入至製造裝置800中。在步驟S22中，半導體 基板901，係藉由轉移處理室802之搬送機器人，而被從 裝載鎖定室80 1來並不暴露在大氣中地而被搬送至氧化處 理處理室8 0 3.中，並藉由熱氧化製程，而在半導體基板 901之表面上形成由氧化矽Si02所成的介面層902。此製 程，係並不被限定爲熱氧化，而亦可使用 ALD等之成膜 製程，或者是使用電漿氧化製程。 在步驟S23中，係在介面層902之上面，形成高介電 率膜903。在步驟S23中，係經由上述搬送機器人，而將 被形成有介面層9 02之半導體基板901搬入至濺鍍處理室 8 04中，並藉由反應性濺鍍法，來在介面層902之上面形 成由HfON所成之高介電率膜。另外，濺鍍處理室804, 係使用與圖中所示之濺鍍裝置1爲相同構成者。具體而 言，在步驟S23中，作爲標靶材，而準備Hf，並設爲： 對於 HF標靶之施加功率：600W、Ar氣體流量： 12sccm、氮氣流量：1.5sccm、氧氣流量：lsccm，而在Μ 氣Ar、氮氣Ν2、氧氣02氛圍中，藉由濺鏟法而成膜了 HfON 膜。 將氬氣Ar、和活性度爲低之作爲反應性氣體的氮氣 N2，從被設置在位置於標靶近旁之煙囪的前端部處之氣體 導入口（相當於濺鍍裝置1之氣體導入口），而導入至真 空處理室（相當於濺鍍裝置1之真空處理室2)內。從被 設置在基板支持器近旁之氣體導入□(相當於濺鍍裝置1 之氣體導入口 17)，來作爲活性度爲高之反應性氣體而 -30- 201036043 導入氧氣（〇2 )。 在步驟S24中。將在步驟S23中而被形成了高介電率 膜903之半導體基板901，經由搬送機器人而搬送至濺鍍 裝置1處。作爲標靶4之標靶材’準備Ti，濺鍍裝置1， 係在氬氣Ar、氮氣N2、氧氣〇2氛圍中，藉由濺鏟法來成 膜作爲閘極電極膜904之Ti ON膜。氬氣Ar、和活性度爲 低之作爲反應性氣體的氮氣N2，係從被設置在位置於標 0 靶4近旁之煙囪9的前端部處之氣體導入口 15，而被導 入至真空處理室2內。從被設置在基板支持器7近旁之氣 體導入口 17，來作爲活性度爲高之反應性氣體而導入氧 氣（〇2 )。另外，TiON之作成條件，係與實施例1相 同。 在藉由上述工程所作成之具備有閘極堆疊構造的半導 體裝置中，藉由使H fON膜之組成控制性提升，能夠對漏 洩電流作抑制，並且，能夠安定地作成EOT 1.4nm之良質 〇 的高介電率膜。 另外，在本實施型態中，雖係使用T/S距離爲240mm 之濺鍍裝置1而進行了實驗，但是，係並不被限定於此。 然而，本發明，係在T/S距離爲l〇〇mm以上的情況時爲 特別有效。其理由’係如同下述一般。亦即是，在處理室 之中，通常’係存在有殘留氧氣。此殘留氧氣，係與濺鍍 粒子起反應。若是T/S距離變長，則由於從標靶所飛散出 之濺鍍粒子與殘留氧產生反應之機率係增大，因此，在所 形成之膜中，氧的混入濃度係容易增加。若是使用本發明 -31 - 201036043 所致之製造方法，則對於由於τ/s距離之增大而成爲顯著 的氧混入之問題的改善，係特別有效。 在本實施型態中，係在標靶4中使用Ti或是Hf，並 在基板10之表面上形成了 Ti或是Hf之氮氧化膜，但 是，係並不被限定於此，例如，亦可使用在像是3丨、21·、 Al、La、Co、Fe、Ni、B、Mg以及Ta或是其他金屬之氮 氧化膜的形成中。 在本實施型態中，作爲第1反應性氣體，係使用氮， 作爲第2反應性氣體，係使用氧，但是，係並不被限定於 此，例如，作爲第1反應性氣體，亦可使用甲烷或丙烷氣 體等。 【圖式簡單說明】 [圖1]本發明之反應性濺鍍裝置的槪略剖面圖。 [圖2]第1氣體導入口 15附近之詳細的縱剖面圖。 [圖3]第1氣體導入口 15以及第2氣體導入口 17之 詳細的橫剖面圖。 [圖4]第2氣體導入口附近之詳細的縱剖面圖。 [圖5]對於與基板周邊遮罩21相對向的基板閘門19 之槪略作展示的圖。 [圖6]對於與基板閘門19相對向的基板周邊遮罩21 之槪略作展示的圖。 [圖7]對閘極堆疊構造之半導體裝置的膜構成作說明 之圖。 -32- 201036043 [圖8]對於在實施本製造工程時所被使用的叢集型態 之製造裝置的其中一例作展示之槪略圖。 [圖9]用以對在圖7中所示之閘極堆疊構造的半導體 裝置之製造方法的其中一例作說明之製程流程圖。 [圖10]對於藉由XPS而對於閘極堆疊構造之深度方 向的氧濃度分布作了評價後的結果作說明之圖。 [圖11]對於在使用濺鍍處理室1來形成閘極電極膜時 Q 的處理程序作說明之圖。 [圖12]用以對在圖7中所示之閘極堆疊構造的半導體 裝置之其他的製造方法作說明之製程流程圖。 【主要元件符號說明】 1 :濺鍍成膜裝置 2 :真空處理室 3 :磁鐵支持器 Q 4 :標靶 5 :背板 6 :標靶支持器 7 :基板支持器 8 :排氣處理室 9 :煙囪 1 0 :基板 1 2 :電源 1 3 :磁鐵 -33- 201036043 1 4 :標靶閘門 15 :第1氣體導入口 17:第2氣體導入口 1 9 :基板閘門 19a :突起 20 :基板閘門驅動機構 2 1 :基板周邊遮罩 2 1 a :突起 2 1 b :突起 3 1 :基板支持器驅動機構 3 2 :基板閘門驅動機構 3 3 :標靶閘門驅動機構 3 4 :絕緣體 40 :遮罩 4 1 :壓力計 47 :主閥 48 :渦輪分子幫浦 49 :乾式幫浦 501 :氣體導入手段 502 :氣體導入管 601 :氣體導入手段 602 :氣體導入管 800 :製造裝置 801 :裝載鎖定處理室 -34- 201036043 8 02 :轉移處理室 803:氧化處理處理室 8 04 :濺鍍處理室 8 0 5 :加熱處理室 9 0 1 :基板 902 :介面層 903 :高介電質膜 〇 9 0 4 :閘極電極

Claims (1)

1. 201036043 七、申請專利範圍 1· 一種半導體裝置之製造方法，其特徵爲，具備 有： 將基板載置在處理室內之基板支持器上的工程；和 一面將第1反應性氣體以及較該第1反應性氣體而反 應性爲更高之第2反應性氣體導入至前述處理室中，一面 對於前述處理室內之標靶施加電力而進行濺鍍，來在前述 基板上成膜含有標靶材料之膜的成膜工程， 前述成膜工程，係從被設置在前述標靶之近旁處的第 1氣體導入口，而至少將前述第1反應性氣體導入，並從 被設置在與前述標靶間之距離成爲較前述第1氣體導入口 而更爲遠離之位置處的第2氣體導入口，而導入前述第2 反應性氣體。 2.如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製 造方法，其中，前述第2氣體導入口，係被設置在前述基 板支持器之近旁處。 3 .如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製 造方法，其中，在前述標靶之近旁處，係被形成有磁場。 4. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製 造方法，其中，前述標靶’係爲從由Ti、Ta、Hf、Zr、 Si、La，Co，Fe，Ni，B，Mg以及A1所成之群中而被選 擇。 5. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製 造方法，其中，前述第1反應性氣體’係爲包含有氮之氣 -36- 體 造 □ 造 Ο 標 來 第 在 流 造 氣 〇 體 量 造 施 造 之 、r* 刖 201036043 ，前述第2反應性氣體，係爲包含有氧之氣體。 6. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝 方法，其中，前述成膜工程，係更進而從第1氣 而導入惰性氣體。 7. 如申請專利範圍第6項所記載之半導體裝 方法，其中，在前述成膜工程之前，係具備有： 電漿著火工程，其係一面藉由可開閉之閘門來 靶與前述基板之間作遮蔽，一面從前述第1氣體 導入前述惰性氣體以及前述第1反應性氣體，並 2氣體導入口來導入前述第2反應性氣體，並且 前述成膜工程中所導入之前述惰性氣體之流量爲 量，來將前述惰性氣體作導入。 8 .如申請專利範圍第7項所記載之半導體裝 方法，其中，在前述電漿著火工程中，前述第1 體以及第2反應性氣體之總流量的相對於前述 、前述第1反應性氣體以及前述第2反應性氣體 之比，係爲3 0 %以下。 9. 如申請專利範圍第8項所記載之半導體裝 方法，其中，在前述電漿著火工程中之對於前述 加電力，係爲500W以上。 10. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝 方法，其中，在前述成膜工程之前，係一面藉由 閘門來將前述標靶與前述基板之間作遮蔽，一面 述成膜工程相同之條件來在前述處理室內進行成 置之製 體導入 置之製 將前述 導入口 從前述 ，以較 更大的 置之製 反應性 惰性氣 之總流 置之製 標靶的 置之製 可開閉 藉由與 膜。 -37- 201036043 11. 如申請專利範圍第1項所記載之半導體裝置之製 造方法，其中，前述成膜工程，係爲成膜閘極絕緣膜上之 閘極電極膜的工程。 12. —種濺鑛裝置’其特徵爲，具備有： 處理室；和 被設置在處理室中，用以將標靶作保持之標靶支持 器：和 用以對於前述標靶支持器施加特定之電壓的電壓供給 0 機構；和 用以在前述標靶支持器之近旁形成磁場的磁場形成機 構；和 被設置在前述標靶支持器之近旁，並將第1反應性氣 體導入至前述處理室內之第1氣體導入口；和 被設置在與前述標靶支持器間之距離成爲較前述第1 氣體導入口而更爲遠離之位置處，並將相較於前述第1反 應性氣體而反應性爲更高之第2反應性氣體導入至前述處 y 理室內之第2氣體導入口。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所記載之濺鍍裝置，其 中，係更進而具備有：被設置在前述處理室內，並用以載 置基板之基板支持器，前述第2氣體導入口，係被設置在 前述基板支持器之近旁。 1 4.如申請專利範圍第1 2項所記載之濺鍍裝置，其 中，係更進而具備有：將前述標靶支持器之周圍作包圍的 筒狀遮罩，前述第1氣體導入口，係被設置在前述筒狀遮 -38- 201036043

   罩之被作了開口的前端部處。 15.如申請專利範圍第1 2項所記載之濺鍍裝置，其 中，係更進而具備有：可將前述標靶支持器與前述第2氣 體導入口之間作遮斷之閘門。 -39 -