TW200931567A - Apparatus and method for cleaning a substrate - Google Patents

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TW200931567A TW097140484A TW97140484A TW200931567A TW 200931567 A TW200931567 A TW 200931567A TW 097140484 A TW097140484 A TW 097140484A TW 97140484 A TW97140484 A TW 97140484A TW 200931567 A TW200931567 A TW 200931567A
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Jeong-Deog Koh
Young-Joo Shin
In-Seak Hwang
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Samsung Electronics Co Ltd
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Description

200931567 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本文公開的本發明的構思是於 的裝置與方法，且更具㈣▲ β — 積體電路 裝置與方法。、體^ ’疋有關於—種清潔基板的 【先前技術】 使用諸如;;t積製程、微影製程以及⑽ ❹ 程來製造半導體元件。在各製程完成之後， 以移殘留在基板上的不必要的層、雜質以/顆= ，吊’4製程包括化學溶液處理製程、漂洗製程以 及乾燥製程。在化學溶液處理製程中，將諸如氯氣酸、妒 酸以及魏的化學溶液供應至基板，以移_f。在漂= 製程中，將諸如去離子水的清潔液舰應至基板，以移除 殘留在基板上的任何化學溶液。乾燥製程是在漂洗製程之 後，移除殘留在基板上的任何清潔液體的製程。 圖1顯示了在基板上形成的閘極圖案中的缺陷。參考 圖1，當使用化學溶液來處理基板時，顆粒26可以殘留在 基板上。由於後續的層沈積在基板上，可能發生缺陷28， 其在每一層上具有突出的形狀。而且，雜質27可以牢固地 黏附於基板，並因此在清潔製程期間不能被移除。由於閘 極圖案是藉由依序地沈積多個層而形成的，因此可在閑極 圖案的層上頻繁地並大規模地發生此等缺陷。因此，此等 缺陷能夠導致與閘極圖案有關的元件徹底失效。 【發明内容】 5 200931567 本發明構思的實施例提供了一種清潔基板的裝置。此 基^清潔裝置包括：轉頭(spinhead)，以支撐基板；第一清 潔單疋^以利用拋光製程來清潔設置在轉頭上的基板；以 及第一π潔單元，藉由在基板上注入處理溶液以清潔設置 在轉頭上的基板。第一清潔單元包括支撐棒以及拋光墊， 其中此拋光墊包圍支撐棒的外部並與此支撐棒結合。 【實施方式】 參考各圖式，下文詳細介紹本發明構思的較佳實施 © 例。然而，本發明的構思可以不同的形式來實施，並且不 應該將其解釋為僅限於下文中的實施例。再者，提供這些 實施例，以使得本公開的内容更徹底及完整，並且使得本 發明構思的範圍完全傳達給本領域熟知此技藝者。在圖式 中，出於清晰目的，放大了各層以及區域的厚度。 圖2是根據本發明構思的實施例之基板清潔裝置的透 視圖’圖3是圖2的基板清潔裝置的縱向橫截面圖。 參考圖2以及圖3，基板清潔裝置1〇包括容器1〇〇、 e 轉頭2〇〇、第一清潔單元400以及第二清潔單元5〇〇。容器 提供實施清潔製程的空間。轉頭200設置在容器1〇〇 巾並且在清雜程_讀晶圓(W)。第—清潔單元棚 以及第一凊潔單元500從晶圓(W)移除缺陷和顆粒。第一 清潔，元400藉由拋光晶圓(w)來清潔晶圓(w)，並且第二 凊潔單το 5〇0藉由將處理溶液供應至晶圓(w)來清潔晶圓 (W)。於，下文中，將詳細介紹本發明構思的每一元件。 容器1〇〇具有位於其内部的空間1〇2。空間1〇2的上 6 200931567 部是打開的。容If 1GG的形狀可防止用於清潔製程的處理 溶液飛濺到容器1〇〇的外部。引流管122連接到容器ι〇〇 的底面，以將用於清潔製程的處理溶液自容器1〇〇排出， 並且閥ma安裝在引流管m +，以關閉/打開一排出路 徑。具有狹縫形狀的凹槽140形成在容器100的侧壁 部。 ❹
在清潔製程期間，轉頭200支撐該晶圓(w)。轉頭2〇〇 包括主體220以及支擇單元3⑻。藉由諸如電動機撕的 =動器來轉動的軸桿382與主體220的底面牢固結合。轴 ^82自容H 100外部的主體22〇的底面向下延伸。支樓 支撐設置在主體220上的晶圓(W)。支樓單元綱 匕括卡盤構件320、真空吸收構件34()卩及提升構件36〇。 由真心及收構件或卡盤構件咖而支撐於 檨侔t接觸設置在主體220上的晶圓(W)的侧部，卡盤 F狡叔可防止晶圓简在轉動主體220期間在橫向方向 當日日圓(W)高速轉動時，卡盤構件用於支撐 =^ 構件伽包括卡盤插銷恤卿以及卡盤 自^動器(未示出）。卡盤插銷322安裝在主體220中並 22G向上突出。每—卡盤插銷322 支=fa:^ 3既自支直於主體⑽的頂面。接觸插銷 徑小Hi的上端向上突出。制_通的直 ' 322a的直徑並且接觸插銷322b的中心偏離 7
主體220包括支撐插銷222，在藉由卡盤插銷322而 於侧向支擇晶H(W)時各支擇插銷222支標晶圓(w)的背 侧。支樓插銷222中之每-者自主體22〇的頂面向上突出 設置成支撐晶圓(W)的背侧邊緣。支撐插銷222中之 每一者均包括上部及下部。上部具有圓錐形狀並且與晶圓 (W)的背側接觸。下部具有圓柱形狀並且固定到主體22〇。 真空吸收構件340在晶圓(W)上抽取真空並且將晶圓 200931567 於支擇桿322a的中心。 卡盤插銷驅動器（未示出）在打開位置以及閉合 =切換卡盤插銷322。當卡盤插鎖322在打^置中時， 接觸插銷322b之間的空間大於晶圓(w)。當卡盤似 ί =3二1，接觸插銷32办與設置在接觸插銷322b 在i 220提升時’卡盤插銷322設置 幵置中虽主體220上的晶圓（W)轉動並且在曰圓 =製二時’卡盤插銷322設置在=二： m 驅動器(未示出)藉由轉動各支撐桿 卡：插雜二開位置，閉合位置之間切換卡盤插銷322。 屮、；ta Μ 2巾之每—者與連接有從㈣輪的軸桿(未示 =)相結合’並且多健動齒輪可以互鎖至一個轉動的主動 (rmng)齒輪。或者’卡盤插銷奶可以不同於以上介紹 的形狀而被設置。而且’卡盤插銷驅動器(未示出） 可，由在主體22〇的徑向方向上線性移動各卡盤插銷奶 而在打開位置以及閉合位置之間切換卡盤插銷322。 8 200931567 (w)固定至主體220。當晶圓(w)低速轉動時，真空吸 件340用於支標晶圓(w)。真空吸收構 IT主真體t 備於主體22G的頂面上。真空板342設置在 2=形成的圓形區内。真空板342可以具有圓形的了^銷 真工板342包括一個或多個真空孔(例如圖6的真空孔 偷）。根據—實施例’一個真純342a配備於真空板342 φ
的中心處。或者，多個真空孔342a可設置在真空板如 中以形成環形n線連接到真空孔342a並且 在真空線中。 、文衣 真空板342可具有各種形狀。例如，如圖4所示，真 空板342,包括圓形的内部區鳩以及自内部區地向外 延伸以具有突出形狀的外部區342c。外部區地環繞内 部區342b而以規律的間隔㈣咖interyal)設置著並且可 提供大約六個外部區342c。根據所希望的應用，可以改變 外部區342c的數量。卡盤插銷322以及支挣插銷奶可設 置在相鄰外部區342c之間的主體22〇上。真空孔342a可 配備於真空板342的各別外部區342c上。真空孔342a可 另外配備於真空板34的中心區342b上。 提升構件360改變真空吸收構件34〇以及卡盤構件 320之間的相對高度。當晶圓（w)藉由卡盤構件32〇而支撐 時，卡盤構件320設置成高於真空吸收構件。當晶圓 (W)藉由真空吸收構件340而支携時，真空吸收構件 設置成高於卡盤構件32心根據一實施例，該提升構件36〇 200931567 升軸線地=一動== 連接至提^、ί 3的下端向下延伸並且垂直驅動器364 垂直驅動n 364。作^^文^缸^者電動機可用作 埋丄咖 奸局對上文所介紹的内容的另一餚棰 來上^移吸收構件340而言’使用提升構件360 來下移動卡盤插銷322及支樓插鎖222則更佳。 姑一^清潔單元働使用拋光製程來清潔晶_〇。根 3元4°〇使用化學機械研磨(CMP) ^f，月潔曰曰圓(W)。第一清潔單元4〇〇包括支撐棒420、 拋光墊440、轉動構件460以及棒移動構件480。支撐棒 420具有在—個方向上延伸的長桿形狀。支雜42〇具有 Ο 大於晶i](W)半徑的長度。當沿垂直於長度方向的方向來 剪切該支撐棒420時，支撐棒420可以具有圓形橫截面形 狀。拋光墊440包圍該支撐棒420的一部份的外部及末端 並且與支撐棒420牢固結合。拋光墊440可具有滾筒形狀， 使得在拋光墊440的中心中形成孔，其中在此中心的孔中 插入有支撐棒420。拋光墊440具有等於或大於晶圓(w) 的半經的長度。拋光塑· 440可由包括研磨劑的材質形成。 晶圓（W)藉由研磨劑而被化學地抛光並且藉由與拋光塾 440的摩擦而被機械地拋光。根據晶圓(W)上各層的類型， 能夠使用各種研磨劑。或者，研磨劑可不包括於拋光堅44〇 中並且可代之以透過單獨的喷嘴520將其提供至晶圓w。 200931567 轉動構件460使用支撐棒420的長度方向的軸線作爲 轉動軸線而轉動。這使得當拋光墊44〇與晶圓(w)接觸並 且轉動構件460轉動該支撐棒420時，拋光墊44〇的全部 區域依序地與晶圓(w)接觸。具有連接至支撐棒42〇的末 端的軸桿的電動機能夠用作轉動構件46〇。 棒移動構件480移動該支樓棒42〇，使得拋光墊44〇 在接觸位置以及閒置位置(standby)之間切換。在接觸位置 中，拋光墊440與設置在轉頭2〇〇上的晶圓(w)的頂面接 ❹ 觸。在閒置位置中，拋光墊440不與設置在轉頭2〇〇上的 晶圓(w)的頂面接觸。拋光墊440接觸晶圓(w)的上部，以 與晶圓(w)的頂面平行。在閒置位置中，拋光墊44〇設置 成遠離晶圓（w)的上部。根據本實施例，棒移動構件48〇 轉動該支撐棒420，從而在接觸位置以及閒置位置之間移 動該支擇棒420。在閒置位置中，可設置支標棒42〇，使得 支撐棒42〇的長度定向於(oriented)垂直方向並且設置在容 器1〇〇的外部。棒移動構件480包括支架482以及電動機 ❹ 484。支架482與轉動構件460牢固結合。支架482還與連 接至電動機484的軸桿486牢固結合。 作爲另一選擇’孔(未示出）能夠形成在容器100的側 壁中並且棒移動構件48〇能夠透過此孔而在水平方向上線 性移動該支撐棒42〇，從而在接觸位置以及閒置位置之間 移動拋光墊440。 作爲又另一選擇’棒移動構件480可以配置成線性地 上下移動該支樓棒42〇。在這種情況下，閒置位置是自晶 11 200931567 圓(w)的頂面向上間隔開足狗距離的位置，以在晶圓 移動並且在晶圓(W)上實施清潔製程時，不干擾第二清潔 第二清潔單元5GG使用在晶圓(w)上注人處理溶液的 製程來清潔晶圓(W)。第二清潔單元包括一處理溶液 f應構件以及-賴氣體供應構件(未示出）。處理溶液供 H件包括化學溶液供應構件·a以及漂洗液趙供應構 ❹ ，(未不⑴。化學溶減鱗件5·向日日日圓(w)供應諸如 虱氟酸、硫酸、俩或氫氧化錄的化學溶液，以移除晶圓 W的雜質^洗液體供應構件向晶圓(w)供應諸如去離子 ^漂洗液體’以移除殘留在晶1KW)上的雜質或任何化 溶液。乾絲體供應構件向晶圓㈤·諸如異丙醇的 酒精或諸如加熱氮氣的惰性氣體，以移除殘留在晶 上的任何漂洗液體。 化學溶液供應構件5〇〇a包括喷嘴52〇、支撐 ^垂直桿娜。垂直桿娜定位在容HHK)的外二。 才于560與驅動器58〇結合，其中該驅動_ 轉動垂直桿 560曰並且上下移動垂直桿560。支撺桿540設置在垂直於垂 = 560的方向上並且與垂直桿56〇的上端牢固結合。喷 自支擇桿54〇向下突出並且與讀桿54〇的底面牢 、、、《。。用於排出化學溶液的引流管配備於噴嘴Mo處。 絲實施製鱗，化學歸供麟件500a 、 叹置在容器1〇0的内部或設置在容器100的上 以將化學溶液供應至晶圓(w) ^除了使用化學溶液實 12 200931567 施製程的情況之外，喷嘴520有時會位於容器1〇〇的間置 外部中。漂洗液體供應構件以及乾燥氣體供應構件具有與 化學溶液供應構件5〇〇a相似的結構。 圖5至圖8顯示了晶圓(w)藉由第一清潔單元4〇〇以 及第二清潔單元500來清潔的狀態。圖5以及圖6各爲基 板清潔裝置的縱向橫截面圖以及俯視圖，此等圖式顯示了 藉由第一清潔單元4〇〇來清潔的晶圓(w)。圖7以及圖8 各爲基板清潔裝置的縱向橫截面圖以及俯視圖，此等圖式 ❹ 顯示了藉由第二清潔單元500來清潔的晶圓(w)。 參考圖5以及圖6 ’當藉由第一清潔單元4〇〇來執行 清潔時，拋光墊440設置成與晶圓（w)的表面平行並且與 晶圓(w)的表面接觸。當藉由卡盤插銷322來支撐晶圓 並且轉頭200轉動時’可在卡盤插銷322以及支撐棒42〇 之間發生干擾。因此，當晶圓(w)藉由第一清潔單元4〇〇 來清潔時，晶圓（W)藉由真空吸收構件340固定至轉頭 200。提升構件360提升真空板342 ’使得真空板342設置 ❹ 成咼於卡盤插銷322並且提升構件36〇驅動真空泵，使得 晶圓w緊固夾持於真空板342。支撐棒42〇自閒置位置移 動到接觸位置，使得拋光墊44〇與晶圓(w)的表面接觸。 晶圓（W)使用晶圓的中軸線作爲轉動轴線而轉動並且拋光 塑* 440使用支樓棒420的中軸線作爲轉動軸線而轉動。藉 由第一清潔單元400的清潔將執行一預定的時間。 參考圖7以及圖8，當藉由第二清潔單元5〇〇來執行 清潔時，設置噴嘴520，使得處理溶液供應至晶圓(w)。例 13 200931567 如在喷嘴52㈣清理動作中，處理溶液胁_至晶圓(w) 的中心或者處雜缝夠供應至晶圓㈤的其铸份。晶 圓(观動並且處理溶液自晶圓(w)的中心向邊緣擴散。晶 圓(w)以較高的速度轉動，使得處理溶液均句地擴散到晶 H(w)的整個表面。如果晶圓(w)僅藉由真空而固定到轉頭 200，當晶圓(W)以較高的速度轉動時，晶圓 侧向 上移動。因此，在藉由第二清潔單元·的清潔製程期間， 晶圓(W)的侧面能夠藉由卡盤插銷322來支撐。 β #藉由真妹342來支推晶圓(w)時晶圓(w)的轉動速 度可低於當藉由卡盤插銷322來支推晶圓(w)時晶圓(w) 的轉動速度。 ，下文是對使用上述基板清潔裝置1〇的製程的介紹。最 初真工板342叹置成低於卡盤插銷322 ^卡盤插銷322 設置在打開位置中。第一清潔單元4〇〇以及第二清潔單元 500設置在容器1〇〇的外部。晶圓（w)藉由轉移式機器人 (transferring robot)而轉移並且置放在支撐插銷222上。卡 ❹ 盤插銷322移動到閉合位置並且晶圓(W)因此而對準。 然後，晶圓(W)借助於使用第一清潔單元_的拋光 製程U。第—清潔單元4⑻能狗移除自晶圓㈤的表 面向上突出的頂層的部份。自晶圓（w)的表面向上突出的 部份可爲黏附在晶圓㈤的表面上的雜質或為由於在輯 有顆粒的圖層上進行後續沈積而形成突出形狀的缺陷。或 者’晶圓(W)的全部表面能夠使用第—清潔單元400而拋 光’以減少大約1〇至100埃(人)的厚度。 ❹
200931567 在藉由第一清潔單元働實施拋光製程之前，卡盤插 移動到打開位置，真空板342上升以固定晶圓並且 420 _置位置移動到接觸位置。晶圓（w)的頂面 藉由曰曰圓(W)以及支轉420的轉動而抛光。 拋=程藉由第-清潔單元侧來完成，然後開始藉 由第二&潔單元來清潔。真空板342下降，以將晶圓 (w)置放在支樓插銷222上。卡盤插銷322移動到閉合^ f並且支樓基板。續棒42G自接觸位置移動賴置位置 並且使化學溶液供應構件篇移動，使得喷嘴似設置 晶圓(W)的中心之上。在藉由第二清潔單元的清潔製 程期間，晶圓(W)的侧部藉由卡盤插銷322來支樓。 ▲噴嘴520將清潔液體注入到晶圓⑼並且晶圓㈤以較 南的速度轉動。隨著-預輯間的流逝，漂洗液體以及乾 燥氣體依序地注人到晶圓(w)的中心並^晶圓(w)持 動。 參考圖9以及圖10A至圖1〇c，介紹使用本發明構思 的裝置ίο在晶圓(w)上移除不希望的突出部44的製程: 被實施清潔的薄膜可爲用於在晶圓㈤上形成各類圖案的 薄膜。當在晶BI(W)上進行後續的薄膜沈積時，可在包含 有雜質和/或齡的層的頂部上形成所不希望的突出部 44。在包含有雜質和/或顆粒的晶圓(w)上沈躺薄膜的^ 量越多，在最上_薄膜上形成的突出部的尺寸就越大。 各種圖案形成在晶_上，更具體而言，閘極圖案兀可 形成爲包括多個薄膜。如圖9中所示，藉由沈積數十個薄 15 200931567 膜而形成閘極圖案7〇’以在晶圓(w)上形成閘極絕 2〇、閘極傳導層30、遮蔽(capping)層4〇以及反射防止 50。閘極絕緣層20由氧化層形成。閘極傳導層3〇由諸如 夕曰a石夕層32以及氡化鈦層之類的的金屬位障層以及諸 如鎮的金屬層36來形成。遮蔽層4G是由諸如氮化發 化物層來形成並且反射防止屠5〇是由諸如氧氮化 氮化物來形成。 乳 ❹ ❹ 圖10A至圖l〇C顯示了使用本發明構思的裝置⑺ 清潔包括有突出部44的上層5G的製程。如圖中所示， 例如層34、36、40以及5〇)沈積於包括有雜質 42的下層20上。最初，如圖1〇A中所示，突 =6:於上層50上。一旦使用第-清潔單元4:實 製程’如圖1〇Β所示，那麼會移除突出部44以及 左上二r/H ’產生自拋光製程的顆粒48的—部份殘留 ==50的表—旦使用第二清潔單元5⑽執行清潔 1GC所示，那麼會移除上層的表面上的顆粒。 能夠從上^^第—清潔單元4〇0以及第二清潔單元500， b足上層有效地移除突出部以及雜質。 杏施上圖案70之後’可在清潔最上層的製程期間 50 ^ 7Λ 、 或者，可在清潔為了形成閘極圖案 二===任:層:製程期間實施清潔製 潔製程。邊0、主咖圖案70中之每一層的製程期間實施清 、 還可在4潔為了形成除難圖案7G之外的不同類 16 200931567 f圖案而在晶圓(w)上沈積的薄膜的製程期間實施清潔製 程0 μ 圖it以及圖11B顯示了本發明構思的清潔裝置10 2另-，例。圖11A以及圖11B的清潔裝置10具有盘 y的:=置10相似的結構。圖2的清潔裝置10的支 f =獅包括真空吸收構件34G以及卡盤構件320，而 ❹ π念紅圖11B的清潔褒置10僅包括卡盤構件320而 收構件340 ’所以在藉由第-清潔單元_ 盤構件::=。5°°的清潔製程期間，晶圓_由卡 ㈣由第Γ旁潔單元400的清潔製程期間，應防止拋 先墊440以及卡盤插銷322之間的干#。因此，在支撑棒 以及拋光墊440的外部表面之間提供-距 付擇棒設置成高於卡盤插銷322時，拋光 墊40的外部表面與基板接觸。 魏例，如圖11Α所示’抛光墊440的厚度相 厚度，使得拋光墊440的外部表面與晶圓(W) 的表面接觸但不與卡盤插銷322接觸。 在接實施例，如圖UB所示，當支撲棒4職置 ί接觸位置中時，支樓棒樓面向晶1UW)的部份424且 ，的其它部份422的直獲，並且拋光塾· 僅匕圍具有更大直徑的支撐棒420,的部份424。 在藉由第-清潔單元400以及第二清潔單元的清 17 200931567 潔晶圓(W)製程期間，主體220可以相同的速度轉動。或 者，當藉由第一清潔單元400來清潔晶圓(W)時，與當藉 由第二清潔單元500來清潔晶圓(W)時相比，晶圓(w)可以 較低的速度轉動。 在上述實施例中，清潔製程在一個容器中執行。但是， 藉由第一清潔單元400的清潔以及藉由第二清潔單元5〇〇 的清潔能夠在不同的容器中實施，並且在利用第一清潔單 70 400的清潔製程之後’基板可以移動到第二清潔單元500 所使用的容器中。 儘g結合在圖式中顯示的本發明構思的實施例說明了 發明的構思’然而本發明並不限於此。對於本領域熟知 神言顯然可在不背離本發明構思的範圍以及精 二况下對本發明的構思做各種替換、修改以及改變。 【圖式簡單說明】 圖 圖1是顯不當執行習知清潔製程時未移除缺陷的 式。
視圖 是根據本發明構思的實施例的基板清潔裝置的透 圖3 =圖2的基板清潔裝置的縱向橫截面圖。 圖4疋根據本發明構思的另一實施例的基板清潔裝置 的俯視圖。 ^及圖6各是根據本發明構思的實施例的基板清 潔裝置的縱向顯面圖以及俯視圖。 圖7以及圖8各是根據本發明構思的實施例的基板清 18 200931567 潔裝置的縱向橫截面圖以及俯視圖。 圖9是顯示包括閘極圖案的基板的圖式。 圖10A至圖10C繪示了使用圖2的基板清潔裝置的基 板清潔製程。 圖11A以及圖11B是根據本發明構思的其它實施例的 基板清潔裝置的縱向橫截面圖。 【主要元件符號說明】 10 :基板清潔裝置 φ 20 :閘極絕緣層 • 26 :顆粒 27 :雜質 28 :缺陷 30:閘極傳導層 32 :多晶碎層 34 :金屬位障層 36 :金屬層 ^ 40 :遮蔽層 ® 42:雜質 44 :突出部 46 :雜質 48 :顆粒 50 :反射防止層 70 :閘極圖案 100 :容器 19 200931567 102 :空間 122 :引流管 122a :閥 140 :凹槽 200 :轉頭 220 :主體 222 :支撐插銷 300 :支撐單元 320 :卡盤構件 322 :卡盤插銷 322a :支撐桿 322b :接觸插銷 340 :真空吸收構件 342 :真空板 342^真空板 342a :真空孔 342b :内部區 342c :外部區 360 :提升構件 362 :提升軸線 364 :垂直驅動器 382 :軸桿 384 :電動機 400 :第一清潔單元 20 200931567 420、420’ ：支撐棒 422、424 :支撐棒的部份 440 :拋光墊 460 :轉動構件 480 :棒移動構件 482 :支架 484 :電動機 486 :軸桿 ❹ 500:第二清潔單元 500a :化學溶液供應構件 520 :喷嘴 540 :支撐桿 560 :垂直桿 580 :驅動器 W ·晶圓
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Claims (1)

  1. 200931567 七、申請專利範圍： 1. 一種基板清潔裝置，包括： 轉頭，配置成支撐一基板； 第一清潔單元’配置成使用拋光製程來清潔所述基 板；以及 第二清潔單元’配置成藉由在所述基板上注入處理溶 液來清潔所述基板， 其中所述第一清潔單元包括： D 支撐棒；以及 拋光塾，實質上包圍所述支撐棒的外部。 2. 如申請專利範圍第1項所述之基板清潔裝置，其中 所述第一清潔單元還包括轉動構件，所述轉動構件配置成 在所述抛光製程期間環繞所述支撐棒的縱轴線而轉動所述 支撐棒。 3. 如申請專利範圍第1項所述之基板清潔裝置，更包 括移動構件，所述移動構件配置成在接觸位置及閒置位置 〇 之間移動所述支撐棒，其中在所述接觸位置中所述拋光墊 與所述基板的頂面接觸，並且在所述閒置位置中所述拋光 塾1不與所述基板的頂面接觸。 4. 如申請專利範圍第3項所述之基板清潔裝置，更包 括基本上包圍所述轉頭的容器，所述容器包括： 打開的上部；以及 凹槽，設置在所述容器的上端上，使得所述支撐棒透 過所述凹槽而自所述閒置位置轉移到所述接觸位置。 22 200931567 5.如申請專利範圍第1項所述之基板清潔 所述轉頭包括·· m其中 主體，配置成可轉動；以及 持於3成在轉動所述主體期間將所述基板固 持於所述主體，其中所述支撐單元包括： 真空吸收構件；以及 ，盤簡’配置成在所述轉動_切所述基板 的側部。 ❹ 射請專利範圍第5項所述之基板清潔裝置，其中 凝支料7C更包括提升構件，配置成上下移動所述卡盤 ，以及所述真空吸收構件中之至少一者，以改變二 1吸收構件以及所述卡盤插銷之間的相對高产。 所述=專利範圍第1項所述之基板清“置，其中 主體，配置成可轉動；以及 ❹ 換，=插銷，配置成在打開位置以及閉合位置之間可切 足夠=㈣位置為待置放到所述主體上的所述基板提供 部，位置情針__騎縣板的側 4，並且在轉動所述基板期間支撐所述基板；以及 之門撐棒的Μ—及所述抛光塾的外部表面 二：所=:光塾的所述外部表面接觸所述基 23 200931567 8. 如申請專利範圍第1項所述之基板清潔裝置，其中 所述拋光墊的長度等於或大於所述基板的半徑。 、 9. 如申請專利範圍第1項所述之基板清潔裝置，其中 所述拋光墊包括一種研磨材料。 ' 10. —種基板清潔裝置，包括： 容器； ❹
    轉頭，配置成在所述容器中支撑一基板； 第一清潔單元，配置成拋光所述基板；以及 第二清潔單元，配置成清潔所述基板； 其中所述第一清潔單元包括： 支撐棒；以及 拋光墊，設置在所述支撐棒的縱向部份上。 11_如申請專利麵第1G項所述之基板清 中所述第-清潔單元更包括支撐棒移動構件，拉 觸位置以及間置位置之間移動所述支擇棒。 成在接 中所範目第11項所叙基板清料置，其 軸線而轉二進-步配置成環繞所物棒的縱 中所^基板清潔裝置，其 中時，所述切棒穿過所述S核撐棒在所述接觸位置 中所述轉1G項所述之基板清潔裝置’其 ^個支撺插銷，配置成支撐所述基板的表面；以及 24 200931567 多個卡盤插銷’配置成支撐所述基板的侧部。 15. 如申請專利範圍第14項所述之基板清潔裝置，其 中所述轉頭更包括真空板’並且所述轉頭配置成提升所述 真空板以及所述支撐插銷中之至少一者，使得所述基板支 撐在所述真空板上或支撐在所述支撐插銷上。 16. 如申請專利範圍第15項所述之基板清潔裝置，其 中所述真空板包括設置在所述真空板的中心處的真空孔。 Π.如申請專利範圍第15項所述之基板清潔裝置，其 ❹ 中所述真空板包括： 内部區，具有圓形形狀；以及 至少一個外部區，自所述内部區延伸，其中外部區中 之每一者均包括真空孔。 18. 如申請專利範圍第15項所述之基板清潔裝置，其 中在利用所述第一清潔單元的拋光製程期間，所述真空板 配置成在一較高的位置固持所述基板，並且在利用所述第 二清潔單元的清潔製程期間，所述真空板配置成在較低的 位置。 19. 如申請專利範圍第14項所述之基板清潔裝置，其 中所，支撐插銷以及所述卡盤插銷配置成在利用所述第一 清潔單疋的拋光製程期間以及在利用所述第二清潔單元的 清潔製程期間支撐所述基板。 20·如申請專利範圍第1〇項所述之基板清潔裝置，其 中所述第二清潔單元包括： 垂直桿’設置在所述容器的外部； 25 200931567 支撐桿，自所述垂直桿實質上垂直延伸；以及 噴嘴，自所述支撐桿向下延伸，所述喷嘴配置成喷灑 一處理溶液以及一乾燥氣體中之至少一者到所述基板上。 21. 如申請專利範圍第2〇項所述之基板清潔裝置，其 中所述垂直桿構造成可轉動並可上下移動，使得所述噴嘴 能夠移動至用於清潔所述基板的所述容器内並且當所述基 板未被清潔時自所述容器移出。 22. 如申請專利範圍第1〇項所述之基板清潔裝置，其 〇 中所述支撐棒包括： ~ 第一部份，具有第一寬度；以及· 第二部份，具有第二寬度，其中所述第二寬度大於所 述第一寬度，且所述第二部份包括縱向部份。 23. —種基板清潔裝置，包括： 容器； 轉頭，配置成在所述容器中支撐基板以及轉動所述基 板； 第一清潔單元，包括： ® 支撐棒； 拋光墊’設置在所述支撐棒的縱向部份上； 轉動構件，配置成環繞所述支撐棒的縱軸線而轉 動所述支樓棒；以及 棒移動構件’配置成在所述容器中的接觸位置以 及所述容器的外部的閒置位置之間移動所述支撐棒； 以及 26 200931567 第二清潔單元，包括： 垂直桿，設置在所述容器的外部； 支撐桿，自所述垂直桿向外延伸； 噴嘴，自所述支撐桿向下延伸；以及 二器，配置成轉動所述垂直桿以及上下移動所 24·如申請專利範圍第23項所述之基板清潔裝置，盆 中所述容器更包括設置在所述容器上部中的凹槽，其中ς ❹ 在所述接觸位置中時所述支撐棒穿過所述凹槽。 田 25. 如申請專利範圍第23項所述之基板清潔裝置其 中所述轉頭包括： ' 多個支撐插銷，配置成支撐所述基板的表面；以及 多個卡盤插銷，配置成支撐所述基板的側部。 26. 如申請專利範圍第25項所述之基板清潔裝置，其 中所述轉頭更包括真空板，並且所述轉頭配置成提升所述 真空板以及所述支撐插銷中之至少一者，使得所述基板支 ❹ 撐在所述真空板上或支撐在所述支撐插銷上。 27
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