TW200929119A - Display device and method for manufacturing display device - Google Patents

Display device and method for manufacturing display device Download PDF

Info

Publication number
TW200929119A
TW200929119A TW097136227A TW97136227A TW200929119A TW 200929119 A TW200929119 A TW 200929119A TW 097136227 A TW097136227 A TW 097136227A TW 97136227 A TW97136227 A TW 97136227A TW 200929119 A TW200929119 A TW 200929119A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
active layer
forming portion
display device
film
Prior art date
Application number
TW097136227A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI482134B (zh
Inventor
Dharam Pal Gosain
Tsutomu Tanaka
Makoto Takatoku
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of TW200929119A publication Critical patent/TW200929119A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI482134B publication Critical patent/TWI482134B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
    • G06F3/0421—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means by interrupting or reflecting a light beam, e.g. optical touch-screen
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G02F1/13312—Circuits comprising photodetectors for purposes other than feedback
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
    • H01L29/66765—Lateral single gate single channel transistors with inverted structure, i.e. the channel layer is formed after the gate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Description

200929119 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係與將光感測器以一體方式持有之顯示裝置及其 製造方法有關。 【先前技術】 - 最近，在使用a-Si:H(氫化非晶矽）TFT或p〇ly Si(多晶 矽）TFT之液晶顯不裝置，係設有利用光感測器之自動背光 調整功能或點觸銀幕功能。在此種液晶顯示裝置中，係以 ❹ 與成為像素之切換元件的薄膜電晶體（TFT)同樣的構造， 而構成光感測器元件（譬如，參考特開2〇〇7_〇18458號公 報）。基於此因，而使以低價提供無損於小型化或薄型化 等特色、附光感測器的顯示裝置一事，成為可能。 在先刚方面，以光感測器元件感測光而發揮光電轉換功 月色之層（以下，s己為「光電轉換層」），係以與成為像素之 切換元件的薄膜電晶體之通道層相同的程序形成。基於此 ❷因，光感測器元件之光電轉換層與薄膜電晶體之通道層， 係以相同厚度形成於基板上。 然而，一般，在使用a_Si:HTFT或p〇ly_SiTFT之液晶顯 示裝置方面，為了良好維持電晶體之特性，通道層係以非 常薄之膜形成。該情況，光電轉換層係變成與通道層同樣 以非常薄之膜形成。基於此因，在先前之附光感測器的顯 示裝置方面，許多從外部射入光感測器元件之光係穿透光 電轉換層，而有無法獲得充分之感測器感度的問題。 又，Poly-SiTFT之通道層一般係以5〇 nm〜l〇〇 nm之厚度 133223.doc 200929119 形成，但假設將光電轉換層以與通道層同等之5〇 nm前後 的膜厚形成，則即使膜之部分為P0ly_sula_si中任一種， 幾乎全部之可見光都會穿透該部分。以如此方式穿透之光 由於無助於電子-電洞對之生成，因此作為光感測器元件 之感度係變低。 . 圖35係在作為通道層及光電轉換層❿使用P〇ly-Si之情形 的圖形，其係，採取光之波長（χ)為橫轴、吸收係數⑷為左 φ 縱軸、成為光之強度1/e的臈厚為右縱軸者。又，圖36係 在作為通道層及光電轉換層而使用aSi:H之情形的圖形， 其係採取光之波長（λ)為橫軸、吸收係數（α)為左縱軸及 成為光之強度Ι/e的膜厚為右縱轴者。 從圖35及圖36可知，為了以良好效率吸收光，則至少需 要1〇〇 nm以上之膜厚。因此，如為了提高光感測器之感 度，而使相當於通道層及光電轉換層之部分的膜厚變厚， Poly-SiTFT的情形，會導致如下缺點：譬如，電晶體之切 ❷ 斷電流變高、光漏增加、藉由使用準分子雷射等之雷射退 火處理的結晶化變得困難等。又，在a_Si:HTFT的情形， 亦會導致如下缺點：譬如，切斷電流變高、S_D電阻增 加、光漏增加等。 本發明係為了解決上述待解決之問題而研發者其目的 在於，提供一種顯示裝置及其製造方法，其係在將切換元 件與光感測器元件形成於基板之基底層之上的情形時，藉 由將光感測器元件之感度特性與切換元件作個別控制，而 不對切換元件之特性造成影響，可使光感測器元件之感度 133223.doc 200929119 得到提昇者。 【發明内容】 與本發明有關之顯示裝置係在複數個像素配置為矩陣狀 之基板的基底層之上，包含構成前述像素之切換元件的第 1活化層、及構成光感測器元件的第2活化層，前述第2活 化層係比前述第1活化層光吸收率更高者。 與本發明有關的顯示裝置之製造方法係在用於將複數個 ❹ 像素开》成為矩陣狀之基板的基底層之上，形成構成前述像 素之切換元件的第1活化層，及在與前述第i活化層相同之 月’J述基底層之上’以比前述第1活化層光吸收率更高之方 式形成構成光感測器元件的第2活化層者。 又，與本發明有關的顯示裝置之製造方法係在用於將複 數個像素形成為矩陣狀之基板的基底層之上，形成構成前 述像素之切換元件的第1活化層，及在與前述第1活化層相 同之前述基底層之上，藉由與前述第1活化層不同之層厚 參或不同之材料而形成構成光感測器元件的第2活化層者。 在此所記述之「光吸收率」係指，當光射入活化層時， 被該活化層所吸收之每單位面積之光的比率（使射入光量 為100%時’被活化層所吸收之光量的比率）。譬如，以1平 方μπι之大小規定單位面積，則每1平方^111射入活化層之光 量Q1與被該活化層所吸收之光量q2的比率（q2+q〗），係成 為光吸收率。 在與本發明有關的顯示裝置及其製造方法方面，相較於 構成切換元件之第丨活化層，使構成光感測器元件之第2活 I33223.doc 200929119 化層的光吸收率較高，藉由此方式，則可將光感測器元件 之感度特性與切換元件作個別控制。基於此因，則不改變 切換70件之特性，而可提高光感測器元件之感度。 又，在與本發明有關的顯示裝置之製造方法方面，以與 構成切換元件之第丨活化層不同之層的厚度或材料，將第^ 活化層形成於與第1活化層相同之基材層之上，藉由此方 式，則可將光感測器元件之感度特性與切換元件作個別控 制。基於此因，則不改變切換元件之特性，而可提高光感 測器元件之感度。 根據本發明，在附光感測器之顯示裝置中，不對切換元 件之特性造成影響，而可使光感測器元件之感度得到提 昇。 【實施方式】 以下，參考圖式，針對本發明之具體之實施型態作詳細 說明。 p 圖1(A)係顯示液晶顯示裝置之構成例之平面圖。圖1(8) 係同側面圖、圖1(C)係同要部剖面圖。圖示之液晶顯示裝 置1係具備將驅動基板2與對向基板3貼合之構造的顯示面 板。顯示面板係區分為顯示區域E1、及鄰接於該顯示區域 E1的周邊區域E2。周邊區域E2係位於顯示區域E1之周 邊。在驅動基板2與對向基板3之間，係使用未圖示之間隔 物或密封物而封入液晶層4。 驅動基板2係使用玻璃基板（絕緣性基板）5而構成。在玻 璃基板5之一方的面，係形成像素電極6。在玻璃基板5之 133223.doc 200929119 另一方的面，係黏貼著偏光板7 »對向基板3係使用透明之 玻璃基板（絕緣性基板）8而構成。在玻璃基板8之一方之 面，係形成共通電極（對向電極）9。在玻璃基板8之另一方 之面’係黏貼著偏光板10〇驅動基板2與對向基板3係介以 液晶層4 ’使像素電極6與共通電極9呈對向之狀態下配 置。 - 如圖2所示般，在驅動基板2之顯示區域E1，用於顯示圖 像之複數個像素11係配置為矩陣狀。在驅動基板2之周邊 區域E2 ’係配置著掃描線驅動電路12與信號線驅動電路 13。掃描線驅動電路12係將往水平方向佈線的複數之掃描 線14作選擇性驅動者。信號線驅動電路13係將往垂直方向 佈線的複數之信號線15作選擇性驅動者。像素^係在驅動 基板2之顯示區域E1内，1個個設於掃描線14與信號線15呈 交又的部分。在各個像素11，係設有包含上述像素電極6 之像素電路。 φ 像素電路係譬如使用像素電極6、薄膜電晶體Tr及保持 電容Cs而構成。像素電極6係連接於薄膜電晶體Tr之汲極 電極。薄臈電晶體Tr之閘極電極係連接於掃描線14。薄臈 電晶體Tr之源極電極係連接於信號線15。 在上述構成之像素電路中，係呈如下機制：藉由掃描線 驅動電路12與信號線驅動電路13之驅動，介以薄膜電晶體 Tr，將從信號線15所寫入之影像信號保持於保持電容a， 且將依據保持於其之信冑量的電壓供應至像f電極6,依 據此電壓，構成上述液晶層4之液晶分子係呈傾斜，而控 133223.doc 200929119 制顯示光之穿透。 再者，上述般之像素電路的構成終究僅為一例，依據需 要，在像素電路内設置電容元件或進而設置複數個電晶體 而構成像素電路亦可。又，在周邊區域E2,依據像素電路 的變更，而追加必要之驅動電路或元件亦可。 圖3係顯示顯示面板的顯示區域中之電路構成之圖。如 圖示般，在驅動基板2係設有像素u與感測器部1〇〇。像素 11與感測器部100係分別設複數個於上述顯示區域E1。 又，複數個像素11係遍及顯示區域E1全體而配置為矩陣 狀’複數個感測器部100亦遍及顯示區域E1全體而配置為 矩陣狀。感測器部100係以對應於像素〗〗之方式而設於顯 示區域E1。具體而言，可考慮如下情形：以與副像素為 1 : 1之對應關係配置感測器部100，而副像素係對應於紅 (R)、綠（G)、藍（B)之各色成分者。又，亦可考慮如下情 形.以與主像素為1 : 1之對應關係配置感測器部丨〇〇 ,而 φ 主像素係使RGB之3個副像素為1組者。又，亦可考慮如下 情形：以針對複數個主像素使丨個感測器部1〇〇對應之方式 作配置。又，在有關感測器部1〇〇方面，並非設置於顯示 區域E1全體，而限定設置於顯示區域E12一部分（特定部 位）亦可。將像素11與感測器部1〇〇兩者設於顯示區域扪之 情形，係設為，將像素丨丨設於有效顯示部，將感測器部 100設於無效顯示部。有效顯示部係指，藉由使用液晶層4 而控制光之穿透，而在圖像之顯示發揮功能的部分。無效 顯示部係指，在顯示區域E1内除去有效顯示部的部分。 133223.doc 200929119 ❹
感測器部100係具備光感測器元件1〇1。光感測器元件 101係以與上述薄膜電晶體^並行之製造程序（詳細係如後 述）而形成於驅動基板2者。光感測器元件1〇1係被提供電 源電壓VDD。又’光感測器元件1〇1係連接著重設用之切 換元件102與電容（儲存電容）1〇3 ^光感測器元件1〇1係藉由 因光之射入（照射）而發生電子電洞對，而生成依據受光量 的光電流。此光電流係作為光感測器元件1〇1之受光信號 而被往感測器外部讀出。又，光感測器元件丨〇丨之受光信 號（信號電荷）係儲存於電容1〇3。切換元件1〇2係將儲存於 電容103之受光信號，在特定之定時作重設。儲存於電容 103之夂光信號係在讀出用之切換元件1〇4成為導通之定 時，介以緩衝器放大器105而供應至受光信號佈線1〇6(被 讀出），並往外部輸出。重設用之切換元件1〇2之導通•切 斷動作’係藉由重設信號而控制，而其係藉由重設控制線 107所供應者。又，讀出用之切換元件1〇4之導通•切斷勤 作’係藉由讀出信號而控制，而其係藉由讀出控制線ι〇8 所供應者。光感測器元件1()1之受光信號的讀出係譬如圖4 所不般，藉由讀出用水平驅動電路1〇9與感測器讀出用垂 直驅動電路11G所進行，而該等係設於構成顯示面板之驅 動基板2的周邊區域E2者。 <第1實施型態> 圖5係顯示與本發明之第丨實施型態有關之液晶 1之驅動基板2的主要部之剖面 基板2之基礎的玻璃基板5上 顯示裝置 圖。如圖示般，在成為驅動 ，係設有：第1元件形成部 133223.doc •12- 200929119 21，其係構成像素11之切換元件（薄膜電晶體Tr)者；及第2 元件形成部22 ’其係構成感測器部1 〇〇之光感測器元件1 〇 i 者。如從上述圓1所述液晶層4側將玻璃基板5作平面觀 察’第1元件形成部21係與上述像素11 一起配置於顯示區 域E1，第2元件形成部22係與上述感測器部100一起配置於 顯示區域E1 ^然而，並不限於此，第1元件形成部21如配 置於顯示區域E1與周邊區域E2兩方亦可。又，第2元件形 ❷ 成部22如配置於周邊區域E2亦可，如配置於顯示區域以與 周邊區域E2兩方亦可。在圖5中，在說明之權宜上，係使 第1元件形成部21與第2元件形成部22鄰接，作橫向排列顯 示’但並不特別限定於此排列。 第1元件形成部21包含：閘極電極23,其係形成於玻璃 基板5上者；通道層25 ’其係介以閘極絕緣膜24而與此閘 極電極23呈對向者；及源極26與汲極27，其係位於此通道 層25之兩侧者。閘極電極23係譬如使用鉻、鉬等高熔點金 ❹ 属所形成。閘極絕緣膜24係包含高光穿透性之膜（透明之 絕緣膜）’譬如成為矽氮化膜與矽氧化膜之2層構造。 通道層25係作為「第i活化層」而設於第i元件形成部 21，將閘極絕緣膜24作為其基材層，以疊層於閘極絕緣骐 24上之方式形成。通道層25係對應於上述第1元件形成部 21之配置’至少配置於顯示區域E1及周邊區域E2中的顯示 區域E1 °亦即’通道層25係僅配置於顯示區域E1、或配置 頁示區域El及周邊區域E2兩方。通道層25係在電晶體導 通時於面向閘極電極23侧、且源極26-沒極27之間，形成n 133223.doc -13- 200929119 型之通道者。通道層25係譬如藉由多晶秒所形成。 源極26歧極27係成為η+㈣f之擴散㈣。源極純 含高濃度雜質區域26H與低濃度雜質區域26L’没極27亦 包含高濃度雜質區域27H與低濃度雜質區域沉。源極％ 之低濃度雜質區域26L係鄰接於通道層25，汲極27之低濃 度雜質區域27L亦鄰接於通道層25。將如此般在通道層25 之兩側設有低濃度雜質擴散區域的構造，稱為 LDD(Lightly Doped Drain:低摻雜汲極）構造。 源極26之尚濃度雜質區域26H係作為接觸用而已低電阻 化之區域，在該高濃度雜質區域26H係連接著源極電極 28。同樣的’没極27之高濃度雜質區域27h係作為接觸用 而已低電阻化之區域，在該高濃度雜質區域2711係連接著 汲極電極29。源極電極28及汲極電極29係以分別貫通層間 絕緣膜30之狀態而形成。層間絕緣膜3〇係包含高光穿透性 之膜（透明之絕緣膜），譬如藉由矽氧化膜而構成。 第2元件形成部22包含：閘極電極33，其係形成於玻璃 基板5上者；光電轉換層35，其係介以上述閘極絕緣膜24 而與此閘極電極33呈對向者；及源極36與汲極37，其係位 於此光電轉換層35之兩側者。 光電轉換層35係作為「第2活化層」而設於第2元件形成 部22者❶光電轉換層35係對應於上述第2元件形成部22之 配置’至少配置於顯示區域E1及周邊區域E2中的一方之區 域。亦即，光電轉換層35係僅配置於顯示區域E1，僅配置 於周邊區域E2，或配置於該兩方之區域。此光電轉換層35 133223.doc 200929119 係以與上述通道層25不同之材料形成於閘極絕緣膜24上。 具體而言’譬如，非晶質矽（a-Si)、非晶質鍺（a_Ge)、非晶 質矽鍺（a-SixGel)、矽與鍺之疊層層、或將該等之結晶粒 徑微細化（微結晶化）至奈米級的材料層等而形成光電轉換 層35。又，依情形而定，如使用碳而形成光電轉換層亦 "σ]" 〇 光電轉換層35係在閘極電極33之上方，以將源極36與汲 ❹極37之對向部分作一部分覆蓋之狀態而形成。光電轉換層 35係形成得比上述通道層25更厚。譬如，如以電晶體之切 換電流或串聯電阻等之關係，將通道層25之厚度設定為5〇 nm以上、未達100 nm之範圍，則光電轉換層”之厚度係 設定為比其更厚的100 nm以上。 源極36及汲極37係成為η型雜質之擴散區域。源極36係 連接著源極電極38，汲極37係連接著汲極電極39 ^源極電 極38及没極電極39係以分別貫通層間絕緣膜3〇之狀態而形 • 成。 如此般將光電轉換層35以與通道層25不同之材料形成， 將光電轉換層35係形成得比通道層25更厚，藉由此方式， 而使光電轉換層35之光吸收率（尤其，可見光或紅外光之 吸收率）比通道層25之光吸收率更高。亦即，非使用通道 層25之形成材料而使用光吸收性高之材料形成光電轉換層 35的話’光電轉換層35之光吸收率係比通道層乃之光吸收 率變得更高。又’即使為相同之形成材料，但如將光電轉 換層35形成得比通道層25更厚的話’則光電轉換層35之光 133223.doc -15- 200929119 吸收率係比通道層25之光吸收率變得更高。亦即，將光電 轉換層35形成為與通道層25相同之厚度或比其更薄之情 形，如藉由以與通道層25不同之材料（光吸收性高之材料） 將光電轉換層35形成，則可使光電轉換層35之光吸收率比 通道層25之其更高。又，將光電轉換層35以與通道層25相 同之材料形成的情形，如藉由使光電轉換層35之厚度比通 道層25之厚度更厚，則可使光電轉換層35之光吸收率比通 道層25之其更高。進而’將光電轉換層35以比通道層25之 光吸收率更高的材料形成，且將光電轉換層35形成得比通 道層25更厚’藉由此方式’相較於通道層25，可將光電轉 換層35之光吸收率更進一步提高。 藉由此方式，在使第2元件形成部22作為光感測器元件 而發揮功能的情形時’藉由往光電轉換層35之光的射入而 發生的電子-電洞對之數係增加。基於此因，相較於以與 第1元件形成部21相同之材料與厚度形成光電轉換層之情 形’可獲得更大的光電流。其結果為，不對成為像素^之 切換電晶體Tr造成影響’而可提高光感測器元件之感度。 圖6及圖7係顯示與本發明之第1實施型態有關之液晶顯 示裝置的製造方法之圖。首先’如圖6(A)所示般，在用於 將上述複數個像素11形成為矩陣狀之玻璃基板5上，形成 閘極電極23、33及閘極絕緣膜24後’以覆蓋閘極絕緣膜24 之狀態而形成由非晶質矽所構成之半導體膜3丨。閘極絕緣 膜 24係譬如藉由 PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition :電漿激發式化學氣相沉積）法等，在玻璃基板5 133223.doc -16· 200929119 上依序將矽氮化膜矽與氧化膜成膜而形成。半導體膜31係 遍及上述第1元件形成部21與第2元件形成部22而形成於玻 璃基板5上。 接著’如圖6(B)所示般，藉由雷射退火將上述非晶質之 半導體膜3 1多晶化’藉由此方式，而製得由多晶矽所構成 之半導體膜32。在此階段，係成為在玻璃基板5上形成多 晶之半導體膜32的狀態。 接著，如圖6(C)所示般，對多晶之半導體膜32，在已除 去如下部分的區域’譬如以離子掺雜、離子佈植、電漿佈 植等而導入雜質，藉由此方式，而將上述半導體膜32區分 為多晶矽區域3 2Ρ、高濃度雜質區域32Η、及低濃度雜質區 域32L ’而該部分係在閘極電極23上構成通道層25之多晶 矽部分。 接著，如圖6(D)所示般，在對應於上述第1元件形成部 21與第2元件形成部22的部分，藉由濕式蝕刻或乾式蝕刻 Φ 而將半導體膜32分離為島狀，而將通道層25與源極26及及 極27形成於包含於上述第i元件形成部21之閘極電極23 側’將源極36與汲極37形成於包含於上述第2元件形成部 22之閘極電極33側。此時，源極26係區分為高濃度雜質區 域26H與低濃度雜質區域26L，汲極27亦區分為高濃度雜 質區域27H與低濃度雜質區域27L。又，在閘極電極33 上，藉由將相當於活化層（光電轉換層）之部分（就電晶體構 造而言，係相當於通道層之部分）的半導體膜32除去，而 在源極36與汲極37之間使閘極絕緣臈24之表面露出。 133223.doc •17- 200929119 接著’如圖7( A)所示般，在於閘極電極33上已除去半導 體膜3 2之部分（活化層相當部），譬如藉由喷墨成膜法等印 刷法、雷射CVD等光CVD法、或打印法等選擇性臈形成 法’而形成光電轉換層35。在喷墨成膜法或光CVD法方 面’係可將膜厚作任意控制。基於此因，在此係使膜厚比 上述半導體膜32更厚而形成光電轉換層35。 接著，如圖7(B)所示般，以覆蓋通道層25、源極26及沒 ❹ 極27、光電轉換層35、源極36及没極37之狀態，而將層間 絕緣膜30形成於玻璃基板5上。 接著’如圖7(C)所示般’在通道層25之兩侧形成：連通 源極26之高濃度雜質區域26H的接觸孔、與連通汲極27之 高違度雜質區域27H的接觸孔；在將此等接觸孔以佈線材 料埋入之狀態下，將源極電極28與汲極電極29形成於層間 絕緣膜30 »又，與此並行’在光電轉換層35之兩侧形成連 通源極36的接觸孔、與連通汲極37的接觸孔，在將此等接 φ 觸孔以佈線材料埋入之狀態下，而形成源極電極3 8與汲極 電極39。 藉由以上之製造方法’可將包含通道層25之切換元件 (薄膜電晶體）與包含光電轉換層35之光感測器元件，形成 於同一之玻璃基板5上。又，可將在第丨元件形成部21構成 像素之切換元件（薄臈電晶體）的通道層25、與在第2元件形 成部22構成光感測器元件的光電轉換層35，分別以不同之 材料及厚度形成。 換言之，將構成切換元件之通道層25與構成光感測器元 133223.doc -18 · 200929119 件之光電轉換層3 5，分別以PECVD法或濺鑛法等個別成膜 之情形，由於亦成膜於活化層相當部以外之無必要處所， 因此，在成膜後，有必要以蝕刻等除去無必要的部分。基 於此因，程序係變成非常複雜。又，有因蝕刻而造成元件 損傷或微粒子增多之虞。相對於此，如上述般在第2元 件形成部22藉由選擇性臈形成法，將光電轉換層35形成於 活化層相當部，則可避免該問題。 〈第2實施型態> 圖8係顯示與本發明之第2實施型態有關之液晶顯示裝置 1之驅動基板2的主要部之剖面圖。在此第2實施型態方 面，相較於上述第1實施型態，尤其以如下點為不同：在 第2元件形成部22之閘極電極33上設有光反射膜4〇。光反 射膜40係形成於閘極電極33的表面，而其係在與外光射入 側為相反側，最接近光電轉換層35而作對向配置者。又， 光反射膜40係使用至少比閘極電極33光之反射率高的材料 (譬如，銀等金屬材料）而形成。 藉由如此般以覆蓋閘極電極33之方式而設置光反射膜 40，而成為：從外部射入而穿透光電轉換層35之光，係在 光反射膜40以良好效率反射，此反射光成為返回光而再 度射入光電轉換層35»基於此因，來自外部之光射入至光 電轉換層35的次數係增多。其結果為，在光電轉換層35所 發生之電子-電洞對之數增加，作為光感測器元件之感度 係提昇。 圖9〜圖U係顯示與本發明之第2實施型態有關之液晶顯 133223.doc -19- 200929119 示裝置的製造方法之圖。首先，如圖9(A)所示般，在用於 將上述複數個像素11形成為矩陣狀之玻璃基板5上，形成 閘極電極23、33。其後，在一方之閘極電極33上，以覆蓋 該閘極電極33之狀態’譬如藉由喷墨成膜法而將銀作選擇 性成膜，藉由此方式’而形成光反射膜4〇。 接著’如圖9(B)所示般’以覆蓋閘極電極23與閘極電極 33上的光反射膜40之狀態，譬如藉由pECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition :電漿激發式化學氣相 沉積）法等，在玻璃基板5上依序將矽氮化膜矽與氧化膜成 膜而形成閘極絕緣膜24。 接著’如圖9(C)所示般，藉由PECVD法等，以覆蓋閘極 絕緣膜24之狀態’而形成由非晶矽所構成之半導體膜3 i。 半導體膜31係遍及上述第1元件形成部21與第2元件形成部 22 ’而形成於玻璃基板5上。 接著，如圖10(A)所示般，藉由雷射退火將上述非晶質 ❹ 之半導體膜31多晶化，藉由此方式，而製得由多晶矽所構 成之半導體膜32。在此階段，係成為在玻璃基板5上形成 多晶之半導體膜32的狀態。 接著，如圖10(B)所示般，對多晶之半導體膜32，在已 '除去如下部分的區域，譬如以離子摻雜、離子佈植、電衆 佈植等而導入雜質，藉由此方式，而將上述半導體膜32區 分為多晶矽區域32P、高濃度雜質區域3211、及低濃度雜質 區域32L，而該部分係在閘極電極23上構成通道層乃之多 明石夕。卩分。此時，在進行離子佈植前，以保護半導體膜Μ 133223.doc •20· 200929119 為目的’如將氧化物等以濺鍍法形成亦可。 接著，如圖10(C)所示般，在對應於上述第i元件形成部 21與第2元件形成部22的部分，藉由濕式蝕刻或乾式蝕刻 而將半導體膜32分離為島狀，而將源極26與汲極27形成於 包含於上述第1元件形成部21之閘極電極23側，將源極36 與汲極37形成於包含於上述第2元件形成部22之閘極電極 33側。此時’源極26係區分為高濃度雜質區域26H與低濃 度雜質區域26L，汲極27亦區分為高濃度雜質區域27H與 低濃度雜質區域27L。又，在閘極電極33(光反射膜4〇) 上，藉由將相當於活化層（光電轉換層）之部分的半導體膜 32除去’而在源極36與汲極37之間使閘極絕緣膜24之表面 露出。 接著’如圖11(A)所示般，在於閘極電極33(光反射臈4〇) 上已除去半導體膜32之部分’譬如藉由喷墨成膜法等印刷 法、雷射CVD等光CVD法、或打印法等選擇性膜形成法， 而形成光電轉換層35。在喷墨成膜法或光CVD法方面，係 可將膜厚作任意控制。基於此因，在此係使膜厚比上述半 導體膜32更厚而形成光電轉換層35。 接著，如圖11(B)所示般，以覆蓋通道層25、源極26及 汲極27、光電轉換層35、源極36及汲極37之狀態，而將層 間絕緣膜30形成於玻璃基板5上。 接著’如圖11 (C)所示般’係形成：在通道層25之兩側 且連通源極26之高濃度雜質區域26H的接觸孔、與連通没 極27之南濃度雜質區域27H的接觸孔；在將此等接觸孔以 133223.doc -21 - 200929119 佈線材料埋入之狀態下，將源極電極28與汲極電極29形成 於層間絕緣膜30。又，與此並行，在光電轉換層35之兩側 形成連通源極36的接觸孔、與連通汲極37的接觸孔，在將 此等接觸孔以佈線材料埋入之狀態下，而形成源極電極3 8 與汲極電極39。 藉由以上之製造方法，可將包含通道層25之切換元件 (薄膜電晶體）與包含光電轉換層35之光感測器元件，形成 ©於同一之玻璃基板5上。又，可將在第1元件形成部21構成 像素之切換元件（薄膜電晶體）的通道層25、與在第2元件形 成部22構成光感測器元件的光電轉換層35，分別以不同之 材料及厚度形成。進而’在第2元件形成部22方面，可在 閘極電極33上形成設置光反射膜4〇。 <第3實施型態> 圖12係顯示與本發明之第3實施型態有關之液晶顯示裝 置1的驅動基板2之主要部之剖面圖。在此第3實施型態
❿ 中’相較於上述第1實施型態，尤其，為了實現透明LCD (Liquid Crystal Display:液晶顯示器）而在下列之點為不 同.使第1元件形成部2 1之閘極電極23為透明電極者、將 源極26、36及汲極27、37分別以透明導電膜形成者、使源 極電極28、38及汲極電極29、39分別為透明電極者、將通 道層25以透明之半導體膜形成者、使閘極電極^成為金屬 遮蔽電極者、及將第2元件形成部22僅配置於周邊區域E2 者。 閘極電極23係譬如使用IT〇等透明導電材料而形成。源 133223.doc •22- 200929119 極26、36及沒極27、37之各個係譬如使用iT〇(Indium Tin Oxide :銦錫氧化物）、Zn〇(氧化鋅）、FZ〇(含氟Zn〇)、 GZO(含鎵 ZnO)、FGZO(含 ·鎵 ZnO)、AZO(含 ZnO)等 透明導電材料而形成。 源極電極28、38及汲極電極29、39之各個係譬如使用 ΤΙ/ΑΙ/ΤΙ而形成。通道層25係譬如使用inGaZnO及ΙΖΟ而形 ' 成。通道層33係譬如使用銀而形成。 φ 如此般’在與第3實施型態有關之液晶顯示裝置1方面， 係將第1元件形成部21之通道層25以透明之氧化物半導體 形成’另一方面’將第2元件形成部22之光電轉換層35以 比其光吸收性更高的材料（非晶質矽等）形成得厚，藉由此 方式’而使光電轉換層35之光吸收率（尤其，可見光或紅 外光之吸收率）比通道層25之光吸收率更高。 藉由此方式’在使第2元件形成部22作為光感測器元件 而發揮功能的情形時，藉由往光電轉換層35之光的射入而 〇 發生的電子-電洞對之數係增加。基於此因，相較於以與 第1凡件形成部21相同之材料與厚度形成光電轉換層之情 形，可獲得更大的光電流。其結果為，不對成為像素 切換電晶體Tr造成影響，而可提高光感測器元件之感度。 又’由於使閘極電極33成為金屬遮蔽電極，因此，從未 圖示之背光所射入的光（記為「背光光」）係藉由閘極電極 33而被遮蔽。基於此因，可以閘極電極33而防止背光光之 對光電轉換層35的射入。又，由於形成閘極電極33之銀包 含高光反射率，因此，從外部射入而穿透光電轉換層35的 133223.doc -23- 200929119 :’係在閉極電極33被反射，此反射光成為返回光，而再 _ 光電轉換層35。基於此因，以與上述第2實施型態 同樣的原理，作為光感測器元件之感度係提昇。 — z、第3實施型態有關之液晶顯示裝置1中，由於使 光穿透配置於顯示區域E1之第1元件形成部21全體，因 在非驅動時，係使顯示區域以為透明之狀態，在驅動 寺可使顯示區域E1顯示圖像。又，雖第2元件形成部22 之閘極電極33係將光遮蔽，而光電轉換層35將光之一部分 吸收，但如在顯示面板之面内將第2元件形成部22配置於 周邊區域E2之不顯眼之邊端的位置（譬如，顯示面板之四 個角洛）的話’則不會損及顯示面板之透明性。 圖13及圖14係顯示與本發明之第3實施型態有關之液晶 顯不裝置的製造方法之圖。首先，如圖13(A)所示般，在 用於將上述複數個像素丨丨形成為矩陣狀之玻璃基板5上， 形成透明之閘極電極23。 接著，如圖13(B)所示般，將包含遮光性之閘極電極33 形成於玻璃基板5上。此閘極電極33係譬如藉由以銀作為 成膜材料之噴墨成膜法所形成。 接著’如圖13(C)所示般，以覆蓋閘極電極23、33之狀 態，譬如藉由PECVD法、濺鍍法、塗佈法等依序將矽氣化 膜矽與矽氧化膜成膜’而將閘極絕緣膜24形成於玻璃基板 5上。 接著’如圖13(D)所示般，以覆蓋閘極絕緣膜24之狀 態’藉由減锻法、塗佈法等，而將透明導電臈41形成於玻 133223.doc -24- 200929119 璃基板5上。透明導電臈41係遍及上述第〗元件形成部^與 第2tl件形成部22而形成於玻璃基板5上。 接著，如圖13(E)所示般，在對應於上述第}元件形成部 21與第2元件形成部22之部分，藉由濕式蝕刻或乾式蝕刻 而將透明導電膜41分離為島狀，而將源極26與汲極27形成 於包含於上述第1元件形成部21之閘極電極23側，且將源 - 極36與汲極37形成於包含於上述第2元件形成部22之閘極 ❹ 電極33側。又，在閘極電極23上，藉由將相當於活化層 (通道層）之部分的透明導電膜41除去，而在源極26與汲極 27之間使閘極絕緣膜24之表面露出；在閘極電極33上，藉 由將相當於活化層（光電轉換層）之部分的透明導電膜41除 去’而在源極36與汲極37之間使閘極絕緣膜24之表面露 出。 接著，如圖14(A)所示般，在於閘極電極23上已除去透 明導電膜41之部分，譬如以PECVD法、濺鍍法、蒸鍍法或 φ 塗佈法等形成由透明之半導體膜所構成之通道層25。透明 之半導體膜係譬如藉由透明氧化物半導體或有機物半導體 所形成。又在其前或其後，在於閘極電極33上已除去透明 導電膜41之部分，譬如藉由喷墨成膜法等印刷法、雷射 CVD等光CVD法、或打印法等選擇性膜形成法，而形成光 電轉換層35。光電轉換層35係為了得到光之吸收作用，而 藉由非透明之半導體膜（譬如，矽膜）所形成。在喷墨成膜 法或光CVD法方面，係可將膜厚作任意控制。基於此因， 在此係使膜厚比通道層25更厚而形成光電轉換層35。 133223.doc -25- 200929119 接著，如14(B)所示般，以覆蓋通道層25、源極26及汲 極27、光電轉換層35、源極36及汲極37之狀態，而將層間 絕緣膜30形成於玻璃基板5上。 接著，如圖14(C)所示般，在通道層25之兩側形成連通 源極26的接觸孔、與連通汲極27的接觸孔；在將此等接觸 孔以佈線材料埋入之狀態下，將源極電極28與汲極電極29 形成於層間絕緣膜30。又，與此並行，在光電轉換層35之 兩側形成連通源極36的接觸孔、與連通汲極37的接觸孔， 在將此等接觸孔以佈線材料埋入之狀態下，而形成源極電 極38與汲極電極39。 藉由以上之製造方法，可將包含通道層25之切換元件 (薄膜電晶體）與包含光電轉換層35之光感測器元件，形成 於同一之玻璃基板5上。又，可將在第丨元件形成部21構成 像素之切換元件（薄膜電晶體）的通道層25、與在第2元件形 成部22構成光感測器元件的光電轉換層35，分別以不同之 材料及厚度形成。 基於此因，可將光電轉換層35之形成材料作任意選擇。 又，構成像素之切換元件的通道層25係可用穿透光之透明 的半導體膜形成；構成光感測器元件的光電轉換層35係可 用吸收光之非透明的半導體臈形成。進而，在第2元件形 成部22，可形成兼具下列功能之閘極電極33 :以使來自背 光之光不射入光電轉換層35之方式予以遮蔽者；及以使來 自外部之光返回光電轉換層35之方式予以反射者。 <第4實施型態> 133223.doc -26- 200929119 圖15係顯示與本發明之第4實施型態有關之液晶顯示裝 置1之驅動基板2的主要部之剖面圖。在此第4實施型態方 面，相較於上述第i實施型態，尤其第2元件形成部22之構 成為不同。亦即，在第2元件形成部22中，光電轉換層35 係成為包含第1層35A及疊層於其上之第2層358的2層之疊 層構造。第1層35A及第2層35B係分別使用同一之元素（在 本形態例中為矽）而形成。在此，作為一例係使光電轉換 φ 層35為2層之疊層構造，但並不限於此，以3層以上之疊層 構造形成光電轉換層35亦可。光電轉換層35之疊層數係設 為藉由成膜程序之程序數而規定。基於此因，譬如，藉由 2次之成膜程序而形成光電轉換層35之情形，光電轉換層 35之疊層數係成為2層。在第}元件形成部21，係以覆蓋通 道層25與源極/汲極26、27之狀態，而形成遮罩層5丨；在 第2元件形成部22，係以覆蓋源極/汲極36、37之狀態，而 形成遮罩層51。遮罩層51係為了以後述之製造方法使光電 〇 轉換層35成為疊層構造而形成者。進而，在第2元件形成 部22中’源極36係成為包含高濃度雜質區域36H與低濃度 雜質區域36L的LDD構造；汲極37係成為p+型雜質之擴散 區域。 圖16〜圖18係顯示與本發明之第4實施型態有關之液晶顯 不裝置的製造方法之圖β首先，如圖16(A)所示般，在用 於將上述複數個像素n形成為矩陣狀之玻璃基板5上，形 成閘極電極23、33及閘極絕緣膜24後，以覆蓋閘極絕緣膜 24之狀態而形成由非晶質矽所構成之半導體膜31。閘極絕 133223.doc -27- 200929119 緣膜 24係譬如藉由 PECVD(plasma enhanced chemicai vap〇r deposition:電漿激發式化學氣相沉積）法等，在玻璃基板$ 上依序將矽氮化臈矽與氧化膜成膜而形成。半導體膜31係 相當於「第1半導體臈」，遍及上述第！元件形成部21與第'2 元件形成部22而形成於玻璃基板5上。 接著，如圖16(B)所示般，藉由雷射退火將上述非晶質 之半導體膜31多晶化，藉由此方式，而製得由多晶矽所構 成之半導體膜32 ^在此階段，係成為在玻璃基板5上形成 多晶之半導體膜32的狀態。 接著，如圖16(C)所示般，在玻璃基板5上以覆蓋半導體 膜32之狀態而形成遮罩層51。遮罩層51係譬如藉由矽氧化 臈而形成。藉由此遮罩層51 ,而從後程序中之光阻或水等 保護半導體層，且可藉由抑制離子之加速電壓，而介以遮 罩層51進行離子佈植。 接著，如圖17(A)所示般，對多晶之半導體膜32，在已
32L又，第2兀件形成部22方面，係將上述半導體膜32區 部21方面，係將上述半導體骐32區分為多晶矽區 型而濃度雜質區域32H、及n+型低濃度雜質區域 分為多晶矽區域32P 度雜質區域32L、及 2Ρ、η型高濃度雜質區域32H、n+型低濃 及P型高濃度雜質區域32M。 133223.doc •28- 200929119 接著’如圖17(B)所示般，在第2元件形成部22中，藉由 將遮罩層51局部除去，而使多晶石夕區域32P之表面（上面） 露出。遮罩層51之除去係譬如藉由蝕刻而進行。 接著’如圖17(C)所示般，在第2元件形成部22中，在已 除去遮罩層5 1之部分，係使用與多晶矽區域32p同一之元 素（在本實施型態中為矽）而形成半導體膜52。半導體膜52 係相‘於「第2半導體膜」，譬如，藉由多晶梦、非晶質 ❹ 矽、結晶粒子徑為奈米級之奈米矽、結晶粒子徑為微米級 之μ-石夕等而形成。半導體膜52之形成係譬如藉由熱Cvd 法、反應性CVD法、PECVD法、反應性PECVD法、濺鍍 法、光CVD法、PLD(pulse laser deposition :脈衝雷射蒸 鍍）法、溶劑印刷法等進行。此一情形，成為半導體膜52 之矽膜，係在多晶矽區域32P之表面作選擇性成長，而多 晶矽區域32P之表面係在已除去遮罩層51之部分呈露出 者。基於此因，在藉由矽而形成之多晶矽區域32p之上， Φ 係成為藉由與其相同之矽而形成半導體膜52。因此，構成 多晶矽區域32P之基材的多晶矽係成為核心，構成半導體 膜52之石夕膜係成長。基於此因，相較於不包含成為核心# 多晶矽而藉由熱CVD法等形成矽膜的情形，可加速膜之成 長速度。又，藉由將製程條件等作適宜控制，即使不進行 雷射退火等’亦可形成包含結晶性之良質的石夕膜（微晶梦 膜）。 又，在形成半導體膜52之前’為了提高結晶，藉由氧化 處理而將多晶矽區域32P表面的自然氧化膜除去後，如將 133223.doc •29· 200929119 錄、：等catalyst ’作較薄成膜為光穿透之程度亦可。 接者，如圖18(A)所示般，在對應於上述 21與第2元件形成部22之部分，“濕式姓刻 =半導想膜32與復蓋其之遮革層51分離為島狀： 方式，而將通道層25形成於包含於上述第i元件形成部 21 ’將光電轉換層35之形成上述第2元件形成部22。又， 將源極26與汲極27形成於包含於上述第！元件形成部^ 閘極電極23側，將源極36與汲極37形成於包含於上述第2 元件形成部22之閘極電極33側。此時，在第ι元件形成部 21方面，多晶矽區域32P係成為通道層乃；在第2元件形成
部22方面，多晶矽區域32P與半導體臈52係分別成為第1層 35A與第2層35B，此等之疊層部分係成為光電轉換層35。 又，在第1元件形成部21方面，源極26係區分為^型高濃 度雜質區域26H、及低濃度雜質區域26L ;汲極27亦區分 為π型咼濃度雜質區域27H、及低濃度雜質區域27L。又， 在第2元件形成部22方面’源極36係區分為n+型高濃度雜 質區域36H、及低濃度雜質區域36L ;汲極37係成為p+型高 濃度雜質區域。 接著’如圖18(B)所示般，以覆蓋通道層25、源極26及 汲極27、光電轉換層35、源極36及汲極37之狀態，而將層 間絕緣膜30形成於玻璃基板5上。 接著，如圖18(C)所示般，在通道層25之兩側形成：連 通源極26之高濃度雜質區域26H的接觸孔、與連通汲極27 之高濃度雜質區域27H的接觸孔。然後，在將此等接觸孔 I33223.doc -30- 200929119 以佈線材料埋入之狀態下，將源極電極28與汲極電極29形 成於層間絕緣膜30»又’與此並行，在光電轉換層35之兩 侧形成連通源極36之高濃度雜質區域36H的接觸孔、與連 通汲極37的接觸孔。然後’在將此等接觸孔以佈線材料埋 入之狀態下，而形成源極電極38與汲極電極39。 藉由以上之製造方法’可將包含通道層25之切換元件 (薄膜電晶體）與包含光電轉換層3 5之光感測器元件，形成 於同一之玻璃基板5上。又，可將光感測器元件之光電轉 換層35以第1層35A與第2層35B之疊層構造形成，而第1層 3 5 A與第2層3 5B係分別包含成為同一元素之矽者。又，光 電轉換層35之第1層35 A係成為以與通道層25同一程序所形 成之層（亦即’與通道層25相同厚度之層）。基於此因，藉 由將第2層35B疊層於第1層35A之上，則可將光電轉換層 35形成得比通道層25更厚。 再者’在上述第4實施型態中，係在第2元件形成部22使 源極36為LDD構造，使汲極37為p+型高濃度雜質區域；但 並不限於此’如使源極36為p+型高濃度雜質區域，而使及 極37為LDD構造亦可。 <第5實施型態> 圖19係顯示與本發明之第5實施型態有關之液晶顯示裝 置1之驅動基板2的主要部之剖面圖。在第5實施型態方 面，相較於上述第4實施型態，尤其，如下點為不同：第2 元件形成部22之源極36並非LDD構造而為p+型雜質之擴散 區域。 133223.doc -31 - 200929119 圖20〜圖22係顯示與本發明之第5實施型態有關之液晶顯 示裝置的製造方法之圖。首先，如圖2〇(A)所示般，在用 於將上述複數個像素n形成為矩陣狀之玻璃基板5上，形 成閘極電極23、33及閘極絕緣膜24後，以覆蓋閘極絕緣膜 24之狀態而形成由非晶質矽所構成之半導體膜半導體 膜31係遍及上述第1元件形成部21與第2元件形成部22而形 成於玻璃基板5上。 接著，如圖20(B)所示般，藉由雷射退火將上述非晶質 之半導體膜3 1多晶化，藉由此方式，而製得由多晶矽所構 成之半導體膜32。 接著，如圖20(C)所示般，在玻璃基板5上以覆蓋半導體 膜32之狀態而形成遮罩層51。至此之程序係與上述第4實 施型態之情形相同。 接著，如圖21(A)所示般，對多晶之半導體膜32，在已 除去如下部分的區域，分別導入雜質，而該部分係在閘極 ❹ 電極23上構成通道層25之多晶矽部分與在閘極電極33上構 成光電轉換層35之多晶矽部分。雜質的導入係譬如以離子 摻雜、離子佈植、電漿佈植等進行。藉由此方式，在第1 元件形成部21方面，係將上述半導體膜32區分為多晶矽區 域32P、n+型高濃度雜質區域32H、及n+型低濃度雜質區域 32L。又，在第2元件形成部22方面，係將上述半導體膜32 區分為多晶矽區域32P、n+型高濃度雜質區域32H、及p+型 高濃度雜質區域32M。 接著，如圖21(B)所示般，在第2元件形成部22中，藉由 133223.doc -32- 200929119 將遮罩層51局部除去，而使多晶矽區域32P之表面（上面） 露出。 接著，如圖21(C)所示般，在第2元件形成部22中，在已 除去遮罩層51之部分，係使用與多晶矽區域32p同一之元 素（在本實施型態中為矽）而形成半導體膜52。有關半導體 膜52之形成手法，係與上述第4實施型態之情形相同。 接著，如圖22(A)所示般，在對應於上述第i元件形成部 ❹ 21與第2元件形成部22之部分，藉由濕式蝕刻或乾式蝕刻 而將半導體膜32與覆蓋其之遮罩層51分離為島狀。藉由此 方式，而將通道層25形成於上述第1元件形成部21，將光 電轉換層35形成於上述第2元件形成部22。又，將源極26 與汲極27形成於包含於上述第i元件形成部21之閘極電極 23側’且將源極36與汲極37形成於包含於上述第2元件形 成部22之閘極電極33側。此時，在第！元件形成部2丨方 面，多晶矽區域32P係成為通道層25 ;在第2元件形成部22 〇 方面，多晶矽區域32p與半導體膜52係分別成為第1層35八 與第2層35B，此等之疊層部分係成為光電轉換層35。又， 在第1元件形成部21方面，源極26係區分為n+型高濃度雜 質區域26H、及低濃度雜質區域26L ;汲極27亦區分為n+型 咼濃度雜質區域27H、及低濃度雜質區域27L。又，在第2 兀件形成部22方面，源極36係成為n+型高濃度雜質區域； 没極37係成為p+型高濃度雜質區域。 接著，如圖22(B)所不般，以覆蓋通道層25、源極26及 汲極27、光電轉換層35 '源極36及汲極37之狀態，而將層 133223.doc •33· 200929119 間絕緣膜30形成於玻璃基板5上。 接著，如圖22(C)所示般，在通道層25之兩側形成：連 通源極26之高濃度雜質區域26H的接觸孔、與連通汲極27 之高濃度雜質區域27H的接觸孔。然後，在將此等接觸孔 以佈線材料埋入之狀態下，將源極電極28與汲極電極29形 成於層間絕緣膜3 0。又，與此並行，在光電轉換層3 5之兩 侧形成連通源極3 6的接觸孔、與連通沒極3 7的接觸孔。然 後’在將此等接觸孔以佈線材料埋入之狀態下，而形成源 ® 極電極38與汲極電極39。 藉由以上之製造方法，可製得如上述圖19所示構成之驅 動基板2。再者，在第5實施型態中，係在第2元件形成部 22使源極36為n+型高濃度雜質區域，使汲極37&p+型高濃 度雜質區域，但並不限於此。亦即，如使源極36為〆型高 濃度雜質區域，而使汲極37為n+型高濃度雜質區域亦可。 <第6實施型態> 〇 圖23係顯示與本發明之第6實施型態有關之液晶顯示裝 置1之驅動基板2的主要部之剖面圖。在第6實施型態方 面，相較於上述第5實施型態，尤其，如下點為不同：第2 元件形成部22之源極/汲極36、37均成為/型雜質之擴散區 域。 圖2 4〜圖2 5係顯示與本發明之第6實施型態有關之液晶顯 示裝置的製造方法之圖。首先，如圖24(A)所示般，在用 於將上述複數個像素U形成為矩陣狀之玻璃基板5上形 成閘極電極23、33及閘極絕緣膜24後，以覆蓋閑極絕緣膜 133223.doc -34- 200929119 24之狀態而形成由非晶質矽所構成之半導體膜3丨。半導體 膜31係遍及上述第i元件形成部21與第2元件形成部22而形 成於玻璃基板5上。 接著’如圖24(B)所示般，藉由雷射退火將上述非晶質 之半導體膜3 1多晶化，藉由此方式，而製得由多晶矽所構 成之半導體膜32。 接著’如圖24(C)所示般，在玻璃基板5上以覆蓋半導體 膜32之狀態而形成遮罩層51。至此之程序係與上述第4實 ❹施型態之情形相同。 接著’如圖25(A)所示般，對多晶之半導體膜32，在已 除去如下部分的區域，分別導入雜質，而該部分係在閘極 電極23上構成通道層25之多晶矽部分與在閘極電極33上構 成光電轉換層35之多晶矽部分。雜質的導入係譬如以離子 推雜、離子佈植、或電漿佈植等進行。藉由此方式，在第 1元件形成部21方面，係將上述半導體膜32區分為多晶矽 φ 區域32P、n+型高濃度雜質區域32H、及/型低濃度雜質區 域32L。又，在第2元件形成部22方面，係將上述半導體膜 32區分為多晶矽區域32p、及n+型高濃度雜質區域。 接著’如圖25(B)所示般，在第2元件形成部22中，藉由 將遮罩層51局部除去，而使多晶矽區域32p之表面（上面） 露出。 接著，如圖25(C)所示般，在第2元件形成部22中，在已 除去遮罩層5 1之部分，係使用與多晶矽區域32p同一之元 素（在本實施型態中為矽元素）而形成半導體膜52。有關半 I33223.doc -35- 200929119 導體膜52之形成手法，係與上述第4實施型態之情形相 同。 接著’如圖26(A)所示般，在對應於上述第1元件形成部 21與第2元件形成部22之部分，藉由濕式蝕刻或乾式蝕刻 而將半導體膜32與覆蓋其之遮罩層51分離為島狀。藉由此 方式，而將通道層25形成於上述第1元件形成部21，將光 電轉換層35形成於上述第2元件形成部22。又，將源極％ 與沒極27形成於包含於上述第1元件形成部21之閘極電極 23側’且將源極36與汲極37形成於包含於上述第2元件形 成部22之閘極電極33側《此時，在第1元件形成部21方 面’多晶矽區域32P係成為通道層25 ;在第2元件形成部22 方面，多晶矽區域32P與半導體膜52係分別成為第1層35A 與第2層35B，此等之疊層部分係成為光電轉換層35。又， 在第1元件形成部21方面，源極26係區分為n+型高濃度雜 質區域26H、及低濃度雜質區域26L ;汲極27亦區分為n+型 高濃度雜質區域27H、及低濃度雜質區域27L。又，在第2 元件形成部22方面，源極36係區分為n+型高濃度雜質區 域；汲極37亦成為n+型高濃度雜質區域。 接著’如圖26(B)所示般，以覆蓋通道層25、源極26及 汲極27、光電轉換層35、源極36及汲極37之狀態，而將層 間絕緣膜30形成於玻璃基板5上。 接著，如圖26(C)所示般，在通道層25之兩侧形成：連 通源極26之高濃度雜質區域26H的接觸孔、與連通汲極27 之高濃度雜質區域27H的接觸孔。然後，在將此等接觸孔 133223.doc •36· 200929119 以佈線材料埋入之狀態下’將源極電極28與汲極電極29形 成於層間絕緣膜3 0。又，與此並行，在光電轉換層3 5之兩 侧形成連通源極3 6的接觸孔、與連通汲極3 7的接觸孔。然 後’在將此等接觸孔以佈線材料埋入之狀態下，而形成源 極電極38與汲極電極39。 藉由以上之製造方法，可製得如上述圖23所示構成之驅 動基板2。再者，在第ό實施型態中，係在第2元件形成部 22使源極/汲極36、37均為n+型雜質之擴散區域；但並不限 於此，如使源極/汲極36、37均為p+型高濃度雜質區域亦 〇 <第7實施型態> 在本發明之第7實施型態方面，相較於上述第4實施型 態’尤其’液晶顯示裝置之製造方法為不同。 圖27〜圖29係顯示與本發明之第7實施型態有關之液晶顯 示裝置的製造方法之圖。首先，如圖27(A)所示般，在用 φ 於將上述複數個像素U形成為矩陣狀之玻璃基板5上，形 成閘極電極23、33及閘極絕緣膜24後，以覆蓋閘極絕緣膜 24之狀態而形成由非晶質矽所構成之半導體膜3丨。半導體 膜31係遍及上述第i元件形成部21與第2元件形成部22而形 成於玻璃基板5上。 接著，如圖27(B)所示般，藉由雷射退火將上述非晶質 之半導體膜3 1多晶化，藉由此方式，而製得由多晶矽所構 成之半導體膜32。 接著，如圖27(C)所示般，在玻璃基板5上以覆蓋半導體 133223.doc -37- 200929119 膜32之狀態而形成遮罩層51。至此之程序係與上述第4實 施型態之情形相同。 接著，如圖27(D)所示般’對多晶之半導體膜32，在已 除去如下部分的區域’分別導入雜質，而該部分係在閘極 電極2 3上構成通道層2 5之多晶矽部分與在閘極電極3 3上構 成光電轉換層35之多晶矽部分。雜質的導入係譬如以離子 • 推雜、離子佈植、電漿佈植等進行。藉由此方式，在第i ❹ 兀件形成部21方面，係將上述半導體膜32區分為多晶矽區 域32P、n型鬲濃度雜質區域μη、及n+型低濃度雜質區域 32L〇又，在第2元件形成部22方面，係將上述半導體膜32 區分為多晶矽區域32P、n+型高濃度雜質區域32H、及p+型 高濃度雜質區域32M。 接著’如圖28(A)所示般’在第2元件形成部22中，藉由 將遮罩層51局部除去，而使多晶矽區域32p之表面（上面） 露出。 ❹ 接著，如圖28(B)所示般，在第2元件形成部22中，包含 已除去遮罩層51之部分，在玻璃基板5上，使用與多晶矽 區域32P同一之元素（在本實施型態中為矽元素）而形成半 導體膜52。半導體膜52之形成，係譬如以反應CVD法、電 漿CVD法、或熱CVD法等進行。 接著，如圖28(C)所示般，在第2元件形成部22中，以僅 在已除去遮罩層51之部分殘留半導體膜52之方式，將覆蓋 遮罩層51之半導體膜52藉由蝕刻予以除去。此時，遮罩層 51係作為蝕刻停止層而發揮功能。 133223.doc •38· 200929119 接著’如圖29(A)所示般，在對應於上述第1元件形成部 21與第2元件形成部22之部分，藉由濕式蝕刻或乾式蝕刻 而將半導體膜32與覆蓋其之遮罩層51分離為島狀。藉由此 方式，而將通道層25形成於上述第1元件形成部21，將光 電轉換層35形成於上述第2元件形成部22〇又，將源極26 與汲極27形成於包含於上述第丨元件形成部21之閘極電極 - 23側，且將源極36與汲極37形成於包含於上述第2元件形 Ο 成部22之閘極電極33側。此時，在第1元件形成部2丨方 面’多晶矽區域32P係成為通道層25;在第2元件形成部22 方面，多晶矽區域32P與半導體膜52係分別成為第1層35八 與第2層35B ’此等之疊層部分係成為光電轉換層35。又， 在第1元件形成部21方面，源極26係區分為n+型高濃度雜 質區域26H、及低濃度雜質區域26L ;汲極27亦區分為n+型 南濃度雜質區域27H、及低濃度雜質區域27L。又，在第2 元件形成部22方面’源極36係區分為η+型高濃度雜質區域 參 36Η、及低濃度雜質區域36L ;汲極37係成為ρ+型高濃度雜 質區域。 接著，如圖29(B)所示般，以覆蓋通道層25、源極26及 沒極27、光電轉換層35、源極36及汲極37之狀態，而將層 間絕緣膜3 0形成於玻璃基板5上。 接著’如圖29(C)所示般，在通道層25之兩側形成：連 通源極26之高濃度雜質區域26H的接觸孔、與連通汲極27 之高濃度雜質區域27H的接觸孔。然後，在將此等接觸孔 以佈線材料埋入之狀態下，將源極電極28與汲極電極29形 133223.doc -39- 200929119 成於層間絕緣膜30。又，與此並行，在光電轉換層Μ之兩 側形成連通源極3 6之尚濃度雜質區域3 6 Η的接觸孔、與連 通没極37的接觸孔。然後，在將此等接觸孔以佈線材料埋 入之狀態下，而形成源極電極38與没極電極39。 藉由以上之製造方法’可製得包含與上述第4實施型態 同樣之元件結構的驅動基板2»在此液晶顯示裝置之製造 方法面，將光電轉換層35形成於第2元件形成部22之手法 Ο 〇 非僅上述第4實施型態，亦同樣可應用於上述第5實施型態 或上述第6實施型態。 再者，在上述各實施型態中，係舉出底閘型之薄膜電晶 體為例，但作為薄膜電晶體之構造，如為頂閘型亦可。 又，在上述各實施型態中，係以與包含通道層之薄膜電 晶體同樣的構造而構成光感測器元件，除此之外，譬如， 、卩11接。型或pm接合型光電二極體而構成光感測器元件 亦可。在Pin接合型光電二極體方面，由於在？層與η層之 間的i層進行光電轉換，故i層係成為相當於「第2活化層」 者。又’在Pn接合型光電二極體方面，由於在pn接合部附 近進行光電轉換’因此，基板厚度方向且重疊於p層之η 層、或重疊於η層之ρ層係成為相當於「第2活化層」者。 <應用例> 由上述構成所構成之液晶顯千驻里1 日日顯不裝置1，係可應用於圖30 圖34所示各式各樣的電早拖 _, ^ ¥千機4 ’譬如，數位照相機、筆言i ^•個人電腦、行動電話等行動 隹咖 苛仃動終端裝置、將輸入於攝影相 寻電子機器之影像信號、或在 4在電子機器内所生成之影像精 133223.d〇( •40- 200929119 號作為圖像或影像而顯示之所有範疇的電子機器。 圖30係顯示成為第i應用例之電視機的立體圖。與本應 用例有關之電視機係包含由前面板115及濾光片玻璃116等 所構成之影像顯示畫面部丨丨7，可將上述液晶顯示裝置1應 用於該影像顯示畫面部1 1 7。 圖31係顯示成為第2應用例的數位照相機之圖，（A)為從 * 表面側所觀察之立體圖，（B)為從背面側所觀察之立體 圖。與本應用例有關之數位照相機係包含閃光燈用發光部 111、顯示部112、選單開關113、快門按鍵114等；可將上 述液晶顯示裝置1應用於上述顯示部112。 圖32係顯示成為第3應用例的筆記型個人電腦之立體 圖。與本應用例有關之筆記型個人電腦係在本體121包含 在輸入文字等時所搡作之鍵盤122、顯示圖像之顯示部123 4 ’可將上述液晶顯示裝置1應用於該顯示部丨23。 圖33係顯示成為第4應用例的攝影機之立體圖。與本應 參用例有關之攝影機係包含本體部131、朝前方側面之被攝 體用鏡頭132、攝影時之開始/停止開關133、顯示部 等，可將上述液晶顯示裝置丨應用於該顯示部134〇 圖34係顯示成為第5應用例的行動終端裝置（譬如，行動 電話機）之立體圖。（A)為打開狀態下之正面圖、為其側 面圖、（c)為關閉狀態下之正面圖、（D)為左側面圖、（E)為 右側面圖、(F)為上面圖、(G)為下面圖。與本應用例有關 之行動電話機係包含上侧筐體141、下側筐體142、連結部 (在此為鉸鏈部）143、顯示器144、副顯示器145、圖燈 133223.doc 200929119 146、照相機147等’可將上述液晶顯示裝置1應用於該顯 示器144及副顯示器145 » 【圖式簡單說明】 圖1(A)-(C)係顯示液晶顯示裝置之構成例之圖。 圖2係顯示顯示液晶顯示裝置之驅動基板的構成例之 圖。 圖3係顯示顯示面板的顯示區域中之電路構成之圖。 圖4係顯示顯示面板的驅動電路之配置例之圖。 圖5係顯示與本發明之第1實施型態有關之液晶顯示裝置 之驅動基板的主要部之剖面圖。 圖6(A)-(D)係顯示與本發明之第1實施型態有關之液晶顯 示裝置的製造方法之圖（其1)。 圖7(A)-(C)係顯示與本發明之第1實施型態有關之液晶顯 示裝置的製造方法之圖（其2)。 圖8係顯示與本發明之第2實施型態有關之液晶顯示裝置 之驅動基板的主要部之剖面圖。 圖9(A)-(D)係顯示與本發明之第2實施型態有關之液晶顯 示裝置的製造方法之圖（其1)。 圖10(A)-(C)係顯示與本發明之第2實施型態有關之液晶 顯示裝置的製造方法之圖（其2)。 圖11(A)-(C)係顯示與本發明之第2實施型態有關之液晶 顯示裝置的製造方法之圖（其3)。 圖12係顯示與本發明之第3實施型態有關之液晶顯示裝 置之驅動基板的主要部之剖面圖。 I33223.doc -42- 200929119
圖13(A)-(E)係顯示與本發明之第3實施型態有關之液晶 顯示裝置的製造方法之圖（其1)Q 圖14(A)-(C)係顯示與本發明之第3實施型態有關之液晶 顯示裝置的製造方法之圖（其2)。 圖15係顯示與本發明之第4實施型態有關之液晶顯示裝 置之驅動基板的主要部之剖面圖。 圖16(A)-(C)係顯示與本發明之第4實施型態有關之液晶 顯示裝置的製造方法之圖（其i)。 圖17(A)-(C)係顯示與本發明之第4實施型態有關之液晶 顯示裝置的製造方法之圖（其2)。 圖18(A)-(C)係顯示與本發明之第4實施型態有關之液晶 顯示裝置的製造方法之圖（其3)。 圖19係顯示與本發明之第5實施型態有關之液晶顯示裝 置之驅動基板的主要部之剖面圖。 圖20(A)-(C)係顯示與本發明之第5實施型態有關之液晶 顯示裝置的製造方法之圖（其1)β 圖21(A)-(C)係顯示與本發明之第5實施型態有關之液晶 顯示裝置的製造方法之圖（其2)。 圖22(A)-(C)係顯示與本發明之第5實施型態有關之液晶 顯示裝置的製造方法之圖（其3)。 圖23係顯示與本發明之第6實施型態有關之液晶顯示裝 置之驅動基板的主要部之剖面圖。 圖24(A)-(C)係顯示與本發明之第6實施型態有關之液晶 顯示裝置的製造方法之圖（其1}。 133223.doc -43· 200929119 圖25(斗(〇係顯示與本發明之第6實施型態有關 顯示裝置的製造方法之圖（其2)。 ’ 液晶 圖26(AMC)係顯示與本發 顯示裝置的製造方法之圖（其3)。 施型態有關之液晶 圖27⑷⑼係顯示與本發明之第7實施型態有關之液晶 顯示裝置的製造方法之圖（其1)。 曰曰 Ο φ 圖係顯示與本發明之第7實施 顯示裝置的製造方法之圖（其2)。 夜日日 明之第7實施型態有關之液 圖29(A)-(C)係顯示與本發 顯示裝置的製造方法之圖（其3) 圖3 0係顯示成為本發明 圖 个贯3之第1應用例之電視機的立體 圖成為本發蚊第2顧例 機的立體圖。 辦力 電腦 圖32係顯示成為本發明夕笛 个赞明之第3應用例之筆記型個人 機的立體圖。 體 圖33係顯示成為本發明夕笛 圖 货月之第4應用例之攝影機的立 圖（A) (G)係顯不成為本發明之第$應用例的行動 機之圖。 圖^作為本發明之通道層及光電轉換層而使用poly-Si 晴形時採取光之波長（λ)為橫軸、吸收係數（α)為左縱 軸、及成為光之強度1/e的膜厚為右縱軸之圖形。 本㈣之通道層及光電轉換層而使用a·· 133223.doc -44 - 200929119 之情形時，採取光之波長（λ)為橫軸、吸收係數為左縱 轴、及成為光之強度Ι/e的膜厚為右縱軸之圖形。 【主要元件符號說明】 1 液晶顯示裝置 2 驅動基板 3 對向基板 4 液晶層 5 ❿ 6 玻璃基板（絕緣性基板） 像素電極 7、10 偏光板 δ 透明之玻璃基板（絕緣性基 板） 9 共通電極（對向電極） 11 像素 12 掃描線驅動電路 13 14 信號線驅動電路 掃描線 15 信號線 21 第1元件形成部 22 第2元件形成部 23 ' 33 閘極電極 24 閘極絕緣膜 25 通道層 26 ' 36 源極 133223.doc •45· 200929119 26H、27H、32H、36H 高濃度雜質區域 26L、27L、32L、36L 低濃度雜質區域 27 ' 37 汲極 28 ' 38 源極電極 29 ' 39 汲極電極 30 層間絕緣膜 31、32 半導體膜 35 光電轉換層 ❹ 35A 第1層 35B 第2層 32M P+型高濃度雜質區域 32P 多晶矽區域 40 光反射膜 41 透明導電膜 51 遮罩層 100 感測器部 w 101 光感測器元件 102 重設用之切換元件 103 電容（儲存電容） 104 讀出用之切換元件 105 緩衝器放大器 106 受光信號佈線 107 重設控制線 108 讀出控制線 133223.doc -46- 200929119 Ο 109 讀出用水平驅動電路 110 感測器讀出用垂直驅動電路 111 閃光燈用發光部 112 、 123 、 134 顯示部 113 選單開關 114 快門按鍵 115 前面板 116 濾光片玻璃 117 影像顯示晝面部 121 本體 122 鍵盤 131 本體部 132 被攝體用鏡頭 133 攝影時之開始/停止開關 141 上側筐體 142 下側筐體 143 連結部 144 顯示器 145 副顯示器 146 圖燈 147 照相機 Cs 保持電容 El 顯示區域 E2 周邊區域 133223.doc -47- 200929119
Tr 薄膜電晶體 Vdd 電源電壓
133223.doc 48-

Claims (1)

  1. 200929119 十、申請專利範圍： 1· 一種顯不裝置，其在複數個像素配置為矩陣狀之基板的 基底層之上包含構成前述像素之切換元件的第丨活化 層、及構成光感測器元件的第2活化層，且 前述第2活化層之光吸收率比前述第丨活化層更高。 2·如請求項1之顯示裝置，其中 剛述第2活化層形成為較前述第丨活化層更厚。 3.如請求項1或2之顯示裝置，其中 月’J述第2活化層係以與前述第丨活化層不同之材料形 成。 4·如請求項2之顯示裝置，其中 前述第2活化層為疊層構造，包含具有與前述第^舌化 層相同厚度之第1層、及疊層於該第丨層之上的第2層。 5_如請求項4之顯示裝置，其中 前述第2層係使用與前述第1層同一元素形成。
    6·如請求項1之顯示裝置，其中 前述基板包含配置有前述複數個像素之顯示區域、及 鄰接於該顯示區域之周邊區域； 前述第1活化層⑨前述顯示區域及前述周彡區域中至 少配置於前述顯示區域； 前述第2活化層於前述顯示區域及前述周邊區域中至 少配置於其中一方的區域。 如請求項1之顯示裝置，其中 之顯示區域、及 前述基板包含配置有前述複數個像素 133223.doc 200929119 鄰接於該顯示區域之周邊區域； 前述第1活化層係藉由透明之半導體膜所形成，且配 置於前述顯示區域； 前述第2活化層係藉由非透明之半導體臈所形成，且 配置於前述周邊區域。 8·如請求項丨之顯示裝置，其中 在與外光射入側為相反側且與前述第2活化層最接近 而對向配置之電極的表面形成有光反射膜。 β 9.-種顯示裝置之製造方法’其係在用於將複數個像素形 成為矩陣狀之基板的基底層之上，形成構成前述像素之 切換7L件的第1活化層，並在與前述第丨活化層相同之前 述基底層之上，以光吸收率比前述第〗活化層更高之方 式形成構成光感測器元件的第2活化層者。 10.如請求項9之顯示裝置之製造方法，其中 將前述第2活化層形成為比前述第丨活化層更厚。 藝 11.如請求項9之顯示裝置之製造方法，其中 以與前述第1活化層不同之材料形成前述第2活化層。 12. 如請求項1〇之顯示裝置之製造方法，其中 將具有與前述第1活化層相同厚度之第丨層，與前述第 1活化層共同形成； 使前述第1層與疊層於該第1層之上的第2層進行疊 層’藉此形成前述第2活化層。 13. 種顯不裝置之製造方法，其係在用於將複數個像素形 成為矩陣狀之基板的基底層之上，形成構成前述像素之 133223.doc 200929119 切換元件的第1活化層，並在與前述第1活化層相同之前 述基底層之上，以與前述第丨活化層不同之層厚或不同 之材料形成構成光感測器元件的第2活化層者。 14,種顯示裝置之製造方法，其係在用於將複數個像素形 成為矩陣狀之基板上，於遍及第丨元件形成部與第2元件 . 形成部形成半導體膜後，將雜質導入前述半導體膜； . 藉由將已導入前述雜質之半導體膜在前述第1元件形 成部與前述第2元件形成部分別分離為島狀，而於前述 第1元件形成部以前述半導體膜形成第丨活化層並於前 述第2元件形成部除去活化層相當部之半導體膜； 於前述第2元件形成部已除去半導體膜的部分形成第2 活化層； 藉此在前述基板上形成包含前述第丨活化層的切換元 件、及包含前述第2活化層的光感測器元件。 15. 如請求項14之顯示裝置之製造方法，其中 〇 前述第2活化層係藉由選擇性地形成膜之選擇性膜形 成方法至少形成於前述第2元件形成部已除去半導體 膜之部分。 16. -種顯不裝置之製造方法，其係在用於將複數個像素形 成為矩陣狀之基板上，遍及第丨元件形成部與第2元件形 成部而形成透明導電膜； 藉由將前述透明導電膜在前述第丨元件形成部與前述 第2元件形成部分別分離為島狀，而於前述第R件形成 部除去活化層相當部之透明導電膜，並於前述第2元件 133223.doc 200929119 形成部除去活化層相當部之透明導電膜； 於前述第1元件形成部已除去透明導電膜的部分以透 明半導體膜形成第1活化層，並於在前述第2元件形成部 已除去透明導電膜的部分形成第2活化層； 藉此在前述基板上形成包含前述第丨活化層的切換元 件、及包含前述第2活化層的光感測器元件。 17. 如請求項16之顯示裝置之製造方法，其中 ❹ 前述第2活化層係藉由選擇性地形成膜之選擇性膜形 成方法至 > 形成於刖述第2元件形成部已除去透明導 電膜之部分。 18. —種顯不裝置之製造方法，其係在用於將複數個像素形 成為矩陣狀之基板上，於遍及第丨元件形成部與第2元件 形成部形成多晶之第丨半導體膜後，將雜質導入前述第】 半導體臈； 在以覆蓋前述第1半導體膜之狀態形成遮罩層後，於 ❹ 前述第2元件形成部以活化層相當部之半導體膜的表面 露出之方式，將前述遮罩層局部除去； 在已除去前述遮罩層的部分疊層形成第2半導體膜； 藉由將前述第1半導體膜在前述第1元件形成部與前述 第元件形成部分別分離為島狀，而於前述第丨元件形成 P X前述第1半導體膜形成第丨活化層，並於前述第2元 件形成部以前述第i半導體膜與前述第2半導體膜形成第 2活化層； 藉此在前述基板上形成包含前述第1活化層的切換元 133223.doc 200929119 件、及包含前述第2活化層的光感測器元件。 19.如請求項18之顯示裝置之製造方法，其中 前述第2活化層係藉由選擇性地形成膜之選擇性膜形 成方法，至少形成於已除去前述遮罩層之部分。
    133223.doc
TW097136227A 2007-09-21 2008-09-19 Display device and display device TWI482134B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007244880 2007-09-21
JP2008216975A JP5567770B2 (ja) 2007-09-21 2008-08-26 表示装置及び表示装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200929119A true TW200929119A (en) 2009-07-01
TWI482134B TWI482134B (zh) 2015-04-21

Family

ID=40665162

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097136227A TWI482134B (zh) 2007-09-21 2008-09-19 Display device and display device

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8619208B2 (zh)
JP (1) JP5567770B2 (zh)
KR (1) KR101471221B1 (zh)
CN (1) CN101636691B (zh)
TW (1) TWI482134B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8717335B2 (en) 2010-06-15 2014-05-06 Industrial Technology Research Institute Active photosensing pixel

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8945981B2 (en) 2008-07-31 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TWI627757B (zh) * 2008-07-31 2018-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
US20120001190A1 (en) * 2009-05-12 2012-01-05 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film transistor and method of fabricating same
TW202420563A (zh) * 2009-08-07 2024-05-16 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI498786B (zh) * 2009-08-24 2015-09-01 Semiconductor Energy Lab 觸控感應器及其驅動方法與顯示裝置
WO2011027702A1 (en) * 2009-09-04 2011-03-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and method for manufacturing the same
US20120200546A1 (en) * 2009-10-16 2012-08-09 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device, display device provided with same, and method for manufacturing semiconductor device
KR101727469B1 (ko) 2009-11-06 2017-04-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101333783B1 (ko) 2009-11-10 2013-11-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI594173B (zh) * 2010-03-08 2017-08-01 半導體能源研究所股份有限公司 電子裝置及電子系統
KR101754382B1 (ko) 2010-03-11 2017-07-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011135908A1 (ja) * 2010-04-30 2011-11-03 シャープ株式会社 回路基板および表示装置
US9111810B2 (en) * 2010-04-30 2015-08-18 Sharp Kabushiki Kaisha Circuit board and display device including first and second channel layers made of different semiconductor materials
CN102376276B (zh) * 2010-08-05 2013-11-20 财团法人工业技术研究院 主动式光感测像素、主动式光感测阵列以及光感测方法
KR101822406B1 (ko) 2011-08-29 2018-01-29 삼성디스플레이 주식회사 터치 기판 및 이의 제조 방법
KR101506303B1 (ko) 2011-09-29 2015-03-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
JP2014116429A (ja) * 2012-12-07 2014-06-26 Japan Display Inc 撮像装置及び撮像表示システム
KR102068275B1 (ko) 2012-12-20 2020-01-21 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR102091444B1 (ko) * 2013-10-08 2020-03-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 표시 기판의 제조 방법
US10186528B2 (en) 2014-02-24 2019-01-22 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
EP2911202B1 (en) 2014-02-24 2019-02-20 LG Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
US9881986B2 (en) 2014-02-24 2018-01-30 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
US9214508B2 (en) 2014-02-24 2015-12-15 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate with intermediate insulating layer and display using the same
US10325937B2 (en) 2014-02-24 2019-06-18 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate with intermediate insulating layer and display using the same
US9721973B2 (en) 2014-02-24 2017-08-01 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
US10985196B2 (en) 2014-02-24 2021-04-20 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate with intermediate insulating layer and display using the same
JP2015158572A (ja) * 2014-02-24 2015-09-03 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置、電子機器
EP2911199B1 (en) 2014-02-24 2020-05-06 LG Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
CN104716196B (zh) * 2015-03-18 2017-08-08 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置
CN105244404B (zh) * 2015-10-19 2018-02-06 昆山龙腾光电有限公司 集成光电传感器
CN106326845B (zh) * 2016-08-15 2017-08-11 京东方科技集团股份有限公司 指纹识别单元及制作方法、阵列基板、显示装置及指纹识别方法
US10367017B2 (en) * 2017-11-22 2019-07-30 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof
CN107946244B (zh) * 2017-11-22 2020-08-04 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及其制备方法
CN107978610B (zh) * 2017-11-30 2020-04-24 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的制造方法
TWI721776B (zh) * 2020-02-06 2021-03-11 友達光電股份有限公司 主動元件基板及其製造方法
CN111522181B (zh) * 2020-04-27 2023-05-05 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板、显示面板及其制备方法
KR20210148724A (ko) * 2020-06-01 2021-12-08 삼성전자주식회사 플래시 led 패키지
CN112599630B (zh) * 2020-12-07 2022-06-10 Tcl华星光电技术有限公司 光传感器和显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1090655A (ja) * 1996-09-17 1998-04-10 Toshiba Corp 表示装置
US6362507B1 (en) * 1999-04-20 2002-03-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical devices in which pixel section and the driver circuit are disposed over the same substrate
KR100643038B1 (ko) * 2000-08-31 2006-11-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터형 광센서 어레이 기판
US7385223B2 (en) * 2003-04-24 2008-06-10 Samsung Sdi Co., Ltd. Flat panel display with thin film transistor
JP2005043672A (ja) * 2003-07-22 2005-02-17 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd アレイ基板およびその製造方法
KR100585410B1 (ko) * 2003-11-11 2006-06-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구동회로 일체형 액정표시장치의 스위칭 소자 및 구동소자및 그 제조방법
US7915723B2 (en) * 2004-01-29 2011-03-29 Casio Computer Co., Ltd. Transistor array, manufacturing method thereof and image processor
EP1739000B1 (en) 2005-06-27 2011-08-10 Campagnolo S.R.L. Control device for a bicycle derailleur

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8717335B2 (en) 2010-06-15 2014-05-06 Industrial Technology Research Institute Active photosensing pixel

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100057528A (ko) 2010-05-31
JP2009093154A (ja) 2009-04-30
CN101636691A (zh) 2010-01-27
JP5567770B2 (ja) 2014-08-06
US20100171120A1 (en) 2010-07-08
CN101636691B (zh) 2014-05-07
US8619208B2 (en) 2013-12-31
TWI482134B (zh) 2015-04-21
KR101471221B1 (ko) 2014-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI482134B (zh) Display device and display device
JP5143514B2 (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
TWI288266B (en) Display device and photoelectric conversion device
JP4737956B2 (ja) 表示装置および光電変換素子
TWI453805B (zh) 顯示器及其製作方法
JP5314040B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US7787082B2 (en) Photosensor and display device
TWI398707B (zh) 光感測單元及具有此光感測單元之畫素結構與液晶顯示面板
US8143117B2 (en) Active device array substrate and method for fabricating the same
JP2008153427A (ja) 高感度光センサ素子及びそれを用いた光センサ装置
WO2010084725A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法ならびに表示装置
US8377760B2 (en) Thin film transistor
JP2008171871A (ja) 高感度光センサ素子及びそれを用いた光センサ装置
TW200824128A (en) Pixel structure and fabricating method thereof
WO2010035544A1 (ja) フォトダイオードおよびその製造方法ならびにフォトダイオードを備えた表示装置
WO2010134571A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法ならびに表示装置
CN112928134A (zh) 阵列基板和显示面板
JP2004318067A (ja) 画像表示装置およびその製造方法
TW201118492A (en) Liquid crystal display
JP5183173B2 (ja) 光センサーおよび表示装置
JP2005107383A (ja) 液晶表示装置
JP2006186266A (ja) 光電変換素子及びこれを用いた表示装置
JP2010177362A (ja) 半導体装置およびその製造方法ならびに表示装置
KR100988575B1 (ko) 다결정질 박막트랜지스터를 포함하는 반사형 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법
JP2005010229A (ja) 液晶表示装置