TW200932870A

TW200932870A - Aromatic amine derivatives and organic electroluminescence device using the same

Info

Publication number: TW200932870A
Application number: TW097132415A
Authority: TW
Inventors: Nobuhiro Yabunouchi; Masahiro Kawamura
Original assignee: Idemitsu Kosan Co
Priority date: 2007-12-28
Filing date: 2008-08-25
Publication date: 2009-08-01
Also published as: KR20100097180A; US20090167161A1; JPWO2009084268A1; WO2009084268A1

Description

200932870 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種芳香族胺衍生物及使用其之有機電激發光（EL，electroluminescence)元件，尤其是關於一種具有特定之結構而且非對稱之芳香族胺衍生物，藉由將其用 -作電洞傳輸材料，可提昇有機EL元件之發光效率，且由於 .該芳香族胺衍生物可抑制分子之結晶化，從而可提昇製造有機EL元件時之良率，改善有機EL元件之壽命。〇【先前技術】有機EL元件係利用以下原理之自發光元件，即藉由施加電場，利用自陽極所佈植之電洞與自陰極所佈植之電子之再結合能量使螢光物質發光。自從Eastman · Kodak公司之 C.W.Tang等人提出由積層型元件構成低電壓驅動有機EL元件之報告（C.W.Tang、S.A.Vanslyke，應用物理快報（Applied Physics Letters)，第51卷，第913頁，1987年等）以來，關於以有機材料作為構成材料之有機EL元件之研究盛行。Tang 等人將三（8-啥琳根基）铭（Tris(8-quinolinolato)aluminimi)用於發光層中，將三苯基二胺衍生物用於電洞傳輸層中。作為 ' 積層結構之優點，可列舉：可提高將電洞佈植於發光層之 -佈植效率、可阻斷自陰極所佈植之電子並提高藉由再結合而生成之激子之生成效率、可將所生成之激子封閉於發光層内等。如此例所示，作為有機EL元件之元件結構，眾所周知的有：電洞傳輸（佈植）層、電子傳輸發光層之2層型，或電洞傳輸（佈植）層、發光層、電子傳輸（佈植）層之3層型 134019.doc 200932870 等。為了提高此種積層型結構元件中所佈植之電洞與電子之再結合效率，業界於元件結構、形成方法上進行了研究。通常，於高溫環境下驅動或保管有機EL元件時會產生發光色變化、發光效率降低、驅動電壓上升、發光壽命縮短等不良影響。A了防止該等不良影響必須提高電洞傳輸材料之玻璃轉移溫度（Tg)。因此，電洞傳輸材料之分子内必須具有較多之芳香族基（例如，專利文獻丨之芳香族二胺衍生物專利文獻2之^•香族稠環二胺衍生物），通常較好地使用具有8〜12個苯環之結構。然而，若分子内具有較多芳香族基則會產生以下之問題：當使用該等電洞傳輸材料形成薄膜以製作有機EL元件時容易引起結晶化，從而堵塞用於蒸鍍之坩堝之出口，或者因結晶化而使薄膜發生缺陷，導致有機EL元件之良率下降等。另外，分子内具有較多料族基之化合物儘管玻璃轉移溫度 (Tg)通常較高，但由於昇華溫度較高而引起蒸鑛時之分解或形成不均勾之蒸鑛等現象，因此存在壽命較短之問題。另方Φ，有公知文獻揭示非對稱之芳香族胺衍生物。例如，於專利文獻3中記載有具有非對稱結構之芳香族胺衍生物’但無具體之實施例’且關於非對稱化合物之特徵亦無任何說明H於專利文獻4中雖記载有具有菲基之非對稱之芳香族胺衍生物作為實施例，但係將其與對稱之化合物同等對待，並且關於非對稱化合物之特徵並益任何記載。另外，儘管非對稱化合物f要特殊之合成方法，然而於該等專利中關於非對稱化合物之製造方法並無明確 134019.doc 200932870 之記載。進而，於專利文獻5中，雖對具有非對稱結構之芳香族胺衍生物之製造方法作出說明，但關於非對稱化合物之特徵並無任何記載《於專利文獻6中，記載有玻璃轉移溫度較高且具有熱穩定性之非對稱化合物，但僅例示有具有味嗅基之化合物。另外，作為具有螺二第基之胺化合物之文獻有專利文獻 7但專利文獻7中關於非對稱之化合物並無任何具體記載。另外，關於將咔唑基與胺化合物組合之技術無任何記載。如上所述，雖然報告有高效率、長壽命之有機£[元件’ 但該等有機EL元件並不具備充分之性能，因此業界強烈要求開發具有更優異之性能之有機EL元件。專利文獻1 :美國專利第4,720,432號說明書專利文獻2 :美國專利第5,〇61，569號說明書專利文獻3:曰本專利特開平8_48656號公報專利文獻4 :曰本專利特開平u _丨3 526丨號公報專利文獻5 :曰本專利特開2〇〇3 171366號公報專利文獻6 :美國專利第6,242,丨丨5號說明書專利文獻7:日本專利特開平7_278537號公報【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 本發明係為解決上述課題研究而成者，其目的在於提供一種壽命較長之有機EL元件及實現其之芳香族胺衍生物，上述芳香族胺衍生物可提昇有機EL元件之發光效率並降低黎動電壓’並且其分子難以結晶化，從而可提昇製造有機 134019.doc

外，由於其移動率較高而具有降低驅動電壓之效果，並且由於具有位阻性而使得分子間之相互作用較小，從而使結晶化受到抑制’因此具有提昇製造有機虹元件之良率、延長所獲得之有機心件之壽命之效果，尤其是藉由與藍色發光元件組合，可獲得顯著之低《化及長壽命化效果。 Π”量較大之化合物中，由於具有非對稱結構之化壽命化。了抑制蒸鍍時之分解，實現長 200932870 EL元件時之良率β [解決課題之技術手段] 本發明者等人為達成上述目的而反覆努力研究，結果發現若使用下述通式（1)所表示之具有特定之取代基的新穎之芳香族胺衍生物作為有機EL元件用材料，尤其是用作電洞傳輸材料則可解決上述課題，從而完成本發明。另外，本發明者等人發現，經以通式（2)〜（5)所表示之芳基取代之胺基適合作為具有特定之取代基之胺單元。已知由於此胺單元可與電極相互作用，因此電荷容易佈植，另即，本發明係提供以下生物者：述通式（1)所表示之芳香族胺衍

134019.doc 200932870 [式中，R1及R2分別獨立表之核原子數為6〜50之芳基、 1〜50之烷基；a及B分別獨中，A與B並不相同：示氫原子、經取代或未經取代或經取代或未經取代之碳數為立以下述通式（2)〜(5)表示；其 [化2] ⑵

(3)

❹ (式中W4分別獨立為經取代或未經取代之核原子數為6〜50之芳基；另外，r3〜r6分別獨立表示氫原子、經取代或未經取代之核原子數為6〜5G之芳基、經取代或未經取代之碳數為1〜50之烷基）]。另外，本發明提供一種有機EL元件，於該有機el元件之陰極與陽極之間夹持有包括至少包含發光層之一層或複數層之有機薄膜層，且該有機薄膜層之至少一層含有上述芳香族胺衍生物作為單獨或混合物之成分。 [發明之效果] 本發明之芳香族胺衍生物及使用其之有機EL元件可降低驅動電壓，並且該料㈣衍生物之分子難讀晶化，從而可k昇製造有機EL元件時之良率。 134019.doc 200932870 【實施方式】本發明之芳香族胺衍生物係以下述通式（1)所表示者： [化3]

代之椤席為經取代或未經取代之核原子數為6〜5〇之芳基；另外於 ❹ 於通式（2)及（3)中，Ar^Ar4分別獨立為 R3~R6分別獨立砉千彘择、式（4)及（5)中，表不氫原子、經取代或未經取代之核原子 I34019.doc 200932870 數為6〜50之芳基、經取代或未經取代之碳數為1〜50之炫( 基。作為通式（1)中之R1及R2、通式（2)及通式（3)中之 Ar1〜Ar4、通式（4)及通式（5)中之R3〜R6所表示之經取代或未經取代之核原子數為6〜50之芳基，例如可列舉：苯基、1-萘基、2·萘基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1_菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基、9-菲基、1-幷四苯基、2-幷四苯基、9-幷四苯基、1-芘基、2-芘基、4·芘基、2-聯 © 苯基、3-聯苯基、4·聯苯基、對聯三苯基-4-基、對聯三苯基-3-基、對聯三苯基-2-基、間聯三苯基-4-基、間聯三苯基-3-基、間聯三苯基-2-基、鄰曱苯基、間曱苯基、對甲苯基、對第三丁基苯基、對（2-苯基丙基）苯基、3-甲基-2-萘基、4-甲基-1-萘基、4_甲基_丨-蒽基、4，_曱基聯笨基、4"-第三丁基-對聯三苯基_4_基、丙二烯合葬基、苐基等。 @ 該等之中’較好的是笨基、萘基、聯苯基、聯三苯基、苐基。通式（1)中之R1及R2、以及通式（4)及通式（5)中之R3〜R6所表之經取代或未經取代之碳數為丨〜％之烷基既可為直鏈狀亦可為支鏈狀，例如可列舉：曱基、乙基、丙基、異丙基正丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、羥基甲基、1-羥基乙基、2-羥基乙基、2_經基異丁基、1，2-二羥基乙基、1，3-二羥基異丙基、2,3_二羥基·第三丁基、1，2,3-三羥基丙基、氣曱基、 134019.doc •12· 200932870 1-氣乙基、2-氯乙基、2-氣異丁基、ι，2-二氣乙基、l，3-二氣異丙基、2,3-二氣-第三丁基、1，2,3_三氣丙基、溴曱基、1 -溴乙基、2-溴乙基、2-溴異丁基、1，2-二溴乙基、 1,3-二溴異丙基、2,3-二溴-第三丁基、ι，2,3-三溴丙基、碘甲基、1-碘乙基、2-碘乙基、2-碘異丁基、ι，2-二碘乙基、1，3-二碘異丙基、2,3-二碘-第三丁基、ι，2,3-三碘丙基、胺基甲基、1-胺基乙基、2-胺基乙基、2-胺基異丁基、1，2-二胺基乙基、1,3-二胺基異丙基、2,3-二胺基-第三丁基、1，2,3-三胺基丙基、氰曱基、丨_氰基乙基、2·氰基乙基、2-氰基異丁基' l，2-二氰基乙基、i，3_二氰基異丙基、2,3 -二氰基-第三丁基、ι，2,3-三氰基丙基、硝基甲基、1-硝基乙基、2-硝基乙基、2-硝基異丁基、ι，2-二硝基乙基、1,3-二硝基異丙基、2,3_二硝基-第三丁基、12,3_ 三蛾基丙基、環丙基、環丁基、環戊基、環己基、4_甲基環己基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、丨_降褚基、2_降袼基等。本發明之芳香族胺衍生物較好的是，於上述通式（1) 中，A為以通式（2)所表示之取代基，且B為以通式（3)所表示之取代基，Ar1〜Ar4中之至少三者以上為不同之取代基。本發明之芳香族胺衍生物較好的是，於上述通式（ι) 中’ A為以通式⑺所表示之取代基，且㈣以通式（3)所表示之取代基，Ar1〜Ar4中之三者為相同之取代基。本發明之芳香族胺衍生物較好的是，於上述通式⑴ 134019.doc -13· 200932870 中’ A為以通式（2)所表示之取代基，且B為以通式⑺所表示之取代基，Ar1與Ar2為相同之取代基、^3與八〆為相同之取代基。本發明之芳香族胺衍生物較好的是，於上述通式〇) 中，A為以通式⑺所表示之取代基，且8為以通式⑺所表 • 示之取代基，Ar!及Ar2為聯苯基，Ar3及Ar4分別獨立為選 ' 自苯基、聯苯基、萘基、聯三苯基及第基中之取代基。另外，本發明之芳香族胺衍生物較好的是，於上述通式 (1)中，Α為以通式（2)所表示之取代基，Β為以通式（4)所表示之取代基。進而於此種情形時，較好的是通式（2)中之 A〆及Ar2分別獨立為選自苯基、聯苯基、萘基、聯三笨基及苐基中之取代基。本發明之芳香族胺衍生物較好的是，於上述通式（ι) 中，A為以通式（2)所表示之取代基，8為以通式（5)所表示之取代基。進而於此種情形時’較好的是通式（2)中之A〆〇及A〆分別獨立為選自苯基、聯苯基、萘基、聯三苯基及第基中之取代基。

本發明之芳香族胺衍生物較好的是，於上述通式（1)中A 為以通式（4)所表示之取代基，B為以通式（5)所表示之取代 • 基。以下表示本發明之以通式（1)所表示之芳香族胺衍生物之具體例’但並不限定於該等例示化合物： 134019.doc • 14- 200932870 [化5]

φ

❿

[化6]

134019.doc 15- 200932870

[化7]

本發明之芳香族胺衍生物，較好的是其為有機電激發光元件用材料。 134019.doc -16- 200932870 本發明之芳香族胺衍生物元件用電洞傳輸材料。較好的是其為有機電激發光本發明之有機EL元件’於其陰極與陽極之間夾持有包括至少包含發光層之-層或複數層之有機薄膜層，且該有機薄膜層之至少-層含有上述芳香族胺衍生物作為單獨或混合物之成分。本發明之有機EL元件較好的是，該有機薄膜層具有電洞

❹ 傳輸層，且該電洞傳輸層含有上述芳香族胺衍生物。本發明之有機ELtl件較好的是，該有機薄膜層具有複數層之電洞傳輸層，且與發光層直接接觸之層含有上述芳香族胺衍生物。本發明之有機EL元件較好的是，上述有機薄膜層具有電洞佈植層’且該電洞佈植層含有上述芳香族胺衍生物。另外’本發明之有機EL元件較好的是，發光層含有苯乙烯基胺化合物及/或芳基胺化合物。作為苯乙烯基胺化合物，可列舉以下述通式（I )所表示之化合物等’作為芳基胺化合物，可列舉以下述通式（Π) 所表示之化合物等： [化8] 1340l9.doc

Are

/ Ar· Η Ar10

⑴ 200932870 [通式⑴尹，Ar8為選自苯基、聯苯基、聯三苯基本乙稀基方基中之基，Ar9及Ari〇分別為氯原子 =之芳香族基，且—。可為經取代之基，為整數，更好的是Ar9及/或AnQ上取代有苯乙婦基卜此處，作為碳數為6〜20之芳香族基，較好的是苯基、英基、蒽基、菲基、聯三苯基等。丁、 [化9] © / ^ Ar12 \

Arn-4- n ] \ \ Arw / q· (II) [通式（Π)中，ΑΓη〜Ar】3為可經取代之核碳數為5〜40之芳基，q1為1〜4之整數]。 *此處作為核原子數為5~40之芳基，較好的是：苯基、 =基、蒽基、菲基、祐基、窺基（eoronyl)、聯苯基、聯三苯基、吡唑基、呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、啰二唑基一苯基蒽基、十朵基、味嗤基…比咬基、苯并喧琳基、丙二烯合第基、危幷丙二烯合第基、甚基等。再者， ' ㈣子數為5〜4G之芳基可進—步由取代基取代，作為較佳之取代基，可列舉：碳數為卜6之烷基（乙基、甲基、異丙基、正丙基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、環戊基、環己基等）、碳數為卜6之烷氧基（乙氧基甲氧基、異丙氧基、正丙氧基、第二丁氧基、第三丁氡基、戊氧 134019.doc 200932870 基、己氧基、環戊氧基、環己氧基等）、核原子數為5〜4〇之芳基、由核原子數為5〜40之芳基取代之胺基、具有核原子數為5〜40之芳基之酯基、具有碳數為ι〜6之烧基之奶基、氰基、確基、鹵素原子（氣、溴、峨等）。本發明之有機EL元件較好的是，該有機薄膜層具有複數層之電洞佈植、傳輸層，且其中至少丨層為含有受體材料者。

本發明之芳香族胺衍生物特別好的是用於進行藍色系發光之有機EL元件中。以下’就本發明之有機EL元件之元件構成加以說明。 (1)有機EL元件之構成作為本發明之有機EL元件之具有代表性之元件構成，可列舉： (1) 陽極/發光層/陰極 (2) 陽極/電洞佈植層/發光層/陰極 (3) 陽極/發光層/電子佈植層/陰極 (4) 陽極/電洞佈植層/發光層/電子佈植層/陰極 (5) 陽極/有機半導體層/發光層/陰極 (6) 陽極/有機半導體層/電子障壁層/發光層/陰極 (7) 陽極/有機半導體層/發光層/附著改善層/陰極 (8) 陽極/電洞佈植層/電洞傳輸層/發光層/電子佈植層/ 陰極 (9) 陽極/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (10) 陽極/無機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 134019.doc -19· 200932870 (11) 陽極/有機半導體層/絕緣層/發光層/絕緣層/陰極 (12) 陽極/絕緣層/電洞佈植層/電洞傳輸層/發光層/絕緣層/陰極 (13) 陽極/絕緣層/電洞佈植層/電洞傳輸層/發光層/電子佈植層/陰極等之結構。該等之中，通常較好地使用（8)之構成，但並不限定於該等。本發明之芳香族胺衍生物可用於有機EL元件之任—有機薄膜層中，且可用於發光帶或電洞傳輸帶中，較好的是用於電洞傳輸帶中，特別好的是用於電洞佈植層中，藉此分子難以結晶化，從而使製造有機EL元件時之良率提昇。作為有機薄膜層中所含有之本發明之芳香族胺衍生物之量，較好的是30〜100莫耳％ » (2) 透光性基板本發明之有機EL元件係製作於透光性之基板上。此處所言之透光性基板係支持有機EL元件之基板，較好的是 400〜700 nm之可見光區域之光的透過率為5〇%以上且平滑之基板。具體而言’可列舉玻璃板、聚合物板等^作為玻璃板，尤其可列舉：鈉鈣玻璃、含有鋇.鰓之玻璃、鉛玻璃、鋁石夕酸玻璃、硼矽酸玻璃、鋇硼矽酸玻璃、石英等。另外，作為聚合物板，可列舉：聚碳酸酯、丙烯酸酯、聚對苯二曱酸乙二醇酯、聚醚硫醚、聚礙等。 (3) 陽極 134019.doc -20- 200932870 本發明之有機EL元件之陽極係具有將電洞佈植於電洞傳輸層或發光層中之功能者，且有效的是具有4.5 eV以上之功函數。作為用於本發明之陽極材料之具體例，可列舉：氧化銦錫合金（ITO)、氧化錫（NESA)，銦-鋅氧化物 (IZO)、金、銀、翻、銅等。陽極可藉由利用蒸鍍法或濺鍍法等方法使該等電極物質 • 形成薄膜而製作。 ❹ 如此’於自陽極導出來自發光層之發光之情形時，較好的是陽極對發光之透過率大於10°/。。另外，陽極之薄膜電阻較好的是幾百Ω/□以下。陽極之膜厚亦取決於材料，但通常為10 nm—i μπι，較好的是於1〇〜2〇〇 nm之範圍内進行選擇。 (4)發光層有機EL元件之發光層為兼具下述（1)〜(3)之功能者。 (1) 佈植功能：當施加電場時可自陽極或電洞佈植層佈〇植電洞，且可自陰極或電子佈植層佈植電子之功能 (2) 傳輸功能：利用電場力使所佈植之電荷（電子洞）移動之功能、 (3) 發光功能：提供電子與電洞進行再結合之場所，藉此發光之功能其中’電洞之佈植容易度與電子之佈植容易度可存在差異，另外，以電洞及電子之移所表不之傳輸能亦可存在大小差異，但較好的是可使任—種電荷移動。、旋塗作為形成該發光層之方法，例如可採用蒸鑛法 134019.doc 200932870 法、lb法（Langmuir_Blodgett，蘭慕爾布羅吉）等公知之方法。發光層特別好的是分子沈積膜。此處所謂分子沈積膜’係指由氣相狀態之材料化合物沈積而形成之薄膜、或者由溶液狀態或液相狀態之材料化合物固化而形成之膜，通常，該分子沈積膜與利用卿所形成之薄膜（分子累積 . 冑)之間，可藉由凝聚結構、高次結構之差異或由此所產 - 生之功能性差異而加以區分。另外’如日本專利特開昭57_51781號公報所揭示，將樹料黏合劑及材料化合物溶解於溶财而製成溶液之後，利用旋塗法等將該溶液薄膜化，藉此亦可形成發光層。於本發明中’可在不損及本發明之目的之範圍内，根據需要使發光層含有除由本發明之芳香族胺衍生物所形成之發光材料以外的其他公知之發光材料，另外，亦可於包含由本發明之芳香族胺衍生物所形成之發光材料之發光層上，積層包含其他公知之發光材料之發光層。 φ 作為可與本發明之芳香族胺衍生物共同使用於發光層中之發光材料或摻雜材料，例如可列舉：蒽、萘、菲、祐、稠四本蔻•丧、營光素、並、駄花（phthaloperylene)、萘酞茈（naphthaloperylene)、哌瑞酮、酞哌瑞酮、萘酞哌瑞酮、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、香豆素、噚二唑、醛連氮、雙苯并嘮唑啉、雙苯乙烯、吼畊、環戊二烯、喹啉金屬錯合物、胺基喹啉金屬錯合物、苯并喹啉金屬錯合物、亞胺、二苯乙烯、乙烯基蒽、二胺基咔唑、吡喃、噻喃、聚次甲基、部花青素、咪唑螯合化類奥辛化合物、喹 134019.doc •22- 200932870 β丫咬酿I、紅熒烯及螢光色素等，但並不限定於該等。作為可與本發明之芳香族胺衍生物共同使用於發光層之主體材料，較好的是以下述（i)〜(ix)所表示之化合物。以下述通式⑴所表示之非對稱蒽： [化 10]

(通式（i)中，Ar為經取代或未經取代之核碳數為1〇〜5〇之縮合芳香族基；

Ar1為經取代或未經取代之核碳數為6〜5〇之芳香族基； X為經取代或未經取代之核碳數為 6〜50之芳香族基、經取代或未經取代之核原子數為5〜5〇之芳香族雜環基、經取 ❹ 代或未經取代之碳數為卜5〇之烷基、經取代或未經取代之碳數為1〜5G之燒氧基、經取代或未經取代之碳數為㈠〇之芳烷基、經取代或未經取代之核原子數為5〜5〇之芳氧基、經取代或未絲代之㈣子數為5〜50之芳硫基、經取代或

未經取代之碳數為之烷氧羰基、羧基、齒素原子基、硝基、羥基； I 3·、b及c分別為〇〜4之整數； ]内可相同亦可 η為1〜3之整數；另外，當n為2以上時不同。） 134019.doc -23- 200932870 以下述通式（ii)所表示之非對稱單蒽衍生物： [化 11]

(Π) ❹ (通式⑻中’ Αι·〗及Αι·2分別獨立為經取代或未經取代之核碳數為6〜5〇之芳香族環基，m及η分別為卜4之整數；其中’於m=n=1且Μ及Af2與苯環之鍵結位i為左右對稱型之情形時，A#Ar2不相同，於喊η為2〜4之整數之情形時，m與η為不相同之整數；

R1〜R1。分別獨立為氫原子、經取代或未經取代之核碳數為6〜5〇之芳香族環基、經取代或未經取代之核原子數為 5〜50之芳香族雜環基、經取代或未經取代之碳數為卜5〇之垸基、經取代或未經取代之環貌基、經取代或未經取代之碳數為1〜⑽料基、經取代或未經取狀錢為6〜5〇之芳院基、經取代或未經取代之核原子數為5〜50之芳氧基、經取代或未經取代之核原子數為5〜50之芳硫基、經取代或未經取代之碳數為找氧縣、經取代或未經取代之矽烷基、羧基、函素原子、氰基、硝基、羥基)。以下述通式（m)所表示之非對稱芘衍生物： 134019.doc •24· 200932870 [化 12]

(iii)

[通式（iii)中，Ar及Ar，分別為6〜50之芳香族基；為經取代或未經取代之核碳數 L及L·分別為經取代或未經取代之伸苯基、經取代或未經取代之伸：基經取代或未經取代之伸第基、或者經取代或未經取代之二苯并伸矽雜環戊二烯基（dibenz〇sil〇lylene); m為0〜2之整數，nai〜4之整數，3為〇〜2之整數，1為〇〜4 之整數；

另外’ L或Ar鍵結於芘基之1〜5位中之任一位上，L，或 Ar*鍵結於祐基之6〜1 〇位中之任一位上；其中’當n+t為偶數時，Ar、Ar'、L、L，滿足下述（1)或 (2)： (1) Ar矣Ar’及/或L关L，（此處，矣表示係不同結構之基）’ (2) 當 Ar=Ar’且 L=L’時： (2-1) 及/或η对；或者 (2-2)當 m=s且 n=t時： 134019.doc -25- 200932870 (2-2-1) L及L’、或芘基分別鍵結於Ar及Ar，上之不同之鍵結位置處；或者 (2-2-2)當L及L'、或芘基分別鍵結於^及Ar，上之相同之鍵結位置處時，L及^或心及心.在芘基上之取代位置不會為1位及6位、或2位及7位]。以下述通式（iv)所表示之非對稱蒽衍生物： [化 13]

❹ (通式㈣中’ V及心別獨立為經取代或未經取代之核碳數為10〜20之縮合芳香族環基；

ArW分別獨立為氫原子、或經取代或未經取代之核碳數為6〜50之芳香族環基；別獨立為氫原子、經取代或未經取代之核碳數為6〜50之芳香族環基、經取代或未經取代之核原子數為二之芳香族雜環基、經取代或未經取代之碳數為㈣之 =、經取代或未經取代之我基、經取代或未經取代之數為卜5〇域氧基、經取代絲崎狀碳數為6〜5〇之 134019.doc -26· 200932870 芳烷基、經取代或未經取代之核原子數為5〜5〇之芳氧基、、’！取代或未經取代之核原子數為5〜5()之芳硫基、經取代或未經取代之破數為！〜5G之烧氧㈣、經取代或未經取代之梦院基、m基、幽素原子、氰基“肖基或經基； R及R可分別為複數個，且相鄰者彼此可形成飽和或不飽和之環狀結構；其中，於通式⑴中，中心之蒽基之9位及1〇位上不會鍵結有該蒽基上所示之相對於χ _ γ軸成對稱型之基）。以下述通式（ν)所表示之蒽衍生物： [化 14]

基、可經取代之芳基、烷氧基、芳氧基、烷基胺基、烯基、芳基胺基或可經取代之雜環式基，a及b分別表示丨〜5 之整數，於該等為2以上之情形時，r1彼此或r2彼此可相同亦可不同’另外，Ri彼此或R2彼此可鍵結而形成環，且 R與R、R5與R6、1^7與R8、尺9與Rl0可相互鍵結而形成環，L表示單鍵、_〇…_s、-n(r) (r為烷基或可經取代之芳基）、伸烷基或伸芳基）。 134019.doc -27- 200932870 以下 [化 15] 述通式(Vi)所表示之葱衍生物: ❹

M yvi) t ’ R"〜R2G分別獨立表示氮原子、烷基、環烷 ^芳基、炫氧基、芳氧基、烷基胺基、芳基胺基或可經 ^代之雜環式基’ c、d、e及f分別表示1〜5之整數，於該等為2以上之情形時，Rn彼此、R12彼此、R16彼此或R17彼此7可相同亦可不同，另外，R"彼此、R12彼此、R16彼此或

R彼此可鍵結而形成環，Rl3與R14、R18與R19可相互鍵結而形成環；L2表示單鑪、η 。一衣丁单鍵_〇_、-S-、-N(R)-(R為烷基或可經取代之芳基）、伸烷基或伸芳基）。以下述通式（vii)所表示之螺第衍生物： [化 16]

A5〜As分别獨立為 (vii) (通式（vii) _ 鉦取代或未經取代之聯苯 1340i9.doc •28· 200932870 基、或者經取代或未經取代之萘基）。以下述通式（wn)所表示之含有縮合環 [化 17]

’ A〜A丨4與上述相同，R2丨〜R23分別獨立表示 ' ” ★數為1〜6之烷基、碳數為3〜6之環烷基、碳數 1〜6之烷氧基、碳數為5〜18 ^ 氣A、石L 々方乳丞&數為7〜18之芳烷土厌數為5〜16之芳基胺基、硝基、氰基、碳數 =以素原子，〜4中之至少-者為具有3環以上之縮合芳香族環之基）。以下述通式（ίχ)所表示之第化合物： [化 18]

(ix) (通式（ix)中 RI及R2表示氫原子、經取代或未經取代之烷 134019.doc -29- 200932870 基、經取代或未經基、經取代或未經取^之芳炫基、經取代或未經取代之芳原子，·與不同之環基、取代胺基、氛基或南素同，與相同之第基鍵/结之R,彼此、仏彼此可相同亦可不表示氯原子、經取及I可相同亦可不同。R3及〜代之芳院基、經取代=經取代之烧基、經取代或未經取代之雜環基，虚不里取代之芳基或經取代或未經取亦可尤门”问之第基鍵結之R3彼此、I彼此可相同 :不' 與相同之薄基鍵結之㈣可相同亦可不同；缩i f 4環合計為3個以上之經取代或未經取代之代H 族基、或笨環與雜環合計為3個以上之經取代或未經取代之以碳來i ΑΓ，與Ar2可相同亦可不同、'鍵結之縮合多環雜環基，冋，η表不1至1〇之整數）。以上之主體材料之中，較好的是蒽衍生物，更好的是單葱衍生物，特料的是料稱蒽。的&卓另外’亦可使㈣光發光性之化合物作為摻雜材料之發 :材料。作為罐光發光性之化合物，較好的是主體材料中含有啼嗤環之化合物。捧雜材料為可利用三重態激子進行發光之化合物，且只要利用三重態激子進行發光則並無特別限定’較好的是包含選自由Ir、Ru、pd pt 〇aR_ 組成之群中之至少-種金屬的金屬錯合物，且較好的是外琳金屬錯合物或鄰位金屬化金屬錯合物。由包含^環之化合物所構成且適合於鱗光發光之主體化合物為具有以下功能之化合物，即能量自激發狀態朝向磷光發光性化合物移動，結果使磷光發光性化合物發光。 •30- 134019.doc 200932870 作為主體化合物，只要為合物銘勒· 〇人芍Γ使激子能量朝向磷光發光性化物移動之化合物則無特8丨丨ΒΒ 土丨黑特別限制，可根據目的而適當選擇。其亦可具有除味唾環以外之任意之雜環等。 ❹ ❹ 作為此種主體化合物之具體例，可列舉：十坐衍生物、二唾街生物、料衍生物、号二。坐衍生物、㈣衍生物、聚芳基貌煙衍生物"比唾琳衍生物"比峻琳酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、經胺基取代之查耳_衍生物、苯乙稀基葱衍生物、第崎生物、腙衍生物4衍生夕氮烧衍生物、芳香族三級胺化合物、苯乙稀基胺化合物、芳香族二亞甲基系化合物、外啉系化合物、蒽酿二甲貌衍生物、葱_衍生物、二苯酿衍生物、㈣二氧化物何生物、碳二醯亞胺衍生物、亞苐基甲烷衍生物、二苯乙烯基比畊衍生物、萘茈等之雜環四羧酸酐、酞菁衍生物、 8-羥喹啉衍生物之金屬錯合物或金屬酞菁、以將苯并呤唑或笨并噻唑作為配位子之金屬錯合物為代表的各種金屬錯合物聚矽烷系化合物、聚（Ν_乙烯基咔唑）衍生物、苯胺系共聚物、噻吩寡聚物、聚噻吩等導電性高分子寡聚物、聚噻吩衍生物、聚苯衍生物、聚苯乙炔衍生物、聚苐衍生物等咼分子化合物等。主體化合物可單獨使用，亦可併用2 種以上。作為具體例，可列舉如下之化合物： 134019.doc -31- 200932870 [化 19]

鱗光發光性之摻雜& ^ 雜材料為可利用三重態激子進行發光之化合物。只要利用三番能勒工、逆灯赞光之 —重,ν!激子進行發光則無特別限定，較好的是包含選自由Ir、RU、pd Pt、Os及Re所組成之群中之至少-種金屬的金屬錯合物，且較好的是。卜琳金屬錯合物或鄰位金屬化金屬錯合物。作為惰屬錯合物，較好

的是。卜仙錯合物。4光發光性化合物可單獨使用，亦可併用2種以上。作為形成鄰位金屬化金屬錯合物之配位子有各種各樣之配位子，較佳之配位子可列舉：2_苯基吡啶衍生物、7,8_ 笨并喧琳衍生物、2-(2-噻吩基比咬衍生物、2-(1-萘基户比 °定衍生物、2-苯基喹啉衍生物等。該等衍生物可視需而具有取代基。尤其是導入有氟化物、三氟甲基者作為藍色系播雜材料較好。進而，其亦可具有乙醯丙酮酸鹽、苦味酸 134019.doc •32· 200932870 等上述配位子以外之配位子作為輔助配位子。對磷光發光性之摻雜材料在發光層中之含量並無特別限制’可根據目的而適當選擇，例如為0.^70質量％，較好的是1〜30質量％。當磷光發光性化合物之含量未達質量 %時發光微弱’無法充分發揮其含有效果，當超過7〇質量 %時，所謂濃度淬滅之現象變得明顯，從而導致元件性能下降。月

另外，發光層可視需要而含有電洞傳輸材料、電子傳輸材料、聚合物黏合劑。進而，發光層之膜厚較好的是5〜50nm，更好的是7〜5〇nm, 最好的是10〜50 nm。若未達5 nm則有可能難以形成發光層，且難以調整色度’若超過5〇 nm，則有可能會使驅動電壓上升。 (5)電洞佈植、傳輸層（電洞傳輸帶）電同佈植冑輸層係、協助將電洞佈植於發光々，且將其傳輸至發光區域為止之層，其電洞移㈣較大，離子化能量通常為5.6 eV以下之較小值。作為此種電洞佈植、傳輸 '層較好的疋以更低之電場強度將電洞傳輸至發光層之材料另外，至於電洞之移動率，例如當施加ι〇4〜i〇6 Mm 之電場時’電洞之移動衫為至少iG.4em2/v谓較好。時，；將^發明之芳香族胺衍生物用於電洞傳輸帶中之情形 .D °°獨使用本發明之芳香族胺衍生物而形成電洞佈植、傳輸層，亦可料轉料合使用。作為與本發明之芳香族胺衍生物混合而形成電洞佈植、 134019.doc -33- 200932870 ^輸層之材料’只要為具有上述較佳性質者則並無特別限 2 ’可自先前光電傳導材料中慣用為電洞之電荷傳輸材料或者用於有機EL元件之電洞佈植及傳輸層之公知者中 =擇任意者加以使用。於本發明中，將具有電洞傳輸能，且可用於電洞傳輸帶中之材料稱為電洞傳輸材料。作為具體例，可列舉：三唾衍生物（參照美國專利第 3山2’197號說明f等）、二唾衍生物（參照美國專利第 ❹3，189,447號說明書等）、咪唾衍生物（參照日本專利特公昭 37-16嶋號公報等）、聚芳基院烴衍生物（參照美國專利第 3,615,402號說明書、美國專利第3 82〇 989號說明書美國專利第3,542,544號說明書、日本專利特公昭45巧55號公報、日。本專利特公昭51_10983號公報、日本專利特開昭51_ 93224號么報、日本專利特開昭5517⑼號公報、日本專利特開昭56-4148號公報、日本專利特開昭551_67號公報、日本專利特開昭55_156953號公報、日本專利特開昭 ❹ 56-36656號公報等）、Dtbe坐料生物及対琳㈣生物（參照美國專利第3，180,729號說明書 '美國專利第號說明書、日本專利特開昭55·_4號公報、日本專利特開昭55·嶋5號公報、日本專利特開昭49韻π號公報、日本專利特開昭55·5娜號公報、日本專利特開昭％綱Η 號公報、曰本專利特開昭56·88141號公報、曰本專利特開昭57-45545號公報、日本專利㈣昭54·ιΐ2637號公報、日本專利特開昭55_74546號公報等）、苯二胺衍生物（參照美國專利第3,615,404號說明書、日本專利特公昭5ΐι〇ι〇5號 134019.doc 34- 200932870 公報、曰本專利特公昭46_3712號公報、日本專利特公昭 47-25336號公報、日本專利特開昭54_U9925號公報等）、芳基胺衍生物（參照美國專利第3,567,45〇號說明書、美國專利第3,240,597號說明書、美國專利第3,658,52〇號說明書、美國專利第4,232，1〇3號說明書、美國專利第4，175,961 ❹ 號說明書、美國專利第4’G12,376號說明書、日本專利特公昭49-35702公報、日本專利特公昭39_27577號公報、日本專利特開昭55444250號公報、日本專利特開昭56·Π9132 號公報、日本專利特開昭56_22437號公報、西德專利第 1’11〇’518號說明書等）、經胺基取代之查耳嗣衍生物（參照美國專利第3,526,5G1號說明書等）、μ衍生物（美國專利第3,257,2〇3號說明書等中所揭示者）、苯乙烯基蒽衍生物 (參照日本專利特開昭56-46234號公報等）、第網衍生物（參照曰本專利特開昭54_11〇837號公報等）、腙衍生物（參照美國專利第3’71 7,462號說明書、日本專利特開昭54领43公報、日本專利特開昭55-52063號公報、日本專利特開昭55_ 52064號公報、日本專利特開昭55 4676〇號公報、日本專利特開昭57-1 1350號公報、日本專利特開昭57侧49號公報、日本專利特開平2_311591號公報等）、s衍生物（參昭日本專利特開昭61_2脑3號公報、日本專利特開昭第61_ 228451號公報、日本專利特開昭61 14642號公報、日本專 =特開昭助5號公報、日本專利特開昭62韻姆公曰本專利特開昭62_36674號公報、日本專利特開昭仏娩公報、曰本專利特開昭62_3〇255號公報、曰本專 134019.doc •35- 200932870 利特開昭60-93455號公冑、日纟專利特開昭60-94462號公報曰本專利特開昭60-174749號公報、曰本專利特開昭 M-175052號公報等）、石夕氮烧衍生物（美國專利第4 號說明書）、聚石夕燒系（曰本專利特開平2_2〇4996號公報）、苯胺系共聚物（日本專利特開平2_282263號公報）、導電性 •高分子寡聚物（尤其是噻吩寡聚物）等。可使用上述者作為電洞佈植、傳輸層之材料較好的是使用0卜啉化合物（日本專利特開昭63-295695號公報等中所揭示者）、芳香族三級胺化合物及苯乙烯基胺化合物（參照美國專利第4，127,412號說明書、日本專利特開昭53-27033 號公報、日本專利特開昭54_58445號公報、曰本專利特開昭55-7945G號公報、日本專利特開昭55_1442观公報、日本專利特開昭56]19132號公報、日本專利特開昭61_ 295558號公報、日本專利特開昭“^以”號公報日本專利特開昭63-295695號公報等），特別好的是使用芳香族三 0 級胺化合物。另外’可列舉：美國專利第5,〇61，569號中所記載之分子内具有2個縮合芳香族環之化合物，例如44,雙（ν(ι·萘基）-Ν-苯基胺基）聯苯（以下簡稱為NpD)，另外日本專利特開平4-308688號公報中所記載之將3個三苯基胺單元連結成星爆型而成之4,4，，4"-三（N_(3_甲基苯基）_N_苯基胺基）三苯基胺（以下簡稱為MTDATA)等。進而，除作為發光層之材料而例示之上述芳香族二亞甲基系化合物以外’ p型Si、㈣加等無機化合物亦可用作 134019.doc •36· 200932870 電洞佈植、傳輸層之材料。電洞佈植、傳輸層可藉由利用例如真空蒸鑛法、旋塗法、洗铸法、LB法等公知之方法，將本發明之芳香族胺衍生物薄膜化而形成。對作為電洞佈植、傳輸層之膜厚並無特別限制’通常為5 nm〜5 μηι。若電洞傳輸帶含有本發明之芳香族胺衍生物，則該電洞佈植、傳輸層可由包含上述材料之#或兩種以上之一層所構成，亦可為將由與上述 t洞佈植、傳輸層種類不同之化合物所形成之電洞佈植、傳輸層積層而形成者。另外，亦可設置有機半導體層作為協助電洞或電子佈植至發光層之層，適合的是具有1〇-1(> s/cm以上之導電率者。作|此種有機半導體層之材料，可使用含嗟吩之寡聚物或日本專利特開平8_193191號公報中所揭示之含芳基胺之寡聚物等導電性寡聚物、含芳基胺之樹枝狀聚合物等導電性樹枝狀聚合物等。 • (6)電子佈植、傳輸層其次，電子佈植層、傳輸層係協助將電子佈植於發光層中，並將其傳輸至發光區域之層，其電子移動率較大，另外，附著改善層係由該電子佈植層中與陰極之附著性特別好之材料所形成之層。另外，眾所周知，有機EL元件中，所發出之光會由電極 (此時為陰極）反射，故直接自陽極導出之光與經由電極反射後導出之光之間會產生干擾。為了有效地利用該干擾效果，電子傳輸層之膜厚可於幾nm〜幾μηι之間適當選擇，但 1340I9.doc -37- 200932870 二膜特6別厚時’為了避免電屋上彳，較好的是於施加 10 v/cm之電場時電子移動率至少為上。作為用於電子佈植層之材料，較好的是8_歸㈣或盆 :生物之金屬錯合物，或者吟二唾衍生物。作為上述㈣基喧琳或其衍生物之金屬錯合物之具體例，可將包含奧辛 (通常為8_㈣琳或8，基啥琳）之螯合物的金屬螯合類奥辛化合物’例如三（8_經㈣）銘用作電子佈植材料。、另一方面’作為，号二唑衍生物示之電子轉移化合物： [化 20] ❹ ❹ 可列舉以下述通式所表

(式中ΑΓ Ar、〜、^、^、^'分別表示經取代或未广取:戈之芳I ’該等彼此可相同亦可不同；另外，

Ar、Al>、AI·8表示經取代或未經取代之伸芳基，該等可相同亦可不同）。此處，作為芳基，可列舉：苯基、聯苯基、蒽基、花 ^ 土另外，作為伸芳基，可列舉：伸苯基、伸萘基、伸聯笨基、伸蒽基、㈣基、㈣基m卜，作為取代基可歹j舉.碳數為卜1〇之院基、碳數為1〜1〇之烧氧基 134019.doc •38· 200932870 或氰基等。該電子轉移化合物較好的是具有薄膜形成性者。作為上述電子轉移性化合物之具體例，可列舉下述者： [化 21]

進而，作為用於電子佈植層及電子傳輸層之材料，可使用下述通式（Α)〜(F)所表示者。以通式（Α)及（Β)所表示之含氮雜環衍生物：

[化 22]

(Α)

134019.doc -39- 200932870 (通式⑷及（B)中，A丨〜八3分別獨立為氮原子或碳原子；

Ar1為經取代或未經取代之核碳數為6〜6〇之芳基、或者經取代或未經取代之核碳數為3〜6〇之雜芳基，^為氣原子、經取代或未經取代之核碳數為6〜6〇之芳基、經取代或 • t經取代之核錢為3〜6G之㈣基、經取代或未經取代之石厌數為1〜20之燒基、或者經取代或未經取代之碳數為卜 ' 之炫氧基、或者該等之二價基；其t，AAV中之任一 φ 纟為經取代或未經取代之核碳數為1Q〜6G之縮合環基、或者經取代或未經取代之核碳數為3〜6〇之單縮合雜環基、或者該等之二價基； L、L及L分別獨立為單鍵、經取代或未經取代之核碳數為6— 60之伸方基、經取代或未經取代之核碳數為3〜6〇之伸雜芳基、或者經取代或未經取代之伸苐基；氫原子、經取代或未經取代之核碳數為6〜60之芳基、經取代或未經取代之核碳數為Η之雜芳基、經取代 ® 以經取代之碳數為1〜2G之貌基、或者經取代或未經取代之奴數為1〜20之烷氧基，〜5之整數，於以上之情料’複數個R可相同亦可不同，又，相鄰之複數似基彼此1可鍵結而形成碳環式脂肪族環或碳環式芳香族環； R為氣原子、經取代或未經取代之核碳數為6〜60之芳基、經取代或未經取代之核碳數為3〜60之雜芳基、經取代或未、！取代之碳數為U之院基、或者經取代或未經取代之碳數為1〜20之烷氧基、或者_L_Arl_Ar2)。 .以通式（C)所表示之含氮雜環衍生物： 134019.doc 200932870 HAr-L-Ar^Ar2 (C) (式中，HAr為可具有取代基之碳數為3〜4〇之含氮雜環；L 為單鍵、可具有取代基之碳數為6〜6〇之伸芳基可具有取代基之碳數為3〜60之伸雜芳基、或可具有取代基^伸第基，Ar為可具有取代基之碳數為6〜6〇之二價芳香族烴基；Ar2為可具有取代基之碳數為6〜6〇之芳基、或可具有取代基之碳數為3〜60之雜芳基）。以通式（D)所表示之矽雜環戊二烯衍生物： [化 23]

(式中，X及Y分別獨立為碳數為i〜6之飽和或不飽和之烴基、院氧基、稀氧基、炔氧基、經基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之雜環、或者X與γ鍵結而形成飽和或不飽和之環的結構；R丨〜R4分別獨立為氫、函素原子、經取代或未經取代之碳數為1至6之烷基、烷氧基、芳氧基、全氟烷基、全氟烷氧基、胺基、烷基羰基、芳基幾基、烧氧羰基、芳氧基羰基、偶氮基、烷基羰氧基、芳基幾氧基、院氧基羰氧基、芳氧基羰氧基、亞磺醯基、磺酿基、硫基、矽烷基、胺甲醯基、芳基、雜環基、烯基、炔基、硝基、甲醯基、亞硝基、甲醯氧基、異氰基、氰酸 134019.doc 41 200932870 酯基、異氰酸酯基、硫氰酸酯基、異硫氰酸酯基或氰基，或者當R丨〜R4相鄰時為經取代或未經取代之環縮合而成之結構）。以通式（E)所表示之棚炫衍生物： [化 24]

(通式（E)中，及&分別獨立為氫原子、飽和或不飽和之烴基、芳香族基、雜環基、取代胺基、取代氧硼基、烷氧基或芳氧基；X、Y及Zl*別獨立表示飽和或不飽和之烴基、芳香族基、雜環基、取代胺基、烷氧基或芳氧基； Z1與Z2之取代基可相互鍵結而形成縮合環；n表示1〜3之整 φ 數，於η為2以上之情形時，Ζι彼此可不相同；其中，不包括打為} ’ X、γ及Rz為甲基，且Rs為氫原子或取代氧硼基之情形，以及η為3且Z丨為甲基之情形）。 [化 25] Q-j- (F)

'Ga--L

[通式（F)中，Ql及Q2分別獨立表示以下述通式所表示之配位子；L為齒素原子、經取代或未經取代之烷基、經卑 134019.doc -42- 200932870 代或未經取代之環烷基、經取仲 i取代或未經取代之芳基、經取代或未經取代之雜環基、以丨丨 M UR (R為氫原子、經取代或未經取代之烷基、經取代或未人衣絰取代之環烷基、經取代或未3經取代之芳基、經取代或未經取代之雜環基）或·〇_Ga_ Q (Q4)(Q3及Q4與Q1及Q2相同）所表示之配位子]。 [化 26]

[通式（G)中，環V及A2為可具有取代基之相互縮合之六員芳環結構]。該金屬錯合物作為n型半導體之性質較強、電子佈植能力較大。進而’由於形成錯合物時所產生之能量亦較低， =此所形成之金屬錯合物之金屬與配位子之結合性亦較為牢固，用作發光材料時之螢光量子效率亦增大。作為形成通式（G)之配位子之環…及八2之取代基之具體 J可歹j舉.氣、漠、填、氟等齒素原子，甲基、乙基、 @基、丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、己基、庚基、辛土十八貌基、三氣甲基等經取代或未經取代之烷基，苯基、萘基、3-甲基苯基、3_甲氧基苯基、3·氣苯基、^ 氣甲基本基、3 -二氟甲基苯基、3_硝基苯基等經取代或未經取代之芳基，甲氧基、正丁氧基、第三丁氧基、三氣 134019.doc •43- 200932870 甲氧基、三氟乙氧基、五氟丙氧基、2,2,3,3-四氟丙氧基、1，1，1，3,3,3-六氟-2 -丙氧基、6-(全氟乙基）己氧基等經取代或未經取代之烷氧基，苯氧基、對硝基苯氧基、對第二丁基苯氧基、3 -氟苯氧基、五氟苯基、3-三氟曱基苯氧基等經取代或未經取代之芳氧基，曱硫基、乙硫基、第三丁基硫基、己硫基、辛硫基、三氟甲基硫基等經取代或未經取代之烷硫基，苯硫基、對硝基苯硫基、對第三丁基笨硫基、3-氟苯硫基、五氟苯硫基、3-三氟甲基苯硫基等經取代或未經取代之芳硫基，氰基，硝基，胺基，甲基胺基、二甲基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、二丙基胺基、二丁基胺基、二苯基胺基等單或二取代胺基，雙（乙醯氧基甲基）胺基、雙（乙醯氧基乙基）胺基、雙（乙醢氧基丙基）胺基、雙（乙醯氧基丁基）胺基等醯基胺基，羥基，矽烷氧基’醯基，甲基胺曱醯基、二甲基胺曱醯基、乙基胺甲醯基、二乙基胺曱醯基、丙基胺曱醯基、丁基胺甲醯基、苯基胺甲醯基等胺甲醯基，羧酸基，磺酸基，酿亞胺基，環戊基、環己基等環烷基，笨基、萘基、聯苯基、蒽基、菲基、苐基、祐基等芳基，β比咬基、D比Τ»井基、喊淀基、塔p井基、三畊基、吲哚啉基、喹啉基、吖啶基、吡咯啶基、二氧雜環己烷基、哌啶基、嗎啉啶基、哌畊基、咔唑基、咳喃基、笨硫基、咩唑基、噚二唑基、苯并嘮唑基、噻唾基、噻二唑基、苯并噻唑基、三唑基、咪唑基、苯并咪唾基等雜環基等。另外，以上之取代基可彼此鍵結而進—步形成六員芳環或雜環》 134019.doc -44 - 200932870 於本發明之有機EL元件之較好之形態 _

❹ 二=於傳輸電子之區域或者陰極與有:層區 ί =有還原性#雜材料。此處’所謂還原性摻雜材料， :二可使電子傳輸性化合物還原之物質。因此，只要具有一疋之還原性，則可使用各種還原性#雜材料，例如可較好地使用選自由驗金屬、驗土金屬、稀土金屬驗金屬之氧化物、驗金屬之齒化物、驗土金屬之氧化物、驗土金屬之齒化物、稀土金屬之氧化物或稀土金屬之南化物、驗金屬之有機錯合物、驗土金屬之有機錯合物、稀土金屬之有機錯合物所組成之群中之至少一種物質。另外’更具體而言，作為較佳之還原性摻雜材料可列舉：選自由Na(功函數：2.36 eV)、κ(功函數：2 28

Rb(功函數：2.16 eV)及Cs(功函數：！ 95 eV)所組成之群中之至v —種鹼金屬，或者選自由Ca(功函數：2 9 ^)、 Sr(功函數：2·〇〜2·5 eVmBa(功函數：2 52 ^所組成之群中之至少一種鹼土金屬’特別好的是功函數為2 9…以下者。該等之中，更佳之還原性摻雜材料為選自由K、Rb 及Cs所組成之群中之至少一種鹼金屬，更好的是Rb*G，最好的是Cs。該等驗金屬之還原能力特別高，#由向電子佈植區域中添加相對少量之該等鹼金屬，可提昇有機ELs 件之發光亮度或使有機EL元件長壽命化。又，作為功函數為2.9 eV以下之還原性摻雜材料，該等兩種以上之鹼金屬之組合亦較好，特別好的是包含Cs之組合，例如較好的是 Cs與Na、（^與尺、&與1^或者以與1^及^：之組合。藉由^ 134019.doc -45- 200932870 合含有Cs，可有效地發揮出還原能力，且藉由向電子佈植 2域中添加上述組合’可提昇有機心件之發光亮度或使有機EL元件長壽命化。 ❹ ❹ 於本發明中，可於陰極與有機層之間進—步設置由絕緣艘或半導想所構成之電子佈植層。此時，可有效地防止電流沒漏，提昇電子佈植性。作為此種絕緣體，較好的是使用：選自由驗金屬硫化物、驗土金屬硫化物、驗金屬之齒化物及驗土金屬之齒化物所組成之群中之至少一種金屬化合物。若電子佈植層由該等驗金屬硫化物等所構成，則可進一步提昇電子佈植性，就該點而言較好。具體而言，作為較佳之驗金屬硫化物，例如可列舉：卟〇、κ2〇、 Na2S、Na2Se及Na20，作為較佳之驗土金屬硫化物，例如可列舉：。〇、祕、⑽、Be〇、BaS及CaSe。又，作為較佳之瞼金屬之齒化物，例如可列舉：UF、祕、kf、 LiCl、KC1及NaCl等。又，作為較佳之鹼土金屬之鹵化物，例如可列舉：⑽^心响^必及邮等氣化物或氟化物以外之鹵化物。另外’作為構成電子傳輸層之半導體，可列舉含有Ba、

Ca、Sr、Yb、A卜 Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、 SWZn中之至少一種元素之氧化物、氮化物或氧化氣化物等之單獨-種或兩種以上之組合。又，較好的是構成電子傳輸層之無機化合物為微晶或非晶質之絕緣性薄膜。若電子傳輸層由該等絕緣性薄膜所構成，則可形成更均質之薄膜，因此可減少暗點（dark sp〇t)等像素缺陷。再者，作為 134019.doc ‘46· 200932870 此種無機化合物’可列舉上述驗金屬硫化物、驗土金屬硫化物、鹼金屬之卤化物以及驗土金屬之鹵化物等。 (7)陰極為了將電子佈植於電子佈植、傳輸層或發光層中，而使用以下者作為陰極’即將功函數較小(“v以下)之金屬、 " 導電性化合物及該等之混合物作為電極物質者。作為此種電極物質之具體例，可列舉：鈉、鈉鉀合金、

n f銀合金、銘/氧化銘、銘-鐘合金、銦、稀土金屬等。該陰極可藉製作4⑷諸或義#方法使該等電極物質形成為薄膜。此處’於自陰極導出來自發光層个曰货尤層之光之情形時，較好的疋陰極對光之透過率大於10%。另外，作為陰極之薄膜電阻較好的是幾百旧□以下，膜厚通常為10 nm〜1 μιη，較好的是5〇〜2〇〇。 (8)絕緣層故容易由於漏電或 ’較好的是於一對由於有機EL元件對超薄膜施加電場，短路而產生像素缺陷《為了防止該現象電極間插入絕緣性之薄膜層。作為用於絕緣層之材料，例如可列舉：氧裡了鐘、氣化铯、氧化绝、氧化鎂、氟化鈣、氟化鈣、氮化銘、氧化鈦、氧化矽、氧化… 矽、氮化硼、氧化鉬、氧化釕、氧、虱化之混合物或積層物。氧化叙等。亦可使用該等 134019.doc •47· 200932870 (9)有機EL元件之製造方法藉由以上所例示之材料及方法形成陽極、發光層，且視需要形成電洞佈植、傳輸層及電子佈植層、傳輪層，進而形成陰極’藉此可製作有機EL元件。另外，亦可以與上述相反之順序自陰極向陽極製作有機EL元件。以下，就具有於透光性基板上’依序設置有陽極/電洞 • 佈植層/發光層/電子佈植層/陰極之構成的有機EL元件之製作例加以說明。〇首先’於適當之透光性基板上，利用蒸鍍法或濺鍍法等方法以使膜厚為1 μιη以下、較好的是10〜200 nm之範圍内之方式形成由陽極材料所構成之薄膜，從而製成陽極。然後’於該陽極上設置電洞佈植層。電洞佈植層可如上所述般利用真空蒸鍍法、旋塗法、澆鑄法、Lb法等方法來形成’但就容易獲得均質之膜且不易產生針孔等方面而言，較好的是利用真空蒸鍍法來形成電洞佈植層。於利用真空〇蒸鍍法形成電洞佈植層之情形時，其蒸鍍條件根據所使用之化合物（電洞佈植層之材料）、目標之電洞佈植層之結晶、、’α構或再結合結構等不同而不同，通常較好的是於蒸錢源咖度50〜450 C、真空度1〇·7〜1〇-3 Torr、蒸鍍速度0.01〜50 nm/s、基板溫度_5〇〜3〇〇〇c、膜厚5 nm〜5 之範圍内進行適當選擇。繼而，於電洞佈植層上設置發光層.發光層亦可藉由使用所需之有機發光材料，利用真空蒸鍍法、濺鍍法、旋塗法、澆鑄法等方法使有機發光材料薄臈化而形成，但就容 134019.doc 48· 200932870 易獲得均質之膜且不易產生針孔等方面而言，較好的是利用真空蒸鍍法形成該發光層。於利用真空蒸鍍法形成發光層之情形時，其蒸链條件根據所使用之化合物不同而不同，通常可自與電洞佈植層相同之條件範圍内進行選擇。 ❹

接著，於該發光層上設置電子佈植層。與電洞佈植層、發光層相同，由於需要獲得均質之臈’故較好的是利用真空蒸鍍法形成電子佈植層。蒸鍍條件可自與電洞佈植層、發光層相同之條件範圍内進行選擇。本發明之芳香族胺衍生物根據含有其之發光帶或電洞傳輸帶之層不同而不同，於使用真空蒸鍍法之情形時可將本發明之芳香族胺衍生物與其他材料共蒸鑛。另彳，於使用旋塗法之情形時’可藉由將本發明之芳香族胺衍生物與其他材料混合而使其包含於發光帶或電洞傳輸帶之層中。最後，積層陰極，藉此可獲得有機EL元件。陰極係由金屬所構成者，可使用蒸鑛法、錢鑛法來形成。然而，為了保護基礎有機物層不會在製膜時受到損傷’較好的是真空蒸錢法。久真空處理中該有機EL元件之製作過程較好的是，於連貫地自陽極向陰極製作。對：發明之概元件的各層之形成方法並無特別限用於本^先Ά知之真空蒸鐘法、旋塗法等形成方法。用於本發明之有機^件中之含有以上述通式⑴ 的有機薄膜層可利用如下之公知之方法形成:真工…法’》子束蟲晶法（MBE(mGleeuIar beam响㈣ 134019.doc -49- 200932870 法）’或者使用將以上述通式（1)所表示之化合物溶解於溶劑而獲得之溶液之浸潰法，旋塗法、澆鑄法、棒塗法、链塗法專塗佈法。對本發明之有機EL元件之各有機層之膜厚並無特別限制’一般而言，若膜過薄則容易產生針孔等缺陷，反之，若過厚則必須施加較高之電壓而導致效率變差，因此通常較好的是幾nm至1 μιη之範圍。 e ❹ 再者’於對有機EL元件施加直流電壓之情形時，若將陽極設為+極性、將陰極設為_極性’且施加5〜4〇 V之電壓，則可觀測到其發光。又，於相反之極性下，即使施加電壓亦無電流流動’完全不發光。進而，於施加交流電壓之情形時，僅於陽極為+極性、陰極為_極性時可觀測到其均勻地發光。所施加之交流電流之波形可為任意波形。實施例以下，根據合成例及實施例對本發明加以更詳細之說明。合成例1〜4中所製造之中間體ι〜4之結構式如下： [化 27]

中間體1 中間體2 中間體3 134019.doc •50 200932870 合成例1(中間體1之合成）於200 mL之二口燒瓶中加入2〇〇 g之4溴聯笨（東京化成公司製品）、8.64 g之第三丁氧基鈉（和光純藥公司製造）、 84 mg之乙酸鈀（和光純藥公司製造）。然後放入攪拌子，於燒瓶之兩側設置橡膠套墊，於中央之瓶口處設置回流用蛇&且於其上6又置二向旋塞及封入有氬氣之氣球，使用真空泵，以氣球内之氬氣將系統内置換3次。繼而，使用注射器穿過橡膠隔墊添加12〇脫水甲苯 (廣島和光公司製造）、4·08 mL苄胺（東京化成公司製造）、 338 μί二-第三丁基膦（Aidric|^司製造，甲笨溶液為 mol/L) ’於室溫下攪拌5分鐘。接著’將燒瓶設置於油浴中’ 一邊攪拌溶液一邊使其徐徐升溫至12(rc為止^ 7小時後’自油浴中取出燒瓶結束反應，於氬氣環境下放置12小時。將反應溶液移至分液漏斗中’加入6〇〇 mL二氣甲烧使沈澱物溶解，用120 mL飽和鹽水清洗後，用無水碳酸鉀對 ❹ 有機層進行乾燥。將過濾分離出碳酸if後所獲得之有機層之溶劑餾去’於所得之殘渣中添加400 mL甲苯、80 mL乙醇’安裝乾燥管加熱至8(TC，使殘渣完全溶解。其後，放置12小時’緩慢冷卻至室溫，藉此使殘渣再結晶。過濾所析出之晶體’於60°C下進行真空乾燥，藉此獲得13.5 g之 N，N-二-(4-聯苯基）-苄胺。於300 mL之單口燒瓶中加入 1.35 g之N，N-二-(4-聯苯基）-苄胺、135 mg之把-活性碳（廣島和光公司製造，鈀含量為1 〇重量％)，添加丨〇〇 mL氣仿、 20 mL乙醇將其等溶解。然後，將攪拌子放入至燒瓶内 134019.doc -51 - 200932870

後，將設置有填充了 2 L氫氣之氣球的三向旋塞安裝於燒瓶上’使用真空泵以氫氣將燒瓶系統内置換丨〇次。對減少之風風•重新填充而使虱氣之容積再次達到2 L之後，於室溫下猛烈地攪拌溶液。攪拌30小時後，添加1〇〇 mL二氣甲烷，過濾分離出觸媒。繼而，將所獲得之溶液移至分液漏斗中，用50 mL碳酸氫鈉飽和水溶液清洗後，分離出有機層’用無水碳酸鉀對其進行乾燥。過濾後，餾去溶劑，於所獲得之殘液中添加50 mL甲苯’使其再結晶。過濾分離出所析出之晶體並於5(TC下進行真空乾燥，藉此獲得〇99 g之二-4-聯苯基胺（中間體1)。根據FD_MS(field des〇rpti〇n mass spectrometry，場解吸質譜法）之分析，鑑定其為中間體1。合成例2(中間體2之合成）於氬氣氣流下，加入5.5 g之苯胺、15 7 §之4溴_對聯三苯、6.8 g之第三丁氧基鈉（廣島和光公司製造）、〇呂之三（二亞苄基丙酮）二鈀（0)(Aldrich公司製造）及3〇〇 mL脫水甲苯’於80°C下反應8小時》冷卻後，添加500 mL水，用碎薄土過滤混合物，用甲苯萃取遽液’用無水硫酸㈣其乾燥。於減壓下對經乾燥之遽液進行濃縮，以管柱純化所獲得之粗產物，用甲苯使其再結晶，過渡取出晶體後，對其進行乾燥，獲得1〇8代淡黃色粉末。根據FD-MS之分析，鑑定其為中間體2。合成例3(中間體3之合成）除使用4-漠_9,9·二甲基第代替4_演_對聯三笨基以外以 134019.doc -52- 200932870 與中間體2之合成相同之方式進行反應，獲得73 g之白色粉末。根據FD-MS之分析，鑑定其為中間體3。合成例4(中間體4之合成）加入17.7 g之9-苯基咔唑、6.03 g之碘化鉀、7 78 g之碘酸鉀、5.90 mL之硫酸、及乙醇，於75t下反應2小時。冷卻後’加入蒸餾水、乙酸乙酯進行分液、萃取，其後使用碳酸氫鈉水溶液、蒸餾水清洗有機層，並對其進行濃縮，用矽膠層析法（甲苯）純化所獲得之粗產物，對所獲得之固體進行減壓乾燥，獲得21.8 g之白色固體。於氬氣氣流下，於13.1 g之上述所獲得之白色固體中添加脫水甲苯、脫水醚，冷卻至—“它’滴加25 mL『丁基鋰己烷溶液（1.58 M)，一邊攪捽一邊以丨小時使其升溫至_5艺。再次冷卻至-45t：，緩緩地滴加25 mL硼酸三異丙酯後反應 2小時。恢復至室溫之後，添加10%之稀鹽酸溶液並攪拌，萃取有機層。用飽和鹽水對有機層進行清洗後，用無水硫酸錢對其進行乾燥，過濾分離後進行濃縮。用矽膠層析法（甲苯）純化所獲得之固體’並用正己燒清洗所獲得之固體，對其減壓乾燥後獲得7.1() g之固體。根據fd_ms之分析，鑑定其為中間體4。合成實施例卜12中所製造之本發明之料族胺衍生物即化合物Η1〜Η12之結構式如下： 134019.doc -53- 200932870 [化 28]

合成實施例1(化合物HI之合成）作為第一反應’於氬氣氣流下，加入6 4 g之中間體1、 9.5 g之 2,2'-二溴-9,9’-螺雙第、231 mgiPd2(dba)3、325 mg之p(t-Bu)3、2.9 g之第二丁氧基鈉、甲苯，於8〇。匸下反應4小時。冷卻後，添加甲苯并用矽藻土進行過濾，然後激縮渡液，用矽膠層析法（己烷：二氣甲烷=6 :丨）對濾液進行純化，並用正己烷清洗所獲得之固體，對其減壓乾燥 134019.doc -54- 200932870 後獲得2.1 g之白色固體。作為第二反應，對上述所獲得之化合物與丨萘基苯基胺進行與第一反應相同之反應’獲得1·3 g之白色固體。根據 FD-MS之分析’鑑定其為化合物hi。合成實施例2(化合物H2之合成）除使用中間體2代替第二反應中之1-萘基苯基胺以外，進行與合成實施例1相同之反應，獲得0.9 g之白黃色固體。根據FD-MS之分析，鑑定其為化合物H2。 β 合成實施例3(化合物Η3之合成）除使用中間體3代替第二反應中之1-萘基苯基胺以外，進行與合成實施例1相同之反應，獲得1 .〇 g之白黃色固體。根據FD-MS之分析，鑑定其為化合物H3。合成實施例4(化合物H4之合成）作為第一反應’於氬氣氣流下，加入3.2 g之味β坐、9.5 g 之 2,2’二溴-9,9’-螺雙苐、231 mg之 Pd2(dba)3、325 mg之〇 PG-B11)3、2.9 g之第三丁氧基鈉、曱苯，於8〇t下反應4小時。冷卻後’添加甲笨并用矽藻土過濾，然後濃縮濾液，用矽膠層析法（己烷：二氣甲烷=6 :丨）純化濾液，並用正己烷清洗所獲得之固體，對其減壓乾燥後獲得M g之白色固體。作為第二反應，對上述所獲得之化合物與中間體1進行與第一反應相同之反應，獲得0,7 g之白色固體。根據 MS之分析’鑑定其為化合物H4。合成實施例5(化合物H5之合成）除使用1-萘基苯基胺代替第二反應中之中間體1以外， 134019.doc -55- 200932870 進行與合成實施例4相同之反應，獲得〇·9 g之白色固體。根據FD-MS之分析，鑑定其為化合物H5。合成實施例6(化合物H6之合成）除使用中間體2代替第二反應中之中間體丨以外，進行與合成實施例4相同之反應，獲得〇·6 g之白色固體。根據Fd_ • MS之分析，鑑定其為化合物H6。合成實施例7(化合物H7之合成） ❹ 除使用咔唑代替第一反應中之中間體1，使用中間體3代替第二反應中之1-萘基苯基胺以外，進行與合成實施例4 相同之反應，獲得0.9 g之白色固體。根據FD_MS2分析，鑑定其為化合物H7。合成實施例8(化合物H8之合成）作為第一反應，加入22.1 g之中間體4、23.7 g之2,2，-二 >臭_9,9’-螺雙苐、i.38 g之四（三苯基膦）鈀（pd(pph3)4)、21 9 g之碳酸鈉、自來水及二甲氧基乙烷，於回流下反應8小時。參冷卻後，過濾反應溶液，用丙酮萃取所過濾出之殘渣，用二氣甲料取所分離出之水[對所收集之滤液進行分液，並添加丙醐、二氣甲烷進行分液，用丙酮萃取所過濾出之殘渣，用二氣甲烷萃取所分離出之水層，用自來水清洗所收集之有機層，並對其進行濃縮，用矽膠層析法（己烷：二氣甲烷=9 : 1)純化所獲得之粗產物，用甲苯、甲醇使所獲得之固體再結晶，對其減壓乾燥後獲得4 i8 g之白色固體》作為第二反應，進行與合成實施例4之第二反應相同之 134019.doc -56- 200932870 反應，獲得3.2 g之白色固體。根據FD-MS之分析，鑑定其為化合物H8。合成實施例9(化合物H9之合成）除使用1-萘基苯基胺代替第二反應中之中間體丨以外，進行與合成實施例8相同之反應，獲得27 g之白色固體。根據FD-MS之分析，鑑定其為化合物H9。合成實施例10(化合物Η10之合成）除使用中間體2代替第二反應中之中間體丨以外進行與合成實施例8相同之反應，獲得2.3 g之白色固體。根據FD_ MS之分析，鑑定其為化合物hi 〇。合成實施例11(化合物H11之合成）除使用中間體3代替第二反應中之中間體1以外，進行與合成實施例8相同之反應’獲得3·3 g之白色固體。根據FD-MS之分析，鑑定其為化合物H11。合成實施例12(化合物Η12之合成）除使用咔唑代替第二反應中之中間體1以外，進行與合成實施例8相同之反應’獲得2.8 g之白色固體。根據FD-MS之分析，鑑定其為化合物H12。實施例1(有機EL元件之製造）將25 mmx75 mmxl.l mm厚之附有ITO透明電極之玻璃基板（Geomatic公司製造）於異丙醇中進行5分鐘超音波清洗，之後進行30分鐘UV(ultraviolet，紫外線）臭氧清洗。將清洗後之附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鍍裝置之基板固持器中，首先於形成有透明電極線之侧之面 134019.doc • 57- 200932870 上’以覆蓋上述透明電極之方式形成膜厚為8〇 nm之上述化合物H1膜。該H1膜發揮電洞佈植層及電洞傳輸層之功能。然後，蒸链形成膜厚為40 nm之下述化合物EM1膜。同時，以使EM1與D1之重量比為40 : 2之方式，蒸鍵作為發光分子之下述具有苯乙婦基之胺化合物Di〇該膜發揮發光層之功能。於該膜上形成膜厚為10 nm之下述Alq膜。其發揮電子佈植層之功能。其後，對作為還原性摻雜材料之Li(u之來源：Saes Getter公司製造）與Alq進行二元蒸鍍，形成作為電子佈植層（陰極）之Alq: Li膜（膜厚*1〇nm)。於該Alq: Li 膜上蒸鍍金屬A1而形成金屬陰極，從而形成有機£1^元件。另外’測定所獲得之有機EL元件之發光效率，並觀察發光色。發光效率係使用Minolta製造之csl〇〇〇測定亮度，進而，測定於初期亮並計算出10 mA/cm2下之發光效率。度 5000 cd/m2、室溫、DC(direct_current，直流）怪定電流驅動下之發光之半衰壽命。其結果示於表1。 [化 29]

實施例2〜12(有機EL元件之製造） 134019.doc -58- 200932870 除使用表1中斛4 # ^ s己載之化合物代替實施例1中之化合物H1 為電/同傳輪材料以外’進行與實施例1相同之實驗及測定。其結果示於表1〇比較例1〜2 除使用比較化合物1或比較化合物2代替實施例1中之化合物H1來作為電洞傳輸材料以外，進行與實施例1相同之實驗及測定。其結果示於表1。 [化 30]

實施例13(有機EL元件之製造）除使用下述芳基胺化合物D2代替實施例1中具有笨乙烯 ❹ 基之胺化合物D1以外，進行與實施例1相同之實驗及測定。其結果示於表1。 [化 31]

134019.doc 200932870 比較例3 除使用上述比較化合物1代替實施例13中之化合物HI來作為電洞傳輸材料以外，進行與實施例13相同之實驗及測定。其結果示於表1。實施例14(有機EL元件之製造）除使用下述芳基胺化合物D2代替實施例4中之具有苯乙烯基之胺化合物D1以外，進行與實施例4相同之實驗及測定。其結果示於表1。 [表1] 表1 電洞傳輸材料發光效率 (cd/A) 發光色半衰壽命 (h) 實施例1 H1 4.9 藍色 350 實施例2 H2 4.8 藍色 350 實施例3 H3 4,6 藍色 330 實施例4 H4 5.5 藍色 430 實施例5 H5 5.6 藍色 440 實施例6 H6 5.6 藍色 440 實施例7 H7 5.2 藍色 400 實施例8 H8 4.9 藍色 420 實施例9 H9 4.7 藍色 410 實施例10 H10 4.8 藍色 420 實施例11 H11 5.0 藍色 390 實施例12 H12 5.4 藍色 410 實施例13 H1 4.8 藍色 360 實施例14 H4 5.4 藍色 440 比較例1 比較化合物1 4.6 藍色 140 比較例2 比較化合物2 3.9 藍色 160 比較例3 比較化合物1 4.6 藍色 150 實施例15(有機EL元件之製造） 134019.doc -60- 200932870 將25 mmx75 mmxl.l mm厚之附有汀〇透明電極之玻璃基板（Geomatic公司製造）於異丙醇中進行5分鐘超音波清洗’ 然後進行30分鐘UV臭氧清洗。

將清洗後之附有透明電極線之玻璃基板安裝於真空蒸鑛裝置之基板固持器中，首先於形成有透明電極線之側之面上，以覆蓋上述透明電極之方式形成膜厚為6〇 nm之下述化合物H232膜。該H232膜發揮電洞佈植層之功能。於該 H232膜上形成膜厚為20 nm之上述化合物層。該膜發揮電洞傳輸層之功能。進而蒸鍍形成膜厚為4〇 nm2下述化合物ΕΜ1臈。同時，以使EM1與D1之重量比為4〇: 2之方式，蒸鍍作為發光分子之下述具有苯乙烯基之胺化合物 D1。該膜發揮發光層之功能。於該膜上形成膜厚為1〇 nm之下述Alq膜。其發揮電子佈植層之功能。其後，對作為還原性摻雜材料之Li(Li來源： Saes⑽如公司製造）與Alq進行二元蒸鑛，形成作為電子佈植層（陰極）之Alq: Li膜（膜厚為1〇 nm)。於該Alq:以膜上蒸鍍金屬A1而形成金屬陰極，從而形成有機乩元 /外，収所獲得之有機肛元件之發光效率，並觀察發光色。發光效率係使用Min〇ha製造之csi〇〇〇測定亮度，並計算出H) mAW下之發光效率。進而，測度 5000 cd/m2、官、、田、rms -兩 DC恆疋電流驅動下之發光之命。其結果示於表2。 134019.doc ·* 61 · 200932870 [化 32]

H2 3 2 實施例16~17(有機EL元件之製造） Ο 除使用表2中所記載之化合物代替實施例1 5中之化合物 H1來作為電洞傳輸材料以外，進行與實施例丨5相同之實驗及測定。其結果示於表2。比較例4~5 除使用比較化合物1或比較化合物2代替實施例1 5中之化合物H1來作為電洞傳輸材料以外，進行與實施例丨5相同之實驗及測定。其結果示於表2。實施例1δ(有機EL元件之製造）除使用上述芳基胺化合物D2代替實施例15中之具有苯乙烯基之胺化合物D1以外，進行與實施例15相同之實驗及測 ' 定。其結果示於表2。比較例6 除使用上述比較化合物1代替實施例1 8中之化合物H1來作為電洞傳輸材料以外，進行與實施例1 8相同之實驗及測疋。其結果示於表2。實施例19〜27(有機EL元件之製造） 134019.doc •62· 200932870 除使用表2中所記載之化合物代替實施例1 5中之化合物 H1來作為電洞傳輸材料以外，進行與實施例15相同之實驗及測定。其結果示於表2。實施例28(有機EL元件之製造）除使用上述芳基胺化合物D2代替實施例19中之具有苯乙烯基之胺化合物D1以外，進行與實施例19相同之實驗及測定。其結果示於表2。 [表2] 電洞傳輸材料發光效率 (cd/A) 發光色半衰壽命 (h) 實施例15 H1 5.1 藍色 370 實施例16 H2 5.0 藍色 360 實施例17 H3 4.8 藍色 330 實施例18 H1 5.1 藍色 380 實施例19 H4 5.9 藍色 310 實施例20 H5 6.1 藍色 320 實施例21 H6 6.0 藍色 330 實施例22 H7 5.6 藍色 310 實施例23 H8 4.9 藍色 430 實施例24 H9 4.8 藍色 420 實施例25 H10 4.9 藍色 430 實施例26 H11 5.0 藍色 400 實施例27 H12 5.5 藍色 310 實施例28 H4 5.9 藍色 320 比較例4 比較化合物1 4.8 藍色 260 比較例5 比較化合物2 4.3 藍色 210 比較例6 比較化合物1 4.7 藍色 260 實施例29(有機EL元件之製造）除於陽極與上述化合物H1之間形成下述受體化合物之膜 134019.doc •63- 200932870 厚為10nm之膜’並將上述化合物HI之厚膜更改為5〇nm# 外，進行與實施例1相同之實驗及測定。其結果，發光效率為4.3 cd/A，發光色為藍色，半衰壽命為3 10小時。 [化 33]

受趙化合物比較例7 除使用上述比較化合物1代替實施例29中之化合物H1來作為電洞傳輸材料以外，進行與實施例29相同之實驗及測定。其結果，發光效率為4.1 cd/A，發光色為藍色，半衰壽命為90小時。實施例3 0(有機EL元件之製造）除於實施例4中之陽極與上述化合物JJ4之間使實施例29 中所使用之受體化合物形成膜厚為1〇 nm之膜，並將上述化合物H4之厚膜更改為5〇 nm以外，進行與實施例4相同之實驗及測定。其結果，發光效率為4.9 cd/A，發光色為藍色，半衰壽命為380小時。 [產業上之可利用性] I340I9.doc -64· 200932870 如以上之詳細說明，本發明之芳香族胺衍生物可提昇有機EL元件之發光效率，並且其分子難以結晶化，藉由於有機薄膜層中含有該芳香族胺衍生物，可提昇製造有機EL元件時之良率，實現壽命較長之有機EL元件。

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Claims

200932870 十、申請專利範圍··

一種芳香族胺衍生物，其係以 [化1] 下述通式（1)表示：

❹ [式1f7 ’ R及R2分別獨立表 .衣丁氫原子、經取代或未經取代之核原子數為6〜50之关篡、私方基或者經取代或未經取代之碳数為1〜50之烷基；A及丨撫丄刀別獨立由下述通式（2)〜（5)表不，其中，A與B並不相同： [化2] 〇 a/ (2) N、

(式中’ Ar1〜Ar4分別獨立數為6〜50之芳基；另外，經取代或未經取代之核原為經取代或未經取代之核原子、經取代或 R〜R6分別獨立表示氫原子、子數為6〜50之芳基 134019.doc 200932870 未經取代之碳數為1〜50之烷基）]β 2. 3. 如請求項1之芳香族胺衍生物，其中於上述通式⑴中，A 為以通式（2)所表示之取代基，且B為以通式⑺所表示之取代基，Ar丨〜A〆中之至少三者以上為不同之取代基。如s青求項1之芳香族胺衍生物，其中於上述通式（！）中，a 為以通式（2)所表示之取代基，且b為以通式（3)所表示之取代基，Ari〜Ar4中之3個為相同之取代基。 4. ❹ 如請求項1之芳香族胺衍生物，其中於上述通式⑴中，A 為以通式（2)所表示之取代基，且以通式（3)所表示之取代基Ar與Ar為相同之取代基、Ar3與Ar4為相同之取代基。 5.如明求項1之芳香族胺衍生物，其中於上述通式（！）中a 為以通式（2)所表示之取代基，且B為以通式（3)所表示之取代基，Ar1及Ar2為聯苯基，八^及Ar4分別獨立為選自苯基、聯苯基、萘基、聯三苯基及第基中之取代基。 φ 6.如清求項1之芳香族胺衍生物，其中於上述通式（1)中，Α 為以通式（2)所表示之取代基，Β為以通式所表示之取代基。 « 7. 如凊求項6之芳香族胺衍生物其中上述通式（2)中之八^ 及Ar2分別獨立為選自苯基、聯苯基、萘基、聯三苯基及苐基中之取代基。 8. 如請求項1之芳香族胺衍生物，其中於上述通式（1)中，Α 為以通式（2)所表示之取代基，以通式（5)所表示之取代基。 134019.doc -2 - 200932870 如^項8之芳香族胺衍生物，其中上述通式（2)中之Ar1 及Ar2分別獨立為選自苯基、聯苯基、茶基、聯三苯基及苐基中之取代基。如青长項1之芳香族胺;^生物，其中於上述通式⑴中，A 為以通式（4)所表示之取代基，B為以通式（5)所表示之取代基。 ❹ 參 11.如明求項1至附任一項之芳香族胺衍生物，其係有機電激發光元件用材料。請求们至㈣p項之芳香族㈣生物，其係有機電激發光7L件用電洞傳輸材料。 13. 一種有機電激發光元件，其係於其陰極與陽極之間，夹 ^有^括至少包含發光層之—層或複數層之有機薄膜 f =機薄膜層之至少-層含有如請求項li〇中任 -項之芳香族胺衍生物作為單獨成分或混合物之成分。求項13之有機電激發光元件，其中該有電洞傳輸層’且該電洞傳輸層含有如請求項咖；任一項之芳香族胺衍生物。 15: = Γ機電激發光元件，其W有機薄臈層具 :複數層之電洞傳輸層’且與發光層直接接觸之層中含有如請求項1至10中任一項之芳香族胺衍生物。 16:求項13之有機電激發光元件，其中該有機薄膜層具在佈植層’且該電洞佈植層含有如請求項β1〇中任項之芳香族胺衍生物。 17.如請求項13至16中任—項之有機電激發光元件其中發 1340I9.doc 200932870 光層含有笨乙烯基胺化合物及/或芳基胺化合物數發光元件、傳輪層，激發光元件 ’其中該且其中至，其係進 18. 如請求項I3至I7中任一項之有機電有機薄膜層具有複數層之電洞佈植 .少一層為含有受體材料者。 19. 如請求項 $主18中任—項之有機電行藍色系發光者。

134019.doc 200932870 七、指定代表囷： (一) 本案指定代表圖為：（無） (二) 本代表圖之元件符號簡單說明：八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

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