TW201444940A - 膜狀接著劑、切晶帶一體型膜狀接著劑、及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

膜狀接著劑、切晶帶一體型膜狀接著劑、及半導體裝置之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明係一種半導體裝置用膜狀接著劑，其含有熱硬化性樹脂、硬化劑及導電性粒子，且熱硬化後之玻璃轉移溫度為130℃以上。

Description

膜狀接著劑、切晶帶一體型膜狀接著劑、及半導體裝置之製造方法
本發明係關於一種膜狀接著劑、切晶帶一體型膜狀接著劑、及半導體裝置之製造方法。
半導體裝置之製造中將半導體元件接著於金屬導線架等之方法(所謂之黏晶法)始於先前之金-矽共晶，並向利用焊料、樹脂糊劑之方法發展。目前採用使用導電性之樹脂糊劑之方法。
然而，使用樹脂糊劑之方法存在以下問題：因空隙使導電性下降，或樹脂糊劑之厚度不均勻，或因樹脂糊劑之露出而使焊墊受到污染。為了解決該等問題，有使用膜狀之接著劑代替樹脂糊劑之情形(例如，參照專利文獻1)。
又，於專利文獻2中揭示一種膜狀之接著劑，其調配玻璃轉移溫度為-10~50℃之丙烯酸共聚物而賦予可撓性，以降低半導體元件或導線架等之熱損傷。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開平6-145639號公報
專利文獻2：日本專利第4137827號公報
另外，自先前以來，迫切期望一種具有耐熱性之接著劑。尤其是進行電力之控制或供給之功率半導體裝置一般發熱量較多，因此對該功率半導體裝置所使用之接著劑要求較高之耐熱性。
本發明者等人努力研究半導體裝置用之膜狀接著劑。結果發現：若硬化後之玻璃轉移溫度(Tg)高於特定溫度，則耐熱性優異，從而完成本發明。
即，本發明之半導體裝置用之膜狀接著劑之特徵在於：含有熱硬化性樹脂、硬化劑及導電性粒子，且熱硬化後之玻璃轉移溫度為130℃以上。
根據上述構成，由於熱硬化後之玻璃轉移溫度為130℃以上，因而具有耐熱性。因此，若將上述膜狀接著劑用於半導體裝置，則可耐受自半導體元件等發出之熱。又，由於上述膜狀接著劑含有導電性粒子，因此可高效率地向外部釋出自半導體元件等發出之熱。
關於上述構成，較佳為硬化後之25℃下之電阻率為1×10-2Ω‧m以下。電阻率越低，電氣電導度越高，電氣電導度與熱電導度成比例，因此若硬化後之25℃下之電阻率為1×10-2Ω‧m以下，則熱電導度相對較高。其結果，可高效率地向外部釋放來自半導體元件等之熱。尤其在用於小型且經高密度安裝之半導體元件之情形時，可較佳地向外部釋放熱。
關於上述構成，較佳為含有熱塑性樹脂，且於將上述熱塑性樹脂之重量設為A，將上述熱硬化性樹脂與上述硬化劑之合計重量設為B時，重量比率(A)/(B)在1/9~4/6之範圍內。若上述重量比率(A)/(B)為4/6以下，則硬化成分充分而變得容易提高熱硬化後之玻璃轉移溫度。另一方面，若上述重量比率(A)/(B)為1/9以上，則膜化變得容易。
關於上述構成，較佳為上述導電性粒子之含量相對於膜狀接著劑整體，為30~95重量%。若上述導電性粒子之含量相對於膜狀接著劑整體，為30重量%以上，則容易提高熱電導度。其結果，可更高效率地向外部釋放來自半導體元件等之熱。另一方面，若上述導電性粒子之含量相對於膜狀接著劑整體，為95重量%以下，則膜化變得容易。
關於上述構成，較佳為熱硬化後之175℃下之拉伸儲存彈性模數為50~1500MPa。若熱硬化後之175℃下之儲存彈性模數為50MPa以上，則可使半導體元件等牢固地接著於被接著體。另一方面，若熱硬化後之175℃下之儲存彈性模數為1500MPa，則具有某種程度之柔軟性，因此可耐受熱應力，而可抑制與被接著體剝離。
關於上述構成，較佳為於150℃下以0.5MPa保持0.5秒後150℃下之與銅之剪切接著力在5~200g/25mm2之範圍內。由於上述剪切接著力為5g/25mm2以上，因此於使半導體元件接著於導線架時，可於150℃以下使上述膜狀接著劑充分地軟化。其結果，可謀求導線架等被接著體之抗氧化及對被接著體之高密接。
關於上述構成，較佳為厚度在5~100μm之範圍內。若厚度為5μm以上，則即便產生晶片之翹曲等，亦可防止產生未接著之部位。另一方面，若厚度為100μm以下，則可抑制因黏晶時之負荷使膜狀接著劑過度地露出而污染焊墊等。
又，為了解決上述問題，本發明之切晶帶一體型膜狀接著劑之特徵在於包含：於基材上積層黏著劑層而成之切晶帶、及上述所記載之膜狀接著劑，且上述膜狀接著劑形成於上述黏著劑層上。
關於上述構成，較佳為上述膜狀接著劑與上述切晶帶之剝離力於剝離速度：300mm/min、剝離溫度：25℃、T型剝離之條件下在 0.01~3.00N/20mm之範圍內。若上述剝離力為0.01N/20mm以上，則可抑制切晶時之晶片飛散。又，若上述剝離力為3.00N/20mm以下，則可使拾取變得容易。
又，本發明之半導體裝置之製造方法之特徵在於，其係使用上述所記載之切晶帶一體型膜狀接著劑的半導體裝置之製造方法，且包括：步驟A，將半導體晶圓貼附於上述切晶帶一體型膜狀接著劑之上述膜狀接著劑，步驟B，將上述半導體晶圓連同上述膜狀接著劑一起進行切割，步驟C，拾取藉由切晶而獲得之附膜狀接著劑之半導體元件，步驟D，使上述附膜狀接著劑之半導體元件與被接著體接觸後，將上述膜狀接著劑於50~150℃之範圍內且於0.05~40MPa之範圍內保持0.01~2秒，及步驟E，於上述步驟D後使上述膜狀接著劑熱硬化。
根據上述構成，使經拾取之附膜狀接著劑之半導體元件與被接著體接觸後，將上述膜狀接著劑於50~150℃之範圍內且於0.05~40MPa之範圍內保持0.01~2秒(步驟D)。因此，於使半導體元件接著於導線架等被接著體時，可使膜狀接著劑於50~150℃之範圍內之溫度下充分地軟化而進行密接。由於在150℃以下之相對較低之溫度下使膜狀接著劑軟化，因此可防止被接著體(例如，導線架)之氧化。並且，其後，使上述膜狀接著劑熱硬化(步驟E)。藉此，可製成能耐受發熱之半導體裝置。又，由於上述膜狀接著劑含有導電性粒子，因此可高效率地向外部釋出自半導體元件等發出之熱。
根據本發明之膜狀接著劑及切晶帶一體型膜狀接著劑，若用於半導體裝置，則可耐受自半導體元件等發出之熱，且可高效率地向外 部釋出自半導體元件等發出之熱。
又，根據本發明之半導體裝置之製造方法，可防止被接著體之氧化，且可製成能耐受發熱之半導體裝置。又，可高效率地向外部釋出自半導體元件等發出之熱。
1‧‧‧基材
2‧‧‧黏著劑層
2a‧‧‧黏著劑層之與工件貼附部分對應之部分
2b‧‧‧其他部分
3、3'‧‧‧膜狀接著劑
3a‧‧‧膜狀接著劑之半導體晶圓貼附部分
4‧‧‧半導體晶圓
5‧‧‧半導體晶片
6‧‧‧被接著體
7‧‧‧接合線
8‧‧‧密封樹脂
10、12‧‧‧切晶帶一體型膜狀接著劑
11‧‧‧切晶帶
圖1係本發明之一實施形態之切晶帶一體型膜狀接著劑的剖面模式圖。
圖2係本發明之另一實施形態之切晶帶一體型膜狀接著劑的剖面模式圖。
圖3係用以說明本發明之半導體裝置之一製造方法的圖。
[切晶帶一體型膜狀接著劑]
以下，對本發明之切晶帶一體型膜狀接著劑進行說明。圖1係本發明之一實施形態之切晶帶一體型膜狀接著劑之剖面模式圖。圖2係本發明之另一實施形態之切晶帶一體型膜狀接著劑之剖面模式圖。
如圖1所示，切晶帶一體型膜狀接著劑10具有於切晶帶11上積層膜狀接著劑3而成之構成。切晶帶11係於基材1上積層黏著劑層2而構成，膜狀接著劑3設於該黏著劑層2上。又，本發明亦可為如圖2所示之切晶帶一體型膜狀接著劑12般僅於工件(半導體晶圓等)貼附部分形成有膜狀接著劑3'之構成。
膜狀接著劑3含有熱硬化性樹脂、硬化劑及導電性粒子，且熱硬化後之玻璃轉移溫度為130℃以上。上述熱硬化後之玻璃轉移溫度較佳為140℃以上。又，上述熱硬化後之玻璃轉移溫度越高越佳，例如為300℃以下。膜狀接著劑3由於熱硬化後之玻璃轉移溫度為130℃以上，因此具有耐熱性。因此，若用於半導體裝置，則可耐受自半導體元件等發出之熱。又，由於上述膜狀接著劑含有導電性粒子，因此可 高效率地向外部釋出自半導體元件等發出之熱。上述玻璃轉移溫度可藉由調整熱塑性樹脂與熱硬化性樹脂之調配比，或調整環氧樹脂等熱硬化性樹脂之反應性官能基之價數而控制。
再者，於本說明書中，所謂熱硬化後之玻璃轉移溫度，係指於140℃下加熱1小時，進而於260℃下加熱5小時後之玻璃轉移溫度。
又，膜狀接著劑3較佳為熱硬化後之25℃下之電阻率為1×10-2Ω‧m以下。電阻率越低電氣電導度越高，電氣電導度與熱電導度成比例，因此若熱硬化後之25℃下之電阻率為1×10-2Ω‧m以下，則熱電導度相對較高。其結果，可高效率地向外部釋放來自半導體元件等之熱。尤其在用於小型且經高密度安裝之半導體元件之情形時，可較佳地向外部釋放熱。
再者，於本說明書中，所謂熱硬化後之25℃下之電阻率，係指於140℃下加熱1小時，進而於260℃下加熱5小時後之電阻率。
又，膜狀接著劑3較佳為熱硬化後之175℃下之儲存彈性模數為50~1500MPa，更佳為75~1200MPa。若熱硬化後之175℃下之儲存彈性模數為50MPa以上，則可使半導體元件等牢固地接著於被接著體。另一方面，若熱硬化後之175℃下之儲存彈性模數為1500MPa，則具有某種程度之柔軟性，因此可耐受熱應力，而可抑制與被接著體剝離。
再者，於本說明書中，所謂熱硬化後之175℃下之儲存彈性模數，係指於140℃下加熱1小時，進而於260℃下加熱5小時後之175℃下之儲存彈性模數。
膜狀接著劑3之25℃下之儲存彈性模數較佳為5MPa以上，更佳為2×102MPa以上。若上述儲存彈性模數未達5MPa，則存在與切晶帶之密接力變高而使拾取性下降之傾向。膜狀接著劑3之25℃下之儲存彈性模數較佳為5×103MPa以下，更佳為3×103MPa以下，進而較佳 為2.5×103MPa以下。超過5×103MPa之情形於調配上較難。
膜狀接著劑3之表面粗糙度(Ra)較佳為0.1~1000nm。藉由使上述表面粗糙度為1000nm以下，可提高低溫貼附性。又，可提高晶粒黏著時之對被接著體之貼附性。再者，使上述表面粗糙度為0.1nm以上一般難以實現。
膜狀接著劑3之熱硬化後之測定溫度25℃下之導熱率越高越佳，例如為0.5W/m‧K以上。若上述導熱率為0.5W/m‧K以上，則散熱性較佳，可應對小型‧高密度安裝。
再者，於本說明書中，所謂熱硬化後之測定溫度25℃下之導熱率，係指於140℃下加熱1小時，進而於260℃下加熱5小時後之25℃下之導熱率。
膜狀接著劑3較佳為於70℃下貼附於包含背面金屬膜之晶圓後，於25℃下測定密接力時，該密接力為0.2N/10mm以上。藉由使上述密接力為0.2N/10mm以上，可抑制切晶時之晶片飛散。再者，所謂背面金屬膜，係指晶圓之背面之蒸鍍有金屬之膜或鍍敷有金屬之膜。上述背面金屬膜通常表面自由能小於矽晶圓，因此膜狀接著劑3不容易貼附。即，藉由使上述密接力為0.2N/10mm以上，即便於使用包含膜狀接著劑3不容易貼附之背面金屬膜之晶圓的半導體裝置之製造中，亦可抑制切晶時之晶片飛散，從而可謀求良率之提高。上述密接力係於剝離角度180度、剝離溫度25℃、剝離速度300mm/min之條件下進行測定而獲得之值。
膜狀接著劑3較佳為於150℃下以0.5MPa保持0.5秒後150℃下之與銅之剪切接著力在5~200g/25mm2之範圍內。由於上述剪切接著力為5g/25mm2以上，因此於使半導體元件接著於導線架時，可於150℃以下使上述膜狀接著劑充分地軟化。其結果，可謀求導線架等被接著體之抗氧化及對被接著體之高密接。上述剪切接著力之測定方 法係根據實施例中記載之方法。
膜狀接著劑3較佳為含有熱塑性樹脂。作為熱塑性樹脂，可列舉：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸系樹脂、PET(Polyethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)或PBT(Polybutylene Terephthalate，聚對苯二甲酸丁二酯)等飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或氟樹脂等。該等熱塑性樹脂之中，尤佳為離子性雜質較少、耐熱性較高、可確保半導體元件之可靠性之丙烯酸系樹脂。
作為丙烯酸系樹脂，並無特別限定，可列舉以具有碳數30以下、尤其是碳數4~18之直鏈或支鏈之烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸之酯中之一種或兩種以上作為成分之聚合物(丙烯酸系共聚物)等。作為上述烷基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。
又，作為形成聚合物(丙烯酸系共聚物)之其他單體，並無特別限定，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、亞甲基丁二酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸或丁烯酸等含有羧基之單體；順丁烯二酸酐或亞甲基丁二酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含有羥基之單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯或 (甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含有磺酸基之單體；或丙烯醯磷酸2-羥基乙酯等含有磷酸基之單體。
丙烯酸系樹脂之中，較佳為重量平均分子量為10萬以上者，更佳為30萬~300萬者，進而較佳為50萬~200萬者。其原因在於，若重量平均分子量在上述數值範圍內，則接著性及耐熱性優異。再者，重量平均分子量係利用GPC(Gel Permeation Chromatography，凝膠滲透層析法)測定，藉由聚苯乙烯換算而算出之值。
熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度較佳為-40℃以上，更佳為-35℃以上，進而較佳為-25℃以上。藉由使熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度為-40℃以上，可使拾取變得容易。又，熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度較佳為-10℃以下，更佳為-11℃以下。藉由使熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度為-10℃以下，變得容易於40℃左右之低溫下將膜狀接著劑3貼附於半導體晶圓。於本說明書中，熱塑性樹脂之玻璃轉移溫度係指利用Fox式求出之理論值。
如上所述，膜狀接著劑3含有熱硬化性樹脂。
作為上述熱硬化性樹脂，可列舉：酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、或熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。尤佳為腐蝕半導體元件之離子性雜質等之含量較少之環氧樹脂。又，作為環氧樹脂之硬化劑，較佳為酚樹脂。
作為上述環氧樹脂，並無特別限定，例如可使用雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四酚基乙烷型等二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂、或乙內醯脲型、異氰尿酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環氧樹脂。該等環氧樹脂之中，尤佳為酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型樹脂或四酚基乙烷型環氧樹脂。其原因在於，該等環氧樹脂 富於與作為硬化劑之酚樹脂之反應性，且耐熱性等優異。
上述酚樹脂係作為環氧樹脂之硬化劑而起作用者，例如可列舉：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛樹脂型酚樹脂、聚對羥基苯乙烯等聚羥基苯乙烯等。該等酚樹脂之中，尤佳為苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。其原因在於可提高半導體裝置之連接可靠性。
關於環氧樹脂與酚樹脂之調配比率，較佳為例如以相對於環氧樹脂成分中之環氧基每1當量，酚樹脂中之羥基成為0.5~2.0當量之方式進行調配。更佳為0.8~1.2當量。即，其原因在於，若兩者之調配比率偏離上述範圍，則不會進行充分之硬化反應，硬化物之特性變得容易劣化。
膜狀接著劑3較佳為含有於25℃下為固體之熱硬化性樹脂及於25℃下為液狀之熱硬化性樹脂。藉此，可獲得良好之低溫貼附性。於本說明書中，所謂於25℃下為液狀，係指於25℃下黏度未達5000Pa‧s。另一方面，所謂於25℃下為固體，係指於25℃下黏度為5000Pa‧s以上。再者，黏度可使用Thermo Scientific公司製造之型號HAAKE Roto VISCO1測定。
於膜狀接著劑3中，較佳為(25℃下為固體之熱硬化性樹脂之重量)/(25℃下為液狀之熱硬化性樹脂之重量)為49/51~10/90，更佳為45/55~40/60。藉由使(25℃下為固體之熱硬化性樹脂之重量)/(25℃下為液狀之熱硬化性樹脂之重量)為49/51以下，變得容易於40℃左右之低溫下將膜狀接著劑3貼附於半導體晶圓，從而可提高低溫貼附性。另一方面，藉由使(25℃下為固體之熱硬化性樹脂之重量)/(25℃下為液狀之熱硬化性樹脂之重量)為10/90以下，可抑制膜狀接著劑3之黏著性變得過高而使拾取性變得良好。
膜狀接著劑3中之熱塑性樹脂及硬化性樹脂之合計含量相對於膜狀接著劑3整體，較佳為5重量%以上，更佳為10重量%以上。若上述合計含量為5重量%以上，則容易保持作為膜之形狀。又，熱塑性樹脂及硬化性樹脂之合計含量較佳為相對於膜狀接著劑3整體，為70重量%以下，更佳為60重量%以下。若上述合計含量為70重量%以下，則導電性粒子較佳地表現出導電性。
膜狀接著劑3中，較佳為於將上述熱塑性樹脂之重量設為A，將上述熱硬化性樹脂及上述硬化劑之合計重量設為B時，重量比率(A)/(B)在1/9~4/6之範圍內。若上述重量比率(A)/(B)為4/6以下，則硬化成分變得充分而變得容易提高熱硬化後之玻璃轉移溫度。另一方面，若上述重量比率(A)/(B)為1/9以上，則膜化變得容易。
膜狀接著劑3含有導電性粒子。作為上述導電性粒子並無特別限定，可列舉：鎳粒子、銅粒子、銀粒子、金粒子、鋁粒子、碳黑粒子、作為纖維狀粒子之奈米碳管、利用導電性材料被覆核心粒子之表面而成之粒子等。
上述核心粒子可為導電性亦可為非導電性，例如可使用玻璃粒子等。作為被覆核心粒子之表面之導電性材料，可使用鎳、銅、銀、金、鋁等金屬。
上述導電性粒子之形狀並無特別限定，例如可使用薄片(flake)狀、針狀、絲(filament)狀、球狀、鱗片狀者等。其中，就分散性、填充率之提高之方面而言，較佳為薄片狀。
上述導電性粒子之平均粒徑並無特別限定，但相對於膜狀接著劑3之厚度，較佳為0.001倍以上(膜狀接著劑3之厚度×0.001以上)，更佳為0.1倍以上。藉由設為0.001倍以上，容易提高熱電導度。其結果，可更高效率地向外部釋放來自半導體元件等之熱。又，上述導電性粒子之平均粒徑相對於膜狀接著劑3之厚度，較佳為1倍以下(膜狀 接著劑3之厚度以下)，更佳為0.8倍以下。藉由設為1倍以下，可抑制晶片破裂。再者，上述導電性粒子之平均粒徑係利用雷射繞射式之粒度分佈計(HORIBA製造，裝置名：LA-910)而求出之值。
導電性粒子之比重較佳為0.7以上，更佳為1以上。藉由設為0.7以上，可抑制導電性粒子於接著劑組合物溶液(清漆)之製作時浮起而使導電性粒子之分散變得不均勻。又，導電性粒子之比重較佳為22以下，更佳為21以下。藉由將上述比重設為22以下，可抑制導電性粒子下沈而使導電性粒子之分散變得不均勻。
膜狀接著劑3中之導電性粒子之含量相對於膜狀接著劑3整體，較佳為30重量%以上，更佳為40重量%以上。又，上述導電性粒子之先前之含量較佳為95重量%以下，更佳為94重量%以下。藉由將上述導電性粒子之上述含量設為30重量%以上，容易提高熱電導度。其結果，可更高效率地向外部釋放來自半導體元件等之熱。另一方面，藉由將上述導電性粒子之上述含量設為95重量%以下，膜化變得容易。
膜狀接著劑3除上述成分以外亦可適當含有膜製造中通常所使用之調配劑，例如交聯劑等。
膜狀接著劑3可利用通常之方法製造。例如，製作含有上述各成分之接著劑組合物溶液，將接著劑組合物溶液以成為特定厚度之方式塗佈於基材分隔件上而形成塗佈膜，其後使該塗佈膜乾燥，藉此可製造膜狀接著劑3。
作為上述接著劑組合物溶液所使用之溶劑，並無特別限定，但較佳為可使上述各成分均勻地溶解、混練或分散之有機溶劑。例如可列舉：二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、丙酮、甲基乙基酮、環己酮等酮系溶劑、甲苯、二甲苯等。
作為上述基材分隔件，可使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或表面塗佈有氟系剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑 等剝離劑之塑膠膜或紙等。作為上述接著劑組合物溶液之塗佈方法，例如可列舉輥式塗佈、網版塗佈、凹版塗佈等。又，塗佈膜之乾燥條件並無特別限定，例如可於乾燥溫度70~160℃、乾燥時間1~5分鐘之條件下進行。
膜狀接著劑3之厚度較佳為5μm以上，更佳為15μm以上。又，膜狀接著劑3之厚度較佳為100μm以下，更佳為50μm以下。若膜狀接著劑3之厚度為5μm以上，則即便產生晶片之翹曲等，亦可防止產生未接著之部位。另一方面，若膜狀接著劑3之厚度為100μm以下，則可抑制由於黏晶時之負荷使膜狀接著劑3過度地露出而污染焊墊等。
膜狀接著劑3可較佳地用於半導體裝置之製造。其中，可尤佳地用作使導線架等被接著體與半導體晶片接著(進行晶粒黏著)之晶粒黏著膜。作為被接著體，可列舉導線架、內插器(interposer)、半導體晶片等。其中，較佳為導線架。
膜狀接著劑3較佳為如本實施形態般與切晶帶一體化而作為切晶帶一體型膜狀接著劑提供。但是，本發明之膜狀接著劑亦可不貼附於切晶帶而作為膜狀接著劑單獨體提供。於此情形時，膜狀接著劑可藉由貼附於切晶帶而製成與切晶帶一體型膜狀接著劑相同之構成。
基材1係成為切晶帶一體型膜狀接著劑10、12之強度母體者，較佳為具有紫外線透過性者。作為基材1，例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯硫醚、芳族 聚醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素系樹脂、聚矽氧樹脂、金屬(箔)、紙等。
為了提高與鄰接之層之密接性、保持性等，基材1之表面可實施慣用之表面處理，例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等化學或物理處理、利用底塗劑(例如下述黏著物質)之塗佈處理。
基材1之厚度並無特別限制，可適當決定，但一般為5~200μm左右。
作為黏著劑層2之形成所使用之黏著劑，並無特別限制，例如可使用丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等一般之感壓性接著劑。作為感壓性接著劑，就半導體晶圓或玻璃等避忌污染之電子零件之利用超純水或酒精等有機溶劑之清潔清洗性等方面而言，較佳為以丙烯酸系聚合物為基礎聚合物之丙烯酸系黏著劑。
作為上述丙烯酸系聚合物，例如可列舉使用以下之一種或兩種以上作為單體成分之丙烯酸系聚合物等：(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基之碳數為1~30，尤其是碳數為4~18之直鏈狀或支鏈狀之烷基酯等)及(甲基)丙烯酸環烷基酯(例如，環戊酯、環己酯等)。再者，所謂(甲基)丙烯酸酯，係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，本發明中所謂之(甲基)為相同之含義。
上述丙烯酸系聚合物亦可以凝聚力、耐熱性等之改質為目的，而視需要含有可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯或環烷基酯共聚之其他單體成分所對應之單元。作為此種單體成分，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、亞甲基 丁二酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等含有羧基之單體；順丁烯二酸酐、亞甲基丁二酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等含有羥基之單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含有磺酸基之單體；丙烯醯磷酸2-羥基乙酯等含有磷酸基之單體；丙烯醯胺、丙烯腈等。該等可共聚之單體成分可使用一種或兩種以上。該等可共聚之單體之使用量較佳為全部單體成分之40重量%以下。
進而，上述丙烯酸系聚合物亦可以交聯為目的而視需要含有多官能性單體等作為共聚用單體成分。作為此種多官能性單體，例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯等。該等多官能性單體亦可使用一種或兩種以上。就黏著特性等方面而言，多官能性單體之使用量較佳為全部單體成分之30重量%以下。
上述丙烯酸系聚合物係藉由使單一單體或兩種以上之單體混合物聚合而獲得。聚合可以溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸濁聚合等任一種方式進行。就防止污染潔淨之被接著體等方面而言，較佳為低分子量物質之含量較小。就該方面而言，丙烯酸系聚合物之數量平均分子量較佳為30萬以上，進而較佳為40萬~300萬左右。
又，於上述黏著劑中，亦可為了提高作為基礎聚合物之丙烯酸 系聚合物等之數量平均分子量而適當採用外部交聯劑。作為外部交聯方法之具體手段，可列舉添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等所謂之交聯劑而進行反應之方法。於使用外部交聯劑之情形時，其使用量根據與應交聯之基礎聚合物之平衡，進而根據黏著劑之使用用途而適當決定。一般而言，較佳為相對於上述基礎聚合物100重量份調配約5重量份以下，進而較佳為調配0.1~5重量份。進而，於黏著劑中，除上述成分以外，亦可視需要使用先前公知之各種黏著賦予劑、抗老化劑等添加劑。
黏著劑層2可藉由放射線硬化型黏著劑而形成。放射線硬化型黏著劑可藉由紫外線等放射線之照射增大交聯度而輕易地降低其黏著力。
僅向圖1所示之黏著劑層2之與工件貼附部分對應之部分2a照射放射線，藉此可設置與其他部分2b之黏著力之差。於此情形時，未硬化之由放射線硬化型黏著劑形成之上述部分2b與膜狀接著劑3黏著，而可確保切晶時之保持力。
又，配合圖2所示之膜狀接著劑3'使放射線硬化型之黏著劑層2硬化，藉此可形成黏著力明顯降低之上述部分2a。於此情形時，可將晶圓環固定於未硬化之由放射線硬化型黏著劑形成之上述部分2b。
即，於藉由放射線硬化型黏著劑形成黏著劑層2之情形時，較佳為以黏著劑層2之上述部分2a之黏著力<其他部分2b之黏著力的方式對上述部分2a照射放射線。
上述放射線硬化型黏著劑可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等放射線硬化性之官能基且顯示黏著性者。作為放射線硬化型黏著劑，例如可例示於上述丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等一般之感壓性黏著劑中調配放射線硬化性之單體成分或低聚物成分而成之添加型之放射線硬化型黏著劑。
作為所調配之放射線硬化性之單體成分，例如可列舉：胺基甲酸酯低聚物、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。又，放射線硬化性之低聚物成分可列舉胺基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各種低聚物，其分子量在100~30000左右之範圍內者較合適。關於放射線硬化性之單體成分或低聚物成分之調配量，可根據上述黏著劑層之種類適當決定可降低黏著劑層之黏著力之量。一般而言，上述調配量相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份例如為5~500重量份，較佳為40~150重量份左右。
又，作為放射線硬化型黏著劑，除了以上所述之添加型之放射線硬化型黏著劑以外，可列舉使用於聚合物側鏈或主鏈中或主鏈末端具有碳-碳雙鍵者作為基礎聚合物的內在型之放射線硬化型黏著劑。內在型之放射線硬化型黏著劑無需含有或不大量含有作為低分子成分之低聚物成分等，因此不會有低聚物成分等經時地於黏著劑中移動之情況，而形成穩定之層構造之黏著劑層，故而較佳。
上述具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物可無特別限制地使用具有碳-碳雙鍵且具有黏著性者。作為此種基礎聚合物，較佳為以丙烯酸系聚合物為基本骨架者。作為丙烯酸系聚合物之基本骨架，可列舉上述例示之丙烯酸系聚合物。
向上述丙烯酸系聚合物中導入碳-碳雙鍵之方法並無特別限制，可採用各種方法，但碳-碳雙鍵導入於聚合物側鏈之情形使分子設計容易。例如可列舉如下方法：預先使具有官能基之單體與丙烯酸系聚合物共聚，其後與具有能與該官能基反應之官能基及碳-碳雙鍵之化 合物於維持碳-碳雙鍵之放射線硬化性之情況下進行縮合或加成反應。
作為該等官能基之組合例，可列舉羧酸基與環氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。於該等官能基之組合之中，就反應追蹤之容易性而言，較佳為羥基與異氰酸酯基之組合。又，只要是藉由該等官能基之組合而產生上述具有碳-碳雙鍵之丙烯酸系聚合物之組合，則官能基可位於丙烯酸系聚合物與上述化合物中之任一側，但為上述較佳之組合時，較佳為丙烯酸系聚合物具有羥基，上述化合物具有異氰酸酯基之情形。於此情形時，作為具有碳-碳雙鍵之異氰酸酯化合物，例如可列舉甲基丙烯醯異氰酸酯、異氰酸2-甲基丙烯醯氧基乙酯、異氰酸間異丙烯基-α,α-二甲基苄酯等。又，作為丙烯酸系聚合物，可使用使上述例示之含有羥基之單體或2-羥基乙基乙烯醚、4-羥基丁基乙烯醚、二乙二醇單乙烯醚之醚系化合物等共聚而成者。
上述內在型之放射線硬化型黏著劑可單獨使用上述具有碳-碳雙鍵之基礎聚合物(尤其是丙烯酸系聚合物)，但亦可以不使特性惡化之程度調配上述放射線硬化性之單體成分或低聚物成分。放射線硬化性之低聚物成分等通常相對於基礎聚合物100重量份為30重量份之範圍內，較佳為0~10重量份之範圍。
於上述放射線硬化型黏著劑中，藉由紫外線等硬化之情形時含有光聚合起始劑。作為光聚合起始劑，例如可列舉：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α'-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環己基苯基酮等α-酮醇系化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉代丙烷-1等苯乙酮系化合物；安息香乙醚、安息香異丙醚、大茴香偶姻甲醚等安息香醚系化合物；苄基二甲基縮酮等縮酮系化合物；2-萘磺醯氯等芳香族磺醯氯系化合物；1-苯酮-1,1-丙二 酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲醯苯甲酸、3,3'-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻噸酮、2-氯-噻噸酮、2-甲基-噻噸酮、2,4-二甲基-噻噸酮、異丙基-噻噸酮、2,4-二氯-噻噸酮、2,4-二乙基-噻噸酮、2,4-二異丙基-噻噸酮等噻噸酮系化合物；樟腦醌；鹵化酮；醯基膦氧化物；醯基膦酸酯等。光聚合起始劑之調配量相對於構成黏著劑之丙烯酸系聚合物等基礎聚合物100重量份例如為0.05~20重量份左右。
又，作為上述放射線硬化型黏著劑，例如可列舉日本專利特開昭60-196956號公報所揭示之橡膠系黏著劑或丙烯酸系黏著劑等，其含有具有兩個以上不飽和鍵之加成聚合性化合物、具有環氧基之烷氧基矽烷等光聚合性化合物，及羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鎓鹽系化合物等光聚合起始劑。
於上述放射線硬化型之黏著劑層2中，亦可視需要含有利用放射線照射而著色之化合物。藉由使利用放射線照射而著色之化合物包含於黏著劑層2，可僅使經放射線照射之部分著色。利用放射線照射而著色之化合物係於放射線照射前為無色或淡色，但利用放射線照射而變為有色之化合物，例如可列舉隱色染料等。利用放射線照射而著色之化合物之使用比率可適當設定。
黏著劑層2之厚度並無特別限定，但就晶片切斷面之缺損防止及接著層之固定保持之兼顧性等方面而言，較佳為1~50μm左右。較佳為2~30μm，進而較佳為5~25μm。
切晶帶一體型膜狀接著劑10、12之膜狀接著劑3、3'較佳為由分隔件所保護(未圖示)。分隔件具有作為於供於實際使用之前保護膜狀接著劑3、3'之保護材之功能。分隔件於將工件貼附於切晶帶一體型膜狀接著劑之膜狀接著劑3、3'上時被剝離。作為分隔件，可使用聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、或表面塗佈有氟系剝離 劑、丙烯酸長鏈烷基酯系剝離劑等剝離劑之塑膠膜或紙等。
切晶帶一體型膜狀接著劑10、12可利用通常之方法製造。例如，可藉由使切晶帶11之黏著劑層2與膜狀接著劑3、3'貼合而製造切晶帶一體型膜狀接著劑10、12。
於切晶帶一體型膜狀接著劑10、12中，較佳為膜狀接著劑3、3'與切晶帶11之剝離力於剝離速度：300mm/min、剝離溫度：25℃、T型剝離之條件下在0.01~3.00N/20mm之範圍內，更佳為在0.02~2.00N/20mm之範圍內。若上述剝離力為0.01N/20mm以上，則可抑制切晶時之晶片飛散。又，若上述剝離力為3.00N/20mm以下，則可使拾取變得容易。
[半導體裝置之製造方法]
本實施形態之半導體裝置之製造方法至少包括：步驟A，將半導體晶圓貼附於上述切晶帶一體型膜狀接著劑之上述膜狀接著劑，步驟B，將上述半導體晶圓連同上述膜狀接著劑一起進行切割，步驟C，拾取藉由切晶而獲得之附膜狀接著劑之半導體元件，步驟D，使上述附膜狀接著劑之半導體元件與被接著體接觸後，將上述膜狀接著劑於50~150℃之範圍內且於0.05~40MPa之範圍內保持0.01~2秒，及步驟E，於上述步驟D後使上述膜狀接著劑熱硬化。
以下，一面參照圖3，一面以使用切晶帶一體型膜狀接著劑10製造半導體裝置之情形為例，對本實施形態之半導體裝置之製造方法進行說明。圖3係用以說明本發明之半導體裝置之一製造方法的圖。
首先，將半導體晶圓4壓接於切晶帶一體型膜狀接著劑10之膜狀接著劑3之半導體晶圓貼附部分3a上，並對其接著保持而進行固定(貼附步驟、步驟A)。本步驟係一面藉由壓接輥等按壓機構按壓一面進 行。此時，可於40℃左右之低溫下進行壓接。具體而言，壓接溫度(貼附溫度)較佳為35℃以上，更佳為37℃以上。壓接溫度之上限較低者為佳，較佳為50℃以下，更佳為45℃以下。更佳為43℃以下。由於可在40℃左右之低溫下貼附於半導體晶圓4，因此可防止對半導體晶圓4之熱影響，而可抑制半導體晶圓4之翹曲。
上述壓接時之壓力較佳為1×105~1×107Pa，更佳為2×105~8×106Pa。又，作為上述壓接之時間，較佳為1秒~5分鐘，更佳為1分鐘~3分鐘。
繼而，將半導體晶圓4連同膜狀接著劑3一起進行切割(步驟B)。藉此，將半導體晶圓4切斷為特定之尺寸而進行單片化，從而製造半導體晶片5。切晶係例如自半導體晶圓4之電路面側起按照常法進行。又，於本步驟中，例如可採用切入至切晶帶一體型膜狀接著劑10之被稱為全切之切斷方式等。作為本步驟所使用之切晶裝置，並無特別限定，可使用先前公知者。又，半導體晶圓4藉由切晶帶一體型膜狀接著劑10進行接著固定，因此可抑制晶片缺損或晶片飛散，且亦可抑制半導體晶圓4之破損。
繼而，進行半導體晶片5之拾取(步驟C)，以使接著固定於切晶帶一體型膜狀接著劑10之半導體晶片5剝離。作為拾取之方法，並無特別限定，可採用先前公知之各種方法。例如，可列舉自切晶帶一體型膜狀接著劑10側利用針向上頂各個半導體晶片5，利用拾取裝置拾取被頂起之半導體晶片5的方法等。
此處，於黏著劑層2為紫外線硬化型之情形時，拾取係於向該黏著劑層2照射紫外線後進行。藉此，黏著劑層2之對膜狀接著劑3之黏著力降低，而使附膜狀接著劑3之半導體晶片5之剝離變得容易。其結果，可於不使半導體晶片5受損之情況下進行拾取。紫外線照射時之照射強度、照射時間等條件並無特別限定，只要視需要適當設定即 可。
經拾取之半導體晶片5經由膜狀接著劑3接著固定於被接著體6(晶粒黏著、步驟D)。此時，使附膜狀接著劑之半導體元件5與被接著體6接觸後，將膜狀接著劑3於50~150℃之範圍內(較佳為80~140℃之範圍內)且於0.05~40MPa(較佳為0.1~30MPa)之範圍內保持0.01~2秒(較佳為0.02~1.5秒)。藉此，可充分地使膜狀接著劑3軟化，而可進行密接。由於在150℃以下之相對較低之溫度下使膜狀接著劑3軟化，因此可防止被接著體6之氧化。
繼而，使膜狀接著劑3熱硬化(步驟E)。藉此，使半導體晶片5與被接著體6接著。熱硬化時之加熱溫度較佳為100℃以上，更佳為120℃以上。熱硬化時之加熱溫度較佳為350℃以下，更佳為300℃以下。若加熱溫度在上述範圍，則可良好地接著。
繼而，進行打線接合步驟，即，將被接著體6之端子部(內引線)之前端與半導體晶片5上之電極墊(未圖示)利用接合線7電性連接。作為接合線7，例如可使用金線、鋁線或銅線等。進行打線接合時之溫度較佳為80℃以上，更佳為120℃以上，該溫度較佳為250℃以下，更佳為175℃以下。又，以數秒~數分鐘(例如，1秒~1分鐘)之時間進行加熱。接線係於以成為上述溫度範圍內之方式進行加熱之狀態下，藉由併用由超音波而產生之振動能與由施加壓力而產生之壓接能而進行。
繼而，進行利用密封樹脂8對半導體晶片5進行密封之密封步驟。本步驟係以保護搭載於被接著體6之半導體晶片5或接合線7為目的而進行。本步驟係藉由利用模具使密封用之樹脂成型而進行。作為密封樹脂8，例如使用環氧系之樹脂。樹脂密封時之加熱溫度較佳為165℃以上，更佳為170℃以上，該加熱溫度較佳為185℃以下，更佳為180℃以下。
亦可視需要進一步加熱密封物(後硬化步驟)。藉此，可使於密封步驟中硬化不足之密封樹脂8完全硬化。加熱溫度可適當設定。
[實施例]
以下，使用實施例詳細地說明本發明，但本發明只要不超出其主旨則並不限定於以下實施例。又，各例中，份只要無特別說明則均為重量基準。
對實施例所使用之成分進行說明。
Teisan Resin SG-70L(丙烯酸系共聚物，Mw：90萬，玻璃轉移溫度：-13℃)：Nagase Chemtex(股)製造
EOCN-1020-4(25℃下為固體之環氧樹脂)：日本化藥(股)製造
HP-4700(25℃下為固體之環氧樹脂)：DIC公司製造
HP-4032D(25℃下為液體之環氧樹脂)：DIC公司製造
JER828(25℃下為液體之環氧樹脂)：三菱化學(股)製造
MEH-8000H(作為硬化劑之酚樹脂)：明和化成(股)公司製造
1400YP(導電性粒子、銅粉末、平均粒徑：7μm)：三井金屬礦業公司製造
SPH02J(導電性粒子、銀粉末、平均粒徑：1μm)：三井金屬礦業公司製造
TPP-K(硬化促進劑)：北興化學公司製造
實施例及比較例
按照表1所記載之調配比，將表1所記載之各成分及溶劑(甲基乙基酮)加入至混合攪拌機(hybrid mixer)(Keyence製造之HM-500)之攪拌釜中，以攪拌模式攪拌混合3分鐘。將獲得之清漆塗佈於脫模處理膜(三菱樹脂(股)製造之MRA50)後進行乾燥，而製作膜狀接著劑。各膜狀接著劑之厚度如表1所示。再者，表1中亦表示有將熱塑性樹脂之重量設為A、將熱硬化性樹脂與硬化劑之合計重量設為B時的重量比率(A)/(B)，及相對於膜狀接著劑整體之導電性粒子之含量(重量%)。
將獲得之膜狀接著劑切出直徑為230mm之圓形，於25℃下貼附於切晶帶(日東電工(股)製造之P2130G)之黏著劑層上而製作切晶帶一體型膜狀接著劑。
使用背面研磨機(DISCO(股)製造之DFG-8560)，對矽晶圓(信越化學工業(股)製造，厚度為0.6mm)以厚度成為0.2mm之方式進行研磨。繼而，將Ti(鈦)以厚度成為200nm之方式蒸鍍於研磨面。繼而，將Ni(鎳)以厚度成為200nm之方式蒸鍍於Ti層上。繼而，將Ag(銀)以厚度成為300nm之方式蒸鍍於Ni層上。藉由以上方式而製作附背面金屬膜之晶圓。
使用獲得之膜狀接著劑、切晶帶一體型膜狀接著劑、附背面金屬膜之晶圓進行以下之評價。將結果示於表2。
[熱硬化後之玻璃轉移溫度之測定、及熱硬化後之175℃下之儲存彈性模數之測定]
使膜狀接著劑重疊於膜狀接著劑直至厚度成為500μm為止。其後，於140℃下加熱1小時，進而於260℃下加熱5小時而進行熱硬化。繼而，利用切刀切出長度為22.5mm(測定長度)、寬度為10mm之短條狀，使用固體黏彈性測定裝置(RSAII，Rheometric Scientific(股)製造)測定-50~300℃下之儲存彈性模數。測定條件設為頻率1Hz、升溫速度10℃/min。將此時之175℃下之值作為熱硬化後之175℃下之儲存彈性模數之測定值。進而，算出tanδ(E"(損失彈性模數)/E'(儲存彈性模數))之值，藉此獲得玻璃轉移溫度。將結果示於表2。
[熱硬化後之25℃下之電阻率之測定]
將實施例及比較例之膜狀接著劑於140℃下加熱1小時，進而於260℃下加熱5小時而進行熱硬化。繼而，使用電路元件測定器(日置電機股份有限公司，Milliohm HiTester AC3560)，利用4端子法進行測定。將結果示於表2。
[膜狀接著劑與切晶帶間之剝離力測定]
出於保持目的而將聚酯黏著帶(日東電工(股)製造之BT-315)貼合於切晶帶一體型膜狀接著劑之膜狀接著劑上後，以100mm×100mm寬度進行切斷而製作樣品。對於該樣品，於剝離速度300mm/min、剝離溫度25℃之條件下，利用T型剝離使膜狀接著劑自切晶帶剝離而測定剝離力。將結果示於表2。
[與銅之剪切接著力測定]
將實施例及比較例之膜狀接著劑於60℃下貼合於厚度500μm、5mm×5mm之矽而製作剪切接著力測定用晶片。於150℃下以0.5MPa保持0.5秒而將該測定用晶片之接著劑面貼合於銅板。銅板使用厚度200μm者(JIS標準C1020)。使用剪切試驗機(Dage公司製造，Dage4000)對該測定用樣品測定膜狀接著劑與銅之剪切接著力。關於剪切試驗之條件，測定速度設為500μm/s，測定間隙設為100μm，載台溫度設為150℃。將剪切接著力在5~200g/25mm2之範圍內之情形評價為「○」，將在5~200g/25mm2之範圍外之情形評價為「×」。將結果連同測定值一起示於表2。
[耐熱評價]
將藉由上述方式而製作之附背面金屬膜之晶圓之金屬膜貼合於藉由上述方式而製作之切晶帶一體型膜狀接著劑之膜狀接著劑面。貼合係使用晶圓貼合機(wafer mounter)(日東精機製造)MA-3000III，於貼附速度10mm/min、貼附溫度70℃之條件下進行。繼而，利用切晶機進行切晶而獲得5×5mm之附膜狀接著劑之晶片。其後，利用黏晶機於銅製之導線架(大日本印刷公司製造，製品名：QFN32,64)進行晶粒黏著。關於晶粒黏著條件，溫度設為150℃，保持時間設為0.5秒，壓力設為0.5MPa。其後，於140℃下保持1小時後，於260℃下加熱5小時而使膜狀接著劑熱硬化。其後，利用密封樹脂(日立化成(股) 製造，GE7470)進行密封，於175℃下加熱5小時而使密封樹脂硬化。其後，切斷成8×8mm而獲得封裝體。
於-55~125℃之溫度下對藉由上述方式而製作之10個封裝體進行1000次循環之熱循環試驗。試驗係依據JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council，電子設備工程聯合委員會)標準22-A104C條件B而進行。
於熱循環後利用超音波顯微鏡觀察封裝體，將即便確認到1個晶片之剝離之情形評價為「×」，將10個均未確認到剝離之情形評價為「○」。將結果示於表2。
1‧‧‧基材
2‧‧‧黏著劑層
2a‧‧‧黏著劑層之與工件貼附部分對應之部分
2b‧‧‧其他部分
3‧‧‧膜狀接著劑
3a‧‧‧膜狀接著劑之半導體晶圓貼附部分
4‧‧‧半導體晶圓
10‧‧‧切晶帶一體型膜狀接著劑
11‧‧‧切晶帶

Claims (10)

  1. 一種膜狀接著劑，其用於半導體裝置，其特徵在於：含有熱硬化性樹脂、硬化劑及導電性粒子，且熱硬化後之玻璃轉移溫度為130℃以上。
  2. 如請求項1之膜狀接著劑，其熱硬化後之25℃下之電阻率為1×10-2Ω‧m以下。
  3. 如請求項1之膜狀接著劑，其含有熱塑性樹脂，且於將上述熱塑性樹脂之重量設為A、上述熱硬化性樹脂與上述硬化劑之合計重量設為B時，重量比率(A)/(B)在1/9~4/6之範圍內。
  4. 如請求項1之膜狀接著劑，其中上述導電性粒子之含量相對於膜狀接著劑整體，為30~95重量%。
  5. 如請求項1之膜狀接著劑，其熱硬化後之175℃下之拉伸儲存彈性模數為50~1500MPa。
  6. 如請求項1之膜狀接著劑，其於150℃下以0.5MPa保持0.5秒後150℃下之與銅之剪切接著力在5~200g/25mm2之範圍內。
  7. 如請求項1至6中任一項之膜狀接著劑，其厚度在5~100μm之範圍內。
  8. 一種切晶帶一體型膜狀接著劑，其特徵在於包含於基材上積層黏著劑層而成之切晶帶、及如請求項1之膜狀接著劑，且上述膜狀接著劑形成於上述黏著劑層上。
  9. 如請求項8之切晶帶一體型膜狀接著劑，其中上述膜狀接著劑與上述切晶帶之剝離力於剝離速度：300mm/min、剝離溫度：25℃、T型剝離之條件下在0.01~3.00N/20mm之範圍內。
  10. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵在於，其係使用如請求項8或9之切晶帶一體型膜狀接著劑，且包括：步驟A，將半導體晶圓貼附於上述切晶帶一體型膜狀接著劑之上述膜狀接著劑，步驟B，將上述半導體晶圓連同上述膜狀接著劑一起進行切割，步驟C，拾取藉由切晶獲得之附膜狀接著劑之半導體元件，步驟D，使上述附膜狀接著劑之半導體元件與被接著體接觸後，將上述膜狀接著劑於50~150℃之範圍內在0.05~40MPa之範圍內保持0.01~2秒，及步驟E，於上述步驟D後使上述膜狀接著劑熱硬化。
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