TW201031943A - Iodine polarizing film and method for producing same - Google Patents
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Description
201031943 六、發明說明: 肛韻^明戶斤屬々貝起^ j 技術領域 本發明係有關於一種在液晶顯示裝置、電致發光(EL) 顯示裝置、電漿顯示器(PD)及場發射顯示器(FED : Field Emission Display)等影像顯示裝置中使用之碘系偏光薄膜 及其製造方法。再者,本發明係有關於一種具有該偏光薄 膜之偏光板。 背景技術 影像顯示裝置(特別是液晶顯示裝置)中所使用的偏光 “薄膜,為了能提供明亮、顏色再現性良好的影像,需兼備 尚穿透率與偏光度。此種偏光薄膜,以往係藉由將聚乙烯 醇薄膜(以下稱為「PVA薄膜」)以膨潤水膨潤後,於染色步 驟中使具有二色性的峨及二色性染料等的二色性物質吸附 φ 配向,並同時進行單軸延伸而被製造(下述專利文獻1}。 然而,如前述般通常的製造方法中,由於在染色步驟 中在浸漬於染色液的狀態延伸,故碘或二色性染料會過剩 地吸附在PVA薄膜上。其結果,會於被吸附的碘等產生配 向之降低,因此會有在偏光薄膜會產生可見光(38〇〜78〇nm) 紐波長區(380〜410nm)中之光漏的問題。 為求防止前述光漏,製造配向度高的偏光薄膜之方 夬可舉下述專利文獻2所記載的方法。藉由該製造方法, 在使PVA薄膜進行乾式延伸後,使其被碘或二色性染料吸 3 201031943 附配向。接著,一邊浸潰於硼酸水溶液中一邊使其延伸。 再者,乾式延伸係記載有使用加熱親進行單軸延伸的方 法、一邊於設置在加熱烘箱内的輥間施加拉伸力一邊進行 延伸之輥間單軸延伸法等一般方法。 然而,於前述製造方法中,由於在不進行膨潤步驟的 狀態就加熱P VA薄膜而進行乾式延伸成延伸倍率4〜5倍左 右,再進行染色步驟,故會難以使碘等充分地吸附於PVA 薄膜。其結果,於前述製造方法中,會難以製作高偏光度 的偏光薄膜。此外,若為了使偏光特性提昇,而增大在硼 酸水溶液中進行延伸的延伸倍率,則會有產生PVA薄膜斷 裂的問題。 專利文獻 【專利文獻1】 日本專利特開2004-341515號公報 【專利文獻2】 曰本專利特開平11-49878號公報 【發明内容】 發明所欲解決之課題 本發明係有鑒於前述問題點而作成者,其目的在於提 供一種使可見光(380〜780nm)短波長區(380〜41 Onm)中的光 吸收增大,防止在短波長區中光漏的發生而光學特性優異 的碘系偏光薄膜及其製造方法。 用於解決課題的方法 本案發明人發現到,若是不在染色步驟中的染色浴中 進行延伸而在染色浴外進行延伸的碘系偏光薄膜,其在可 見光之短波長區中的光吸收會被改善,以至完成了本發明。 201031943 亦即,為了解決前述課題,有關於本發明的碘系偏光 薄臈,係使碘吸附配向於高分子薄膜之碘系偏光薄膜,且 其特徵在於前述碘之含量在每2.85mm3為1.9〜3重量%之範 圍内,且在單體穿透率43〜45%之範圍内波長610nm之垂直 吸光度A2對於波長480nm之垂直吸光度A1之比(A2/A1)在 1.16以下。 一般已知波長480nm之垂直吸光度會成為三價碘錯合 物含量的指標,而波長610nm之垂直吸光度會成為五價碘錯 合物含量的指標。碘吸附高分子薄膜而形成的三價碘錯合 物在可見光(380〜780nm)短波長區(380〜410nm)中的光吸收 能高。因此,如前述構成般,令單體穿透率43〜45%範圍内 波長610nm之垂直吸光度A2對波長480nm之垂直吸光度A1 之比(A2/A1)在1.16以下,而使三價碘錯合物之含量增加, 藉此可使可見光(380~780nm)中短波長區(380〜41 Onm)的光 吸收提升。其結果’可減低前述短波長區中的光漏。 於前述構成中’前述高分子薄膜以聚乙浠醇薄膜為宜。 為了解決前述課題’有關於本發明的埃系偏光薄膜之 製造方法’係使峨吸附配向於高分子薄膜之蛾系偏光薄膜 之製造方法,該製造方法之特徵在於包含:染色步驟,係 藉由將前述高分子薄膜浸潰於含碘溶液中,而使碘吸附於 該高分子薄膜;延伸步驟,係將染色後的前述高分子薄膜 從前述溶液取出,並以此狀態且不加熱前述高分子薄膜下 進行單軸延伸成規定的延伸倍率;及交聯步驟,係藉由將 前述經單軸延伸後的高分子薄膜浸潰於交聯浴中,而交聯 5 201031943 該高分子薄膜。 藉由月ί述方法冑經在含峨溶液中染色的高分子薄 膜,以從該溶液取出的狀態進行延伸步驟。再者此延伸 步驟並非使用加熱輥或加熱烘箱等,對高分子薄膜進行加 熱者。因此’於前述方法中的延伸步驟係與習知的乾式延 伸不同者。藉由進行如此的延伸步驟,可在吸附有蛾之高 分子薄膜中’使三㈣錯合物的含量増加。由於三價峨錯 合物其可見光(38〇〜78〇nm)中⑽波長區(38〇〜4ι〇腿)之光 吸收能高,故可藉由進行前述延伸步驟,而製造含有多4 @ 三價峨錯合物之偏光薄膜。亦即,若為前述方法會能夠 製造可使於前述短波長區中的光漏減低之蛾系偏光薄膜。 於前述方法中’在前述染色步驟中以不進行含峨溶液 中之高分子薄膜之單軸延伸為宜。藉此,可防止礙過剩地 吸附於高分子薄膜上,而可減低所吸附㈣之配向降低。 其結果,可更為防止可見光短波長區中的光漏。 於前述方法中,在前述延伸步驟中進行的單軸延狀 延伸倍率宜在1.2〜1.8倍的範圍内。 ® 此外’有關於本發明的偏光板,其特徵係在前述記載 的峨系偏光薄膜之至少一面上設有透明保護薄膜。藉此, 可提供不會發生可見光(3 8〇〜780nm)短波長區(3 8〇〜4丨〇nm) 中的光漏,且光學特性優異的偏光板。 發明效果 本發明藉由於前述說明之方法’可達成以下所述的效 果。 6 201031943 亦即’依據有關於本發明的峨系偏光薄膜,藉著使在 單體穿透率43〜45%之範圍内波長61〇nm之垂直吸光度 對於波長48〇nm之垂直吸光度幻之比(A2/A1)在i i6以下, 可使可見光中短波長區的光吸收提升,而會可減低該短波 長區中的光漏。其結果,可提供光學特性優異的破系偏光 薄膜。 再者’依據㈣於本㈣㈣系偏光_的製造方 φ 法,藉由在將染色步驟後的高分子薄膜以從前述溶液取出 的狀態下進订延伸步驟,而可使三價換錯合物的含量增 加。其結果,可使可見光中短波長區之光漏減低,而可製 造光學特性優異的碘系偏光薄膜。 【實施方式:J 用於實施發明的形態 有關於本實施形態的硬系偏光薄膜(以下稱為「偏光薄 膜」。)係指具有在高分子薄膜上使碘吸附配向的構成者, 籲 可從自然光、偏光等變換成任意偏光的元件。本發明所 使用的偏光薄膜雖無特別限制,但宜為可將自然光或偏光 變換成直線偏光者。如此的偏光薄膜具有在將入射光分成 垂直的二偏光成分時,會使其中一者的偏光成分穿透的功 能,並且為藉由吸收、反射及散射等而使另一者的偏光成 分不穿透者。 前述高分子薄膜係宜為例如聚乙稀醇薄膜(以下稱為 「PVA薄膜」。)。前述PVA薄膜係由聚乙烯醇系樹脂組成, 可舉例如,藉由將聚醋酸乙烯系樹脂鹼化而獲得。聚醋酸 7 201031943 乙烯系樹脂可舉例如,醋酸乙烯醋的均聚物―聚錯酸乙稀 醋’以及醋酸乙稀醋及可與其共聚合的其他單體的共聚物 等。可與醋酸乙稀醋共聚合的其他單體,可舉例如不飽和 羧酸類、不飽和磺酸類、烯烴類、乙烯基醚類等。 聚乙烯醇系樹脂的聚合度一般為500〜1〇,〇〇〇,且以 1,000〜8,〇〇〇的範圍為佳,又以M〇〇〜7,_的範圍更佳。再 者’於驗化時,其驗化度可舉例如,由對水溶解性點來看, 以75莫耳%以上為宜’且以98莫耳%以上為佳又以⑽莫 耳%以上的範圍更佳。 、 φ 由聚乙烯醇系樹脂所組成之PVA薄膜的製造方法係可 適當地使用:以將溶解於水或有機溶劑的原液延流成膜之 延流法 '鑄塗法、擠壓法等任意方法成膜者。此時的相位 差値係可使用5nm〜10〇nm者。又,為得到面内均一的偏光 — 薄膜,PVA薄膜面内的相位差偏差以儘可能小者為宜,作 為生薄膜的PVA薄膜的面内相位差偏差,在測量波長 lOOOnm中以l〇nm以下為宜,且以5nm以下為佳。 有關於本發明的偏光薄膜之碘含量為每2 85mm3中 ® 1.9〜3重量%,且以2.2〜3.0重量%為佳,又以2 5〜3 〇重量0/〇 更佳。礙雖於與PVA薄膜之間形成三價的碘錯合物及五價 的碘錯合物’但前述含量係包含偏光薄膜所含之全部含職 者。 於此,單體穿透率43〜45%之範圍内波長61〇nm之垂直 吸光度A2對波長480nm之垂直吸光度Ai之比(A2/ai)在 1.16以下。若大於1.16則五價碘錯合物之含量會增加,而會 8 201031943 降低可見光(3 80〜780nm)中短波長區(3 80〜41 Onm)的光吸收 能,而會增加該短波長區中的光漏,降低光學可靠性。又, 由防止在可見光長波長區(700〜780nm)中的光漏之觀點來 看,以在0.5以上為佳。 前述單體穿透率43〜45%範圍内波長區480nm之垂直吸 光度(A1)係三價的碘錯合物含量之指標,波長區610nm之垂 直吸光度(A2)係五價的碘錯合物含量之指標。前述單體穿 透率係以基於測量波長380nm〜780nm之測量結果,並藉由 JIS Z8701之2度視野(C光源)進行視感度調整而得之Y値所 表示者。再者,波長480nm及610nm之垂直吸光度係使用紫 外可見光分光光度計,分別測量偏光薄膜於480nm及610nm 之垂直穿透率Tc,並藉由(垂直吸光度)= Log1()Tc求得之値。 偏光薄膜的厚度雖無特別限定,但一般而言係5〜80μιη 左右。可藉由於該偏光薄膜的單面或兩面上積層透明保護 薄膜而成為偏光板(詳如後述。)。 接下來’說明有關於本實施形態的偏光薄膜之製造方 法。有關於本實施形態的偏光薄膜之製造方法只要是對作 為起始生薄膜的PVA薄膜依序進行至少染色步驟、延伸步 驟、交聯步驟者就無特別限定。舉例而言,亦可於前述染 色步驟之前進行以往眾所皆知的的膨潤步驟。 前述膨潤步驟可舉例如將P VA薄膜浸潰於注滿水的膨 潤浴中。藉此水洗pVA薄膜,而可洗淨PVA薄膜表面的污垢 或抗結塊劑,且同時藉由使PVA薄膜膨潤可期待有防止染 色不均勻等不均勻性的效果。於此膨潤浴中,亦可適當地 9 201031943 添加甘油或峨化㈣。且在甘油的情 重量%以下;而在碘化鉀的情 产' =又且在5 ,、,丁 &、ea 寸添加濃度宜在ίο重量。/〇 以下。Μ浴的溫度係以2G〜45。
^ 叼軛圍為且,且以25〜40〇C =。次紅膨潤浴的浸潰時間係以2,秒為宜,且以 7二為佳,又以6〇〜卿為特佳。再者卿 的:申ΓΓΓ膜’此時的延伸倍率也包含因膨潤所造成 而相對於未延伸狀態的薄膜紅卜3.5倍左右。 人刚述*色步嶋可例如,藉由將前述PVA薄膜浸潰於 3有㈣溶液(染色浴)巾,歧前㈣⑽於PVA薄膜上 的步驟。再者’於本步驟以不進行染色料的PVA薄膜之 延伸為宜。藉此’可防止蛾過剩地吸附於PVA薄膜上,且 可減少被吸附_之配向降低。其結果,可更加防止可見 光之短波長區中的光漏,,若在不產生上述*妥當情事 的範圍内,亦可於染色浴中進行PVA薄膜的延伸。以如此 的觀點而進行的延伸之總延伸倍率宜在5〜6 5倍左右。 刖述染色浴的溶液可使用將碘溶解於溶劑而成的溶 液。般雖使用水作為前述溶劑,但亦可再添加與水具有 相溶性的有機溶劑。碘的濃度係以〇 〇1〇〜1〇重量%的範圍為 宜,且以〇·〇2〇〜7重量%的範圍為佳,又以〇〇25〜5重量%特 佳。 又,為了使染色效率更為提升,宜再進一步添加碘化 物。該碘化物可舉例如··碘化鉀、碘化鋰、碘化鈉碘化 鋅、壤化鋁、填化鉛、蛾化銅、蛾化鋇、蛾化鈣、蛾化錫、 碘化鈦等。此等碘化物之添加比例,係以於前述染色浴中 201031943 為0.010〜10重量%為宜,且以0.10〜5重量%為佳。其等之中 以添加蛾化钟更佳,且破與蛾化鉀的比例(重量比)以 1:5〜1:100的範圍為宜,且以1:6〜1:80的範圍為佳,又以 1:7〜1:70的範圍特佳。 將PVA薄膜浸潰入前述染色浴的浸潰時間雖無特別限 定,但以1〜20分的範圍為宜,且以2〜10分為佳。又,染色 浴的溫度係以在5〜42°C的範圍内為宜,且以在10〜35°C的範 圍内為佳。 前述延伸步驟係將從前述染色浴取出的高分子薄膜以 該狀態進行單軸延伸的步驟。該步驟係與以往眾所皆知的 乾式延伸不同,不使用加熱輥或加熱烘箱等來加熱高分子 薄膜。再者,本步驟可在常溫(20〜30°C )、相對濕度45〜85%Rh 下進行。再者,在進行本步驟時,亦可不進行染色步驟中 含換溶液的除液。 再者,本步驟中的延伸倍率相對於將要延伸前的PVA 薄膜以在1.15〜1.8倍之範圍内為宜,且以在1.3〜1.65倍之範 圍内為佳。若延伸倍率小於1.15倍,會有無法得到足夠的 防止短波長區光漏之效果的情形。另一方面,若大於1.8 倍,則會有無法得到足夠偏光特性的情形。 前述交聯步驟係例如將P VA薄膜浸潰於含交聯劑的交 聯浴中進行交聯的步驟。前述交聯劑可使用以往眾所皆知 的物質。例如,可舉硼酸、硼砂等硼化合物、乙二醛、戊 二醛等。其等可單獨使用一種,或亦可併用二種類以上。 併用二種類以上時,以例如硼酸與硼砂之組合為宜。其添 11 201031943 力比例(莫耳比)以在4 : 6〜9 : 1之範圍内為宜,且以在$ 5 4·5〜7 : 3之範圍内為佳,又以在6 : 4内最佳。 刖述染色浴的溶液可使用將前述交聯劑溶解於溶劑而 成的溶液。雖使用例如水作為前述溶劑,但亦可再添加與 水具有相溶性的有機溶劑。於前述溶液中的交聯劑之濃声 雖無特別限定,但以在1〜1〇重量%之範圍為宜,且以在2〜6 重量%之範圍内更佳。 從在偏光薄膜之面内獲得均一光學特性的點看來,亦 可於前述交聯浴中添加碘化物。該碘化物並無特別限定, 魯 可舉例如碘化鉀、碘化鋰、碘化鈉、碘化鋅、碘化鋁、碘 化紹、峨化銅、峨化鋇、峨化弼、換化錫、峨化鈦等。再 者,碘化物的含量以在0.05〜15重量%之範圍内為宜,且以 在0.5〜8重量%之範圍内更佳《前述例示的碘化物可使用單 獨一種,或亦可併用二種類以上。併用二種類以上時,以 硼酸與碘化鉀之組合為佳。硼酸與碘化鉀的比例(重量比) 以在1 : 0.1〜1 : 3.5之範圍内為宜,且以在1 : 0.5〜1 : 2.5之 範圍内更佳。 _ 前述交聯浴之溫度通常為20〜70°C之範圍’ PVA薄骐之 浸潰時間通常在1秒〜15分之範圍,且以在5秒〜10分為佳。 又,交聯處理亦β使用將含交聯劑溶液塗布或噴霧的方 法。再者,亦可於交聯浴中進行PVA薄膜的延伸,此時的 總延伸倍率宜為I.1〜4·0倍左右。
於本實施形態中,進一步可適當地因應需要依序進行 洗淨步驟及乾燥少驟。該洗淨步驟可舉例如,可藉由將PVA 12 201031943 薄膜浸潰於洗淨浴水溶液中,而沖洗掉於之前的處理中附 著的硼醆等不需要的殘存物。於前述水溶液尹亦可添加前 述第2族元素之鹽,該鹽可適宜地使用碘化物。於此,前述 蛾化物可舉例如蛾化鉀、蛾化鋰、碘化鈉、磷化鋅、碘化 鋁、碘化鉛、碘化銅、碘化鋇、碘化鈣、碘化錫、碘化鈦 等。於洗淨浴添加第2族元素的鹽時,其濃度通常係2.2〜3.8 重量%,且以2·7〜3.3重量%為宜。此外,前述洗淨浴的溫度 以10〜60°c為宜,且以15〜40°C為佳。再者,洗淨步驟的次 數並無特別限定,而亦可實施複數次。又,亦可變更各洗 淨浴中的添加物種類或濃度。 再者,將PVA薄膜從膨潤浴、交聯浴、洗淨浴等拉起 時,為防止滴液發生,可以用以往眾所皆知的夾送輥(pinch roller)等的除液輥,亦可藉由用氣刀削落液體等的方法除去 多餘的水分。 前述乾燥步驟雖可使用自然乾燥、風乾、加熱乾燥等 適當的方法,但通常宜使用加熱乾燥。於進行加熱乾燥時, 以加熱溫度為20〜80°C左右,乾燥時間為1〜1〇分左右為宜。 藉由前述的各步驟製作的偏光薄膜的最終總延伸倍 率’相對於前述起始生PVA薄膜,係以5〇倍為宜,且以 5.5〜6.5倍為佳。當最終總延伸倍率小於5 〇倍,會難以得到 高偏光度的偏光薄膜。又,當總延伸倍率在6 5倍以下時, 則可防止PVA薄膜容易斷裂的情形。 以前述製造方法得到有關於本實施形態的偏光薄膜 係,在以偏光薄膜單體測量時的單體穿透率以在桃〜桃 13 201031943 的範圍内為宜,且以在43.5〜45.0%的範圍為佳。 亦可於前述偏光薄膜之至少單面上設置透明保護薄 膜。此透明保護薄膜的構成材料,舉例而言可使用透明性、 機械強度、熱穩定性、水分遮蔽性 '等向性等優異的熱塑 性樹脂。如此的熱塑性樹脂的具體例係可舉:三乙醯基纖 維素等的纖維素樹脂、聚酯樹脂、聚醚颯樹脂、聚砜樹脂、 聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚烯烴樹脂' (甲基)丙烯酸樹脂、環狀聚烯烴樹脂(降福烯系樹脂)、聚芳
香酯樹脂、聚笨乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂及其等之混合物。 又,於偏光薄膜的單側雖可藉由接著劑層貼合透明保護薄 膜,但在另一側亦可使用(甲基)丙烯酸系、胺基甲酸酯系、 丙稀酸胺基甲酸S旨系、環氧系、聚魏系等的熱硬化性樹 脂或紫外線硬化型樹脂作為透明保護薄膜。透明保護薄膜 中亦可包含1種以上任意的適當添加劑。添加劑係可舉例如 紫外線吸收劑、抗氧化劑、潤滑劑、可塑#j、_劑、著
色抑制劑、難燃劑、成核劑、抗靜電劑、顏料、著色劑等。 透明保護薄膜中的前述熱塑性樹脂的含量以50〜刚重量% 為宜,且以50〜99重量%為佳,又以60〜98重量%更佳,並以 7〇〜97重量%最佳。#透縣護薄财的前述熱·樹脂的 含量於小於㈣量%時,恐會無法充分表現熱塑性樹脂原 有的高透明性等。 边明保m溥骐可舉在 .....个寻刊特開2001-34 號公報(w〇〇1/37〇〇7)中記載的聚合物薄膜,例如含有 的樹脂組搞:(A)_上具魏代蝴麵代酿亞胺 14 201031943 熱塑性樹脂’及(B)側鏈上具有取代及/或非取代苯基以及腈 基的熱塑性樹脂。具體例係可舉含有由異丁稀與N-甲基順 丁稀二醢亞胺之交替共聚物與丙晞腈•苯乙烯共聚物之樹 脂組成物的㈣。薄膜係可個由樹驗成物的混合擠壓 品等所構成的薄膜。該等薄膜由於相位差小,且光彈性係 數小而可消除因偏光板的變形所造成的不均勻等的不佳狀 況,又因透濕度小,故加濕耐久性優良。 透明保護薄膜的厚度雖可適當地決定,但一般以強度 或操作性等作業性、薄層性等觀點來看,宜為卜⑽叫⑺左 右。特別是以1〜300μηι為佳,且以5〜2〇〇μΓη更佳。透明保護 薄膜係以5〜150μηι時特佳。 又,當在偏光薄膜兩側設置透明保護薄膜時,在其表 裡可使用由相同聚合物材料所形成的保護薄膜,且亦可使 用由不同的聚合物材料所形成的保護薄膜。 有關於本實施形態的透明保護薄膜宜使用至少一種選 自於由纖維素樹脂,聚碳酸酯樹脂,環狀聚烯烴樹脂及(甲 基)丙稀酸樹脂任一者。 纖維素樹脂係纖維素與脂肪酸的醋。如此的纖維素醋 系樹脂的具體例可舉:三乙醯基纖維素、二乙醯基纖維素、 二丙基纖維素、二丙基纖維素等。其中以三乙醯基纖維素 特佳。三乙醯基纖維素有許多市售製品,故由取得容易性、 成本的觀點來看亦有利。以三乙酿基纖維素的市售品之 例,可舉例如,富士照相軟片公司製的商品名「υν_5〇」、 「UV-80」、「SH-80」、「TD-80U」、「TD-TAC」、「UZ-TAC」、 15 201031943 KONICA公司製的「KC系列」等。一般而言,該等三乙酿 基纖維素之面内相位差(Re)雖大致為零,但厚度方向相位 差(Rth)為60nm左右。 環狀聚稀煙樹脂的具體例較佳為降搭稀系樹脂。環狀 烯烴系樹脂係將環狀烯烴作為聚合單元聚合而成的樹脂之 總稱,可舉例如日本專利特開平1-240517號公報、特開平 3-14882號公報、特開平3_122137號公報等所記載的樹脂。 具體例係可舉環狀烯烴的開環(共)聚合物、環狀烯烴的加成 聚合物、環狀烯烴與乙稀、丙烯等的α_稀煙之共聚物(代表 _ 性的係隨機共聚物)、及將其等不飽和叛酸或其衍生物變性 而成的接枝聚合物,以及其等之氫化物等。環狀烯烴的之 具體例可舉降楛烯系單體。 環狀聚烯fe樹脂係有市售各種製品。具體例可舉曰本 Zeon股份有限公司製的商品名「ze〇NEX」、「ZEONOR」, JSR股份有限公司製的商品名r art〇n」,TICONA公司製 的商品名「TOPAS」,三井化學股份有限公司製的商品名 「APEL」。 〇 (甲基)丙烯酸系樹脂其Tg(玻璃轉移溫度)以丨^它以上 為宜,且以120。(:以上為佳,又以125eC以上更佳,並特別 以130C以上最佳。藉由令丁§在115。(:以上,可使偏光板的 耐久性變得優良。前述(曱基)丙烯酸系樹脂的了§之上限値 雖無特別限定,但由成形性的觀點來看,較佳係在17〇。匸以 下。由(甲基)丙烯酸系樹脂可得到面内相位差(Re)、厚度方 向相位差(Rth)大致為零的薄膜。 16 201031943 (甲基)丙烯酸系樹脂可於不損及本發明效果的範圍 内,採用任意適當的(甲基)丙稀酸系樹脂。例如,可舉聚甲 基丙烯酸甲酯等聚(甲基)丙烯酸酯、甲基丙烯酸甲酯-(甲基) 丙烯酸共聚合、甲基丙稀酸甲酯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、 甲基丙烯酸甲酯-丙烯酸酯-(曱基)丙烯共聚物、(曱基)丙烯 酸甲酯-苯乙烯共聚物(MS樹脂等)、具有脂環烴基的聚合物 (例如,甲基丙烯酸甲酯-曱基丙烯酸環己酯共聚物、曱基丙 烯酸曱酯-(甲基)丙烯酸降葙酯共聚物等)。較佳地,可舉聚 (甲基)丙烯酸曱酯等聚甲基丙烯酸C1-6烷酯。更佳地,可舉 以甲基丙烯酸甲酯為主成分(50〜1〇〇重量%,較佳為70〜100 重量%)的甲基丙烯酸樹脂。 (甲基)丙烯酸系樹脂的具體例,可舉三菱RAYON股份 有限公司製的Acrypet VH、Acrypet VRL20A等,於日本專 利特開2004-70296號公報記載的在分子内具有環構造的(曱 基)丙烯酸系樹脂,由分子内交聯或分子内環化反應而得的 高Tg(甲基)丙烯酸甲酯樹脂系。 (甲基)丙烯酸系樹脂係可使用具有内酯環構造的(甲 基)丙烯酸系樹脂。因其具有高耐熱性、高透明性、因二軸 延伸所致的高機械強度。 具有内酯環構造的(甲基)丙烯酸系樹脂可舉例如於曰 本專利特開2000-230016號公報、特開2001-151814號公報、 特開2002-120326號公報、特開2002-254544號公報、特開 2005-146084號公報等所記載的具有内酯環構造的(曱基)丙 烯酸系樹脂。 17 201031943 前述透明保護薄膜通常係使用正面相位差小於40nm, 且厚度方向相位差小於80nm者。正面相位差Re係以 Re=(nx-ny)xd表示。厚度方向相位差Rth係以Rth=(nx nz)xd 表示。又,Nz係數係以Nz=(nx-nz)/(nx-ny)表示。〔但,分別 令薄膜的遲相軸方向、進相轴方向及厚度方向的折射率為 nx、ny、nz ’且d(nm)係薄膜的厚度。遲相轴方向係薄膜面 内的折射率成為最大的方向。〕^又,透明保護薄膜宜儘可 能不上色。以使用厚度方向相位差値為_9〇11111〜+7511111的保 護薄膜為宜。藉由使用如此的厚度方向相位差値(Rth)為 Θ -90nm〜+75nm者,可大致上消除由透明保護薄膜所引起的 偏光板著色(光學著色)。厚度方向相位差値(Rth)係以 -80nm〜+60nm更佳,且以_7〇nm〜+45nm特佳。 另一方面,前述透明保護薄膜係可使用正面相位差在 40nm以上及/或厚度方向相位差在8〇nm以上的相位差的相 位差板。正面相位差係通常控制在4〇〜2〇〇nm的範圍内而 厚度方向相位差係通常控制在8〇〜3 〇〇nm的範圍内。在將相 位差板作為透明保護薄膜使用時,由於該相位差板亦發揮 春 透明保護薄膜的功能,因此可謀求薄型化。 前述透明保護薄膜亦可於塗布接著劑前進行表面改質 處理。具體的處理可舉例如:電暈處理、電漿處理、底漆 處理、驗化處理等。 在前述透明保護薄膜非接著偏光薄膜的面上,亦可施 以硬塗布層或抗反射處理、以黏著抑制、擴散乃至防光眩 作為目的之處理。 18 201031943 又,前述抗反射層、黏著抑制層、擴散層、防光眩層 等除了可設置成透明保護薄膜本身之外,亦可作為其他用 途的光學層而設置成與透明保護薄膜不同的個體。
本發明的偏光板係藉由使用前述接著劑將透明保護薄 膜與偏光薄膜貼合而製造。該製造方法具有:在偏光薄膜 的前述接著劑層形成面及/或透明保護薄膜的前述接著劑 層形成面上’塗布前述接著劑之步驟;藉由前述偏光板用 接著劑貼合偏光薄膜與透明保護薄膜的步驟。 有關於本實施形態的偏光板在實際使用時可作為與光 學層積層的光學薄膜來使用。有關於此光學層雖無特別限 定’但可使用例如!層或2層以上的反射板或半透射板、相 位差板(包含1/2、1/4等的波長板)、視角補償薄膜等用於形 成液晶顯示裝置等之光學層。 偏光板積層前述光學層而成的光學薄膜,雖可在液 =曰顯示裝置等之製造過程中以依序各難層的方式而形 積層而作成的光學薄膜係具有品質穩定性、利 業而提升液晶顯示襄置等的製造步驟的 著料適當的料方法。在接著前述偏光板 或其他的絲薄膜時,其料光學軸 先板 特性等設為適當的配置角度。 J的之相位差 上,偏光板或是至少積層有"'層偏光板的光學薄琪 亦1又置用於與液晶晶胞等其他部件 、 形成黏著層的黏著劑雖無特別限制 :層。 使用.將丙職系聚合物、聚石夕氧系聚合物、聚 19 201031943 西曰聚胺基甲酸醋、聚_、㈣、氣系或橡膠系等聚合 物:為基礎聚合物者。特別是,可適宜地使用 如丙烯酸系 黏著劑’其在光學朗性上優異,且顯示出適度的潤濕性 及凝聚性與縣性_著特性,並且耐候性或雜性等優 異者。 者層的露出面,直到供以實際使用之前,為a 防止其汚染等目的’可暫替合分隔件而覆蓋之。藉此 可防止慣例操作狀態中與黏著層接觸。分隔件除了前述乂
度條件之外,例如可使用將塑膠薄膜、橡膠片材、紙、布 残布、網、發泡片材、金料、其等之積層體等適^ 薄片體’因應需要以聚發氧系、長鏈院基系、氣系或硫^ 翻等適當__進行塗布處理者等依照既有標準適] 者。
有關於本實施形態的偏光板係可適宜地用於液晶顯示 裝置、有機電致發光裝置等各種影像顯示裝置。在適用於 液晶顯示I置時’有關於本實施形態的偏光板係可以光透 射軸與液晶晶胞的表面及裡面分別垂直的方式配置。藉 此’可得到崎低可見光波長中的光漏,且防止顯示 面產生變色的液晶顯示裝置。前述液晶晶胞並無特別;艮 定,例如可適當使用7^型、STN型、π型、VA型、lps型等 的任意型式者。 實施例 以下,例示性地詳細說明本發明的較佳實施例。但, 此實施例中所記載的材料或掺合量等,並非特別限於限定 20 201031943 性的記載,本發明的範圍絕非僅限於其等之意旨。 (實施例1) 用平均聚合度2400、厚度75μιη、薄膜寬度5〇111111的聚 烯醇(PVA)薄膜(Kuraray (股)製,商品名;vf_ps7500), 依序進行以下步驟,而製作有關於本實施例的埃系偏光薄 膜。 <膨潤步驟> • ^將前述PVA薄膜運送至注滿3〇°C純水的膨潤浴中,於 前述純水中浸潰30秒以使其膨潤。再者,進行pvA薄膜之 單袖延伸直到延伸倍率成為2.2倍為止。 <染色步驟> 將如述PVA薄膜運送至注滿含1〇重量%碘的3〇。〇含碘 染色溶液之染色浴中,浸潰於含碘染色溶液中5秒而進行染 色。於本步驟中不進行延伸處理。 <延伸步驟> • 將染色後的前述pVA薄膜從染色浴取出,於浴外(溫度 25C,相對濕度45%Rh)進行單軸延伸。延伸倍率係設為相 對於初始未延伸狀態之PVA薄膜為33倍(於浴外的延伸倍 率1.48倍)。 <交聯步驟> 將刖述PVA薄膜運送至注滿含有3重量%蝴酸與3重量 %碘化鉀的30t硼酸水溶液的交聯浴中,一邊於硼酸水溶液 中浸潰28秒,-邊進行單軸延伸直到其延伸倍率成為相對 於初始PVA薄膜的3.6倍為止而使其進行交聯。其後,於注 21 201031943 滿含有4重量⑽酸及5重量%蛾化钾的贼職水溶液之 交聯浴中-邊錢60秒,-邊崎單軸延伸直到其延伸倍 率成為相對於初始PVA薄膜的5.92倍為止。 <洗淨步驟> 將前述PVA薄膜運送至注滿含有3重量%碘化鉀的川^ 蛾化鉀水溶㈣洗料巾,浸潰於魏料歸中卿、而 進行水洗處理。 從别述洗淨浴取出PVA薄膜,使用供箱進行pvA薄膜的 乾燥。乾燥條件係設為乾燥溫度6(TC,及通過烘箱内的時 間4分鐘。藉此,製作有關於本實施例的偏光薄膜。 (比較例1) 藉由使用與實施例1所使用的PVA薄膜相同者,依序進 行以下步驟,而製作有關於本比較例的碘系偏光薄膜。 <膨潤步驟> 將前述PVA薄膜運送至注滿3〇它純水的膨潤浴中,於 前述純水中浸潰30秒以使其膨潤。再者,進行pvA薄膜之 單軸延伸直到延伸倍率成為22倍為止。 <染色步驟> 將前述PVA薄獏運送至注滿含3.8重 量%碘的30°C含碘 染色溶液之染色浴中,於含碘染色溶液中浸潰27秒,一邊 染色一邊進行單軸延伸。延伸倍率係設成相對於初始未延 伸狀態之PVA薄膜為33倍。 <交聯步驟> 將前述PVA薄膜運送至注滿含有3重量%硼酸與3重量 22 201031943 ⑽化㈣赃爾切㈣㉔財, 中浸潰28秒…邊進行料延伸直财延抑 於初始。VA薄膜的3_6倍為止而使其進行交聯:其= 滿含有續物量㈣化㈣崎做水溶液之 交聯浴中-邊浸潰_、,—邊進行單軸延伸直醇 率成為相對於初始PVA薄膜的5,92倍為止。 、 β <洗淨步驟>
將前述PVA薄膜運送至注滿含有3重量%峨化卸的贼 埃化钟水減的洗淨浴巾,浸潰於魏_水溶液中卿而 進行水洗處理。 從前述洗淨浴取出PVA薄膜,使用烘箱進行ρνΑ薄膜的 乾燥。乾燥條件係設為乾燥溫度6(TC,及通過烘箱内的時 間4刀鐘。藉此’製作有關於本比較例的偏光薄膜。 (實施例2) 藉由使用與實施例1所使用的PVA薄膜相同者,依序進 行以下步驟,而製作有關於本實施例的峨系偏光薄膜。 <膨潤步驟> 將前述PVA薄膜運送至注滿30°C純水的膨潤浴中,於 前述純水中浸潰30秒以使其膨潤。再者,進行PVA薄膜之 單轴延伸直到延伸倍率成為2.2倍為止。 <染色步驟> 將前述PVA薄膜運送至注滿含9重量%碘的30°C含碘染 色溶液之染色浴中,於含碘染色溶液中浸潰5秒進行染色。 再者,進行PVA薄膜之單軸延伸而使延伸倍率成為2.4倍。 23 201031943 <延伸步驟> 將染色後的前述PVA薄膜從染色浴取出,於浴外(溫度 25C,相對濕度45%Rh)進行單轴延伸。延伸倍率係設為相 對於初始未延伸狀態之PVA薄膜為3.3倍(於浴外的延伸倍 率1·4倍)。 <交聯步驟> 將前述PVA薄膜運送至注滿含有3重量%硼酸與3重量 %埃化卸的30°C硼酸水溶液的交聯浴中,一邊於硼酸水溶液 中浸潰28秒,一邊進行單轴延伸直到其延伸倍率成為相對 於初始PVA薄膜的3.6倍為止而使其進行交聯。其後,於注 滿含有4重量%硼酸及5重量%碘化鉀的6〇〇c硼酸水溶液之 父聯浴中一邊浸潰60秒,一邊進行單軸延伸直到其延伸倍 率成為相對於初始PVA薄膜的5.92倍為止。 <洗淨步驟>
將前述PVA薄膜運送至注滿含有3重量%碘化鉀的3〇〇C 破化鉀水溶液的洗淨浴中,浸潰於破化鉀水溶液中10秒而 進行水洗處理。 從前述洗淨浴取出P VA薄膜,使用烘箱進行p VA薄膜的 乾燥。乾燥條件係設為乾燥溫度60°C,及通過烘箱内的時 間4分鐘。藉此,製作有關於本實施例的偏光薄膜。 (實施例3) 藉由使用與實施例1所使用的PVA薄膜相同者,依序進 订以下步驟,而製作有關於本實施例的碘系偏光薄膜。 <膨潤步驟> 201031943 的膨潤浴中,於 進行PVA薄膜之 將前述PVA薄膜運送至注滿啊純水 前述純水中浸潰25秒以使其_。再者, 單轴延伸直到延伸倍率成為2 ()倍為止。’ <染色步驟> 將則述PVA薄膜運送至注滿含ι〇 峨染色溶液之染色浴中,於含斑 /°峨的30°C含
色。再者,進行薄膜之單轴延伸:使延染 倍。於本步驟中不進行延伸處理。 。辜成為2.4 <延伸步驟> 將染色後的前述PVA薄膜從染色浴取出,於 25C,相對濕度45%Rh)進行單軸证 、 '孤又 心… 仃早軸延伸。延伸倍率係設為相 對於初始未延伸狀態之PVA薄膜 率164倍)。 H(於冷外的延伸倍 <交聯步驟> 將前述PVA薄膜運送至注滿含有3重量%蝴酸與3重量 %破化鑛水溶_交_巾,—邊於嫩水溶液 中浸潰28秒…邊進行單轴延伸直職延伸倍率成為相對 於初始PW#膜的3.6倍紅而使其進行交聯。其後於注 滿含有4重量%喊及5重量%心一賴。c硼酸水溶液之 交聯浴中-邊浸潰60秒…邊進行料延伸朗其延伸倍 率成為相對於初始PVA薄膜的5.92倍為止。 <洗淨步驟> 將别述PVA薄膜運送至注滿含有3重量%破化卸的3〇。〇 峨化钟水隸誠料巾,浸潰W化財料㈣秒而 25 201031943 進行水洗處理。
從前述洗淨浴取出PVA薄膜,其後,使用供箱進行pvA 薄膜的乾燥。乾燥條件係設為乾燥溫度,及通過洪箱 内的時間4分鐘。藉此,製作有關於本實施例的偏光薄膜。 (比較例2) ' 藉由使用與實補i所錢的pvA薄助同者,依序進 行以下步驟,而製作有關於本比較例的蛾系偏光薄膜。 <膨潤步驟>
將别述PVA薄膜運送至注滿3〇t:純水的膨潤浴中,於 月?1述純水巾&潰25秒以使其齡卜再者,進行薄膜之 單軸延伸直到延伸倍率成為2〇倍為止。 <染色步驟> 將前述PVA薄膜運送至注滿含38重量%峨的贼含碘 染色溶液之染色浴中,於切染色溶液中浸_秒―邊 染色-邊進行單軸延伸。延伸倍率係妓相對於初始未延 伸狀態之PVA薄膜為3.3倍。
<交聯步驟> 將前述PVA薄膜運送至注滿含有3重量%硼酸與3重量 /〇埃化卸的3G C蝴酸水溶液的交聯浴中…邊於爛酸水溶液 中浸潰28秒…邊崎單轴延伸直到纽伸料成為相對 於初始PVA溥膜的3_6倍為止而使其進行交聯。其後,於注 滿含有4重量%硼酸及5重量%碘化鉀的6〇它硼酸水溶液之 交聯浴中一邊浸潰60秒,一邊進行單轴延伸直到其延伸倍 率成為相對於初始PVA薄膜的5·92倍為止。 26 201031943 <洗淨步驟>
將前述PVA薄膜運送至注滿含有3重量❶/〇碘化鉀的30°C 破化鉀水溶液的洗淨浴中,浸潰於碘化鉀水溶液中10秒而 進行水洗處理。 從前述洗淨浴取出PVA薄膜,使用烘箱進行PVA薄膜的 乾燥。乾燥條件係設為乾燥溫度6〇t,及通過烘箱内的時 間4分鐘。藉此’製作有關於本比較例的偏光薄膜。 ^ (實施例4) 藉由使用與實施例1所使用的PVA薄膜相同者,依序進 行以下步驟,而製作有關於本實施例的破系偏光薄膜。 <膨潤步驟> ‘ a豸前述PVA薄膜運送至注滿抓純水的膨潤浴中,於 ^述、、t水巾π潰25秒以使其膨潤。再者,進行pvA薄膜之 單軸延伸直到延伸倍率成為2.0倍為止。 <染色步驟> • ㈣述PVA薄膜運送至注滿含⑽重量%峨的贼含 了染^ =之染色浴中,於含峨染色溶液中浸潰5秒進行染 色。於本步驟中不進行延伸處理。 <延伸步驟> 二=前述Μ薄膜從染色洛取出,於浴外(溫度
=初Π:!4,進行單轴延伸。延伸倍率係設為相 對於初始未延伸狀態之pvA 率丨·25倍)。 溥膜為2.5倍(於浴外的延伸倍 <交聯步驟> 27 201031943 將前述PVA薄模運送至注滿含有3重量%破與3重量 %峨化钟的抓樣水溶_交聯浴中,—邊於喊水溶液 中浸潰28秒,-邊進行單軸延伸直到其延伸倍率成為相對 於初始潰薄膜的3·6倍為止而使其進行交聯。其後,於主 滿含有4重量侧酸及5重量%峨化鉀的6〇。〇喊水溶液之 交聯浴中-邊浸潰6〇秒,-邊進行單軸延伸直到其延伸倍 率成為相對於初始PVA薄膜的5.92倍為止。 <洗淨步驟> 將别述PVA薄膜運送至注滿含有3重量%峨化钟的3叱 _ 峨化奸水溶液的洗淨浴中,浸潰於峨化卸水溶液中ι〇秒而 進行水洗處理。 。從前述洗淨浴取出PVA薄膜’使用烘箱進行ρνΑ薄膜的
乾燥乾燥條件係设為乾燥溫度6〇〇c,及通過供箱内的時 J ’ 4刀鐘。藉此,製作有關於本實施例的偏光薄膜。 (比較例3) 藉由使用與實施例1所使用的PVA薄膜相同者,依序進 仃以下步驟’而製作有關於本比較例的蛾系偏光薄膜。 ⑩ 〈膨潤步驟> ^將前述PVA薄膜運送至注滿3〇°C純水的膨潤浴中,於 过·純水中’文潰25秒以使其膨潤。再者,進行pvA薄膜之 單軸延伸直到延伸倍率成為2〇倍為止。 <染色步驟> 將前述PVA薄膜運送至注滿含4.5重量%碘的3(rc含碘 染色溶液之染色浴中,於含碘染色溶液中浸潰丨3秒一邊 28 201031943 染色一邊進行單軸延伸。延伸倍率係設成相街於初妒 伸狀態之PVA薄膜為2.5倍。 ° 延 <交聯步驟> 將前述PVA薄膜運送至注滿含有3重量%硼酸與3重量 %碘化鉀的30〇C硼酸水溶液的交聯浴中,一邊於蝴酸水、六^ 中浸潰28秒,一邊進行單軸延伸直到其延伸倍率成為相^ 於初始PVA薄膜的3.6倍為止而使其進行交聯。其後,於、、主 φ 滿含有4重量%硼酸及5重量%碘化鉀的60。(3硼酸水溶液之 交聯浴中一邊浸潰60秒,一邊進行單軸延伸直到其延伸倍 率成為相對於初始PVA薄膜的5.92倍為止。 <洗淨步驟> 、將前述PVA薄膜運送至注滿含有3重量%碘化鉀的3〇它 • 碘化鉀水溶液的洗淨浴中,浸潰於碘化鉀水溶液中1〇秒而 進行水洗處理。 從前述洗淨浴取出PVA薄膜’使用烘箱進行PVA薄膜的 乾燥。乾燥條件係設為乾燥溫度60。〇,及通過烘箱内的時 間4分鐘。藉此,製作有關於本比較例的偏光薄膜。 (單體穿透率) 有關於各實施例及比較例的偏光薄膜之單體穿透率、 係使用附有積分球的分光光度計(日本分光股份有限公司 製之V7100) ’並顯示成藉由JIS Z 8701-1982所規定的2度視 野(C光源)進行視感度調整的Y値。將結果示於表1。 (垂直吸光度) 480nm及610nm之垂直吸光度係使用前述分光光度 29 201031943 計’分別測量偏光薄膜之480nm及610nm的垂直穿透率Tc 後’以(垂直吸光度)= Logu)Tc分別計算出而求得。 (垂直穿透率) 各偏光薄膜中的410nm之垂直穿透率係使用前述分光 光度計測量。 (碘含量) 硬系偏光薄膜中每2.85mm3之碘含量係使用螢光X光 分析裝置[理學電氣工業(股)製,商品名「ZSXlOOe」]測得。 (結果) ⑩ 如同從後述表1可明顯得知者,確認到有關於實施例1 的破系偏光薄膜,相較於不在延伸步驟而在染色步驟中於 染色洛中進行延伸的有關於比較例1的碘系偏光薄膜,在 410nm的垂直穿透率係減低的。相同地,有關於實施例2的 ‘ 碘系偏光薄膜相較於有關於比較例2的碘系偏光薄膜,有關 於實施例3的埃系偏光薄膜相較於有關於比較例3的峨系偏 光薄膜,分別在410nm的垂直穿透率係減低的。由以上可 知’若為有關於各實施例丨〜3的具有偏光薄膜的偏光板,可 參 減低於可見光短波長區中的光漏。 【表1】 30 201031943 蛾含量 (wt%) 單體穿 透率 (%) 480nm 之垂直 吸光度 A1 610nm 之垂直 吸光度 A2 A2/A1 延伸方法 空氣中 延伸倍 率(倍) 總延伸 倍率 (倍) 480nm 之垂直 穿透率 A1 實施例1 2.62 44.24 3.426 3.959 1.156 空氣中 1.48(3.3) 5.92 0.358 實施例2 2.6 44.2 3.395 3.93 1.158 染色浴中 +空氣中 1.4(3.3) 5.92 0.4 比較例1 2.6 44.22 3.312 3.932 1.187 染色浴中 — 5.92 0.453 實施例3 2.66 43.97 3.869 4.39 1.121 空氣中 1.64(3.3) 5.92 0.135 比較例2 2.65 43.97 3.52 4.1 1.165 染色浴中 — 5.92 0.314 實施例4 2.55 44.04 3.84 3.5 0.9 空氣中 1.25(2.5) 5.92 0.3 比較例3 2.56 44.0 3.0 3.54 1.18 染色浴中 — 5.92 0.45 【圖式簡要說明:! 無 【主要元件符號說明】 無
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Claims (1)
- 201031943 七、申請專利範圍: 1· 一種碘系偏光薄膜,係使碘吸附配向於高分子薄膜者, 且前述碘之含量在每2.85„11113為1.9〜3重量%之範圍 内,且在單體穿透率43〜45%之範圍内波長61〇nm之垂直 吸光度A2對於波長480nm之垂直吸光度A1之比(A2/A1) 在1.16以下。 2. 如申请專利範圍第1項之碘系偏光薄骐,其中前述高分 子薄膜係聚乙烯醇薄膜。 3. 如申請專利範圍第1項之碘系偏光薄膜,其中前述聚乙 參 稀醇薄膜係由聚合度為500〜10000之聚乙烯醇系樹脂所 形成者。 4. 一種碘系偏光薄膜之製造方法,係使碘吸附配向於高分 子薄膜的碘系偏光薄膜之製造方法,該製造方法包人. 1 染色步驟,係藉由使前述高分子薄膜浸潰於含蛾溶 液中’而使碘吸附於該高分子薄媒; 延伸步驟,係從前述溶液取出染色後的前述高分子 薄膜,並以此狀態且在不加熱前述高分子薄膜下進行單 ® 軸延伸成為規定的延伸倍率;及 交聯步驟,係藉由將前述經單軸延伸後的高分子薄 膜浸潰於交聯浴中,而交聯該高分子薄膜。 5. 如申凊專利範圍第4項之蛾系偏光薄膜之製造方法其 中於則述染色步驟中並不進行含碘溶液中之高分子薄 膜的單軸延伸。 6_如申請專利範圍第4項之碘系偏光薄臈之製造方法其 32 201031943 中於前述延伸步驟中進行之單軸延伸的延伸倍率在 1.2〜1.8倍之範圍内。 7. 如申請專利範圍第4項之碘系偏光薄膜之製造方法,其 中前述染色步驟中之前述含碘溶液的溫度在5〜42°C之 範圍内,且前述高分子薄膜之浸潰時間為1分鐘〜20分 鐘。 8. 如申請專利範圍第4項之碘系偏光薄膜之製造方法,其 中前述染色步驟之含碘溶液中的碘濃度在0.010〜10重 量%之範圍内。 9. 如申請專利範圍第4項之碘系偏光薄膜之製造方法,其 中前述染色步驟中的含碘溶液中係添加有碘化物,且前 述碘化物的濃度在0.010〜10重量%之範圍内。 10. 如申請專利範圍第4項之碘系偏光薄膜之製造方法,其 中前述交聯步驟中之交聯浴的溫度在20〜70°C之範圍 内,且前述經單軸延伸後之高分子薄膜的浸潰時間為1 秒鐘〜15分鐘。 11. 如申請專利範圍第4項之碘系偏光薄膜之製造方法,其 中前述交聯步驟中之交聯浴中的交聯劑濃度在1〜1 〇重 量%之範圍内。 12. 如申請專利範圍第4項之碘系偏光薄膜之製造方法,其 中前述交聯步驟中的交聯浴中係添加有碘化物,且前述 換化物的濃度在0.05〜15重量%之範圍内。 13. 如申請專利範圍第4項之碘系偏光薄膜之製造方法,包 含將前述交聯步驟後之高分子薄膜浸潰於洗淨浴中而 33 201031943 洗淨之洗淨步驟。 14. 如申請專利範圍第11項之碘系偏光薄膜之製造方法,包 含在乾燥溫度20°C〜80°C、乾燥時間1分鐘〜10分鐘的條 件下使前述洗淨步驟後之高分子薄膜乾燥之乾燥步驟。 15. —種偏光板,係於如申請專利範圍第1項之碘系偏光薄 膜之至少一面上設有透明保護薄膜者。34 201031943 四、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(無)圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 五、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式:
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