KR100475507B1

KR100475507B1 - 금속층을 가지는 부재와 그 제조방법 및 그 용도

Info

Publication number: KR100475507B1
Application number: KR10-2002-7005868A
Authority: KR
Inventors: 요시다히로시; 사이토도시로; 아카호시하루오
Original assignee: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
Priority date: 1999-11-26
Filing date: 1999-11-26
Publication date: 2005-03-10
Also published as: WO2001038086A1; KR20020047339A; JP4058943B2; US7022412B2; US20030215620A1

Abstract

본 발명의 목적은 수지 표면을 조면화하지 않고 화학적인 상호작용으로 수지기재와 석출시키는 금속과의 밀착력을 높인 금속층을 가지는 부재 및 그 제조방법 및 그것을 사용한 뛰어난 빌드업형 다층 배선기판, 유연한 배선기판 및 멀티칩 모듈용 배선기판을 제공하는 것에 있다.

본 발명은 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 함유하는 수지조성물로 이루어지는 수지기재 표면에 금속 미립자층과, 금속 미립자층 위에 형성된 금속 산화물층과, 금속 산화물층 위에 형성된 금속층을 가지는 것을 특징으로 한다. 금속 입자층은 촉매층으로 이루어지는 것으로, 그 위에 무전해 도금층과 그 위에 전기도금층으로 이루어지는 금속층이 형성되어 배선이 되는 것이다. 그 미세한 배선의 형성에 의해 신뢰성이 뛰어난 빌드업형 다층 배선기판, 유연한 배선기판 및 멀티칩 모듈용 배선기판이 얻어진다.

Description

금속층을 가지는 부재와 그 제조방법 및 그 용도{MEMBER HAVING METALLIC LAYER, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ITS APPLICATION}

본 발명은 신규의 금속층을 가지는 부재와 그 제조방법에 관한 것으로, 특히 프린트 배선판, 유연한 프린트기판, TAB 테이프 등의 전자부품의 소재 또는 구성요소, 또한 전자파 차폐재로서 사용되는 금속층을 가지는 부재와 그 제조방법에 관한 것이다.

최근 LSI 기술의 고속화, 고밀도화에 따른, 전자회로배선의 세선화, 다층화, 전기특성의 더한 향상이 요구되고, 이 요구에 대하여 평탄성, 내열성, 치수 안정성이나 유전특성이 뛰어난 유기절연재료를 기판에 사용한 다층배선기판을 제조하는 것이 검토되어 있다.

유기 절연수지 기판상에 도체금속, 특히 구리로 이루어지는 층 또는 배선을 습식 또는 건식 도금법에 의해 형성하는 경우, 가장 문제가 되는 것은 금속층 또는 배선과 수지기판과의 밀착성이다. 종래는 수지기판 표면을 소프트 에칭, 또는 미리 기판의 수지 중에 고무성분을 넣어 그것을 용제로 녹이는 등의 방법에 의해 수지기판 표면을 조면화(粗面化)함으로써 투묘(投錨)효과 또는 기계적인 접촉효과에 의하여 수지기판 표면에 석출시킨 금속층과의 밀착성을 향상시킨다는 것이 상투수단이었다. 상세한 것은 K.L.Mittal 편집 Polymer Surface Modification : Relevance to Adhesion(VSP 출판, 1996년)에 정리되어 있다.

그러나 이 방법에서는 충분한 밀착력을 얻기 위해서는 수십 마이크론정도의 요철을 기재 표면에 제작할 필요가 있어, 수십 마이크론 이하의 폭을 가지는 금속의 미세 패턴을 그 표면상에 만드는 용도에는 적합하지 않았다. 또 얻어지는 배선은 조면화에 대응한 요철을 가지기 때문에 고주파 대응의 용도에는 사용할 수 없다. 또한 조면화공정에는 통상 황산-크롬산 혼합용액에 의한 처리가 사용되나, 이와 같은 강력하고 또한 위험한 부식액을 대량으로 사용하는 것은 안전 위생상 및 환경상 바람직하지 않다. 따라서 투묘효과 또는 기계적인 접촉효과를 대신하는 밀착화수단으로서 화학적인 상호작용에 의하여 수지기재와 석출시키는 금속과의 밀착성을 높이는 방법이 검토되어 있다.

화학적 상호작용에 의하여 평활한 수지 표면과 금속과의 밀착화를 달성하는 방법으로서는 아미드결합이나 이미드결합을 화학구조 중에 가지는 수지의 표면부분을 포화히드라진이나, 에틸렌디아민 등과 알칼리 금속 수산화물의 혼합 수용액, 또는 플라즈마 등으로 처리하고, 이어서 촉매처리하여 무전해 도금에 의해 금속층을 형성하는 방법이 일본국 특허 제2622016호, 특개평6-256960호 또는 특개평11-117060호 공보에 개시되어 있다. 또 일본국 특개평11-220254호 공보에는 금속의 산화물이 아미드결합이나 이미드결합을 화학구조 중에 가지는 수지 표면을 알카리성 수용액에 의해 처리한 표면과 밀착성 좋게 접착하는 것을 이용한 금속층 피복 수지기판 및 그 제조방법이 개시되어 있다. 알카리성 수용액 또는 플라즈마 등으로 수지 표면의 처리를 행하면 수지 표면에 수지 변질층이 형성된다. 그러나 도금 금속층과 수지와의 계면에 수지 변질층이 개재하면, 얻어지는 금속층 피복 수지기재의 신뢰성에 종종 중대한 결함이 생기는 경우가 있다. 예를 들면 기판을 높은 습도하에서 가열하는 가압용기 시험(PCT 테스트)을 실시하면 도금 금속층과 수지와의 밀착성이 극단적으로 저하하고, 경우에 따라서는 금속층의 팽윤이나 박리가 생겨 도저히 실용도로는 사용할 수 없다. 또한 수지 변질층의 변질도나 두께는 알칼리수용액 또는 플라즈마 등에 의한 처리의 강도, 시간, 온도, 나아가서는 수지의 조성 등에 현저하게 영향을 미치어 재현성 좋게 최적 조건으로 제어하는 것에 곤란을 수반한다. 변질층이 최적의 조건으로 형성되지 않은 경우, 그 표면에 석출시킨 금속층과의 충분한 밀착력이 얻어지지 않을 뿐만 아니라, 경우에 따라서는 무전해 도금에 필요한 촉매부여가 충분히 행하여지지 않는 경우도 있다.

또한 일본국 특개평2-131934호 공보에는 구리박과 그 표면에 도포한 폴리이미드수지나 폴리아미드이미드수지 등의 복소환을 가지는 수지와의 밀착력이 구리박 표면에 산화구리층이 존재함으로써 향상된다는 기재가 있다. 일반적으로 대기 중에서 구리박 위에 수지를 도포하면, 수지와 구리박의 계면에는 산화구리층이 형성된다. 그러나 평활한 구리박 위에 폴리이미드수지나 폴리아미드이미드수지 등의 복소환을 가지는 수지를 도포한 경우에 얻어지는 밀착력은 수지를 구리박으로부터 박리하는 데 필요한 힘을 측정하여 평가하는 것으로 충분하지 않다. 그 때문에 유연한 기판의 제조 등에 있어서는 구리박 표면을 조면화함으로써 필요한 밀착력을 달성하고 있다.

수지 표면을 알카리성 수용액 또는 플라즈마 등에 의해 처리하지 않고, 평활한 수지 표면에 밀착성 좋게 금속층을 형성하는 방법으로서는, 일본국 특개평10-183358호 공보에, 질소-수소결합을 가지는 화학구조와 카르복실기, 술폰기 또는 인산기 등의 조염성(造鹽性) 관능기를 조합시켜 가지는 수지 조성물 위에 무전해 도금하는 방법이 개시되어 있다. 그러나 수지 조성물 중에 이온성 해리기를 가지는 화합물인 조염제를 섞어 사용하는 것은 수지의 절연특성, 유전특성을 악화시키게 되어 그것을 사용한 금속층 피복 수지기재는 배선기판 등의 전자재료에 적용하는 것은 곤란하다.

본 발명의 목적은 수지기재 표면을 조면화하지 않고, 수지 표면에 석출시킨 금속과의 밀착력을 높인 금속층을 가지는 부재 및 그 제조방법을 제공하는 것에 있다. 바람직하게는 금속층을 가지는 부재의 신뢰성 또는 전기특성의 악화, 금속층을 가지는 부재의 안정적 생산의 저해요인이 되는 알칼리 수용액처리나 플라즈마처리 등에 의한 수지 표면의 변질화처리나, 이온성 해리기를 가지는 화합물의 수지조성물 중으로의 배합을 행하지 않고 충분한 밀착력을 얻는 것, 또는 상기 부재를 사용한 신뢰성이 뛰어난 빌드업형 다층 배선기판, 유연한 배선기판 및 멀티칩 모듈용배선기판 및 도금 금속층 형성용 부재를 제공하는 것에 있다.

도 1은 본 발명의 금속층을 가지는 부재의 구성의 하나를 나타내는 단면도,

도 2는 본 발명의 금속층을 가지는 부재의 구성의 하나를 나타내는 단면도,

도 3은 단체 및 산화 구리피막을 가지는 구리입자에 흡착시킨 벤즈 아미드의 적외흡수 스펙트럼을 나타내는 도,

도 4는 단체 및 산화구리 피막을 가지는 구리입자에 흡착시킨 N-벤질포름아미드의 적외흡수 스펙트럼을 나타내는 도,

도 5는 풀어디티브법에 의한 빌드업 다층 프린트 배선기판의 제조공정을 모식적으로 나타낸 공정도,

도 6은 풀어디티브법에 의한 유연한 배선기판의 제조공정을 모식적으로 나타내는 공정도,

도 7은 수지 필름 위에 배선층을 형성한 배선시트의 제조공정을 모식적으로 나타낸 공정도,

도 8은 멀티팁모듈기판을 제조하는 공정을 모식적으로 나타낸 공정도이다.

본 발명자들은 방향고리에 인접한 아미드기와 금속의 산화물과의 사이에 강한 화학적 상호작용이 작용하는 것을 발견하였다. 본 발명자들은 상기 발견을 근거로 하여 방향족 아미드부위를 가지는 수지 표면에 대한 금속의 석출에 대하여 검토한 결과, 상기 수지 표면에는 알칼리 수용액처리나 플라즈마처리 등에 의한 변질층 형성처리를 실시하지 않고, 밀착성 좋게 금속을 석출시킬 수 있는 것을 발견하여 본 발명에 이르렀다. 여기서 방향족 아미드부위란, 아미드기의 질소원자 또는 탄소원자가 방향고리에 직접 결합한 구조를 가리킨다.

본 발명은 수지기재 위에 형성된 금속미립자층 또는 촉매층과, 상기 금속미립자층 또는 촉매층 위에 형성된 금속 산화물층과, 이 금속 산화물층 위에 형성된 금속층 또는 무전해 도금층과 그 위에 형성된 전기도금 금속층을 가지는 부재에 있어서, 상기 수지기재 전체가 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 함유하는 수지를 포함하는 수지조성물로 이루어지는 것을 특징으로 한다. 여기서 상기 수지기재는 화학식 1, 2, 3 또는 4로 표시되는 화학구조를 가지는 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 함유하는 수지를 포함하는 조성물로 이루어지는 것이 바람직하다. 또 상기 수지기재가 화학식 5로 표시되는 말단에 에폭시기 또는 상기 에폭시기의 반응잔기를 가지는 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 함유하는 수지를 포함하는 수지조성물로 이루어지는 것이 바람직하다.

또 본 발명은 기재 위에 형성된 수지조성물층과, 이 수지조성물층 위에 형성된 금속 미립자층 또는 촉매층과, 이 금속 미립자층 또는 촉매층 위에 형성된 금속 산화물층과, 이 금속 산화물층 위에 형성된 금속층 또는 무전해 도금층과 그 위에 형성된 전기도금 금속층을 가지는 부재에 있어서, 상기 기재와 상기 금속 미립자함유층과의 사이에 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 함유하는 수지를 포함하는 바람직하게는 화학식 1 내지 5 중 어느 하나의 수지조성물층을 가지는 것을 특징으로 한다.

또 본 발명은 수지기재 위에 금속층을 가지는 부재의 제조방법에 있어서, 상기 수지기재 전체가 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 가지는 수지를 포함하는 수지조성물로 이루어지고, 상기 수지기재 표면 위에 형성한 금속입자층 또는 촉매층 위에 상기 금속층 또는 무전해 도금층과 그 위에 전기도금 금속층을 형성시킨 후, 산화분위기 중에서 가열함으로써 상기 금속층과 상기 수지기재와의 계면의 상기 금속층측 표면에 상기 금속의 산화물층을 형성시키는 것을 특징으로 한다.

또 본 발명은 기재 위에 금속층을 가지는 부재의 제조방법에 있어서, 상기 기재 표면에 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 가지는 수지를 포함하는 수지조성물층을 형성하고, 다음에 상기 수지조성물층 위에 형성한 금속입자층 또는 촉매층 위에 상기 금속층 또는 상기한 도금 금속층을 형성시킨 후, 산화분위기 중에서 가열함으로써, 상기 금속층과 상기 수지조성물층과의 계면의 상기 금속층측 표면에 상기 금속의 산화물층을 형성시키는 것을 특징으로 한다.

또 본 발명은 코어 배선기판 위에 1층 또는 복수층의 수지절연층과 이 절연층의 각각에 금속배선이 되는 금속층을 가지는 부재를 적층한 빌드업형 다층 배선기판에 있어서, 상기 수지절연층 중 적어도 1층이 방향족 아미드부위를 가지는 수지를 포함하는 수지조성물 또는 상기 부재가 상기한 부재로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

또 본 발명은 수지 절연필름 위에 금속배선이 되는 금속층을 가지는 부재로 이루어지는 유연한 배선기판에 있어서, 상기 수지 절연필름이 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 함유하는 수지를 포함하는 수지조성물로 이루어지고, 상기 수지 절연필름과 상기 금속배선과의 계면에 있어서, 상기 수지 절연필름측에 금속미립자층이 존재하고, 또한 상기 금속배선측에 금속 산화물층이 존재하는 것, 또는 상기 부재가 상기한 부재로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

또 본 발명은 후막 배선기판 위에 1층 또는 복수층의 수지절연층과 이 절연층의 각각에 금속배선이 되는 금속층을 가지는 부재를 적층한 멀티칩 모듈용 배선기판에 있어서, 상기 수지절연층 중 적어도 1층이 방향족 아미드부위를 가지는 수지를 포함하는 수지조성물로 이루어지고, 상기 수지절연층과 상기 금속배선과의 계면에 있어서 금속산화물층이 존재하는 것 또는 상기 부재가 상기한 부재로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

도 1은 본 발명에 있어서의 금속층을 가지는 부재의 단면도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이 방향족 아미드부위를 가지는 수지를 포함하는 수지조성물을 단독 또는 유리섬유 등으로 강화한 것으로 이루어지는 기재 위에 금속미립자층 및 금속 산화물층을 개재시켜 금속층이 형성되어 있다.

도 2는 수지, 금속, 세라믹, 또는 그 밖의 재질로 이루어진 기판 위에 방향족 아미드부위를 가지는 수지의 조성물층, 금속미립자층 및 금속산화물층을 거쳐 금속층을 형성한 단면도이다.

도 1에 있어서는 방향족 아미드부위를 함유하는 수지기재(11)와 금속층(14)과의 계면에 있어서 금속층(14)측에는 금속산화물층(13)이, 수지기재(11)측에는 금속미립자층(12)이 있다. 또 도 2에 있어서는 수지, 금속, 세라믹 또는 다른 재질로 이루어진 기재(21) 위에 방향족 아미드부위를 함유하는 수지층(22) 및 금속층(25)이 존재하고, 수지층(22)과 금속층(25)과의 계면에 있어서, 금속층(25)측에는 금속 산화물층(24)이, 수지층(22)측에는 금속 미립자층(23)이 있다. 또한 금속층(14 또는 25)은 단일의 금속으로 이루어져 있어도 좋고, 또는 2종 이상의 금속층이 적층된 구성을 채용하고 있어도 좋다.

금속 산화물층(13 또는 24)은 표면에 금속 미립자층(12 또는 23)을 형성한 방향족 아미드부위를 가지는 기재(11) 또는 방향족 아미드부위를 가지는 층(22) 위에 미리 금속층(14 또는 25)을 석출시킨 후, 산화분위기하에서 가열 또는 방치함으로써 형성한다. 금속의 산화처리에 필요한 산소는 도 1에 나타낸 구성에 있어서는 방향족 아미드부위함유 수지기재(11) 및 금속 미립자층(12)이 산소 투과성인 경우, 기재 (11) 및 금속 미립자층(12)을 통하여 계면에 공급된다. 또 도 2에 나타낸 구성에 있어서는 기재(21), 방향족 아미드부위함유 수지층(22) 및 금속 미립자층(23)이 산소투과성인 경우, 기재(21), 수지층(22) 및 금속 미립자층(23)을 통하여 계면에 공급된다. 또 도 1에 나타낸 구성의 경우, 수지기재(11)가 도 2에 나타낸 구성의 경우, 기재(21) 또는 수지층(22)이 산소불투과성인 경우, 수지기재(11) 또는 수지층 (22) 중에 용존하는 산소분자를 계면으로 확산시킴으로써 금속의 산화처리를 행하는 것이 가능하다.

본 발명의 효과는 방향족 아미드부위를 함유하는 표면과 금속 산화물이 금속미립자층을 개재시켜 접촉하고 있으면 얻을 수 있다. 그 때문에 방향족 아미드부위를 함유하는 수지기재(11) 또는 수지층(22) 및 금속 산화물층(13 또는 24)의 두께에 특정한 한정은 없다. 또 금속 미립자층은 수지기재(11) 또는 수지층(22)과 금속 산화물층(13 또는 24)의 사이에 균일하게 존재하는 것이 바람직하나, 일부 이산적으로 존재하고, 그 때문에 수지기재(11) 또는 수지층(22)과 금속 산화물층(13 또는 24)이 직접 접하는 부분이 있어도 좋다.

금속 미립자층 중의 금속 미립자는 무전해 도금에 의한 금속 석출반응의 핵이 되고, 또한 금속 산화물층과 방향족 아미드부위를 함유하는 층과의 밀착성을 향상시키는 것이다. 금속 미립자로서는 팔라듐미립자, 은미립자, 또는 그것들의 산화물 미립자 등을 사용할 수 있다. 이들 미립자는 단독으로 사용하여도 좋고, 또는 그것들의 혼합물이어도 좋다. 또한 금속 미립자층 중에 있어서, 금속 미립자는 각각 단독으로 존재하여도 좋으나, 금속 산화물 또는 방향족 아미드부위를 함유하는 수지 중에 분산된 상태로 존재하는 것이 바람직하다.

방향족 아미드부위를 함유하는 수지로서는 모든 방향족 폴리아미드수지(아라미드수지), 방향족 폴리아미드수지, 방향족 폴리아미드이미드수지 등을 들 수 있다. 또 말단에 에폭시기 등의 반응성기를 가지는 방향족 폴리아미드 또는 방향족 폴리아미드이미드수지를 사용하면, 그 반응성기를 사용하여 각종 기재 표면에 방향족 아미드부위를 함유하는 수지층을 형성할 수 있으므로 바람직하다.

방향족 아미드부위를 함유하는 수지 위에 금속 미립자층을 개재시켜 석출시키는 금속으로서는 구리, 니켈, 코발트, 티탄, 크롬 등, 산화물이 비교적 안정된 것을 사용할 수 있다. 본 발명에서 얻어지는 금속층을 가지는 부재를 배선기판으로서 사용하는 경우는 이들 금속 중, 전기저항이 낮은 구리를 사용하는 것이 바람직하다. 또한 다른 금속을 사용한 경우에는 그 위에 구리를 석출시켜 배선기판을 제작하는 것이 바람직하다.

방향족 아미드부위를 함유하는 수지기재(11) 또는 수지층(22) 표면에의 금속미립자층(12 또는 23)의 형성은, 무전해 도금처리에 있어서 일반적으로 행하여지는 촉매부여처리에 의하여 행할 수 있다.

금속미립자층(12 또는 23) 표면에의 금속의 석출방법으로서는, 무전해 도금법을 사용할 수 있다. 또한 일단 이들 방법으로 금속의 박층을 형성한 후에 전기도금 법에 의해 금속층의 후막화를 행하는 것은 금속층 형성에 필요한 시간의 단축을 도모하는 경우가 있어 바람직하다. 본 발명이 제공하는 금속층을 가지는 부재를 사용하여 배선기반을 제작하기 위해서는 수지기재 전면에 금속층을 석출시킨 후에 적당한 레지스트를 사용하여 에칭에 의해 배선패턴을 만드는 이른바 서브트랙트법이나, 수지기재 전면에 얇게 금속층을 석출시킨 후, 레지스트를 부착하여 전기도금 또는 무전해 도금에 의해 금속을 두껍게 부착한 후에 불필요한 부분의 얇게 부착한 금속층을 에치아웃하는 이른바 세미어디티브법, 또는 수지기재 표면에 레지스트를 부착한 후에 무전해 도금 단독, 또는 무전해 도금 및 전기도금에 의해 도체배선을 제작하는 이른바 풀어디티브법을 사용할 수 있다.

본 발명에 의하면 수지 표면 위에 수지 표면을 알카리성 수용액이나 플라즈마등에 의해 처리하지 않고, 화학적인 상호작용에 의해 밀착성이 뛰어난 금속층을 형성한 금속층을 가지는 부재를 제공할 수 있다. 본 발명자들은 유기 관능기와 금속 또는 금속 산화물이 어떠한 상호작용을 가지는 가를 검토한 결과, 방향족환에 결합한 아미드기가 특히 현저하게 금속 산화물과 화학적인 상호작용을 서로 미치는 것을 발견하였다.

표면에 산화구리층을 가지는 구리입자(지름 1OO㎛)를 방향족 아미드기를 가지는 벤즈 아미드의 에탄올용액(농도 : 0.1중량%)에 침지함으로써 구리입자 표면에 벤즈 아미드를 흡착시켰다. 다음에 확산 반사법에 의해 구리입자 표면에 흡착한 벤즈아미드의 적외흡수 스펙트럼을 측정하여 구리입자 표면에 흡착시키고 있지 않은 벤즈 아미드 단체의 적외흡수 스펙트럼과 비교하였다(도 3). 그 결과 아미드기의 질소·수소결합의 변각 진동 및 탄소·산소결합의 신축 진동에서 유래하는 적외흡수대인 곳의 아미드 I 및 아미드 Ⅱ 흡수대의 스펙트럼에 큰 변화가 확인되었다. 이것은 분명히 산화구리와 방향족 아미드기가 화학적 상호작용을 서로 미치고 있는 것을 나타내고 있다. 그것에 대하여 아미드기가 메틸렌기를 개재시켜 방향고리에 결합한 구조를 가지는 N-벤질포름아미드를, 구리입자 표면에 상기 순서에 따라 흡착시켜 적외흡수 스펙트럼을 측정한 바, 구리입자 표면에 흡착시키고 있지 않은 N-벤질포름아미드단체의 흡수와 동등한 스펙트럼을 나타내었다(도 4). 이 결과는 N-벤질포름아미드는 산화구리와 화학적인 상호작용을 가지지 않고, 구리입자에는 물리적인 상호작용으로 흡착하고 있는 것을 시사한다. 이상의 결과로부터, 방향족 아미드기는 방향족에 직접 결합하지 않는 아미드기에 비하여 더욱 강하게 산화구리와 상호작용을 서로 미치는 것이 판명되었다.

이상의 결과를 근거로 하여 본 발명자들은 방향족 아미드부위를 가지는 수지에 대한 금속 산화물층의 밀착력을 여러가지의 계(係)에 대하여 더욱 예의 검토하였다. 그 결과 방향족 아미드부위를 가지는 수지와 금속 산화물층은 일반적으로 잘 밀착하나, 방향족 아미드부위를 가지는 수지함유층 위에 팔라듐이나 은 등의 금속미립자, 또는 그들 산화물 미립자가 존재하면 밀착력은 더욱 향상되는 것을 발견하여 본 발명에 이르렀다.

방향족 아미드부위를 가지는 폴리아미드이미드수지인, BP아모코사 제품 토론 4000T 수지 필름 위에 상기 표면을 알카리성 수용액 또는 플라즈마 등에 의하여 처리하지 않고 팔라듐 미립자에 의한 촉매부여를 행하여 무전해 구리도금에 의하여 구리층을 10nm정도 부착하고, 그 구리 박층 위에 전기 구리도금으로 구리를 20㎛정도 두껍게 부착함으로써 구리층을 형성하였다. 얻어진 구리층과 필름의 밀착강도를 필름으로부터 구리층을 90도 위쪽으로 떼어 놓는 데 필요한 힘을 측정하는 필테스트에 의해 평가하였다. 그 결과 전기도금 직후는 필 강도가 거의 없지만, 시료를 공기 중에서 120℃에서 가열한 바, 밀착성은 가열시간과 함께 현저하게 향상되어, 1시간 가열 후에는 필 강도는 800N/m이 되었다. 또 1시간 가열 후에 필 시험을 행한 시료에 대하여 박리 후의 구리막을 관찰한 바, 그 박리면은 흑갈색을 띠고 있어 구리막의 박리계면측에 산화구리가 형성되어 있음이 확인되었다. 그것에 대하여 전기도금 직후의 시료로부터 박리한 구리막편의 박리면은 금속 구리색을 띠고 있고, 가열 1시간 후의 시료에 비하여 산화구리층의 형성이 진행되고 있지 않음이 분명해졌다. 이상의 결과로부터 토론 4000T와 구리의 산화물은 매우 강한 상호작용을 가지고, 그 결과 투묘효과 또는 기계적인 접촉효과에 의하지 않고 양자 사이를 밀착화시키는 것이 가능한 것을 알 수 있다.

한편, 상기 순서 중의 무전해 도금을 대신하여 토론 4000T 필름 표면에 팔라듐 촉매부여를 행하지 않고 구리층을 lOnm정도 진공증착에 의하여 형성한 후에 전기도금에 의해 구리를 두껍게 부착하여 가열처리한 샘플에 대해서는 필 강도는 200N/m이었다. 또한 구리박 부착 유리에폭시 기판을 공기 중에서 1시간 120℃에서 가열함으로써 구리 표면 위에 산화구리층을 형성하고, 그 표면에 토론 4000T의 와니스를 도포, 건조함으로써 막두께 20㎛의 토론 4000T층을 형성하였다. 이 시료에 대하여 토론 4000T층과 구리박 부착 유리에폭시기판과의 접착력을 평가한 바, 그 필 강도는 50N/m 이었다.

이상의 결과로부터 방향족 아미드부위를 가지는 토론 4000T 수지와 구리층이 팔라듐미립자 함유층과 구리의 산화물층을 개재시켜 접함으로써 팔라듐미립자 함유층이 존재하지 않는 경우에 비하여 더욱 밀착화되는 것이 분명하게 되었다.

따라서 방향족 폴리아미드부위와 구리의 산화물은 매우 강한 상호작용을 가지고, 그 결과 투묘효과 또는 기계적인 접촉효과에 의하지 않고 양자 사이를 밀착화시키는 것이 가능한 것을 알 수 있다. 또 이 밀착력은 방향족 폴리아미드부위 함유층과 구리산화물층 계면에 팔라듐미립자가 존재함으로써 더욱 현저화되는 것이 분명하게 되었다. 이와 같은 결과는 다른 방향족 아미드부위를 가지는 수지조성물 기재의 표면에 구리 이외의 다른 금속, 예를 들면 니켈, 코발트, 티탄, 크롬 등을 조합시킨 경우에 대해서도 동일하였다. 또한 금속미립자로서는 팔라듐 외에 금, 은, 백금 등에 대해서도 동일하였다.

본 발명자들은 방향족 폴리아미드부위와 금속의 산화물은 매우 강한 상호작용을 가지고, 그 결과 투묘효과 또는 기계적인 접촉효과에 의하지 않고 양자 사이를 밀착화시키는 것이 가능한 것을 나타낸 상기 발견을 기초로 빌드업형 다층 배선기판, 유연한 배선기판 및 멀티칩 모듈용 배선기판을 시험적으로 만들었다. 그 결과, 미세배선을 가지고 신뢰성이 뛰어난 빌드업형 다층 배선기판, 유연한 배선기판 및 멀티칩모듈용 배선기판을 얻을 수 있었다.

(실시예 1)

(1) 화학식 6으로 표시되는 구조를 가지는 방향족 폴리아미드수지를 미츠이토아츠화인사 제품 2,2'-비스(4-아미노페녹시페닐) 프로판과 와코순약사 제품 염화 파라프탈로일의 저온용액 축합 중합법에 의해 상온에서 합성하였다. 용매로는 N-메틸-2-피롤리돈(NMP)을 사용하였다. 얻어진 폴리아미드수지는 메탄올에 재침시킴으로써 충분히 정제한 후, 진공건조에 의해 회수하였다. 얻어진 수지의 분자량을 GPC에 의해 결정한 바, 중량 평균분자량은 90000, 수평균 분자량은 45000이었다.

다음에 얻어진 방향족 폴리아미드수지를 NMP에 용해시켜 농도 30중량%의 와니스를 얻었다. 이 와니스를 평활 표면을 가지는 히타치카세이사 제품 유리에폭시기판 LE-67N 위에 바코터에 의하여 도포하여 진공 중 160℃에서 2시간 가열함으로써 건조하여 두께 30㎛의 방향족 폴리아미드수지층으로 피복된 유리에폭시기판을 얻었다.

(2) 화학구조를 화학식 7로 나타낸 방향족 폴리아미드수지를 이하의 순서로 합성하였다.

여기서 R₁은 화학식 8, R₂는 화학식 9의 구조를 가지는 2가의 유기기를 가리킨다.

먼저 와코순약사 제품 히드록퀴논에 와코순약사 제품 에피클로로히드린을 질소분위기하에서 혼합하여 농도 40%의 수산화나트륨수용액을 적하, 가열함으로써 화학식 10으로 나타낸 화합물을 얻었다.

다음에 화학식 6으로 구조를 나타내는 방향족 폴리아미드수지를, 미츠이토아츠화인사 제품 2,2'-비스(4-아미노페녹시페닐)프로판과 와코순약사 제품 염화파라프탈로일의 저온용액 축합 중합법에 의해 합성하였다. 용매로는 NMP을 사용하였다. 이 때 염화파라프탈로일을 과잉으로 가함으로써 말단이 산클로라이드형의 분자사슬을 가지는 수지를 얻었다. 얻어진 수지는 물에 재침시킴으로써 회수하는 동시에, 분자사슬 말단을 카르복실기로 변환시켰다. 이 수지와 상기 순서로 합성한 화학식 10으로 구조를 나타내는 화합물을 NMP를 용매로 하여 혼합함으로써 화학식 7으로 구조를 나타낸 분자사슬 말단에 에폭시기를 가지는 방향족 폴리아미드수지를 얻었다. 얻어진 수지의 중량 평균분자량은 10000, 수평균 분자량은 18000이었다.

다음에 얻어진 방향족 폴리아미드수지를 NMP에 용해시켜 농도 30중량%의 와니스를 얻었다. 이 와니스를 평활 표면을 가지는 히타치카세이사 제품 유리에폭시 기판 LE-67N 위에 바코터에 의하여 도포하여 진공 중 160℃에서 2시간 가열함으로써 건조하여 두께 30㎛의 방향족 폴리아미드수지층으로 피복된 유리에폭시 기판을 얻었다.

(3) 화학식 11로 구조를 나타내는 방향족 폴리아미드이미드수지를 이하의 방법에 따라 합성하였다.

먼저, 알드리치사 제품 염화트리멜리트산 무수물과 미츠이토아츠화인사 제품 2,2'-비스(4-아미노페녹시페닐) 프로판을 등몰비로 혼합함으로써 방향족 폴리아미드이미드의 전구체인 폴리아믹산을 저온용액 중합법에 의해 합성하였다. 이때 용매로는 NMP를 사용하였다. 다음에 이 용액에 무수아세트산을 과잉으로 첨가함으로써 폴리아믹산을 폐쇄환하여 화학식 11에서 구조를 나타낸 방향족 폴리아미드이미드를 얻었다. 얻어진 폴리아미드이미드는 메탄올에 재침함으로써 회수, 정제하였다. 분자량을 GPC에 의해 평가한 바, 수평균 분자량은 20000, 중량 평균분자량은 40000이었다.

다음에 얻어진 방향족 폴리아미드이미드수지를 NMP에 용해시켜 농도 30중량%의 와니스를 얻었다. 이 와니스를 평활 표면을 가지는 히타치카세이사 제품 유리에폭시 기판 LE-67N 위에 바코터에 의해 도포하여 진공 중 160℃에서 2시간 가열함으로서 건조하여 두께 30㎛의 방향족 폴리아미드이미드수지층으로 피복된 유리에폭시 기판을 얻었다.

(4) 화학식 12로 구조를 나타내는 방향족 폴리아미드이미드층을 표면에 가지는 유리기판을 이하의 방법에 따라 제작하였다.

먼저, 와코순약사 제품 메타프탈산과 와코순약사 제품 염화티오닐을 THF 중에서 혼합하여 염화메타프탈로일을 얻었다. 다음에 염화메타프탈로일과 와코순약사 제품 p-페닐렌디아민을 NMP용액 중에서 1:4의 비율로 혼합하여 N,N'-비스(4-아미노페닐)이소프탈아미드와 p-페닐렌디아민의 혼합물을 얻었다. 이 용액으로부터 재결정화에 의하여 N,N'-비스(4-아미노페닐)이소프탈아미드를 회수하였다. 다음에 얻어진 N,N'-비스(4-아미노페닐)이소프탈아미드와 와코순약사 제품 피로멜리트산 무수물을 등몰, 질소분위기하에서 혼합함으로써 폴리아미드이미드의 전구체인 폴리아믹산을 저온용액 중합법에 의해 합성하였다. 얻어진 폴리아믹산은 메탄올에 재침함으로써 정제 회수한 후, NMP에 용해시켜 와니스로 하였다. 다음에 두께 5mm의 유리기판을 도쿄카세이사 제품 아미노프로필트리메톡시실란의 톨루엔용액에 침지한 후에 11O℃에서 1시간 가열함으로써 유리기판 표면에 아미노기를 도입하였다. 이 기판 위에 상기 순서로 합성한 폴리아믹산의 와니스를 도포하여 250℃에서 2시간 베이크함으로써 화학식 12로 나타낸 폴리아미드이미드수지층을 유리기판 위에 형성하였다. 얻어진 폴리아미드이미드층의 두께는 20마이크론이었다.

(5) 화학식 13으로 구조를 나타낸 방향족 폴리아미드이미드수지를 이하의 방법에 따라 합성하였다.

먼저, 알드리치사 제품 염화트리멜리트산 무수물과 와코순약사 제품 4,4'-디 아미디페닐메탄을 등몰비로 혼합함으로써, 방향족 폴리아미드이미드의 전구체인 폴리아믹산을 저온용액 중합법에 의해 합성하였다. 이때 용매로는 NMP를 사용하였다. 다음에 이 용액에 무수아세트산을 과잉으로 첨가함으로써 폴리아믹산을 폐쇄환하여 화학식 13으로 구조를 나타낸 방향족 폴리아미드이미드를 얻었다. 얻어진 폴리아미드이미드는 메탄올에 재침함으로써 회수, 정제하였다. 분자량을 GPC에 의해 평가한 바, 수평균 분자량은 20000, 중량 평균 분자량은 38000이었다.

다음에 얻어진 방향족 폴리아미드이미드수지를 NMP에 용해시켜 농도 30중량%의 와니스를 얻었다. 이 와니스를 평활 표면을 가지는 히타치카세이사 제품 유리에폭시 기판 LE-67N 위에 바코터에 의해 도포하여 진공 중 160℃에서 2시간 가열함으로써 건조하여 두께 30㎛의 방향족 폴리아미드이미드수지층으로 피복된 유리에폭시기판을 얻었다.

(6) 계속해서 얻어진 방향족 아미드수지층 또는 방향족 폴리아미드이미드수지 피복 기판의 방향족 아미드수지 또는 방향족 폴리아미드이미드수지 표면 위에 무전해 구리도금법에 의해 구리의 박층을 이하의 방법에 의해 형성하였다. 먼저, 수지층 표면에 무전해 도금의 핵이 되는 팔라듐콜로이드입자를 산성촉매 부여처리에 의해 형성하였다. 이 과정은 일반적으로 촉매부여 활성화 공정이라 불리우는 것이다. 기판을 염산(농도 : 5.0M)에 1분간 침지한 후에 히타치카세이고교사 제품 HS101B 염산 산성수용액(HS101B:60㎖/ℓ, 염산:3.2M)에 5분간 침지하고, 3분간 수세함으로써 주석 피복 팔라듐콜로이드를 피도금 수지 표면 위에 흡착시켰다. 다음에 이 샘플을 염산 산성옥살산용액(농도:옥살산 0.1M, 염산:1.0M)에 3분간 침지함으로써 공시수지 표면 위에 흡착한 주석 피복 팔라듐콜로이드의 주석 피복층을 용해시켜금속 팔라듐콜로이드입자로 하였다. 얻어진 샘플은 2분간 이온 교환수로 세정한 후에 무전해 구리도금액에 30초간 침지함으로써 공시수지 표면 위에 두께 약 1Onm의 구리의 박층을 형성하여 공기 중에서 1시간, 120℃에서 가열함으로써 건조하였다. 본 검토에서는 무전계 도금액으로서 히타치카세이고교사 제품 플래시 무전해 구리도금액, CAST-2000액을 사용하였다. 도금액의 조정에는 이온 교환수를 사용하고, 도금시 액온은 40℃로 조정하였다.

그 후 전기도금에 의하여 무전해 도금에 의해 형성한 구리의 박층을 후막화하여 막두께 약 20㎛의 구리층을 얻었다. 사용한 전기 구리도금액의 조성은 이하와 같다. 전류밀도는 15mA/㎠로 하였다.

[전기도금액 조성]

·황산구리 5수화물 0.80 몰/ℓ

·황산 0.54 몰/ℓ

·염화나트륨 0.0014 몰/ℓ

얻어진 기판은 공기 중, 120℃에서 1시간 가열함으로써 건조하였다.

이상의 방법으로 방향족 폴리아미드층 또는 방향족 폴리아미드이미드수지 위에 형성한 구리층의 기판에 대한 밀착력을 구리막층을 기판으로부터 떼어 놓는 데 필요한 힘을 측정하는 필시험에 의해 평가하였다. 시험편의 폭은 5mm로 하였다. 그 결과를 표 1에 나타낸다. 표 1에 나타내는 바와 같이 필강도는 500 내지 800N/m으로 충분한 값을 나타내었다. 또 모두 박리한 구리의 박리면은 산화구리의 존재를 나타내는 약간 검은 빛을 띤 갈색을 나타내고 있어, 구리·수지계면의 구리측에 산화구리층이 형성되어 있었던 것이 확인되었다. 또 화학식 12 및 화학식 13으로 구조를 나타낸 수지 표면에 대한 밀착력은 아미드부위 중에 피페닐에테르결합을 가지는 구조를 함유하는 폴리아미드수지 또는 폴리아미드이미드수지에 비하여 작다.

다음에 얻어진 금속층 피복수지 기판의 신뢰성을 평가할 목적으로 PCT 테스트를 실시하였다. 실제로는 금속층 피복수지 기판을 내압용기에 순수와 함께 넣어 그 내열용기를 96시간, 120℃에서 가열하였다. 시험 후, 내압용기를 자연 냉각하여 샘플을 인출하고, 다시 필강도를 측정한 결과를 표 1에 나타낸다. 표에 나타내는 바와 같이 450 내지 800N/m으로 양호한 값이 얻어졌다. 이상 나타낸 바와 같이 본 방법에 의해 기재에 대하여 충분한 밀착력이 있고, 또한 신뢰성이 뛰어난 금속층을 가지는 기재를 제공하는 것이 가능하다.

화합물	필강도(N/m)
화합물	PCT 테스트전	PCT 테스트후
화학식 6	800	800
화학식 7	700	800
화학식 11	700	650
화학식 12	500	450
화학식 13	500	450

(실시예 2)

무전해 구리도금 대신 무전해 니켈도금을 행한 이외는 실시예 1과 동일한 순서로 화학식 6 및 11로 구조가 표시되는 방향족 아미드수지 및 방향족 아미드이미드수지층으로 피복한 유리에폭시 기판 위에 금속층을 형성하였다. 무전해 니켈도금액으로서는 오쿠노세이야쿠사 제품 B-1을 사용하였다. 필시험에 의하여 금속막의 밀착력을 평가한 바, 화학식 6에서는 1200N/m 및 화학식 11에서는 1000N/m이 되었다. 이와 같이 무전해 니켈도금을 행하면 실시예 1에서 나타낸 무전해 구리도금을 실시하는 경우와 비교하여 더욱 큰 밀착력을 얻을 수 있다.

또 아사히카세이고교사 제품 전방향족 아미드수지필름, 알라미카(두께 25㎛) 를 점착테이프에 의해 유리에폭시 기판에 접착한 것을 시료로 하고, 그 표면 위에 상기 순서에 의해 무전해 니켈도금 및 전기 구리도금에 의해 두께 약 20㎛의 금속층을 형성하였다. 다음에 유리에폭시기판으로부터 구리층 피복알라미카필름을 박리하였다. 얻어진 구리층 피복알라미카필름에 있어서의 금속층의 밀착력을 평가한 바, 필강도는 400N/m 이었다. 이상과 같이 알라미카필름 위에는 니켈을 무전해 도금하여 구리를 두껍게 부착함으로써 도금막을 밀착화할 수 있다. 그러나 그 밀착력은 아미드부위 중에 비페닐에테르결합을 가지는 구조를 함유하는 수지에 비하여 작다.

(실시예 3)

실시예 1에서 얻은 화학식 6으로 구조가 표시되는 방향족 폴리아미드수지를 테프론제의 샤알레(지름 5㎝, 깊이 2㎝)에 주입하여 120℃에서 2시간 가열, 그 후 진공 중에서 3시간, 160℃에서 가열함으로써 용매를 증발시키고, 두께 약 0.5mm의 수지판을 얻었다. 또 동일한 순서에 의해 화학식 11의 수지, 화학식 13의 수지 및 BP 아모코사 제품 폴리아미드이미드수지 토론4000T을 각각 NMP에 용해시켜 얻은 농도 30중량%의 와니스의 용매를 증발시켜 수지판을 얻었다. 다음에 얻어진 수지판의 한쪽의 표면 위에 실시예 1에서 나타낸 순서에 따라 두께 약 20㎛의 구리층을 형성하였다. 필시험에 의하여 얻어진 금속층의 수지판에 대한 밀착력을 평가한 바, 화학식 6이 800N/m, 화학식 11이 600N/m, 화학식 13이 500N/m, 토론4000T가 600 N/m이되었다.

다음에 실시예 1 (4)에서 얻은 폴리아믹산의 와니스를 테프론제의 샤알레(직경 5cm, 깊이 2cm)에 주입하여 120℃에서 2시간 가열, 그 후 250℃에서 2시간 가열함으로써, 화학식 12로 표시된 폴리아미드이미드수지층의 판을 얻었다. 두께는 0.5mm이었다. 이 수지판 표면에 실시예 1에서 나타낸 순서에 따라 두께 약 20㎛의 구리층을 형성하였다. 필시험에 의하여 얻어진 금속층의 수지판에 대한 밀착력을 평가한 바, 500N/m이 되었다.

또한 모든 시료에 대해서는 산화구리의 존재를 나타내는 약간 검은 빛을 띤 갈색을 보이고 있어, 구리·수지계면의 구리측에 산화구리층이 형성되어 있었던 것이 확인되었다. 이상과 같이 방향족 폴리아미드수지 또는 방향족 폴리아미드이미드수지 단체에 대해서도 충분한 밀착력이 얻어진다. 또 화학식 12 및 화학식 13의 밀착력은아미드부위 중에 피페닐에테르결합을 가지는 구조를 함유하는 폴리아미드수지 또는 폴리아미드이미드수지 단체에 비하여 작다.

(실시예 4)

BP 아모코사 제품의 폴리아미드이미드수지 토론4000T 또는 AI-10을 NMP에 용해시켜 농도 30중량%의 와니스를 얻었다. 이 와니스를 유리에폭시기판 위에 바코터에 의하여 도포, 160℃에서 2시간 진공건조함으로써, 두께 약 10㎛의 토론4000T 또는 AI-10층 피복 유리에폭시기판을 얻었다. 다음에 얻어진 기판의 토론4000T층 또는 AI-10층 위에 실시예 1과 같은 방법에 의해 구리층을 형성하고, 그 밀착력을 평가하였다. 그 결과 토론4000T층에 대한 필강도는 600N/m, AI-10층에 대한 필강도는 500N/m 이었다. 또 박리한 구리막의 표면은 산화구리의 존재를 나타내는 약간 검은 빛을 띤 갈색을 보이고 있어, 구리·수지계면의 구리측에 산화구리층이 형성되어 있었던 것이 확인되었다. 이상, 본 방법에 의해 토론4000T 및 AI-10에 대하여 충분한 밀착력이 있는 구리도금막을 형성할 수 있다.

(실시예 5)

(1) 화학구조를 화학식 7로 나타내는 방향족 폴리아미드수지를 30g과 유화쉘에폭시사 제품 에피코트828을 70g을 γ-부티로락톤 중에 전 농도가 30중량%가 되도록 용해시킨 후, 경화제로서 와코순약사 제품 디시아노디아민을 4g 첨가하여 와니스를 제작하였다. 이 와니스를 테프론제의 샤알레에 주입한 후, 120℃에서 1시간, 계속해서 180℃에서 2시간 가열함으로써 용매를 증발시키고, 또한 에피코트828 및 화학식 7로 나타내는 방향족 폴리아미드수지가 가지는 에폭시기를 반응시킴으로써 경화시켜 두께 약 0.5mm의 수지조성물판을 얻었다.

다음에 이 수지조성물판 위에 실시예 1과 동일한 순서로 구리층을 형성하였다. 얻어진 구리층 피복 수지조성물에 있어서 구리층의 수지조성물 표면과의 밀착력을 평가한 바, 필강도는 400N/m 이었다. 또 박리한 구리막의 표면은 모두 산화구리의 존재를 나타내는 약간 검은 빛을 띤 갈색을 보이고 있어, 구리·수지계면의 구리측에 산화구리층이 형성되어 있었던 것이 확인되었다. 이상과 같이 화학구조를 화학식 7로 나타내는 방향족 폴리아미드수지를 다른 에폭시재료와 섞어 경화시킬 수 있다. 일반적으로 에폭시재료 등에 금속을 도금하는 것은 곤란하나, 이 방법을 사용함으로써 이들 수지에 대한 도금막의 밀착성을 향상시킬 수 있다.

(실시예 6)

4 인치 실리콘웨이퍼 위에 실시예 4의 순서로 합성한 화학식 7로 구조가 표시되는 방향족 폴리아미드사슬을 이하의 방법에 의해 그라프트하였다. 먼저 실리콘웨이퍼를 중성의 계면활성제 수용액에 침지하여 초음파처리함으로써 표면을 세정, 그 후 충분히 수세하였다. 얻어진 실리콘웨이퍼를 30% 과산화수소수와 농황산의 3:7혼합용액(piranha용액)에 60분간 침지함으로써 표면에 흡착하고 있는 유기성 오염물질을 분해함과 동시에 표면에 수산기를 도입하였다. 다음에 얻어진 실리콘웨이퍼 표면에 도쿄카세이사 제품 실란커플링처리에 의해 아미노기를 도입하였다. 실제로는 아미노프로필트리메톡시실란의 에탄올용액(농도 0.3중량%)에 기판을 12시간 침지한 후에 순수한 에탄올로 충분히 세정하고, 그 후 120℃에서 2시간 가열함으로써 실리콘웨이퍼 표면에 아미노기를 도입하였다. 다음에 화학식 7에 구조를 나타내는 수지를 테트라히드로퓨란에 용해시켜 농도 4.0중량%의 용액을 얻었다. 이 용액에 상기순서로 아미노기를 도입한 실리콘웨이퍼를 침지하여 조용히 끌어 올려 공기 중에서 건조함으로써 웨이퍼 표면에 화학식 7로 구조가 표시된 수지의 박층을 형성하였다. 다음에 이 기판을 150℃에서 1시간 가열하여 실리콘웨이퍼 표면에 도입한 아미노기와 화학식 7로 구조가 표시되는 고분자사슬 말단의 에폭시기를 반응시킴으로써 양자를 화학적으로 결합하였다. 마지막으로 얻어진 기판을 테트라히드로퓨란에 침지, 충분히 세정함으로써 웨이퍼 표면의 아미노기와 미반응의 수지를 용해시켰다. 얻어진 웨이퍼상의 고분자사슬층의 두께를 에리푸소메트리에 의해 평가한 바, 그 두께는 8nm이 되었다.

이상의 방법으로 방향족 아미노기를 가지는 고분자사슬을 그라프트한 실리콘웨이퍼 표면에 실시예 1과 동일한 순서에 의해 두께 15㎛의 구리층을 석출시켰다. 얻어진 구리층 피복 실리콘웨이퍼에 있어서의 구리층의 밀착력을 필시험에 의해 평가한 바, 200N/m 이었다. 미처리의 실리콘웨이퍼와 구리의 밀착력은 매우 약하여 무전해 구리도금법에 의해 수십 nm 두께의 구리층을 형성한 것만으로 구리층의 장력에 의하여 구리층이 실리콘웨이퍼 표면으로부터 박리하는 것을 고려하면, 방향족 아미노기를 그라프트한 것에 의하여 구리층과 실리콘웨이퍼와의 밀착력은 대폭으로 개선할 수 있었다.

동일한 순서에 의해 유리기판 위에 두께 15㎛의 구리층을 형성하였다. 얻어진 구리층 피복 유리기판에 있어서의 구리층의 밀착력을 필시험에 의해 평가한 바, 200N/m이었다. 미처리의 유리기판과 구리의 밀착력은 매우 약하여, 무전해 구리도금법에 의해 수십 nm의 두께의 구리층을 형성한 것만으로 구리층의 장력에 의하여 구리층이 유리기판 표면으로부터 박리하는 것을 고려하면, 방향족 아미노기를 그라프트함으로써 구리층과 유리기판과의 밀착력은 대폭으로 개선할 수 있었다.

(실시예 7)

실시예 1과 동일한 순서에 의하여 에폭시기판 위에 화학식 6, 11로 구조가 표시되는 방향족 폴리아미드수지 또는 방향족 폴리아미드이미드수지의 박층을 형성하였다. 계속해서 전자선 가열식 진공증착법에 의하여 방향족 폴리아미드수지 또는 방향족 폴리아미드이미드수지 표면 위에 두께 1Onm의 구리층을 형성하였다. 증착은 진공도 1.5 ×1O^-3Pa 이하의 분위기하에서 기판온도를 120℃로 유지하여 행하였다. 이때 증착속도는 2nm/sec 이었다. 다음에 얻어진 기판을 공기 중에서 1시간 120℃에서 가열하였다. 계속해서 실시예 1과 동등한 방법에 의해 전기 구리도금에 의해 구리층을 약 20㎛로 후막화한 후, 공기 중에서 1시간 120℃에서 가열하였다. 필시험에 의하여 금속층의 밀착력을 평가한 바, 200N/m이 되었다. 또 박리한 구리막의 표면은 산화구리의 존재를 나타내는 약간 검은 빛을 띤 갈색을 보이고 있어, 구리·수지계면의 구리측에 산화구리층이 형성되어 있었던 것이 확인되었다. 이상의 결과, 산화구리층과 화학식 6으로 구조가 표시되는 방향족 폴리아미드수지박층 또는 화학식 11로 구조가 표시되는 방향족 폴리아미드이미드수지박층의 계면에 팔라듐미립자가 존재하지 않으면 계면에 팔라듐미립자가 존재하는 실시예 1에서 나타내는 경우와 비교하여 밀착력이 약간 뒤떨어지는 것이 분명해졌다.

(실시예 8)

실시예 1에서 나타낸 순서에 따라 화학식 6, 7, 11로 구조가 표시되는 방향족 아미드수지층 또는 방향족 폴리아미드이미드수지층으로 피복한 유리에폭시기판 위에 두께 약 1Onm의 구리층을 무전해도금에 의해 석출시켰다. 다음에 얻어진 기판을 가열하지 않고, 실온 중, 건조질소하에서 건조시켰다. 얻어진 기판의 구리층 위에 실시예 1에서 나타내는 방법에 의해 수지/구리층 계면에 산화구리를 형성하는 처리를 실시하지 않고 전기구리도금을 실시한 바, 전기도금막의 밀착력이 매우 약한 것이 분명해졌다.

(실시예 9)

실시예 1에 나타낸 순서에 의하여 화학식 6, 7, 11로 구조가 표시되는 방향족 폴리아미드수지층 또는 방향족 폴리아미드이미드수지층으로 피복한 유리에폭시기판및 실시예 4의 토론4000T층 피막 유리에폭시기판을 얻었다. 다음에 이 기판을 온도 25℃, 농도 2.5몰/ℓ의 수산화나트륨수용액에 2분간 침지함으로써 방향족 아미드수지 표면 및 토론4000T층 표면에 변질층을 형성하였다. 이들 기판의 변질층 위에 실시예 1에 나타내는 순서에 따라 무전해 구리도금과 전기구리도금을 행하여 두께 약 20㎛의 구리층을 형성하였다.

이상의 방법으로 변질층 위에 형성한 구리막의 기판에 대한 밀착력을 필시험에 의해 평가하였다. 그 결과 토론4000T를 제외하고 필강도는 어느 쪽의 시료에 대해서도 800N/m으로 충분한 값을 나타내었다. 이들 시료에 대해서는 박리한 구리의 박리면은 산화구리의 존재를 나타내는 약간 검은 빛을 띤 갈색을 보이고 있어 구리·수지계면의 구리측에 산화구리층이 형성되어 있었던 것이 확인되었다. 한편 토론 4000T에 대한 도금막의 필강도는 50N/m으로 실용에는 제공할 수 없는 값이 되었다. 그러나 충분한 밀착력이 얻어진 금속층 피복 수지기판에 대해서도 그 신뢰성을 PCT 테스트로 평가한 바, PCT 테스트 후, 대부분의 구리층은 기판 표면으로부터 박리하였다. 일부를 박리한 부분에 대하여 필강도를 측정한 바, 그 값은 거의 10N/m이고, 그 밀착력은 시험전의 값보다 매우 낮아지고, 이와 같이 수지 표면을 알칼리수용액에 의해 처리하지 않은 쪽이 바람직한 것이었다.

(실시예 10)

본 실시예는 본 발명을 빌드업 다층 프린트 배선판에 적용한 일례인 도 5에 공정도를 나타낸다.

내층 회로를 에칭으로 형성한 유리에폭시기판(33)에 폴리아미드이미드수지, 토론4000T를 NMP에 용해한 와니스(농도 30중량%)를 도포하여 진공 중, 온도 160℃에서 건조하여 폴리아미드이미드층(31)을 얻었다. 다음에 얻어진 기판의 표면을 버프연마하여 표면을 평탄화한 후, 필요한 크기로 절단하여 내층 코어기판을 얻었다[도 5(a)]. 다음에 NC 드릴기를 사용하여 소정의 위치에 φ0.3mm의 관통구멍을 뚫었다 [도 5(b)]. 이 폴리아미드이미드층(31) 표면 및 관통구멍 내면에 실시예 1에 기재한 조건으로 촉매부여를 행하였다. 다음에 시료 표면에 히타치카세이사 제품 감광성 네가티브형 건조필름SR-3000을 상압 라미네이터를 사용하여 라미네이트하였다. 그후 배선패턴을 가지는 마스크를 거쳐 자외선을 18OmJ/㎠조사하여 2O% 알콜계 현상액으로 스프레이현상, 또한 수세하여 도금 레지스트(34)패턴을 형성하였다[도 5(c)]. 최소의 레지스트의 라인/스페이스간격은 20㎛ 이었다. 다음에 무전해 니켈도금액(오쿠노세이야쿠사 제품B-l)으로 니켈(35)을 막두께 약 10nm정도 부착한 후, 시료를 대기 중 전기로에서 180℃하에 2시간 베이크하였다. 그 후 염화팔라듐수용액(1g/ℓ)에 1분 정도 부착한 후, 후막부착용 전해 구리도금욕에 넣어 구리도금을 행하였다. 후막부착용 무전해 구리도금액의 조성은 이하와 같다. 액온은 70℃로 유지하였다.

[후막부착용 무전해 구리도금액 조성]

·황산구리 5수화물 0.04 몰/ℓ

·에틸렌디아민 4아세트산나트륨 0.1 몰/ℓ

·포름알데히드 0.03 몰/ℓ

·수산화나트륨 0.1 몰/ℓ

·2,2'-비피리딜 0.0002 몰/ℓ

·폴리에틸렌글리콜(평균 분자량 6000) 0.03 몰/ℓ

도금은 10시간 정도 행하고, 그 후 전기로에서 1시간 180℃에서 가열함으로써 막두께 약 20㎛정도 구리배선(32)을 얻었다[도 5(d)]. 구리배선부분과 폴리아미드이미드층과의 사이에서 박리 등은 없고, 양호한 밀착성을 나타내었다.

다음에 상기 순서에서 얻어진 배선판의 표면을 버프연마하여 표면을 평탄화한 후, 구멍 매립용 잉크(36)을 사용하여 관통구멍내를 매립하였다. 그 후 양 표면에 상기 방법을 사용하여 폴리아미드이미드절연층을 형성하였다. 이 제 2 절연층 표면의 소정의 위치에 층간 접속구멍(φ50㎛)을 이산화탄소 레이저에 의해 개구하고, 나머지를 데스미어처리로 제거하였다. 이어서 제 1 배선층을 형성한 경우와 동일한 공정을 반복함으로써 제 2 절연층 위의 제 2 층 도체회로패턴의 형성과, 제 1 층 도체회로와 제 2 층 도체회로를 접속하는 접속구멍내의 접속도체부의 형성을 행하였다[도 5(e)]. 제작한 기판을 다이서로 절단한 후, 단면을 연마하여 광학현미경 및 주사형 전자현미경으로 관찰한 바, 레지스트의 형상을 잘 재현한 구리배선패턴이 얻어져 있고, 제 1 도체 회로층과 제 2 도체 회로층 모두 라인/스페이스 간격 20㎛의 구리배선 회로패턴이 형성되어 있는 것, 층간 접속구멍에 있어서도 구멍의 안쪽의 구리도금의 부착 주위가 잘 전기적 접속이 확실하게 취해져 있는 것이 확인되었다. 또 이 기판을 150℃의 대기 중에 1000시간 방치하여도 단선, 배선의 박리는 관측되지 않고, 이 배선기판은 장기에 걸치는 고온하에서의 동작에 대한 신뢰성이 높은 것이다.

(실시예 11)

서브트랙트법에 의하여 전방향족 아미드수지필름(37)의 한쪽 면에 배선을 실시한 유연한 배선기판의 제조공정을 도 6에 나타낸다. 먼저 실시예 17의 순서에 따라 아사히카세이고교사 제품 전방향족 아미드수지필름, 알라미카(두께 25㎛) 위에 두께 20㎛의 구리층(32)을 형성하였다[도 6(a)]. 다음에 구리층 표면 위에 에칭레지스터필름(34)(히타치카세이사 제품, 포틱, H-K815)을 핫롤로 라미네이트하였다. 그후 배선패턴을 가지는 마스크를 거쳐 자외선을 100mJ/㎠ 조사하여 1% 탄산나트륨수용액으로 스프레이현상, 다시 수세하여 에칭 레지스터패턴을 형성하였다[도 6(b)]. 이어서 염화제2철 수용액으로 불필요한 부분의 도금막을 스프레이에칭하여 수세한 후, 수산화나트륨수용액으로 에칭 레지스터필름을 제거함으로써 구리배선을 제작하였다. 이상의 순서에 의해 배선의 박리나 단선이 없는 유연한 배선기판이 얻어졌다[도 6(c)].

(실시예 12)

통상적인 방법의 후막공정에 의해 제조한 세라믹기판 위에 절연수지필름에 풀어디티브법으로 구리배선을 설치한 배선기판을 적층함으로써 형성하는 멀티칩 모듈기판의 제조방법에 대하여 설명한다. 이하, 세라믹기판 위에 6층의 다층 배선수지기판을 설치하여 LSI 칩을 플립칩본딩법에 의해 탑재한 멀티칩 모듈의 제작공정의 실시예를 설명한다.

먼저, 도 7에 나타내는 순서에 의해 풀어디티브법에 의하여 아사히카세이고교사 제품 전방향족 아미드수지필름, 알라미카(두께 9㎛)의 양면에 구리배선을 형성한 배선층을 가진 배선시트를 제작하였다. 처음에 전방향족 아미드수지필름(37)의 소정의 위치에 층간 접속구멍(φ50㎛)을 엑시머레이저(KrF)에 의해 개구하고, 나머지를 데스미어처리에 의해 제거하였다[도 7(a)]. 다음에 이 필름의 양측 표면 및 층간 접속구멍 중 표면에 실시예 1에 기재한 조건으로 촉매부여를 행하였다. 계속해서 시료 표면에 신닛데츠가카꾸사 제품 감광성 네가티브형 건조필름(DRF)을 상압 라미네이터를 사용하여 라미네이팅하였다. 그 후 원하는 배선패턴을 가지는 마스크를 거쳐 자외선을 2OOmJ/㎠조사하여 테트라메틸암모늄히드록시드현상액으로 스프레이현상, 다시 수세하여 도금 레지스트패턴(34)을 형성하였다[도 7(b)]. 최소의 라인/스페이스는 20㎛ 이었다. 다음에 무전해 니켈도금액(오쿠노세이야쿠사 제품 B-1)으로 니켈층(35)을 막두께 약 1Onm 정도 형성하였다. 시료를 전기로에서 대기 중 180℃ 하에 2시간정도 베이크하였다. 그후 염화팔라듐수용액(1g/ℓ)에 1분 정도 부착한 후, 실시예 20에서 나타내는 후막부착용 무전해 구리도금액을 사용하여 구리도금을 행하였다. 도금을 10시간 정도 행하여도 박리는 관찰되지 않고, 막두께 약 20㎛의 구리배선(32)을 양면에 가지는 배선시트를 형성할 수 있다[도 7(c)]. 또한 동일한 순서로 알라미카필름의 한쪽에만 소정의 배선층을 가지는 배선시트를 2매 제작하였다.

다음에 도 8에 나타내는 순서에 의하여 세라믹기판(43) 위에 상기 방법에 의해 작성한 배선시트(41)를 차례로 접착하였다. 먼저 한쪽에만 배선을 가지는 시트를 접착필름(42)(히타치카세이고교사 제품 N4, 접착온도 250℃, 막두께 10㎛)를 거쳐 구리배선층측이 접착필름과 접하는 방향으로 평행 평판 프레스를 사용하여 접착하였다[도 8(a)]. 그 후 세라믹기판 위의 패드부와 배선층과의 전기적인 접속을 취하기 위하여 소정의 위치에 층간 접속구멍(φ50㎛)을 이산화탄소 레이저에 의해 개구하고, 나머지를 데스미어처리로 제거한 후, 접속 구멍내를 선택 구리도금법으로 막두께 5㎛정도 메탈라이즈한 후, 구리페이스트(44)를 충전하였다[도 8(b)]. 또한 이 배선시트 위에 양면에 배선을 형성한 배선시트를 상기와 동일한 접착필름을 개재시켜 평행 평판프레스를 사용하여 접착하였다. 다음에 한쪽 면 배선시트를 상기와 동일한 접착필름을 거쳐 구리배선층측이 접착필름과 접하는 방향으로 평행 평판프레스를 사용하여 접착하였다[도 8(c)]. 적층한 시트 표면의 소정의 위치를 이산화탄소 레이저에 의해 개구하여 표면층(Cr/Ni/Au)(45)을 형성하였다[도 8(d)]. 그 후 플립칩본딩으로 LSI칩을 복수개를 탑재하여 멀티칩 모듈을 제작하였다. 이 배선기판은 땜납접속공정을 거쳐서도 단선, 배선의 박리는 관측되지 않아 고온공정에 대한 신뢰성이 높음을 알 수 있었다.

본 발명에 의하면 수지 표면을 조면화하지 않고, 화학적인 상호작용에 의하여 수지 표면과 그 위에 석출시킨 금속 사이의 밀착력을 높인 금속층을 가지는 부재 및 그 제조방법을 제공할 수 있다. 또 수지 표면에 변질층을 설치할 필요가 없기 때문에 재현성 좋게 신뢰성이 높은 금속층을 가지는 부재를 제공할 수 있다. 또한 종래 도금이 불가능하던 각종 기재에 대해서도 그 표면에 방향족 아미드기를 가지는 수지층을 설치함으로써, 도금에 의한 금속층 형성이 가능해진다. 또한 본 발명을 사용하면 신뢰성이 뛰어난 멀티칩 모듈용 배선기판, 유연한 배선기판 및 멀티칩 모듈용 배선기판을 제공할 수 있다.

Claims

수지기재 위에 형성된 금속 미립자층과;

상기 금속 미립자층 위에 형성된 금속 산화물층과;

상기 금속 산화물층 위에 형성된 금속층을 가지는 부재에 있어서,

상기 수지기재 전체가 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 함유하는 수지를 포함하는 수지조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속층을 가지는 부재.
기재 위에 형성된 수지조성물층과;

상기 수지조성물층 위에 형성된 금속 미립자층과;

상기 금속 미립자층 위에 형성된 금속 산화물층과;

상기 금속 산화물층 위에 형성된 금속층을 가지는 부재에 있어서,

상기 수지조성물층이 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 함유하는 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속층을 가지는 부재.
수지기재 위에 형성된 촉매층과;

상기 촉매층 위에 형성된 금속 산화물층과;

상기 금속 산화물층 위에 형성된 무전해 도금금속층과;

상기 금속층 위에 형성된 전기도금 금속층을 가지는 부재에 있어서,

상기 수지기재 전체가 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 함유하는 수지를 포함하는 수지조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속층을 가지는 부재.
기재 위에 형성된 수지조성물층과;

상기 수지조성물층 위에 형성된 촉매층과;

상기 촉매층 위에 형성된 금속 산화물층과;

상기 금속 산화물층 위에 형성된 무전해 도금금속층과;

상기 금속층 위에 형성된 전기도금 금속층을 가지는 부재에 있어서,

상기 수지조성물층은 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 함유하는 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속층을 가지는 부재.
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,

방향족 아미드부위가 화학식 1 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 화학구조를 가지는 것을 특징으로 하는 금속층을 가지는 부재.

(화학식 1)

(화학식 2)

(화학식 3)

(상기식에서 X₁ 내지 X₈은 수소, 저급 알킬기, 저급 알콕실기, 니트로기, 술폰산기, 수산기, 카르복실기, 할로겐원자로부터 선택되는 동일하거나 또는 다른 치환기.)

(화학식 4)

(상기식에서 X₁ 내지 X₈은 수소, 저급 알킬기, 저급 알콕실기, 니트로기, 술폰산기, 수산기, 카르복실기, 할로겐원자로부터 선택되는 동일하거나 또는 다른 치환기.)
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,

방향족 아미드부위를 화학구조 중에 함유하는 수지가, 그 화학구조 중에 화학식 5로 표시되는 말단에 에폭시기를 가지는 구조, 또는 상기 에폭시기의 반응잔기를 가지는 구조를 함유하는 것을 특징으로 하는 금속층을 가지는 부재.

(화학식 5)

(상기식에서 R₁, R₂ 및 R₃은 2가의 유기기. m은 자연수.)
수지기재 위에 금속층을 가지는 부재의 제조방법에 있어서,

상기 수지기재 전체가 화학식 1 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 가지는 수지; 또는

(화학식 1)

(화학식 2)

(화학식 3)

(상기식에서 X₁ 내지 X₈은 수소, 저급 알킬기, 저급 알콕실기, 니트로기, 술폰산기, 수산기, 카르복실기, 할로겐원자로부터 선택되는 동일하거나 또는 다른 치환기.)

(화학식 4)

(상기식에서 X₁ 내지 X₈은 수소, 저급 알킬기, 저급 알콕실기, 니트로기, 술폰산기, 수산기, 카르복실기, 할로겐원자로부터 선택되는 동일하거나 또는 다른 치환기.)

그 화학구조 중에 화학식 5로 표시되는 말단에 에폭시기를 가지는 구조, 또는 상기 에폭시기의 반응잔기를 가지는 구조를 함유하는 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 가지는 수지를 포함하는 수지조성물로 이루어지고,

(화학식 5)

(상기식에서 R₁, R₂ 및 R₃은 2가의 유기기. m은 자연수.)

상기 수지기재 표면 위에 형성한 금속입자층 위에 상기 금속층을 형성시킨 후, 산화분위기중에서 가열하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 금속층을 가지는 부재의 제조방법.
기재 위에 금속층을 가지는 부재의 제조방법에 있어서,

상기 기재 표면에 화학식 1 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 가지는 수지; 또는

(화학식 1)

(화학식 2)

(화학식 3)

(상기식에서 X₁ 내지 X₈은 수소, 저급 알킬기, 저급 알콕실기, 니트로기, 술폰산기, 수산기, 카르복실기, 할로겐원자로부터 선택되는 동일하거나 또는 다른 치환기.)

(화학식 4)

(상기식에서 X₁ 내지 X₈은 수소, 저급 알킬기, 저급 알콕실기, 니트로기, 술폰산기, 수산기, 카르복실기, 할로겐원자로부터 선택되는 동일하거나 또는 다른 치환기.)

그 화학구조 중에 화학식 5로 표시되는 말단에 에폭시기를 가지는 구조, 또는 상기 에폭시기의 반응잔기를 가지는 구조를 함유하는 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 가지는 수지를 포함하는 수지조성물층을 형성하고,

(화학식 5)

(상기식에서 R₁, R₂ 및 R₃은 2가의 유기기. m은 자연수.)

다음에 상기 수지조성물층 위에 형성한 금속입자층 위에 상기 금속층을 형성시킨 후, 산화분위기중에서 가열하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 금속층을 가지는 부재의 제조방법.
수지기재 위에 금속층을 가지는 부재의 제조방법에 있어서,

상기 수지기재 전체가 화학식 1 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 가지는 수지; 또는

(화학식 1)

(화학식 2)

(화학식 3)

(상기식에서 X₁ 내지 X₈은 수소, 저급 알킬기, 저급 알콕실기, 니트로기, 술폰산기, 수산기, 카르복실기, 할로겐원자로부터 선택되는 동일하거나 또는 다른 치환기.)

(화학식 4)

(상기식에서 X₁ 내지 X₈은 수소, 저급 알킬기, 저급 알콕실기, 니트로기, 술폰산기, 수산기, 카르복실기, 할로겐원자로부터 선택되는 동일하거나 또는 다른 치환기.)

그 화학구조 중에 화학식 5로 표시되는 말단에 에폭시기를 가지는 구조, 또는 상기 에폭시기의 반응잔기를 가지는 구조를 함유하는 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 가지는 수지를 포함하는 수지조성물로 이루어지고,

(화학식 5)

(상기식에서 R₁, R₂ 및 R₃은 2가의 유기기. m은 자연수.)

상기 수지기재 표면 위에 형성한 촉매층 위에 무전해 도금 금속층과, 상기 금속층 위에 전기도금 금속층을 형성시킨 후, 산화분위기중에서 가열하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 금속층을 가지는 부재의 제조방법.
기재 위에 금속층을 가지는 부재의 제조방법에 있어서,

상기 기재 표면에 화학식 1 내지 4 중 어느 하나로 표시되는 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 가지는 수지; 또는

(화학식 1)

(화학식 2)

(화학식 3)

(상기식에서 X₁ 내지 X₈은 수소, 저급 알킬기, 저급 알콕실기, 니트로기, 술폰산기, 수산기, 카르복실기, 할로겐원자로부터 선택되는 동일하거나 또는 다른 치환기.)

(화학식 4)

(상기식에서 X₁ 내지 X₈은 수소, 저급 알킬기, 저급 알콕실기, 니트로기, 술폰산기, 수산기, 카르복실기, 할로겐원자로부터 선택되는 동일하거나 또는 다른 치환기.)

그 화학구조 중에 화학식 5로 표시되는 말단에 에폭시기를 가지는 구조, 또는 상기 에폭시기의 반응잔기를 가지는 구조를 함유하는 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 가지는 수지를 포함하는 수지조성물층을 형성하고,

(화학식 5)

(상기식에서 R₁, R₂ 및 R₃은 2가의 유기기. m은 자연수.)

다음에 상기 수지조성물층 위에 형성한 촉매층 위에 무전해 도금 금속층과, 상기 금속층 위에 전기도금 금속층을 형성시킨 후, 산화분위기중에서 가열하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 금속층을 가지는 부재의 제조방법.
코어배선 기판 위에 1층 또는 복수층의 수지 절연층과, 상기 절연층의 각각에 금속배선을 적층한 빌드업형 다층 배선기판에 있어서,

상기 수지 절연층 중 적어도 1층이 방향족 아미드부위를 가지는 수지를 포함하는 수지조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 빌드업형 다층 배선기판.
코어배선 기판 위에 1층 또는 복수층의 수지 절연층과, 상기 절연층의 각각에 금속배선이 되는 금속층을 가지는 부재를 적층한 빌드업형 다층 배선기판에 있어서,

상기 부재 중 적어도 1층이 제 1항 내지 제 6 중 어느 한 항에 기재된 부재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 빌드업형 다층 배선기판.
수지 절연필름 위에 금속배선을 가지는 유연한 배선기판에 있어서,

상기 수지 절연필름이 방향족 아미드부위를 화학구조 중에 함유하는 수지를 포함하는 수지조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유연한 배선기판.
수지 절연필름 위에 금속배선이 되는 금속층을 가지는 부재로 이루어지는 유연한 배선기판에 있어서,

상기 부재가 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 기재된 부재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유연한 배선기판.
후막배선 기판 위에 1층 또는 복수층의 수지 절연층과, 상기 절연층의 각각에 금속배선을 적층한 멀티칩 모듈용 배선기판에 있어서,

상기 수지 절연층 중 적어도 1층이 방향족 아미드부위를 가지는 수지를 포함하는 수지조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 멀티칩 모듈용 배선기판.
후막배선 기판 위에 1층 또는 복수층의 수지 절연층과, 상기 절연층의 각각에 금속배선이 되는 금속층을 가지는 부재를 적층한 멀티 칩 모듈용 배선기판에 있어서,

상기 부재 중 적어도 1층이 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 기재된 부재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 멀티칩 모듈용 배선기판.
방향족 아미드부를 가지는 수지조성물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 도금 금속층 형성용 부재.