TW201030966A

TW201030966A - Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same

Info

Publication number: TW201030966A
Application number: TW098145745A
Authority: TW
Inventors: Sun-Youl Lee; Koji Suzuki
Original assignee: Samsung Mobile Display Co Ltd
Priority date: 2009-02-09
Filing date: 2009-12-30
Publication date: 2010-08-16
Also published as: EP2216821A3; CN101859793B; EP2216821A2; KR20100090998A; JP2010183051A; US8241933B2; CN101859793A; US20100200861A1; KR101015850B1

Description

201030966 六、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明之態樣係有關於一種有機發光二極體顯示器及其製造方法。【先前技術】有機發光二極體（organic light emitting diode; OLED) 顯示器具有自我發光特性，且有別於液晶顯示器（Hquid crystal display ; LCD)，差別在於其不需要一額外之獨立光 ❹ 源且具有較薄之厚度和較輕之重量。此外，有機發光二極

體顯示器消耗較少之電力、具有較高之亮度、以及比LCD 更知之反應時間，此使得其被特別認定為可攜式電子裝置之下一代顯示元件。一有機發光二極體顯示器包含有機發光二極體，以及用以驅動該有機發光二極體的薄膜電晶體（thin film transistor)。有機發光二極體包含一電洞注入電極（h〇ie injection electrode)、一有機發光層（〇rganie © Uyer)、以及一電子注入電極（electron injection electrode)，而上述之薄膜電晶體則包含一半導體層、一閘極電極、一源極電極、以及一〉及極電極。在此一有機發光二極體顯示器之生產期間，其實施一些薄膜製程（利用光罩）以分別形成該等電極、佈線、和其他疊層。因此，當有機發光二極體顯示器在結構上變得更加複雜，薄膜製程之數目增加，造成製程失敗增加、生產力 - 減少、以及產品成本增加。 201030966 本節所揭示之相關資訊僅係用以增進對發明背景之了解，其可能包含並非構成習知技術之資訊。【發明内容】本發明之態樣在於提出一種具有簡化結構之有機發光二極體顯示器，其可以藉由一簡化之製造方法產生。 …本發明之一示範性實施例提出一種有機發光二極體顯不器，其包含··-基板：—半導體層，形成於該基板之上，具有-通道區域（ehannel regiGn)、_源極區域、和—沒極區域；-閘極絕緣層，覆蓋該半導體層；以及一間極電極，形成於該通道區域之上。-中介絕緣層覆蓋該閉極電極。源極和沒極電極形成於該中介絕緣層之上，且分別連接至 .該源極和没極區域…像素電極延伸自該没極電極且被配置於與該源極和沒極電極同一平面之中。該源極和沒極電極各自均具有—第一導電層和一形成於該第電層之上的第二導電層’該第一導電層包含一透光導電材料，該第二導電層包含-金屬材料。該像素電極係形成自該第一導電層之一部分。依據本發明之態樣，上述之第一導電層可以包含選擇自以下項目之至少一材料：氧化銦錫（indium tin 〇xide ; ITO)、氧化銦鋅（indium zinc 〇xide ; ιζ〇)、氧化鋅㈤如 oxide ; ZnO)、以及氧化銦（ln2〇3)。依據本發明之態樣，該第—導電層可以是結晶化的 (crystallized)。依據本發明之態樣，上述之閘極絕緣層和中介絕緣層 201030966 可以各自具有使該半導體層之源極和汲極區域暴露之接觸通孔，且該源極和汲極電極可以透過該等接觸通孔連接至該半導體層之源極和汲極區域。 .· 依據本發明之態樣，一像素定義層可以覆蓋該源極和汲極電極。該像素定義層可以具有—開孔使得該像素電極暴露。依據本發明之態樣，一有機發光層可以形成於該像素電極之上，在該像素定義層之開孔内部，且一共用電極可 ❹ 以形成於該有機發光層及該像素定義層之上。依據本發明之態樣，該有機發光層可以在該像素電極之方向發光。依據本發明之態樣，上述之共用電極可以包含一反射層’由選擇自以下項目之至少一材料所構成：鋰（lithium ; Li)、約（caicium ; Ca)、氟化鋰 / 鈣（LiF/Ca)、氟化鋰 / 鋁 (LiF/Al)、銀、鎂、以及金。本發明之另一示範性實施例提出一種製造有機發光二 Ο 極體顯示器之方法，其包含：形成一非晶碎層（amorphous silicon layer)在一基板之上；形成一閘極絕緣層，其覆蓋該非晶矽層；形成一閘極電極在該閘極絕緣層之上；以及結晶化並選擇性地摻雜該非晶矽層，藉以形成一具有一通道區域、一源極區域、和一汲極區域之半導體層。該方法更進一步包含：形成一中介絕緣層，其覆蓋該閘極電極；形 . 成接觸通孔在該中介絕緣層和閘極絕緣層之中’其使得該半導體層之該源極和汲極區域暴露；形成一第一導電層在 201030966 該中介絕緣層之上，使得其經由該接觸通孔接觸該半導體層之該源極和沒極區域；形成—第二導電層在該第一導電層之上；藉由光學微影術（ph〇t〇Hth〇graphy)圖案化該第一及第二導電層，藉以形成源極和汲極電極，其各自均具有一雙層結構；以及圖案化該第-導電層以形成—具有一單層結構之像素電極。依據本發明之態樣，該光學微影術製程可以利用一光阻圖案實行之，該光阻圖案係透過半色調曝光（haift〇ne exposure)製程形成。依據本發明之態樣，該光阻圖案可以具有：一第一部分，置於該源極和汲極電極之一形成區域之上；一較細之第二部分，置於該像素電極之一形成區域之上；以及一第三部分’使該第二導電層得以暴露。依據本發明之態樣，該光學微影術製程可以包含：形成該光阻圖案在該第二導電層之上；使用該光阻圖案依序蝕刻並移除對應至該光阻圖案中該第三部分之該第二及第一導電層的一部分；移除該光阻圖案之該第二部分；以及在該第二部分被移除之後，使用該光阻圖案，僅蝕刻並移除對應至該光阻圖案中該第二部分之該第二導電層之一部分。依據本發明之態樣’上述之第一導電層可以包含選擇自以下項目之至少一材料：氧化銦錫（IT〇)、氧化銦鋅 (ΙΖ0)、氧化鋅（Ζη0)、以及氧化銦（ln2〇3)。依據本發明之態樣，上述之方法可以進一步包含結 201030966 化該第一導電層β 依據本發明之態樣，該方法可以進—步包含形成一覆 .蓋該源極知沒極電極之像素定義層，其具有一開孔使該像 • 素電極暴露。依據本發明之態樣’該方法可以進一步包含形成一有機發光層在該像素電極之上’仇於該像素定義層之該開孔内部’且形成-共用電極在該有機發光層及該像素定義層之上。 __本發明之態樣，該有機發光層可以在該像素電極之方向發光。依據本發明之態樣，上述之共用電極可以包含一反射層，由選擇自以下項目之至少—材料所構成：鋰(Li)、鈣 (叫、氟化鐘,（LiF/Ca)、氟化鐘飧（uf/ai)、銘（ai)、銀 (Ag)、鎂（Mg)、以及金（Au)。本發明之更多態樣及/或優點部分將在以下詳細說明中提出，部分將因為以下之說明而趨於明顯， G 明之實施而習得。【實施方式】以下將詳述本發明之示範性實施例，該等實例均例示於所附圖式中，其中相同之參考編號表示相同之構件。其將配合對應之圖式說明示範性實施例，以閣明本發明之特色0 ' .▲肖說明無關之部件將予省略，以清楚地突顯本發明之癌樣。此外，顯示於圖式中的個別結構組件的尺寸和厚度 201030966 均係基於說明之方便而任意舉例，並非用以限制本發明之範嘴。其應理解，當說明書中提及諸如一疊層、薄膜、區域、或者基板等構件形成或配置於另一構件，，之上"時，其可以是直接配置於其他構件之上，換言之，其中可能存在居間之· 構件。相對地，當其提及一構件"直接"形成或配置於另一構件”之上”時’其中將不存在任何居間之構件。另一方面，儘管所附圖式中所例示者係一具有 2Tr_lCap結構之主動矩陣式（actWe matrix; am)有機發光二極體（OLED)，其中每-像素均包含二薄膜電晶體和一電《容，但本發明並不受限於此❶該有機發光二極體顯示器在每一像素可以具有三或多個薄膜電晶體、二或多個電容、以及具有獨立線路之各種不同結構。像素係最小之影像顯示單元’一影像係由複數像素所構成。以下將參照圖丨和圖2說明依據本發明一示範性實施例之一有機發光二極體顯示器1〇〇。如圖】和圖2所示有機發光二極體顯示器100包含一開關薄膜電晶體1〇、一驅動薄膜電晶體20、一電容8〇、以及一有機發光二極體 (OLED)70 ’其形成於母一像素處。言亥有機發光二極體顯示器1〇〇更進一步包含閘極線151、資料線m、以及共用電源線172，其和閘極線i 5丨交又並與其絕緣。此處，每一像素係由閘極線151、一資料線171、和一做為邊界之第一共用電源線172所界定，但本發明並不受限於此。有機發光二極體70包含一像素電極71〇、一有機發光 10 201030966 層720形成於像素電極71〇成於有機發光層720之上。像…乂及一共用電極730形極，或稱為陽極日像素電極710係做為-正⑴電成稱杨極，且可以被稱為—電洞注極730係做為一負（+)電極料J電啻工、+ ^ 兄稱馬咬極，且可以被稱為一 _ 贫月並非限制於此，且取決於有機發光二極體顯示器丨⑽祐、…上 U破驅動之方式，像素電極710可 Η文為陰極，而共用妹73()則做為陽極。來自像素電極

710和共用電極730之電洞和電子被注入有機發光層720。 ^子與電狀結合形成激子（exeitGn)。當激子自—被激發狀 L轉移至-接地狀態時’發出光線。—或多個像素電極71〇形成於每-像素處，而有機發光二極體顯示器刚具有彼此相隔之複數像素電極71〇。電容80具有第一及第二電容電極極板158和178、以及一閘極絕緣層14〇配置於該二電容電極極板158和178 之間。開關薄膜電晶體1〇包含一開關半導體層m、一開關 ❹閘極電極152、-開關源極電極173、以及―開關彡及極電極 174。驅動溥膜電晶體20包含一驅動半導體層132、一驅動閘極電極155、一驅動源極電極176、以及一驅動汲極電極 177 〇開關薄膜電晶體1〇係一用以選擇像素發光之開關。開關閉極電極152連接至閘極線151。開關源極電極173連接至資料線171。開關汲極電極ι74與開關源極電極173彼此分隔且連接至第一電容電極極板158。 201030966 驅動薄膜電晶體20施加一驅動電壓至像素電極71〇 ’ 以在一選擇像素激發有機發光二極體7〇之有機發光層 720。驅動閘極電極155連接至第一電容電極極板158。驅動源極電極176和第二電容電極極板178各自均連接至共用電源線172。驅動汲極電極177連接至像素電極71〇。像素電極710延伸自驅動汲極電極177，位於與驅動源極電極 176和驅動汲極電極177同一平面中。開關薄膜電晶體1 〇工作於一施加至閘極線15丨之閘極電壓，並傳送一施加於資料線171之資料電壓至驅動薄膜電晶體2〇。儲存於電容80之電壓相當於從共用電源線172 € 施加至驅動薄膜電晶體20的共用電壓與傳送自開關薄膜電晶體10的資料電壓之間的電位差。一對應至上述儲存於電容80電壓之電流經由驅動薄膜電晶體2〇流入有機發光二極體70以激發該有機發光二極體7〇。其使用一顯示於圖3中之光罩901，經由單—薄膜製程，使得上述之驅動源極電極176、驅動汲極電極m、和像素電極710形成於同一平面中。該驅動源極電極176和 ◎ 該驅動汲極電極177分別均包含第一導電層176&和ma 以及第二導電層176b和177b。換言之，該驅動源極電極 176和該驅動汲極電極i 77具有一雙層結構。像素電極71〇具有一單層結構，其僅包含一第一導電層71〇a。上述之薄膜製程包含光學微影術之實施。第一導電層176a、177a、和710a均係由一透光之導電材料構成。第二導電層176b 和177b則係由一具有高導電性之金屬材料構成。因此，有 12 201030966 機發光二極體顯示ϋ 100具有一簡化之結構且可以經由一縮減數目之製程動作製造之。以下將參照圖2具體詳述有機發光二極體顯示器_ 之結構。圖2例示有機發光二極體顯示器100,圖中描繪之核心在於驅動薄膜電晶體2〇以及有機發光二極體7〇。 ❹ 以下將以驅動薄膜電晶體2〇為基礎，描述可以包含於有機發光二極體顯示器刚中之—薄膜電晶體之結構其將針對顯示於圖i的開關薄膜電㈣1〇與驅動薄膜電晶體2〇間的差異加以說明。基⑴係由—絕緣材料所構成，諸如玻璃、石英、陶瓷、或者塑膠 '然#，本發明並不受限於該等材質。基板111可以是由一金屬材料所構成，諸如不銹鋼。一緩衝層120形成於基板iU之上。緩衝層12〇防止雜質之擴散並充當一平坦化層（planarizati〇n layer)。緩衝層 120可以是由各種不同之材料所構成，舉例而言緩衝層 120可以由選擇自以下項目之至少一材料所構成：氮化石夕 O (silicon nitride ·，SiNx)、氧化矽、以及氮氧化矽（silicon oxynitride ; SiOxNy)然而，緩衝層12〇並非絕對必要，故可以取決於基板111的材質以及製程條件而省略之。一驅動半導體層132形成於緩衝層12〇之上。驅動半導體層132係由多晶石夕所構成。驅動半導艘層ϋ〗具有一未掺有雜質的通道區域135,以及掺雜p+的源極和汲極區域136和137,形成於通道區域135的兩側。所掺雜的離子材料係一 P型雜質’諸如硼，基本上可以由B2H6所構成。 13 201030966 依據薄膜電晶體之形式’可以使用其他雜質。雖然此處使用一 P型金氧半導體（PM〇S)做為驅動薄膜電明體20，但驅動薄膜電晶體20之形式並不受限於此。舉例而言，其亦可以使用一 n型金氧半導體（NM〇s)4者一互補式金氧半導體（CMOS)做為驅動薄媒電晶體2〇〇此外，雖然圖2所示之驅動薄膜電晶體2〇係一多晶式薄膜電晶體，但開關薄膜電晶體1 〇可以是一非晶石夕薄膜電晶體。 —閘極絕緣層140形成於聪動半導體層132之上。閘極絕緣層140可以是由氮化矽（SiNx)或氧化矽（si〇2)構成。閘極佈線’包含閘極電極155，形成於閘極絕緣層14〇之上。 δ亥閘極佈線更包含圖1所示的閘極線15丨、圖1所示的第一電谷電極極板158、及/或其他佈線《驅動閘極電極155交巷至少部份之驅動半導體層1 3 2。特別是，驅動閘極電極 155交疊通道區域135。一中介絕緣層160形成於閘極絕緣層14〇之上，使得其覆蓋驅動閘極電極155。閘極絕緣層140和中介絕緣層 160具有對應之接觸通孔使得驅動半導體層132之源極和汲極區域136和137得以暴露。中介絕緣層160和閘極絕緣層140可以是由氮化矽（SiNx)或氧化矽（si〇2)所構成。資料佈線，包含驅動源極和汲極電極176和177，形成於中介絕緣層160之上。該資料佈線更包含資料線ι71、共用電源線172、第二電容電極極板178(圖1)、及/或其他佈線。驅動源極和没極電極1 7 6和1 7 7經由穿孔分別連接至 201030966 驅動半導體層132之源極和汲極區域136和137。以此種方式，其透過形成驅動半導體層丨32、驅動閘極電極155、以及驅動源極和汲極電極176和177而形成驅動薄膜電晶體 20。驅動薄膜電晶體2〇之結構並不限於上述之方式，而是可以改成各種不同之方式。驅動源極電極176、驅動汲極電極177、資料線171、以及共用電源線172均具有一雙層結構，且各自均包含由一透光導電材料所構成的第一導電層176a、177a、17U、 ❹ 和n2a，以及分別形成於該第一導電層176a、177a、171a、和172a之上的第一導電層17处、177b、171b、和172b。上述之第二導電層176b、177b、料所構成。 171b、和172b係由一金屬材 100中，資料佈線更包含像在有機發光二極體顯示器然而，與驅動源極和汲極電極 176和177有所不同，像素

、極710。每一像素電極71〇延伸自驅動汲極電極177之一，位於與驅動源極和汲極電極176和177的同一平面中。 15 201030966 電容80 β 像素定義層190形成於中介絕緣層16〇之上，使得其覆蓋資料佈線17丨、172、176、及177，但並未覆蓋像素電極710。換言之，像素定義層190覆蓋資料佈線171、172、 176、及177，且具有開孔199使像素電極7】〇得以暴露。像素定義層190可以是由合成樹脂所構成，諸如聚丙烯酸醋合成樹脂（polyacrylate resin)或者聚醯亞胺合成樹脂 (polyimide resin)。一有機發光層720形成於像素電極710之上，位於像素定義層190之開孔199内部。一共用電極73〇形成於像素定義層190和有機發光層720之上。依此種方式，每一有機發光二極體70包含像素電極71〇、有機發光層72〇、以及共用電極730。有機發光層720可以是由一低分子量有機材料或者一南分子量有機材料所構成。有機發光層720可以具有一多層結構’包含以下疊層中之部分或全部：一發射層、一電洞注入層（hole injection layer ; HIL)、一電洞運送層（h〇le transport layer ; HTL)、一電子運送層（electr〇n transport layer ; ETL)、以及一電子注入層（eiectr0I1 injecti0I1 iayer ; EIL)。假若有機發光層720係由上述之全部疊層所構成，則電洞注入層（HIL)配置於像素電極710(陽極）之上，而後依序疊上電洞運送層（HTL)、發射層、電子運送層（Etl)、以及電子注入層（EIL)。如圖2所示的有機發光層720僅配置於像素定義層190 201030966 的開孔199 t，但本發明並不受限於此。舉例而言，有機發光層720可以是形成於像素電極71〇之上，位於像素定義層190之開孔199内部，或者是配置於像素定義層'19〇和共用電極730之間。具體言之，有機發光層72〇所包含的電洞注入層（HIL)、電洞運送層（HTL)、電子運送層（etl)、以及電子注入層（EIL)可以是利用一開放光罩形成於像素定義層190之上，以及像素電極71〇之上。相對而言，若發光層720係形成於各別之開孔199中’則其係使用一精細 ❿ 金屬光罩（fine metal mask ; FMM)製程而形成。換言之，一或多層有機發光層720可以配置於像素定義層19〇和共用電極730之間。像素電極710之第一導電層71〇a、176a、177a、ΐ7ι& 和172a、源極電極176、汲極電極177、資料線171、以及共用電源線172係由一透光之導電材料所構成，包含選擇自以下項目之至少一材才斗：氧化銦錫(IT〇)、氧化銦鋅 (ΙΖΟ)、氧化鋅（ΖηΟ)、以及氧化銦（ln2〇3)。第一導電層71如、 ❹ 176a、177a、171a和172&係結晶化的，以增加其導電性。共用電極73 0包含一金屬反射層，由選擇自以下項目之至少一材料所構成：鋰（Li)、鈣（Ca)、氟化鋰/鈣（LiF/Ca)、氟化鋰/鋁（LiF/Al)、鋁（A1)、銀（Ag)、鎂（Mg)、以及金（Au)。因此，有機發光層720在像素電極710的方向上發光，以顯示一影像。換言之，有機發光二極體顯示器1〇〇係一後發射（rear-emission)之形式。利用上述之結構特徵，有機發光二極體顯示器1〇〇可 201030966 乂具有冑化之結構。尤其是，基於此後侧發射式有機發光二㈣顯示n 使得同時形成像素電極川和驅動沒極電極177成為可能。

以下將參照圖3至圖8說明依據本發明一示範性實施例的-種製造有機發光二極體顯示器1〇〇的方法。如圖、所示，在緩衝& 120形成於基板lu之上之後一非晶矽層（未顯示於圖中）被沉積於緩衝層12〇之上並予圖案化。一钃極、色緣層140形成於該非晶發層（未顯示於圖中）之上使得其覆蓋該非晶㈣，且—閘極電極155形成於該非晶石夕層之上’使得該閘極絕緣層140介於其間。之後，上述之非晶矽層（未顯示於圖中）被結晶化並選擇性地掺以雜質，以形成半導體層132。半導體層132包含一通道區域135配置於閘極電極155之下，且源極和汲極區域136和137分別形成於通道區域135的兩側。

中介絕緣層160隨後形成，使得其覆蓋驅動閘極電極 155。接觸通孔形成於該中介絕緣層16〇和閘極絕緣層ι4〇之中’使得上述半導體層132之源極和汲極區域136和m 得以暴露。第一導電層701形成於中介絕緣層160之上，使得其經由該接觸通孔接觸該源極和汲極區域136和137。 —第二導電層702形成於該第一導電層701之上。一感光材料層801形成於該第二導電層702之上，且利用光罩901被進行半色調曝光。光罩901具有一阻光區段MB、一透光區段MT、以及一半透光區段MS。在圖3 之中，其顯示該半透光光罩區段MS形成一狹縫圖案 18 201030966 (slit-pattern) ’然本發明並未受限於此。之後’如圖4所示’該半色調曝光感光材料層801被進行顯影，從而形成一光阻圖案81〇。光阻圖案81〇具有一 ..4度最大之第-部分PA、一厚度居中之第二部分pB、以及 • 一厚度最小之第三部分pc。考慮到該處之感光材料層謝係準備要完全移除’上述之第三部分pc具有最小之厚度（換言之，大致上無厚度）’但此第三部分？(：可能未被完全移除’只要其不影響後續製程即可。 Ο 光阻圖案810的第一部分PA對應至光罩9〇1的光阻區段MB，光阻㈣810的第二部分pB對應至光罩9〇ι的半透光區段MS，而光阻圖案81〇的第三部分pc則對應至光罩901的透光區段MT。換言之’感光材料層謝的曝光部 .分經由顯影被移除，而其未曝光部分則殘留下來，即使在顯影完成之後亦然。但本發明並不限定如此。舉例而言，取決於感光材料層謝之成分，感光材料層謝的未曝光部分可以經由顯影被移除，而其曝光部分可以不被移除。 e 之後，如圖5所示’其利用光阻圖案81〇將對應至光阻圖案810第三部分PC的第二及第一導電層7〇2及7〇1依序银刻並移除。接著，如圖6所示，光阻圖案請的第二部分PB被移除。此時，光阻圖案81〇的第一部分pA已被移除至某-程度，使得光阻圖t 81〇的第一部分pA在厚度上有所縮減。 & 如圖7所示’其利用光阻圖帛81()將對應至光阻圖案 810第一部分pb的第二導電層7〇2姓刻並移除自此第 19 201030966 二部分PB已然移除。因此，該第一及第二導電層7〇1及7〇2 被圖案化’從而分別形成驅動源極電極176、驅動汲極電極 177、資料線171 '共用電源線172、以及像素電極7丨〇。依此方式，均具有一包含第一及第二圖案化導電層 176a、177a、171a、和 172a 以及 176b、177b、171b、和 172b 雙層結構之驅動源極電極176、驅動沒極電極177、資料線 171、以及共用電源線172，以及具有一僅包含第一圖案化導電層710a單層結構之像素電極71〇，可以經由單一薄膜製程使用光罩901同時形成。

因此，光阻圖案8 10的第一部分pA對應至驅動源極電極176、驅動汲極電極177、資料線m、和共用電源線172 之一形成區域；而光阻圖案810的第二部分PB則對應至像素電極710之一形成區域。在光阻圖案81〇的第一部分pA 被完全移除之後’如圖8所示，像素定義層190從而形成，並包含使像素電極7 10得以暴露的開孔1 99。

第一導電層 176a、177a、171a、172a、以及 710a 接著被結晶化。第一導電層176a、177a、171a、172a、以及7i0a 的結晶化可以使用各種不同的習知技術完成。第一導電層 176a、177a、171a、172a、以及710a的結晶化動作可以在第一導電層176a、177a、171a、172a、以及710a形成之後，而有機發光二極體顯示器100完成之前的任何時點進行。換 s 之’第一導電層 176a、177a、171a、172a、以及 71〇a 的結晶化時間點並沒有特別的限制。之後，其依序形成有機發光層720和共用電極730,從而形成有機發光二極體顯 20 201030966 示器100 ’如圖2所示。利用此一製造方法，有機發光二極體顯示器100的製

程可以靖化β尤其是，盆徒得.接彳目丨政L ^ ，、便得在後側發射式有機發光二極體顯示器100中同時形成一俊音 ^凤像素電極和—驅動汲極電極成為可能。 χ 雖然本發明係經由一些示範性實施例之展示詳述如上，熟習該項技術者應能理解此等示範性實施例可以在未脫離本發明之原理和精抽 — Ο 精神下進仃修改。本發明的範疇應由申請專利範圍之内容界定之。【圖式簡單說明】本發明之以上及/或其他特色和優點經由示範性實施例說明將更加顯而易見並容易理解，㈣說明係配合所附之圖式進行，其中：圖1係依據本發明一示範性實施例之一有機發光二極體（0LED)顯示器之線路佈局圖；圖2係沿著圖i中截面線Η·Η所取之有機發光二極體顯示器> 盗之—剖面視圖；以及 3 5 居| _ 圃8係依序例示一製造顯示於圖2之有機發光 -極體顯示器之製程之剖面視圖。【主要元件符號說明】 10 開關薄膜電晶體 2〇 _ 驅動薄膜電晶體 7〇有機發光二極體 80電容 2i 201030966 100 有機發光二極體顯示器 111 基板 120 緩衝層 131 開關半導體層 132 驅動半導體層 135 通道區域 136 源極區域 137 汲極區域 140 閘極絕緣層 151 閘極線 152 開關閘極電極 155 驅動閘極電極 158 第一電容電極極板 160 中介絕緣層 171 資料線 171a 第一導電層 171b 第二導電層 172 共用電源線 172a 第一導電層 172b 第二導電層 173 開關源極電極 174 開關汲極電極 176 驅動源極電極 176a 第一導電層 22 201030966 176b 第二導電層 177 驅動汲極電極 177a 第一導電層 177b 第二導電層 178 第二電容電極極板 190 像素定義層 199 開孔 701 第一導電層 702 第二導電層 710 像素電極 710a 第一導電層 720 有機發光層 730 共用電極 801 感光材料層 810 光阻圖案 901 光罩 MB 光阻區段 MS 半透光區段 MT 透光區段 PA 第一部分 PB 第二部分 PC 第三部分 23

Claims

201030966 七、申請專利範圍： 1·一種有機發光二極體顯示器，包含·· 一基板；半導體層，其係形成於該基板之上，具有一通道區域、一源極區域、和一汲極區域；一問極絕緣層’其係形成於該半導體層之上；一開極電極’其係形成於該半導體層之該通道區域之上；一中介絕緣層’其係形成於該閘極電極之上；源極和没極電極，其係形成於該中介絕緣層之上且分 © 別連接至該源極和j；及極區域；以及一像素電極，其係延伸自該汲極電極，且位於與該源極和汲極電極同一平面之中，其中，該源極和没極電極各自均包含形成於該中介絕緣層之上的一透光第一導電層的一部分，以及形成於該第一導電層之上的一金屬第二導電層的一部分’且該像素電極包含該第一導電層的另一部分。 2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示 ❽ 器’其中該第一導電層包含選自於由以下項目組成的族群中之至少一材料：氧化銦錫（ITO)、氧化銦鋅（IZO)、氧化鋅 (Zn〇)、以及氧化銦（ln2〇3)。 3. 如申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體顯示器，其中該第一導電層係結晶化的。 4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體顯示 24 201030966 器，其中該源極和汲極電極經由形成於該閘極絕緣層及該中介絕緣層中之接觸通孔連接至該半導體層之該源極和汲極區域。 5.如申請專利範圍第丨項所述之有機發光二極體顯示器，更包含一像素定義層，其係形成於該源極和汲極電極之上，具有一開孔使該像素電極得以暴露。 6·如申請專利範圍第5項所述之有機發光二極體顯示器，更包含：〇一有機發光層，其係形成於該像素電極之上，位於該像素定義層之該開孔之中；以及一共用電極，其係形成於該有機發光層和該像素定義層之上。 7_如申請專利範圍第6項所述之有機發光二極體顯示器’其中該有機發光層朝該像素電極發光。 8. 如申請專利範圍第6項所述之有機發光二極體顯示器，其中該共用電極包含一反射層，該反射層包含選自於 © 由以下項目組成的族群中之至少一材料：鋰（Li)、鈣（Ca)、鼠化链/約（LiF/Ca)、氟化鋰/銘（LiF/Al)、鋁（A1)、銀（Ag)、鎂（Mg)、以及金（Au)。 9. 一種製造有機發光二極體顯示器的方法，包含：形成一非晶矽層於一基板之上；形成一閘極絕緣層於該非晶矽層之上；形成一閘極電極於該閘極絕緣層之上；使該非晶石夕層結晶化並摻以雜質，以形成一具有一通 25 201030966 道區域、一源極區域、和一汲極區域之半導體層；形成一中介絕緣層於該閘極電極之上；形成接觸通孔在該中介絕緣層和該閘極絕緣層之中，以使該源極和汲極區域得以暴露；形成一第一導電層於該中介絕緣層之上，使得該第一導電層經由該接觸通孔接觸該半導體層之該源極和汲極區域；形成一第二導電層於該第一導電層之上；

經由光學微影術圖案化該第一及第二導電層，以形成源極和沒極電極；以及圖案化該第一導電層以形成一像素電極。 10·如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該光學微影術係利用一透過一半色調曝光（half_t〇ne exp〇sure)製程形成之光阻圖案而實行。比如申請專利範圍帛10項所述之方法，其中該光阻圖案包含：

第°卩分，其係配置於該源極和汲極電極之一形成區域上；之一形成區域上，一第二部分，其係位於該像素電極其係較該第一部分細；以及二導電層得以暴露。項所述之方法，其中該光學微一第三部分，其係使該第 12.如申請專利範圍第11 影術製程包含：形成該光阻圖案於該第二導電層之上 26 201030966 使用該光阻圖案依序蝕刻並移除對應至該光阻圖案中該第三部分之該第二及第一導電層的一部分；移除該光阻圖案的該第二部分；以及在該光阻圖案的該第二部分被移除之後，使用該光阻圖案蝕刻並移除對應至該光阻圖案中該第二部分之該第二導電層的一部分。 13.如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第—導電層包含選自於由以下項目組成的族群中之至少一材料：〇氧化銦錫（IT〇)、氧化銦鋅（IZ0)、氧化鋅（Zn〇)、以及氧化銦（ln2〇3)。 Μ·如申請專利範圍第13項所述之方法，更包含結晶化該第一導電層。如申請專利範圍帛9項所述之方法，更包含形成— 像素定義層於該源極和汲極電極之上，該像素定義層具有一開孔使該像素電極得以暴露。 ❿ 16.如申請專利範圍第15項所述之方法，更包含：形成一有機發光層於該像素電極之上，位於該像義層之該開孔内；以及 ' 形成一共用電極於該有機發光層和該像素定義層之上0 17. 如申請專利範圍第16項所述之方法光層朝該像素電極發光。、^有機發 18. 如申請專利範圍第16項所述姑；而入 a 万去’其中該共用電極包3 -反射層，該反射層包含選田以下項目組成的 201030966 族群中之至少一材料：鋰（Li)、鈣（Ca)、氟化鋰/鈣（LiF/Ca)、氟化鋰/鋁（LiF/Al)、鋁（A1)、銀（Ag)、鎂（Mg)、以及金（Au)。 19. 一種有機發光二極體顯示器，包含：一基板；複數半導體層，其係形成於該基板之上，各自均具有一通道區域、一源極區域、和一汲極區域；一閘極絕緣層，其係形成於該複數半導體層及該基板之上；複數閘極電極，其係形成於該複數半導體層之該通道區域之上；一中介絕緣層’其係形成於該複數閘極電極和該閘極絕緣層之上；複數源極和汲極電極，其係形成於該中介絕緣層之上且分別連接至該源極和汲極區域，該複數源極和汲極電極各自均包含形成於該中介絕緣層之上的一透光導電層的對應部分以及形成於該透光導電層之上的一金屬導電層的— 部分；複數像素電極，其係形成於該中介絕緣層之上且延伸自該複數汲極電極，該複數像素電極各自均包含對應之該透光導電層的其他部分；一像素定義層，其係形成於該複數源極和汲極電極之上’具有複數開孔使該複數像素電極得以暴露；有機發光層，其係形成於該複數像素電極之上，位於該像素定義層之該複數開孔之中；以及 201030966 一共用電極’其係形成於有機發光層和該像素定義層之上。巧 - 20.一種製造有機發光二極體顯示器的方法，包含： • 形成—第—導電層於一中介絕緣層之上，使得該第― 導電層經由形成於該中介絕緣層中之接觸通孔接觸—半導體層之源極和汲極區域；形成一第二導電層於該第一導電層之上；圖案化該第一及第二導電層的一部分，以形成源極和〇汲極電極；以及圖案化該第一導電層的其他部分，以形成像素電極。