TW201002135A - Manufacturing method of organic electroluminescence element, organic electroluminescence element and display device - Google Patents

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201002135 川 wipif.doc 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種有機電致發光元件（〇rganic Electr〇-Luminescence Eiement，以下，有時亦稱作有機乱 元件）的製造方法、使用該製造方法而獲得的有機el元 件、以及包含上述有機EL元件的顯示裝置。 【先前技術】 眾所周知，有機EL元件的基本結構中包括第一電極 (陽極或者陰極）、第二電極（陰極或者陽極）、以及設於 =電極間的有機發光層。上述結構中，藉由使失著上述 ^機發光層而相對向的電極間流通電流，而使上述有機發 !：："、外川3俄兀件的顯示裝置中使用顯示面 :揮呈格子狀地配置著分別作為-個像素而 有機a元件。上述顯示面板上，為了確 於該娘圖荦化/使上述第—電極形成為微細的圖案，且 成多狀的隔離™ 形成光阻膜，且利用由在上述第—電極圖案上 (Photolithography) 出第-電極，該區域成為像；離壁包圍之内部中’露 性)=:離材料内添加斥墨性(斥水 選擇性地㈣ 201002135 30991pif.doc 成有機發光層，但有時亦會於此之前 layer) 、曰或兩層以上的有機材料層（中間層 ，inter 發光層的^區，形成膜厚為100 nm等級(order)的有機 二方、、:，、，使用真空蒸鐘（vacuum evaporation )法 故使_ mr _精度且高效地形成層（成膜）， ====:製=:該塗佈液選擇 ，使用上述凸版印刷方法的有機競層的形成方 中揭_ 4例如專利文獻1中揭示的方法。該專利文獻i 方法的特徵在於:形成隔離壁時，向作為隔:壁 面化合物中混人斥墨性物質，從而使隔離壁的表 Ο :=墨性;以及’藉由凸版印刷，在像素區域内向Ϊ _ W離壁劃分成的像素區域選擇性地塗佈有機發光 碑的塗佈液，從而形成有機發光層。 Λ 獲得3:331中的有機發光層的形成方法，可 、浦^由使隔離壁具有斥'紐，可藉由將有機材料油黑（带 :雨油墨）統—塗佈於基板整個面上而形；； =形成的錢材料層（料敝獻4為朗傳發 ^即便於包括隔離壁表面在内的基板整個 " 塗佈電洞傳輸油墨，塗佈於隔離壁表面上的電洞傳= 5 201002135 jV 77 jpif.doc 仍然會被隔離壁表面排斥而流入各像素區域内，從而 離壁表面成為露出狀態。因此，當藉由凸版印刷，將用二 形成在電洞傳輸層形成後所形成的有機發光層的有機發光 油墨塗佈於像素區域時，即便有機發光油墨塗佈於隔離辟 上，亦會文到斥墨性的隔離壁表面的排彳，因在匕能防止 接像素區域間的有機發光材料的混色。 專利文獻1 :日本專利特開2006_286243號公報 如專利文獻1中所述，於表面經斥墨性的隔離壁劃分 ^像素區域，利用凸版印刷法來塗佈有機發光油墨而形 機發光層的方法’能夠高效地製造有機EL元件，但 、及過本發明者等人的研究可知，尚存在以下欲解決的問題: 给亦即，例如當藉由凸版印刷將有機發光油墨選擇性地 有時時，於像素區域的周緣及像素區域内 ^^ 、為毛光油墨，從而產生未塗佈有機發光油墨 来二主^無法對所有像素區*塗佈有機發光油墨，且發 =像素區域的面積實際上成為設置值以下。有時，上述 良的已存在的像素的發光量會達到設置值以下，且 質明=况亦會無法發光。結果，會產生發光不均，發光品 只明顯下降。 【發明内容】 提供ί發!!疋11於上述先前的情況而研製的，其課題在於 件的制不產生膜缺損而形成有機發光層的有機el元 以》方法、使用該製造方法而獲得的有機EL元件、 及包含上述有機EL元件的顯示裝置。 201002135 30991pif.doc 決上述課題，本發明提供一種採用下述構成 幾EL 70件的製造方法、使用該製造方法而獲得的有、 兀件、以及包含上述有機EL元件的顯示裝置。 一 _[]一種有機電致發光元件的製造方法，該有機電致 光7G件是在基板上至少積層陰極、陽極、以及位於 ^ 極與陽極之間的有機發光層而形成，該有機電致發光元^ 的製造^法中包括以下步驟：有機發光層形成步驟，於包 圍形成著像素的像素區域而設置的隔離壁内，塗佈包含有 機發光材料的油墨，從而形成有機發光層；以及表面處理 步驟，於該有機發光層形成步驟之前，自隔離壁的設置側 起，使用有機溶劑來對基板表面進行處理。 、[2]如上述[1]中所述之有機電致發光元件的製造方 法，其中上述表面處理步驟中，自隔離壁的設置側起，使 有機溶劑接觸於基板表面。 、[3]如上述Ρ]中所述之有機電致發光元件的製造方

法，其中上述表面處理步驟中，利用旋轉塗佈法（邛匕 coating)，自隔離壁的設置侧起，使有機溶劑接觸於基板表 面。 [4] 如上述[2]或者[3]中所述之有機電致發光元件的製 迈方法，其中於上述表面處理步驟中使有機溶劑接觸於表 面之後，使該有機溶劑乾燥。 [5] 如上述[1]〜[4]中的任一項所述之有機電致發光元 件的製造方法，其中上述有機溶劑是一種或者兩種或兩種 以上的油墨用溶劑。 7 201002135 ipif.doc [6] 如上述[i]〜[5]中任一項所述之有機電致發 的製造方法，其甲上述有機溶劑是—種或者兩種^ “几件 上的上述有機發光材料用溶劑。 兩種以 [7] 如上述[5]或者[6]中所述之有機電致發光 造方法，其中上述有機溶劑是苯甲醚。 的製 m如上述[1]〜[7]中任一項所述之有機電致 的製造方法，其中上述有機發光層形成步驟中，^ *兀件 法，於上述隔離壁内塗佈包含有機發光材料的油用印刷 [9] 如上述[8]中所述之有機電致發^件的制 法，其中上述印刷法是柔版印刷法。 衣造方 [10] 如上述[1]〜[9]中任一項所述之有機電 Λ Ϊ1 件的製造方法，其包括巾間層形成步驟，於 《光 步驟之前，在上述像素區域形成有機材料層。表面處 [11] 一種有機電致發光^件，其是使用上 中任-項所述之有機電致發光元件的製造方法_]:[10 [12] 一種顯不裝置’其包含上述 ；：。 發光元件。 《有機電契 [發明之效果] 德£L元件的製造方法中，在隔離壁内塗 材料的油墨(以下，有時稱作有機發光ί ^ …有機溶劑來對該有機發光油墨所塗佈的表 涂说使斥墨性得到緩和，故而當向像素區綠 、:莫古由墨時的塗佈性得到改善’從而獲得可大枵 ?彳4、〜由墨的塗佈不良的效果。因此，根據本發明 201002135 30991pif.doc 可獲传發光面上的發光不均減士 EL元件及顯示裝置。 、x光特性優良的有機 【實施方式】斤附圖式作詳細說明如下。 而形成，該::: 於包圍形成著像素的像素形成步驟， 二=光材料的油墨，從而形成有機内以= 置側起，使用有機溶劑來對基處】隔細 以下，對以本發明方法作為對象 構進行制，錢，縣發 凡件的結 ij 進行更詳細的說明。*月之有機el兀件的製造方法 (基板） 機4=:==，、形成有 ，，板、將上述_層:=;等塑 '高分子料麵錢水域理㈣的基板。 处土板可使用市售的基板’亦可按照公知的方法製造。 (電極及發光層） < 有機EL元件是至少由陽極、陰極、及位於上述陽極 201002135 juyyjpif.doc 發光層積層而成。另外，至少陽極及陰 、方疋由具有透光性的透明電極所構成。上述發 光層中使用低分子及/或高分子的有機發光材= 有機L元件巾，亦可於陽極與陰極之間設置多個發 光^ ’或亦可設置發光層以外的層。以下，有時將設於^ 層稱作陰極側中間層，將設於陽極與發 先層之間的層稱作陽極側中間層。 設於陽極與發光層之間的陽極側 ^層、電_輸層、電子阻騎（deetM(^；^ 亡，洞注入層是具有改善來自陰極的電洞注入效率 二亂、層’上述電洞傳輸層是指具有改善來自電洞注入 二或^離陽極更近的層（電洞傳輸層）的電洞注入的功 =二另外’當電洞注人層或者電洞傳輸層具有阻止傳 ^子的功能時，有時會將該些層稱作電子阻擋層。者且 有阻止電子傳輸的功能時’例如可製作僅流通電子電^的 元件，根據該電流值的減少來確認阻止的效果。 、设於陰極與發光層之間的陰極側申間層，可列舉電子 注入層、電子傳輸層、電洞阻擋層等。 上逑電子注入層是具有改善來自陰極的電子注入 =功能的層，上述電子傳輸層是指具妓善來自電子注入 層或者距離陰極更近的層（電子傳輸層）的電子注入的功 ^外，#f子注人層或電子赌層射阻止傳輸 罨洞的功能時，有時會將該些層稱作電洞阻擋層。當具有 10 201002135 30991pif.doc 阻止電洞傳輸的功能時，例如可製作僅流通電洞電流㈤^ current)的元件’根據該電流值的減少來確認阻止的效果。 列兴設於陽極與陰極之間的各層的積層構成’可 光層之間設置電洞傳輪層的構成、於陰 之;” 設置電子傳輸層的構成、於陰極與發光層

C 於陽極與發光層之間設置電洞傳輸 ^ 具體而言可列舉以下a)〜d)的積層 a) 陽極/發光層/陰極 b) 陽極/電洞傳輸層/發光層/陰極 c) 陽極/發光層/電子傳輪層/陰極 d) 陽極/電洞傳輸層/發光層/電子傳輪層/陰極 卜十表示各層相鄰接地積層。以下相同。） 層，層是指具有發光功能的 欠電子傳輸層可分別獨立地使㈣層H、電祠傳輪 =電極相轉岭㈣荷傳巾，有^另外， 的效果的―扁认文丰的功月匕、具有降低元件的驅動带懕 電荷！錄性或改善來自電極的 而。,極相鄰接地設置上述電荷注入層或者的 201002135 iuyv ipif.doc 厚小於等於2 nm的絕緣層，另外亦可為了提高界面的密 著，或防止混合等，而於電荷傳輸層或發光層的界面插入 較薄的緩衝層（buffer layer)。關於層的積層順序、數量以 ，各層的厚度，可考慮到發光效率及元件壽命而適當地設 定。 另外，設置著電荷注入層（電子注入層、電洞注入層） =有機EL ^件’可列舉與陰極相鄰接而設置著電荷注曰入 j有機；EL元件、與陽極相鄰接而設置著的電荷注入層 的：：EL元件。例如，具體而言可列舉以下 的結構。 乂 P/ e)陽極/電荷注入層/發光層/陰極 〇陽極/發光層/電荷注入層/陰極 注入層/發光層/電荷注入層/陰極 )=/电何注入層/電洞傳輸層/發光層/陰極 =極/電洞傳輸層/發光層/電荷注 J) 1¼極/電荷注入層/電 衣柽 陰極 电洞傳輪層/發光層/電荷注入層/ k)陽極/電荷注入層 。陽極，發先狗子 m)陽極/電荷.、主入注入層/陰極 陰極 何入層/發光層/電子傳輸層/電荷注入層/ η)陽極/電并、、± 陰極 / 9電洞傳輪層/發光層/電荷傳輸層/ 〇)陽極/電 祠傳輸層/發光層/ 電子傳輸層/電荷注入層 12 201002135 30yyipif.doc 陰極 電荷L)入爾嶋層_/f子傳輪層/ (陽極） =陽極中，例如透明電極或者半透明電 ;率；局的金屬氧化物、金屬硫化物或金屬的薄膜= 使用透過率較而的溥膜’且可根據 地選擇使用。具體而言，可使用例如氧化銦、適： 化錫、銦錫氧化物㈤ium Tin 0xide:簡稱為 鋅氧化物αη-m Zinc 0xide :簡稱為助)、金、鈾:銦 及銅等的薄膜，其中，較好的是ITO、IZ0、氧化錫。 〜另外，該陽極可使用例如聚苯胺（p〇lyaniline ϋ 何生物、料吩（p〇lythiGphene)或其衍生物等的搂ς 明，電膜。此外，亦可將由含有如下材料的混合物戶^ = 的薄膜用於陽極巾，上述材料是選自上述有機透明 中使用的材料、金屬氧化物、金屬硫化物、 米管（Carb〇n_她）等碳材料所組成的族群中^奈 一種或一種以上。 歼甲的至少 進而’該陽極中亦可使用能反射光的材 好的是功函數大於等於3·〇 eV的金屬、金屬氧化^、=交 硫化物。 主屬 陽極的製作方法可列舉例如真空蒸鍍法 一法、離子電鍍（麵麵以、錢（ρΐ=) 13 201002135 ipif.doc 擇，厚可考翻光的魏性及導”而適當地選 擇q如為5_〜1〇 #m，較好的是1〇 好的是20nm〜500nm。 更 (陽極側中間層） 雷m於上述陽極與發光層之間，視需要而積層 電洞注入層、電洞傳輸層等陽極側中間層。 (電洞注入層） ，洞注人層亦可如上所述，設於陽極與電洞傳輸層之 ，、或者陽極與發光層之間。電敝人層的形成材料可適 虽地使用公知的材料，並無特別限制。例如可列舉.苯美 胺（phenylamine)系、星爆狀胺（starburstamine)系、ς 化青（phthalocyanine)系、腙（hydraz〇ne)衍生物、咔唑 (carbazole)衍生物、三唑（triaz〇I〇衍生物、咪唑 Umidazoie)衍生物、具有胺基的噁二唑（〇xadiaz〇ie)衍 生物、氧化飢、氧化叙、氧化鎮、氧化翻、氧化对、氧化 鋁等氧化物、非晶形碳（amorphous carb〇n)、聚苯胺、 噻吩衍生物等。 ^ 另外，上述電洞注入層的厚度較好的是5 nm〜3〇〇 nm 左右。當此厚度小於5 nm時，則有難以製造的傾向·，另 -方面’當此厚度超過300 _時，則有驅動電壓及施加 於電洞注入層的電壓增大的傾向。 (電洞傳輸層） 電洞傳輸層的構成材料並無特別限制，例如 N，N’-二苯基-NM-二（3_甲基笨基）4 4，_ 』牛. 尽丞）4,4 _ —胺基聯苯 14 201002135 30991pif.doc (N,N,-diphenyl-N,N'-di(3-methylphenyl)4,4'-diaminobiphen yl，TPD )、4,4’-雙[N-(l-萘基）善苯基胺基]聯苯 (4,4’-bis[N，（l-naphthyl)-N"phenylaniino]biphenyl，NPB) 等芳香族胺衍生物、聚乙烯咔唑或其衍生物、聚矽烷或其 衍生物、側鏈或主鏈上具有芳香族胺的聚矽氧烷衍生物、 吡唑啉（pymzoline)衍生物、芳胺（arylamine)衍生物、 均二苯乙烯（stilbene )衍生物、三笨基二胺 (triphenyldiamine)衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩 或其衍生物、聚芳胺或其衍生物、聚轉（⑽脈油） 或其衍生物、聚對苯乙炔或其衍生物、或者聚(a嗟吩乙 块）（poly(2,5-thieny〗enevinylene))或其衍生物等。 =材料中’電洞傳輸層中使用的電洞傳輪材料，較 其衍生物、魏或其衍生物、側鏈 =鏈上具有方f顧化合物基_抑氧 聚嗟吩或其衍生物、聚芳胺或其衍生2 1對本乙炔或其衍生物、或者聚(2,5_噻吩乙 初 等高分子電洞傳輸材料，更好的是聚乙丄5 ?何物 物、聚石夕烧或其衍生物、側生 疋分散於高分子黏合劑（binder)中而使用。叫車乂好的 目的度並無特別限制，可根據所需的” :的而適當變更，較好的是1 _〜亡：而的叹5十 度小於上述下限值，則有難以製造右。若該厚 電洞傳輸效果等傾向；另—方面，若獲得充分的 〜厗度超過上述上限 201002135 3Uyyipif.doc 值，則有驅動電壓及施加於電洞傳輸層的電壓增大的傾 向。因此，電洞傳輸層的厚度如上所述，較好的是1 nm〜 lOOOnm’更好的是2nm〜5〇〇麵，進而更好的是〜 200 nm。 (有機發光層） 有機發光層通常主要含有發出螢光或者磷光的有機物 (低分子化合物及高分子化合物）。此外，亦可更含有摻雜 (dopant)材料。本發明中使用的有機發光層的形成材料， 例如可列舉以下的色素系材料、金屬錯合物系材料、高分 子糸材料、及推雜材料等。 上述色素系材料，例如可列舉：曱環戊丙胺 (cyclopentamine )衍生物、四苯基 丁二烯（tetraphenyl butadiene)衍生物化合物、三笨基胺衍生物、噁二唑衍生 物、°比'"坐幷喧琳（Pyrazoloquinoline)衍生物、二苯乙烯基 苯（distyryl benzene )衍生物、二苯乙烯基芳烴 (distyrylarylene)衍生物、喹·〇丫π定酮（qUinacrid〇ne)衍生 物、香豆素（coumarin)衍生物、吡咯（Pyrr〇le)衍生物、 噻吩環（thiophene ring)化合物、吡啶環（pyridine Hng) 化合物、紫環酮（perinone)衍生物、茈（peryiene)衍生 物、寡聚嗟吩（oligothiophene )衍生物、噁二唑二聚物 (oxadiazole dimer )、吡唑啉二聚物（pyraz〇iine dimer )等。 上述金屬錯合物系材料，例如可列舉：銥錯合物、鉑 錯合物荨具有自二重激發態（triplet excited state)之發光 的金屬錯合物、經基σ奎嚇呂（alumiquinolinol)錯合物、經 16 201002135 30991pif.doc 基笨并喹啉鈹（benzoquinolinol beryllium)錯合物、笨并 噁唑鋅錯合物、苯并噻唑鋅錯合物、偶氮甲基鋅錯合物、 :卜啉辞（porphyrin zinc)錯合物、銪錯合物等金屬錯合物 等，該些金屬錯合物的中心金屬為AhZn'Be等或者Tb、 jj、Dy等稀土類金屬、而配位基上具有噁二唑、噻二唑、 笨基吼啶、苯基苯并咪唑、喹啉（quin〇line)結構等。

^上述而分子系材料，例如可列舉：聚對苯乙炔衍生物、 聚售吩衍生物、料苯衍生物、聚魏衍生物、聚乙块街 生物、聚$ (polyfhK^ene)衍生物、聚乙烯十坐衍生物、 iiSi體或金屬錯合物系發光材料予以高分子化後所得 =述有機發光層形成材料巾發出藍色光的㈣，例如 二本乙烯絲烴魅物H衍生物、及盆等 中聚生物、聚對苯衍生物、聚料生 物、聚對材料的聚乙輪衍生 料，：:可歹有? f ί層形成材料中發出綠色光的材 較好的是屬於生物、«衍生物等。其中， 物等。胁㈣子材料的聚對苯乙块衍生物、料衍生 如可列舉：香二：：成材料t發出紅色光的材料，例 物、聚#t '、/T 、噻吩環化合物、及其等的聚人 對本乙块衍生物、㈣吩衍生物、«衍生 17 201002135 jvyy ipif.doc 其中，較好的是屬於高分子材料的聚對笨乙

噻吩衍生物、聚芴衍生物等。 物I 、，上述有機發光層中，亦可為了提高發光效率或改變直 發光波長等目的而添加雜劑。上述掺_例如可列兴？ 苑衍生物、香豆素料物、紅㈣（mb咖）衍生物:啥 吖B疋酮衍生物、角鯊烯鏽（squamium)衍生物、卟啉衍生 物、苯乙稀系色素、祠四苯（tetracene)衍生物“比唾琳 酮（pyrazolone)衍生物、十環烯（decacyclene)、吩噁嗪 酮(phenoxazone)等。 … 此外’上述有機發光層的厚度通常為2 nm〜2〇〇 nm。 (陰極側中間層） 如上所述，於上述發光層與後述的陰極之間，視需要 而積層電子注入層、電子傳輸層等陰極側中間層。 (電子傳輸層） 電子傳輸層的形成材料可使用公知的材料，例如可列 舉· °惡一嗤衍生物、蒽職二甲烧（anthraqUino dimethane) 或其衍生物、苯艇（benzoquinone )或其衍生物、萘酸 (naphthoquinone)或其衍生物‘、蒽醌（anthraquin〇ne)或 其衍生物、四氰基蒽醌二曱烷（tetracyano anthraquinodimethane)或其衍生物、芴酮（fluorenone)衍 生物、二苯基二氰乙晞（diphenyl dicyanoethylene)或其衍 生物、聯笨S昆（diphenoquinone)衍生物、或者8-經基喧 嚇或其衍生物的金屬錯合物、聚啥琳或其衍生物、聚嗜鳴 啉（polyquinoxaline)或其衍生物、聚芴或其衍生物等。 18 201002135 30991pif.doc 亡述材料中，較好的是噁二唑衍生物、苯醌或其衍生 物、恩醌或其衍生物、或者8_羥基喹啉或其衍生物的金屬 錯合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹噁啉或其衍生物、聚芴 或其衍生物，更好的是2_(4_聯苯基)_5_(4_第三丁基苯 基）惡二嗤、苯I昆、蒽酿、三(8_經基喧琳)紹、聚喹 琳。 (電子注入層） Γ c. 、電子庄入層如上所述，設於電子傳輸層與陰極之間、 或者發光層與陰極之間。電子注人層例如根據發光層的種 類，可列舉：鹼金屬或鹼土金屬，或者含有一種或一種以 亡，上迷金屬的合金，或者上述金屬的氧化物、i化物及 石反氧化物，或者上述物質的混合物等。 可述驗金屬或者其氧化物、_化物、竣氧化物的例子， :鋰、鈉、鉀、铷、鉋、氧化鋰、氟化鋰、氧化鈉、 化雜、^化鉀、氟化钾、氧祕、氟修、氧化铯、氟 化鉋、；5反酸鐘等。 子，ΐ:土ί屬:戈者其氧化物、*化物、竣氧化物的例 氟化鈣 鋇、鋰、氧化鎂、氟化鎂、氧化鈣、 虱化鋇、鼠化鋇、氧化锶、氟化鏍、碳酸鎂等。 化合物、及*麻/ U乳化物、金屬鹽的有機金屬 ^ 有機金屬錯合物化合物、或者其等的π人物·^ 可用作電子注入層的材料。 有/、寺的-合物亦 積層結可具有由兩層或兩層以上積層而成的 ，、肢而s ’可列舉Li/Ca#。該電子注入層可 19 1002135

Mjyyipif.doc 訪币工: 法寻而形成， 該电子注入層的膜厚較好 (陰極） 疋lm^ ν ^ ^ β m 左右。 陰極的材料較好的是功函數小〜 電子的材料及/鱗電率較高的材=切發光層注入 尚的材料。上述陰極材料， 或可見光反射率較 氧化物、合金、石墨(卿咖體金屬、金屬 化辞（ZnO)等的無機半導體等。 墨層間化合物、氧 上述金屬，例如可列舉：鹼 屬或7L素週期表第13族金屬等 '。該二八土金屬、過渡金 舉：鋰、納、鉀、撕、鎚、鈹、鎂、^一屬的具體例可列 鉑、銅、錳、鈦、鈷、鎳、鎢、锡、：:鋇、金、銀、 銦、錦、釤、销、錢、鎮等。 、几、執、鋅、在乙、 人另外，合金例如可列舉含有至少 i。上述合金，具體而言可 上述金屬的合 合金、銦-银合金、鐘-銘合金、、:合:八、鎂-銦合金、 金、鈣-鋁合金等。 鎮合金、鋰-銦合 陰極可視需要而設為透明電極 極的材料例如可列舉：氧化銦 ，極，上述電 等導電性氧化物；聚苯胺或其彳;^鋅、^ 等的導電性有機物。 、 水塞力或其衍生物 此外，亦可將陰極設為 另外，有時亦將雷λ s '次兩層以上的積層結構。 丁』肝電子注入層用作陰極。 陰極的膜厚可考慮到導電率及耐久性而適當選擇，例 201002135 30991pif.doc 如為10 nm〜10 // m，較好的是20 mn〜1 // m，更好的 是 50 nm〜500 nm。 (上部密封膜） 當以上述方法形成陰極之後，為了保護具有陽極_發光 層-陰極的基本結構的發光功能部，而形成用於將該發光功 能部密封的上部密封膜。該上部密封膜通常具有至少一個 無機層及至少一個有機層。積層數可視需要而決定，基本 上是無機層與有機層交替積層。 此外，即便發光功能部被基板及上部密封膜包覆，與 破螭基板相比，塑膠基板的氣體及液體的透過性亦更高， =及有機發光層等的發光物質更易氧化，且接觸水後更容 劣化，因此當使用塑膠基板作為上述基板時，於塑膠基 上積層對氣體及液體的阻擋性較高的下部密封 节二然後，再於該下部㈣膜之上積層上述發光功能部。

CJ =常是以與上述上部密封膜相同的構成、相 [有機EL元件的製造方法] 細的=:對本發明之有機扯元件的製造方法進行更詳 (陽極形成步驟） 體及任—種基板材料形成的基板。當使用氣 形成下部密賴。 板時，視需要而於基板上 接著，於備好的基板上，使用上述的任一種陽極材料 21 201002135 3uvyipif.doc 來對陽極形賴案。當將挪極 述，使用ΠΌ、KO、氧化缚、氧 如上所 K匕物等的透明電極材料。電極::、鋅銘複 述’㈣ΐί〇、ιζο、氧化缚、氧化鋅、氧化銦ςς: 合氧化物等的透明電極材料。電 、，鋅鋁稷 m>的情形時，利㈣鑛法於成例如於使用 然後利用光微影技術將其形成i線（如狀勾圈的安堆積膜， (隔離壁形成步驟） ^狀圖木。 當線狀陽極形成之後，於形 光性材料且積層光阻膜。銬後， 、土板上塗佈感 膜形成格子狀圖案，從而形成缝=光微影技術將該光阻 隔離壁所覆蓋的矩形狀區域成傻=離壁。該袼子狀的 露出上述形成圖案的陽極。’、’、’、區域，該像素區域内 形成上述絕緣性隔離壁的 正型光阻劑、負型光阻劑中的任1 4光性材料，可使用 有絕緣性，當不具有絕緣性時 °t隔離壁重要的是具 的像素間流通電流*產生顯示不良會導致於相互不同 構成該隔離壁的感光性 ^° 聚亞胺系、_酸樹脂系：體而/，例如可列舉： 化合物。此外，為了提高有機树脂系的各感光性 光性:料中亦可含有表現出遮光性:材：顯示品質，該感 為了使該絕緣性隔離壁的表面呈右^ 離壁形成用感光性材料中添加斥黑性2墨性’亦可向隔 :成絕緣性隔離壁之後，於。或者，亦可於 使隔離壁表面具有斥墨性。該=^斥_物質，藉此 間層用的油墨、及有 土生較好的是對後述 及有機發切用的油墨均具有排=之中 201002135 30991pif.doc ，上述感光性材料巾添加斥墨性物料使用的斥墨性 勿’可使用例如矽氧系化合物或者含氟化合物。該些 對後述之有機發光層形成時所使用的有機發 、及麟㈣傳輸料㈣層的有機材料 土（塗佈液）兩者均表現出斥墨性，故而較好。 的方^隔離壁形成之後於隔離壁的表面上形成斥墨性被膜 Ο ο 隔離辟=如可列舉：將含有斥墨性成分的塗佈液塗佈於 基以的方法、藉由將隔離壁表面的有機材料的官能 i堆對表面進行改性的方法、使斥墨性成分氣化 Ξ 可列軌氣體用作導入氣體的電装處 體氟^ 等相比，有機物的隔離壁容純CF4氣 墨化處理可藉由電漿處理來選擇性地對隔離壁表面進行斥 物），述絕緣性_感紐材料（光阻組成 親塗佈機 用旋轉塗佈機、棒塗佈機.咖如）、 機她〇、模塗佈機（dieC〇ater)、凹版塗佈

布 k佈膜固化之後，使用慣闲的土似_取U 其形成W需尺寸子狀圖^叫勤技術，將 (陽極侧中間層形成步驟） 理步離壁形成之後，視需要，於後續的表面處 有機材^施中間層形成步驟以於上述像素區域形成 ^，仅而形成上述的電洞傳輸層等的有機材料層 23 201002135 jvyy ip\i.doc (陽極側中間層）。 陽極側中間層的成膜方法並無特別限制，就低八子材 料而言，例如可列舉由與高分子黏合劑的混合溶液而成膜 =:!外，就高分子材料而言，例如可列舉由溶液而 成膝的方法。 由溶液成膜時使用的溶劑只要能溶解上述陽極側中間 層用的材料即可，並無特別限制。上述溶劑例如可列舉. 氯仿、二氣曱烧、二氣乙垸等氣系溶劑n夫喃等醚系 溶劑，曱苯、二曱苯等芳香族烴系溶劑，丙酉同、甲基乙美 酮等酮系溶劑，乙酸乙酯、乙酸丁酯土 土 等I系溶劑。 m曰乙基-纖劑乙酸醋 上述由溶液成膜的方法，例如可列舉：利用溶液的旋 轉塗佈法、洗鑄（casting)法、微凹版塗佈（mi⑽甘謝e coat)法、凹版塗佈法、棒塗佈法、輥塗佈法、線棒塗佈 (wire bar coat)法、浸潰塗佈法、狹縫塗佈（sm c⑽） 法、毛細管塗佈（C_ary coat)法、噴塗（啊”⑽） 法、嘴嘴塗佈（臟也coat)法等塗佈法，及凹版印刷、 網版以謂）印刷法、柔版（flex〇)印刷法、套版（〇f㈣ 印刷法、反轉印刷法、喷墨印刷法等印刷法等的塗佈法。 自容„案的方面考慮，較好的是凹版印刷法、網版 刷法細法。 嶋反轉印概、喷墨印 子黏合劑較好的是不會嚴重阻礙電荷傳 輸的‘合劑’另外，對可見光的吸收並不_黏合劑適宜 24 201002135 30991pif.doc 劑一聚丙 聚氯乙烯、㈣魏等。基丙—_旨、聚苯乙稀、 時，i日法將塗佈液塗佈於基板整個面上 上的塗佈;!上述隔離壁上，但… 入由“=隔:壁的表面排斥，而落 Γ 成為塗佈膜。然後，====: 為中間層，且發揮其功能。 L佈由乾炼而成 (表面處理步驟） 於先前的有機EL元件的製造方法中，如 二:於極侧中間層之後再形成有機發光層，但本 =機下自隔離壁的設置側起’ 成側的基板(以下’有時是指隔離壁的形 驟是藉由自隔離壁的設置側起，使有機 ，雜ί接觸’可並非與基板整個面接觸，較好的是盘 隔離土的形成側的基板整個表面接觸。 有機溶賴基板表面的朗方法，例如可制：於旋 Ξ的滴下有機溶劑而使基板整個面與有機溶劑接 塗佈法；於傾斜的基板上塗佈或嘴敷有機溶劑的 及，在基板浸潰於有齡射之後，提拉出基板 的方去寺。使用上述任—種方法使有機溶劑與基板整個 201002135 -luy;/ipif.doc =、或者隔離壁及像素區域 表面接觸的有機溶劑乾燥，接觸之後，較好的是使與 乾燥方法例如有加燥、’以。使有機溶劑的液滴無殘留。 寺。 '' 二:乾燥、以及鼓風（air blow) 斤使用的有機溶劑較好 的油墨用溶劑，而疋—種或者兩種或兩種以上 兩種以上的後述有：c的是-種或者兩種或 用溶劑的具體例，例如可兴用今劑。上述有機發光材料 甲醚、甲基乙基酮、甲基心：笨、二甲苯、丙酮、苯 的混合溶劑，較好的是苯=基_、環己_，或者其等 此外，利用有機溶劑進 斥墨性會稍微得到緩和，但^处理4，隔離壁表面的 用有機溶__壁_ 損及斥墨性。亦即，利 塗佈著有機發絲墨時，之後，即使當隔離壁上 機發光油墨的性能， ^及該隔_上的排斥有 / . M 1重具有必要的斥墨性。 (有機發光層形成步驟） 成牛=上ί表面處理步驟結束之後，實施錢發光声的來 定地八#用门刀子么光材料時，使高分子材料溶解戋者浐 疋地刀散於溶射而製财 光油墨）。溶料 光㈣时麵（有機發 舉：甲I解或者77散該有機發光材料的溶劑，例如可列 二甲苯、丙，、苯甲醚、甲基乙基酮、甲基1 土 ％己酮等的单獨溶劑或者其等的混合溶劑。其中， 201002135 30991pif.doc 甲笨、二曱苯、苯曱醚等芳香族有機溶劑對有機發光材 具有良好的溶解性’故練好。料，錢發光材料的油 墨中’亦可視需要而添加界面活性劑、抗氧化劑、點声 節劑、紫外線吸收劑等。 η 作為將含有機發光材料的塗佈液（有機發光油黑）汾 佈於上述隔離壁内的方法’當有機BL元件為照明裳$ 所使用的單色發光時，亦可不考慮選擇性塗佈，故_ 用旋轉塗佈法、洗鑄法、微凹版塗伟法、凹版塗佈法、棒 ^佈法、輥塗佈法、線棒塗佈法、浸潰塗佈法、狹縫^ Ϊ㈣tr官塗佈法、喷塗法、嘴嘴塗佈法等塗佈法。而 田有機EL兀件為彩色顯示裝置中所使用的 像t區域選擇性地塗佈規定的有機發光A而 法Ϊ選擇性塗佈中，例如可使用凹版印刷法、 印刷法、套版印刷法、反轉印刷法、喷 法。該些印刷法中’為了能更準確地於隔 ^ t有機發光油墨，較好的是噴墨印刷法、柔版印 刷法’特別好的是柔版印刷法。 术 當使用上述任一種方法於隔離 時，於先前的方法中，有時在斤w : f佈有機發先油墨 ==層的表面上塗佈液受到排斥，從而使塗 成步驟之前使本發明中’因於有機發光層形 得到適度緩和而防止S :表:f理步驟，故而斥墨性 置值相符的整個像“ ^錢發光H塗佈於與設 们像素£域，攸而於整個像素區域上形成塗 27 201002135 ipif.doc 、 述方式未產生塗佈不均而形成， 機發光塗膜，視需要經過乾燥步驟而：為或的有 發揮其功能。 而成為有機發光層，且 (陰極側中間層形成步驟） 層或電子:視需要而形成電子傳輸 無：===::!輸r形時並 士认古+- 针而自，可例示利用絡 、/、工瘵鍍法、或者由溶液或熔融狀態而成膜的 而就馬分子電子傳輸材料而言，可例示由溶液·熔乞大 =成:膜的方法。當由溶液或纽融狀態成^者== 用μ子黏合劑。由溶㈣成電子傳輸層的成膜方法可使 用與上述由溶㈣成電洞傳輸層的成財法相同的成膜 法0 、 另外，於電子注入層的情形時，可使用例如蒸鍍法、 濺鍵法、印刷法等而形成。 (陰極形成步驟） 陰極是使用上述的任一種材料’利用例如真空蒸鍍 法、濺鑛:法、化學氣相沈積（Chemical Vapor Deposition， CVD)法、離子電鍍法、雷射剝蝕法〇aser ablati〇n)法、 以及對金屬薄膜進行壓接的層壓（laminate)法等而形成。 如上所述’當陰極形成之後，為保護具有陽極-發光層 -陰極的基本結構的發光功能部，而形成上部密封膜。該上 部密封膜視需要而由至少一個無機層及至少一個有機層構 28 201002135 30991pif.doc 成。該些層_層數可㈣要而決定，縣 有機層交替積層。 ' 本實施形態中的有機EL元件，可用作面狀光源、段 式喊=裝置（segment display device)及點矩陣（d〇t _&) 顯不裝置的光源、以及液晶顯示裝置的背光源（㈣ light)。 ，口 Ϊ將本實施形_有機EL树用作面狀統時，例 :::以自積層方向的-方觀察時面狀的陽極與陰極重疊 的方式配置即可。 另外，為了構成呈圖案狀發光的有機EL元件來 Ϊΐί頁^置的光源’例如有：於上述面狀光源的表面^ 汉置形成讀光穿蘭圖案㈣σ的光罩的方法 滅部位的有機物層形成得極厚 卜丄二π 法、將陽極及陰極中的至少任―不發光的方 法。利用該些方法㈣任-财、、^^：成為_狀的方 嫵EL开杜去形成王圖案狀發光的有 Ο "^對若干電極選擇性地施加電壓的方 式進仃配線，藉此’絲實财〜 號等的段式顯示裝置。為了將上 早付 陣顯示裝置的光源，例如只要將陽極:陰==矩 紋(咖pe)狀，且以自積層方；;箄成為條 交的方式配置即可。 万硯祭知其專相互正 此外，為了貫現能進行A八~ (multi-color)顯示的點矩陣_刀衫色顯示、多色 分塗佈發光色不同❹種發光材Ί例如只要採用區 丁叶的方法、以及使用彩色 29 201002135 juyvipif.doc 濾-光片（color filter)以及螢光轉換滤光片等的方法即可。 點矩陣顯示裝置可為被動（passive)驅動，亦可與薄膜電 晶體（Thin Film Transistor，TFT)等組合而主動（ active) 驅動。 上述顯示裝置可用作電腦（computer )、電視 (television )、移動終端、行動電話、汽車導航（car navigation )、攝像機（video camera )的取景器（view finder) 等的顯示裝置。 進而，上述面狀光源是較薄的自發光型光源，可用作 液晶顯示裝置的背光源、或者面狀的照明用光源。另外， 亦可藉由使用可撓性（flexible)基板而用作曲面狀的光源 或顯示裝置。 實施例 以下，對本發明的實施例進行說明，但以下所述的實 施例僅是用於對本發明進行說明的較佳例示，並非對太1 明進行限定。 、^ (實施例） 以下所述的實施例中，是以具有設置電洞注 陽極中間層而未碰極中間層的積層結構的 日作為 作為對象而來實施。本發明的特徵在於具有 凡件 來對隔離壁的形成_基板表面進行表面處^機溶劑 此’本發明亦同樣剌於除以下實施例所示 因 外的其他所有種類的積層結構的有機EL 、g、，、。構以 同樣的作用效果。 且能獲得 201002135 30991pif.doc (基板的準備及陽極的形成） 首先，於 200麵（縱）x200mm (橫）x0.7mm (厚） 的透明玻璃板上形成ΓΓΟ薄膜，進而進行圖案化處理，從 而形成條紋狀的陽極。陽極的重複間隔（間距）為8〇以 m，陽極（線）的寬度為7〇 ，相對於此，陽極間的間 隔（間隙）為10 (線/間隙=7〇轉㈤”）。自基 板的厚度方向的一方觀察時形成著像素的像素區域，於沿

一個方向延伸的IT0薄膜上沿著上述一個方向且隔著規定 的間隔而設置成島狀。 (隔離壁的形成） 接著，於上述基板的整個面上，使用旋轉塗佈法塗佈 正型光阻（東不應化工業（股）製造，商品名「〇FpR_8〇〇」）， 使該塗膜乾燥後，形成膜厚為丨的光阻層。 然後，將設計成對除了自基板的厚度方向的一方觀察 時形成著像素的像素區域m卜的區域祕紫外線的光罩’，、 此光罩配置於上述光阻層之上’使用對準曝光機 (Alignment ExP〇sure Machine)(大日本網屏製造公司製 造，商品名「MA13GG」）且經由上述光罩而向上述光阻= 照射紫外線（曝光步驟）。 θ 光部（顯影步驟） 繼上述曝光步驟之後，使用光阻顯影液（東京應化工 股ίΐ造:商品名「獅-3」)，除去上述光阻層的曝 接著，將上述玻璃基板置於加熱板（h〇t plate) 23CTC加誠理丨小時，使上義影後的光阻層完全加熱固 31 201002135 3 uyyipif.doc 化（熱固化步驟）。 —藉由上述-系列的光微影步驟而形成包圍像素區域的 隔離壁（有機絕緣層）’於該隔離壁内部露出陽極。所得的 隔離壁線的寬度尺寸為2G ，高度尺寸為2 _。另 外，各像素區域是60 //mxiso以爪的矩形。 然後’採用使帛cf4氣體的真空電漿裝置（SAMC〇 International Inc·製造，商品名「RIE_2〇〇L」），對隔離辟進 行斥墨化處理。 t (陽極側中間層的形成） 接著，使用0.2 _的薄膜過濾器（membrane filter)， 對聚(3,4-二氧乙基噻吩)/聚苯乙烯磺酸（Bayer公司萝造， 商品名、「Β_〇ηΡ AI4083」）的懸浮液進行過濾。利用喷 嘴塗佈法賴過濾液塗佈於上述像素區域。接著，將該涂 佈層以加熱處理2Q分鐘’從而形成厚度為6〇二二 電洞注入層。 (利用溶劑來對隔離壁側的基板表面進行的處理） 接著，於上述基板上連續滴下總量為30 的苯甲 醚’利用旋轉塗佈法使苯㈣接觸於基板上的整個表面（塗 佈）。然後進行約30分鐘的鼓風處S，藉此使基板乾燥。 (有機發光層的形成） 制^作為有機發光材料的高分子發光材料（Sumation公 司Ik ’商品名「RP158」）溶解㈣苯甲曝環己基苯以 1 二的重量比混合而成的混合溶射，從而製成有機發光 油土、（㈣子發光材料的濃度：1重量百分比）。利用柔版 32 201002135 30991pif.doc :==:墨(黏度:28cp)塗佈於已使用 乾二面處理後的絕緣性隔離壁内。使該塗膜 ί 形成厚度為6Gnm的有機發光層。此 發光、由u 的表面處理結束直至開始印刷有機 發先油墨為止的時間約為30分鐘。 用光尸成Γ像Γ域的有機發光層的狀態，利

88 ^ Γ〇^ 」物鏡L率：50倍）進行觀察，可確認：並 光油墨被隔離壁以及陽極側中 ”，、發 層成膜於整個綱Γ層·跡，有機發光 (陰極的形成） 接著’於上述有機發光層之上，卩⑽λ ===成具有底部發光(b- 一)結 發述方法轉得的有機a元件發光時，整個 發先面的發光強度都均勻。 (比較例） ==，除了不實施上述實施例中的於形成有機 W灣之刚的（利用溶觸隔離壁側的基板表面進行的處 理以外，以與貫施例相同的方法來製造有機£1元件。 有機發光層形叙後，立即制光賴微鏡（尼康 ^限公司製造，商品名「〇ptiph〇t⑶」，物鏡倍率：知 "對形成於各像素區域内的有機發光層的狀態進行觀 201002135 juvyjpif.doc 察，可確認：因有機發光油墨被隔離壁及陽極侧中間層表 面排斥，故而自基板的厚度方向的一方觀察時，可看到分 散有存在缺損部分的像素區域，所謂缺損部分是指隔離壁 内未形成有機發光層的區域。 當使以上述方式而獲得的有機EL元件發光時，發光 面上會產生發光不均。 [產業上之可利用性] 如上所述，本發明之有機EL元件的製造方法，無須 使有機發光層的形成面積小於設置值便可製造出有機EL 元件。藉由使用本發明之有機EL元件的製造方法，可獲 得發光特性優良的有機EL元件及顯示裝置。 雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定 本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離 本發明之精神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，故本 發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 益。 【主要元件符號說明】 無0 34

Claims (1)

1. 201002135 3uyyipif.doc 七 申請專利範圍： 光元二Γ基:!=:=法’該有機電致發 與陽極之間的有機* &位於上述陰極 製造方法中包=:心成，該有機電致發光元件的 而層形成步驟，於包圍形成著像素的像素區域 形成 内以r包含有機發光材料的油墨，從而 離壁驟：該有機發光層形成步驟之前，自隔 2 ΓίΓί吏时齡劑來縣縣面進行處理。 製造方圍第1項所述之有機電致發光元件的 去，其中上述表面處理步驟中，自隔離辟的抓罟 起’使有機溶_觸於基板表面。又置側 製造3方:第面述之有機電致發光_ 起，利用祕處步财，自隔雜的設置側 使錢溶劑_於基板表面。 製造方法，其中於上機光元件的 於表面之後，使財機溶劑錢。驟巾’使有機溶劑接觸 製造方法申1項所述之有機電致發光元件的 的油__ 4有機溶劑是—種或者_或兩種以上 製造=申二=!^述之有機電致發光元件的 4有機洛劑疋—種或者兩種或兩種以上 201002135 ipif.doc 的上述有機電致發先材料用溶劑。 7如申請專_圍第i項所狀有機電致發光元件的 衣造方法，其中上述有機溶劑是笨甲醚。 制如㈣1項崎之有麵致發光元件的 衣^機發光層形成步驟中，印刷法， 於上晶離土内塗佈包含有機發光材料的。 9.如申請專利範圍第8項所述機: 製造方法，其中上述印刷法是柔版印^ 的ιΛ方Hrirr第1項所述之有機電致發光元件 2 = 乂 層形成步驟，於上述表面處理步 驟之削，在上述像素區域形成有機材料岸。 ]㈣致發光元件，其是使^料利範圍第 m紐發製造枝二:。 之有其包含申請專職㈣η項所述 201002135 30991pif.doc 四、 指定代表圖： (一）本案之指定代表圖：無。 - (二）本代表圖之元件符號簡單說明： 無。 五、 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵 的化學式：