TW201033259A - Fluorine resin film and use thereof - Google Patents

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TW201033259A
TW201033259A TW098141876A TW98141876A TW201033259A TW 201033259 A TW201033259 A TW 201033259A TW 098141876 A TW098141876 A TW 098141876A TW 98141876 A TW98141876 A TW 98141876A TW 201033259 A TW201033259 A TW 201033259A
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Taiwan
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film
solar cell
particles
fluororesin film
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TW098141876A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Aruga
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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201033259 六、發明說明: c發明所屬之技術領域j 發明領域 本發明係關於氟樹脂薄膜、氟樹脂薄膜之使用方法、 太陽電池模組用背板、及太陽電池模組。 發明背景 化石燃料之消耗使得大氣中之二氧化碳增加,對於地 ® 球環境之惡化影響很大’相對於此,太陽電池由於利用太 陽光’為半永久性、無公害的能量供給源。因此,正嘗試 開發各種各樣的太陽電池以作為將來重要的能量供給源。 太陽電池一般係作為太陽電池模組使用,該太陽電池模組 係將太陽電池元件用EVA(乙烯-乙酸乙烯酯共聚物)密封, ' 並將其表面與背面以透明玻璃基板與背板(背面積層體)夾 持而成。 背板雖係為保護EVA或太陽電池元件而設置,然而對 • 於其最外層所使用之薄膜(太陽電池模組接觸外部氣體之 側所用之薄膜。以下,稱為「最外層薄膜」),要求具備充 分的電絕緣性(體積固有電阻:ldOUQ.cm以上)、及防渔性 (贼,相對渔度之條件下水蒸氣透過量為lg/m2.24lm 下)。 又,太陽電池模組由於長時間暴露於屋外,對於背板 之最外層薄膜要求充分的耐候性、耐熱性。具體而言,由 於藉由碳弧㈣bon arc)型日照耐候儀(swm)暴露25〇 201033259 小時相當於屋外暴露1年,因此要求將SWM於5000小時(相 當於10〜20年)暴露下強度的降低抑制至初期之一半以下(耐
候性)。又,由於實際上太陽電池之溫度即使最高亦為9〇°C 左右,因此要求在90°C、20年之條件下,可將強度之降低 抑制至實用上無問題程度之耐熱性。 最外層薄膜中,具有此種特性者,已知有使用ETFE(乙 烯-四氟乙稀共聚物)或PVF(聚氟乙烯)或pvdF(聚偏二氟乙 浠)等氟樹脂之氟樹脂薄膜。其中,ETFE薄膜或PVdF薄膜, 即使在85°Cx相對溼度85%xl000小時之條件下,亦完全不 會發生水解所造成之強度降低。再者,關於ETFE薄膜,由 於在10萬小時(約10年)之耐熱試驗中,伸長率降低至一半之 溫度為約15〇〜16(TC,耐溼性及耐熱性優異。 ETFE薄膜由於比較柔軟,因此使用於最外層薄膜時, 為了抑制表面光澤度而使磨擦傷痕不顯眼,在表面施行壓 紋加工。 近年,太陽電池模組甚少與屋頂一體成形而設置;隨 著設置場所之緯度,使透明玻璃基板朝向太陽方向以最適 合的角度傾斜設置的情況則特別多。在此種設置方法中, 由於為太陽電池模組背面之背板亦被許多太陽光之反射光 照射,所以對於其最外層薄膜要求更優異之耐熱性、耐候 性。 又,在背板中,由於只有氟樹脂薄膜(最外層薄膜)無法 充分抑制水蒸氣透過量,因此施行將氟樹脂薄膜與鋁箔或 防屋塑膠片積層以避免水蒸氣侵入太陽電池模組内之方 201033259 法。此時,從保護該積層所用之接著劑或塑膠片以防太陽 光之觀點而言,對於氟樹脂薄膜,要求於波長360nm以下之 紫外線透過率需不到1%。再者,於波長36〇nm以下之紫外 線透過率之降低,可藉由使氧化鈦等白色顏料分散於氟樹 脂薄膜而實現。 關於農業棚舍或膜構造物等用途中2ETFE薄膜之耐 候性提高,有使氧化鈦分散於£丁!^樹脂而使薄膜之耐候性 提高之技術。然而,由於氧化鈦具有光活性,若光照射, 則該光活性將造成氟樹脂分解。因此,有人提出使被覆大 量氧化矽之氧化鈦、或被覆氧化鈽而可抑制光活性之氧化 鈦分散於ETFE樹脂而成之薄膜(專利文獻u。 在專利文獻2中,提出摻合有氧化鈦之樹脂組成物,其 為了抑制成形時因水發泡而形成發泡條紋,而將以氧化矽 被覆之氧化鈦之300°C與100。(:之卡耳費雪(Karl Fischer)水 刀量之差(△ΜΟ-ΙΟΟ)縮小,以降低可發泡之水量。 Λ在背板中最内層之薄膜(與EVA等充填材料接觸之側之 薄膜)方面,為了能使從充填材料中太陽電池元件之間漏出 至奇板侧的太陽光反射,且該反射光經由表面之透明玻璃 基板再度回到太陽電池元件,以使用具有高太陽反射率之 薄膜為較佳。因此,提出以提高太陽反射率為目的,使背 板最内層之氣樹脂薄膜含有氧化鈦等白色顏料(例如,專利 文獻3、4)。然而,此等係關於背板最内層之薄膜者,迄今 使最外層薄膜含有氧化鈦之事’仍未為人所知。 先剞技術文獻 201033259 專利文獻 專利文獻1:曰本特開平8-259731號公報 專利文獻2 :日本特開2〇〇6_3709〇號公報 專利文獻3 :曰本特開2008-085293號公報 專利文獻4:日本特開2008-053510號公報 【發明内容:J 發明概要 發明欲解決之課題 專利文獻1之薄膜,係用於農業棚舍或膜構造物等用 途,並使可見光線40%以上透過之半透明或透明之厚声 100〜250μπι之薄膜,而且薄膜中所含之氧化鈦濃度不到5質 量%。相對於此,背板之最外層薄膜,從經濟性之觀點而 言,要求5Gpm以下之薄度。又,背板之最外層薄膜,要求 高於農業棚舍等用途之薄膜的耐候性,且亦要求紫外線之 遮斷、隱蔽性。因此,在背板之最外層薄狀情況下,^ 單位體積必須分散有更多量之氧化缺。然而,可知若將背 板最外層薄膜中必要之多量氧化鈦’ 氧化矽被覆且以多 量地含於薄財時,則㈣該由氣切所構叙被覆層所 含的水產生發泡而形成發泡條紋。 因此’如專利文獻2所述,檢討了 & J从孔化矽被覆之氧化 鈦,且使300。(:與100°C之卡耳費雪水八θ ^ 刀篁之差(△___)縮 小者分散於為最外層薄狀麟心輪。藉由此種方法, 雖可抑制發泡條紋之形成,但已知盔沬* α .、、、去充分地得到氟樹脂 溥膜之耐候性。 201033259 從以上理由,可知藉由迄今為止之技術,於背板之最 外層薄膜,不會於薄卿成發泡條紋、能抑制形成薄膜之 氟樹脂劣化,而且含有充分量之氧化鈦等方面係困難的。 於疋本發明之目的為提供i樹脂薄膜,其係太陽電 池模組之背板用薄媒,減樹脂薄膜即使含有充分量之氧 化鈦’亦不會在薄膜中形成發泡條紋,並且抑制氟樹脂劣 化,波長360nm以下之紫外線透過率低,以及具有優異的耐 熱性、耐候性。 又,本發明之目的為提供氟樹脂薄膜之使用方法,該 氟樹脂薄膜即使含有充分量之氧化鈦,亦不會在薄膜中形 成發泡條紋,並且抑制氟樹脂劣化’波長允此瓜以下之紫外 線透過率低,以及具有優異的耐熱性、耐候性。 又,本發明提供具有優異的耐熱性、耐候性,經歷長 時間保持安定且可保護太陽電池模組之太陽電池模組用背 板、及具備該背板之太陽電池模組。 用以欲解決課題之手段 本發明之氟樹脂薄膜,其係用於太陽電池模組之背板 之最外層,且以乙烯-四氟乙烯共聚物作為主成分者,該氟 樹脂薄膜含有下述氧化鈦複合粒子,且接觸外部氣體之薄 膜表面之依照JIS B0601規定之算術平均粗糙度尺“系叫爪以 下; 氧化鈦複合粒子:係將於氧化鈦粒子表面形成有矽石 被覆層之矽石被覆氧化鈦粒子以疏水化劑進行疏水化處理 而得者,該氧化鈦複合粒子滿足下述(a)〜(c): 201033259 (a) 在矽石被覆氧化鈦粒子中,相對於氧化鈦粒子1〇〇質 量份,矽石被覆層之量以Si〇2換算為1.5〜5質量份; (b) 在石夕石被覆氧化鈦粒子中,3〇〇。〇與i〇〇°c之卡耳費 雪(Karl Fischer)水分量之差(△;〇〇__)為0.5%以下; (c) 在氧化鈦複合粒子中,相對於矽石被覆氧化鈦粒子 1〇〇質量份,疏水化劑之量為0.5〜10質量份。 又,本發明之氟樹脂薄膜,以前述氧化鈦複合粒子之 含量為6~25質量%者為較佳。 又,前述氧化鈦複合粒子之平均粒徑以〇·1〜〇.4μηι為較 佳。 又,前述氧化鈦複合粒子之酸溶解性以15〜5〇%為較 佳。 又’前述疏水化劑以具有烷基之矽烷偶合劑(Sl)、或聚 矽氧化合物(S2)為較佳。 又’本發明之氟樹脂薄膜,其厚度以12〜ΙΟΟμηι為較佳。 又’前述算術平均粗糙度Ra係以〇.5〜2.5μηι為較佳。 又’以進一步含有5〜500ppm之銅化合物者為更佳。 又’本發明之太陽電池模組用背板,其係由積層體構 成’該積層體於最外層具備前述任一項氟樹脂薄膜。 又’本發明之太陽電池模組,其依序具備:透明基板、 密封有太陽電池元件之充填材料層、以及前述背板。 又’本發明之氟樹脂薄膜之使用方法,其中氟樹脂薄 膜以前述薄膜表面與外部氣體接觸之方式使用作為太陽電 池模組之背板之最外層,前述氟樹脂薄膜為以乙烯_四氧乙 201033259 烯共聚物作為主成分者,其含有下述氧化鈦複合粒子,且 至少一侧之薄膜表面依照JIS B0601規定之算術平均粗糙度 Ra係3μιη以下; 氧化鈦複合粒子:係將於氧化鈦粒子表面形成有矽石 被覆層之矽石被覆氧化鈦粒子以疏水化劑進行疏水化處理 而得者,前述氧化鈦複合粒子滿足下述(a)〜(c): (a) 在矽石被覆氧化鈦粒子中,相對於氧化鈦粒子1〇〇質 量份,矽石被覆層之量以Si〇2換算為丨5〜5質量份; (b) 在矽石被覆氧化鈦粒子中,3〇〇。(:與1〇〇。(:之卡耳費 雪(Karl Fischer)水分量之差(△則為〇 5%以下; (c) 在氧化鈦複合粒子中,相對於矽石被覆氧化鈦粒子 100質量份,疏水化劑之量為〇 5〜1〇質量份。 發明效果 本發明之氟樹脂薄膜,係太陽電池模組之背板用薄 膜,即使含有充分量之氧化鈦,亦不會在薄犋中形成發泡 條紋,並且抑制氟樹脂劣化。又,波長360nm以下之紫外線 透過率低,具有優異的对熱性、耐候性。 又,依照本發明之使用方法,藉由將即使含有充分量 之氧化鈦,亦不在薄膜中形成發泡條紋,可抑制氟樹脂劣 化,波長360nm以下之紫外線透過率低,並具有優良耐熱 性、耐候性之氟樹脂薄膜,使用於太陽電池模組用背板, 可長時間保持安定並保護太陽電池模組。 又,本發明之太陽電池模組用背板,藉由使用前述氟 樹脂薄膜,可得到優良之耐熱性、耐候性。因此,可長時 9 201033259 可經歷長時間安定地使 間保持安定並保護太陽電池模組 又’本發明之太陽電池模組 用。 圖式簡單說明 第1圖係表示本發明之太陽電池模組用背板之 態之一例的戴面圖。 第2圖係表示本發明之太陽電池模組用背板之其他 施形態例的截面圖。 第3圖係表示本實施例中氟樹脂薄膜之斷裂強度及斷 裂伸長率在耐候性試驗後及耐熱試驗後之㈣率的圖。 【實施方式】 用以實施發明之形態 [氟樹脂薄膜] 本發明之氟樹脂薄膜係用於太陽電池模組之背板的最 外層。又,本發明之氟樹脂薄膜係以乙烯-四氟乙烯共聚物 (ETFE)作為±成分之薄膜’纟包含氧化鈦複合粒子,該氧 化鈦複合粒子係將於氧化鈦粒子表面形成有矽石被覆層之 矽石被覆氧化鈦粒子以疏水化劑進行疏水化處理而成者。 又,接觸外部氣體之薄膜表面依照JISB〇6〇1規定之算術平 均粗糙度Ra係3μηι以下。 以ETFE作為主成分之氟樹脂薄膜,相對於構成薄膜之 全部樹脂100質量%,ETFE之質量比例以9〇質量。以上為較 佳,以98質量%以上為更佳,以1〇〇質量%為特佳。 (乙烯-四氟乙烯共聚物) 201033259 ETFE具有衍生自四氟乙烯(以下,稱為「TFE」)之重 複單元與衍生自乙烯之重複單元。兩者之莫耳比(TFE/乙稀) 係以20/80〜80/20為較佳,以30/70〜70/30為更佳,以 40/60〜60/40為進一步更佳。 ETFE除衍生自TFE及乙烯之重複單元外,亦可包含衍 生自其他單體之重複單元。 其他單體可為例如CFfCFCl、CF2=CH2等氟乙稀類 (TFE除外);六氟丙烯(HFP)、八氟丁烯-1等C3〜5全就稀經 Φ 類;以X(CF2)nCY=CH2(其中,X、Y為氫原子或氟原子,n 表示2〜8之整數)表示之聚氟烷基乙烯類;以 Rf(OCFXCF2)nOCF=CF2(其中,以表示碳數1〜6之全氟燒 基’ X表示氟原子或三氟甲基,m表示〇〜5之整數)等全氣乙 * 烯基醚類;CH30C(=0)CF2CF2CF20CF=CF2 、 fso2cf2cf2ocf(cf3)cf2ocf=cf2等具有可容易地變換為 羧酸基或磺酸基之基的全氟乙烯基醚類;具有 cf2=cfocf2cf=cf2、cf2=cfo(cf2)2cf=cf2 等不飽和鍵結 φ 之全氟乙烯基醚類;全氟(2,2-二曱基-1,3-二氧雜環戊 烯)(?00)、2,2’4-三氟-5-三氟甲氧基_1,3_二氧雜環戊烯、全 氣(2-亞甲基-4-曱基-1,3-一乳雜環戊院)等具有脂肪族環構 造之含氟單體類;C3烯烴(丙烯等);C4烯烴(丁烯、異丁烯 等)等烯烴類(乙烯除外)。 以X(CF2)nCY=CH2表示之聚氟烷基乙烯中,η以2〜6為 軾佳,以2〜4為更佳。其具體例,可為例如CF3CF2CH=CH2、 CF3CF2CF2CF2CH=CH2 ' CF3CF2CF2CF2CF=CH2 ϋ 201033259 CF2HCF2CF2CF=CH2、CF2HCF2CF2CF=CH2 等。
Rf(OCFXCF2)mOCF=CF2等全氟乙烯基醚類之具體例,可 為例如全氟(甲基乙烯基醚)、全氟(乙基乙烯基醚)(PEVE)、全 氟(丙基乙烯基醚)(PPVE)、cf2=cfocf2cf(cf3)o(cf2)2cf3、 cf2=cfo(cf2)3o (cf2)2cf3、cf2=cfo(cf2cf(cf3)o)2(cf2)2cf3、 cf2=ctocf2cf(cf3)o(cf2)2cf3。 ETFE中之其他單體,以前述聚氟烷基乙烯、HFP、PPVE 為較佳,以 HFP、PPVE、 為更佳。 e 就此等其他單體而言,可單獨使用一種,亦可併用2種 以上。 衍生自其他單體之重複單元的比例,以佔ETFE之全部 重複早tl(1GG莫耳%)巾之㈣耳以下為較佳以6莫耳以下 - 為更佳,以3莫耳以下為進一步更佳。 * ETFE之數平均分子量雖無特殊限定,不過以10萬〜50 萬為較佳以20萬〜40萬為更佳。若ETFE之數平均分子量 為10萬以上’則不^引發耐熱試驗巾之強度降低。又,若 0 删之數平均分子量為5〇萬以下,則容易成形1〇卿左右之 薄膜。 可加入ETFE使用之聚合物,可為例如氟乙烯系聚合 :、偏i氣乙缚系聚合物'偏二氟乙稀-六氟丙稀系共聚 四氣乙豕六氟丙n氟乙稀系共聚物、吨乙稀_ 丙烯系二聚物、四貌乙烯_偏二氟乙稀-丙烯系共聚物、六氟 烯氟乙締系共聚物、全K烧基乙烯基喊)_四氣乙稀系 12 201033259 共聚物等。 (氧化鈦複合粒子) 乳.複&粒子係將於氧化銳教子表面形 覆層之石夕石被覆氧化鈦粒子以疏水化劑進矽被 處理而成之粒子。氧化鈦’可見光折射率 :㈣t鋅:硫_等」白_相比,耐藥::二 堅固,且可使氟树脂薄膜之耐候性提高。
型為=鈦ΓΓ晶型’以光活性較低之金紅石(―) 型為較佳。又’亦可為藉由將硫酸鈦溶液水解之 或將齒化鈦進行氣相氧化之氣法而得到之氧化鈦粒=、 乳化鈦粒子雖如前述為堅固者,然而由於 性,藉由光之照射將氟樹脂薄膜分解。因此,藉由在氧化 f粒子之表面形成W«層,財卩觀化鈦粒子之光活 ::狀態使用。石夕石被覆層以由二氧切或其水合物所構 成者為較佳。 矽石被覆氧化鈦粒子中,相對於氧化鈦粒子議質量 份^石被覆層之量以sio2換算為15〜5f量份,而以2〜5 質篁份為較佳。糾石被覆層之前述質量_為15質量份 以上,則可充分地減低氧化鈦複合粒子之光活性。又若 石夕石被覆層之前述質量比例為5f量份以下,則對於「石夕石 被覆層所3之水在薄職形時發泡,於得狀氟樹脂薄膜 表面產生發祕紋而外觀不良」可加以防止。 ETFE榷m由於炼融溫度高達着以上,將氧化鈦複 合粒子摻合氟樹料必須在高溫下加卫。然而,由於氧化 201033259 鈦粒子原本親水性就高且吸溼性高’若在高溫下加工,則 從氧化鈦粒子揮發之吸溼水分在薄膜成形時氣化’將形成 發泡條紋,產生外觀不良。又,由於矽石被覆層亦具有吸 溼性,若包含於矽石被覆層之水分多,則與氧化鈦粒子同 樣地,於薄膜成形時將會發泡,產生外觀不良。
基於此等理由,本發明之石夕石被覆氧化鈦粒子,300。〇 與1 〇〇°C之卡耳費雪(Karl Fischer)水分量之差(八3⑽·⑽)(以 下簡稱為水分量之差(△_」⑼)」)為0.5%以下,而以ο.]% 乂下為較佳。若水分量之差(八3⑽I⑼)為以下,則可防 止砂石被覆層巾所吸收之水在成料發泡,造成氟樹脂薄 膜外觀不良的情形。又,若水分量之差(‘_)為〇1%以 上,則氧化鈦複合粒子之生產性將提高。再者,本發明中 之卡耳費雪水分量係以質量%為基準。
矽石被覆層,從藉由抑制氧化鈦粒子之光活性而得到 石媒之優異耐候性之觀點而言,峨密層為較佳。關於妙 =被覆層讀密度,可藉由_石減氧化餘子測定顯 π柃下文之中和之酸溶解性(單位:Q/。)而確認。 於180°C加熱1小 而,藉由離’將試料從硫酸進行隨分離,藉由 (以Ti〇2換算)’再藉由下式從 時 將忒料(矽石被覆氧化鈦粒子)〇 &添加於兇%硫酸 ml中’照m分鐘超音波使其分散後, 比色法測定硫酸中之氧化鈦量 名列定值算出酸溶解性。 酸溶解性(%)=(姐+之氧域量_ 2⑽测 I合解性越小石被覆層触密,越可得到優異之 14 201033259 耐候性,以15〜50%為較佳,以15〜30%為更佳。 本發明之氧化欽複合粒子中’以將前述妙石被覆氧化 鈦粒子進一步以疏水化劑施行疏水化處理為較佳d藉以疏 水化劑施行疏水化處理’使粒子對氟樹脂之分散性提高。 結果,可防止粒子凝聚後氟樹脂變色,或者在薄膜上開出 孔穴。 作為疏水化劑者,以具有烷基之矽烷偶合劑(S1)、或聚 矽氧化合物(S2)為較佳。又,使用矽烷偶合劑(S1)時,與未 使用矽烷偶合劑(S1)時相較,長時期暴露於屋外時,氟樹脂 薄膜容易硬化。相對於此,使用聚矽氧化合物(S2)時,即使 長時期暴露於屋外’氟樹脂之硬化亦難以進行,柔軟性容 易維持。就作為疏水化劑而言,聚矽氧化合物(S2)比矽烷偶 合劑(S1)佳。該理由雖不明確,然而可推測聚矽氧化合物有 抑制氟樹脂之結晶化的效果。 矽烷偶合劑(S1)可為例如異丁基三甲氧基矽烷、己基三 甲氧基矽烷、(3,3,3-三氟丙基)三甲氧基矽烷等三烷氧基矽 烷類;六甲基二矽氮烷等矽氮烷(silazane)類;二曱基二氣 錢等氣魏m m三甲氧基钱為較佳。 聚矽氧化合物(S2)為具有有機基之有機聚矽氧烷。該有 機基以碳數4以下之烷基、苯基為較佳。可使用一般稱為聚 石夕氣油(silicone oil)者。 聚碎氧油可為例如二曱基聚矽氧油、苯基甲基聚石夕氧 油等純聚石夕氧油(straight silicone oil);經烧基改質之聚石夕氧 油、經絲妓基改質之Μ氧油、經纽基改質之聚石夕 15 201033259 氧油等。其中,從成本之觀點而言,以二甲基聚矽氧油為 較佳,從耐熱性之觀點而言,以苯基甲基聚矽氧油為較佳。 又,聚矽氧油之分子量,從矽石被覆氧化鈥粒子之矽 石被覆層中氧化矽等之氧官能基,與聚矽氧油以高效率反 應,形成均勻且緻密之處理被膜,在氟樹脂内得到更良好 之分散性的觀點而言,以15〇〇以下為較佳。 聚矽氧化合物(S2)可使用市售品。二曱基聚矽氧油可為 具有各種分子量(黏度)之東麗.道康寧.聚矽氧公司製之 SH200(製品名)、信越化學公司製之KF96(製品名)、東芝聚 馨 石夕氧公司製之TSF451(製品名)等。又,苯基甲基聚石夕氧油 可為東麗.道康寧·聚石夕氧公司製之SH510(製品名)、 SH550(製品名)、SH710(製品名)等。 氧化鈦複合粒子中,相對於矽石被覆氧化鈦1〇〇質量 - 份,疏水化劑之處理量為0.5〜10質量份,而以1〜5質量份為 較佳。若疏水化劑之前述處理量為〇.5質量份以上,則可防 止氟樹脂之著色。又,若疏水化劑之前述處理量為10質量 份以上,則可防止因疏水化劑熱分解之影響所造成之在氟 ❹ 樹脂薄膜中形成發泡條紋,使薄膜外觀變差。 氧化鈦複合粒子之平均粒徑,以0.1〜〇.4μηι為較佳,以 0.15〜0.30μιη為更佳。本發明中之氧化鈦複合粒子之平均粒 徑,意指藉由電子顯微鏡任意地測定複數個氧化鈦複合粒 子之粒徑,並將該等平均後之值。氧化鈦複合粒子之平均 粒徑不到Ο.ίμηι時’由於氧化鈦粒子之比表面積大,用以抑 制光活性之矽石被覆層,相對於氧化鈦複合粒子全體而 16 201033259 言,必須為15質量%以上,要合成將水分量壓低之矽石被 覆氧化鈦有困難。又’氡化鈦複合粒子之平均粒徑超過 0.4μηι時,若含有濃度超過6質量%之氧化鈦複合粒子,則 成形膜厚25μιη以下之氟樹脂薄膜時,可能會在薄膜中開出 孔穴。 氟樹脂薄膜(1〇〇質量%)中之氧化鈦複合粒子之含量, 以6〜25質量。/〇為較佳’以8〜25質量%為更佳。若氧化鈦複合 粒子之含量為6質量%以上,由於紫外線幾乎全被ι樹脂薄 膜表層附近之氧化鈦複合粒子吸收、遮斷,故難以射入至 薄膜内部’對於「紫外線到達薄膜全體,顯現光活性之初 期現象」容易加以抑制。所謂光活性之初期現象係指表面 變得較白之白化現象。若發生光活性之初期現象,因氟樹 脂薄膜之黏合力降低且氧化鈦複合粒子移動至表層,不會 伴隨機械強度之降低,而且誘發氟樹脂薄膜之紫外線透過 率降低及太陽反射率增大。太陽電池之背板,以氟樹脂薄 膜(最外層薄膜)之紫外線透過率低及太陽反射率高為較 佳。再者,從美觀等觀點而言,以紫外線透過率及太陽反 射率之值在使用中不改變為較佳。又,若氧化鈦複合粒子 之含篁右為25質里%以下,則容易使氧化鈦複合粒子分散 在氣樹脂薄膜中。 本發明之氟樹脂薄膜中,除氧化鈦複合粒子以外,亦 可含有其他添加劑。 就添加劑言,可列舉如氧化銅或碘化銅等銅化合物。 藉由含有前述銅化合物,得到之氟樹脂薄膜之耐熱性可提 201033259 高。前述銅化合物之粒徑係以較佳。 氟樹脂薄膜中銅化合物之含量,相對mETFE1〇〇質量 份,以lxl〇-4〜5xl〇-2質量份(1〜5〇〇ppm)為較佳,以5χ1〇-4〜3 ΧΙΟ·2質量份(5〜300Ppm)為更佳,以1χ1〇-3〜2χ1〇_2質量份 (10〜200Ppm)為最佳。若銅化合物之含量為11?{)111以上容易 使氟樹脂薄膜之耐熱性提高。又,若銅化合物之含量為 500PPm以下,則容易抑制氟樹脂薄膜之絕緣電阻等電特性 之降低。 本發明之氟樹脂薄臈中含有之氧化鈦複合粒子,如以 參 上說明,藉由形成矽石被覆層抑制氧化鈦之光活性又, 藉由將财;δ «層之水分量之差(△_.)調成為〇 • 5%以 下,可抑制成形時水發泡造成之發泡條紋之形成。 藉由本發明中之檢討,可知只滿足此等2要件仍無法 - 充分地維持氧化鈦光活性的抑制效果,得不到優異之耐候 性。進一步進行檢討之結果,可知耐候性變得不充分係基 於以下之理由。亦即,背板之最外層薄膜,為了使表面之 磨擦傷痕變得不顯眼及抑制薄膜表面太陽光之正反射⑯ ❹ 仃壓紋加工。然而’若成為最外層薄膜之氣樹脂薄膜表面 (與外部氣體接觸之面)過於粗糙,則在該薄膜表面發生微細 裂痕’露出於該裂痕部分之氧化鈥複合粒子受到水分之影 響顯現氧化鈦光活性之可能性變高。因此,在本發明中, 調查薄膜表面粗糙度與維持氧化鈥光活性低減之效果之關 連,結果發現薄膜表面之粗糙度滿足特定條件時可充分 維持形成⑦石被覆層所產生之氧化絲活性之抑制效果。 18 201033259 本發明之氟樹脂薄膜,與外部氣體接觸之薄骐表面之 依照JIS B0601規定之算術平均粗糙度1^(以下簡稱為「算術 平均粗糙度Ra」)係3μηι以下,而以〇5〜3μιη為較佳,以 0·5〜2·5μπι為更佳,以〇·6〜ΐ·2μηι為最佳。 藉由對於先前用於背板最外層薄膜之白色PVF(聚氟乙 烯)或PVdF(聚偏二氟乙烯)之氟樹脂薄膜施行壓紋加工,哕 最外層薄膜之算術平均粗糙度1^為01〜0 4|^111。1^小之理由 被認定為:就白色PVF或PVdF而言,由於氟樹脂本身缺乏 延伸性,因此壓紋加工不易,以及由於氟樹脂本身為硬質, 不易見到傷痕’因此此種程度之Ra可適用。 ETFE,藉由將與外部氣體接觸之薄膜表面之算術平均 粗糙度Ra調整為0.5〜3μπι,可抑制微細裂痕之發生,並防止 在受到浸入該裂痕之水影響下呈現氧化鈦之光活性。又, 若算術平均粗糙度Ra為0.5μϊη以上,即使該薄膜表面形成傷 痕,該傷痕亦不顯眼。又,若算術平均粗糙度尺&為3 〇μιη 以下,即容易抑制薄膜内產生微細裂痕。 算術平均粗糙度Ra可使用例如接觸式表面粗糙度計 (小坂研究所製;SurfcoderSE_3〇H)測定。 本發明之氟樹脂薄膜’只要薄膜單面(與外部氣體接觸 之面)滿足上述算術平均粗糙度Ra之條件即可,亦可薄膜兩 面之算術平均粗糙度Ra均為3μηι以下。 又,本發明之氟樹脂薄膜,以矽石被覆氧化鈦粒子之 水分量之差(△_“〇〇)(%)’與說樹脂薄膜中氧化鈦複合粒子 之含量(質量%)之積係10以下為較佳。例如,就含有25質量 19 201033259 %之氧化鈦複合粒子之氟樹脂薄膜而言,若水分量之差 (△3〇〇-丨〇〇)係0.4%以下’由於將氟樹脂薄膜中成形時從氧化 鈦複合粒子產生之總水分量壓抑至更低狀態下,使得氧化 鈦複合粒子之量可以增加,所以容易兼具優良的耐候性及 薄膜外觀。 說樹脂薄膜之厚度係以12〜ι〇〇μηι為較佳,以20〜50μΓη 為更佳。若氟樹脂薄膜之厚度為12gm以上,即使含有氧化 鈦複合粒子,仍不易在氟樹脂薄膜上開孔。又,若氟樹脂 薄膜之厚度為ΙΟΟμιη以下,則易於廉價地製造氟樹脂薄膜。 ❹ 在本發明之氟樹脂薄膜中,較佳之氧化鈦複合粒子之 含量’相對於氟樹脂100質量份,為6〜25質量份。若含有該 量之氧化鈦複合粒子’則波長360nm以下之紫外線之透過率 容易控制在0.1〇/〇以下。背板之接著劑或防溼塑膠片之保護 - 方面’最外層薄膜之波長360nm以下之紫外線之透過率係以 不到1%為較佳。若依照本發明之氟樹脂薄膜,可充分地保 護前述接著劑或防溼塑膠片
關於電絕緣性,並不要求薄的氟樹脂薄膜單獨具有高 G 絕緣特性。然而,體積固有電阻在耐候性試驗、耐熱試驗 前後大幅度變化者較不佳;通常在太陽電池用背板中無法 採用該體積固有電阻值變化10倍以上者。本發明之氟樹脂 薄膜’具有lxl013il.cm以上之充分電絕緣性,且在耐候性 試驗、耐熱試驗之後其值不會大幅變化。 (製造方法) 以下,對於本發明之氟樹脂薄骐之製造方法之一例加 20 201033259 以說明。 在氧化鈦粒子表面形成矽石被覆層之方法,可使用日 本特開昭53-33228號公報、日本特開2006-37090號公報等所 記載之方法。例如,可為以下所示之方法。
首先,使氧化鈦粒子分散在水中,得到水性漿液。得 到該水性漿液時,亦可使用球磨機等溼式粉碎機。又,從 可使氧化鈦粒子安定地分散在水中之觀點而言,以將前述 水性漿液之pH值調整至9以上為較佳。在pH值調整方面, 可使用鹼金屬或鹼土金屬之氫氧化物、碳酸鹽或銨鹽等鹼 性化合物。其中n上以氫氧化麟較佳。又,為了 使氧化鈦粒子之分散性提高,亦可併用魏鈉、妙酸卸等 矽酸化合物等分散劑。 水性聚液巾氧化鈦粒子之gj形分濃度仙5G〜3_為 較佳,以刚〜綱g/1為更佳。若氧化鈦粒子之固形分濃度為 50g/l以上’則;!!業上之操作性較佳。X ’若氧化鈦粒子之 固形分濃度為3_以下’容易抑制水性漿液黏度變得過 高,易於得到緻密且均勻之矽石被覆層。 繼而,在調製之氧化欽粒子之水輯液中,藉由將石夕 酸鹽以酸性化合物中和轉鐘以上,可得到在氧化欽粒子 表面形成树⑽覆層卻石被魏化鈦㈣ 中和30分似上,可將扣被覆氧化鈦粒子之水分量之差 調成0.5%以下。又,中和時間從容易使水分 差(ZW。。)變得較小之觀點而言,以H、時以上从佳。 又,中和時之阳,從容易形成水分量之差(△_)小 201033259 且緻密之石夕石被覆層之觀點而言,以4〜7·5為較佳,以4.5〜7 為更佳。X,中和時水性漿液之溫度,從容易形成水分量 之差(△__)較小且緻密之矽石被覆層之觀點而言,係以 80~95°C為較佳,以90〜朽它為更佳。 又,石夕石被覆氧化鈦粒子之水分量之差(△购⑽),在 形成石夕石被覆層後’藉由料石被覆氧化鈦粒子於3〇〇。〇以 上燒成,可進一步減小。又,從防止矽石被覆氧化鈦粒子 變質之觀點而s,燒成以於5〇〇°c以下進行為較佳。 就石夕酸鹽而言’可使用例如石夕酸鈉、石夕酸卸等。又, 就酸性化合物而言,可使用例如硫酸、鹽酸等無機酸、或 乙酸、甲酸等有機酸等。 對於石夕石被覆氧化鈦粒子以疏水化劑進行之疏水化處 理,可使用在將矽石被覆氧化鈥粒子分散、混練在氟樹脂 之前預先進行之方法(1) ’亦可使用與矽石被覆氧化鈦粒子 及氟樹脂一起進行之方法(1)。再者,疏水化劑中,亦有如 聚矽氧油所代表之’僅藉由混合選擇性地配置於氟樹脂與 矽石被覆氧化鈦之界面者。在此種疏水化劑之情況,於混 練前之材料混合步驟中,可使用將疏水化劑與矽石被覆氧 化鈦及氟樹脂一起同時添加之疏水化方法(2)。 /?尤方法(1)而s ’在碎烧偶合劑(S1)之情況,例如,可 將必要量之矽烷偶合劑(S1)溶解於異丙醇等醇類、甲苯、己 烷等溶劑中。接著,可使用使矽石被覆氧化鈦粒子分散在 該溶劑中’令其表面吸附該疏水化劑並反應,於1〇〇。〇左右 使溶劑蒸發’繼而,在140〜170。(:進行燒附之方法(溼式處 201033259 理方法)。又,在聚錢化合物(S2)之情況,例如,可使用 將聚石夕氧油形射躲態並吹附神石被覆氧化欽粒子, 接著於70°C左右乾燥之方法(乾式處理方法)。 關於方法⑴及方法(2)之任一種,為使氧化欽複合粒子 之分散性進-步提高,可將金屬皂與疏水化劑一起添加。 藉由添加金屬皂,可抑制氟樹脂薄膜成形時所用之押出機 之螺桿或筒體等金屬部位與疏水化射之氧化物接觸所產 生之發熱,使得氟樹脂薄膜變得不易著色成茶色或黑色。 就金屬皂而言,可列舉如硬脂酸之鋅鹽、鈣鹽或鋰鹽 等。 ^ 金屬皂之添加量,相對於矽石被覆氧化鈦粒子1〇〇質量 份,以0.2〜3質量份為較佳,以ο.、!質量份為更佳。若金屬 皂之前述添加量為0.2質量份以上,則容易得到因金屬皂而 提高矽石被覆氧化鈦粒子之分散性之效果。又,若金屬皂 之前述添加量為3質量份以下,則容易抑制金屬皂過剩所造 成之薄膜成形時之「積垢」(氟樹脂之低分子量物等堆積於 模頭表面),而容易連續地成形。 將ETFE、氧化鈦複合粒子及視需要添加之銅化合物等 混練之方法,並無特別限定,可使用公知之方法。例如, 可使用藉由添加預定量之ETFE、氧化鈦複合粒子等,並將 其等用雙軸押出機押出,進行混練之方法。 為了使氧化鈦複合粒子充分地分散在ETFE中,必須在 ETFE之熔點以上混練,混練時之溫度係以3〇〇〜34〇。〇為較 201033259 知之I:脂薄膜之成形方法亦無特別限定,可使用公 樹脂她財混練之 就鼠樹脂薄膜之壓紋加工方 粒負載於聚錢橡膠等而成之二可列舉如以使砂 推, 續支撐熔融_樹脂並 出^機2之方法。在該方法中,由於敗樹脂從T模頭押 接觸壓纹親並急速拉伸,所以薄膜表層之氣樹脂 容易配向。
斤知到之氟樹脂薄膜,在作為太陽電池模組之背板使 用時接觸外部氣體之薄膜表面之Ra,可藉由調整砂粒(砂) 之粒徑、輕之溫度及空氣間隙(從模頭出口至輥間的距離)、 樹脂溫度進行調整。 [氟樹脂薄膜之使用方法] 本發明之氟樹脂薄膜之使用方法,係將前述之含有氧 化鈦複合粒子,且至少一側薄膜表面(前述接觸外部氣體之 薄膜表面)之依據JIS B0601規定之算術粗糙度以
下之氟樹脂薄膜,作為太陽電池模組之背板最外層使用之 方法。 本發明之方法,係將依據JISB0601規定之算術粗糙度 Ra為3μιη以下之氟樹脂薄膜表面(前述接觸外部氣體之薄膜 表面)與外部氣體接觸之方式,作為太陽電池模組之背板之 最外層薄膜使用。藉由此種方式,如前述般地,可抑制薄 膜表面產生細微之裂痕,並防止因浸入該裂紋之水之影響 而顯現氧化鈦之光活性。 24 201033259 以下,對於使用本發明之氟樹脂薄膜作為最外層之太 陽電池模組之背板加以說明。 [太陽電池模組用背板] 本發明之太陽電池模組用背板(以下,簡稱為「背板」), 係由在最外層具備前述本發明之說樹脂薄膜之積層體所」構 成。以下,例示本發明之背板之實施形態之—例並加以詳 細地說明。帛謝系表示W實施形態之背扪的圖。第2圖 φ 係表示第2實施形態之背板2的圖。 (第1實施形態) 本實施形態之背板1,如第i圖所示,係依序積層有氣 樹脂薄膜η、接著劑層12及防渔層13之積層體所構成。 - 銳樹脂薄膜11為背板1之最外層,係於太陽電池模組之 f面與外部氣體接觸之層。關於氟樹脂薄膜u,係、使用本 發明之敦樹脂薄膜。I樹脂薄膜11之表面lla(與外部氣體接 觸之表面),調整為算術平均粗糖度以在一以下。 鲁 11樹脂薄膜11之形狀無特職定,可配合太陽電池模 '紐之形狀而適當地選擇。 、 氟樹脂薄膜11之厚度以12〜刚μιη為較佳,以2〇〜5〇叫 為更佳。若氟樹脂薄膜11之厚度為12μΓη以上,則容易抑制 在氟樹脂薄膜11上開孔,又,容易充分地得到保護太陽電 池模組中之EVA等密封樹脂或太陽電池元件之效果。若氟 樹脂薄膜11之厚度為叫⑽下,即可將製造成本壓得更 低。 接著劑層12為將氟樹脂薄膜11與防歷層13接著之層。 25 201033259 形成接著劑層12之接著劍,可使用通常用於太陽電池 模組之背板的接著劑,從耐水解性優異之觀點而言,以由 主劑與硬化劑所構叙二液型胺基甲酸醋系接著劑為較 佳。
接著劑12之厚度係以1〜1>為較佳,以2〜5μπι為更 佳。雖雜著劑12之厚度較料佳,然而若接著劑12之厚 度不到_,職樹脂薄mi與㈣層13之接著強度有不充 刀之疑慮,右接著劑12之厚度為1μπι以上,則可得到遍⑽ 以上之密著強度。 防渔層13擔任降低背板i之水蒸氣透過量並使防漫性 提高之角色。 防渔層U可為例如㈣等金屬羯,或防逐聚對苯二甲 酸乙二酯等防溼塑膠。 防溼層13之厚度係以2〇〜25(Himg較佳。 該防澄層較少只具有防澄效果之構造者,多數 具有電絕緣性能之構造者。具體而言,可為在厚度數
哗〜2_左右之㈣上,單面或雙面積層有厚度25〜15〇师 左右之PET薄膜而構成者;或者不使用料等金屬落而口 由厚度60〜25〇卿左右之防酬τ薄膜等塑膠薄膜所構成: 等。 在防渔層13之表面上,為了提高與太陽電池模組之 陽電池元件之密封樹脂即EVA等之接著性,亦可形成底 層。形成底塗層之底塗劑,係、以丙稀酸聚合物系底塗劑 聚酯系底塗劑、或乙烯-乙酸乙烯酯共聚物為較佳。 26 201033259 背板1之製造方法,可使用公知之方法。可列舉如:藉 由電暈放電或電漿放電處理氟樹脂薄膜丨丨之表面後,使用 形成接著劑層12之接著劑並藉由積層法,形成由氟樹脂薄 膜11、接著劑層12及防溼層13所構成之積層體而製造背板1 之方法。 (第2實施形態) 第2實施形態之背板2,如第2圖所示,係依序積層有將 1樹脂薄族11、接著劑廣12、防渔層13、接著劑層14及氟 ® 樹脂薄膜15。關於背板2中之氟樹脂薄臈丨丨、接著劑層12、 防溼層13,由於與第1實施形態之背板丨相同,故省略其說 明。 接著劑層14係將防溼層13與氟樹脂薄膜15接著之層。 形成接著劑層14之接著劑,可使用與第丨實施形態之接 著劑層12中所列舉者相同之接著劑。又,關於接著劑層14 之較佳厚度,亦可與接著劑層12相同。 φ 氟樹脂薄膜15擔任使保護太陽電池模組之EVA等密封 樹脂及太陽電池元件之效果進一步提高之角色。 在氟樹脂薄膜15方面,可使用與氟樹脂薄膜u相同之 本發明氟樹脂薄膜。又,亦可使用採ffiETFE之白色或黑色 之公知氟樹脂薄膜。又,亦可使用由pVF或pvdF所構成之 白色或黑色之公知氟樹脂薄膜。 敗樹脂薄膜15之厚度係以12〜ΙΟΟμπι為較佳,以 μΐΠ為更佳。若氣樹脂薄膜15之厚度為12μιη以上,則 谷易得到倾太陽電池模財之EVA等密雜脂或太陽電 27 201033259 池70件之絲。又,若㈣脂薄膜15之厚度為l_m以下, 則可將製造成本壓得更低。 在氟樹脂薄膜15之表面上,亦可與第旧施形態之背板 1同樣地’為了使與太陽電池模組之太陽電池元件之密封樹 脂即EVA等之接紐提高,可形成底塗層。 背板2之製造方法,可使用公知之方法,可使用與背板 1之情況同樣地利用積層法的製造方法等。 以上說明之本發明背板,由於以本發明之氟樹脂薄膜 作為最外層,所以具有優異之耐候性。因此,與先前之背 板相比’可長時間保持太陽電池模組之品質。X,適合用 作能隨著設置場所之緯度以最佳角度傾斜地設置之太陽電 池模組的背板。 再者,本發明之背板不限定於第1圖及第2圖所例示之 背板’只要使用以本發明之I樹脂薄膜作為最外層之積層 體,則該氟樹脂薄㈣外之構造可採用公知之各種構造。 [太陽電池模組] 本發明之太陽電池模組為具備前述太陽電池模組用背 板之模組’係依序具備透明基板、密封有太陽電池元件之 充填材料層及於最外層具有氟樹脂薄膜之背板,前述氟樹 脂薄膜之與外部氣體接觸之㈣表面之算術平均粗链度Ra 為3μιη以下之模組。 就/、體例而。’可列舉以薄膜表面lla與外部氣體接觸 之方式具備前述背板1或背板2之太陽電池模組。 就透明基板而言,可使用通常用於太陽電池模組之基 28 201033259 板’可列舉如玻璃基板。 棚腿〜咖職物柳/。以上她佳係以於波長 當地::透明基板之形狀亦無特別限定,可依照用途而適 又,太陽電池元件係將太陽光轉換為電能之元件,可 使用通常使用於太陽電池模組之太陽電池元件。 ❹
又,密封太陽電池元件之充填材料層,可由通常用於 太陽電池雜之充騎_成。域㈣可㈣如eva(乙 烯-乙酸乙稀酯共聚物)。 以上,說明之本發明太陽電池模組,藉由背板最外層 之氟樹脂薄膜之接觸外部氣體之薄膜表面的算術平均粗糙 度Ra成為3μπι以下,可抑制在薄膜表面產生微細裂痕,並 可防止:因浸入該裂痕中之水之影響而使氟樹脂薄膜中之 氧化鈦顯現光活性。因此,由於藉由具有優異之耐熱性、 耐候性之背板保護,可長時間安定地使用。 實施例 以下’例示實施例及比較例詳細地說明本發明。然而, 本發明不受以下記載之任何限定。 [評價方法] 以下,關於本實施例中之矽石被覆氧化鈦粒子之評價 方法加以說明。 (酸溶解性) 將0.2g之試料(矽石被覆氧化鈦粒子)添加於98%硫酸 10ml_,照射1分鐘超音波使其分散後’於180°C加熱1小 29 201033259 時。接著,藉由離心機將試料從硫酸進行固液分離,並藉 由比色法測定硫酸中之氧化鈦量(以Ti〇2換算),藉由下式從 該測定值算出酸溶解性。 酸溶解性(%)=(硫酸中之氧化欽量(g)/〇.2(g»i〇〇 (卡耳費雪(Karl Fischer)水分量) 將試料(石夕石被覆氧化鈦粒子)於溫度Μ ,相對澄度 55%之恆溫恆溼度下放置24小時,成為平衡狀態後,將該 試料lg使用卡耳費雪水分測定裝置及附屬於其之水分氣化 裝置(均為三菱化學公司製),在1〇〇。(3及3〇〇°c之溫度下測定 參 卡耳費雪水分量’並算出其差(△则1〇〇)。 (算術平均粗糙度Ra) 氟樹脂薄膜之算術平均粗糙度Ra可使用接觸式表面粗 糙度e十(小坂研究所製,Surfcoder SE-30H),依照jiis B0601 進行測定。 - 以下,針對本實施例中之氟樹脂薄膜之評價方法加以 說明。
(薄膜外觀) G 關於薄膜外觀,以目視檢查是否產生發泡條紋。未產 生發泡條紋者記為「〇」,產生發泡條紋者記為「X」。 (光學特性) 使用島津製作所之UV-PC3300測定器,測定依照JIS R 3106規定之波長360nm之紫外線透過率(%)。本發明之氟樹 月曰4膜用於太陽電池用背板時,若考慮接著劑等之保護, 要求波長360nm之紫外線透過率不到丨0/〇。 30 201033259 (體積固有電阻) 得到之氟樹脂薄膜之體積固有電阻(1013Q.cm),係使用 數位超高電阻/微少電流計R834〇(ADC公司製),測定外加 500V電壓後之體積固有電阻。又,於進行促進耐候性試驗 (SWM(sunshine weather meter) ’ 5000小時)後,或者進行23〇
Cxl68小時之耐熱試驗後,同樣地測定體積固有電阻。促 進耐候性試驗係使用促進耐候性試驗裝置(須賀試驗機:
Sunshine 3〇〇),暴露條件為黑色面板(black panel)溫度調成 0 63。(:。 Μ於電絕緣性’雖不要求薄如2一左右之氟樹脂薄膜 單獨具有高絕緣性能,但是在财候性試驗或耐熱試驗後體 積固有電阻變化10倍以上者被評價為不得用於太陽電池用 背板。 - (斷裂強度及斷裂伸長率) 使用s式料回轉型恆溫箱(gear 〇ven)(ESpEc公司製 GPHH-1G1)作為測定裝置,投人將所得到之氟樹脂薄膜切 • 取成7cmxl5cm大小者,並沖鑿成ASTMD638 TypeV所規定 之形狀之啞铃狀片,測定縱方向(MD方向)與橫方向(TD方 向)之斷裂強度(MPa)及斷裂伸長率(%)。接著,將縱方向與 棱方向之平均值作為敗樹脂薄膜之斷裂強度及斷裂伸長 率。 又,與體積固有電阻之情形同樣地,測定促進耐候性 試驗(SWM ’ 5000小時)後或23〇。〇<168小時之耐熱試驗後之 斷裂強度與斷裂伸長率’並算出相對於試驗前之值(初期值) 31 201033259 的保持率(%)。 (4B硬度試驗) 在得到之氟樹脂薄膜之鏡面链側,塗布經進行預定摻 合之接著劑(AD76P1 :東洋Morton公司製),乾燥後與^叫瓜 之PET薄膜(製品名·· Melinex,帝人杜邦薄膜公司製)貼合。 在薄膜表面用硬度4B之鉛筆附加5〇〇g之荷重後’以目視判 定薄膜上有無傷痕。無傷痕者記為「〇」(良),有傷痕者記 為「X」(不良)。4B硬度試驗之結果為「〇」並非為本發明 之氟樹脂薄膜之必要條件。 [實施例1] 將平均粒徑0·25μιη之金紅石型氧化鈦粒子(石原產業 公司製CR50)與水混合,以氫氧化鈉調整ρΗ值至1〇,調製 氧化鈦濃度為250g/l之水性漿液。將該水性漿液保持於8〇 - °c,於攪拌下,相對於氧化鈦粒子100質量份,添加以81〇2 — 換算為2質量份之矽酸鈉。繼而,用硫酸經2小時將pH調整 至5,形成緻密之矽石被覆層,而得到矽石被覆氧化鈦粒 子。將得到之矽石被覆氧化鈦粒子從水性漿液中過濾、洗 ◎ 淨,並於12(TC乾燥16小時。然後,將矽石被覆氧化鈦粒子 之凝聚物藉由氣流粉碎機粉碎。 »平價碎石被覆氧化鈦粒子之酸溶解性之結果,酸溶解 f生為25/。。又,藉由卡耳費雪法測定矽石被覆氧化鈦粒子 之水分量之結果,水分量之差(△购⑽)為〇 25%。 然後,以相對於矽石被覆氧化鈦粒子1〇〇質量份而言調 整成為2質量份之方式,將二甲絲魏油(疏水化劑,商 32 201033259 品名:SH200 ’東麗.道康寧公司製)分散於異丙醇(IPA)之 中’然後在其中添加矽石被覆氧化鈦粒子並混合,於14〇°c 燒附2小時’得到經疏水化處理之氧化鈦複合粒子。 在作為氟樹脂之Fluon C-88AX(ETFE樹脂,旭硝子公司 製)2〇kg中添加前述氧化鈦複合粒子5kg,並充份混合。繼 而’用35mm之同方向雙轴押出機(TEM35 ;東芝機械公司 製)’於溫度320 C以每小時20kg之吐出量押出,得到含有 20質量%之氧化鈦複合粒子的白色料母(111&批]:|^(^)。 將前述白色料母在15(TC乾燥1小時後,用C-88AX稀 釋’將氧化鈦複合粒子以成為8.3質量%之方式摻合,成形 成厚度25μιη之氟樹脂薄膜。關於押出條件,成形機係使用 前端安裝有4 5 0mm之Τ模頭之3 0mm短軸押出機,從Τ模頭押 出之薄膜’在保持於150〇C之鏡面輥與保持於100°C之聚矽 氡壓紋軺·之間一面夾合,一面通過,以於雙面實施電暈放 電。測定該薄膜表面之算術平均粗糙度Ra之結果,鏡面輥 側之Ra為0·12μπι,壓紋輥側為1.32μιη。 [實施例2及3] 除氧化鈦複合粒子係摻合16.6質量%(實施例2)、20.0 質量°/。(實施例3)以外,以與實施例1同樣之方式成形為氟樹 脂薄膜。 [實施例4及5] 除相對於氧化鈦粒子1〇〇質量份,使用以81〇2換算為!·5 質量份(實施例4)、5質量份(實施例5)之矽酸鈉,得到矽石 被覆氧化鈦粒子以外,以與實施例1同樣之方式成形為氟樹 Λ, 201033259 脂薄膜。 [實施例6] 除在得到矽石被覆氧化鈦粒子時,用硫酸經1.5小時將 pH中和至5形成矽石被覆層,又相對於得到之矽石被覆氧化 欽粒子100質量份,使用7質量份之異丁基三甲氧基矽烷以 外’以與實施例1同樣之方式得到氧化鈦複合粒子。 繼而’將前述氧化鈦複合粒子與C-88AX充分混合後, 藉由35mm之同方向雙軸押出機(TEM35 ;東芝機械公司 製)’於溫度320°C ’以每小時20kg之吐出量押出混練後, ® 以與實施例1同樣之方式,成形為氟樹脂薄膜。 [實施例7] 除不藉由鏡面輥及聚矽氧壓紋輥進行壓紋加工以外, 以與實施例1同樣之方式成形為氟樹脂薄膜。 - [實施例8] 除實施例1之前述白色料母稀釋時’將氧化銅以含量成 為5〇PPm之方式添加以外’轉實施例丨同樣之方式成形為
氟樹脂薄膜。 Q
[實施例9] 除實施州之前述白色料母之稀釋時,將蛾化銅以含量 成為3_n之方式添加以外’以與實施糾同樣之方式成形 為氟樹脂薄膜。 [比較例1] 除不使用氧化鈦複合粒子以外,以與實施例旧樣之方 式成形為氟樹脂薄膜。 34 201033259 [比較例2〜4] 除相對於氧化鈦粒子100質量份,使用以&〇2換算為i 質量份(比較例2)、7質量份(比較例3)、1〇質量份(比較例4) 之矽酸鈉得到矽石被覆氡化鈦粒子以外,以與實施例丨同樣 之方式成形為氟樹脂薄膜。 [比較例5] 除在得到碎石被覆氧化鈦粒子時,用硫酸經1〇分鐘將 pH中和至5,形成矽石被覆層以外,以與實施例丨同樣之方 式成形為氟樹脂薄膜。 [比較例6] 除相對於氧化欽粒子100質量份,使用以si〇2換算為3 質量份之矽酸鈉,得到矽石被覆氧化鈦粒子時,用硫酸經 0.5小時將pH中和至5,形成矽石被覆層以外,以與實施例j 同樣之方式,得到氧化鈦複合粒子。 又’關於押出條件,雖與實施例1約略相同,然而相異 之點為:以T模頭方式成形薄膜時,使T模頭與夾合處(鏡面 輥與聚矽氧壓紋輥之接觸點)之間隔(所謂空氣間隔(air gap^ 由12cm接近至7cm,以在縮短樹脂被外部氣體冷卻之時間 下,進行壓紋加工。 實施例1〜9及比較例1〜6中之矽石被覆氧化鈦粒子及氟 樹脂薄膜之評價結果如表1所示。表1中之「DMS」表示二 甲基聚矽氧油,「IBS」表示異丁基三甲氧基矽烷。又,表i 中之矽石被覆層之質量比例為相對於氧化鈦粒子1〇〇質量 份以Si〇2換鼻之值。又,「算術平均粗縫度Ra[pm]」為表示 35 201033259 薄膜表面之兩面之值中較大值者,通常與鏡面輥側相比, 聚矽氧壓紋輥側會形成Ra較大之壓紋。又,氟樹脂薄膜之 斷裂強度及斷裂伸長率在耐候性試驗後及耐熱試驗後之保 持率示於第3圖中。
36 201033259
比較例 m 寸 〇 Ο m (Ν 1 od 1 〇 (N m 〇 | o.oi | (N m 00 CN 00 220 Ό 00 in (Ν L〇:55l ν〇 CN 1 cn od 1 X 卜 〇 0.22 1 (N v〇 cn m yn (Ν r- 300 00 ο (N (N »-* ο (Ν (Ν 1 m od 1 X 卜 〇 1 0.28 CN m m cn (Ν SO § 260 VO 00 S cn 卜 | 0.68 1 00 (Ν 1 m oo 1 X 〇 (Ν 〇 (Ν IT) Ο ν〇 卜 VO 310 CN 00 卜 *Τ) fN ο (Ν CN 1 m od 1 〇 (N CN 〇 | o.oi | CN ro m m m (Ν ν〇 00 VO 290 卜 卜 卜 1 I 1 I 1 1 1 〇 <N (N X i6〇 1 160 1 ! 200 1 S ΓΛ 340 00 00 v〇 實施例 CN 1 0.25 1 u-j CN (Ν 1 m oo ο m 〇 〇 | 0.03 1 310 1 (Ν 00 ON 00 00 300 m ON 二 00 (Ν 0.25 1 (Ν (Ν 1 m oo ο 1 〇 寸 〇 | 0.03 1 1 320 1 CN ν〇 g z 300 00 os 00 00 卜 <Ν 1 0.25 1 «η (Ν fN 1 od 1 〇 | 0.15 1 X | o.oi | 1 450 1 丨 450 1 450 1 ν〇 OV ON ΓΛ 350 1 00 00 ο fN 1 0.36 1 (Ν 1 卜 〇 1 〇 m CN 〇 | o.oi | 00 1Λ) g Ov 290 m 00 00 *Τ) <T) 1 0.35 1 卜 m (Ν 1 m od 1 〇 1.36 | 〇 | 0.04 I 1 600 1 1 480 1 ! 720 1 Ό ν〇 (N σν 310 S; 00 寸 iTi i-m CN Ο 卜 (Ν (Ν 1 cn od 1 〇 1-22 1 〇 | 0.04 I 1 400 1 4i〇 1 1 490 1 •Τ) Ο (N 〇 00 300 s; in 00 m <Ν 0.25 Ό (Ν fN 1 1 〇 <N ri 〇 〇 'Ο (N Os 00 300 s; 00 (Ν (Ν Γ〇Γ25 (Ν CN 1 | 16.6 I 1 〇 寸 〇 〇 m 00 OS VO 310 100 CN 1 0.25 1 CN (Ν 1 m od 1 〇 (N m 〇 | 0.04 I 450 1 450 | 450 1 »〇 ν〇 100 350 100 00 00 石夕石被覆層[質量份] g /—V ο ο c> ο m < 蝴 Φ 酸溶解性[%] DMS IBS 含量[質量%] CuO [ppm] Cul [ppm] 算術平均粗梭度Ra [μηι] 4B硬度試驗 360 nm透過率[°/〇] 初期 SWM : 5000H後 230°Cxl68H 後 初期[MPa] SWM : 5000H後之保持率[%] 230°Cx 168H後之保持率[%] 初期[%] SWM : 5000H後之保持率[%] 230°Cx 168Η後之保持率[%] 銅化合物 -Os ΪΪ ;2 疏水化劑 [質量份] 初期光學特性 體積固 有電阻 [1013n-cm] 斷裂強度 斷裂伸長率 37 201033259 如表1及第3圖所示,含有本發明之氧化鈦複合粒子 之實施例1〜9的氟樹脂薄膜’與不含氧化鈦複合粒子之比 較例1相比,耐候性試驗後之斷裂強度及斷裂伸長率為同 等或其以上。而且耐熱試驗後之斷裂強度及斷裂伸長率 優異,具有優異之耐候性。又’含有銅化合物之實施例8 及9之氟樹脂薄膜,與實施例1〜7相比’斷裂強度保持之 提升效果高。又’於薄膜表面不形成發泡條紋,薄膜外 觀亦優異。 實施例1〜9之氟樹脂薄膜,波長360nm之紫外線透過率 魯 為0.1%以下,具有可充分地保護背板之接著劑或防座塑膠 片之性能。又,體積固有電阻之值皆為lxl013Q.cm以上, 具有充分的電絕緣性’並且,該值不隨促進耐候性試驗及 耐熱試驗而大幅度變化。 ’ 另一方面,氧化鈦複合粒子中矽石被覆層之質量比例 - 少之比較例2的氟樹脂薄膜,與不添加氧化鈦複合粒子之比 較例1相較’耐候性試驗後之斷裂強度及斷裂伸長率低,無 法得到充分之耐候性。 ❹ 又,氧化鈦複合粒子中矽石被覆層之質量比例多之比 較例3及4之氟樹脂薄膜,矽石被覆氧化鈦粒子之水分量之 差(△soo-ioo)大,耐候性試驗後之斷裂強度及斷裂伸長率 低。除此之外,於薄膜表面形成發泡條紋而外觀不良。又, 即使得到氧化鈦複合粒子時矽石被覆氧化鈦粒子之水分量 之差(△_-_)為0.55%之比較例5的氟樹脂薄膜於薄膜表 面亦形成發泡條紋而外觀不良。 38 201033259 薄膜表面之算術平均粗链度尺&為3之比較例6的氟 樹月曰薄膜’儘管使用被覆充分量之♦石且⑪石被覆氧化欽 津子之水刀量之差(△^ο-ιοο)為0.4〇/〇的氧化鈦複合粒子,财 候性試驗後之斷裂強度及斷裂伸長率均低,耐候性差。研 判其係由於薄膜表面之Ra過大,在耐候試驗中薄膜產生微 、’’田裂痕,該裂痕部分露出之氧化鈦複合粒子受到水分之影 響’而顯現氧化鈦之光活性之故。 產業上之可利用性 本發明之氟樹脂薄膜,即使含有充分量之氧化鈦’亦 可不在薄膜上形成發泡條紋。又,可抑制氟樹脂劣化。本 發明之氟樹脂薄膜,由於電絕緣性、财候性優異且水蒸氣 透過量少’故亦可適合使用作為能隨著設置場所之緯度以 最佳角度傾斜地設置之太陽電池模組中的背板。 再者,本說明書中引用2008年12月8日申請之日本專利 申請案2008-312736號說明書、申請專利範圍、圖式及發明 摘要之全部内容,摘入作為本發明說明書之揭示。 【圖式簡單説明】 第1圖係表示本發明之太陽電池模組用背板之實施形 態之一例的截面圖。 第2圖係表示本發明之太陽電池模組用背板之其他實 施形態例的截面圖。 第3圖係表示本實施例中氟樹脂薄膜之斷裂強度及斷 裂伸長率在耐候性試驗後及耐熱試驗後之保持率的圖。 【主要元件符號説明】 39 201033259 1,2…背板 11…氟樹脂薄膜 11a···薄膜表面 12…接著劑層 13…防溼層 14…接著劑層 15…氟樹脂薄膜
40

Claims (1)

  1. 201033259 七、申請專利範圍: 1. 一種氟樹脂薄膜,其係用於太陽電池模組之背板之最外 層,且以乙烯-四氟乙烯共聚物作為主成分; 前述氟樹脂薄膜含有下述氧化鈦複合粒子,且接觸 外部氣體之薄膜表面之依照JIS 30601規定之算術平均 粗糙度Ra係3μιη以下; 氧化鈦複合粒子:係將於氧化鈦粒子表面形成有矽 石被覆層之矽石被覆氧化鈦粒子以疏水化劑進行疏水 化處理而得者,該氧化鈦複合粒子滿足下述(a)〜(c): (a) 在矽石被覆氧化鈥粒子中,相對於氧化鈦粒子 1〇〇質量份,矽石被覆層之量以Si〇2換算為丨5〜5質量份; (b) 在矽石被覆氧化鈦粒子中,300°C與100°C之卡耳 費雪(Karl Fischer)水分量之差(△;〇〇丨〇〇)為〇·5%以下; (c) 在氧化鈦複合粒子中,相對於矽石被覆氧化鈦粒 子100質量份,疏水化劑之量為0.5〜10質量份。 2. 如申請專利範圍第1項之氟樹脂薄膜,其中前述氧化鈦 複合粒子之含量為6〜25質量%。 3. 如申請專利範圍第1或2項之氟樹脂薄膜,其中前述氧化 欽複合粒子之平均粒径為0.1〜〇 ·4μιη。 4‘如申請專利範圍第1至3項中任一項之氟樹脂薄膜,其中 前述氧化鈦複合粒子之酸溶解性為15〜50%。 5.如申請專利範圍第1至4項中任一項之氟樹脂薄膜,其中 前述疏水化劑為具有烷基之矽烷偶合劑(S1)、或聚妙氧 化合物(S2)。 41 201033259 6. 如令請專利第】至5項中任1之氟樹剌模其厚 度為12〜lOOpm。 7. 如申請專利範圍第!至6項中任一項之氟樹脂薄膜,其中 前述算術平均粗糙度Ra為0.5〜2.5μηι。 8. 如申請專利範圍第㈤項中任—項之氟樹脂薄膜,其進 一步含有1〜500 ppm之銅化合物。 9. -種太陽電池模組用背板’其係由積層體構成,前述積 層體於最外層具備如申請專利範圍第丨至8項中任—項 之氟樹脂薄膜。 _ 10. -種太陽電池模組’其依序具備:透明基板、密封有太 陽電池元件之充填材料層、以及如申請專利範 之背板。 11. -種氟刪Θ薄膜之使用方法’其中1樹脂薄膜以前述薄 - 膜表面與外部氣體接觸之方式使用作為太陽電池模組 之背板之最外層,前述氟樹脂薄膜為以乙烯-四氟乙烯 共聚物作為主成分者,其含有下述氧化鈦複合粒子且 至少一側之薄膜表面之依照JIS B0601規定之算術平均 0 粗糙度Ra係3μπι以下; 氧化鈦複合好:係將於氧化鈦粒子表面形成有妙 石被覆層之石夕石被覆氧化鈦粒子以疏水化劑進行疏水 化處理而得到者,前述氧化鈦複合粒子滿足下述 (a)~(c): (a)在石夕石被覆氧化鈦粒子中,相對於氧化鈦粒子 100質量份,♦石被覆層之量以Si〇2換算為L5〜5 42 201033259 質量份; (b) 在矽石被覆氧化鈦粒子中,300°c與100°c之卡耳 費雪(Karl Fischer)水分量之差(Λ·-_)為0.5% 以下; (c) 在氧化鈦複合粒子中,相對於矽石被覆氧化鈦粒 子100質量份,疏水化劑之量為0.5〜10質量份。
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