TW200835766A - Optical bonding composition for LED light source - Google Patents

Optical bonding composition for LED light source Download PDF

Info

Publication number
TW200835766A
TW200835766A TW096143724A TW96143724A TW200835766A TW 200835766 A TW200835766 A TW 200835766A TW 096143724 A TW096143724 A TW 096143724A TW 96143724 A TW96143724 A TW 96143724A TW 200835766 A TW200835766 A TW 200835766A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
light source
led light
metal oxide
led
oxide
Prior art date
Application number
TW096143724A
Other languages
English (en)
Inventor
Amy Suzanne Barnes
D Scott Thompson
Todd Adrian Ballen
Original Assignee
3M Innovative Properties Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 3M Innovative Properties Co filed Critical 3M Innovative Properties Co
Publication of TW200835766A publication Critical patent/TW200835766A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/0091—Reflectors for light sources using total internal reflection
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

200835766 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於LED光源，且特定言之，係關於使用光學 黏合組合物使光學元件與led晶粒黏合在_起的LED光 源。 【先前技術】 LED光源具有可提供習知光源之亮度、輸出及操作壽命 的固有潛能。遺憾的是，LED光源係在半導體材料（通常稱 為LED晶粒）中產生光，且其難以有效地將光自led晶粒中 引出而不大幅減少LED光源之亮度或增大LED光源之表觀 發光面積。此難度通常由於LED晶粒（折射率11為24或大於 2.4)與空氣（n=1)之間折射率之大失配，以致LED晶粒中所 形成之光之大部分完全在内部反射且無法逸出晶粒，導致 売度減小。 先則自LED晶粒引出光之方法包括使用封裝led晶粒之 封裝劑。封裝劑通常具有比空氣更高的折射率（典型環氧 封裝劑之η為約以便減少晶粒與其周圍介質在介面處之 折射率失配。因此，浪費的光更少且光源更亮。然而在效 率及党度方面存在進一步改良之需要。此外，封裝劑因 LED晶粒所產生之熱量而易經受大的溫度變化，此溫度變 化產生應力，在多個溫度循環後此應力可損壞晶粒。封裝 劑亦會隨時間變黃及以另外的方式降級。 引出器亦可用於將光自LED晶粒中引出。該等光學元件 通常為it明聚合物或玻璃且接觸$緊鄰LED晶粒表面安 126655.doc 200835766 置。引出器及LED晶粒經光學耦合以便將光自LED晶粒中 引出。引出器通常具有在大小與形狀上與LED晶粒之主發 光表面大體匹配之輸入表面。然而引出器與LEd晶粒之黏 合難度已限制了引出器之使用。已知黏合方法需要高溫 • (大於350°C)與壓縮，兩者皆對LED光源之功能有負面影 響。已知黏合方法亦需要有關製造方法，諸如化學氣相沈 積法、各種形式之磊晶法等，此限制該等方法選擇應用之 有用性。 _ 【發明内容】 本文中揭示一種光學黏合組合物及包含該組合物之led 光源。該LED光源可包含：一 LED晶粒；一與該LED晶粒 光學耦合之光學元件；及一包含非晶形有機聚矽氧烷網狀 物之黏合層，該有機聚矽氧烷網狀物包含倍半矽氧烷部 分’該部分衍生於： 其中R1為有機基團且η為至少1〇之整數；該黏合層使該 LED晶粒與該光學元件黏合在一起。 非晶形有機聚石夕氧院網狀物可包含含有金屬^化物奈米 顆粒及表面改質劑的表面改質型金屬氧化物奈米顆粒。有 用的金屬氧化物奈米顆粒包括氧化锆、氧化鈦、氧化鋅、 氧化钽、氧化鈮、氧化鑭、氧化鋇、氧化釔、氧化铪、、氧 化錫、氧化銻及其組合。亦可使用上述氧化物之混合氧化 物。在-特定實㈣，金屬氧化物奈米顆粒包含具：大於 社8之折射率的結晶性氧化錯奈米顆粒。有用的表面改 126655.doc 200835766 質劑包括鲮酸、膦酸、烷氧基矽烷或其組合或混合。 光學元件通常為光學引出器，其藉由促進光自㈣晶粒 内部逸出來增加光源效率。 、文中亦揭示-種使用光學黏合組合物製造光源之 • 方法。該方法包含a)提供一 led晶粒；b)提供一光學元 • 件/ C)提供一種光學黏合組合物，該組合物包含具有式 (R Sl〇l.5)n(〇R4)n + 2之倍半矽氧烷及具有式（R2)2Si(〇R3)2之 _ 一烷氧基矽烷，其中Rl至R4為有機基團且n為至少5之整 數；及d)藉由使該LED晶粒及該光學元件與該光學黏合組 合物接觸而將該LED晶粒與該光學元件黏合在一起。 本文中所揭示之LED光源可用於多種照明應用中，諸如 可為側光式或直光式之背光標誌及液晶顯示器。本文中所 揭不之LED光源亦可用作以下應用之光源：標言志、汽 車應用、投影應用及-般照明，包括建築照明、情調照明 及藝術照明。 瞻 本發明之該等態樣及其他態樣可自以下實施方式中顯而 易見。然而上述發明内容決不應理解為對所主張之標的之 限制，本發明標的唯由隨附申請專利範圍（如可在專利審 • 查期間所修正）限定。 . 【實施方式】
圖1展不包含LED晶粒102及光學元件1〇4的例示性lED光 源1〇〇之杈截面示意圖，LED晶粒1〇2與光學元件1〇4藉由 黏合層106黏合在一起。該黏合層在非晶形矽酸鹽網狀物 中包含表面改質型金屬氧化物奈米顆粒。一般而言，LED 126655.doc 200835766 晶粒與光學元件經光學耦合以使得LED晶粒所發出之光能 夠傳播並到達光學元件。光學元件可為一引出器，光可以 多種方式進入並離開該引出器，此視該元件之特定性質而 定。 為簡單起見，LED晶粒係一般性地展示於圖1中，但可 包括此項技術中習知之設計特點。舉例而言，LED晶粒可 包括通常由III-V族半導體所形成相異之p型及η型半導體 層，其中III-V族半導體包括：氮化物，諸如AIN、GaN、 InN ;磷化物，諸如InGaP、A1P、GaP、InP ;及其他物 質，諸如 AlAs、GaAs、InAs、AlSb、GaSb 及 InSb。LED 晶粒亦可由以下半導體形成：II-VI族半導體，諸如ZnS、 ZnSe、CdSe及CdTe ; IV族半導體Ge、Si及碳化物，諸如 SiC。LED晶粒亦可包含缓衝層、基底層及頂置層。在其 所存在之光源之典型發射波長下，LED晶粒之折射率範圍 為約1.7至約4.1。 儘管圖示LED晶粒為矩形，但亦涵蓋其他已知組態，諸 如具有形成截短倒錐形之角狀側表面的LED晶粒。為簡單 起見，未圖示LED晶粒之電接點，但其可配置於任一或多 個表面上以便應用電源以激勵裝置。實例包括回流焊接、 線接合、捲帶式自動接合（TAB)或覆晶接合。組件或晶片 之個別層及其他功能元件通常係依晶圓尺度形成，且成品 晶圓接著可切成個別塊狀部分以生產複數個LED晶粒。 LED晶粒可經組態成表面黏著式、板上晶片式或其他已知 黏者式組態。 126655.doc 200835766 本文中所揭示之光學元件係由具有較高折射率之透明固 體材料所製成。適用於光學元件之材料包括無機材料，諸 如光學玻璃，例如Schott玻璃型LASF35或n_laf34(可獲自 Schott North America，Inc.)及美國第 u/38i5i8(Leather^ie 等人）號中所述之彼等材肖，其揭示内容以引用方式併入 本文中。其他適當無機材料包括陶瓷，例如藍寶石、氧化 辞、氧化錯、金剛石及碳化石夕。藍寶石、氧化辞、金剛石 及碳化發係尤其有用的’因為該等材料亦具有較高熱導率 (0.2-5.0 W/cm K)。光學元件亦可包含熱固性高指數之聚 合物，諸如丙烯酸類、環氧化物類、聚⑦氧類、聚碳酸醋 類及多環類聚合物；或熱塑性高指數之聚合物，諸如聚碳 酸醋類及環烯烴類。光學元件可包含熱固性或熱塑性聚: 物與陶瓷奈米顆粒之組合，其中陶瓷奈米顆粒包括氧化 錯、氧化辞、氧化欽及硫化辞。 在LED晶粒之發射波長下，引出器之折射率可為至少約 ⑴例如大於約丨.8或大於約2。在—實例中，光學元件之 折射率可相同於、幾乎相同於或不大於咖晶粒之光發射 表面之折射率。此可將光最大限度地引出。舉例而言，折 射率可在約0.2内。或者，引出器之折射率可大於或小於 通晶粒之光發射表面之折射率。舉例而言，若[ED晶粒 之光發射表面為心則引出器可具有…"S' 19、 2·1或2·3之折射率。 在-實例中，該光學元件包含具有至少約17之折射率 的光學玻璃。在另-實例中’該光學元件包含具有至少約 126655.doc -10- 200835766 2·〇、較佳至少21、22或23或更高之折射率的玻璃材料或 玻璃-陶瓷材料，如美國第11/381518(Leatherdale等人）號 中所述。一般而言，該等材料包含小於2〇重量％之心〇3、 小於20重里％之Sl〇2及小於4〇重量％之p2〇5。在有些情況 下’以下材料係被限制在小於2〇重量％ : As2〇3、Bi2〇3、
㈣2、制、Μ、V2〇5、Si〇2、B203 及 P2〇5。有用的玻 璃材料或破璃.陶兗材料包含至少兩種金屬氧化物，諸如 乂2〇3 ’ Τι〇2 ’稀土氧化物；或鹼土金屬氧化物。該等材 料之日日’皿度τχ杈佳係比其玻璃轉移溫度Tg高至少， 從而有助於使材料成型為光學元件。 光學元件之一實例為可用於將光自咖晶粒中引出的引 出器。一般而言，該引出器修改光之角向分布，從而使第 7種發光模式轉變為第二種不同的發光模式。視引出器之 形狀而定，發光模式為沿大體前進方向且可為環繞引出器 之％形：或對於侧面’呈部分對稱或不對稱分布。 光予疋件可包含如美國第11/381324(仏如如 :所:之會聚㈣出器，其揭示内容以引用方式併入本: 中。會聚型引出器具有至少一會聚面、—基底及—頂端， 該頂端至少冑分地安置在該基底上且 面積的表面積，且該至小 " ;μ 土底之表 令自該基底朝 I㈣引出器之形狀可為錐形、多 ^ 狀等，或其某一組合。義 卷狀、錐 環形、對稱形、不對稱；:：=何形狀，例如方形、 點、線或平坦表面或崎Γ形或不規則形。頂端可為 圓體表面，且及其位於基底上，心處 126655.doc 200835766 或偏離基底之中心。對於會聚型引出器，通常將基底安置 在鄰接且一般平行於LED晶粒處。此外，基底與j^ED晶粒 在尺寸上大體匹配，或基底可小於或大於led晶粒。 圖2a-2d展示例示性會聚型引出器之透視圖：圖&展示 四面形錐體；圖2b展示六面形多面體；且圖2〇及2d展示楔 形體，其中頂端（線）安置在基底上，頂端分別居中於中心 及偏離中心。圖2d中所示之引出器亦具有兩個擴散面，其 作用為使光準直，且會聚面可使光重定向於該等面。會聚 型引出器之其他實例展示於美國申請案第1 1/381324號 (Leatherdale等人）中。 該光學元件可如美國申請案第2006/0091784 A1號 (Connor 等人）、第 2006/0091411 A1 號（Ouderkirk等人）、第 2006/0091798 A1 號（Ouderkirk 等人）及第 2006/0092532 A1 號（Ouderkirk等人）中所述之擴散型引出器，該等申請案之 揭示内容以引用方式併入本文中。擴散型引出器具有至少 一擴散面、一輸入表面及一大於輸入表面的輸出表面。擴 散型引出器一般以錐體之形式成形。圖3a_3c展示例示性 擴政型引出器·圖3 a展示具有四個面之截短倒多面體之透 視圖；圖3b展示具有拋物面側壁之截短倒錐體之透視圖；且 圖3c展示具有凸狀輸出表面之截短倒錐體之橫截面示意圖。 圖4a及4b中亦展示先前如美國第11/381518號 (Leatherdale等人）中所述之擴散型引出器。該等引出器之 表面布置成使來自LED晶粒之光以主側面方向重定向，而 非沿LED晶粒之中心軸、以前進方向重定向。側發光型 126655.doc -12- 200835766 LED由於可使光在橫向上短距離傳播、從而避免顯示器之 整個視域上出現亮區或暗區或熱點，因此尤其適用於液晶 顯示器之直亮式薄背光面板。 圖4a為楔形引出器4〇〇之側視示意圖。引出器4〇〇具有一 輸入表面402、一輸出表面404及侧表面4〇仏及4〇61}。該輸 入表面及該輸出表面可安置成彼此間成大幅度角，標稱約 90度。在此布置，經由輸入表面進入之光線4〇8&反射離開 其中一侧表面或兩側表面（無論藉由全内反射或藉助於反 射性材料或塗層（未圖示）與否）且重定向為如由光線4〇肋所 不之近似側向光。光線4081)隨後經由輸出表面離開。從頂 視圖看，引出器400之形狀或周邊可採取多種形狀中之任 思形狀，包括矩形、梯形、餅狀、半圓形或其任何組合。 圖4b另一種楔形引出器41〇之側視示意圖。引出器41〇具 有輸入表面412、一輸出表面414及側表面410。引出器 410可具有引出器400繞重合於側表面4〇仏之垂直軸所旋轉 之开y狀。在有些情況下，該引出器可藉由將兩個引出器 400在其各自侧表面4〇6a處接合而形成組合式結構。在不 同的組合式結構中，假想線418表示組成引出器41〇之不同 光學實體之間的可能性介面或界線。 與引出器400相似，引出器41〇之輸入表面及輸出表面係 安置成彼此間成大幅角，標稱約9G度。經由輸人表面進入 之LED光反射離開其中—侧表面或兩侧表面（無論藉由全内 反射或藉助於反射性材料或塗層（未圖示）與否）且重定向為 近似侧向，隨後經由輸出表面離開。從頂視圖（未圖 126655.doc 13 200835766 看引出器410可具有多種形狀中之任意形狀，包括例如 夕邊形（例如方形或矩形）、環形及橢圓形。為環形及橢圓 形或周邊時’經由輸入表面進入之光經重定向可形成輸出 光環。 如同會聚型引出器，擴散型引出器之輸入表面通常最靠 近且一般平行於LED晶粒安置。此外，輸入表面與LED晶 津可在尺寸上大體匹配，或輸入表面可小於或大於晶
粒擴政型引出裔之其他實例描述於US 7,009,213 B2及 US 6,679,621 B2 中。 如上所述，LED晶粒包含交替半導體層。最外層之一可 稱為光發射層，且此層具有可稱為光發射表面的最外表 面。此外，如上所述，該光學元件包含光輸入表面。在一 有用組態中，LED光源包含黏合在一起的LED晶粒與光學 元件，以使得光發射表面與光輸入表面接觸黏合層，如例 如圖1中所示。 光學黏合組合物用於形成黏合層。光學黏合組合物包含 具有式（1^810^:^(01^+2之倍半矽氧烷及具有式 (R2)2Si(OR3)2之二烷氧基矽烷，其中…至反4為有機基團且^ 為至少5之整數。R1可為烷基、烷基芳基、芳基燒基、芳 基、醇基團、聚乙二醇基團或聚醚基團，例如甲美、乙 基、丙基、苯基或萘基。R1與R2可相同或相異，且其可獨 立地選自由曱基、苯基、其組合及其混合組成之群。舉例 而言，R1與R2皆可包含苯基。R3與R4可相同或相異，1 = 可獨立地選自由烷基、 乙醯氧基及甲氧基乙氧基及其組合 126655.doc -14- 200835766 及其混合組成之群。舉例*言，R3與R4皆可包含甲基。此 外’ n可為至少10或至少20。 當將LED晶粒與光學元件之間黏合在一起時’一黏合層 形成於該LED晶粒與該光學元件之間。咸信該光學黏合組 . ^物經歷反應而形成非晶形有機聚石夕氧烧網狀物。此反應 可藉由加熱促進。非晶形有機聚石夕氧院網狀物係指由有機 石夕氧院前驅物之縮合所產生之化學黏合網狀物。在一實例 中，非晶形有機聚矽氧烷網狀物本質上由包含 • (R2)2Si(〇R3)2之D-單元衍生而成。 、 倍㈣氧院或聚倍待減由具有與三個橋氧原子配位 之石夕的基本分子單元衍生而成。因此，倍半石夕氧烧可形成 多種複雜的三維形狀。可使用多種聚倍半矽氧烷，例如聚 甲基倍半矽氧烷、聚苯基倍半矽氧烷及聚甲基苯基倍半矽 氧烷。適當的特定聚倍半矽氧烷包括但不限於：
Columbus，Ohio 之 Techneglas 在 GR653L、GR654L· 及 φ GR65〇F商標名下所售之聚甲基倍半矽氧烷；Columbus，
Ohio之Techneglas在GR950F商標名下所售之聚苯基倍半矽 氧烷；及Columbus, Ohio 之 Techneglas在商標 GR9〇8F 名下 * 所售之聚甲基苯基倍半矽氧烷。 ' 該光學黏合組合物亦可包含其他烷氧基矽烷，諸如四燒 氧基矽烷及具有以下式之烷基三烷氧基石夕燒： (R1)x-Si.(〇R^)y 其中R1可為烷基、烷基芳基、芳基烷基、芳基、醇基團' 聚乙二醇基團或聚醚基團或其組合或混合；R2可為烧基、 -15- 126655.doc 200835766 乙醯氧基或甲氧基乙氧基或其混合；χ等於〇至3，則又分別 等於4至1，其限制條件為x+y=4。該或該等烷氧基矽烷（包 括單烧氧基㈣、二絲基钱、三料基㈣及四烧氧 基矽烷）經添加可控制有機矽氧烷網狀物之交聯密度且可 控制有機矽氧烷網狀物之物理特性（包括撓性及助黏性）。 該等烷氧基矽烷之實例包括但不限於四乙氧基矽烷、四甲 氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷及甲基三甲氧基矽烷。該等 成分可以約0至50重量％之量存在。 亦可將多種溶劑適當地用於光學黏合組合物中，以便降 低黏合組合物之黏性，以便讓沈積在LED發光表面或光學 元件上之黏合組合物層更薄。該等溶劑之實例包括醇、 酮、醚、乙酸酯及類似物。例示性溶劑包括曱醇、乙醇、 丁醇及1-曱氧基-2-丙醇。芳族溶劑（諸如甲苯、二甲苯及 類似溶劑）可用於在倍半矽氧烷及烷氧基矽烷中具有芳基 特性的調配物。 可將添加劑添加至光學黏合組合物中，以便增強對基底 之黏著、修改流動特性以增強基底之塗佈或催化組合物中 各組分之縮合反應以形成有機聚矽氧燒網狀物。適當觸媒 之實例包括酸、驗及金屬之有機錯合物。在一特定實例 中’觸媒為有機酸，諸如乙酸。 該光學組合物亦可包含表面改變型金屬氧化物奈米顆 粒。表面改質型金屬氧化物奈米顆粒可包含選自由以下物 組成之群之金屬氧化物奈米顆粒：氧化錘、氧化鈦、氧化 鋅、氧化叙、氧化銳、氧化彌、氧化懿、氧化紀、氧化 126655.doc -16- 200835766 =氧㈣、氧㈣及其組合。金屬氧化物^顆粒亦可 〇 3至；兩種選自由以下物組成之群之金屬氧化物之日人 金屬氧化物奈米顆粒：氧切、氧化紹、氧化錯、：： 鈦、，化辞、氧化鈕、氧化鈮、氧化鑭、氧化鋇、氧化
二為：：铪、乳化錫、氧化銻及其組合。氧化鈦奈米顆粒 可為金紅石型或銳鈦礦型。混合金屬氧化物奈米顆粒之特 定實例包括包含氧切與氧化錯之彼等奈米顆粒·包 化石夕與氧化鈦之彼等奈米顆粒；及包含氧化石夕、氧化錯及 =欽之彼等奈米顆粒。所用特定金屬氧化物奈米顆粒口可 ❼種因m諸如折射率、光學組合物中 成本等。 f 所金屬氧化物奈米顆粒可用一或多種表面改質劑表面改 貝’以便增強金屬氧化物奈米顆粒與黏合層及，或光學组 之其他組分之相容性。舉例而t，氧化錯奈米顆粒 在有2至4之pH值的酸性水性環境中具有穩定性，且利用 ,面改貝可防止奈米顆粒在光學組合物之鹼性水性環境中 絮疑表面改貝包括使金屬氧化物奈米顆粒與附著於夬米 顆粒表面且修改其表面特性的表面改質劑反應。…、 表面改質劑可由式A_B表示，其中A基團能夠附著於金 f乳化物奈米顆粒之表面’且B基團為相容基團。一般而 σ ’ A基團需要稭由考量特定金屬氧化物及光學組合物之 性質來選擇，φ即’表面改質型金屬氧化物奈米顆粒應具 有m生以使仔相容性在高驗性環境巾得以維持。有用的 A基團包括缓酸、膦酸、院氧基石夕燒及其組合及混合1 126655.doc -17- 200835766 氧基矽烷可由以下式表示： -Si-(〇R5)z 其中R5為烧基、乙蕴氧基、甲氧基乙氧基或其混合；且z 等於1至3。 • 有用的B基團為使得金屬氧化物奈米顆粒在光學組合物 中具有相容性的親水性基團；實例包括醇基團、聚乙二醇 • 基團及聚醚基團及/或疏水性基團’諸如烷基。表面改質 劑之實例包括聚乙二醇烷氧基矽烷及聚乙二醇樣羧酸衍生 物諸如2[-2-(2·甲氧基乙氧基）乙氧基]乙酸及（2_甲氧基 乙氧基）乙酸。 表面改質型金屬氧化物奈米顆粒具有小於光之波長的平 均粒徑，例如小於約30〇 nm。 使用時，表面改質型金屬氧化物奈米顆粒以重量計可以 大於有機聚矽氧烷前驅物來源一半之量存在。相對於經由 LED晶粒與光學元件黏合在一起所形成之黏合層而言，表 馨面改質型金屬氧化物奈米顆粒以黏合層重量計可以約i重 量％至約95重量％之量存在。通常，以黏合層之總重量 計，需要具有約4〇重量％至約95重量％之表面改質型金屬 • 氧化物奈米顆粒。如下所述，特定使用量部分地由黏合層 • 之所要折射率決定。然而，若黏合層中奈米顆粒之量過 大，則LED晶粒與光學元件之間難以達成適當的黏合，且 此外會損害LED光源之效率。 特定言之，表面改質型金屬氡化物奈米顆粒包含具有至 少約1·8、較佳至少約2·〇之折射率的高度結晶性氧化錘奈 126655.doc -18 - 200835766 。二、諸如UeS· 6,376,59G B2中所述之奈米顆粒，其揭 粒可^引用方式併人本文中。高度結晶性氧化錯奈米顆 所1猎由肖$多種上述式Α·Β^絲基⑨燒進行表面改 貝’併入光學組合物中。高度結晶性氧化錯奈米顆粒可藉 由用或多種上述式Α·Β之緩酸進行表面改質來併入光學 組合物中。高度結晶性氧化_顆粒具有小於約⑽随 之平均粒徑。
上述氧化锆奈米顆粒之折射率比非晶形氧化鍅之折射率 高的多。當併入矽酸鹽網狀物中以得到非晶形矽酸鹽網狀 物時，氧化鍅奈米顆粒可使黏合層之折射率增加。因此， 視待黏合之特定LED晶粒與光學元件而定，黏合層之光學 性質可如下所述定製。特定言之，㈣鹽網狀物之折射: 為約1.4,且表面改質型氧化锆奈米顆粒之折射率為約18 至約2.1。表面改質型金屬氧化物奈米顆粒亦可包含具有 大於約2.0且較佳大於約2.2之折射率的結晶性氧化鈦:米 顆粒。 LED光源之效率直接關係到LED晶粒與光學元件光學輕 a之程度。應注意’在整篇本揭示案中，led晶粒之折射 率係指LED晶粒之光發射層之折射率。LED晶粒與光學元 件光學耦合之程度視若干因素而定’該等因素包括黏合層 之厚度及黏合層、led晶粒及光學元件之折射率。一般而 6 ’當黏合層居度大體小於空氣中發射光之波長時（例如 小於約50 nm)，黏合層之折射率對於LED晶粒與光學元件 之間之光學耦合較不重要。當厚度增加時，黏合層之折射 126655.doc -19- 200835766 率對於光學耦合而言變得愈來愈重要。 黏合層可具有小於50 nm之厚冑，但其通常大於約5〇 nm， 例如厚達約200⑽或· nm，或甚至厚達1〇 ,或⑽叫。 黏合層可具有約5 nm至約300 nm之厚度或大於約5〇 1^1至 約100 μηι之厚度。為最優化LED晶粒與光學元件之間之光 學耦合，黏合層在第一表面與第二表面之間之接觸區域上 之厚度取好應大體均一。黏合層之最小必需厚度可視待黏 合表面之平坦度或不勻度而定。 為使效率最大化，應使黏合層之折射率與LED晶粒之光 發射表面（或如上所述之光發射層）之折射率緊密匹配，例 如在約0.2内。若黏合層之折射率過低，則LED晶粒所發出 之光戴留於晶粒中且因吸收而耗盡（即便黏合層本身不吸 收）。藉由將黏合層之折射率提高至光發射層之折射率， 可使較大部分LED所發出之光自晶粒中耦出且耦入光學元 件中（即便黏合層吸收一部分發射光）。 如上所述，在LED晶粒之發射波長下，LED晶粒或光發 射層之折射率的範圍為約L7至約43。無表面改質型金屬 氧化物奈米顆粒之非晶形有機聚石夕氧烧網狀物之折射率係 大於約1.4。使用表面改質型金屬氧化物奈米顆粒使折射 率提高多達約2.4。在一實例中，在LED晶粒之發射波長 下’黏合層之折射率為至少約1 · 5，例如大於約1 · 8或大於 約2。 在一特定實例中，LED晶粒包含一具有大於1.9之折射率 的光發射層’且黏合層具有約50 nm至約1〇〇 厚度。 126655.doc -20- 200835766 在另一實例中，LED晶粒包含具有小於或等於1 _9之折射率 之光發射層，且黏合層具有大於約5 nm至約3〇〇 nm之厚 度。 黏合層對於LED晶粒所發出之光之特定波長為大體透明 的。在大多數情況下，需要至少約70%透射率，且此可藉 由優選透射路徑長度（黏合層厚度）及吸收常數而獲得。
本文中亦揭示一種LED光源之製造方法，該方法包含： a)提供一 LED晶粒；b)提供一光學元件；c)提供一種光學 黏合組合物，該組合物包含具有式（RiSi〇i5M〇R4)⑴之倍 半矽氧烷及具有式（R'SKOR3)2之二烷氧基矽烷，，“ 至R4為有機基團且n為至少5之整數；及具有式 (R2)2si(〇R3)2之二絲基石夕烧；及d)心使該咖晶粒及 該光學it件與該光學黏合組合物接觸而將該咖晶粒與該 光學元件黏合在一起。 光學組合物可使用吸量管或藉由浸塗、旋塗、氣溶膠分 配、傾注、分散、水下噴霧或藉由在光學組合物之浴槽中 表面接合或藉由其他類似方法塗於咖晶粒、光學元件或 兩者中之-或多個表面上。接著使該等表面接觸以將光學 組合物夾在中間，以使得該組合物遍布於各表面上且形成 均質層。若有鼓泡形成，則1 ^ 』八j稭由靶加真空來移除。接 著令此組件擱置在室溫下直 置至/、可處理而無黏合失效；此 可為數分鐘至數日。可伯田 吏用外°卩壓縮力或真空加速黏合過 程及/或促進良好黏合。 可加熱以加速黏合層之形 7成及/或強化黏合層，然而該 126655.doc -21 - 200835766 組件之溫度必須保持在任何組分之最低玻璃轉移溫度以 下。通常使用小於約3〇〇°C之溫度，例如小於約2〇〇或小於 或等於1 50 C之溫度。最好使用儘可能最低的溫度以便將 ;|面處因LED晶粒與光學元件之熱膨脹係數差所導致之殘 餘應力及雙折射率降至最小。在有些情況下，必須小心操 作以使彳于黏合層之溫度不大於光源操作期間所達成之溫 度。 該光學黏合組合物亦可用作LED光源之封裝劑。封裝劑 係與LED晶粒接觸且密封LED晶粒。 該封裝劑可包含已反應之光學黏合組合物，以使得該封 裝劑包含非晶形有機聚矽氧烷網狀物，該有機聚矽氧烷網 狀物包含衍生於（Rlsi〇15)n2倍切氧烧部分，其中以 有機基團且η為至少1〇之整數。 led光源可藉由包含以下步驟之方法製造：勾提供一 LED晶粒；b)提供本文中所述之任何光學黏合組合物；c) 使忒LED BQ粒與b)中所提供之任何組合物LED晶粒接觸， 從而形成一組件；及d)視需要加熱該組件。 實例 表面改質型氧化錘奈米顆粒如下製備。將1〇〇 g之23重 量％氧化锆溶液（於水中之25·5重量％固體，固體為氧化錯 及乙酸）；100 甲氧基_2_丙醇；及5·45 §之2-[2_(2_甲 氧基乙氧基）乙氧基]乙酸（ΜΕΕΑΑ)組合以得到每公克氧化 鍅具有1.2 mm〇1 ΜΕΕΑΑ的混合物。將該混合物置於旋轉 蒸發器上以移除溶劑。獲得乾固體且在真空烘箱中、在 126655.doc -22- 200835766 6(TC下進一步乾燥約12小時。將所得乾粉分散於229 5 g甲 醇中以形成具有12重量％奈米顆粒的半透明液體。 包含5〇g聚（苯基石夕氧院）((C6H5Si〇i 5)χ)玻璃樹脂薄片 (獲自TechnegUK GR_950)及出g丙酉同的石夕氧燒溶液係藉 由將該等兩種組分旋動30分鐘直至獲得透明溶液來製成。9 藉由將1〇 g奈米顆粒溶液、〇.43 g矽氧烷溶液及〇3 ^二 苯基二曱氧基矽烷組合來製備混合物。光學黏合組合物 (黏性半透明材料）在使用旋轉蒸發器移除溶劑後獲得。 將光學玻璃（LAH-51與LAH-66，兩者皆獲自〇,Hara Corp.)及未拋光藍寶石基底（獲自Rubic〇n Techn〇i〇gy)在丙 酮中超音波清潔11分鐘、繼之在乙醇中超音波清潔11分 鐘。將所清潔之表面乾燥。 接著使用該光學黏合組合物將各光學玻璃與藍寶石基底 黏合。將該光學黏合組合物塗於光學玻璃表面上，且使一 塊藍寶石基底與該光學黏合組合物接觸。適度施壓10秒。 將所接合之樣本在室溫下搁置24小時。接著將所接合之樣 本加熱至80°c歷時4小時，繼之在120下加熱4小時。 冷卻至室溫後，各組件之黏合強度之高足以在進行處理 時不會使玻璃與藍寶石之間新形成之黏合斷裂。 用該光學黏合組合物封裝led 使用水基鹵化物助炼劑（Superior No· 30，Superior Flux & Mfg. Co.) ’ 將 Cree XT晶粒（Cree Inc·，第 C460X丁290- 0 Π 9-A號部件）黏入具有電極之Ky0cera陶瓷封裝包裝 (Kyocera America，Inc·，第 KD-LA2707-A號部件）内。藉由 126655.doc -23- 200835766 使用1 mil金線將Cree XT晶粒線接合（Kulicke and Soffa Industries，Inc. 4524數位系列手動線接合器）來完成LED包 裝。使用之蓟，使用0L 7 70分光輻射計（〇ptr〇nics Laboratories， Inc·)、用20 mA恆定電流測試測試各包裝。 將約2毫克（mg)之光學黏合組合物置放於Kyocera LED包 裝（發射光最大波長約460 nm)内。將具有未固化之封裝劑 。 組合物的LED包裝在80°C下加熱4小時，繼之在120°C下加 熱4小時。藉由用鑷尖探測判定固化封裝劑之固化。LED _ 之效率係使用OL 770分光輻射計量測且高於封裝之前之 LED之效率。 不偏離本發明之精神及範圍之本發明之各種修改及變化 對於熟習此項技術者顯而易見。應瞭解，本發明不希望受 到本文中所述之說明性實施例及實例之不當限制，且該等 實例及實施例僅以本發明之範圍、經由實例呈現，本發明 希望僅由本文中如下所述之申請專利範圍限定。 ^ 【圖式簡單說明】 圖1展示例示性LED光源之橫截面示意圖。 圖2a-2d展示例示性會聚型引出器。 • 圖3a-3c及圖4a_4b展示例示性擴散型引出器。 【主要元件符號說明】 100 LED光源 102 LED晶粒 104 光學元件 106 黏合層 126655.doc -24- 200835766 400 引 出 器 402 m 入 表 面 404 m 出 表 面 406a、406b 侧 表 面 408a 進 入 光 線 408b 近似側 向 光 410 楔 形 引 出 器 412 入 表 面 414 m 出 表 面 416 側 表 面 418 假想 線 126655.doc -25-

Claims (1)

  1. 200835766 十、申請專利範圍： 1· 一種LED光源，其包含： 一 LED晶粒； 一光學元件，其與該LED晶粒光學耦合；及 一包含非晶形有機聚矽氧烷網狀物的黏合層，該有機 聚石夕氧燒網狀物包含衍生自下式之倍半矽氧烷部分： ‘ (R1Si〇15)n 其中R為有機基團且η為至少1〇之整數； 馨 該黏合層將該LED晶粒與該光學元件黏合在一起。 2·如請求項1之LED光源，其中n為至少2〇之整數。 3.如請求項1之LED光源，其中R1為烷基、烷基芳基、芳基 烷基或芳基。 4·如請求項1之LED光源，其中Ri為甲基、乙基、丙基、苯 基或萘基。 5 ·如睛求項1之LED光源，該黏合層包含至少約5重量。/〇之 倍半矽氧烷部分。 6.如明求項1之LED光源，该黏合層包含至少約2〇重量y〇之 倍半石夕氧烧部分。 ， 7·如請求項1之LED光源，該黏合層包含至少約4〇重量％之 倍半石夕氧燒部分。 8·如凊求項1之LED光源，該非晶形有機聚矽氧烷網狀物本 質上衍生自D-單元，該等D-單元包含： (R2)2Si(OR3)2。 9·如請求項8之LED光源，其中R!=R2。 126655.doc 200835766 i〇.如請求項8之LED光源，其中R2為甲基或苯基。 η·如請，項kLED光源，該黏合層進一步包含表面改質型 金屬氧化物奈米顆粒。 12.如請求項^LED光源，該等表面改質型金屬氧化物奈 米顆粒包含選自由以下物組成之群之金屬氧化物奈米^ 粒.乳化錯、氧化鈦、氧化辞、氧化鉅、氧化鈮、氧化 :、氧化鳃、氧化釔、氧化铪、氧化錫、氧化銻及其組 13·如請求項mLED光源，該等表面改質型金屬氧化物夺 未顆粒包含具有至少兩種選自由以下物組成之群之全屬 氧化物的混合型金屬氧化物奈米顆粒：氧化石夕、氧化 銘、氧化結、氧化鈦、氧化鋅、氧化组、氧化銳、氧化鑭、 乳化銘、氧化紀、氧化給、氧化錫、氧化錄及心且人 如請求項13之·光源，該等混合型金屬氧化物^ 粒包含氧化矽及氧化錯。 Μ 15. 如請求項13之咖光源，該等混合型金屬氧化物夺米顆 粒包含氧化矽及氧化鈦。 7、顆 16. 如請求項13之㈣光源’該等混合型金屬氧化物奈米顆 粒包含氧化矽、氧化錯及氧化鈦。 ^顆 17. 如請求項Η之LED光源，該等表面改質型金 米顆粒包含具有大於約U之折射率的結晶性氧化錐^ 顆粒。 不本 18·如請求項11之咖光源，該等表面改質型金屬氧化物太 米顆粒包含具有大於約2.0之折射率的結晶性氧化敛^ 126655.doc 200835766 顆粒。 19·如明求項π之LED光源，該等表面改質型金屬氧化物奈 米顆粒係經表面改質劑表面改質，該表面改質劑包含羧 酸、膦酸、烷氧基矽烷或其組合或混合物。 2〇·如請求項19之LED光源，該羧酸包含聚乙二醇羧酸。 2 1 ·如明求項11之led光源，該黏合層包含約4〇重量％至約 95重s %之表面改質型金屬氧化物奈米顆粒。 22·如請求項1之LED光源，該LED晶粒包含一具有大於19 之折射率的光發射層，且該黏合層具有約50 nm至約1〇〇 μιη 之厚度。 23·如請求項1之LED光源，該LED晶粒包含一具有小於或等 於1.9之折射率的光發射層，且該黏合層具有大於約5 nm 至約300 nm之厚度。 24·如凊求項iiLED光源，其中該led晶粒包含一光發射表 面，該光學元件包含一光輸入表面，且該黏合層使該光 發射表面與該光輸入表面黏合在一起。 25·如請求項iiLED光源，該光學元件具有至少約2 〇之折 射率。 26·如請求光源，該光學元件包含具有至少約ι·7 之折射率的光學玻璃。 27·如請求項1之££〇光源，該光學元件包含擴散型引出器或 會聚型引出器。 28· —種LED光源之製造方法，該方法包含： a)提供一 LED晶粒； 126655.doc 200835766 b) 提供一光學元件； c) 提供一光學黏合組合物，其包含具有式(RiSi〇l 5y〇R4)的 之倍半矽氧烷及具有式（R2)2Si(〇R3)2之二烷氧基矽 燒’其中R1至R4為有機基團且n為至少5之整數；及 d) 藉由使該LED晶粒及該光學元件與該光學黏合組合 物接觸，使該LED晶粒與該光學元件黏合在一起。 29. 如請求項28之方法，其中經由將該LED晶粒與該光學元 件黏合在一起形成一組件，且該方法進一步包含加熱該 組件。 30. 如明求項28之方法，該光學黏合組合物進一步包含表面 改質型金屬氧化物奈米顆粒。 31. 如請求項30之LED光源，該等表面改質型金屬氧化物奈 米顆粒包含具有大於約丨8之折射率的結晶性氧化錯奈米 顆粒。 32· —種光學黏合組合物，其包含： 參 表面改質型金屬氧化物奈米顆粒； 具有式（RlSi〇15)n(〇R4)n + 2之倍半矽氧烷；及 具有式（R2)2Si(〇R3)2之二烷氧基矽烷，其中…至汉4為 有機基團且η為至少5之整數。 33_如請求項32之光學黏合組合物，該等表面改質型金屬氧 化物奈米顆粒包含選自由以下物組成之群之金屬氧化物 奈米顆粒：氧化錯、氧化鈦、氧化辞、氧化鈕、氧化 鈮、氧化鑭、氧化鳃、氧化釔、氧化铪、氧化錫、氧化 銻及其組合。 126655.doc 200835766 34·如請求項32之光學黏合組合物，該等表面改質型金屬氧 化物奈米顆粒包含具有至少兩種選自由以下物組成之群 之金屬氧化物的混合型金屬氧化物奈米顆粒：氧化石夕、 氧化鋁、氧化锆、氧化鈦、氧化鋅、氧化鈕、氧化鈮、 氧化鑭、氧化锶、氧化釔、氧化铪、氧化錫、氧化銻及 其組合。 35·如請求項32之光學黏合組合物，該等表面改質型金屬氧 化物奈米顆粒包含具有大於約丨·8之折射率的結晶性氧化 錯奈米顆粒。 36.如印求項35之光學黏合組合物，其中該等表面改質型金 屬氧化物奈米顆粒以重量計係以大於該等有機聚矽氧烷 前驅物來源之一半之量存在。 3 7 ·如睛求項3 2之光學黏合組合物，其進一步包含酸。 38· —種LED光源，其包含： 一 LED晶粒；及 與該LED晶粒接觸並將其封裝之封裝劑，該封裝劑 包含如請求項32之光學黏合組合物。 39.如請求項38之LED光源，該封裝劑具有大於約16之折射 率。 4〇·如請求項38之LED光源，其中R〗&R2為苯基。 41·如凊求項38之LED光源，其中該等表面改質型金屬氧化 物奈米顆粒包含具有大於約1 · 8之折射率的結晶性氧化锆 奈米顆粒。 42.如請求項38iLED光源，該等表面改質型金屬氧化物奈 126655.doc 200835766 米顆粒係經表面改質劑表面改質，該表面改質劑包含聚 乙二醇羧酸。 43· —種LED光源，其包含： 一 LED晶粒；及 —與該LED晶粒接觸並將其封裝之封裝劑，該封裝劑 包含一非晶形有機聚矽氧烷網狀物，該有機聚矽氧烷網 ' 狀物包含衍生自下式之倍半矽氧烷部分： (RlSi〇15)n . λ中R1為有機基團且n為至少1G之整數。 44. 如請求項43之LED光源，該封裝劑包含表面改質型金屬 氧化物奈米顆粒，該等表面改質型金屬氧化物奈米顆粒 包含具有大於約1.8之折射率的結晶性氧化锆奈米顆粒。 45. 如凊求項43之LED光源’該非晶形有機聚石夕氧院網狀物 本質上係衍生自D-單元，該等D-單元包含： (R2)2Si(〇R3)2。 # 46.如請求項45之LED光源，該封裝劑包含表面改質型金屬 氧化物奈米顆粒，該等表面改f型金屬氧化物奈米顆粒 包含具有大於之折射率的結晶性氧化錯奈米顆粒。 、 47· 一種LED光源之製造方法，該方法包含： . a) 提供一 LED晶粒； b)提供如請求項32至37中任—項之光學黏合組合物； C)使„亥LED晶粒與b)中所提供之任何組合物接觸，從而 形成一組件；及 d)視需要加熱該組件。 126655.doc
TW096143724A 2006-11-20 2007-11-19 Optical bonding composition for LED light source TW200835766A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US86644806P 2006-11-20 2006-11-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW200835766A true TW200835766A (en) 2008-09-01

Family

ID=39430044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096143724A TW200835766A (en) 2006-11-20 2007-11-19 Optical bonding composition for LED light source

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8013345B2 (zh)
EP (1) EP2087532A1 (zh)
JP (1) JP2010510685A (zh)
KR (1) KR101450929B1 (zh)
CN (1) CN101548398A (zh)
TW (1) TW200835766A (zh)
WO (1) WO2008063884A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI401825B (zh) * 2009-11-27 2013-07-11 Ind Tech Res Inst 發光二極體晶片的固晶方法及固晶完成之發光二極體

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008133138A1 (ja) 2007-04-17 2008-11-06 Kaneka Corporation 多面体構造ポリシロキサン変性体および該変性体を用いた組成物
JP5814512B2 (ja) * 2009-03-31 2015-11-17 キヤノン株式会社 光学用部材、その製造方法及び光学系
WO2011018746A1 (en) 2009-08-12 2011-02-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optical composition
US20110062469A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Molded lens incorporating a window element
DE102010006072A1 (de) * 2010-01-28 2011-08-18 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verwendung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils in einem Kfz-Schweinwerfer
KR101774306B1 (ko) 2010-05-28 2017-09-04 가부시키가이샤 가네카 폴리실록산계 조성물, 경화물, 및, 광학 디바이스
KR101886173B1 (ko) * 2010-09-22 2018-08-08 가부시키가이샤 가네카 다면체 구조 폴리실록산 변성체, 다면체 구조 폴리실록산계 조성물, 경화물, 및 광반도체 디바이스
CN202056570U (zh) * 2011-01-20 2011-11-30 木林森股份有限公司 一种带透镜的表面贴装式发光二极管
US8450445B2 (en) * 2011-08-17 2013-05-28 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Light emitting diode manufacturing method
DE102011111917A1 (de) * 2011-08-30 2013-02-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements
US8912024B2 (en) 2011-11-18 2014-12-16 Invensas Corporation Front facing piggyback wafer assembly
US8900974B2 (en) 2011-11-18 2014-12-02 Invensas Corporation High yield substrate assembly
US20150144839A1 (en) * 2012-06-14 2015-05-28 Koninklijke Philips N.V. Optical composition
DE102012108104A1 (de) * 2012-08-31 2014-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
TWI480344B (zh) 2012-11-05 2015-04-11 Ind Tech Res Inst 白色塗料組合物及包含其所形成之塗層的裝置
EP2922104B1 (en) * 2012-11-28 2019-05-08 LG Chem, Ltd. Light-emitting diode
KR102091994B1 (ko) 2012-12-21 2020-03-23 다우 실리콘즈 코포레이션 층상 중합체 구조물 및 방법
US9878954B2 (en) * 2013-09-13 2018-01-30 3M Innovative Properties Company Vacuum glazing pillars for insulated glass units
TWI660008B (zh) * 2014-08-26 2019-05-21 日商琳得科股份有限公司 硬化性組合物、硬化性組合物之製造方法、硬化物、硬化性組合物之使用方法以及光裝置
US9946084B2 (en) 2015-08-10 2018-04-17 Corning Incorporated Methods for making optical devices
US10745559B2 (en) * 2015-12-22 2020-08-18 Lintec Corporation Curable composition, method for producing curable composition, cured product, and use of curable composition

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3950493B2 (ja) 1996-04-26 2007-08-01 東レ・ダウコーニング株式会社 導電性シリコーンゴム組成物、半導体装置の製造方法およびその半導体装置
DE69715504T2 (de) 1996-04-26 2003-06-05 Dow Corning Toray Silicone Elektrisch leitfähige Silikonkautschukzusammensetzung und ihre Anwendung zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
AU3137097A (en) 1996-05-16 1997-12-05 Lockheed Martin Energy Systems, Inc. Low temperature material bonding technique
US5777433A (en) 1996-07-11 1998-07-07 Hewlett-Packard Company High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material
US5693565A (en) * 1996-07-15 1997-12-02 Dow Corning Corporation Semiconductor chips suitable for known good die testing
US6548176B1 (en) 1997-04-03 2003-04-15 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Hydroxide-catalyzed bonding
US6784463B2 (en) * 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
US6340824B1 (en) 1997-09-01 2002-01-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device including a fluorescent material
US6291839B1 (en) 1998-09-11 2001-09-18 Lulileds Lighting, U.S. Llc Light emitting device having a finely-patterned reflective contact
US6307218B1 (en) 1998-11-20 2001-10-23 Lumileds Lighting, U.S., Llc Electrode structures for light emitting devices
US6455100B1 (en) 1999-04-13 2002-09-24 Elisha Technologies Co Llc Coating compositions for electronic components and other metal surfaces, and methods for making and using the compositions
US6376590B2 (en) 1999-10-28 2002-04-23 3M Innovative Properties Company Zirconia sol, process of making and composite material
JP2001139894A (ja) * 1999-11-15 2001-05-22 Dow Corning Toray Silicone Co Ltd シリコーン系接着性シート、および半導体装置
US7064355B2 (en) * 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US7053419B1 (en) 2000-09-12 2006-05-30 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
TWI250190B (en) * 2001-10-03 2006-03-01 Dow Corning Toray Silicone Adhesive sheet of cross-linked silicone, method of manufacturing thereof, and device
US6836602B2 (en) 2001-10-26 2004-12-28 Corning Incorporated Direct bonding of optical components
US6791120B2 (en) 2002-03-26 2004-09-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same
KR20020035819A (ko) 2002-04-25 2002-05-15 주식회사 포스기술 방수, 방진 구조를 가진 방열판 겸용 반사면을 구비한발광소자 매트릭스 모듈 및 그 형성방법
US6679621B2 (en) 2002-06-24 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Side emitting LED and lens
GB0217900D0 (en) 2002-08-02 2002-09-11 Qinetiq Ltd Optoelectronic devices
TW200406829A (en) 2002-09-17 2004-05-01 Adv Lcd Tech Dev Ct Co Ltd Interconnect, interconnect forming method, thin film transistor, and display device
US7118438B2 (en) 2003-01-27 2006-10-10 3M Innovative Properties Company Methods of making phosphor based light sources having an interference reflector
MY142684A (en) * 2003-02-26 2010-12-31 Cree Inc Composite white light source and method for fabricating
TW200427111A (en) * 2003-03-12 2004-12-01 Shinetsu Chemical Co Material for coating/protecting light-emitting semiconductor and the light-emitting semiconductor device
US7078735B2 (en) 2003-03-27 2006-07-18 Sanyo Electric Co., Ltd. Light-emitting device and illuminator
JP4645071B2 (ja) * 2003-06-20 2011-03-09 日亜化学工業株式会社 パッケージ成型体およびそれを用いた半導体装置
US7391153B2 (en) * 2003-07-17 2008-06-24 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation
US7009213B2 (en) 2003-07-31 2006-03-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
US6942360B2 (en) 2003-10-01 2005-09-13 Enertron, Inc. Methods and apparatus for an LED light engine
JP4332407B2 (ja) 2003-10-31 2009-09-16 シャープ株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
KR100592327B1 (ko) 2003-12-19 2006-06-21 주식회사 코스텍시스 전자기기용 발광다이오드 모듈
JP4231418B2 (ja) * 2004-01-07 2009-02-25 株式会社小糸製作所 発光モジュール及び車両用灯具
KR100574628B1 (ko) 2004-03-10 2006-04-28 서울반도체 주식회사 색 필름을 이용한 발광 다이오드 모듈
WO2005103562A2 (en) 2004-04-23 2005-11-03 Light Prescriptions Innovators, Llc Optical manifold for light-emitting diodes
US7070300B2 (en) 2004-06-04 2006-07-04 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Remote wavelength conversion in an illumination device
TWI374552B (en) 2004-07-27 2012-10-11 Cree Inc Ultra-thin ohmic contacts for p-type nitride light emitting devices and methods of forming
JP2006066449A (ja) 2004-08-24 2006-03-09 Toshiba Corp 半導体発光素子
US7404756B2 (en) 2004-10-29 2008-07-29 3M Innovative Properties Company Process for manufacturing optical and semiconductor elements
US20060091412A1 (en) 2004-10-29 2006-05-04 Wheatley John A Polarized LED
US7329982B2 (en) 2004-10-29 2008-02-12 3M Innovative Properties Company LED package with non-bonded optical element
US7304425B2 (en) 2004-10-29 2007-12-04 3M Innovative Properties Company High brightness LED package with compound optical element(s)
US7330319B2 (en) 2004-10-29 2008-02-12 3M Innovative Properties Company High brightness LED package with multiple optical elements
US20060091411A1 (en) 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J High brightness LED package
US7192795B2 (en) * 2004-11-18 2007-03-20 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US20060186428A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Tan Kheng L Light emitting device with enhanced encapsulant adhesion using siloxane material and method for fabricating the device
US20060226429A1 (en) 2005-04-08 2006-10-12 Sigalas Mihail M Method and apparatus for directional organic light emitting diodes
US20080192472A1 (en) 2005-04-14 2008-08-14 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Light-Emitting Device
US7169031B1 (en) 2005-07-28 2007-01-30 3M Innovative Properties Company Self-contained conditioning abrasive article
US7494519B2 (en) 2005-07-28 2009-02-24 3M Innovative Properties Company Abrasive agglomerate polishing method
US7594845B2 (en) 2005-10-20 2009-09-29 3M Innovative Properties Company Abrasive article and method of modifying the surface of a workpiece
CN101313417B (zh) 2005-11-22 2011-04-20 3M创新有限公司 发光制品的阵列及其制造方法
US7285791B2 (en) * 2006-03-24 2007-10-23 Goldeneye, Inc. Wavelength conversion chip for use in solid-state lighting and method for making same
US7525126B2 (en) 2006-05-02 2009-04-28 3M Innovative Properties Company LED package with converging optical element
US20070257270A1 (en) 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with wedge-shaped optical element
US7423297B2 (en) 2006-05-03 2008-09-09 3M Innovative Properties Company LED extractor composed of high index glass
US7525162B2 (en) * 2007-09-06 2009-04-28 International Business Machines Corporation Orientation-optimized PFETS in CMOS devices employing dual stress liners

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI401825B (zh) * 2009-11-27 2013-07-11 Ind Tech Res Inst 發光二極體晶片的固晶方法及固晶完成之發光二極體
US8716737B2 (en) 2009-11-27 2014-05-06 Industrial Technology Research Institute Die-bonded LED

Also Published As

Publication number Publication date
EP2087532A1 (en) 2009-08-12
US8013345B2 (en) 2011-09-06
JP2010510685A (ja) 2010-04-02
WO2008063884A1 (en) 2008-05-29
CN101548398A (zh) 2009-09-30
KR101450929B1 (ko) 2014-10-14
US20100025711A1 (en) 2010-02-04
KR20090082496A (ko) 2009-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200835766A (en) Optical bonding composition for LED light source
TWI657599B (zh) 螢光體組成物、螢光體片、螢光體片積層體及使用它們的ｌｅｄ晶片、ｌｅｄ封裝及其製造方法
TWI454505B (zh) 製造具有多層含矽封裝材料之發光裝置之方法
US9193833B2 (en) Phosphor-containing cured silicone, process for production of same, phosphor-containing silicone composition, precursor of the composition, sheet-shaped moldings, LED package, light-emitting device, and process for production of LED-mounted substrate
CN101569024B (zh) 半导体发光器件及半导体发光装置的制造方法
TWI417487B (zh) 色彩穩定磷光劑轉換的發光二極體
TWI544662B (zh) 半導體裝置及其製造方法
US8026115B2 (en) Optical bonding composition for LED light source
KR101932982B1 (ko) 형광체 함유 수지 시트 및 발광 장치
TWI496822B (zh) 聚矽氧樹脂片材、其製造方法、密封片材及發光二極體裝置
JP4977682B2 (ja) 発光ダイオードのパッケージング・グルーとその使用方法
KR102215781B1 (ko) 형광체 시트, 그것을 사용한 led칩 및 led 패키지, led 패키지의 제조 방법, 그리고 led 패키지를 포함하는 발광 장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이
TW200840080A (en) Surface mount type light emitting diode package device and light emitting element package device
KR20070110257A (ko) 광학적으로 신뢰할 수 있는 나노입자에 기반한 나노복합ｈｒｉ 밀봉재 및 광 도파재
TW201340414A (zh) 螢光密封片材、發光二極體裝置及其製造方法
KR101565660B1 (ko) 발광 다이오드
TW200805698A (en) High efficient phosphor-converted light emitting diode
TW201419590A (zh) 被覆螢光體層之光半導體元件、其製造方法、光半導體裝置及其製造方法
JP2019519118A (ja) 発光ダイオードパッケージ
JP2010147244A (ja) 発光装置、および、発光装置の製造方法
JP2013501840A (ja) 光学用組成物
TW201513409A (zh) 波長轉換片材、密封光半導體元件及光半導體元件裝置
JP2013004923A (ja) 半導体発光装置用後付リフレクタ、半導体発光装置用樹脂パッケージ及び半導体発光装置
JP2014116587A (ja) 蛍光体含有樹脂シート、これを用いたｌｅｄ素子およびその製造方法
WO2013137079A1 (ja) 光半導体装置の製造方法及び光半導体装置