TW201027820A - Organic field effect transistor and its production method - Google Patents

Description

201027820 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具有導電體層/絕緣體層/半導體 之有機場效電晶體（OFET : Organic Field Transistor )，尤其關於液晶顯示器、軟式顯示器 標籤等中所使用之OFET及其製造方法。 ❹ 【先前技術】 以往類型之利用矽半導體或化合物半導體之薄 電晶體（TFT )，不僅是一般的積體電路，其利用 逐漸擴大。尤其液晶顯示器之TFT的運用，已經是 知的情形。此外，近年來液晶顯示器除了大型化之 精細化亦有所進展，因而逐漸要求對應於較以往更 素數的TFT之組裝。 然而，以往所使用之一般金屬系半導體中，在 Q 形成電路時，由於依據光阻等所進行之圖型化及蝕 理，在形成於畫面上之TFT中，無可避免的會產生 陷。且由於此等處理，使TFT之製造成本的降低存 定限制。其他薄型顯示器，亦即電漿顯示器、有機 光顯示器中，與使用TFT之情形亦可說是相同。 此外，近年來大面積及精細化的傾向，乃成爲 製作的TFT產生缺陷之機率的傾向，因而強烈要求 TFT缺陷抑制在最低限度之方法。 再者，由於依據光阻等所進行之圖型化及蝕刻 層構造 Effect 及電子 層場效 領域亦 一般所 外，其 多之像 基板上 刻等處 些許缺 在著一 電致發 提高所 可將此 等處理 -5- 201027820 ，使製作成本的降低存在著限制。 另一方面，運用下列TFT之新穎用途開始增加，對於 廉價以及可彎曲的裝置之要求乃逐漸增大，此TFT係利用 具備MIS (金屬/絕緣體/半導體）構造之矽半導體或化合 物半導體。例如有電子標籤、軟式顯示器、可印刷積體電 路或電子紙等，由於可將對應於此等用途之低成本、柔軟 性等多樣功能性應用於裝置中，所以已有嘗試將絕緣體及 半導體的材料構成爲有機物者，但關於有機絕緣材料之內 容仍較少。例如，日本特表平5-508745號公報（專利文 獻Ο中，記載有一種用比介電常數5以上的絕緣性有機 高分子作爲絕緣體層，用重量平均分子量2,000以下的多 共軛有機化合物作爲半導體層所製作之裝置，係顯示場效 ，且其遷移率約爲ΙΟ^η^ν·、·1者。然而，由於其使用 α-六吩基作爲有機半導體材料並藉由蒸鍍來形成半導體層 ’需進行依據光阻等所進行之圖型化及蝕刻等處理，所以 無法達成成本的降低。 [專利文獻1]日本特表平5-508745號公報 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 本發明係鑒於上述情形而創作出之發明，目的在於提 供一種在具有導電體層/絕緣體層/半導體層構造之使用有 機材料的OFET中，藉由將半導體層及絕緣體層材料構成 爲可溶解於有機溶劑之有機物質，亦即高分子化合物，可 -6- 201027820 將以往金屬系半導體及絕緣體所使用之電路形成技術，從 依據光阻等所進行之圖型化及蝕刻等處理改成印刷方式， 減少上述液晶顯示器用TFT之缺陷的機率並降低製作成本 ，並且可顯示臨界値電壓爲數伏特程度之與一般非晶矽爲 同等的低電壓之OFET及其製造方法。 (用以解決課題之手段） 〇 本發明者們係爲了達成上述目的而進行精心探討，結 果發現，採用使具有較大比介電常數且不具有羥基之高分 子物質、以及與此不同之顯示聚合性及/或交聯性的有機 化合物予以混合之系列，作爲形成絕緣體層之物質來形成 絕緣體層，藉此，可藉由相對簡便的方法而製得在與一般 非晶矽爲同等的低電壓下進行驅動之OFET，因而完成本 發明。 因此，本發明係提供下列所示之有機場效電晶體及其 φ 製造方法。 申請專利範圍第1項： 一種有機場效電晶體，爲具有導電體層/絕緣體層/半 導體層構造之有機場效電晶體，其特徵爲含有：使下列式 (1 )所示之單體及/或下列式（2 )所示之單體進行聚合 或共聚合所得之高分子物質、與下列式（1)及（2)以外 之顯示聚合性及/或交聯性的有機化合物予以混合所形成 之絕緣體層；以及由有機化合物所形成之半導體層而成， CH2 = CHCOO-(CH2)2-CN (1) 201027820 ch2 = c(ch3)coo-(ch2)2-cn (2)。 申請專利範圍第2項： 如申請專利範圍第1項之有機場效電晶體，其中前述 高分子物質之式（1)及（2)的莫耳比例爲1〇〇: 〇~ 50: 50 ° 申請專利範圍第3項： 如申請專利範圍第1或2項之有機場效電晶體，其中 形成前述半導體層之物質爲可溶解於有機溶劑之重量平均 分子量超過2,000且爲1,000,000以下之有機化合物。 申請專利範圍第4項： 如申請專利範圍第3項之有機場效電晶體，其中形成 前述半導體層之物質爲聚噻吩（Polythiophene)類。 申請專利範圍第5項： 如申請專利範圍第1至4項中任一項之有機場效電晶 體，其中前述式（1)及（2)以外之顯示聚合性及/或交 聯性的有機化合物爲異氰酸酯類。 申請專利範圍第6項： 如申請專利範圍第5項之有機場效電晶體，其中前述 異氰酸酯類爲交聯性脂環式聚異氰酸酯類。 申請專利範圍第7項： 一種有機場效電晶體的製造方法，其特徵爲：使下列 式（1)所示之單體及/或下列式（2)所示之單體進行聚 合或共聚合所得之高分子物質、與下列式（1)及（2)以 外之顯示聚合性及/或交聯性的有機化合物溶解於有機溶 -8 - 201027820 劑之絕緣體層形成溶液，塗佈於由導電體層所形成之閘極 上使硬化形成絕緣體層後，再積層半導體層， CH2 = CHCOO-(CH2)2-CN (1) CH2 = C(CH3)COO-(CH2)2-CN (2)。 發明之效果： 根據本發明，在具有導電體層/絕緣體層/半導體層構 Q 造之TFT中，將半導體層及絕緣體層材料兩者構成爲有機 化合物，並且採用使具有較大比介電常數且不具有羥基之 高分子物質、以及與此不同之顯示聚合性及/或交聯性的 有機化合物予以混合之系列，作爲形成絕緣體層之物質來 形成絕緣體層，藉此，可製得能夠在與一般非晶矽爲同等 的低電壓下進行動作之OFET。 此外，相對於以往矽系半導體或無機系半導體及絕緣 體所使用之電路形成技術中，需進行依據光阻等所進行之 〇 圖型化及蝕刻等處理者，由於主要可在溶劑製程中進行製 作，所以容易藉由以噴墨式爲首之印刷技術等來製作出， 因此可減少電路上的缺陷機率並降低製造成本。 【實施方式】 本發明之OFET，例如第1圖所示，於Si02等基板1 上形成有成爲閛極之導電體層2，於其上方形成有絕緣體 層3,再於其上方形成有半導體層4,並且於此半導體層4 上形成有源極5及汲極6。基板亦可使用玻璃或聚對苯二 201027820 甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺等之高分子薄片類。 此時，導電體層可使用一般的ITO( Indium Tin Oxide:氧化銦錫）膜或是依據物理氣相沉積法（Physical Vapor Deposition)或有機金屬化學氣相沉積法（Metal Organic CVD: MOCVD)所形成之 Au、Cu、A1 等之單獨 金屬或Au/Ti、Cu/Ti、Al/Ti等之積層金屬，就本發明之 目的而言較理想爲可藉由印刷來製作，所以若實用上無問 題，較理想爲使用導電膏。導電膏例如有科琴黑（Ketjen Black )等導電性碳黑膏類、銀胥等導電性金屬膏。此外 ，亦可使用能夠在相對低溫下金屬化之有機金屬化合物油 墨，例如爲使用有機銀化合物之銀油墨等。 本發明之OFET中，形成絕緣體層之第一成分，爲使 下列式（1 )所示之單體及/或下列式（2 )所示之單體進 行聚合或共聚合所得之高分子化合物。此外，此高分子化 合物可溶解於有機溶劑，較理想爲以二甲基甲醯胺（ Dimethylformamide)爲溶劑時於20°C之20質量％濃度的 黏度爲30〜8,00OmPa · s。此黏度爲依據使用旋轉式黏度計 之方法所測定者。 CH2 = CHCOO-(CH2)2-CN (1) CH2 = C(CH3)COO-(CH2)2-CN (2) 具體而言，有溶解於二甲基甲醯胺等溶劑之上述式（ 1)所示之單體，亦即丙烯酸2-氰乙酯，以及上述式（2) 所示之單體，亦即甲基丙烯酸2-氰乙酯之各種同元聚合物 及此等2種單體之共聚物。 -10- 201027820 此等高分子物質，係使用自由基聚合起始劑，並藉由 使上述單體進行自由基聚合所合成。在此，自由基聚合起 始劑可使用一般所使用者，例如有2,2’-偶氮二異丁腈（ 2,2’-Azobisisobutyronitrile) 、2,2’-偶氮二（2,4-二甲基 戊腈）、2,2’-偶氮二-2-甲基丁腈等之偶氮系聚合起始劑 ，以及過氧化苯甲醯等之過氧化物系觸媒等。本發明之高 分子物質，由於須在其分子構造中具有氰基，所以自由基 聚合起始劑尤其理想爲具有腈基之偶氮系聚合起始劑。聚 合起始劑的添加量，相對於單體全體量的莫耳數，該莫耳 數比較理想爲〇_〇〇5〜0.02。聚合起始劑的添加量若少於此 ，可能因自由基失去活性等而無法充分進行聚合，若過多 ，除了難以控制聚合反應之外，亦可能使所得之高分子物 質的聚合度變得極大而不溶於溶劑等，難以供應之後的使 用。 此外’爲了控制聚合反應，亦可使用十二硫醇等之連 〇 鎖轉移劑。此時，連鎖轉移劑的添加量，相對於聚合起始 劑的莫耳數’該莫耳數比爲0.05〜1.0。連鎖轉移劑的添加 量若少於此’可能因起始劑添加量的不同而產生難以控制 聚合反應等缺失，若較此還多，可能有難以充分進行聚合 反應之情形。 聚合方法可使用總體聚合、溶液聚合、懸浮聚合、乳 化聚合等一般所知的方法。溶液聚合時的聚合溶劑，例如 有丙酮、N，N’-二甲基甲醯胺、酯類、醚類等’只要是可 溶解單體之溶劑且不會阻礙聚合反應之溶劑，則無特別限 -11 - 201027820 定。就考量到聚合反應後的精製工序，較理想爲具有與晶 析溶劑之混合性及與水之混合性的溶劑，此點來看，較理 想爲丙酮、Ν,Ν’-二甲基甲醯胺。 此外，聚合溶劑中的單體濃度雖然無特別限制，但當 將聚合反應構成爲溶液聚合時，若聚合溶劑中的單體濃度 過於稀薄，可能有無法充分進行聚合反應之情形，所以較 理想爲1 0質量％以上。當不使用聚合溶劑時，乃成爲總體 聚合。 _ 上述式（1)之丙烯酸2-氰乙酯的同元聚合物，係顯 示比介電常數較高且軟化溫度較低之傾向。另一方面，上 述式（2)之甲基丙烯酸2-氰乙酯的同元聚合物，相較於 上述式（1 )之丙烯酸2-氰乙酯的同元聚合物，係顯示比 介電常數較低且軟化溫度較高之傾向。關於比介電常數， 當作爲單體來比較上述式（1)的丙烯酸2-氰乙酯與上述 式（2)的甲基丙烯酸2-氰乙酯時，爲偶極基之氰乙基的 分子內含量，丙烯酸2-氰乙酯係較甲基丙烯酸2-氰乙酯還 ❹ 高。另一方面，關於軟化溫度，當比較丙烯酸酯的同元聚 合物與甲基丙烯酸酯的同元聚合物時，一般所知的事實爲 甲基丙烯酸酯的同元聚合物較高，此在氰乙系單體的聚合 物時亦相同。 此外，形成絕緣體層之第二成分的上述式（1)及（2 )以外之顯示聚合性及/或交聯性的有機化合物，例如有 (甲基）丙烯酸甲酯等之丙烯酸酯系化合物類、苯乙烯或 醋酸乙烯酯等之乙烯系化合物類、異氰酸酯系化合物類， -12- 201027820 只要可顯示聚合性及/或交聯性者，則無特別限定，可單 獨使用或混合複數種來使用。尤其是在聚合及/或交聯反 應後直接形成絕緣體層，所以較理想爲不需使用特別的觸 媒’例如可藉由紫外線等光線及加熱等來進行聚合及/或 交聯反應之化合物。此類化合物例如有阻隔性聚異氰酸酯 。阻隔性聚異氰酸酯，爲藉由加熱使阻隔劑游離而產生活 性異氰酸酯化合物者，例如有：甲苯二異氰酸酯、間苯二 ❹ 異氰酸酯、聯苯甲烷二異氰酸酯、六伸甲二異氰酸酯、三 甲基六伸甲二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己甲 烷六伸甲二異氰酸酯及三苯甲烷三異氰酸酯等之聚異氰酸 酯：與酚、甲酚、間苯二酚等之酚類、ε-己內醯胺（ε_ Caprolactam )、戊內醯胺等之內醯胺、丙酮肟（ Acetoxime ) 、丁酮肟、環己酮肟等之肟類、及次乙亞胺 (Ethyleneimine )等之阻隔化劑之反應物，較理想爲經肟 類進行阻隔後之脂環式聚異氰酸酯及異佛爾酮二異氰酸酯 Q 般之熱硬化性單液型的化合物。 本發明之OFET的動作’可考量爲在將電位施加於閘 極時’藉由使本發明之形成絕緣體層之第一成分的高分子 化合物所具有之偶極基的氰乙基，配向在絕緣體層_半導 體層之界面上，而使通道的形成增長。由此來看，可考量 爲比介電常數較高者會使遷移率等性能提高。此外，本發 明之形成絕緣體層之第一成分的高分子化合物，由於不具 有羥基等官能基，所以基本上可考量爲未與本發明之形成 絕緣體層之第二成分之顯示聚合性及/或交聯性的有機化 -13- 201027820 合物反應。因此可推測爲，單獨進行聚合及/或交聯之第 二成分與第一成分成爲微相區般的構造而形成絕緣體層。 此外，形成絕緣體層之第一成分，若軟化溫度過低， 可能因驅動中的溫度上升使絕緣體層變軟而無法顯示安定 的性能，所以，爲上述式（1)及（2)之單體的共聚物時 ，上述式（1)及（2)之單體的莫耳比例爲100: 0~50: 50，較理想爲90 : 10~50 : 50。式（2 )之單體的莫耳比例 若較此還多，可能使軟化溫度提高，而損及界面的柔軟性 或是使比介電常數降低。 此外，形成絕緣體層之第一成分與第二成分的比例（ 質量比）爲95: 5〜50: 50，較理想爲90: 10~50: 50。第 二成分的比例若較此還低，難以獲得上述低電壓驅動效果 ，若較此還高，可能使上述偶極基所形成之效果降低。 本發明之OF ET中，形成半導體層之物質爲有機化合 物，具體而言，例如有並五苯（Pentacene )、酞菁銅、酞 菁鐵等之金屬酞菁；α-六吩基等之低分子化合物；聚噻吩 (Polythiophene)類、聚 Π比略（Polypyrrole)類' 聚苯胺 (Polyaniline)類、聚乙決類、聚噻吩基乙烯類、聚伸苯 基乙烯類等之高分子化合物。另一方面，爲高分子化合物 時，較理想爲可溶解於有機溶劑之依據 GPC ( Gel Permeation Chromatography :凝膠滲透層析法）所測定之 聚苯乙烯換算重量平均分子量超過2,000且爲1，000,000 以下之高分子化合物，具體而言有聚噻吩類、聚吡咯類、 聚苯胺類、聚乙炔類、聚噻吩基乙烯類、聚伸苯基乙烯類 -14- 201027820 等。就考量到對有機溶劑之可溶性以及良好的加工性時， 尤其理想爲聚（3-己基噻吩）等之聚噻吩類。 於絕緣體層上形成半導體層時，當形成半導體層之物 質爲低分子化合物時，可使用真空蒸鍍等之一般的方法。 當形成半導體層之有機化合物具有不論是低分子化合物或 高分子化合物均可溶解於有機溶劑之性質時，可在絕緣體 層上進行依據溶液塗佈•乾燥所進行之積層，但此時必須 φ 溶解於不會溶解絕緣體層之有機溶劑。此係考量到當欲藉 由積層來形成半導體層與絕緣體層時，一般其界面狀態無 法一致之故。 本發明之OFET的製造方法中，例如有藉由蒸鍍在有 機絕緣體層上形成有機半導體層之方法，以及分別將有機 半導體材料與有機絕緣材料溶解於有機溶劑並進行塗佈· 乾燥之方法，後者的方法較爲簡便，因而較爲理想。此時 ’溶解用以形成絕緣體層之化合物的有機溶劑，例如有 ® N-甲基·2·咯烷酮、N，N，-二甲基甲醯胺、丙酮、乙腈、γ_ 丁內醋。另一方面，溶解用以構成半導體層之高分子化合 物的有機溶劑’例如有三氯甲烷、甲苯、己烷、醇類等。 不論何種情況，均可使用1種或混合2種以上而使用。 具體而言’係將使上述式（1)所示之單體及/或上述 式（2)所示之單體進行聚合或共聚合所得之高分子物質 、與上述式（1 )及（2 )以外之顯示聚合性及/或交聯性 的有機化合物溶解於有機溶劑而形成絕緣體層形成溶液， 將該絕緣體層形成溶液塗佈於由導電體層所形成之閘極上 -15- 201027820 並乾燥後，使硬化形成絕緣體層，然後將形成半導體層之 有機化合物溶解於不會溶解絕緣體層之有機溶劑所形成的 溶液予以塗佈並進行乾燥而形成半導體層。例如，可在從 玻璃或一般的聚合物薄片等所選出之基板上，藉由濺鍍來 形成成爲閘極之導電體層，或是藉由旋轉塗佈、網版印刷 、噴墨印刷來塗佈導電膏、導電性高分子、有機金屬化合 物油墨，並進行乾燥而形成。此外，可使用一般所能取得 之附有ITO膜之玻璃來形成閘極。 @ 藉由旋轉塗佈、網版印刷、噴墨印刷，將在有機溶劑 中溶解有形成上述絕緣體層之第一成分與第二成分的絕緣 體層形成溶液，塗佈於所形成之閘極上後，以特定的硬化 條件進行例如爲紫外光等之光硬化或熱硬化，而形成絕緣 體層。 然後藉由旋轉塗佈、網版印刷、噴墨印刷’將形成半 導體層之物質溶解於不會溶解上述絕緣體層之有機溶劑所 形成的溶液，塗佈於絕緣體層上並進行乾燥而形成半導體 Θ 層。 最後，藉由濺鍍於半導體層上形成源極與汲極’或是 藉由網版印刷、噴墨印刷來塗佈導電膏、導電性高分子、 有機金屬化合物油墨等並進行乾燥。 本發明之OFET，爲在由導電體層所形成之閘極上設 置絕緣體層，並於其上形成半導體層’然後在於半導體層 上形成源極與汲極之所謂的頂接觸構造’但亦可爲底接觸 構造，並無特別限制。動作原理’係藉由將電位施加於閘 -16- 201027820 極來形成電場，並藉由場效而在絕緣體層 產生電荷，並於半導體層中形成導電性區 通道。此係意味著絕緣體層與半導體層之 要’該界面愈平坦愈理想者。 絕緣體層的厚度爲〇·1~1〇μηι，較理范 半導體層的厚度爲50〜300nm，較理想爲 體層的厚度較理想爲30〜5 Onm，但並不限 [實施例] 以下顯示實施例及比較例來具體說明 明並不限定於此等實施例。 [實施例1] 將具有冷卻管及攪拌機之三口燒瓶丨 氣置換後，加入70g之以一般減壓蒸餾法 # 2_氰乙酯單體。接著加入163g之進行脫 作爲聚合溶劑，以及以使相對於單體之莫 之方式加入2,2’-偶氮二異丁腈作爲自由 然後再加入0.001莫耳的十二硫醇作爲連 氮氣導入管，在反應溫度60°C與反應時間 下進行反應。結束後冷卻至室溫，使反應 的甲醇，然後將析出物溶解於丙酮並以過 析出，重複此操作數次。然後使精製出的 製得大約63g之以二甲基甲醯胺爲溶劑時 附近的半導體中 域，亦即所謂的 界面狀態極爲重 !爲 0.1 〜0.3μηι， 50〜1 OOnm，導電 定於此。 本發明，但本發 〔500ml )進行氮 所蒸餾的丙烯酸 水處理後的丙酮 耳數比成爲〇. 〇 1 基聚合起始劑， 鎖轉移劑。連接 300分鐘的條件 液析出至過剩量 剩量的甲醇進行 析出物乾燥，而 於20 °C之20質 -17- 11 201027820 量％的黏度爲305mPa . s，40°C /1kHz的比介電常數約 ，軟化溫度約3(TC的聚（丙烯酸2-氰乙酯）。 形成絕緣體層之物質，使用上述製得之聚（丙烯酸 氰乙酯）作爲第一成分，使用肟系阻隔型異佛爾酮二異 酸酯（degussa 社製，VESTANAT B1358/100)作爲第二 分，以成爲20質量％之方式，調製出以第一成分與第二 分的質量比2: 1溶解於N-甲基-2-咯烷酮而成之溶液， 用0.2 μπι薄膜過濾器進行過濾，而形成絕緣體層形成用 機溶劑溶液。形成半導體層之物質，使用酞菁銅 ALDRICH社製），以下列所示之方法製作出有機場效 晶體並進行評估。 於聚醯亞胺薄膜（宇部興產社製、UPILEX-S、厚 125μιη)上，在室溫、背壓l(T4Pa的條件下藉由RF濺 法蒸鍍30nm的A1，而製作出閘極。然後將水塗佈於 膜上，於180°C加熱15秒來進行氧化，而在閘極A1表 上製作氧化鋁薄膜。 接著在表面上具有上述氧化鋁薄膜之閘極A1上， 5,OOOrpm將上述絕緣體層形成溶液進行60秒的旋轉塗 ，於180°C加熱24小時，使溶劑蒸發並硬化形成0.3μπι 絕緣體層。 接著使用酞菁銅，藉由真空蒸鍍法形成膜厚5 Onm 半導體層。 將基板冷卻至-20°C，夾介金屬遮罩，在背壓5x1 0^ 以下的條件下，藉由RF濺鍍法將40nm的Au蒸鑛於半 2- 氰 成 成 使 有 ( 電 度 鍍 A1 面 以 佈 的 的 Pa 導 201027820 體層。源極•汲極間的距離與電極寬度，分別爲50μπι的 間隔（第1圖中，L = 50pm ) 、4.0mm寬度（第1圖中， W = 4. 〇mm )。 製作出之有機場效電晶體的電特性評估，係在1·3χ l(T3Pa以下的真空·遮光下進行。 將負的閘極電壓施加於製作出之有機場效電晶體，並 在室溫（25°C )下測定電流一電壓（Isd-Vsd)特性，如第 ❹ 2圖所示，係顯示隨著閘極電壓的增加，電流値亦跟著增 加之典型的p型電晶體特性。 接著從源極•汲極電流-源極·汲極電壓曲線的通道 電導，來估算出遷移率（μ)。遷移率爲2.0xl(T3cm2/Vs， 臨界値電壓 VT爲-2.7V，可在與一般非晶矽爲同等之5V 以下的低電壓下進行驅動。 【圖式簡單說明】 ❹ 第1圖爲本發明之OFET的一種型態之立體圖。 第2圖爲本發明的實施例1之OFET的ISD-VSD特性 之圖表。 【主要元件符號說明】 1 :基板 2 :導電體層（閘極） 3 :絕緣體層 4 :半導體層 -19- 201027820 5 :源極 6 :汲極

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Claims (1)

1. 201027820 七、申請專利範团： i 一種有機場效電晶體’其係具有導電體層/絕緣體 層/半導體層構造之有機場效電晶體，其特徵爲 含有：使下列式（1)所示之單體及/或下列式（2) 所示之單體進行聚合或共聚合所得之高分子物質、與下列 式（1)及（2)以外之顯示聚合性及/或交聯性的有機化 合物予以混合所形成之絕緣體層；以及由有機化合物所形 φ 成之半導體層所成， CH2 = CHC00-(CH2)2-CN (1) CH2 = C(CH3)COO-(CH2)2-CN (2)。 2.如申請專利範圍第1項之有機場效電晶體，其中 前述高分子物質之式（1)及（2)的莫耳比例爲100: 0〜50 : 50 。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之有機場效電晶體， 其中形成前述半導體層之物質爲可溶解於有機溶劑之重量 φ 平均分子量超過2,000且爲1 ,〇〇〇,〇〇〇以下之有機化合物 〇 4. 如申請專利範圍第3項之有機場效電晶體，其中 形成則述半導體層之物質爲聚噻吩（Polythiophene)類。 5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之有機場效 電晶體，其中前述式（1)及（2)以外之顯示聚合性及/ 或交聯性的有機化合物爲異氰酸酯類。 6. 如申請專利範圍第5項之有機場效電晶體，其中 前述異氰酸酯類爲交聯性脂環式聚異氰酸酯類。 -21 - 201027820 7. —種有機場效電晶體的製造方法，其特徴胃’^ ,?)戶斤不之 使下列式（1 )所示之單體及/或下列式（/ 單體進行聚合或共聚合所得之高分子物質、與下列式 )及（2)以外之顯示聚合性及/或交聯性的有機化合物溶 解於有機溶劑之絕緣體層形成溶液，塗佈於由導電胃 形成之閘極上使硬化形成絕緣體層後’再積層半導^ CH2 = CHCOO-(CH2)2-CN ⑴ CH2 = C(CH3)COO-(CH2)2-CN (2)。 響

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