TW200916514A - Method for treating film surface, method for producing polarizing plate, and surface treatment apparatus - Google Patents

Method for treating film surface, method for producing polarizing plate, and surface treatment apparatus Download PDF

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TW200916514A
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surface treatment
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Junichi Matsuzaki
Toshiyuki Doji
Takuya Yara
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Sekisui Chemical Co Ltd
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200916514 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種於將包含三醋酸纖維素（以下，視需 要稱為「TAC，triacetate cellul〇se」）作為主成分之tac膜 (第2膜）黏接在包含聚乙烯醇（以下，視需要稱為「pvA， polyvinyl alconhol」）系樹脂之PVA臈（第旧）上之前，為提 高黏接性而對TAC膜所實施的表面處理方法，及製造以 PVA膜為偏光膜且於該偏光膜上積層有TAC膜作為保護膜 之偏光板的方法。尤其關於一種不藉由鹼化處理，而對 TAC膜進行表面處理，並將其與pvA膜進行黏接的方法。 【先前技術】 例如，液晶顯示部中安裝有偏光板。偏光板係以黏接劑 將包含TAC膜之保護膜黏接於包含pva系樹脂之偏光膜上 而成者。TAC膜係於黏接前，浸漬於氫氧化鈉或氫氧化鉀 等驗性水溶液中，而進行鹼化處理。鹼化處理係用以提高 TAC膜之親水性，並確保tac膜對偏光膜之黏接性。作為 黏接劑’通常使用聚乙烯醇系或聚醚系之黏接劑。 於專利文獻1十，係對TAC膜進行鹼化處理後，藉由塗 佈於上述TAC膜上積層硬塗層，其後，使用聚乙烯醇系黏 接劑，於經單軸延伸之包含PVA之偏光膜的兩面上積層上 述附有硬塗層之TAC膜。 於專利文獻2中，係將反應氣體於大氣壓附近下進行電 漿化。藉由使用丙稀酸、甲基丙烯酸作為反應氣體成分， 而對基材膜進行疏水化。 132802.doc 200916514 於專利文獻3中，係以低壓輝光放電等對經驗化處理之 TAC膜之單面進行表面處理，並藉由塗佈而於該度膜之 經表面處理的面上積層硬塗層。藉由表面處理，可提高硬 塗層與TAC膜之黏接性。 於專利文獻4中，係以大氣壓附近電漿對TAC膜等基材 進行表面處理。表面處理用氣體係使用氮氣、氬氣等放電 氣體與薄膜形成用氣體之混合氣體。藉由使用丙烯酸、甲 基丙烯酸等作為薄膜形成用氣體，可提高基材之親水性。 藉此，可提高藉由電漿處理而於基材上形成之抗反射膜等 膜與該基材的密著性。 [專利文獻1]日本專利特開平08-171 016號公報 [專利文獻2]曰本專利特開2003_2〇1568號公報（段落 0001 、 0047) [專利文獻3]日本專利特開2003-227932號公報 [專利文獻4]日本專利特開2006-299000號公報（段落 0113〜0119 、 0130 、 0143) 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 經鹼化處理之TAC膜之耐熱性容易下降，或以捲筒狀態 保存時容易產生部分結塊。又，若對與TAC膜之黏接面相 反侧之面實施硬塗，則存在鹼化處理使霧值提高，而使光 學特性發生變化的不良情況。亦存在鹼化處理所使用之鹼 性水溶液之廢液處理的問題。 另一方面，未鹼化之TAC膜之情形時，無法利用聚乙烯 132802.doc 200916514 醇系或t峻系之先前之黏接劑將其黏接於偏光膜上。亦無 法利用聚烯烴系多元醇（日本專利特開2003-1 55379號）等烯 煙系水性黏接劑進行黏接。 [解決問題之技術手段] 發明者為解決上述問題點而進行潛心研究。其結果發 現.若將某種有機化合物之單體電漿化並對丁AC膜進行照 射，則可獲得與鹼化處理相同之黏接性。 本發明係鑒於上述知識見解開發而成者，係於將包含三 醋酸纖維素（TAC)作為主成分之第2膜黏接在包含聚乙烯醇 (PVA)系樹脂之第1膜上之前，對上述第2膜所實施之表面 處理方法，且將反應氣體電漿化（包含分解、激發、活性 化、自由基化、離子化），使其與欲將上述第2膜與上述第 1膜相黏接之面相接觸。 又，本發明係於包含PVA系樹脂之第丨膜積層包含TAc作 為主成分之第2膜，上述第1膜成為偏光膜且上述第2膜成 為保護膜之偏光板的製造方法，該製造方法包括：將反應 氣體電漿化，再使其與欲將上述第2膜與上述第丨膜相黏接 之面相接觸的表面處理步驟；及於上述步驟之後以黏接劑 將上述第1膜與上述第2膜黏接之黏接步驟。 上述反應氣體含有具有不飽和鍵及特定官能基之單體作 為反應成分。上述特定官能基係選自羥基、羧基、乙醯 基、縮水甘油基、環氧基、碳數為丨〜i 〇之酯基、礙基、醛 基之中’尤其好的是羧基。 作為具有不飽和鍵及經基之單體，可列舉：乙二醇曱基 132802.doc 200916514 丙烯酸酯、稀丙醇、甲基丙稀酸經乙酯等。 作為具有不飽和鍵及羧基之單體’可列舉：丙烯酸、甲 基丙烯酸、伊康酸、順丁稀二酸、2-甲基丙烯醯基丙酸 等。 作為具有不飽和鍵及乙醯基之單體，可列舉乙酸乙烯酯 等。 作為具有不飽和鍵及縮水甘油基之單體，可列舉甲基丙 烯酸縮水甘油酯等。 ^ ' 作為具有不飽和鍵及酯基之單體’可列舉：丙烯酸甲 酿、丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸 2-乙基己酯、丙烯酸辛酯、曱基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸 乙醋、甲基丙烯酸丁酯、曱基丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯 酸異丙酯、曱基丙烯酸2 -乙酯等。 作為具有不飽和鍵及醛基之單體，可列舉：丙烯醛、丁 烯醛等。 較好的是，上述反應氣體含有具有乙烯性不飽和雙鍵及 羧基之單體。作為該單體，可列舉：丙烯酸(CH2=chc〇〇h)、 甲基丙烯酸（CHfCCCHOCOOH)。 上述單體可承載於惰性氣體中而被電漿化。惰性氣體係 - 選自氮氣、氬氣、氦氣等中，就經濟性之觀點而言，較好 的是使用氮氣。 以丙烯酸或甲基丙烯酸為代表之上述列舉的單體，於常 溫常壓下多為液相。較好的是，如此之單體於惰性氣體中 亂化，獲得氣化之單體與惰性氣體之混合氣體，並將該混 132802.doc 200916514 合氣體作為上述反應氣體。丙烯酸或〒基丙烯酸等單體可 藉由加熱或起泡等而氣化，並承載上述惰性氣體中。 考慮到加熱氣化時對加熱器之負擔，較好的是選擇單體 之沸點為300t以下者。χ，較好的是選擇單體不會因加 熱而發生分解（化學變化）者。 於上述第2膜與上述第丨臈黏接之面的相反側之麵包覆有 硬塗層或AR(Anti-Reflection，防反射）層等功能層之情形 時，較好的是使上述功能層朝向上述電漿化所使用之—對 電極中其中-個電極之放電φ，以上述第2膜無間隙地覆 蓋上述放電面之狀態，且將上述反應氣體導入至上述第2 膜與另一個電極之間。藉此，不僅可切實地使電漿化之反 應氣體與第2臈之與偏光膜的黏接面相接觸，亦可防止功 能層與上述其中一個電極之間形成電漿，或防止電漿化之 反應氣體進入，從而可防止功能層受到損害。 作為將本發明之實施有表面處理之第2膜與第丨膜相黏接 的黏接劑，並無特別限定，可列舉：以聚乙烯醇水溶液、 聚乙烯丁醛溶液等為主成分之聚乙烯醇系黏接劑液，以丙 稀酸丁醋等為主成分之乙烯系聚合系乳膠、以聚稀煙系多 元醇等為主成分之烯烴水性黏接劑，聚醚系黏接劑等，更 好的是使用以聚乙烯醇水溶液為主成分之聚乙烯醇系黏接 劑。 反應氣體之電漿化較好的是於大氣壓附近之壓力下進 行。此處’所謂大氣壓附近係指1〇13χ1〇4〜5〇 663χΐ〇4 pa 之範圍’若考慮到容易地調整壓力或簡化裝置構成，則較 I32802.doc •10· 200916514 好的是 1.333 χ l〇4〜10.664 x l〇4 Pa，更好的是 9 331 χ ΙΟ4〜10.397χ104 pa。 上述反應氣體較好的是含有丙烯酸或甲基丙烯酸，尤其 好的是含有丙稀酸。 上述表面處理方法中，或上述偏光板製造方法之表面處 理步驟中，上述第2膜與上述反應氣體相接觸之部分的溫 度（以下稱為「膜溫度」）低於上述反應氣體向上述第2膜喷 出之溫度（以下稱為「氣體喷出溫度」），且上述氣體喷出 溫度與上述膜溫度之差值較好的是5。〇以上，上述溫度差 值更好的是10 °c以上。 上述膜溫度較好的是室溫以上。此處，所謂室溫通常為 20〜25 C，更通常為25°C。較好的是上述反應氣體之溫度 低於丙烯酸或甲基丙烯酸之引火點，且比上述第2膜高5艺 以上。更好的是上述反應氣體之溫度低於丙烯酸或甲基丙 烯酸之引火點，且比上述第2膜高1(rc以上。丙烯酸I引 火點為54°C。曱基丙烯酸之引火點為77〇c。即，丙烯酸之 著火點為360C。甲基丙烯酸之著火點為36〇。匚。 上述反應氣體之氧含量較好的是〇〜3〇〇〇 ppm，更好的是 2000 ppm以下。 本發明之表面處理裝置可用於上述表面處理方法，或用 於上遂偏光板製造方法之表面處理步驟其具備： 電聚處理部，其具有配置有上述第2膜之處理空間，且 於上述處理空間内或其附近進行上述電装化； 反應氣體供給系，其向上述處理空間供給反應氣體； 132802.doc 200916514 、/皿度調即機構，其係調節上述第2膜與上述反應氣體 相接觸之部分的溫度（以下稱為「膜溫度」）； 氣體/皿度調即機構，其係調節上述反應氣體向上述第2 膜噴出之溫度(以下稱為「氣體喷出溫度」）。 較好的疋’利用上述臈溫度調節機構與上述氣體溫度調 節機構料調節，使上述膜溫度低於上述氣體噴出溫度。 更好的疋’利用上述膜溫度調節機構與上述氣體溫度調節 機構進行凋節，使上述氣體喷出溫度與上述膜溫度之差值 達到5 °C以上，更好的是達到丨〇〇c以上。 [發明之效果] 根據本發明，可不藉由鹼化處理而確保TAC膜與p膜 之黏接性。 【實施方式】 以下’參照圖式，說明本發明之實施形態。 圖1(a)表示液晶顯示器用偏光板1〇。偏光板1〇具有：偏 光膜Π，及積層於該偏光膜11之兩面上的一對保護膜12。 偏光膜11係由聚乙烯醇（PVA)系樹脂所構成。以下，視需 要亦將偏光膜11稱為PVA膜11或第1膜11。 保護膜12含有三醋酸纖維素（TAC)作為主成分。以下， 視需要亦將保護膜12稱為TAC膜12或第2膜12。TAC臈12含 有90%以上之三醋酸纖維素=TAC獏12除三醋酸纖維素之 外’亦可含有3〜10重量°/。左右之磷酸酯等塑化劑，亦可含 有紫外線吸收劑。TAC膜之厚度並無特別限定，例如為數 μιη〜數百μπι。TAC膜12係使用未經鹼化處理之未鹼化者。 132802.doc •12- 200916514 TAC膜12之製造方法並無特別限定，例如可藉由澆鑄法進 行製造。 / PVA膜11與TAC膜12係利用黏接劑13進行黏接。黏接劑 1 3係使用以聚乙烯醇水溶液為主成分之聚乙烯醇系黏接 劑，但並不限定於此，可使用以聚乙烯丁醛水溶液等為主 成分之聚乙烯醇系黏接劑，亦可使用以丙烯酸丁酯等為主 成分之乙烯系聚合系乳膠，亦可使用聚醚系黏接劑，亦可 使用以聚烯烴系多元醇等為主成分之烯烴水性黏接劑。
如圖i(b)所示，亦存在於—個TAC膜12之表側面（與pvA 膜11之黏接面之相反側的面）積層有硬塗層14作為功能層 的情況。亦可積層AR層、其他功能層，來代替硬塗声 14。 3 TAC膜12，可於與？¥八膜11相黏接之前，供給至用以確 保黏接性之表面處理步驟。 如圖2所示，表面處理步驟係使用表面處理裝置丨。表面 處理裝置1係由大氣壓電漿處理裝置所構成。裝置丨具備： 電漿處理部2、及反應氣體供給系3。電漿處理部2具備： 平板狀電極21及輥狀電極22R。於該等電極21、22R彼此 之間形成有處理空間29。 平板電極21上連接有電源23，輥電極22R係電氣性地接 地=電源23例如將脈衝狀電壓施加至平板電極21上。藉 此，於平板電極21與輥電極22R之間形成脈衝狀電場，而 於處理空間29内生成大氣壓電漿p。脈衝之上升及/或下降 時間較好的是10 以下，電場強度較好的是1〇〜1〇〇〇 132802.doc •13· 200916514 kV/cm ’頻率較好的是0_5〜100 kHz。供給電壓並不限定於 脈衝狀，亦可為正弦波等連續波狀。 TAC膜12部分捲在輥電極22R上側之周面（一個電極之放 電面）上’而覆蓋輥電極22R上側之周面。TAC膜12之覆蓋 電極22R之部分係配置於處理空間29内。TAC膜12之單面 (欲與PVA膜Π相黏接之黏接面）朝向上側平板電極21，其 相反側面無間隙地與輥電極22R之上側周面相接觸。於圖 1(b)所示之附有硬塗層14之1八(：膜12之情形時，硬塗層14 無間隙地與輥電極22R之上側周面相接觸。 TAC膜1 2藉由輥電極22r及輸送輥24之旋轉而沿著一個 方向進行輸送。 反應氣體供給系3具有：反應成分供給源3〇、及載體供 給源34。反應成分供給源3〇係由儲藏有反應成分之容器所 構成。反應成分係具有不飽和鍵及特定官能基之單體，此 處使用丙烯酸（CHfCHCOOH)作為反應成分。丙烯酸係具 有乙烯性不飽和雙鍵及羧基之單體。丙烯酸以液相儲藏在 谷器30内圖中’以符號「Ac」表示液體丙稀酸。容器3〇 中安裝有加熱器33作為氣化機構。容器3〇構成恆溫槽。液 體丙烯酸Ac係由加熱器33進行加熱而氣化。丙烯酸心之 加熱溫度較好的是室溫（25。〇〜8〇r，就安全性之觀點而 吕，考慮引火點為54 °C，較好的是50 °C以下=如圖3所 不，可利用液體丙烯酸Ac之加熱溫度來調節丙烯酸之氣化 量° 於室溫附近丙烯酸之氣化量亦可滿足所需量之情形時， 132802.doc •14· 200916514 可省略加熱器33。 載體供給源34中儲藏有氮氣作為載氣。作為載氣，亦可 使用氬氣、氦氣等其他惰性氣體來代替氮氣。自載體供給 源34延伸出載體通路35。載體通路35係連接在反應成分容 器30上。 來自载體供給源34之氮氣可自載體通路35導入至反應成 分容益30中。於該反應成分容器3〇之内部，混合有氮氣與 軋化之丙烯酸氣體（反應成分）。藉此，可生成包含丙稀酸 與氮氣之混合氣體的反應氣體。如上所述，反應氣體（丙 稀酸+氮氣）中之丙烯酸的濃度’可藉由利用加熱器33對液 體丙烯酸Ac進行加熱之溫度來進行調節。 載體通路35之末端’位於較丙稀酸ac之液面的上方位 置’但亦可延伸至丙稀酸Ac液體之内部，而使之起泡。 供給通路31係自反應成分容器30延伸至電漿處理部2。 於供給通路31之前端部設置有喷氣嘴32。喷氣嘴32係設置 於平板電極2 1之一側部。 於反應成分容器30中所生成之反應氣體（丙烯酸+氮 氣）’經由供給通路3 1，自噴氣嘴32噴出至處理空間29。 於該處理空間29内生成電漿p ’反應氣體被電漿化（包括分 解、激發、活性化、離子化）。可將該被電漿化之氣體， 與12之早面（與pVA膜11之黏接面）相接觸，而進行 電衆表面處理。 TAC膜12無間隙地覆蓋於輥電極22R之上側周面。因 此’可防止於輥電極22R與TAC膜12之間形成電漿。又， 132802.doc • 15 · 200916514 可防止於TAC膜12與平板電極21之間被電漿化之反應氣 體，進入至輥電極22R與TAC膜12之間。因此，於圖1(b)所 示之附有硬塗層14之TAC膜12之情形時，可避免硬塗層14 暴露在電漿中而發生變質，從而防止霧值等光學特性惡 化。 於與電極2 1之喷氣嘴32侧相反之一側，設置有吸氣嘴 42。吸氣嘴42經由吸引通路41而與排氣機構40連結。 於處理空間29中處理完畢之氣體自吸氣嘴u吸入，經由 吸引通路41，利用排氣機構40進行排氣處理。 [黏接步驟] 上述表面處理步驟後，以黏接劑13將TAC膜12之黏接面 與PVA膜11相黏接。由於TAC膜12之黏接面實施有上述電 蒙表面處理’故而可獲得良好之黏接性，可牢固地與pVA 膜11相黏接。 其次’說明本發明之其他實施形態。以下實施形態中， 關於與已述形態重複之構成’於圖式附上相同符號而省略 說明（下述實施例亦相同）。 圖4係表示第2實施形態者。第2實施形態中，大氣壓電 楽處理裝置1之電極構造係由一對輥電極21 r、22R所構 成。一對輥電極21R、22R係上下相對向。於上側輥電極 21R上連接有電源23。下側輥電極22R電氣性地接地。藉 由如此之電極構造，可於該等較電極2iR、22R之間生成 大氣壓電漿放電p。 TAC膜12係於筆直拉伸之狀態下，通過該等輥電極 132802.doc •16- 200916514 21R、22R之間，亦可與圖2之形態同樣地，捲在一個輥電 極22R上。 圖5係表示第3實施形態者。第3實施形態中，一對輥電 極21R、22R左右對向配置。於形成在該等輥電極^尺、 22R之間的處理空間29内，生成有大氣壓電漿p。於處理空 間29之上方設置有喷氣嘴32。於輥電極21R、22r之下側 設置有左右一對折返輥25、26。 TAC膜12依次捲在輥電極21R、折返輥25、折返輥％、 輥電極22R上。TAC膜12於捲在輥電極21R上之狀態下，一 邊通過處理空間29，一邊進行表面處理。其後，丁八匸膜j 2 自輥電極21R抽出，經由折返輥25、％折返，而捲在接地 側輥電極22R上。此時，^[^^膜12再次通過處理空間29， 進打表面處理。因此，可於一個處理空間29中，對tac膜 12進行兩次處理。 於電源側輥電極2 1R中安裝有膜溫度調節機構27。膜溫 度調節機構27係由使特定溫度之調溫媒體流通至輥電極 21R内部的調溫路所構成。作為調溫媒體，例如可使用 水。藉此，可調節輥電極21R之溫度。因此，可調節tac 膜12與輥電極21R相接部分進而噴到反應氣體之部分之膜 12的溫度（以下稱為r膜溫度几」）。膜溫度几較好的是露 點〜80°C左右。可藉由使臈溫度Tb成為露點以上，而防止 TAC膜12上發生結露。可藉由使膜溫度几成為8〇艽以下， 而防止TAC膜12發生熱變形。 同樣地，於接地側輥電極22R中亦安裝有溫度調節機構 132802.doc 17 200916514 27。藉此，可調節輥電極22R之溫度。進而，可調節『A。 膜12與反應氣體相接觸之部分的溫度丁匕。
進而，於構成反應氣體供給通路31之管的外周，設置有 隔熱材36。反應氣體（丙烯酸+氮氣）通過供給通路η時， 可藉由隔熱材36進行保溫，並於大致維持反應成分容器3〇 内溫度之狀態下，自噴氣嘴32喷出。包括加熱器33之反應 成分容器（恆溫槽）3G及隔熱材36，構成氣體溫度調節機構 39。利用氣體温度調節機構39,可調節反應氣體之溫度， 尤其是自喷氣嘴32噴出時之溫度（以下稱為「氣體喷出溫 度Ta」）。氣體噴出溫度仏較好的是35t〜8〇t左右。氣體 喷出溫度Ta更好的是4 〇〜5 0 °C。 進而：利用兩個溫度調節機構27、39，可將膜溫度 Tb(g室'溫）調節為低於氣體喷出溫度。較好的是以溫度 差 a Tb為ΔΤ $ +5 c之方式進行調節。更好的是以ΔΤ S+10C之方式進行調節。 Δ:之上限較好的是設定在TAC膜。不發生膨潤等熱變形 之範圍内。丁八(：膜12不發生膨潤等熱變形之極限溫度，亦 依取決於處理條件等，例如為贼左右。於使濕度保持在 低jc平而進行控制之情形時，為不發生結露之溫度且為現 實之下限至’皿’例如為1〇。。左右。因此’就防止Μ。臈u 熱變形，且防止結露之觀點而言 較好的是ATS +70°C左 右。又’就考慮丙稀酸之引火點（54。〇之安全性的觀點， 及更加切實地防止結露之觀點而言，較好的是 左右。更好的是AT ^ +20。〇。 132802.doc 18- 200916514 藉由於上述溫度差ΔΤ之條件下進行TAC膜12之表面處 理’可充分提高TAC膜12與PVA膜11之黏接性。 本發明並不限定於上述實施形態，可進行各種改變。 例如，作為反應氣體中之反應成分，亦可使用曱基丙烯 酸來代替丙稀酸。 TAC膜12之上述表面處理方法，亦可應用於偏光板製造 以外之用途。 載體通路35之末端位於較丙烯酸Ac之液面之上方位置， 但亦可延伸至丙烯酸Ac液體之内部，而使之起泡。 電漿處理裝置1之電極構造並不限定於實施形態所示 者’亦可為平行平板電極。可使用放電面為沿著輥電極 22R之曲面之凹面的電極來代替平板電極21，亦可使用直 徑小於輥電極22R之輥電極或棒狀電極來代替平板電極 2卜 上述實施形態中’ TAC膜12通過電漿處理部2之電極間 之空間（間隙）内，電極間空間成為對TAC膜1 2進行表面處 理之處理空間29，處理空間可與電極間空間分開，例如反 應氣體於電極間空間被電漿化後，可朝向處理空間内之 TAC膜噴出。於該情形時，電漿化後，自電極間空間噴出 至處理空間時之反應氣體之溫度較好的是比膜溫度Tb高 5°C以上，更好的是高丨〇°c以上。 電聚之生成並不限定於大氣壓附近，亦可於真空下進 行。 可將第1 ~第3實施形態相互組合。例如，第1、第2實施 132802.doc 19 200916514 形態（圖2、圖4)中，可與第 調節機構27與氣體溫度調節樣地’安裝膜溫度 高於膜溫度Tb之方式二=並以氣體喷出咖 -為△㈣之方式進 丁調即’更好的是以ATg+1〇。〇之 方式進行調節。AT之卜PP- 熱變形之範圍内。〜疋在TAC膜12不發生膨潤等 膜溫度調節機構27,亦可為電熱器或熱射線加熱器或孰 風加熱》。加熱器可内置在電極内，亦可配置於電 部。 作為，體溫度㈣機構39,亦可於構成反應氣體供給通 路31之管之外周設置電熱帶等電熱器、或熱射線加熱器。 氣體溫度調節機構39亦可為熱交換器。例如作為氣體溫度 調節機構39，可將使水等調溫媒體流通之熱交換管，以可 與構成反應氣體供給通路31之管進行熱交換之方式進行設 置。氣體溫度調節機構39亦可為熱風加熱器。 [實施例1 ] 說明實施例，但本發明並不限定於該實施形態。 使用如圖2所示之大氣壓電漿處理裝置丨，進行Tac膜之 電漿表面處理。TAC膜係使用富士膠片股份有限公司製造 之Fujitac(註冊商標）。其厚度為3〇 μηι。 處理條件如下所述。 來自電源23之輸出脈衝之頻率：5〜30 kHz 電極21、23之間的脈衝電壓：Vpp=13〜18 kV 反應氣體（丙烯酸+氮氣）之流量：l〇L/min 132802.doc -20- 200916514 反應氣體中之丙烯酸濃度：〇. 1〜10體積〇/〇 TAC膜之輸送速度：2m/min 於電聚表面處理後之TAC膜之单面塗佈點接劑。作為毒 接劑’係使用混合有以下成分之水性黏接劑。將以下成八 混合作為1 00%。 將Kuraray股份有限公司製造之Kuraray p〇vai pVA2l7 溶解於水而成的20%水溶液：95.0重量。/。以上 甲醇：未滿5.0重量％ r*-\ β 乙酸曱酯：未滿1.0重量％ 將塗佈有黏接劑之TAC膜分別重疊於偏光膜之兩面，使 用夾輥，一邊加壓一邊將其貼合。溫度為常溫至8(rc，壓 力為1〜10 kg/cm2。偏光膜包含PVA樹脂，其厚度為12 μηι。將所獲得之偏光板於80°C之反應成分容器内加熱乾 燥5分鐘後，於室溫下靜置12小時。 對該偏光板進行下述評價。 黏接力評價 ϋ 依據JIS Κ6854，將偏光板切割成寬度25 mm而成為帶 狀’於常溫（23 C)、拉伸強度為1〇〇 mm/min之條件下進行 T型剝離試驗。 其結果可確認，偏光板破裂，具有充分大之黏接力。 耐濕熱性評價 將偏光板切割成50 mmx50 mm大小，浸潰於70°C之溫水 中。 於該浸潰狀態下經過120分鐘，TAC膜亦未自偏光膜制 132802.doc •21 · 200916514 離，並且偏光膜未變色。藉此，可確認其耐濕熱性亦良 好。 [比較例1] 作為比較例’係以經鹼化處理之先前TAC膜製作偏光 板。作為鹼化用鹼液，係使用加熱至4〇〜6〇cc的2 N之氫氧 化鈉水溶液，將TAC膜於其中浸潰3〇〜15〇秒。其後，以常 溫水進行清洗，再以1〜5重量％之11(：1進行中和。進而，於 水洗後，於約80°C下使其乾燥。於與實施例i相同之條件 下，將如此而獲得之鹼化TAC膜與pvA偏光膜相貼合，而 獲得偏光板。將該偏光板浸潰於7〇〇C之温水中。並且，觀 察經過1 20分鐘後之狀態，結果為偏光膜發生變色。 藉此，可確認經過本發明之處理的偏光板之防濕性，高 於經鹼化處理之先前偏光板。 [實施例2] 作為反應氣體成分，係使用同樣具有羧基之曱基丙烯酸 代替丙烯酸。其以外之處理條件及黏接條件設為與實施例 1相同，而製作偏光板，進行與實施例丨相同之黏接力評 饧。其結果為，偏光板破裂。（破裂之程度低於實施例丨）。 藉此，可確認利用曱基丙烯酸亦可獲得充分之黏接力。 [參考例1] 作為參考例，僅以氮氣（無反應成分）進行電漿表面處 理’其以外之處理條件及黏接條件設為與實施例1相同， 而嘗試製作偏光板。然而，TAC膜與偏光膜幾乎未獲得黏 接。 132802.doc • 22- 200916514 [參考例2] 僅以隋性虱體之氬氣(無反應氣體成分 理，其以外之處理條件及黏接條件設為與實施例2同面處 =嘗.式製作偏光板。然而’ TAc膜與偏光膜幾乎未獲得點 [參考例3] 漿表之鼠乳、2〇體積%之氧氣的混合氣體進行電 ’ 處其以外之處理條件及黏接條件設為蛊實祐。 未獲:黏:，製作偏光板'然一與偏光-幾乎 [參考例4] 體積％之氮氣、1體積0/〇之氨氣的混合氣體進行雷 表面處理’其以外之處理條件及黏接條件 相同，而堂4制从 -、貫她例1 β忒I作偏光板。然而，TAC:膜與偏光 獲得黏接。 犋4乎未 Ο [參考例5 ] 以99體積％之氣氣' i體積％之乙快的混合氣體進行 面處理’其以外之處理條件及黏接條件設為與實施 相同’而嘗試製作偏光板。然而，TAC膜與偏光膜鑠U 獲得黏接。 膜成乎未 [參考例6 ] 以氮氣中添加有70 RH%之ΗζΟ之濕氣體進行電漿 理，：S： 4 ’衣面處 ^ 卜之處理條件及黏接條件設為與實施例〗知门 而嘗試製作傯伞知 j 1相同’ 乍偏先板。然而，TAC膜與偏光膜幾乎未獲得黏 132802.doc -23 - 200916514 接。 若總結實施例1、2及參考例1〜6之結果，則如下述表1所 示。黏接性之攔之「◎」表示黏接性極其良好。「〇」表 示黏接性良好。「A」表示黏接性稍微良好。「X」表示黏接 性差。 [表1]
氣體成分 黏接性 實施例1 丙烯酸+氮氣 ◎ 實施例2 曱基丙烯酸+氮氣 〇 參考例1 氮氣 X 參考例2 氬氣 X 參考例3 氧氣+氮氣 X 參考例4 氨氣+氮氣 X 參考例5 乙炔+氮氣 X 參考例6 水蒸氣+氮氣 X
[實施例3] 作為TAC膜，係使用於表側面積層有硬塗層而成者，於 與實施例1相同之處理條件下，對其底側面進行電漿表面 處理。
、J 表面處理前之TAC膜的全光線透過率為92.9%，霧值為 0.3%。 測定表面處理後TAC膜之全光線透過率，結果為 92.6〜92.7%。又，測定霧值，結果為0.2-0.3%，確認硬塗 層未受到損傷，可維持良好之光學特性。 [實施例4] 對反應氣體中之反應成分之種類導與親水性及黏接性之 132802.doc -24- 200916514 相關關係進行了研究。反應成分除了丙烯酸、τ基丙烯酸 之外，使用乙酸、甲酸、乙酸乙烯酯、丙烯酸丁酯等作為 參考例。以氮氣稀釋各反應成分而獲得反應氣體。將 該反應氣體導入至大氣壓電漿空間進行電漿化，使其與 TAC膜相接觸。TAC膜之電漿表面處理前之對水接觸角為 60 測疋表面處理後之T A C膜的對水接觸角。 圖6表示表面處理後之接觸角的測定結果。同圖之横軸 表示處理度Q。該處理度Q係由下式丨所定義，而標準化。 Q=(l/v)xnxP …（式 1) 此處，v係TAC膜相對於電聚處理裝置之電衆放電部的相 對移動速度，η係掃描次數（TAC膜通過電漿放電部之次 數）’P係電漿處理裝置對電極所投入之電力。 接觸角最小者為乙酸，其次為曱酸，再次為丙烯酸。接 觸角越小’則意味著親水性越高。 進而，將以上述各反應氣體進行電漿處理後之tac膜與 PVA膜相黏接。黏接劑係使用以（A) : (B)=2〇 : 土之體積 比，將（A)聚乙烯醇5重量％之水溶液，與（B)羧甲基纖維素 鈉2重量％之水溶液混合而成的液體。（A)之聚乙烯醇之平 均聚合度為500。 繼而，對黏接性進行了研究。黏接性評價係 將TAC膜與PVA膜剝離之手評價=黏接性最良好的是使用 丙烯酸作為上述表面處理之反應成分之情形，黏接後之 TAC膜與PVA膜完全無法分離，並以兩膜緊貼之狀態破 裂。可最容易將TAC臈與PVA膜剝離的是以乙酸進行上述 132802.doc •25· 200916514 僅能感覺到Post-it(註 黏接性良好。就獲得 丙烯酸為最好的反應 表面處理之情形及以曱酸進行之情形， 冊商標）之程度的黏接力。 由以上結果判明，親水性較高未必 良好黏接性之觀點而言，可以說目前 成分。 [實施例5] 度Ta與TAC膜之温度 了研究。將所使用之 實施例5中，對反應氣體之噴出溫 Tb的差值at，與黏接性之關係進行 表面處理裝置之概略構成示於圖7。 使用丙稀酸作為反應成分。液體丙烯酸儲藏於反應成分 容器儿中，將反應成分容器30之溫度調節至4〇〜⑽。以 1〇 —之流速，將氮卿職之載氣供給至反應成分 容器3〇,而生成包含丙烯酸及氮氣的反應氣體。將該反應 氣體通入反應氣體供給通路31，自噴氣嘴32喷出至處理空 間29。利用氣體溫度調節機構39調節氣體喷出溫度η。
電漿生成部2之電極構造為平行平板電極2ι、22。下側 接地電極22兼具平台之功能。於該電極22即平台上放置 ，品TACm2。_包含溫水管之膜溫度調節機構27,調 節平台22之溫度’進而調節膜溫度几。一邊使電極Μ、U
中之一個相對於另一個相對往返移動（掃描），一邊藉由對 電極2；[供給電力，而於處理空間29内生成大氣壓電漿p。 藉此，將來自喷嘴32之反應氣體電漿化，使其與丁八(：膜12 相接觸。氣體噴出溫度Ta與膜溫度Tb之組合如下述表2所 示。 132802.doc -26- 200916514 二 =實之:c膜係與。—接1接 繼而’對黏接性 係整個黏接面可徹底且簡單地剝離之水平 n j* k ^ . 將Μ«與PVA_^；^ °純料價係試驗者以手 評價ri “y.離之手評價’以5個等級進行評價 若換算=1則彳離試驗，則狀4期咐以下 ^ 2」係並非整個黏接面而是大部分黏接面可剝離 之水^「若換算成18〇。剝離試驗，則為1〇則_以下。 劍=「I係黏接面可部分剝離之水平’若換算成⑽。 1離5式驗，則為3 N/inch以下，剝離$脍由& 利離Α驗中破裂之可能性 較高。 評價「4」係黏接面雖㈣—部分剝離，但未剝離之部 分較大的水平’若換算成。剝離試驗，則為5則心以 下’剝離試驗中幾乎全部破裂。 、評價「5」錢乎未剝離之水平’無法以剝離試驗進行 測定。
V 將結果示於表2及圖8。表2之⑷〜⑴各搁分別對應於圖 8(a)〜(1)。 [表2] 氣體喷出溫度(Ta) 膜溫度(Tb) 2〇°C 溫度差 (△T=7VTb) _l1 7°/^ ------- 黏接性之評價 l~(a) 「37。。 (b) 32〇C 20°C +irc~^ ___l (c) 广 37。。 27°C +io°c ' _(Φ 32〇C 25〇C +7°C ~~ _ 5 .(e) 37〇C 30°C _ 37〇C 32〇C +rc ~~ 4〜5 __(g) 37〇C 35°C +2°C~^ ---------- ^ 132802.doc -27- 200916514 (h) 32〇C 30°C +2°C 2〜5 ' 0) 32〇C 30°C +2°C 1〜3 (j) 32〇C 35〇C -3°C 2 (k) 37〇C 1 40°C 1〜3 Ο) 32〇C 40°C -8°C 1 圖8(a)〜(1)之各圖表之橫軸係由下式2所定義之處理度 Q(定義與實施例4不同）。 Q=(P/S)xt …（式 2) 此處，P係自電源23對電極21所投入之電力[w]，S係電極 21之放電面（圖7中之下面）之面積[cm2]。因此，（P/S)係每 單位放電面積之投入電力[W/cm2]。t係對TAC膜之電漿照 射時間[sec]。電漿照射時間t係由下式所定義。 t=nxL/v …（式 3) 此處’ η為掃描次數’ L為電極21之掃描方向（圖7中之左右 方向）之長度[cm]，ν係掃描速度[cm/sec]。 如圖8(a)及表2(a)欄所示’氣體噴出溫度Ta與膜溫度Tb 之差值（AT=Ta-Tb)為ΔΤ=+17°(：之情形時，黏接力不取決於 處理度Q，為評價「5」。 如圖8(b)及表2(b)攔所示，溫度差值δτ=+12。(：之情形 時’黏接力亦不取決於處理度Q，為評價「5」。 如圖8(c)及表2(c)攔所示，溫度差值△Tz+iot之情形 時’黏接力亦不取決於處理度q，為評價「5」。 如圖8(d)、（e)以及表2(d)、（e)襴所示，溫度差值^=+71 之情形時’黏接力為評價r 4」〜r 5」。 如圖8(f)及表2(f)攔所示，溫度差值△Ts+vc之情形時， 黏接力為評價「4」〜「5」。 132802.doc • 28- 200916514 如圖8(g)〜⑴以及表2(g)〜⑴攔所示，溫度差值AT=+2°C 之情形時’黏接力不均，有時為評價r 4」〜「5」，有時亦 為評價「1」〜「3」。 如圖8(j)〜(1)及表2(j)〜(1)欄所示，溫度差值ΔΤ為負之情 形時，黏接力之評價值為「1」〜「3」。 由以上結果判明’為充分確保TAC膜與PVA膜之黏接 性，必須使膜溫度Tb低於氣體噴出溫度Ta。並且，確認藉 由使溫度差值AT=Ta-Tb為ΔΤ=+5 °C以上，可獲得良好之黏 接性。進而，確認藉由使△丁二十1 〇。匚以上，可獲得更良好之 黏接性。判明溫度差值ΔΤ越大，則黏接性越良好。 該結果與提高基板溫度之普通CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積）大為相同。可推測，本表面處 理中，使由反應氣體之電衆化所生成之增黏基團，於T A匸 臈之表面上冷卻或冷凝，可有效地促進增黏基團（adhesi〇n enhancing group)鍵結乃至附著在TAC膜上。 [實施例6] 實施例6中，對反應氣體中之丙烯酸濃度與黏接性之關 係進行了研究。將所使用之表面處理裝置之概略構成示於 圖9 〇 自載氣源34以1〇 L/min送出氮氣1〇〇%之載體。將該氮氣 之一部分通至載體導入通路35a導入至反應成分容器3〇 中，將剩餘部通入旁路35b，使其於反應成分容器3〇中循 環。藉由調節氮氣向導入通路35a之分流量與向旁路35b之 分流量的比值’可調節丙烯酸之稀釋率。反應成分容器3〇 132802.doc -29. 200916514 内之液體丙烯酸Ac之溫度係調節至4〇 °c。 使旁路35b合流至來自反應成分容器3〇之反應氣體供給 通路3 1。自噴氣嘴32將合流後之氣體導入至處理空間29， 進行電漿化。如表3所示，氣體喷出溫度Ta係根據上述分 流比’而於Ta=32.8〜33.8。(：之範圍内進行調節。
電極構造為平行平板電極21、22 ^於兼具平台之功能的 下側電極22上放置TAC膜12。平台22之溫度進而膜溫度Tb 係調節至Tb=25°C。對電極21所投入之電力為11〇 v。使電 極21、22中之一個相對於另一個相對往返移動（掃描）。移 動速度為10 m/min，往返次數為卜欠（掃描兩次）。 於表面處理後之TAC膜丨2之表面上的兩個點測定對水接 觸角，取其平均值。 其後，將TAC膜12與PVA膜相黏接。黏接劑係使用與實 靶例4相同者。繼而，進行黏接性之評價。評價方法係採 用與實施例4相同之手評價。 重複以上操作3次，分別取得三個相同條件之測定資 料。 將結果示於表3。 [表3] ^溫度 溫度差AT 對水接觸角~~ 黏接性評價 33.8〇C +8.8〇C 18.6。 〇 --------- +8.6〇C 21.4。~~~ I O 33.4〇C --~~-- __33.2〇C +8.4〇C 27.5° ~ △〜X — --- +8.2〇C 26.6。~~" Δ〜x 32.8〇C +7.8〇C 44.6。 X 表3之「分流比」係向導入通路35a之流量相對於全部氣 分流比 100% ' 80% 30% 132802.doc -30- 200916514 氣（10 L/min)的分流量。「分流比」越大則合流後之反應氣 體中之丙烯酸的濃度越高。 表3之對水接觸角係取三個測定資料之平均值。 黏接性評價之「〇」表示完全無法將黏接後之tac膜與 PVA膜分離，黏接性良好。「△」|示可將兩膜部分剝離了 黏接性不充分。「X」表示可將兩膜整體剝離，黏接性不 良。 即使分流比較小，但只要不是0%，仍可使對水接觸角 變得充分小。藉此，即使反應氣體含有少量之丙烯酸，則 可確認到親水性提高。 關於黏接性，分流比為50%以下時黏接不充分乃至黏接 不良。若分流比為80。/。以上，則可獲得充分之黏接力。因 此’可確認’丙烯酸之濃度越高’則黏接性越良好。 再者’若丙烯酸之濃度過高，則TAC膜會變得模糊，難 以用作偏光板等光學膜。又，亦有達到爆炸極限之虞。因 此’丙烯酸濃度之上限較好的是設定在TAC膜不會變得模 糊’ ‘然未達到爆炸極限之範圍内。 [實施例7] 實施例7中，對反應氣體中之氧氣濃度與黏接性之關係 進行了研究。將所使用之表面處理裝置之概略構成示於圖 10。 自載氣源34將純氮氣導入至反應成分容器30中，而獲得 包含氮氣與丙烯酸之混合氣體的反應氣體。氮氣之流量進 而反應氣體之流量為10 L/min。反應成分容器30内之液體 132802.doc -31 - 200916514 丙烯酸Ac的溫度為40。(：。 自反應成分容器30將反應氣體（丙烯酸+氮氣）送出至反 應氣體供給通路31。使氧氣混入通路37與反應氣體供給通 路3 1合流，將來自混入通路37之氧氣混入至供給通路3 1之 反應氣體中。氧氣之混入量係於〇〜2體積％之範圍内進行 調節。將該反應氣體自噴氣嘴32導入至處理空間29，進行 電漿化。氣體噴出溫度。對電極21所投入Z 電力為110 V。 於平台22上放置TAC膜12。平台22之溫度進而膜溫度Tb 係没定為Tb=25〇C。因此，反應氣體與TAC膜之溫度差值 △T 為 ΔΤ=+7°(：。 使電極21、22R中之一個相對於另一個相對往返移動（掃 描）。移動速度為1 〇 m/min，往返次數為！次（掃描兩次）。 將表面處理後之丁八(：膜12與PVA臈相黏接。黏接劑係使 用與實施例4相同者。繼而，進行黏接性之評價。評價方 法係與實施例4相同之手評價。 重複以上操作3次，分別取得三個相同條件（氧混入量） 之試行資料。 將結果示於表4。同表4之「〇」「△」「χ」表示黏接性之 評價度’其含義與表3相同。 [表4] 氧氣混入量(。/〇) 2.00 1.00 0.50 0.30 ~ .. 0.20 0.10 0.05 0 00 試行資料1 X X X 〇1 〇 〇 〇 〇— 試行資料2 X X X Δ 〇 〇 〇 〇 試行資料3 X X X 〇 〇 〇 〇 〇一 132802.doc -32- 200916514 氧氣混入量為0.5%以上時，均黏接不良。氧氣現入量為 〇·3%時，過半數黏接良好。氧氣混入量為〇2%以下時，均 點接良好。藉此可確認，用於獲得良好之黏接性 , 〜久應氣 宁的氧濃度較好的是3〇〇〇 ppm以下，更好的是2〇〇〇 以"P 〇 [產業上之可利用性] 本發明可應用於製造液晶顯示器之偏光板。 【圖式簡單說明】 圖Ua)係表示偏光板之剖面圖，圊1(b)係表示附有硬塗 層之偏光板的剖面圖。 圖2係表示TAC膜之表面處理所使用之大氣壓電漿處理 裝置之一例的概略構成圖。 圖3係表示於氮氣載體中可含有之丙烯酸之極限濃度與 溫度之關係（邏輯值）的圖表。 圖4係表示本發明第2實施形態，表示大氣壓電漿處理裝 $ 置之變形例的概略構成圖。 L j / 圖5係本發明第3實施形態之大氣壓電漿處理裝置之概略 構成圖。 圖6係表示實施例4之接觸角（親水性）之測定結果的圖 表。 圖7係實施例5所使用之大氣壓電漿處理裝置之概略構成 圖。 圖8(a)係表示實施例5中，氣體噴出溫度與膜溫度之差 △T=+17°C時之黏接性的圖表。 132802.doc -33- 200916514 氣體噴出溫度與膜溫度之差 氣體噴出溫度與膜溫度之差 氣體噴出溫度與膜溫度之差 圖8(b)係表示實施例5中， △T=+12°C時之黏接性的圖表。 圖8(c)係表示實施例$中， ΔΤ=+ 1 0°C時之黏接性的圖表。 圖8(句係表示實施例5中， △T = + 7°C時之黏接性的圖表。 圖8(e)係表示實施例5中， △T=+7°C時之黏接性的圏表。 圖8(f)係表示實施例5中， ΔΤ=+5 C時之黏接性的圖表。 圖8(g)係表示實施例$中， △T=+2 C時之黏接性的圖表 圖8(h)係表示實施例$中 △T=+2°C時之黏接性的圖表 圖8(1)係表示實施例$巾 △T=+2°C時之黏接性的圖表 圖8(j)係表示實施例5中 △T=-3 °C時之黏接性的圖表， 圖8(k)係表示實施例5 + △T=-3°C時之黏接性的圖表 圖8(1)係表示實施例s + △T=-8°C時之黏接性的圖表 圖9係實施例6所使用之 ^大 圖。
氣體噴出溫度與膜溫度之差 氣體噴出溫度與膜溫度之差 氣體噴出溫度與膜溫度之差 氣體噴出溫度與膜溫度之差 氣體噴出溫度與膜溫度之差 氣體噴出溫度與膜溫度之差 氣體噴出溫度與膜溫度之差 氣體噴出溫度與膜溫度之差 氣壓電聚處理裝置之概略構成 132802.doc *34. 200916514 置之概略構 圖10係實施例7所使用之大氣壓電衆處 成圖。 【主要元件符號說明】 1 表面處理裝置 2 電漿處理部 3 反應氣體供給系 10 偏光板 11 偏光膜（PVA膜、第1膜） 12 保s蒦膜（TAC膜、第2膜） 13 黏接劑 14 硬塗層 21、21R 電源側電極 22 、 22R 接地側電極 23 電源 27 膜溫度調節機構 29 處理空間 30 反應成分供給源（容器） 33 加熱器（氣化機構） 34 載體供給源 36 隔熱材 39 氣體溫度調節機構 Ac 丙烯酸（反應氣體成分） P 大氣壓電漿空間 132802.doc -35-

Claims (1)

  1. 200916514 十、申請專利範圍： 1 · 一種膜表面處理方法，其特徵在於：其係於將包含三醋 酸纖維素作為主成分之第2膜黏接在包含聚乙烯醇系樹 脂之第1膜上之前，對上述第2膜所實施之表面處理方 法；且 將反應氣體電漿化，將其與上述第2膜之應與上述第1 膜相黏接之面接觸， 上述反應氣體含有丙烯酸或甲基丙稀酸。 2. 如請求項1之表面處理方法，其中上述第2膜與上述反應 氣體相接觸之部分的溫度（以下稱為「膜溫度」）低於上 述反應氣體向上述第2膜喷出之溫度（以下稱為「氣體噴 出溫度」），且上述氣體喷出溫度與上述膜溫度之差值為 5 °C以上。 3. 如請求項2之表面處理方法，其中上述膜溫度為室溫以
    上述反應氣體之溫度未滿丙烯酸或曱基丙烯酸之引火 點且比上述第2膜高5。(：以上。 4·如請求項2或3之表面處理方法， 與上述膜溫度之差值為10。(：以上 其中上述氣體噴出溫度 5 ·如請求項1至3中任 氣體之氧含量為〇〜 一項之表面處理方法，其中上述反應 3000 ppm。 6 · 如請求項1至3 或甲基丙締酸 氣體。 中任一項之表面處理方法，其係將丙烯酸 於惰性氣體中進行氣化，而獲得上述反應 I32802.doc 200916514 D月求項1至3中任一項之表面處理方法，其中上述反應 氣體含有丙烯酸。 8’種偏光板之製造方法，其特徵在於：其係於包含聚乙 烯醇系樹脂之第1膜上積層包含三醋酸纖維素作為主成 刀之第2膜，上述第丨膜成為偏光膜，且上述第2膜成為 保護臈者；其包含
    表面處理步驟，其係將反應氣體電漿化，且將其與上 述第2膜之應與上述第丨膜相黏接之面接觸， —黏接步驟，其係於表面處理步驟之後以黏接劑將上述 第1膜與上述第2膜相黏接； 上述反應氣體含有丙烯酸或甲基丙烯酸。 9.如請求項8之製造方法，其中於上述表面處理步驟中， 上述第2臈與上述反應氣體相接觸之部分的溫度（以下稱 為「臈溫度」）低於上述反應氣體向上述第2膜喷出之溫 度（以下稱為「氣體喷出溫度」），且上述氣體喷出溫度 與上述膜溫度之差值為5。(：以上。 10·如請求項9之製造方法，其中上述膜溫度為室溫以上， 上述反應氣體之溫度未滿丙歸酸或甲基丙婦酸之引火 點且比上述膜溫度高5 °C以上。 η.如請求項9或10之表面處理方法，其中上述氣體喷出溫 度與上述膜溫度之差值為1 〇t以上。 12.如凊求項8至中任一項之製 ，上 _ T仕孭之表坆方法，其中上述反應氣 體之氧含：1：為〇〜3〇〇〇99111。 •如請求項8至1〇中任一項之製造方法，其係於上述表面 132802.doc 200916514 中進行 處理步驟中’使_酸或甲基丙烯酸於惰性氣體 氣化，而獲得上述反應氣體。 其令上述反應氣 14.如請求項8至10中任一項之製造方法 體含有丙稀酸。 15.如請求項8至1〇中任一 蜎又表k方法，其係於上述第2膜 與上述第1膜相#接之面的相反側面包覆有功能層，上 述功能層㈣於用於上述電裝化之-對電極中其中—個 電極之放電面，且μi & 述第2臈無間隙地覆蓋上述放電 面之狀知’將上述反庫裔科道λ s ^ 4久愿巩體導入至上述第2臈與另_ 電極之間。 I6.—種表面處理農置，盆姓外+ ^ 其特徵在於··其係用於如請求項] 至3中任—項之表面處理方法，或用於如請求項8至10中 任項之製造方法之表面處理步驟；且具備： 電聚處理部，其具有配置有上述第2臈之處理空間， 且於上述處理空間内或其附近進行上述電衆化； 反應乳體供給系，其向上述處理空間供給反應氣體； 、皿度調節機構’其係調節上述第2膜與上述反應氣 相接觸之部分的溫度(以下稱為「膜溫度」）；以及 氣體溫度調節機構，其係調節上述反應氣體向上述第 2獏：出之溫度(以下稱為「氣體喷出溫度」）；且 一上〜上立膜溫度调節機構與上述氣體溫度調節機構進 $使上述膜溫度低於上述氣體噴出溫度，且使上 述乳體噴出溫度與上述膜溫度之差值達到代以上。 132802.doc
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