TW200946266A - Method of manufacturing metalnanowire and dispersion medium comprising the resultant metalnanowire, and transparent conductive film - Google Patents

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200946266 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於金屬奈米線的製造方法，更詳而言之’ 爲含有以掃流過濾法去除不純物的步驟之金屬奈米線的製 造方法。又，其係由分散有所得金靨奈米線的分散液及該 金屬奈米線所成的透明導電膜。 【先前技術】 近年由於液晶顯示器或電漿顯示器的利用漸漸增加’ 故爲該等裝置所需構件的透明電極膜的需求亦日漸增加。 以往透明電極等所使用之透明導電膜以濺鍍法等乾式塗布 爲主流。但是，該等方法爲批次式用，製造成本較高，故 可連續生產之製造方法爲所期望。又，在塗布時必須具備 高溫，故無法使用塑膠薄膜等的樹脂基板亦爲其缺點。 作爲解決該等問題的方法考量到濕式塗布，而有提案 使用貴金屬微粒作爲候補材料之一的網狀（network)構造 (專利文獻1及2)。 但是，專利文獻1所揭示的方法係必須在真空系統下 進行蒸鍍的步驟，又，在金屬蒸鍍處理前因必須對基板施 予前處理，使製造成本變高之問題。一方面，專利文獻2 的方法可使用旋轉塗布等的濕式塗布，亦可連續製作，不 失爲一種優異的方法’但是因必須有燒成步驟，故有無法 使用塑膠基板的問題。 200946266 進而，無論哪一種方法均是將金屬微粒連結於串珠上 構成配線，網狀物的形狀爲不定形。因此，於二點間構成 配線時，不必要的部分亦有配線延伸，結果依舊有只能獲 得全光線透過率低之透明導電膜的問題。 因此，本發明人爲解決本發明之課題，首先發現使用 金屬奈米線的透明導電膜（專利文獻3)。 金屬奈米線的製造方法有很多種，但使用聚醇還原的 製造方法亦爲重要的方法之一。非專利文獻1中揭示有使 用聚醇還原製造銀奈米線的方法。該方法爲非常有效的金 屬奈米線的製造方法之一，但該方法係採用將作爲副產物 而發生之銀微粒予以分離之方法的離心分離法。以離心分 離回收作爲沉澱物之金屬奈米線的方法雖不失爲便利的回 收方法，但若爲了製作透明導電膜，一旦以固體狀態回收 的銀奈米線，則必須再次分散於溶劑中。 但是，一旦以固體狀態回收，銀奈米線將會相互纏結， 不容易解開，難以用來製作銀奈米線的分散液。 【專利文獻1】國際專利出願公開2003/01 6209公報 【專利文獻2】國際專利出願公開2003/068674公報 【專利文獻3】特願2007-236947號說明書 【專利文獻4】日本特開2004-223693公報 【專利文獻5】日本特開2002-266007公報 【專利文獻6】美國專利申請案公開第2005-05 6 1 1 8號 公報 200946266 【非專利文獻 l】Nano Letters 2003 Vol.3，No.5 6,67-669 【發明內容】 發明欲解決課題 因此，本發明的課題係提供較不會相互纏結之金屬奈 米線的製造方法及使用到該等的透明導電膜。 解決課題之手段 因此，本發明人等經戮力檢討的結果，首先發現藉由 含有以掃流過濾法去除不純物的步驟，可獲得較不會相互 纏結的金屬奈米線，進而再次檢討的結果，終於完成得以 解決上述課題的透明導電膜。 亦即解決上述課題的本發明爲一種金屬奈米線的製造 方法，該方法含有將分散有粗金屬奈米線的分散液進行掃 流過濾之步驟。本發明中，該金屬奈米線以銀奈米線爲佳’ 特別是該銀奈米線爲以聚醇還原法製作者爲更佳。 本發明中，掃流過濾法以使用中空纖維膜的內壓型循 環過瀘法爲佳，特別是使用到中空纖維膜的內壓型循環過 濾法，以使用孔徑0.5vm以上的中空纖維膜爲更佳。又’ 在使用到該中空纖維膜的內壓型循環過濾中，分散有粗金 屬奈米線之分散液的流速，以線速度在50mm/秒以上、 500mm/秒以下爲更佳。進而，該掃流過濾法中所使用之分 散有粗金屬奈米線之分散液的分散溶劑，以甲醇、乙醇、 1-丙醇、2-丙醇' 1-丁醇的任一種爲佳。 200946266 藉由本發明所得之金屬奈米線，其短軸方向的長度爲 10nm以上、500nm以下，且長軸方向的長度爲1仁m以上、 1 0 0 /z m 以下。 又本發明係使以上述製造方法所得之金屬奈米線分散 於分散溶劑中，在所得的分散液中，固形成分濃度爲〇.1 質量％以上、20質量％以下之金屬奈米線的分散液。該分散 溶劑特別以選自甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、水、 乙二醇的單一或混合溶劑爲佳。 又本發明爲含有由以上述本發明之製造方法所得之金 屬奈米線所構成的透明導電層的透明導電膜，特別是以構 成透明導電層之複數條金屬奈米線彼此間的交叉部分有接 合者爲佳。該交叉部分的接合以壓著接合或鍍敷接合爲佳。 發明效果 有關本發明之金屬奈米線的製造方法，可獲得金屬奈 米線彼此之間較少纏結之金屬奈米線。因此，金屬奈米線 的耗損較少，可高收率地製造。又，擴大規模（scale up)亦 爲容易。又，因金屬奈米線較少纏結，故可容易地製作金 屬奈米線較少纏結的分散液。因此，可製作高濃度的分散 液。進而，亦可容易地變更分散液的溶劑。 又，因可利用金屬奈米線較少纏結的分散液，故可獲 得凝聚塊較少、透過率較高的透明導電膜。 【實施方式】 200946266 本發明係一種金屬奈米線的製造方法’其特徵爲：含 有以掃流過濾法去除不純物的步驟° 本發明所使用之金屬奈米線的材質爲金屬。不含金屬 氧化物或氮化物等的陶瓷。具體言之’可例舉鐵、鈷、鎳、 銅、鋅、釕、鍺、鈀、銀、鎘、餓、銀、鉑、金’由導電 性的觀點而言，以銅、銀、鉑、金爲佳，以銀爲更佳。 本發明所使用金屬奈米線的形狀’若短軸方向的長度 與長軸方向的長度比（以下稱爲長寬比）爲10以上的話，並 無特別限制，長寬比若過大，處理上較爲困難’故上述比 以10000以下爲佳，1000以下更佳。 特別是以直線狀金屬奈米線爲佳。直線狀金屬奈米線 係指形狀爲棒狀者，並不含分支鏈的形狀，或粒子呈串珠 狀連結的形狀。但是金屬奈米線的剛性低，如香蕉狀的彎 曲、或彎折者亦可視爲包含於直線狀金屬奈米線之內者。 上述金屬奈米線短軸方向的長度，以lnm以上、l#m 以下爲佳，以10nm以上、500nm以下更佳。因短軸方向的 長度若過大，透過率將降低，若過小，則合成有困難。長 軸方向的長度以l#m以上、1mm以下爲佳，10#m以上、 100/zm以下更佳。因長軸方向的長度若過短，導電性將降 低，若過長，則處理變困難。 金屬奈米線的形狀或大小，可藉由掃描型電子顯微鏡 或透過型電子顯微鏡而確認 200946266 上述金屬奈米線可使用周知的方法合成。可例舉在溶 液中還原硝酸銀的方法，或是自探針（Probe)的尖端部分使 外加電壓或電流作用於先質表面，在探針的尖端部分取出 金屬奈米線，連續形成該金屬奈米線的方法（專利文獻4) 等。在溶液中還原硝酸銀的方法方面，具體言之，可例舉 還原由金屬複合化肽（pep tide)脂質所成之奈米纖維的方法 (專利文獻5)，或在稱爲聚醇還原的方法中，在乙二醇中， 一面加熱到沸點以上，一面還原的方法（專利文獻6)，在檸 檬酸鈉中還原的方法（非專利文獻1)等。其中以在乙二醇 中，一面加熱至沸點，一面還原的方法爲最容易獲得結晶 性高之金屬奈米線的方法，故爲較佳。 本發明之掃流過濾法，係表示供給液沿著膜面流動， 透過膜的透過液與供給液呈垂直方向流動的過濾方式。具 體言之，可例舉平膜方式或中空纖維膜方式，但就擴大規 模及處理容易性的觀點而言，以中空纖維膜的方式爲佳。 本發明中所使用過濾膜的孔徑因過濾之液體所含不純 物的粒徑而異’但以Ο.Ι/zm以上、l；tzm以下爲佳，0.2// m以上、l//m以下爲佳，〇.2//m以上、1/zm以下爲佳， 0.5；am以上、lym以下更佳。 本發明中使用到中空纖維膜時，線速度以l〇mm/秒以 上、1000mm/秒爲佳，以5〇mm/秒以上、500mm/秒以下更佳。 在此’線速度表示對中空纖維膜的長纖維方向之供給液的 供給量’例如線速度l〇mm /秒，表示對中空纖維膜的長纖 ❹

200946266 維方向1秒鐘前進10mm之量的供給量。本蔡 度若過大，則有可能損傷金屬奈米線’若過4 降低的危險性。 掃流過濾法所使用的洗淨溶劑並無特別阳 可能因溶劑溶解了過濾膜而使其損壞的危險 醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、水、或髮 劑爲佳。又，在過濾中途亦可變更溶劑。 又本發明提供藉由上述製造方法所得之途 分散液。由於以往之金屬奈米線分散液的製達 在固體狀態下，因必須有取出金屬奈米線的參 有使其再分散的步驟，或於再分散時金屬奈钟 的問題。針對該問題，使用本發明之金屬奈钟 法可解決該等問題，理論上，並不會降低該步眉 本發明之金靥奈米線的分散液之固形成 0.01質量％以上、50質量％以下爲佳，以0.1 ί 20質量％以下更佳，1質量％以上、1〇質量％以_ 固形成分濃度若太小，在達到所期望之電阻 數增加，固形成分濃度若太大，於處理時有 奈米線。 本發明之金靥奈米線之分散液的溶劑並無 就塗布時的作業性、或上述掃流過濾步驟上較 類的觀點而言，以選自甲醇、乙醇、1-丙醇、 丁醇、水、乙二醇之單一或混合溶劑爲更佳。 明中，線速 ，則有效率 制，由於有 性，故以甲 等的混合溶 屬奈米線的 方法，一旦 驟，故必須 線有損傷等 線的製造方 凑上的收率。 分濃度，以 ί量％以上、 7進而更佳。 前的塗布次 能損傷金屬 特別限制， 佳之溶劑種 2-丙醇、1- -10- 200946266 • 又本發明提供含有以上述製造方法所得之金屬奈米線 的透明導電膜。本發明之透明導電膜若在基材上至少積層 有含有上述金屬奈米線之透明導電層的話，則無特別限 制，在無損於本發明效果的範圍內，亦可具有保護層、下 塗覆層、硬塗覆層、抗靜電層、抗眩層、抗反射層、濾色 片層、相位差膜層等。具體的層構成方面，可例舉如第1 圖及第2圖所示，於透明導電層上積層有保護層或抗反射 層的層構成，如第3圖所示之於硬塗覆層上形成透明導電 〇 膜的層構成，如第4圖所示之於與透明導電層的相反面上 設置抗眩層的層構成等。 特別是使用與透明導電層之密接性低的基材時，或透 明導電層的膜強度低時，以於透明導電層上設置保護層爲 佳。保護層所使用的材料並無特別限制，可使用聚酯樹脂、 纖維素樹脂、乙烯醇樹脂、乙烯樹脂、環烯烴系樹脂、聚 碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、ABS樹脂等的熱塑性樹脂、光 _ 硬化性樹脂及熱硬化性樹脂等周知的塗覆材料。就密接性 ❹ 一 的觀點而言’保護層的材料以同於基材的材料爲佳，例如 基材爲聚酯樹脂時，保護層以聚酯樹脂爲佳。由於保護層 的膜厚若過厚時’透明導電層的接觸電阻變大，若過薄， 則無法獲得作爲保護層的效果，故以1 nm以上、1从m以下 爲佳，以10nm以上、1〇〇nm以下更佳。 基材方面若爲薄片狀、薄膜狀的話並無特別限制，可 例舉玻璃、氧化鋁等陶瓷、或鐵、鋁、銅等的金屬、聚酯 -11- 200946266 樹脂、纖維素樹脂、乙烯醇樹脂、氯化乙烯樹脂、環烯烴 系樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、ABS樹脂等的熱塑 性樹脂、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂等，使用本發明之 透明導電膜之際，若重視透明性的話，上述基材的全光線 透過率以80%以上爲佳，具體言之，可例舉玻璃、聚酯樹 脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、纖維素樹脂等。 上述基材的厚度，依照用途其較佳的範圍有所異，若 爲薄片狀，以500 # m以上、10mm以下爲佳，若爲薄膜狀， 以10#m以上、500/im以下爲佳。 又，透明導電層中，在無損於本發明的效果範圍內， 可添加金屬奈米線以外的成分。具體言之，可例舉聚酯樹 脂、纖維素樹脂、聚醚樹脂、乙烯醇樹脂、乙烯樹脂、環 烯烴系樹脂、聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、ABS樹脂、天 然高分子等的熱塑性樹脂、丙烯酸系或氧雜環丁烷系等的 光硬化性樹脂、環氧系或三聚氰胺系、矽氧系等的熱硬化 性樹脂等黏合劑成分、界面活性劑、顏料等。 金屬奈米線與黏合劑等其他成分的配合比率，可依照 用途任意變更，但由於金屬奈米線的配合比若過少，導電 性有降低的危險性，故透明導電層全體中所占有之金屬奈 米線的重量比以10質量％以上、100質量％以下爲佳，以 30質量％以上、60質量％以下更佳。 本發明之透明導電膜以金屬奈米線彼此之間的交叉部 分有接合者爲佳。因藉由接合交叉部分而可降低直線狀金 -12- 200946266 屬奈米線間的接觸電阻，可使透明導電層的表面電阻値降 低。所謂直線狀金屬奈米線彼此之間的交叉部分’係指由 正上方觀察直線狀金屬奈米線呈網眼狀分散的透明導電層 時，可觀察到直線狀金屬奈米線的重疊部分。交叉部分的 接合以壓著或鍍敷接合爲佳。壓著係表示該交叉部分變 形，直線狀金屬奈米線的接觸面積相互變大的狀態。又， 鍍敷係表示直線狀金屬奈米線之交叉部分比鍍敷前更大， 接觸面積增加的狀態。此外，本發明中’該交叉部分並不 需要完全接合，僅有部分接合亦可。因部分接合亦有降低 透明導電層之表面電阻値的效果。 直線狀金屬奈米線彼此之間的交叉部分是否壓著或是 鍍敷，可藉由掃描型電子顯微鏡或透過型電子顯微鏡，依 照該交叉部分有無變形而確認。 本發明之透明導電膜的表面電阻値以0.1 Ω /□以上、 100000Ω/□以下爲佳，1Ω/□以上、1000Ω/□以下更佳。 因表面電阻値若過高，作爲電極等利用的可能性降低，表 面電阻値若過低，於在交換時透過率降低，將可能導致無 法利用於光學構件上。 本發明所使用之透明導電膜的全光線透過率，因使用 的基材而異，但以全光線透過率60%以上、99%以下爲佳， 70 %以上、90 %以下更佳。在此透明導電膜的全光線透過率 並不僅爲透明導電層的全光線透過率，而係亦包含基材之 透明導電膜的全光線透過率。 -13- 200946266 因全光線透過率若過高，於交換時表面電阻値將會過 高，作爲電極等可利用的可能性降低，全光線透過率若過 低，作爲光學構件利用的可能性降低。 <實施例1 > 在1公升的3 口燒瓶內投入乙二醇（和光純藥工業公司 製）333.9g、氯化鈉（和光純藥工業公司製）48ng、參（2,4-戊 二酸）鐵（III)(Aldrich 公司製）41ng，加熱至 160°C。 於上述混合溶液中，將由乙二醇（和光純藥工業公司 @ _)200g、氯化鈉（和光純藥工業公司製）29ng、參（2,4-戊二 酸）鐵（IIIKAldrich公司製）25ng、硝酸銀（和光純藥工業公司 製）2.8 8g所成混合溶液，與由乙二醇（和光純藥工業公司 製）200g、氯化鈉（和光純藥工業公司製）2」mg、參（2,4-戊二 酸）鐵（IIIKAldrich公司製）128ng '聚乙烯吡咯啶酮 (Mw.55000 Aldrich公司製）3.1g所成溶液，以6分鐘的時間 滴下，攪拌3小時，獲得粗銀奈米線。 g 將所得粗銀奈米線分散液供予內壓型中空纖維膜過濾 (商品名 Midikros cross flow Modules 膜面積 80cm2 孔徑 0.5；um中空纖維直徑〇.5mm Spectrum公司製）。洗淨溶劑 爲2-丙醇（和光純藥工業公司製）、線速度爲150mm/秒。在 1 5 00ml的濾液被排出的時間點，濃縮過濾物，獲得20g精 製銀奈米線的2-丙醇分散液。 以掃描型電子顯微鏡觀察所得之精製銀奈米線，結果 記載如第5圖、第6圖。根據該結果，可知用於本實施例 -14- 200946266 * 之銀奈米線的長軸方向的長爲3"m以上、30#m以下’短 軸方向的長爲1 OOnm以上、300nm以下。又，可知所得精 製銀奈米線之2-丙醇分散液的固形成分濃度，經測定爲8.5 質量％。銀奈米線的收率爲59%( = 20x0.085/2.88)。 在所得精製銀奈米線的分散液中，添加2-丙醇，使固 形成分濃度成爲3.0質量％後，於PET薄膜（商品名：Cosmo shine A4 100東洋紡績公司製）上進行棒塗布，使濕膜厚成爲 18# m。在80 °C下乾燥3分鐘，獲得層合物。於積層膜上 β 將附有脫模層的PET薄膜（商品名：Cosmo shineK 1 572東洋 紡績公司製），以使脫模層連接於透明導電層的方式予以重 疊，如第7圖所示，自附有脫模層的PET薄膜面以瑪瑙製 硏杵（pestle)擦拭，對透明導電層面施予壓力。結果記載於 表1。 <實施例2> 除了使用中空纖維直徑1mm的內壓型中空纖維膜（商 ❺ 品名 Mdidkros cross flow Modules 膜面積 60c rri 孔徑 0.5 y m Spectrum公司製）、線速度爲500mm/秒以外，其他與實 施例1 一樣，進行操作。結果記載於表1。 <實施例3> 於所得之精製銀奈米線的分散液中添加2 -丙醇，使固 形成分濃度成爲0.1質量％後’於PET薄膜（商品名：Cosmo shine A4 100東洋紡績公司製）上進行棒塗布，使濕膜厚成爲 1 8 以 m。 -15- 200946266 ' 〈實施例4> 於所得之精製銀奈米線的分散液中添加2-丙醇’使固 形成分濃度成爲0.1質量％後，於PET薄膜（商品名：Cosmo shine A4 100東洋紡績公司製）上進行棒塗布，使濕膜厚成爲 1 8 /z m。 <實施例5 > 於實施例1所得之透明導電膜上噴灑塗布聚酯樹脂（商 品名Bairon UR-4 8 00東洋紡績公司製），使膜厚成爲l〇nm° ® 將所得之薄膜供作橫切（cross cut)試驗（JIS K5400)，結 果爲1 00/100並無觀察到剝落。 所得透明導電膜的表面電阻値、全光線透過率的結果 記載於表1。 <實施例6> 在以實施例1所得3質量％的銀奈米線分散液中添加丁 縮醛樹脂（商品名MOWITAL B60H KSE社製），以使相對於 ϋ 固形成分之銀奈米線的濃度成爲37.5質量％，於PET薄膜 (商品名：Cosmo shine A4 100東洋紡績公司製）上以濕膜厚30 進行塗布，在80°C下乾燥3分鐘，獲得積層膜。 以同於實施例1的方法，對所得之積層膜施壓力予透 明導電層面。將所得薄膜供予橫切試驗UISK5400)，結果爲 100/100並無見到剝落的情形。該結果記載於表1。 <比較例1 > -16- 200946266 將實施例1所獲得之粗銀奈米線予以離心分離（裝置名 高速冷卻離心機CR22GII日立工業機電公司製 3000G X 5分鐘），使殘渣分散於水與 2·丙醇的混合溶液 (50/50vol%)9g 中。 以掃描型電子顯微鏡觀察所得之精製銀奈米線’其結 果記載於第4圖。 又，可知所得之精製銀奈米線之2-丙醇分散液的固形 成分濃度經測定爲1.3質量％。銀奈米線的收率爲4%(= 9 X 0.013/2.88)。 將所得之銀奈米線分散液棒塗布於PET薄膜（商品 名：Cosmo shine A4100東洋紡績公司製全光線透過率92%) 上，使濕膜厚成爲3#m。在80°C下乾燥3分鐘，獲得積層 膜。 同於實施例1，對透明導電層面施予壓力。 結果記載於表1。 [評價] 第1圖爲依據本發明的方法之金屬奈米線的製造方 法，第8圖爲依據以往技術的金屬奈米線的製造方法。對 該等進行比較時，第8圖中可發現銀奈米線的凝聚物’相 對於此，在第5圖中則幾無相同的凝聚物。因此’使用本 發明的方法之金屬奈米線製造的方法，相較於以往的方法 能獲得纏結較少的金屬奈米線則極爲明確。 -17- 200946266 又，在比較實施例1與比較例1時，金屬奈米線的收 率各自爲59%與4%。因此，以本發明的方法之金屬奈米線 的製造方法相較於以往的方法，收率較高則極爲明確。所 得之透明導電膜的表面電阻値（裝置名：LoresUEP Dia instruments公司製）、全光線透過率、霧度値（裝置名：直 讀式霧度測定電腦，Suga試驗機公司製）經測定的結果記載 於表1。 【表1】 ❹ 實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 比較例1 R(〇〇) 20 30 100 5.6 xlO4 25 28 500 Tt(%) 83.7 81.5 85.1 87.2 83.2 82.5 84.6 霧度値(％) 13.0 12.5 5.85 2.3 12.0 13.5 7.1 ❹ 以實施例1與比較例1所得之銀奈米線的長度分布記 載於第9圖》根據上述結果，可知實施例1的頻率最大値 爲6//m至8/zm，比較例1的頻率最大値爲2/zm至4//m。 亦即’可知本發明的製造方法相較於以往之製造方法，可 選擇性地製造較長的金屬奈米線。 【圖式簡單說明】 第1圖爲表示本發明所使用之層構成的例示圖。 -18 - 200946266 - 第2圖爲表示本發明所使用之層構成的例示圖。 第3圖爲表示本發明所使用之層構成的例示圖。 第4圖爲表示本發明所使用之層構成的例示圖。 第5圖爲實施例1所得銀奈米線的掃描型顯微鏡觀察 結果。 第6圖爲實施例1所得銀奈米線的掃描型顯微鏡觀察 結果。 第7圖爲實施例1所進行之加壓方法的例示圖。 〇 第8圖爲比較例1所得透明導電膜的掃描型顯微鏡觀 察結果。 第9圖爲實施例1及比較例1所得銀奈米線的 布比較圖。 【主要元件符號說明】 ^ΤΤΓ 撕0 ❹ -19-

Claims (1)

1. 200946266 七、申請專利範圍： 1. 一種金屬奈米線的製造方法，其特徵爲含有將分散有粗 金屬（crude metal)奈米線的分散液進行掃流過濾的步驟。 2. 如申請專利範圍第1項之金屬奈米線的製造方法，其中 金屬奈米線爲銀奈米線。 3. 如申請專利範圍第2項之金屬奈米線的製造方法，其中 銀奈米線係以聚醇還原法製作。 4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之金屬奈米線 © 的製造方法，其中掃流過濾法爲使用到中空纖維膜的內 壓型循環過濾法。 5. 如申請專利範圍第4項之金屬奈米線製造方法，其中中 空纖維膜孔徑爲0.5 # m以上。 6. 如申請專利範圍第4項之金屬奈米線的製造方法，其中 在使用到中空纖維膜之內壓型循環過濾中’分散有粗金 屬奈米線之分散液流速爲線速度 50mm/秒以上、500mm/ ^ 秒以下。 〇 7. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之金屬奈米線 的製造方法，其中在掃流過濾法中所使用之分散有粗金 屬奈米線之分散液的分散溶劑爲甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇之任一種。 8. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之製造方法， 其中所得金屬奈米線之短軸方向的長度爲10nm以上、 -20- 200946266 ' 500nm以下，且長軸方向的長度爲l//m以上、l〇〇em 下。 9.如申請專利範圍第1項至第3項中任一項之製造方法 其中所得金屬奈米線長軸方向的長度以2# m單位之頻 分布表表示時，頻率最大値爲4"m以上、20ym以下 10·—種金屬奈米線的分散液，其特徵爲將以如申請專利 圍第1至3項中任一項之製造方法所得金屬奈米線予 分散於分散溶劑中所獲得之分散液，其固形成分濃度 〇 0.1質量％以上、20質量％以下。 1 1.如申請專利範圍第10項之分散液，其中分散溶劑係 自甲醇、乙醇、1-丙醇、2 -丙醇、1-丁醇、水、乙二 之單一或混合溶劑。 12. —種金屬奈米線的分散液，其特徵爲將以如申請專利 圍第4項之製造方法所得金屬奈米線予以分散於溶劑 所得之分散液，其固形成分濃度爲0.1質量％以上、 π 質量％以下。 Ο 13. 如申請專利範圍第12項之分散液’其中分散溶劑係 自甲醇、乙醇、1-丙醇、2 -丙醇、1-丁醇、水、乙二 之單一或混合溶劑。 14. —種透明導電膜’其特徵爲含有由以如申請專利範圍 1項至第3項中任一項之金屬奈米線的製造方法而得 金屬奈米線而製成的透明導電層。 以 率 〇 範 以 爲 選 醇 範 中 20 選 醇 第 之 -21- 200946266 - 15.如申請專利範圍第12項之透明導電膜’其中構成透明 導電層之複數金屬奈米線彼此之間的交叉部分爲接合。 16. 如申請專利範圍第15項之透明導電膜’其中該交叉部 分係以壓著方式接合。 17. 如申請專利範圍第15項之透明導電膜’其中該交叉部 分係以鍍敷的方式接合。 18. —種透明導電膜，其特徵爲含有以由如申請專利範圍第 4項之金屬奈米線的製造方法而得金屬奈米線而製成的 〇 透明導電層。 19. 如申請專利範圍第18項之透明導電膜，其中構成透明 導電層之複數金屬奈米線彼此之間的交叉部分爲接合。 20. 如申請專利範圍第19項之透明導電膜’其中該交叉部 分係以壓著方式接合。 21. 如申請專利範圍第19項之透明導電膜’其中該交叉部 分係以鍍敷方式接合。

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