CN109166904B - 一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，用以简化显示面板的制备工艺。显示面板包括发光区和透光区，位于发光区的第一发光单元，位于透光区的第二发光单元，与第一发光单元和第二发光单元对应设置的驱动单元；第二发光单元的第二阳极包括第一透明导电层；驱动单元包括第一晶体管；第一晶体管包括第一源极、第一漏极，第一源极和/或第一漏极包括层叠的第二透明导电层和第一金属层，且第一金属层至少位于第二透明导电层和第一阳极之间；第一透明导电层和第二透明导电层同层设置，且由相同的透明导电材料形成。

Description

一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法。

背景技术

随着平面显示器技术的蓬勃发展，有机发光二极管(Organic Light EmittingDiode，简称OLED)显示由于其具有自发光、高亮度、广视角、快速反应等优良特性，应用越来越广泛。

其中，双面发光OLED装置包括单面发光OLED和双面发光OLED，主要用于商场橱窗展示、广告牌、会议室告示等，具有良好的商业用途。

但是，现有技术中至少存在如下问题：单面发光OLED的阳极与双面发光OLED的阳极的作用不同，需要差异化处理，致使双面发光OLED装置的制作工艺复杂，这不利于双面发光OLED装置的制备。

图1是现有显示面板100中发光区102和透光区103的剖面示意图。显示面板100包括第一基板101、第一发光单元110、第二发光单元120。第一发光单元110位于发光区102，第二发光单元120位于透光区103。第一发光单元110包括第一阳极111，第二发光单元120包括第二阳极121。由于第一发光单元110和第二发光单元120分别位于发光区102和透光区103，通常，第一阳极111的材料与第二阳极121的材料不同，制备第一阳极111的工艺与制备第二阳极121的工艺不同。这会增加显示面板100整体制备工艺的复杂程度。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法，用以解决现有技术的上述问题。

一方面，本发明提供了一种显示面板，显示面板包括发光区和透光区；显示面板包括第一基板，第一发光单元和第二发光单元，第一发光单元位于发光区，第二发光单元位于透光区；第一发光单元包括第一阳极、第一发光层和第一阴极；第二发光单元包括第二阳极、第二发光层和第二阴极；其中，第二阳极包括第一透明导电层；显示面板还包括与第一发光单元和第二发光单元对应设置的驱动单元，驱动单元包括第一晶体管；第一晶体管连接至第一阳极和/或第二阳极；第一晶体管包括第一源极、第一漏极，其中，第一源极和/或第一漏极包括层叠的第二透明导电层和第一金属层，且第一金属层至少位于第二透明导电层和第一阳极之间；其中，第一透明导电层和第二透明导电层同层设置，且由相同的透明导电材料形成。

另一方面，本发明提供了一种显示装置，所述显示装置包括所述显示面板。

再一方面，本发明提供了一种显示面板的制备方法，包括：提供一第一基板；在第一基板上形成驱动单元和发光单元，其中，驱动单元包括第一晶体管，第一晶体管包括第一源极、第一漏极，发光单元包括第一发光单元和第二发光单元，第一发光单元包括第一阳极、第一发光层和第一阴极；第二发光单元包括第二阳极、第二发光层和第二阴极；在第一基板上形成驱动单元和发光单元的制备过程包括：依次形成透明导电薄膜和金属薄膜；通过湿法刻蚀图案化透明导电薄膜和金属薄膜，其中，透明导电薄膜至少形成第一透明导电层和第二透明导电层，金属薄膜至少形成第一金属层和第二阳极所在区域的图案，第一金属层和第二透明导电层层叠设置，由金属薄膜形成的第二阳极所在区域的图案与第一透明导电层层叠设置，第二透明导电层和第一金属层用作第一源极，和/或，第二透明导电层和第一金属层用作第一漏极，第一透明导电层用作第二阳极；通过干法刻蚀至少部分由金属薄膜形成的第二阳极所在区域的图案，暴露第一透明导电层对第一透明导电层进行退火。

在本发明实施例提供的显示面板中，第一晶体管的第一源极和/或第一漏极包括层叠的第二透明导电层和第一金属层，且第一金属层至少位于第二透明导电层和第一阳极之间，第一透明导电层和第二透明导电层同层设置，且由相同的透明导电材料形成。从而，第二阳极可以与第一晶体管的第一源极和/或第一漏极在同一制程中形成，简化了显示面板的制备工艺。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是现有显示面板100中发光区102和透光区103的剖面示意图；

图2是本发明实施例一种显示面板200中发光区202和透光区203的剖面示意图；

图3是本发明另一实施例一种显示面板200中发光区202和透光区203的剖面示意图；

图4是本发明另一实施例一种显示面板200中发光区202和透光区203的剖面示意图；

图5是本发明另一实施例一种显示面板的像素电路300示意图；

图6是本发明另一实施例一种显示面板的像素电路400示意图；

图7是本发明另一实施例一种显示面板的像素电路500示意图；

图8是本发明另一实施例一种显示装置600的示意图；

图9和图10是本发明另一实施例一种显示面板制备方法的流程图；

图11是本发明另一实施例第一源极、第一漏极、第二阳极制备过程的示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

应当理解，尽管在本发明实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述XXX，但这些XXX不应限于这些术语。这些术语仅用来将XXX彼此区分开。例如，在不脱离本发明实施例范围的情况下，第一XXX也可以被称为第二XXX，类似地，第二XXX也可以被称为第一XXX。

图2是本发明实施例一种显示面板200中发光区202和透光区203的剖面示意图。显示面板200包括发光区202和透光区203；显示面板200还包括第一基板201、第一发光单元210和第二发光单元220，第一发光单元210位于发光区202，第二发光单元220位于透光区203；第一发光单元210包括第一阳极211、第一发光层212和第一阴极213；第二发光单元220包括第二阳极221、第二发光层222和第二阴极223；其中，第二阳极221包括第一透明导电层224；显示面板200在发光区202还包括与第一发光单元210和第二发光单元220对应设置的驱动单元230，驱动单元230包括第一晶体管231；第一晶体管231连接至第一阳极211和/或第二阳极221；第一晶体管231包括第一源极232、第一漏极233，其中，第一源极232和/或第一漏极233包括层叠的第二透明导电层234和第一金属层235，且第一金属层235至少位于第二透明导电层234和第一阳极211之间；其中，第一透明导电层224和第二透明导电层234同层设置，且由相同的透明导电材料形成。

在第一发光单元210中，第一发光层212位于第一阳极211和第一阴极213之间。第一阳极211位于第一阴极213靠近第一基板201的一侧。第一阳极211连接驱动单元230，第一阴极213连接电源。驱动单元230和电源用于驱动第一发光单元210并且使得第一发光层212电致发光。第一发光层212发射的光线可以透过第一阴极213出射。

在第二发光单元220中，第二发光层222位于第二阳极221和第二阴极223之间。第二阳极221位于第二阴极223靠近第一基板201的一侧。第二阳极221连接驱动单元230，第二阴极223连接电源。驱动单元230和电源用于驱动第二发光单元220并且使得第二发光层222电致发光。第二发光层222发射的光线可以透过第二阴极223和第二阳极221出射。

驱动单元230包括第一晶体管231。第一晶体管231位于第一发光单元210与第一基板201之间。第一晶体管231连接第一发光单元210或者连接第二发光单元220，或者，第一晶体管231连接第一发光单元210并且连接第二发光单元220。第一晶体管231包括第一源极232和第一漏极233。第一源极232连接第一阳极211或第二阳极221，或者，第一漏极233连接第一阳极211或第二阳极221。 第一晶体管231用于驱动第一发光单元210或第二发光单元220电致发光。

在第二发光单元220中，第二阳极221包括第一透明导电层224，第一透明导电层224采用ITO（铟锡氧化物）、AZO（铝锌氧化物）或IZO（铟锌氧化物）材料。在第一晶体管231中，第一源极232或第一漏极233包括第二透明导电层234和第一金属层235，第二透明导电层234采用ITO、AZO或IZO材料。第一透明导电层224与第二透明导电层234设置于显示面板200中的同一膜层并且第一透明导电层224与第二透明导电层234的材料相同。第一金属层235与第二透明导电层234层叠设置，第一金属层235设置在第二透明导电层234上远离第一基板201的表面，第一金属层235位于第二透明导电层234和第一阳极211之间。

在现有技术中，如图1所示，发光区102的第一发光单元110包括第一阳极111，透光区103的第二发光单元120包括第二阳极121。第一阳极111的材料与第二阳极121的材料不同，制备第一阳极111的工艺与制备第二阳极121的工艺不同。这会增加显示面板100整体制备工艺的复杂程度。

现有显示面板100还包括驱动单元130，驱动单元130包括驱动晶体管的源极/漏极131。如果第二发光单元120的第二阳极121与驱动单元130中晶体管的源极/漏极131设置于同一膜层，那么第二阳极121、源极/漏极131仍然分开制备。

本发明实施例提供的显示面板，第一晶体管的第一源极232和/或第一漏极233包括层叠的第二透明导电层234和第一金属层235，且第一金属层235至少位于第二透明导电层234和第一阳极211之间，第一透明导电层224和第二透明导电层234同层设置，且由相同的透明导电材料形成。因为第一透明导电层224和第二透明导电层234同层设置而且由相同的透明导电材料形成，并且第一金属层235与第二透明导电层234层叠设置、第一金属层235位于靠近第一阳极211的一侧，基于第一金属层235的设置，制备第二透明导电层234的同时可以制备第一透明导电层224。于是，第二发光单元220中的第二阳极221与驱动单元230中第一源极232和/或第一漏极233同步制备，而非第二阳极221采用单独的步骤制备，这就使得显示面板200的制备工艺简化。另一方面，第一金属层235可以确保第一源极232和/或第一漏极233具有良好的导电特性。

图3是本发明另一实施例一种显示面板200中发光区202和透光区203的剖面示意图。如图3所示，第一发光单元210的第一阳极211至少包括第一反射金属层215。第一反射金属层215可使第一发光单元210单侧发光、不透光。具体地，当第一发光单元210被驱动发光时，第一阳极211可将传输到第一阳极211处的光反射，光经第一阳极211反射后，可由第一阴极213处出射，因此，第一反射金属层215使得第一发光单元210单侧发光、不透光，从而提高第一发光单元的光利用率，增加第一发光单元单侧出光的亮度。

第一阳极211还可以包括第三透明导电层214。第三透明导电层214设置在第一反射金属层215上靠近第一基板201的表面，并且设置在第一反射金属层215上远离第一基板201的表面，即第一反射金属层215位于两层第三透明导电层214之间。在一种可实施方式中，第一反射金属层215可以采用Ag材料，第三透明导电层214可由采用ITO材料。由于第一反射金属层215的Ag材料易于氧化，第一反射金属层215位于两层第三透明导电层214之间可以避免第一反射金属层215的Ag材料氧化。这使第一阳极211的导电率稳定。

如图3所示，第二发光单元220的第一透明导电层224的厚度范围为30nm～800nm。当第一透明导电层224的厚度位于30nm～800nm范围内时，相比于厚度小于30nm的透明导电层，第一透明导电层224的方块电阻较小，且相比于厚度大于800nm的透明导电层，第一透明导电层的厚度设计可与其他膜层相匹配。

如图3所示，第二发光单元220还包括辅助电极227；辅助电极227覆盖部分第二阳极221；辅助电极227与第一金属层235同层设置，且材料相同。

在平行于第一基板201所在平面的方向上，第二阳极221由透光区203向发光区202延伸形成连接部225，连接部225用于与驱动单元230连接。辅助电极227可以位于连接部225远离第一基板201的表面，与连接部225层叠设置，且与驱动单元230连接。辅助电极227与第一金属层235设置于同一膜层并且采用同一金属材料。第一透明导电层224、连接部225、第二透明导电层234设置于同一膜层并且采用同一透明导电材料。一方面，同一膜层、相同材料的第一透明导电层224、连接部225、第二透明导电层234可以同步制备，利于简化工艺步骤。同一膜层、相同材料的辅助电极227与第一金属层235可以同步制备，利于简化工艺步骤。另一方面，通过设置辅助电极，有利于降低第二阳极221与驱动单元230相连处的电阻，提升该相连处的电连接特性。

如图3所示，第一发光单元210的第一阳极211所在膜层与对应设置的第一晶体管231所在膜层之间设置有平坦化层240；平坦化层240具有开口245，第二发光单元220与开口245对应设置，且开口245暴露至少部分第二阳极221。

第二发光单元220位于平坦化层240的开口245内，相比于第一发光单元210，位于第二发光单元220靠近第一基板201一侧的膜层数量较少，有利于提升第二发光单元220朝向第一基板201一侧射出的光的透过率，从而提高出光亮度。在本发明的一个实施例中，第一发光单元210位于平坦化层240上远离第一基板201的一侧。第二发光单元220位于平坦化层240中的开口245处。第一发光单元210与第一基板201的间距大于第二发光单元220与第一基板201的间距。平坦化层240的局部位于发光区202和透光区203之间的过渡区241。平坦化层240在过渡区241内可以是斜坡243，或者可以是台阶。斜坡243上远离第一基板201的一侧紧邻第一发光单元210，斜坡243上靠近第一基板201的一侧紧邻第二发光单元220。在一种可实施方式中，第一发光单元210的第一发光层212和第二发光单元220的第二发光层222可以在同一工艺步骤中形成，比如，在同一次蒸镀工艺中形成，此时，相邻的第一发光单元210和第二发光单元220的发光层可能相连，设置过渡区241，有利于减小相邻的第一发光层212和第二发光层222之间发生相互连接的概率，减少“偷亮”现象的发生。其中，“偷亮”现象是指对一个发光单元进行驱动时引起相邻的、未被驱动的发光单元产生亮光的现象。

如图3所示，在垂直于第一基板201所在平面的方向上，驱动单元230与第二发光单元220之间没有交叠部分。驱动单元230中第一晶体管231的第一源极232/第一漏极233包括第一金属层235，第一金属层235不透光。因为在垂直于第一基板201所在平面的方向上，驱动单元230与第二发光单元220之间没有交叠部分，所以不透光的第一金属层235不会影响第二发光单元220发出的光线透过第一基板201发出，有利于增大第二发光单元220对应的透光面积，提高透光率。

图4是本发明另一实施例一种显示面板200中发光区202和透光区203的剖面示意图。如图4所示，显示面板200的驱动单元230可以包括第一晶体管231、第二晶体管236。第一晶体管231包括第一源极232、第一漏极233。第二晶体管236包括第二源极237和第二漏极238。其中，第一源极232与第一阳极211导电连接，或者，第一漏极233与第一阳极211导电连接；第二源极237与第二阳极221导电连接，或者，第二漏极238与第二阳极221导电连接。于是，第一晶体管231可以作为一个驱动晶体管用于驱动第一发光单元210，同时，第二晶体管236可以作为另一驱动晶体管用于驱动第二发光单元220。第一发光单元210可以单独发光或者在不发光时不透光。第二发光单元220可以单独发光或者在不发光时透光。当第一发光单元210发光并且第二发光单元220发光时，显示面板200双侧发光并且其中的发光区202和透光区203可以具有不同的发光效果。当第一发光单元210发光并且第二发光单元220不发光时，显示面板200在发光区202单侧发光并且在透光区203透光。当第一发光单元210不发光并且第二发光单元220发光时，显示面板200在透光区203双侧发光并且在发光区202不发光、不透光。当第一发光单元210不发光并且第二发光单元220不发光时，显示面板200在发光区202不发光、不透光并且在透光区203透光。

图5是本发明另一实施例一种显示面板的像素电路300示意图。显示面板的像素电路300包括第一发光单元301、第二发光单元302、驱动单元303。第一发光单元301和第二发光单元302并联连接，且由相同的驱动单元303驱动发光。图5所示像素电路是本发明实施例提供的像素电路的一种示意表示，本发明实施例的像素电路还可以包括其他的构成方式，满足第一发光单元和第二发光单元并联连接，且由相同的驱动单元驱动发光即可，对下述实施例可作与此相同的解释。

具体地，第一发光单元301可以单侧发光或者不透光，第二发光单元302可以双侧发光或者透光。驱动单元303包括第一开关晶体管304、第二开关晶体管305、电容器306和驱动晶体管307。第一发光单元301的阴极连接第一电源端PVEE，第二发光单元302的阴极连接第一电源端PVEE，第一发光单元301的阳极连接驱动晶体管307的第一极，第二发光单元302的阳极连接驱动晶体管307的第一极，驱动晶体管307的第二极连接第二电源端PVDD，驱动晶体管307的栅极连接第一开关晶体管304的第一极，第一开关晶体管304的第二极连接数据信号端Data，第一开关晶体管304的栅极连接第一扫描信号端Scan1，第二开关晶体管305的栅极连接第二扫描信号端Scan2，第二开关晶体管305的第一极连接参考信号端Vref，第二开关晶体管305的第二极连接第一节点，第一节点位于驱动晶体管307的第一极与第一发光单元301/第二发光单元302的阳极之间，电容器306的第一极连接第一节点，电容器306的第二极连接第二节点，第二节点位于驱动晶体管307的栅极与第一开关晶体管304的第一极之间。驱动晶体管307、第一开关晶体管304、第二开关晶体管305的第一极或第二极是源极或漏极。

第一发光单元301位于显示面板的发光区，第二发光单元302位于显示面板的透光区。驱动单元303可以同时驱动第一发光单元301、第二发光单元302。第一发光单元301、第二发光单元302可以同时发光或者同时不发光。当第一发光单元301、第二发光单元302同时发光时，显示面板在发光区单侧发光并且在透光区双侧发光。当第一发光单元301、第二发光单元302同时不发光时，显示面板在发光区不发光、不透光并且在透光区透光。

图6是本发明另一实施例一种显示面板的像素电路400示意图。显示面板的像素电路400包括第一发光单元401、第二发光单元402、驱动单元403，驱动单元403包括驱动晶体管408、第一发光控制晶体管406、第一发光控制晶体管406。第一发光单元401和第二发光单元402由相同的驱动晶体管408驱动发光，且驱动单元403还包括第一发光控制晶体管406；第一发光控制晶体管406控制第二发光单元402的发光状态或者不发光状态。

具体地，第一发光单元401可以单侧发光、不透光，第二发光单元402可以双侧发光、透光。驱动单元403还包括第一开关晶体管404、第二开关晶体管405、电容器407。第一发光单元401的阴极连接第一电源端PVEE，第二发光单元402的阴极连接第一电源端PVEE，第一发光单元401的阳极连接第一发光控制晶体管406的第一极，第二发光单元402的阳极连接第一发光控制晶体管406的第二极，第一发光控制晶体管406的栅极连接发光控制信号端Switch，第一发光单元401的阳极连接驱动晶体管408的第一极，驱动晶体管408的第二极连接第二电源端PVDD，驱动晶体管408的栅极连接第一开关晶体管404的第一极，第一开关晶体管404的第二极连接数据信号端Data，第一开关晶体管404的栅极连接第一扫描信号端Scan1，第二开关晶体管405的栅极连接第二扫描信号端Scan2，第二开关晶体管405的第一极连接参考信号端Vref，第二开关晶体管405的第二极连接第一节点，第一节点位于驱动晶体管408的第一极与第一发光单元401的阳极之间，电容器407的第一极连接第一节点，电容器407的第二极连接第二节点，第二节点位于驱动晶体管408的栅极与第一开关晶体管404的第一极之间。驱动晶体管408、第一开关晶体管404、第二开关晶体管405、第一发光控制晶体管406的第一极或第二极是源极或漏极。

第一发光单元401位于显示面板的发光区，第二发光单元402位于显示面板的透光区。驱动单元403可以同时驱动第一发光单元401、第二发光单元402，或者单独驱动第一发光单元401。第一发光单元401、第二发光单元402可以同时发光、同时不发光，或者，在第二发光单元402不发光时第一发光单元401可以单独发光。第一发光单元401在不发光时不透光，第二发光单元402在不发光时透光。当第一发光单元401、第二发光单元402同时发光时，显示面板在发光区单侧发光并且在透光区双侧发光。当第一发光单元401、第二发光单元402同时不发光时，显示面板在发光区不发光、不透光并且在透光区透光。当第一发光单元401发光并且第二发光单元402不发光时，显示面板在发光区发光并且在透光区透光。

图7是本发明另一实施例一种显示面板的像素电路500示意图。显示面板的像素电路500包括第一发光单元501、第二发光单元502、第一驱动单元503、第二驱动单元506；第一发光单元501由第一驱动单元503驱动发光，第二发光单元502由第二驱动单元506驱动发光。

具体地，第一发光单元501可以单侧发光、不透光，第二发光单元502可以双侧发光、透光。第一驱动单元503包括第一开关晶体管504、第二开关晶体管505、第一电容器509、第一驱动晶体管511；第二驱动单元506包括第三开关晶体管507、第四开关晶体管508、第二电容器510、第二驱动晶体管512。第一发光单元501的阴极连接第一电源端PVEE，第一发光单元501的阳极连接第一驱动晶体管511的第一极，第一驱动晶体管511的第二极连接第二电源端PVDD，第一驱动晶体管511的栅极连接第一开关晶体管504的第一极，第一开关晶体管504的第二极连接数据信号端Data，第一开关晶体管504的栅极连接第一扫描信号端Scan1，第二开关晶体管505的栅极连接第二扫描信号端Scan2，第二开关晶体管505的第一极连接参考信号端Vref，第二开关晶体管505的第二极连接第一节点，第一节点位于第一驱动晶体管511的第一极与第一发光单元501的阳极之间，第一电容器509的第一极连接第一节点，第一电容器509的第二极连接第二节点，第二节点位于第一驱动晶体管511的栅极与第一开关晶体管504的第一极之间。第二发光单元502的阴极连接第一电源端PVEE，第二发光单元502的阳极连接第二驱动晶体管512的第一极，第二驱动晶体管512的第二极连接第二电源端PVDD，第二驱动晶体管512的栅极连接第三开关晶体管507的第一极，第三开关晶体管507的第二极连接数据信号端Data，第三开关晶体管507的栅极连接第一扫描信号端Scan1，第四开关晶体管508的栅极连接第二扫描信号端Scan2，第四开关晶体管508的第一极连接参考信号端Vref，第四开关晶体管508的第二极连接第三节点，第三节点位于第二驱动晶体管512的第一极与第二发光单元502的阳极之间，第二电容器510的第一极连接第三节点，第二电容器510的第二极连接第四节点，第四节点位于第二驱动晶体管512的栅极与第三开关晶体管507的第一极之间。第一驱动晶体管511、第一开关晶体管504、第二开关晶体管505、第二驱动晶体管512、第三开关晶体管507、第四开关晶体管508的第一极或第二极是源极或漏极。

第一发光单元501位于显示面板的发光区，第二发光单元502位于显示面板的透光区。第一驱动单元503可以驱动第一发光单元501，第二驱动单元506可以驱动第二发光单元502。第一发光单元501可以单独发光，第二发光单元502可以单独发光。第一发光单元501在不发光时不透光，第二发光单元502在不发光时透光。当第一发光单元501、第二发光单元502同时发光时，显示面板在发光区单侧发光并且在透光区双侧发光。当第一发光单元501、第二发光单元502同时不发光时，显示面板在发光区不发光、不透光并且在透光区透光。当第一发光单元501发光并且第二发光单元502不发光时，显示面板在发光区发光并且在透光区透光。当第一发光单元501不发光并且第二发光单元502发光时，显示面板在发光区不发光、不透光并且在透光区双侧发光。

图8是本发明另一实施例一种显示装置600的示意图。显示装置600包括显示面板650。显示面板650的具体结构已经在上述实施例中进行了详细说明，此处不再赘述。当然，显示装置600可以是例如商场橱窗展示、平板计算机、笔记本电脑、电纸书或电视机等的任何具有显示功能的电子设备。

图9和图10是本发明另一实施例一种显示面板制备方法的流程图。如图9所示，显示面板制备方法包括：（1）提供一第一基板；（2）在第一基板上形成驱动单元和发光单元，其中，驱动单元包括第一晶体管，第一晶体管包括第一源极、第一漏极，发光单元包括第一发光单元和第二发光单元，第一发光单元包括第一阳极、第一发光层和第一阴极，第二发光单元包括第二阳极、第二发光层和第二阴极。

如图10所示，在第一基板上形成驱动单元和发光单元的制备过程包括：（1）依次形成透明导电薄膜和金属薄膜；（2）在金属薄膜上形成光刻胶层，采用半色调掩模方式对光刻胶进行曝光，使得在湿法刻蚀图案化透明导电薄膜和金属薄膜的步骤中，位于第二阳极所在区域的光刻胶层的厚度小于位于第一金属层上的光刻胶层的厚度；（3）通过湿法刻蚀图案化透明导电薄膜和金属薄膜，其中，透明导电薄膜至少形成第一透明导电层和第二透明导电层，金属薄膜至少形成第一金属层和第二阳极所在区域的图案，第一金属层和第二透明导电层层叠设置，由金属薄膜形成的第二阳极所在区域的图案与第一透明导电层层叠设置，第二透明导电层和第一金属层用作第一源极，和/或，第二透明导电层和第一金属层用作第一漏极，第一透明导电层用作第二阳极；（4）通过干法刻蚀至少部分由金属薄膜形成的第二阳极所在区域的图案，暴露第一透明导电层，对第一透明导电层进行退火。

图11是本发明另一实施例第一源极、第一漏极、第二阳极制备过程的示意图。首先，如图11中的步骤A所示，沉积透明导电薄膜901于层叠结构900上，层叠结构900包括第一区域900A和第二区域900B，第一区域900A包括第一晶体管的源区和漏区，第二区域900B透光，然后，沉积金属薄膜902于透明导电薄膜901上，透明导电薄膜是ITO等的透明导电材料，金属薄膜是Mo等的金属材料。然后，如图11中的步骤B所示，涂覆光刻胶层903于金属薄膜902上。然后，如图11中的步骤C所示，采用半色调掩模方式进行曝光、显影，保留第一厚度的第一光刻胶层905于第一晶体管的源区和漏区之上，保留第二厚度的第二光刻胶层904于第二区域900B内，第一厚度大于第二厚度，去除第三区域906和第四区域907的光刻胶，第三区域906和第四区域907在第一区域900A内并且不在第一晶体管的源区和漏区之上。然后，如图11中的步骤D所示，进行湿法刻蚀，去除第三区域906和第四区域907处的透明导电材料和金属材料。然后，如图11中的步骤E所示，进行灰化，去除第二光刻胶层904，并且第一厚度的第一光刻胶层905变成第三厚度的第三光刻胶层908，第三厚度小于第一厚度。然后，如图11中的步骤F所示，进行干法刻蚀，去除第五区域909处的金属材料，第五区域909在第二区域900B内，暴露第二区域900B中的透明导电材料。然后，如图11中的步骤G所示，剥离第三光刻胶层908，进行退火，形成第一透明导电层914和第二透明导电层910、911以及第一金属层912、913。第二透明导电层910和第一金属层912、第二透明导电层911和第一金属层913用作第一晶体管的源极或者漏极，第一透明导电层914用作第一阳极。这里的沉积、光刻、湿法刻蚀、灰化、干法刻蚀、剥离、退火均为常规工艺。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明保护的范围之内。

Claims (12)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括发光区和透光区；

所述显示面板包括第一基板，第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元位于所述发光区，用于实现所述发光区单侧发光或者不透光；所述第二发光单元位于所述透光区，用于实现所述透光区双侧发光或透光；

所述第一发光单元包括第一阳极、第一发光层和第一阴极；其中，所述第一发光层发射的光线透过所述第一阴极出射；

所述第二发光单元包括第二阳极、第二发光层和第二阴极；其中，所述第二阳极包括第一透明导电层，所述第二发光层发射的光线透过所述第二阴极和所述第二阳极出射；

所述显示面板还包括与所述第一发光单元和所述第二发光单元对应设置的驱动单元，所述驱动单元包括第一晶体管；所述第一晶体管连接至所述第一阳极和/或第二阳极；

所述第一晶体管包括第一源极、第一漏极，其中，所述第一源极和/或所述第一漏极包括层叠的第二透明导电层和第一金属层，且所述第一金属层至少位于所述第二透明导电层和所述第一阳极之间；

其中，所述第一透明导电层和所述第二透明导电层同层设置，且由相同的透明导电材料形成；

其中，所述第一发光层与所述第二发光层不连接；

相邻的所述第一发光单元和所述第二发光单元之间设置过渡区；

所述第一发光单元的第一阳极所在膜层与对应设置的所述第一晶体管所在膜层之间设置有平坦化层；

所述平坦化层的局部位于所述发光区和所述透光区之间的所述过渡区。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一阳极至少包括第一反射金属层。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明导电层的厚度为30nm～800nm。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述第二发光单元还包括辅助电极；所述辅助电极覆盖部分所述第二阳极；

所述辅助电极与所述第一金属层同层设置，且材料相同。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述平坦化层具有开口，所述第二发光单元与所述开口对应设置，且所述开口暴露至少部分所述第二阳极。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述第一基板所在平面的方向上，所述驱动单元与所述第二发光单元之间没有交叠部分。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光单元和所述第二发光单元并联连接，且由相同的所述驱动单元驱动发光。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一发光单元和所述第二发光单元由相同的所述驱动单元驱动发光，且所述驱动单元还包括第一发光控制晶体管；

所述第一发光控制晶体管控制所述第二发光单元的发光状态或者不发光状态。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述驱动单元包括第一驱动单元和第二驱动单元；

所述第一发光单元由所述第一驱动单元驱动发光，所述第二发光单元由所述第二驱动单元驱动发光。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至9中任何一项所述的显示面板。

11.一种如权利要求1-9任一所述的显示面板的制备方法，其特征在于，

提供一第一基板；

在所述第一基板上形成驱动单元和发光单元，其中，所述驱动单元包括第一晶体管，所述第一晶体管包括第一源极、第一漏极，所述发光单元包括第一发光单元和第二发光单元，所述第一发光单元包括第一阳极、第一发光层和第一阴极；所述第二发光单元包括第二阳极、第二发光层和第二阴极；

在所述第一基板上形成驱动单元和发光单元的制备过程包括：

依次形成透明导电薄膜和金属薄膜；

通过湿法刻蚀图案化所述透明导电薄膜和所述金属薄膜，其中，所述透明导电薄膜至少形成所述第一透明导电层和所述第二透明导电层，所述金属薄膜至少形成所述第一金属层和所述第二阳极所在区域的图案，所述第一金属层和所述第二透明导电层层叠设置，由所述金属薄膜形成的所述第二阳极所在区域的图案与所述第一透明导电层层叠设置，所述第二透明导电层和所述第一金属层用作所述第一源极，和/或，所述第二透明导电层和所述第一金属层用作所述第一漏极，所述第一透明导电层用作所述第二阳极；

通过干法刻蚀至少部分由所述金属薄膜形成的所述第二阳极所在区域的图案，暴露所述第一透明导电层，并对所述第一透明导电层进行退火。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述制备过程还包括：

在通过湿法刻蚀图案化所述透明导电薄膜和所述金属薄膜的步骤前还包括，在所述金属薄膜上形成光刻胶层，采用半色调掩模方式对所述光刻胶进行曝光，使得在所述湿法刻蚀图案化所述透明导电薄膜和所述金属薄膜的步骤中，位于第二阳极所在区域的光刻胶层的厚度小于位于所述第一金属层上的光刻胶层的厚度。

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