TW201013767A - Dicing/die bond film - Google Patents

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201013767 32058pif 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及將用於固著晶片狀工件（半導體晶 與電極部件的_齡⑽丨前無在讀（半導體晶 上的狀態下供給工件切割的切割/晶片接合薄膜、其製造 法及使用該切割/晶片接合薄膜的半導體裝置製造方法。 【先前技術】 ❹ 形：電路圖案的半導體晶片（工件）在根據需要通過 背面研磨調節厚度後，切割為半導體晶片（晶片狀工件^ (切割步驟）。切割步驟中，為了除去切割層-般在適度 的液麼（itf是約2kg/em2) τ清辭導體晶^ 將所述半導體晶片固著到引線框等被黏物上 黏刺塗布在⑽框或半導體“上。但是，該方法中$ 劑層難以均勻化’另外膠黏劑的塗布需要特殊裝置和2 間。因此，Μ 了在靖步財軸保 裝步称中所需的晶片固著用膠黏劑層的切i 曰日片接〇薄膜（例如，參照專利文獻丨）。 專利文獻1中記載的切割/晶片接合薄膜，在支稽 ==11離的膠黏劑層。即’在膠黏劑層的保持下 然後拉伸支樓基材’將半導趙晶片與膠 將其逐個回收’通過該谬黏劑層固著到 引線框等被黏物上β 這種切割/W接合薄賴膠軸層，為了不產生無法 5 201013767 32058pif ΓΪί:寸差錯等，希望具有對半導體晶片的良好伴持力 ==r。但是，使這兩種特性平== 的事If特別是像利用旋轉圓刀等切割半導體晶 那樣要求膠_層具有高鱗力㈣ 1 上述特性的切接合薄膜。 …得到滿足 f此’為了克服這樣的問題，提出了各種改進方法（例 〇 利文獻2)。專利文獻2中公開了在支撐基材 和膠黏劑層之間插人可紫外線固化的黏合劑層，將其切割 後進打紫外線固化，由此使黏合與勝賴層之間的膠 黏力下降，從而通過兩相關離使半導體晶片的拾取 得容易的方法。 但是’即使通過該改進方法，有時也難以得到使切割 時的保持力和之後的剝離性良好平衡的切割/晶片接合薄 膜。例如，在i〇mmxl0mm以上的大型半導體晶片或 25〜75μιη的極薄半導艘晶片的情況下，使用—般的晶片接 合機不能容易地拾取半導體晶片。 針對這樣的問題，下述專利文獻3中公開了向黏合劑 層中與半導體晶片黏貼部分對應的部分照射紫外線 分固化’由此提高拾取性的方案。但是，專利文獻3 ^載 的切割/晶片接合薄膜，其切割後的切割面上發生構成晶片 接合薄膜的膠黏劑層的膠糊溢出，因此有時切割面之間再 附著（黏連）。結果，難以進行半導體晶片的拾取。 專利文獻1 :日本特開昭60-57642號公報 6 201013767 32058pif 專利文獻2 : 專利文獻3 : 【發明内容】 曰本特開平2-248064號公報 曰本特開2005-5355號公報 到/曰於上述問題而進行，其目的在於提供一種切 具有在基材上具有黏合劑層的切割薄膜 劑層上設置的晶片接合薄膜，所述切割/晶片接 即使在半導體晶片為薄型的情況下，切割該薄型半 導體晶片時的保持力與將切割得到的半導體晶片和其晶片 接合薄膜域離時的獅性之間的平衡特性也優良；其 製ie方法’ IX及使帛該切割/晶#接合薄膜的半導體裝置製 造方法。 本發明人為了解決上述現有問題，對切割/晶片接合薄 膜、其製造方法以及使用該切割⑽接合薄膜的半導鱧裝 置製=方法進行了研究。結果發現，如果是通過在紫外線 照射前的黏合劑層上黏貼晶片接合薄膜而製作的切割/晶 片^合薄膜，則黏合劑層與晶片接合薄膜的介面處的密合 φ 性尚，錨固效應過度顯現’結果，即使通過紫外線照射使 黏合劑層固化後對半導體晶片進行拾取，有時也難以剝離。 即，為了解決上述問題，本發明的切割/晶片接合薄膜 為具有在基材上具有黏合劑層的切割薄膜和在該黏合劑層 上設置的晶片接合薄膜的切割/晶片接合薄膜，其特徵在 於，所述黏合劑層由丙烯酸類聚合物形成，所述丙烯酸類 聚合物由CHpCHCOOR1 (式中，R1為碳原子數6〜10的 烷基）表示的丙烯睃酯A、CH2=CHCOOR2 (式中，R2為 7 201013767 32058pif 礙原子數11以上的烷基）表示的丙烯酸酯B、含羥基單 體、和分子内具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合 物構成’所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例 疋.相對於丙烯酸酯A60〜90莫耳％，丙烯酸酯B為40〜10 莫耳％，所述含羥基單體的配合比例是：相對於所述丙烯 酸酯A和丙烯酸酯B的總量100莫耳％在10〜30莫耳％的 範圍内’所述異氰酸酯化合物的配合比例是：相對於所述 含羥基單體100莫耳％在70〜90莫耳％的範圍内，並且， 通過紫外線照射而固化，所述晶片接合薄膜由環氧樹脂形 成’並且層壓在紫外線照射後的黏合劑層上。 所述黏合劑層在與晶片接合薄膜黏貼前通過紫外線 照射預先固化而形成。因此黏合劑層表面硬，在與晶片接 合薄膜黏貼時能夠使兩者的密合度下降。由此，減小黏合 劑層與曰B片接合薄膜之間的錯固效果，例如在拾取半導體 晶片時，使黏合劑層與晶片接合薄膜之間的剝離性良好。 結果，能夠提高拾取性。另外，通過紫外線照射使黏合劑 層固化時，形成交聯結構，由此黏合劑層的體積縮小。因 此，例如在與晶片接合薄膜黏貼後對黏合劑層照射紫外線 使其固化時’對晶片接合薄膜施加有應力。結果，有時切 割/晶片接合薄膜整體產生翹曲。但是，本發明的切割/晶 片接合薄膜，由於是在通過紫外線照射進行固化後與晶片 接合薄膜黏貼而形成的，因此能夠防止對晶片接合薄膜施 加不需要的應力。結果，能夠得到無紐曲的切割/晶片接合 薄骐。 201013767 32058pif 另外’所述晶片接合薄膜由環氧樹脂形成，因此即使 例如通過切割與半導體晶片一起被切斷，也能夠防止其切 割面上發生構成晶片接合薄膜的膠黏劑的膠糊溢出。由 此’防止切割面之間再附著（黏連），從而能夠進一步提 回半導體晶片的拾取性。 另外’形成所述黏合劑層的丙烯酸類聚合物中，包含 由CHfCHCOOR1 (式中，R1為碳原子數6〜10的烷基） .表示的丙烯酸酯A和由CH2=CHCOOR2 (式中，R2為碳原 子數11以上的烧基）表示的丙烯酸醋B，並且相對於丙稀 酸酯A 60〜90莫耳％，丙烯酸酯B的配合比例為40〜1〇莫 耳％。通過使丙烯酸酯A的配合比例為90莫耳％以下並且 使丙烯酸酯B的配合比例為1〇莫耳％以上，能夠提高黏合 劑層在紫外線固化後對晶片接合薄膜的剝離性，從而使拾 取半導體晶片時的拾取性良好。另一方面，通過使丙稀酸 醋A的配合比例為60莫耳❶/。以上並且使丙烯酸酯b的配 合比例為40莫耳0/〇以下，使紫外線固化前切割薄膜與晶片 參 接合薄膜的膠黏性良好’能夠防止剝離。另外，通過使含 羥基單體的配合比例相對於丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的總 量100莫耳％為10莫耳％以上，抑制紫外線照射後的交聯 不足。結果，能夠防止例如切割時對黏貼於黏合劑層上的 切割環產生膠糊殘留。另一方面，通過使所述配合比例為 40莫耳％以下，能夠防止紫外線照射導致交聯過度進行而 造成剝離困難’拾取性降低的情況。另外，還能夠防止與 聚合物的部分凝膠化相伴隨的生產率不降。 9 201013767 32058pif 另外’本發明中，不使用多官能單體，而採用分子内 具有自由基反應性礙碳雙鍵的異氰酸酯化合物，因此，不 會出現該多官能单體物質擴散至晶片接合薄膜中的情況。 結果，防止切割薄膜與晶片接合薄膜的邊界面消失，能夠 實現更好的拾取性。 所述紫外線照射時的積分光量優選在30〜1〇〇〇mJ/cm2 的範圍内。通過使紫外線照射時的積分光量為3〇mJ/cm2 以上，使黏合劑層充分固化，防止其與晶片接合薄膜過度 密合。結果，能夠實現良好的拾取性，並能夠防止拾取後 黏合劑附著在晶片接合薄膜上（所謂的膠糊殘留）。另一 方面’通過使所述積分光量為1000mJ/cm2以下，能夠減少 對基材的熱損害。另外，能夠防止黏合劑層的固化過度進 行而使拉伸彈性模量過大，擴張性下降。另外，能夠防止 黏合力過低，由此在工件的切割時，能夠防止晶片飛散的 發生。 匕所述含羥基單體優選為選自由（甲基）丙烯酸-2-羥基 乙S曰（甲基）丙浠酸-2-M基丙酯、（甲基）丙婦酸_4_ 羥基丁酯、（曱基）丙烯酸_6_羥基己酯、（甲基）丙烯酸 -8_羥基辛酯、（甲基）丙烯酸·10-羥基癸酯、（甲基）丙 稀酸12毯基十一烧醋和（甲基）丙稀酸（4_經甲基環己 基）甲酯組成的群組中的至少任意一種。 另外，所述具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化 合物’優選為選自2-曱基丙烯酿氧乙基異氰酸醋或者2丙 烯醯氧乙基異氛酸酯的至少任意一種。 201013767 32058pif 另外，所述丙烯酸類聚合物的重均分子量優選在35 萬至100萬的範圍内。通過使重均分子量為35萬以上，減 少低分子量聚合物的比例，由此，能夠防止例如切割時從 黏合劑層上黏貼的切割環上發生剝離。另外，防止紫外線 照射後的交聯不足’因此在從黏合劑層上剝離切割環時， 能夠防止產生膠糊殘留。另一方面，通過使重均分子量為 100萬以下’能夠提尚在基材上形成黏合劑層時的操作 性。黏合劑層的形成，例如通過在基材上塗布由所述丙烯 酸類聚合物形成的黏合劑組合物溶液後使其乾燥來進行， 如果丙烯酸類聚合物的重均分子量超過100萬，則黏合劑 組合物溶液的黏度過大，因此該丙稀酸類聚合物的聚合以 及塗布時的操作性下降。 另外，優選所述黏合劑層的紫外線照射後的23。(：下的 拉伸彈性模量在7〜170MPa的範圍内，並且構成所述黏合 劑層的所述丙烯酸類聚合物不包含丙烯酸作為單體成分。 通過使紫外線照射後的拉伸彈性模量（23〇c )為7MPa以 _ 上，能夠保持良好的拾取性。另一方面，通過使拉伸彈性 模量為17〇MPa以下’能夠抑制切割時發生晶片飛散。 構成所述黏合劑層的所述丙烯酸類聚合物優選不包 含丙烯酸作為單體成分。由此，能夠防止黏合劑層與晶片 接合薄膜的反應或相互作用，從而進一步提高拾取性。 另外’為了解決前述問題，本發明的切割/晶片接合薄 ，的製造方法用於製造具有在基材上具有黏合劑層的切割 薄膜和在該黏合劑層上設置的晶片接合薄膜的切割/晶片 11 201013767 32058pif 接合薄膜’其特徵在於包括：在所述基材上形成黏合劑層 前體的步驟，所述黏合劑層前體由丙烯酸類聚合物形成， 所述丙烯酸類聚合物由CHfCHCOOR1表示的丙烯酸酯 A、CHfCHCOOR2表示的丙烯酸酯B、含羥基單體、和分 子内具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物構成， 上述式中，R1為碳原子數6〜10的烷基，R2為碳原子數11 以上的烷基’所述丙稀酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比 例是：相對於丙稀酸酯A 60〜90莫耳％，丙稀酸酯B為 40〜10莫耳％ ’所述含經基單體的配合比例是：相對於所 ® 述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的總量100莫耳％在1〇〜3〇莫 耳％的範圍内，所述異氰酸酯化合物的配合比例是：相對 於所述丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的總量1〇〇莫耳％在 70〜90莫耳％的範圍内；對所述黏合劑層前體照射紫外線 而形成所述黏合劑層的步驟；和在所述黏合劑層上黏貼所 述晶片接合薄膜的步驟。 所述切割薄膜的黏合劑層在黏貼晶片接合薄膜前通 過紫外線照射預先固化。因此黏合劑層表面硬，成為對凹 ❹ 凸的密合性下降的狀態。本發明通過在這樣的黏合劑層上 黏貼晶片接合薄膜來製作切割/晶片接合薄膜，因此，黏合 劑層與晶片接合薄膜之間的密合性下降，減少錨固效果。 結果，例如在拾取半導體晶片時，黏合劑層與晶片接合薄 膜之間的剝離性優良，得到顯示良好拾取性的切割/晶片接 合薄膜另外，通過紫外線照射使黏合劑層固化時，形成 交聯結構，由此黏合劑層的體積縮小。因此，例如在與晶 12 201013767 32058pif 片接合薄臈黏貼後對黏合劑層照射紫外線使其 晶片接合薄膜施加有應力。結果，有時人膜 是在通過紫外線照射進行固化後與晶片接合=貼3 成的’因此能夠防止對晶片接合薄膜施加化 結果，能夠得到無翹曲的切割/晶片接合薄膜。‘ 參 ❿ 另外，所述方法中，使用環氧樹脂作為晶片接 的構成材料’因此能夠形成例如半導體晶片的切 使半導體晶片與“接合薄膜被靖也能_止其 上發生膠黏劑的膠糊溢出的晶片接合薄膜。結 片接合薄膜的切割面之間再附著（黏連），由此能^ 拾取性優良的切割/晶片接合薄膜。 另外，形成所述黏合劑層的丙烯酸類聚合物中， 由CH2=CHCOORl (式中，Rl為碳原子數6〜1〇的烷基 表不的丙烯酸酯A和由CH^CHCOOR2 (式中，R2盔姊広 子數U以上的炫基）表示的丙婦酸醋B，並且相對 酸醋A 60〜90莫耳％ ’丙埽酸醋B的配合比例為4(M 耳％。通過使丙烯酸酯A的配合比例為9〇莫耳％以下並且 使丙稀酸醋B的配合比例為1G莫耳％以上，能夠提高黏人 劑層在紫外線SMb後對^接合薄膜賴祕，從而 取半導體晶片時的拾取性良好。另—方面，通過使丙‘ 醋A的配合比例為60莫耳％以上並且使丙稀酸醋B的配 合比例為4〇莫耳％以下’使紫外線固化前的蝴薄膜與曰曰 片接合薄膜的膠黏性良好，㈣防止剝離^另外， 13 201013767 32058pif 含羥基單體的配合比例相對於丙烯酸酯A和丙烯酸酯B的 總量10G莫耳％為1G莫耳％以上，抑制紫外線照射後的交 聯不足。結果，能夠防止例如切割時對黏貼於黏合劑層上 的切割環產生膠糊殘留。另―方面，通過使所述配合比例 為40莫耳％以下，能夠防止紫外線照射導致交聯過度進行 而造成剝離困難，拾取性降低的情況。另外，也能夠防止 與聚合物的部分凝谬化相伴隨的生產率下降。 另外，本發明中，不使用多官能單體，而採用分子内 具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物，因此，不 會出現該多官能單體物質擴散至晶片接合薄膜中的情況。 結果，防止切割薄膜與晶片接合薄膜的邊界面消失，能夠 實現更好的拾取性。 所述紫外線照射優選在30〜1000mJ/em2的範圍内進 行。通過使紫外線的照射為30mJ/cm2以上，使黏合劑層充 分固化，防止其與晶片接合薄膜過度密合。結果，能夠實 現良好的拾取性，並能夠防止拾取後黏合劑附著在晶片接 合薄膜上（所謂的膠糊殘留）。另一方面，通過使紫外線 的照射為lOOOmJ/cm2以下，能夠減少對基材的熱損害。另 外，能夠防止黏合劑層的固化過度進行而使拉伸彈性模量 過大，擴張性下降《另外，能夠防止黏合力過低，由此在 工件的切割時’能夠防止晶片飛散的發生。 另外，為了解決前述問題，本發明的半導體裝置製造 方法使用具有在基材上具有黏合劑層的切割薄膜 合劑層上設置的晶片接合薄膜的切割/晶片接合薄膜在= 201013767 32058pif 徵在於，包括以下步驟··準備前面記載的切割/晶 膜，並在所述晶片接合薄膜上壓接半導遨晶片的;^ 騎所述半導體晶片與所述晶片接合薄膜—起开 +導體晶片的步驟；和將所述半導趙晶片與所述^片接人 薄膜一起從所述黏合劑層上剝離的步驟；並且從所述半^ 體晶片的麗接步錄直至半導體晶片的剝離步帮 劑層上未照射紫外線。 斤忒黏^ 所述方法中，使用在半導體晶片的切割時防止半導體 晶片發生晶片飛散、並且拾取性也優良的切割/晶片接合薄 膜，因此即使在例如l〇mmxl〇mm以上的大型半導體晶片 或25〜75μιη的極薄半導體晶片的情況下，也能夠容易:將 半導體晶片與晶片接合薄膜一起從切割薄膜上剝離。即， 如果是所述方法，則能夠提高成品率而製造半導體裝置。 另外，所述方法中，在拾取前不必對黏合劑層照射紫 外線。結果，與以往的半導體裝置製造方法相比能夠減少 步驟數。另外’即使在半導艘晶片具有規定電路圖案的情 β 況下，也能夠防止由紫外線照射引起的電路圖案不良情況 的產生。結果，能夠製造可靠性高的半導體裝置。 另外，所述方法中，由於使用具有使用環氧樹脂作為 構成材料的晶片接合薄膜的切割/晶片接合薄膜，因此即使 在例如半導體晶片的切割時’也能夠防止晶片接合薄膜的 切割面上膝黏劑的糊溢出而造成的切割面之間的再附著 (黏連）°結果，半導體晶片的剝離更加容易，能夠實現 成品率的提高。為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易 15 201013767 32058pif 懂，下文特舉實施例’並配合所附圖式作詳細說明如下。 【實施方式】 (切割/晶片接合薄膜） 參照圖1和圖2對本發明的實施方式進行說明。圖1 是表示本發明的實施方式的切割/晶片接合薄膜的剖面示 意圖。圖2是表示本發明實施方式的另一個切割/晶片接合 薄膜的剖面示意圖。其中，省略不需說明的部分，另外， 為了便於說明有擴大或者縮小等進行圖示的部分。 如圖1所示，切割/晶片接合薄膜1〇的構成為具有： 在基材1上設置黏合劑層2的切割薄膜和在該黏合劑層2 上設置的晶片接合薄膜3。另外，如圖2所示，本發明也 可以是僅在半導體晶片黏貼部分2a上形成晶片接合薄膜 3’的構成。 所述基材1具有紫外線透過性，並且作為切割/晶片接 合薄膜1〇、11的強度母體。可以列舉例如：低密度聚乙稀、 線型聚乙稀、中密度聚W、高密度聚乙稀、超低密度聚 乙嫦、無規共聚聚丙稀、嵌段共聚聚丙稀、均聚丙稀聚 丁烯、聚甲基戊烯等料烴、乙缚·紐乙相共聚物離 聚物樹脂、乙烯-(甲基）丙烯酸共聚物、乙婦（甲基） 丙浠酸醋（無規、交替）共聚物、乙烯·丁稀共聚物、乙稀 -己稀共聚物、聚氨_、聚對苯二甲酸乙二糾旨聚蔡二甲 酸乙二醇SI等聚ϋ、聚碳_、聚酿亞胺、聚賴明、聚 酿亞胺、聚㈣亞胺、聚_、全芳族雜胺、聚苯硫喊、 芳族聚酿胺（紙）、玻璃、玻璃布、含氟_、聚氣⑽、 201013767 32058pif ^偏氯乙稀、纖維素樹脂、有機鶴脂、金屬⑷、紙 等。 〜够ft作為基材1的材料，可以列舉所述樹脂的交聯 =等聚合物:所述塑膠薄膜可以不拉伸而使用，也可以根 t需要進订早減雙轴_處理後㈣。_經拉伸處理 賦予了熱收紐的樹脂片，通過在切職使其基材旧 收縮而降低黏合劑層2與晶片接合薄膜3、3,的膠黏面積， 0 從而容易進行半導體晶片的回收。 為了提高與鄰接層的密合性、保持性等，基材！的表 面可以進行常規表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火 焰暴露、堡電慶暴露、離子化射線處理等化學或物理處 理、以及底塗劑（例如，後述的黏合物質）塗布處理等。 所述基材1，可以適當選擇使用同種或異種材料，根 據需要也可以將多種混合使用。另外，為了賦予基材i防 靜電性能，可以在所述基材1上設置包含金屬、合金、它 們的氧化物等的厚度約3〇A〜約500A的導電物質的蒸鑛 魯層。基材1可以是單層或2種以上的多層。 基材1的厚度沒有特別限制，可以適當設定，一般為 約 5μηι 〜約 200μιη。 所述黏合劑層2由紫外線固化型黏合劑形成，通過預 先照射紫外線而固化。固化的部分不必是黏合劑層2的全 部區域’只要至少與黏合劑層2的半導體晶片黏貼部分％ 對應的部分2a固化即可（參照圖1)。黏合劑層2在與晶 片接合薄膜3黏貼前通過紫外線照射而固化，因此其表面 17 201013767 32058pif 變硬’能夠抑制黏合劑層2與晶片接合薄膜3的介面處的 密合性過度增大。由此，減少黏合劑層2與晶片接合薄膜 3之間的錨固效果，實現剝離力的提高。 另外’通過使紫外線固化型黏合劑層2在與圖2所示 的晶片接合薄膜3，貼合的狀態下預先固化，抑制黏合劑 層2與晶片接合薄膜3的介面處密合性過度增大。由此， 具備拾取時晶片接合薄膜3’容易從黏合劑層2上剝離的性 質。另一方面’黏合劑層2的其它部分2b由於未照射紫外 線因此未固化，黏合力比所述部分2a大。由此，在其它部 分2b上黏貼切割環12時，能夠將切割環12可靠地膠黏固 定。 如前所述，圖1所示的切割/晶片接合薄膜1〇的黏合 劑層2中，由未固化的紫外線固化型黏合劑形成的所述^ 分2b與晶片接合薄膜3黏合，能狗確保切割時的保持力。 這樣’紫外線固化型黏合劑能夠以良好的膠黏/剝離支揮用 於將半導體晶片固著到襯底等被黏物上的晶片接合薄膜 3。圖2所示的切割/晶片接合薄膜π的黏合劑層2中，所 述部分2b能夠固定切割環。切割環例如可以使用不銹鋼 等由金屬製成的切割環或樹脂製成的切割環。 b對與半導體晶片黏貼部分3a不同 就常溫（23°C)下★，从 切割/晶片接合薄膜10中，優選進行如下設計：使黏 合劑層2中所述部分2a對半導體晶片黏貼部分“的 力小於所述其它部分: ° 的部分3b的黏合力。 度15度、剝離速度300mm/分鐘）而言，所述部分 201013767 32058pif 合力從晶片的固定保持力和形成的晶片的回收性等觀點考 慮優選為0.5〜〇.9N/10mm。黏合力如果小於0.5N/10mm則 半導體晶片的膠黏固定不充分，因此在切割時有時發生晶 片飛散。另外’黏合力如果超過0.9N/1〇mm則黏合劑層2 過度地膠黏晶片接合薄膜3 ’因此有時難以拾取半導體晶

片。另一方面，所述其它部分2b的黏合力優選為 0.5〜10N/10mm、進一步優選1〜5N/10mm。即使所述部分 2a的黏合力低，通過所述其它部分2b的黏合力也能夠抑 制晶片飛散等的發生，從而發揮晶片加工所需的保持力。 切割/晶片接合薄膜11中，優選進行如下設計：使黏 合劑層2中所述部分2a對半導體晶片黏貼部分3a的黏合 力小於所述其它部分2b對切割環12的黏合力。所述部分 2a對半導體晶片黏貼部分3a的黏合力（常溫（23。〇)、 剝離角度15度、剝離速度300mm/分鐘）與上述同樣優選 為0.5〜0.9N/10mm。另一方面，所述其它部分处對切割環 12的黏合力優選為〇 〇5〜1〇N/1〇mm、進一步優選 〇·1〜5N/l〇mm。即使所述部分2a的剝離黏合力低，通過所 述其它部分2b的黏合力也能夠抑制晶片飛散等的發生，從 而發揮對晶片加工充分的保持力。另外，這些黏合力基於 常溫（23。〇、剝離角度15度、剝離速度3〇〇mm/分倍 件下的測定值。 # 另外，切割/晶片接合薄膜10、11中，優選進行如下 j .使半導體晶片黏貼部分3a對半導體晶片的黏合 ;、對所述部分2a的黏合力。對料鱧晶片的黏合力可以 19 201013767 32058pif 根據其種類適當。半導❹片黏轉分3a對所述部分 2a的黏合力（常溫（23。〇、剝離角度15度剝離速度 300mm/分鐘）優選為〇.〇5〜1〇N/1〇mfli、進一步優選 1〜5N/l〇mm。另一方面，半導體晶片黏貼部分％對半導體 晶片的黏合力（常溫un：)、剝離角度15度、剝離速产 300mm/分鐘）從切割時、拾取時、晶片接合時的可靠性二 拾取性的觀點考慮優選為〇 5〜i5N/10mm以下、進一步優 選 1 〜15N/10mm。 在此，當設半導體晶片4的直徑為Γι、黏合劑層2中 Θ 所述部分2a的直徑為r2、晶片接合薄膜3中半導體晶片 黏貼部分3a (或晶片接合薄膜3，）的直徑為Γ3時，優選 滿足rl<r2<r3的關係。由此，能夠將半導體晶片4的整個 面膠黏固定在晶片接合薄膜3、3,上，同時，能夠將半導 體a曰片黏貼部分3a (或晶片接合薄膜3’）的邊緣部膠黏固 定在所述其它部分2b上。由於所述其它部分2b的黏合力 大於所述部分2a，因此能夠在所述邊緣部膠黏固定半導體 晶片黏貼部分3a (或晶片接合薄膜3’）。結果，切割時能 ❹ 夠進一步防止晶片飛散的發生。 所述紫外線固化型黏合劑是使用在聚合物侧鏈或主 鏈中或者主鏈末端具有自由基反應性碳碳雙鍵的聚合物作 為基礎聚合物的内在型紫外線固化型黏合劑。内在型紫外 線固化型黏合劑不需要含有或者大部分不含有作為低分子 量成分的低聚物等成分等，因此低聚物成分等不會隨時間 推移在黏合劑中移動，能夠形成穩定層結構的黏合劑層。 20 201013767 32058pif 本發明中，所述丙烤酸類聚合物由丙烯酸醋A、丙烤 酸酯B、含經基單艘和分子内具有自由基反應性碳碳雙鍵 的異氰酸酯化合物構成。 所述丙烯酸酯A由化學式CHfCHCOOR1 (式中，R1 為礙原子數6〜10、更優選碳原子數8〜9的燒基）表示。另 外，所述丙烯酸酯B由化學式CHfCHCOOR2 (式中，R2 為碳原子數11以上、更優選12〜26、進一步優選16〜22的 φ 垸基）表示。通過含有這樣的長鏈烧基單體，減小黏合劑 的極性’能夠提高紫外線固化後的剝離性。 所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是：相 對於丙稀酸醋A 60〜90莫耳％，丙晞酸醋b為40〜10莫耳 /〇。如果所述丙婦酸醋A的配合比例超過9〇莫耳％並且丙 烯酸酯B的配合比例低於10莫耳％，則紫外線固化後的黏 合劑層2對晶片接合薄膜的剝離性降低，在拾取半導體晶 片時導致拾取性下降。另一方面，如果丙烯酸酯A的配合 比例低於6〇莫耳％並且丙烯酸酯B的比例超過40莫耳 ’則黏合劑層2對晶片接合薄膜3的膠黏性下降，切割 時有時發生晶片飛散。 所述丙烯酸酯A具體可以列舉例如：丙烯酸己酯、丙 烯酸庚醋、丙烯酸辛醋、丙稀酸_2•乙基己醋、丙稀酸異辛 :旨、丙烯酸壬酯、丙烯酸異壬酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸異 ，醋等燒基的碳原子數為6〜1〇(特別是碳原子數8〜9)的 直鏈或支鏈丙稀酸燒基醋等。這些單體可以單獨使用或者 兩種以上組合使用。另外’所述化學式表示的單體中，特 21 201013767 32058pif 別優選丙稀酸-2-乙基己酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸異壬酯。 作為所述丙稀酸醋B ’只要是烧基的碳原子數為11 以上的丙烯酸烷基酯則沒有特別限制，優選烷基的碳原子 數為12以上（特別優選碳原子數16以上）的丙烯酸烷基 酯。丙烯酸酯B中烷基的碳原子數的上限沒有特別限制， 例如可以為30以下，優選26以下（進一步優選22以下）。 作為丙烯酸酯B，具體可以列舉例如：丙烯酸十二烷酯、 丙烯酸十三烷酯、丙烯酸十四烷酯、丙烯酸十六烷酯、丙 烯酸十八烷酯、丙烯酸二十烷酯、丙烯酸二十二烷酯等。 _ 這些單體可以單獨使用或者兩種以上組合使用。 所述丙烯酸類聚合物含有能夠與所述丙烯酸酯A和 丙烯酸酯B共聚的含羥基單體作為必須成分。作為含羥基 單體，可以列舉例如：（曱基）丙烯酸_2_羥基乙酯、（曱 基）丙烯酸-2-經基丙酯、（甲基）丙烯酸-4-羥基丁酯、（甲 基）丙烯酸-6-羥基己酯、（曱基）丙烯酸_8_羥基辛酯、（曱 基）丙烯酸-10-羥基癸酯、（甲基）丙烯酸-12-經基月桂酯 或（甲基）丙烯酸-(4-羥曱基環己基）甲酯等。所述含羥 ❹ 基單體可以單獨使用或者兩種以上組合使用。 所述含羥基單體的配合比例，相對於丙烯酸酯A和丙 烯酸酯B的總量1〇〇莫耳％優選在1〇〜4〇莫耳％的範圍 内，更優選在15〜30莫耳％的範圍内。配合比例如果小於 莫耳％則紫外線照射後交聯不足，有時拾取性下降。另 二方面，如果配合比例超過4〇莫耳％則黏合劑的極性增 尚，與晶片接合薄膜的相互作用增大，因此剝離困難。 22 201013767 32058pif 為了改善凝聚力、耐熱性等，所述丙烯酸類聚合物根 據需要可以含有與能夠與所述丙烯酸烷基酯共聚的其它單 體成分對應的單元。作為這樣的單體成分，可以列舉例如： 丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸丙酯、丙烯酸異丙酯、 丙烯酸丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸仲丁 酯、丙烯酸戊酯等丙烯酸烷基酯；甲基丙烯酸曱酯、甲基 丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基 ©丙烯酸丁酯、曱基丙烯酸異丁酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲 基丙烯酸仲丁酯、甲基丙烯酸戊酯等甲基丙烯酸烷基酯； 丙烯酸、甲基丙烯酸、（甲基）丙烯酸羧乙酯、（甲基） 丙烯酸羧戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧 基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；苯乙烯磺酸、 烯丙基磺酸、2-(甲基）丙烯醯胺基曱基丙磺酸、（甲 基）丙稀·酿胺基丙確酸、（甲基）丙稀酸績丙醋、（曱基） 丙稀酿氧基蔡項酸等含確酸基單體；丙烯釀谈酸-2-經基乙 酯等含填酸基單體；丙烯醯胺；丙烤腈；丙烯酸環烧酯（環 〇 己酯等）；甲基丙烯酸環烷酯；等。這些可共聚單體成分 可以使用一種或兩種以上。這些可共聚單想的用量優選為 全部單體成分的40重量％以下。但是，在所述含叛基單體 的情況下，其羧基與晶片接合薄膜3中的環氧樹脂中的環 氧基反應’由此黏合劑層2與晶片接合薄膜3的邊介面消 失’有時兩者的剝離性下降。因此，含羧基單體的用量優 選為全部單體成分的〇〜3重量％以下。另外，這些單體成 分中，構成本發明的黏合劑層2的丙烯酸類聚合物優選不 23 201013767 32058pif 含丙烯酸作為單體成分。這是因為：有時丙烯酸物質擴散 到晶片接合薄膜3 + ’使黏合劑層2與晶片接合薄膜3的 邊介面消失而使剝離性下降。 在此，所述丙烯酸類聚合物優選不含多官能單體作為 共聚用單體成分。由此，多官能單體不會物質擴散至晶片 接合薄膜，能夠防止黏合劑層2與晶片接合薄膜3的^介 面消失而導致的拾取性下降。 φ 另外，所述丙烯酸類聚合物中，使用分子内具有自由 基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物作為必須成分。作為 所述異氰酸ϋ化合物，可⑽舉例如：f基稱醯異氛酸 醋、2-甲基丙婦酿氧乙基異氣酸醋、2丙稀酿氧乙基 酸醋、間異丙縣_α，α二甲基$基異氛酸料喝述異 酸醋化合物可以單獨使用或者兩種以上組合使用。、 f述具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸醋化合物 ’相對於含經基單體刚莫耳％優選在7〇〜9〇 _，更優選在75〜85莫耳％的範圍内。配合 ❹ 拾二ΪΓ另7()^_人外線照射後的交聯不足，有時 合劑的極性例如果超過9Q莫耳％則黏 難以制離‘二接合薄膜的相互作用增大，由此 行聚㈣聚合物可叫敎魏單體混合物進 聚合可以通過溶液聚合、乳液聚合、本體 被黏物等方中的任意方式進行。從防止污染潔淨的 考慮，優選低分子量物質的含量小。從該觀 24 201013767 32058pif 點考慮，丙烯酸類聚合物的重均分子量優選為約35萬至約 100萬、更優選約45萬至約80萬。重均分子量的測定通 過GPC (凝膠滲透色譜法）進行，是通過聚乙烯換算計算 得到的值。 ❹ 另外，為了調節紫外線照射前的黏合力或紫外線照射 後的黏合力’所述黏合劑中也可以適當使用外部交聯劑。 作為外部交聯方法的具體手段，可以列舉：添加多異氟酸 酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯 劑等所謂的交聯劑使其反應的方法。使用外部交聯劑的情 況下，其用量根據與欲交聯的基礎聚合物的平衡以及作為 黏合劑的使肖崎進行適當確定…般相對於所述基礎聚 合物100重量份優選配合約20重量份以下、更優選配合 α1〜10重量份。另外’根據需要，黏合劑中除所述成分之 外還可以使用現有公知的各種増黏劑、抗老化劑等添加劑。 在所述丙稀_聚合物中狀自由基反應性碳碳雙 鍵的方法沒有制限制，可以_各種方法，從分子設計 在聚合物側鏈中狀自由基反應性碳碳雙鍵是比 ^ 列舉：預先將具魏基的單髏與丙稀 共聚後’使具有能夠與該經基反應的異氰酸醋 自由紐碳碳雙鍵_述異驗祕合物在保持 反應性碳碳雙鍵的紫外線固化性的妝鲅下靼所得it 聚物進行縮合或域反應的方法。下與所得/、 具有:ΐϊίί:外線固化型黏合劑’可以單獨使用所述 、 應性碳碳雙鍵的基礎聚合物（特別是丙烯酸 25 201013767 32058pif 類聚合物）’也可以在不損害特性的範圍内配合紫外線固 化性單體成分或低聚物成分。 作為配合的所述紫外線固化性單體成分，可以列舉例 如：氨基曱酸醋低聚物、氨基甲酸醋（曱基）丙稀酸醋、 三經甲基丙烧三（甲基）丙烯酸酯、四經甲基甲燒四（甲 基）丙烯酸酯、季戊四醇三（曱基）丙烯酸酯、季戊四醇 四（曱基）丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五（曱基）丙烯 酸酯、二季戊四醇六（曱基）丙烯酸酯、i，心丁二醇二（甲 基）丙烯酸酯等。另外，紫外線固化性低聚物成分可以列 ❹ 舉氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二 歸類等各種低聚物，其分子量在約100至約30000的範圍 内是適當的。紫外線固化性單體成分或低聚物成分的配合 量可以根據所述黏合劑層的種類適當確定能夠使黏合劑層 的黏合力下降的量。一般而言，相對於構成黏合劑的丙烯 酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為約5重量份 至約500重量份、優選約40重量份至約150重量份。 所述紫外線固化型黏合劑中優選含有光聚合引發 〇 劑作為光聚合引發劑’可以列舉例如：4- (2-經基乙氧 基）苯基（2-羥基·2-丙基）酮、α-羥基-α,α，-二甲基苯乙 綱、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1·羥基環己基苯基酮等α_酮醇 類化合物；甲氧基苯乙酮、2,2，_二甲氧基_2_苯基笨乙酮、 ’ 一乙氧基苯乙酮、2-曱基-1-[4-(曱硫基)苯基]嗎淋代 丙燒等苯乙嗣類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙 鍵、菌香偶姻曱醚等苯偶姻醚類化合物；聯苯醯二曱基縮 26 201013767 32058pif 網等縮，類化合物；2·萘續喊等芳香族俩氣類化合 物’ 1-苯基-1，2-丙H(0·乙氧基羰基)括等光活性肪類 化合物，二苯曱酮、笨甲醯苯曱酸、3,3，-二甲基_4_甲氧基 二苯曱酮等二苯甲_化合物；嗔嘴嗣、 〔 曱基嗟_、2,4_二曱基嗅伽、異丙基嘆_、2,4_二氣 嗟’嗣、2,4·—乙基嗟嘴調、2 4_二異丙基^酮等嗟嘲明 類化合物；樟腦醌_化鲷；醯基氧化膦；醯基膦酸酯等。 _ 光聚合引發劑的配合量相騎構成黏合劑&丙婦酸類聚合 物等基礎聚合物100重量份例如為約〇〇5重量份至約2〇 重量份。 切割/晶片接合薄膜10的黏合劑層2中，可以對黏合 劑層2的一部分進行紫外線照射以使所述部分仏的黏合二 <其它部分2b的黏合力。即，可以使用對基材J的至少單 面的、與半導體晶片黏貼部分3a對應的部分以外的部分的 全部或者一部分進行遮光的基材，在其上形成紫外線固化 型黏合劑層2後進行紫外線照射，使與半導體晶片黏貼部 ® 分3a對應的部分固化，形成黏合力下降的所述部分2a。 作為遮光材料，可以通過印刷或蒸鍍等在支撐薄膜上製作 能夠形成光掩模的遮光材料。 另外，紫外線照射時因氧而產生固化抑制時，優選從 紫外線固化型黏合劑層2的表面隔斷氧（空氣）。作為其 方法，可以列舉例如：用隔膜包覆黏合劑層2的表面的方 法或者在氮氣氛圍中進行紫外線等的照射的方法等。 黏合劑層2的厚度沒有特別限制’從同時防止晶片切 27 201013767 32058pif 割面的缺陷和保持晶片接合薄膜3的固定等方面考慮，優 選為約Ιμπι至約5〇μπι。優選2〜30μιη、更優選5〜25μιη。 晶片接合薄膜3例如可以形成僅由單層膠黏劑層構成 的結構。另外’也可以將玻璃化轉變溫度不同的熱塑性樹 脂、熱固化溫度不同的熱固性樹脂適當組合，形成兩層以 上的多層結構。另外，由於半導體晶片的切割步驟中使用 切削水’因此晶片接合薄膜3吸濕，有時達到常態以上的 含水率。如果以這樣的高含水率狀態膠黏到襯底等上，則 有時在後固化階段膠黏介面處滞留水蒸汽，而產生隆起。 因此，作為晶片膠黏用膠黏劑，形成用晶片膠黏劑夾住高 透濕性芯材的結構，由此在後固化階段水蒸汽透過薄膜而 擴散，從而能夠避免所述問題。從這樣的觀點考慮，晶片 接合薄膜3可以形成在芯材的單面或雙面形成膠黏劑層的 多層結構。 作為所述芯材，可以列舉薄膜（例如聚酿亞胺薄膜、 聚醋薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇醋薄膜、聚萘二甲酸乙二 ❹ 醇醋薄膜、巧酸㈣膜等）、用_纖維或塑膠制無纺 纖維增強的樹脂襯底、矽襯底或破螭襯底 薄膜3 ’以環氧樹脂作為主成分而 形成。環氧中使半導體元件腐料離子性雜質等的含 黏劑組合物使㈣環氧樹;，只要是通常作為膠 如：雙粉Α型、雙㈣型' 特別限制，可以使用例 氫化雙驗A变、雙盼AF型、職#S型、演化雙紛A型、 聯笨型、萘型、芴型、苯酚 28 201013767 32058pif 酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥苯基甲烧型、四酚 基乙烷型等雙官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或者乙内 醯腺型、異氱脈酸三縮水甘油酯型或者縮水甘油胺型等環 氧樹脂。這些環氧樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使 用。這些環氧樹脂中，特別優選酚醛清漆型環氧樹脂、聯 苯型環氧樹脂、三羥苯基甲烷型環氧樹脂或四酚基乙烷变 環氧樹脂。這是因為：這些環氧樹脂與作為固化劑的盼樹 脂的反應性好，並且耐熱性等優良。 ® 另外’晶片接合薄膜3根據需要可以適當組合使用其 它熱固性樹脂或熱塑性樹脂。作為所述熱固性樹脂，可以 列舉盼樹脂、氨基樹脂、不飽和聚醋樹脂、聚氨醋樹脂、 聚矽氧烷樹脂、或者熱固性聚醯亞胺樹脂等。這些樹脂可 以單獨使用或者兩種以上組合使用。另外，作為環氧樹脂 的固化劑優選酚樹脂。 另外’所述酚樹脂作為所述環氧樹脂的固化劑使用， 可以列舉例如：苯紛紛搭清漆樹脂、苯紛芳燒基樹脂、甲 φ 酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚 醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂、甲階酚醛樹脂型酚樹 脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。這些酚樹脂可以 單獨使用或者兩種以上組合使用。這些紛樹脂中特別優選 苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂等。這是因為它們能 夠提高半導體裝置的連接可靠性。 所述環氧樹脂與酚樹脂的配合比例，優選例如以相對 於所述環氧樹脂成分中的每一當量環氧基，酚樹脂中的羥 29 201013767 32058pif 基為0·5〜2·〇當量的比例進行配合。更優選0.8〜1.2當量。 即’這是因為：兩者的配合比例如果在所述範圍以外，則 固化反應不充分，環氧樹脂固化物的特性容易變差。 作為所述熱塑性樹脂，可以列舉：天然橡膠、丁基橡 勝、異戊二烯橡膠、氣丁橡膠、乙烯_醋酸乙烯酯共聚物、 乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹 脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、尼龍6或尼龍 6,6等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、ρΕΤ或 参 ΡΒΤ等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或者含氟樹脂 等°這些熱塑性樹脂可以單獨使用或者兩種以上組合使 用。這些熱塑性樹脂中，特別優選離子性雜質少、耐熱性 高、能夠確保半導體元件可靠性的丙烯酸系樹脂。 作為所述丙烯酸系樹脂，沒有特別限制，可以列舉以 一種或兩種以上具有碳原子數30以下、特別是碳原子數 4〜18的直鏈或支鏈烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯為成 分的聚合物等。作為所述烷基，可以列舉例如：甲基、乙 基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異 Ο 戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、 壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三 烧基、十四烧基、硬脂基、十八烧基或者十二垸基等。 另外，作為形成所述聚合物的其它單體，沒有特別限 制，可以列舉例如：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙婦酸叛乙酯、 丙稀酸叛戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等含辣 基單體；馬來酸酐或衣康酸酐等酸酐單體；（甲基）兩稀 30 201013767 32058pif 酸_2-經基乙酯、（曱基）丙烯酸_2_羥基丙酯、（甲基）丙 稀酸經基丁酯、（甲基）丙烯酸-6-羥基己酯、（甲基） 丙稀酸-8-經基辛酯、（曱基）丙烯酸_1〇羥基癸酯、（甲 基）丙婦酸-12-羥基月桂酯或丙烯酸(4_羥甲基環己基）甲醋 等含經基單體；笨乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基）丙 稀酿胺基-2-甲基丙磺酸、（曱基）丙烯醯胺基丙磧酸、（甲 基）丙烯酸磺丙酯或（甲基）丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸 φ 基單體；或者丙烯醯磷酸-2-羥基乙酯等含磷酸基單體。 為了使晶片接合薄膜3的膠黏劑層預先具有某種程度 的交聯’在製作時優選添加能夠與聚合物的分子鏈末端的 官能團等反應的多官能化合物作為交聯劑。由此，能夠提 尚尚溫下的膠黏特性、改善耐熱性。 另外’晶片接合薄膜3的膠黏劑層中根據需要可以適 當配合其它添加劑。作為其它添加劑，可以列舉例如：阻 燃劑、矽烷偶聯劑或離子捕獲劑等。作為所述阻燃劑，可 以列舉例如：三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。這 ❿些物質可以單獨使用或者兩種以上組合使用。作為所述發 烷偶聯劑，可以列舉例如：p_(3，4·環氧環己基）乙基三曱氧 基石夕烧、γ-環氧丙氡基丙基三曱氧基破烧、丫_環氧丙氧基 丙基甲基二乙氧基矽烷等。這些化合物可以單獨使用或者 兩種以上組合使用。作為所述離子捕獲劑，可以列舉例如： 水滑石類、Α氧她等。這錄質可以單獨❹ 以上組合使用。 晶片接合薄膜3的厚度沒有特別限制，例如為約5μιη 201013767 32058pif 至約ΙΟΟμιη、優選約5μιη至約50μιη。 可以使切割/晶片接合薄膜10、11具有防靜電性能。 由此，能夠防止其膠黏時及剝離時等產生靜電或者電路由 於靜電導致的半導體晶片帶電而遭破壞等。防靜電能力的 賦予，可以通過在基材1、黏合劑層2或者晶片接合薄膜3 中添加防靜電劑或導電物質的方法、在基材1上附設由電 荷轉移絡合物或金屬膜等形成的導電層等適宜方式來進 行。作為這些方式，優選不易產生可能導致半導體晶片變 質的雜質離子的方式。作為以賦予導電性、提高導熱性等 _ 為目的而配合的導電物質（導電填料），可以列舉銀、铭、 金、銅、鎳、導電合金等球狀、針狀、片狀金屬粉、氧化 鋁等金屬氧化物、無定形炭黑、石墨等。但是，從不漏電 的觀點考慮，優選所述晶片接合薄膜3、3,為非導電性。 所述切割/晶片接合薄膜1〇、u的晶片接合薄膜3、3， 優選由隔膜保護（未圖示）^隔膜具有作為在供給實際應 用之前保護晶片接合薄膜3、3,的保護材料的功能。另外， 隔膜還可以作為向黏合劑層2上轉印晶片接合薄膜3、3， ❹ 時的支撐基材使用。隔膜在向切割/晶片接合薄膜的晶片接 合薄旗3、3’上黏貼半導體晶片時剝離。作為隔膜，可以 使用聚對苯二甲酸乙二_旨（PET)、聚乙婦、聚丙稀， 也可以使用由含氟剝離劑、長鏈燒基丙稀酸醋類剝離劑等 剝離劑進行了表面塗敷的塑膠薄膜或紙等。 (切割/晶片接合薄膜的製造方法） 以下，以切割/晶片接合薄膜ω為例對本發明的切割/ 32 201013767 32058pif 晶片接合薄膜的製造方法進行說明。首先，基材i可以通 過現有公知的制膜方式製成膜。作為該制膜方法，可以列 舉例如··壓延制膜法、有機溶劑中的流延法、密閉體系的 擠壓吹塑法、T形模頭擠出法、共擠出法、幹式層壓法等。 然後，在基材1上塗布黏合劑組合物形成塗膜後在 規定條件下使該塗膜乾燥（根據需要進行加熱交聯），形 成黏合劑層前體。作為塗布方法沒有特別限制，可以列舉 例如：輥塗、絲網塗布、凹版塗布等。另外，作為乾燥條 件可以根據塗膜的厚度或材料等進行各種設定。具體而 言，例如，在乾燥溫度80〜15(rc、乾燥時間05〜5分鐘的 範圍内進行。另外，也可以在隔膜上塗布黏合劑組合物形 成塗膜後，在所述乾燥條件下使塗膜乾燥而形成黏合劑層 前體。之後，將黏合劑層前體轉印到基材丨上。對這樣形 成的黏合劑層前體進行紫外線照射，由此形成黏合劑層 2。作為紫外線的照射條件，其積分光量優選在 30〜1〇〇〇mJ/cm2的範圍内、更優選在100〜500 mJ/cm2的範 〇 圍内。紫外線照射如果不足3〇mJ/cm2則有時黏合劑層的固 化不充分。結果，與晶片接合薄膜的密合性增大，導致拾 取性下降《另外，拾取後在晶片接合薄膜上產生膠糊殘留。 另方面’紫外線照射如果超過1000mJ/cm2則有時對基材 產生熱損害。另外，黏合劑層的固化過度進行而使拉伸彈 性模量過大，擴張性下降。另外，黏合力過度下降，由此 在半導體晶片的切割時，有時發生晶片飛散。 然後，將用於形成晶片接合薄膜3的形成材料塗布在 33 201013767 32058pif 剝離紙上，預定厚度’並且在規定條件下進行乾燥而形成 晶片接合薄膜3。通過將該晶片接合薄膜3轉印到所述黏 合劑層2上’形成切割/晶片接合薄膜。通過以上方法，得 到本發明的切割/晶片接合薄膜1〇。 (半導體裝置的製造方法） 參照圖3對使用本發明的切割/晶片接合薄膜u的半 導體裝置的製造方法進行說明。

首先，將半導體晶片4壓接在切割/晶片接合薄膜p 中的晶片接合薄膜3’上’將其膠純持而固定（安裝歩 稀）。本步驟在用壓接财擠紅具擠壓的同時進行。

然後，進行半導體晶片4的切割。由此，將半導體晶 片4切割為規定的尺寸而小片化，形成半導體晶片$。切 割例如從半導體晶片4的電路賴—按照常規方法進行。 另外，本步財，例如可以採用完全切人至晶片接合薄腊 3的、稱為全切的蝴方式i由於晶片接合薄膜3由辱 氧樹脂形成，因此即使通過切割被靖，也能夠防止其甘 割面上產生膠黏義膠糊溢出。結果，能夠防止切割^ 間再附著（黏連），從而能夠更好地進行後述的拾取 步琢中使用的切割裝置沒有特別限制，可以使用現有公知 的切割裝置。糾，由於半導鱧晶片4由晶片接合* 朦黏固定’因此不僅能夠抑制晶片缺陷和晶片飛散: 夠抑制半導艘晶片4的破損。另外，即使在通過切匕 至黏合劑導2的情況-ρ，由於黏合觸2通過紫外 而固化，也能夠防止絲屑等的產生。 “、、射 34 201013767 32058pif 然後’進行切割/晶片接合薄膜U =苡==置進行。採張裝置具有能夠通過切割環 ===小的支律切魏片接合薄臈”的内 參 :=:::半_“_=生=。’ 在後相拾取時，能_止半料晶片之間接觸而 _為=二定晶在:5:广合薄琪 10上的半導 層2照射紫外線的方二法=合: ==〇的各種方法。例如，可以列舉用針從切割/ 曰曰片接Q薄膜10 —側將各個半導 取裝置拾取被上推的半導體晶片5 :方法等本發:過拾 割/晶片接合薄膜10中，黏合 明的切 剝離性良好，因此即使減少針丄：:片接合薄膜3的 提高成品率而進行拾取或者減小上推量也能夠 拾取的半導體晶片5通過晶片接合薄膜 在被黏物6上⑷接合）。被黏物6栽置於加^膠=定 it。作為被黏物6，可以列舉引線框、tab°薄膜eat == 卜製作的半導體晶片等。被黏物6例如可Γ是 ==::r:也可以是_形的非變形型 35 201013767 32058pif 作為所述襯底’可以使用現有公知的襯底。另外，作 為所述引線框’可以使用Cu引線框、42合金引線框等金 屬引線框或者由玻璃環氧、BT (雙馬來醯亞胺三嗪）、 聚睡亞胺等製成的有機襯底。但是，本發明不限於這些， 也包括在女裝半導體元件，與半導體元件電連接後可以使 用的電路襯底。 晶片接合薄膜3為熱固型時，通過加熱固化將半導體 晶片5膠黏固定在被黏物6上，並提高耐熱強度。另外， 通過晶片接合薄膜3a將半導體晶片5膠黏固定到概底等上❹ 而形成的製σσ可以供給回流焊接步驟。之後，進行用焊線 7將襯底的端子部（内部端子）的前端與半導體晶片5上 的電極焊盤（未圖示）電連接的絲焊，再用密封樹脂8將 半導體晶片密封，並使該密封樹脂8後固化。由此，製作 本實施方式的半導鳢裝置。 實施例 以下，具體地舉例說明本發明的優選實施例。但是， 這些實施例中記載的材料或配合量等，只要沒有特別限定 ❹ 的記載’則並不意味本發明的範圍僅限定於此，只不過是 舉例説明而已。另外，各例中，只要沒有特別說明，“份，， 均為重量基準。 (實施例1) <切割薄膜的製作> 在具有冷凝管、氮氣導入管、溫度計和撲拌裝置的反 應容器中’加入51.7份丙烯酸·2_乙基己酯（以下稱為 36 201013767 32058pif “2EHA”）、39.0份丙烯酸硬脂酯（以下稱為“SA”）、 9.3份丙烯酸-2-羥基己酯（以下稱為“HEA”）、0.2份過 氧化苯甲醯及65份甲苯’在氮氣流中在61°C下進行6小 時聚合處理，得到重均分子量58萬的丙烯酸類聚合物a。 重均分子量如後所述。2EHA、SA、HEA的莫耳比為70 莫耳對30莫耳對20莫耳。 在該丙烯酸類聚合物A中加入1〇.〇份（相對於HEA 為80莫耳％) 2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯（以下稱為 ® “ΜΟΓ )，在空氣氣流中在50°C下進行48小時加成反 應處理，得到丙烯酸類聚合物A’。 然後，在100份丙烤酸類聚合物A’中加入8份多異氰 酸酯化合物（商品名“ColonateL”，日本聚氨酯株式會社 製造）和5份光聚合引發劑（商品名“Irgacure651” ，汽 巴特殊化學品公司制），製作黏合劑溶液。 將前述製備的黏合劑溶液塗布於PET剝離襯裡的經 聚矽氧烷（silicone)處理的表面上，在i2〇°c加熱交聯2 φ 分鐘’形成厚度10^m的黏合劑層前體。然後，在該黏合 劑層前體表面黏貼厚度ΙΟΟμιη的聚烯烴薄膜。之後，在 50°C保存24小時。之後，僅對黏合劑層前體的與半導體晶 片黏貼部分（直徑200mm)對應的部分（直徑220mm) 照射500mJ/cm2的紫外線而形成黏合劑層。由此，製作本 實施例的切割薄膜。另外，紫外線照射條件如下所述。 <紫外線照射條件> 紫外線（UV)照射裝置：高壓水銀燈 37 201013767 32058pif 紫外線照射積分光量：500mJ/cm2 輪出功率：75W 照射強度150mW/cm2 另外，紫外線照射是對黏合劑層前體直接照射。 <晶片接合薄膜的製作> 使100份以丙烯酸乙酯-曱基丙烯酸甲酯為主成分的 丙烯酸酯類聚合物（根上工業株式會社制，商品名： ParacronW-197CM)、59份環氧樹脂i(JER株式會社制， 商品名：Epicoat 1004)、53份環氧樹脂2 (JER株式會社 ® 制，商品名：Epicoat 827)、121份酚樹脂（三井化學株 式會社制，商品名：MilexXLC-4L)和222份球狀二氧化 石夕（ADMATECHS株式會社制，商品名：s〇_25R)溶解 於甲乙_中’製備成濃度23.6重量％。 將該膠黏劑組合物的溶液塗布於作為剝離襯裡（隔 臈）的經聚矽氧烷處理的厚度38μιη的聚對苯二甲酸乙二 醇δ曰薄膜形成的脫膜處理薄膜上，然後在13〇。〇乾燥2分 ，。由此’製作厚度25卿的晶片接合薄膜。進而，將自❹ ^接合薄膜轉印到前述切割薄膜的黏合劑層一側，得到本 實施例的切割/晶片接合薄膜。 <重均分子量Mw的測定> 重均分子量Mw的測定通過Gpc (凝膠渗透色譜法 ==件如下所述。另外’重均分子量通過聚苯乙 38 201013767 32058pif 測定裝置：HLC-8120GPC (製品名，東曹公司制） 柱：TSKgelGMH-H(S)x2 (商品編號，東曹公司制） 流量：0.5ml/分鐘 注射量：ΙΟΟμΙ

柱溫：40°C

洗脫液：THF 注射試樣濃度：0.1重量％ 檢測器：差示折射計 (實施例2〜13) 實施例2〜13變更為下表1所示的組成及配合比例， 除此以外，與實施例1同樣操作，製作切割/晶片接合薄膜。 39 201013767 i

Jftoosze r^* ν-ϊ »Γ> ir> 〇 00 οο 00 00 00 oo 00 00 oo 00 00 OO 1 6- in *Ti νο Ό yn ν〇 ν〇 v〇 m v〇 V) VO »n VO in Ο o \o # φ 避 畹 AOI I 1 I 1 I 1 t 1 —· s On 〇〇 1 1 1 僅 1 I MOI I 10.0 (80) ν〇 Μ 14.3 (8〇) 10.9 (80) ο ON 10.0 (80) /—*· S| 1 OO匕 11.2 (90) 10.0 (80) 10.0 (80) 10.0 (80) | 4HBA I 1 1 I I 1 1 ns —CN| 1 1 i 1 1 1 HEA ΓΟ 〇 α；α °〇 CN 的c 13.3 (3〇) 10.2 (20) si w、 m o' 咖 m 〇 CS w、 m 〇 Q\ CS w、w m 〇 m 〇 Ci m 〇 ^ O ΟΝζΙ 1 I I I 1 1 1 1 1 t 1 1 1 η 避 1 1 I 1 1 1 1 1 1 1 1 1 30.8 (20) 蓑 39.0 (30) 40.5 J30) 37.3 J3m 44.3 135) 39.0 (30) 38.2 (30) 38.2 (30) 39.0 (30) 39.0 (30) 39.0 J3〇) 39.0 (30) 39.0 (30) t < 避 g •丄 I I 1 I 1 51.7 (70) 1 1 1 1 1 1 1 治ί 载 2EHA 51.7 (7〇) 53.7 (7〇) 49.4 (70) 68.5 (85) 46.7 (65) 1 50.6 (70) 51.7 170) 51.7 (70) 51.7 (70) 51.7 (7〇)_ 51.7 (701」 59.7 _ 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8 實施例9 實施例10 實施例11 實施例12 實施例13 琳f/oH-琳ool»w衮避嬸蓑肊农架萆长 <场碱客M^^s-fr-vaHTi-^vaH *4>蚌。ο/βκ-琳长碱««:謹龙 201013767 32058pif 另外，表1及後述的表2中記載的簡稱的含義如下所 ，.述。 - . ' -2EHA:丙烯酸-2-乙基己g旨 i-OA :丙稀酸異辛酯 SA :丙缔酸硬脂醋 VA:丙烯酸二十二烧酯 BA :丙烯酸正丁酯 HEA :丙烯酸_2_羥基乙酯 4HBA :丙稀酸_4_經基丁酯 AOI : 2-丙烯醯氧乙基異氰酸酯 C/L .夕異氛酸自曰化合物（商品名“c〇l〇nateL” ，日· 本聚氨酯株式會社製造） (比較例1〜8) 比較例1〜7變更為下表2所示的組成及配合比例，除 此以外，與所述實施例丨同樣操作，製作切割/晶片接合薄 膜。另外，比較例8變更為下表2所示的組成及配合比例 ❹並且在晶接合薄膜的黏貼前不實施紫外線照射，除此以 外與實施例1同樣操作，製作切割/晶片接合薄膜。 201013767 JUSS0«se 光聚合引發劑 <Τί Ό »r> U 00 00 00 00 00 00 00 00 蚪 BS- «ri ο w-ϊ Ό νο ο »n v〇 i〇 VO VO 異氱酸酯化合物 ΑΟΙ 1 I I I I 1 1 1 ΜΟΙ 13.0 (80) 21.8 (8〇) <Ν 0s $ 5s —00 — Ό o' 〇〇 〇〇 12.4 (100) 10.0 (80) »1- 澈 •φι | 4ΗΒΑ 1 1 I 1 1 1 1 1 | ΗΕΑ 12.2 (20) °· R 20.4 (5〇) m o' cK已 00 ^ 〇 ® 1—t ✓ m o' (N w、S—✓ 〇； ^ 53.8 (80) 1 I 1 1 1 1 1 PQ 避 灌ί 1 1 I 1 1 1 1 1 爱 34.0 (20) 42.6 (3〇) 34.2 (3〇) 39.0 (30) 66.8 J60) 39.0 (30) 39.0 (30) < 避 | i-OA | 1 I I 1 1 幽 1 t 衆 2EHA 1 56.4 (7〇) 45.4 (7〇) 51.7 (70) 81.6 (95) 25.3 (40) 51.7 (100) 51.7 (100) 比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 比較例5 比較例6 比較例7 比較例8 。o/oirHs 絮蚌硪墩♦食*要长<迴«ί^ε^^δ-θ-Ιον^ΙΟΗ·^^。。/。^ 淋銮。/OH-^00I»w衮儸嬸发《禽架萆长<^碱銮€:磋龙忘-6-¥«11寸^<;«1^-6-蚌。。/0叶琳长<迴碱銮€:磋埤 201013767 J2U3»pit (切割） 使用各實施例及tb較例的各糊接合薄膜，按照 以下要領實際進行半導髏晶片的切割，並評價各切割 接合薄膜的性能。 對半導體晶片（直徑8英寸、厚度0 6mm)進行背面 研磨處理，將厚度〇.15mm的鏡面晶片作為工件使用。從 切割/晶片接合薄膜上剝離隔膜後，在40°c下在其晶片接 參 合薄膜上用輥壓接鏡面晶片使其黏貼，進而進行切割。另 外，切割以得到1mm見方的晶片尺寸的方式進行全切。 確認切割後的半導體晶片及切割/晶片接合薄膜有無晶片 飛散。晶片飛散在即使半導體晶片有一個飛散時也評價為 X，無飛散時評價為〇。晶片磨削條件、黏貼條件及切割條 件如下所述。 <晶片磨削條件> 磨削裝置：迪思科（DISCO) 公司制，DFG-8560 ❹ 半導體晶片：8英寸直徑（從厚度0.6mm背面磨削至 〇.15mm) <黏貼條件>

黏貼裝置：日東精機制ΜΑ-3000Π 黏貼速度：l〇mm/分鐘 黏貼壓力：〇.15MPa 黏貼時的級溫：40°C 43 201013767 <切割条件> 切割裝置：迪思科公司制，DFD-6361 切割環：2-8-1 (迪思科公司制） 切割速度：80mm/秒 切割刀片： Z1 :迪思科公司制2050HEDD Z2 :迪思科公司制2050HEBB 切割刀片轉數：

Zl ： 40000rpm Z2 *· 40000rpm 刀片高度：

Zl : 0.215mm (由半導體晶片厚度決定（晶 75μιη 時，為 〇.170mm) ) ^ 21 ： 0.085mm 切割方式：A模式/階段式切割 晶片晶片尺寸：l.Omin見方 (拾取） 膜’按照 ’並評價 各切割/晶片接合薄膜的性能。

合薄膜上用輥壓接鏡面晶片使其點貼， 使用各實施例及比較例的各切割/晶片接人薄 以下要領實際進行半導艘晶片的切割後進行拾"取 和π丨卜匈丄什使用。從 在40°C下在其晶片接 進而進行切割。另 201013767 外’切割以得到l〇mm見方的晶片尺寸的方式進行全切。 然後’將各切割/晶片接合薄膜拉伸，進行使各晶片間 達到規定間隔的擴張步驟。但是，比較例8的切割/晶片接 合薄膜在進行紫外線照射後進行擴張步驟。另外，紫外線 的照射條件是：使用曰東精機（商品名：UM_810型）作 為紫外線（UV )照射裝置，紫外線照射積分光量為 300mJ/cm2。另外，紫外線照射從聚烯烴薄膜一側進行。 進而，從各切割/晶片接合薄膜的基材一侧通過用針上 推的方式拾取半導體晶片，進行拾取性評價。具體而古， 連續地拾取400個半導醴晶片，顯示在後述條件下進二眸 的成功率。 崎 <晶片磨削條件> 磨削裝置：迪思科公司制，DFG-8560 半導體晶片：8英寸直徑（從厚度06111111背 0.050mm) 月至 <黏貼條件> Ο 黏貼裝置：曰東精機制MA-3000II 黏貼速度：10mm/分鐘 黏貼壓力：0.15MPa 黏貼時的級溫：40°C <切割条件> 切割裝置：迪思科公司制，DFD-6361 切割環：2-8_1 (迪思科公司制） 切割速度：80mm/秒 45 201013767 32058pif 切割刀片： Z1 :迪思科公司制2050HEDD Z2 :迪思科公司制2050HEBB 切割刀片轉數：

Zl ： 40000rpm Z2 : 40000rpm 刀片高度：

Zl : 0.170mm (由半導體晶片厚度決定（晶片厚度為 50μπι 時，為 0.170mm)) Z2 : 0.085mm 切割方式：A模式/階段式切割 晶片晶片尺寸· lO.Omni見方 <拾取條件> 拾取條件按照下表3所示的條件分別進行。 表3 針 全長10mm、直徑0.7mm、 銳角15度、前端Ε350μιη 針數（根） 9 針上推量（μιη) 200 針上推速度（mm/秒） 5 夾頭保持時間（毫秒） 200 擴張（mm/秒） 3

(拉伸彈性模量的測定方法） 在樣品尺寸設定為初始長度l〇mm、截面積 46 201013767 jxujopu 〇’l〜0.5mm ’測定溫度23〇c、夾盤間距邓胃、拉伸速度 50，m^鐘的測定條件下，沿md方向或td方向進行拉 伸，驗’測定各方向上樣品的伸長變化量（麵）。結果， ^得到的S.S曲線的初期上升部分作切線，用該切線上相 *於100%伸長時的拉伸強度除以紐⑽的截面積得 到，伸彈性模量。另外，紫外線照射後的拉伸彈性模量的 測定’在按騎賴射條件從輯烴薄膜-娜射後進行。 .(剝離黏合力） 由各切割/晶片接合薄膜切出寬l〇mm的試片，將其黏 貼於40 C的熱板上載置的矽鏡面晶片上。放置約30分鐘， 使用拉伸試驗機測定剝離黏合力。測定條件是：剝離角度 15°、拉伸速度300mm/分鐘。另外，試片的保存及剝離黏 合力的測定在溫度23t、相對溫度50%的環境下進行。但 是，對於比較例8的切割/晶片接合薄膜，在與前述同樣的 條件下黏貼到矽鏡面晶片上並放置約30分鐘後，從切割薄 膜一侧進行紫外線照射。紫外線照射條件如下所述。之後， ® 在與前述同樣的條件下進行剝離黏合力的測定。 <紫外線照射條件> 紫外線（UV)照射裝置：高壓水銀燈 紫外線照射積分光量：500mJ/cm2 輸出功率：75W 照射強度150mW/cm2 47 201013767 32058pif 表4

Mw(萬） UV照射 UV固化後的 拉伸彈性模量 (MPa) 剝離黏合力 (N/10mm) 拾取 (%) 晶片 飛散 實施例1 54 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 16.1 0.72 100.0 〇 實施例2 50 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 10.3 0.87 100.0 〇 實施例3 60 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 70.9 0.74 100.0 〇 實施例4 58 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 18.4 0.87 100.0 〇 實施例5 53 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 19.4 0.68 100.0 〇 實施例6 54 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 16.2 0.71 100.0 〇 實施例7 53 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 17.2 0.70 100.0 〇 實施例8 54 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 16.0 0.72 99.8 〇 實施例9 54 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 12.3 0.77 100.0 〇 實施例 10 54 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 20.7 0.70 100.0 〇 實施例 11 40 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 15.8 0.74 100.0 〇 實施例 12 85 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 16.8 0.73 100.0 〇 實施例 13 55 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 15.8 0.72 100.0 〇 48 201013767 表5 Mw(萬） UV照射 UV固化後的 拉伸彈性模量 (MPa) 韌離黏合力 (Ν/1〇τηηι) 拾取 (%) 晶片 飛散 比較例 1 76 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 78.4 0.95 0.0 〇 比較例 2 52 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 6.7 1.10 35.3 〇 比較例 3 59 晶片接合薄膜 的黏贴前照射 115 0.90 42.7 〇 比較例 4 54 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 10.5 1.15 0.0 〇 比較例 5 57 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 17.1 —〜—— 0.98 7.8 〇 比較例 6 52 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 17.4 0.48 100.0 X 比較例 7 54 晶片接合薄膜 的黏貼前照射 23.1 0.91 40.5 〇 比較例 8 54 切割後照射 16.1 1.13 45.0 〇 雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定 本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離 本發明之精神和範圍内’當可作些許之更動與潤飾，故本 發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為 【圖式簡單說明】 ” 〇 圖1是表示本發明的-個實施方式的切割/晶片接合 49 201013767 32058pif 薄膜的剖面示意圖。 圖2是表示本發明的另一個實施方式的切割/晶片接 合薄膜的剖面示意圖。 圖3是表示通過所述切割/晶片接合薄膜中的晶片接 合薄膜安裝半導體晶片的例子的剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 1 :基材 2:黏合劑層 3:晶片接合薄膜 ® 4.半導體晶片 5:半導體晶片 6 :被黏物 7 :焊線 8 :密封樹脂 9 :墊片 10、11 :切割/晶片接合薄膜 ❿ 50

Claims (1)

1. 201013767 woopu 七、申請專利範園·· 査丨^種切割/晶片接合薄膜，具有在基材上具有黏合 j廣的切割薄膜和在該黏合劑層上設置的晶片接合薄膜， * 包括： 所述黏合劑層由丙烯酸類聚合物形成，所述丙烯酸類 聚〇物由CHz-CHCOOR1表示的丙埽酸醋a、 CH2=CHCOOR2表示的丙烯酸酯B、含羥基單體、和分子 參 内具有自由基反應性碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物構成，上 述式中，R為碳原子數6〜1〇的烷基，R2為碳原子數u以 上的烷基； 所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是··相 對於丙烯酸酯八60〜90莫耳％，丙烯酸酯3為4〇〜1〇莫耳 % ； ' 所述含經基單體的配合比例是：相對於所述丙稀酸酯 A和丙稀酸酯B的總量1〇〇莫耳％在⑴〜3〇莫耳。/。的範圍 内； ® 所述異氰酸酯化合物的配合比例是：相對於所述含羥 基單體100莫耳％在70〜90莫耳％的範圍内； 通過紫外線照射而固化；以及 所述晶片接合薄膜由環氧樹脂形成，並且層壓在紫外 線照射後的黏合劑層上。 2.如申請專利範圍第1項所述之切割/晶片接合薄 膜，其中所述紫外線照射時的積分光量在30〜1000mj/cm2 的範圍内。 51 201013767 32058plt 3. 如申請專利範圍第1或2項所述之切割/晶片接入 薄膜，其中所述含羥基單體為選自由（甲基）丙稀酸 羥基乙酯、（甲基）丙烯酸-2-羥基丙酯、（曱基）丙烯酸 -4-羥基丁酯、（甲基）丙烯酸-6-羥基己酯、（曱基）丙場 酸-8-羥基辛酯、（曱基）丙烯酸-10-羥基癸酯、（甲基） 丙烯酸-12-經基十二燒酯和（甲基）丙稀酸（4-經曱基環 己基）甲酯組成的群組中的至少任意一種。 4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之切割/ 晶片接合薄膜，其中所述具有自由基反應性碳碳雙鍵的異 鲁 氰酸酯化合物為選自2-甲基丙烯醯氧乙基異氰酸酯或者2-丙稀酿氧乙基異氰駿酯的至少任意一種。 5·如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之切割/ 晶片接合薄膜’其中所述丙缚跋類聚合物的重均分子量在 35萬〜1〇〇萬的範圍内。 6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述之切割/ 晶片接合薄膜’其中所述黏合劑層的紫外線照射後的、23 C下的拉伸彈性模量在7〜170MPa的範圍内。 _ 7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之切割/ 晶片接合薄膜’其中構成所述黏合劑層的所述丙烯酸類聚 合物不含丙烯酸作為單體成分。 8. 一種切割/晶片接合薄膜的製造方法，所述切割/晶 片接合薄膜具有在基材上具有黏合劑層的切割薄膜和在該 黏合劑層上設置的晶片接合薄膜，包括·· 在所述基材上形成黏合劑層前體的步驟，所述黏合劑 52 201013767 w;j〇pu 層前體由丙烯酸類聚合物形成，所述丙烯酸類聚合物由 CHfCHCOOR1表示的丙烯酸醋A、CH2=CHCOOR2表示 * 的丙烯酸醋B、含羥基單體、和分子内具有自由基反應性 • 碳碳雙鍵的異氰酸酯化合物構成，上述式中，R1為碳原子 數6〜10的烷基，R2為碳原子數11以上的烷基； 所述丙烯酸酯A和所述丙烯酸酯B的配合比例是：相 對於丙烯酸酯A 60〜90莫耳％，丙烯酸酯B為40〜1〇莫耳 % ； ' 參 所述含羥基單體的配合比例是：相對於所述丙烯酸醋 A和丙烯酸酯B的總量1〇〇莫耳％在10〜30莫耳％的範圍 内； 所述異氰酸酯化合物的配合比例是：相對於所述丙烯 酸酯A和丙烯酸酯B的總量1〇〇莫耳％在7〇〜9〇莫耳％的 範圍内； ' 對所述黏合劑層前體照射紫外線而形成所述黏合劑 層的步驟；以及 參 在所述黏合劑層上黏貼所述晶片接合薄膜的步驟。 9. 如申請專利範圍第8項所述之切割/晶片接合薄膜 的製造方法，其中所述紫外線的照射在3〇〜1〇〇〇mJ/cm2的 範圍内進行。 10. —種半導體裝置的製造方法，該方法使用具有在 基材上具有黏合劑層的切割薄膜和在該黏合劑層上設置的 晶片接合薄膜的切割/晶片接合薄膜，包括： 準備申請專利範® 1至7所述的切割接合薄膜， 53 201013767 32058pif 並在所述晶片接合薄膜上壓接半導體晶片的步驟； 通過將所述半導體晶片與所述晶片接合薄膜一起切 割而形成半導體晶片的步驟；和 將所述半導體晶片與所述晶片接合薄膜一起從所述 黏合劑層上剝離的步驟；以及 從所述半導體晶片的壓接步驟直至半導體晶片的剝 離步驟，所述黏合劑層上未照射紫外線。

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