TW200911735A - Hole transport materials - Google Patents

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200911735 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用作用於製造電子裝置之電洞傳輸材料之 新顆化合物。本發明進一步係關於具有至少一個包含此電 洞傳輸化合物之活性層之電子裝置。 本申請案根據35 U.S.C. § 1 19(e)主張2007年6月1日申請 之美國臨時申請案第60/941,457號之優先權，該文獻之全 文係以引用的方式併入本文中。

Μ 【先前技術】 ”在有機光敏性電子裝置（諸如構成有機發光二極體 (OLED”）顯示器之有機發光二極體（”〇LED"))中，有機活 性層夹層於OLED顯示器中之兩個電接觸層之間。在〇咖 中’在施加電壓橫貫該等電接觸層之後，該有機光敏性声 發射光穿過光透射電接觸層。 熟知使用有機電致發光化合物作為發光二極體中 :份。已使用簡單有機分子、共輕聚合物及有機金屬錯 使用光敏性材料之裝置通常包括—或多個電 層，其位於一光敏性仏丨如恭虫 寻翰 ，…… 了 3有兩個或兩個以上接觸層。一電 洞傳輸層可位於光敏性層與電洞注入 注入接觸層亦可稱作陽極。電 m洞 電子注入接觸層之間。該電子注入接:層二於f敏性層與 持續需要用於電子穿置巾 · ’、可稱作陰極。 【發明内容】置中之電荷傳輸材料。 131909.doc 200911735 本發明提供—種具有式1或式11之電洞傳輸化合物： (A’—Ar1—[T]n—Ar1—N(Ar2)2

AP 式I (Ar^N-Ar1—[T】m—Ari—(ij_Ar1—[T]n_Ar1—n(a「2)2 式 h 其中：

Ar在母次出現時為相同或不同且選自由伸苯基、伸 萘基及伸聯萘基組成之群；

ΑΓ j每次出現時為相同或不同且選自由苯基、聯 笨、聯二笨、萘基及聯萘組成之群； m與η為相同或不同且各自為大於〇之整數；且 Τ在每次出現時為相同或不同且為包括至少一個三 方基胺基之結合部分’纟中該部分係以非平面構 型連接。 亦提供一種具有如上所述 物，其中Τ具有式Ιπ : 之式I或式II之電洞傳輸化合

Ar5 Ar53丨 I Ar —N— Ar4—~N___

Ar3 其中： 式ΠΙ 伸 在每人出現時為相同或不同且選自由伸笨美、 萘基及伸聯萘基組成之群； "

Ar 選自由伸笑其 成之群；且土、伸聯苯基、伸萘基及伸聯萘基組

Ar5在每:欠出現時為相同或 不同且選自由笨基、 聯 I3l909.doc 200911735 笨、聯三苯、萘基及聯萘組成之群。 亦提供一種具有至少一個包含上述化合物之層之電子裝 置。 刖述一般描述及以下詳細描述僅為例示性及說明性的且 並非限制如隨附申請專利範圍中所界定之本發明。 【實施方式】 在隨附圖式中說明實施例以增進對如本文中所呈現之概 念之理解。 热習此項技術者應瞭解圖式中之物體係為簡單且明晰之 目的來說明且未必按比例繪製。舉例而言，該等圖式中一 些物體之尺寸可相對於其他物體而誇示以有助於增進對實 施例之理解。 提供一種具有式I或式II之電洞傳輸化合物： (Ar^N—Ari—[T]n— Af1—N(Ar2)2 (A’—Ar1_[T]m_Ar1—LAr1—[几_Αγ1_ν(Αγ2)2 式 n 其中：

Ar在每次出現時為相同.或不同且選自由伸苯基、伸 萘基及伸聯萘基組成之群；

Ar在每次出現時為相同或不同且選自由苯基、聯 苯、聯二笨、萘基及聯萘組成之群； m與η為相同或不同且各自為大於〇之整數；且 在每次出現時為相同或不同且為包括至少一個三 芳基胺基之結合部分，其中該部分係以非平面構 131909.doc 200911735 型連接。 亦提供一 具有式πι: "、有如上所述之式I或式π之化合物

其中T

Ar5 Ars

式III 其中：

Ar3在每次出現時為相同或不同且選自由伸苯基、伸 萘基及伸聯萘基組成之群； 選自由伸苯基、伸聯苯基、伸蔡基及伸聯蔡基組 成之群；且

Ar在母次出現時為相同或不同且選自由苯基、聯 笨、聯二本、萘基及聯萘組成之群。 亦提供-種具有至少一個包含上述化合物之層之電子裂 置。 、

本文中描述許多態樣及實施例，I言亥等態樣及實施例僅 為例示性且並非限制性的，在閱讀本說明書後，熟習此項 技術者應瞭解在不悖離本發明之範疇之情況下其他態樣及 實施例亦為可能的。 根據以下詳細描述及申請專利範圍，實施例中任意一者 或多者之其他特徵及益處將顯而易見。詳細描述首先述及 術語之定義及闡明，接著述及電洞傳輸化合物、電子裝 置，且最後述及實例。 1. 術語之定義及闞明 在述及下文所述之實施例之細節之前，先定義或閣明— 131909.doc 200911735 些術語。 如本文中所用，術語”烷基”包括支鏈及直鏈飽和脂族烴 基。除非另外指明，否則該術語亦意欲包括環狀基團。貌 基之實例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、異丁基、第-丁基、第三丁基、戊基、異戊基、新戊基、環戊基、己 基、壤己基、異己基及其類似基團。術語”烧基”進一步包 括經取代及未經取代烴基。在一些實施例中，烷基可經單 取代、二取代及三取代。經取代烷基之一實例為三氟甲 基。其他經取代烷基係由本文中所述之取代基之一或多者 形成。在某些實施例中，烷基具有1至2〇個碳原子。在其 他實施例中，該基團具有丨至6個碳原子。該術語意欲包括 雜烷基。雜烷基可具有丨-20個碳原子。 術語π芳基”意謂具有多達3〇個碳原子之芳族碳環部分， 其可為單一環（單環）或稠合在一起或共價鍵聯之多個環（雙 %，多達二個環）。芳基部分之任何適合環位置可與指定 化學結構共價鍵聯。芳基部分之實例包括（但不限於）苯 基、1-萘基、2-萘基、二氫萘基、四氫萘基、聯苯、蒽 基、菲基、苐基、二氫茚基、伸聯苯基、二氫苊基、苊基 及其類似基團。在一些實施例中，芳基具有6至3〇個碳原 子°該術語意欲包括雜芳基。雜芳基可具有4·30個碳原 子。 術語"院氧基"意欲意謂基團领，其中&為院基。 術扣芳氧&思欲意謂基團·〇R，其中r為芳基。 術語”聯萘基"意欲意謂具有由單鍵連接之兩個蔡單元之 131909.doc -10- 200911735 基團°在一些實施例中，聯萘基為1，1-聯萘基，其係在3 位、4位或5位處連接；在一些實施例中，聯萘基為丨，2_聯 蔡基’其係連接在丨-萘基部分上之3位、4位或5位上或在2-奈基部分上之4位或5位上；且在一些實施例中，聯萘基為 2,2-聯奈基，其係連接在4位或5位上。術語"聯萘"意欲意 謂具有兩個連接點之聯萘基。 術δ吾聯苯"意欲意謂具有由單鍵連接之兩個苯基單

基團。該基團可連接在2位、3位或4位上。術語，，伸聯苯基,， 意欲意謂具有兩個連接點之聯苯基。 除非另外心明’否則所有基團可經取代或未經取代。視 隋况經取代之基團（諸如但不限於烷基或芳基）可經一或多 4可相同或不同之取代基取代。適合取代基包括院基、芳 基硝基、氛基、-N(R7)(R8)、鹵基、羥基、羧基、烯 基、炔基、環烧基、雜芳基、烧氧基、芳氧基、雜芳基氧 土烷氧基故基、全氟炫基、全氣烧氧基、芳基院基、琉 ^(R )N•烧基、（R')(R'，)N-院氧基烧基、（R，)(R")N_院基 2基燒基、·S(〇)s芳基（其中s=GHS(〇)s·雜芳基（其 )R及R各自獨立地為視情況經取代之烷基、 烧基或芳基。在苹此實 ^ 原子一起可形成環系統。 氧 咅二：層：料、構件或結構時’術語”電荷傳輸，，意欲 的電二、枓、構件或結構促進該電荷以相對效率及小 何知失遷移穿過該層、材料、構件或結構之厚度1 131909.doc 200911735 洞傳輸材料有助於正電符· 法一 ± ’電子傳輸材料有助於負電荷。 儘官發光材料亦可且右_ ^ ’、 二電何傳輸性質，但術語，，電荷 傳輸層、材料、構件或社槿" 構並不意欲包括主要功能為發 光之層、材料、構件或結構。 術語π化合物"意欲意謂由公 月由刀子構成之不帶電物質，該等 分子進一步包括原子，且中兮望 “ τ忒等原子不可在不破壞化學鍵 之情況下藉由物理方式與装相庙 、興具相應分子分離。該術語意欲包 括寡聚物及聚合物。 f 或多個碳原子已經不同原子置換。在一 些實施例中，雜原子為〇、N、s或其組合。 字m欲指明基團中之—或多個氫已經氟置換。 當術語•，非平面構型”係指本文中之式時，其意欲意 謂Τ部分之至少-個芳族部分位於與_N(Ar2)2部分之平面不 同之平面中。 術浯光敏性”意欲意謂顯示電致發光或感光性之任何材 料。 術S吾可父聯基團”意欲意謂可經由熱處理或暴露於輻射 中而導致交聯之基團。在一些實施例中，輻射為uv或可 見光。 當用於指裝置中之層時，片語”鄰接"未必意謂一層緊鄰 另一層。另一方面，片語”相鄰R基團”用於指化學式中彼 此相鄰之R基團（亦即，由鍵連接之原子上之R基團）。 如本文中所用，術語"包含”、”包括"、”具有，，或其任何 其他變體意欲涵蓋非排他性包括。舉例而言，包含一系列 13l909.doc 200911735 要素之製程、方法、物品或設備未必僅限於彼等要素，而 可包括未明確列出或為該製程、方法、物品或設備所固有 之其他要素。此外，除非明確陳述相反情形，否則，，或"係 指包括性或而非排他性或。舉例而言，條件A或b由下列 情形中之任一者滿足：A為真（或存在）且3為假（或不存 在）’ A為假（或不存在）且b為真（或存在），及a與b均為真 (或存在）。

卜，一"之使用係用於描述本文中所述之要素及組 件。此舉僅出於方便之目的且給出本發明之範疇之一般意 義。此描述應理解為包括一或至少一，且除非明顯意謂不 同情形，否則單數亦包括複數。 對應於元素週期表中之行之族數使用如c/?c心祕⑻ q/CTz㈣加矽α第81版（2〇〇〇_2〇〇〇中可見之，新 符號（New Notation)"約定。 除非另外說明，㈣本文巾利之所有技術及科學術任 具有與如熟習本發明所屬技術領域之—般技術者通常所理 解之含義相同的含義。儘瞢名太表 ®目在本發明之實施例之操作或測 试中可使用與本文中所述之方 方法及材枓類似或相當之方法 ^料’㈣合方法及材料描述於下文中。除非 Γ，否則本文中所提及之所有公開案、專利申請案、專 ，其他參考文獻之全文係以引用的方式併人本 衝大之情況下，將以本爷日日舍 在 粗、士、 本說明書(包括定義)為準。另外，材 ’、方法及貫例僅具有說明@ # a # i t .^ a r生而非思欲具有限制性。 在本文中未描述之程 度上，岭多關於具體材料、處理操 131909.doc 200911735 作及電路之細節為習知的且可見於有機發光二極體顯示 器、光偵測器、光電及半導體構件技術範圍内之教科書及 其他來源中。 2.電洞傳輸化合物 本文中所述之電洞傳輸化合物具有式I或式11 : (Ar^N—Ari 一 [T]n— Ar1_N(Ar2)2

Ar^ 式1

其中：

Ar在每次出現時為相同或不同且選自由伸苯基、伸 萘基及伸聯萘基組成之群； Μ j每次出現時為相同或不同且選自由苯基、聯 苯、聯二笨、萘基及聯萘組成之群； m與η為相同或不同且各自為大於〇之整數；且 Τ在母次出現時為相同或不同且為包括至少一個三 方基胺基之結合部分，其中該部分係以非平面構 型連接。 在-些實施例中，了部分具有兩個三芳基胺基。 在一些實施例中，Τ具有式„1:

Ar5 Ar5

3 I I

式III —Ar —N— Ar4—N— Ar3— 其中：

Ar3 在每次出現時為相同 或不同且選自由伸苯基、伸 131909.doc -14- 200911735 萘基及伸聯萘基組成之群； 伸萘基及伸聯萘基組

Ar4選自由伸苯基、伸聯笨基、 成之群；且

Ar在每次出現時為 — ’、冋或不同且選自由苯基、聯 本、聯三笨、萘基及聯萘組成之群。 式Mnt芳族環的任—者可在任何位置處經取代。該等 取代基可存在以提供空間相互作心使得T部分係以非平 面構型連接。該等取代某可&太 弋了存在以改良化合物之一或多種 物理性質，諸如溶解性。該箅 忒寺取代基可存在以提供交聯能 力。

在實施例中，非平面構型係由於相鄰蔡基之存在 性。在-些實施例中’至少一者為萘基且相鄰芳基亦為葶 基。在-些實施例中，化合物含有至少一组相鄰蔡基；在 一些實施例中，化合物含有兩組或兩組以上之相鄰萘基。 在一些實施例中，萘基係連接在丨位及4位上；在一些實施 例中’条基係連接在1位及5位上。 在一些實施例中，非平面構型係由於相鄰芳基上取代基 之間的空間相互作用。在一些實施例中，存在至少—組各 自具有烷基或烷氧基取代基之相鄰芳基。在一些實施例 中’相鄰芳基係選自以下基團中之一者： 131909.doc 200911735

其中R表示烷基、芳基、烷氧基或芳氧基且虛線表示可能 之連接點。在一些實施例中，R為Cl_1G烷基或烷氧基；在 一些實施例中，R為C3_8支鏈烷基或烷氧基。

在一些實施例中，存在至少一個取代基，其包括可交聯 基團。可父聯基團之實例包括（但不限於）乙稀基、丙稀酸 酿基、全氣乙烯鍵、1-苯并_3,4_環丁 & 1氧院及甲自旨。 在一實施例中，可交聯基團為乙烯基。 在一些實施例中，電洞傳輸化合物係選自以下化合物A 至化合物Η。 131909.doc -16- 200911735

化合物A

化合物B B-1，n=1 B-2 ， n=2

B-3 ， n=3 化合物C

C-l ， n=l 131909.doc 200911735 C-2 ， n=2 C-3 ， n=3

化合物D

131909.doc -18- 200911735

化合物G

coupling))來製備新穎化合物。可使用溶液加工技術使該 4化合物形成層。術語"層"可與術語"薄膜”互換使用且係 指覆蓋所需區域之塗層。該術語並不受尺寸限制。該區域 可與整個裝置一樣大或與特定功能區域（諸如實際視覺顯 不器）一樣小或與單一子像素一樣小。層及薄膜可由任何 習知沈積技術形成，其包括：氣相沈積、液相沈積（連續 及不連續技術）及熱轉移。連續沈積技術包括（但不限於）： 旋塗、凹板印刷式塗佈、簾式塗佈、浸塗、狹縫型擠壓式 塗佈、噴塗及連續噴嘴式塗佈。不連續沈積技術包括(但 131909.doc 200911735 不限於）：噴墨印刷、凹板印刷及絲網印刷。 本文中所述之新穎化合物具有與有效小分子電洞傳輸化 合物（諸如N，N’-二苯基-n，N，-雙（3-甲基苯基）_[ι，ι，_聯苯基]_ 4,4’-二胺（TPD)及N，N’_雙（萘_丨·基）旧…’-雙_(苯基）聯苯胺 (α-ΝΡΒ))類似之電洞遷移率及homo/LUMO能量。通常應 使用氣相沈積技術來塗覆諸如TPD及npd之化合物。 3·電子裝置

可自具有一或多個包含至少一種如本文中所述之化合物 之層獲益的有機電子裝置包括（但不限於）：（1)將電能轉化 為輻射之裝置(例如’發光二極體、發光二極體顯示器或 Τ極體雷射）’（2)偵測電子學過程中之信號之裝置（例如， 2偵測态、光導電池、絲器、光開關、光電晶體、光電 ? IR偵測器）；將輻射轉化為電能之裝置（例如，光伏 打裝置或太陽能電池）；及⑷包括一或多個包括_或多個 :機半導體層之電子組件之裝置(例如’電晶體或二極 乂。根據本發明之組合物之其它用途包括用於記憶儲存 二。抗靜電膜、生物感應器、電鉻裝置、固體電解 谷态、能量儲存裝置（諸如可充電 塗佈材料。 E電電池)及電磁屏蔽應用之 另戰電子裝置結構 况明係展示於圖1中。兮驻罢 100具有一陽極層n〇及一 p極居1ςΛ _ 4裝置 久 丨双極層150，及介於苴夕Μ 光敏性層13〇。盥唁陽 、^、之間之一 /、4%極相鄰者為一層12〇，1 輸材料（例如電洞傳輸材^. /、匕3-电荷傳 ,,^ J得輸材枓）。與該陰極相鄰者可Α φ ^ 傳輸層14〇，其包含 菁f為一電荷 匕3ΐ子傳輸材料。作為選擇，裝置可使 131909.doc '20- 200911735 用一或多個與該陽極110相鄰之其他電洞注入或電洞傳輸 層（未圖示）及/或—或多個與該陰極150相鄰之其他電子注 入或電子傳輸層（未圖示）。 士本文中所用，術語"光敏性"係指當由外加電壓激發時 發光（諸如於發光二極體或發光電化電池中）或在存在或不 存在卜加偏£日夺響應幸§射能且產生信號（諸如於光偵測器 中)之材料。在一實施例中，光敏性層為一發射極層。

視裝置100之應用而定，光敏性層13〇可為由所施加電壓 激發之發光層（例如在發光二極體或發光電化電池中），在 存在或不存在外加偏壓時響應輻射能且產生信號之一材料 層(諸如於光偵測器中）。光偵測器之實例包括光導電池、 光阻器、光開目、光電晶體及光電管，及光伏打電池，該 等術語描述於 Kirk_〇thmer c〇ncise Encyclopedia d Chemical Technology，第 4版，第 1 537 頁，（1999)中。 在一些實施例中，電洞傳輸層12〇包含至少一種如本文 中所述之新穎電洞傳輸化合物。 貫鈀例中，裝置進一步包含 / υ ΰ 芎，丹叶於陽 極與包含新穎聚合物之層之間。術語”緩衝層，，意欲意謂包 含：電或半導體材料且在有機電子裝置中可具有一或多種 力月之層，該等功能包括（但不限於）使下層平坦化、電荷 ，輸及/或電荷注入特性、除去諸如氧或金屬離子之雜 質’及促進或改良有機電子褒置效能之其他方面。緩衝材 :可為聚合物、寡聚物或小分子，且可為溶液、分散液、 懸浮液、乳液、膠狀混合物或其他組合物之形式。緩衝層 131909.doc 200911735 可由通常經質子酸摻雜之諸如聚苯胺（PANI)或聚伸乙二氧 基σ塞吩（PEDOT)之聚合物材料形成。該等質子酸可為（例 如）聚（苯乙烯磺酸）、聚（2-丙烯醯胺基_2_曱基_丨_丙烷磺酸） 及其類似物。緩衝層可包含電荷轉移化合物及其類似物， 諸如銅酞菁及四硫富瓦烯-四氰基苯醌二曱烷系統（TTF_ TCNQ)。在一實施例中，緩衝層係由導電聚合物與形成膠 體之聚合酸之分散液製成。此等材料已描述於（例如）已公

開美國專利申睛案2004-0102577 、 2004-0127637及 2005/205860 中。 在-些實施例中，裝置進一步包含一額外電洞傳輸層 (未圖示），其介於光敏性層與包含新穎化合物之層12〇之 間。用於此額外電洞傳輸層之其他電洞傳輸材料之實例已 U 述於（例如）Y. Wang之 Kirk Othmer Encyclopedia Of mical Technology，第 4版’第 18卷第 頁， 1 996 中。 =-些實施例中’光敏性層包含至少—種光敏性材料及 至^種如本文中所述之新穎電洞傳輸化合物。該新穎電 :傳輸化合物充當該光敏性材料之主體。在-些實施例 ’主體材料與光敏性材料之比率在5:1至2〇:1之範圍内. 在—些實施例中，10:1至15:1。 ， 成ϋ之其他層可由已知適用於此等層中之任何材料製

由例j11G為尤其有效注人正電荷載流子之電極。其ΐ 由例如含有今遥、α Λ J 屬氧化物之材料製合金、金屬氧化物或混合金 I成，或其可為導電聚合物及其混合物。 13I909.doc •22- 200911735 適合金屬包括第11族金屬、第4、5及6族金屬及第8-10族 過渡金屬。若欲使陽極透光，則通常使用第丨2、1 3及1 4族 金屬之混合金屬氧化物，諸如氧化銦錫。陽極丨丨〇亦可包 含諸如聚本胺之有機材料’如"Flexible light-emitting diodes made from soluble conducting polymer,” Nature，第 357卷，第477-479卷，（1992年ό月11曰）中所述。陽極及陰 極之至少一者應至少部分透明以使得觀測到所產生之光。 在一些實施例中，電洞傳輸層120包含本文中所述之新 穎化合物。在一些實施例中，層！2〇包含其他電洞傳輸材 料。用於層120之其他電洞傳輸材料之實例已概述於（例 如）Y. Wang 之 Kirk Othmer Encyclopedia of Chemical Technology，第 4版，第 18 卷，第 837-860 頁，1996 中。可 使用電洞傳輸分子與聚合物。常用電洞傳輸分子包括（但 不限於）：N，N’-二苯基-N，N，-雙（3-曱基苯基）-!^,!，-聯苯]_ 4,4·-二胺（TPD)、1,1-雙[(二-4-甲苯基胺基）苯基]環己烷 (丁八卩(：）、>^’-雙（4-曱基苯基）->^|-雙（4-乙基苯基）-[1，1·- (3,3'-二曱基）聯苯]_4,4'-二胺斤丁？0)、肆（3-甲基苯基）-N，N，N’，N'-2,5-伸苯基二胺（PDA)、a-苯基 4-Ν,Ν-二苯基胺 基笨乙稀（tps)、對（二乙基胺基）苯曱搭二苯基腙（DEH)、 三苯胺（TPA)、雙[4(N，N-二乙基胺基）-2-曱基苯基](4-曱基 苯基）甲烷（MPMP)、1-苯基-3-[對（二乙基胺基）苯乙烯基]_ 5-[對（二乙基胺基）苯基]°比嗤啦（PPR或DEASP)、1，2-反-雙 (9H-咔唑-9-基）環丁烷（DCZB)、队队>1'，：^，-肆（4-曱基苯基）-(1,1 -聯苯基）-4,4'-二胺（TTB)、N，N’-雙（萘-1-基）_n，N，-雙- 131909.doc •23- 200911735 (苯基）聯苯胺（a-NPB)及卟啉系化合物（諸如銅酞菁）。常用 電洞傳輸聚合物包括（但不限於）聚乙烯基咔唑、（苯基尹 基）聚石夕燒及聚苯胺。亦有可能藉由在聚合物（諸如聚苯乙 稀及聚碳酸酯）中摻雜電洞傳輸分子（諸如上述電洞傳輸分 子）而獲得電洞傳輸聚合物。如已公開美國申請案 2_/1〇2577、2004/127637及2〇〇5/2〇586〇 中所述，緩衝層 及/或電洞傳輸層亦可包含嗟吩、苯胺或料之聚合物與 聚合物氟化續酸。 任何有機電致發光（，，EL，，）材料可用作層π时之光敏性 材料。此等材料包括(但不限於)一或多種本發明化合物、 小有機螢光化合物、螢光及碟光金屬錯合物、共.厄聚合物 /、〇物螢光化合物之實例包括（但不限於）芘、茈、 紅螢稀、香豆素、其衍生物及其混合物。金屬錯合物之實 :包括(但不限於)金屬螯合類噚辛化合物，諸如參(8·羥基 ::基)鋁(Alq3) ’環金屬化銥及鉑電致發光化合物，及其 :口物#觀聚合物之實例包括（但不限於）聚（伸苯基伸乙 且土）又聚帛、聚（旋環雙苟基）、聚嗟吩、聚（對伸苯基）、 /、聚物及其混合物。該等材料亦可以與主體 Π:在。在-些實施例中，該主體材料為電洞編 枓或電子料㈣。在—㈣施财，主“ 。 个又甲所述 Π。於電子傳輸層140及/或層14〇與陰極之間之可選層 二：輸材料的實例包括金屬整合類号辛化合物，諸 ^ L 土嗤琳基）銘（A1Q)、雙（2-甲基-8-噎琳根基）(對笨 131909.doc »24- 200911735 基酚根基）鋁（BAlq)、肆_(8_羥基喹啉基）铪（HfQ)及肆_(8_羥 基喹啉基）鍅（ZrQ);及唑化合物，諸如2_(4_聯苯基）_5_(4_ 第二丁基苯基）-1，3,4-噁二唑（pBD)、3_(4_聯苯基）_4_苯基_ 5-(4-第三丁基苯基M，2,4_三唑（taz)ai，3,5三（苯基_2_苯 并来坐）苯（ΤΡΒΙ) ’啥嗔啉衍生物，諸如2,3_雙（4_敗苯基） 喹若啉’啡略琳’諸如4,7_二苯基- U0-徘咯琳（DpA)及 2,9 一甲基_4,7-一苯基啡咯啉_pA厂及其混合 物。 陰極1 50為尤其有效注入電子或負電荷載流子之電極。 陰極可為功函數比陽極低之任何金屬或非金屬。用於陰極 之材料可選自第1族之驗金屬（例如Li、⑶、第2族（驗土金 屬)金屬、第12族金屬(包括稀土元素及鑭系元素及锕系元 素）。可使用諸如紹、銦、_、鋇、彭及鎂以及其組合之 材料。亦可將含Li有機金屬化合物uf及㈣沈積於有機 層與陰極層之間以降低操作電壓。 ▲各組份層之材料選擇較佳係藉由平衡使裝置具有高裝置 效率與裝置操作壽命之目標來決定。 可由多種技術（包括依次將個別層沈積於一適合基板上） 來製備該裝置。可使用諸如麵及聚合物膜之基板。可使 用習知氣相沈積技術，諸如熱蒸發、化學氣相沈積及其類 似技術。或者，可使用適合溶劑藉由液相沈積來塗覆有機 :。液體可為溶液、分散液或乳液之形式。典型液相沈積 :術包括(但不限於)連續沈積技術，諸如旋塗、凹板印刷 ’塗佈 '簾式塗佈、浸塗、狹縫型擠壓式塗佈、噴塗及連 131909.doc -25- 200911735 續噴嘴式塗佈；及不連續沈積技術，諸如喷墨印刷、凹板 印刷及絲網印刷。任何習知塗佈或印刷技術’包括（但不 限於）旋塗、浸塗、卷軸式技術、噴墨印刷、絲網印刷、 凹板印刷及其類似技術。 可藉由液相沈積自液體組合物塗覆本文中所述之新穎聚 δ物。術語"液體組合物"意欲意謂材料溶解於其中以形成 溶液之液體介質、材料分散於其中以形成分散液之液體介 質’或材料懸浮於其中以形成懸浮液或乳液之液體介質。 在一實施例中，不同層具有以下範圍之厚度：陽極 110，500 A-5 000 A，在一實施例中 1〇〇〇 Α-2000 人；電洞 傳輸層120, 50 A-2000 A，在一實施例中200入_1〇〇〇 A; 光敏性層130，1〇 A-2000 A，在一實施例中100 A-1000 A，層 140 ’ 50 A-2000 A，在一實施例中 10〇 Α·1000 A ; 陰極15〇, 2()0 A-U)_ A，在—實施例中· A_测人。 電子-電洞重組區域在裝置中之位置及因此裝置之發射光 »曰可又到各層之相對厚度影響。因此應選擇電子傳輸層之 厚度以使得電子·電洞重組區域係在發光層中。層厚度之 所需比率將視所用材料之精確性質而定。 在一實施例中，裝置接+& a 士 -人序具有以下結構：陽極、緩衝 層、电洞傳輸層、光敏性層、 电于傅輸層、電子注入層、 陰極。在一實施例中，陽極係由 ’、虱化銦錫或氧化銦辞製 2。在一實把例中’緩衝層包含選自由聚嗟吩、聚苯胺、 聚…其共聚物及其混合物組成之 胺 —實施例中，緩衝層包含導 在 冤10物與形成膠體之聚合酸 131909.doc • 26 - 200911735 之錯合物。 實施例中，電洞傳輸層包含本文中所述之新穎化合 物。在-實施例中，電洞傳輸層包含具有三芳基胺或三芳 基甲燒基團之化合物。在—實施例中，緩衝層包含選自由 如上文所定義之TPD、MPMP、刪、CBp及其混合物組成 之群之材料。 在實施例中，光敏性層包含電致發光金屬錯合物及主 體材料。該主體可為電荷傳輸材料。在一實施例中，主體 2本文中所述之新穎化合物。在__實施例中，電致發光錯 合物係以至少1重量％之量存在。在一實施例中，電致發 光錯合物為2重量％_20重量％。在一實施例中，電致發光 =合物為20重量％-50重量％。在一實施例中，電致發光錯 合物為50重量％_8G重量％。在—實施例中，電致發光錯合 物為80重量％，重量％。在一實施例中，金屬錯合物為 銥、鉑、銖或餓之環金屬化錯合物。在一實施例中，光敏 性層進—步包含第二主體材料。 在—實施例中，電子傳輸層包含羥基芳基_N_雜環之金 屬錯合物。在一實施例中，羥基芳基-N-雜環為未經取代 或經取代之8-羥基喹啉。在一實施例中，金屬為鋁。在一 貝施例中，電子傳輸層包含選自由參（8_羥基喹啉根基） 鋁、雙（8-羥基喹啉根基）(4-苯基酚根基）鋁、肆（8_羥基^ 啉根基）鍅、肆（8_羥基喹啉根基）姶及其混合物組成之群之 材料。在一實施例中，電子注入層為LiF或Li"。在—實 施例中，陰極為A1或Ba/A1。在一實施例中，存在—包含 131909.doc -27- 200911735 選自由參（8-羥基喹啉根基）鋁、 基齡根基）銘、肆㈣基喧琳 煙^圭琳根基）(4_苯 S·)錯、肆（8_經其唾设士戸 基）鈐及其混合物組成之群之材料之 " ^ UF或Li2G之電子m 電子傳輸層及-包含 在一實施例中’藉由緩衝層 、 沒術層電洞傳輸層及光敏性層之 液相沈積及電子傳輸層、雷子 製造裝置。 θ及陰極之ϋ相沈積來 、可自緩衝層溶解或分散於其中且將自其形成薄膜之任何 液體介質來沈積緩衝層。在一眚#如士 隹Α允例中，液體介質基本上 由一或多種有機溶劑組成。在一眘 攻在實施例t，液體介質基本 上由水或水及有機溶劑組成。在—實施例中，有機溶劑選 自由醇、酮、環醚及多元醇組成之群。在-實施例中，有 機液體選自二甲基甲醯胺（”DMAC”）、N·甲基対。定剩 ΓΝΜΡ”）、二甲基甲醯胺（"卿”）、乙二醇⑼g,,)、脂族醇 及其混合物。緩衝材料可以〇5重量％至1〇重量％之量存在 於液體介質中。視液體介質而定，可使用其他重量百分比 之緩衝材料。可由任何連續或不連續液相沈積技術來塗覆 緩衝層。在一實施例中’藉由旋塗塗覆緩衝層。在-實施 例中，藉由喷墨印刷塗覆緩衝層。在液相沈積後，可在室 溫下或在加熱情況下在空氣中、在惰性氣氛下或藉由真空 移除液體介質。在一實施例中，將層加熱至小於275它之 溫度。在一實施例中，加熱溫度介於與275〇c之間。 在一實施例中’加熱溫度介於1 〇〇。〇與1 2〇它之間。在一實 施例中’加熱溫度介於12〇。〇與l4(rc之間。在一實施例 131909.doc -28- 200911735

t，加熱溫度介於140°C與1601：之間。在一實施例中，加 熱溫度介於160°C與1801：之間。在一實施例中，加熱溫度 介於1 80°C與200°C之間。在一實施例中，加熱溫度介於 200°C與220°C之間。在一實施例中，加熱溫度介於19CTC與 220°C之間。在一實施例中，加熱溫度介於220t與240。〇之 間。在一實施例中，加熱溫度介於24〇。〇與26〇。〇之間。在 一實施例中，加熱溫度介於260°C與275°C之間。加熱時間 視溫度而定’且通常介於5分鐘與60分鐘之間。在一實施 例中，最終層厚度介於5 nm與200 nm之間。在一實施例 中’最終層厚度介於5 nm與40 nm之間。在一實施例中， 最終層厚度介於40 nm與80 nm之間。在一實施例中，最終 層厚度介於80 nm與120 nm之間。在一實施例中，最終芦 厚度介於120 nm與160 nm之間。在一實施例中，最終層厚 度介於160 nm與200 nm之間。 可自電洞傳輸層溶解或分散於其中且將自其形成薄膜之 任何液體介質來沈積電洞傳輸層。在一實施例中，液體介 質基本上由一或多種有機溶劑組成。在—實施例中，液體 介質基本上由水或水及有機溶劑組成。在—實施例中 機溶劑為芳族溶劑。在一實施例中，有機溶劑選自氣仿有 二氣甲烧、甲苯、苯甲醚及其混合物。電洞傳輸村^以 0.2重量％至2重量％之濃度存在於液體介 、 貞甲。視液體介 質而定，可使用其他重量百分比之電洞傳輪材料 何連續或不連續液相沈積技術來塗覆電洞傳輸層 任 施例中，藉由旋塗塗覆電洞傳輸層。在— 在實 貫虼例中，藉由 131909.doc -29· 200911735 噴墨印刷塗覆電洞傳輸層。在液相沈積後，可在室溫下或 在加熱情況下在空氣中、在惰性氣氛下或藉由真空移除液 體介質。在一實施例中，將層加熱至3〇(rc或更低之溫 度。在一實施例中’加熱溫度介於17〇。匸與275。〇之間。在 一實施例中，加熱溫度介於i 7〇。〇與2〇〇〇c之間。在一實施 例中，加熱溫度介於19CTC與220°C之間。在一實施例中， 加熱溫度介於21(TC與240t：之間。在一實施例中，加熱溫 度介於230°C與27(TC之間。加熱時間視溫度而定，且通常 介於5分鐘與60分鐘之間。在一實施例中，最終層厚度介 於5 nm與5 0 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介於5 nm與15 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介於15 nrn 與25 nm之間。在一實施例中’最終層厚度介於25 ηπι與35 nm之間。在一實施例中’最終層厚度介於35 nrn與50 nm 之間。 可自光敏性層溶解或分散於其中且將自其形成薄膜之任 何液體介質來沈積光敏性層。在一實施例中，液體介質基 本上由一或多種有機溶劑組成。在一實施例中，液體介質 基本上由水或水及有機溶劑組成。在一實施例中，有機溶 劑為^•族溶劑。在一實施例中’有機溶劑選自氯仿、二氯 曱烷、曱苯 '苯曱醚及其混合物。光敏性材料可以〇.2重 篁％至2重之》辰度存在於液體介質中。視液體介質而 定，可使用其他重量百分比之光敏性材料。可由任何連續 或不連續液相沈積技術來塗覆光敏性層。在一實施例中， 藉由旋塗塗覆光敏性層。在一實施例中，藉由噴墨印刷塗 131909.doc -30- 200911735 覆光敏性層。在液相沈積後，可在室溫下或在加熱情況下 在空氣中、在惰性氣氛下或藉由真空移除液體介質。在一 實施例中’將沈積層加熱至小於具有最低Tg之材料之Tg的 溫度下。在一實施例中’加熱溫度小於最低Tg至少丨〇°c。 在一實施例中’加熱溫度小於最低Tg至少2CTC。在一實施 例中，加熱溫度小於最低Tg至少30°c。在一實施例中，加 熱溫度介於50°C與15(TC之間。在一實施例中，加熱溫度 介於50 C與75。(：之間。在一實施例中’加熱溫度介於75。〇 與1 00 C之間。在一實施例中，加熱溫度介於1 〇〇。〇與！25°C 之間。在一實施例中，加熱溫度介於125。〇與150°C之間。 加熱時間視溫度而定，且通常介於5分鐘與6 〇分鐘之間。 在一實施例中’最終層厚度介於25 nm與1〇〇 nm之間。在 一實施例中’最終層厚度介於25 nm與40 nm之間。在一實 施例中，最終層厚度介於40 nm與65 nm之間。在一實施例 中’隶終層厚度介於65 nm與80 nm之間。在一實施例中， 最終層厚度介於80 nm與100 nm之間。 可由任何氣相沈積方法來沈積電子傳輸層。在一實施例 中，在真空下藉由熱蒸發將其沈積。在一實施例中，最終 層厚度介於1 nm與1〇〇 nm之間。在一實施例中，最終層厚 度介於1 nm與1 5 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介 於15 nm與30 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介於3〇 nm與45 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介於45 nm 與60 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介於6〇 與乃 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介於乃1^^與9〇 131909.doc •31 - 200911735 <「曰J 0在一實 施例中，最終層厚度介於90 中可沈積方法來沈積電子注入層。在-實施例 小於蒸發將其沈積。在一實施例中，真空 仕一貧施例中，直λ丨认,Λ·7 t 例中，真空小於1〇1。产 〇托。在一實施 1 〇〇t至400°c . h 實轭例中，將材料加熱至在 C ,較佳15CTC至350它之範 文中給出的所有氣相沈積速率俜以埃：：之-度下。本 施例中，材料係以〇以 秒早位計。在一實 ^ •埃/移至1 〇埃/秒之速率 施例中，材料係Λ c 疋丰沈積。在一實 ' .矣/秒至1埃/秒之速率、、户藉J.本 施例中，材料係以…秒至2埃/秒之;:積在在二 例中，材料係u 0 Μ , 手沈積。在一實施 . '、埃秒至3埃/秒之速率沈積。在_實施例 在一實施例 在一實施例 在一實施例 在一實施例 在一實施例 在一實施例 在一實施例 中 中 中 中 中 中 中 中，材料係以3埃/秒至4埃/秒之速率沈積實把例 ，材料係以4埃/秒至5埃/秒之速率沈積 ，材料係以5埃/秒至6埃/秒之速率沈積 ，材料係以6埃/秒至7埃/秒之速率沈積 材料係以7埃/秒至8埃/秒之速率沈積 材料係以8埃/秒至9埃/秒之速率沈積 材料係以9埃/秒至10埃/秒之速 最終層厚度介於。—nm之間。積在 最終層厚度介於。. 層厚度介於i細與2nm之間。在 ^例中，最終 介於2⑽與3nm之間。 在^例中，最終層厚度 可由任何氣相沈積方法來沈積陰極。在—實施例中，在 131909.doc -32- 200911735 真"藉由熱蒸發將其沈 !〇托。在—實施例t，真空小於 中’真空小於 中，真空小於！〇·8托。在、 ' 〇托。在一實施例 IO(TC至400。(：，·較# 實施例中’將材料加熱至在 1土 150 c 至 -實靖’材料係以0.5埃/秒至圍内之溫度下。在 -實施例中，材料俘以05垃10埃/秒之速率沈積。在 -實—材=::=:/秒之速率沈積。在 實施例中，材料 、至2埃/秒之速率沈積。在一 . y、'以2埃/秒至3埃/秒之速率沈積。在一實

施例中，材料係以1 / A 、矣和至4埃/秒之速率沈積。在一實施 例中’材料係以4埃/秒 、矛至5埃/秒之速率沈積。在一實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 •實施例 •實施例 在 在 在 在 在 在 在 中 中 中 中 中 中 中 中’材料係以5埃/秒至6埃/秒之速率沈積 材料係以6埃/秒至7埃/秒之速率沈積 材料係以7埃/秒至8埃/秒之速率沈積 材料係以8埃/秒至9埃/秒之速率沈積 材料係以9埃/秒至10埃/秒之速率沈積 最終層厚度介於1〇 11„1與1〇〇〇〇 nm之間 隶終層厚度介於1〇 nm與1〇〇〇 nm之間 丁’表終層厚度介於1〇 nm與50 nm之間。在一實施例中’ 最終層厚度介於50 nm與100 nm之間。在一實施例中’最 終層厚度介於100 nm與200 nm之間。在一實施例中，最終 層厚度介於200 nm與3 00 nm之間。在一實施例中，最終層 厚度介於300 nm與400 nm之間。在一實施例中，最終層厚 度介於400 nm與500 nm之間。在一實施例中，最終層厚度 介於500 nm與600 nm之間。在一實施例中，最終廣厚度介 131909.doc -33- 200911735 於600 nm與700 nm之間。在—實施例中，最終層厚度介於 700 nm與800 nm之間。在一實施例中，最終層厚产介於 800 nm與900 nm之間。在一實施例中，最終層厚度^於 900 nm與1000 nm之間。在—實施例中，最終層厚度^於 1000 nm與2000 nm之間。在—實施例中，最終層厚^二於 2000疆與3000 nm之間。在—實施例中，最終層厚=於 3000 nm與4000 之間。在—實施例巾，最 4000 nm與5000 nm之間。在—實施例中，最終層厚$介於 5 000 nm與6000 nm之間。在―實施例中 最:終層厚度介於 最終層厚度介於 最:終層厚度介於 最終層厚度介於 6000 nm與7000 nm之間。在—實施例中 7000 nm與8000 nm之間。在—實施例中 8 000 nm與9000 nm之間。在—實施例中 9000 nm與 10000 nm之間。 在一實施例中，藉由氣相，士益^ @ 札相'尤積緩衝層、電洞傳輸層及光 敏性層、電子傳輸層、電子注入層及陰極來製造裝置。

在-實施例中，藉由氣相沈積來塗覆緩衝層。在一實施 例中’在真空下藉由熱蒸發將其沈積。在—實 空小於1〇-6托。在一眚竑办丨士士 ’ 隹實施例中，真空小於10_7托。在一實 施例中，真空小於10-8托。.^ , 。 托在一實施例中，將材料加熱至 ::至赋；較佳15°。。至3坑之範圍内之溫度下。 例中’材料係以0.5埃/秒至10埃/秒之速率沈積。 Γ=Γ材料係以°.5埃/秒至1埃/秒之速率沈積。 在一實施例中，材料係以丨埃/秒至2 -實施例中，材料俜以2埃 …、率沈積。在 係以2埃/秒13埃/秒之速率沈積。在- 131909.doc •34- 200911735 實施例中，好扭 材科係以3埃/秒至4埃 施例中，材料從 、之速率沈積。在一實 材枓係以4埃/秒至5埃/ 例中，材料係以^ / 之速率沈積。在一實施 中，材料係以6埃/秒至、率沈積。在一實施例 中材枓係以7埃/秒至8埃 ’ 中，刼钮你 之迷率沈積。在一實施例 才枓係以8埃/秒至9埃/ Φ，好4立及，Λ 心疋半沈積。在一實施例 材科係以9埃/秒至I 〇埃/ 中，最終岸屌声八k革沈積。在一實施例 最線声厚：八又"；⑽與200 —之間。在-實施例中， “於5 _錢_之間。在一實施例中，最終 層厚度介於30 nm與60 nm之間。在音 间在一實施例中，最終層厚 度"於60 nm與90 nm之間。在一會竑 貫鞑例中，最終層厚度介 於90 nm與120 nm之間。在—眚始初山 仕實把例中，最終層厚度介於 120 nm與150 nm之間。在—眚始么丨士 n 實施例中，最終層厚度介於 150 nm與280 nm之間。在—眚絲办丨士 實把例中，最終層厚度介於 1 80 nm與 200 nm之間。 在-實施例中，藉由氣相沈積來塗覆電洞傳輸層。在— 實施例中’在真空下藉由熱蒸發將其沈積。在一實施例 中，真空小於#托。在一實施例中’真空小於ι〇.7托。 在-實施例中’真空小於心托。在—實施例中，將材料 加熱至在100°C至4〇〇°c ·’較佳15(rCi35(rc之範圍内之溫 度下H施例t >材料係以〇·#/秒至10埃/秒之速= 沈積。在一實施例中’材料係以0.5埃/秒至丨埃/秒之速率 沈積。在一實施例中’材料係以秒至2埃/秒之速率；尤 積。在一實施例中，材料係以2埃/秒至3埃/秒之迷率况 131909.doc -35- 200911735 在一實施例中 在一實施例中 在一實施例中 在一實施例中 在一實施例中 在一實施例中 在一實施例中 在一實施例中 積 積 積 積 積 積 積 積 在一實施例 在一實施例 在一實施例 ，材料係以3埃/秒至4埃/秒之速率沈 ，材料係以4埃/秒15埃/秒之速率，、尤 ，材料係以5埃/秒至6埃/秒之速率沈 ，材料係以6埃/秒至7埃/秒之速率沈 ，材料係以7埃/秒至8埃，秒之速率沈 ，材料係以8埃/秒至9埃/秒之速率沈 ，材料係以9埃/秒至1〇埃/秒之速率^ 最終層厚度介於5 n_2QQ咖之間。 在-實施例中，最終層厚度介於5随㈣⑽之間。在— 實施例中，最終層厚度介於30 _與6〇 nm之間。在一實^ 例中，最終層厚度介於60 與90 nm之間。在—實施二 中，最終層厚度介於90 11〇1與12〇 nm之間 中，最終層厚度介於12〇 ηιτ^15〇 nm之間 中，最終層厚度介於150 11111與28() nm之間 中最終層厚度介於180 nm與200 nm之間。 在一實施例中，藉由氣相沈積來塗覆光敏性層。在—實 知例中，在真空下藉由熱蒸發將其沈積。在一實施例中， 光敏性層基本上由單一電致發光化合物組成，其係在真空 下f由熱崧發沈積。在_實施例中，真空小於心托。在 —實施例中’真空小於ί〇·7托。在一實施例中，真空小於 1厂8托。在-實施例令，將材料加熱至在戰至·。c ; :么1 50 C至350 C之範圍内之溫度下。在一實施例中，材 ^系乂 0.5埃/秒至1〇埃/秒之速率沈積。在一實施例中，材 料係以〇·5埃/秒幻埃/秒之速率沈積。在-實施财，材 Ϊ31909.doc -36 - 200911735 料係以】埃/秒至2埃/秒之速率沈積。在一實施例 係以2埃/秒至3埃/秒之速率沈積。在一實施例中 ::

埃化至4埃/秒之速率沈積。在一實施例中，材料係以* 、秒至5埃/秒之速率沈積。在-實施例中，材料係以5埃, 秒至6埃/秒之速率沈積。在一實施例中，材料係以6埃/秒 至7埃/心之速率沈積。在一實施例中，材料係以7埃/秒至8 埃/秒之速率沈積。在一實施例中，材料係以8埃/秒至9埃/ 秒之速率沈積。在一實施例中’材料係以9埃，秒至1〇埃,秒 之速率沈積。在-實施例中，最終層厚度介於5⑽與2〇〇 nm之間。在一實施例中，最終層厚度介於5 與π 口⑺之 間。在—實施例中’最終層厚度介於30 nm與60 nm之間。 在一實施例中，最終層厚度介於6〇 ^^^與卯nm之間。在一 實施例中，t終層厚度介於90咖與12〇⑽之間。在一實 施例中，最終層厚度介於12〇腿與15〇⑽之間。在一實施 例中’ I終層厚度介於15〇 與鳩nm之間。在一實施例 中’最終層厚度介於l8〇nm與2〇〇nm之間。 在實刼例中，光敏性層包含兩種電致發光材料，其各 自係在真工下藉由熱蒸發塗覆。可使用上述真空條件及溫 度之任一者。可使用上述沈積速率之任一者。相對沈積速 率可為50.1至1:50。在一實施例中，相對沈積速率為η至 1:3°在-實施例中’相對沈積速率為1:3至1:5。在一實施 例中’，相對沈積速率為^至^在—實施财’相對沈 積速率為1.8至1:1G。在-實施例中，相對沈積速率為1:1〇 至1:20。在—實施例中，相對沈積速率為。在 131909.doc -37- 200911735 貝施例中’相對沈積速率為1:3()至1:5()。層之 與上2關於單一組份光敏性層所述之厚度相同。〜又 種例中，光敏性層包含—電致發光材料及至少一 種主：材料’其各自係在真空下藉由熱蒸發塗覆。可使用 水A 又^壬者。可使用上述沈積速率之任

KJ =。電致發光材料與主體之相對沈積速率可為ι:ι至 …。在—實施例中，相對沈積速率為m3。在一杏 HI牽相對沈積速率為1:3至1:5。在-實施例中，相二 & .、H:5至1:8 °在—實施例巾’相對沈積速率為1:8 至施例中，相對沈積速率為1:1。至1:20。在 -實施例中，相對沈積速率為1:20至1:30。在—實施例 中，相對沈積速率為1:30至1:40。在一實施例中，相對沈 積速率為1:4〇至1:5〇。在—實㈣巾，㈣沈積速率為 1:50至1:60 °在—實施例中’相對沈積速率為1:60至 1:70°在-實施例巾’相對沈積速率為別。在— 實施例中，相對沈積速率為1:80至1:90。在一實施例中， 相對沈積速率為㈣至⑼。層之總厚度可與上文關於單 一組份光敏性層所述之厚度相同。 在一實施例中，藉由氣相沈積來塗覆電子傳輸層。在一 只鼽例中纟真空下藉由熱蒸發將其沈積。在—實施例 中，真空小於1〇-6托。在一實施例中，真空小於1〇_7托。 在-實施例中，真空小於1().8托。在一實施例中，將材料 加熱至在loot：至40〇。(：；較佳15〇t：至35〇=c之範圍内之溫 度下。在一實施例中，材料係以〇·5埃/秒至1〇埃/秒之迷率 131909.doc •38- 200911735 沈積。在一實施例中，材料係以〇 s , < 15埃/秒至1埃/秒之亲 沈積。在-實施例中’材料係以!埃 、羊 n + 丨由，从^ .. 2埃/秒之迷率沈

在一實施例中 在一實施例中 在一實施例中 在一實施例中 在一實施例中 在一實施例中 在一實施例中 在一實施例中 在一實施例中： 材料係以2埃/秒至3 、千 妯姐# 至3埃/秒之速率沈 材枓係以3埃/秒至 主4埃/秒之速率沈 材料係以4埃/科、5 s & 爷衫至5埃/秒之速率沈 材料係以5埃/秒至6埃/秒之速率沈 材料係以6埃/秒至7埃/秒之速率沈 材料係以7埃/秒？ μ, 六心主8埃/秒之速率沈 材料係以8埃/秒至9埃/秒之速率沈 材料係以9埃/秒至1〇埃/秒之速率沈 最終層厚度介於5 nm與200 nm之間。 在一實施例中，最終層厚度介於5 11〇1與3〇 nm之間。在一 實施例中，最終層厚度介於30 nm與60 nm之間。在一實施 例中，最終層厚度介於60 nm與90 nm之間。在—實施例 中，最終層厚度介於90 nm與120 nm之間 中’最終層厚度介於120 nm與150 nm之間 中’最終層厚度介於150 nm與280 nm之間 中’最終層厚度介於180 nm與200 nm之間。 在一實施例中’如上所述，藉由氣相沈積來塗覆電子注 入層。 積 積 積 積 積 積 積 積 積 在一實施例 在一實施例 在一實施例 在一實施例中’如上所述，藉由氣相沈積來塗覆陰極。 在—實施例中，藉由氣相沈積一些有機層且液相沈積一 一有機層來製造裝置。在一實施例中’藉由液相沈積缓衝 層且氣相沈積所有其他層來製造裝置。 131909.doc -39- 200911735 儘官類似$等效於本文 .目丨丨1 士於昍,Λ Α 万法及材料可用於實施或 ；； 但適合方法及材料描述於下文中。另外，材 料、方法及實例僅具有說明性 八μ垒 4 .. v Ba ^ 非μ欲具有限制性。所有 專利公開案、專利及本文中所提及之其他參考文 獻之全文係以引用的方式併入本文中。 實例 在以下實例中將進—步描述本文 例並不限制申請專利範圍中所述之本發明之㈣。寻貝 應注意，並不雹| μ 、壬執文在一般描述或實例中所述之所有 Π:要一特定活動之-部分，且可執行除= 動 或多個其他活動。此外，活動所列舉之： 序並不必須為其經實施之次序。 在前述說明書中， 一妒孰習此 ；寺疋實施例描述概念。然而， ““此項技術者應瞭解，在不挣離下文申 :所提出之本發明之範，的情況下，可作出各種更改：改 Ϊ望::說明性而非限制性意義來看待說明書及圖 斤有此等更改包括於本發明之範疇内。 :文：關於特定實施例描述益處、其他優 方案。然而，該等益處、優點、問題解決方案及可=决 種特徵不應理解為任^戶或使其變得更顯著之任何—或多 或本質特徵。 或所❹請專利範圍之關鍵 '所需 應瞭解為清晰起見 之某也牿作h +文中獨立^例之内容中所述 ” °、、且合提供於單一實施例中。相反，為簡潔 13I909.doc -40- 200911735 起見而在單一實施例之内容中所述之各種特徵亦可單獨或 以任何子組合形式提供。此外，提及以範圍形式表示之值 包括在該範圍内之各個及每一值。 【圖式簡單說明】 圖1包括一有機電子裝置之一實例之說明。 【主要元件符號說明】 110 120 130 140 150

陽極層 電洞傳輸層 光敏性層 電荷傳輸層 陰極層 131909.doc -41 -

Claims (1)

1. 200911735 十、申請專利範圍： 1 · 一種電洞傳輸化合物，其具有式〖或式In (Ar^N—Ar1—[ηη— Ari_N(Ar2)2 Ar^ 式1 (Ar^N一Ar1—[T]m—Ar1—Ν—Ar1—[ηη—Ar1—式 π 其中： Ar1在每次出現時為相同或不同且選自由伸苯基、伸 奈基及伸聯萘基組成之群； (' ΑΓ在每次出現時為相同或不同且選自由苯基、聯 苯、聯三苯、萘基及聯萘組成之群； 01與11為相同或不同且各自為大於0之整數；且 Τ在每次出現時為相同或不同且為包括至少—個三 方基胺基之結合部分，纟中該部分係以非平面構 型連接。 2.如請求，！之化合物，其中τ Ar5 αγ5 3 I I , —Ar Ar4—N— Ar3— 4 其中： Ar3 Ar4 在每次出現時為相同或不同 奈基及伸聯萘基組成之群； 選自由伸苯基、伸聯苯基、 成之群；且 且選自由伸苯基、伸 伸萘基及伸聯萘基組 Ar在每次出現時為相同或不同且選自由苯基

   笨、聯三苯、 3.如請求項1之化合物 奈基及聯萘組成之群。 其包含至少一組相鄰萘基 131909.doc 200911735 4. 如請求項1之化合物 相鄰芳基具有至少— 取代基。 ，其包含至少一組相鄰芳基，該等 個選自由烷基及烷氧基組成之群的 其中該組相鄰芳基係選自以下基 5.如請求項4之化合物 團中之一者：

   其中R表示烧基、芳基、 能之連接點。

   燒氧基或芳氧基且虛線表示可 6.如請求項2之化合物，i中^3且古^ , 〒Ar具有至少一個選自由烷基 及烧氧基組成之群的取代基。 7，-種電洞傳輸材料’其選自由化合物八至化合_組成之 群： 化合物A 131909.doc 200911735

   B-2 ， n=2 B-3，n=3 化合物C

   C-2 » n=2 C-3 > n=3 131909.doc 200911735 化合物D

   化合物E

   化合物F

   131909.doc 8.

   Ar2 式I ίΤ]η—Ar1—Ν(Αγ2)2 式 π 200911735 (Ar2)2N-Ar1-mm-Ar1^^Ari 其中： Ar1在每次出現時 馬相同或不同且選自由伸苯基 2秦基及伸聯萘基組成之群； Ar在每-人出現時為相同或不同且選自由苯基 本聯二本、萘基及聯萘組成之群； m與η為相同或不同且為大於〇之整數；且 伸 聯 13I909.doc 200911735 τ 在每次出現時為相同或不同且為包括至少一個三 芳基胺基之結合部分，其中該部分係以非平面構 型連接。 9.如請求項8之裝置，其中該活性層為一電洞傳輸層。 1 0.如請求項8之裝置，其中該活性層為一光敏性層且進一 步包含光敏性材料。 V 131909.doc