JP2010010608A - 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにこの有機トランジスタを用いたディスプレイ用部材及びディスプレイ - Google Patents

Abstract

【課題】 低温でゲート絶縁膜を形成することが可能な有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】 本発明の有機薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、これらの間の電流経路となる有機半導体層と、電流経路を通る電流を制御するゲート電極と、有機半導体層とゲート電極とを絶縁する絶縁層とを備え、絶縁層が、分子内に電磁線又は熱により活性水素基と反応する官能基を生成する基を２個以上有する第１の化合物と、分子内に活性水素基を２個以上有する第２の化合物とを含み、且つ第１及び第２の化合物の少なくとも一方が高分子化合物である組成物の硬化物からなることを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、並びにこの有機トランジスタを用いたディスプレイ用部材及びディスプレイに関する。

電子ペーパー等のフレキシブルな表示デバイスの基板としては、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート等のプラスチック基板が検討されている。ところが、これらのプラスチック基板は、加熱時に僅かに伸張や収縮を生じる問題があるため、耐熱性の向上が求められている。一方、上記デバイスの基板に搭載するトランジスタとしては、薄型且つ柔軟性に優れることから有機薄膜トランジスタが注目されている。プラスチック基板は、上記のようにこれまで十分な耐熱性を有していなかったので、基板上に有機薄膜トランジスタを製造するプロセスは、できるだけ低温で行なえることが望ましい。

有機薄膜トランジスタの製造プロセスにおいては、一般に、ゲート電極と有機半導体層との間に設けられる絶縁層であるゲート絶縁膜を成膜・硬化するプロセスに特に高温が要求される。そのため、有機薄膜トランジスタの製造プロセスの低温化には、ゲート絶縁膜の形成工程を低温化することが重要である。

ゲート絶縁膜を低温で形成する方法としては、ゲート電極の表面を陽極酸化する方法（特許文献１参照）や、化学気相堆積法で成膜する方法（特許文献２参照）等が知られている。しかしながら、これらの方法は、ゲート絶縁膜の形成プロセスが煩雑である。

そこで、ゲート絶縁膜を低温で且つ簡便に形成する手法として、塗布等の手段により成膜を行うことが検討されている。例えば、下記非特許文献１には、ポリ（４−ビニルフェノール）やポリ（メラミン−ホルムアルデヒド）をスピンコートし、２００℃で硬化させてゲート絶縁膜を形成したことが示されている。
特開２００３−２５８２６０号公報 特開２００４−７２０４９号公報 Hagen Klauk et al., J. Appl. Phys., Vol.92., No.9., p.5259-5263(2002)

上述した非特許文献１に示される方法の場合、ゲート絶縁膜の形成には、高温で材料の硬化を行う必要があった。ところが、このような硬化に要する温度においては、プラスチック基板の熱による伸縮を十分には抑制できない場合も多く、例えば、微細な画素を有する表示デバイスを作製する場合に、その影響を無視できなくなる。したがって、近年では、さらなる低温でゲート絶縁膜が形成可能となることが求められている。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、低温でゲート絶縁膜を形成することが可能な有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。本発明はまた、かかる有機薄膜トランジスタを用いたディスプレイ用部材及びディスプレイを提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の有機薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、これらの間の電流経路となる有機半導体層と、電流経路を通る電流を制御するゲート電極と、有機半導体層とゲート電極とを絶縁する絶縁層とを備え、絶縁層が、分子内に電磁線又は熱により活性水素基と反応する官能基（以下、「反応性官能基」という。）を生成する基（以下、「解離性基」という。）を２個以上有する第１の化合物と、分子内に活性水素基を２個以上有する第２の化合物とを含み、且つ第１及び第２の化合物の少なくとも一方が高分子化合物である組成物の硬化物からなることを特徴とする。

上記本発明の有機薄膜トランジスタは、絶縁層が上記の組成物の硬化物から形成されたものである。これらの組成物においては、第１の化合物に電磁線又は熱を加えることにより解離性基から反応性官能基が生成し、次いで、この反応性官能基と第２の化合物における活性水素基との反応が生じて硬化が進行する。ここで、第１の化合物は、電磁線又は熱によって反応性官能基を容易に生じることができ、これにより生じた反応性官能基も、第２の化合物の活性水素基と容易に反応することができる。そのため、上述した組成物の硬化には、電磁線の照射か比較的低温での加熱を行えばよく、従来のような高温は必要とされない。したがって、上記本発明の有機薄膜トランジスタは、低温であっても良好に絶縁層（ゲート絶縁膜）を形成することが可能なものとなる。

また、上記の組成物の硬化物からなる絶縁層は、低温での形成が可能であるだけでなく、リーク電流を生じることが少なく、高い電圧が印加されても破壊を生じ難く、また電圧の変化に対する電流の変化の履歴（ヒステリシス）が安定しているなど、有機薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とした場合に優れた特性を発揮することができる。そのため、このような絶縁層を備える本発明の有機薄膜トランジスタは、優れたトランジスタ特性を発揮し得るほか、高い耐久性及び信頼性を有するものとなり得る。

上記本発明の有機薄膜トランジスタにおいて、電磁線又は熱により活性水素基と反応する官能基を生成する基（解離性基）は、ブロックされたイソシアネート基又はブロックされたイソチオシアネート基であると好ましい。これらの基は、電磁線又は熱を加えることによって容易に反応性官能基であるイソシアネート基又はイソチオシアネート基を生成することができるため、より低温で絶縁層を形成することが可能なものとなる。

このようなブロックされたイソシアネート基又はブロックされたイソチオシアネート基としては、下記一般式（１ａ）で表される基又は下記一般式（１ｂ）で表される基が好適である。

［式中、Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４及びＲ^１５は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基を表す。］

より具体的には、上述した第１の化合物としては、下記一般式（２ａ）で表される構造単位及び下記一般式（２ｂ）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位と、下記一般式（２ｃ）で表される構造単位、下記一般式（２ｄ）で表される構造単位及び下記一般式（２ｅ）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位とを有する高分子化合物が好ましい。

［式中、Ｘ^２１及びＸ^２２は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２０３、Ｒ^２０４、Ｒ^２０５、Ｒ^２０６、Ｒ^２０７、Ｒ^２０８、Ｒ^２０９、Ｒ^２１０、Ｒ^２１１、Ｒ^２１２、Ｒ^２１３、Ｒ^２１４、Ｒ^２１５、Ｒ^２１６、Ｒ^２１７及びＲ^２１８は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基を表し、Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｂ、Ｒ_Ｃ、Ｒ_Ｄ及びＲ_Ｅは、それぞれ独立に炭素数１〜２０の２価の有機基を表し、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ及びｕは、それぞれ独立に０〜２０の整数である。］

本発明はまた、上述した構成を有する本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。すなわち、本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法は、ソース電極と、ドレイン電極と、これらの間の電流経路となる有機半導体層と、電流経路を通る電流を制御するゲート電極と、有機半導体層とゲート電極とを絶縁する絶縁層とを備える有機薄膜トランジスタの製造方法であって、絶縁層を、当該絶縁層を形成する面上に、分子内に電磁線又は熱により活性水素基と反応する官能基を生成する基を２個以上有する第１の化合物と、分子内に活性水素基を２個以上有する第２の化合物とを含み、第１及び第２の化合物の少なくとも一方が高分子化合物である組成物を塗布し、硬化させることにより形成することを特徴とする。

このように、本発明の有機薄膜トランジスタの製造方法においては、絶縁層を、上記の組成物を塗布した後、硬化させることによって形成することから、絶縁層の形成を低温で且つ簡便に行うことが可能となる。

本発明はさらに、上記本発明の有機薄膜トランジスタを用いたディスプレイ用部材、及びこのディスプレイ用部材を備えるディスプレイを提供する。これらのディスプレイ用部材及びディスプレイは、低温での形成が可能な上記本発明の有機薄膜トランジスタを用いたものであることから、プラスチック基板の変形等が極めて抑制されており、例えば微細な画素を有するようなディスプレイ等とすることが容易である。

本発明によれば、低温でゲート絶縁膜を形成することが可能な有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することが可能となる。そして、好ましい実施形態では、このようにして得られた有機薄膜トランジスタは、閾値電圧、ＯＮ／ＯＦＦ比及びヒステリシスが優れたものとなる。また、かかる有機薄膜トランジスタを用い、微細な画素を有するディスプレイやそのディスプレイ用の部材を提供することが可能となる。

以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について説明する。なお、図面の説明において、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明については省略することとする。

［有機薄膜トランジスタ］
図１は、第１実施形態に係る有機薄膜トランジスタ（以下、単に「トランジスタ」と称する）の断面構成を模式的に示す図であり、図２は、第２実施形態に係るトランジスタの断面構成を模式的に示す図である。図１に示す第１実施形態のトランジスタは、いわゆるトップゲート型のトランジスタであり、図２に示す第２実施形態のトランジスタは、いわゆるボトムゲート型のトランジスタであるが、本発明のトランジスタは、必ずしもこれらの形態に限定されない。

図１に示すように、第１実施形態のトランジスタ１００は、基板１０上に、ソース電極１２及びドレイン電極１４、有機半導体層１６、ゲート絶縁層（絶縁層）１８、並びにゲート電極１９がこの順に設けられている。

このトランジスタ１００において、ソース電極１２及びドレイン電極１４は、基板１０上に所定の間隔をあけて設けられている。有機半導体層１６は、ソース電極１２及びドレイン電極１４の少なくとも一部をそれぞれ覆うようにして基板１０上に形成されている。有機半導体層１６は、このようにソース電極１２及びドレイン電極１４の両方と接することで、これらの電極間の電流経路となる。

また、ゲート絶縁層１８は、下部に形成されたソース電極１２、ドレイン電極１４及び有機半導体層１６の全てを覆うように設けられている。さらに、ゲート電極１９は、このゲート絶縁層１８上に設けられている。このように、ゲート絶縁層１８が、有機半導体層１６とゲート電極１９との間に形成されることで、有機半導体層１６とゲート電極１９とが絶縁される。

一方、図２に示すように、第２実施形態のトランジスタ２００は、基板２０上に、ゲート電極２９、ゲート絶縁層２８、ソース電極２２及びドレイン電極２４、有機半導体層２６、並びにトップコート３０がこの順に設けられている。

このトランジスタ２００において、ゲート電極２９は、基板２０上に直接設けられており、このゲート電極２９を覆うようにゲート絶縁層２８が形成されている。ゲート絶縁層２８上には、ソース電極２２及びドレイン電極２４が所定の間隔をあけて設けられている。また、有機半導体層２６は、ゲート絶縁層２８上に、ソース電極２２及びドレイン電極２４の少なくとも一部をそれぞれ覆うようにして設けられている。

有機半導体層２６は、このようにソース電極２２及びドレイン電極２４の両方と接することで、これらの電極間の電流経路となる。また、有機半導体層２６とゲート電極２９とは、これらの間にゲート絶縁層２８が形成されることによって絶縁されている。

そして、トランジスタ２００においては、上記のような素子構造を全て覆うようにして基板２０上にトップコート３０が設けられている。これにより、素子構造、特に外部との接触で劣化しやすい有機半導体層２６が保護されている。

上述したトランジスタ１００及び２００において、まず、基板１０及び２０は、ガラス基板やプラスチック基板等の公知の基板によって構成される。ただし、後述するように、本発明のトランジスタは、低温形成が可能なものであることから、基板１０，２０として、通常では熱によって伸縮等を生じ易いプラスチック基板を良好に適用することが可能である。プラスチック基板を適用することで、トランジスタ１００，２００の軽量化やフレキシブル化が容易となる。

ゲート電極１９，２９は、導電性材料から構成される。導電性材料としては、アルミニウム、金、白金、銀、銅、クロム、ニッケル、チタン等の金属、ＩＴＯ等の導電性酸化物、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸の混合高分子等の導電性高分子等が例示できる。また、金属微粒子、カーボンブラック、グラファイト微粉がバインダー中に分散した導電性材料も適用できる。また、ソース電極１２，２２やドレイン電極１４，２４も、ゲート電極１９，２９と同様の導電性材料によって構成されるものを適用できる。

有機半導体層１６，２６としては、低分子有機半導体材料や高分子有機半導体材料からなるものを適用できる。低分子有機半導体材料としては、例えばペンタセン等が挙げられる。また、高分子有機半導体材料としては、例えばポリ−３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）やフルオレンジチオフェン（Ｆ８Ｔ２）等が挙げられる。なお、有機半導体層１６，２６は、半導体として機能し得る有機材料から構成される。

トランジスタ１００，２００におけるゲート絶縁層１８，２８（絶縁層）は、分子内に電磁線又は熱により活性水素基と反応する官能基（反応性官能基）を生成する基（解離性基）を２個以上有する第１の化合物と、分子内に活性水素基を２個以上有する第２の化合物とを含み、第１及び第２の化合物の少なくとも一方が高分子化合物である組成物の硬化物によって構成されるものである。

以下、ゲート絶縁層１８，２８を構成する組成物（以下、「絶縁性組成物」という。）及びその硬化物について詳細に説明する。

絶縁性組成物においては、第１の化合物及び第２の化合物の少なくとも一方が高分子化合物である。すなわち、絶縁性組成物の組み合わせとしては、第１及び第２の化合物の両方が高分子化合物である場合と、第１及び第２の化合物のいずれか一方が高分子化合物であり、他方が低分子化合物である場合が挙げられる。本明細書において、「高分子化合物」とは、分子中に同じ構造単位が複数繰り返された構造を含む化合物をいい、いわゆる２量体もこれに含まれる。一方、「低分子化合物」とは、分子中に同じ構造単位を繰り返し有していない化合物を意味する。

まず、第１の化合物について説明する。

第１の化合物において、解離性基としては、ブロックされたイソシアネート基（以下、「ブロックイソシアネート基」という。）、ブロックされたイソチオシアネート基（以下、「ブロックイソチオシアネート基」という。）等が挙げられる。

解離性基としては、ブロックイソシアネート基又はブロックイソチオシアネート基が好ましい。ブロックイソシアネート基又はブロックイソチオシアネート基は、熱により反応性官能基であるイソシアネート基又はイソチオシアネート基をそれぞれ生成する。

ブロックイソシアネート基又はブロックイソチオシアネート基とは、ブロック化剤によってブロックされたイソシアネート基又はイソチオシアネート基である。このブロック化剤としては、イソシアネート基又はイソチオシアネート基と反応してこれらを保護する基を形成し得る化合物であり、例えば、イソシアネート基又はイソチオシアネート基と反応し得る活性水素基を一個有する化合物が挙げられる。特に、ブロック化剤としては、ブロック化後、１７０℃以下の温度を加えることで解離（脱ブロック）し、再びイソシアネート基又はイソチオシアネート基を生成し得るものが好ましい。

このようなブロック化剤としては、例えば、アルコ−ル系、フェノ−ル系、活性メチレン系、メルカプタン系、酸アミド系、酸イミド系、イミダゾール系、尿素系、オキシム系、アミン系、イミド系、ピリジン系化合物、ピラゾール系化合物等の化合物が挙げられる。ブロック化剤としては、これらを単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。なかでも、オキシム系化合物又はピラゾール系化合物が好適である。

より具体的には、ブロック化剤としては、アルコ−ル系化合物としてメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、２−エチルヘキサノール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビトール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール等が挙げられ、フェノール系化合物としてフェノール、クレゾール、エチルフェノール、ブチルフェノール、ノニルフェノール、ジノニルフェノール、スチレン化フェノール、ヒドロキシ安息香酸エステル等が挙げられる。活性メチレン系化合物としては、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセチルアセトン等が挙げられ、メルカプタン系化合物としては、ブチルメルカプタン、ドデシルメルカプタン等が挙げられる。

また、ブロック化剤である酸アミド系化合物としては、アセトアニリド、酢酸アミド、ε−カプロラクタム、δ−バレロラクタム、γ−ブチロラクタム等が挙げられ、酸イミド系化合物としては、コハク酸イミド、マレイン酸イミド等が挙げられる。イミダゾール系化合物としては、イミダゾール、２−メチルイミダゾール等が挙げられ、尿素系化合物としては、尿素、チオ尿素、エチレン尿素等が挙げられる。アミン系化合物としては、ジフェニルアミン、アニリン、カルバゾール等が挙げられ、イミン系化合物としては、エチレンイミン、ポリエチレンイミン等が挙げられる。重亜硫酸塩としては、重亜硫酸ソーダ等が挙げられ、ピリジン系化合物としては２−ヒドロキシピリジン、２−ヒドロキシキノリン等が挙げられる。さらに、オキシム系化合物としては、ホルムアルドオキシム、アセトアルドオキシム、アセトオキシム、メチルエチルケトオキシム、シクロヘキサノンオキシム等が挙げられ、ピラゾール系化合物としては、３，５−ジメチルピラゾール、３，５−ジエチルピラゾール等が挙げられる。

一方、電磁線の照射により脱ブロックするブロック化剤としては、オルト−ニトロベンジル基、α、α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル基等が挙げられる。

上述したブロックイソシアネート基又はブロックイソチオシアネート基としては、下記一般式（１ａ）又は（１ｂ）で表される基が好適である。

［式中、Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４及びＲ^１５は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基を表す。］

ここで、これらのブロックイソシアネート基又はブロックイソチオシアネート基において、Ｒ^１１〜Ｒ^１５で表される基としての炭素数１〜２０の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれの基であってもよく、飽和基であっても不飽和基であってもよい。

この炭素数１〜２０の一価の有機基としては、例えば、炭素数１〜２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜２０の分岐状炭化水素基、炭素数３〜２０の環状炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜６の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜６の分岐状炭化水素基、炭素数３〜６の環状炭化水素基又は炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基である。

なお、これらの炭素数１〜２０の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜２０の分岐状炭化水素基、炭素数３〜２０の環状炭化水素基は、一部の水素原子がフッ素原子によって置換されたものであってもよい。また、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基は、アルキル基、ハロゲン原子などで置換されていてもよい。

炭素数１〜２０の一価の有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基、ペンタフルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基等が挙げられる。

上述したようなブロックイソシアネート基としては、Ｏ−（メチリデンアミノ）カルボキシアミノ基、Ｏ−（１−エチリデンアミノ）カルボキシアミノ基、Ｏ−（１−メチルエチリデンアミノ）カルボキシアミノ基、Ｏ−［１−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ基、１−（３，５−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ基、１−（３−エチル−５−メチルピラゾリル）カルボニルアミノ基、１−（３，５−ジエチルピラゾリル）カルボニルアミノ基、１−（３−プロピル−５−メチルピラゾリル）カルボニルアミノ基、１−（３−エチル−５−プロピルピラゾリル）カルボニルアミノ基等が挙げられる。

また、ブロックイソチオシアネート基としては、Ｏ−（メチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ基、Ｏ−（１−エチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ基、Ｏ−（１−メチルエチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ基、Ｏ−［１−メチルプロピリデンアミノ］チオカルボキシアミノ基、１−（３，５−ジメチルピラゾリル）チオカルボニルアミノ基、１−（３−エチル−５−メチルピラゾリル）チオカルボニルアミノ基、１−（３，５−ジエチルピラゾリル）チオカルボニルアミノ基、１−（３−プロピル−５−メチルピラゾリル）チオカルボニルアミノ基、１−（３−エチル−５−プロピルピラゾリル）チオカルボニルアミノ基等が挙げられる。

第１の化合物は、上述した解離性基を２個以上有する高分子化合物又は低分子化合物である。

以下、まず、第１の化合物が高分子化合物である場合について説明する。

第１の化合物が高分子化合物である場合、解離性基は、高分子化合物を構成する主鎖に直接結合していてもよく、所定の基を介して結合していてもよい。また、解離性基は、高分子化合物を構成する構造単位に含まれていてもよいが、その場合、各構造単位に含まれていてもよく、一部の構造単位にのみ含まれていてもよい。絶縁性組成物を適度に硬化させてゲート絶縁層１８，２８に良好な柔軟性を付与する観点からは、解離性基は、一部の構造単位にのみ含まれていることが好ましい。さらに、解離性基は、高分子化合物の末端にのみ結合していてもよい。

高分子化合物からなる第１の化合物は、例えば、解離性基及び不飽和結合（例えば、二重結合）を分子内に有する単量体化合物（モノマー）を、単独で重合させるか、他の共重合性化合物（共重合モノマー）とともに共重合させて重合体を形成することによって得ることができる。また、第１の化合物は、上記のモノマーとして、解離性基に代えて反応性官能基を有するものを用い、これを重合して重合体を形成した後に、得られた重合体における反応性官能基を解離性基に変更することによって得ることもできる。これらの重合の際には、光重合開始剤や熱重合開始剤を適用してもよい。

例えば、解離性基がブロックイソシアネート基又はブロックイソチオシアネート基である場合、第１の化合物は、次のようにして得ることができる。すなわち、まず、イソシアネート基又はイソチオシアネート基と不飽和結合とを分子内に有するモノマーを、単独で又は他の共重合モノマーとともに重合して重合体を得た後、ブロックイソシアネート基又はブロックイソチオシアネート基を、上述したブロック化剤と反応させてブロックイソシアネート基又はブロックイソチオシアネート基に変換することにより、第１の化合物を得ることができる。

イソシアネート基又はイソチオシアネート基と不飽和結合とを分子内に有するモノマーとしては、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−（２’−メタクリロイルオキシエチル）オキシエチルイソシアネート、２−アクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、２−（２’−メタクリロイルオキシエチル）オキシエチルイソチオシアネート等が挙げられる。

また、はじめからブロックイソシアネート基又はブロックイソチオシアネート基と不飽和結合とを分子内に有するモノマーを、単独で又は他の共重合モノマーとともに重合して重合体を得ることによっても、第１の化合物を得ることができる。例えば、ブロックイソシアネート基と不飽和結合とを分子内に有するモノマーとしては、２−〔O−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート、２−〔N−［１’、３’−ジメチルピラゾリル］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート等が挙げられる。

重合反応に用いる光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、４−イソプロピル−２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ベンゾフェノン、メチル（ｏ−ベンゾイル）ベンゾエート、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインオクチルエーテル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ジアセチル等のカルボニル化合物、メチルアントラキノン、クロロアントラキノン、クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン等のアントラキノン又はチオキサントン誘導体、ジフェニルジスルフィド、ジチオカーバメート等の硫黄化合物が挙げられる。

また、熱重合開始剤は、ラジカル重合の開始剤として機能し得るものである。例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビスイソバレロニトリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、４，４’−アゾビス（４−シアノバレリックアシッド）、１、１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’−アゾビス（２−メチルプロパン）、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）２塩酸塩等のアゾ系化合物、メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトンパーオキシド等のケトンパーオキシド類、イソブチルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキシド、ｏ−メチルベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ｐ−クロロベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド類、２，４，４−トリメチルペンチル−２−ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼンパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、ｔ−ブチルパーオキシド等のヒドロパーオキシド類、ジクミルパーオキシド、ｔ−ブチルクミルパーオキシド、ジ−ｔ−ブチルパーオキシド、トリス（ｔ−ブチルパーオキシ）トリアジン等のジアルキルパーオキシド類、１，１−ジ−ｔ−ブチルパーオキシシクロヘキサン、２，２−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン等のパーオキシケタール類、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシアゼレート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ジ−ｔ−ブチルパーオキシトリメチルアジペート等のアルキルパーエステル類、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート等のパーカーボネート類等が挙げられる。

上述した解離性基又は反応性官能基を有するモノマーと共重合させる共重合モノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル及びその誘導体、スチレン及びその誘導体、酢酸ビニル及びその誘導体、（メタ）アクリロニトリル及びその誘導体、有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のアリルエステル及びその誘導体、フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体、マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体、有機カルボン酸のＮ−ビニルアミド誘導体、マレイミド及びその誘導体、末端不飽和炭化水素及びその誘導体等、有機ゲルマニウム誘導体等が挙げられる。なお、本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル及びメタクリルを総称した名称であり、これらのいずれか又は両方を示している。

共重合モノマーのうち、（メタ）アクリル酸エステル類及びその誘導体としては、単官能の（メタ）アクリレートや、多官能の（メタ）アクリレートを適用することができる。なお、多官能の（メタ）アクリレートは、目的とする重合体の性状に応じて使用量が制約される場合がある。

（メタ）アクリル酸エステル類及びその誘導体としては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸−ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸−ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸−ｓｅｃ−ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸−２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソボルニル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸フェニル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸−３−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸−２−ヒドロキシフェニルエチル、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−アクリロイルモルフォリン等を挙げることができる。

また、スチレン及びその誘導体としては、スチレン、２，４−ジメチル−α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、２，５−ジメチルスチレン、２，６−ジメチルスチレン、３，４−ジメチルスチレン、３，５−ジメチルスチレン、２，４，６−トリメチルスチレン、２，４，５−トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、ｏ−エチルスチレン、ｍ−エチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｏ−クロロスチレン、ｍ−クロロスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｏ−ブロモスチレン、ｍ−ブロモスチレン、ｐ−ブロモスチレン、ｏ−メトキシスチレン、ｍ−メトキシスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、２−ビニルビフェニル、３−ビニルビフェニル、４−ビニルビフェニル、１−ビニルナフタレン、２−ビニルナフタレン、４−ビニル−ｐ−ターフェニル、１−ビニルアントラセン、α−メチルスチレン、ｏ−イソプロペニルトルエン、ｍ−イソプロペニルトルエン、ｐ−イソプロペニルトルエン、２，４−ジメチル−α−メチルスチレン、２，３−ジメチル−α−メチルスチレン、３，５−ジメチル−α−メチルスチレン、ｐ−イソプロピル−α−メチルスチレン、α−エチルスチレン、α−クロロスチレン、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジイソプロピルベンゼン、４−アミノスチレン等が挙げられる。

（メタ）アクリロニトリル及びその誘導体としては、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等が挙げられる。有機カルボン酸のビニルエステル及びその誘導体としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニル、アジピン酸ジビニル等が挙げられる。有機カルボン酸のアリルエステルおよびその誘導体としては、酢酸アリル、安息香酸アリル、アジピン酸ジアリル、テレフタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリル、フタル酸ジアリル等が挙げられる。

フマル酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイソプロピル、フマル酸ジ−ｓｅｃ−ブチル、フマル酸ジイソブチル、フマル酸ジ−ｎ−ブチル、フマル酸ジ−２−エチルヘキシル、フマル酸ジベンジル等が挙げられる。マレイン酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジイソプロピル、マレイン酸ジ−ｓｅｃ−ブチル、マレイン酸ジイソブチル、マレイン酸ジ−ｎ−ブチル、マレイン酸ジ−２−エチルヘキシル、マレイン酸ジベンジル等が挙げられる。

イタコン酸のジアルキルエステル及びその誘導体としては、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジイソプロピル、イタコン酸ジ−ｓｅｃ−ブチル、イタコン酸ジイソブチル、イタコン酸ジ−ｎ−ブチル、イタコン酸ジ−２−エチルヘキシル、イタコン酸ジベンジル等が挙げられる。有機カルボン酸のＮ−ビニルアミド誘導体としては、Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルアセトアミド等が挙げられる。マレイミド及びその誘導体としては、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド等が挙げられる。

末端不飽和炭化水素及びその誘導体としては、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、ビニルシクロヘキサン、塩化ビニル、アリルアルコール等が挙げられる。有機ゲルマニウム誘導体としては、アリルトリメチルゲルマニウム、アリルトリエチルゲルマニウム、アリルトリブチルゲルマニウム、トリメチルビニルゲルマニウム、トリエチルビニルゲルマニウム等が挙げられる。

これらの共重合モノマーのなかでは、（メタ）アクリル酸アルキルエステル、スチレン、（メタ）アクリロニトリル又はアリルトリメチルゲルマニウムが好ましく、これらを適宜組み合わせて適用してもよい。

第１の化合物を、解離性基又は反応性官能基を有するモノマーに、共重合モノマーを共重合させて形成する場合、解離性基又は反応性官能基を有するモノマーは、重合の供されるモノマーの総量中、５ｍｏｌ％以上６０ｍｏｌ％以下であると好ましく、１０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下であるとより好ましい。このような共重合比を満たすようにすることで、第１の化合物が適度に解離性基を含有することとなり、絶縁性組成物の硬化が良好に生じるようになる。

このようにして得られる第１の化合物としては、例えば、下記一般式（２ａ）で表される構造単位及び下記一般式（２ｂ）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位と、下記一般式（２ｃ）で表される構造単位、下記一般式（２ｄ）で表される構造単位及び下記一般式（２ｅ）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位とを有する高分子化合物が好適である。

［式中、Ｘ^２１及びＸ^２２は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２０３、Ｒ^２０４、Ｒ^２０５、Ｒ^２０６、Ｒ^２０７、Ｒ^２０８、Ｒ^２０９、Ｒ^２１０、Ｒ^２１１、Ｒ^２１２、Ｒ^２１３、Ｒ^２１４、Ｒ^２１５、Ｒ^２１６、Ｒ^２１７及びＲ^２１８は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基を表し、Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｂ、Ｒ_Ｃ、Ｒ_Ｄ及びＲ_Ｅは、それぞれ独立に炭素数１〜２０の２価の有機基を表し、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ及びｕは、それぞれ独立に０〜２０の整数である。］

この高分子化合物は、上記一般式（２ａ）で表される構造単位及び上記一般式（２ｂ）で表される構造単位のうちの複数と、上記一般式（２ｃ）表される構造単位、上記一般式（２ｄ）表される構造単位及び上記一般式（２ｅ）で表される構造単位のうちの複数を組み合わせて有するものであってもよい。

ここで、上記一般式（２ａ）〜（２ｅ）中の炭素数１〜２０の１価の有機基としては、上述した一般式（１ａ）又は（１ｂ）のブロックイソシアネート基又はブロックイソチオシアネート基で示した炭素数１〜２０の有機基と同様のものが挙げられる。また、炭素数１〜２０の２価の有機基としては、これらの１価の有機基が有している水素原子のうちの１個が他の構造との結合手となった２価の基が挙げられる。

第１の化合物が高分子化合物である場合、第１の化合物としては、より具体的には、ポリ（スチレン−ｃｏ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−ｃｏ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−ｃｏ−アクリロニトリル−ｃｏ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−ｃｏ−アクリロニトリル−ｃｏ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−ｃｏ−アクリロニトリル−ｃｏ−[２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート]−ｃｏ−アリルトリメチルゲルマニウム）、ポリ（スチレン−ｃｏ−アクリロニトリル−ｃｏ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ〕エチル−メタクリレート］−ｃｏ−アリルトリメチルゲルマニウム）等が挙げられる。

上述したような高分子化合物からなる第１の化合物は、そのポリスチレン換算の重量平均分子量が３０００〜１００００００であると好ましく、５０００〜５０００００であるとより好ましい。このような重量平均分子量を有することで、平坦性及び均一性が良好な絶縁層を形成できるという利点がある。

次に、第１の化合物が、低分子化合物である場合について説明する。

低分子化合物からなる第１の化合物は、２個以上の解離性基が低分子（単量体）構造に結合した構造を有する化合物である。この低分子構造の形態としては、例えば、アルキル構造や、置換基を有していてもよいベンゼン環が好適である。

解離性基がブロックイソシアネート基又はブロックイソチオシアネート基である場合、第１の化合物としては、下記一般式（３ａ）で表される化合物又は下記一般式（３ｂ）で表される化合物が好適である。

［式中、Ｘ^３１及びＸ^３２は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ^３１，Ｒ^３２，Ｒ^３３、Ｒ^３４、Ｒ^３５、Ｒ^３６及びＲ^３７は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基を表し、Ｒ_Ｆ及びＲ_Ｇは、それぞれ独立に炭素数１〜２０の２価の有機基を表し、ａ及びｂはそれぞれ独立に２〜６の整数であり、ｃ及びｄは、それぞれ独立に０〜２０の整数である。］

上記一般式（３ａ）又は（３ｂ）における炭素数１〜２０の一価の有機基又は２価の有機基としては、上述した基と同様のものが例示できる。

このような第１の化合物は、例えば、イソシアネート基又はイソチオシアネート基を２個以上有する低分子化合物に対し、上述したブロック化剤を反応させることで、反応性官能基であるイソシアネート基又はイソチオシアネート基を、ブロックイソシアネート基又はブロックイソチオシアネート基に変換することによって得ることができる。この反応の際には、有機溶媒や触媒等を適宜加えてもよい。

イソシアネート基又はイソチオシアネート基を２個以上有する低分子化合物としては、例えば、オルト−フェニレンジイソシアネート、メタ−フェニランジイソシアネート、パラ−フェニレンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられる。

そして、上記反応によって得ることができる、ブロックイソシアネート基又はブロックイソチオシアネート基を２個以上有する低分子化合物としては、次のようなものが例示できる。

すなわち、１，２−ジ［Ｏ−（メチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［Ｏ−（メチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［Ｏ−（メチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ベンゼン、１，２−ジ［Ｏ−（１’−エチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［Ｏ−（１’−エチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［Ｏ−（１’−エチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ベンゼン、１，２−ジ［Ｏ−（１’−メチルエチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［Ｏ−（１’−メチルエチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［Ｏ−（１’−メチルエチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ベンゼン、１，２−ジ［Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ］ベンゼン、１，２−ジ［１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［１’（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボニルアミノ］ベンゼン、１，２−ジ［１’−（３’−エチル−５’−メチルピラゾリル）カルボニルアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［１−（３’−エチル−５’−メチルピラゾリル）カルボニルアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［１’−（３’−エチル−５’−メチルピラゾリル）カルボニルアミノ］ベンゼン、１，２−ジ［１’−（３’，５’−ジエチルピラゾリル）カルボニルアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［１’−（３’，５’−ジエチルピラゾリル）カルボニルアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［１’−（３’，５’−ジエチルピラゾリル）カルボニルアミノ］ベンゼン、１，２−ジ［１’−（３’−プロピル−５’−メチルピラゾリル）カルボニルアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［１’−（３’−プロピル−５’−メチルピラゾリル）カルボニルアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［１’−（３’−プロピル−５’−メチルピラゾリル）カルボニルアミノ］ベンゼン、１，２−ジ［１’−（３’−エチル−５’−プロピルピラゾリル）カルボニルアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［１’−（３’−エチル−５’−プロピルピラゾリル）カルボニルアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［１’−（３’−エチル−５’−プロピルピラゾリル）カルボニルアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［Ｏ−（メチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ブタン、１，４−ジ［Ｏ−（１’−メチルエチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ブタン、１，６−ジ［Ｏ−（メチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ヘキサン、１，６−ジ［Ｏ−（１’−メチルエチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ヘキサン、１，２−ジ［Ｏ−（メチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［Ｏ−（メチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［Ｏ−（メチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ］ベンゼン、１，２−ジ［Ｏ−（１’−エチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［Ｏ−（１’−エチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［Ｏ−（１’−エチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ］ベンゼン、１，２−ジ［Ｏ−（１’−メチルエチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［Ｏ−（１’−メチルエチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［Ｏ−（１’−メチルエチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ］ベンゼン、１，２−ジ［Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］チオカルボキシアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］チオカルボキシアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］チオカルボキシアミノ］ベンゼン、１，２−ジ［１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）チオカルボニルアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）チオカルボニルアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）チオカルボニルアミノ］ベンゼン、１，２−ジ［１’−（３’−エチル−５’−メチルピラゾリル）チオカルボニルアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［１’−（３’−エチル−５’−メチルピラゾリル）チオカルボニルアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［１’（３’−エチル−５’−メチルピラゾリル）チオカルボニルアミノ］ベンゼン、１，２−ジ［１’−（３’，５’−ジエチルピラゾリル）チオカルボニルアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［１’−（３’，５’−ジエチルピラゾリル）チオカルボニルアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［１’−（３’，５’−ジエチルピラゾリル）チオカルボニルアミノ］ベンゼン、１，２−ジ［１’−（３’−プロピル−５’−メチルピラゾリル）チオカルボニルアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［１’−（３’−プロピル−５’−メチルピラゾリル）チオカルボニルアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［１’−（３’−プロピル−５’−メチルピラゾリル）チオカルボニルアミノ］ベンゼン、１，２−ジ［１’−（３’−エチル−５’−プロピルピラゾリル）チオカルボニルアミノ］ベンゼン、１，３−ジ［１’−（３’−エチル−５’−プロピルピラゾリル）チオカルボニルアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［１’−（３’−エチル−５’−プロピルピラゾリル）チオカルボニルアミノ］ベンゼン、１，４−ジ［Ｏ−（メチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ］ブタン、１，４−ジ［Ｏ−（１’−メチルエチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ］ブタン、１，６−ジ［Ｏ−（メチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ］ヘキサン、１，６−ジ［Ｏ−（１’−メチルエチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ］ヘキサン等が挙げられる。

また、熱ではなく、主に電磁線により脱ブロックするブロックイソシアネート基又はブロックイソチオシアネート基を２個以上有する低分子化合物としては、１，２−ジ（オルト−ニトロベンジルカルボニルアミノ）ベンゼン、１，３−ジ（オルト−ニトロベンジルカルボニルアミノ）ベンゼン、１，４−ジ（オルト−ニトロベンジルカルボニルアミノ）ベンゼン、１，２−ビス［α−（α、α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）カルボニルアミノ］ベンゼン、１，３−ビス［α−（α、α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）カルボニルアミノ］ベンゼン、１，４−ビス［α−（α、α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）カルボニルアミノ］ベンゼン、２−（オルト−ニトロベンジルカルボニルアミノ）エチル−メタクリレート、２−［α−（α、α−ジメチル−３，５−ジメトキシベンジル）カルボニルアミノ］エチル−メタクリレート等が挙げられる。

次に、第２の化合物について説明する。

第２の化合物は、分子内に活性水素基を２個以上有する高分子化合物又は低分子化合物である。この第２の化合物において、活性水素基としては、アミノ基、ヒドロキシ基又はメルカプト基が挙げられる。なかでも、活性水素基としては、上述した反応性官能基（特にイソシアネート基又はイソチオシアネート基）との反応を良好に生じることができる、フェノール性ヒドロキシ基及び芳香族アミノ基が好適である。

第２の化合物が高分子化合物である場合、活性水素基は、高分子化合物を構成する主鎖に直接結合していてもよく、所定の基を介して結合していてもよい。また、活性水素基は、高分子化合物を構成する構造単位に含まれていてもよく、その場合は、各構造単位に含まれていてもよく、一部の構造単位にのみ含まれていてもよい。さらに、活性水素基は、高分子化合物の末端にのみ結合していてもよい。

高分子化合物からなる第２の化合物は、例えば、活性水素基及び不飽和結合（例えば、二重結合）を分子内に有する単量体化合物（モノマー）を、単独で重合させるか、他の共重合性化合物と共重合させて重合体を形成することによって得ることができる。これらの重合の際には、光重合開始剤や熱重合開始剤を適用してもよい。なお、共重合モノマー、光重合開始剤、熱重合開始剤としては、上述した高分子化合物からなる第１の化合物を形成する場合と同様のものを適用できる。

活性水素基及び不飽和結合を分子内に有するモノマーとしては、例えば、アミノスチレン、ヒドロキシスチレン、ビニルベンジルアルコール、アミノエチルメタクリレート、エチレングリコールモノビニルエーテル等が挙げられる。

また、高分子化合物からなる第２の化合物としては、フェノール化合物と、ホルムアルデヒドとを、酸触媒の存在下で縮合させることによって得られた、ノボラック樹脂も好適である。

第２の化合物が高分子化合物である場合、ポリスチレン換算の重量平均分子量は、１０００〜１００００００であると好ましく、３０００〜５０００００であるとより好ましい。これにより、絶縁層の平坦性及び均一性が良好となるという効果が得られるようになる。

一方、第２の化合物が低分子化合物である場合、そのような第２の化合物は、２個以上の活性水素基が低分子（単量体）構造に結合した構造を有する化合物となる。この低分子構造としては、例えば、アルキル構造やベンゼン環が挙げられる。このような第２の化合物としては、アミン系、アルコール系、フェノール系又はチオール系の低分子化合物が例示できる。

例えば、アミン系の化合物としては、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，−テトラアミノエチルエチレンジアミン、オルト−フェニレンジアミン、メタ−フェニレンジアミン、パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−パラ−フェニレンジアミン、メラミン、２，４，６−トリアミノピリミジン、１，５，９−トリアザシクロドデカン等が挙げられる。

アルコール系の化合物としては、エチレングリコール、１，２−ジヒドロキシプロパン、グリセロール、１，４−ジメタノールベンゼン等が挙げられる。フェノール系の化合物としては、１，２−ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジヒドロキシベンゼン、１，４−ジヒドロキシベンゼン、１，２−ジヒドロキシナフタレン、レゾルシン、フルオログリセロール、２，３，４−トリヒドロキシベンズアルデハイド、３，４，５−トリヒドロキシベンズアミド等が挙げられる。さらに、チオール系の化合物としては、エチレンジチオール、パラ−フェニレンジチオール等が挙げられる。

本実施形態のトランジスタ１００，２００におけるゲート絶縁層１８，２８は、上述したような第１の化合物及び第２の化合物を組み合わせて含む絶縁性組成物の硬化物からなるものである。ここで、絶縁性組成物の硬化物とは、第１の化合物と第２の化合物との間で生じる反応によって、第１の化合物と第２の化合物とが繰り返し結合されてなる構造が形成された状態のものである。このような第１の化合物と第２の化合物との反応は、まず、電磁線又は熱を加えることにより、第１の化合物の解離性基から反応性官能基が形成され、これに続いて、第１の化合物で生じた反応性官能基が第２の化合物の活性水素基と反応することによって生じるものである。このように、絶縁性組成物は、電磁線又は熱を加えることによって硬化することができる。電磁線とは、所定の波長を有する電磁波であり、例えば、Ｘ線や紫外線等がこれに該当する。

［有機薄膜トランジスタの製造方法］
次に、上述した構成を有する有機薄膜トランジスタの製造方法の好適な実施形態について説明する。

まず、第１実施形態のトランジスタ１００の製造においては、基板１０を準備し、この基板１０上に、例えば蒸着法、スパッタリング法、印刷法、インクジェット法等の公知の方法により、上述したような導電性材料を堆積させることによって、ソース電極１２及びドレイン電極１４を形成する。

それから、ソース電極１２及びドレイン電極１４が形成された基板１０上に、これらのそれぞれ一部を覆うように有機半導体層１６を形成する。有機半導体層１６は、例えば、上述した低分子又は高分子有機半導体材料を、これらを溶解可能な溶媒に溶解した後、基板上に塗布し、乾燥させることによって形成することが好ましい。

ここで用いる溶媒としては有機半導体材料を溶解させ得るものであればよく、乾燥による除去をできるだけ低温で行う観点からは、常圧での沸点が５０℃〜２００℃であるものが好ましい。溶媒としては、クロロホルム、トルエン、アニソール、２−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の有機溶媒が挙げられる。有機半導体材料の溶液の塗布は、例えば、スピンコート法、ダイコーター法、スクリーン印刷法、インクジェット法等により行うことが出来る。

次いで、ソース電極１２、ドレイン電極１４及び有機半導体層１６が形成された基板１０上に、これらを覆うように絶縁層１８を形成する。絶縁層１８は、上述した絶縁性組成物を塗布後、硬化させることによって形成することができる。この第１実施形態のトランジスタ１００の製造の場合、基板１０上にソース電極１２、ドレイン電極１４及び有機半導体層１６が形成された積層構造の上面が、「絶縁層を形成する面」に該当する。なお、絶縁層１８の詳細な形成方法については後述する。

その後、絶縁層１８上に、ゲート電極１９を、ソース電極１２やドレイン電極１４と同様の方法によって形成する。これにより、図１に示す第１実施形態のトランジスタ１００が得られる。

一方、第２実施形態のトランジスタ２００は、まず、基板２０上に、第１実施形態と同様にしてゲート電極２９を形成する。次に、このゲート電極２９を覆うように基板２０上にゲート絶縁層２８を形成する。ゲート絶縁層２８の形成方法については後述するが、第２実施形態においては、基板２０上にゲート電極２９が形成された積層構造の上面が、「絶縁層を形成する面」に該当する。

それから、ゲート絶縁層２８上に、ソース電極２２及びドレイン電極２４を形成し、さらに、これらのそれぞれ一部を覆うように、有機半導体層２６を形成する。これらは、第１実施形態と同様にして行うことができる。そして、このようにして基板２０上に形成されたゲート電極２９、ゲート絶縁層２８、ソース電極２２、ドレイン電極２４及び有機半導体層２６を覆うようにトップコート３０を形成することにより、図２に示す第２実施形態のトランジスタ２００が得られる。なお、トップコート３０は、例えば、分子内にフッ素原子を有するポリマー等から構成され、スピンコート法、ディップコート法、ポッティング法、スプレー法等によって形成することが可能である。

以下、これらのトランジスタ１００，２００におけるゲート絶縁層１８，２８の形成方法について具体的に説明する。

ゲート絶縁層１８、２８の形成においては、まず、これらのゲート絶縁層を形成する面上に、上述した絶縁性組成物を塗布する。絶縁性組成物の塗布は、例えば、絶縁性組成物を有機溶媒に溶解した溶液の状態で行うことができる。この溶液に用いる有機溶媒としては、絶縁性組成物の成分を溶解させ得るものであり、例えば、常圧での沸点が１００℃〜２００℃のものが、乾燥による除去が容易であることから好ましい。このような有機溶媒としては、２−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられる。

絶縁性組成物を含む溶液の塗布は、スピンコート法、ダイコーター法、スクリーン印刷法、インクジェット法等によって行うことができる。なお、絶縁性組成物の溶液中には、必要に応じてレベリング剤、界面活性剤、硬化触媒等を添加してもよい。

次に、上記のようにして塗布された絶縁性組成物の溶液を、乾燥させて有機溶媒を除去し、これにより絶縁性組成物からなる層を形成する。乾燥は、有機溶媒が揮発する程度に加熱することによって行うことができる。この際、低温でトランジスタを形成する観点からは、過度には高温としないことが望ましい。

そして、絶縁性組成物からなる層を硬化させることによって、ゲート絶縁層１８，２８を形成することができる。硬化は、上述したように、電磁線の照射又は加熱によって行うことができる。例えば、絶縁性組成物における第１の化合物が、解離性基としてブロックイソシアネート基又はブロックイソチオシアネート基を有している場合、硬化は、加熱によって生じさせることができる。

この場合、加熱温度は、６０〜２５０℃とすることが好ましく、８０〜２００℃とすることがより好ましい。加熱温度が２５０℃を超えると、例えば、プラスチック基板等を用いた場合にその伸縮を十分に抑制できなくなるおそれがある。一方、６０℃よりも小さいと、絶縁性組成物が十分に硬化せずに、リーク電流の抑制、絶縁耐圧の向上、ヒステリシスの安定といった効果が十分に得られなくなる場合がある。

なお、このようなトランジスタ１００，２００の製造方法においては、ゲート絶縁層１８，２８上に、自己組織化単分子膜層を形成してもよい（図示せず）。このような自己組織化単分子膜層を形成することで、絶縁耐圧の更なる向上や、トランジスタ特性の改善といった効果が得られるようになる。

自己組織化単分子膜層は、例えば、ゲート絶縁層１８，２８に、アルキルクロロシラン化合物又はアルキルアルコキシシラン化合物を処理することによって形成することができる。このようにして形成された自己組織化単分子膜層は、アルキルクロロシラン化合物又はアルキルアルコキシシラン化合物が加水分解・縮合等を生じた構造を有し、ゲート絶縁層１８，２８表面とイオン結合、水素結合等によって相互作用した構成を有すると考えられる。

アルキルクロロシラン化合物又はアルキルアルコキシシラン化合物の処理は、例えば、これらの化合物を有機溶媒中に１〜１０重量％となるように溶解した溶液を、ゲート絶縁層１８，２８上に塗布して乾燥させること等によって形成することができる。

アルキルクロロシラン化合物としては、例えば、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、ブチルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン等が挙げられる。また、アルキルアルコキシシラン化合物としては、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン等が挙げられる。

［ディスプレイ用部材及びディスプレイ］
次に、本発明のトランジスタを用いたディスプレイ用部材及びディスプレイについて説明する。以下の説明では、ディスプレイとして、有機ＥＬ素子を用いたものの構造を例に挙げて説明するが、本発明に適用できるディスプレイはこれに限定されない。

図３は、好適な実施形態に係るディスプレイの断面構成を模式的に示す図である。図３に示すように、本実施形態のディスプレイ３００は、トランジスタ２００と、有機ＥＬ素子４０とを備えた構成を有している。このディスプレイ３００は、ディスプレイにおける１個の画素を構成するものであり、有機ＥＬ素子４０にトランジスタ２００が接続されて、この有機ＥＬ素子４０の発光を制御する。そして、実際のディスプレイは、このようなディスプレイ３００が多数設けられることによって画像の表示が可能なものである。

ディスプレイ３００において、トランジスタ２００は、上述した第２実施形態のトランジスタ２００と同様の構造を有するものである。このトランジスタ２００における基板２０は、その面方向に延びており、有機ＥＬ素子４０を搭載する基板を兼ねている。また、基板２０と有機ＥＬ素子４０との間には、トランジスタ２００におけるトップコート３０が配置されるようになっている。有機ＥＬ素子４０としては、公知の構造を有するものを適用することができる。

かかるディスプレイ３００のように、本発明のトランジスタの一実施形態であるトランジスタ２００は、ディスプレイに用いられるディスプレイ用部材として好適に用いることができる。そして、かかるトランジスタ２００は、上述したように、特に、従来高温が必要とされたゲート絶縁層２８を低温で形成可能であることから、例えば、基板２０としてプラスチック基板を用いた場合であっても、この基板の伸縮等を十分に抑制することができる。そして、通常、高画素化のためにディスプレイ３００で表されるような素子を小さくした場合、基板の変形が表示特性に大きく影響を与える傾向にあるが、本実施形態では、低温での形成が可能トランジスタ２００をディスプレイ部材として適用していることから、このような基板の変形を抑制でき、ディスプレイ３００の狭小化が容易である。

以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。

［第１及び第２の化合物の合成］
（合成例１）
スチレン（和光純薬製）５．００ｇ、アクリロニトリル（和光純薬製）１．２７ｇ、２−〔Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート（昭和電工製、商品名：カレンズＭＯＩ−ＢＭ）１．９２ｇ、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）０．０８ｇ、２−ヘプタノン（和光純薬製）１９．１３ｇを、５０ｍｌ耐圧容器（エース製）に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、６０℃のオイルバス中で４８時間重合させて、第１の化合物である高分子化合物１の粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。

得られた高分子化合物１の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、１０７０００であった。（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ ｓｕｐｅｒ ＨＭ−Ｈ １本＋Ｔｓｋｇｅｌ ｓｕｐｅｒ Ｈ２０００ １本、移動相＝ＴＨＦ）

（合成例２）
スチレン（和光純薬製）１．００ｇ、アクリロニトリル（和光純薬製）０．５１ｇ、２−〔Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート（昭和電工製、商品名：カレンズＭＯＩ−ＢＭ）０．５１ｇ、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）０．０２ｇ、２−ヘプタノン（和光純薬製）１８．２０ｇを、５０ｍｌ耐圧容器（エース製）に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、６０℃のオイルバス中で４８時間重合させて、第１の化合物である高分子化合物２の粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。

得られた高分子化合物２の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、３３０００であった。（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ ｓｕｐｅｒ ＨＭ−Ｈ １本＋Ｔｓｋｇｅｌ ｓｕｐｅｒ Ｈ２０００ １本、移動相＝ＴＨＦ）

（合成例３）
スチレン（和光純薬製）０．７０ｇ、アクリロニトリル（和光純薬製）０．７１ｇ、２−〔O−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート（昭和電工製、商品名：カレンズＭＯＩ−ＢＭ）０．５４ｇ、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）０．０２ｇ、２−ヘプタノン（和光純薬製）１７．５７ｇを、５０ｍｌの耐圧容器（エース製）に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、６０℃のオイルバス中で４８時間重合させて、第１の化合物である高分子化合物３の粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。

得られた高分子化合物３の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、３７０００であった。（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ ｓｕｐｅｒ ＨＭ−Ｈ １本＋Ｔｓｋｇｅｌ ｓｕｐｅｒ Ｈ２０００ １本、移動相＝ＴＨＦ）

（合成例４）
スチレン（和光純薬製）３．９０ｇ、２−〔O−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート（昭和電工製、商品名：カレンズＭＯＩ−ＢＭ）１．００ｇ、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）０．０５ｇ、２−ヘプタノン（和光純薬製）１１．４３ｇを、５０ｍｌの耐圧容器（エース製）に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、６０℃のオイルバス中で４８時間重合させて、第１の化合物である高分子化合物４の粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。

得られた高分子化合物４の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、９５０００であった。（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ ｓｕｐｅｒ ＨＭ−Ｈ １本＋Ｔｓｋｇｅｌ ｓｕｐｅｒ Ｈ２０００ １本、移動相＝ＴＨＦ）

（合成例５）
スチレン（和光純薬製）４．００ｇ、アクリロニトリル（和光純薬製）１．１１ｇ、２−〔Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート（昭和電工製、商品名：カレンズＭＯＩ−ＢＭ）１．６８ｇ、アリルトリメチルゲルマニウム（チッソ製）０．７０ｇ、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）０．０８ｇ、２−ヘプタノン（和光純薬製）１５．８４ｇを、５０ｍｌの耐圧容器（エース製）に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、６０℃のオイルバス中で４８時間重合させて、第１の化合物である高分子化合物５の粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。

得られた高分子化合物５の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、８７０００であった。（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ ｓｕｐｅｒ ＨＭ−Ｈ １本＋Ｔｓｋｇｅｌ ｓｕｐｅｒ Ｈ２０００ １本、移動相＝ＴＨＦ）

（合成例６）
４−アミノスチレン（東京化成製）４．３２ｇ、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）０．０４ｇ、２−ヘプタノン（和光純薬製）１０．０８ｇを、５０ｍｌの耐圧容器（エース製）に入れ、窒素をバブリングした後、密栓し、６０℃のオイルバス中で４８時間重合させて、第２の化合物である高分子化合物６の粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。

得られた高分子化合物６の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、１８０００であった。（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ ｓｕｐｅｒ ＨＭ−Ｈ １本＋Ｔｓｋｇｅｌ ｓｕｐｅｒ Ｈ２０００ １本、移動相＝ＴＨＦ）

（合成例７）
スチレン（和光純薬製）５．００ｇ、アクリロニトリル（和光純薬製）１．２７ｇ、２−〔N−［１’，３’−ジメチルピラゾリル］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート（昭和電工製、商品名：カレンズＭＯＩ−ＢＰ）２．０１ｇ、１，１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）（アルドリッチ製）０．０８ｇ、２−ヘプタノン（和光純薬製）１９．３３ｇを５０ｍｌの耐圧容器（エース製）に入れ、窒素をバブリングした後密栓し、６０℃のオイルバス中で４８時間重合させて、第１の化合物である高分子化合物７の粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。

得られた高分子化合物７の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、１５４０００であった。（島津製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ ｓｕｐｅｒ ＨＭ−Ｈ １本＋Ｔｓｋｇｅｌ ｓｕｐｅｒ Ｈ２０００ １本、移動相＝ＴＨＦ）

（合成例８）
５０ｍｌ平衡型滴下ロート、三方コック、メカニカルスターラーを取り付けた５００ｍｌ三つ口フラスコの内部を窒素置換した後、１，３−フェニレンジイソシアネート２５．０ｇ（和光純薬製）、脱水テトラヒドロフラン２５０ｍｌを加え、これらを攪拌、溶解して１，３−フェニレンジイソシアネートのテトラヒドロフラン溶液を得た。反応フラスコを氷浴中に入れ、１，３−フェニレンジイソシアネートのテトラヒドロフラン溶液を２００ｒｐｍで攪拌しながら、ブタノンケトオキシム（和光純薬製）をゆっくりと滴下した。

滴下終了後、1時間氷浴中で攪拌を続けた後、更に室温で一晩攪拌しながら反応させて、淡黄色透明な混合物を得た。得られた混合物を、１０００ｍｌのイオン交換水に攪拌しながら滴下した後、上澄みをすてて粘稠な固体を得た。得られた固体をエタノール２００ｍｌに再溶解し、ろ紙で不溶物をろ過した後、減圧下でエタノールを留去することにより、第１の化合物である１，３−ジ［Ｏ−（１’−メチルエチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ベンゼンを粘稠な固体の状態で得た。（得られた量は、４５ｇであった）

［実施例１］
（絶縁層形成用溶液の調製）
第１の化合物である高分子化合物１の２−ヘプタノン溶液１．００ｇ、第２の化合物であるヘキサメチレンジアミン（和光純薬製）０．０１７ｇ、２−ヘプタノン１．１０ｇを、１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な溶液を調製した。

（絶縁層の形成）
得られた溶液を０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、これをホットプレート上で１５０℃で３０分間加熱して、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して段差計（ケイエルエムテンコール製）で膜厚を測定したところ２５０ｎｍであった。

この絶縁層上に、アルミニウム電極を蒸着し、真空プロ−バ（ＢＣＴ２２ＭＤＣ−５−ＨＴ−ＳＣＵ；Ｎａｇａｓｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔｓ Ｓｅｒｖｉｃｅ Ｃｏ． ＬＴＤ製）によりその絶縁破壊電圧を測定したところ、１００Vを印加しても絶縁破壊を生じなかった。また、１００Vを印加した時のリーク電流は、４．７６×１０^−１２Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。

（トランジスタの作製）
上述した絶縁層形成用溶液を０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、クロム電極（ゲート電極）のついたガラス基板上にスピンコートし、これをホットプレート上で１５０℃で９０分間加熱して、ゲート絶縁層を得た。

次に、Ｆ８Ｔ２（９，９−ジオクチルフルオレン：ビチオフェン＝５０：５０（モル比）の共重合体；ポリスチレン換算の重量平均分子量＝６９，０００）を溶媒であるクロロホルムに溶解し、濃度が０．５重量％である溶液（有機半導体組成物）を作製した後、これをメンブランフィルターでろ過して塗布液を得た。

得られた塗布液を、上記のゲート絶縁層上にスピンコート法により塗布し、約６０ｎｍの厚さを有する有機半導体層を形成した。次いで、メタルマスクを用いた真空蒸着法により、有機半導体層上に、チャネル長２０μｍ、チャネル幅２ｍｍのソース電極及びドレイン電極（有機半導体層側から、フラーレン及び金の順に積層された構造を有する）を形成することにより、ボトムゲート型の電界効果型有機薄膜トランジスタ（トランジスタ）を作製した。

（トランジスタの特性評価）
得られたトランジスタについて、ゲート電圧Ｖｇを０〜−６０Ｖ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを０〜−６０Ｖに変化させた条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ−バ（ＢＣＴ２２ＭＤＣ−５−ＨＴ−ＳＣＵ；Ｎａｇａｓｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔｓ Ｓｅｒｖｉｃｅ Ｃｏ． ＬＴＤ製）を用いて測定した。得られた結果を表１に示す。

また、このトランジスタについて、ソース・ドレイン間電圧Vｓｄが−５０Vで、ゲート電圧Vｇを０Ｖから−６０Ｖに変化させた際の閾値電圧Ｖｔｈ_１とゲート電圧Ｖｇを−６０Ｖから０Ｖに変化させた際の閾値電圧Ｖｔｈ_２との電圧差異の絶対値を求め、これをヒステリシスとした。

［実施例２］
（絶縁層形成用溶液の調製）
第１の化合物である高分子化合物１の２−ヘプタノン溶液１．００ｇ、第２の化合物である１，４−フェニレンジアミン（和光純薬製）０．０１６ｇ、２−ヘプタノン１．１０ｇを、１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な溶液を調製した。

（絶縁層の形成）
得られた溶液を、０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、これをホットプレート上で１５０℃で３０分間加熱して、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して実施例１と同様に膜厚を測定したところ、２５０ｎｍであった。この絶縁層を用い、実施例１と同様にして絶縁破壊電圧を測定したところ、１００Vを印加しても絶縁破壊を起こさなかった。また、１００Vを印加した時のリーク電流は、４．１２×１０^−１２Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。

（トランジスタの作製及び特性評価）
本実施例の絶縁層形成用溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてトランジスタを作製し、同様にトランジスタ特性及びヒステリシスを測定した。得られた結果を表１に示す。

［実施例３］
（絶縁層形成用溶液の調製）
第１の化合物である高分子化合物１の２−ヘプタノン溶液１．００ｇ、第２の化合物である１，４−ジヒドロキシベンゼン（和光純薬製）０．０１５ｇ、２−ヘプタノン１．１０ｇを、１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な溶液を調製した。

（絶縁層の形成）
得られた溶液を０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、これをホットプレート上で１５０℃で３０分間加熱して、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して実施例１と同様に膜厚を測定したところ、２５０ｎｍであった。この絶縁層を用い、実施例１と同様にして絶縁破壊電圧を測定したところ、１００Vを印加しても絶縁破壊を起こさなかった。また、１００Ｖを印加した時のリーク電流は、１．６０×１０^−１１Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。

（トランジスタの作製及び特性評価）
本実施例の絶縁層形成用溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてトランジスタを作製し、同様にトランジスタ特性及びヒステリシスを測定した。得られた結果を表１に示す。

［実施例４］
（絶縁層形成用溶液の調製）
第１の化合物である高分子化合物２の２−ヘプタノン溶液１．００ｇ、第２の化合物である１，４−フェニレンジアミン（和光純薬製）０．０１７ｇ、２−ヘプタノン１．１０ｇを、１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な溶液を調製した。

（絶縁層の形成）
得られた溶液を０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、これをホットプレート上で１５０℃で３０分間加熱して、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して実施例１と同様に膜厚を測定したところ、３８０ｎｍであった。この絶縁層を用い、実施例１と同様にして絶縁破壊電圧を測定したところ、１００Vを印加しても絶縁破壊を起こさなかった。また、１００Ｖを印加した時のリーク電流は、２．８５×１０^−１１Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。

（トランジスタの作製及び特性評価）
本実施例の絶縁層形成用溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてトランジスタを作製し、同様にトランジスタ特性及びヒステリシスを測定した。得られた結果を表１に示す。

［実施例５］
（絶縁層形成用溶液の調製）
第１の化合物である得た高分子化合物３の２−ヘプタノン溶液１．００ｇ、第２の化合物である１，４−フェニレンジアミン（和光純薬製）０．０１９ｇ、２−ヘプタノン１．１０ｇを、１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な塗布溶液を調製した。

（絶縁層の形成）
得られた溶液を、０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、これをホットプレート上で１５０℃で３０分間加熱して、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して実施例１と同様に膜厚を測定したところ、３２０ｎｍであった。
この絶縁層を用い、実施例１と同様にして絶縁破壊電圧を測定したところ、１００Vを印加しても絶縁破壊を起こさなかった。また、１００Vを印加した時のリーク電流は、６．０８×１０^−１１Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。

（トランジスタの作製及び特性評価）
本実施例の絶縁層形成用溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてトランジスタを作製し、同様にトランジスタ特性及びヒステリシスを測定した。得られた結果を表１に示す。

［実施例６］
（絶縁層形成用溶液の調製）
第１の化合物である高分子化合物４の２−ヘプタノン溶液１．００ｇ、第２の化合物である１，４−フェニレンジアミン（和光純薬製）０．０１５ｇ、２−ヘプタノン２．００ｇを、１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な溶液を調製した。

（絶縁層の形成）
得られた溶液を０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、これをホットプレート上で１５０℃で３０分間加熱して、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して実施例１と同様に膜厚を測定したところ、２９１ｎｍであった。この絶縁層を用い、実施例１と同様にして絶縁破壊電圧を測定したところ、１００Vを印加しても絶縁破壊を起こさなかった。また、１００Vを印加した時のリーク電流は、１．９７×１０^−８Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。

（トランジスタの作製及び特性評価）
本実施例の絶縁層形成用溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてトランジスタを作製し、同様にトランジスタ特性及びヒステリシスを測定した。得られた結果を表１に示す。

［実施例７］
（絶縁層形成用溶液の調製）
第１の化合物である高分子化合物５の２−ヘプタノン溶液３．００ｇ、第２の化合物である１，４−フェニレンジアミン（和光純薬製）０．０４１ｇ、２−ヘプタノン３．００ｇを、１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な溶液を調製した。

（絶縁層の形成）
得られた溶液を、０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、これをホットプレート上で１５０℃で３０分間加熱して、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して実施例１と同様に膜厚を測定したところ、２３０ｎｍであった。この絶縁層を用い、実施例１と同様にして絶縁破壊電圧を測定したところ、８０Ｖを印加しても絶縁破壊を起こさなかった。また、８０Ｖを印加した時のリーク電流は、１．５５×１０^−９Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。

（トランジスタの作製及び特性評価）
本実施例の絶縁層形成用溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてトランジスタを作製し、同様にトランジスタ特性及びヒステリシスを測定した。得られた結果を表１に示す。

［実施例８］
（絶縁層形成用溶液の調製）
第１の化合物である高分子化合物１の２−ヘプタノン溶液０．５０ｇ、第２の化合物である２−（４’−ヒドロキシフェニル）エチル−ジメチルシリル−ポリシルセスキオキサン樹脂（ＢＯＰＨ樹脂；東亞合成製、ポリスチレン換算の重量平均分子量＝１００００）の４２．４重量％２−ヘプタノン溶液１．００ｇ、２−ヘプタノン２．３０ｇを、１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な溶液を調製した。

（絶縁層の形成）
得られた溶液を、０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、これをホットプレート上で１５０℃で９０分間加熱して、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して実施例１と同様に膜厚を測定したところ、３７６ｎｍであった。
この絶縁層を用い、実施例１と同様にして絶縁破壊電圧を測定したところ、１００Vを印加しても絶縁破壊を起こさなかった。また、１００Vを印加した時のリーク電流は、６．６６×１０^−９Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。

［実施例９］
（絶縁層形成用溶液の調製）
第１の化合物である高分子化合物１の２−ヘプタノン溶液０．４５ｇ、第２の化合物である高分子化合物６の２−ヘプタノン溶液０．５０ｇ、２−ヘプタノン２．００ｇを、１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な溶液を調製した。

得られた溶液を、０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、これをホットプレート上で１５０℃で９０分間加熱して、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して実施例１と同様に膜厚を測定したところ、２４０ｎｍであった。この絶縁層を用い、実施例１と同様にして絶縁破壊電圧を測定したところ、１００Vを印加しても絶縁破壊を起こさなかった。また、１００Vを印加した時のリーク電流は、５．８１×１０^−７Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。

［実施例１０］
（絶縁層形成用溶液の調製）
第１の化合物である高分子化合物１の２−ヘプタノン溶液０．０８１ｇ、第２の化合物であるポリビニルフェノール−ｃｏ−ポリメチルメタクリレート（アルドリッチ製）１．００ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート７．００ｇを、１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な溶液を調製した。

（絶縁層の形成）
得られた溶液を０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、これをホットプレート上で１５０℃で３０分間加熱して、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して実施例１と同様に膜厚を測定したところ、４４０ｎｍであった。この絶縁層を用い、実施例１と同様にして絶縁破壊電圧を測定したところ、１００Vを印加しても絶縁破壊を起こさなかった。また、１００Ｖを印加した時のリーク電流は、１．９３×１０^−８Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。
［実施例１１］
（絶縁層形成用溶液の調製）
第１の化合物である高分子化合物７の２−ヘプタノン溶液３．００ｇ、第２の化合物である１，４−フェニレンジアミン（和光純薬製）０．０４７ｇ、２−ヘプタノン４．２０ｇを１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な溶液を調製した。

（絶縁層の形成）
得られた溶液を０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートした後、ホットプレート上で１５０℃で９０分間焼成し、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層上にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して実施例１と同様に膜厚を測定したところ３６０ｎｍであった。この絶縁層を用い、実施例１と同様にして絶縁破壊電圧を測定したところ、１００Vを印加しても絶縁破壊を起こさなかった。また、１００Vを印加した時のリーク電流は、３．４７×１０^−８Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。

（トランジスタの作製及び特性評価）
本実施例の絶縁層形成用溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてトランジスタを作製し、同様にトランジスタ特性を測定した。その結果、閾値電圧（Ｖｔｈ）は、−１８．６Ｖであり、ＯＮ／ＯＦＦ比は、６．３×１０^−５であった。

［実施例１２］
（絶縁層形成用溶液の調製）
第２の化合物であるポリビニルフェノール（アルドリッチ製、重量平均分子量＝８０００）１．００ｇ、第１の化合物である合成例８で得られた１，３−ジ［Ｏ−（１−メチルエチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ベンゼン０．１０ｇ、２−ヘプタノン７．４０ｇを、１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な溶液を調製した。

（絶縁層の形成）
得られた溶液を０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、これをホットプレート上で１５０℃で９０分間加熱して、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して実施例１と同様に膜厚を測定したところ、３１９ｎｍであった。この絶縁層を用い、実施例１と同様にして絶縁破壊電圧を測定したところ、１００Vを印加しても絶縁破壊を起こさなかった。また、１００Vを印加した時のリーク電流は、２．７９×１０^−４Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。

［実施例１３］
（絶縁層形成用溶液の調製）
第２の化合物であるポリビニルフェノール（アルドリッチ製、ポリスチレン換算の重量平均分子量＝８０００）１．００ｇ、第１の化合物である合成例８で得られた１，３−ジ［Ｏ−（１−メチルエチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ベンゼン０．３０ｇ、２−ヘプタノン８．７０ｇを、１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な溶液を調製した。

（絶縁層の形成）
得られた溶液を０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、これをホットプレート上で１５０℃で９０分間加熱して、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して実施例１と同様に膜厚を測定したところ、２５６ｎｍであった。この絶縁層を用い、実施例１と同様にして絶縁破壊電圧を測定したところ、１００Vを印加しても絶縁破壊を起こさなかった。また、１００Ｖを印加した時のリーク電流は、５．９８×１０^−４Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。

［実施例１４］
（絶縁層形成用溶液の調製）
第２の化合物であるポリ（４−ビニルフェノール）（アルドリッチ製、ポリスチレン換算の重量平均分子量＝８０００）１．００ｇ、第１の化合物である合成例８で得られた１，３−ジ［Ｏ−（１−メチルエチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ベンゼン０．６０ｇ、２−ヘプタノン８．７０ｇを、１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な溶液を調製した。

（絶縁層の形成）
得られた溶液を０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、これをホットプレート上で１５０℃で９０分間加熱して、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して実施例１と同様に膜厚を測定したところ、２０３ｎｍであった。この絶縁層を用い、実施例１と同様にして絶縁破壊電圧を測定したところ、１００Vを印加しても絶縁破壊を起こさなかった。また、１００Ｖを印加した時のリーク電流は、１．４８×１０^−４Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。

（トランジスタの作製及び特性評価）
本実施例の絶縁層形成用溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてトランジスタを作製し、同様にトランジスタ特性及びヒステリシスを測定した。得られた結果を表１に示す。

［実施例１５］
（絶縁層形成用溶液の調製）
第２の化合物であるポリビニルフェノール−ｃｏ−ポリメチルメタクリレート（アルドリッチ製）１．００ｇ、第１の化合物である合成例８で得られた１，３−ジ［Ｏ−（１−メチルエチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ベンゼン０．１０ｇ、２−ヘプタノン７．４０ｇを、１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な溶液を調製した。

（絶縁層の形成）
得られた溶液を０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、これをホットプレート上で１５０℃で９０分間加熱して、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して実施例１と同様に膜厚を測定したところ、２８９ｎｍであった。この絶縁層を用い、実施例１と同様にして絶縁破壊電圧を測定したところ、１００Vを印加しても絶縁破壊を起こさなかった。また、１００Vを印加した時のリーク電流は、５．３７×１０^−７Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。

［実施例１６］
（絶縁層形成用溶液の調製）
第２の化合物であるポリビニルフェノール−ｃｏ−ポリメチルメタクリレート（アルドリッチ製）１．００ｇ、第１の化合物である合成例８で得られた１，３−ジ［Ｏ−（１−メチルエチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ベンゼン０．２０ｇ、２−ヘプタノン８．００ｇを、１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な溶液を調製した。

（絶縁層の形成）
得られた溶液を０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、これをホットプレート上で１５０℃で９０分間加熱して、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して実施例１と同様に膜厚を測定したところ、３３６ｎｍであった。この絶縁層を用い、実施例１と同様にして絶縁破壊電圧を測定したところ、１００Vを印加しても絶縁破壊を起こさなかった。また、１００Ｖを印加した時のリーク電流は、１．４２×１０^−７Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。

［実施例１７］
（絶縁層形成用溶液の調製）
第２の化合物であるポリビニルフェノール−ｃｏ−ポリメチルメタクリレート（アルドリッチ製）１．００ｇ、第１の化合物である合成例８で得られた１，３−ジ［Ｏ−（１−メチルエチリデンアミノ）カルボキシアミノ］ベンゼン０．３０ｇ、２−ヘプタノン８．７０ｇを、１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な溶液を調製した。

（絶縁層の形成）
得られた溶液を０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、これをホットプレート上で１５０℃で９０分間加熱して、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して実施例１と同様に膜厚を測定したところ、２９８ｎｍであった。この絶縁層を用い、実施例１と同様にして絶縁破壊電圧を測定したところ、１００Vを印加しても絶縁破壊を起こさなかった。また、１００Vを印加した時のリーク電流は、２．８６×１０^−７Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。

（トランジスタの作製及び特性評価）
本実施例の絶縁層形成用溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてトランジスタを作製し、同様にトランジスタ特性及びヒステリシスを測定した。得られた結果を表１に示す。

［比較例１］
（絶縁層形成用溶液の調製）
ポリ（４−ビニルフェノール）（アルドリッチ製、ポリスチレン換算の重量平均分子量＝８０００）１．００ｇ、ポリ（メラミン−ｃｏ−ホルムアルデヒド）メチル化物の８４重量％１−ブタノール溶液（アルドリッチ製）０．１９４ｇ、２−ヘプタノン７．００ｇを、１０ｍｌのサンプル瓶に入れ、攪拌溶解して均一な溶液を調製した。

（絶縁層の形成）
得られた溶液を０．２μmのメンブレンフィルターを用いてろ過した後、シリコンウェハー上にスピンコートし、これをホットプレート上で２００℃で１時間加熱して、絶縁層を得た。

（絶縁層の耐溶剤性の評価）
得られた絶縁層にトルエン又はクロロホルムを滴下したところ、絶縁層は溶解しなかった。

（絶縁層の絶縁耐圧の評価）
絶縁層の一部を剥離して実施例１と同様に膜厚を測定したところ、３８０ｎｍであった。この絶縁層を用い、実施例１と同様にして絶縁破壊電圧を測定したところ、１００Vを印加しても絶縁破壊を起こさなかった。また、８０Ｖを印加した時のリーク電流は、３．０１×１０^−７Ａ（電極面積＝０．０３１４ｃｍ^２）であった。

（トランジスタの作製及び特性評価）
本実施例の絶縁層形成用溶液を用いたこと以外は、実施例１と同様にしてトランジスタを作製し、同様にトランジスタ特性及びヒステリシスを測定した。得られた結果を表１に示す。

以上の結果より、第１及び第２の化合物を組み合わせて含む本発明の絶縁性組成物により形成したゲート絶縁層を備える実施例のトランジスタは、まず、絶縁層をプラスチック基板の伸縮が生じない程度の低温で形成することができ、この絶縁層の耐溶剤性及び絶縁耐圧が優れており、比較例１のトランジスタに比して優れたトランジスタ特性を有するほか、ヒステリシスも安定していることが確認された。

第１実施形態に係る有機薄膜トランジスタの断面構成を模式的に示す図である。 第２実施形態に係る有機薄膜トランジスタの断面構成を模式的に示す図である。 好適な実施形態に係るディスプレイの断面構成を模式的に示す図である。

符号の説明

１０，２０…基板、１２，２２…ソース電極、１４，２４…ドレイン電極、１６，２６…有機半導体層、１８，２８…ゲート絶縁層、１９，２９…ゲート電極、３０…トップコート、４０…有機ＥＬ素子、１００，２００…トランジスタ、３００…ディスプレイ。

Claims (7)

1. ソース電極と、ドレイン電極と、これらの間の電流経路となる有機半導体層と、前記電流経路を通る電流を制御するゲート電極と、前記有機半導体層と前記ゲート電極とを絶縁する絶縁層と、を備える有機薄膜トランジスタであって、
   前記絶縁層が、分子内に電磁線又は熱により活性水素基と反応する官能基を生成する基を２個以上有する第１の化合物と、分子内に活性水素基を２個以上有する第２の化合物と、を含み、且つ前記第１及び第２の化合物の少なくとも一方が高分子化合物である組成物の硬化物からなる、
   ことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
2. 前記電磁線又は熱により活性水素基と反応する官能基を生成する基が、ブロックされたイソシアネート基又はブロックされたイソチオシアネート基である、ことを特徴とする請求項１記載の有機薄膜トランジスタ。
3. 前記ブロックされたイソシアネート基又は前記ブロックされたイソチオシアネート基が、下記一般式（１ａ）で表される基又は下記一般式（１ｂ）で表される基である、ことを特徴とする請求項２記載の有機薄膜トランジスタ。
   

   

   
   ［式中、Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４及びＲ^１５は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基を表す。］
4. 前記第１の化合物が、下記一般式（２ａ）で表される構造単位及び下記一般式（２ｂ）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位と、下記一般式（２ｃ）で表される構造単位、下記一般式（２ｄ）で表される構造単位及び下記一般式（２ｅ）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位と、を有する高分子化合物である、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタ。
   

   

   
   ［式中、Ｘ^２１及びＸ^２２は、それぞれ独立に酸素原子又は硫黄原子を表し、Ｒ^２０１、Ｒ^２０２、Ｒ^２０３、Ｒ^２０４、Ｒ^２０５、Ｒ^２０６、Ｒ^２０７、Ｒ^２０８、Ｒ^２０９、Ｒ^２１０、Ｒ^２１１、Ｒ^２１２、Ｒ^２１３、Ｒ^２１４、Ｒ^２１５、Ｒ^２１６、Ｒ^２１７及びＲ^２１８は、それぞれ独立に水素原子又は炭素数１〜２０の１価の有機基を表し、Ｒ_Ａ、Ｒ_Ｂ、Ｒ_Ｃ、Ｒ_Ｄ及びＲ_Ｅは、それぞれ独立に炭素数１〜２０の２価の有機基を表し、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ及びｕは、それぞれ独立に０〜２０の整数である。］
5. ソース電極と、ドレイン電極と、これらの間の電流経路となる有機半導体層と、前記電流経路を通る電流を制御するゲート電極と、前記有機半導体層と前記ゲート電極とを絶縁する絶縁層と、を備える有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
   前記絶縁層を、当該絶縁層を形成する面上に、分子内に電磁線又は熱により活性水素基と反応する官能基を生成する基を２個以上有する第１の化合物と、分子内に活性水素基を２個以上有する第２の化合物と、を含み、且つ前記第１及び第２の化合物の少なくとも一方が高分子化合物である組成物を塗布し、硬化させることにより形成する、
   ことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。
6. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機薄膜トランジスタを用いたディスプレイ用部材。
7. 請求項６記載のディスプレイ用部材を備えるディスプレイ。

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