201004518 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於適於組裝有薄膜電晶體（TFT)之液晶顯示 裝置用之玻璃基板等電子電路基板之配線之補修之配線補 修方法及裝置。 【先前技術】 於電路基板形成配線之技術之一，係使用將包含具有 奈米之數量級之粒徑之金屬微粒子之糊（由金屬微粒子將 該金屬微粒子保持為奈米單位之粒徑之溶劑構成）配置於電 路基板形成特定之配線圖案後，使用雷射光使被配置之金 屬微粒子燒成之技術（例如參考專利文獻丨）。 但若將此技術使用於補修具備TFT之玻璃基板等陣列 基板之配線之缺損部分之技術，由於雷射光具有高能量密 度且難以微調雷射光之能量密度’故設於配線之背面側（閘 線及資料線與透明導電膜之間）之電氣絕緣膜中特別是對 應於配線缺損部分之位置有被破壞之虞，不易處理。 因上述原因，有將以使用還原氣體之大氣電漿產生裝 置產生之電漿氣體用於金屬微粒子之燒成之技術被提案（例 如專利文獻2)。 於最近之陣列基板中，形成有有機系之絕緣膜做為上 述之電氣絕緣膜。若於具備此種有機系之絕緣膜之電路基 板之金屬微粒子之燒成使用電漿氣體，對電漿氣體之有機 系之絕緣膜之反應性過高，不僅金屬微粒子被燒成，有機 3 201004518 系之絕緣膜會因與電漿氣體之化學反應而被除去、破壞。 【專利文獻1】日本特開2004_253449號公報 【專利文獻2】日本特開2〇〇7_258213號公報 【發明内容】 本發明之目的在於提供不損傷設於配線之下侧之電氣 絕緣膜’可容易進行電路基板之配線補修之方法及裝置。 本發明之配線補修方法包含：對電路基板之待補修之 配線缺損部分供給金屬微粒子，對被供給至前述配線缺損 部分之金屬微粒子吹送被加熱且包含氧之氣體，燒成該金 屬微粒子。 本發明之配線補修裝置包含：限定配置具有待補修之 配線缺損部分之電路基板之χ_γ平面之支撐台、在該支撐 台上之前述電路基板之上方沿γ軸方向被配置且可往又軸 方向移動之可動架’於前述可動架被支撐為可往γ軸方向 移動並對前述配線缺損部分供給金屬微粒子之供給喷嘴、 產生加熱被供給至前述配線缺損部分之金屬微粒子之被加 熱且包含氧之氣體之加熱氣體產生裝置。 本發明中，被供給至電路基板之配線缺損部分之金屬 微粒子係藉由含氧之被加熱氣體之吹送被急速加熱至例如 220 C至50(rc ’較理想為25CTC至310°C程度之溫度，在短 時間升溫。因此，被配置於配線缺損部分之金屬微粒子藉 由如前述之供烤處理、退火處理等加熱處理在短時間被燒 成、固化，被與配線之殘存部分一體化。 4 201004518 在上 述本發明使用之氣體僅加熱含氧氣體即可產生 可圖加熱氣體產生裝置之構成之簡化 雷射光之高密度能量，故無對待補修之位置 絕緣膜給予熱損傷之虞，其操作容易。 且由於不必照射如 特別是電氣 月，j述氣體可為空氣或氧本身，重點是只要含氧但不含 電裝即可。又’可以前述氣體將前述金屬微粒子加熱至220 C至〇c另外，刖述金屬微粒子可包含奈米粒子，此時 可使用糊狀者。 〃前述加熱氣體產生裝置可具備供給包含空氣之氣體之 氣體供給裝置、加熱從該氣體供給裝置被供給之氣體並對 被供給至前述配線缺損部分之金屬微粒子吹送被加熱之氣 體以加熱该金屬微粒子之氣體加熱裝置。 —前述氣體供給裝置可包含將^氣作為前述氣體供給至 前述氣體加熱裝置之風扇、供給包含空氣之-定量之氣體 之質量流控制器其中之一。 ^可2前述可動架配置有可往Y軸方向移動之底板，於 名底板則述供給噴嘴被支撐為使喷嘴口朝向前述電路基板 而可在Ζ ϋ方向料，冑述加熱氣體產生裝置被支撐為使 其氣體噴射π朝向前述電路基板而可往ζ轴方向升降。 於孩可動架用以觀察前述配線缺損部分之視訊攝影機 可被支撐為可往γ軸方向移動。 【實施方式】 之配線之補修方法之 首先參考圖1，說明電路基板1〇 201004518 一實施例。於圖1 (A)〜（C)之各上段部以縱剖面圖顯示有為 補修對象之電路基板10,於圖1 (A)〜（C)之各下段部顯示有 電路基板10之俯視圖。於圖丨顯示之電路基板1〇為例如 於玻璃板12上施有配線14之電路基板。 做為此種電路基板1〇之更具體例，於圖2顯示由TFT 陣列基板構成之液晶基板。此電路基板丨〇係於玻璃板12 上相互隔間隔平行形成有複數之閘線l4a。 被配置為與此等閘線14a成直角之複數之源線丨4b係在 被層間絕緣膜（未圖示）從閘線14a電氣隔離之狀態下被形成 為互相平行。 於以各線14a ' 14b之交差被劃分之各區域形成有透明 之像素電極16,且薄膜電晶體（TFT)18係形成為各像素電極 16之作動控制之開關電晶體。 各電晶體1 8 —般係具備連接於對應之源線丨4b之源 極、連接於對應之像素電極16之吸極、控制源極及吸極間 通道之閘之場效電晶體。閘係連接於對應之閘線l4a。 如上述之電路基板10藉由控制往由閘線14a、源線1仆 構成之配線14 (14a、14b)之通電可使被選擇之電晶體18作 動，可使對應於該電晶體18之像素電極16顯示作動。 配線補修方法可適用於如上述之電路基板1〇配線Μ (14a、14b)本身之缺損（斷線）或各配線14與電晶體18之閘 或源極之連接部分之配線之缺損（斷線）等之補修。以下，為 說明之簡化’參考圖1說明配線14本身之缺損之補修方法。 首先，如於圖1 (A)顯示，若於玻璃板12上之配線Μ 6 201004518 (14a、14b)有缺損部分20被發現’此缺損部分2〇根據需要 從前述之層間絕緣膜位於最表層之保護膜等被露出。 缺損部分20被露出後，如於圖1 (B)顯示，包含由如金 或銀之導電材料構成且具有奈米單位之粒徑之金屬微粒子 之補修導電材料24從供給喷嘴26被供給至缺損部分2〇, 於缺損部分20及其附近被堆積為線狀。補修導電材料24 可使用由前述之金屬微粒子、將該金屬微粒子保持為奈米 單位之粒徑之溶劑構成之糊狀者。 於補修導電材料24之堆積可使用具備具有對應於配線 14之寬度尺寸之口徑之喷射口之供給喷嘴。但對缺損部分 2〇之補修導電材料24之線狀之供給可根據必要適當採用空 氣吹送（Aerosol Jet Depositi〇n)方式、喷墨方式等其他之技 術。 其次，如於圖1 (C)顯示，含氧之被加熱之氣體22a從 加熱氣體產生裝置22被短時間吹向缺損部分2〇。氣體22& ，含氧但不含電漿較理想。此時，氣體22a可為空氣本身或 氧本身’亦可為空氣或氧與如惰性氣體等其他氣體之混合 八氣體22a被加熱至可以加熱氣體產生裝置22將缺損部 =〇於例如20〜6〇秒，較理想為3〇〜5〇秒程度之間加熱至 2〇c至5G(rc’較理想為25代至31代程度之溫度。藉此， 進行使用氣體22a之烘烤、退火等加熱處理。 上述之加熱處理使堆積於缺損部分2〇之補修導電材料 破急速加熱至靴至31吖程度之溫度，在短時間升 201004518 派。此加熱處理使配置於缺損部分2〇之補修導電材料24 中之溶劑被除去’殘存之金屬微粒子在短時間被燒成 '固 化，與配線14之殘存部分一體化。 其-人，參考圖3說明加熱氣體產生裝置22之一實施 例。圖3係顯示於前述之清潔處理及加熱處理使用之加熱 氣體產生裝置22之一實施例。 加熱氣體產生裝置22具備供給包含空氣但不包含電漿 之氣體之氣體供給裝置3〇、加熱從該氣體供給裝置3〇被供 給之氣體並對被供給至前述配線缺損部分2()之已述之補修 導電材料24吹送被加熱之氣體2。以加熱該補修導電材料 24之氣體加熱裝置32。 則述氣體供給裝置3〇可包含將空氣作為前述氣體供給 至刖述氣體加熱裝置32之風扇、對氣體加熱裝置W供給 包3乳但不包含電衆之一定量之氣體之質量流控制器其中 之一 ° 乳體加熱裳置32係將將如鎳鉻合金線之加熱源配置力 玻璃管内之加熱器34配置於套f 36之内側，將從㈣ 給裝置30被供給之氣體導至加熱器34與套管％之間之g 間以加熱，使被加熱之氣體22a從設於套管36之 口 38往補修導電材料24喷射。 、 被加熱之氣體山為空氣以外之氣體時，氣體供給裝】 接受來自包含氧但不包含電装之氣體源之氣體之供給， 將接受之氣體送往氣體加熱裝置32。被加熱之 時，氣體供給裝置30將周圍之空氣送往氣體加熱農置 8 201004518 ::，參考圖4至圖6說明適於 修裝置之一實施例。 = < 貫施之補 補修裝置40係如於圖4、圖 之X-Y平面42之支撐台44、a 〇備：限定矩形 又伸σ 44梵支撐台44 #授 於Χ-Υ平面42之寬度方向轴 β動架46。 42之W二 向)之各側部沿Χ·Υ平面 48、48 ㈣軸方向）分別配置有金屬製之-對軌道 於Χ-Υ平面42之上配置於配置於此面4 軌道48間具有待補修之配線缺損邻八 ，。之 牟U H 琛缺扣。卩分之電路基板1〇〇可動 ’、'、/〇軸方向被配置為跨此電路基板1〇。
::架4“系呈門型’且在電路基板1〇之上方具備於X 46b Λ之襟部46a、一體形成於襟部術之兩端之兩腳部 50此= 腳冑杨财對對應之各軌道48嵌合之滑動子 架:::動子50與對應之軌道48之可移動之嵌合使可動 一 可在χ-γ平面上往X軸方向移動。 可動架46缝以例如線性馬料驅動源之移動機構往 方向移動。因此，控制移動機構可使可動架46往X轴 方向移動’使其於所欲位置停止。 於可動架46之樑部46a沿其長度方向設有一對軌道 52、52’於同執道52支揮有與兩軌道52 一起構成與前述 之同樣之線性馬達之底板54。 /因此，底板54可在可動架46上沿該可動架46之樑部 46a往γ軸方向驅動。於底板54分別支撐有前述之加熱氣 體產生裝置22及供給喷嘴26,於圖示之例中還支撐有如 201004518 CCD攝影機之視訊攝影機％。 為將此等加熱氣體產生裝置22、供給噴嘴26、視訊攝 影機56保持為可往上下方向即Z軸方向移動，如於圖6顯 不，於底板54固定有互相平行往上下方向延伸之軌 5 8 〜6 2 〇 加熱氣體產生裝置22、供給喷嘴26、視訊攝影機％ 係固定於嵌合於分別與其對應之軌道58〜62之各滑動子 64。藉此，如於圖5顯示，加熱氣艎產生裝置22使其噴射 口 38朝向支撐台44上之電路基板1〇,且供給噴嘴26使其 噴嘴口朝向電路基板1〇，分別被配置為可於底板54移動。 各滑動子64被以例如線性馬達為驅動源之移動機構往 z軸方向移動。因此，控制移動機構可使各滑動子64往z 軸方向移動，使其於所欲位置停止。 N 且 〜-貝对口 月 例如1〜100 mm間調整與被處理物即電路基板10之間嗎 又，供給噴嘴26、視訊攝影機56之各者亦可於同程度調彳 於彺支撐台44之χ·γ平面42上之電路基板1〇之配 時及從Χ-Υ平面42$ι/\ 2之電路基板10之取出時，可使加熱 22 '供給喷嘴26、視訊攝影機50迴避至最 方之迴避位置°藉此’防止此等與電路基板1G之干涉， 迅速且容易進行電路基板10 業及從其之取出作業。 千面42上之配置 本實施例中，如於圖5及圖
肩不於底板54之上S 保持有保留金屬微粒子描 于之槽66，經過從槽66往供給喷〇 10 201004518 26延伸之配管68供給包含金屬微粒子之糊狀之補修金屬材 料。 在補修裝置40中’使可動架46往χ軸方向移動，使 底板54往Υ軸方向移動可使視訊攝影機56之視野往電路 基板10之所欲位置移動。此視訊攝影機56之晝面可根據 必要映出於如液晶之顯示裝置，在其畫面上可觀察電路基 板10之配線14上之缺損部分20。 從視訊攝影機56之位置求得待補修之缺損部分2〇之 位置（X，y)後，藉由底板54之移動，供給噴嘴26代替視訊 攝影機56被移動至該缺損部分2〇之位置（χ，力。 此時，供給噴嘴26係'如於圖丨（B)顯示，對缺損部分 20供給包含金屬微粒子之糊狀之補修導電材料以並根據必 要移動以掃描缺損部分20附近。藉此，包含金屬微粒子之 必要量之補修導電材料24被堆積於缺損部分2〇。 金屬微粒子之堆積完成後’加熱氣體產生裝置22代替 供給喷嘴26被移動至缺損部分2〇之位置（χ，十此時，加 熱氣體產生裝置22係對堆積於缺損部分Μ之補修導 料24吹送被加熱之氣體山。藉此，堆積於缺損部分⑼之 ::導電材料2”之溶劑被除去，於缺損部分2〇殘存之 金屬微粒子被加熱、燒成。盆社 金屬微“… 於缺損部分2〇殘存之 金屬微粒子與配線14之殘存部分一體化。 由此，配線14之補修έ士击。扣★ 憾县1 …束但亦可根據必要藉由使視 ㈣影機56取代加熱氣體產生裝置 ：視 置’可觀察該補修位置之補修狀態。 又 彳W立 11 201004518 如前述’使用補修裝置40可在支撐台44上進行補修 材料即金屬微粒子之往補修位置之供給及其加熱處理。 雖可不要視訊攝影機56，但如前述，由於可在支樓台 44上觀察配線14之缺損部分2〇或補修後之狀態，故更迅 速進行確實之補修並將視訊攝影機56設於可動架46較理 想。 可動架46及底板54等之驅動機構雖顯示線性馬達之 例，但可使用各種驅動機構取代之，或可手動操作此等。 本發明並不受限於上述實施例，在不脫離其主旨之範 圍内可為各種變更。 【圖式簡單說明】 圖1係說明本發明之補修方法之各步驟之概略圖，圖1 (A)係顯示接受補修之電路基板之補修位置、圖1 (B)係顯示 補修導電材料之堆積步驟、圖！（c)係顯示加熱處理步驟， 於各圖之上#又部以縱剖面圖顯示有接受補修之電路基板， 同下段部顯示有其俯視圖。 圖2係顯示接受補修之電路基板之一例之電氣電路圖。 圖3係概略顯示在本發明使用之加熱氣體產生裝置之 一實施例之圖。 圖4係顯示本發明之配線補修裝置之一實施例之立體 圖。 圖5係於圖4顯示之配線補修裝置之側面圖。 圖6係擴大顯示於圖4顯示之配線補修裝置之要部之 12 201004518 立體圖。 【主要元件符號說明】 10 電路基板 14 配線 20 配線缺損部分 22 加熱氣體產生裝置 22a 被加熱之氣體 24 包含金屬微粒子之補修導電材料 26 供給喷嘴 30 氣體供給裝置 32 氣體加熱裝置 34 加熱器 36 套管 3 8 氣體喷出口 40 補修裝置 44 支撐台 46 可動架 54 底板 13