CN101685846A - 有机场效应晶体管及其生产方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种有机场效应晶体管(OFET)，它具有导体层/绝缘体层/半导体层的结构。该OFET包括通过混合通过聚合或共聚式(1)表示的单体：CH2＝CHCOO－(CH2)2－CN (1)和/或用式(2)表示的单体：CH2＝C(CH3)COO－(CH2)2－CN (2)生产的聚合物化合物；和除了式(1)或(2)表示的单体以外的可聚合和/或可交联的有机化合物形成的绝缘体层，和含有机化合物的半导体层。

Description

有机场效应晶体管及其生产方法
技术领域
本发明涉及具有导体层/绝缘体层/半导体层结构的有机场效应晶体管(OFET)，和尤其涉及在液晶显示器、挠性显示器、IC标记和类似物中使用的OFET。本发明还涉及生产OFET的方法。
背景技术
使用化合物半导体的常规硅半导体和薄层场效应晶体管(TFT)不仅用于普通的集成电路上，而且用于宽泛范围的应用中。特别地，在液晶显示器中使用TFT相当常见，和近年来随着液晶显示器的尺寸与清晰度的增加，在对应于象素数量增加的显示器中使用增加数量的TFT。
然而，在所使用的常规的金属半导体情况下，在通过光致抗蚀剂或类似物构图和在基板上形成电路过程中的蚀刻的工艺期间，必不可少地在TFT上形成轻微的缺陷。另外，在通过这种方法生产TFT的情况下，生产成本可仅仅在一定程度上下降。其他薄的显示器，例如等离子体显示器和有机EL显示器只要它们使用TFT，则遭遇相同的情形。
最近显示器的面积和清晰度增加的趋势自然导致TFT产品中缺陷的出现几率增加，因此强烈需要能最小化TFT缺陷的方法。
另外，需要通过光致抗蚀剂构图和蚀刻的方法限制了生产成本的下降。
另一方面，具有MIS(金属/绝缘体/半导体)结构的硅半导体和使用化合物半导体的TFT存在变宽的新应用，和要求器件价格与挠性的进一步下降。例举的这种应用包括IC标记、挠性显示器、可印刷的集成电路和电子纸张，和为了与这些新的应用相适应，尝试使用有机绝缘体和有机半导体，因为可低成本地生产这些有机材料，且它们具有各种功能性能，例如使得它们能在各类器件中使用的挠性。然而，对该有机绝缘体材料了解不多。例如，JP-A 5-508745公开了通过使用相对介电常数至少为5的绝缘体有机聚合物用于绝缘体层和重均分子量最多2000的多共轭有机化合物用于半导体层制备的器件具有场效应和约10-2cm2V-1s-1的迁移率。然而，α-六噻吩基用于有机半导体材料，并要求通过气相沉积形成半导体层，和仍然要求通过光致抗蚀剂构图和蚀刻的工艺，和这使得难以降低成本。
发明概述
鉴于以上所述的情况，完成了本发明，和本发明的目的是提供具有半导体层/绝缘体层/半导体层结构并通过使用有机材料生产的OFET，其中在金属半导体和绝缘体中所使用的常规的电路形成技术，亦即例如通过光致抗蚀剂或类似物构图并蚀刻的方法被通过使用有机物质的印刷技术替代，所述有机物质，亦即用于半导体层和绝缘体层的材料用聚合物物质可溶于有机溶剂，从而使得能降低以上所述的液晶显示器用TFT中的缺陷出现几率以及降低生产成本并进而生产其中阈电压低至约数伏特(相当于常规的无定形硅的值)的OFET。本发明的另一目的是提供生产这种OFET的方法。
本发明的发明人进行了深入研究以达到以上所述的目的，并发现当通过使用用于形成绝缘体层的具有相对高介电常数且不具有羟基的聚合物和除了这种聚合物以外的可聚合和/或可交联的有机化合物的混合体系，形成绝缘体层时，可通过相对简单的方法生产在相当于常规的无定形硅的低压下操作的OFET。基于上述发现，从而完成了本发明。
因此，本发明提供如下所述的有机场效应晶体管及其生产方法。
[1]一种有机场效应晶体管，它具有导体层/绝缘体层/半导体层的结构，其中该晶体管包括通过混合(i)通过聚合或共聚式(1)表示的单体：
CH2＝CHCOO-(CH2)2-CN(1)和/或用式(2)表示的单体：
CH2＝C(CH3)COO-(CH2)2-CN(2)生产的聚合物化合物；和(ii)除了式(1)或(2)表示的单体以外的可聚合和/或可交联的有机化合物形成的绝缘体层，和含有机化合物的半导体层。
[2]根据上述[1]的有机场效应晶体管，其中用式(1)表示的单体与用式(2)表示的单体的摩尔比范围为100∶0到50∶50。
[3]根据上述[1]或[2]的有机场效应晶体管，其中构成半导体层的物质是可溶于有机溶剂且重均分子量超过2000到最多1,000,000的有机化合物。
[4]根据上述[3]的有机场效应晶体管，其中构成半导体层的物质是聚噻吩。
[5]根据上述[1]-[4]任何一项的有机场效应晶体管，其中除了式(1)或(2)表示的单体以外的可聚合和/或可交联的有机化合物是异氰酸酯。
[6]根据上述[5]的有机场效应晶体管，其中异氰酸酯是可交联的脂环族多异氰酸酯。
[7]生产有机场效应晶体管的方法，它具有含导体层的栅电极、绝缘体层和半导体层，该方法包括下述步骤：
通过在由导体层组成的栅电极上涂布并固化形成绝缘体层的溶液，形成绝缘体层，所述溶液包括(i)通过聚合或共聚式(1)表示的单体：
CH2＝CHCOO-(CH2)2-CN(1)和/或用式(2)表示的单体：
CH2＝C(CH3)COO-(CH2)2-CN(2)生产的聚合物；和(ii)除了式(1)或(2)表示的单体以外的可聚合和/或可交联的有机化合物在有机溶剂内的溶液；和
在其上沉积半导体层。
[8]根据上述[7]的方法，其中用式(1)表示的单体与用式(2)表示的单体的摩尔比范围为100∶0到50∶50。
[9]根据上述[7]或[8]的方法，其中构成半导体层的物质是可溶于有机溶剂且重均分子量超过2000到最多1,000,000的有机化合物。
[10]根据上述[9]的方法，其中构成半导体层的物质是聚噻吩。
[11]根据上述[7]-[10]任何一项的方法，其中除了式(1)或(2)表示的单体以外的可聚合和/或可交联的有机化合物是异氰酸酯。
[12]根据上述[11]的方法，其中异氰酸酯是可交联的脂环族多异氰酸酯。
发明的有益效果
本发明能生产具有导体层/绝缘体层/半导体层结构的OFET，它可在相当于常规的无定形硅的低压下操作，可通过使用用于形成绝缘体层的具有相对高介电常数且不具有羟基的聚合物和除了这种聚合物以外的可聚合和/或可交联的有机化合物的混合体系，形成绝缘体层而生产。
另外，在硅半导体和无机半导体中所使用的常规的电路形成技术中，需要例如通过光致抗蚀剂或类似物构图和蚀刻的方法。相反，本发明能通过溶剂方法生产，和可通过使用喷墨和其他印刷技术容易地实现生产，和这导致在电路上降低的缺陷出现几率和降低的生产成本。
附图说明
图1是显示出本发明一个实施方案的剖视图。
图2是显示出本发明实施例1的OFET的ISD-VSD性能的图表。
具体实施方案
本发明的OFET可具有图1所示的结构，和它可包括基板1，充当栅电极的导体层2，在导体层2上形成的绝缘体层3，在绝缘体层3上的半导体层4，和在半导体层4上形成的源极5与漏极6。基板可由SiO2或玻璃基板以及聚合物片材，例如聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯或聚酰亚胺组成。
在这一情况下，常用的ITO(氧化铟锡)膜或通过物理气相沉积或有机金属化学气相沉积(MOCVD)而沉积的单一金属，例如Au、Cu或Al，或金属层压体，例如Au/Ti、Cu/Ti或Al/Ti可用于导体层。然而，优选使用导电糊剂，只要它的使用没有实际问题即可，因为鉴于本发明的目的，通过印刷成型更加充分。例举的导电糊剂包括导电炭黑糊剂，例如Ketjen Black和导电金属糊剂，例如银糊剂，以及有机金属化合物油墨，例如使用银有机化合物的银油墨(它可在相对低温下金属化)。
在本发明的OFET中，形成绝缘体层的第一组分是通过聚合或共聚式(1)表示的单体：CH2＝CHCOO-(CH2)2-CN(1)
和/或用式(2)表示的单体：CH2＝C(CH3)COO-(CH2)2-CN(2)生产的聚合物化合物。这一聚合物化合物可溶于有机溶剂内，且当以20wt％溶解在二甲基甲酰胺内时，优选在20℃下的粘度为30-8000mPa·s。这一粘度是通过使用旋转粘度计测量的数值。
更具体地，该聚合物化合物是用式(1)表示的单体、亦即丙烯酸2-氰乙酯的均聚物，或者用式(2)表示的单体、亦即甲基丙烯酸2-氰乙酯的均聚物，它可溶于例如二甲基甲酰胺之类的溶剂中；或者是这两种单体的共聚物。
可通过使用自由基聚合引发剂，通过自由基聚合这种单体，合成这些聚合物化合物。该自由基聚合引发剂可以是本领域常用的任何试剂，和实例包括偶氮聚合引发剂，例如2，2`-偶氮二异丁腈、2，2`-偶氮双(2，4-二甲基戊腈)和2，2`-偶氮双-2-甲基丁腈，和过氧化物催化剂，例如过氧化苯甲酰。本发明的聚合物化合物应当在其分子结构内具有氰基，和因此该自由基聚合引发剂最优选是具有腈基的偶氮聚合引发剂。相对于单体的总摩尔量，优选以0.005-0.02的摩尔量添加该聚合引发剂。当以小于这一用量的用量添加聚合物时，聚合的进度可能不足，这是因为例如自由基失活所致。另一方面，过量添加将导致难以控制聚合反应，和还导致所得聚合物化合物过高的聚合度，和这可导致聚合物化合物不溶以及在其随后使用中的其他难题。
也可使用链转移剂，例如月桂基硫醇控制聚合反应。在这一情况下，相对于聚合引发剂的摩尔量，可以以0.05-1.0的摩尔量使用链转移剂。当链转移剂的用量小于这一范围时，取决于引发剂的用量，可能难以控制聚合反应，而超过这一范围的用量可导致聚合反应不足。
可通过本领域中通常已知的方法，例如本体聚合、溶液聚合、悬浮聚合和乳液聚合进行聚合。在溶液聚合的情况下，没有特别限定在聚合中所使用的溶剂，只要在没有抑制聚合的情况下，它可溶解单体即可，和例举的这种溶剂包括丙酮、N，N`-二甲基甲酰胺、酯类和醚类。鉴于聚合之后的纯化，所使用的溶剂优选与结晶溶剂混溶且与水混溶的溶剂，和优选的溶剂包括丙酮和N，N`-二甲基甲酰胺。
也没有特别限定单体在聚合溶剂内的浓度。然而，浓度优选为至少10wt％，因为当聚合溶剂内的单体浓度过低时，聚合不足。在没有使用聚合溶剂的情况下，聚合将是本体聚合。
式(1)表示的丙烯酸2-氰乙酯的均聚物倾向于具有相对高的介电常数和低的软化温度，另一方面，与式(1)表示的丙烯酸2-氰乙酯的均聚物相比，式(2)表示的甲基丙烯酸2-氰乙酯的均聚物倾向于具有相对低的介电常数和高的软化温度。当作为单体比较式(1)的丙烯酸2-氰乙酯和式(2)的甲基丙烯酸2-氰乙酯时，丙烯酸2-氰乙酯在分子内含有偶极基团，亦即其氰乙基高于甲基丙烯酸2-氰乙酯中的氰乙基，和这将导致相对介电常数差别。同时，当比较丙烯酸酯均聚物和甲基丙烯酸酯均聚物的软化温度时，公知甲基丙烯酸酯均聚物具有较高的软化温度，这对于氰乙基单体的聚合物而言也是如此。
除了式(1)或(2)表示的单体以外的可聚合和/或可交联的有机化合物的实例包括丙烯酸酯化合物，例如(甲基)丙烯酸甲酯；乙烯基化合物，例如苯乙烯和乙酸乙烯酯；和异氰酸酯化合物。然而，没有特别限定可聚合和/或可交联的有机化合物，只要它可聚合和/或可交联即可，和可结合使用两种或更多种这些化合物。鉴于在没有任何后处理的情况下通过聚合和/或交联形成绝缘体层，因此可聚合和/或可交联的有机化合物优选是可在没有使用任何特定催化剂的情况下，通过UV辐射、加热或类似操作聚合和/或交联的物质，和例举的这种化合物尤其包括封端的多异氰酸酯。当加热时，封端的多异氰酸酯通过释放封端剂，产生活性异氰酸酯化合物。例举的封端多异氰酸酯包括多异氰酸酯化合物，例如甲苯二异氰酸酯、间苯二异氰酸酯、二苯甲烷二异氰酸酯、己二异氰酸酯、三甲基己二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷己二异氰酸酯或三苯甲烷三异氰酸酯与封端剂，例如酚类化合物，例如苯酚、甲酚或间苯二酚，内酰胺，例如ε-己内酰胺或戊内酰胺，肟，例如丙酮肟、甲乙酮肟，或环己烷肟，或环乙亚胺的反应产物；和优选热固性单组分化合物，例如用肟封端的脂环族多异氰酸酯和异佛尔酮二异氰酸酯。
认为当施加电势到栅极上时，本发明的OFET通过在绝缘体层和半导体层之间的界面处聚合物化合物内氰乙基(所述氰乙基是偶极基团)的取向实现的沟道加强而起作用，所述聚合物化合物是构成本发明绝缘体层的第一组分。因此，认为相对较高的介电常数对应于较高的性能，其中包括迁移率。还认为该聚合物化合物(它是构成本发明绝缘体层的第一组分)不具有例如羟基之类的官能团，因此这一聚合物将不与可聚合和/或可交联的有机化合物(它是构成本发明绝缘体层的第二组分)反应，因此，认为绝缘体层具有含已独立地自身聚合和/或交联的第二组分和第一组分的微区(microdomain)结构。
另外，当软化温度太低时，构成绝缘体层的第一组分不可能显示出稳定的性能，这是由于通过增加操作过程中的温度使绝缘体层软化导致的。因此，在式(1)的单体与式(2)的单体的共聚物内式(1)的单体与式(2)的单体的摩尔比优选为100∶0到50∶50，和更优选90∶10到50∶50。当式(2)的单体的摩尔比高于这一范围时，在界面处的挠性或者相对介电常数可证明不足，因为软化温度增加。
形成绝缘体层的第一组分与第二组分之比(重量比)优选在95∶5到50∶50范围内，和更优选90∶10到50∶50。当该比值低于这一范围时，不可能实现在低压下操作OFET的优点，而比这一范围高的比值可导致如上所述的偶极基团实现的效果下降。
在本发明的OFET中，构成半导体层的物质是有机化合物，和这种有机化合物的实例包括并五苯、金属酞菁，例如酞菁铜和酞菁铁，低分子量化合物，例如α-六噻吩基，和高分子量化合物，例如聚噻吩类、聚吡咯类、聚苯胺类、聚乙炔类、聚亚噻吩基亚乙烯基类，和聚亚苯基亚乙烯基类。当有机化合物是高分子量化合物时，优选在有机溶剂中可溶且平均分子量(当通过GPC测量时，相对于聚苯乙烯)超过2000到最多1,000,000的那些，例如聚噻吩类，聚吡咯类，聚苯胺类，聚乙炔类，聚亚噻吩基亚乙烯基类，和聚亚苯基亚乙烯基类。鉴于在有机溶剂内的溶解度和良好的可操作性，优选聚噻吩类，例如聚(3-己基噻吩)。
当形成半导体层所使用的物质是低分子量化合物时，可通过本领域常用的方法，例如真空沉积，在绝缘体层上形成半导体层。当形成半导体层所使用的物质是在有机溶剂内可溶的物质时，不管它是低分子量化合物还是高分子量化合物，可通过涂布该溶液，接着干燥，在绝缘体层上形成半导体层。然而，在这一情况下，形成半导体层所使用的物质应当在有机溶剂内溶解，其中绝缘体层在所述有机溶剂内不可溶，因为否则在半导体层和绝缘体层之间的界面不均匀。
如上所述，可通过气相沉积，在有机绝缘体层上沉积有机半导体层，或者通过在有机溶剂内制备有机半导体材料的溶液和在有机溶剂内制备有机绝缘体材料的溶液，并涂布和干燥每一溶液，从而生产本发明的OFET。优选涂布方法，因为该方法简单。在这一情况下，溶解绝缘体层用化合物可使用的例举的有机溶剂包括N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N`-二甲基甲酰胺、丙酮、乙腈和γ-丁内酯，和优选可溶解用于形成绝缘体层的第一组分与第二组分的溶剂。另一方面，溶解半导体层用高分子量化合物可使用的例举的有机溶剂包括氯仿、甲苯、己烷和醇。在这两种情况下，以上提及的溶剂可单独或结合两种或更多种使用。
更具体地，在含导体层的栅电极上涂布形成绝缘体层的溶液，所述溶液包括通过聚合或共聚式(1)表示的单体和/或式(2)表示的单体获得的聚合物和除了式(1)或(2)表示的单体以外的可聚合和/或可交联的有机化合物在有机溶剂中的溶液，干燥并固化，形成绝缘体层；和在该绝缘体层上涂布形成半导体层用的有机化合物在绝缘体层于其内不可溶的有机溶剂中的溶液，并干燥，形成半导体层。例如，通过在由SiO2、玻璃或本领域中常用的聚合物片材组成的基板上溅射，形成起充当栅电极作用的导体层；或者可通过旋涂、筛网印刷、喷墨印刷或类似方法，在这种基板上涂布导电糊剂、导电大分子、有机金属化合物油墨或类似物，并干燥，形成导体层。具有可容易获得的ITO膜的玻璃也可用于该栅电极。
然后，通过旋涂、筛网印刷或喷墨印刷，在如此形成的栅电极上涂布形成绝缘体层的溶液，所述溶液包括绝缘体层的第一组分和第二组分在有机溶剂内的溶液，并在预定的固化条件下，使用UV光固化或热固化，固化该涂层，形成绝缘体层。
然后，通过旋涂、筛网印刷或喷墨印刷，在绝缘体层上涂布形成半导体层用有机化合物在绝缘体层于其内不可溶的有机溶剂中的溶液，并干燥该涂层，形成半导体层。
最后，通过溅射，或者通过涂布导电糊剂、导电大分子、有机金属化合物油墨，或通过筛网印刷或喷墨印刷的类似方法，接着干燥，在半导体层上形成源极和漏极。
本发明的OFET可具有所谓的顶部接触结构，所述顶部接触结构包括充当栅电极的导体层，在栅电极上形成的绝缘体层，在绝缘体层上的半导体层，和在半导体层上的源极和漏极，但它也可具有底部接触结构，和OFET没有特别限于其结构。本发明的OFET通过场效应，在绝缘体层附近的半导体层内形成的电荷，通过在半导体层内形成导电区域(亦即，所谓的沟道)而起作用，所述场效应是由于施加到栅极上的电势形成的电场导致的。因此，在绝缘体层和半导体层之间的界面非常重要，和优选比较光滑的界面。
绝缘体层的厚度可优选为0.1-10微米，和尤其0.1-0.3微米。半导体层的厚度可优选为50-300纳米，和尤其50-100纳米。导体层的厚度可优选30-50纳米，和厚度不限于这一范围。
实施例
接下来，通过参考实施例和对比例，进一步详细地描述本发明，所述实施例和对比例决不限制本发明的范围。
实施例1
用氮气吹扫配有冷凝器和搅拌器的三颈烧瓶(500ml)，并添加70g通过常规减压蒸馏方法蒸馏的丙烯酸2-氰乙酯单体。接下来，添加163g无水丙酮(聚合溶剂)，相对于单体摩尔比为0.01的2，2`-偶氮二异丁腈(自由基引发剂)和0.001mol月桂基硫醇(链转移剂)。连接氮气入口管，并允许反应在60℃的反应温度下进行300分钟的反应时间。在完成反应之后，冷却反应混合物到室温，并将该反应混合物加入到过量的甲醇中，以收集沉淀。将沉淀溶解在丙酮内，并反复在过量甲醇内沉淀。干燥纯化的沉淀，获得约63g聚(丙烯酸2-氰乙酯)，当将其以20wt％溶解在二甲基甲酰胺内时，在20℃下的粘度为305mPa·s，在40℃/1kHz下的相对介电常数为约11，和软化温度为约30℃。
在形成绝缘体层中，以上所述制备的聚(丙烯酸2-氰乙酯)用作第一组分，和肟封端的异佛尔酮二异氰酸酯(由Degussa制造的VESTANATB1358/100)用作第二组分，和通过以2∶1的重量比使用第一组分与第二组分，并在N-甲基-2吡咯烷酮中溶解第一和第二组分，以便这些组分占溶液重量的20％，制备溶液。将该溶液过滤通过0.2微米的膜过滤器，和这一溶液用作在有机溶剂内形成绝缘体层的溶液。酞菁铜(由ALDRICH制造)用于形成半导体层，和通过以下所述的工序，制备有机场效应晶体管以供评价。
在室温和10-4Pa的反压下，通过RF溅射，将铝沉积在聚酰亚胺膜(由Ube Industries，Ltd.制造的Upilex-S，其厚度为125微米)上到30纳米的厚度，形成栅电极。然后在铝膜上涂布水，并在180℃下氧化铝膜15秒，于是在铝栅电极的表面上形成氧化铝薄层。
接下来，通过在5000rpm下旋涂60秒，将形成绝缘体层的溶液施加到在其表面上具有氧化铝薄层的铝栅电极上。在180℃下加热涂层24小时，于是蒸发溶剂并固化涂层，形成厚度为0.3微米的绝缘体层。
接下来，通过气相沉积酞菁铜，形成厚度为50纳米的半导体层。
然后冷却基板到-20℃，并通过使用金属掩膜，通过蒸汽沉积，通过在最多5×10-4Pa的反压下RF溅射，在半导体层上施加金到40纳米。源极和漏极之间的距离(在图1中的L)为50微米，和电极的宽度(图1中的W)为4.0毫米。
在最多1.3×10-3Pa的真空下和在遮光器(shade)内评价如此生产的有机场效应晶体管。
更具体地，将负栅极电压施加到如此生产的有机场效应晶体管上，在室温(25℃)下测量电流对电压(ISD-VSD)的特征。观察对于p-型晶体管典型的特征，和如图2所示，随着栅极电压增加，电流增加。
接下来，根据源-漏电流对源-漏电压曲线的沟道传导性，估计迁移率(u)。估计迁移率为2.0×10-3cm2/Va，和阈电压VT为-2.7V，和晶体管可在相当于常规无定形硅的最多5V的低压下操作。

Claims (12)

1.一种有机场效应晶体管，它具有导体层/绝缘体层/半导体层的结构，其中该晶体管包括通过混合(i)通过聚合或共聚式(1)表示的单体：
CH2＝CHCOO-(CH2)2-CN(1)和/或用式(2)表示的单体：
CH2＝C(CH3)COO-(CH2)2-CN(2)生产的聚合物化合物；和(ii)除了式(1)或(2)表示的单体以外的可聚合和/或可交联的有机化合物形成的绝缘体层，和含有机化合物的半导体层。
2.权利要求1的有机场效应晶体管，其中用式(1)表示的单体与用式(2)表示的单体的摩尔比范围为100∶0到50∶50。
3.权利要求1的有机场效应晶体管，其中构成半导体层的物质是可溶于有机溶剂且重均分子量超过2000到最多1,000,000的有机化合物。
4.权利要求3的有机场效应晶体管，其中构成半导体层的物质是聚噻吩。
5.权利要求1的有机场效应晶体管，其中除了式(1)或(2)表示的单体以外的可聚合和/或可交联的有机化合物是异氰酸酯。
6.权利要求5的有机场效应晶体管，其中异氰酸酯是可交联的脂环族多异氰酸酯。
7.生产有机场效应晶体管的方法，它具有含导体层的栅电极、绝缘体层和半导体层，该方法包括下述步骤：
通过在由导体层组成的栅电极上涂布并固化形成绝缘体层的溶液，形成绝缘体层，所述溶液包括(i)通过聚合或共聚式(1)表示的单体：
CH2＝CHCOO-(CH2)2-CN(1)和/或用式(2)表示的单体：
CH2＝C(CH3)COO-(CH2)2-CN(2)生产的聚合物；和(ii)除了式(1)或(2)表示的单体以外的可聚合和/或可交联的有机化合物在有机溶剂内的溶液；和
在其上沉积该半导体层。
8.权利要求7的方法，其中用式(1)表示的单体与用式(2)表示的单体的摩尔比范围为100∶0到50∶50。
9.权利要求7的方法，其中构成半导体层的物质是可溶于有机溶剂且重均分子量超过2000到最多1,000,000的有机化合物。
10.权利要求9的方法，其中构成半导体层的物质是聚噻吩。
11.权利要求7的方法，其中除了式(1)或(2)表示的单体以外的可聚合和/或可交联的有机化合物是异氰酸酯。
12.权利要求11的方法，其中异氰酸酯是可交联的脂环族多异氰酸酯。
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