TW200915549A - Image sensor and method for manufacturing the same - Google Patents

Description

200915549 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種影像感測器及其製造方法。 【先前技術】 通常，影像感測器係為一種可將光學影像轉化為電訊號之半 導體裝置。一般可將影像感測器可分為兩類：電荷耦合妒置 (CCD ’ charge coupled device)影像感測器及互補金屬氧化物半導體 (CMOS，complementary metal oxide silicon)影像感測器（as， complementary metal oxide silicon image sensor)。 在習知的影像感測器中，可透過離子植入製程於具有電晶體 電路之基板中形成光電二極體。但是，由於需要在增加晝素數量 的同時不使晶片尺寸增大，所以當光電二極體之尺寸的減小時， 用於接收光照之部件的面積也隨之減小，進而降低了影像的質量。 同時，由於堆疊高度的減小程度低於光照接收部件之面積的 減小程度，所以光照之繞射會降低射入光照接收部件之光子的數 里’即形成所明的X瑞盤（airy disk)。 在習知的水平型互補金屬氧化物半導體影像感測器中，光電 一極體與電晶體係水平且相鄰地形成於基板上。因此，光電二極 體需佔用額外的區域’進而會減小填充因子區並對解析度的發展 前景構成了限制。 200915549 同時，習知的水平型互補金屬氧化物半導體影像感測器可在 晝素之間引發串擾問題。 此外，在習知的水平型互補金屬氧化物半導體影像感測器 中，難以進行可同時形成光電二極體與電晶體之優化製程。 作為能夠克服上述限制的替代方案，人們試圖透過非晶石夕 ⑷形成光電二極體，或者於錄板上形成讀”路並透過- [種方法’如晶關連接法於此讀出電路上形成光電二極體（被稱 為二維影像感測器"）。其中，此光電二極體係透過金屬導線與 讀出電路相連接。 【發明内容】 本發明之-目的在於提供一種影像感測器及其製造方法，藉 以垂直地集成電晶體電路及光電二極體。 厂“、本發明之另-目的在於提供1影像感測器及其製造方法， \ 藉以抑制光電二極體畫素間之串擾。 、相㈣之又-目的在於提供1影像及其製造方法’ 猎以提鬲解析度與靈敏度。 本發明之又-目的在於提供〜種雜感測器及盆製造方法， 这種影像感測器可使用垂直型光電 、 二極體中之故障。 1—極體，㈣減少這種参舞 本發明之—方面所提供之影像感測ϋ，係包含：第4板， 200915549 係具有位於此第一基板上的下方金屬導線及電路；結晶半導體 層，係與此下方金屬導線相接觸並與此第一基板相結合；光電一 極體，係配設於此結晶半導體層中並電性連接於下方金屬導線； 以及光照遮蔽層，係位於晝素間之區域内的光電二極體中。 本發明之另一方面所提供之影像感測器之製造方法，係包 含：製備第一基板，此第一基板係具有位於其上的下方金屬導線 ， 及電路；·第二基板，此第二基板係具有位於其上的光電二極 5 體；於此第二基板之光電二極體中形成光照遮蔽層；使第一基板 與第二基板相結合，藉以使其中形成有光照遮蔽層之光電二極體 • f性連接於下方金屬導線；以及移除所結合之第二基板的一部 - 分，藉以使此光電二極體保留於此第一基板中。 本《明之又-方面所提供之景多像感測器之製造方法，係包 3衣備第基板’此第一基板係具有位於其上的下方金屬導線 ί及電路，製備第二基板，此第二基板係具有位於其上的光電二極 體’使此第—基板與第二基板減合，藉以使此光電二極體可與 :方金屬導線相接觸；移除所結合之第二基板的—部分，藉以曝 路出此光電二極體；以及於所曝露的光電二極體中形成光照遮蔽 層。 以下，將結合圖不部分及本發明之詳細說明對本發明之一個 或夕個貝歸彳進彳了詳述，且本發明之其它特徵將可透過本發明之 如下說明、®示部分及申請專纖圍更加全面地得以理解。 7 200915549 【實施方式】 下面，將結合附圖對本發明實施例之影像感測器及其製造方 法進行詳細描述。 在對本發明實施繼進行之描述巾，應t理解：當述及一個 層（或膜）位於另一個層或另一個基板„上，，時，這個層（或膜) 可直接位於另一個層或另一個基板的上方，也可於二者間插入其 它的層。另外’應當理解：#述及—個層（或膜）位於另一個層 或另-個基板H，這個層（_)可直接位於另—個層或 另-個基板的下方，也可於二者間插人—個或多個其它的層。此 外’還應當理解：當述及_個層位於兩個層〃之間〃肖，可以僅 將這-個層插人所述的兩個層之間，也可於所述的兩個層之間插 入一個或多個層。 「第1圖」為本發明第—實施例之影像感測器的剖面圖。 本發明第-實施例之影像感測器係包含：第_基板應，係 具有位於此第-基板上的下方金屬導線11Q及電路（圖中未示 出）；結晶半導體層施（如「第3圖」所示），係與下方金屬導 =110相接觸並與第-基板100相結合；光電二極體21〇，係配 二於結晶半導體層論中並電性連接於下方金屬導線110;以及 光照遮蔽層222，係位於光電二極體別中並排佈於單元畫素間 之邊界上。 200915549 本發明實施例之影像感測器可透過使用垂直型光電二極體減 少光電二極體中的故障，在這種影像感測器中，光電二極體係位 於電路上’同時’這種光電二極體可形成於結晶半導體層中。 此處，本發明實施例之影像感測器可透過使用垂直型光電二 極體並於畫素間形成光照遮蔽層222來抑制入射光在晝素間產生 的串擾。 在本發明一實施例中，此光照遮蔽層222可為金屬光照遮蔽 層。但這並不對本發明實施例構成限制。例如，此光照遮蔽層222 可由能夠反射入射光並能防止入射光通過的任意一種適合的金屬 製成。 同時’本發明一實施例還可透過於光電二極體210與光照遮 蔽層222之間插入絕緣層221，藉以確保此光照遮蔽層222的電 氣絕緣。 雖然「第1圖」中所示之光照遮蔽層222的上方寬度比此光 照遮蔽層222的下方寬度窄’但這並不對本發明實施例構成限制。 其中，此結晶半導體層可為單晶半導體層，但這並不對本發 明貫施例構成限制。例如，此結晶半導體層可為多晶半導體層。 雖然’圖中未示出此第一基板100之電路，但是在使用互補 金屬氧化物半導體f彡像感測If之狀況巾，此電路並補限於具有 四個電晶體之四1晶體互補金屬氧化物半導體影像感測器，此電 9 200915549 路還可以是單電晶體金屬氧化物半導體影像感·、三電晶 體互補金屬氧化物半導㈣像感測n、五電晶體金屬氣化物 半導體影佩測!！、！.5電晶體互補金屬氧化物铸體影像感測器 (-中包曰曰體可分旱互補金屬氧化物半導體景多像感測器）或其 匕互補金屬氧化物半導體影像感測器。 同時，形成於此第—基板100上之下方金屬導線110可包含： 下方金屬（圖中未示出）及下方插頭（圖中未示出)。並且，此下 方金屬導線11G之頂部可作為规二極體之下方電極。 而此光電二極體21〇可包含：第一導電類型導電層別，係 位於結晶半導體層·a中；以及第二導電類型導電層加，係位 :此'-、。日日半導體層中的第一導電類型導電層叫上。 …例如此光電_極體21〇可包含：第一導電類型導電層叫， 係為輕攙雜N型導電層，並且此第—導電類型導電層214係形成 於結晶半導體層21〇a中；以及第二導電類型導電層216，係為重 攙雜P型導雷展，^f 曰一、胃 a亚且此苐二導電類型導電層216係形成於此結 :半V體層巾’但是這並不對本發明實補構成限制。例如，此 第V電類型亚不僅限於_，而第一導電類型也可為p型。 同日守在「第10圖」所示之本發明另-實施例中，此光電二 極體210還可包含右舌 有重攙雜第—導電類型導電層212,此重攙雜 第一―電類型導電層212係位於結晶半導體層中之第—導電類型 200915549 導電類型導電層212可 導電層214的下方。其中，此重攙雜第一 作為與第一基板1〇〇相連的歐姆接觸。 例如，此光電二極體210還可包含古击I#* 疋」匕3有重攙雜第一導電類型導 電層212，即重攙雜！^型導電層，此重 雜弟一導電類型導電層 212係形成於結晶半導體層中。 在本發明之另-實施例中，此光電二極體21〇上可形成有頂 部金屬層240和/或彩色濾光片（圖中未示出）。 、「第2圖」至「第9圖」為用於說明本發明第—實施例之影 像感測器的製造方法的示意圖。 如「第2圖」所示’可製備具有下方金屬導線ιι〇及電路(圖 中未示出）之第一基板觸。雖然圖中未示出此第一基板⑽之 電路，但在制互補金屬氧化物半導體影像感靡之狀況中，此 電路並不龜於具有四㈣晶體之四電晶體互補金屬氧化物半導 體影像感測器。 其中，此下方金屬導線1K)可包含有下方金屬（圖中未示出） 與下方插頭（圖中未示出）。 如「第3圖」所示，可於第二基板上形成結晶料體層 210a。透過於此結晶半導體層21加中形成光電二極體 ，可減小光 電二極體中之故障。 在本發明之一貫施例中，此第二基板2〇〇可包含有絕緣層， 11 200915549 此絕緣層係位於第二基板200與結晶半導體層21〇a之間。在本發 明之一實施例中，此結晶半導體層210a可透過磊晶法形成於第二 基板200上。 或者，還可用此第二基板200之上部自身作為結晶半導體 層’藉以於此結晶半導體層中形成光電二極體。 而後，如「第4圖」所示，可向結晶半導體層210a中植入離 子，藉以形成光電二極體210。 例如了於結晶半導體層21%之底部形成第二導電類型導電 層216。例如’可透過於（包含有結晶半導體層21〇a的）第二基 板200中執行緩衝層離子植入製程（恤翻^吨1祕魅），藉 以在不使用鮮之狀況下於結辭導體層遍之底部形成重授 雜p型導電層，即第二導電類型導電層216。例如，此第二導電 類型導電層216之接面深度可小於或約等於。進而，可於 第二基板2GG之表面附近的結晶半導體層21Qa中形成此第二導電 類型導電層216。 而後，可於此第二導電類型導電層216上形成第—導電類型 導電層214例如’透過在第二基板的全部表面中執行緩衝 層離子植人製程，可在不使用光罩之狀況中於此第二導電類型導 電層加上形成輕攙雜_導電層，即第_導電類型導電層別。 例如’此第-導電_導電層214之接面财的細約為】_ 22 200915549 至 2.0μιη。 在「第10圖」所示出之本發明之 電類型導電層214上形成重攙 ㈣中’可於第一導 可透過在第二基板2⑻的電層犯。例如， ^王邛表面中執行緩衝屉 可在不使用光罩之狀況中於此第一 θ 衣程， 攙雜Ν _層，即重_ _^^層214上形成重 :捷:第-物麟咖 之其中形成有光電二極體21。 而後，可於賴之底部舆側壁上，即此溝槽T中形成絕緣層 221。在本發明之-實施例中，可於此溝槽τ上沈積氧化膜，但這 並不對本發明實施例構成關。在本發明之—實施射，可於包 含有此溝槽Τ之結晶半導體層職上形成絕緣層，飾執行^ 製程’藉以使此絕緣層僅位於溝槽Τ中。 進而’如「第6圖」所示，可於此溝槽τ之絕緣層221上形 成金屬光照遮蔽層，藉以形成光照遮蔽層222。 例如，可透過於此溝槽τ之絕緣層221上沈積不透明金屬光 照遮蔽層，並對所沈積之不透明金屬光照遮蔽層進行平化處理， 藉以形成此光照遮蔽層222。 13 200915549 ”中這種平化處理可為化學機械拋光製程，咖mical mechanical polishing)或回餘製程。 而後’如「第7圖」所示，可使此第二基板2〇〇與第一基板 100相結合’藉以使具有光照遮蔽層222之第二基板·的光電 二極體210可與此第一基板100之下方金屬導線11〇相接觸。 例如在本發明之一貫施例中，可透過使第一基板⑽與第 二基板200相接觸並執行電製活化製程，藉以使此第一基板應 與第二基板2GG減合。岐妨對本發明實補構成限制。 同時，當此第二基板200之第二導電類型離子植入層221與 此第-基板100之層間絕緣層係由同種材料製成時，可更容易地 進行結合。 其中，當使此第一基板100與第二基板200相結合時，其中， 需要對光照遮蔽層222與下方金屬導線11〇的位置進行調整，藉 以使此光照遮蔽層222無法與下方金屬導線相接觸。 接下來，如「第8圖」所示，可移除所結合之第二基板2〇〇 的一部分，藉以於第一基板100上曝露出並保留此光電二極體 210 〇 例如’在此第二基板200包含有位於第二基板2〇〇與結晶半 導體層間之絕緣層之狀況中，可透過背面研磨製程（back grinding) 移除此第二基板200之一部分，進而在移除此第二基板2〇〇之底 14 200915549 部後，可透過餘刻製程移除所曝露出的絕緣層，藉以僅於此第一 基板100上保留光電二極體21〇。 或者，在將其中形成有光電二極體之部分第二基板200自身 作為結晶半導體層之狀況中，可在第一基板勘與第二基板· 相結合之Η ’於形成有光電二極體之結晶半導體層的底部植入氮 離子(Η+)，並在第-基板丨⑻與第二基板2_結合之後，對此 第二基板2GG進行熱退火處理，藉以使氫離子_轉化為氣氣 (H2)，進而僅保留下光電二極體並移除第二基板。 而後，如「第9圖」所示，可於光電二極體210上形成頂部 金屬層240 ’而後執行純化製程（圖中未示出）。同時，還可於此 光電-極體210上形成彩色濾光片，進而於彩色濾光片上形成微 透鏡。 同樣’在本發明之另-實施财，可於光電二極體21〇盘頂 部金屬層2敏_成透明導電層（圖中未示幻，藉以使頂部金 屬層無須覆蓋於每-晝素上。在本伽之此類實闕中，此透明 導電層可執行頂部金屬層之魏。其中，透料電層可形成於絕 緣層221上，藉以不與光照遮蔽層拉之間形成電性連接。在本 發明之—實施例中，此透明導電層係由氧化銦錫㈣， lnd_-tm_oxlde)製成’但這並不對本發明實施例構成限制。在本 發明之某些實施财，此劇導電層至少可覆蓋兩個書素區。而 在本發明之其它實施射，可省去此透明導電層。 200915549 本發明實施例之影像感測器及其製造方法可透過使用垂直型 光電二極體減少光電二極體中之故障，其中此垂直型光電二極體 係位於電路上，並且可於結晶半導體層中形成這種光電二極體。 同時’依據本發明之實施例，可透過使用垂直型光電二極體 並與晝素之間形成光照遮蔽層，藉以抑制晝素間之串擾。 第π圖」為本發明第二實施例之影像感測器的剖面圖。且 「第12圖」至「第17圖」為用於對本發明第二實施例的影像感 測器之製造方法進行說明的剖面圖。 /、中本發明苐一貫施例可採用本發明第一實施例之技術特 徵。 例如，本發明第二實施例之影像感測器係包含：第一基板 100，此第一基板100係具有位於此第一基板上的下方金屬導線 及電路（圖中未示出），結晶半導體層210a (如「第3圖」所 不）’係與下方金屬導線110相接觸並與第-基板100相結合；光 電二極體210 ’係配設於此結晶半導體層施中，同時此光電二 極體210係、電性連接於下方金屬導線11();以及晝素隔離層， 係位於光電二極體21〇中並排佈於畫素間之邊界上。 因此，本發明實施例之影像感測器可透過使用垂直型光電二 極體減4光電二極體中之故障，其中，這種垂直型二極體係位於 電路上，同蚪可於結晶半導體層中形成這種垂直型光電二極體。 16 200915549 並且，本赉明貫施例之影像感測器還可透過使用垂直型光電 極體並於旦素間形成光照遮蔽層224,藉以抑制晝素間之串擾。 同時，與本發明第-實施例不同的是，本發明第二實施例中， 可於第-基板10G與第二基板勘相結合之後，於光電二極體別 中形成光照遮蔽層224。因此，在本發明第二實施例中，可使此 旦素離層224之上部比其底部寬。但這並不對本發明實施例構 成限制。 如「第12圖」所示，在本發明一具體的實施例中，可製備具 有下方金屬導線110與電路（圖中未示出）之第一基板漏。其 中，此下方金屬導線110可包含有下方金屬（圖中未示出）與下 方插頭（圖中未示出）。 、此外’如第13圖」所示，可於第二基板·上形成結晶半 導體層210a (如「第3圖」所示）。進而，可於此結晶半導體層 2l〇a中形成光電二極體21()。 在本發明之一實施例中，此第二基板200可包含有絕緣層， 此絕緣層係位於第二基板勘與結日日日半導體層篇之間。 ★在本發日狀另-實施财，還可以將其中形成有光電二極體 之第二基板20G的上部自身作為結晶半導體層。 同^透過向結晶半導體層21〇&中植入離子，可形成光電二 極體210。 17 200915549 例如，可於此結晶半導體層210a之底部形成此第二導電類型 導電層216。而後，可於此第二導電類型導電層216上形成第一 導電類型導電層214。 如「第18圖」所示，在本發明之另一實施例中，可於第一導 電類型導電層214上形成重攙雜第一導電類型導電層。 而後’如「第14圖」所示，可使第二基板2〇〇與第一基板 100相結合，藉以使此第二基板2〇〇之光電二極體21〇與第一基 板100之下方金屬導線110相接觸。 例如’透過使此第一基板100與第二基板·相接觸並執行 電水活化製％，可使此第一基板1〇〇與第二基板2⑻相結合。但 這並不對本發明實施例構成限制。 接下來，如「第15圖」所示，可移除此第二基板2〇〇之一部 刀藉以於此第-基板100上曝露並保留此光電二極體㈣。 、，例如’在此第二基板2〇〇包含有位於此第二基板2⑻與結晶 半V體層n緣層陳对，可透過背面研雜㈣除此第二 基板200之-部分，並在移除此第二基板之一部分後，透過 姓刻製程移除所曝露出之絕緣層，藉以僅使找二極體21〇保留 於第一基板100上。 或者’在將其中形成有光電二極體之第二基板200的上部自 身作為結晶半導體層之狀況中，可在使第-基板100與第二基板 18 200915549 200結合之可，將氫離子(Η+；)注入其中形成有光電二極體之結晶 半導體層的底部，並在第一基板1〇〇與第二基板2〇〇相結合後， 對此第二基板200進行熱退火處理，進而使氫離子(Η+)轉化為氫 氣(Η2)，藉以僅保留此光電二極體並移除第二基板。 而後’如「第16圖」所示，在移除第二基板2〇〇之一部分之 後，可在保留於第一基板100上之光電二極體21〇中形成光照遮 蔽層224，藉以抑制晝素間之串擾。 例如，透過於光電二極體210中形成溝槽並於此溝槽中填入 絕緣層223，而後於此絕緣層223上之溝槽中形成金屬化光照遮 蔽層，進而可形成此光照遮蔽層224。 在本發明之另一實施例中’可透過於光電二極體21〇中形成 溝槽並於此溝槽内沈積絕緣層223 ,而後於此絕緣層223上之溝 槽内形成透明金屬層，藉以形成此光照遮蔽層224。 進而’可於此光電二極體21〇上形成頂部金屬層24〇，而後 執仃鈍化製程。同時，還可於此光電二極體21〇上形成彩色濾光 片（圖中未示出），進而於此彩色濾光片上形成微透鏡。 本說明書中，對於”—個實施例，，、一實施例"、示範性 實例/等之引述的意義在於：結合此實施例所描述的指定特徵、 、、、σ構或特性都包含於本發明之至少一個實施例中。在本說明書不 5 刀所出現之上述措辭不—定均涉及同一個實施例。此外，當 19 200915549 結合任意-辦_触轉徵、結贼雜妨 本領域之技術人員結合另外一些實施例也可以達到相二^ 雖然本發明哺述之健實_絲如上，財並 =本㈣，任何«相像技藝者，在不脫離本發明之 圍 内」、當可作些許之更動麵飾，因此本發明之專機護範圍: 本况明書W狀t請專利範騎界定者為準。 、 【圖式簡單說明】 第1圖為本發明第—實施例之影像感測器的剖面圖； 第2圖至第9圖為用於說明本發明第一實施例之影像感測器 之製造方法的剖面圖； 第10圖為本發明第一實施例之另-實例的影像感測器之剖 面圖； 第η圖為本發明第二實施例之影像感測器的剖面圖； 弟2圖至第I?圖為用於說明本發明第二實施例之影像感測 器之製造方法的剖面圖；以及 第18圖為本發明第二實施例之另一實例的影像感測器之剖 面圖。 弟一基板 下方金屬導線 【主要元件符號說明】 100 20 110 200915549 200 第二基板 210a 結晶半導體層 210 光電二極體 212 重攙雜第一導電類型導電層 214 第一導電類型導電層 216 第二導電類型導電層 221 ' 223 絕緣層 222 ' 224 光照遮蔽層 240 頂部金屬層 T 溝槽 21

Claims (1)

1. 200915549 十、申請專利範圍： 1· 一種影像感剛器，係包含： 一第一基板’係具有位於該第-基板上的-下方金屬導線 及一電路； 一結晶半導體層，係與該下方金屬導線相接觸並與該第一 基板相結合； ' 一—光電二極體，係配設於該結晶半導體層中，並且該光電 極體係電性連接於該下方金屬導線；以及 首、'、、遮蔽層，係位於配設在晝素間之邊界上的該結晶半 導體層中。 2, 士 〇 言j百 1 、所述之影像感測器，其中該光照遮蔽層係包含： 導體;ιΤ屬ΓΓ層，係配設於相鄰的光電二極體間之該結晶半 3·如請係位於該光照遮蔽層與該光電二極體之間。 —笛1所权影像感測器，其中該光電二極體係包含： -導電__，係纖結晶地層中；以及 第二導電類型導電層，餘第— 之該結晶半導體層中。 \類型導電層上 月求項3所述之影像感測器，其中該光電 π 重攙雜第〜暮td $ 〜接體還包含有— V電類型導電層，該重攙雜第〜 位於該第〜導雷魅〗 電類型導電層係 V電類型導電層與該下方金屬導 你 體層之中。 、、、复間之該結晶半導 22 200915549 5. —種影像感測器的製造方法，係包含： 製備一第一基板’該第一基板係具有位於該第一基板上的 一下方金屬導線及一電路； 、 製備一第二基板，該第二基板係具有位於該第二基板上的 一光電二極體； 、 农該弟二基板之該光 τ刀夕驭一尤照遮蔽層， 光3”逆^基板與—二基板相結合’細使料形成有誃 遮敝層之該光電二极體電性連接於該下方金屬導線·以: 移除合之轉二基板的—部分，藉崎該光 保留於該第一基板上。 6.f請求項5所述之影像_器的製造方法，其中製備該第二基 板之步驟，係包含：

   於《亥第-基极上形成—結晶半導體層；以及 於該結晶铸體層中形成—光電二極體。 〖.如請求項6所述 < 影像感的製造方法，其中於該結晶半導 體層中域滅電二極體之步驟，係包含： 於該、、σ日日半V體層中形成—第二導電類型導電層；以及 於該第-Vm型導電層上之簡晶半導體層中形成一 第一導電類型導電層。 8*如請求項7所狄影像感的製造方法，射職結晶半導 體層中形成該光電二極體之步驟，還包含： 23 200915549 在形成該第一導電類型導電層後，於該第—導電類型導電 層上之該結晶半導體層中形成一重攙雜第一導電類型導電層。 9. 如請求項5所述之影像感測器的製造方法，其中於該第二基板 之該光電二極體中形成該光照遮蔽層之步驟，係包含： 於與晝素間之區域相應的該光電二極體中形成一溝槽； 於該溝槽中形成一絕緣層；以及 於該絕緣層上之該溝槽内形成一金屬層，藉以填充該溝 槽。 10. 如請求項5所述之影像感測器的製造方法，在移除所結合之該 第二基板的一部分後’還包含於該光電二極體上形成一透明導 電層。 U·—種影像感測器的製造方法，係包含： 製備一第一基板’該第一基板係具有位於該第一基板上的 一下方金屬導線及一電路； 製備一弟二基板’該弟二基板係具有位於該第二基板上的 —光電二極體； 使該第一基板與該第二基板相結合，藉以使該光電二極體 與該下方金屬導線相接觸； 移除所結合之該第二基板的一部分，藉以曝露出位於該第 —基板上的該光電二極體；以及 於所曝露出之該光電二極體的一部分中形成一光照遮蔽 24 200915549 層。 12. 如請求項11所述之影像感測器的製造方法，其中於所曝露出之 該光電二極體的一部分中形成該光照遮蔽層之步驟，係包含： 於與畫素間之區域相應的該光電二極體中形成一溝槽； 於該溝槽中形成一絕緣層；以及 於該絕緣層上之該溝槽中形成一金屬層，藉以填充該溝 槽。 13. 如請求項11所述之影像感測器的製造方法，其中製備該第二基 板之步驟，係包含： 於該第二基板上形成一結晶半導體層；以及 於該結晶半導體層中形成一光電二極體。 14. 如請求項12所述之影像感測器的製造方法，其中於該結晶半導 體層中形成該光電二極體之步驟，係包含： 於該結晶半導體層中形成一第二導電類型導電層；以及 於該第二導電類型導電層上之該結晶半導體層中形成一 第一導電類型導電層。 15. 如請求項14所述之影像感測器的製造方法，其中於該結晶半導 體層中形成該光電二極體之步驟，還包含： 在形成該第一導電類型導電層後，於該第一導電類型導電 層上之該結晶半導體層中形成一重攙雜第一導電類型導電層。 25