TW201006910A - Halogen compound, polycyclic compound and organic electroluminescent element using the polycyclic compound - Google Patents

Halogen compound, polycyclic compound and organic electroluminescent element using the polycyclic compound Download PDF

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Kazuki Nishimura
Toshihiro Iwakuma
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Description

201006910 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種函化合物、多環系化合物及使用其之 有機電致發光元件,尤其係關於一種發光效率較高、長壽 命之有機電致發光元件及實現其之多環系化合物,以及作 為該多環系化合物之中間物的函化合物。 【先前技術】 有機電致發光元件(以下有時將電致發光簡稱為 EL(Electroluminescent))係利用下述原理之自發光元件:藉 由施加電場,而利用自陽極注入之電洞與自陰極注入之電 子的再結合能量使螢光性物質發光。自報告有低電壓驅動 之積層型有機EL元件以來,關於將有機材料作為構成材料 之有機EL元件之研究便盛行起來。該積層型元件中,將三 (8-羥基喹啉)鋁用於發光層,將三苯基二胺衍生物用於電 洞傳輸層。作為積層結構之優點,可列舉:提高向發光層 中注入電洞之效率,阻擋自陰極注入之電子而提高藉由再 結合所生成之激子的生成效率,將發光層内所生成之激子 封閉在内等。如該例般,作為有機EL元件之元件結構,眾 所周知有:電洞傳輸(注入)層、電子傳輸發光層之2層型, 或電洞傳輸(注入)層、發光層、電子傳輸(注入)層之3層型 等。對於此種積層型結構元件,為提高所注入之電洞與電 子之再結合效率,而一直對元件結構或形成方法進行研 究。 作為有機EL元件之發光材料,已知有三(8_經基㈣)銘 140670.doc 201006910 錯合物等螯合錯合物、香豆素衍生物、四苯基丁二烯衍生 物、二苯乙烯基芳烴衍生物、》号二唑衍生物等發光材料, 且已報告由該等可獲得藍色至紅色之可見區域的發光,從 而期待彩色顯示元件之實現。 又’近年來亦提出,於有機EL元件之發光層中除了利用 螢光材料以外’亦利用碟光發光材料。如此,於有機El元 件之發光層中,利用有機磷光發光材料之激發態的單重態 與二重態,而達成較高之發光效率。一般認為,當電子與 電洞於有機EL元件内再結合時,由於自旋多重性不同單 重態激子與三重態激子係以Η 3之比例而生成,因此可認 為,若使用4光發光性發光材料,貝,j與僅使用冑光之元件 相比可達成3〜4倍之發光效率。 作為。己載有此種有機EL元件用材料之發明可列舉專利 文獻1〜7。 一—文獻1中记栽有將經碳原子、氮原子氧原子等使 -聯本月架交聯之結構作為母骨架之化合物。主要揭示有 =為電㈣輸材料之資料,但亦有將其㈣發錢中之 光性材料的主體材料之記載。然而,該記述限定於 不工色嶙光發光元件4且發光效率亦較低於實用方面並 不死分。 之= 載有於氮原子上或芳香環上具有取代基 有其可製備薦將其用作電洞傳輸材料,且 載。然而,甘主〜、形J穩定之薄臈電洞傳輸層之記 、現出作為與磷光發光性材料一併使用之主 140670.doc 201006910 體材料或電子傳輸材料之有效性的資料卻並無記載。 專利文獻3中記載有於氮原子上或芳香環上具有取代基 之°引嗓味唾化合物。已揭示有將該等用於發光層中之墙光 發光性材料的主體材料之綠色發光元件之資料,但施加電 壓較高,而且發光效率亦較低,於實用方面並不充分。 專利文獻4中記載有具有取代基之吲哚咔唑化合物,並 。己載有其作為發光層中之磷光發光性材料的主體材料而發 揮功忐。然而,該等化合物具備經由連結基而具有二聚物 或二聚物結構之特徵,而存在分子量較大之傾向。雖揭示 有使用該等之綠色磷光發光元件之資料,但所使用者全部 係分子量大至800以上。分子量較大之材料之真空蒸鑛的 效率差,亦可能由於長時間加熱而引起分解,因此就實用 上之觀點而言並不充分。 專利文獻5及6中記載有於芳香環上具有取代基之茚并苐 化合物’並|己載有其作為發光層中之螢光發光性材料而發 揮功能。然而,其表現出作為與磷光發光性材料一併使用 之主體材料或電子傳輸材料之有效性的資料卻並無記載。 專利文獻7中記載有將經硫原子、硼原子、磷原子使三 聯苯骨架交聯之結構作為母骨架之化合物。且記載有該等 化合物具有優異之耐氧化性,可利用塗佈法來形成有機半 導體活性層。然而’其表現出作為與螢光發光性材料或磷 光發光性材料一併使用之主體材料或電子傳輸材料之有效 性的資料卻並無記載。 專利文獻 1 : W02006/122630 140670.doc 201006910 專利文獻2 : EP0908787 專利文獻 3 : W02007/063796 專利文獻 4: W02007/063754 專利文獻 5 : US2002/0132134 專利文獻 6 : US2003/0044646 專利文獻7:曰本專利特開2008-8 1494 【發明内容】 發明所欲解決之問題 本發明係為解決上述課題而製成者,其目的在於提供一 種發光效率較高、長壽命之有機EL元件及實現其之多環系 化合物,作為該多環系化合物之中間物的函化合物。 解決問題之技術手段 本發明者等人為達成上述目的而潛心反覆研究,結果發 現,藉由將以下述式(1)或(2)所表示之多環系化合物用作 有機EL元件用材料,可達成上述目的,從而完成了本發 明。 亦即,本發明提供一種以下述式(1)或(2)所表示之多環 系化合物, [化1]
[式(1)及(2)中,X,、X2分別獨立表示氧(0)、N-Ri或 140670.doc 201006910 CR2R3,其中,又1與又2均為CR2R3之情形不存在; 上述R!、R2及R3分別獨立表示碳數為^20之烷基、經取 代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環燒基、碳數為^之 芳烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代矽烷基、經取代或未 經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、或者經取代或未 經取代之成環原子數為3〜24之芳香族雜環基;其中,&與 X2均為N-R,時,&中之至少—個表示經取代或未經取代之 成環原子數為8〜24之1價縮合芳香族雜環基; 式(2)中,η表示2、3或4,分別為將^作為連結基之二聚 物、三聚物、四聚物; 式⑴及(2)中,L4示單鍵、碳數為卜⑼之伸垸基、經 取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價矽烷 基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經取代之 成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為 3〜24之以碳-碳鍵與苯環a連結之經取代或未經取代之2價 芳香族雜環基; 式⑴中,L2表示單鍵、碳數為㈣之伸烷基、經取代或 未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價矽烷基或碳 數為2〜20之2價取代㈣基、經取代或未經取代之成環碳 數為6~24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為3〜24之以 碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代之2價芳香族雜 環基; 式(2)十,k於n*2時表示單鍵、碳數為卜加之伸烷基、 經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價矽 140670.doc 201006910 ::或,數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經取代 、碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為 :4且以碳.碳鍵與笨環e連結之經取代或未經取代之2價 族雜環基,於n為3時表示碳數為卜2〇之3價飽和煙 = 取代或未經取代之成環碳數為3〜20之3價環狀飽和 烴基、_3價錢基或碳數為w之3價取切烧基、經取代 或未經取代且成環碳數為6〜24之3價芳香族烴基、或者原 子數為+3〜24且以碳-碳鍵與笨環e連結之經取代或未經取代 一賈芳香族雜環基,於1!為4時表示碳數為丨〜2〇之4價飽和 烴=、經取代或未經取代之成環碳數為3〜20之4價環狀飽 牙烴基、矽原子、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之 4價芳香族烴基、或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與笨 環c連結之經取代或未經取代之4價芳香族雜環基; 式(1)及(2)令,A,表示氫原子、經取代或未經取代之成 環碳數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜20之取代矽烷 基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、 或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與l連結之芳香族雜 環基;其中,L!為碳數1〜20之伸烷基時,Al為氫原子之情 形不存在; 式(1)中,A2表示氫原子、經取代或未經取代之成環碳 數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代石夕烧基、 經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、或者 成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與Μ連結之芳香族雜環 基;其中,L2為碳數1〜20之伸烷基時,A2為氫原子之情形 140670.doc 201006910 不存在; 式(1)及(2)中,Yl、a及Ys表示碳數為之烷基、經 取代或未經取代之成環碳數為3〜20之環烷基、碳數為卜2〇 之院氧基、碳數為7〜24之芳烷基、矽燒基或碳數為3〜2〇之 取代矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香 族烴基、或者經取代或未經取代之成環原子數為3〜24且以 碳··碳鍵與苯環a、b、c連結之芳香族雜環基;d、f為〇、 1、2或 3,e為 〇、; 其中,Χ^Χ2為氧(〇)或CH ’ L〗、L2均為單鍵且、 與、均為氫原子時,苯環b具有一個或兩個1,I為甲基 或未經取代之苯基之情形不存在; 式⑴及(2)中’ Al、a2、Li、Μ。不含幾基]。 又,本發明提供一種可用於上述多環系化合物之以下述 式(1 8)所表示之齒化合物, [化2]
[式(9)中Yl、¥2及丫3分別獨立表示氫原子、碳數為1〜20 之烷基經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環烷基、 碳數為㈣之烧氧基、碳數為7〜24之芳縣、我基或碳 數為3 2G之取代;^炫基、經取代或未經取代之成環碳數為 24之芳香族烴基、或者經取代或未經取代之成環原子數 140670.doc 201006910 為3〜24且以碳-碳鍵與笨環a、b、〇連結之芳香族雜環基; d、f為〇、1、2或3,e為 〇、1或2; Z為鹵素原子,表示氟原子、氣原子、溴原子、碘原 子; \ t、U、v表示 0或 1 ;其中 t+u+v $ i ]。 進而,本發明提供一種有機£1^元件,其係於陰極與陽極 間具有包含發光層之一層以上的有機薄膜層,且上述有機 薄膜層之至少一層含有上述多環系化合物。 進而,該有機EL元件用材料作為有機太陽電池、有機半 導體雷射、使用有機物之感測器、有機TFT(Thin
Transistor,薄膜電晶體)用之有機電子元件用材料亦較: 發明之效果 長壽命之有機 根據本發明’可提供一種發光效率較高、 EL元件及實現其之多環系化合物。 【實施方式】 本發明之有機EL元件用材料係以下 。 乂下述式⑴或(2)所表 [化3]
140670.doc (2) -10- 201006910 [式(1)及(2)中’ X1、X2分別獨立表示氧(〇)、N_Ri或 CR2R3。其中’又丨與X2均為CR2R3之情形不存在。 上述Ri、R2及R3分別獨立表示碳數為^20之烷基、經取 代或未經取代之成環碳數為3〜20之環烷基、碳數為7〜24之 芳烷基、矽烷基或碳數為3〜20之取代矽烷基、經取代或未 經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、或者經取代或未 經取代之成環原子數為3〜24之芳香族雜環基。其中,&與 X2均為N-1時,Rl中之至少一個表示經取代或未經取代之 成環原子數為8〜24之1價縮合芳香族雜環基。 式(2)中,η表示2、3或4,分別為將La作為連結基之二聚 物、三聚物、四聚物。 式(1)及(2)中,1^表示單鍵、碳數為卜“之伸烷基、經 取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價矽烷 基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經取代之 成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為 3〜24之以碳-碳鍵與苯環a連結之經取代或未經取代之2價 芳香族雜環基。 式(1)中,L2表示單鍵、碳數為^20之伸烷基、經取代或 未經取代之成環碳數為3〜2G之伸環炫基m基或碳 數為2〜20之2價取切職、經取代或未經取代之成環碳 數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為3〜24之以 碳-碳鍵與苯環e連結之經取代或未經取代之2價芳香族雜 環基。 式(2)申,L3於n為2時表示單鍵、碳數為丨〜“之伸烷基、 140670.doc 201006910 經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價矽 烷基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經取代 之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為 3 24且以碳-碳鍵與笨環c連結之經取代或未經取代之2價 芳香族雜環基,於n為3時表示碳數為^20之3價飽和烴 基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之3價環狀飽和 烴基、3價矽烷基或碳數為^2023價取代矽烷基、經取代 或未經取代且成環碳數為6〜24之3價芳香族烴基、或者原 子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代 # 之3價芳香族雜環基,於11為4時表示碳數為卜2〇之4價飽和 烴基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之4價環狀飽 和煙基、♦原子、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之 4價芳香族烴基、或者成環原子數為3〜24且以碳·碳鍵與苯 環e連結之經取代或未經取代之4價芳香族雜環基。 式⑴及(2)中,Al表示氫原子、經取代或未經取代之成 環碳數為3〜20之環烧基、石夕炫基或碳數為3〜2〇之取代石夕烷 基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、❿ 王或者成環原子數為3〜24且以竣-碳鍵與卜連結之芳香族雜 裒基。其中,Li為碳數丨〜2〇之伸烷基時,為氫原子之情 :⑴中’ A2表示氫原子、經取代或未經取代之成環碳 广為3〜2〇之環烷基、矽烷基或碳數為3〜20之取代矽烷基、 經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、或者 成環原子數為3〜24且以碳·碳鍵扣連結之芳香族雜環 】40670.doc -12· 201006910 基。其中,La為碳數丨〜20之伸烷基時,八2為氫原子之情形 不存在; 式(1)及(2)中,Yl、a及a表示碳數為卜2〇之烷基、經 取代或未經取代之成環碳數為3〜20之環烷基 '碳數為卜20 之烷氧基、碳數為7〜24之芳烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之 取代矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香 族烴基、或者經取代或未經取代之成環原子數為3〜24且以 石及-碳鍵與笨環a、b、(;連結之芳香族雜環基。d、f為〇、 1、2或3 ’ 4 〇、1或2。 其中’ Χι與X2為氧(〇)或CR2R3 ’ L〗、L2均為單鍵,且A! 與A2均為氫原子時,苯環1)具有一個或兩個Υ2,為曱基 或未經取代之苯基之情形不存在。 式(1)及(2)中,八】及/或Α2為,咬基或二苯并吱喃基時, 電子傳輸性提高’從而可期待使用該多環系化合物之元件 之低電壓化。 式(1)及(2)中,、及/或μ為咔唑基時,電洞傳輸性提 高’從而可期待使用該多環系化合物之元件之低電壓化。 式(1)及(2)中’入】及/或Α2為喊唆基、二苯并吱味基或味 °坐基時’藉由使該等取代基進而具有至少一個以上的芳基 (較好的是苯基、聯苯基、聯三苯基或聯四笨基,尤其好 的是苯基、間聯苯基、間聯三苯基)作為取代基,分子之 穩定性提高’從而可期待使用該多環系化合物之元件之長 壽命化。上述嘧啶基、二苯并呋喃基或咔唑基並無特別限 定’作為具體例,可列舉以下之例。 140670.doc •13- 201006910 (嘴咬基) [化4]
[化5]
其中,尤其好的是以下取代基。 [化6]
[化7]
140670.doc •14- 201006910 其中,尤其好的是以下取代基。 [化8]
赵)及()中Al及/或A2為經取代或未經取代之成環碳 ^ 之芳香族烴基時,可維持母骨架即π共祕并笨 被骨架之载子傳輸性的特徵,Tg增高,可獲得適當之幕錄 特性。進而,Aj/stA2為具有2個以上之苯環相互鍵結於 間位之結構之芳香族烴基時,可防止共輛系統之擴大從 而可擴大三重態能量。再者,本發明中,所謂三重態能量 係指最低激發三重態與基態之能量差。 作為具有2個以上之苯環相互鍵結於間位之結構之例, 並無特別限定’作為具體例,可列舉以下之例: [化9]
其中,尤其好的是以下結構。 140670.doc -15- 201006910 [化 ίο]
以上述式(1)及(2)所表示之化合物較好的是分別為以下 述式(la)、(lb)、(2a)、(2b)申之任一者所表示之多環系化 合物。 如此,右等取代基之鍵結位置為間位, 則可防止共輛系統之擴大,從而可擴大三重態能量,因此參 較好。 [化 11]
[式(la)、(lb)、(2a)、(2b)H、x2、Ll、L2、L3、Ai、 A2 γι Y2、' n、d、f、e係與上述相同]。 式⑴及(2)中’ Υι、YjY3對複數個苯環a、^ c進行取 代時’分別如下述所示。 140670.doc .16- 201006910 [化 12] A Υι ^
Υ» 式(1)及(2)中,A!、Α2、L〗、L2及L3不含羰基]。
以式(1)所表示之多環系化合物較好的是以下述式 (3)〜(6)、(11)及(13)中之任一者所表示之多環系化合物, 以式(2)所表示之多環系化合物較好的是以下述式 (7)〜(10)、(12)及(14)中之任一者所表示之多環系化合物。 [化 13]
(6) 5
η (8)
(9) 140670.doc •17· 201006910 [式(3)〜(1〇)中,Rl、I及I分別獨立表示碳數為丨〜“之烷 基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環烷基、碳數 為7〜24之芳烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代矽烷基、經 取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、或者經 取代或未經取代之成環原子數為3〜24之芳香族雜環基。其 中’式(3)及⑺中,Rl中之至少—個表示經取代或未經取 代之成環原子數為8〜以之丨價縮合芳香族雜環基。 式⑺〜⑽中,η表示2、3或4,分別為叫作為連結基 之一聚物、三聚物、四聚物。 式(3)〜(1〇)_,表示單鍵、碳數為丨〜“之伸烷基、經 取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價矽烷 基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經取代之 成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為 3〜24之以碳_碳鍵與苯環a連結之經取代或未經取代之2價 芳香族雜環基。 式(3)〜(6)中,L2表示單鍵、碳數為卜2〇之伸烷基經取 代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價矽烷基
或碳數為2〜2G之2價取代錢基、經取代或未經取代之I 環碳數為6〜24之2㈣㈣烴基、或者成環原子數為3〜24 之以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代之2價 族雜環基。 式(7) (10)中,L3於n為2時表示單鍵、碳數為丨〜2〇之伸 烷基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、 2㈣院基或碳數為2〜2()之2價取代石夕炫基、經取代或未經 140670.doc •18· 201006910 取代之成裱碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子 數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代之 2價芳香族雜環基,於11為3時表示碳數為卜加之]價飽和烴 基經取代或未經取代之成環碳數為3〜20之3價環狀飽和 烴基、3價矽烷基或碳數為1〜20之3價取代矽烷基、經取代 或未經取代且成環碳數為6〜24之3價芳香族烴基、或者原 子數為3〜24且以碳·碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代 之3價芳香族雜環基,〇為4時,表示碳數為1〜μ之4價飽和 少二基、纟'^取代或未經取代之成環碳數為3〜20之4價環狀飽 和烴基、矽原子、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之 價芳香族煙基、或者成環原子數為3〜24且以碳·碳鍵與苯 環c連結之經取代或未經取代之4價芳香族雜環基。 式(3)〜(10)中,Al表示氫原子、經取代或未經取代之成 數為3 20之ί衣烧基、石夕烧基或碳數為3〜2〇之取代碎院 基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、 或者成環原子數為3〜24且以碳_碳鍵與^連結之芳香族雜 裒土其中,L!為碳數1〜20之伸院基時,Α〗為氫原子之情 形不存在。 式(3)〜(6)中,A2表示氫原子、經取代或未經取代之成環 炭數為3〜20之環烷基、矽烧基或碳數為3〜20之取代矽燒 基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、 或者成環原子數為3〜24且以碳_碳鍵與“連結之芳香族 •eg 甘产 土 其中’ L2為碳數1〜20之伸烧基時,A2為氫原子之愔 形不存在。 140670.doc -19- 201006910 式(3)〜(10)中,γ丨、丫2及丫3表示碳數為^20之烷基、經 取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環烷基、碳數為^20 之烷氧基、碳數為7〜24之芳烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之 取代石夕院基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香 族煙基、或者經取代或未經取代之成環原子數為3〜24且以 碳-碳鍵與苯環a、b、〇連結之芳香族雜環基。d、f為〇、 1、2或3,。其中,川、[2均為單鍵,且A〗與 八2均為氫原子時,苯環b具有一個或兩個Yz,丫2為曱基或 未經取代之苯基之情形不存在。 式(3)〜(1〇)中’ Al、a2、L丨、L2&L3不含羰基]。 [化 14]
又’式(Π)、(12)較好的是下述式(13)、(14)。 [化 15]
[式(12)、(14)中,η表示2、3或4 ’分別為將L3作為連結基 140670.doc 201006910 之二聚物、三聚物、四聚物。 式(11)〜(14)中,1^表示單鍵、碳數為丨〜2〇之伸烷基、經 取代或未經取代之成環碳數為3〜20之伸環烷基、2價梦烧 基或碳數為2〜20之2價矽烷基、經取代或未經取代之成環 碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為3〜24之 以碳-碳鍵與苯環a連結之經取代或未經取代之2價芳香族 雜環基。 式(11)、(I3)中,L2表示單鍵、碳數為卜2〇之伸烷基、 經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價矽 烷基或碳數為2〜20之2價矽烷基、經取代或未經取代之成 環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為3〜24 之以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代之2價芳香 族雜環基。 式(12)、(14)中,L3於n為2時表示單鍵、碳數為丨〜⑽之 伸烷基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷 基、2價矽烷基或碳數為2〜2〇之2價取代矽烷基、經取代或 未經取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環 原子數為3〜24且以碳_錢與笨環靖結之經取代或未經取 代之2價料族雜環基,於…時表示碳數為㈣之3價飽 和烴基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之3價環狀 飽和烴基、3價㈣基或碳數為卜2()之3價取代錢基、經 取代或未經取代且成環碳數為6〜24之3價芳香族煙基、或 者原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經 取代之3價芳香族雜環基,於…時表示碳數為u之4價 140670.doc -21- 201006910 飽和烴基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜20之4價環 狀飽和烴基、%原子、經取代或未經取代之成環碳數為 6〜24^4價芳香族烴基、或者成環原子數為3〜24且以碳_碳 鍵與本環c連結之經取代或未經取代之4價芳香族雜環基。 式(11)〜(14)中,Αι表示氫原子 '經取代或未經取代之成 環碳數為3〜20之環燒基、石夕炫基或碳數為3〜20之取代石夕烷 基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、 或者成環原子數為3〜24且以碳_碳鍵與^連結之芳香族雜 環基。其中,Li為碳數1〜20之伸烷基時,A!為氫原子之情 〇 形不存在。 、式(11)、(13)中’ a2表示氫原子、經取代或未經取代之 成環碳數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜20之取代矽 烷基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴 基或者成環原子數為3〜24且以碳·碳鍵與“連結之芳香 族雜環基。其中,l2為碳數卜2〇之伸燒基時,〜為氣原子 之情形不存在。 式(11)〜(14)中,Υι、1及1表示碳數為卜2〇之烷基、經粵 取代或未經取代之成環碳數為3~20之環烷基、碳數為〗〜 之烷氧基碳數為7〜24之芳烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之 取代矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香 - 族烴基、或者經取代或未經取代之成環原子數為3〜24且以 . 碳·碳鍵與笨環a、b、〇連結之芳香族雜環基。d、f為〇、 1、2或3 ’ 6為〇、Μ]。其中’ L]、“均為單鍵且A〗與 A2均為氫原子時,苯環b具有一個或兩個1’ 1為甲基或 140670.doc -22- 201006910 未經取代之苯基之情形不存在。 式(11)〜(14)中,a丨、八2、Ll、L2及L3不含羰基]。 又’本發明亦提供一種以下述式(15)所表示之多環系化 合物。 [化 16]
[式(15)中,X〗、又2分別獨立表示氧、n_RaCR2R3。其 中’ X〗與X2均為CR2R3之情形不存在。 上述Ri、R2及R3分別獨立表示碳數為^20之烷基、經取 代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環烷基、碳數為7〜24之 芳烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代矽烷基、經取代或未 經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、或者經取代或未 經取代之成環原子數為3〜24之芳香族雜環基。其中,&與 &均為N-R〗時,&中之至少一個表示經取代或未經取代之 成環原子數為8〜24之1價縮合芳香族雜環基。 式(15)中,n表示2、3或4,分別為將^作為連結基之二 聚物、三聚物、四聚物。 式(15)中,1^表示單鍵、碳數為丨〜⑽之伸烷基、經取代 或未經取代之成環碳數為3〜20之伸環烷基、2價矽烷基或 140670.doc •23· 201006910 碳數為2〜20之2價取代碎烧基、經取代或未經取代之成環 碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為3〜24之 以碳-碳鍵與苯環a連結之經取代或未經取代之2價芳香族 雜環基。 式(15)中,L2表示單鍵、碳數為丨〜”之伸烷基、經取代 或未經取代之成環碳數為3〜20之伸環烷基、2價矽烷基或 碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經取代之成環 碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為3〜24之 以碳·碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代之2價芳香族 〇 雜環基。 式(15)中,L3於η為2時表示單鍵、碳數為卜⑽之伸烷 基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2 價矽烷基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經 取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子 數為3 24且以碳-碳鍵與苯環b連結之經取代或未經取代之 2價芳香族雜環基,於11為3時表示碳數為1〜之3價飽和烴 基經取代或未經取代之成環碳數為3〜20之3價環狀飽和 烴基、3價矽烷基或碳數為丨〜2〇之3價取代矽烷基、經取代 或未經取代且成環碳數為6〜24之3價芳香族烴基、或者原 子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環b連結之經取代或未經取代 之3價芳香族雜環基,於11為4時表示碳數為1〜之*價飽和 煙基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之4價環狀飽 和知'基、石夕原子、經取代或未經取代之成環碳數為6~24之 4價芳香族烴基、或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯 140670.doc -24- 201006910 環b連結之經取代或未經取代之4價芳香族雜環基。 式(15)中’ A!表示氫原子、經取代或未經取代之成環碳 數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代石夕烧美、 經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族煙基、或者 成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與Ll連結之芳香族雜環 基。其中’ Ll為碳數^20之伸烧基時’、為氫原子之情形 不存在。
式(15)中,A2表示氫原子、經取代或未經取代之成環碳 數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代矽烷基、 經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、或者 成環原子數為3〜24且以碳·碳鍵與k連結之芳香族雜環 基。其中’ L2為碳數卜20之伸烷基時,〜為氫原子之情形 不存在。 式(5)中’ Yi、Y2AY3表示碳數為㈣之燒基、經㈣ 或未經取代之成環碳數為3〜2()之環炫基、碳數為_之炫 氧基、碳數為7〜24之芳炫基、錢基或碳數為3〜20之取: 石夕烧基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴 基、或者經取代或未經取抑夕占 代之成環原子數為3〜24且以碳· 碳鍵與表環a、b、c連社之:¾:夫从Αί 連、、。之芳香族雜環基。d、f為〇、五、2 或3,e為〇或1。 式(15)中,Ai、A2、LiuL30·]。 以下述式 又’以式(15)所表示之多環系化合物較好的是 (16)所表示之多環系化合物。 140670.doc •25· 201006910 [化 17]
[式(16)中,n表示2、3或4,分別為將!^作為連結基之二聚 物、三聚物、四聚物。 式(16)中’ 1^表示單鍵、碳數為丨〜“之伸烷基、經取代 或未經取代之成環碳數為3~20之伸環统基、2價矽烷基或 碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經取代之成環 碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為3〜24之 以碳-碳鍵與笨環a連結之經取代或未經取代之2價芳香族 雜環基。 式(16)中,L2表示單鍵、碳數為卜⑽之伸烷基、經取代 或未經取代之成環碳數為3~2〇之伸環烷基、2價矽烷基或 碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經取代之成環 碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為扒以之 以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代之2價芳香族 雜環基。 ' 式(16)中,L;於η為2時表示單鍵、碳數為丨〜⑶之伸烷 基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、1 價矽烷基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經 140670.doc -26- 201006910
取代之成環複數為6〜24之2價芳香族煙基、或者成環原子 數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環b連結之經取代或未經取代之 2價芳香族雜環基,於11為3時表示碳數為卜“之^賈飽和烴 基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之3價環狀飽和 烴基、3價矽烷基或碳數為^20之3價取代矽烷基、經取代 或未經取代且成環碳數為6〜24之3價芳香族烴基、或者原 子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環b連結之經取代或未經取代 之3價芳香族雜環基,於n為4時表示碳數為卜加之々價飽和 烴基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之4價環狀飽 和烴基、石夕廣、子、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之 4價芳香族烴基、或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯 環b連結之經取代或未經取代之4價芳香族雜環基。 式⑽中,Al表示氫原子、經取代或未經取代之成環碳 數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代矽烷基、 經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、或者 成環原子數為3~24且以碳·碳鍵與Ll連結之芳香族雜環 基。其中,Li為碳數1〜20之伸烷基時,Al為氫原子之情 不存在。 β 式(1 6)中,A?表示氫原子、經取代或未經取代之成環石山 數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代矽烷美灭 經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、或者 成環原子數為3~24且以碳-碳鍵與L2連結之芸束地 方杳族雜環 基。其中,L2為碳數1〜20之伸烷基時,Μ為氫原子之产多 不存在。 140670.doc -27- 201006910 式(16)中,Yl、Yz及Y3表示碳數為^20之烷基、經取代 或未經取代之成環碳數為3〜20之環烷基、碳數為丨〜⑽之院 氧基、碳數為7〜24之芳烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代 石夕烧基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴 基、或者經取代或未經取代之成環原子數為3〜24且以破_ 碳鍵與苯環a、b ' c連結之芳香族雜環基。d、f為〇、1、2 或3,e為〇或1。 式(16)中,A,、A2、L】、L2及L;不含羰基]。 又,本發明亦提供一種以下述式(17)所表示之多環系化 參 合物。 [化 18]
[式(17)中,X7表示氧(〇)或CR2R3。 上述㈣立表㈣數為卜2()之絲、經取1 心取代之成環碳數為3〜2G之環垸基、碳數為7〜24之」 代之=基:戈碳數為3〜20之取代w、經取代或幻 代之成環=A 6 24之方香族烴基、或者經取代或未1 代之成環原子數為3〜24之芳香族雜環基。 中η表不2、3或4’分別為將[3作為連結基$ 140670.doc -28- 201006910 聚物、三聚物、四聚物。 式(17)中,Ll表示單鍵、碳數為1〜20之伸烷基、經取代 或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烧基、2價發院基或 碳數為2〜2〇之2價取代石夕院基、經取代或未經取代之成環 碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為3〜24之 以碳-碳鍵與笨環a連結之經取代或未經取代之2價芳香族 * 雜環基。 式(17)中’ L2表示單鍵、碳數為1〜20之伸烷基、經取代 或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價矽烷基或 碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經取代之成環 碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為卜以之 以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代之2價芳香族 雜環基。 式(17)中,L3於η為2時表示單鍵、碳數為丨〜2〇之伸烷 基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2 • 價矽烷基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經 取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子 數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環b連結之經取代或未經取代之 2價芳香族雜環基,於η為3時表示碳數為價飽和烴 基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之3價環狀飽和 烴基、3價矽烷基或碳數為^2023價取代矽烷基、經取代 或未經取代且成環碳數為6〜24之3價芳香族烴基、或者原 子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環b連結之經取代或未經取代 之3價芳香族雜環基,於11為4時表示碳數為卜“之#價飽和 140670.doc •29- 201006910 煙基、經取代或未經取代 和烴 < 之成環碳數為3〜20之4價環狀飽 4價Λ / 經取代或未絲代之成環碳數為6〜24之 =、或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯 環b連、.,。之經取代或未經取代之4價芳香族雜環基。 數^ )巾Al表不氫原子、經取代或未經取代之成環碳 數為3〜2G之觀基、㈣基或碳數為3〜觀取切烧基、 經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、或者 =環原子數為3〜24以碳_碳鍵與Li連結之芳香族雜環 魯 土。其中’ L,為碳數㈣之伸烷基時,A〗為氫原子之情形 不存在。 式(17)中,八2表示氫原子、經取代或未經取代之成環碳 為3 20之環烷基、矽院基或碳數為3〜2〇之取代矽院基、 J代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、或者 成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與“連結之芳香族雜環 基。其中,L2為碳數卜20之伸烷基時,A2為氫原子之情形 不存在。 式(Π)中,Yl、A及I表示碳數為卜2〇之烷基、經取代 〇 或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環烷基、碳數為丨〜“之燒 氧基、碳數為7〜24之芳烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代 珍燒基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴 - 基、或者經取代或未經取代之成環原子數為3〜24且以碳_ 碳鍵與笨環a、b、c連結之芳香族雜環基。d、f為〇、1>2 或3,e為〇、1或2。 式(17)中,Al、A2、L丨、L2及L3不含羰基]。 14〇67〇,(J〇c • 30· 201006910 气(丨)(17)中’ Al較好的是矽烷基或碳數為3〜20之取代 夕烷基、或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與連結之 芳香族雜環基。 式U1) (17)中’ Αι較好的是以碳碳鍵與Μ連結之 • 、自。井、嘧啶、吡。井、1,3,5-三畊、咔唑、二苯并呋 嗔、二苯并嗔吩、吩十井、吩隹喷、二氯〇丫淀中的芳香族 J 雜環基。 又,本發明提供一種作為適用於合成本發明之多環系化 合物之中間物的以下述式(18)所表示之鹵化合物。 [化 19]
[式(18)中,χ8、χ9分別獨立表示氧(0)或N-R,。 _ 二反數為1〜2 0之垸基、經取代或未經取代之成環碳 數為3〜20之環貌基、碳數為7〜24之芳院基、石夕烧基或破數 為3〜2〇之取代㈣基、經取代或未經取代之成環碳數為 • 6〜24之#㈣烴基、或者經取代或未經取代之成環原子數 為3〜24之芳香族雜環基。其_,&與&均為時,&中 之至少一個表示經取代或未經取代之成環原子數為8〜24之 1價縮合芳香族雜環基。 Υι、A及Y3表示碳數為^20之烷基、經取代或未經取代 之成環碳數為3〜2〇之環燒基、碳數為㈣之垸氧基、碳數 140670.doc -31 - 201006910 為7~24之芳烧基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代矽烧基、經 取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、或者經 取代或未經取代之成環原子數為3〜24且以碳_碳鍵與笨環 a、b、c連結之芳香族雜環基。d、鴣〇、i、2或3,6為〇、 1或2 〇 z為鹵素原子,表示氟原子、氣原子、溴原子、碘原 . 子。 t、u、V表示 0或 1。其中 t+u+vg u。 以式(18)所表示之鹵化合物較好的是以下述式(19)所表 _ 示。 [化 20]
[式(19)中,γ,、Y2及γ3分別獨立表示氫原子、碳數為1〜π _ 之烷基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環烷基、 碳數為1〜20之烷氧基、碳數為7〜24之芳烷基、矽烷基或碳 數為3〜20之取代矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數為 6〜24之芳香族烴基、或者經取代或未經取代之成環原子數 為3 24且以碳-碳鍵與苯環a、b、c連結之芳香族雜環基。 d、f為〇、1、2或 3,e為 〇、1或2。 Z為齒素原子,表示氟原子、氣原子、溴原?、碘原 子。 140670.doc 32- 201006910 t、u、V表示 。其中 t+u+vd]。 以式(19)所表示之鹵化合物可藉由使以下述式(28)所表 不之芳香族齒化合物進行分子内環化反應而獲得。 [化 21]
(2 8) [式(28)中’ Y,、Y2及I分別獨立表示氫原子、碳數為卜汕 之院基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環烷基、 碳數為1〜20之烧氧基、碳數為7〜24之芳烷基、矽烷基或碳 數為3〜20之;ε夕烧基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24 之芳香族烴基、或者經取代或未經取代之成環原子數為 3〜24且以碳-碳鍵與苯環a、b、e連結之芳香族雜環基。 d、f之數為〇、1、2或3,e之數為〇、1或2。 • Z為函素原子’表示氟原子、氣原子、溴原子、破原子。 ί、U、V表示 〇或 1。其中 t+u+v g i ]。 以上述式(28)所表示之芳香族_化合物的反應通常係於 .鹼性觸媒之存在下進行。作為鹼性觸媒,可列舉:鈉胺、 三乙胺、三丁胺、三辛胺、吡啶、N,N_二甲基苯胺、H 二氣雜雙環[4,3,0]壬烯 _5(DBN,15_diazabicyci〇[4,3 〇】 nonene-5)、以-二氮雜雙環[5,4,〇]十一烯 _7(dbu,’【,’8_ diazabicydo [5’4,0]undecene_7)、氫氧化鈉氫氧化鉀氫 化鈉、磷酸鈉、磷酸鉀、碳酸鈉、碳酸鉀、甲氧化鈉及第 140670.doc -33 - 201006910 三丁氧化鉀等。 驗性觸媒相對於反應原料即以式(28)所表示之关夭 々曰私鹵 化合物之使用比例為鹼性觸媒/芳香族_化合物(莫耳比)為 2〜10左右之量,較好的是2〜5之量。 反應時’視需要可使用溶劑。作為溶劑,具體可列舉. 曱本、DMF(dimethylformamide,二甲基曱醢胺) DMAc(dimethyl acetamide , N,N_ 二曱基乙酿胺) DMSO(dimethyl sulf0Xide,二曱基亞碾)、NMp(N_ methylpyrrolidone,N_甲基吡咯啶酮)、四氫呋喃及二甲氧 基乙烷等。該等可單獨使用一種、或組合使用兩種以上。 以上述式(28)所表示之芳香族_化合物之反應通常係於 〇〜250°C左右、較好的是150〜2〇〇。(:之溫度下進行。若反鹿 溫度為1 50°C以上’則反應速度適當而不會下降,因此可 縮短反應時間。又,若反應溫度為200°C以下,則可抑制 產物之著色。反應時間通常為1分鐘〜24小時左右,較理想 的是1〜1 0小時。 又,上述式(18)中Xs、X9均為N-R!之鹵化合物可藉由使 以下述式(29)所表示之芳香族_化合物與上述同樣地進行 分子内環化反應而獲得。 [化 22]
140670.doc •34· 201006910 其中,式(⑼中之 Yl、Y2、Y3、z、d、e、f、t、uh## 式(28)中之 Y丨、Y2、Y3、z、d、ef、t、uA^^。 以下說明式⑴〜(19)、(28)及(29)中各基所示之具體例。 作為Y广Y3、Rl〜R3、[广一及入广〜所示之經取代或未經 取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基,例如可列舉:經取 代或未經取代之苯、萘、聯苯、聯三苯、第'菲、聯伸三 苯m蒽、苯并第、苯并聯伸三苯、苯并薇、策 等之對.應價數之殘基’較好的是苯、#、聯笨、聯三笨: 苐、菲。 =為Υ! Υ3、Rl〜R3、[广^及^〜〜所示之經取代或未經 取代之成環原子數為3〜24之芳香族雜環基,例如可列舉: 吼啶、嗒畊 '嘧啶、吡畊、Μ,5·三,、咔唑、二苯:呋 =苯:。塞吩、吩十并、吩㈣、二氣Μ之對應價數 的殘基’較好的是°比咬十井、鳴咬、。比呼、吁唾、二苯 并吱鳴::苯并嗟吩、吩十井、二氫Μ。又,作為〜所 不之至)-個經取代或未經取代之成環原子數為8〜:… 價縮合料麵環基,可自 縮合結構之例。 《财舉出具有 基作::其I〜I A W及I〜I所示之碳數為1〜20之院 基、伸烧基、3價或4價飽和煙基,例如可列舉.甲基乙 基、丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、第三丁基:里丁 基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、^ 基、正十一烷基、正十二烷基、正 、 ^ x , τ二烷基、正十四烷 基、+五院基、正十六烧基、正十七燒基、正十八烧 140670.doc •35- 201006910 基、新戊基、1_甲基戊基、2-甲基戊基、1-戊基己基、r 丁基戍基、1_庚基辛基、3·甲基戊基等或使㈣為2〜4價 之基,較好的是甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第 二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、 正辛基JL壬基' 正癸基、正十一燒基、正十二烧基、正 十三燒基、正十四絲、正十五烧基、正十六炫基、正十 七烷基、正十八烷基、新戊基、甲基戊基、卜戊基己 基、1-丁基戊基、1_庚基辛基。 作為Y! Y3、l]〜l3、υ3及八广八满示之經取代或未經 取代之成環碳數為3〜20之環烷基、伸環烷基、3價或4價環 狀飽和烴基’例如可列舉:丙基、環丁基、環戊基、環 己基等或使該等為2〜4價之基,較好的是環丁基、環戊 基、環己基。 作為YrY3所示之碳數為卜汕之烷氧基,例如可列舉: 甲氧基、乙氧基、甲氧基、異丙氧基、正丙氧基、正丁氧 基、第二丁氧基、第三丁氧基等,較好的是甲氧基、乙氧 基、曱氧基、異丙氧基、正丙氧基。 作為Y广A、L丨〜L3、R丨〜&及A丨〜八2所示之碳數為卜2〇之 取代矽烷基,例如可列舉:三曱基矽烷基、三乙基矽烷 基、二丁基矽烷基、三辛基矽烷基、三異丁基矽烷基、二 曱基乙基矽烷基、二甲基異丙基矽烷基、二甲基丙基矽烷 基、二甲基丁基矽烷基、二曱基第三丁基矽烷基、二乙基 異丙基矽烷基、苯基二曱基矽烷基、二苯基甲基矽烷基、 二笨基第三丁基矽烷基、三苯基矽烷基等或使該等為2〜3 140670.doc -36 - 201006910 價之基,較好的是三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丁基 矽烷基。 作為Υ!〜Υ3及R^R3所示之碳數為7〜24之芳烧基,例如可 列舉:苄基、苯乙基、苯基丙基等。 作為可於式(1)〜(19)、(28)及(29)之上述各基上進行取代 的取代基’例如可列舉:碳數為1〜10之烷基(曱基 '乙 基、丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁 基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥基曱基、丨_羥 基乙基、2-經基乙基、2-經基異丁基、1,2_二經基乙基、 1,3-二羥基異丙基、2,3-二羥基-第三丁基、三羥基丙 基、氣甲基、1-氣乙基、2-氯乙基、2-氣異丁基、1,2-二 氣乙基、1,3-二氣異丙基、2,3-二氯-第三丁基、i,2,3-三氯 丙基、溴甲基、1-溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1,2-二溴乙基、1,3-二溴異丙基、2,3-二溴-第三丁基、i,2,3-三 溴丙基、碘曱基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、 1.2- 二峨乙基、1,3-二碘異丙基、2 3_二碘-第三丁基、 1,2,3-二碘丙基、胺基甲基、丨_胺基乙基、2胺基乙基、2_ 胺基異丁基、1,2-二胺基乙基、13_二胺基異丙基、2 3_二 胺基-第二丁基、1,2,3-二胺基丙基、氰基曱基、卜氰基乙 基、2-氰基乙基、2-氰基異丁基、12二氰基乙基、13_二 氰基異丙基、2,3-二氰基-第三丁基、三氰基丙基、 硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2_硝基異丁基、 1.2- 二硝基乙基、1,3-二硝基異丙基、2,3_二硝基_第三丁 基、1,2,3-三硝基丙基等)、成環碳數為3〜4〇之環烷基(環丙 140670.doc •37· 201006910 2 % 丁基、環戍基、環己基、4_甲基環己基、1金㈣ 一氧基、甲氧基、異基= 數為二之 氧基、第三丁氧基、戊氧基、己氧基等)氧二第二丁 3〜Π)之環烷氧基(環戊氧基 <厌數為 〜香族煙基、成環原子二::香=為 :成環破數為“。之芳香族烴基取代之胺基、具=碳 醋基 '氰基、硝基、_子基等f有碳數為1〜6之貌基之 丄等中’較好的是碳數為】〜6之院基、笨基 =基、二苯并咳读基,取代基之個數較好的是卜2。 金的是式⑺、⑺〜⑽、(12)、(14)、(】5)〜( 系化合物中,η為2。 ⑴)⑼之多環 ^好的疋式⑴、(3)〜(6)、⑴)或⑴)中H 二:基的總數為3以下,式⑺、⑺〜⑽、⑽、 所表 7)中相對於-個内結構1之以Yl、m 所表不之取代基的總數為3以P 2及1 較好的是式(〗)、& 、+ 表干 二),χ丨與χ2分別係以^^尺丨所 表不,且X]之n-R丨與X^N_R丨 1所 (15)為非對稱結構,此時與設為對心二, 抑制結晶化,薄膜之籍構之情形相比,可 較好的是如下::::,元件之壽命延長。 中,進而於式⑴)二與=)或(― _行交聯,化合L電表示。藉㈣^ /。傳輸性提咼,從而可促進元件 140670.doc -38- 201006910 之低電壓化。該化合物尤其可較佳地用作主體材料、電洞 傳輸材料。 又’式(3)或(7)令’較好的是1^中之至少—個為二笨并 呋喃殘基或咔唑殘基,更好的是心全部為二苯并呋喃殘基 或咔唑殘基。同樣地,式(4)、(5)、(8)、⑼、(15)中,較 好的是Rl為二苯并呋喃殘基或咔唑殘基。 藉由使二苯并°夫喃及咔唑之類的電子傳輸性之縮合芳香 籲 族雜環鍵結,與嘧啶之類的並非縮環之含氮雜環相比,對 電洞之穩定性(耐氧化性)增大,由此可實現長壽命化。 又,藉由使二苯并呋喃及咔唑之類的能隙較大、電子傳輸 性之縮合芳香族雜環鍵結於N上,可防止用作磷光發光元 件時之效率下降,對電洞之穩定性(耐氧化性)增大。 又,如式(1)〜(17)般,苯環a、c相對於苯環b鍵結於對 位,藉此可提高電子傳輸性,從而可實現元件之低電壓 化。 • 較好的是如式(5)、(6)、⑼或⑽般,式⑴或⑺中&與 X2k至少—個4氧原子’更好的是如(11)〜(14)、⑽般 均為氧原子。氧原子之陰電性較高,可提高電子傳輸性, 冑此可實現元件之低電壓化’尤其可較佳地用作主體材料 或電子傳輸材料。又,均絲原子時,可擴大三重態能 量,因此可提高發光效率。 又’式⑴〜(17)中’ Al、a2、Li、L2及一不含幾基,亦 即末端結構不含絲,藉此可抑制壽命縮短。 以下表示本發明之以式⑴〜(17)所表示之有機此元件用 140670.doc •39- 201006910 材料的具體例,但本發明並不限定於該等例示化合物。 [化 23]
140670.doc • 40- 201006910 [化 24]
140670.doc -41 - 201006910 [化 25]
140670.doc -42- 201006910 [化 26]
Να 42
Νε>.64 140670.doc -43· 201006910 [化 27]
140670.doc -44- 201006910 [化 28]
140670.doc -45- 201006910 [化 29]
No. 79 No 80 140670.doc -46- 201006910 [化 30]
140670.doc -47· 201006910 [化 31]
No. 105 140670.doc ·48· 201006910 [化 32]
Να 106
Να 107
140670.doc -49 201006910[化 33]
Να 120
tio.121
50- J40670.doc 201006910 [化 34]
140670.doc -51 - 201006910 [化 35]
140670.doc -52- 201006910 [化 36]
140670.doc -53- 201006910 [化 37]
以下表示本發明之以式(18)所表示之鹵化合物的具體 例,但本發明並不限定於該等例示化合物。 [化 38]
140670.doc • 54· 201006910 其次,就本發明之有機el元件加以說明。 本發明之有機EL元件係讀㈣陽_具有包含發光層 之-層以上的有機薄膜層,且該有機薄膜層之至少人 有多環系化合物,該多環系化合物具有經層3 子、氧原子或硫原子而交聯之π共輛雜并苯”乳原 示π共軛雜并苯骨架之具體例。 >、。以下表 茚并苐(經碳原子而交聯) [化 39]
吲哚咔唑(經氮原子而交聯) [化 40J
[化 41] 9^9 苯并噻吩基二笨并噻吩(經硫原子而交聯) [化 42] 140670.doc 55- 201006910 除此之外,亦可為將碳原子、氮原子、 .. &厚'于或硫原子 加以組。而交聯之,共輛雜并苯骨架。以下表示具體例。 可將該等例加以組合來調整電子及電洞之傳輸性 藉由組合氧原子與氮原子,可兼1電 ' u于及電洞之傳輸性, 從而可實現元件之低電壓化。
[化 43J οβ 而且,作為具有該"共軛雜并苯骨架之多環系化合物, 本發明之有機EL元件中係使用上述本發明之多環系化合 亦可於上述發Μ與陰極之間具有電子傳輸層,且該電 子傳輸層含有上述多環系化合物。更好的是上述發光層與 上述電子傳輸層均含有上述多環系化合物。 又,亦可於上述發光層與陽極之間具有電洞傳輸層且 該電洞傳輸層含有上述多環系化合物。 更好的是本發明之多環系化合物至少含有於發光層中, 用於發制㈣可實現長壽命化,用於電子傳輸層或電子 注入層中時可實現低電壓化,若同時含有於發光層與電子 傳輸層或電子注人層之兩層以上的層中時,則可實現低電 壓化及長壽命化,因此較好。 尤其好的是除電子傳輸層或電子注入層以外,上述發光 層亦含有本發明之多環系化合物作為主體材料,較好的是 140670.doc •56· 201006910 含有以下述式(20)〜(27)中之任一者 ^考所表示之有機EL元件用 材料作為主體材料。 [化 44] (2 0)
[式(20H23)中,X3、X4、X5及\分別獨立表示氧(0)、硫 (S)、N-RjCR2R3。 上述Rl、RAR3分別獨立表示碳數為_之院基、經取 代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環烷基、碳數為7〜Μ之 芳烧基、找基或碳數為3〜2G之取代錢基、經取代或未 經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、或者經取代或未 經取代之成環原子數為3〜24之芳香族雜環基。其中,^與 X4、或X5與X6均為叫時,Rl中之至少—個表示經取代3或 未經取代之成環原子數為8〜24U價縮合料族雜環基。 式⑼及⑺)中,n表示2、3或4,分別為將^作為連結 基之一聚物、三聚物、四聚物。 式叫⑽,L,表示單鍵、碳數為_之伸院基、經 140670.doc •57- 201006910 取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價矽烷 基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經取代2 成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為 3〜24之以碳-碳鍵與苯環a連結之經取代或未經取代之2價 芳香族雜環基。 式(20)及(22)中,L2表示單鍵、碳數為卜“之伸烷基、 經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價矽 烷基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經取代 之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為 3〜24之以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代之2價 方香族雜環基。其中,X3與&、或Xs與&均為,且 、L2均為經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之2價芳 香族烴基時,Ll、L2同時相對於苯環b連結於對位之情形 不存在。 式(21)及(23)中,L3於η為2時表示單鍵、碳數為丨〜⑽之 伸烷基、經取代或未經取代之成環碳數為3~2〇之伸環烷 基、2價矽烷基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或 未經取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環 原子數為3〜2 4且以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取 代之2價芳香族雜環基,於11為3時表示碳數為卜“之3價飽 和烴基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之3價環狀 飽和烴基、3價矽烷基或碳數為丨〜“之3價取代矽烷基、經 取代或未經取代且成環碳數為6〜24之3價芳香族烴基、或 者原子數為3〜24且以碳-碳鍵與笨環c連結之經取代或未經 I40670.doc •58- 201006910 取代之W貝方香族雜環基,於4 *時表示碳數為1〜2〇之*價 飽和k基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜μ之*價環 狀飽和烴基1原子、經取代或未經取代之成環碳數為 6-24之4價芳香族烴基、或者成環原子數為3〜24且以碳碳 鍵與苯.連結之經取代或未經取代之4價芳香族雜環基。 纟中,χ3與χ4、或、似6均為CR2R3,且Li、l#為經取 代或未經取代之成環碳數為6〜24之2價、3價或4價的芳香 &烴基時’ Ll、[3同時相對於苯環b連結於對位之情形不 W 存在。 式(20)〜(23)中’ A!表示氫原子、經取代或未經取代之成 環碳數為3〜20之環燒基、石夕烧基或碳數為3〜2〇之取代石夕烧 基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、 或者成環原+數為3〜24且以碳·碳鍵與^連結之芳香族雜 環基。其中’ L,為碳數u之伸院基時,Αι為氯原子之情 形不存在。 • 式(20)及(22)中,八2表示氫原子、經取代或未經取代之 成環碳數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代矽 烷基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴 基、或者成環原子數為3〜24且以碳_碳鍵與L2連結之芳香 族雜環基。其中,L2為碳數1〜2〇之伸烷基時,八2為氫原子 之情形不存在。 式(20) (23)中,Υι、丫2及γ3表示碳數為卜2〇之烧基、經 取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環烷基、碳數為卜2〇 之燒氧基、碳數為7〜24之芳烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之 140670.doc -59- 201006910 取代带统基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香 族烴基、或者經取代或未經取代之成環原子數為3〜24且以 碳-碳鍵與苯環a、b、c連結之芳香族雜環基。d、f為〇、 1、2或3,e為0、丄或2。其中’ \3與又4、或χ#χ6為氧 (Ο)、硫(S)或CR2R3, Ll、L2均為單鍵,且^與^均為氫 原子時,苯環b具有一個或兩個丫2, i為甲基或未經取代 之苯基之情形不存在。 式(20)〜(23)中’ Al、A2、L】、LAL3不含羰基]。 [化 45]
刀別為將L3作為連結基 [式(25)及(27)中,n表示2、3或4 之二聚物、三聚物、四聚物。 b 1衣不早鍵 八4~〜(27)中 .,、1私巧您狎烷基 代t未經取代之成環碳數為3〜20之伸環烷基、2價 基或碳數為2〜20之2價取代錢基、經取代或未經取 成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子 140670.doc 201006910 3〜24之以碳-碳鍵與苯環a連結之經取代或未經取代之2價 芳香族雜環基。 式(24)及(26)中,L2表示單鍵、碳數為丨〜⑸之伸烧基、 經取代或未經取代之成環碳數為3〜20之伸環烷基、2價石夕 烧基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經取代 之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為 • 3〜24之以碳_碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代之2價 芳香族雜環基》 籲 式(25)及(27)中,L3於n為2時表示單鍵、碳數為㈣之 伸烷基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷 基、2價矽烷基或碳數為2〜2〇之2價取代矽烷基、經取代或 未經取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環 原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環c連结之經取代或未經取 代之2價芳香族雜環基,於時表示碳數為價飽 和烴基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之3價環狀 φ 徵和烴基、3價#基或碳數為㈣之]價取代残基、哩 取代或未經取代且成環碳數為6〜24之3價芳香族煙基、或 者原子數為3〜24且以碳·碳鍵與苯環e連結之經取代或未婉 取代之3價芳香族雜環基,於時表示碳數為丨〜觀*價 鮮烴基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜20之4價環 狀飽和烴基、石夕原子、έ 料&取代&未經取代《成環碳數為 6〜24之4價芳香族烴基、 戎者成裱原子數為3〜24且以碳·瑞 鍵與苯樣C連結之罐取★、土 取代或未經取代之4價芳香族雜環基。 式(24)〜(27)中,α】表示氫原子 乳厚于經取代或未經取代之成 140670.doc -61- 201006910 環碳數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜20之取代石夕燒 基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、 或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與1^連結之芳香族雜 環基。其中,Li為碳數1〜20之伸院基時,Αϊ為氫原子之情 形不存在。 式(24)及(26)中,Α2表示氫原子、經取代或未經取代之 成環碳數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代矽 炫基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族煙
基、或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與L2連結之芳香 族雜環基。其中,L2為碳數卜2〇之伸烷基時,八2為氫原子 之情形不存在。
式(24)〜(27)中,Yl、I及I表示碳數為卜2〇之烷基、經 取代或未經取代之成環碳數為3〜20之環烷基、碳數為卜2〇 之烷氧基、碳數為7〜24之芳烷基、矽烷基或碳數為3〜20之 取代矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香 族烴基、或者經取代或未經取代之成環原子數為3〜Μ且以 碳-碳鍵與苯環a、b、c連結之芳香族雜環基。d、f為0、 1、2或3 ’ e為〇、!或2。其中,L丨、_為單鍵,且a丨與 A2均為氫原子時,苯環1>具有一個或兩個γ2,1為甲基或 未經取代之苯基之情形不存在。 式(24)〜(27)中,Ai、A2、Li、L2al^m^。 弋()(27)中,作為γ丨〜、R丨〜&、l丨〜[3及Ai〜a2所示 之各基的例及其取代基之例,可列舉與式⑴〜(Η)令所列 舉者相同之例。 140670.doc •62- 201006910 以下表示本發明之以式(20)〜(27)所表示之有機EL元件用 材料的具體例,但本發明並不限定於該等例示化合物。 [化 46]
140670.doc •63 201006910 [化 47]
0 Q
140670.doc -64- 201006910 [化 48]
140670.doc -65- 201006910 [化 49]
No. 172
Να 173
mm
No. 175
No.174
140670.doc -66 - 201006910 [化 50]
140670.doc 67- 201006910 [化 51]
140670.doc 68- 201006910 [化 52]
^fo.210 (Τχχρ^χο °Ό^Ο° b.213 Να 211
w -69- 140670.doc 201006910 [化 53]
140670.doc •70- 201006910 [化 54]
140670.doc •71 · 201006910 [化 55]
140670.doc -72- 201006910 [化 56]
140670.doc -73- 201006910 [化 57]
140670.doc -74· 201006910 [化 58]
Να 277
Να 283
No. 284
140670.doc -75- 201006910
140670.doc •76- 201006910 [化 60]
140670.doc 77- 201006910 [化 61]
140670.doc -78- 201006910 [化 62]
Να 322
No. 323 Λ〇Λ Νλ324 Να. 325
Να 32$
140670.doc -79- 201006910 [化 63]
No. 341
lb, 942 140670.doc -80 - 201006910 [化 64]
140670.doc •81 - 201006910 [化 65]
140670.doc -82- 201006910 [化 66]
140670.doc -83· 201006910 [化 67]
Νΐλ872 373
No. 374
N〇l376 %S^° 參 Να 376
Nd377
140670.doc -84- 201006910 [化 68]
No* 388 No. 38Q No. δθΟ -85- 140670.doc 201006910 [化 69]
Νΰ.891
140670.doc -86 - 201006910 [化 70]
No. 407
No. 408
J40670.doc -87- 201006910
140670 加。 201006910 [化 72]
140670.doc 89- 201006910 [化 73]
Να 459 Ο
140670.doc 90 201006910 [化 74]
140670.doc -91 · 201006910 [化 75]
No. 481 Να 482 Να 483
-92- 140670.doc 201006910 [化 76]
No. 550 140670.doc -93- 201006910 [化 77]
作為多層型有機EL元件之結構,例如可列舉:以陽極/ 電洞傳輸層(電洞注入層)/發光層/陰極、陽極/發光層/電子 傳輸層(電子注入層)/陰極、陽極/電洞傳輸層(電洞注入 層V發光層/電子傳輸層(電子注入層}/陰極、陽極/電洞《 輸層(電洞注入層)/發光層/電洞障壁層/電子傳輸層(電子 入層)/陰極等多層構成積層而成者。 夕本發明之有機EL元件中’較好的是上述發光層含有h 多環系化合物作為主體材料 ..^ ^ 較好的是上述發光層έ 3主體材料與磷光發光性材科,且該 系化合物。 體材科為上述多有 又
上述多環系化合物 140670.doc -94- 201006910 之主體材料、或與磷光發光性材料一併使用之電子傳輸材 料,三重態能量較好的是2.2〜3.2eV,更好的是25〜32以。 作為磷光發綠材料,糾光量子產率較高、可使發光 元件之外部量子效率進—步提高之方㈣言,較 有銥(1〇、蛾(0s)、釕(Ru)或翻(pt)之化合物進而好的: 合物,合物,合物等金屬錯: ,、更好的疋銥錯合物及鉑錯合物,最好的θ 屬化銀錯合物。以下矣- 、疋鄰位金
。物W下表不銥錯合物、锇錯合 物、鉑錯合物等金屬錯合物之具體例。 曰σ [化 78]
140670.doc -95· 201006910 [化 79]
140670.doc •96- 2 201006910 [化 80]
140670.doc -97- 201006910 [化 81]
又,本發明之有機EL元件較好的是上述發光層含有主體 材料與破光發光性材料、且含有發光波長之極大值為500 nm 140670.doc -98· 201006910 以下之金屬錯合物。進而,本材料亦可與螢光發光性摻雜 劑-併使用。可與藍色、綠色、紅色螢光發光性掺雜劑一 併使用。尤其可更好地與藍色、綠色螢光發光性摻雜劑一 併使用。進而,亦可較好地用作螢光有機EL元件之電子傳 輸材料。 本發明之有機EL元件較好的是於上述陰極與有機薄膜層 (例如電子注入層或發光層等)之界面區域具有還原性摻雜 劑。作為還原性摻雜劑,可列舉選自鹼金屬、鹼金屬錯合 物、鹼金屬化合物、鹼土金屬、鹼土金屬錯合物、鹼土金 屬化合物、稀土金屬、稀土金屬錯合物、及稀土金屬化合 物等中之至少一種。 作為驗金屬’可較好地列舉功函數為2 9 ev以下之
Na(功函數.2_36 eV)、K(功函數:2_28 eV)、Rb(功函數: 2.16 eV)、Cs(功函數:eV)等。該等中,更好的是 K、Rb、Cs,進而好的是奶或以,最好的是Cs。 作為鹼土金屬,可較好地列舉功函數為2 9 eV以下之
Ca(功函數.2.9 eV)、Sr(功函數:2·〇〜2.5 eV)、Ba(功函 數:2·52 eV)等。 作為稀土金屬,可較好地列舉功函數為2 9 eV以下之
Sc、Y、Ce、Tb、Yb等。 以上金屬中,較好之金屬之還原能力尤其高,藉由在電 子注入區域中以相對較少之量來添加,就可實現有機El元 件之發光亮度的提高或長壽命化。 作為鹼金屬化合物,可列舉:Li2〇、Cs2〇、κ20等鹼性 140670.doc -99- 201006910 氧化物,LiF、NaF、CsF、KF等鹼性鹵化物等.,該等中, 較好的是LiF、Li20、NaF。 作為鹼土金屬化合物,可列舉·· BaO、SrO、CaO及將該 等混合之仏11^1-1110(0<111<1)、8&„^丨-111〇(〇<111<1)等,該等 中’較好的是BaO、SrO、CaO。 作為稀土金屬化合物’可列舉:YbF3、ScF3、以〇3、 Y2〇3、Ce2〇3、GdF3、TbF3等,該等中,較好的是 YbF3、 ScF3 、 TbF3 〇
作為鹼金屬錯合物、鹼土金屬錯合物、稀土金屬錯 物,只要為分別含有至少一個鹼金屬離子、鹼土金屬 子、稀土金屬離子作為金屬離子者,則並無特別限定 又’配位基較好的是經基㈣、經基苯并料、^丫㈣ ㈣酮、經基苯基十坐、經基苯基嗟唾、經基二芳基崎 唑、麵基二芳基噻二唑、羥基苯基吡啶、羥基苯基苯并 峻、録笨并三4、經基氟㈣、聯、啡琳、醜菁 卜琳、環戊二稀、β_二酮類、甲
驷頰Τ亞胺類、及該等之衍生 4,但並不限定於該等。 摻雜劑之添加形態’較好的是於界面區域 风馬層狀或島狀。作盔彡士、 用電阻加Γ ㈣的是下述方法: …、蒸鍍法一面蒸鍍還原性摻雜劑,一 面區域之作為發光材料或電子對形成 蒸鍍,於右材枓之有機物同時進 主、有機物中分散還原性摻雜劑。分散 表示較好的是有機物:還原性摻 ;農h莫耳 好的是5 : w : s 100 · : 1〇〇 > 140670.doc -100- 201006910 於將還原性摻雜劑形成為層狀之情形時,將作為界面之 有機層的發光材料或電子注入材料形成為層狀後,利用電 阻加熱蒸單獨蒸錄還原摻雜劑,較好的是以層之厚度 為0.1〜15 nm而形成。 . 於將還原性摻雜劑形成為島狀之情形時,將作為界面之 有機層的發光材料或電子注入材料形成為島狀後,利用電 •加熱蒸㈣單獨魏還原摻雜劑,較好的是以島之厚度 為0.05~1 nm而形成。 於本發明之有機EL元件在發光層與陰極之間具有電子注 入層之情形時,作為該電子注入層所用之電子傳輸材料: 較好的是分子内含有⑽以上之雜原子之芳香族雜環化人 物’尤其好的是含氮環衍生物。 -作為該含氮環衍生物,例如較好的是以下述式㈧所表 不之含氮環金屬螯合錯合物。 [化 82]
齒素原子、胺基、碳數為 烷氧基羰基、或雜環基, RR分別獨立表示氫原子、 1〜4〇之烴基、烷氧基、芳氧基、 該等可經取代。 140670.doc 201006910 Μ為鋁(Ai)、鎵(Ga)或銦(In),較好的是銦。 式(A)之L4係以下述式(A’)或(A")所表示之基。 [化 83]
W) (弋7 R〜R分別獨立表不氫原子或者經取代或未經取代 之碳數3為Μ之烴基,相互鄰接之基可形成環狀結構。 又R〜R分別獨立表示氫原子或者經取代或未經取代之 碳數為1〜4G之«,相互鄰接之基可形成環狀結構)。 人雜環衍生物’亦可列舉包含具有下式之有機化 :。例如τΓ:衍生物、且並非金屬錯合物之含氮化合 或者二:有⑷所示之骨架之五員環或六員環、 次者式(b)所示之結構者。 [化 84] (·) 八
(W r 表示碳原子或氮原子 之原子群) "列獨立表 140670.doc 201006910 [化 85]
較好的是具有包含五員環或六員環之含氮芳香多環族之 有機化合物。進而,此種具有複數個氮原子之含氮芳香多 環族之情形時,其為具有將上述(a)與(b)或(a)與(c)加以組 合之骨架之含氮芳香多環有機化合物。
含氮有機化合物之含氮基例如係選自以下式所表示之含 氮雜環基中。
140670.doc -103- 201006910 (各式中’ R2 8係碳數為6〜40之芳基、破數為3〜4〇之雜芳 基、碳數為1〜20之烷基或碳數為卜扣之烷氧基,R28為複 數個時,複數個R28可彼此相同或不同)。 作為更好之具體化合物,可列舉以下述式所表示之含氮 雜環衍生物。 [化 87] HAr*—L®-Ar5Arc (式令H Ar為可具有取代基之竣數為3〜40之含氮雜環,參 L6為單鍵、可具有取代基之碳數為6〜40之伸芳基或可具有 取代基之故數為3〜4〇之伸雜芳基,Arb為可具有取代基之 碳數為6〜40之2價芳香族烴基,Are為可具有取代基之碳數 為6〜4〇之芳基或可具有取代基之碳數為3〜40之雜芳基)。 HAra例如係選自下述群中。 140670.doc -104- 201006910 [化 88]
<0 CKXp CKxp OCp ^ijr0 L6例如係選自下述群中。 [化 89] 八,例如係選自下述群中。 140670.doc -105- 201006910 [化 90] Ό 6〇 ^
Arb例如選自下述芳基蒽基中。 [化 91]
(弋中R〜R分別獨立為氫原子、鹵素原子、碳 卜20之炫基、碳數w〜2Q之烧氧基、碳數為6〜扣之芳氣 基可具有取代基之碳數為6〜40之芳基或碳數為3〜4〇之雜 芳基,Ard為可具有取代基之碳數為6〜4〇之芳基或碳數為 3〜40之雜芳基)。 ·"' 又,較好的是以上述式所表示之Arb中R29〜R36均為氫原 子之含氮雜環衍生物。 除此之外,亦可較佳地使用下述化合物(參照曰本專利 特開平9-3448號公報)。 [化 92]
140670.doc 201006910 (式中,R43〜R46分別獨立表示氫原子、經取代或未經取代 之脂肪族基、經取代或未經取代之脂肪族式環基、經取代 或未經取代之碳環式芳香族環基、經取代或未經取代之雜 環基,X1、X2分別獨立表示氧原子、硫原子或二氰基亞甲 基)。 又,亦可較佳地使用下述化合物(參照日本專利特開 2000-173774 號公報)。 [化 93]
式中,R 、R48、R49及r5〇為彼此相同或不同之基且 為以下述式所表示之芳基。 [化 94]
(式中,R51、R52、R53、R54及R55為彼此相同或不同之基, 且為氫原子或者s亥4中之至少一個為飽和或不飽和烷氡 基、烷基、胺基或烷基胺基)。 進而,亦可為含有該含氮雜環基或含氮雜環衍生物之高 分子化合物。 140670.doc •107· 201006910 又電子傳輸層較好的是含有以下述式(201)〜(203)所表 不之含氣雜環衍生物中之至少任一者。 [化 95]
式(2〇1)〜(203)中,R56為氫原子、可具有取代基之碳數 為6〜60之芳基、可具有取代基之吼啶基可具有取代基之 喹啉基、可具有取代基之碳數為卜2〇之烷基或可具有取代 基之碳數為1〜20之烷氧基,η為0〜4之整數,R57為可具有 取代基之碳數為6〜60之芳基、可具有取代基之吡啶基可 具有取代基之啥琳基、可具有取代基之碳數為丨〜“之烷基 或碳數為1〜20之烷氧基,r58&r59分別獨立為氫原子、可 具有取代基之碳數為6〜6〇之芳基、可具有取代基之吡啶 基、可具有取代基之喹啉基、可具有取代基之碳數為卜2〇 之烷基或可具有取代基之碳數為卜2〇之烷氧基,U為單 140670.doc •108- 201006910 鍵、可具有取代基之碳數為6〜60之伸芳基、可具有取代基 之伸他啶基、可具有取代基之伸喹啉基或可具有取代基之 伸第基,Are為可具有取代基之碳數為6〜60之伸芳基、可 具有取代基之伸β比啶基或可具有取代基之伸喹啉基,Arf 為氫原子、可具有取代基之碳數為6〜60之芳基、可具有取 代基之°比咬基、可具有取代基之喹琳基、可具有取代基之 碳數為1〜20之院基或可具有取代基之碳數為1〜2 〇之烧氧 基。 A r為可具有取代基之碳數為6〜60之芳基、可具有取代 基之吡啶基、可具有取代基之喹啉基、可具有取代基之碳 數為1〜20之烷基、可具有取代基之碳數為丨〜2〇之烷氧基、 或以-Are-Arf所表示之基(Are及Arf分別與上述相同 又’作為含氮環衍生物,亦^ 生物。作為該含氮五員環,例 環、四唑環、哼二唑環、噻二巧 ,亦可較好地列舉含氮五員環衍 ’例如可列舉:咪唑環、三唑 、三唾 噻二唑環、 鲁等’作為含氮五員環衍生物, 環、吡啶咪唑環、嘧啶咪唑環、 以下述式(B)所表示者。 -J 、**可二嗅環、嗟三唾環 為苯并咪唑環、苯并三啥 嗒畊咪唑環,尤其好的是 [化 96]
140670.doc 二價以上之連結基,例 :子、硼原子、氧原子、 例如可列舉:碳 、硫原子、金屬 201006910 原子(例如鋇原子、鈷馬 族雜環 好的是 于鈹原子)、芳香族烴環、芳香 等。 以上述式(B)所表示之含氮五員環衍生物中 以下述式(B,)所表示者。 [化 97]
及z分別與式(B)中之ZB2相同。 厂、L-2及lb73分別表示連結基可列舉使式⑼中之 L之例為二價者’較好的是單鍵、二價芳香族煙環基、二 =香:=環t、及包含該等之組合之連結基,更好的: ^°L.、、L及^可具有取代基,作為取代基,係與 鬥.”、上述式(B)t之LB所表示之基的取代基而列舉者相 同0 YB表示氮原子、笨三基或2,4,6· 11井三基 作為構成電子’主入層及電子傳輸層之化合物,除 ;之:環系化合物以外’亦可列舉具有下述結構之化合物 :取=子性含氮五員環或缺電子性含氮六員環骨架與 取代或未經取代之^骨架、經取代或未經取代之叶吐 140670.doc 201006910 月架、經取代或未經 構。又,作為較佳之 ”咔唑骨架加以组合之結 缺電子性含顏 六員環骨架,例如可列與.3兔五員每或缺電子性含氮 j舉· n比唆、喊 °坐、^二哇、呢唾H =喷咬、°比呼、三呼、三 縮合而成之苯并 h嘛、°比洛骨架及該等相互 不开水唑、咪唑吡啶等 中’可較好地列蛊. 月架。該等組合 .。比咬、痛唆、吼咕 一 唾"引嗓、氮雜啼唾、嗤 、三呼骨架及味 亦可未經取代。 月条。上逑骨架可經取代, 電子注入層及電子傳 種以上之單層結構,亦含2上述材料的一種或兩 複數層之多層結構。較好的是該问等—層m不同種組成的 性含氮雜環基。 料具有π缺電子 二作為電子注入層之構成成分, 何生物以外使用組你城丄 疋降ί 3鼠環 卜使用絕緣體或半導體作為 注入層由絕緣體或半導 °物右電子 、甚",Α 體構成貝丨可有效P方止電流之洩 漏’從而可提高電子注入性。 絕緣體’較好的是使用選自由驗金屬硫屬化 金屬硫屬化物、驗金屬之齒化物及鹼土金屬之_ 化物所組成之群中的至少一種金屬化合物。若電子注入層 由該等驗金屬硫屬化物等所構成’則就可進一步提高電子 注入性之方面而言較好。具體而言’作為較好之驗金屬硫 屬化物,例如可列舉Li20、K2G、Na2s、Na2sdNa2o, 作為較好之驗土金屬硫屬化物,例如可列舉' 〇 BaS及CaSe。又,作為較好之鹼金屬之鹵化 140670.doc • 111· 201006910 物’例如可列舉 LiF、NaF、KF、LiCl、KC1 及 NaCl 等。 又作為較好之鹼土金屬之鹵化物,例如可列舉CaF2、
BaF2 SrI?2、Mgp2及BeI?2等氟化物或氟化物以外之鹵化 物。 又’作為半導體,例如可列舉:含有選自由Ba、Ca、
Sr、Yb、A1、Ga、In、u、、以、吨、si、、讥及 Zn所組成之群中的至少一種元素之氧化物、氮化物或氧氮 化物等°亥等可單獨使用一種,亦可組合使用兩種以上。 又,構成電子注入層之無機化合物較好的是微結晶或非晶參 質之絕緣性薄膜β甚逮工、+ ^ _ , m右電子注入層由該等絕緣性薄膜構成,則 可形成更均質之薄膜,因此可減少暗點等畫素缺陷。再者, 作為該無機化合物,例如可列舉:驗金屬硫屬化物、驗土金 屬硫屬化物、驗金屬之_化物及驗土金屬之齒化物等。 本發月之電子注入層中可較好地含有上述還原性摻 參 t子注人層或電子傳輸層之膜厚並無特別限定, 較好的是1〜100 nm。 鲂IT’主入:或電洞傳輸層(亦包含電洞注入傳輸層)中可 胺衍生物。、胺化°物、例如以式⑴所表示之芳香族 [化 98] Ar\ /At3 t . ' Ν— At2 V ® 式(I)中 ,Arl〜Ar4表示經 表不經取代&未經取代之成環碳數為 140670.doc •112· 201006910 6〜50之芳基、或者經取代或未經取代之成環原子數為 之雜芳基。 L為連結基。具體而言,其為經取代或未經取代之成環 碳數為6〜50之伸芳基,經取代或未經取代之成環原子數為 5〜50之伸雜芳基,或者以單鍵、醚鍵、硫醚鍵、碳數為 1~20之伸烷基、碳數為2〜2〇之伸烯基、胺基將]個以上2 伸芳基或伸雜芳基鍵結而獲得之2價基。
又,下述式(II)之芳香族胺亦可較佳地用於形成電洞注 入層或電洞傳輸層。 ' [化 99]
(Π) 式(II)中,An〜Αι*3之定義係與上述式⑴之Arl〜Ar4之定 義相同。 本發明之化合物係傳輸電洞及電子之化合物,因此亦可 用於電洞注入層或傳輪層、電子注入層或傳輸層中。 本發明中,有機EL元件之陽極發揮將電洞注入至電洞傳 輸層或發光層中之作用,有效的是具有4.5 eV以上之功函 數。作為本發明所使用之陽極材料之具體例,可應用氧化 銦錫合金(ITO,indium tin oxide)、氧化錫(NES A)、金、 銀、鉑、銅等。又,作為陰極,出於將電子注入至電子注 入層或發光層中之目的,較好的是功函數較小之材料。陰 極材料並無特別限定,具體可使用:銦、鋁、鎂、鎂-銦合 金、鎂-鋁合金、鋁-鋰合金、鋁_銃_鋰合金、鎂銀合金等。 140670.doc -113· 201006910 本發明之有機el元件的各層之形成方法並無特別限定。 可使用先前公知之利用真空蒸鍍法、旋塗法等之形成方 法。用於本發明之有機EL元件中、含有以上述式(1)所表 示之化合物之有機薄膜層可藉由利用真空蒸鍍法、分子束 蟲晶法(MBE法,Molecular Beam Epitaxy)或溶解於溶劑中 之溶液的浸鍍法、旋塗法、澆鑄法、棒塗法、輥塗法等塗 佈法之公知方法來形成。 本發明之有機EL元件的各有機層之膜厚並無特別限制, 一般若膜厚過薄則容易出現針孔等缺陷,反之,若過厚則 需要較高之施加電壓而導致效率變差,因此通常較好的是 數nm至1 μπι之範圍。 實施例 其次,使用實施例進一步詳細說明本發明,但本發明並 不限定於下述實施例。再者,下述合成實施例中,DMF為 二甲基曱醯胺、THF為四氫呋喃、DME為二甲氧基乙烷、 NBS為Ν-溴琥珀醯亞胺、Ph為苯基、AcOEt為乙酸乙酯、 NMP為N-甲基吡咯啶酮。 合成實施例1 (化合物Ν ο · 1之合成) (1)合物1之合成 [化 100]
MteCOs 2M »q. ............ 丨> DMB甲苯
140670.doc -114· 201006910 於三口燒瓶中投入1,4-二溴-2,5-二氟苯(49.3 g、181.5 mmol)、2-甲氧基苯基棚酸(66.2 g、435.6 mmol)、2 Μ Na2C03水溶液(363 mL、726 mmol)、DME(360 mL)、甲苯 (360 mL)、Pd[PPh3]4(20.8 g、18.0 mmol),於氬氣環境下 回流8小時。
反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 加水(500 mL),以CH2C12進行萃取。以MgS04加以乾燥 後,進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析儀對樣品進行純 化,獲得白色固體。產量為3 8.5 g,產率為65% FD-MS(Field Desorption-Mass Spectrometry,場解吸質 譜)分析 C2QH16F2O2 .理論值為326 ’觀測值為326 (2)合物2之合成 [化 101]
於三口燒瓶中投入化合物1(36.6 g、112.2 mmol)、 NBS(39.9 g、224 mmol)、DMF(1000 mL),於氬氣環境下 於室溫下攪拌8小時。反應結束後,將樣品移至分液漏斗 中,添加水(1 000 mL),以AcOEt進行萃取。利用管柱層析 儀對樣品進行純化,獲得白色固體。產量為38 g,產率為 70% FD-MS分析 C2〇H14Br2F202 :理論值為484,觀測值為484 140670.doc -115- 201006910 (3) 化合物3之合成
於三口燒瓶中投入化合物2(37.2 g、76.8 mmol)、1 M BBr3 CH2C12溶液(180 mL、180 mmol)、CH2C12(500 mL), 於氬氣環境下於Ot下攪拌8小時。其後,於室溫下放置— 伏。反應結束後’以飽和NaHC〇3水溶液進行中和。將樣 品移至分液漏斗中,以CH^Ch進行萃取。利用管柱層析儀 對樣品進行純化,獲得白色固體。產量為28 g,產率為 80% FD-MS分析 Ci8H1()Br2F2〇2 :理論值為456,觀測值為456 (4) 化合物4之合成 [化 102]
於二口燒瓶中投入化合物3(27.4 g、60.1 mmol)、 K2C03(18.2 g、132 mmol) ' NMP(250 mL),於氬氣環境下 於150°C下攪拌8小時。反應結束後,冷卻至室溫。將樣品 移至分液漏斗中,添加水(5〇〇 mL),以AcOEt進行萃取。 利用管柱層析儀對樣品進行純化,獲得白色固體。產量為 20 g,產率為80°/〇 FD-MS分析 C18H8Br202 :理論值為416,觀測值為416 (5)化合物No.1之合成 140670.doc •116- 201006910 [化 103]
於三口燒瓶中投入化合物4(2.5 g、6.0 mmol)、化合物 5(3.8 g、13.2 mmol)、2 M Na2C03 水溶液(12 mL、24 mmol)、DME(12 mL)、甲苯(12 mL)、Pd[PPh3]4(0.35 g、
0.3 mmol),於氬氣環境下回流8小時。
反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 加水(50 mL),以CH2CI2進行萃取。以MgS〇4加以乾燥後, 進行過遽、濃縮。利用碎膠管柱層析儀對樣品進行純化。 濃縮、乾固後,進行2次再結晶,獲得白色粉末(化合物 No. 1)。將其昇華純化而獲得白色固體。產量為2.0 g,產 率為45% FD-MS分析 C54H32N202 :理論值為740,觀測值為740 合成實施例2(化合物No. 11之合成) [化 104]
e
140670.doc -117- 201006910 於三口燒瓶中投入化合物6(2.6 g、10 mmol)、2-填二笨 并呋喃(5·0 g、20 mmol)、Cul(1.9 g、10 mmol)、反式環 己烷-1,2-二胺(3.4 g、30 mmol)、K3P〇4(8.5 g、4〇 mmol)、1,4-二”号院(10 mL),於氬氣環境下回流i〇小時。 反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 加水(50 mL),以CHsCh進行萃取。利用管柱層析儀對樣 品進行純化。濃縮、乾固後’進行2次再結晶,獲得白色 粉末(化合物No· 11)。將其昇華純化而獲得白色固體。產量 為2.1 g,產率為35% FD-MS分析 C42H24N2〇2 :理論值為588,觀測值為588 合成實施例3(化合物No.22之合成) [化 105]
於三口燒瓶中投入化合物4(2.5 g、6.0 mm〇i)、化合物 7(2.9 g、13.2 mmol)、2 M Na2C03 水溶液(12 mL、24 mmol)、DME(12 mL)、曱苯(12 mL)、Pd[PPh3]4(〇 35 g、 0.3 mmol),於氬氣環境下回流8小時。 反應結束後’冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,於 加水(50 mL),以CH2C12進行萃取。以MgS〇4加以乾燥後, 進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析儀對樣品進行純化。 140670.doc 118- 201006910 濃縮、乾固後,進行2次再結晶,獲得白色粉末(化合物 No.22)。將其昇華純化而獲得白色固體。產量為1.3 g,產 率為35% FD-MS分析 C46H2602 :理論值為610,觀測值為610 合成實施例4(化合物No.28之合成) [化 106]
於三口燒瓶中投入化合物4(2.5 g、6.0 mmol)、化合物 8(3.8 g、13.2 mmol)、2 M Na2C03 水溶液(12 mL、24 mmol)、DME(12 mL)、曱苯(12 mL)、Pd[PPh3]4(0.35 g、 0.3 mmol),於氬氣環境下回流8小時。 反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 鲁 加水(50 mL),以CH2CI2進行萃取。以MgS04加以乾燥後, 進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析儀對樣品進行純化。 濃縮、乾固後,進行2次再結晶,獲得白色粉末(化合物 . No.28)。將其昇華純化而獲得白色固體。產量為2.1 g,產 率為47% FD-MS分析 C54H3〇04 :理論值為742,觀測值為742 合成實施例5(化合物No.39之合成) (1)合物9之合成 140670.doc -119- 201006910 [化 107]
Na«c»,atta4 DM©甲苯
於三口燒瓶中投入化合物4(10.0 g、24.0 mmol)、苯基蝴 酸(6.4 g、52.8 mmol)、2 M Na2C03 水溶液(48 mL、96 mmol)、DME(48 mL)、甲苯(48 mL)、Pd[PPh3]4(1.4 g、1.2 mmol),於氬氣環境下回流8小時。 反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 加水(300 mL),以CH2C12進行萃取。以MgS04加以乾燥 後,進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析儀對樣品進行純 化,獲得白色固體。產量為7.5 g,產率為76% FD-MS分析 C3〇Hi8〇2 :理論值為410,觀測值為410 (2)化合物10之合成 [化 108]
於三口燒瓶中投入化合物9(7.5 g、18.3 mmol)、 CH2C12(100 mL),於氬氣環境下於0°C下滴加溴(2.9 g、 18.3 mmol)。其後,於室溫下攪拌8小時。反應結束後,將 140670.doc -120- 201006910 樣品移至分液漏斗中,添加水(50 mL),以CH2C12進行萃 取。以飽和NaN〇2水溶液(50 mL)清洗有機層,以MgS〇4加 以乾燥後,進行過濾、濃縮。利用管柱層析儀對樣品進行 純化,獲得白色固體。產量為5.4 g,產率為60% FD-MS分析 C3〇H17Br02 :理論值為489,觀測值為489 (3)化合物No.39之合成 [化 109]
DMB甲苯 WPPh»j4
於三口燒瓶中投入化合物1 0(4.9 g、1 0.0 mmol)、化合物 8(3.2 g、11.0 mmol)、2 M Na2C03 水溶液(10 mL、20 mmol)、DME(20 mL)、甲苯(20 mL)、Pd[PPh3]4(0.58 g、 0 ·5 mmol),於氬氣環境下回流8小時。 反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 加水(100 mL),以CH2Cl2進行萃取。以MgS〇4加以乾燥 後,進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析儀對樣品進行純 化。濃縮、乾固後,進行2次再結晶,獲得白色粉末(化合 物No.3 9)。將其昇華純化而獲得白色固體。產量為1.8 g, 產率為28% FD-MS分析 C48H2803 :理論值為652,觀測值為652 合成實施例6(化合物No.57之合成) 140670.doc -121 - 201006910 (1)化合物11之合成 [化 110]
於三口燒瓶中投入化合物4(16.6 g、40 mmol)、苯基棚 酸(4.9 g、40 mmol)、2 M Na2C〇3 水溶液(40 mL、80 mmol)、DME(80 mL)、甲苯(80 mL)、Pd[PPh3]4(2.3 g、2·0 mmol),於氬氣環境下回流8小時。 反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 加水(300 mL),以CH2C12進行萃取。以MgS04加以乾燥 後,進行過遽、濃縮。利用碎膠管柱層析儀對樣品進行純 化,獲得白色固體。產量為10.7 g,產率為65% FD-MS分析 C24H13Br02 :理論值為413,觀測值為413 (2)化合物12之合成 [化 111] V 娜,^ $)1ΝΗΟβς. 11 Br 12 於三口燒瓶中投入化合物11(10 g、24.2 mmol)、 THF(240 mL),冷卻至-78°C。滴加正丁基鋰(1·65 M正己烷 溶液,16.1 mL,26·6 mmol),於-78°C下攪拌20分鐘。添 140670.doc -122- 201006910 加硼酸三異丙酯(13.7 g、72.6 mmol),於-78eC下攪拌1小 時後,於室溫下放置一夜。添加1 N HC1(100 mL),於室 溫下攪拌1小時。將樣品濃縮後,移至分液漏斗中,添加 水(100 mL),以CH2C12進行萃取。以MgS〇4加以乾燥後, 進行過濾、濃縮。利用再結晶(曱苯-己烷)對樣品進行純 化’獲得白色固體。產量為5.5g,產率為60% (3)化合物No.57之合成 [化 112]
OMD甲笨’
於二口燒瓶中投入化合物11 (2.5 g、6.0 mmol)、化合物 12(2.5 g、6.6 mmol)、2 M Na2C03 水溶液(6 mL、12 mmol)、DME(12 mL)、甲苯(η mL)、Pd[pph3]4(〇 35 g、 0.3 mmol),於氬氣環境下回流8小時。 反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 加水(100 mL),以C^Cl2進行萃取。以"沾〇4加以乾燥 後,進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析儀對樣品進行純 化。濃縮、乾固後,進行2次再結晶,獲得白色粉末(化合 物No.57)。將其昇華純化而獲得白色固體。遂 從垔马1 ·6 g, 140670.doc -123- 201006910 產率為40% FD-MS分析 C48H2604 ··理論值為666,觀測值為666 合成實施例7(化合物No.58之合成) (1)化合物14之合成 [化 113]
於三口燒瓶中投入化合物4(16.6 g、40 mmol)、化合物 13(8.5 g、40 mmol)、2 M Na2C〇3 水溶液(40 mL、80 mmol)、DME(80 mL)、曱苯(80 mL)、Pd[PPh3]4(2.3 g、2·0 mmol),於氬氣環境下回流8小時。 反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 加水(300 mL),以CH2C12進行萃取。以MgS04加以乾燥 後,進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析儀對樣品進行純 化,獲得白色固體。產量為11.lg,產率為55% FD-MS分析 C3〇H15Br03 :理論值為503,觀測值為503 (2)化合物15之合成 [化 114]
140670.doc -124- 201006910 於三口燒瓶中投入化合物14(11 g、21.9 mmol)、 THF(220 mL),冷卻至-78°C。滴加正丁基鋰(1.65 Μ正己 烷溶液,14.5 mL,24_0 mmol) ’於-78°C下攪拌20分鐘。 添加硼酸三異丙酯(12_4 g、65.6 mmol),於-78°C下攪拌1 小時後,於室溫下放置一夜。添加1 N HC1(100 mL),於 室溫下攪拌1小時。將樣品濃縮後,移至分液漏斗中,添 加水(100 mL),以CH2CI2進行萃取。以MgS〇4加以乾燥 後,進行過濾、濃縮。利用再結晶(甲苯-己烷)對樣品進行 純化,獲得白色固體。產量為6.4 g,產率為62% (3)化合物No.58之合成 [化 115]
於三口燒瓶中投入化合物14(3.0 g、6.0 mmol)、化合物 15(3.1 g、6.6 mmol)、2 M Na2C〇3 水溶液(6 mL、12 mmol)、DME(12 mL)、曱苯(12 mL)、Pd[PPh3]4(0.35 g、 0.3 mmol),於氬氣環境下回流8小時。 反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 加水(100 mL),以CH2C12進行萃取。以MgS04加以乾燥 140670.doc -125- 201006910 後,進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析儀對樣品進行純 化。濃縮、乾固後,進行2次再結晶,獲得白色粉末(化合 物No.5 8)。將其昇華純化而獲得白色固體。產量為1.3 g, 產率為26% FD-MS分析 C6〇H30〇6 :理論值為846,觀測值為846 合成實施例8(化合物No.60之合成) [化 116]
於三口燒瓶中投入化合物12(5.5 g、14.5 mmol)、1,3-二 溴苯(1.7 g、7.3 mmol)、2 M Na2C03水溶液(15 mL、30 mmol)、DME(15 mL)、甲苯(15 mL)、Pd[PPh3]4(0.42 g、 0.3 7 mmo 1),於氩氣環境下回流8小時。 反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 加水(50 mL),以CH2C12進行萃取。以MgS04加以乾燥後, 進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析儀對樣品進行純化。 濃縮、乾固後,進行2次再結晶,獲得白色粉末(化合物 No.60)。將其昇華純化而獲得白色固體。產量為1.6 g,產 率為29% FD-MS分析 C54H3〇04 :理論值為742,觀測值為742 合成實施例9(化合物Νο·62之合成) 140670.doc -126- 201006910 [化 117]
於三口燒瓶中投入化合物12(8.3 g、21.9 mmol)、1,3,5-三溴苯(2.3 g、7·3 mmol)、2 M Na2C03水溶液(22·5 mL、 45 mmol)、DME(15 mL)、甲苯(15 mL)、Pd[PPh3]4(0.63 g、 0.56 mmol),於1氣環境下回流8小時。 反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 加水(150 mL),以CH2C12進行萃取。以MgS04加以乾燥 後,進行過慮、濃縮。利用$夕膠管柱層析儀對樣品進行純 化。濃縮、乾固後,進行2次再結晶,獲得白色粉末 (No.62)。將其昇華純化而獲得白色固體。產量為1.1 g, 產率為14% FD-MS分析 C78H4206 :理論值為1075,觀測值為1075 合成實施例1〇(化合物No.20之合成) [化 118]
N9}COt2M«q. OMB甲苯
140670.doc -127- 201006910 於三口燒瓶中投入化合物4(2.5 g、6.0 mmol)、3-聯苯基 糊酸(2.6 g、13.2 mmol)、2 M Na2C〇3 水溶液(12 mL、24 mmol)、DME(12 mL)、甲苯(12 mL)、Pd[PPh3]4(0.35 g、 0.3 mmol),於氬氣環境下回流8小時。 反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 加水(50 mL),以CH2C12進行萃取。以MgS04加以乾燥後, 進行過滤、濃縮。利用石夕膠管柱層析儀對樣品進行純化。 濃縮、乾固後,進行2次再結晶,獲得白色粉末(化合物 No.20)。將其昇華純化而獲得白色固體。產量為1.3 g,產 率為39% FD-MS分析 C42H2602 :理論值為562,觀測值為562 合成實施例11(化合物No.67之合成) (1)化合物17之合成 [化 119]
於三口燒瓶中投入1,4-二溴-2,5-二氟苯(5.4 g、20.0 mmol)、化合物 16(12.8 g、42.0 mmol)、2 M Na2C03;^L 溶 液(40 mL、80.0 mmol)、DME(40 mL)、曱苯(40 mL)、 Pd[PPh3]4( 1.2 g、1.0 mmol),於氛氣環境下回流8小時。 反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 加水(100 mL),以CH2Cl2進行萃取。以MgS〇4加以乾燥 後,進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析儀對樣品進行純 140670.doc -128- 201006910 化,獲得白色固體。產量為8.8 g,產率為70% FD-MS分析 C44H32F202 :理論值為630,觀測值為630 (2)化合物18之合成 [化 120]
於三口燒瓶中投入化合物17(8.8 g、14.0 mmol)、1 Μ BBr3 CH2CI2溶液(34 mL、34.0 mmol)、CH2Cl2(140 mL),於 氬氣環境下於〇°C下攪拌8小時。其後,於室溫下放置一夜。 反應結束後,以飽和NaHC〇3水溶液進行中和。將樣品移至 分液漏斗中,以CH2C12進行萃取。利用矽膠管柱層析儀對樣 品進行純化,獲得白色固體。產量為7.8 g,產率為93% FD-MS分析 C42H28F202 :理論值為602,觀測值為602 (3)化合物No.67之合成 [化 121]
於三口燒瓶中投入化合物18(7.8 g、12.9 mmol)、 K2C〇3(7.2 g、51.8 mmol)、NMP(5 0 mL),於氬氣環境下 於200°C下攪拌3小時。反應結束後,冷卻至室溫。於樣品 中添加甲苯(500 mL),移至分液漏斗中,用水清洗。以 MgS〇4加以乾燥後,進行過遽、濃縮。利用碎膠管柱層析 140670.doc -129- 201006910 儀對樣品進行純化。濃縮、乾固後,進行2次再結晶,獲 得白色粉末(化合物No.67)。將其昇華純化而獲得白色固 體。產量為2.5 g,產率為35°/。 FD-MS分析 C42H2602 :理論值為562,觀測值為562 合成實施例12(化合物No.455之合成) (1)化合物19之合成 [化 122]
於三口燒瓶中投入化合物1(30.0 g、91.9 mmol)、 CH2C12(500 mL),冷卻至 0°C。添加 1 M BBr3(220 mL、220 mmol),其後於室溫下攪拌24小時。 反應結束後,將溶液冷卻至-78t,利用甲醇(50 mL)、 水(100 mL)進行去活化。將樣品移至分液漏斗中,以 CH2C12進行萃取。以MgS04加以乾燥後,進行過濾、濃 縮。利用碎膠管柱層析儀對樣品進行純化。進行濃縮、乾 固,獲得白色固體。產量為24.7 g,產率為90% FD-MS分析 C18H12F202 :理論值為298,觀測值為298 (2)化合物20之合成 [化 123]
140670.doc •130- 201006910 於三口燒瓶中投入化合物19(20.0 g、67.1 mmol)、 NMP(700 mL),使化合物40完全溶解。添加K2C03(37.1 g、 268.2 mmol),於200。。下攪拌2小時》 反應結束後,將溶液冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗 中,添加曱苯(2 L),用水清洗。濃縮、乾固後,進行再結 晶而獲得白色固體。產量為12.7 g,產率為73% ' FD-MS分析 C18H1Q02 :理論值為258,觀測值為258 (3)化合物21之合成 [化 124]
於三口燒瓶中投入化合物20(12.0 g、46.5 mmol)、 丁1^(50〇1111〇,冷卻至-78°(:。添加正丁基鋰((2.63]^己烷 溶液)18.6 ml,48.8 mmol),於室溫、氬氣環境下授拌1小 φ 時。繼而,再次冷卻至-78°C,添加硼酸三甲酯(10.4 g、 100 mmol),於-78°c下攪拌10分鐘後,於室溫下攪拌1小 時。 • 反應結束後,濃縮至一半左右之容量。添加1 N HC1(200 mL),於室溫下攪拌1小時。將樣品移至分液漏斗中,利用 乙酸乙酯進行萃取。以MgS04乾燥該溶液後,進行濃縮, 以甲苯/己烷混合溶劑進行分散清洗,獲得白色固體。產 量為12.6 g,產率為90% (4)化合物N0.455之合成 140670.doc -131 - 201006910 [化 125]
21
No. 455 於三口燒瓶中投入化合物21(3.8 g、12.6 mmol)、1,3-二 溴苯(1.4 g、6.0 mmol)、2 M Na2C〇3 水溶液(12 mL、24 mmol)、DME(12 mL)、曱苯(12 mL)、Pd[PPh3]4(0.35 g、 0.3 0 mmol),於氬氣環境下回流8小時。 反應結束後,將溶液冷卻至室溫,將樣品移至分液漏斗 中,添加水(50 mL),以CH2C12進行萃取。以MgS04加以乾 燥後,進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析儀對樣品進行 純化。濃縮、乾固後,進行2次再結晶,獲得白色粉末(化 合物No.455)。將其昇華純化而獲得白色固體。產量為1.8 g, 產率為52% FD-MS分析 C42H2204 :理論值為590,觀測值為590 合成實施例13(化合物No.461之合成) (1)化合物22之合成 [化 126]
ptIFPN* NatC〇32M«q. DME/曱苯
140670.doc -132- 201006910 於三口燒瓶中投入1,4-二溴-2,5-二氟苯(37.5 g、138.0 mmol)、2-硝基苯基硼酸(23.0 g、138.0 mmol)、2 Μ Na2C03 水溶液(138 mL、276 mmol)、DME(275 mL)、甲苯 (275 mL)、Pd[PPh3]4(8.0 g、6.9 mmol),於氬氣環境下回 流8小時。 反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 加水(250 mL),以CH2C12進行萃取。以MgS04加以乾燥 後,進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析儀對樣品進行純 化,獲得白色固體。產量為26. lg,產率為60% FD-MS分析 C12H6BrF2N02 :理論值為314,觀測值為314 (2)化合物23之合成 [化 127]
92COs2Maq. DMB甲苯
於三口燒瓶中投入化合物22(26.1 g、83.0 mmol)、2-曱 氧基苯基硼酸(15.2 g、99.6 mmol)、2 M Na2C03水溶液(83 mL、166 mmol)、DME(165 mL)、甲笨(165 mL)、 Pd[PPh3]4(4.8 g、4.2 mmol),於氬氣環境下回流8小時。 反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 加水(200 mL),以CH2C12進行萃取。以MgS04加以乾燥 後,進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析儀對樣品進行純 140670.doc •133- 201006910 化,獲得白色固體。產量為22.1 g,產率為78% FD-MS分析 C19H13F2N03 :理論值為341,觀測值為341 (3)化合物24之合成 [化 128]
於三口燒瓶中投入化合物23(22.1 g、64.8 mmol)、1 Μ BBr3 CH2C12溶液(163 mL、163 mmol)、CH2C12(500 mL), 於氬氣環境下於〇°C下攪拌8小時。其後,於室溫下放置一 夜。反應結束後,以飽和NaHC03水溶液進行中和。將樣 品移至分液漏斗中,以CH2C12進行萃取。利用管柱層析儀 對樣品進行純化,獲得白色固體。產量為20.2 g,產率為 95% FD-MS分析 CuHnFsNCh :理論值為327,觀測值為327 (4)化合物25之合成 [化 129]
於三口燒瓶中投入化合物24(20.2 g、61.6 mmol)、5% Ru-C(2.47 g)、乙醇(230 mL),於氬氣環境下於70°C下進 行攪拌。使肼一水合物(18.6 g、371.9 mmol)溶解於乙醇 140670.doc -134- 201006910 (20 mL)中,進行滴加。其後,將反應混合物回流8小時。 反應結束後,冷卻至室溫。對樣品進行減壓過濾,將濾液 濃縮。利用矽膠管柱層析儀對樣品進行純化,獲得白色固 體。產量為15.6 g,產率為85% FD-MS分析 C18H13F2NO :理論值為297,觀測值為297 (5)化合物26之合成 [化 130]
25 26 於三口燒瓶中投入化合物25(15.6 g、52.3 mmol)、 K2C03(28.9 g、208.9 mmol)、NMP(500 mL),於氬氣環境 下於1 50°C下攪拌8小時。反應結束後,冷卻至室溫。於樣 品中添加水(500 mL),過濾取出所析出之固體。利用管柱 層析儀對樣品進行純化,進行2次再結晶,獲得白色固 _ 體。產量為10.8 g,產率為80% FD-MS分析 CuHnNO ··理論值為257,觀測值為257 (6)化合物No.461之合成 ,[化 131]
140670.doc -135- 201006910 於三口燒瓶中投入i,3-二碘苯αι g、65 mm〇1)、化合 物 26(4.0 g、15.6 mmol)、CuI(13 g、6 5 mm〇1)、反式環 己烷-1,2-二胺(2.2 g、19.5 mm〇i)、K3p〇4(5 5 g、& 9 mmol)、M-二噚烷(7.5 mL),於氬氣環境下回流1〇小時· 反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 加水(100 mL),以CHAl2進行萃取.利用管柱層析儀對樣 品進行純化。濃縮、乾固後,進行2次再結晶,獲得白色 粉末(化合物Νο·461)。將其昇華純化而獲得白色固體。產 量為1.3 g,產率為35% FD-MS分析 c42H24N2〇2 :理論值為588,觀測值為588 合成實施例14(化合物No· 87之合成) (1)化合物28之合成 [化 132]
於三口燒瓶中投入1,4-二溴-2,5-二氟苯(5,4 g、20.0 mmol)、化合物 27(16.1 g、42.0 mmol)、2 M Na2C03水溶 液(40 mL、80.0 mmol)、DME(40 mL)、甲苯(4〇 mL)、
Pd[PPh3]4(1.2 g ' 1.0 mmol) ’於氬氣環境下回流8小時。 反應結束後,冷卻至室溫。將樣品移至分液漏斗中,添 加水(100 mL),以CH2C12進行萃取。以MgS04加以乾燥 後’進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析儀對樣品進行純 140670.doc -136- 201006910 化,獲得白色固體。產量為11.8 g,產率為75% FD-MS分析 C52H36F2N4O2 .理論值為786 ’親測值為786 (2)化合物29之合成 [化 133]
% 於三口燒瓶中投入化合物28(11.8 g、15.0 mmol)、1 Μ BBr3 CH2C12 溶液(37 mL、37.0 mmol)、CH2C12(150 mL), 於氬氣環境下於〇°C下攪拌8小時。其後,於室溫下放置一 夜。反應結束後,以飽和NaHC03水溶液進行中和。將樣 品移至分液漏斗中,以CH2C12進行萃取。利用矽膠管柱層 析儀對樣品進行純化,獲得白色固體。產量為1 0.2 g,產 率為90% FD-MS分析 C5〇H32F2N402 :理論值為758,觀測值為758 • (3)化合物No.87之合成 [化 134]
於三口燒瓶中投入化合物29(10.2 g、13.4 mmol)、 K2C03(7.4 g、53·8 mmol)、NMP(60 mL),於氬氣環境下 140670.doc -137- 201006910 於200°c下攪拌3小時。反應結束後,冷卻至室溫。於樣品 中添加甲笨(500 mL),移至分液漏斗中,用水清洗。以 MgSCU加以乾燥後,進行過濾、濃縮。利用矽膠管柱層析 儀對樣品進行純化。濃縮、乾固後,進行2次再結晶,獲 得白色粉末(化合物No.87)。將其昇華純化而獲得白色固 體。產量為2.2 g,產率為23% FD-MS分析 C5〇H3()N402 :理論值為718,觀測值為718 以下表示合成實施例1〜14中FD-MS(場解吸質譜)分析之 測定所使用之裝置及測定條件。 裝置:HX110(日本電子公司製造)
條件:加速電壓:8 kV 掃描範圍:m/z=50~1500 發射極種:碳 發射極電流:0 mA—2 mA/分鐘—>40 mA(保持10 分鐘) 實施例1 (有機EL元件之製作) 對25 mmx75 mmxl.l mm之附有ITO透明電極之玻璃基 板(GEOMATEC公司製造)於異丙醇中實施5分鐘之超音波 清洗,進而,實施30分鐘之UV(Ultraviolet,紫外線)臭氧 清洗。 將以此種方式而清洗之附有透明電極之玻璃基板安裝於 真空蒸鍍裝置之基板座上,首先,於玻璃基板之形成有透 明電極線之侧之面上’以覆蓋透明電極之方式以3〇 ^爪之 140670.doc -138- 201006910 厚度蒸鍍化合物A,獲得電洞傳輸層。 於該電洞傳輸層上,以30 nm之厚度來共蒸鍍作為磷光 用主體材料之化合物No. 1與作為磷光用掺雜劑之Ir(Ph-ppy)3,獲得磷光發光層。Ir(Ph-ppy)3之濃度為5質量%。 繼而,於該磷光發光層上積層厚度為10 nm之化合物B, 進i而依序積層厚度為20 nm之化合物C、厚度為1 nm之 ‘ LiF、及厚度為80 nm之金屬A卜獲得陰極。再者,作為電 子注入性電極之LiF係以1 A/min之速度而形成。 W [化 135]
Q
Ir(Ph-ppy)3 (平面體) (有機EL元件之發光性能評價) 藉由直流電流驅動使以如上方式而製作之有機EL元件發 光,測定亮度(L)、電流密度,求出亮度1000 cd/m2時之電 流效率(L/J)。進而求出亮度20000 cd/m2時之元件壽命。結 140670.doc •139· 201006910 果示於表1。 實施例2〜12 於實施例1中代替使用主體化合物N〇. 1而使用表1所記載 之主體材料’除此以外與實施例1同樣地製作、評價有機 EL元件。發光性能評價結果示於表1。 比較例1、2 於實施例1中代替使用主體化合物No.l而使用國際公開 專利EP0908787號公報記載之下述化合物(a)、(b)作為主體 材料,除此以外與實施例1同樣地製作、評價有機EL元 件。發光性能評價結果示於表1。 比較例3、4 實施例1中代替使用主體化合物No. 1而使用國際公開專 利W02006-122630號公報記載之下述化合物(c)、(d)作為 主體材料’除此以外與實施例1同樣地製作、評價有機El 元件。發光性能評價結果示於表1。 比較例5 於實施例1中代替使用主體化合物No. 1而使用國際公開 專利W02007-063754號公報記載之下述化合物(e)作為主體 材料,除此以外與實施例1同樣地製作、評價有機EL元 件。發光性能評價結果示於表1。 比較例6 於實施例1中代替使用主體化合物No. 1而使用公開專利 公報2008-81494號公報記載之下述化合物(f)作為主體材 料’除此以外與實施例1同樣地製作、評價有機EL元件。 140670.doc •140- 201006910 發光性能評價結果示於表1。 比較例7 於實施例1中代替使用主體化合物No. 1而使用國際公開 專利US2002-0132134及US2003-0044646號公報記載之下述 化合物(g)作為主體材料,除此以外與實施例1同樣地製 作、評價有機EL元件。發光性能評價結果示於表1。 [化 136]
140670.doc -141 - 201006910 [表i] 表1 主體化合物 電壓(V) @20 mA/cm2 效率(cd/A) @1,000 cd/m2 壽命(hr) @20,000 cd/m2 實施例1 (1) 5.8 52.3 350 實施例2 (11) 4.5 45.8 110 實施例3 (22) 6.0 50.8 320 實施例4 (28) 5.2 57.6 400 實施例5 (39) 5.3 57.5 300 實施例6 (57) 5.2 56.8 410 實施例7 (58) 5.0 50.5 350 實施例8 (60) 5.4 57.8 370 實施例9 (62) 5.3 54.3 500 實施例10 (455) 4.7 58.5 380 實施例11 (461) 4.6 56.5 390 實施例12 (87) 4.6 52.1 230 比較例1 ⑻ 4.6 26.5 50 比較例2 (b) 4.2 17.6 30 比較例3 ⑹ 4.9 37.5 50 比較例4 (d) 4.7 35.9 60 比較例5 (e) 4.3 17.3 30 比較例6 (ί) 5.5 38.2 50 比較例7 (g) 5.4 28.7 60 實施例13 (有機EL元件之製作) 將與上述同樣地進行清洗之附有透明電極之玻璃基板安 裝於真空蒸鍍裝置之基板座上,首先,於玻璃基板之形成 有透明電極線之側之面上,以覆蓋透明電極之方式以30 nm 之厚度蒸鍍化合物A,獲得電洞傳輸層。 於該電洞傳輸層上,以30 nm之厚度來共蒸鍍作為磷光 用主體材料之化合物No.198與作為磷光用摻雜劑之Ir(Ph-ppy)3,獲得破光發光層。Ir(Ph-ppy)3之濃度為1 0質量°/〇。 繼而,於該磷光發光層上積層厚度為10 nm之化合物 No.20,進而依序積層厚度為20 nm之化合物C、厚度為1 nm 之LiF、及厚度為80 nm之金屬A卜獲得陰極。再者,作為 140670.doc -142- 201006910 電子注入性電極之LiF係以i A/min之速度而形成。 (有機EL元件之發光性能評價) 藉由直流電流驅動使以如上方式而製作之有機EL元件發 光’測定亮度(L)、電流密度,求出亮度1〇〇〇 cd/m2時之電 流效率(L/J)。進而求出亮度2〇〇〇〇 cd/in2時之元件壽命。結 果示於表2。 實施例14〜22 於實施例13中代替使用主體化合物N〇. 198及電子傳輸性 化合物N0.20而使用表2所記載之主體化合物及電子傳輸性 化合物’除此以外與實施例13同樣地製作、評價有機EL元 件。發光性能評價結果示於表2。 比較例8 於實施例13中代替使用主體化合物No. 198而使用CBP, 代替使用電子傳輸性化合物No_20而使用BAlq,除此以外 與實施例13同樣地製作、評價有機EL元件》發光性能評價 結果不於表2。 [化 137]
140670.doc -143· 201006910 [表2] 表2 主體化合物 電子傳輸性化合物 電壓(V) @20 mA/cm2 效率(cd/A) @1,000 cd/m2 壽命(hr) @20,000 cd/m2 實施例13 (198) (20) 4.7 65.1 500 實施例14 (198) (67) 4.5 63.9 550 實施例15 (137) (67) 4.5 57.1 350 實施例16 (193) (67) 5.2 61.8 400 實施例17 (209) (67) 5.3 63.8 380 實施例18 (198) (87) 4.5 63.5 540 實施例19 (137) (87) 4.2 59.5 580 實施例20 CBP (20) 5.3 47.2 100 實施例21 CBP (67) 5.1 48.5 100 實施例22 CBP (87) 4.8 42.8 110 比較例8 CBP BAlq 6.5 45.1 30 相對於實施例之有機EL元件,比較例之有機EL元件均 係電流效率顯示出較低之值,驅動電壓亦較高,壽命亦較 短。 產業上之可利用性 如以上詳細說明般,若利用本發明之多環系化合物作為 有機EL元件用材料,則可獲得發光效率較高、且壽命較長 之有機EL元件。因此,本發明之有機EL元件作為各種電 子機器之光源等極為有用。又,本發明之鹵化合物適用於 上述多環系化合物之中間物。又,本發明之多環系化合物 亦可有效活用作有機電子元件用材料,且於有機太陽電 池、有機半導體雷射、使用有機物之感測器、有機TFT中 亦極為有用。 144- 140670.doc

Claims (1)

  1. 201006910 七、申請專利範圍: 1. 一種多環系化合物’其係以下述式(1)或(2)所表示; [化1]
    ⑴ (2) [式(1)及(2)中,X,、乂2分別獨立表示氧(〇)、NR!或 ChR3 ;其中’ 乂1與又2均為cR2R32情形不存在; 上述R〗、R2及R3分別獨立表示碳數為卜汕之烷基、經 取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環烷基、碳數為 7〜24之芳烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代矽烷基、經 取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、或者 經取代或未經取代之成環原子數為3〜24之芳香族雜環 基;其中,又1與乂2均為N-R】時,Rl中之至少一個表示經 取代或未經取代之成環原子數為價縮合芳香族 雜環基; 式(2)中,η表示2、3或4,分別為將^作為連結基之二 聚物、三聚物、四聚物; 式(1)及(2)中,!^表示單鍵、碳數為卜汕之伸烷基、 經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價 矽烷基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經 取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原 子數為3〜24之以碳-碳鍵與苯環&連結之經取代或未經取 140670.doc 201006910 代之2價芳香族雜環基; 式(〗)中,L2表示單鍵、碳數為卜2〇之伸烷基經取代 或未、’里取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價矽统基 或碳數為2〜20之2價取代钱基、經取代或未經取代之 成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為 3〜24之以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代之^價 芳香族雜環基; 式(2)中,Ls於η為2時表示單鍵、碳數為卜2〇之伸烷 基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、 2價残基切數為2〜歡2價取代钱基、經取代或未 經取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環 原子數為3〜24且以碳.碳鍵與苯環c連結之經取代或未經 取代之2價芳香族雜環基,於時表示碳數為 價飽和烴基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜20之3 價環狀飽和烴基、3價石夕垸基或碳數為價取代石夕 烷基、經取代或未經取代且成環碳數為6〜24之3價芳香 族烴基、或者原子數為3〜24且以碳_碳鍵與苯環c連結之 經取代或未經取代之3價芳香族雜環基,於η 碳數為1〜20之4價飽和烴基、經取代或未經取代之成環 碳數為3〜20之4價環狀飽和烴基、石夕原子、經取代或未 經取代之成環碳數為6〜24之4價芳香族烴基、或者成環 原子數為3〜24且以碳.碳鍵與苯環c連結之經取代或未經 取代之4價芳香族雜環基; 、 式⑴及(2)中’ Al表示氫原子、經取代或未經取代之 140670.doc ^ 201006910 成環碳數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜20之取代 石夕烧基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族 煙基、或者成環原子數為3〜24且以碳-碳.鍵與L丨連結之芳 香族雜環基;其中,Ll為碳數1~20之伸烷基時,A!為氫 原子之情形不存在; 式(1)中’ A2表示氫原子、經取代或未經取代之成環碳 數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代矽烷 φ 基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴 基、或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與l2連結之芳香 族雜環基;其中,L2為碳數1〜20之伸烷基時,A2為氫原 子之情形不存在; 式⑴及(2)中’ γι、丫2及丫3表示碳數為1〜20之烷基、 經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環烷基、碳數為 1〜20之烷氧基、碳數為7〜24之芳烷基、矽烷基或碳數為 3〜20之取代矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數為 C 6〜24之芳香族烴基、或者經取代或未經取代之成環原子 數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環a、b、c連結之芳香族雜環 基,d、f為〇、1、2或3,e為 〇、1或2; 其中’ XAX2為氧⑼或⑶也,Li、Lz均為單鍵,且 Al與八2均為氫原子時,苯環b具有一個或兩個Y2,\為 曱基或未經取代之苯基之情形不存在; 式(1)及(2)中’ A!、A2、L!、L2及L3不含羰基]。 2.如請求項〗之多環系化合物,其中心及/或&係具有選自 苯基、聯苯基、聯三笨基或聯四苯基中之至少一個以上 140670.doc 201006910 的取代基之喷咬基。 3.如請求項1之多環系化合物,其中、及/或a2係具有選自 笨基、聯苯基、聯三苯基或聯四笨基中之至少一個以上 的取代基之啼唾基。 4·如請求項1之多環系化合物,其中心及/或^係具有選自 苯基、聯苯基、聯三苯基或聯四苯基中之至少一個以上 的取代基之二苯并呋喃基。 5·如請求項1之多環系化合物,其中A〗及/或&係具有2個以 上之苯環相互鍵結於間位之結構之芳香族煙基。 6.如請求項1之多環系化合物,其中上述式(1)、(2)分別係 以下述式(la)、(lb)、(2a)、(2b)中之任一者所表示; [化2]
    Li ' L L [式(la)、(lb)、(2a)、(2b)中,Χι、& Al、A2、Yl、^、^、^^,與上述相同]。 如請求項1之多環系化合物’其中式(1)或(2)中,&與& 均係以N-R丨所表示,且R丨中之至少一他! & 個為二笨并呋喃殘 140670.doc _ 4 - 201006910 基或咔嗤殘基。 χι 與 X2 〇 Χι 與 X2 8·如請求項1之多環系化合物’其中式⑴或⑺中, 均係以N-Rl所表示,且&之冰111與心之n_Ri不同 9·如請求項!之多環系化合物,其巾式⑴或(2)中, 中之至少一個為氧原子。 其係以下述式(3)〜(1〇)中之 10·如請求項1之多環系化合物, 任—者所表示;
    [化3] C
    <5)
    1 〇) [式(3)〜(10)中,Ri、R2及I分別獨立表示碳數為卜2〇之 ^基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環烷基、 碳數為7〜24之芳烧基、碎烧基或碳數為3〜20之取代石夕烧 140670.doc 201006910 基、經取代或未經取代成 取哀碳數為6〜24之芳香族烴 基、或者經取代或未經取代之成環原子數為Μ之芳香 族雜環基·’其中’式(3)及⑺中、中之至少一個表示 經取代或未經取代之成環原子數為8〜如價縮合芳香 族雜環基; 分別為將L3作為連結 式(7)〜(1〇)中,^表示2、3或4, 基之一聚物、三聚物、四聚物; _式(3)〜(1〇)中’ Ll表示單鍵、碳數為1〜20之伸烧基、 取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烧基、2價 石夕院基或碳數為2〜20之2價取代錢基、經取代或未經 取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原 子數為3〜24之以碳·碳鍵與苯環a連結之經取代或未經取 代之2價芳香族雜環基; 弋()(6)中,L2表示單鍵、碳數為卜⑽之伸烷基、經 取代或未經取代之成環碳數為3〜2G之伸較基、2價石夕 坑基或碳數為2〜2G之2價取代㈣基、經取代或未經取 代之成環蛱數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子 數為3〜24之以碳_碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代 之2價芳香族雜環基; 式(7)〜(10)中,l於11為2時表示單鍵、碳數為1〜汕之 伸烷基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜20之伸環烷 基、2價矽烷基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代 或未經取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者 成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或 140670.doc 201006910 未經取代之2價芳香族雜環基,於11為3時表示碳數為 1〜20之3價飽和烴基、經取代或未經取代之成環碳數為 3〜20之3價環狀飽和烴基、3價矽烷基或碳數為卜“之] 價取代矽烷基、經取代或未經取代且成環碳數為6〜24之 3價芳香族烴基、或者原子數為3〜24且以碳_碳鍵與苯環c 連結之經取代或未經取代之3價芳香族雜環基,於η為4 時表不碳數為卜20之4價飽和烴基、經取代或未經取代 φ 之成環碳數為3~20之4價環狀飽和烴基、矽原子、經取 代或未經取代之成環碳數為6〜24之4價芳香族烴基、或 者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代 或未經取代之4價芳香族雜環基; 式(3)〜(10)中,Al表示氫原子、經取代或未經取代之 成環碳數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代 衫燒基、經取代或未經取代之成環破數為6〜24之芳香族 火二基、或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與l^連結之芳 C 香族雜環基·,其中,L!為碳數1〜20之伸烷基時,Al為氫 原子之情形不存在; 式(3)〜(6)中,八2表示氫原子、經取代或未經取代之成 -環碳數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代矽 甚 I、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴 或者成環原子數為3~24且以碳-碳鍵與l2連結之芳香 族雜環基;其中,L2為碳數1〜20之伸烷基時,a2為氫原 子之情形不存在; 式〇)〜(10)中,Υι、γ2及γ3表示碳數為^20之烷基、 140670.doc 201006910 經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環烷基、碳數為 1〜20之烷氧基、碳數為7〜24之芳烷基、矽烷基或碳數為 3〜20之取代矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數為 6〜24之芳香族烴基、或者經取代或未經取代之成環原^ 數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環a、b、c連結之芳香族雜環 基 為〇、卜 2或 3’e為〇、lsiu;其中,Li、l# 為早鍵,且八丨與八2均為氫原子時,苯環b具有一個或兩 個A,Y2為甲基或未經取代之笨基之情形不存在; 11 式(3)〜(10)中,Al、八2、Li、^及^不含幾基]。 如吻求項1之多環系化合物’其係以下述式(η)或⑴)所 表示; [化4]
    [式(12)中,η表示2、3或4, 聚物、二聚物、四聚物; 刀別為將L3作為連結基之二 其)及(12)中,Ll表示單鍵、碳數為1~20之伸院 2僧Γ取代或未經取代之成環碳數為3〜20之伸環烷基、 石院基或碳數為2〜2〇之2價㈣基、經取代或未經取 =成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子 之2僧#24之以冑·碳鍵與苯環a連結之經取代或未經取代 之2價芳香族雜環基; 140670.doc 201006910 式(⑴中A表示單鍵、碳數為丨心之伸烧基、經取 代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價碎烧 ,或碳數為2〜20之2價㈣基、經取代或未經取代之成 環碳數為6〜24之2價芳香族煙基、或者成環原子數為 3〜24之以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代之2價 芳香族雜環基; 式(12)中,L3於η為2時表示單鍵、碳數為卜“之伸烷 φ 基經取代或未經取代之成環碳數為3〜20之伸環烷基、 2價矽烷基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未 經取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環 原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經 取代之2價芳香族雜環基,於11為3時表示碳數為^2023 價飽和烴基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之3 價環狀飽和烴基、3價矽烷基或碳數為丨〜汕之〗價取代矽 烷基、經取代或未經取代且成環碳數為6〜24之3價芳香 ( 族烴基、或者原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環c連結之 經取代或未經取代之3價芳香族雜環基,於11為4時表示 碳數為1〜20之4價飽和烴基、經取代或未經取代之成環 碳數為3〜20之4價環狀飽和烴基、矽原子、經取代或未 經取代之成環碳數為6〜24之4價芳香族烴基、或者成環 原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經 取代之4價芳香族雜環基; 式(11)及(12)中,A!表示氫原子、經取代或未經取代 之成環碳數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜20之取 140670.doc 201006910 戈妙烧基峰代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香 ㈣基、或者成環原讀為3〜24且料碳鍵扣連結之 :香族雜環基,其中’ L!為碳數1〜20之伸烷基時,八,為 氫原子之情形不存在; 式(11)中,Λ ± /、虱原子、經取代或未經取代之成環 碳數為3〜20之環烧基、石夕垸基或碳數為3〜2〇之取切烧 基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴 基或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與l2連結之芳香 、雜環基,其中’ L2為碳數u之伸院基時,&為氯原 子之情形不存在; 弋(11)及(12)中,γ〗、Y2及表示碳數為丨〜2〇之烧 基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環烷基、碳 數為1〜20之烷氧基、碳數為7〜24之芳烷基、矽烷基或碳 數為3〜20之取代矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數 為6 24之务香族煙基、或者經取代或未經取代之成環原 子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環a、b、c連結之芳香族雜 環基;d、f為〇、1、2或3,6為〇、;其中,^^ 均為單鍵,且A!與A2均為氫原子時,苯環b具有一個或 兩個Y2 ’ Y2為甲基或未經取代之苯基之情形不存在; 式(11)及(12)中’ A】、A2、L]、L2及L3不含幾基]。 12. 如請求項1丨之多環系化合物,其中式(u)及(12)中,、 係矽烷基或碳數為3〜20之取代矽烷基、或者成環原子數 為3〜24且以碳-碳鍵與川連結之芳香族雜環基。 13. 如請求項n之多環系化合物,其中式(11)及(12)中,A 140670.doc •10- 201006910 係以碳-碳鍵與Ll連結之選自嗒_(pyridazine)、嘧啶、吡 畊(pyrazine)、l,3,5j_(1,3 5_triazine)、味唑二苯并 呋喃、二苯并噻吩、吩呤畊(phen〇xazine)、吩噻畊 (phenothiazine)、二氫吖啶中的芳香族雜環基。 14.如請求項丨之多環系化合物,其係以下述式(13)或〇 表示; [化5]
    [式(14)中,n表示2、3或4,分別為將。作為連結基之二 聚物、三聚物、四聚物; 式(13)及(14)中,h表示單鍵、碳數為υο之伸烷 基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基' 2價矽烷基或碳數為2〜20之2價矽烷基、經取代或未經取 代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子 數為3〜24之以碳·碳鍵與苯環a連結之經取代或未經取代 之2價芳香族雜環基; 式(13)中’ L2表示單鍵、碳數為1〜20之伸烷基、經取 代或未經取代之成環碳數為3〜20之伸環烷基、矽烷基或 碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經取代之成 %叙數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數為 140670.doc 201006910 3〜24之以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代之2價 芳香族雜環基; 式(14)中,h於n為2時表示單鍵、碳數為卜2〇之伸烷 基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、 2價矽烷基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未 經取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環 原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經 取代之2價芳香族雜環基,於„為3時表示碳數為卜汕之] 價飽和烴基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之3⑩ 價環狀飽和烴基、3價矽烷基或碳數為^20 2 3價取代矽 烷基、經取代或未經取代且成環碳數為6〜24之3價芳香 矣烴基或者原子數為3~24且以碳-碳鍵與苯環c連結之 經取代或未經取代之3價芳香族雜環基,於11為4時表示 =數為〗〜20之4價飽和烴基、經取代或未經取代之成環 碳數為3〜20之4價環狀飽和烴基、矽原子、經取代或未 經取代之成環碳數為6〜24之4價芳香族烴基、或者成環 原子數為3〜24且以碳-碳鍵與笨環c連結之經取代或未經 取代之4價芳香族雜環基; 式(13)及(14)中,Αι表示氫原子、經取代或未經取代 之成環碳數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜20之取 代矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香 · j烴基、或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與Ll連結之 芳香族雜環基;其中,Li為碳數1〜20之伸烧基時,、為 氫原子之情形不存在; 140670.doc •12- 201006910 式(13)中,A2表示氫原子、經取代或未經取代之成環 碳數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代矽烷 基經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴 基或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與L2連結之芳香 族雜環基;其中,L2為複數1〜2〇之伸燒基時,A2為氫原 子之情形不存在; 式(13)及(14)中,Υι、Υ^γ3表示碳數為wo之烷 • 基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜20之環烷基、碳 數為1〜20之烧氧基、碳數為7〜24之芳烧基、㈣基或碳 數為3〜20之取代㈣基、經取代或未經取狀成環碳數 為6〜24之芳香族烴基、或者經取代或未經取代之成環原 子數為3〜24且以碳·破鍵與笨環a、b、c連結之芳香族雜 環基;d、f為〇、i、2或3 ’…;其中,I!、l 均為單鍵,且A4A2均為氫原子時,苯環b具有一個或2 兩個Y2, YA甲基或未經取代之苯基之情形不存在,· 切3)及(14)中,A,、A2、Li、L2AL3M^p 15.如請求項14之多環系化合物,其中式⑼及(14)中,a ^夕燒基或碳數為3〜2G之取切録、或者成環原子數 為3〜24且以碳碳鍵齡,連結之芳香族雜環基。 Ή1求項14之多環系化合物,其中式⑽及(14)中,A :以碳·碳鍵與Ll連結之選自嗒,、嘧啶、吡_、U5: 井一咔坐-苯并呋喃、二笨并噻吩、吩嘮畊、吩噻 味、二氫吖啶中的芳香族雜環基。 17· 一種多環系化合物,其細下^⑽所表示; 140670.doc -13· 201006910 [化6]
    [式(15)中,X丨、χ2分別獨立表示氧(〇)、N R丨或 其中,X丨與&均為之情形不存在; , 上述R丨、R2及R_3分別獨立表示碳數為卜2〇之烧基、經 取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環烷基、碳數為 7〜24之芳烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代矽烷基、嗖 取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、或者 經取代或未經取代之成環原子數為3〜24之芳香族雜環 基;其中’ XAX2均為N_R,時,&中之至少—個表心 取代或未經取代之成環原子數為價縮合芳香族 雜環基; 式(15)中,η表示2、3或4,分別為將I;作為連結基之 二聚物、三聚物、四聚物; 式(15)中,1^表示單鍵、碳數為丨〜“之伸烷基、經取 代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價矽烷 基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經取代 之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數 為3〜24之以碳-碳鍵與苯環a連結之經取代或未經取代之2 價芳香族雜環基; 140670.doc • 14- 201006910 式(15)中,L2表示單鍵、碳數為丨〜“之伸烷基、經取 代或未經取代之成環碳數為3〜20之伸環烷基、2價矽烷 基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經取代 之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數 為3〜24之以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代之2 價芳香族雜環基; 式(15)中’ L3於η為2時表示單鍵、碳數為丨〜別之伸燒 基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、 2價矽烷基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未 經取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環 原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環b連結之經取代或未經 取代之2價芳香族雜環基,於11為3時表示碳數為丨〜“之^ 價飽和烴基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之3 價環狀飽和烴基、3價矽烷基或碳數為卜2〇之3價取代矽 烷基、經取代或未經取代且成環碳數為6〜24之3價芳香 族L基、或者原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環b連結之 經取代或未經取代之3價芳香族雜環基,於11為4時表示 碳數為1〜20之4價飽和烴基、經取代或未經取代之成環 碳數為3〜20之4價環狀飽和烴基、矽原子、經取代或未 經取代之成環碳數為6〜24之4價芳香族烴基、或者成環 原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環b連結之經取代或未經 取代之4價芳香族雜環基; 式U5)中,Al表示氫原子、經取代或未經取代之成環 碳數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜20之取代矽烷 140670.doc •15· 201006910 =^取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族煙 基、或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與連結之芳香 方矣· 甘 , 、/ 土,其中,為碳數1〜20之伸烷基時,Al為氫原 子之情形不存在; ” 式(15)中,八2表示氫原子、經取代或未經取代之成環 碳數為3〜20之環垸基、矽烷基或碳數為3〜20之取代矽烷 基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴 , 基、或者成環原子數為3〜24且以碳_碳鍵與La連結之芳香 族雜環基;其中’ L2為碳數卜20之伸院基時,〜為氫原修 子之情形不存在; ’、 、式(B)中,Y】、Y2及I表示碳數為之烷基、經取 代或未經取代之成環碳數為之環院基、碳數為㈣ 之烷氧基、碳數為7〜24之芳烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇 2取代矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數為^以之 方香族烴基、或者經取代或未經取代之成環原子數為 3〜24且以碳-碳鍵與苯環a、b、c連結之芳香族雜環基· d、f 為 〇、1、2或 3,e為 0或 1 ; 式(15)中’ A〗、A2、L,、L2及L3不含羰基]。 18. 19. 如請求項17之多環系化合物,其中式(15)中,a]係矽烷 基或碳數為3〜20之取代矽烷基、或者成環原子數為3〜2 且以碳•碳鍵與L i連結之芳香族雜環基。 如請求項17之多環系化合物’其中式〇5)中, 八11 糸碳- 碳鍵與、連結之選自嗒畊、嘧啶、吡味、丨 唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、吩吟哜、吩噻畊井二= 140670.doc • 16 - 201006910 ° 丫咬中的芳香族雜環基。 2〇.如請求項17之多環系化合物’其係以下述式(16)所表干. [化 7] ” ’
    [式(16)中,n表示2、3或4,分別為將I;作為連結基之二 聚物、三聚物、四聚物; 式(16)中,Ll表示單鍵、碳數為1〜20之伸烷基、經取 代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價矽烷 基或碳數為2〜20之2價取代钱基、經取代或未經取代 之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數 為3〜24之以碳·碳鍵與苯環a連結之經取代或未經取代之2 價芳香族雜環基,· ,式(16) t,L2表不單鍵、碳數為卜“之伸烷基、經取 代或未經取代之成環碳數為3〜2Q之伸我基、2價石夕燒 基或碳數為2〜20之2償取代石夕燒基、經取代或未經取代 之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數 為3〜24之以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代之2 價芳香族雜環基; 式06)中,為2時表示單鍵、碳數為卜2〇之伸烷 基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、 140670.doc , 201006910 2價矽垸基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未 經取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環 原子數為3〜2 4且以碳-碳鍵與苯環b連結之經取代或未經 取代之2價芳香族雜環基,於11為3時表示碳數為丨〜汕之] 價飽和烴基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之3 價環狀飽和烴基、3價矽烷基或碳數為卜加之3價取代矽 烷基、經取代或未經取代且成環碳數為6〜24之3價芳香 族烴基、或者原子數為3〜24且以碳_碳鍵與苯環b連結之 7取代或未經取代之3價芳香族雜環基,於〇為4時表示 兔數為1 20之4價飽和烴基、經取代或未經取代之成環 碳數為3〜20之4價環狀飽和烴基、矽原子、經取代或未 紅取代之成環碳數為6〜24之4價芳香族烴基、或者成環 原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環b連結之經取代或未經 取代之4價芳香族雜環基; 式U6)中,A!表示氫原子、經取代或未經取代之成環 碳數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜20之取代矽烷 基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴 土或者成環原子數為3〜24且以碳_碳鍵與Ll連結之芳香 、雜裒基,其中,Ll為碳數1〜20之伸烧基時,A!為氫原 子之情形不存在; 式(!6)中,八2表示氫原子、經取代或未經取代之成環 炭數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜20之取代矽烷 基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴 基或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與l2連結之芳香 140670.doc 201006910 族雜環基;其中,L2為碳數1〜20之伸烷基時,A2為氳原 子之情形不存在; ❹ 21. 22. 23. 式(16)中’ Y,、Y2及I表示碳數為卜2〇之烷基、經取 代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環烷基、碳數為丨〜⑽ 之烷氧基、碳數為7〜24之芳烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇 之取代矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數為之 芳香族烴基、或者經取代或未經取代之成環原子數為 3〜24且以碳·碳鍵與苯環a、b、c連結之芳香族雜環基; d、£為〇、1、2或3,e為〇或 1 ; 式(16)中,A丨、A!、L!、L2及L3不含羰基]。 如”月求項2G之多環系化合物,其中式(16)中,A!係石夕燒 基或碳數為3〜2G之取切㈣、或者成環原子數為3〜Γ4 且以碳-碳鍵與1^連結之芳香族雜環基。 式(1心,Αι係以碳' 」連、-之選〜井、嘴啶…井、H5-三畊 唾、-本并咬喃、二苯并嗟吩、吩十… 吖啶中的芳香族雜環基。 升一虱 -種多環系化合物’其係以下述式〇 [化8] |衣不,
    140670.doc •19· 7) 201006910 [式(17)中’ χ7表示氧(〇mch; 上述I及I分別獨立表示碳數為卜2〇之烷基、經取代 2未經取代之成環碳數為3〜20之環烷基、碳數為7〜24之 芳烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代矽烷基、經取代或 未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴基、或者經取代 或未經取代之成環原子數為3〜24之芳香族雜環基; 式〇7)中,n表示2、3或4,分別為將“作為連結基之 二聚物、三聚物、四聚物;
    式(丨7)中,1^表示單鍵、碳數為^20之伸烷基、經苹 代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價矽娱 基或碳數為2〜20之2價取代錢基、經取代或未經取代 之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數 為3〜24之以碳-碳鍵與苯環a連結之經取代或未經取代之2 價芳香族雜環基,· 式(17)中,L2表示單鍵、碳數為^20之伸烷基經取 代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價矽烷 基或碳數為2〜2〇之2價取代錢基、經取代或未經取代 之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原子數 為3〜24之以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經取代之2 價芳香族雜環基; 式(17)中,L3於η為2時表示單鍵、碳數為卜“之伸烷 基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2q之伸環烧基、 2價錢基或碳數為2〜20之2價取代錢基、經取代或未 經取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環 140670.doc -20- 201006910 , 原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環b連結之經取代或未經 取代之2價芳香族雜環基,於…時表示碳數為卜加之) 價飽和烴基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之3 價環狀飽和烴基、3價矽烷基或碳數為^202 3價取代矽 烷基經取代或未經取代且成環碳數為6〜24之3價芳香 族蛭基、或者原子數為3〜24且以碳_碳鍵與苯環b連結之 經取代或未經取代之3價芳香族雜環基,於11為4時表示 φ 碳數為1〜20之4價飽和烴基、經取代或未經取代之成環 碳數為3〜20之4價環狀飽和烴基、矽原子、經取代或未 經取代之成環碳數為6〜24之4價芳香族烴基、或者成環 原子數為3〜24且以碳-碳鍵與笨環b連結之經取代或未經 取代之4價芳香族雜環基; 式(丨7)中,A!表示氫原子、經取代或未經取代之成環 碳數為3〜20之環烧基、石夕烧基或碳數為3〜2〇之取代;ε夕统 基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴 基、或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與Ll連結之芳香 知雜環基,其中,Li為碳數1~20之伸燒基時,a!為氫原 子之情形不存在; • 式(17)中,八2表示氫原子、經取代或未經取代之成環 奴數為3〜20之環烧基、碎烧基或碳數為3〜2〇之取代石夕烧 基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族煙 基、或者成環原子數為3~24且以碳-碳鍵與連結之芳香 族雜環基;其中,L2為碳數1~20之伸烷基時,a2為氫原 子之情形不存在; 140670.doc 21 · 201006910 式(17)中’ Y!、Y2及Y3表示碳數為^20之烷基、經取 代或未經取代之成環碳數為3〜20之環烷基、碳數為 之烷氧基、碳數為7〜24之芳烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇 之取代矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數為一以之 芳香族烴基、或者經取代或未經取代之成環原子數為 3〜24且以碳-碳鍵與苯環a、b、c連結之芳香族雜環基γ d、f 為 〇、1、2或3,.e為 0、1或2; 式(17)中,八丨、、L〗' L2及L3不含羰基]。 24. 25. 26. 如請求項23之多環系化合物,其中式(17)中’、係矽烷 _ 基或碳數為3〜20之取代矽烷基、或者成環原子數為3〜24 且以碳-碳鍵與1^連結之芳香族雜環基。 如請求項23之多環系化合物,其中式(17)中,A〗係以碳_ 碳鍵與L!連結之選自嗒,井、嘧啶、吡畊、^^三 唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、吩嘮畊、吩噻畊、一氫 ° 丫咬中的芳香族雜環基。 一種南化合物,其係以下述式(18)所表示; [化9]
    [式(18)中,χ8、χ9分別獨立表示氧(〇)或N Ri ; ,丨表示碳數為卜20之院基、經取代或未經取代之成環 奴數為3〜20之環烷基、碳數為7〜24之芳烷基、矽烷基或 140670.doc -22- 201006910 碳數為3〜20之取切院基、經取代或未經取代之成環碳 數為6〜24之芳香族烴基、或者經取代或未經取代之成環 =子數為3〜24之芳香族雜環基;其中’ m2均為叫 Ri中之至)-個表不經取代或未經取代之成環原子 數為8〜24之1價縮合芳香族雜環基; Yi、Y2及Y3表示碳數為丨〜“之烷基、經取代或未經取 =之成環碳㈣3〜2G之環院基、碳數為卜2()之炫氧基、 ***數為7 24之芳;^基、;^院基或碳數為3〜2q之取代發燒 基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族烴 基、或者經取代或未經取代之成環原子數為3〜24且以碳_ 碳鍵與苯環a、b、e連結之芳香族雜環基;卜【為〇、丄、 2或 3,e為 〇、; Z為齒素原子,表示氟原子、氣原子、漠原子、碘原 子; t'u'v 表示 〇或 1;其中 t+u+vg 1]。 27. 如請求項26之i化合物’其係以下述式(19)所表示; [化 10]
    [式(⑼中’Y〗、Y2及Y3分別獨立表示氫原子、碳數為 卜20之烷基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環 烷基、碳數為㈣之烷氧基、碳數為7〜24之芳烷基、矽 140670.doc •23· 201006910 烷基或碳數為3〜20之取代矽烷基、經取代或未經取代之 、裒碳數為6〜24之芳香族烴基、或者經取代或未經取代 之成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環a、b、c連結之 方香族雜環基;d、f為G、1、2或3,e為〇、][或2 ; Z為豳素原子,表示氟原子、氣原子、漠原子、碘原 子,· t、u、v表示 0或1 ;其中t+u+vg 。 28. 29. 30. 31. 32. 33. 34. 種有機電致發光元件,其係於陰極與陽極間具有包含 务光層之$以上的有機薄膜層,上述有機薄膜層之至 少:層含有如請求項1、17或23之多環系化合物。 、长項28之有機電致發光元件,其中上述發光層含有 上述多環系化合物作為主體材料。 其中上述發光層進而 其中上述發光層含有 如請求項28之有機電致發光元件 含有磷光發光性材料。 如請求項28之有機電致發光元件 :體材料與碟光性發光材料,該磷光性二材::: Γ、鐵(Os)或翻(Pt)金屬之鄰位金屬化錯合物。 求項28之有機電致發光元件,其中於上述發光層與 :物之間具有電子注入層,該電子注入層含有含氮環衍 Γ求項28之有機電致發光元件,其中於上述發光層斑 陰極之間具有雷早彳金 日與 系化合物。 1層’該電子傳輸層含有上述多環 如請求項33之有機電致發光元件,其中上述發光層含有 140670.doc -24- 201006910 有機電致發光元件用材料作為主體材料,該有機電致發 光元件用材料係具有經碳原子、氮原子、氧原子 子而交聯之兀共軛雜并苯骨架之化合物。 μ 35 •如請求項33之有機電致發光元件, 十兴〒上述發光層含有 以下述式(20)〜(23)中之任一去挤本_ ★ + 壮者所表不之有機電致發光元 件用材料作為主體材料; 九 [化 11]
    [式(20)〜(23)中,Χ3、χ4 硫(S)、N-RdCR2R3 ; Xs及X:6分別獨立表示氧(〇)、 上述Rl、R2及R3分別獨立表示碳數為U之烧基、經 取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環燒基、碳數為 ㈤之芳烧基1㈣或碳數為3〜2()之取切烧基、經 取代或未經取代之成環碳數為㈣之芳香族烴基、或者 經取代或未經取代之成環原子數為3〜24之芳香族雜環 基;其中,X3與X4、或xs與Χό均為N_R丨時,1中之至少 一個表示經取代或未經取代之成環原子數為8〜24之1價 140670.doc •25- 201006910 縮合芳香族雜環基; 式(21)及(23)中,η表示2、3或4’分別為將]^作為連結 基之二聚物、三聚物、四聚物; 式(2〇)〜(23)中’ 1^表示單鍵、碳數為1〜20之伸燒基、 經取代或未經取代之成環碳數為3〜20之伸環烧基、2價 珍烧基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經 取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原 % 子數為3〜24之以碳-碳鍵與苯環a連結之經取代或未經取 代之2價芳香族雜環基; 式(20)及(22)中,L2表示單鍵、碳數為卜2〇之伸烷 基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、 2價矽烷基或碳數為2〜2〇之2價取代矽烷基、經取代或未 經取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環 原子數為3〜24之以碳_碳鍵與苯環c連結之經取代或未智 取代之2價芳香族雜環基;其中,、或&與^均 為CR2R3 ’叫、L2均為經取代或未經取代之成環碳數 4之2價芳香族烴基時,I、“同時相對於苯環 結於對位之情形不存在丨 ^ 式(21)及(23)中,L3於福2時表示單鍵、碳數為 =燒基、經取代或未絲狀成環缝為3〜歎伸環 =未:^碳數為2〜20之2價取‘ 戈:未紅取代之成環碳數為6〜24之2價芳香 =原子數為3,且以碳-碳鍵與苯環c連結之經取: S ^取代之2償芳香族雜環基,於n為3時表示碳數為 140670.doc • 26 - 201006910 1〜20之3價飽和烴基、經取代或未經取代之成環碳數為 3〜20之3價環狀飽和烴基、3價矽烷基或碳數為卜2〇之3 價取代矽烷基、經取代或未經取代且成環碳數為6〜24之 3價芳香族烴基、或者原子數為3〜24且以碳_碳鍵與苯環c 連結之經取代或未經取代之3價芳香族雜環基,於11為4 時表示碳數為1〜20之4價飽和烴基、經取代或未經取代 之成環碳數為3〜20之4價環狀飽和烴基' 矽原子、經取 代或未經取代之成環碳數為6〜24之4價芳香族烴基、或 者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代 或未經取代之4價芳香族雜環基;其中,&與\、或& 與X6均為CH,且L!、L3均為經取代或未經取代之成 環碳數為6〜24之2價、3價或4價的芳香族烴基時,Ei、L3 同時相對於苯環b連結於對位之情形不存在; 式(20)〜(23)中,A〗表示氫原子、經取代或未經取代之 成環兔數為3〜20之環烧基、梦烧基或碳數為3〜2〇之取代 碎燒基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族 烴基、或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與!^連結之芳 香族雜環基;其中,k為碳數^20之伸烷基時,、為氫 原子之情形不存在; 式(20)及(22)中,A2表示氫原子、經取代或未經取代 之成環碳數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取 代石夕貌基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香 族煙基、或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與l2連結之 方香族雜環基;其中,L2為碳數1~20之伸烷基時 ,A2為 140670.doc •27· 201006910 氫原子之情形不存在; 式(2〇) (23)中’ Yl、γ2及γ3表示碳數為1〜20之烷美、 經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之環烧基、碳:為 1 20之烷虱基、碳數為7〜“之芳烷基、矽烷基或碳數為 3心之取代錢基、經取代或未絲狀成環碳數為 6〜24之方香族烴基、或者經取代或未經取代之成環原子 數為3〜24且以碳.碳鍵與苯環a、b、e連結之芳香族雜環 基;d、f為0+2或3,e^、l5iu :其中 L 或x5與x6為氧(〇)、硫(s)或CR2R3, Li、㈣為單鍵,且 八1與八2均為氫原子時,苯環6具有一個或兩個a,i為 甲基或未經取代之苯基之情形不存在; 式”)中’ Al、a2、Li、mL3不含幾基]。 36. 如請求項33之有機電致發光元件,其中上述發光層含有 以下述式(24)〜(27)中之任一者所表示之有機電致發光元 件用材料作為主體材料; [化 12]
    140670.doc -28- 201006910 [式(25)及(27)中,n表示2、3或4 ’分別為將l3作為連結 基之一聚物、三聚物、四聚物; 式(24)〜(27)中,1^表示單鍵、碳數為丨〜川之伸烷基、 經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、2價 石夕烧基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未經 取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環原 子數為3〜24之以碳-碳鍵與苯環a連結之經取代或未經取 代之2價芳香族雜環基; 式(24)及(26)中,L*2表示單鍵、碳數為^0之伸烷 基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環烷基、 2價矽烷基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取代或未 經取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或者成環 原子數為3〜24之以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代或未經 取代之2價芳香族雜環基; 式(25)及(27)中,“於n為2時表示單鍵、碳數為卜“ 之伸烷基、經取代或未經取代之成環碳數為3〜2〇之伸環 烷基' 2價矽烷基或碳數為2〜20之2價取代矽烷基、經取 代或未經取代之成環碳數為6〜24之2價芳香族烴基、或 者成環原子數為3〜24且以碳·碳鍵與苯環c連結之經取代 或未經取代之2價芳香族雜環基,於η為3時表示碳數為 1 20之3價飽和烴基、經取代或未經取代之成環碳數為 3〜20之3價環狀飽和烴基、3價矽烷基或碳數為卜之3 價取代矽烷基、經取代或未經取代且成環碳數為6〜Μ之 價芳香族烴基、或者原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環c 140670.doc •29- 201006910 連結之經取代或未經取代之3價芳香族雜環基,於η為4 時表示碳數為1〜20之4價飽和烴基、經取代或未經取代 之成環碳數為3〜20之4價環狀飽和烴基、矽原子、經取 代或未經取代之成環碳數為6〜24之4價芳香族烴基、或 者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與苯環c連結之經取代 或未經取代之4價芳香族雜環基;
    式(24)〜(27)中,Al表示氫原子、經取代或未經取代之 成環碳數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜2〇之取代 矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香族 焓基、或者成環原子數為3〜24且以碳-碳鍵與連結之芳 香族雜環基;其中,Ll為碳數丨〜“之伸烷基時,A,為氫 原子之情形不存在; 式(24)及(26)中,A:表示氫原子、經取代或未經取代 之成環碳數為3〜20之環烷基、矽烷基或碳數為3〜20之取 代矽烷基、經取代或未經取代之成環碳數為6〜24之芳香 j烃基、或者成環原子數為3〜24且以碳_碳鍵與^連結之 料族雜環基;其中,h為碳數U之伸烧基時,〜為 氫原子之情形不存在; ,A 2久13衣不石厌數為1〜2〇 經取代或未經取代之成環碳數為3〜20之㈣基、碳數 1〜20之烷氧基、碳數為心之芳烷基、矽烷基或碳數 3〜2〇之取代㈣基、經取代或未經取代之成環碳數 6〜24之芳香族烴基、或者 次者經取代或未經取代之成環原 數為3〜24且以碳_碳鍵與苯環a、卜e連結之芳香族雜 140670.doc -30 · 201006910 基;d、f為〇、ι、2或氣 λ 乂·3 、1或2 ’·其中,L】、1^均 為單鍵’且Ai#A2均為氫原子時,苯環b具有—個或兩 個Y2 ’ Y2為甲基或未經取代之苯基之情形不存在; 式(24)〜(27)中 ’ Al、a2、Li、LaL3不含獄基]。 3 7.如吻求項28之有機電致發光元件’其中於上述發光層與 陽極之間具有電洞傳輪層,該電洞傳輸層含有上述多環 系化合物。 3 8·如μ求項28之有機電致發光元件’其中於陰極與有機薄 膜層之界面區域具有還原性摻雜劑。 140670.doc -31 . 201006910 四、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:(無) (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 五、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式:
    140670.doc
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