TWI644424B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI644424B TW106125162A TW106125162A TWI644424B TW I644424 B TWI644424 B TW I644424B TW 106125162 A TW106125162 A TW 106125162A TW 106125162 A TW106125162 A TW 106125162A TW I644424 B TWI644424 B TW I644424B
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金度成
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谷領介
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Abstract

本發明揭露一種用於防止有缺陷的驅動和提高可靠性的顯示裝置，該顯示裝置包括：一基板，包括一顯示部和在該顯示部外部的一墊部；複數條電源線，位於該基板的該墊部上，並且從該顯示部延伸；複數條資料線，設置為平行於該複數條電源線並且從該顯示部延伸；以及一橋接電極，配置以連接該複數條電源線中的至少兩條電源線。該複數條電源線中之一些電源線包括在該電源線的至少一端的一電源墊電極，且該等電源墊電極的數量少於該等電源線的數量。

Description

顯示裝置
本發明係關於一種顯示裝置，且特別是關於一種防止有缺陷的驅動並且提高可靠性的顯示裝置。
隨著資訊社會的發展，對顯示影像的顯示裝置的需求以各種方式增加。在顯示裝置的領域中，大尺寸陰極射線管(CRT)已經被具有外框薄、重量輕、以及大尺寸螢幕的優點的平板顯示器(FPD)迅速地替代。平板顯示器的示例包括液晶顯示器(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、有機發光二極體(OLED)顯示器、以及電泳顯示器(EPD)。
OLED顯示器包括能夠自己發光的自發光元件，並且OLED顯示器具有快速響應時間、高發光效率、高亮度、以及寬視角的優點。特別地，OLED顯示器可以使用可撓性塑膠基板。此外，與電漿顯示面板或無機電致發光顯示器相比，OLED顯示器具有低驅動電壓、低功耗、以及更好的色調的優勢。
OLED顯示器包括：具有複數個子像素的顯示部；以及在顯示部之外的非顯示部。構成顯示部的複數個子像素中的每一子像素包括：一開關電晶體，通過閘極線和資料線導通和關閉子像素；一驅動電晶體，通過電源線驅動子像素；以及一有機發光二極體(OLED)，通過驅動電晶體發光。該非顯示部包括一墊片，在該墊片上設置有從顯示部延伸並連接到外部電路板的各種信號線，各種信號線包括閘極線、資料線、電源線等。墊片包括複數個墊電極，使得墊片連接到玻璃上薄膜(FOG)。墊電極連接到各種信號線，例如從顯示部延伸的資料線和電源線，並且墊電極的數量與所連接的信號線的數量相同。
然而，隨著解析度的增加，墊電極的數量增加。因此，墊電極的間距減小。此外，當OLED顯示器使用外部補償方法感測子像素時，需要感測 線。因此，墊電極的間距進一步減小。當墊電極的間距減小時，由於在玻璃基板的研磨過程中的金屬、殘留物、導電粒子(例如各向異性導電膜(ACF))等異物的存在而可能會在墊電極之間產生細微短路，而造成OLED顯示器有缺陷的驅動以及可靠性降低的問題。
本發明提供一種能夠增加墊片的墊電極間距的顯示裝置。
本發明亦提供一種能夠防止有缺陷的驅動並且提高可靠性的顯示裝置。
在一實施態樣中，本發明提供一種顯示裝置，包括：一基板，包括一顯示部和在該顯示部外部的一墊部；複數條電源線，位於該基板的該墊部上並且從該顯示部延伸；複數條資料線，設置為平行於該複數條電源線並且從該顯示部延伸；以及一橋接電極，配置以連接該複數條電源線中的至少兩條電源線；其中該複數條電源線的一部分電源線包括在該電源線的至少一端的一電源墊電極，以及其中該等電源墊電極的數量小於該等電源線的數量。
該橋接電極與複數條電源線和複數條資料線交叉。
該顯示裝置進一步包括複數個輔助電極，該複數個輔助電極位於該複數條資料線之間並且連接到該橋接電極。
該複數個輔助電極與該複數條資料線位於相同的層上。
該複數條電源線的一部分包括一第一電源線圖案和一第二電源線圖案，並且該第一電源線圖案和該第二電源線圖案連接到該橋接電極。
在該複數條電源線與該橋接電極之間的接觸面積具有不同的尺寸，該複數條電源線的每一條包括該第一電源線圖案和該第二電源線圖案。
藉由增加或減少該電源線的該第一電源線圖案和該第二電源線圖案之間的間隔距離來調整該電源線與該橋接電極之間的接觸面積。
該橋接電極包括複數個開口和複數個橋接部。
該複數個開口和該複數個橋接部與該複數條資料線交叉。
該複數個開口和該複數個橋接部與該複數條電源線間隔開。
該顯示裝置還包括：一第一緩衝層，位於該基板上；該橋接電極，位於該第一緩衝層上；一第二緩衝層，位於該橋接電極上；一閘極絕緣層，位 於該第二緩衝層上；一層間介電層，位於該閘極絕緣層上；以及複數條電源線，位於該層間介電層上。該複數條電源線藉由穿過該第二緩衝層、該閘極絕緣層、以及該層間介電層的一橋接孔而連接到該橋接電極。
10‧‧‧影像處理單元
20‧‧‧時序控制器
30‧‧‧資料驅動器
40‧‧‧閘極驅動器
50‧‧‧顯示面板
A/A‧‧‧顯示部
ACT‧‧‧半導體層
ANO‧‧‧第一電極
BNK‧‧‧堤層
BRP‧‧‧橋接部
BUF1‧‧‧第一緩衝層
BUF2‧‧‧第二緩衝層
CAT‧‧‧第二電極
CC‧‧‧補償電路
CH‧‧‧接觸孔
Cst‧‧‧電容器
DATA‧‧‧資料信號
DCH‧‧‧資料孔
DDC‧‧‧資料時序控制信號
DE‧‧‧資料致能信號(第1圖)
DE‧‧‧汲電極(第5圖)
DL1、DL2、DL3、DL4、DL5‧‧‧資料線
DL1~DLn‧‧‧資料線
DPE1~DPEn‧‧‧資料墊電極
DP‧‧‧資料墊
DR‧‧‧驅動電晶體
EML‧‧‧發光層
FOG‧‧‧玻璃上薄膜
GA‧‧‧閘電極
GDC‧‧‧閘極時序控制信號
GI‧‧‧閘極絕緣層
GND‧‧‧低電位電源線
GL1~GLm‧‧‧閘極線
GL1a‧‧‧1-1閘極線
GL1b‧‧‧1-2閘極線
GP‧‧‧閘極墊
ILD‧‧‧層間介電層
INIT‧‧‧初始電源線
LSP‧‧‧橋接電極
LS‧‧‧遮罩層
MA‧‧‧面積
OC‧‧‧覆蓋層
OLED‧‧‧有機發光二極體
OPP‧‧‧開口
PAS‧‧‧鈍化層
PCH‧‧‧墊孔
SE‧‧‧源電極
SL‧‧‧信號線
SP‧‧‧子像素
SUB‧‧‧基板
SW‧‧‧開關電晶體
TFT‧‧‧薄膜電晶體
VAE‧‧‧輔助電極
VCH1‧‧‧橋接孔
VCH2‧‧‧輔助孔
VDD‧‧‧高電位電源線
VIA‧‧‧通孔
VL1、VL2、VL3、VL4、VL5‧‧‧電源線
VLP1‧‧‧第一電源線圖案
VLP2‧‧‧第二電源線圖案
VPE1‧‧‧電源墊電極
VPE2‧‧‧電源墊電極
包含在本說明書中以提供對本發明進一步了解以及併入且構成本說明書的一部分的附圖係用以說明本發明的實施例、以及配合發明說明作為解釋本發明的原理。在圖式中：第1圖是根據本發明一實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器的示意性方塊圖；第2圖是顯示子像素的電路配置的第一示例；第3圖是顯示子像素的電路配置的第二示例；第4圖是根據本發明一實施例之OLED顯示器的平面圖；第5圖是顯示根據本發明一實施例之OLED顯示器的子像素的剖視圖；第6圖是根據本發明第一實施例之資料墊的放大平面圖；第7圖是沿第6圖的I-I'線所截取的剖視圖；第8圖是根據本發明第二實施例之資料墊的放大平面圖；第9圖是沿第8圖的II-II'線所截取的剖視圖；第10圖是根據本發明第三實施例之資料墊的平面圖；第11圖是沿第10圖的III-III'線所截取的剖視圖；第12圖是根據本發明第四實施例之資料墊的平面圖；第13圖是說明根據本發明第一實施例之基於資料墊結構的電源線的電壓的曲線圖；以及第14圖是說明根據本發明第三實施例之基於資料墊結構的電源線的電壓的曲線圖。
將詳細參考本發明的實施例，其示例在附圖中顯示。盡可能，在整個附圖中使用相同的附圖標記來指代相同或相似的部件。要注意的是，如果確定現有技術會誤導本發明的實施例，則將省略對已知現有技術的詳細描述。以下說明中使用的各個元件的名稱僅為了便於撰寫說明書而選擇，並且可能因 此與實際產品中使用的名稱不同。
根據本發明實施例的顯示裝置是一種塑性顯示裝置，其中顯示元件形成在玻璃基板上。該塑性顯示裝置的實例包括：有機發光二極體(OLED)顯示器、液晶顯示器(LCD)、以及電泳顯示器。使用OLED顯示器作為示例來描述實施例。OLED顯示器包括發光層，發光層係由有機材料形成，發光層位於用作陽極的第一電極與用作陰極的第二電極之間。OLED顯示器是一種自發光顯示裝置，該自發光顯示裝置被配置以藉由將從第一電極接收的電洞和從第二電極接收的電子在發光層內部結合而形成電洞-電子對即激子，並且藉由當激子返回到基態時所產生的能量而發光。根據實施例的OLED顯示器可以替代地使用塑膠基板而不使用玻璃基板。
以下參照第1圖至第14圖說明本發明的實施例。
第1圖是根據本發明一實施例之有機發光二極體(OLED)顯示器的示意性方塊圖。第2圖是顯示子像素之電路配置的第一示例。第3圖是顯示子像素之電路配置的第二示例。
參考第1圖，根據本發明實施例的OLED顯示器包括：一影像處理單元10、一時序控制器20、一資料驅動器30、一閘極驅動器40、以及一顯示面板50。
影像處理單元10輸出從外部提供的資料信號DATA以及資料致能信號DE。除了資料致能信號DE之外，影像處理單元10還可以輸出垂直同步訊號、水平同步信號以及時脈信號中的一者或多者。為了簡潔易讀，這些信號未顯示出來。影像處理單元10以積體電路(IC)形式形成在系統電路板上。
時序控制器20從影像處理單元10接收資料信號DATA以及包括資料致能信號DE或垂直同步訊號、水平同步信號、時脈信號等的驅動信號。
時序控制器20基於驅動信號而輸出用於控制閘極驅動器40的操作時序的閘極時序控制信號GDC以及用於控制資料驅動器30的操作時序的資料時序控制信號DDC。時序控制器20以IC形式形成在控制電路板上。
資料驅動器30響應於從時序控制器20提供的資料時序控制信號DDC對從時序控制器20接收的資料信號DATA進行採樣和鎖存，並使用伽瑪參考電壓轉換採樣和鎖存的資料信號DATA。資料驅動器30將轉換的資料信號DATA輸出到資料線DL1至DLn。資料驅動器30貼附到基板上作為IC。
閘極驅動器40響應於從時序控制器20提供的閘極時序控制信號GDC而在對閘極電壓的位準進行偏移的同時，輸出閘極信號。閘極驅動器40將閘極信號輸出到閘極線GL1~GLm。閘極驅動器40以IC形式形成在閘極電路板上、或者以板內閘極(GIP)的方式形成在顯示面板50上。
顯示面板50顯示一影像以響應分別從資料驅動器30和閘極驅動器40接收的資料信號DATA和閘極信號。顯示面板50包括顯示影像的子像素SP。
參考第2圖，每個子像素包括：一開關電晶體SW、一驅動電晶體DR、一補償電路CC、以及一有機發光二極體(OLED)。OLED基於由驅動電晶體DR所產生的驅動電流而發光。
開關電晶體SW執行開關操作，使得通過第一資料線DL1提供的資料信號被儲存在電容器Cst中作為資料電壓以響應通過第一閘極線GL1提供的閘極信號。基於儲存在電容器Cst中的資料電壓，驅動電晶體DR使得驅動電流能夠在高電位電源線VDD與低電位電源線GND之間流動。補償電路CC是用於補償驅動電晶體DR的閾值電壓的電路。連接到開關電晶體SW或驅動電晶體DR的電容器Cst可以安裝在補償電路CC的內部。
補償電路CC包括一個或複數個薄膜電晶體(TFT)和電容器。補償電路CC的結構可以根據補償方法而不同地改變。將對補償電路CC進行簡要說明。
如第3圖所示，包括補償電路CC的子像素還包括用於驅動補償TFT的一信號線以及用於提供預定信號或電力的一電源線。添加的信號線可以被定義為用於驅動包含在子像素中的補償TFT的1-2閘極線GL1b。在第3圖中，“GL1a”是用於驅動開關電晶體SW的1-1閘極線。所添加的電源線可以被定義為用於以預定電壓將子像素的預定節點初始化的初始電源線INIT。
第2圖和第3圖藉由示例顯示一個子像素包括補償電路CC。然而，當欲補償的物件(例如，資料驅動器30)位於子像素外部時，可以省略補償電路CC。子像素具有其中設置有開關電晶體SW、驅動電晶體DR、電容器以及OLED的2T(電晶體)1C(電容器)的配置。然而，當補償電路CC被加到子像素時，子像素可具有諸如3T1C、4T2C、5T2C、6T2C、7T2C等各種配置。
另外，第2圖和第3圖藉由示例顯示補償電路CC設置在開關電 晶體SW與驅動電晶體DR之間。然而，補償電路CC可以進一步設置在驅動電晶體DR與OLED之間。補償電路CC的位置和結構不侷限於第2圖和第3圖所示的位置和結構。
第4圖是根據本發明一實施例之OLED顯示器的平面圖。第5圖是顯示根據本發明一實施例之OLED顯示器的子像素的剖視圖。
參考第4圖，根據本發明實施例的OLED顯示器包括：一基板(圖中未顯示)、一顯示部A/A、以及圍繞顯示部A/A的一閘極墊GP和一資料墊DP。顯示部A/A包括複數個子像素SP，例如紅色(R)、綠色(G)以及藍色(B)子像素SP或紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)以及白色(W)子像素SP，發光以表示全彩色。閘極墊GP可以設置在顯示部A/A的一側，例如位於顯示部A/A的右側或左側，並且閘極墊GP可以是板內閘極(GIP)驅動器，使得從顯示部A/A延伸的閘極信號線(圖中未顯示)連接到複數個薄膜電晶體。然而，實施例不侷限於此。例如，閘極墊GP可以與下面說明的資料墊DP相同的方式附接到玻璃上薄膜(FOG)。資料墊DP可以設置在顯示部A/A的一側，例如顯示部A/A的下側，並且從顯示部A/A延伸的複數條信號線SL可以設置在資料墊DP上。複數條信號線SL可以包括資料線和電源線，並且還可以進一步包括感測線。藉由附接到資料墊DP的FOG可以向複數條信號線SL供應資料信號和電力。
下面參考第5圖說明根據本發明一實施例之OLED顯示器的子像素SP的橫截面結構。
參考第5圖，在根據本發明一實施例的OLED顯示器中，第一緩衝層BUF1位於一基板SUB上。基板SUB可以由玻璃製成。第一緩衝層BUF1保護在後續製程中形成的薄膜晶體免受雜質污染，例如從基板SUB排出的鹼離子。第一緩衝層BUF1可以是氧化矽(SiOx)層、氮化矽(SiNx)層或其多層。
遮罩層LS位於第一緩衝層BUF1上。遮罩層LS阻擋從外部入射的光並且防止薄膜電晶體的漏電流產生。第二緩衝層BUF2位於遮罩層LS上。第二緩衝層BUF2保護在後續製程中形成的薄膜電晶體免受雜質污染，例如從遮罩層LS排出的鹼離子。第二緩衝層BUF2可以是氧化矽(SiOx)層、氮化矽(SiNx)層或其多層。
半導體層ACT位於第二緩衝層BUF2上並且可以由矽半導體或 氧化物半導體形成。矽半導體可以包括非晶矽或結晶的多晶矽。多晶矽具有高遷移率(例如，大於100cm2/Vs)、低功耗以及優異的可靠性。因此，多晶矽可以應用到驅動元件中所使用的閘極驅動器及/或多工器(MUX)或者應用到OLED顯示器的每個像素的驅動TFT。由於氧化物半導體具有低關閉電流(off-current)，所以氧化物半導體適用於具有短導通時間和長關閉時間的開關TFT。此外，因為氧化物半導體由於低關閉電流而增加了像素的電壓保持時間，所以氧化物半導體適合於需要低速驅動及/或低功耗的顯示裝置。此外，半導體層ACT包括各自包含p型或n型雜質的一汲電極區域和一源電極區域，並且半導體層ACT還包括在汲電極區域與源電極區域之間的一通道區域。
閘極絕緣層GI位於半導體層ACT上，並且閘極絕緣層GI可以是氧化矽(SiOx)層、氮化矽(SiNx)層或其多層。閘電極GA位於閘極絕緣層GI上，在對應於半導體層ACT的預定區域(即注入雜質時的通道區域)的位置處。閘電極GA可以由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Cu)的其中之一者或其組合來形成。此外，閘電極GA可以是由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Cu)的其中之一者或其組合所形成的多層結構。例如，閘電極GA可以形成為Mo/Al-Nd或Mo/Al的雙層。
層間介電層位於閘電極GA上並且使閘電極GA絕緣。層間介電層ILD可以是氧化矽(SiOx)層、氮化矽(SiNx)層或其多層。露出半導體層ACT的一部分的接觸孔CH在層間介電層的ILD和閘極絕緣層GI中每一者的一部分中形成。
汲電極DE和源電極SE位於層間介電層的ILD上。汲電極DE通過暴露半導體層ACT的汲電極區的接觸孔CH連接到半導體層ACT，並且源電極SE通過暴露半導體層ACT的源電極區的接觸孔CH連接到半導體層ACT。源電極SE和汲電極DE中的每一者可以形成為單層或多層。當源電極SE和汲電極DE中的每一者形成為單層時，源電極SE和汲電極DE中的每一者可以由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銅(Cu)的其中之一者或其組合製成。當源電極SE和汲電極DE中的每一者形成為多層時，源電極SE和汲電極DE中的每一個可以形成為Mo/Al-Nd的雙層或者形成為Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo或Mo/Al-Nd/Mo的三層。
由此，形成了包括半導體層ACT、閘電極GA、源電極SE、以及汲電極DE的一薄膜電晶體TFT。
此外，鈍化層PAS位於包括薄膜電晶體TFT的基板SUB上。鈍化層PAS是保護鈍化層PAS下面的元件的一絕緣層，並且鈍化層PAS可以是氧化矽(SiOx)層、氮化矽(SiNx)層或其多層。覆蓋層OC位於鈍化層PAS上。覆蓋層OC是用於降低底層結構的高度差的一平坦化層並且覆蓋層OC可以由有機材料如聚醯亞胺，苯並環丁烯類樹脂和丙烯酸酯來形成。例如，通過塗覆液體狀態的有機材料然後固化有機材料的旋塗式玻璃(spin-on glass,SOG)方法可以形成覆蓋層OC。
暴露薄膜電晶體TFT的汲電極DE的一通孔VIA設置在覆蓋層OC的一部分中。有機發光二極體OLED位於覆蓋層OC上。更具體而言，一第一電極ANO形成在覆蓋層OC上。第一電極ANO作為一像素電極並且通過通孔VIA連接到薄膜電晶體TFT的汲電極DE。第一電極ANO是陽極，並且第一電極ANO可以由諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)以及氧化鋅(ZnO)的透明導電材料形成。當第一電極ANO是一反射電極時，第一電極ANO進一步包括一反射層。反射層可以由鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鎳(Ni)、鈀(Pd)或其組合形成。反射層可以由Ag/Pd/Cu(APC)合金形成。
此外，定義像素的一堤層BNK(bank layer)設置在包括第一電極ANO的基板SUB上。堤層BNK可以由有機材料如聚醯亞胺、苯並環丁烯類樹脂、以及丙烯酸酯形成。堤層BNK包括暴露第一電極ANO的一像素定義部。接觸第一電極ANO的一發光層EML設置在堤層BNK的像素定義部中。發光層EML是其中電子和電洞結合並且發光的一層。一電洞注入層及/或一電洞傳輸層可以設置在發光層EML與第一電極ANO之間，以及一電子注入層及/或一電子傳輸層可以設置在發光層EML上。
第二電極CAT位於發光層EML上並且可以設置在基板SUB的顯示部A/A(見第4圖)的整個表面上。另外，第二電極CAT是陰極電極並且可以由每個具有低功函數的鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋁(Al)、銀(Ag)或其組合形成。當第二電極CAT是透射電極時，第二電極CAT足夠薄以發出光。此外，當第二電極CAT是反射電極時，第二電極CAT足夠厚以反射光。
下文詳細說明根據本發明實施例之OLED顯示器的資料墊。
<第一實施例>
第6圖是根據本發明第一實施例之資料墊的放大平面圖；以及第7圖是沿第6圖的I-I'線所截取的剖視圖。
參照第6圖，將從基板SUB上的顯示部A/A延伸的複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4以及VL5設置在資料墊上。此外，電源墊電極VPE1和VPE2設置為通過墊孔PCH分別連接到複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4以及VL5中的一些電源線(例如，VL1和VL5)的末端。從顯示部A/A延伸的複數條資料線例如DL1、DL2、DL3、DL4、以及DL5設置在複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4以及VL5之間。此外，資料墊電極DPE1至DPE5設置為通過資料孔DCH分別連接到複數條資料線DL1、DL2、DL3、DL4以及DL5的末端。複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4以及VL5接觸並且連接到與複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4以及VL5相交的一橋接電極LSP。
更具體而言，參照第7圖，一第一緩衝層BUF1位於基板SUB上，橋接電極LSP位於第一緩衝層BUF1上。橋接電極LSP位於與包含在子像素中的遮罩層相同的層上並且橋接電極LSP與遮罩層的配置方式相同。一第二緩衝層BUF2位於橋接電極LSP上。第二緩衝層BUF2包括複數個孔並且露出橋接電極LSP。一閘極絕緣層GI位於第二緩衝層BUF2。閘極絕緣層GI包括複數個孔並且露出通過第二緩衝層BUF2暴露的橋接電極LSP。一層間介電層ILD位於閘極絕緣層GI上。層間介電層ILD包括複數個孔並且露出通過第二緩衝層BUF2和閘極絕緣層GI暴露的橋接電極LSP。包含在第二緩衝層BUF2、閘極絕緣層GI、以及層間介電層ILD中並且露出橋接電極LSP的孔包括橋接孔VCH1。
複數條電源線VL1、VL2和複數條資料線DL1、DL2、DL3、DL4、以及DL5設置在層間介電層ILD上。電源線VL1、VL2通過橋接孔VCH1接觸並且電性連接到橋接電極LSP。在一實施例中，第二緩衝層BUF2、閘極絕緣層GI、以及層間介電層ILD形成在橋接電極LSP與資料線DL1、DL2、DL3、DL4、DL5之間，以防止橋接電極LSP與資料線DL1、DL2、DL3、DL4、以及DL5之間的短路，藉此確保邊限。
一鈍化層PAS設置在複數條電源線VL1和VL2以及複數條資料線DL1、DL2、DL3、DL4、以及DL5上，從而配置一資料墊DP。第7圖藉由示例說明與在第6圖中顯示的五條電源線VL1、VL2、VL3、VL4以及VL5之 中的兩條電源線VL1、VL2相對應的剖面結構。儘管未顯示，其他電源線VL3、VL4、以及VL5連接到橋接電極LSP。
再次參考第6圖，第一實施例配置為使得資料墊的五條電源線VL1、VL2、VL3、VL4、以及VL5連接到一個橋接電極LSP，五條電源線VL1、VL2、VL3、VL4、以及VL5之中兩端的兩條電源線VL1和VL5分別包括電源墊電極VPE1、VPE2。亦即，不是所有五條電源線VL1、VL2、VL3、VL4、以及VL5皆分別包括電源墊電極，僅僅是兩端的兩條電源線分別包括電源墊電極。結果，電源墊電極的數量可以從5減少到2。換言之，配置第一實施例使得電源線具有電源墊電極，電源墊電極的數量小於不分別具有電源墊電極的電源線的數量。因此，電源墊電極的間距或資料墊電極的間距藉由減少電源墊電極的數量而增加了面積MA。
到目前為止，第一實施例描述了五條電源線VL1、VL2、VL3、VL4、以及VL5連接到一個橋接電極LSP，並且兩端的兩條電源線VL1和VL5分別包括電源墊電極VPE1和VPE2。然而，第6圖僅藉由示例顯示第一實施例的一部分。儘管未顯示在第6圖中，一個橋接電極連接到每五條電源線。此外，儘管第一實施例描述一個橋接電極連接到每五條電源線，但並不侷限於此。例如，一個橋接電極可以連接到每兩條或更複數條電源線。連接到一個橋接電極的複數條電源線可以包括一個或複數個電源墊電極。
<第二實施例>
第8圖是根據本發明第二實施例之資料墊的放大平面圖。第9圖是沿第8圖的II-II'線所截取的剖視圖。
參考第8圖，將從基板SUB上的顯示部A/A延伸的複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4、以及VL5設置在一資料墊上。此外，電源墊電極VPE1和VPE2設置為通過墊孔PCH分別連接到複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4、以及VL5中的一些電源線(例如VL1和VL5)的端部。從顯示部A/A延伸的複數條資料線例如DL1、DL2、DL3、DL4、以及DL5設置在複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4、以及VL5之間。此外，資料墊電極DPE1至DPE5設置為通過資料孔DCH分別連接到複數條資料線DL1、DL2、DL3、DL4、DL5的端部。
複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4、以及VL5接觸並且連接到與複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4、以及VL5相交的一橋接電極LSP。在第二實施例中，每個輔助電極VAE額外設置在複數條資料線中的一些資料線(例如DL2、DL3以及DL4)之間。
更具體而言，參考第9圖，一第一緩衝層BUF1位於基板SUB上，並且橋接電極LSP位於第一緩衝層BUF1上。橋接電極LSP位於與包含在子像素中的遮罩層相同的層上並且橋接電極LSP與遮罩層的配置方式相同。一第二緩衝層BUF2位於橋接電極LSP上。第二緩衝層BUF2包括複數個孔並且露出橋接電極LSP。一閘極絕緣層GI位於第二緩衝層BUF2。閘極絕緣層GI包括複數個孔並且露出通過第二緩衝層BUF2暴露的橋接電極LSP。一層間介電層ILD位於閘極絕緣層GI上。層間介電層ILD包括複數個孔並且露出通過第二緩衝層BUF2和閘極絕緣層GI暴露的橋接電極LSP。包含在第二緩衝層BUF2、閘極絕緣層GI、以及層間介電層ILD中並且露出橋接電極LSP的孔包括橋接孔VCH1和輔助孔VCH2。
複數條電源線VL1和VL2、複數條資料線DL1、DL2、DL3、DL4和DL5、以及輔助電極VAE位於層間介電層ILD上。電源線VL1和VL2通過橋接孔VCH1接觸並且電性連接到橋接電極LSP。輔助電極VAE通過輔助孔VCH2接觸並且電性連接到橋接電極LSP。輔助電極VAE位於與複數條電源線VL1、VL2以及複數條資料線DL1、DL2、DL3、DL4、以及DL5相同的層上。一鈍化層PAS設置於複數條電源線VL1、VL2、複數條資料線DL1、DL2、DL3、DL4和DL5、以及輔助電極VAE上，從而建構一資料墊DP。
再次參考第8圖，在第二實施例中，將來自位於資料墊的最左側的第一電源線VL1和位於資料墊的最右側的第五電源線VL5的電壓施加到橋接電極LSP。因此，隨著橋接電極LSP移向位於資料墊中間的第三電源線VL3，橋接電極LSP的電壓大小被減小。因此，第二實施例還包括與橋接電極LSP電性連接的輔助電極VAE，並且第二實施例可以防止橋接電極LSP的電壓降低。
<第三實施例>
第10圖是根據本發明第三實施例之資料墊的平面圖。第11圖是沿第10圖的III-III'線所截取的剖視圖。
參考第10圖，將從基板SUB上的顯示部A/A延伸的複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4以及VL5設置在一資料墊上。此外，電源墊電極VPE1和VPE2設置為通過墊孔PCH分別連接到複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4以及VL5中的一些電源線(例如VL1和VL5)的端部。從顯示部A/A延伸的複數條資料線例如DL1、DL2、DL3、DL4以及DL5設置在複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4以及VL5之間。此外，資料墊電極DPE1至DPE5設置為通過資料孔DCH分別連接到複數條資料線DL1、DL2、DL3、DL4、DL5的端部。
複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4、以及VL5接觸並且連接到與複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4、以及VL5相交的一橋接電極LSP。在第三實施例中，複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4、以及VL5中的一些電源線(例如VL1、VL2、VL4、以及VL5)中的每一條電源線具有兩種或更多種圖案。
更具體而言，參考第11圖，一第一緩衝層BUF1位於基板SUB上，並且橋接電極LSP位於第一緩衝層BUF1上。一第二緩衝層BUF2位於橋接電極LSP上。第二緩衝層BUF2包括複數個孔並且露出橋接電極LSP。一閘極絕緣層GI位於第二緩衝層BUF2。閘極絕緣層GI包括複數個孔並且露出通過第二緩衝層BUF2暴露的橋接電極LSP。層間介電層ILD包括複數個孔並且露出通過第二緩衝層BUF2和閘極絕緣層GI暴露的橋接電極LSP。包含在第二緩衝層BUF2、閘極絕緣層GI、以及層間介電層ILD中並且露出橋接電極LSP的孔包括橋接孔VCH1。
電源線VL1的第一電源線圖案VLP1和第二電源線圖案VLP2位於層間介電層ILD上。第一電源線圖案VLP1和第二電源線圖案VLP2通過橋接孔VCH1接觸並且電性連接到橋接電極LSP。一鈍化層PAS設置在電源線VL1上並且包括暴露電源線VL1的第二電源線圖案VLP2的一墊孔PCH。電源墊電極VPE1位於墊孔PCH上並且連接到電源線VL1的第二電源線圖案VLP2。
參見第10圖和第11圖，第一電源線VL1包括位於靠近顯示部A/A的一第一電源線圖案VLP1以及位於靠近電源墊電極VPE1的一第二電源線圖案VLP2。由於第一電源線圖案VLP1和第二電源線圖案VLP2連接到位於下方的橋接電極LSP，所以第一電源線圖案VLP1與第二電源線圖案VLP2彼此電性連接，即使它們彼此間隔開。調整第一電源線圖案VLP1與第二電源線圖案 VLP2之間的間隔距離，以減小橋接電極LSP與第一電源線圖案VLP1之間的接觸面積。因此，可以控制第一電源線VL1的輸出電壓。
此外，第二電源線VL2包括：一第一電源線圖案VLP1，與顯示部A/A一起形成一體；以及一第二電源線圖案VLP2，與基板SUB的端部相鄰。由於第一電源線圖案VLP1和第二電源線圖案VLP2連接到位於下方的橋接電極LSP，所以即使第一電源線圖案VLP1與第二電源線圖案VLP2彼此間隔開，第一電源線圖案VLP1與第二電源線圖案VLP2仍彼此電性連接。調整第一電源線圖案VLP1與第二電源線圖案VLP2之間的間隔距離，以減小橋接電極LSP與第一電源線圖案VLP1之間的接觸面積。因此，可以控制第一電源線VL1的輸出電壓。
如上所述，位於資料墊最左側的第一電源線VL1和位於資料墊最右側的第五電源線VL5的電壓被施加到橋接電極LSP。因此，當橋接電極LSP移向位於資料墊中間的第三電源線VL3時，橋接電極LSP的電壓大小被減小。因此，第三實施例配置為使得提供有電力的第一電源線VL1和第五電源線VL5各自具有最大電阻，並且隨著橋接電極LSP移向第三電源線VL3，電阻逐漸減小。為此，在提供電力的第一電源線VL1和第五電源線VL5中的每一者中，將第一電源線圖案VLP1與第二電源線圖案VLP2之間的間隔距離設定為最大值。因此，第一電源線圖案VLP1和第二電源線圖案VLP2與橋接電極LSP之間的接觸面積減小，並且第一電源線VL1和第五電源線VL5的電阻增加。在第二電源線VL2和第四電源線VL4的每一者中，第一電源線圖案VLP1與第二電源線圖案VLP2之間的間隔距離設定為相對小於第一電源線VL1和第五電源線VLP5的間隔距離。因此，第一電源線圖案VLP1和第二電源線圖案VLP2與橋接電極LSP之間的接觸面積相對大於第一電源線VL1和第五電源線VL5與橋接電極LSP之間的接觸面積，並且第二電源線VL2和第四電源線VL4的電阻減小。如上所述，位於中間的第三電源線VL3沒有第一電源線圖案VLP1和第二電源線圖案VLP2。因此，第三電源線VL3與橋接電極LSP之間的接觸面積大於其他電源線VL1、VL2、VL4、以及VL5，第三電源線VL3的電阻為最小值。亦即，可以通過增加或減少第一電源線圖案VLP1與第二電源線圖案VLP2之間的間隔距離來調節電源線與橋接電極LSP之間的接觸面積。因此，當橋接電極LSP從提供有電壓的最左側的第一電源線VL1和提供有電壓的最右側的第五電源線 VL5移動向第三電源線VL3時，電源線與橋接電極LSP之間的接觸面積增加。因此，電阻會下降。
在第三實施例中，提供有電壓的最左側的第一電源線VL1和提供有電壓的最右側的第五電源線VL5的輸出電壓的輸出電壓可以調整到類似於第二電源線VL2、第三電源線VL3、以及第四電源線VL4電源線的輸出電壓。因此，優勢是能夠均勻地控制顯示部A/A之各子像素的發光亮度。
<第四實施例>
第12圖是根據本發明第四實施例之資料墊的平面圖。
參考第12圖，將從基板SUB上的顯示部A/A延伸的複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4以及VL5設置在一資料墊上。此外，電源墊電極VPE1和VPE2設置為通過墊孔PCH分別連接到複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4、以及VL5中的一些電源線(例如VL1和VL5)的端部。從顯示部A/A延伸的複數條資料線例如DL1、DL2、DL3、DL4、以及DL5設置在複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4、以及VL5之間。此外，資料墊電極DPE1至DPE5設置為通過資料孔DCH分別連接到複數條資料線DL1、DL2、DL3、DL4、DL5的端部。
複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4、以及VL5接觸並且連接到與複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4、以及VL5相交的橋接電極LSP。在第四實施例中，橋接電極LSP包括複數個開口OPP和複數個橋接部BRP。
更具體而言，複數個開口OPP和複數個橋接部BRP位於橋接電極LSP和複數條資料線的交點處。複數個開口OPP和複數個橋接部BRP沿著與複數條資料線垂直相交的方向設置。複數個開口OPP和複數個橋接部BRP設置成與複數條電源線VL1、VL2、VL3、VL4、以及VL5間隔開。包含在橋接電極LSP中的複數個開口OPP和複數個橋接部BRP用於在當橋接電極LSP與資料線之間的短路發生時修復短路。例如，在第一電源線VL1與第二電源線VL2之間當在一條資料線與橋接電極LSP之間發生短路時，橋接電極LSP的電源電壓由於短路沒有載入到其他電源線。因此，在第四實施例中，當在一條資料線與橋接電極LSP之間發生短路時，對應於短路的橋接部BRP被雷射切斷，從而消除短路。因此，橋接電極LSP的電源電壓被轉移到另一個橋接部BRP。因此，第四實施例可以提高橋接電極LSP的可靠性並且通過包含在橋接電極LSP中的開 口OPP和橋接部BRP來防止由於短路而導致有缺陷的驅動。
目前為止，本發明第一實施例至第四實施例顯示和描述了資料墊的各種結構。然而，本發明第一實施例至第四實施例可以單獨描述或者可以組合。例如，第三實施例的電源線結構可以與第二實施例的結構組合，或者第三實施例的橋接電極結構可以與第二實施例的結構組合。
第13圖是說明如第6圖所示之根據本發明第一實施例的資料墊結構中電源線的電壓。第14圖是說明如第10圖所示之根據本發明第三實施例的資料墊結構中電源線的電壓。
第13圖和第14圖藉由本發明第三實施例的效果顯示了用於驗證減小電源線之間的電壓差的效果的類比結果。如第13圖所示，供給電源電壓的第一電源線和第五電源線的電壓被測定為23.45V，電源電壓通過橋接電極傳送到第二電源線、第三電源線、以及第四電源線的電壓逐漸降低並且被測量為23.3V的最小電壓。亦即，在複數條電源線中，最大電壓23.45V與最小電壓23.3V之差為0.15V。另一方面，如第14圖所示，供給電源電壓的第一電源線和第五電源線的電壓測定為23.37V，電源電壓通過橋接電極傳送到第二電源線、第三電源線、第四電源線的電壓逐漸降低並且被測量為23.29V的最小電壓。亦即，在複數條電源線中，最大電壓23.37V與最小電壓23.29V之差為0.07V。
根據上述結果，根據本發明第三實施例，可以通過調整資料墊結構中電源線的電阻來均一地獲得電源線的輸出電壓。
如上所述，根據本發明實施例的顯示裝置包括電源墊電極，電源墊電極的數量小於使用橋接電極的電源線的數量，因此，通過由於電源墊電極數量的減少而獲得的面積，可以增加電源墊電極的間距或者資料墊電極的間距。因此，本發明實施例可以防止由墊電極之間的小間距引起的短路。此外，本發明實施例可以藉由在橋接電極與資料線之間形成複數個絕緣層來防止橋接電極與資料線之間的短路。
此外，根據本發明實施例的顯示裝置可以藉由形成輔助電極來防止通過橋接電極傳遞的電壓的降低。本發明實施例藉由調節電源線與橋接電極之間的接觸面積來減小提供電壓的電源線與未提供電壓的電源線之間的輸出電壓之差。本發明實施例即使在橋接電極與資料線之間產生短路的情況下，也能通過包含在橋接電極中的橋接部修復短路。因此，根據本發明實施例的顯示裝 置可以防止由於短路而導致有缺陷的驅動並且提高可靠性。
儘管已經參照許多說明性實施例描述了實施例，但是應當理解，本領域技術人員可以設計出許多其它修改和實施例，這些修改和實施例將落在本發明原理的範圍內。更具體而言，在本發明、附圖以及所附申請專利範圍內，各個元件及/或請求標的組合佈置的各種變型和修改是可能的。除了元件及/或佈置的變化和修改之外，替代用途對於本領域技術人員來說也是顯而易見的。

Claims (11)

  1. 一種顯示裝置，包括：一基板，包括一顯示部和在該顯示部之外部的一墊部；複數條電源線，位於該基板的該墊部上並且從該顯示部延伸；複數條資料線，設置為平行於該複數條電源線並且從該顯示部延伸；以及一橋接電極，配置以連接該複數條電源線中的至少兩條電源線；其中該複數條電源線的一部分電源線包括在該電源線的至少一端的一電源墊電極，以及其中該等電源墊電極的數量小於該等電源線的數量，並且該複數條電源線中的一些電源線設置在該等電源墊電極中的兩個電源墊電極之間，而不與該等電源墊電極中的任何一個連接。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該橋接電極與該複數條電源線和該複數條資料線交叉。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，進一步包括複數個輔助電極，該複數個輔助電極位於該複數條資料線之間，並且連接到該橋接電極。
  4. 依據申請專利範圍第3項所述的顯示裝置，其中，該複數個輔助電極與該複數條資料線位於相同的層上。
  5. 依據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該複數條電源線的一部分電源線包括一第一電源線圖案和一第二電源線圖案，並且該第一電源線圖案和該第二電源線圖案連接到該橋接電極。
  6. 依據申請專利範圍第5項所述的顯示裝置，其中，在該複數條電源線與該橋接電極之間的接觸面積具有不同的尺寸，該複數條電源線的每一條包括該第一電源線圖案和該第二電源線圖案。
  7. 依據申請專利範圍第6項所述的顯示裝置，其中，藉由增加或減少該電源線的該第一電源線圖案和該第二電源線圖案之間的間隔距離來調整該電源線與該橋接電極之間的接觸面積。
  8. 依據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該橋接電極包括複數個開口和複數個橋接部。
  9. 依據申請專利範圍第8項所述的顯示裝置，其中，該複數個開口和該複數個橋接部與該複數條資料線交叉。
  10. 依據申請專利範圍第9項所述的顯示裝置，其中，該複數個開口和該複數個橋接部與該複數條電源線間隔開。
  11. 依據申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，更包括：一第一緩衝層，位於該基板上；該橋接電極，位於該第一緩衝層上；一第二緩衝層，位於該橋接電極上；一閘極絕緣層，位於該第二緩衝層上；一層間介電層，位於該閘極絕緣層上；以及該複數條電源線，位於該層間介電層上，其中該複數條電源線通過穿過該第二緩衝層、該閘極絕緣層以及該層間介電層的一橋接孔而連接到該橋接電極。
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