TW200908385A - Light emitting device and method of producing the same - Google Patents

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200908385 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種適於從侧面照射液晶面板之薄型顯示 體的發光元件及其製造方法者。 【先前技術】 先别’從側面照射液晶等顯示面板用之背光光源，係使 用曰本特開2005-2 23082號公報（公開日期2005年〇8月18 曰’以下稱「專利文獻1」）等所示的側面發光型之發光二 極體（以下稱「LED」）等的發光元件。 如圖42所示，發光元件1〇1具備：形成了晶片接合圖案 108及電極端子109的晶片基板114 ;安裝於晶片基板114上 之LED晶片1〇3 ;連接LED晶片103與電極端子1〇9之連線 116 ;以包圍LED晶片103周圍之方式而配設於晶片基板 114上，並在上面及侧壁之一部分具有開口部的反射框體 123;反射框體123之側壁内周面的反射面122;形成於晶 片基板11 4上之反射框體123内，將側壁側之開口部作為光 射出面11 7之光穿透樹脂體119;及覆蓋光穿透樹脂體119 之上面的反射膜.121。發光元件ιοί係以藉由反射框體123 之反射面122及反射膜121，而反射從LED晶片1〇3發出之 光，並從形成於一側面之光射出面11 7向外部射出的方式 構成。 此外，在發光元件内發生之熱的散發不佳時，元件内之 構件因熱而受到損害，導致發光效率降低及元件本身的損 傷’而無法確保長期之可靠性。因此，要求開發散熱性優 130114.doc 200908385 異的發光元件。 如在日本特開2004-282004號公報（公開日期2004年1〇月 07曰，以下稱「專利文獻2」）中揭示有散熱性優異之發光 元件用基板。 參照圖15及圖16，說明專利文獻2之發光元件用基板的 結構。 圖15係顯示具備上述發光元件用基板之先前發光元件 1000結構的剖面圖。 圖16係顯示圖15所示之發光元件用基板之導體圖案1〇〇8 與佈線層1009之形狀圖。 如圖15所示，上述發光元件用基板之導體圖案1〇〇3形成 有第一電極1004及第二電極1〇05 , ]lED晶片（無圖示）之一 方電極連接於第一電極1〇〇4，另一方電極連接於第二電極 1005 ° 此外，第一電極1004、層間連接圖案1〇〇6、保護金屬層 1007及導體圖案1〇08，係從反射體1〇〇1之下側至裝設led 晶片之位置的下側連續而形成。另外，導體圖案1〇〇8形成 於佈線層1009。 而後，使藉由第一電極1004、層間連接圖案1〇〇6、保護 金屬層1007及導體圖案1〇〇8而堆疊之金屬疊層體的使反射 體1001之發熱導熱的導熱面積擴大。亦即，如圖16所示， 使導體圖案1008之面積擴大。 藉此’可將反射體1001之發熱，經由保護金屬層1〇〇2及 金屬疊層體，而有效地導熱至保護金屬層1012及最下層之 130114.doc 200908385 金屬基板1 ο 10。 此外，日本特開2005·235778號公報（公開日期2005年9 月2曰，以下稱「專利文獻3」）中揭示有：在裝設了 lED晶 片之多佈線基板的表面樹脂中添加無機填料，藉由將該表 面樹脂白色化’而使表面樹脂之光反射率提高的結構。 一般而吕，來自LED晶片103之射出光強度，於圖42中 以箭頭118表示的上方向最大。然而，上述專利文獻丨之結 構，係在來自LED晶片1〇3之光射出方向，與lED晶片1〇3 之光射出面相對地形成反射臈丨2 !。因而，從[ED晶片1 〇3 射出之光在反射膜121與晶片基板114之間重複反射，從 LED晶片1〇3射出之許多光無法從光射出面117有效地向外 部射出’而被反射膜121及晶片基板114吸收。 再者，上述專利文獻丨之發光元件丨〇丨的結構，其光射出 面117係形成於從來自LED晶片丨〇3之射出光強度為最大之 上方向（箭頭118)偏差90度的位置。因而，無法將來自LED 曰曰片103之射出光有效地導引於發光元件之光射出面， 而排出7L件外部。此外，光穿透樹脂體丨19之材料的樹脂 中使用螢光體粒子時，不轉換成螢光之光及不散射之光在 反射膜121與晶片基板114之間重複反射，許多光被反射膜 121及晶片基板114吸收。再者，因為散射程度隨螢光體粒 子量之變動而變動，所以光排出效率不穩定。 此外，近年來伴隨具備液晶面板之行動電話等的電子機 器薄里化，亦要求用於液晶背光用之側面發光型[ED的薄 31化但疋’因為專利文獻1中所示之先前的構造，係 130114.doc 200908385 LED晶片i03之上面與反射膜121之距離愈短，上述光吸 收、洩漏之損失愈大的結構，所以有來自發光元件之光排 出效率更加降低的問題。 因此，要求開發不致導致光排出效率降低，而可實現薄 型化的側面發光型LED。 此外，如圖15及圖16所示，專利文獻2之發光元件將安 裝LED晶片之安裝面作為底面時，未以包圍元件側面全體 之方式形成金屬反射體1〇〇1。因而，從LED晶片放出於周

(J 圍之光，從未形成上述金屬反射體1001之側面向元件外部 茂漏。 此外，上述安裝面中，第一電極1〇〇4及第二電極1〇〇5之 形成區域以外的區域形成有絕緣層1〇11。因而，從LED晶 片射出之光中，許多射向基板側之光穿透樹脂絕緣層 1011，而從背面側向元件外部洩漏。 由於如上述A漏之光被發光S件外部之其他構件吸收， 因此造成全體性重大之光能損失。㈣，存在無法有效排 出自LED晶片射出之光來自 的問題。 1來自切出面之射出光強度降低 此外，專利文獻3之結構，藉由添加無機填 媒效應而助長周邊構侔 光觸 巧邊構件之乳化’因無機填料 響而產生弊端。此外，專 U的影 矛J文獻3中，關於並機 加量的限制絲毫未提及。 、機填科之添 【發明内容】 本發明係鑑於上述問題者，置 的為提供—種藉由抑制 1301I4.doc 200908385 來自先射出面之射出光強度，並且使散 熱性提高，而具有優里之县细使散 方法。 、百優異之長期可罪性的發光元件及其製造 為曰了解決上述問題，本發明之發光元件之特徵為包含： ED晶片，其係安裝於基板上；及絕緣Α ^ ± 汉上緣邛，其係包含形成 基板表面之光穿透性樹脂；上述絕緣部包含：添加 f !=:填料之光反射性填料添加區域，及未添加該光 反射性填料之光反射性填料無添加區域。 藉由上述、，Ό構’可在上述光反射性填料添加區域使從上 述LED晶片射出，而人射於上述絕緣部之光反射。因而， 可減低進入上述絕緣部而反射於周邊構件時，—部分被吸 收而衰減之光，可謀求光利用效率及散熱性之提高。

O 為了解決上述問題，本發明之發光元件的特徵為包含： 第-金屬部’其係形成於基板之安裝面，作為安裂面金屬 反射膜；至少！個第二金屬部’其係藉由絕緣部而盘上述 第-金屬部電性絕緣，並形成於上述安裝面；咖晶片， 其係安裝於上述第-金屬部上，且一方電極電性連接於上 述第-金屬部，另一方電極電性連接於上述第二金屬部； 金屬反射板，其係以包圍上述安裝面之方式，與上述第一 金屬部-體化而形成’反射來自上述咖晶片之射出光， 而導向設於上述光射出方向之光射出面；及透光性密封 體，其係以填充由丨述基板與上述金屬反射板所包圍之區 域而密封上述LED晶片之方式形成；上述絕緣部含有包含 光反射性填料之樹脂，並以在被上述金屬反射板包圍之區 130114.doc 200908385 域内包圍上述第二金屬部之周圍的方式形成。 〇 Ο 藉由上述結構，反射來自上述LED晶片之射出光，而導 向設於上述光射出方向之光射出面的金屬反射板係以直立 »又置於上述LED晶片之光射出方向，圍住該LED晶片周圍 全體之方式形成。@而，可將從LED晶片放出於周圍之光 以上述金屬反射板反射，而有效導向上述光射出面。藉 此，可抑制來自元件側面之光洩漏，謀求提高來自光射出 面之射出光強度。此外，因為上述金屬反射板之内周面密 合於上述透光性密封體，所以可抑制金屬從該金屬反射板 之内周面_離的問題。藉此’可藉由上述透光性密封 體，在穩定之狀態下保護上述金屬反射板之内周面。 再者上述第一金屬層具有作為安裝面金屬反射膜之功 能’且以經由形成於上述第二金屬層外周之絕緣部，而圍 住上述第二金屬層外周的方式形成。因而，可確保與上述 第二金屬層之絕緣’並在上述基板之安裝面中的上述絕緣 部形成區域的外側全面，形成作為安裝面金屬反射膜之上 述第-金屬層。如此’因為可將作為安裝面金屬反射膜之 上述第-金屬層形成於安裝面上的寬廣範圍，所以可將從 led射出之光中許多朝向基板側之光，藉由上述第一金屬 部而更有效地導向光射出面側。因而’可進一步減低被基 板吸收之光量，並可謀求來自光射出面之射出光強度的進 一步提高。 再者上述絕緣部係由包含光反射性填料之樹脂所形 因而，可以上述光反射性填料使從上述LED晶片射出 130114.doc 200908385 而入射於上述絕緣部之光反射。因而，可減低進入上述絕 緣部，反射於周邊構件時，-部分被吸收而逐漸衰減之 光，可謀求提高來自光射出面之射出光強度。 本發明之其他目的、特徵及優點藉由以下所示之記載當 可充分瞭解。此外，本發明之效益藉由參照附圖之二下： 明當可明瞭。 【實施方式】 [第一種實施形態]

參照圖1至圖5及圖38至圖4丨’說明本發明—種實施形態 如下。 圖1係顯示本實施形態之發光元件5〇〇一種結構例之立體 圖。 圖2係顯示發光元件500之詳細結構的剖面圖。 圖3顯示金屬反射板502與構成疊層基板5〇6之各層的# 刻圖案例。圖3中，（a)顯示第一層521，（b)顯示第二層 522 ’（c)顯示第三層523，（d)顯示第四層524，（e)顯示第五 層525 ’（f)顯示第六層526，（g)顯示第七層527，（h)顯示第 八層528。 如圖1所示，本實施形態之發光元件500具備：安裝於疊 層基板506上的LED晶片501，及直立設置於該LED晶片501 之光射出方向，以圍住該LED晶片501周圍全體之方式設 於上述安裝面上，反射來自上述LED晶片501之射出光， 而導向設於上述光射出方向之光射出面的金屬反射板 502 ;並以填充被上述安裝面上之金屬反射板502包圍的區 130114.doc -11 - 200908385 域之方式形成有透光性密封體510。 發光元件500係以光射出面相對之方式，安裝於設於行 動電話等之顯示晝面的液晶面板的側面而構成。亦即，發 光元件500係用作從側面照射液晶面板的背光而構成。 LED晶片50 1係由氮化鎵（GaN)系半導體材料等構成之半 導體晶片，且從發光面501a發出藍色光。LED晶片501以 發光面50la在上側之方式，藉由晶片接合而安裝於後述之 晶片接合區、電極共用部（第一電極部，安裝面金屬反射 膜）507。而後，LED晶片501在發光面5〇1&上具備由陽極電 極與陰極電極構成之電極端子（無圖示）。 疊層基板506具有從安裝面側形成了表面層5〇3、中間層 504及背面層505之疊層結構。如圖2所示，疊層基板5〇6具 有由2層構造之表面層5〇3、3層構造之中間層504及2層構 造之背面層505構成的疊層構造。上述結構之疊層基板5〇6 堆疊於金屬反射板5〇2上，而與金屬反射板5〇2 一體地形 成。 此處，參照圖2及圖3，說明疊層基板5〇6之詳細結構。 首先，說明表面層503之結構。 表面層503具有從安裝面側起堆疊了第二層522與第三層 523之2層疊層構造。 另外，將帛一層522之表面，亦即將疊層基板5〇6之表面 作為女裝LED晶片501之安裝面。 第一層522(女裝面）中，形成有與led晶片5〇1分別連接 之曰b片接合區、電極共用部（第—金屬部”〇7與孤島電極 130114.doc 200908385 (第二金屬部）508 ’作為供給驅動電流至led晶片501的電 極端子。此外’以從晶片接合區、電極共用部507電性絕 緣用之絕緣部509包圍孤島電極5〇8外周之方式，而形成有 孤島電極5 0 8。 晶片接合區、電極共用部507藉由連線接合（連線5 11)而 與LED晶片501之陰極電極連接。晶片接合區、電極共用 部507與金屬反射板502由同種金屬（本實施形態係銅）構成 而一體地形成。 另外’晶片接合區、電極共用部5〇7與金屬反射板5〇2之 材料並非限定於銅者，亦可使用其他金屬，不過，應使用 反射性優異之銅、銀、金或鎳。 亦即，本實施形態不需要接合劑’可藉由電鍛等之方 法，將金屬反射板502與作為安裝面金屬反射膜之晶片接 合區、電極共用部507—體地形成。因而，LED晶片5〇1發 光時之熱，不致如先前滯留於導熱性低之樹脂等，而可使 其傳導至形成於一體成形有金屬反射板5〇2之基板表面的 晶片接合區、電極共用部507’進一步有效地散熱於基板 之背面側。此外，藉由如此一體地形成金屬反射板5〇2與 晶片接合區、電極共用部507,因為元件全體中金屬佔的 比率大，戶斤以成為除了散熱性之外，就防止光洩漏亦有改 善的結構。 另外，晶片接合區、電極共用部5〇7如後面詳細地說 明，為了在切割發光元件500時，防止發生毛刺而損傷， 係確保切割之邊緣而形成。 130114.doc -13· 200908385 另外’作為另一方電極端子之孤島電極5〇8由銅構成， 並藉由連線接合（連線511)而與LED晶片5〇1之陽極電極連 接。此外，在被作為安裝面之第二層522中的金屬反射板 5 02包圍之區域内，孤島電極5〇8形成其外周被絕緣部5〇9 包圍之孤島。 此外，孤島電極508之形狀，除了本實施形態所示者之 外’如為三角形、方形、矩形狀等，而並無特別限定不 過，為了可避免電場集中，更宜為角落具圓形之形狀。再 者，亦可在孤島電極508上設置調整LED晶片之驅動條件 的元件、電路。如亦可設置齊納二極體等限制通電於led 晶片之電流的保護電路元件。另外，此等同樣地適用本實 施形態以外之實施形態。 本實施形態如上述，成為LED晶片5〇1之陰極電極與晶 片接合區、電極共用部5〇7連接，陽極電極與孤島電極5〇8 連接之結構。但是，本實施形態不限於此，亦可作為LEd 晶片501之陽極電極與晶片接合區、電極共用部5〇7連接， 陰極電極與孤島電極5 〇 8連接之結構。 另外，晶片接合區、電極共用部5〇7與孤島電極5〇8之電 不同依°又°十而各連接LED晶片501之陽極電極與陰極 電極之其中一方。 絕緣部509由環氧樹脂等之RCC樹脂（塗布樹脂之銅）而形 成，並以從晶片接合區、電極共用部5〇7電性絕緣之方式 形成孤島電極508。再者，於上述環氧樹脂中添加有反射 4〇〇 nm〜850 nm之波長區域的可見光線之光反射性填料。 130ll4.doc -14- 200908385 上述環氧樹脂應為在上述波長區域之光反射率為5〇%以上 者。上述光反射性填料可使用光反射率高之氧化鋁、氧化 夕一氧化鈇專。其中特別宜為二氧化鈦，因其光反射率 高’且在成本面亦廉價。 但是，光反射性填料使用二氧化鈦時，於氧存在下，藉 由光觸媒反應，於發光動作中有致使金屬反射板5〇2、透 光性密封體510及絕緣部5〇9氧化的危險性（氧以通過密封 樹月曰中，被周邊構件吸收而内含之空氣、水分為來源）。 另外，使用氧化鋁、氧化矽等其他光反射性填料時，雖然 不產生上述之光觸媒作用，但是氧化鋁、氧化矽具有吸濕 性。因而在透光性密封體51〇之密封步驟吸濕的空氣及水 刀，在發光動作中藉由熱而氣化，而有致使透光性密封體 1 〇彔】離的危險性。此處，密封上述LED晶片5 〇丨之透光性 密封體510應係耐光性佳，且氣密性佳者。但是，耐光性 佳之樹脂-般而言，容易透過空氣等氣體，空氣及水分可 能到達裝設面。 口此僅添加於LEE)晶片5 0 1之裝設面附近的表面層 ^特別應減少光反射性填料之添加量，藉此，可減少造 成氧化之活性氧量，且使光反射率提高。 因此、色緣部509應具有從光入射側堆疊了不含上述光 射性真料之不添加光反射性填料樹脂層，與含有光反射 性填=添加光反射性填料樹脂層等的4層構造。此處， 裒氧樹月曰為了吸收光’應儘可能薄層狀地形成不含上述光 反射性填料之不添加光反射性填料樹脂層，並在其下層形 130114.doc 200908385 成3有光反射性填料之添加光反射性填料樹脂層。 此=參照圖38至圖41，說明絕緣部5〇9之形成步驟如 如圖38(a)所示，在稱為RCC樹脂（塗布 銅)的銅(CU)箔509&上塗布液體狀之rcc樹脂，而形成 ，固之膏狀的二氧化鈦無添加層(不添加光反射性填料樹 脂：)509b。其次，如圖38(b)所示’在二氧化鈦無添加樹 脂層上塗布在上述液體狀之歌樹脂中添加了二氧化

鈦者，形成同樣地凝固之膏狀的二氧化鈦添加樹脂層(添 加光反射性填料樹脂層)職。使二氧化鈦添加樹脂： 5〇9C凝固後，在二氧化鈦添加樹脂層509c上進一步形成一 氧化鈦無添加樹脂層509b，而形成圖38(〇所示之疊層 509d ° ^ 將經由上述步驟所形成之疊層構造509d，進一步如圖39 所示，附著於形成晶片接合區、電極共用部(第一金屬 部）507與孤島電極（第二金屬部）5{)8之金屬板53q的背面（與 光入射面相反側）’藉由熱擠壓而與金屬板530黏合。 如圖40所示，在堆疊了二氧化鈦無添加樹脂層5〇%與二 氧化鈦添加樹脂層509c之疊層構造5〇9(1的狀態下，研磨銅 箔509a之表面，一部分成為導電層（銅柱層）5〇9e。 將氧化鈦等光反射性填料添加於樹脂時’係在液體狀態 之RCC樹脂中混合光反射性填料，不過，因為在單層之樹 脂中，光反射性填料因與Rcc樹脂之比重差而沈降，而下 沈於銅绪509a側，控制含有光反射性填料之二氧化鈦添加 樹脂層（添加反射性填料樹脂層）5〇9c之位置困難。因此， 130114.doc -16- 200908385 首先在連接於導電層509e之銅箱5〇9&上，形成二氧化鈦無 添加樹脂層509b，在二氧化鈦無添加樹脂層兄处上形成含 有上述光反射性填料之二氧化鈦添加樹脂層（添加反射性 填料層）509c，使其凝固，於二氧化鈦添加樹脂層5〇%上 再度塗布不含上述光反射性填料之RCC樹脂，而形成二氧 化鈦無添加樹脂層（不添加反射性填料樹脂層）5〇9b，可使 裝設面表面不含反射性填料。將如此形成之RCC樹脂如上 述地附著於形成了晶片接合區、電極共用部5〇7與孤島電 極508之金屬板530的背面，藉由熱擠壓加工而形成絕緣部 509。之後，簡單說明如下，在絕緣部5〇9之下層，以晶片 接合區、電極共用部5〇7與孤島電極5〇8之電位通過導電層 5〇9e，向基板背面側導通，且在晶片接合區、電極共用部 5〇7與孤島電極508之間可保持絕緣之方式而多層地堆疊 平面狀地配置了導電層及樹脂層之層，附著開設了貫穿孔 之玻璃環氧基板，並以通過貫穿孔而與導電層通電之方式 設背面電極，最後，藉由姓刻金屬板之表面側，以絕緣部 509露出於裝設面之方式而形成反射板。 圖41係顯示圖40所示之剖面圖以圓圈包圍之區域的放大 剖面圖。 如此，藉由在絕緣部509中使用含有光反射性填料之 RCC樹脂，如圖41所示，可使從led晶片5〇1射出而入射 於絕緣部509之光，以及從密封LED晶片5〇1之透光性密封 體510中含有的螢光體放出而入射於絕緣部5〇9之光，以上 述光反射性填料反射。因而，可減低進入絕緣部5〇9被周 130114.doc 17 200908385 邊構件反射時，-部分被吸收而衰減之光，而可謀求光利 用效率及散熱性之提高。 此外，即使光反射性填料使用二氧化鈦時，與添加於絕 緣部509全部區域之結構比較，可抑制在氧存在下，因該 光反射性填料之光觸媒反應，造成金屬反射板5〇2、透^ 性密封體510、絕緣部509之氧化，及透光性密封體51〇之 剝離等的問豸’並可謀求提高來自光射出面之射出光強 度。 亦即，因為可減低被絕緣部509吸收之光及通過上述基 板而從背面側向外部放出之光量，所以可謀求光利用效率 及散熱性的提高。 此外，上述RCC樹脂應藉由在惰性氣體氣氛下之熱步驟 而形成。藉此，因為可防止用於絕緣部5〇9之樹脂變質（變 汽）’所以光不致被變質樹脂吸收，而可有效地發揮上述 效果。 特別是在密封透光性密封體5 1 〇之步驟，對透光性密封 體5 10注入樹脂時，空氣及水分容易進入裝設面。在該狀 態下加熱硬化時，藉由内含之空氣及水分，裝設面之絕緣 部（RCC樹脂）509被氧化。因而，透光性密封體51〇之加熱 硬化步驟應在惰性氣體氣氛下進行。 本實施形態中，如圖2所示’從垂直於led晶片501之發 光面50 la的方向觀察時’絕緣部5〇9與晶片接合區、電極 共用部507之界面成為直線。但是，從光之利用效率方面 而言，在安裝面中被金屬反射板5 〇2包圍之區域内，包圍 130114.doc 18 200908385 孤島電極508之絕绫邮— & HP 509宜儘量形成狹 裝面金屬反射骐之晶月 《加作為女 曰片接3區、電極共用部5〇7佔 因而，綜合而言，第二層 體化地疊層化，而形成有與 形成之晶片接合區、電極共 形成之孤島電極508。 522係與金屬反射板502形成一 孤島電極508夹著絕緣部5〇9而 用部507與被絕緣部5〇9包圍而 Ο

設第三層523係為了電性連接第二層⑵與後述之第四層 524之間，在第二層522上形成絕緣部5〇9時，亦具有提高 絕緣部509之接著度的功能。 在經由上述接著層之第三層⑵而與其他構件接著的界 面附近，A 了避免與水分及空氣接觸’應形成不含二氧化 欽等光反射性填料之結構。亦即，由於上述接著層及其他 構件之界面容易滯留水分及空氣，因&，應不使光反射性 填料接觸。此外，添加二氧化鈦之上述絕緣部5〇9的樹 脂，一般而言，係使用環氧樹脂等幾乎不透過空氣等氣體 的樹脂。因而，特別宜為在絕緣部5〇9之樹脂内部設置二 氧化鈦添加樹脂層509c。 不形成絕緣部509，而形成了晶片接合區、電極共用部 507及孤島電極508的圖案化面，係具有僅蝕刻了晶片接合 區、電極共用部507及孤島電極508外緣之厚度（階差）的狀 態。此時，為了形成絕緣部509 ’即使將與上述厚度相同 居度之絕緣材料黏合於圖案化面而擠壓，由於接合面係平 面，因此仍可能剝落。 130114.doc -19- 200908385 因此，藉由在比第二層522被蝕刻之外緣的内側，增設 具備具有被敍刻之外緣的導電部53丨及導電部532之第三層 523，而增加與絕緣部5〇9之接觸面積，使絕緣部5〇9之接 合性提高。 另外，為了確實分離陽極與陰極，在孤島電極5〇8形成 區域正下方之導電部532須形成比孤島電極5〇8小。 其次’說明中間層504之結構。

Ο 中間層504具有從安裝面側堆疊了第四層524、第五層 525及第六層526的3層疊層構造。中間層5〇4係電性連接第 三層523與形成於後述之形成於第五層525及第六層5%的 貝牙孔515及貫穿孔516之各電極部者。 第四層524係以不接觸與晶片接合區、電極共用部5〇7電 性連接之導電部533，以及與孤島電極508電性連接之導電 部534的方式形成。導電部533係以覆蓋第三層523中之導 電部531形成區域全體的方式而形成。同樣地，導電部别 係以覆蓋第三層523中之導電部532形成區域全體的方式而 形成。此處，導電部533及導電部534，為了防止在切割發 光元件500時’因發生毛刺而損傷，係以確保切割之邊緣 的方式而形成。 第五層525係以不接觸與晶片接合區、電極共用部5〇7電 性連接之導電部535，以及與孤島電極5〇8電性 部536的方式而形成。 ^導電 第六層526係以不接觸與晶片接合區、電極共用部加電 性連接之導電部537，以及與孤島電極508電性連接之導電 330114.doc •20- 200908385 部53 8的方式而形成。 導電部537及導電部538為了避免在後述之貫穿孔515及 貫穿孔516中實施銅電鍍517時，銅從貫穿孔515及貫穿孔 5 16之間隙洩漏，係以比貫穿孔515及貫穿孔5 16之面方向 寬度大的寬度’覆蓋貫穿孔515及貫穿孔516之方式而形 成。 其次，說明背面層505。 背面層505具有從安裝面側堆疊了第七層527與第八層 528之2層疊層構造。第七層527及第八層528由玻璃環氧基 板等之黏合底材構成，並使用黏著膠帶514&而堆疊。 在第七層527及第八層528之2層構造的背面層505中形成 有貫穿孔515及貫穿孔516。貫穿孔515及貫穿孔516分別係 對連接於晶片接合區、電極共用部5〇7之陰極電極以及連 接於孤島電極508之陽極電極進行佈線的部分。貫穿孔515 及貝穿孔5 1 6分別設於晶片接合區、電極共用部5〇7及孤島 電極5 0 8的下層側。 貝穿孔515及貫穿孔516為了使陽極與陰極之熱電容相 同，而配置成距安裝面之中心cl等距離（dl=d2)，並藉由鑽 孔加工而形成。 此因，為了連接背面電極（後述之背面電極5丨8及背面電 極519)與外部電極，而進行焊接時，若背面電極中，陽極 側與陰極侧之面積不同而熱電容中產生差異時，焊錫的熔 化情形產生偏差，而發生焊接不良。 再者，陽極電極與陰極電極之在疊層基板5〇6背面的離 130114.doc 200908385 開部分，係以陽極電極與陰極電極對安裝面之中心。形成 等距離（d3=d4)之方式配置。但是，上述貫穿孔515及貫穿 孔5丨6之直徑，只須以確保切割之邊緣’不致引起電鍍不 良之方式，依設計來決定即可。 如以上所述，堆疊有第七層527與第八層528之背面層 505，經由黏著膠帶514b，藉由擠壓而附著於第六層526。 此處，貫穿孔515及貫穿孔516係以藉由第六層526之導電 部537及導電部538覆蓋的方式而形成。 - 該狀態下，在貫穿孔515及貫穿孔516中之各個内周面實 施銅電鍍517。再者，由於第六層526之導電部537及導電 部538係以覆蓋貫穿孔515及貫穿孔516之方式附著，因 此’亦在露出於貫穿孔5 1 5及貫穿孔5 1 6之内側的第六層 526之導電部537及導電部538中實施銅電鍍。 此外，亦在第八層528之下面形成銅電鍍5 17。而後，姓 刻貫穿孔5 1 5與貫穿孔5 1 6間之銅電鍍5 1 7。藉此，形成與 晶片接合區、電極共用部5 0 7電性連接之背面電極5 1 8以及 / 與孤島電極508電性連接之背面電極519。在背面電極518 及背面電極5 1 9中，於後述之金屬反射板502内周側之表面 502a實施銀電鍍512時，形成銀電鍍512。 金屬反射板502係以反射從LED晶片501之發光面501 a射 出之光’而導向光射出面513的方式構成。此外，金屬反 射板502由銅構成’且以包圍LED晶片501及孤島電極5〇8 之方式，而與疊層基板506 —體地形成於基板之安裝面。 詳細而言，金屬反射板502係以在内周側晶片接合區、電 130114.doc -22- 200908385 極共用部507 —部分露出之方式’而與晶片接合區、電極 共用部507—體地形成。 如圖2所示，金屬反射板5〇2以側面之内側表面5〇2&在疊 層方向具有弓形剖面之方式而形成。 另外，金屬反射板502内周側之形狀，係藉由蝕刻概略 立方體之金屬反射板而形成。此外，亦可藉由擠壓加工金 屬箔，而形成凹形狀，藉由蝕刻凹形狀，而形成金屬反射 板502之内周側形狀。藉此，由於钱刻成已經形成之凹形 狀，因此更可輕易地形成金屬反射板5〇2内周側之形狀。 因為金屬反射板502外周侧之側面係以濕式蝕刻而形 成所以，垂直於疊層基板506之剖面的形狀形成緩和之 曲線狀。詳細而言，係形成從上端向下端，而從led晶片 5 01遠離之緩和曲線狀。 透光性密封體5 10係以密封被疊層基板5〇6與金屬反射板 5〇2包圍之内部空間的方式而形成。此外，透光性密封體 51〇由樹脂構成，本實施形態係使用矽。從LED晶片5〇丨之 發光面50U發出的光，從設於透光性密封體51〇之光射出 方向的光射出面513射出。 在金屬反射板5〇2之上面及内周側之表面5〇2a實施銀電 鑛512。因為銀對藍色光之反射率非常高，所以如此藉由 實施銀電錢512,可有效反射從LED晶片5〇1射出之光，而 導向光射出面513。 另外，透光性密封體510具有保護LED晶片5〇1、連線 511及銀電鑛512之功能。 130114.doc -23- 200908385 如上述，為了如上述地有效反射來自LED晶片501之發 光，而在金屬反射板5〇2中實施對藍色光之反射率高的銀 電鐘5 12仁疋，因為銀之反應性高，所以容易因腐蝕性 氣體等而變色、惡化。目此，為了防止在不佳條件下，銀 發生反應或剝落，而藉由透光性密封體5丨〇保護。

本實施形態如上述’將來自被上述安裝面與金屬反射板 5〇2包圍之區域中的LED晶片5()1之光的射出方向上端部作 為光射出面513而開口，透光性密封體⑽以填充上述區域 之方式而形成。再者，在上述區域中之光射出面M3(上端 開口部)與成為底面之安裝面之間的"， 之剖面的最大寬比光射出面513之面方向的最; 區域，從該中段部向光射出面5丨3而縮小開口。 此外，實施了銀電鍍512之金屬反射板5〇2的表面心， 以及晶片接合區、電極共用部5〇7及孤島電極5〇8實施了銀 電鍍M2之區域中與透光性密封體51()接觸之内周面破壞成 凹凸形狀宜為陡崎之山與谷連續的形狀。破壞表面之方 法’一般而言使Μ前所使用之各種方法即可，如可在以 敍刻金屬反射板502而形成之步驟，及哕 汉这步驟後，在安裝 面除去設於金屬反射板502與第二層522 之鎳層（無圖示） 的姓刻步料，與通常之情況變更腐#及_條件 破壞金屬反射板502表面而形成。 如上述，因為銀電鍵512反應性高且容易惡化、腐姓， 所以需要保護銀電鍍5 12，防止剝離、亞 雕惡化。因此，本實 130114.doc -24- 200908385 施形態係藉由上述之結構，使透光性密封體51〇密合於銀 電鍍512’而提高作為透光性密封體51〇之保護膜的功能。 此外，透光性密封體510中含有螢光體。藉此，從LED 晶片501發出之藍色光在透光性密封體51〇内轉換成黃色 光。所以’藉由合成從LED晶片501發出之藍色光與從榮 光體發出之黃色光，而可從光射出面513射出白色光。 另外，從LED晶片501發出之藍色光獲得白色光時，如 上述’有使用黃色螢光體之方法，及使用綠色螢光體與紅 色螢光體之方法專。組合上述時，可混合光而獲得白色 光。 其次，說明在具有上述結構之發光元件5〇〇中，來自 LED晶片501之發光進行的方向。 首先，從LED晶片501之發光面50la發出的光，應從光 射出面5 13無光損失地有效射出。如上述，基本上來自 LED晶片501之發光面501a的射出光強度為最大之方向， 係垂直於發光面501a之上方向。因此，透光性密封體51〇 ί .! 之光射出面513係以與LED晶片501之發光面5〇1&相對的方 式設置，因此光射出面5 13之配置最佳。 但是，詳細而言，從LED晶片501之發光面50 la發出的 . 光係從發光面501 a放射狀地發出。且光在穿透透光性密封 體510之途中’波長藉由螢光體而轉換，並且轉換後之光 散射而發出。所以，光係在180度中任何一個方向行進。 由於金屬反射板502具有不分斷而包圍全周之形狀，因 此向金屬反射板502方向行進之光，不致從金屬反射板5〇2 130114.doc -25· 200908385 洩漏於外部，而在金屬反射板5〇2之表面5〇2a中反射。而 後，上述光藉由一次或數次重複反射，而從透光性密封體 510之光射出面513射出。 另外由於螢光體具有下沈於底部之性質，因此在透光 性密封體510之内部，有營光體下沈於基板側的傾向。但 • 是，本實施形態之發光元件5〇〇係藉由金屬反射板502來反 • 身十光，而可在基板方向行進。所以亦可有效活用螢光體。 另外，從LED晶片501發出之全部光未必均到達光射出 () 面513 ’亦產生在疊層基板506之方向行進的光。此處，就 5亥*1^況之光的路輕詳細作說明。 藉由樹脂構成疊層基板5〇6時，因為樹脂具有光穿透 性，所以使光穿透。該因應對策亦可考慮在疊層基板的任 何一層中形成金屬，來抑制穿透而從疊層方向（換言之， 係與發光面501a側相反側之疊層方向）洩漏之光。 但是，在製造步驟中，發光元件5〇〇最後藉由切割而分 離。藉由該切割而形成之端面係各層之端部露出的狀態。 ^ 所以，在層内行進之光從上述端面射出。 亦即，將發光元件500之封裝形成概略立方體時，重心 之位置為LED晶片501，將某作為光射出面513。此 時，光從與光射出面513形成90度之4個面洩漏。 本實施形態為了抑制光茂漏，係在被安裝面中之金屬反 射板502包圍的區域内，以被絕緣部5()9包圍之方式形成日日日 ^接合區、電極共用部507及孤島電極5〇8，並將晶片接合 £、電極共用部507擴大形成於該絕緣部509之外側區域。 130114.doc •26· 200908385 從發光元件洩漏之光成為迷光，插入發光元件作為液晶 面板之背光等的光源時’，對液晶面板之顯示成為無用 光。此外，即使以光源部消除無用光時，仍會發生光損 失。所以，無法有效地使用來自LED晶片之射出光。 此外，由於迷光被發光元件外部之其他構件吸收，因此 全體而言形成魔大的光能損失’同樣地，無法有效地使用 來自LED晶片之發光。 金屬使光反射。所以’即使光在疊層基板506側之方向 行進’由於被金屬反射板502包圍之安裝面上之形成金屬 的區域變寬’因此不致穿透疊層基板506而再度反射，而 可增加在光射出面513方向行進之光。此外，可進一步抑 制穿透疊層基板506内部之光。 本實施形態之發光元件5 00係以反射來自LED晶片5 01之 射出光，而導向設於光射出方向之光射出面513的金屬反 射板502，直立設置於LED晶片501之光射出方向，而圍住 LED晶片5 0 1之周圍全體的方式形成。因而，可將從LED晶 片501放出至周圍之光，以金屬反射板502反射，而有效導 向光射出面5 13。藉此，可抑制來自發光元件5 0 0之側面側 的光洩漏，而謀求提高來自光射出面513之射出光強度。 此外，在被安裝面上之金屬反射板502包圍的區域内， 且在將孤島電極508與晶片接合區、電極共用部507絕緣用 之絕緣部509的形成區域外，形成有作為安裝面金屬反射 膜之晶片接合區、電極共用部507。因而，可使從上述 LED晶片50 1射出之光中，許多朝向基板側之光藉由晶片 130114.doc -27- 200908385 接合區、電極共用部507反射，而導向設於光射出方向之 光射出面5 13側。因而，可減低被基板吸收之光及通過基 板而從背面側向外部洩漏之光量。藉此，可謀求提高來自 光射出面之射出光強度。 此外，本實施形態之發光元件5〇〇，係藉由LED晶片50 1 發光而在LED晶片501上產生熱。但是，LED晶片501係安 裝於擴大形成之晶片接合區、電極共用部5〇7，且晶片接 合區、電極共用部507與金屬反射板5 02—體成形。因而， 本實施形態之發光元件500的散熱性亦優異，可減低熱造 成構成元件之各構件或元件本身的損傷之問題發生。 此外’因為用於上述發光元件5〇〇之透光性密封體51〇的 石夕之接著性弱’所以僅平面地附著時可能剝落。 但是’本實施形態之發光元件5〇〇如上述’金屬反射板 502之作為光射出面513的光射出方向上端之開口部縮小成 比该開口部與安裝面側之底面部之間的中段部狹窄。因而 防止從發光元件500剝落透光性密封體51()。 再者，於金屬反射板5〇2中之與實施了銀電鍍512之透光 !生役封體510接觸的内周面形成有凹凸。如此，因為擴大 透光性密封體510與金屬反射板502之接觸面積，所以透光 性岔封體5 1〇與金屬反射板5〇2之密合度提高，而抑制透光 性密封體5 1 0剝落的問題。 此外，如圖2所示，至少背面電極519應以覆蓋包圍孤島 t 508而先成之絕緣部5〇9的形成區域與對應於疊層方向 區域王體的方式形成。藉此，可防止從LED晶片501射 1301U.doc -28- 200908385 出之光中，從安裝面朝向基板内部之光經由絕緣部5〇9， 通過基板而從背面側向元件外部釋放。藉此，可謀求提高 來自光射出面513之射出光強度。 藉此，反射穿透疊層基板506而來之光’防止穿透至外 部。所以，可抑制光之洩漏。 孤島電極508經由形成於第四層524之導電部534，而與 背面電極519連接。此處，導電部534應以覆蓋絕緣部5〇9 之形成區域與對應於疊層方向之區域全體的方式形成。 如此，藉由以覆蓋比背面電極519分別形成於基板安裝 面側之導電部534的方式形成絕緣部509，可更有效地減低 通過絕緣部509而從背面側向元件外部洩漏之光量。 此外，導電部534宜以覆蓋金屬反射板5〇2内周側之包圍 孤島電極508而形成的絕緣部5〇9之尺寸，覆蓋絕緣部5〇9 之方式而配置。藉此，反射穿透疊層基板5〇6而來之光， 防止穿透至背面層505。所以可抑制光之洩漏。 此外，在疊層基板5〇6之第八層528中，於四個角落設有 缺口 539。而後，該缺口 539中亦形成有銅電鍍517。 上述結構之情況，最後切割發光元件500時，形成於缺 口 539之銅電鍍部分亦切割。所以，在切斷之側面的銅電 鍍部分發生毛刺。因而，從毛刺產生之金屬鬚接觸於金屬 反射板502，而發生短路。 因此，藉由使金屬反射板502之外周面最大的外緣配置 於比缺口 539之形成位置更内側，可防止發生上述之短 路。 130114.doc -29- 200908385 具體而言，因為上述金屬鬚最大成為與背面層505之厚 度相等的長度，所以’將金屬反射板5〇2之外周面大的外 緣與缺口 539之距離設為A，將金屬反射板502與背面層505 間之厚度（從第二層522至第七層527之厚度）設為b，將背 面層505之厚度設為C時， 應設計成 A>C-B 〇 此外’金屬反射板502之開口部及外周侧的側面形狀只 須依容易蝕刻之形狀及設計來決定即可。圖4係顯示具有 其他外周側之形狀的金屬反射板541。圖5係顯示具有其他 外周側之形狀的金屬反射板5 4 2及開口部5 4 3。 再者’由於要求光源之小型化，所以發光元件之外形尺 寸應儘量小。另外’為了確保光源之發光面積，金屬反射 板502之開口部應實現元件之小型化而儘量設計較大。 [第二種實施形態] 依據圖ό至圖14及圖23至圖26’說明本發明其他實施形 fe如下。另外，為了方便說明，在與前述實施形態之圖式 所不的構件相同之構件上註記同一符號，而省略其說明。 本實施形態之發光元件600形成除了第一種實施形態之 發光元件500發揮的效果之外，進一步防止光洩漏效果優 異，且減少疊層基板606之疊層數的結構。以下’著重於 發揮此等效果之結構及作用來說明。 月’J述第一種實施形態之發光元件5〇〇，其絕緣部5〇9與晶 片接合區、電極共用部507之界面，從垂直於光射出面之 1301I4.doc -30· 200908385 方向觀察時成為直線。 本實施形態係如圖6、圖7及圖23所示，因為在安裝面中 之被金屬反射板502包圍的區域内，將孤島電極6〇8與晶片 接合區、電極共用部607電性絕緣之絕緣部6〇9，以圍住孤 島電極608外周之方式而形成環狀，所以可以更小之面積 使孤島電極608與晶片接合區、電極共用部6〇7絕緣。 此外’因為係以包圍將孤島電極_與晶片接合區、電 極共用部607電性絕緣用之絕緣部_的方式形成晶片接合 Ο 區、電極共用部6G7’所以在絕緣部609與金屬反射板5〇2 之間介有晶片接合區、電極共用部6〇7。因而在金屬反 射板502之形成步驟中，即使產生位置偏差之情況，絕緣 部609之形狀及面積不受影響，來自絕緣部6〇9之光洩漏量 不致變動。再者，無須注意處理上之對準誤i，而形成最 短之金屬反射板502與晶片接合區、電極共用部6〇7、第二 孤島電極608形成絕緣用之離開距離，而可將絕緣部6〇9之 區域設計最小。因而，可更有效地防止來自絕緣部609之 ^ 光洩漏，可藉由安裝面金屬反射膜更有效地使從金屬反射 板502朝向基板側之光反射於光射出面513側。結果可謀求 光利用效率及散熱性的進一步提高。 亦即’在安裝面上之被金屬反射板5〇2包圍的區域内， 可將作為安裝面金屬反射膜之晶片接合區、電極共用部 607 ’以經由絕緣部6〇9而圍住孤島電極6〇8之方式擴大而 全面地形成，所以可比第一種實施形態之結構，進一步減 低被基板吸收之光及通過基板而從背面側向外部洩漏之光 130114.doc -31 · 200908385

圖6係顯示本實施形態之發光元件6〇〇 一種結構例的立體 圖。 _ 如圖6所示’本實施形態之發光元件6〇〇具備：Led曰片 501、金屬反射板502、疊層基板6〇6(表面層6(n、士时紛 J Y間層 6〇4及背面層605)及透光性密封體510。 表面層603中形成有：晶片接合區、電極共用部（第一金 屬部）607、孤島電極（第二金屬部）6〇8及絕緣環（第二絕緣 部）609 。 如上述，絕緣環609係以圍住孤島電極608之外周的方式 而形成環狀（甜甜圈型）。因而，在安裝面中被金屬反射板 5 02包圍之區域内，即使將作為安裝面金屬反射膜之晶片 接合區、電極共用部（第一金屬部）6〇7，經由絕緣環6〇9而 以圍住孤島電極608之外周的方式擴大全面地形成，因為 仍可使孤島電極6 0 8與該區域之其他部位絕緣，所以可將 從LED晶片501射出之光中’許多朝向基板側的光，藉由 上述安裝面金屬反射膜反射，而導向設於光射出方向之光 射出面5 13之侧。因而’可減低被基板吸收之光及通過基 板而從背面側向元件外部釋放之光量，可謀求提高來自光 射出面513之射出光強度。 絕緣環609與第一種實施形態之絕緣部509同樣地由環氧 樹脂等之RCC樹脂而形成。再者，RCC樹脂含有反射400 nm〜850 nm之波長區域的可見光線之光反射性填料。RCC 樹月a應為在上述波長區域之光反射率為50%以上者。上述 130114.doc -32- 200908385 光反射性填料可㈣光反射率高之氧仙、氧化石夕及二氧 化鈦等。纟中特別宜為二氧化鈦，因其光反射率高，且在 成本面亦廉價。 但是’光反射性填料使用：氧化鈦時，於氧存在下，藉 由光觸媒反應，於發光動作中有致使金屬反射板5〇2、透 光性密封體5H)及絕緣環㈣氧化的危險性（氧以通過密封 樹脂中，被周邊構件吸收而内含之空氣、水分為來源）。 另外，使用氧彳b 、氧切等其他光反射性填料時，雖然 不產生上述之光觸媒作用，但是氧化鋁、氧化矽具有吸濕 性。因而在透光性密封體51〇之密封步驟吸濕的空氣及水 分，在發光動作中藉由熱而氣化，而有致使透光性密封體 51〇剝離的危險性。此處，密封上述LED晶片5〇1之透光性 密封體510應係耐光性佳，且氣密性佳者。但是，耐光性 佳之樹脂一般而言，容易透過空氣等之氣體，空氣及水分 可能到達裝設面。 因此，僅添加於LED晶片50 1之裝設面附近的表面層 時’特別應減少光反射性填料之添加量，藉此，可減少造 成氧化之活性氧量，且使光反射率提高。 因此’絕緣環609應具有從光入射側堆疊了不含上述光 反射性填料之不添加光反射性填料樹脂層，與含有光反射 性填料之添加光反射性填料樹脂層等的疊層構造。此處， 環氧樹脂為了吸收光，應儘可能薄層狀地形成不含上述光 反射性填料之不添加光反射性填料樹脂層，並在其下層形 成含有光反射性填料之添加光反射性填料樹脂層。 130114.doc -33- 200908385 就絕緣環609之形成步驟，因為可以藉由與前述第一種 實施形態之絕緣部509同樣的方法形成，所以省略在此處 之說明。 如此，藉由絕緣環609中使用含有光反射性填料之rcc 樹脂，可使從LED晶片501射出而入射於絕緣環6〇9之光， 及從密封LED晶片501之透光性密封體51〇中含有的螢光體 放出，而入射於絕緣環609之光，以上述光反射性填料反 射。因而，可減低進入絕緣環609而反射於周邊構件時， 一部分被吸收而衰減的光，可謀求提高光利用效率及散熱 性。 此外，即使光反射性填料使用二氧化鈦時，與添加於絕 緣環609全部區域之結構比較，可抑制在氧存在下，因該 光反射性填料之光觸媒反應’造成金屬反射板5〇2、透光 性密封體5 1 0、絕緣環6 0 9之氧化，及透光性密封體5 1 〇之 剝離等的問題，並可謀求提高來自光射出面之射出光強 度。 亦即，因為可減低被絕緣環609吸收之光及通過上述基 板而從背面側向外部放出之光量，所以可謀求光利用效率 及散熱性的提高。 此外，上述RCC樹脂應藉由在惰性氣體氣氛下之熱步驟 而形成。藉此，因為可防止用於絕緣環609之樹脂變質（變 黃），所以光不致被變質樹脂吸收，而可有效地發揮上述 效果。 此外，本實施形態之發光元件600藉由削減散熱性低之 130114.doc -34- 200908385 樹脂形成區域，而擴大形成作為安裝面金屬反射膜之晶片 接合區、電極共用部6〇7，亦可獲得散熱性提高之效果。 再者’與第一種實施形態同樣地，因為晶片接合區、電極 共用部607與金屬反射板502一體地形成，所以可將金屬反 射板502上發生之熱有效地向外部釋放。 此外，本實施形態之發光元件600的疊層基板6〇6之結 構’ $層數比第一種實施形態之發光元件5〇〇的疊層基板 5〇6少。就此參照圖7及圖8作說明。另外，由於疊層基板 606與在金屬反射板5〇2上堆疊疊層基板6〇6而形成一體 型，因此將金屬反射板5 02作為第一層621，而說明如下。 圖7係顯示發光元件600之詳細結構的剖面圖。 圖8顯示金屬反射板502與疊層基板6〇6之各層的蝕刻圖 案例。圖8中，（a)顯示第一層621，（b)顯示第二層622，（c) 顯示第三層623，（d)顯示第四層624，（e)顯示第五層625， (f)顯示第六層626。 表面層603具有從安裝面侧堆疊了第二層622與第三層 623之2層構造。 在第一層622(安裝面）中，作為供給驅動電流至晶片 5〇1的電極端子，而形成有與LED晶片5〇1分別連接之晶片 接合區、電極共用部（第一金屬部）6〇7與孤島電極（第二金 屬部）608。此外，將孤島電極608與晶片接合區、電極共 用部607電性絕緣用之絕緣環609係以圍住孤島電極6〇8外 周之方式而形成環狀。 與第一種實施形態不同，在本實施形態之安裝面上，曰 130114.doc •35· 200908385 :=8區^極共用部6〇7係以經由絕緣環_而圍住孤島 電極_外周的方式形成。亦即，在形成於安裝面之金屬 反射膜602與絕緣環6〇9之間， 力办成有作為安裝面金屬反 射臈之晶片接合區、電極共用部607。 卜日日片接合區、電極共用部6〇7、孤島電極6〇8及絕 緣環_除上述形狀之外，具有與第_種實㈣態之晶片 接合區、電極共用部5〇7、孤島電極抓及絕緣部5〇9相同 的結構。

第三層623係用於電性連接第二層622與後述之第四層 624而δ又之層，在第二層622上形成絕緣部時，亦具有提高 絕緣環609之接著度的功能。 在由作為上述接著層之第三層623而與其他構件接著 之界面附近，為了避免與水分及空氣接觸，應形成不含二 氧化鈦等光反射性填料之結構。亦即，由於與接著層及其 他構件之界面谷易滯留水分及空氣，因此應不使光反射性 填料接觸。此外，添加二氧化鈦之上述絕緣環6〇9的樹 月曰’一般而言係使用環氧樹脂等幾乎不透過空氣等氣體的 樹脂。因而，特別宜在絕緣環6〇9之樹脂内部設置二氧化 鈦添加樹脂層5〇9c。 此外’在第三層623中形成有電性連接形成於安裝面之 各電極與背面電極用的導電部63 1及導電部632。導電部 631及導電部632具有與第一種實施形態之導電部531及導 電部532基本上相同的結構。導電部63丨及導電部632之形 成區域係依晶片接合區、電極共用部607及孤島電極608之 130114.doc -36- 200908385 形狀等而適宜選擇。 其次，說明中間層604。 本實施形態之中間層604,與第一種實施形態之且備有3 層疊層構造之中間層504的疊層基板5〇6不同之處為：僅 第四層624構成 ^第四層624係為了電性連㈣三層⑵與形成於在後述之 第五層625與第六層626中所形成之貫穿孔515及貫穿孔幻6 的背面電極518及背面電極519而設。

此外，第四層624以不接觸與晶片接合區、電極共用部 607電性連接之導電部633，以及與孤島電極6〇8電性連接 之導電部634的方式而形成。 導電部633為了在銅雷妒:言空了丨太 你剌电蛵貝穿孔515時，銅不致洩漏，而 以覆蓋貫穿孔515全體之方式形成。亦即，導電部㈣擔任 覆蓋貫穿孔515之角色。另外，切割發光元件6〇〇時可能 發生毛刺，不過，因為導電部633與金屬反射板5〇2相同電 位，所以不產生因毛刺之接觸而短路的問題。 導電部634覆蓋第三層623中導電部632之形成區域全 體，且形成在面方向比貫穿孔516小的寬度。導電部634係 為了在切割發光元件600時，防止因發生毛刺而造成損 傷’以確保切割之邊緣而形成。 其次’說明背面層605。 背面層605具有從安裝面側堆疊了第五層625與第六層 626的2層疊層構造。第五層625及第六層626之結構具有與 第一種實施形態之第七層527及第八層528各個相同的結 130114. doc -37- 200908385 構。 隹叠了第五層625與第六層626之背面層6〇5，經由黏著 :帶’藉由擠壓而附著於第四層624上。此處，係以藉由 第四層624之導電部633覆蓋的方式而形成貫穿孔515。 另外，貫穿孔516係以將第四層624之導電部634收納於 内部，且以第三層623覆蓋之方式形成。如此，藉由使第 四層624之導電部634的面方向寬度比貫穿孔516之面方向 寬度小，可以第三層623堵塞貫穿孔516。疊層一體化之第 五層625及第六層626對第四層624，幾何學性地僅以導電 部633面接觸，於加壓時，會將導電部633之階差部分傾斜 於支點而產生間隙，不過，藉由適宜調整導電部633及黏 著膠帶之厚度，疊層一體化之第五層625及第六層626不致 傾斜’而可平坦地接合於第四層624，藉此，可在後述之 銅電鑛5 17的形成步驟中防止銅之洩漏。 邊狀態下，貫穿孔515及貫穿孔516在各個内周面形成銅 電鍍5 17。而後，由於第四層624之導電部633以覆蓋貫穿 孔515之方式形成，因此銅電鍍517亦形成於第四層624之 導電部633中。此外，由於第三層623及第四層624之導電 部634係以覆蓋貫穿孔516之方式形成，因此銅電鍍517亦 形成於第三層623及第四層624之導電部634中。藉此，形 成有作為發光元件600之外部連接電極端子的背面電極5 i 8 及背面電極519。 疊層基板606如上述，藉由使第四層624之導電部634比 貫穿孔516小，且適宜調整導電部633及黏著膠帶之厚度， 130114.doc -38· 200908385 而實現疊層數之削減。藉此，本實施形態之發光元件6〇〇 可謀求小型化及製造成本之削減。 與第一種實施形態同樣地，金屬反射板5〇2之開口部及 外周侧之側面形狀，只須依容易蝕刻之形狀及設計來決定 即可。如圖9顯不具有其他外周側之形狀的金屬反射板 641 ’圖10顯示具有又其他外周側之形狀的金屬反射板642 及開口部643。 此外，發光元件600就外部連接電極端子，係將背面電 極518及背面電極519形成於與光射出面相反侧的背面側。 但疋，本實加形態不限於此，亦可作為將此等外部連接電 極端子設於光射出面侧的結構。 亦即，如圖11及圖12所示，外部接合電極7 i丨及外部接 合電極712藉由與金屬反射板5〇2一體成形而形成。藉此， 由於可使用區域P及區域q作為焊接面，因此可使焊錫之浸 潤性提高。 然而’藉由形成外部接合電極711及外部接合電極712， 而增大發光兀件之封裝尺寸。對此，將縮小發光元件之封 裝尺寸的結構顯示於圖13及圖14。 顯示於圖13及圖14之結構，藉由具備將金屬反射板5〇2 與外部接合電極7Π予以一體化之一體型外部接合電極 75 1 ’而使發光元件之封裝小型化。 另外，說明具備1個LED晶片5〇丨的結構，不過，本實施 形恕不限於此，如圖24所示之發光元件6〇〇a、圖25所示之 發光元件600b、圖26所示之發光元件600c，亦可適應於具 130114.doc 39- 200908385 備2個以上LED晶片之結構。 圖23至圖26之結構，係孤島電極6〇8之電位，盥包含被 金屬反射板502包圍之晶片接合區、電極共用部6〇7的其他 區域之電位不同的結構。 如此，藉由在1個發光元件内適宜配置數個LED晶片而 裝設，不致使元件之結構大型化，而可提高射出光強度。 另外’ LED晶片之裝設數量並非以4個為上限者，具備大

型元件基板的結構’亦可進一步增加咖晶片之裝設數 量。 [第三種實施形態] 依據圖i7、圖18及圖27至圖31，說明本發明又其他實施 形態如下。另夕卜，為了方便說明’在與前述實施形態之圖 式中所示的構件同一之構件上註記同一符號，而省略其說 明。 ’、 本實施形態之發光元件700具備與前述第一種實施形態 之發光元件500的疊層基板5〇6相同之疊層基板。 如圖17所示，供給驅動電流至LED晶片7〇1之電極端 子，係將與該LED晶片7(M分別連接之任何電極均成為孤 島電極。亦即，反射來自LED晶片7〇1之射出光，而導向 設於光射出方向之光射出面513的金屬反射板7〇2，與前述 第一種實施形態不同之處為：與供給驅動電流至咖晶片 7 01之任何電極均電性絕緣。 本實施形態係在第一孤島電極（第一金屬部）7〇7上連接 LED晶片501之陰極電極，並在第二孤島電極（第二金屬 130114.doc -40- 200908385 部）7〇8上連接陽極電極。 第-：島電極7。7藉由以圍住其外周之方式而形成環狀 之=，，，邑緣部7〇知，而與安裝面中被金屬反射板702包圍 區域的其他部位電性絕緣。 弟孤島電極與第—種實施形態之孤島電極遍同樣 地’藉由以圍住Α外周夕古斗·=, 八外周之方式而形成環狀的第二絕緣部 職，而與上述區域内之其他部位電性絕緣。 7〇9t: ’在上述區域内之第一絕緣部7〇9a與第二絕緣部 外的外側之區域全體形成有安裝面金屬反射膜720。 第一絕緣部709a及第二絕緣部7_與第一種實施形態之 絕緣部5G9及第二種實施形態之絕緣環⑽同樣地，由環氧 樹脂等軟樹脂而形成。上述Rcc樹脂含有反射4〇〇 nm〜85〇 nm之波長區域的可見光線之光反射性填料。虹 上述 二氧 且在 樹脂應為在上述波長區域之光反射率為5〇%以上者 光反射性填料可使用歧射率高之氧仙、氧化石夕 Ο 化欽等。其中特別宜為二氧化鈦，因其光反射率高 成本面亦廉價。 但是，光反射性填料使用二氧化鈦時，於氧存在下，藉 由光觸媒反應’於發光動作中有致使金屬反射板7〇2、透 光性密封體510、第-絕緣部鳩及第二絕緣部觸氧化 的危險性（氧以通過密封樹脂中，被周邊構件吸收而内含 之空氣、水分為來源）。另外’使用氧化紹、氧化石夕等苴 他反射性填料時’雖然不產生上述之光觸媒作用，作是氧 化铭、氧化石夕具有吸濕性。因而在透光性密封體51〇之密 130114.doc -41 - 200908385 封步驟吸濕的空氣及水分，在發光動作中藉由熱而氣化， 而有致使透光性密封體51〇剝離的危險性。此處，密封上 述LED晶片701之透光性密封體510應係耐光性佳，且氣密 f生佳者1_疋，耐光性佳之樹脂一般而言，容易透過空氣 等氣體，空氣及水分可能到達裝設面。 因此，僅添加於LED晶片701之裝設面附近的表面芦 時：特別應減少光反射性填料之添加量，藉此，可減少造 成氧化之活性氧量，且使光反射率提高。 此外，在經由作為上述接著層之第三層623而與1他構 件接著的界面附近’為了避免與水分Μ氣接觸，應為不 含二氧化鈦等光反射性填料的結構。亦即’由於與接著層 及其他構件之界面容易滯留水分及空氣，因此，應不使^ 反射性填料接觸。此外，添加二氧化鈥之H緣部709a 及第一絕緣部709b的樹脂，一般而言係使用環氧樹脂等幾 乎不透過空氣等氣體的樹脂。藉此，特別宜在第一絕緣部 7〇9a及第二絕緣部7〇外的樹脂内部設置二氧化鈦添加樹脂 層 509c 。 因此，第一絕緣部709a及第二絕緣部7〇9b分別應具有從 光^射側堆豐了不含上述光反射性填料之不添加光反射性 =料樹脂層’與含有光反射性填料之添加光反射性填料樹 月θ層等的疊層構造。此處，RCC^脂為了吸收光，應儘可 月b薄層狀地形成不含上述光反射性填料之不添加光反射性 填料Μ脂層’並在其下層形成含有光反射性填料之添加光 反射性填料樹脂層。 130114.doc -42- 200908385 就第-絕緣部709a及第二絕緣部鳩之形成步 可以與前述第一種實 因為 造，所以省略在此處之說明。 诹良 ^卜’即使光反射性填料制二氧化鈦時，與添加於第 部7〇9a及第二絕緣部鳩全部區域之結構比較，可 ^ 存在下’因該歧射性填料之光觸媒反應，造成 金屬反射板702、透光性密封體51〇、第一絕緣部♦及第 Ο s、邑緣。P7G9b之乳化，及透光性密封體5ig之剝離等的問 題，並可謀求提高來自光射出面之射出光強度。 亦即’因為可減低被第一絕緣部7,及第二絕緣部鳩 及收之光及通過上述基板而從背面側向外部放出之光量， 所以可謀求光利用效率及散熱性的提高。 如此’藉由在第-絕緣部·认第二絕緣部鳩中使用 s有光反射性填料之樹脂’可使從乙郎晶片射出，而 入射於第一絕緣部709a及第二絕緣部7〇孙的光，及從密封 led晶片7()1之透光性密封體51〇中含有的螢光體放出，而 入射於第一絕緣部709a及第二絕緣部7〇外的光以上述光 反射ϋ填料反射。因而，可減低進入第一絕緣部川％及第 、邑緣邛709b而反射於周邊構件時，一部分被吸收而衰減 的光，可謀求提高光利用效率及散熱性。 此外，上述RCC樹脂應藉由在惰性氣體氣氛下之熱步驟 而形成。藉此，因為可防止用於第一絕緣部7〇%及第二絕 緣部7〇9b之樹脂變質（變黃），所以光不致被變質樹脂吸 收，而可有效地發揮上述效果。 130114.doc •43- 200908385 此外’發光元件700與前述之第一種實施形態及第二種 實施形態同樣地，反射來自LED晶片701之射出光，而導 向設於光射出方向之光射出面513的金屬反射板702，係以 直立設於LED晶片70 1之光射出方向，並以圍住LED晶片 701之周圍全體的方式而形成。因而，可使從[ED晶片701 放出於周圍之光以金屬反射板702反射，而有效導向光射 出面5 13 °藉此，可抑制來自元件側面之光洩漏，謀求提 高來自光射出面513之射出光強度。

此外’在第一絕緣部709a與金屬反射板7〇2之間，及第 二絕緣部709b與金屬反射板702之間介有安裝面金屬反射 膜720。因而，即使在金屬反射板7〇2之形成步驟中產生位 置偏差時’因為仍可藉由安裝面金屬反射膜72〇吸收偏 差’所以’第一絕緣部709a及第二絕緣部709b之形狀、面 積不致因上述位置偏差而受到影響，即使縮小形成於上述 基板安裝面上之第一絕緣部7〇9a及第二絕緣部709b的各面 積丄仍可確保第一孤島電極及第二孤島電極708的絕緣 ,〜因此，藉由上述結構，可進一步縮小形成於上述安 裝面上之第一絕緣部7〇9a、第二絕緣部7〇9b之各面積，並 可、’’土由此等絕緣部，將圍住孤島電極7〇7及第二孤島電極 708的安裝面金屬反射膜72〇形成更寬廣之面積。因而，可 ，有效地防止來自第二絕緣部·之光&漏，可藉由上述 ^ 屬反射膜更有效地將從金屬反射板702朝向基板 側之光，向伞44· Ϊ m S 4 # 射出面513側反射。結果，可謀求光利用效 率及政熱性之進一步提高。 130114.doc -44 - 200908385 再者’本實施形態之金屬反射板702如上述，亦與第一 孤島電極707及第二孤島電極708之任何一個電性絕緣。因 而如圖18所示，將本發光元件7〇〇安裝於行動電話等電子 機器之由鋁等金屬構成的框體4〇〇時，金屬反射板7〇2不致 帶有電位。因此，可不經由散熱性低之樹脂等，而在使金 屬反射板702接觸之狀態下安裝於框體4〇〇中。藉此，可將 金屬反射板702所發生之熱有效地向發光元件7〇〇之外部釋 放。 再者，本實施形態之發光元件700如圖18所示，在金屬 反射板702之外周面的至少一部分，與包含疊層基板5〇6之 底面的元件外周面上，形成有用於將金屬反射板7〇2所發 生之熱釋放於外部的散熱片740。 藉此，可將金屬反射板7〇2所發生之熱，經由散熱片740 而有效地向外部釋放。 散熱片740應使用散熱性優異之導電性材料。如上述， 本實施形態之金屬反射板702與其他構件絕緣，而不帶電 位。因而，不致產生短路等問題，並可將金屬反射板7〇2 所發生之熱’經由由散熱性優異之導電性材料構成的該散 熱片’而更有效地向外部釋放。另外，上述導電性材料應 使用散熱性特別優異之石墨系材料。 再者’在安裝面上之第一絕緣部709a與第二絕緣部7〇9b 的外側區域形成有安裝面金屬反射膜72〇。因而，可將從 LED晶片701射出之光中，許多朝向基板侧的光藉由安裳 面金屬反射膜720反射，而導向設於光射出方向的光射出 130114.doc •45- 200908385

鬲來自光射出面之射出光強度。

708之背面電極（第一 ，丞板5〇6中之與安裝面相反側的背 r於第一孤島電極707與第二孤島電極 背面電極）71 8與背面電極（第二背面電 極）71 9 ’作為外部連接電極端子。 如此，藉由在安裝基板506之背面側設置作為發光元件 700之外部連接電極端子的背面電極7i8、719，可減低通 過安裝基板506内，而從背面側向發光元件7〇〇之外部洩漏 之光量。 但是，本實施形態不限於此，亦可作為將此等外部連接 電極端子設於光射出面側的結構。 此外，如圖17所示，背面電極718及背面電極719分別以 覆蓋第一絕緣部709a及第二絕緣部709b之各形成區域，與 對應於疊層方向之各區域全體的方式而形成。 因而，可有效防止從LED晶片701射出之光中，從安裝 面朝向基板内部之光，經由第一絕緣部7〇9a及第二絕緣部 709b ’通過疊層基板506，而從背面側向發光元件之外部 洩漏。藉此’可謀求提高來自光射出面之射出光強度。 此外’與第一種實施形態同樣地，背面電極718及背面 電極719分別經由形成於第四層524之導電部734及導電部 733’而與第一孤島電極707及第二孤島電極708電性連 接。此處’本實施形態之導電部734及導電部733分別以覆 130114.doc • 46· 200908385 盍第一絕緣部709a之形成區域與對應於疊層方向之區域全 體以及第二絕緣部709b之形成區域與對應於疊層方向之區 域全體的方式而形成。 如此，藉由將第一絕緣部70%及第二絕緣部7〇9b，以比 背面電極718及背面電極719 ’而分別形成於基板安裝面側 之各導電部734、733覆蓋的方式形成，可更有效地減低通 過該第一絕緣部709a及第二絕緣部7〇9b而從背面側向元件 外部洩漏之光量。

此外，發光元件700與前述之實施形態同樣地，光射出 面5Π將安裝面與被金屬反射板7〇2包圍之區域中來自led 口。再者，透光性密封 成，在上述區域中之光 晶片7 0 1之光的射出方向上端部開 體5 10係以填充上述區域之方式形 射出面513與成為底面之安裝面之間，以具有面方向之剖 面的最大寬度比光射出面513之面方向的最大寬度更大的 區域之方式，縮小上述區域之上端部的開口。 透光性密封體510之密封樹脂係使用與環氧等比較，接 合性弱㈣等。因Λ，如上述，藉由以縮小成為光射出面 513之開口的方式形成金屬反射板7〇2，可提高透光性密封 體510對金屬反射板702之内周面的密合性，並可抑制透光 ㈣封體510之剝離。藉此’可藉由透光性密封體51〇，在 穩定之狀態下保護經銀電鍍的金屬反射板7〇2之内周面。 此外，如圖17所示，至少應在金屬反射板7〇2中之與透 光性密封體510接觸的内周面形成凹凸，以擴大與透光性 密封體51G之接觸面積。藉此’可提高透光性密封體川對 130114.doc -47- 200908385 金屬反射板702之内周面的密合性，並可抑制透光性密封 體5 1 0之剝離。結果’可藉由透光性密封體5丨〇，在穩定之 狀態下保護經實施銀電鐘之金屬反射板7〇2的内周面。 構成本實施形態之發光元件7〇〇的第一孤島電極7〇7、第 二孤島電極708、金屬反射板702及安裝面金屬反射膜72〇 之材料，應使用即使在金屬中仍屬反射性優異之銅、銀、 金或鎳’此因可有效地將從LED晶片701射出之光導向光 射出面5 1 3。 此外，係就具備1個孤島電極608之結構作說明，不過， 本實施形態不限於此，亦可如圖27所示之發光元件6〇〇d、 圖28所示之發光元件6〇〇e，作為具備數個孤島電極的結 構。 ° 圖17之結構中，串聯連接2個LED晶片501之情況，圖18 之結構中，串聯連接經並聯連接了 2個LED晶片之LED晶片 群的情況，如圖29所示，2個孤島電極係以作為一方為陽 極側，另一方為陰極側之不同電位的方式，與不同之背面 電極分別電性連接地形成。另外，圖27之結構中，串聯地 連接2個a曰片之炀況下，並聯地連接圖28所示之4個led晶 片501的情況，如圖3〇或圖3丨所示，2個孤島電極成為相同 電位。該情況下，2個孤島電極均以電性連接於一方背面 電極之方式，配置疊層基板中之各層導電部而形成（無圖 示）。 。另外，圖29至31中之+、_表示孤島電極及晶片接合區、 電極共用部上之陽極（+)、陰極㈠的顯示方法，F表示不向 130114.doc -48- 200908385 任何處降低電位，而為漂浮電位者。該標記在以下實施例 中均同。 [第四種實施形態] 依據圖19、圖20、圖22、圖29及圖32至圖34，說明本發 明又其他實施形態如下。另外，為了方便說明，在與前^ 實施形態之圖式中所示的構件相同之構件上註記同一符 號，而省略其說明。

本實施形態之發光元件8 〇 〇具備與前述第二種實施形態 之發光元件600的疊層基板6〇6相同之疊層基板。 如圖19及圖20所示，本實施形態之發光元件_與前述 第三種實施形態之發光元件7〇〇同樣地，作為供給驅動電 机至LED晶片701之電極端子，係將分別與該led晶片 連接之任何電極均成為孤島電極。此外，反射來自led晶 片701之射出光，而導向設於光射出方向之光射出面513的 金屬反射板802’與前述第二種實施形態不@之處為：與 供…驅動電流至LED晶片7G1之任何電極均電性絕緣。 、實施形.4係成為在第一孤島電極（第一金屬部）斯上 、接EDBa>| 701之陰極電極，在第二孤島電極（第二金屬 部）808上連接陽極電極之結構。 第一孤島電極807成為藉 一 —一穴，「网心万式而形成 %狀的第一絕緣部8〇9a， 叩”女我面中被金屬反射板802 包圍之區域内的其他部位電性絕緣的結構。

地， 一孤島電極808與第 藉由以圍住其外周 二種實施形態之孤島電極608同樣 之方式而形成環狀的第二絕緣部 130114.doc -49- 200908385 8〇外，而與上述區域内之其他部位電性絕緣。 再者’在上述區域内之第—結这Λ 弟絕緣部809a與第二絕緣部 嶋的外側區域全體形成有安裝面金屬反射膜820。 第-絕緣部斷及第二絕緣㈣外與第—種實施形 絕緣物、第二種實施形態之絕緣部6〇9及第三種實_ 態之第-絕緣部709a及第二絕緣部聽同樣地，由環氧樹 脂等Rcc樹脂而形成。上述RCC樹脂含有反射⑽〜咖 Ο ί) ⑽之波長區域的可見光線之光反射性填料。上述環氧樹脂 在上述波長區域之光反射率應為5〇%以上。上述光反射性 填料如可使用光反射率高之氧化銘、氧化石夕、二氧化鈦 等。其中特別宜為二氧化欽，因其光反射率高，且在成本 面亦廉價。 但疋，光反射性填料使用二氧化鈦時，於氧存在下，藉 由光觸媒反應’於發光動作中有致使金屬反射板8们、透 光性密封體510、第一絕緣部_a及第二絕緣部809b氧化 的危險性（氧以通過密封樹脂中，被周邊構件吸收而内含 分為來源）。另外’使用氧化紹、氧化石夕等其 他反射，填料時’雖然不產生上述之光觸媒作用，但是氧 氧匕夕具有吸濕性。因而在透光性密封體510之密 封步驟吸濕的空齑艿士八 丄 花及水分，在發光動作中藉由熱而氣化， 而有致使透光性漆μ c，λ > 疋f在封體51〇剝離的危險性。此處，密封上 述LED日日片7G1之透光性密封體51〇應係耐光性佳，且氣密 Η圭者<_疋’耐光性佳之樹脂一般而言容易透過空氣 等之氣體’空氣及水分可能到達裝設面。 ’、 130114.doc -50· 200908385 j^j jt匕’ /¾1 >jr 添加於LED晶片701之裝設面附近的表面層 特別應〉咸少光反射性填料之添加i，藉此，可減少造 成氧化之活性氧量，且使光反射率提高。 此2，在經由作為上述接著層之第三層623而與其他構 2接f的界面附近’為了避免與水分及空氣接觸，應為不 “乳化鈦等光反射性填料的結構。亦即，由於 :其他構件之界面容易滯留水分及空氣，因此，應不j ^性填料接觸。此外，添加二氧化鈦之第一絕緣部8〇9a 牟；^ S ^ °卩Μ%的樹脂，—般而言係使用環氧樹脂等幾 手不透過空氣等氣體的樹脂。因而 Γ及第二絕緣部嶋的樹脂内部設置二氧化欽添力= 屬 509c 。 因此，第：絕緣部嶋及第二絕緣部_分別應具有從 埴料Γ側隹逢了不含上述光反射性填料之不添加光反射性 填料树脂層，與含有光反射性 脂層等的疊層構造。此處，RCC樹月4力 料樹 々CCW日為了吸收光，應儘可 形成不含上述光反射性填料之不添加光反射性 反射性填料樹脂層。心有先反射性填料之添加光 就第-絕緣部嶋Μ二絕緣部8帆之形成步驟，因為 Γ與前述第—種實施形態之絕緣部⑽同樣的步驟製 k ’所以省略在此處之說明。 光反射性填料使用二氧化鈦時，因為在氧存在下 光觸媒反應而使導電層氧化，所以應儘可能與導電層離開 130114.doc 200908385 而形成。此外’為了與含有氣之☆友土 二瑕运離，應使裝設面表 面不含光反射性填料。 一因此帛 '絕緣809a及第二絕緣部8〇9b分別應具有從 光入射側堆疊了不含上述光反射性填料之不添加光反射性 填枓樹脂層’與含有光反射性填料之添加光反射性填料樹 脂層等的疊層構造。此環氧樹脂為了吸收光，應儘可 能薄層狀地形成不含上述光反射性填料之不添加光反射性

填料樹脂層，並在其下層形成含有光反射性填料之添加光 反射性填料樹脂層。 就第-絕緣部_a及第二絕緣部咖之形成步驟，因為 可以與前述第-種實施形態之絕緣部5 〇 9同樣的步驟製 造，所以省略在此處之說明。 此外，即使紐射性填料使用二氧化料，與添加於第 一絕緣部809a及第二絕緣部8〇9b全部區域之結構比較，可 抑制在氧存在下，因該光反射性填料之光觸媒反應，造成 金屬反射板802、透光性密封體51〇、第一絕緣部8〇9&及第 二絕緣部809b之氧化，及透光性密封體51〇之剝離等的問 題，並可謀求提高來自光射出面之射出光強度。 亦即，因為可減低被第一絕緣部8〇9a及第二絕緣部8〇卯 吸收之光及通過上述基板而從背面側向外部放出之光量， 所以可謀求光利用效率及散熱性的提高。 士此藉由在第一絕緣部809a及第二絕緣部8〇9b中使用 含有光反射性填料之樹脂，可使從LED晶片7〇1射出，而 入射於第一絕緣部809a及第二絕緣部8〇9b的光及從密封 130114.doc •52- 200908385 LED晶片701之透光性密封體由人士 瓶wo中含有的螢光體放出，而 入射於第一絕緣部809a及第-勰祕。 乐—絕緣部809b的光，以上述光 反射性填料反射。因而，可滅杯、佳χ炫 J成低進入弟一絕緣部809a及第 二絕緣部8〇9b而反射於周邊構#本 ^ , % ^苒彳午時’ 一部分被吸收而衰減 的光’可謀求提高光利用效率及散熱性。

此外’上述RCC樹脂應藉由在惰性氣體氣氛下之熱步驟 而形成。藉此，因為可防止用於第一絕緣部肋“及第二絕 緣部809b之樹脂變質（變黃），所以光不致被變質樹脂吸 收，而可有效地發揮上述效果。 此外，發光元件800與前述之第一至第三種實施形態同 樣地，反射來自LED晶片701之射出光，而導向設於光射 出方向之光射出面513的金屬反射板8〇2，係以直立設於 LED晶片701之光射出方向，並以圍住lEd晶片701之周圍 全體的方式而形成。因而’可使從LED晶片701放出於周 圍之光以金屬反射板8 02反射，而有效導向光射出面513。 藉此，可抑制來自元件側面之光洩漏，謀求提高來自光射 出面513之射出光強度。 此外，如圖19所示，本實施形態之發光元件800之金屬 反射板802係與安裝面金屬反射膜820—體地形成。 因而可將安裝面金屬反射膜820形成於安裝面上的寬廣 範圍。如此，藉由擴大元件全體中之金屬形成區域，可實 現散熱性優異之發光元件。此外，可使LED晶片701發光 時之熱傳導至將安裝面金屬反射膜820—體成形之疊層基 板6 0 6的表面側，進一步有效地向背面側散熱。藉此，可 130114.doc •53· 200908385 抑制熱造成之惡化’而可實現長期可靠性優異之發光元 件。 此外’本實施形態之金屬反射板8〇2如上述，亦與第一 孤島電極807及第二孤島電極8〇8之任何一個電性絕緣。因 而如圖29所示，將本發光元件8〇〇安裝於行動電話等電子 機器之由鋁等金屬構成的框體4〇〇時，金屬反射板8〇2不致 . f有電位。因此，可不經由散熱性低之樹脂等，而在使金 屬反射板802接觸之狀態下安裝於框體4〇〇中。藉此，可將 金屬反射板802所發生之熱有效地向發光元件800之外部釋 放。 本實施形態之發光元件800與第三種實施形態之發光元 件700同樣地，在金屬反射板8〇2之外周面的至少一部分， 與包含疊層基板606之底面的元件外周面上，形成有用於 將金屬反射板802所發生之熱釋放於外部的散熱片74〇。 藉此，可將金屬反射板802所發生之熱，經由散熱片74〇 而有效地向外部釋放。 散熱片740應使用散熱性優異之導電性材料。如上述， 本實施形態之金屬反射板802與其他構件絕緣，而不帶電 &。因而，不致產生短路等問題，並可將金屬反射板8〇2 戶斤發生之熱，經由由散熱性優異之導電性材料構成的該散 熱片’而更有效地向外部釋放。另外，上述導電性材料應 使用散熱性特別優異之石墨系材料。 此外，藉由將該導電性之散熱片在上述框體上與背面電 極形成絕緣之方式而接地，裝設了金屬反射板及與金屬反 130114.doc •54· 200908385 射板電性、熱性連接之led晶片的安裝面金屬反射膜之電 位不致漂浮’可防止不需要之電湧進入LED晶片，而引起 發光元件之故障及錯誤動作。 再者’本實施形態與前述之第三種實施形態不同，因為 將安裝面上之第一絕緣部8〇9a與第二絕緣部8〇9b形成環 狀，所以可以更小之面積，使各電極與其他部位絕緣。 因此’可在將安裝面金屬反射膜820如圖19及圖20所示 也以女裝面中之金屬反射板8 02包圍的區域内，經由此 Ο

等絕緣部809a、8〇9b，以圍住第一孤島電極8〇7及第二孤 島電極8 08之方式擴大形成於全體。因而，可將從晶 片701射出之光中許多朝向基板側之光藉由安裝面金屬 反射膜820反射，而導向設於光射出方向之光射出面513。 藉此 了更有效地減低被疊層基板606吸收之光及通過疊 層基板607而從背面側向發光元件8〇〇外部洩漏之光量與 第三種實施形態之結構比較，可進一步提高來自光射出面 之射出光強度。 發光70件800成為在疊層基板6〇6中之與安裝面相反側的 者面，形成有分別連接於第一孤島電極8〇7與第二孤島電 極808之背面電極（第一背面電極）818與背面電極（第二背面 電極）819，作為外部連接電極端子的結構。 如此，藉由在安裝基板606之背面側設置作為發光元件 800之外部連接電極端子的背面電極8〗8、819，可減低通 過安裝基板606内，而從f面側向發光元件8⑽外部μ 之光量。 130] 14.doc -55- 200908385 但是，本實施形態不限於此，亦可作為將此等外部連接 電極端子設於光射出面側的結構。 此外’如圖19所示，背面電極818及背面電極819分別以 覆蓋第一絕緣部809a及第二絕緣部809b之各形成區域，與 對應於疊層方向之各區域全體的方式而形成。 因而，與前述實施形態之各發光元件同樣地，可有效防 止從LED晶片701射出之光中，從安裝面朝向基板内部之 光，經由第一絕緣部809a及第二絕緣部8〇9b，通過疊層基 板606，而從背面側向發光元件8〇〇之外部沒漏。藉此，可 謀求提高來自光射出面之射出光強度。 構成本實施形態之發光元件8 0 0的第一孤島電極8 〇 7、第 二孤島電極808、金屬反射板802及安裝面金屬反射膜82〇 之材料’應使用即使在金屬中仍屬反射性優異之銅、銀、 金或鎳，此因可有效地將從LED晶片701射出之光導向光 射出面513 。 另外’係就具備1個LED晶片701之結構作說明，不過， 本實施形態不限於此，亦可如圖32所示之發光元件8〇〇a、 圖33所示之發光元件800b、圖34所示之發光元件8〇〇c，亦 適應於具備2個以上LED晶片之結構。 此外，如圖32及圖33所示，將2個LED晶片並聯/串聯連 接之情況，如圖34所示，串聯連接經並聯連接了 2個led 晶片之LED晶片群的情況，如圖29所示，2個孤島電極係 以作為一方為陽極側，另一方為陰極側之方式形成不同電 位0 130114.doc -56- 200908385 如此’藉由在1個發光元件内適宜配置數個LED晶片而 裝設’不致使元件之結構大型化’可使射出光強度提高。 另外LED晶片之裝設數量並非以4個為上限者，具備大型 元件基板之結構，亦可進一步增加LED晶片之裝設數量。 [第五種實施形態] 依據圖21及圖35至圖37，說明本發明又其他實施形態如 下。另外，為了方便說明，在與前述實施形態之圖式中所 示的構件相同之構件上註記同一符號，而省略其說明。 前述各種實施形態係就安裝的單一之LED晶片的發光元 件作說明’不過本發明之發光元件不限於此，亦可為裝設 了數個LED晶片之結構。 因此，參照圖21說明在前述第四種實施形態之結構中具 備數個LED晶片的結構如下。 如圖21所示，本實施形態之發光元件9〇〇除了 LED晶片 701之外，還具備LED晶片（第二LED晶片）901。 與發光元件800同樣地，成為在第一孤島電極（第一金屬 部）807上連接LED晶片701之陰極電極，在第二孤島電極 (第一金屬部）808上連接陽極電極之結構。 本實施形悲係成為作為供給驅動電流至LED晶片7〇 1的 電極端子之第二孤島電極808，亦具備作為供給驅動電流 至LED晶片901之電源端子的功能。亦即，第三孤島電極 8〇8亦連接於LED晶片9〇1之陽極電極。再者，發光元件 9〇〇具備與LED晶片901之陰極電極連接，在疊層基板中通 過導電部而與第-孤島電極m電性連接之作為電源端子 130114.doc •57- 200908385 的第三孤島電極908，金屬 ^ 一昂至第二孤島電 極之任何一個均電性絕緣的結構。 第一孤島電極807與前述第四 R ,, 1L 但貝死t態之發光元件800 问樣地，成為藉由以圍住i外周 捣祕也 伍，、外周之方式而形成環狀的第一

1 邑緣柳a，而與安裝面中被金屬反射板咖包圍之區域 2其他部位電性絕緣的結構。此外，第：孤島電極謂 /、第二及第四種實施形態之孤島電極608、808同樣地，藉 由以圍住其外周之方式而形成環狀的第二絕緣部嶋，而 與上述區域内之其他部位電性絕緣。 —再者’本實施形態之第三孤島電極（第三電極部）刪亦 藉由以圍住其外周之方式而形成環狀的第三絕緣部9映， 而與上述區域内之其他部位電性絕緣。 〜亦即，本實施形態之發光元件_中，係以i次電路系統 女裝有2個LED晶片（LED晶片701、9〇1。因而，不使元件 結構大型化，而可獲得2倍之射出光強度。 此外，本實施形態與前述之第四種實施形態同樣地，安 裝面上之苐一至第二絕緣部形成環狀。因而可以更小之 面積’使各電極與其他部位絕緣。 因此’可在將安裝面金屬反射膜920如圖21所示地，以 女裝面中之金屬反射板8〇2包圍的區域内，經由此等第一 至第二絕緣部，以分別圍住第一至第三孤島電極8〇7至8〇9 之方式擴大形成於全體。因而’可將從LED晶片701及901 射出之光中許多朝向基板側之光，藉由安裝面金屬反射膜 92〇反射’而導向設於光射出方向之光射出面513。藉此， 130114.doc -58· 200908385 可更有效地減低被疊層基板606吸收之光及通過疊層基板 607而從背面側向發光元件9〇〇外部洩漏之光量。 此外，第一絕緣部809a、第二絕緣部809b及第三絕緣部 909c，與第一種實施形態之絕緣部5〇9 '第二種實施形態 之絕緣部609及第三種實施形態之第一絕緣部7〇9a及第二 絕緣部709b同樣地，由環氧樹脂等RCC樹脂而形成。上述 環氧樹脂含有反射400 nm〜850 nmi波長區域的可見光線 之光反射性填料。上述RCC樹脂在上述波長區域之光反射 率應為50%以上。上述光反射性填料如可使用光反射率高 之氧化鋁、氧化矽、二氧化鈦等。其中特別宜為二氧化 鈦’因其光反射率高，且在成本面亦廉價。 但是，光反射性填料使用二氧化鈦時，於氧存在下，藉 由光觸媒反應，於發光動作中有致使金屬反射板7〇2、透 光陡密封體5 1 0、第一絕緣部8〇9a、第二絕緣部8〇9b及第 二絕緣部909c氧化的危險性（氧以通過密封樹脂中，被周 邊構件吸收而内含之空氣、水分為來源）。另外，使用氧 化鋁、氧化矽等其他反射性填料時，雖然不產生上述之光 觸媒作用，但是氧化鋁、氧化矽具有吸濕性。因而在透光 性密封體510之密封步驟吸濕的空氣及水分，在發光動作 中藉由熱而氣化，而有致使透光性密封體51〇剝離的危險 f生此處，雀封上述LED晶片701、901之透光性密封體 5 10應係耐光性佳，且氣密性佳者。但是，耐光性佳之樹 脂一般而言，容易透過空氣等之氣體，空氣及水分可能到 達裝設面。 130114.doc -59- 200908385 因此，僅添加於LED晶片701、901之裝設面附近的表面 層時特別應減少光反射性填料之添加量，藉此，可減少 造成氧化之活性氧量，且使光反射率提高。 Ο Ο 此外，在經由作為上述接著層之第三層623而與其他構 :接著的界面附近，為了避免與水分及空氣接觸，應為不 含二氧化鈦等光反射性填料的結構。亦即，由於與接著層 及其他構件之界面容易滯留水分及空4，因此，應不使光 反射性填料接觸。Λ外’添加二氧化鈦之第-絕緣部 、第二絕緣部809b及第三絕緣部909c的樹脂，一般而 =係使用％氧樹脂等幾乎不透過空氣等氣體的樹脂。因 而特別且在第一絕緣部809a、第二絕緣部8〇9b及第三絕 緣部的樹脂㈣設置二氧化鈦添加樹脂層5映。、、 因此，第一絕緣部8〇9a、第二絕緣部8〇处及第三絕緣部 9〇9c分別應具有從光人射側堆疊了不含上述光反射性填料 之不添加光反射性填料樹脂層，與含有光反射性填料之添 加光反射性填料樹脂層等的疊層構造。此處，rcc樹脂為 了吸收光，應儘可能薄層狀地形成不含上述光反射性填料 之不添加光反射性填料樹脂層，並在其下層形成含有光反 射性填料之添加光反射性填料樹脂層。 就第一絕緣部8_、第二絕緣部麟及第三絕緣部909c 之形成步驟’因為可以與前述第一種實施形態之絕緣部 5〇9同樣的步驟製造，所以省略在此處之說明。 光反射性填料使用二氧化缺時因為在氧存在下，藉由 光觸媒反應而使導電層氧彳 & ’所以應儘可能與導電層離開 1301l4.doc 200908385 而形成。此外，為了盘合古齒+〜友土 /、3有乳之工氧运離，應使裝設面表 面不含光反射性填料。 因此，第一絕緣部8〇9a、第二絕緣部8〇外及第三絕緣部 驗分別應具有從光人射側堆疊了 *含上述光反射性填料 之不添加光反射性填料樹脂層，與含有光反射性填料之添 加光反射性填料樹脂層等的疊層構造。此處，環氧樹脂為 了吸收光，應儘可能薄層狀地形成不含上述光反射性填料 之不添加光反射性填料樹脂層，並在其下層形成含有光反 射性填料之添加光反射性填料樹脂層。 就第一絕緣部8〇9a、第二絕緣部8〇9b及第三絕緣部9〇9c 之形成步驟，因為可以與前述第一種實施形態之絕緣部 509同樣的步驟製造，所以省略在此處之說明。 此外，即使光反射性填料使用二氧化欽時，與添加於第 —絕緣部809a、第二絕緣部8〇9b及第三絕緣部9〇9c全部區 域之結構比較，可抑制在氧存在下，因該光反射性填料之 光觸媒反應，造成金屬反射板8〇2、透光性密封體5丨〇、第 —絕緣部809a、第二絕緣部8〇9b及第三絕緣部9〇9c之氧 化，及透光性密封體510之剝離等的問題，並可謀求提高 來自光射出面之射出光強度。 亦即，因為可減低被第一絕緣部8〇9a、第二絕緣部8〇9b 及第三絕緣部909c吸收之光及通過上述基板而從背面側向 外部放出之光量，所以可謀求光利用效率及散熱性的提 如此藉由在第一絕緣部809a、第二絕緣部go%及第三 1301l4.d〇c •61 · 200908385 絕緣部909c中使用含有光反射性填料之樹脂，可使從led 晶片701射出，而入射於第一絕緣部8〇9a、第二絕緣部 809b及第二絕緣部9〇9c的光，及從密封LED晶片7〇1之透 光性密封體510中含有的螢光體放出，而入射於第一絕緣 部809a、第二絕緣部809b及第三絕緣部9〇9c的光以上述 光反射性填料反射。因而，可減低進入第一絕緣部8〇9&、 第二絕緣部809b及第三絕緣部9〇9c而反射於周邊構件時， 一部分被吸收而衰減的光，可謀求提高光利用效率及散熱 性。 此外，上述RCC樹脂應藉由在惰性氣體氣氛下之熱步驟 而形成。藉此，因為可防止用於第一絕緣部8〇9a、第二絕 緣部809b及第三絕緣部909c之樹脂變質（變黃），所以光不 致被變質樹脂吸收，而可有效地發揮上述效果。 發光元件900與前述之實施形態同樣地，反射來自led 晶片701、901之射出光，而導向設於光射出方向之光射出 面513的金屬反射板8〇2，係以直立設於LED晶片701、901 之光射出方向，並以圍住LED晶片701及LED晶片901之周 圍全體的方式而形成。因而，可使從LED晶片701、901放 出於周圍之光以金屬反射板802反射，而有效導向光射出 面5 13。藉此，可抑制來自元件側面之光洩漏，謀求提高 來自光射出面513之射出光強度。 此外’如圖21所示，本實施形態之發光元件900之金屬 反射板802係與安裝面金屬反射膜920—體地形成。 因而可將安裝面金屬反射膜920形成於安裝面上的寬廣 130114.doc -62- 200908385 範圍。如此’藉由擴大元件全體中之金屬形成區域，可實 現散熱性優異之發光元件。此外，可使LED晶片701、901 發光時之熱傳導至將安裝面金屬反射膜920—體成形之疊 層基板606的表面側，進一步有效地向背面側散熱。藉 此’可抑制熱造成之惡化，而可實現長期可靠性優異之發 光元件。 此外’本實施形態之金屬反射板802如上述，亦與第一 孤島電極807、第二孤島電極808及第三孤島908之任何一 個電性絕緣。因而如圖i 8所示，將本發光元件9〇〇安裝於 行動電話等電子機器之由鋁等金屬構成的框體4〇〇時，金 屬反射板802不致帶有電位。因此，可不經由散熱性低之 樹脂等’而在使金屬反射板802接觸之狀態下安裝於框體 400中。藉此’可將金屬反射板802所發生之熱有效地向發 光元件900之外部釋放。 本實施形態之發光元件900與第三種實施形態及第四種 實施形態之發光元件700、800同樣地，在金屬反射板8〇2 之外周面的至少一部分，與包含疊層基板606之底面的元 件外周面上’形成有用於將金屬反射板802所發生之熱釋 放於外部的散熱片740。 藉此，可將金屬反射板802所發生之熱，經由散熱片740 而有效地向外部釋放。結果’可實現長期可靠性高之發光 元件900。 散熱片740應使用散熱性優異之導電性材料。如上述， 本實施形態之金屬反射板802與其他構件絕緣，而不帶電 130114.doc -63- 200908385 位。因而，不致產生短路等問題’並可將金屬反射板8〇2 所發生之熱，經由由散熱性優異之導電性材料構成的該散 熱片’而更有效地向外部釋放。另外，上述導電性材料應 使用散熱性特別優異之石墨系材料。 此外’猎由將該導電性之散熱片在上述框體上與背面電 極形成絕緣之方式而接地，裝設了金屬反射板及與金屬反 射板電性、熱性連接之LED晶片701的安裝面金屬反射膜 之電位不致漂浮，可防止不需要之電湧進入LEI)晶片 7 Ο 1 ’而引起發光元件之故障及錯誤動作。 另外，係就具備2個LED晶片之結構作說明，不過，本 實施形態不限於此’如圖35所示之發光元件9〇〇b，亦可適 應於具備4個LED晶片之結構。 圖21所示之結構中，串聯連接2個LED晶片之情況，圖 35之結構中，串聯連接經並聯連接了 2個led晶片之led晶 片群的情況，如圖36所示’ 2個孤島電極係以作為一方為 陽極側’另一方為陰極側之方式形成不同電位的方式，分 別與不同之背面電極電性連接而形成。另外，圖2丨之結構 中’並聯連接2個LED晶片之情況，圖3 5之結構中，並聯 連接4個LED晶片之情況，如圖37所示，2個孤島電極成為 相同電位。此時2個孤島電極均以電性連接於一方背面電 極之方式’配置疊層基板中之各層導電部而形成（無圖 示）。 如此’藉由在1個發光元件内適宜配置數個led晶片而 裝6又’不致使元件之結構大型化，可使射出光強度提高。 130114.doc -64 - 200908385 另外LED晶片之裝設數量並非以4個為上限者，具備大型 元件基板之結構，亦可進一步增加LED晶片之裝設數量。 另外，裝》又有LED晶片之安裝面金屬反射膜82〇，係說 明安裝於上述行動電話等之電子機器的由鋁等金屬構成之 框體400時’ II由通過導電性之散熱片而接地，亦不致漂 浮化，可防止因電渴等產生之發光元件的動作不良及： 障，不過，不採用此種方法，如即使將圖32之疊層基板的 Ο Ο 結構如圖21所示地，以將裝設了 LED晶片501之安裝面金 屬反射膜電|±、熱性連接於與連接外部電源之陽極、陰 極之第-、第二背面電極絕緣的另外第三背面電極之； 式，配置疊層基板各層之導電部，並將第三背面電極與陽 極、陰極絕緣之外部接地端子連接，仍可作為因應對策。 再者，該例通過第三背面電極可進一步改善LED晶片501 之散熱特性。 這對於第四種實施形態所示之圖20、圖32至 同樣地可適用。 、 _如以上所述’上述各種實施形態中說明之本發明的發光 凡件’因為改善光洩漏，光之鼾+ 尤之射出效率尚，且散熱性亦優 吳，所以適合用於具備配置於本 置於先射出面附近之導波板的背 尤旱元。 亦即，藉由具備本發明之顯示元 率古Ε ^ π仟可實現先之利用效 羊问，長期可靠性優異之背光單元。 [第六種實施形態] 依據圖43及圖44,說明本發明又其他實施形態如下。另 130114.doc -65· 200908385 外，為了方便說明’在與前述實施形態之圖式中所示的構 件相同之構件上註記同—符號，而省略其說明。 前述各種實施形態之絕緣部具有堆疊不含光反射性填料 之不添加光反射性填料樹脂層與含有光反射性填料之添加 光反射性填料樹脂層的疊層構造。對此，本實施形態係在 絕緣部全體中添加有反射性填料。 圖43係本實施形態之發光元件1〇〇〇的剖面圖。發光元件 1〇〇〇之結構係在圖2所示之發光元件500中，將絕緣部5〇9 替換成絕緣部1009。絕緣部1〇〇9與絕緣部5〇9不同，整體 添加有光反射性填料。藉此，與絕緣部具有疊層構造之情 況比較’可抑制製造成本使其低廉。 光反射性填料可使用光反射率高之氧化鋁、氧化矽、二 氧化鈦等。此處’如上述’光反射性填料使用二氧化欽 時，於氧存在下，藉由光觸媒反應，於發光動作中有致使 金屬反射板502、透光性密封體51〇及絕緣部1〇〇9氧化的危 險性（氧以通過密封樹脂中，被周邊構件吸收而内含之空 氣、水分為來源）。另外，使用氧化鋁、氧化矽等其他反 射性填料時，雖然不產生上述之光觸媒作用，但是氧化 鋁、氧化矽具有吸濕性。因而在透光性密封體51〇之密封 步驟吸濕的空氣及水分，在發光動作中藉由熱而氣化，而 有致使透光性密封體5 1 0剝離的危險性。 因此，本實施形態在光反射性填料之添加量上設有限 制。繼續，就光反射性填料之添加量作說明。 圖44係顯示絕緣部1〇〇9之可見光反射率與光反射性填料 130114.doc -66- 200908385 之添加里的關係圖。絕緣部丨〇〇9之反射率在光反射性填料 之添加里為α重量％時，反射率為，而成為飽和狀態。 此處光反射性填料之添加量少時，由於光穿透絕緣部 1009而被絕緣部1009吸收，因此反射率下&。光反射性填 料之添加1為α重量％以下時，因添加量之變動，絕緣部 1009之反射率的設定困難。因此，光反射性填料之添加量 設定為比α重量％多。 光反射性填料之添加量過多時，由於有產生金屬反射板 5〇2等之氧化及透光性密封體51〇之剝離的危險，因此光反 射性填料之添加量設定成比α重量％多，且為α重量％附 近。 此外，對發光元件1000在高濕環境下進行溫度循環試 驗來測疋發光元件10〇〇之熱膨脹、熱收縮的影響及對溫 度變化之耐用性。該溫度循環試驗，係在3〇分鐘内從低溫 (-40°C)至高溫（120°C)而使周圍溫度變化的周期作為丨個周 期’將該周期重複1 000周期。 結果，瞭解光反射性填料對絕緣部1009之添加量過多 時，容易發生裂紋。具體而言，光反射性填料之添加量為 3〇%(樹脂為70%)時，並未確認發生裂紋，而光反射性填 料之添加量為36%(樹脂為64%)時，可確認發生裂紋。另 外，該試驗係光反射性填料使用二氧化鈦，絕緣部⑺㈧中 添加熱膨脹係數調整用之二氧化矽，且替換二氧化石夕之— 部分與二氧化鈦。 因此，本實施形態中，係將光反射性填料之添加量的上 130114.doc -67· 200908385 限設定為3 0重量％以下。亦即，將光反射性填料之添加量 設為Α時，係設定成a < A S 3 0。 如以上所述，在絕緣部1009全體中添加了光反射性填料 時，藉由對光反射性填料之添加量設定限制，可避免金屬 反射板502等之氧化及透光性密封體51〇之剝離的弊端，以 及發光元件1000上發生裂紋，並提高光利用效率。

[實施形態之結論J 另外，本發明並非限定於上述各種實施形態者，在請求 項中所示之粑圍内可作各種變更，適宜組合不同之實施形 態中分別揭示的技術性手段而獲得之實施形態，亦包含於 本發明之技術性範圍。 本實施形態之發光元件藉由具備由添加了光反射性填料 之光反射性填料添加區域’及未添加該光反射性填料之光 反射性填料無添加區域構成的絕緣部，因而可減低進入上

G 述絕緣部，、而反射於周邊構件時，一部分被吸收而衰減之 光，可谋求提高光利用效率及散熱性。 上述、、，D構中’上述絕緣部應僅在安裝面露出部含有光反 射性填料。 、述之、、°構中’上述光反射性填料應使用氧化！S、氧化 :或二氧化欽。其中特別宜為二氧化鈦，因其光反射率 尚，且成本面亦廉價。 己載於專利文獻2，二氧化鈦具有添加於反射構件 使用之樹脂中，子以白多 T予以白色化，而提高反射率的功能。 但是，光反射性填料使用二氧化欽時，於氧存在下，藉 130114.doc -68- 200908385

^光觸媒反應’於發光動作中有致使金屬反射板、透光性 岔封體及絕緣部氧化的危險性(氧以通過密封樹脂中，被 周邊構件吸收而内含之空氣、水分為來源）。另外，使用 氧化銘、氧化妙等其他反射性填料時，雖然不產生上述之 光觸媒作用，但疋氧化銘、氧化石夕具有吸濕性。因而在上 述透光性密封體之密封步驟㈣的空氣及水分，在發光動 作中藉由熱而氣化，而有致使透光性密封體剝離的危險 陡此處，社封上述LED晶片之透光性密封體應係耐光性 佳，且乳进性佳者。但是，耐光性佳之樹脂一般而言容 易透過空氣等氣體，空氣及水分可能到達裝設面。 僅添加於裝設面附近的表面層時，特別應減少光 =射性填料之添加量’藉此’可減少造成氧化之活性氧 $ ’且使光反射率提高。 述’。構中，上述絕緣部應具有從光入射側堆疊了不含 述光反射I·生填料之不添加光反射性填料樹脂層與含有上 述光反射ι±填料之添加光反射性填料樹脂層的疊層構造。 -氧化鈦之光反射性填料在氧存在下藉由光觸媒反 應’如使形成於絕緣部下層之導電層氧化。因而，不應將 上述光反射性填料添加於裝設面表面，而與含有氧之空氣 藉由上述結構，上述絕緣部具有從光人射側堆疊了不含 述光反射1·生填料之不添加光反射性填料樹脂層與含有上 述光反射性填料之添加光反射性填料樹腊層㈣層構造。 藉此’可抑制在氧存在下，藉由該光反射性填料之光觸媒 130114.doc -69- 200908385 反應，造成金屬反射板、透光性密封體及絕緣部的氧化， 及透光性密封體之剝離等的問題，並謀求提高光利用效 率。 上述結構中，為了避免與水分及空氣接觸，在裝設面及 絕緣部與其他構件之接著層的界面附近等，應形成不含光 反射性填料之結構。由於與接著層及其他構件之界面容易 滯留水分及空氣，因此應不使光反射性填料接觸。 此外，添加二氧化鈦之上述絕緣部的樹脂，一般而言係 使用锿氧樹脂等幾乎不透過空氣等氣體的樹脂。因而，特 別宜在該絕緣部之樹脂内部設添加反射性填料樹脂層。 上述結構中’上述光反射性填料應反射400 nm以上， 8 5 0 nm以下波長區域之光，亦即反射可見光線。 上述結構中’上述波長區域中之含有上述光反射性填料 的樹脂之光反射率應為5〇%以上。 3有一氧化鈦之RCC樹脂（塗布樹脂之銅）的光反射率並 非100%，而為50〜7〇%程度，其餘會穿透光。因而，使用 含有二氧化鈦之RCC樹脂時，光在Rcc樹脂内部散射、擴 大，導致光洩漏至與其他構件之接著層。因為RCc樹脂之 全層均有添加光反射性填料樹脂層時，成為經過其他構件 及被其他構件吸收之氧與前述洩漏光藉由光觸媒反應，如 造成RCC樹脂、其他構件及存在於接著層之電極等氧化的 原因，所以，上述添加光反射性填料樹脂層（區域）應薄層 狀地形成。 為了解決上述問題，本實施形態之發光元件的製造方法 130114.doc • 70· 200908385 之特徵為：上述絕緣 光反射性填料樹脂2 =形成步驟包含：形成上述不添加 填料樹脂層之步驟('驟(小與形成上述添加光反射性 層litter + ，且係以所欲順序在金屬箔上形成疊 Θ馎k之方式，而形 战上迷不添加光反射性填料樹脂層與 上切加光反射性填料樹脂層。 該疊層構造，如亦 ^ ^ Γ從月面側（與光射出面相反側）藉由 熱擠壓，而附著於形成 仏成上述第一金屬部及第二金屬部之金 屬板上。

上述結構中，由！_、+， 上地不添加光反射性填料樹脂層及上述 ，加光反射性填料樹脂層構成之㈣構造，應藉由在惰性 氣體氣氛下進行之加熱步驟而形成。 藉由上述結構’因為可防止用於上述各絕緣部之樹脂變 質（變黃）’所以光不致被變質樹脂吸收，而可有效地發揮 上述效果。 上述結構中，應以填充被上述基板與上述金屬反射板包 圍之區域的方式，藉由在惰性氣體氣氛下之熱硬化步驟而 形成岔封上述led晶片之透光性密封體。 另外，目前RCC樹脂之生產線，樹脂層之厚度最薄為 3 μηι。因而，二氧化鈦添加樹脂層應從樹脂層之塗布厚度 的控制性界限起，進入距接著層至少為3 μιη以上之處。 此外’因為樹脂吸收光，所以應儘可能薄層狀地形成上 述不添加光反射性填料樹脂層’並在其下層形成添加光反 射性填料樹脂層。 上述樹月旨應使用RCC樹脂。RCC樹脂係使液體稍微凝固 130114.doc 71 200908385 狀九、之膏狀’—氧化鈦等光反射性填料混合於液體狀態之 树月a 口而，單層之Rcc樹脂控制含有上述光反射性 填料之添加光反射填料樹脂層的位置困難。因&，藉由首 先使述添力光反射填料樹脂層凝固，在其上再度塗布不 含上述光反射性填料之軟樹脂，而形成不添加光反射性 填料樹脂層，可使褒設面表面不含反射性填料。 如此，藉由絕緣部中使用含有光反射性填料之樹脂，可

使從上述LEDB; 4射㈣人射於域絕料之光以上述 光反射性填料反射。因而，可減低進人上述絕緣部而反射 於周邊構件時’-部分被吸收而衰減之光，而可謀求提高 光利用效率及散熱性。 〜本實施形態之發光元件的特徵為包含·· led晶片，其係 安裝於基板上；及絕緣部，其係由形成於上述基板表面之 光穿透性的樹脂而構成； 上述絕緣部整體添加有光反射性填料。 本實施形態之發光元件的特徵為具備：第一金屬部，其 係形成於基板之安裝面，作為安裝面金屬反射膜；至少i 個第二金屬部，其係藉由絕緣部而與上述第一金屬部電性 絕=’並形成於上述安裝面；LED^，其係安裝於上述 第金屬4上，且一方之電極電性連接於上述第一金屬 部另彳之電極電性連接於上述第二金屬部；金屬反射 板’其係以包圍上述安裝面之方式，與上述第—金屬部— 體化而形成，反射來自上述LED晶片之射出光，而導向設 於上述光射出方向之光射出面；及透光性密封體，其係以 130114.doc -72- 200908385 填充被上述基板與上述金屬反射板包圍之區域，而密封上 述LED晶片之方式形成；上述絕緣部含有包含光反射性填 料之樹脂’在被上述金屬反射板包圍之區域内，以包圍上 述第二金屬部周圍之方式形成，上述絕緣部整體添加有光 反射性填料。 上述結構中’上述光反射性填料之添加量應比上述絕緣 部之可見光反射率達到飽和之添加量多，且係該可見光反 射率達到飽和之添加量的附近。 上述結構中，上述光反射性填料之添加量，應比在將上 述發光元件反覆暴露於高溫及低溫的溫度循環試驗中，上 述絕緣部中發生裂紋之添加量少。 上述結構中，上述光反射性填料之添加量應為3〇重量％ 以下。 實施方式項中所形成之具體實施形態或實施例，僅係說 明本發明之技術内容者，不應狹義地解釋為僅限定於此種 具體例，而係在符合本發明之精神與以下記載之申請專利 範圍内’可作各種變更來實施者。 【圖式簡單說明】 圖1係第一種實施形態之發光元件的立體圖。 圖2係第一種實施形態之發光元件的剖面圖。 圖3⑷至圖3(h)係第-種實施形態之發光元件的金屬反 射板及疊層基板之結構圖。 圖4係第一種實施形態之發光元件的立體圖。 圖5係第一種實施形態之發光元件的立體圖。 130114.doc -73- 200908385 圖6係第二種實施形態之發光元件的立體圖。 圖7係第二種實施形態之發光元件的剖面圖。 的金屬反 圖8(a)至圖8(f)係第二種實施形態之發光元件 射板及疊層基板之結構圖。

圖9係第二種實施形態之發光元件的立體圖。 圖10係第二種實施形態之發光元件的立體圖。 圖11係第二種實施形態之發光元件的立體圖。 圖12係第二種實施形態之發光元件的剖面圖。 圖13係第二種實施形態之發光元件的立體圖。 圖Η係第二種實施形態之發光元件的剖面圖。 圖1 5係先前之發光元件的剖面圖。 圖16係圖26所示之發光元件的w箭頭平面圖。 圖17係第三種實施形態之發光元件的剖面圖。 圖18係顯示將第三種實施形態之發光元件安裝於電子機 器之框體中的狀態模式圖。

圖1 9係第四種實施形態之發光元件的剖面圖 圖20係顯示第四種實施形態 圖。 圖2 1係顯示第五種實施形態 圖。 之發光元件的概略結構說明 之發光元件的概略結構說明 •態之發光元件的金屬 圖22(a)至圖22(11)係第五種實施形 反射板及疊層基板之結構圖。 圖23係顯示第 圖。 二種實施形態之發光 凡件的概略結構說明 130114.doc •74- 200908385 圖24係顯示第二種實施形態之發光元件的概略結構說 圖。 圖2 5係顯示第二種實施形態之發光元件的概略結構說明 圖26係顯示第二種實施形態之發光元件的概略結 圖。 °乃 圖2 7係顯示第三種實施形態之發光元件的概略結構說明 圖。

圖28係顯示第三種實施形態之發光元件的概略結構說明 圖。 圖29係顯示第三及第四種實施形態之發光元件的電位 例的說明圖。 圖3 0係顯示第三種實施形態之發光元件的電位之例的說 明圖。 圖31係顯示第三種實施形態之發光元件的電位之例的說 明圖。 11

圖32係顯示第 明圖。 圖33係顯示第 明圖。 四種實施形態之發光元件的概略結構之說 四種實施形態之發光元件的概略結構之說 圖3 4係翻-仿 明圖 員不第四種實施形態之發光元件的概略結構之說 圖35係顯示第 明圖。 五種實施形態之發光元件的概略結構之說 130114.doc -75- 200908385 圖3 6係顯示第五種實施形態之發光元件的電位 明圖。 1』的說 圖37係顯示第五種實施形態之發光元件的電位 明圖。 』叼說 圖38(a)至圖38(c)係顯示第一種實施形態之發光元件 絕緣部形成步驟之說明圖。 、 圖39係顯示第-種實施形態之發光元件的絕緣部形成步 驟之說明圖。 圖40係顯示第一種實施形態之發光元件研磨後之絕緣部 的剖面說明圖。 圖41係顯示圖40所示之發光元件的部分放大剖面之說明 圖。 圖42係先前之側面發光型LED的立體圖。 圖43係第六種實施形態之發光元件的剖面圖。 圖44係顯示絕緣部之可見光反射率與光反射性填料之添 加量的關係圖。 【主要元件符號說明】 5〇〇 發光元件 501 LED晶片 501a 發光面 5〇2 金屬反射板 502a 表面 506 疊層基板 5〇7 晶片接合區、電極共用部（第一金屬部、安 130114.doc 76 - 200908385

裝面金屬反射膜） 508 孤島電極（第二金屬部） 509 絕緣部 509a 銅箔 509b 二氧化鈦無添加樹脂層（不 料樹脂層） 添加光反射性填 509c 一氧化鈦添加樹脂層（添加 脂層） 光反射性填料樹 509d 疊層構造 509e 導電層（鋼柱層） 510 透光性密封體 513 光射出面 515,516 貫穿孔 518,519 530 背面電極（第―、第二背面 金屬板 電極） 600 發光元件 606 疊層基板 607 608 孤島電極（第二金屬部） 609 絕緣環（絕緣部） 631〜634 導電部 711,712 外部接合電極 751 一體型外部接合電極 130114.doc -77- 200908385 700 發光元件 701 LED晶片 702 金屬反射板 707 第一孤島電極（第一金屬部） 708 第二孤島電極（第二金屬部） - 709a 第一絕緣部 709b 第二絕緣部 720 安裝面金屬反射膜 733,734 導電部 740 散熱片 800 發光元件 802 金屬反射板 807 第一孤島電極（第一金屬部） 808 第二孤島電極（第二金屬部） 809a 第一絕緣部 809b 第二絕緣部 ϋ 900 發光元件 901 LED晶片（第二LED晶片） . 908 第三金屬部 909c 第三絕緣部 920 安裝面金屬反射膜 1000 發光元件 1009 絕緣部 130114.doc -78-

Claims (1)

1. 200908385 十、申請專利範圍： 1, 一種發光元件，其特徵為：包含 LED晶月 絕緣部， 月旨； ’其係安裝於基板上；及 /、is形成於上述基板表面之光穿透性樹 上述絕緣部包含添加有光反射性填料之光反射性填料 添加區域、及未添加該光反射性填料之光反射性填料無 添加區域。 2. 一種發光元件，其特徵為··包含 第一金屬冑，其形成於基板之安裝面，作為安裝面金 屬反射膜； 至少1個第二金屬部，其係藉由絕緣部而與上述第一 金屬部電性絕緣，並形成於上述安裝面； LED晶片，其係安裝於上述第一金屬部上，且一方之 電極電性連接於上述第—金屬部，另—方之電極電性連 接於上述第二金屬部； 金屬反射板，其係以包圍上述安裝面之方式，與上述 第一金屬部一體化而形成，將來自上述LED晶片之射出 光反射，而導向設於上述光射出方向之光射出面；及 透光性密封體，其係以填充由上述基板與上述金屬反 射板所包圍之區域而密封上述led晶片之方式形成； 上述絕緣部含有包含光反射性填料之樹脂，並以在被 上述金屬反射板包圍之區域内包圍上述第二金屬部之周 圍的方式形成。 130114.doc 200908385 + %求項1或2之發光元件，其中上述絕緣部僅在安裝面 路出部含有光反射性填料。 4. 如請求項丨或2之發光元件，其中上述絕緣部具有從光入 射側層疊有不含上述光反射性填料之光反射性填料無添 加樹月旨層與含有上述光反射性填料之光反射性填料= 樹脂層的疊層構造。 ^ 口 5. Ο Ο 如請求項⑷之發光元件，其中在經由接著層而與其他 構件接著的界面附近不含光反射性填料。 6. 如請求们或2之發光元件’其中上述光反射性填料反射 4〇〇 nm以上85 0 nm以下波長區域之光。 7.如請求項6之發光元件，纟中上述波長區域中含有上述 光反射性填料之樹脂的光反射率為50%以上。 8·，請求項！或2之發光元件，其中上述光反射性填料包含 氧化鋁、氧化矽或二氧化鈦。 9.種發光元件之製造方法，其特徵為該發光元件包含： LED晶片，其係安裝於基板上；及絕緣部，其包含形成 於上述基板表面之光穿透性樹脂；上述絕緣部包含添加 有光反射性填料之光反射性填料添加區域、及未添加該 光反射性填料之光反射性填料無添加區域； 上述絕緣部之形成步驟包含： 形成上述光反射性填料無添加樹脂層之步驟（a)、及形 成上述光反射性填料添加樹脂層之步驟（b); 並以所欲順序在金屬箔上形成疊層構造之方式，形成 上述光反射性填料無添加樹脂層與上述光反射性填料添 130114.doc 200908385 加樹脂層。 10.

   一種發光元件之製造方法，其特徵為：該發光元件包 含：第-金屬部’其形成於基板之安I面，作為安裝面 金屬反射膜；至少i個第二金屬部，其係藉由絕緣部而 與上述第-金屬部電性絕緣’並形成於上述安裝面； led晶片’其係安裝於上述第一金屬部上且一方之電 極電性連接於上述第—今邋χ Λ ± ^ 金屬0卩另一方之電極電性連接 於上述第二金屬部；金屬反射板’其係以包圍上述安裝 面之方式，與上述第一金屬部一體化而形成，將來自上 述LED晶片之射出光反射，而導向設於上述光射出方向 之光射出面；及透光性密封體，其係以填充由上述基板 與上述金屬反射板所包圍之區域而密封上述LED晶片之 方式形成；上述絕緣部含有包含光反射性填料之樹脂， 並以在被上述金屬反射板包圍之區域内包圍上述第二金 屬部之周圍的方式形成；

   上述絕緣部之形成步驟包含： 形成上述光反射性填料無添加樹脂層之步驟，及形 成上述光反射性填料添加樹脂層之步驟（b); 並以所欲順序在金屬箔上形成疊層構造之方式，形成 上述光反射性填料無添加樹脂層與上述光反射性填料添 加樹脂層。 11.如請求項9或1 0之發光元件之製造方法，其中在惰性氣 體氣氛下，藉由加熱步驟形成包含上述光反射性填料無 添加樹脂層及上述光反射性填料添加樹脂層之疊層構 130114.doc 200908385 造。 12. 如請求項9或10之發光元件之製造方法，其中藉由在惰 性氣體氣氛下之加熱硬化步驟，形成以填充由上述基板 與上述金屬反射板所包圍之區域的方式密封上述LED晶 片之透光性密封體。 13. —種發光元件，其特徵為：包含 LED晶片，其係安裝於基板上；及 絕緣部’其包含形成於上述基板表面之光穿透性樹 Π 脂； 上述絕緣部整體添加有光反射性填料。 14. 如請求項2之發光元件，其中上述絕緣部整體添加有光 反射性填料。 15_如請求項13或14之發光元件，其中上述光反射性填料之 添加量係比上述絕緣部之可見光反射率達到飽和之添加 里夕，且係該可見光反射率達到飽和之添加量的附近。 〇 16· ^請求項15之發光元件，其中上述光反射性填料之添加 J 4#比在將上《光元件反覆暴露於高溫及低溫的溫度 循環試驗中，上述絕緣部發生裂紋之添加量少。 130114.doc