TW200902756A - Composition for forming conductor layer, method of forming conductor layer, and method of fabricating circuit board - Google Patents

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200902756 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在電子零件所使用之絕緣基材上形成將 成為佈線之導體層時所使用的導體層形成用組成物，使用 。亥組成物之導體層之形成方法及電路基板之製造方法。 【先前技術】 隨著近年來電子零件之小型化或信號傳達速度之高速 匕於可^ [生印刷基板等之電路基板中需要高密度佈線。 :了實現高密度佈線，不可或缺的是對、經圖案形成的導體 曰進行細微加工。然而，若將導體層進行細微加工 與f材之密黏性降低的缺點。因此，為了達到電子零件之 與產率的提升，重要㈣提高導體層與基板之密黏 f生以肖b夠耐受細微加工。 作^電路基板上形成細微圖案且與基材之密黏性優 之^體層时法，專利文獻1記載有湘在含有機溶劑 ,、、、硬化性樹脂組成物中使平均粒徑細 1 子二:散而成的導電性金屬糊料的方法，:::文： 1 土佈於基板上後，將塗佈膜加熱至15Gt〜21(rCy 又。该加熱係基於使金屬微粒子燒結 狐 導’並使熱硬化性樹脂硬化的目的：妙：佈：之通 ^•1-,..., <订。然而，I利立 獻1之方法中，若金屬微粒子之燒0士 達到圖案化導體層之通導，而有使電°子之=則無法 的可能性。 7牛之可罪性降低 97118635 200902756 另外，作為未使用金屬微粒子之圖案化導體層的形成方 法，專利文獻2中記載有使用含有含鈀離子化合物與聚醯 亞胺前驅物樹脂之聚醯亞胺前驅物樹脂溶液的方法。此專 利文獻2之方法中，係藉由棒塗機等將上述聚醯亞胺前驅 物樹脂溶液塗佈於聚醯亞胺基材上後，使塗佈膜乾燥而形 成聚醯亞胺前驅物金屬錯合物層。其次，於該聚醯亞胺前 驅物金屬錯合物層上，在氫供給體的存在下照射紫外線而

將金屬離子還原，形成鍍敷基質核後，藉無電解鍍敷處理 形成鍍敷基質金屬層。再者，於鍍敷基質金屬層上，藉電 鍍形成電鍍層後或於形成前將聚醯亞胺前驅物樹脂進行 加熱醯亞胺化而形成聚醯亞胺樹脂層。此專利文獻2所記 載之技術，由於未使用含有金屬微粒子之導電性糊料，故 八有可不文金屬微粒子之燒結狀態的左右而形成圖案化 導體層的優點。 〃 專利文獻1 :日本專利特開2002_324966號公報 專利文獻2 :日本專利特開2005-154880號公報 【發明内容】 (發明所欲解決之問題） 如^專利文獻2，於含有絲子與㈣亞胺前驅物樹 ==前驅物樹脂溶液中，係於_子與屬於聚酿 女：驅物树脂之聚醯胺酸的分子間發生3維之交聯形 =、=隨著時間經過，聚醯亞胺前驅物樹脂溶液 =得::=r亞胺基材之塗佈或保管、操 馮了防止此種增黏·凝膠化，專利文獻2 97118635 200902756 :=I::聚酿亞胺前驅物樹脂溶液中調配丙酮乙醯 U之合物作為㈣ 樹脂具有溶解作用機::基化合物係對於聚醯亞胺前驅物 原處理時，^^ 濕式還原法進行金屬離子之還 合物之作用、、☆有 所驅物樹脂因低分子有機羰基化 題。’奋出至還原劑溶液中而使還原效率降低的問 基在相對於鈀化合物之調配量’低分子有機羰 中，ί量越多軸顯著表現。專利文獻2之技術 二、/具抑制聚醯亞胺前驅物樹脂溶液之增黏•凝膠 夕旦、、/員相對於鈀化合物之調配量，添加60重量％以上 八夕里=低刀子有機幾基化合物。如此，於使用多量之低 2有機幾基化合物作為黏度穩定劑的專利文獻2之方 '、、、法彳木用還原效率佳之濕式還原法，必須藉由紫外 線照射法使金屬離子進行還原。 、本毛月之目的在於提供一種抑制組成物之黏度上升而 塗佈或操作谷易’且亦可適用濕式還原法的導體層形成用 組成物。 (解決問題之手段） 本發明之導體層形成用組成物，係被作為用於在絕緣基 材上形成導體層之塗佈液使用者，其含有： 聚醯亞胺前驅物樹脂； 金屬化合物；與 作為黏度調整劑之含氮雜環化合物。 97118635 200902756 尚且’本發明中所謂「導體層」，可為金屬析出層單層， ,、可為於&屬析出層上積層了其他層者。例如，於絕緣其 a」再者，涂體層」亦可具有金屬析出 g、…、電解鍍敷層及電鍍層以外之任意層。 人之、-導體層形成用組成物中’除了上述含氮雜環化 還3有有機羰基化合物，作為上述黏度調整劑。 八：二：明之導體層形成用組成物中’上述含氮雜環化 合物可為3級胺基化合物。 本發明之導體層$犯+ 士、〆 層之方法;其具備： 糸於絕緣基材上形成導體 佈成步驟’係將上述導體層形成用組成物作為塗 2液而塗佈於上述絕緣基材之表面，予以乾燥而形成塗佈 還=驟’係將存在於上述塗佈膜中之金屬離子 出層；與 、表面上形成作為上述導體層的金屬析 醯亞胺化步驟，係進行熱處理，使 聚醯亞胺前驅物樹脂進行 ^ 、 、乂 層。 丁醞亞胺化，而形成聚醯亞胺樹脂 本發明之電路基板之製造 於該絕緣基材之導體層者； I、備絕緣基材與形成 係藉上述導體層之# 士 (發明效果）（成方法形成上述導體層。 97118635 200902756

本發明之導體層形成用組成物由於含有含氮雜環化人 物作為黏度調整劑，故可抑制金屬離子與聚醯亞胺前驅二 樹脂之間的交聯形成’即使不調配有機羰基化合物仍可防 止組成物黏度之上升或凝膠化。又，本發明之導體声带成 用組成物中，即使在並用了含氮雜環化合物與有機羰基化 合物作為黏度調整劑，仍可較習知技術大幅地減低有^羰 基化合物的調配量。由以上事實，本發明之導體層形成用A 組成物係保存穩定性及操作性優越，保管簡易，且可藉由 多樣性之塗佈手段進行塗佈。 3 另外，本發明之導體層形成用組成物中，由於不含有作 為黏度調整劑之有機数基化合物、或其含量極少，故於將 金屬離子進行還料，可採㈣原效率優越之濕式還原 法並可輕易地微調整組成物中之固形份濃度。

班另1，本發明之導體層形成用組成物中所調配之含氮雜 S " 係一有促進聚醯亞胺前驅物樹脂之酿亞胺化反 =:用基二在力，^ 巧…主 熱而將聚醯亞胺前驅物樹脂進行醯 八、可依知時間進行醯亞胺化，防止醯亞胺化之不 :*可形成與絕緣基材間之密黏&高的聚醯亞胺樹脂 合物作為黏度法，由於使用含有含氮雜環化 液，故容易，：:：叙導體層形成用組成物作為塗饰 佈手段，例如：、:佈液之黏度。因此，可選擇多樣性之塗 可藉配量器（diSpenser)進行細線狀塗佈。 97118635 200902756 =’猎由使用不含有有機羰基化合物、或極力 ===導體層形成用組成物，則可採用還原；= 越之濕式還原法作為金屬離子之還原處理方法。羊 猎由金屬離子之還原處理形成幾乎無缺陷之導體声 省略無電解鍍敷步驟。 《並可 另：，根據利用了本發明之導體層之形成方法的電路美 ^ 法，可依高產率製造絕緣基材與導體層之密ί 性優越、可靠性高之電子零件。 日之在黏 明=發明之其他目的、特徵及利益，可由以下說明而充分 【實施方式】 其次，針對本發明之實施形態進行詳細說明。 紹t實施形態之導體層形成用組成物，係使㈣為用於在 得iff上形成導體層的塗佈液。此導體層形成用組成物 一有聚醯亞胺前驅物樹脂、金屬化合物與黏度調整劑。 ^實施形態中，作為導體層形成用組成物所使用之聚醢 脂，係使用由與聚酿亞胺樹脂相同之單體成 梅子中含有感光性基、例如乙稀 匕工土的承酏胺酸。此種聚醯亞胺前驅物樹脂可藉 製知之二胺化合物與酸酐於溶媒存在下進行反應而 g 人=此’作為聚酸亞胺前驅物樹脂之製造所使料二胺化 “勿，可舉例…，-二胺基二苯基驗、2,―甲氧基 —4,4 -二胺基苯甲醯胺苯、丨，4—雙（4_胺基苯氧基）苯^ 97118635 11 200902756 1,3-雙（4-胺基苯氧基）苯、2,2，_雙[4_(4_胺基笨氧基） 苯基]丙烷、2,2，-二曱基_4,4，-二胺基聯笨、3,3，_ 二羥基-4, 4 -二胺基聯苯、4, 4’ -二胺基苯甲醯胺苯等。 另外，作為上述以外之二胺化合物，亦可使用例如：2, 2_ 雙-[4-(3-胺基苯氧基）苯基]丙烧、雙[4-(4-胺基苯氧基） 苯基]砜、雙[4-(3-胺基苯氧基）苯基]砜、雙[4_(4_胺基 苯氧基）]聯苯、雙[4-(3-胺基苯氧基）]聯苯、雙[^ —(心 月女基本氧基）]聯苯、雙[1-(3 -胺基苯氧基）]聯苯、雙 [4-(4-胺基苯氧基）苯基]甲烧、雙[4-(3-胺基苯氧基）苯 基]曱烷、雙[4-(4-胺基苯氧基）苯基]醚、雙[4-(3-胺基 本乳基）本基]鱗、雙[4-(4 -胺基苯氧基）]二苯基酮、雙 [4-(3-胺基苯氧基）]二苯基酮、雙[4, 4，-(4-胺基苯氧基）] 苯曱醯苯胺、雙[4, 4，-( 3-胺基苯氧基）]苯曱醯苯胺、9, 9-雙[4-(4-胺基苯氧基）苯基]苐、9, 9_雙[4_(3_胺基苯氧基） 苯基]第、2, 2-雙-[4-(4-胺基苯氧基）苯基]六氟丙烷、 2, 2-雙-[4-(3 -胺基苯氧基）苯基]六氟丙烧、4, 4’-亞甲基 二-鄰曱苯胺、4, 4，-亞曱基二-2, 6-二曱苯胺、4, 4，-亞甲 基_2，6 -一乙基苯胺、4，4’ -二胺基二苯基丙烧、3，3二胺 基二苯基丙烷、4, 4，-二胺基二苯基乙烷、3, 3，-二胺基二 苯基乙烷、4, 4，-二胺基二苯基曱烷、3, 3，-二胺基二苯基 曱烷、4, 4’-二胺基二苯基硫化物、3, 3，-二胺基二苯基硫 化物、4, 4’-二胺基二苯基砜、3, 3，-二胺基二苯基砜、4, 4，-二胺基二苯基醚、3, 3-二胺基二苯基醚、3,4，-二胺基二 苯基醚、聯苯胺、3, 3，-二胺基聯苯、3, 3，-二曱基-4, 4，- 97118635 12 200902756 二胺基聯苯、3, 3，-二曱氧基聯苯胺、4,4，-二胺基—對聯三 苯、3, 3’’-二胺基-對聯三苯、間笨二胺、對笨二胺、2, 6 一 二胺基吼啶、1，4-雙（4-胺基苯氧基）苯、込^雙以―胺基 苯氧基）苯、4,4’-[1，4-伸苯基雙（卜曱基亞乙基）]雙^ 胺、4,4’-[1，3-伸苯基雙（卜甲基亞乙基）]雙苯胺、雙又(對 胺基環己基）甲烧、雙（對胺基—第三丁基苯基）趟、雙 (對十甲基胺基戊基）苯、對_雙（2_曱基+胺基戊 f )苯、對-雙（1，1-二甲基_5一胺基戊基）苯、U5 —二胺基 奈、2, 6-二胺基苯、2, 4-雙（β —胺基-第三丁基）甲苯、2, 4 — 二胺基曱苯、間二曱苯-2,5_二胺、對二曱苯_2, 5一二胺、 間二曱苯二胺、對二甲苯二胺、2, 6_二胺基吡啶、2,卜 二胺基吡啶、2, 5-二胺基—υ，4_哼二唑、哌姘等。 作為聚醯亞胺前驅物樹脂製造所使用之酸酐，可舉例如 均苯四酸酐、3,3，，4,4，-聯苯基四甲酸二酐、3,3,44，° 二苯基砜四甲酸二酐、4, 4，-氧基二酞酸酐。χ，作為上 述以外之酸針’較佳可舉例如2,2，，3,3，_、2,3,3, 4 3’3’’4’4’-二苯基，四甲酸二酐、2,3，，3,4，_聯苯基四甲 酸一酐、2, 2’，3, 3’-聯苯基四甲酸二酐、2, 3，，3 4，_ 基謎四甲酸二奸、雙（2,3_二羧基苯基）_二酐等。另： 亦可使用：3’ 3' 4, 4'、2, 3, 3，，，4，，_或 2, 2，，，3, 3，， 三苯基四甲酸二酐、2,2-雙(2, 3-或3, 4-二叛基苯基丙 坑一酐、雙（2’3_或3, 4_二羧基苯基）甲院二酐、雙一 以卜二羧基苯基^二酐七—雙仏^或^緩 苯基)乙烧二肝、 97118635 13 200902756 甲酸二軒、以7—葱四？酸二軒、2,2简4 —二羧基 苯基)四氟丙烧二肝、2,3, 5, 6-環己烧二酐、2, 3，"-萘 四甲酸一酐、1，2, 5, 6 —萘四甲酸二奸、i，4, & 8_蔡四甲酸 二酐、4,8—二甲基―以^以六氳萘^以—四甲酸 一酐、2, 6-或2, 7-二氯萘忒4, 5, 8〜四甲酸二酐、 四甲酸二酐、 以’^^-四甲酸二酐^戊烧—^卜四甲酸二 酐、0比σ井- 2,3，5，6~四甲酿 甲酉夂一酐、吡咯啶1,3,4,5-四甲酸 一酐、噻吩-2, 3, 4, 5-四甲酸二酐、4 4 — 氧基)二苯基甲烷二酐等。 又C2,3 —羧基本 上述二胺化合物及酸酐可分別僅使用"重，亦可並用2 ，以上X ’亦可於上述二胺化合物及酸酐中並用上述以 外之二胺化合物或酸酐。此時， 酸酐之使用比例可設為9。莫耳%以下、卜二广化合物或 其耳％以下較佳50莫耳％以 下。在衣d醯亞胺前驅物樹脂時，#由選定 匕厶物 3 = :’或選定在使用2種以上之二胺化合娜 -之情况的各別莫耳比’則可控制熱膨脹 璃轉移點（Tg)等。 ^ f π 進：外作I:::物與酸酐之反應’較佳為於有機溶媒中 甲二1= 媒並無特別限定’具體可舉例如二 η 基甲醯胺、n，n~二甲基乙醯胺、n- 等、等二：:、六甲基伽胺，、甲齡、i丁内醋 、…早獨或混合使用。又，作為此種有機溶媒之使 97118635 14 200902756 用量並無特別限制，較佳係調整為使藉聚合反應所得之聚 醯亞胺前驅物樹脂（聚醯胺酸）溶液之濃度成為5〜3〇重量 %左右的範圍内。經如此調整之溶液，係藉由添加金屬： .合物及黏度調整劑，而可作成本實施形態之導體層形成用 組成物。 聚醯亞胺前驅物樹脂較佳係選定為於醯亞胺化後含有 熱可塑性之聚醯亞胺樹脂。藉由使用熱可塑性之聚醯亞胺 樹脂，可使經酸亞胺化後之聚酿亞胺樹脂發揮例如作為將 絕緣基材與導體層固定之接黏層的功能。 …、 導體層形成用組成物所使用之金屬化合物，若 還原步驟中所使用之還原劑之氧化還原電位具有更高： 氧化還原電位的金屬種的化合物’則可無特別限定：使 用。作為金屬化合物，可舉例如含有Cu、Ni、pd、仏、 Au、Pt、Sn、Fe、Cq、Ci·、Rh、Ru # 之金屬種者。作為 金屬化合物’可使用上述金屬之鹽或有機罗炭基錯合物等。 >作為金屬之鹽，可舉例如鹽酸鹽、硫酸鹽、醋酸鹽酸 鹽、檸檬酸鹽等。金屬鹽較適合使用於上述金屬為Cu、 =广的情況。又，作為可與上述金屬形成有機羰基錯 口物之有機羰基化合物’可舉例如乙醯丙酮、苯T醯丙 酮:二苯甲峨等之沒—二酮類；乙酿醋酸乙醋 _ 綱幾酸醋等。 .作為金屬化合物之較佳具體例，可舉例如： Ni(CH3⑽）2、Cu⑽3_2、⑽）2、祕、⑽、 Pds〇4、祕、CuC〇3、Pdc〇3、NiCh、⑽、_、驗” 97118635 15 200902756

CuBrz、PdBn、Ni(N〇3)2、NiC2〇4、Ni(H2P〇2)2、Cu(NH4)2Cl4、 Cul、Cu(N〇3)2、Pd(N〇3)2、Ni(CH3C〇CH2C〇CH3)2、

Cu(CH3C0CH2C0CH3)2、Pd(CH3C0CH2C0CH3)2 等。 金屬化合物之調配量係相對於聚醯亞胺前驅物樹脂、金 屬化合物及黏度調整劑之合計重量份1〇〇，為5〜6〇重量 份之範圍内、較佳1 〇〜4〇重量份之範圍内。此時，金屬化 =物未滿5重量份時，由於因還原處理所進行之聚醯亞胺 前驅物樹脂表面之金屬粒子的析出變少，故導體層（例如 热電解鍍敷層）之厚度發生不均，若超過6〇重量份，則無 法溶解於導體層形成用組成物液中之金屬鹽發生沉澱。 又，在於還原步驟後未進行無電解鍍敷的情況，係相較於 進行無電解鍍敷的情況，最好將金屬化合物之調配量設定 為較多。關於此點將於後述。 本實％开y態之導體層形成用組成物中，黏度調整劑係依 调即組成物黏度的目的而調配。黏度調整劑將抑制因聚醯 ，胺前驅物樹脂與金屬離子之嵌合錯合物形成所導致之 導體層形成用組成物的黏度上升或凝膠化。亦即，藉由添 加黏度調整劑，則取代組成物中之金屬離子與聚醯^胺二 驅物树脂形成嵌合錯合物，而黏度調整劑與金屬離子形成 物。如此，導體層形成用組成物中，係藉由黏度 凋正剑阻斷聚醯亞胺前驅物樹脂與金屬離子 ΙΛ _ . G难父月外 办成’而抑制增黏•凝膠化。 作為本實施形態之導體層形成用組成物中之黏产調整 ^可使用含氮雜環化合物。又，本實施形態中，亦可與 97118635 16 200902756 2雜環化合物一同使用乙醯丙酮等之有機幾基化合物 作為黏度調整劑。藉由使用含氮雜環化合物作為黏度調整 劑’則可不使用習知使用作為黏度調整劑的有機幾基化合 物，或大幅抑制其使用量。 :為含氮雜環化合物’較佳為3級胺基化合物。由於3 級胺基化合物亦具有促進聚醯亞胺前驅物樹脂之醯亞胺 化的作用，故可依短時間確實地進行聚酿亞胺前驅物樹脂 的醯亞胺化，亦可得到能夠使其對絕緣基材之密黏性更加 提升的效果。另-方面，含氮雜環化合物令，由於i級胺 基化合物或2級胺基化合物會對聚醯亞胺前驅物樹脂之 酉&亞胺化造成影響，而有使醯亞胺構造發生改變之虞，故 不仏又即使亦屬於3級胺基化合物，例如dbu(二氮 雜聯環十一烯）、DABC0(二氮雜聯環辛烷）等般之脂肪族3 級胺基化合物，由於具有其化合物本身與聚醯亞胺前驅物 樹脂進行反應的可能性，故不佳。 本實施形態中，作為3級胺基化合物，可使用例如：取 代或非取代之π比咬、聯π比唆、咪唑、曱吼σ定、二甲〇比咬、 吡唑、三唑、苯并咪唑、嘌呤、咪唑啉、吡唑啉、喹啉、 異喧琳、二吼咬基、二喧D林基、塔_、哺咬、π比畊、吹。井、 喹噚啉、喹唑啉、咔啉、„奈啶、吖啶、啡啶、苯并喹啉、 苯并異喹啉、笨并咔啉、苯并呔啉、笨并喹崎啉、笨并喹 唑啉、啡啉、啡畊、咔啉（carb〇l ine)、吸口定、三啡、四 畊、喋啶、崎唑、苯并哼唑、異哼唑、苯并異哼唑等。此 等3級胺基化合物可組合使用2種以上。 97118635 17 200902756 /述3級胺基化合物中’較佳為自取代或非取代之„比 ;、2, 2 :比啶、咪唑、卜甲基咪唑、2—甲基咪唑、2 甲°比咬及，甲_選擇之至少1種化合物，更佳為 自非取代之^定、2,2、聯^定、味峻」—甲基味為 甲基咪峻、2 -甲吼咬及2 β -田L 2 合物。 及2,6 一卜比口定選擇之至少i種化 作為黏度調整劑之含氮雜環化合物之調 可形成之綱合物化合…莫耳，較佳為〇1莫= 且20莫耳以下，更佳係設定為Q>5 ' ^ 使依相對於喪合錯合物化合^莫耳為超過2〇=之: 大過剩量調配含氮雜環化合物，亦無法見到效果之 =二:也反而產生乞屬化合物(例如乙醯丙酮金屬錯合物) 洛解於聚酿亞胺前驅物樹脂溶液中等缺點，故不佳。 為了使含氮雜環化合物有效地發揮作為聚酿亞胺 别驅物樹脂之醯亞胺化促進劑的作用，較佳係 胺 成嵌合錯合物化合物丨莫耳，將人 ’、、；可形 莫耳。此時，可進一步添加乙酿 基化合物而調整黏度。 今<虿機叛 ^卜’本實施形態之導體層形成用組成物中，係 3氮雜環化合物與有機羰基化合物 敕= 敕習4Π 4士 +丄XX )印馬黏度吞周整劑，而 較S知技術大幅減低有機羰基化合物 充分之黏度調整效果。且體而t，伟夢:：里，亚可得到 人物，而… 八體而0係4由並用含氮雜環化 鲁二:右丙二之有娜化 左右之h添加即可充分調整黏|。結果，可 97118635 18 200902756 固形份濃 輕易地進行作為清漆之導體層形成用組成物的 度的微調整。 作為本實施形態中可使用之有機幾基化合物，較佳 定與金屬離子之反應性高（亦即，可形成金屬錯合物）之= 分子量化合物。有機羰基化合物之分子量較佳 ^ 50〜300之範圍内。作為此種有機羰基化合物之具體例，0 了舉例如乙酿丙酮、乙酿醋酸乙自旨等。 — 作為黏度調整劑之有機羰基化合物之調配量，係 可形成嵌合錯合物化合物丨莫耳，較佳為2〇莫耳以下，、 更佳係设定為卜1G莫耳之範ju内。即使相 物化合物！莫耳依超過20莫耳之量調配有機幾基= 勿’仍難以—步降低原本聚酿亞胺前驅物樹脂溶液的黏 導體層形成用組成物中，較佳係分別含有聚酿亞胺前驅 物樹脂5〜20重量％、金屬化合物〇1〜2〇重量％、黏度調整 劑1〜40重量％之濃度範圍。 /本實施形態之導體層形成用組成物中，亦可調配上述必 須成分以外的任意成分’例如均平劑、消泡劑、密黏性賦 予劑、交聯劑等。 士導體層形成用組成物係例如可藉由將聚醯亞胺前驅物 樹脂、金屬化合物、黏度調整劑及上述任意成分，於任意 溶媒（例如吡啶系溶媒、味唑系溶媒等）中進行混合而調 製。又，亦可藉由於事先調製之聚醯亞胺前驅物樹脂溶液 (聚鯭胺Iα漆）中，添加混合金屬化合物及黏度調整劑， 97118635 19 200902756 而调製導體層形成用組成物。作為可使用作為導體層形成 用組成物之母液的聚醯胺酸清漆’可舉例如新日鐵化學股 伤有限公司製之熱可塑性聚醯亞胺清漆SPI-200N(商品 -名）、同SPI-30⑽（商品名）、同SPI-1 000G(商品名），東 .麗股份有限公司製之Torayneece#3000(商品名）等。 導體層形成用組成物之黏度係因塗佈於絕緣基材時之 塗佈方法而異，在例如使用配量器等之塗佈工具塗佈於基 材上時，較佳係調節為1〇〜OOOcps之範圍内。此時， 若‘體層开7成用組成物之黏度未滿1 〇cps，則有難以控制 目軚之線見之虞。又，若導體層形成用組成物之黏度超過 000cps，則有塗佈液（導體層形成用組成物）堵塞噴 嘴’無法塗佈於基材之虞。 、 其次，針對本發明實施形態的導體層之形成方法，參照 圖式進行詳細說明。以下所例示之第丨〜第4實施形態的 導體層之形成方法，係具有使用上述導體層形成用組成物 C於絕緣基材上形成導體層的特徵。 [第1實施形態] 圖1係表不應用第1實施形態之導體層之形成方法的電 路基板之概略構成的立體圖。圖2係擴大表示圖丨之電路 基板之主要部位的說明圖。 ' 百先1參照圖1及圖2針對電路基板1進行說明。電路 基板1係具備絕緣基材3與於絕緣基材3上成為佈線的導 -二5作為絕緣基材3 ’可使用例如玻璃基板、矽基板、 陶瓦基板等之無機基板，或聚醯亞胺樹脂、聚對苯二曱酸 97118635 20 200902756 乙二酯（PET)等之合成樹脂基板。 導體層5係經圖案化為既定形狀的導體層。導體 如圖2所示般，具有··形成於絕緣基材3上之聚釀亞胺= 脂層7上層的金屬析出㉟9;形成為覆蓋該金屬析出声9 f ;與形成為覆蓋該無電解鑛敷層 電鑛層13。本實施形態中，分別將僅金屬析出層9、金屬 析出層9與無電解鍍敷層n、或金屬析出層 鑛敷層U與電鑛層13稱為「導體層5」。又體= 除了上述各層以外亦可具有任意層。 ^ ί. 聚醯亞胺樹脂層7係將屬於聚臨亞胺前驅物 醯胺酸進行加熱並使其進行脱水·環化反應而以經酿亞^ 化之?κ醯亞胺樹脂為主體。聚醯亞胺樹脂係相較於其他之 口成树1日（例如環氧樹脂、酚樹脂、丙烯酸系樹脂等埶 ^㈣⑴具有耐熱性及尺寸敎性優越的性質，故適 本Λ轭形恶之聚醯亞胺樹脂層7係於圖案形成後 料酿亞胺前驅物樹脂進行醯亞胺化而形成者，與絕緣基 材3之間具有兩密黏性。此種聚醯亞胺樹脂層7介存 緣基材3與金屬析出層9之間並發揮黏合劑之功能。、 金屬析出@ 9係由藉由將來自導體層形成用組成物中 所含之金屬化合物的金 班 而批山 胺前驅物樹脂子進㈣原，而析出於聚酿亞 屬被膜丄1 樹脂層？)表面的金屬所形成的金 屬破膜。該金屬析出層9中之金屬種類係與 組成物中所含之金屬相同。 4用 無電解锻敷層11係藉無電解鑛敷所形成之金屬被膜， 97118635 21 200902756 不論金J之種類’但由於使用與構成電 同之金屬種則可與電鍵層13之間得 :圭。:乍為，成無電解鑛敷層”之金屬，較佳她：

Cru、PdV、。d、Sn、Rh、R"，”—w，、 另外’電鍍層13係以例如Cu、Au、Ni、Sn、pd =主體之金屬被膜。此等金屬中，特佳可舉例如cj 其次，參照圖3〜圖9說明本發明第i實施 層之形成方法。圖3係表示本實施形態之導體層 法的主要步驟概要的流程圖。圖4至圖9係用於朗 施形態之導體層之形成方法中之主要步驟的說明圖。μ 如圖3所示，本實施形態之導體層之形成 作為主要步驟的步驟S1〜步驟S5的步驟。 係/、備 ^驟S1巾’仙作為含有㈣亞胺前驅物樹脂、 Γ = 劑之導體層形^組成物的塗佈液 A材I Γ 配量^ 3 G絲定圖案塗佈於絕緣 基材3上’使其編形成塗佛膜4〇(塗佈膜形成。 又’圖4中之符號4Ga係乾燥前之塗佈膜。將s 塗佈膜形成步驟中塗佈於絕緣基材3上之 〃=

面形狀示於圖5。 V联4U的J 於步驟S1之塗佈膜形成步驟中， 配量器30,可利用已知構成者。於市隹口中4液20之 如™。Π(商品名：S，股份有限7鲁 97118635 22 200902756 =:器3〇,即使對例如凹凸面或曲面等立體之面亦可 ίΓ平面既Γ案塗佈塗佈液2G。因此，不僅止於習知之2 、”、）電路形成，亦可形成3維（立體）電路。 r ^外：使用配量器30所形成之圖案狀之塗佈膜4〇的線 寬L，係可藉由作為導體層形成用組成物之塗佈液2 黏度調整、噴嘴（吐出口）徑之控制、吐出壓力之控制、描 繪速度=控制或此等組合，而調節為目標尺寸。本實施形 態中，藉由將塗佈液20之黏度設為1〇〜1〇〇〇〇〇cps之範 圍内，則可防止配量器30之吐出喷嘴3〇a的堵塞，並依 所需線寬形成細微圖案。又，可配合所塗佈之塗佈膜 之圖案線寬L，設定塗佈液20之黏度。例如，在將塗佈 膜40之圖案線寬l設為1 〇〜1 〇〇 # m之範圍内時，較佳係 將塗佈液20之黏度設為1〇〜i〇〇cps之範圍内。在將塗佈 膜4 0之線寬L設為10 〇〜2 0 0 // m之範圍内時’較佳係將淹 佈液20之黏度設為1〇〇〜50Ocps之範圍内。在將塗佈膜 40之線寬L設為200〜300 // m之範圍内時，較佳係將塗佈 液20之黏度設為500〜50, OOOcps之範圍内。在將塗佈膜 4 0之線寬L設為3 0 0〜4 0 0 // in之範圍内時，較佳係將塗佈 液20之黏度設為50, 000〜70, 000 cps之範圍内。在將塗佈 膜4 0之線寬L設為4 0 0〜5 0 0 μ m之範圍内時，較佳係將塗 佈液20之黏度設為70, 〇〇〇〜90, OOOcps之範圍内。在將塗 佈膜4 0之線寬L設為5 0 0 ~ 6 0 0 // m之範圍内時，較佳係將 塗佈液20之黏度設為90, 000〜100, OOOcps之範圍内。 步驟S1之塗佈膜形成步驟中，係於將塗佈液20吐出至 97118635 23 200902756 絕緣基材3卜,4. 由將吐出乾燥㈣成塗㈣4G。乾燥可藉 加熱3〜10分鐘左右二12〇“範圍内的溫度，進行 過150X:，則聚酿亞月1^而進行。此時’若加熱溫度超 之還原步驟進=物樹脂進㈣亞胺①，於其後 溫度進行乾燥、。丁金屬析出’故最好依上述範圍内之 其次’於步驟S2中，俜 =形成金屬_ :==:: 無特別限定，可採_: 加熱還原法、電性照射還原法、電子束照射法、 膜40浸潰於含有還^專之方法。濕式還原法係將塗佈 離子還原的方法之溶液（還原劑溶液）中而使金屬 中，使金屬離子進;^ 塗㈣4G置於氯環境 塗佈臈40昭射紫夕3原的方法。紫外線照射還原法係對 '還原處理手金屬離子還原的方法。此等之 ::::r依短時間形成均勻金屬被膜之效果。 號文獻2(曰本專利特開2〇 乙醯醋酸乙醋作里週配有機幾基化合物之乙醯丙_或 機幾基化合物由於對^2〇之㈣调整劑時’此等之有 用，故有於濕式還Λ 胺前驅物樹脂具有溶解作 ' <’、乂驟中聚醯亞胺前驅物樹脂溶出於還 97US635 24 200902756 了有機而使還原效率降低的問題。因此’於使用調配 ==匕合物之塗佈液的專利文獻2之方法中，並無 之導體芦；1率佳之濕式還原法。相對於此，本實施形態 組成物）中不含成全方屬法中人’由於在塗佈液20(導體層形成用 還原法。3金屬化0物，故可採用還原效率佳之濕式 原理方法之濕式還原法中所使用的還 f 之化合物氫化一 号林、脉η 可作成例如次鱗酸鋼、福 :液(還原劑溶液)而使用。還原劑溶液中 内口 =的浪度’例如較佳為〇 〇〇5〜〇.5m〇i/L之範圍 合物之、★:之範圍内。還原劑溶液中之哪化 ::之：度未滿U〇5mol/L時，塗佈膜 離：之逛原變得不足，若超過。.lm〇1/L，則因领化= =用而有塗佈膜40中之聚醯亞胺前驅物樹脂溶解的情 :夕卜濕式還原處理中，係將形成了塗佈膜⑼之 Ϊ的#::’C之範圍内、較佳5〇〜耽之範圍内之-度的還原劑溶液中，浸潰20秒〜3〇分鐘 狐 分鐘、更佳1分鐘〜5分鐘之時間。 土 秒〜10 濕式還原法中，係藉由將具有塗佈膜4 浸潰於還原劑溶液中，而可使還原劑充分地浸3 中。其結果可抑制金屬析出之不均 ▲佈膜 驟，塗佈膜40表面之金屬離子被還原而^ ^還原步 虫7蜀，如圖 97118635 25 2U_2756 δ所示般，形成覆蓋塗佈臈4()之 出層9可於之後作為進行無電解=析出層9。此金屬析 其次，步爾，係對於步驟;2之之:。 金屬析出層9實施無電解錢敷（益〜 還原步驟所形成之 鍍敷係將具有形成了金屬^出層、、9電解鍍敷步驟）。無電解 材3浸潰於無電解鍍敷液中而^ ^之塗佈膜40的絕緣基 圖7所示般，形成覆蓋金屬析^丁。藉此無電解鍍敷，如 此無電解鍍敷層U係於之後曰之無電解鍍敷層11。 作為於步驟S3之無電解梦：所進行之電鑛的核。 敷液，係考慮到對聚酿亞中所使用之無電解錄 中性〜弱酸性之次峨酸李之趨_脂的影響’最好選擇 ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ it r, 〇 嶋_商品名；奥野製品’可舉例如餅 作為石朋系之鎳鑛敷液之隹、σ 有限公司製）。又，

Β-1(商品名；奧野制筚工:叩可舉例如了㈣腿删Υ ALLOY66C^ 〇 ^衣条業股份有限公司製）、TOP CHEM 奥野製藥工業股份有限公司製)。 弱酸性。：=敷：之PH較佳係調整為4〜7之中性〜 Ύ 〇、、且5例如硫酸、鹽酸、硝酸、硼酸、碳 醋酸:乙醇酸、檸檬酸、酒石酸等之有機 鹼性趟而使认、醋酸、檸檬酸等之弱酸與其等之 Γ鹽而使其具有緩衝作用。 之# 3之無電解鍍敷步驟之處理溫度，可設為80〜95 步驟之$内較佳為85〜90°C之範圍内。又，無電解鍍敷 处理日可間可設為2〇秒〜1〇分鐘、較佳3〇秒〜5分 97118635 26 200902756 鐘、更佳1分鐘〜3分鐘。 其次，於步驟S4中’係將具有塗佈膜4G之絕緣基材. 進行熱處理而將塗佈膜4〇中之聚醯亞胺前驅物樹脂 醯亞胺化（醯亞胺化步驟）。藉熱處理使塗佈膜4〇中 醯胺酸進行脫水·環化而使其醯亞胺化，如圖8所示般形 成與絕緣基材3之絲性優越的㈣亞胺樹脂層7。 胺化係使料將塗佈膜4〇加熱至所需溫度的熱處理裳 置’較佳可於氮等之情性氣體環境下進行。熱處理係於例 如150〜400T：之範圍内之溫度條件進行卜6〇分鐘。熱声 理溫度未滿150T：時，醯亞胺化未充分進行，又，熱 溫度超過400X：時，將有引起聚醯亞胺樹脂之熱分解之&虞。 其次，於步驟S5中，係將無電解鍍敷層u作為核而實 施電鍍，形成電鍍層13(電鍍步驟）。藉由電鍍，如圖9 所示般，形成覆蓋無電解鍍敷層u之電鍍層13。又，該 步驟S5之電鍍步驟為任意步驟。電鍍係於例如含有= 酸、硫酸銅、鹽酸及光澤劑[例如，作為市售品之日: MacDermid製之MacuSpec(商品名）等]之組成的鍍敷液 中，將絕緣基材3上之無電解鍍敷層u作為陰極，將cu 等之金屬作為陽極而實施。電鍍中之電流密度較佳為例如 卜3.5A/dm2之範圍内。又，作為電鍍之陽極，Cu以外可使 用例如N i、Co等之金屬。 如上述’可製造於絕緣基材3之表面上形成有成為金屬 佈線之導體層5的電路基板1。此電路基板1係適合使用 於例如硬質印刷基板、可撓性印刷基板、TAB(Tape 97118635 27 200902756

Automated Bonding)材料或 CSP(Chip Size Package)材 料、COG (Chip on Glass)材料等之用途。 本實施形態中之導體層之形成方法，由於將含有含氮雜 環化合物作為黏度調整劑的導體層形成用組成物使用作 為塗佈液2 0 ’故容易調節塗佈液之黏度，並可採用以配 量器30所進行之細線狀塗佈。再者，藉由使用不含有機 羰基化合物、或極力抑制了其調配量之導體層形成用組成 物，而可採用還原效率優越之濕式還原法作為金屬離子之 還原處理方法。 另外，塗佈液20所含有之含氮雜環化合物由於具有促 進聚醯亞胺前驅物樹脂之醯亞胺化反應的作用，故於將塗 佈液20塗佈於絕緣基材上後，於醯亞胺化步驟進行加熱 而將聚醯亞胺前驅物樹脂進行醯亞胺化時，可防止醯亞胺 2=:充分，並可形成錢緣歸之密難高的聚醒 另外，使用配量器30於絕緣基材3上依既定圖案 佈液20後，藉由將塗佈膜4〇中之金屬 還 =屬析出層9,則不需要使用金屬微粒 :法中所需要的燒結步驟，而不易發生通導不良“又技： =用配量器3〇依既定圖案直接塗佈塗佈液2 : 步驟。又，藉：於程中，可省略光刻步驟或餘刻 即使於例如絕缘美材^之0之塗佈時使用配量器30,則 々旦仏 緣基材3之凹凸面或曲面等立體之而介 合易地形成經圖案化之導 面亦可 97118635 28 200902756 另外’根據利用了本實施形態之導體層之形成方法的電 路基板之製造方法，將發揮可依高產率製造絕緣基材與導 體層之密黏性優越、可靠性高之電子零件的效果。 [第2實施形態] 其次’參照圖1G，針對本發明第2實施形態之導體層 進行說明。圖1〇係表示本實施形態之導體層 之形成方法之順序概要的流程圖。本實施形態 =成係具備圖丨。所示之步驟su〜步 ： :=:態，’係在相當於第1實施形態之步驟 之塗佈膜形成步驟前，具傷進 Γ太么 質的步驟su之表面處理步驟。 態之步驟S12〜步驟S16的步驟，由於與第工 二…之步驟s卜步驟S5的各步驟相同，故省略其說 本貫施形態中，於步驟S 1】 絕緣基材3之材質而選擇表面2面之處内理/驟較佳係配合 絕緣基材3之= n㈣所構成時，較佳係將 面處理可藉由 中而進行。藉由以—;進; 機材料所形成之絕緣美 处里，則可使由無 偶合劑所進行ί表面=里3寬的擴展。又，藉由石夕貌 3之密黏性。從巾，^可提料相4G與絕緣基材 從而，可維持由塗佈膜40所形成之圖案精 97118635 29 200902756 度，並可使自絕緣基材3剝離導 減少。對絕緣基材3之表面處二的發生情況 例如2(T〜ii(rm “ 與水之接觸角為 例戈』110之靶圍内進行’更佳3〇。〜1〇 此時，與水之接觸角未滿2〇。時 …之液流動，又，超過11〇。'二難 絕緣基材3之密黏性降低之虞。f將有㈣膜40與 作為表面處理所使用之石夕烧偶合劑，可舉例如：3_胺其 丙基三乙氧基㈣、3-胺基丙基三甲氧基錢、3_(2_ς ^乙^胺基丙基三乙氧基石夕院、3 —(2_胺基乙基）胺基丙 基二甲乳基石夕烧、3-(2-胺基乙基）胺基丙基甲基二乙氧基 破烧:3-(2-胺基乙基）胺基丙基甲基：甲氧基梦烧、3 — 三乙氧基㈣基|(1，3_二甲基_亞丁基）丙基胺、n_苯基 -3-胺基丙基三甲氧基钱、N—(乙烯基f基）_2_胺基乙基 -3-胺基丙基三曱氧基錢的鹽酸鹽、3_脲丙基三乙氧基 矽烷、3-巯基丙基f基二甲氧基矽烷、3_巯基丙基三〒氧 基矽烷、3-異氰酸基丙基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基 梦烧、乙烯基三乙氧基錢、2_(3,4_環氧基環己基）乙基 三甲氧基㈣、3-環氧丙基丙基三甲氧基㈣、3—環氧丙 基丙基二乙氧基矽烷、對苯乙烯基三曱氧基矽烷、3_曱基 丙烯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3_曱基丙烯氧基丙基甲 基一乙氧基矽烷、3-曱基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷、3一 曱基丙烯氧基丙基三乙氧基矽烷、3_丙烯氧基丙基甲基三 乙氧基矽烷等。 另外，在絕緣基材3為由聚醯亞胺基板、PET(聚對苯二 97118635 30 200902756 甲酸乙二酯)基板等之合成樹脂材料所構成的 2將絕緣基材3之表面藉電t進行表面處^藉由^ 所進仃之表面處理，可使絕緣基材3之表面粗化丨= 面之化學構造改變。藉此，可提升絕緣基材3之表 性，並提高與塗佈液20之親和性，於該表面上將冷佈、= 2〇穩定地保持為既定形狀。 土佈液 形成之圖案精度。 W持猎塗佈臈4〇所 例如使用大氣壓方式之電聚處理裳置，於 ;工處理至内使氬、氦、氮或此等之混合氣體的電漿生 成。此時較佳之處理壓力為5〇〇〇〜2〇〇〇〇〇Pa之範 :里溫度為10销之範圍内、高頻率（ ： 5〇〜400W之範圍内。 出為 另外，在絕緣基材3之材質為聚醯亞胺樹脂的情況，作 為提升塗佈膜40與絕緣基材3之密黏性的手段，藉鹼處 理將絕緣基材3表面之聚醯亞胺樹脂進行水解亦屬有 效。於此，作為鹼，可舉例如LiOH、KOH、NaOH等之鹼金 屬氳氧化物等，較佳可使用選自K0H或NaOH的1種以上。 、如上述般’藉由進行步驟S11之表面處理步驟，可抑制 塗佈了塗佈液2〇後之液流動，並可抑制線寬的擴展。又， 措表面處理，亦可提升塗佈膜40與絕緣基材3之密黏性。 因，’可維持導體層5之圖案精度，並可使因絕緣基材3 /、來酸亞胺樹脂層7之接黏力降低所造成的導體層5之制 離等不良的發生情況減少。本實施形態中之其他作用及饮 果，係與第1實施形態相同。 ^ 97118635 31 200902756 [第3實施形態] 參：圖U及圖12’針對本發明第3實 之 = : = :進行說明。圖11係表示本實施形態之 順序概要的流程圖。本實施形態之導 ^ ^ 二係具備圖11所示之步驟S2卜步驟S24 、”驟。本實施形態之導體層之形成方法中，除了未實 施無電解鍍敷步驟以外，豆 ’、 、 地谁;…^ /、餘了，、弟1貫施形態幾乎同樣 仃攸而，由於步驟S21〜S24係與 點。 戍十门樣地進仃，故以下僅說明相異 圖12係表示藉由本實 成的導妒屏「 不貝“之導體層之形成方法所形

At &之主要部位剖面構造的說明圖。本實施带 恶之導體層5a係不含無電解鍍敷層 ： =，聚_脂層7的金屬析由出^ ，、、、是風„亥金屬析出層9之電鍍層13 導㈣亦可具有其他任意層。*體層5a。又， 未進仃無電解鍍敷之本實施形態中，係 解鍍敷之情況具有更高金屬者：：仃無電 之塗佈膜报士止 柳，辰展者作為步驟S21 布料成步驟所使用的塗佈液2〇。旦 二 係使用相對於聚醢亞胺前驅物樹脂、，較佳 整劑之合計10〇番旦於A女二 合物及黏度調 範圍内、二 102:=，—^ 藉由使用Ιί 讀之㈣㈣塗料20。如此， 吏用i屬化合物濃度較高之塗佈液2〇， S22之還原步驟中形成幾乎:於步驟 乂小岣的良質金屬被臈 97118635 32 200902756 (金屬析出層9)。 、本μ知形態中’可省略無電解鍍敷步驟的理由如下述。 於使用未5周配含氮雜環化合物作為黏度調整劑之塗佈液 2 〇 的習知太、、土 士 法中’必須大量地使用乙醯丙酮等之有機羰 土化:物作為黏度調整劑。此時，若塗佈液20中之金屬 離子浪度變高，則伴隨此而調配作為黏度調整劑的有機幾 口物之里亦變多。然而’若將大量調配了有機羰基化 ^之塗佈液20長時間放置，則於液中析出有機幾基化 °物^结晶’並成為難以處理塗佈液2G的狀態。 二-方面’於使用調配了吡啶等之含氮雜環化合物作為 *佑”γΛ 本貫施形態的方法中，若提高 :中之金屬離子濃度，則雖然增加含氮雜環化合 佑Ϊ t η要5周配罝’但即使予以長時間放置亦幾乎不發生塗 =〇的狀態變化。又，藉由使用含氮雜環化合物，： 二使用有機碳基化合物的情況，可更加 f1的合計調配量。亦即，在僅調配了含氮雜環 為黏度調整劑的情況、或並用含 化合物作為黏度調整劑的情況下，係可配== 二物作為黏度調整劑的情況大幅地減低塗== 有含氮雜環化合物之塗::::中因，於含 原步驟即促使充分量的金屬t果而了僅依步驟奶之還 步驟仍可形成幾乎盔缺陷亦 …電解鍍數 …、曰或不均的金屬被膜（金屬 97118635 33 200902756 9 )。本實施形悲中，係藉由省略無電解鍍敷步驟，而不僅 節約步驟數及處理時間1不需要伴隨無電解㈣的繁雜 之鍍敷液管理或廢液處理。 本貫把形態中之其他作用及效果，係與第丨實施形態相 同。又，本實施形態中，亦可與第2實施形態同樣地於塗 佈膜形成步驟之别設置表面處理步驟。 [第4實施形態] 其次，參照圖13A及圖13B，針對第4實施形態之導體 f之形成方法進行說明。圖13A及圖13β係說明本實施形 態之塗佈膜形成步驟的說明圖。上述g卜第3實施形態 中，作為塗佈膜形成步驟中之塗佈液2()的塗佈手段，雖 使用了配量器30，但本實施形態中，係取代配量器3〇， 使用具備吐出微小液滴之液滴吐出頭52的液滴吐出裝置 5〇。又，除了於塗佈膜形成步驟中使用液滴吐出裝置5〇 的要點以外’本實施形態中之各步驟係與第卜第3實施 形態之各步驟同樣地進行，故以下僅說明不同處。 α本實施形態中，係於塗佈膜形成步驟中，如圖13A所示 '使用液滴吐出裝置5 〇於絕緣基材3上依既定圖案塗佈 塗佈液20。液滴吐出裝置5〇係具備可對絕緣基材3於χγ 方向上進行相對移動之液滴吐出頭52。該液滴吐出頭52 一備利用了噴墨印刷技術的吐出機構（省略圖示），並如圖 艮所不又朝絕緣基材3以微小液滴吐出塗佈液。亦 2 I夜滴吐出碩52係具備例如多數之細微喷嘴孔52a、 共構成為連通於該喷嘴孔52a並藉壓力（piez〇—)元件的 97118635 34 200902756 ^伸長而了增減内部容積的壓力發生室（省略圖示）。 而且’構成為藉由來自未圖示之控制部的電氣性驅動信號 使壓力70件驅動而改變壓力發生室之容積，利用此時所產 .生之内σ|5壓力的上升而自各喷嘴孔52a將塗佈液作成 .數微微升（pi⑶1 ite小數微升左右的微小液滴而朝絕緣 土 ^ 3進行噴射。又，作為液滴吐出頭5 2，亦可取代上 述壓力方式而使用熱能方式者。 r 作為塗佈液20，可使用與第1實施形態中之塗佈液20 、幾乎相同者。然而，於使用液滴吐出裝置50時之塗佈液 20、的黏度較佳為1〇~2〇cps之範圍内。塗佈液之黏度 未滿lOcps時，將有難以控制目標之線寬之虞。又，若塗 佈液20之黏度超過2〇cps，則有塗佈液2〇堵塞於噴嘴孔 52a内而無法進行塗佈之虞。作為塗佈液2〇之導體層形 成用組成物之黏度，可藉黏度調整劑進行調整。 在使用液滴吐出裝置5〇形成塗佈膜4〇時，圖案狀之塗 u佈臈40之線丸l較佳為1〇〜4〇〇 # m之範圍内、更佳15〜2〇〇 二:二乾圍内。又’塗佈膜4〇之線寬L，係藉由塗佈液 導體層形成用組成物）之黏度調整、喷嘴（吐出口）徑之 控制吐出壓力之控制、描繪速度之控制或此等之組合， 而可調節其目標尺寸。本實施形態中，係如上述般，藉由 2塗佈液20之黏度設為1〇〜2〇cps之範圍内，則可防止液 /吐出1置50之液滴吐出頭52之内部的壓力發生室（省 :=)。或嘴嘴孔52a中的堵塞’並可依所需線寬形成細 97118635 35 200902756 $滴土出頭5 2於絕緣基材3上吐出塗佈液2 〇後，使 〔、ϋ k乾燥可依與第1實施形態之步驟S1相同的條件 進行如此’可於絕緣基材3上依既定圖案形成塗佈膜 40 ° j用具備了液滴吐出頭52之液滴吐出裝i 的本實施 形悲:之其他作用及效果，係與第卜第3實施形態相同。 其次’列舉實施例進一步具體說明本發明，但本發明並 不受此等實施例之制約。 [參考列] 於N—甲基—2一吡咯啶_ (以下簡稱為「_P」）200ml中， 力「口入3, 3，4’ 4’—聯苯基四甲酸二酐（以下簡稱為 BPM」）7.36g與2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基）苯基]丙烷 (以下簡稱為「BApp」）1〇. 26g，於室溫下攪拌4小時，作 成聚酿亞胺前驅物樹脂清漆A。 [實施例1 ] 於聚醯亞胺前驅物清漆A中，加入吡啶3.96§作為黏度 調整劑’攪拌30分鐘。於該混合物中添加使市售之鎳（ΐι) 乙醯丙酮酸二水合物3g溶解於NMp2〇ml的溶液，於室溫 下擾摔1小時’藉此製成藍色之聚醯亞胺前驅物錄錯合物 洛液1作為導體層形成用組成物。此溶液之黏度係以E型 黏度計進行測定’結果為22, 118cps。 將無鹼玻璃（旭硝子股份有限公司製AN-1 〇〇)之試驗片 lOcmxlOcm(厚〇.7mm)藉5〇它之⑽氫氧化鈉水溶液進行声 理5分鐘。其次，將試驗片之玻璃基板以純水洗淨、乾燥 97118635 36 200902756 後，浸潰於1重量％之3-胺基丙基三甲氧基矽烷（以下簡 稱為「γ -APS」）水溶液中。將試驗片之玻璃基板自^ _Aps 水溶液取出後，予以乾燥，以丨5〇〇c進行加熱5分鐘。於 該玻璃基板上均勻塗佈上述聚醯亞胺前驅物鎳錯合物溶 液1，以13(TC進行乾燥30分鐘。藉塗佈、乾燥所形成的 塗佈膜之厚度為2/zm。

其次，將上述玻璃基板浸潰於5〇。〇之1〇〇mM氫氧化硼 鈉水溶液中3分鐘，將塗佈膜中之[離子還原而使金屬 鎳析出，於塗佈膜表面形成Ni析出層。其次，將玻璃基 板以離子交換水洗淨後，於無電解鎳鍍敷浴（奥野製藥工 業股份有限公司製；T0P NIC〇R〇N T〇M_s(商品名^中'以 8〇°C浸潰30秒，藉此形成為電鍍銅之基質的鎳層。 再者’對於玻璃基板之鎳層，於電鍍銅浴中，以3. Μ刈^ 之電流密度進行電鍍，形成銅膜厚2〇"m之銅箔層。

。將所得之铺層形成玻璃基板，於氮環境中力^至細 C ’以同溫度費時5分鐘將聚醯亞胺前 :化。其後，於氮環境中冷卻至常溫，得到銅積層：璃1 積=基板之㈣層上層合乾薄膜光阻後，經 由先罩進灯糸外線曝光，並進行顯 丨佈線寬"布線間隔(―二 形f之佈線空間部之㈣層以餘刻去除，再將下 ^胺樹脂層進純刻去除，料_佈 ^板自 [實施例2 ] 取圾埤基板。 97118635 37 200902756 於聚醯亞胺前驅物清漆A中，加人_3爲及乙酿丙 酮l.OOg作為黏度調整劑，擾掉30分鐘。於該混合 添加使市售之鎳⑼乙酿丙嗣酸二水合物3g溶解於 丽P2〇mi的溶液’於室溫下授拌】小時，藉此製成藍色之 聚酿亞胺前驅物鎳錯合物溶液2作為導體層形成用组成 將無驗玻璃（旭石肖子股份有限公司製频—则之試驗片 1〇CmXl〇Cm(厚〇·7賴）藉阶之⑽氫氧化納水溶液進行處 理5分鐘。其次’將試驗片之玻璃基板以純水洗淨、乾燥 後’浸潰於1重量％之lAPS水溶液中。將試驗片之玻璃 基板自r-APS水溶液取出後，予以乾燥，以15代進行加 熱5分鐘。於該玻璃基板上均句塗佈上述聚酿亞胺前驅物 鎳錯合物溶液2，以13(TC進行乾燥3〇分鐘。藉塗佈、乾 燥所形成的塗佈膜之厚度為2#m。 ^其次，將上述玻璃基板浸潰於5〇〇〇之1〇〇遽氯氧化领 鈉水溶液中3分鐘’將塗佈膜中之Ni離子還原而使金屬 錄析出，於塗饰膜表面形成Ni析出層。其次，將玻璃基 板以離子交換水洗淨後，於氮環境令加熱至3〇代，於同 溫度費時5分鐘將聚驢亞胺前驅物樹脂進行酿亞胺化。其 後，於無電解錄鑛敷浴（奥野製藥工業股份有限公司製； T㈣職0NT0M-S(商品名））中以啊浸潰如秒，藉此 形成為電鍍銅之基質的鎳層。 再者’對於玻璃基板之鎳層，於電鍍銅浴中，以3. 5A/dm2 97118635 38 200902756 之電流密度進行電鑛，形成銅臈厚·m之銅荡層。 於此銅積層玻璃基板之銅箔層上層合 由光罩進行紫外線曝光，並進行顯影而形成 Η布線寬"布線間隔_，靖一之=^^ :成之佈線空間部之㈣層以⑽!去除，再將下層之聚酿斤 [實進行㈣去除，料到銅佈線形成玻璃基板。 ::酿亞胺前驅物清漆"，加入。比。定3.96§及乙醒丙 嗣2.00g作為黏度調整劑，擾掉3〇分鐘。於該混合 添加使市售之鎳（⑴乙醯丙酮酸二水合物^溶解於 卿咖的溶液，於室溫下攪拌丨小日夺，藉此製成藍色之 «亞胺前驅物鎳錯合物溶液3作為導體層形成用植成 =此溶液之黏度係以E卿度計進行敎，結 780cps。 將無鹼玻璃(旭硝子股份有限公司製㈣〇)之試驗片 〇 lOcmxlGem(厚0. 7_)藉抓之5N氫氧化財溶液進行處 理5分鐘。其次，將試驗片之玻璃基板以純水洗淨、乾燥 後，浸潰於1重量％之卜APS水溶液中。將試驗片之玻璃 •基板自r-APS水溶液取出後，予以乾燥，以15〇t進行加 熱5分鐘。於該玻璃基板上使用配量器[s〇NY股份有限公 -司製，CASTPR〇n(商品名）；以下亦同]將上述聚酿亞胺前 驅物鎳錯合物溶液3描繪成約2〇〇 Am寬之直線後，以13〇 C進仃乾燥30分鐘。藉描繪、乾燥所形成的塗佈膜之厚 度為2 // m。 97118635 39 200902756 其次、’將上述玻璃基板浸潰於“它之1〇〇mM氫氧化硼 鈉水洛液中3分鐘，將塗佈臈中之Ni離子還原而使金屬 錄析出，於塗佈膜表面形成Ni析出層。其次，將玻璃基 板以離子交換水洗淨後，於無電解錄鑛敷浴（奥野势藥工 業股份有限公司製；T〇P NIC0R0N T0M—S(商品名^中、以 8〇°C浸潰30秒，藉此形成為電鑛銅之基質的錄層。 再者’對於玻璃基板之鎳層，於電鍍銅浴中，以3. 之電流密度進行電鍍’形成銅膜厚2〇"之銅佈線。 。將所得之銅佈線形成玻璃基板於氮環境中加熱至3〇〇 以同溫度費時5分鐘將聚醯亞胺前驅物樹脂進行酿亞 胺化。其後’於氮環境中冷卻至常溫，得到銅佈線形成玻 璃基板。 [實施例4 ] 於聚醯亞胺前驅物清漆A中，加入吼。定3 96g及乙酿丙 酮5· 0(^作為黏度調整劑，攪拌3〇分鐘。於該混合物中 添加使市售之鎳（11)乙醯丙酮酸二水合物3g溶解於 NMP2〇ml的溶液’於室溫下攪拌丨小時，藉此製成藍色之 聚醯亞胺前驅物鎳錯合物溶液4作為導體層形成用組成 物。此溶液之黏度係以E型黏度計進行測定，結果為 41Ocps 。 將無鹼玻璃（旭硝子股份有限公司製AN_1〇〇)之試驗片 lOcmxlOcmC厚0.7mm)藉咖之⑽氫氧化納水溶液進行處 理5分鐘。其次’將試驗片之玻璃基板以純水洗淨、乾燥 後，浸潰於1重量%之厂似水溶液中。將試驗片之玻璃 97118635 200902756 = :—APS水溶液取出後，予以乾燥 二;ί:玻·板上使用配量器將上述聚醯亞胺前 驅物鎳錯合物溶液4描繪成崎 ΟΛ 取、、々2〇〇#m寬之直線後，以13〇 進订乾紐3 0分鐘。藉描纟备 度為2㈣。 H㈣形成的塗佈膜之厚 其次’將上述玻璃基板浸清 納水溶液中3分鐘，將塗佈膜：=之咖氫氧㈣ 钽姑山 佈膜中之I離子還原而使金屬

鎳析出，於塗佈膜表面形成N & ,v她Y > 〜珉Wl析出層。其次，將玻璃基 板以離子父換水洗淨後，於 、、西痒趙士「 夂趴虱玉衣土兄中加熱至300°C，以同 :又費日“分鐘將聚醯亞胺前驅物樹脂進行醯亞胺化。1 於無電解鎳鍍敷浴(奥野製藥工業股份有限公司製； =腦㈣―S(商品名））中以8『c浸潰Μ秒，藉此 心成為電鍍銅之基質的鎳層。 再者，對於玻璃基板之_，於電鑛銅浴中，a35A/dm2 之電流密度進行電鍍’形成銅膜厚2〇^之銅佈線，得到 銅佈線形成玻璃基板。 [實施例5] 於聚酿亞胺前驅物清漆A中，加入卜甲基嗦峻4. % ^為黏度調整劑，㈣3G分鐘。於該混合物中添加使市 售之鎳（π)乙醯丙酮酸二水合物3g溶解於丽p2〇mi的溶 :，於室溫下攪拌1小時，藉此製成藍色之⑽亞胺前驅 鎳在曰S物A液5作為導體層形成用組成物。此溶液之黏 度係以E型黏度計進行測定，結果為57〇cps。 準備東麗•杜邦製之聚醯亞胺薄膜” Capt〇nEN”（商品 97118635 41 200902756 名）之試驗片l〇cmxl0cm(厚25gm)。於該聚醯亞胺基板 上，使用配量器將上述聚醯亞胺前驅物鎳錯合物溶液5描 繪成約200 #m寬之直線後，以125。〇進行乾燥1〇分鐘= 描繪、乾燥所形成的膜之厚度為2 A m。 其次，將上述聚醯亞胺基板浸潰於5(rCi 1〇〇mM氫氧 化硼鈉水洛液中3分鐘，將塗佈膜中之N丨離子還原而使 ，屬鎳析出，於塗佈膜表面形成Ni析出層。其次，將聚 酿亞胺基板以離子交換水洗淨後，於無電解職敷洛（奧 野製藥工業股份有限公司製；TOP NI CQ_ T0M-S(商品名^) 中以80Ϊ浸潰30秒，藉此形成為電_之基f的錄°層。 再者，2對於聚醯亞胺基板之鎳層，於電鍍銅浴中，曰以 3.5A/dm2之電流密度進行電鍍，形成銅膜厚2〇#瓜之銅佈 。將所得之銅佈線形成玻璃基板，於氮環境中加熱至 C ’以同溫度費時5分鐘將聚醯亞胺前驅物樹 胺化。其後，於氮環境中冷卻至常溫，得到銅佈成^ 醯亞胺基板。 少风來 [實施例6 ] 於聚醯亞胺前驅物清漆A中，加入卜甲基味 及乙醯丙酮l.00g作為黏度調整劑’攪拌3〇分鐘。於J 混合物中添加使市售之鎳⑴)乙酿丙酮酸二 於： 解於NMP2Ginl的溶液，於室溫下授拌i小時 忌冷 色之聚醯亞胺前驅物鎳錯合物溶液6作為導體~ = 組成物。此溶液之黏度係以E型黏度計進行測定，結^ 97118635 42 200902756 430cps 。 準備東麗•杜邦製之聚醯亞胺薄膜” Capt〇nEN”（商品 名）之4驗片l〇cmxl〇cm(厚25 # m)。於該聚醯亞胺基板 上使用配里器將上述聚醯亞胺前驅物鎳錯合物溶液6描 繪成約200 “寬之直線後，α 125。〇進行乾燥1〇分鐘。 描繪、乾燥所形成的膜之厚度為2 # m。 其-人’將上述聚醯亞胺基板浸潰於5〇它之氫氧 化硼鈉水溶液中3分鐘，將塗佈膜中之N丨離子還原而使 金屬鎳析出，於塗佈膜表面形成Ni析出層。其次，將聚 醯亞胺基板以離子交換水洗淨後，於氮環境中加熱至300 C，以同溫度費時5分鐘將聚醯亞胺前驅物樹脂進行醯亞 胺化。其後’於無電解鎳鍍敷浴（奥野製藥工業股份有限 公司製；TOP NIC0R0N T0M-S(商品名））中以80〇c浸潰3〇 秒’藉此形成為電鍍銅之基質的鎳層。 再者’對於聚酿亞胺基板之錄層，於電鍵銅浴中，以 3· 5A/dm2之電流密度進行電鍍，形成銅膜厚2〇/zm之鋼佈 線，得到銅佈線形成聚醯亞胺基板。 以上’將實施例1〜6所調製之聚醯亞胺前驅物鎳錯合物 溶液1〜6之組成與黏度整合示於表1。 97118635 43 200902756 [表1 ]

(': 於聚醯亞胺前驅物清漆A中，添加使市售之鎳（丨i)乙醯 丙酮酸二水合物3g溶解於NMP20ml的溶液，於室溫下授 拌1小時’但發生凝膠化，無法成為液狀。 [比較例2] 於聚醯亞胺前驅物清漆A中’添加使市售之鎳（π)乙酿 丙酮酸二水合物3g溶解於NMP20ml的溶液、與作為黏度 調整劑之乙醯丙酮3. 7g，於室溫下攪拌i小時，而製成 綠色之聚醯亞胺前驅物鎳錯合物溶液8作為導體層形成 用組成物。此浴液之黏度係以E型黏度計進行測定，、纟士果 為 51，375cps。 [比較例3〜7 ] ' 以表2所示之組成，如同比較例2調製聚醯亞胺前驅物 鎳錯合物溶液9〜13作為導體層形成用組成物。又，亦一 併將比較例1、2所作成之聚醯亞胺前驅物鎳錯合物溶液 7、8之組成及比較例卜7之聚醯亞胺前驅物鎳錯合物溶 液7〜13之黏度示於表2。 97118635 44 200902756 [表2]

酮

聚醯亞胺前驅 物Ni錯合物 溶液的種類 聚醯亞胺前驅 物N i錯合物 溶液的黏度 [cps]

與表2之對比，可知調配了含氮雜環化合物（吡

啶二1-曱基咪唑）作為黏度調整劑的實施例丨~6之聚醯亞 月女剛驅物鎳錯合物溶液，係相較於不含有含氮雜環化合物 之比較例W之聚醯亞胺前驅物鎳錯合物溶液之下，可抑 制液之增黏，並防止凝膠化。 另外組合調配了作為黏度調整劑之含氮雜環化合物與 a头之黏度凋整劑（乙醯丙g同、三乙基胺）的實施例2〜4、 6，係相較於僅調配了公知黏度調整劑的比較例2〜7之 下，不僅可得到特別優越之黏度抑制效果，亦大幅減低了 黏度凋整劑的總調配量。實施例i〜6中之黏度抑制效果， 係即使長時間保存亦幾乎不降低，藉由添加少量之含氮雜 環化合物，亦確認到可對聚醯亞胺前驅物鎳錯合物溶液賦 予優越之經時穩定性。 [實施例7] 於聚醯亞胺前驅物清漆A中，加入吡啶3. 96g及乙醯丙 酮9_4g作為黏度調整劑，攪拌3〇分鐘後，添加使市售之 鎳（π)乙醯丙酮酸二水合物llg溶解於NMp8〇mi的溶液， 97118635 45 200902756 ^訂料丨小時，藉此製成藍色之㈣亞胺前驅物錄 釦合物浴液7作為導體層形成用組成物。此溶液之黏度係 以E型黏度計進行測定，結果為2, 〇〇〇cps。 將無鹼玻璃（旭硝子股份有限公司製ΑΝ_ι〇〇)之試驗片 lOcmxlGciK厚〇.?_)藉5(rc之5Nft氧化納水溶液進行處 理5分鐘。其次，將試驗片之玻璃基板以純水洗淨、乾燥 後’ π /貝於1重$ %之r _APS水溶液中。將試驗片之玻璃 基板自7 APS水〉谷液取出後，予以乾燥，以i5代進行加 熱5分鐘。於該破璃基板上均勾塗佈上述聚酿亞胺前驅物 鎳錯合物溶液7,以i3(rc進行乾燥3〇分鐘。藉塗佈、乾 燥所形成的塗佈膜之厚度為m。 其次，將上述玻璃基板浸潰於託它之1〇mM氫氧化硼鈉 水溶液中10分鐘，將Ni離子還原而使金屬鎳析出，於塗 佈膜表面形成為電鍍銅之基質的鎳 力:熱至露C，以同溫度費時5分鐘娜亞 脂進行酸亞胺化。 再者，對於玻璃基板之鎳層，於電鍍銅浴中，以3. 5A/dm2 之電流密度進行電鍍，形成銅膜厚2〇 Am之銅箔層。 於此銅積層玻璃基板之銅箔層上層合乾薄膜光阻後，經 由光罩進行紫外線曝光，並進行顯影而形成5〇#m間距 {佈線寬/佈線間隔（L/S) = 20 # m/30 // m}之光阻圖案。將所 形f之佈線空間部之銅箱層以蝕刻去除，再將下層之聚醯 亞胺樹脂層進行蝕刻去除，則得到銅佈線形成玻璃基板。 [實施例8] 97118635 46 200902756 準備東麗•杜邦製之聚醯亞胺薄膜” Capton ΕΝ”（商品 名）之試驗片lOcmxlOcm(厚25#m)。於該聚醯亞胺基板 上’使用配量器將實施例7所製作之聚醯亞胺前驅物鎳錯 - 合物溶液7描繪成約200 // m寬之直線後，以125°c進行 -乾燥1 〇分鐘。描繪、乾燥所形成的膜之厚度為2 # m。 其次，將上述聚醯亞胺基板浸潰於25°c之丨〇mM氫氧化 硼鈉水溶液中10分鐘，將Ni離子還原而使金屬鎳析出， 广形成為電鍍銅之基質的鎳層。其次，於氮環境中加熱至 ^ 300 C，以同溫度費時5分鐘將聚醯亞胺前驅物樹脂進行 醯亞胺化。 再者，對於聚醯亞胺基板之鎳層，於電鍍銅浴中，以 5A/dm2之電流密度進行電鍍，形成銅膜厚2〇#m之銅佈 [實施例9] 於實施例6所製作之聚酿亞胺前驅物鎳錯合物溶液6 中’進-步加人NMP45Qml而製成聚酿亞胺前驅物錦錯合 物溶液9。此溶液之黏度係以E型黏度計進行測定，結果 為 15cps 。 σ 將無驗玻璃（旭石肖子股份有限公司製錢—刚）之試驗片 |2. 5cmxl2. 5cm(厚〇· 7丽）藉5代之5ν氣氧化納水溶液進 ί鐘。其次’將試驗片之玻璃基板以純水洗淨、 板自r-肥水溶液取出後，VT；^液中。將該玻璃基 刀、里作為液滴吐出裝置，準備於市售之喷墨式印刷器 97118635 47 200902756 之土]^閘中填充了上述聚g盘亞胺前驅物錦錯合物溶液9 者。然後，藉由該噴墨式印刷器，於上述玻璃基板上吐出 聚酸亞胺前驅物鎳錯合物溶液9，描緣成約5〇^寬之直 線。其後’將玻璃基板上之塗佈液以以代進行乾燥 分鐘。藉描缚、乾燥所形成的塗佈膜之厚度為〇 5_。 玻璃基板浸潰於…之胸氯氧化蝴 納水浴液中3分鐘，將Ni離子還原而使金屬鎳析出，於 塗佈膜表面形成為電鑛銅之基質的錦層。於氮環境中加敎 =0代’以同溫度費時5分鐘將聚醢亞胺前驅物樹脂進 行亞胺化。其後，於|^ ^ 後於無電解鎳鍍敷浴（奥野製藥工業股 限公司製；T0P __ .s(商品名))中以阶 浸潰30秒，形成為電鍍銅之基質的鎳質。 再者，對於玻璃基板之鎳層，於電鑛銅浴中，以 =密度進行電鑛’形成銅膜厚2。"之銅佈線，得到 銅佈線形成玻璃基板。 二：施例卜9中雖於還原步驟採用濕式還原法，但未 ===低，形成了幾乎無缺陷或不均之良質5 醯亞胺曰。尤其是實施例7、8中’係藉由將聚 :亞月㈣驅物鎳錯合物溶液中之金屬化合物 之調配量設定為較多，以提高錦離子濃 析出声ΓΛ不而要無電解鑛敷步驟’可直接於鎳層（金屬 胃進仃電鍍而形成導體層。藉由省 敷:往不/節約了步驟數及處理時間，亦不需要無電解:: 、之繁雜的鍍液管理廢液處理，而於實用上可得到 97118635 48 200902756 極大優勢。 尚且本發明不限定於上述各實施形態，可進行各種變 ^例如，於上述第1〜第4實施形態巾，雖於無電解鑛 $驟或電鍍步驟之前進行了醯亞胺化步驟，但亦可如例 貝細》例1或貫施例3等所例示般，於電鍍步驟後實施醯 亞胺化步驟。 另外’上述第卜第4實施形態中，亦可於還原步驟後 及/或無電解鑛敷步驟後’分別設置以純水或離子交換水 等所進行之水洗步驟（洗淨步驟）。 卜上述第1〜第4實施形態中，係列舉了使用配 器3〇及具備液滴吐出頭52之液滴吐出裝置㈤作為塗佈 膜形成步驟中將塗佈液2〇塗佈至絕緣基材3之手段的例 子進行說明。然而，由於本發明之導體層形成用組成物係 使^含亂雜環化合物作為黏度調整劑，故除了上述以外， 可藉由網版印刷、棒塗機、旋塗機等各種塗佈手段塗佈至 絕緣基材上’塗佈方法並無限定。再者，亦可如上述實施 例卜實施例2等所例示般，於塗佈膜形成步驟中，係 將^佈液塗佈於絕緣基材整面上而形成塗佈臈(所謂之 將ΐί二：’於電鍍後’設置光刻步驟與化學蝕刻步驟而 將V體層加工為既定圖案。 【圖式簡單說明】 、圖1係表示應用本發明第U施形態之導體 法的電路基板之構成的說明圖。 圖2係擴大表示圖】所示之電路基板之主要部位的剖面 97118635 49 200902756 圖 圖3係表示本發明第1實施形態之導體層之形成方法的 順序概要的流程圖。 =4係用於說明本發明第1實施形態之導體層之形成方 ^之塗佈膜形成步驟的說明圖。 afl二係用於3兄明塗佈膜形成步驟後之塗佈膜狀態的說 明圖。 圖δ係用於說明還原步驟後之金屬析出層狀態 園。 W系用於說明無電解鍍敷步驟後之無電解鑛敷岸狀 態的說明圖。 〒奴双層狀 態:說8::。於說明酿亞胺化步驟後之聚醯亞胺樹脂層狀 用於說明電鑛步驟後之導體層狀態的說明圖。 :1◦係用於說明本發明第2實 方法之順序概要的流程圖。 ”之形成 =11係用於說明本發明第3實施形態 方法之順序概要的流程圖。 θ之开)成 私二士、係用於說明藉由本發明第3實施形態之導體展 ν 法所形成的導體層之剖面構造的說明圖。、之 係用於說明本發明第4實施 方法中之塗佈膜形成步驟的說明圖。 冑層之㈣ 方二til於說明本發明第4實施形態之導體層4成 之主佈膜形成步驟的說明圖。 ν成 97118635 r ν>ν、Λν>. .;-:·-'··.- .-'.'-5.?,i'-'.'.,'-,''v,:,'-.^-,'31''.W^J-:-^^^,a-.·'·^'· 50 200902756 【主要元件符號說明】 1 電路基板 3 絕緣基材 5、 5a 導體層 7 聚酿亞胺樹脂層 9 金屬析出層 11 無電解鍍敷層 13 電鍍層 20 塗佈液 30 配量器 30a 吐出喷嘴 40、 40a 塗佈膜 50 液滴吐出裝置 52 液滴吐出頭 52a 喷嘴孔 97118635 51

Claims (1)

1. 200902756 十、申請專利範圍： 1. -種導體層形成用組成物，係被作為用 上形成導體層之塗佈液使用者，其含有： a緣基材 聚醯亞胺前驅物樹脂； 金屬化合物；與 作為黏度調整劑之含氮雜環化合物。 如中請專利範圍第1項之導體層形成用组成物，i 含氮雜環化合物之外，還含有有機·化； 物’作為上述黏度調整劑。 3.如申料利範圍第！項之導體層形成成物，其 中’上述含氮雜環化合物為3級胺基化合物。 之4方：種=層之形成方法’係於絕緣基材上形成導體層 之方法，其特徵在於具備： 塗佈膜形成步驟，係將含有《亞胺前驅物樹腊、金屬 =合物與作為黏度調整劑之含氮雜環化 」成^成物作為塗佈液而塗佈於上述絕緣基材之表面^ 以乾燥而形成塗佈膜，· j步驟’係將存在於上述塗佈膜中之金屬離子進行還 中舞；.盘述塗佈膜之表面上形成作為上述導體層的金屬析 出禮，興 驟’㈣行熱處理’使上述塗佈膜中之上述 :亞驅物樹脂進行醯亞胺化，而形成聚醯亞胺樹脂 層。 5·種電路基板之製造方法，係製造具備絕緣基材與形 97118635 52 200902756 成於邊絕緣基材之導體層的電路基板者. 其特徵在於’具備於上述絕緣基材上形成上述導體層之 導體層形成步驟； 上述導體層形成步驟係含有： 塗佈膜形成步驟，係將含有聚醯亞胺前驅物樹脂、金屬 化合物與作為黏度調整劑之含氮雜環化合物的導體層形 成用組成物作為塗佈液而塗佈於上述絕緣基材之表面，予 以乾燥而形成塗佈膜； ' 7步驟，係將存在於上述塗佈財之金屬離 層於上與述塗佈膜之表面上形成作為上述導體層的金屬析 醯亞胺化步驟，係進行埶虛 取酿"兑 订熟處理’使上述塗佈膜中之上述 承醯亞胺前驅物樹脂進行醯 ^ 層。 ㈣亞胺化’而形成聚醯亞胺樹脂 97118635 53