KR20070110257A - 광학적으로 신뢰할 수 있는 나노입자에 기반한 나노복합ｈｒｉ 밀봉재 및 광 도파재 - Google Patents

광학적으로 신뢰할 수 있는 나노입자에 기반한 나노복합ｈｒｉ 밀봉재 및 광 도파재 Download PDF

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Abstract

본 발명은, LED(Light Emitting Diode) 및 그에 기반한 조명 장치에 사용되는, 광학적으로 신뢰할 수 있는 HRI(high refractive index) 밀봉재에 관한 것이다. 이 재료는, 광-통신 및 광-상호접속 어플리케이션에 사용하기 위해 폴리머 기반의 광 도파관에 대한 광학적으로 신뢰할 수 있는 HRI 광 가이딩 코어 재료에 사용될 수도 있다. 상기 밀봉재는, 에폭시 수지 및 실리콘 폴리머에 뿌려지는 유기 작용기로 코팅된 처리된 나노입자를 포함하는데, 이는 525㎚에서 광 흡수 계수 α<0.5㎝-1의 낮은 수치로 RI ∼1.7 이상을 나타낸다. 상기 밀봉재는, HRI 밀봉재에 더 큰 광 저하 내성을 부여하는 조성 개량된 TiO2 나노입자를 사용한다.

Description

광학적으로 신뢰할 수 있는 나노입자에 기반한 나노복합 ＨＲＩ 밀봉재 및 광 도파재{OPTICALLY RELIABLE NANOPARTICLE BASED NANOCOMPOSITE HRI ENCAPSULANT AND PHOTONIC WAVEGUIDING MATERIAL}
본 발명은, 일반적으로 고체 조명 어플리케이션에 관한 것으로, 구체적으로는 LED(Light Emitting Diode) 및 그것에 기반한 조명 장치에 사용되는, 광학적으로 신뢰할 수 있는 고굴절률(HRI(high refractive index)) 밀봉재에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 광통신 및 광-상호접속 어플리케이션에 사용되는, 폴리머 기반의 광 도파용으로 광학적으로 신뢰할 수 있는 HRI 광 가이딩 코어 재료에 관한 것이다.
비효율적인 에너지의 백열 및 할로겐 조명이 표준인 상황에서, 에너지 효율성 때문에, 조명 어플리케이션 용으로, 특히 특수 조명 어플리케이션 용으로 LED가 최근에 제안되었다. 지금까지, LED로부터 소위 "백색" 광을 제공하기 위하여 세 가지 주요 접근법이 채택되었다. 첫 번째 접근법은, 백색 광을 생성하기 위해 색 혼합 이차광학 장치로서 적색, 녹색 및 청색(RGB) LED의 클러스터를 사용한다. 이 접근법은 ∼85의 "컬러 렌더링 인덱스(color rendering index)"(CRI)를 갖는 양질의 백색 광을 제공하며, 에너지 효율이 좋지만, 세 개로 분할된 세트의 LED를 구동시 켜야하기 때문에 복잡하고 더 고가의 구동 회로가 요구된다. 적색, 녹색 및 청색 LED 각각에 대해, 온도가 증가함에 따라 효율성이 하락하는 범위가 매우 다르고, 적색, 녹색 및 청색 LED 사이의 수명 저하가 다르기 때문에 복잡도가 증가한다. 또한, 고광도(5㎽ 내지 1000㎽ LED 램프) 청색 및 녹색 LED는 적색 LED에 비하여 최근에야 개발되었고 고가이다.
LED에 의한 백색 광 생성의 두 번째 접근법은, 세륨이 첨가된 이트륨 알루미늄 가닛("YAG"라 불리우는 YAlG:Ce)과 같은, 황색 형광체를 활성화시키기 위해 고광도 청색 LED(450㎚ 내지 470㎚)를 사용하는 것이다. 이 접근법은 에너지 효율이 좋고 저가로 제조가능하지만, 이는 ∼7000K의 색 온도(CT) 및 ∼70 내지 75의 CRI의 낮은 품질의 백색 광을 제공하여서 수많은 양질의 어플리케이션들에는 적용할 수가 없다. 더 많은 청색 방출을 하향-변환 및 흡수하기 위해 더 두꺼운 형광체 층을 사용하면, 색 온도를 낮출 수 있어서 백색 광의 품질을 향상시키게 된다. 그러나, 이는 낮은 에너지 효율성을 초래한다. 대안으로서, 적색 방출과 함께 황색을 띤 녹색(혹은 녹색을 띤 황색) 방출을 하는 단일의 혹은 복수의 형광체를 사용하면 컬러 렌더링 인덱스를 증가시킬 수 있어서 ∼4000K의 CT 및 ∼80 내지 85의 CRI로 백색 광 산출의 품질을 향상시킬 수 있지만 낮은 에너지 효율성을 수반한다. 그러나, 형광체 포함 패키지의 광 효율성은 대략 50% 내지 60%일 뿐이고, 이는 상기한 사례들 각각에서 저하된 광 추출을 초래한다.
LED에 의한 백색 광 생성의 세 번째 접근법은, RGB 형광체를 활성화시키기 위해 고광도 UV/자색 LED(370-430㎚ 방사능 방출)를 사용하는 것이다. 이 접근법은 ∼90 이상의 CRI를 갖는 양질의 백색 광을 제공하고, 저가이며, 형광체 및 LED 칩/다이를 포함하는/둘러싸는, 패키지의 밀봉재가 UV/자색 방출을 저감시키지 않는 범위에서 신뢰할 수 있다. 이는, 적색 LED 칩이 UV/자색이나 청색 LED 칩과 비교하여 더 짧은 수명의 저하 및 주변 온도 상승에 따른 큰 폭의 효율성 저하 때문이며, 더 큰 색-유지 문제점을 초래하고 더욱 복잡한 구동 회로를 요구한다. 그러나, 현재 이 접근법은, 현재 사용되고 있는 UV/자색 활성 가능 RGB 형광체의 광 변환 효율이 열악하기 때문에, 매우 열악한 효율성을 가진다. 게다가, 형광체 포함 패키지의 광 효율성은 대략 50% 내지 60%일 뿐이어서, 더욱 저하된 광 추출을 초래한다.
본 발명은 LED/형광체 동작의 다양한 양상들에 적용 가능한 것으로: 황색을 띤(혹은 RG) 형광체를 구비한 청색 LED; 적색 녹색 및 청색 LED의 클러스터로 형성된 "백색" 램프 및 "백색" 형광등 타입 형광체를 구비한 딥 UV LED(deep UV LED) 및 UV LED를 가지는 RGB 형광체를 포함한다. 본 발명은: "벌크(bulk)" 마이크론 사이즈의 형광체, 나노결정체의 형광체의 다양한 사이즈의 형광체로 사용하는 것에도 적용 가능하다("나노형광체"―평균 직경이 100㎚ 미만이며 더 바람직하게는 40㎚ 미만).
본래, LED는 공기 중에서 동작되는데, 1975년에 발행된 미국 특허 번호 3,877,052호(Dixon et.al,)는, 주변으로 방출되는 LED 램프 광 출력을 향상시키기 위해서, 공기보다 굴절률(RI)이 큰, LED를 둘러싸는 투광성 밀봉재의 사용법을 설명한다. 그때부터, RI ∼1.5인 에폭시 기반의 밀봉재가 산업 표준이 되었다. RI ∼1.5의 밀봉재를 구비한 LED 램프는, LED 칩 및 램프 패키지의 상세에 따라, 밀봉재를 사용하지 않은 램프의 광 출력보다 전형적으로 1.7X 내지 2.3X (램프 인자(lamping factor)) 배의 광 출력을 나타낸다.
RI ∼1.5인 밀봉재는, 전형적으로 다양한 화학 물질들, 경화된 방향족 에폭시-무수물(aromatic epoxy-anhydride), 경화된 지환성 에폭시-무수물(cycloaliphatic epoxy-anhydride) 혹은 이들의 조합, 및 경화된 에폭시-아민(epoxy-amine)으로 구성되었다. 최근의 개발에서는 실리콘-지환성 에폭시 혼합 밀봉재(silicone-cycloaliphatic epoxy hybrid encapsulant) 및 반응성-실리콘(reactive-silicone)에 기반한 RI ∼1.5의 엘라스토머 혹은 겔 밀봉재를 포함하여서, 청색/자색/UV 방출 파장에서 열 및 광 모두로부터 유도된 퇴색(discoloration)에 대한 내성을 향상시킨다는 관점에서 유리한 점을 제공한다.
실리콘(silicon) 함유 분자에 부착된 폴리머 작용기가 흩뿌려진 고굴절률 산화물(예를 들면, 티타늄 산화물 / 비스무트 산화물 및 실리콘 산화물)의 합금을 포함하는 ORMOCER(Organically Modified Ceramic)에 의거하며 RI 값이 1.6을 초과하는 밀봉재를 개발하고자 시도하여, RI ∼2.0의 박막을 얻었다. 하지만 두께의 달성(대략 1㎜ 이상)은, 막 두께를 100 마이크론 미만으로 제한하는 응력과 관련된 균열 때문에 문제가 되는 것으로 증명되었다. 또한, 녹색 및 청색 파장의 광 흡수 계수의 높은 수치가, 투광성 달성의 관점에서 대략 수십 마이크론으로 막 두께를 제한한다.
유기 매트릭스에 분산된 고굴절률의 나노입자에 의거한 나노복합 세라머(Ceramer)가 미국 특허 번호 6,432,526에 설명되어 있지만, 이는 1.65 혹은 1.7을 초과하는 RI 값을 달성함에도 불구하고 절충된 투광성을 나타냈다. 본 발명은, 개량 나노입자 합성 공정 및 개량 나노입자 작용기-코팅 공정의 조합을 사용하여, 에폭시 및 반응성-실리콘(reactive-silicone) 기반의 나노복합 세라머에서 높은 투광성을 얻을 수 있었다.
우리는, 녹색-방출 혹은 청색-방출 LED 칩의 근접함에 따른 강도 레벨의 광 저하 특성이, 1000시간의 실내 온도 조작 하에서 65%를 초과하는 광속 유지율(lumen maintenance)이 요구되는 신뢰성을 충족시키기에는 충분하지 않음을 발견하였다. 그리하여, 우리는 나노복합 세라머의 광 저하 내성을 향상시키기 위해서 조성 개량된 나노입자(나노입자 합성 공정 혹은 작용기 코팅 공정 동안에 첨가된 2족 원소를 사용)를 개발하였다. 부가적으로, 우리는 또한, 구체적으로 실리콘 매트릭스(Silicone matrix)에 기반한 나노복합 세라머를 가능하게 하는, 나노입자 및 결합/분산제 코팅 사이에서 (알루미늄 산화물 혹은 실리콘 산화물과 같은) 더 큰 에너지 밴드갭을 지니는 재료의 외부 셸 코팅(shell-coating)을 구비하는, 조성 개량된 나노입자(나노입자 합성 공정 혹은 작용기 코팅 공정 동안에 첨가된 2족 원소를 사용)를 개발하였다. 만약 나노입자가, 조성 개량된 나노입자이며, 나노입자 및 결합/분산제 코팅 사이에서 더 큰 에너지 밴드갭을 지니는 재료(실리콘 산화물)의 외부 셸 코팅을 구비한다면, 투광성 실리콘 매트릭스(Silicone matrix)(에 기반한 나노복합 세라머가 달성된다.
우리는, 100C 이상의 온도에서(1000시간 동안의 보관 신뢰도 테스트에 요구됨) 나노복합 세라머의 열 저하에 기인한 LED 램프 광속 출력 손실이 상당히 감소한다는 것을 발견하였다. 그리하여, 본 조성 개량된 나노복합 세라머는 향상된 광열 저하 내성을 나타낸다. 또한, 실리콘 매트릭스(Silicone matrix) 기반의 개량된 나노복합 세라머는, 에폭시 매트릭스 기반의 개량된 나노복합 세라머에 비하여 향상된 광열 저하 내성을 나타낸다.
본 발명의 원활한 이해를 위하여, 이하의 상세한 설명과 관련하여 다음의 도면들을 참조한다.
도 1은, 본 조성 개량된 나노입자 및 종래의 나노입자에 의거하여 에폭시 매트릭스에 기반한 나노복합 HRI 밀봉재의 광속 유지율 특성을 비교한다. 조성 개량된 나노입자의 나노복합 HRI는 광속 유지율 90%에 대해 >300X를 초과하는 지속 기간을 나타낸다.
도 2는, 460㎚ 칩 기반의 저출력 백색 LED 램프의 본 에폭시 매트릭스에 기반한 HRI 나노복합 밀봉재 및 525㎚로 방출하는 저출력 LED 램프의 본 에폭시 매트릭스에 기반한 HRI 나노복합 밀봉재의 광속 유지율 특성을 도시한다.
도 3은, 460㎚ 고효율 칩 기반의 저출력 청색 LED 램프의 본 실리콘 매트릭스(Silicone matrix)에 기반한 HRI 나노복합 밀봉재의 광속 유지율 특성을 도시한다.
본 발명은, 525㎚에서 광 흡수 계수 α<0.5㎝-1의 낮은 수치로 RI ∼1.7 이 상을 나타내는, 실리콘 폴리머(Silicone polymer) 혹은 에폭시 수지에 뿌려진 유기 작용기로 코팅된, 처리된 나노입자의 사용 및 제조에 관한 것이다. HRI 밀봉재는, 고온 보관 신뢰도 테스트를 할 동안에 1000시간 이상 100C로, 그리고 경화될 동안에 수 시간 동안 80C 내지 100C의 온도로 어닐링될 때, 균열을 나타내지 않고 대략 수 ㎜의 층 두께를 달성할 수 있다. 이는 문헌에서 보고된 광 나노복합물과 대조되는 것으로서, α>1㎝-1이며 대략 0.01㎜의 균열 없는 층 두께를 가지며(후경화(post-cure)), 따라서 LED 칩 두께가 적어도 0.1㎜인 LED 램프에는 집적될 수 없다.
본 발명은 또한, HRI 밀봉재에 사용되는 종래의 TiO2와 비교하여, HRI 밀봉재에 525㎚ 및 460㎚에서 더 큰 광 저하 내성(>300X)을 부여하는, 조성 개량된 TiO2 나노입자의 사용 및 제조에 관한 것이다. 조성 개량된 TiO2 나노입자는, 나노입자 내측에 존재하거나(벌크 도핑) 혹은 나노입자 표면에 2족 원소/이온을 가진다(표면 도핑 혹은 표면 코팅). "도핑"이 표면에 된 것인지 혹은 나노입자 전체에 걸쳐 된 것인지 알려져 있지 않음에 따라, 여기서 입자는 "처리된"이라는 용어로서 사용될 것이다. 표면의 2족 원소는, 산화물 혹은 수산화물(예를 들면, 아래에 논의된 Mg의 농도에서 MgO 섬)과 같은 혼합물의 형태로 나타날 수도 있다. 부가적으로, 조성 개량된 나노입자(나노입자 합성 공정 및 작용기 코팅 공정을 할 동안에 첨가된 2족 원소들을 사용)는, 실리콘 매트릭스(Silicone matrix)에 기반한 HRI 나노복합물을 구체적으로 가능하게 하는, 나노입자와 결합/분산제 코팅 사이에, 커다란 에너지 밴드갭 재료(알루미늄 산화물 혹은 실리콘 산화물 등)의 외부 셸-코팅을 가진다. 여기서 실리콘 산화물은 일반적으로 SiOx;즉, SiO 혹은 SiO2가 사용되는데, 이는 산화물이 나노 사이즈 범위를 나타내는지 판정하기 힘들기 때문이다.
LED 방출 파장에 대응하는 것보다 더 큰 에너지 밴드갭 및 높은 RI를 지니는 다른 재료(산화물, 질화물 및 황화물)의 나노입자도 또한 사용 가능하지만, 황화물, 세레나이드(Selenide) 및 텔루라이드(Telluride)의 나노입자, 즉, 칼코게나이드(Chalcogenide)는 광화학적인 저하를 일으키기 쉬운 것으로 알려져 있다(그리고 나노입자와 결합/분산제 코팅 사이에, 커다란 에너지 밴드갭 재료(알루미늄 산화물 혹은 실리콘 산화물)의 외부 셸-코팅을 필요로 할 수도 있다).
도 1은, NLC의 종래의 TiO2 나노입자 및 NLC의 조성 개량된 TiO2 나노입자에 의거하여 에폭시 매트릭스 기반의 나노복합 HRI 밀봉재의 광속-유지율 특성을 비교하고, 90% 광속-유지율 값은, 525㎚를 방출하는 저출력 LED 램프에서, 각각, 1000시간 및 <3시간이다. 더 큰 광 저하 내성은, 두 개의 TiO2 나노입자 샘플들로부터 UV 가시성 반사율 스펙트럼에서 관찰된 바와 같이 525㎚에서의 저하된 광 흡수 및 광 생성된 전자-정공 쌍의 재조합 수명의 감소의 조합에 기인하는 것으로 생각된다. 두 영향의 조합은, 나노복합물의 감광을 초래하는 것으로 알려진, 나노입자의 표면에 반응을 유도하는 것을 가능하게 하는, 광 생성된 캐리어 농도를 억제한다.
나노입자의 성장 중에 반응물에 섞여진 2족 함유 혼합물의, 혹은 유기 작용기로 나노입자의 코팅 중에 반응물에 섞여진 2족 함유 혼합물의, 조성 개량된 TiO2 나노입자에 의거한 HRI의 광속-유지율 특성은 2족의 동일한 수치에 대해 TiO2 몰 비와 매우 유사하다.
나노입자의 성장 중에 반응물에 혼합물을 2족 함유 혼합물을 섞는 행위는, 유기 작용기로 나노입자를 코팅하는 중에 반응물에 섞여진 2족 함유 혼합물과 비교하여, 증가한 2족 농도를 지니며 더 재현 가능하고 더 높은 투과성을 가지는 HRI를 가능하게 한다. 이는, 더 높은 2족 함유 혼합물 농도로 용액의 pH를 변화시켜서, 나노입자의 작용기-코팅 공정을 중단시키는 2족 함유 혼합물로부터의 그 밖의 화학 제품 종(種) 때문이라고 생각된다.
도 2는, 525㎚로 방출하는 NLC의 본 에폭시 매트릭스에 기반한 HRI 밀봉재 기반의 저출력 LED 램프 및 460㎚ 칩을 구비한 본 에폭시 매트릭스에 기반한 HRI 밀봉재 기반의 저출력 백색-LED 램프의 광속-유지율 특성을 도시한다. 본 에폭시 매트릭스에 기반한 HRI 밀봉재의 525㎚ 방출 저출력 LED 램프는 1000시간 이상의 시간 동안 90% 광속-유지율을 나타낸다. 이는, 460㎚ 기반의 저출력 백색-LED 램프가 유사한 조건에서 90% 광속-유지율을 20시간 동안 나타낸 것에 대조되며, 525㎚에 비하여 460㎚에서 TiO2 나노입자에 의한, 더 높은 광 흡수에 기인한 것이다. 에폭시 매트릭스의 화학 반응은, 나노입자에 의해 유도된 광 촉매 작용에 기인한 광 흡수 발색소(chromophore)의 형성을 초래하기 쉽다.
조성 개량된 TiO2 나노입자에 기반한, 에폭시 매트릭스 기반의 HRI의 460㎚에서의 광속-유지율은, 종래의 TiO2 나노입자에 기반한, 에폭시 매트릭스 기반의 HRI의 525㎚에서의 광속-유지율보다 우월하다는 점에 주목해야 한다(90% 광속-유지율에 대해 20시간 vs <3시간). 종래의 TiO2 나노입자에 기반한, 에폭시 매트릭스 기반의 HRI는 460㎚에서 5분 미만 동안 90% 광속-유지율을 나타낸다. HRI 기반의 525㎚ 톱(Top) LED SMD 램프는, LEE와 WPE 및 광 출력에서 ∼25% 향상됨을 나타낸다.
도 3은, 460㎚의 고효율 칩을 구비한 NLC의 본 실리콘 매트릭스(Silicone matrix)에 기반한 HRI 밀봉재 기반의 저출력 청색-LED 램프의 광속-유지율 특성을 도시한다. 본 실리콘 매트릭스(Silicone matrix)에 기반한 HRI 밀봉재의 460㎚ 방출 저출력 LED 램프는, 1000 시간 이상 동안 광속-유지율이 95%보다 크게 나타났다. 이 도면은 초기 150 시간의 데이터를 도시한다. 이것은, 460㎚ 고효율칩을 구비한 NLC의 본 에폭시 매트릭스에 기반한 HRI 밀봉재 기반의 저출력 청색LED 램프가 유사한 조건에서 90% 광속-유지율이 1시간 미만인 것과 대조된다. 실리콘 매트릭스(Silicone matrix)의 화학적 비활성은, 에폭시 매트릭스와 비교하여 나노복합물의 광 흡수 발색소의 형성을 방지한다. 상기한 바와 같이, 종래의 TiO2 나노입자에 기반한, 에폭시 매트릭스 기반의 HRI는, 460㎚에서 90% 광속-유지율을 5분 미만 동안 나타낸다.
본 실리콘 매트릭스(Silicone matrix)에 기반한 HRI 밀봉재의 525㎚ 방출 저출력 LED 램프는, 또한 1000시간 이상 95%를 초과하는 광속-유지율을 나타낸다.
나노입자와 결합/분산제 코팅 사이의, 더 큰 에너지 밴드갭 재료(알루미늄 산화물 혹은 실리콘 산화물 등)의 외부 셸-코팅에도 불구하고, 종래의 TiO2 나노입 자는 투광성 실리콘 매트릭스 기반의 나노복합물을 산출하지 않았음에 주의한다. 투광성 실리콘 매트릭스에 기반한 나노복합 HRI 밀봉재는, 만약: 나노입자가 조성 개량된 나노입자이고, 나노입자와 결합/분산제 코팅 사이에 더 큰 에너지 밴드갭 재료(실리콘 산화물)의 외부 셸-코팅을 가진다면, 달성 가능하다.
도 3에서 청색-LED 램프에 사용된 460㎚ 칩은, 도 2의 백색-LED 램프에 사용된 대응하는 460㎚ 칩보다 고효율임에 주의한다. 따라서, 도 3의 HRI 밀봉재는 보다 높은 460㎚ 광도가 된다.
YAG:Ce 형광체를 구비한, HRI 기반의 백색-LED 램프는, 넓은 범위의 각도로 측정될 경우에, 더 높은 밝기(즉, 칸델라 출력)를 나타낸다(즉, 통합 구(sphere) 측정에 의해 입증된 바와 같이, 모든 입체각 상에서 통합될 때 더 높은 광 출력 그리고 더 높은 발광 효능). HRI 기반의 램프는, 유사한 색의 백색-광 방출에 대해, 종래의 밀봉재 기반의 램프에 비하여, 적어도 40% 더 높은 광 출력을 나타낸다.
마그네슘으로 처리된 TiO 2 입자의 제조
전형적인 배치(batch)의 TiO2 입자 10gm을 생성하기 위하여, 각각 알파(Alfa)(99%)로부터의 10gm의 TBT(티타늄(IV)부톡사이드) 및 앨드리치(Aldrich)로부터의 3.5gm의 빙초산을 포함하는 4개의 유리병을 취하였다. 각 유리병은 동질의 용액을 제공하기 위하여 2-3분 동안 휘저어진다. 이 유리병들은 파 인스트루먼트(Parr instrument)로부터의 고압 리액터에 놓여진다. 마그네슘 처리된 샘플을 위하여, 먼저 마그네슘 염이 아세트산에 용해되게 한 후, TBT가 그 것에 첨가된다. 반응의 부산물 중의 하나인 60㎖의 부탄올이, 리액터 내의 유리병 외부에 위치한다. 만약 부탄올이 리액터 내의 유리병 외부에 위치하지 않는다면, 딱딱한 덩어리 크기로 분포하는 TiO2 입자가 건조되어 나오게 되는데, 이를 코팅하여 광학적으로 흩어지지 않은 분산을 얻는 것은 불가능하다. 하지만, 많은 양의 초기 반응물이 사용될 경우, 외부의 부탄올은 필수가 아닐 수도 있다. 예를 들면, 100gm의 TBT 및 상응하게 계량된 양의 그 밖의 반응물이 사용된 경우이다. 공기를 제거하기 위해서, 리액터는 닫혀지고 질소로 2분 동안 퍼지된다. 그 후, 리액터는 200 내지 300-psi 질소의 초기 압력으로 채워지고 2.5 내지 5시간 동안 230℃로 가열된다. 그러나, 더 많은 양의 초기 반응물이 사용될 경우에는, 더 낮은 초기 압력의 질소가 사용될 수도 있다. 예를 들면, 100gm의 TBT 및 상응하게 계량된 양의 그 밖의 반응물이 사용된 경우이다. 입자는, 리액터에서 나올 때, 반응 중에 형성된 부산물들을 제거하기 위하여 헥산/헵탄으로 세정된다. 원심 분리 후에 2-부타논에 매달린 입자들은 그 후 코팅을 하기 위해 준비된다.
여기서, 2wt% Mg 처리된 TiO2의 "실시예 A"를 생성하기 위한 반응물의 양은, 10gm의 TBT, 440㎎의 마그네슘 아세테이트(99.999% Aldrich), 및 3.5gm의 빙초산이다. 여기서, 3% Mg 처리된 TiO2의 "실시예 B"를 생성하기 위한 반응물의 양은, 10gm의 TBT, 660㎎의 마그네슘 아세테이트(99.999% Aldrich) 및 3.5gm의 빙초산이다. 여기서 생성된 Mg 처리된 TiO2 입자는 가장 큰 크기가 25㎚ 미만이어서, 밀봉재에서 높은 "로딩 팩터(loading factor)"의 입자를 허용하는, LED에 의해 방출된 빛의 파장보다 매우 작기 때문에 그 입자들은 광학적 "비가시성(invisible)"(비산란)이 확보된다. 또한, 개별 처리된 TiO2 입자가 덩어리가 될지라도, 밀봉재를 섞은 LED 램프의 벽면 콘센트 효율 및 광 출력의 향상을 얻기 위해 요구되는 범위로, 최종 밀봉재가 광학적으로 산란되지 않음에 따라, 이와 같은 덩어리로 된 그룹은 매우 작다(30-35㎚ 혹은 더 작음).
알루미늄 산화물 혹은 실리콘 산화물과 같은 더 큰 에너지 밴드갭 재료의 외부 셸-코팅을 구비한 Mg 처리된 TiO2 나노입자(즉, Mg 처리된 TiO2 "코어" 및 알루미늄 산화물 혹은 실리콘 산화물 "셸"을 구비한 코어-셸 나노입자)를 생성하기 위해, 2 단계의 성장 공정이 이용된다. 상기한 반응물을 포함하는 고압 리액터는, Mg 처리된 TiO2 나노입자 성장을 위해서 2.5 내지 5시간 동안 230℃로 가열 된 후, 실내 온도로 냉각된다. 리액터는 열려지고 알루미늄 부톡사이드 혹은 실리콘(silicon) 부톡사이드가 첨가되고 TiO2 나노입자를 함유하는 각 유리병에서 균일하게 저어져/혼합된다. 각 유리병에 첨가된 알루미늄 부톡사이드 혹은 실리콘(silicon) 부톡사이드의 양은, 처음에 각 유리병 내 TBT의 초기 양의 대략 20 내지 40 wt% 사이이다. 리액터는 닫혀지고 공기를 제거하기 위하여 2분 동안 질소로 퍼지된다. 그 후 리액터는 200 내지 300-psi의 초기 압력의 질소로 다시 채워지고, 2.5 내지 5시간 동안 230℃로 재가열된다(그러나, 더 많은 양의 초기 반응물이 사용될 경우에는, 더 낮은 압력의 질소가 사용될 수도 있다. 예를 들면, 100gm의 TBT 및 상응하게 계량된 양의 그 밖의 반응물이 사용된 경우이다). Mg 처리된 코어-셸 나노입자는, 리액터로부터 나올 때, 반응 중에 형성된 부산물을 제거하기 위해 헥산/헵탄으로 세정된다. 원심 분리 후에 입자들이 2-부타논에 매달린 다음에, 코팅을 하기 위해 준비된다. 더 큰 에너지 밴드갭 재료의 외부 셸-코팅은 향상된 성과를 제공한다.
처리된 TiO2 를 결합/분산제로 코팅
상대적 극성의 메타크릴산(Methacrylate) 작용기로 코팅
처리된 TiO2 입자의 코팅용의 전형적인 배치(batch)에서, 80㎖ 2-부타논에서 대략 5gms인 두 유리병의 TiO2 입자가 결합되고 한 시간 동안 초음파 처리된다. 아프로토익(aprotoic) 용매인 부타논이 이 실시예에서 사용되며, 알콜-물 혼합물인 수성 용매가 사용될 수도 있다. 250uL의 물을 첨가한 후에 1.76㎖의 결합/분산제(메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(Methacryloxypropyltrimethoxysilane))를 첨가하고 70-80℃에서 두 시간 동안 저어준다. 125uL의 아세트산 pH 3-4가 첨가되었고 그 후 그 용액은 투명해진다. 대안으로서, 예를 들면 암모늄 수산화물이 첨가되어 염기성 pH가 달성된 것이 사용될 수도 있다. 이 용액은 실내 온도에서 12-24시간 동안 저어진다. 용매는 70-80℃에서 로토뱁(rotovap)을 사용하여 용액으로부터 제거된다. 그 후 코팅된 TiO2 입자는, 자유 결합/분산제를 제거하기 위해 헵탄으로 세정된다. 세정된 입자는 2-부타논에 분산되고, 총 체적은 50㎖이다.
메타크릴옥시프로필트리메톡시실란과는 별도로, 처리된 TiO2를 광학적으로 깨끗한 에폭시 혹은 광학적으로 깨끗한 반응성 실리콘(reactive-silicone)에 결합/ 분산하기 위한 그 밖의 적합한 용제가 사용될 수도 있는데, 이와 같은 결합/분산제는; 알킬-종단 알콕시실란(Alkyl-terminated AlkoxySilanes)(예를 들면, 프로필트리메톡시실란(PropylTrimethoxySilane), 부틸트리메톡시실란(ButylTrimethoxySilane), 옥틸트리메톡시실란(OctylTrimethoxySilane), 도데실트리메톡시실란(DodecylTrimethoxySilane) 등), 페닐-종단 알콕시실란(Phenyl-terminated AlkoxySilane), 알릴-종단 알콕시실란(Allyl-terminated AlkoxySilane), 비닐-종단 알콕시실란(Vinyl-terminated AlkoxySilane), 옥테닐-종단 알콕시실란(Octenyl-terminated AlkoxySilane), 글리시딜-종단 알콕시실란(Glycidyl-terminated AlkoxySilane) 및 헥사메틸디실라잔(HexaMethylDiSilazane)을 포함한다. 상기한 공정은 또한, Mg 처리된 TiO2 "코어" 및 알루미늄 산화물 혹은 실리콘 산화물 "셸"을 구비한, Mg 처리된 코어-셸 나노입자에 사용된다.
상대적으로 비극성의 알킬 작용기로 코팅
Mg 처리된 TiO2 "코어" 및 알루미늄 산화물 혹은 실리콘 산화물 "셸"을 구비한 Mg 처리된 코어-셸 나노입자의 비극성 알킬 작용기 코팅을 위한 전형적인 배치(batch)에서, 80㎖의 2-부타논에서 대략 5gms인, 두 유리병의 TiO2 입자가 결합되고, 한 시간 동안 초음파 처리된다. 아프로토익 용매인 부타논이 이 실시예에서 사용되며, 알콜-물 혼합물과 같은 수성 용매가 사용될 수도 있다. 250㎕의 물을 첨가한 후에 1.76㎖의 결합/분산제(옥틸트리메톡시실란(Octyltrimethoxysilane))를 첨 가하고 70-80℃에서 두 시간 동안 저어준다. 125㎕의 아세트산 pH 3-4가 첨가되었고 그 용액은 불투명한 상태로 남아있는다. 대안으로서, 예를 들면 암모늄 수산화물이 첨가되어 염기성 pH가 달성된 것이 사용될 수도 있다. 이 용액은 실내 온도에서 12-24시간 동안 저어진다. 용매는 70-80℃에서 로토뱁을 사용하여 용액으로부터 제거된다. 그 후 코팅된 TiO2 입자는, 자유 결합/분산제를 제거하기 위해 메탄올로 세정된다. 세정된 입자는 톨루엔(Toluene)에 분산되고, 총 체적은 50㎖이다.
고굴절률 밀봉재
실시예 A: 4% Mg 처리되어 코팅된 TiO 2 로부터의 HRI 에폭시 밀봉재
2-부타논(10㎖)의 4% Mg 처리된 메타크릴레이트(Methacrylate) 작용기 코팅된 TiO2(1.00ｇ)가 둥근 바닥 플라스크에서 에폭시(Loctite OS 4000 part A)(0.58ｇ)와 혼합되었고 그 혼합물은 3시간 동안 환류되었다. 냉각으로 그 용액은, 체적이 줄어들 때까지(5㎖) 50℃의 진공에서 회전식 증발기(rotary evaporator)로 농축되었다. 그 후, 4-메틸-2-펜타논(pentanone)(1㎖)(Aldrich Chemical Co)이 그 혼합물에 첨가되어, 원심 분리 튜브로 이송되었고, 15분 동안 3000rpm으로 원심 분리되었다. 원심 분리 후, 그 액체는 옮겨졌고, 원하는 농도의 HRI 에폭시 밀봉재를 얻기 위하여 회전식 증발기로 농축되었다.
실시예 B: 4% Mg 처리되어 코팅된 TiO 2 의 HRI 에폭시-종단 반응성-실리콘( Reactive - Silicone ) 밀봉재
톨루엔(10㎖)에서 4% Mg 처리된 옥틸 작용기 코팅된 TiO2(1.00ｇ)가 둥근 바닥 플라스크에서 에폭시-종단 실리콘(Epoxy-Terminated Silicone)(0.5ｇ)과 혼합되었다. 그 용액은, 원하는 농도의 HRI 에폭시-종단 실리콘(silicone) 밀봉재를 얻기 위해, 체적이 줄어들 때까지 50℃의 진공에서 회전식 증발기로 농축되었다.
광 어플리케이션을 위한 실리콘(silicone) 기반의 엘라스토머의 성분 중 하나인, 에폭시프로폭시프로필-종단 디메틸실록산(EpoxyPropoxyPropyl-Terminated DiMethylSiloxane)(혹은 에폭시프로폭시프로필-종단 디페닐디메틸실록산(EpoxyPropoxyPropyl-Terminated DiPhenylDiMethylSiloxane) 혹은 에폭시프로폭시프로필-종단 폴리페닐메틸실록산(EpoxyPropoxyPropyl-Terminated PolyPhenylMethylSiloxane))이 에폭시-종단 실리콘(silicone) 기반의 HRI 밀봉재를 얻기 위해 사용된다. 유사하게, 에폭시프로폭시프로필-종단 실록산이 비닐-종단 실록산(비닐-종단의 체적 30%의 부분 미만)과 혼합될 수도 있다. 에폭시-종단 및 비닐-종단 실리콘(silicone)을 매트릭스로서 혼합할 경우, 실리콘(silicone) 체인-길이 혹은 중합도(Degree of Polymerization)(DP)로 설명되는 실록산 반복 단위의 수는 DP ∼70 미만이어야 할 수도 있다.
실시예 C: Mg 처리되어 코팅된 TiO 2 로부터의 HRI 비닐-종단 반응성-실리콘( Reactive - Silicone ) 밀봉재
1-부타놀(10㎖)에서의 4% Mg 처리된 알릴 작용기 코팅된 TiO2(1.00ｇ)가 둥근 바닥 플라스크에서 비닐-종단 실리콘(silicone)(0.5ｇ)과 혼합되었고, 바람직한 농도의 HRI 비닐-종단 실리콘(silicone) 밀봉재를 얻기 위해, 체적이 줄어들 때까지 그 용액은 50℃의 진공에서 회전 증발기로 농축되었다.
광 어플리케이션을 위한 실리콘(silicone) 기반의 엘라스토머의 주요 성분인, 비닐-종단 폴리페닐메틸실록산(혹은 비닐-종단 디페닐디메틸실록산 혹은 비닐-종단 디메틸실록산)이 비닐-종단 실리콘(silicone) 기반의 HRI 밀봉재를 얻기 위해 사용된다.
단색 & 백색-광 톱 LED SMD 램프에서의 소멸
본 HRI 밀봉재는 다양한 램프 구조에 사용될 수 있는데, 특히 적합한 광자 구조가 2004년 5월 4일 발행된 "Nanocrystalline Based Phosphors And Photonic Structures For Solid State Lighting"라는 명칭의 미국 특허 번호 6,734,465 및 PCT 출원 번호 PCT/US2004/029201에서 밝혀졌으며, 이의 개시는 여기서 참조 문헌으로 기재되어 있다. ∼40% 내지 60% 체적 축소를 고려하면, 펜타논 혹은 톨루엔 용매의 증발에 기인하여, 상기한 혼합물의 6 내지 7 마이크로-리터가 톱-방출 SMD 단색 램프에서 소멸된다. 소멸된 체적 및 혼합물의 리올로지(rheology)는, 경화 후의 HRI-공기 경계면의 특정 형상을 달성하기 위하여 전형적으로 조정된다. 전형적으로 경화는, ∼24시간 동안 실내 온도에서 행하여지거나 혹은 수 시간 동안 80℃로 가속되어질 수 있다. TiO2 상의 표면-코팅은 경화제로서 역할을 할 수 있기 때문에, 종종 경화제(즉, 에폭시 혹은 실리콘(silicone)의 B 부분)가 첨가되지 않음에 주의한다.
백색-광 램프를 위해, ∼1gm의 HRI 혼합물 당(용매 무게는 제외) ∼20㎎ 내지 50㎎의 상용 YAG:Ce 벌크-형광체가 첨가된다. 이는, 1㎖의 HRI 체적 당(용매 제거 후) 35㎎ 내지 85㎎의 YAG:Ce에 대략 대응하도록 측정된다. 형광체 하중(1㎖의 HRI 체적 당 mg YAG:Ce)은, 바람직한 색좌표를 얻기 위하여 변화될 수 있으며, LED 칩 및 패키지 외형의 세부에 좌우된다. 단색 램프에서 발생한 바와 유사한 체적 축소가 분산 중에 나타난다.
고출력 LED 램프 혹은 저출력 SMD 램프에서의 소멸은, LED 칩을 밀봉하는, 세미-반구(semi-hemispherical) 형상의 HRI "블롭(blob)"을 실시하여서, HRI로 반사컵을 부분적으로만 채우는 전략을 사용한다. 반사컵 체적의 나머지는 종래의 밀봉재(RI ∼1.5)로 채워지고, 필요하다면 RI ∼1.5의 미리 성형된 렌즈가 부착될 수도 있다. HRI 밀봉재의 총체적은, 고출력 램프의 나머지 램프 체적 및 전체의 반사 컵을 채우는 데에 요구되는 ∼10 내지 20 마이크로리터의 HRI 체적보다 상당히 작은, ∼1 내지 2 마이크로-리터 정도이다. 이러한 HRI "블롭" 전략은, 2 내지 4 마이크로-리터 정도로 HRI 혼합물의 비교적 작은 체적을 요한다. 반사 컵만을 채우는 유사한 전략이 탄환-모양의 5㎜ LED 램프에 사용된다. 그러나, ∼1 마이크로-리터를 경화한 후의 HRI 체적에서 소멸된 볼륨은 ∼2 마이크로-리터이다(이는 탄환-모양 5㎜ 렌즈의 100 마이크로-리터 체적보다 더 큰 것에 비교됨).
폴리머 기반의 광 도파관에서의 통합
본 HRI 나노복합물은, 고굴절률 광-한정 코어/가이딩 영역으로서 다양한 폴리머 기반의 광 도파 구조에 사용될 수도 있다. 광-통신 혹은 광 상호연결에서의 PLC(Planar Lightwave Circuit) 어플리케이션에 대한 폴리머 기반의 광 도파 구조는 주지이다. 이러한 어플리케이션을 위한 도파관에서 전송된 광자의 파장은 780㎚에서 1600㎚ 사이의 범위를 가지고(가시성 LED 파장보다 길다), 코어/가이딩 영역에서의 강도 레벨은 1에서 수백 ㎾/㎠의 범위를 가질 수 있다. 그리하여, 본 HRI 나노복합물의 향상된 광열 안정성(높은 RI와는 별도)이, 본원의 이점으로 기대된다.
폴리머 도파관은, 도파관에서의 폴리머에 기반한 피복 및 코어/가이딩 층을 구현하는 스핀-코팅 기술을 사용하기 때문에 (더 높은 열적-경비 및 제조 비용을 요하는, CVD 및 열-어닐링과 같은 표준 실리콘(silicon)-처리 기술보다) 낮은 제조 비용이라는 이점을 제공한다. 전형적으로, 폴리머 도파관은 150℃ 미만의 처리 온도를 요하지만, 그 밖의 재료에 기반한 도파관은 300℃를 초과하는 처리 온도를 요한다.
일반적으로, 1.4 내지 1.5 범위의 굴절률을 지닌 실리콘(Silicone) 폴리머 혹은 그 밖의 폴리머는, 몇몇의 경우에 스핀-코팅, 포토리소그래픽 패터닝, 및 에칭을 통하여 피복 및 코어/가이딩 영역을 제조하는 데에 사용된다. 전형적으로, RI ∼1.45 실리콘(Silicone) 폴리머는 피복 층에 사용되고, 더 높은 RI ∼1.5 실리콘(Silicone) 폴리머는 도파관의 코어/가이딩 영역에 사용된다. 피복 및 코어/가이딩 영역의 두께는 전형적으로 1 내지 수십 마이크론 정도이고, 코어/가이딩 영역은 전형적으로 5 내지 수십 마이크론 정도의 너비를 갖는 봉우리(피복으로 둘러싸임)이다. 피복 및 코어/가이딩 사이의 대략 2%의 RI 차이는, 코어/가이딩의 광 집중 손실(혹은 도파관의 광 누출) 없이, ∼2㎜의 굴곡 반경의 도파관 제조를 가능하게 한다. 도파관의 패킹-밀도(packing-density)를 향상시키는 것은(기판의 단위 영역 당 더욱 높은 기능성, 혹은 대안으로서, 특정 기능성에 대한 광 요소의 비용 감소), 피복 및 코어/가이딩 영역 사이의 더 높은 RI 차이에 의해서만이 가능한, 추가적인 굴곡 반경의 감소를 요한다. RI ∼1.45 피복 및 RI ∼1.74 코어/가이딩 사이에서, 20%의 RI 차이는 ∼0.1㎜의 도파관 굴곡 반경을 가능하게 하여서, 구성 요소 당 기능성 혹은 구성 요소 당 비용이 상당히 개선된다.
실리콘옥시니트라이드(SiliconOxyNitride), 그 밖의 혼합 산화물 및 ORMOCER와 같은 박막 HRI 재료와 비교하여 보면, 본 실리콘(Silicone) 기반의 HRI 나노복합물은 150℃ 미만의 처리 온도(혹은 100℃ 미만)를 요하며, 이는 대안들이 300C를 초과하는 처리 온도(그리고 또한 실리콘옥시니트라이드에 비해 더 높은 RI 대비를 지니는 더 얇은 막)를 요하는 것과 비교된다.
실리콘(Silicone) 기반의 HRI 나노복합 혼합물은, 실리콘(Silicon) 웨이퍼 상의 실리콘 다이옥사이드(성장된 혹은 퇴적된 것) 혹은 웨이퍼 상에 스핀-코팅된 RI ∼1.4 내지 1.5인 종래의 실리콘(Silicone) 폴리머 층 중의 하나를 구비하는 피복 층 상에 스핀-코팅이 된다. HRI 나노복합 혼합물의 점도는, 기판 상에 균일한 ∼10 마이크론 두께의 층을 얻기 위하여, 용매의 농도를 제어함으로써 조정된다. 도파관에 대한 광학적 디자인에 따라서, HRI 혼합물을 얇게하고 스핀-속도를 증가시키는 것을 조합하여 1 내지 10 마이크론 두께의 층이 달성될 수 있다. 더욱 얇은 층은, 복수 스핀-코팅 단계를 통하여 달성될 수 있다. HRI 나노복합물 층은, 임프 린트 리소그래피 혹은 포토리소그래피/포토패터닝을 사용하여서, ∼10 마이크론 너비 봉우리를 얻기 위해 패터닝될 수 있다. 그 후, HRI 나노복합물 봉우리는, 상부의 피복 층을 형성하기 위하여, ∼10 마이크론 혹은 더 두꺼운 RI ∼1.4 내지 1.5의 종래의 실리콘(Silicone) 폴리머 층으로 덮인다.
본 실시예에서 사용된 실리콘(Silicone) 폴리머 및 결합/분산제는 상업적으로 쉽게 이용 가능하고, 예를 들면, 겔레스트 인크.(Gelest Inc.(Morrisville, PA))로부터 구매할 수도 있다.
본 발명은 바람직한 실시 형태에 관하여 설명되었다. 그러나, 당업자가 인지하는 바와 같이, 본 발명의 사상 및 범위에서 벗어나지 않는 한, 설명되고 도시된 상세, 양 및 공정 단계의 개량 및 변형이 있을 수도 있다.

Claims (41)

  1. 발광 장치용으로 신뢰할 수 있는 고굴절률 밀봉재로서,
    a) 25㎚ 미만의 1차 입자 사이즈를 가지며, 1 내지 5 wt%의 2족 원소로 처리된 TiO2 나노입자;
    b) 상기 처리된 TiO2 나노입자를 코팅하는 결합/분산제;
    c) 복수의 코팅된 처리된 TiO2 나노입자가 분산된 투광성 에폭시
    를 포함하는, 고굴절률 밀봉재.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 2족 원소가 마그네슘인, 고굴절률 밀봉재.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 결합/분산제가 메타크릴옥시프로필트리메톡시실란(Methacryloxypropyltrimethoxysilane)인, 고굴절률 밀봉재.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 밀봉재가 1.6을 초과하는 굴절률을 가지는, 고굴절률 밀봉재.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 밀봉재가 1.8을 초과하는 굴절률을 가지는, 고굴절률 밀봉재.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 TiO2 나노입자가, 상기 TiO2 나노입자와 상기 결합/분산제 코팅 사이에 더 큰 에너지 밴드갭 재료(알루미늄 산화물 혹은 실리콘 산화물 등)의 외부 셸-코팅을 가지는, 고굴절률 밀봉재.
  7. 발광 장치용으로 신뢰할 수 있는 고굴절률 밀봉재로서,
    a) 25㎚ 미만의 1차 입자 사이즈를 가지며, 1 내지 5 wt%의 2족 원소로 처리된 TiO2 나노입자;
    b) 상기 처리된 TiO2 나노입자를 코팅하는 결합/분산제;
    c) 복수의 코팅된 처리된 TiO2 나노입자가 분산된 투광성의 반응성-실리콘(reactive-silicone)
    을 포함하는, 고굴절률 밀봉재.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 2족 원소가 마그네슘인, 고굴절률 밀봉재.
  9. 청구항 7에 있어서,
    상기 결합/분산제가 옥틸트리메톡시실란(Octyltrimethoxysilane)인, 고굴절률 밀봉재.
  10. 청구항 7에 있어서,
    상기 결합/분산제가 알릴트리메톡시실란(Allyltrimethoxysilane)인, 고굴절률 밀봉재.
  11. 청구항 7에 있어서,
    상기 밀봉재가 1.6을 초과하는 굴절률을 가지는, 고굴절률 밀봉재.
  12. 청구항 7에 있어서,
    상기 밀봉재가 1.8을 초과하는 굴절률을 가지는, 고굴절률 밀봉재.
  13. 청구항 7에 있어서,
    상기 TiO2 나노입자가, 상기 TiO2 나노입자와 상기 결합/분산제 코팅 사이에 더 큰 에너지 밴드갭 재료(실리콘 산화물 등)의 외부 셸-코팅을 가지는, 고굴절률 밀봉재.
  14. a) 반사 컵;
    b) 상기 반사 컵 내에 배치된 발광 다이오드;
    c) 25㎚ 미만의 1차 입자 사이즈를 가지며 1 내지 5 wt%의 2족 원소로 처리된 TiO2 나노입자, 상기 처리된 TiO2 나노입자를 코팅하는 결합/분산제 및 복수의 코팅된 처리된 TiO2 나노입자가 분산된 투광성 에폭시를 포함하는 고굴절률 밀봉재
    를 구비하는, 발광 장치.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 2족 원소가 마그네슘인, 발광 장치.
  16. 청구항 14에 있어서,
    상기 결합/분산제는 메타크릴옥시프로필트리메톡시실란인, 발광 장치.
  17. 청구항 14에 있어서,
    상기 밀봉재가 1.6을 초과하는 굴절률을 가지는, 발광 장치.
  18. 청구항 14에 있어서,
    상기 밀봉재가 1.8을 초과하는 굴절률을 가지는, 발광 장치.
  19. 청구항 14에 있어서,
    상기 TiO2 나노입자가, 상기 TiO2 나노입자와 상기 코팅 결합/분산제 사이에 더 큰 에너지 밴드갭 재료(알루미늄 산화물 혹은 실리콘 산화물 등)의 외부 셸-코팅을 가지는, 발광 장치.
  20. a) 반사 컵;
    b) 상기 반사 컵 내에 배치된 발광 다이오드;
    c) 25㎚ 미만의 1차 입자 사이즈를 가지며 1 내지 5 wt%의 2족 원소로 처리된 TiO2 나노입자, 상기 처리된 TiO2 나노입자를 코팅하는 결합/분산제 및 복수의 코팅된 처리된 TiO2 나노입자가 분산된 투광성의 반응성-실리콘(reactive-silicone)을 포함하는 고굴절률 밀봉재
    를 포함하는, 발광 장치.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 2족 원소가 마그네슘인, 발광 장치.
  22. 청구항 20에 있어서,
    상기 결합/분산제가 옥틸트리메톡시실란인, 발광 장치.
  23. 청구항 20에 있어서,
    상기 결합/분산제가 알릴트리메톡시실란인, 발광 장치.
  24. 청구항 20에 있어서,
    상기 밀봉재가 1.6을 초과하는 굴절률을 가지는, 발광 장치.
  25. 청구항 20에 있어서,
    상기 밀봉재가 1.8을 초과하는 굴절률을 가지는, 발광 장치.
  26. 청구항 20에 있어서,
    상기 TiO2 나노입자가, 상기 TiO2 나노입자와 상기 결합/분산제 코팅 사이에 더 큰 에너지 밴드갭 재료(실리콘 산화물 등)의 외부 셸-코팅을 가지는, 발광 장치.
  27. 발광 장치용으로 신뢰할 수 있는 고굴절률 밀봉재를 제조하는 제조 방법으로서,
    a) 2족 원소로 TiO2 나노입자를 처리하는 단계;
    b) 처리된 TiO2 나노입자를 결합/분산제로 코팅하는 단계;
    c) 상기 밀봉재를 형성하기 위하여 투광성 에폭시 내에, 코팅된 처리된 TiO2 나노입자를 분산시키는 단계
    를 포함하는, 신뢰할 수 있는 고굴절률 밀봉재 제조 방법.
  28. 청구항 27에 있어서,
    상기 TiO2가 동시에 제조 및 처리되는, 신뢰할 수 있는 고굴절률 밀봉재 제조 방법.
  29. 청구항 27에 있어서,
    상기 2족 원소가 마그네슘인, 신뢰할 수 있는 고굴절률 밀봉재 제조 방법.
  30. 청구항 27에 있어서,
    상기 TiO2 나노입자가, 상기 TiO2 나노입자와 상기 결합/분산제 코팅 사이에 더 큰 에너지 밴드갭 재료(알루미늄 산화물 혹은 실리콘 산화물 등)의 외부 셸-코팅을 가지는, 신뢰할 수 있는 고굴절률 밀봉재 제조 방법.
  31. 발광 장치용으로 신뢰할 수 있는 고굴절률 밀봉재를 제조하는 제조 방법으로서,
    a) 2족 원소로 TiO2 나노입자를 처리하는 단계;
    b) 처리된 TiO2 나노입자를 결합/분산제로 코팅하는 단계;
    c) 상기 밀봉재를 형성하기 위하여 투광성의 반응성-실리콘(reactive-silicone) 내에, 코팅된 처리된 TiO2 나노입자를 분산시키는 단계
    를 포함하는, 신뢰할 수 있는 고굴절률 밀봉재 제조 방법.
  32. 청구항 31에 있어서,
    상기 TiO2가 동시에 제조 및 처리되는, 신뢰할 수 있는 고굴절률 밀봉재 제조 방법.
  33. 청구항 31에 있어서,
    상기 2족 원소가 마그네슘인, 신뢰할 수 있는 고굴절률 밀봉재 제조 방법.
  34. 청구항 31에 있어서,
    상기 TiO2 나노입자가, 상기 TiO2 나노입자와 상기 결합/분산제 코팅 사이에 더 큰 에너지 밴드갭 재료(실리콘 산화물 등)의 외부 셸-코팅을 가지는, 신뢰할 수 있는 고굴절률 밀봉재 제조 방법.
  35. a) 제1 클래딩(cladding) 층;
    b) 제2 클래딩 층;
    c) 제1 클래딩 층 및 제2 클래딩 층으로 둘러싸인 고굴절률 나노복합물로 구 성되며, 상기 고굴절률 나노복합물은, 25㎚ 미만의 1차 입자 사이즈를 가지며 1 내지 5 wt%의 2족 원소로 처리된 TiO2 나노입자, 상기 처리된 TiO2 나노입자를 코팅하는 결합/분산제 및 복수의 상기 코팅된 처리된 TiO2 나노입자가 분산된 투광성 반응성-실리콘을 포함하는, 광 집중 코어/가이딩 영역
    을 포함하는, 광 도파 장치.
  36. 청구항 35에 있어서,
    상기 2족 원소가 마그네슘인, 광 도파 장치.
  37. 청구항 35에 있어서,
    상기 결합/분산제가 옥틸트리메톡시실란인, 광 도파 장치.
  38. 청구항 35에 있어서,
    상기 결합/분산제가 알릴트리메톡시실란인, 광 도파 장치.
  39. 청구항 35에 있어서,
    상기 HRI 나노복합물이 1.6을 초과하는 굴절률을 가지는, 광 도파 장치.
  40. 청구항 35에 있어서,
    상기 HRI 나노복합물이 1.8을 초과하는 굴절률을 가지는, 광 도파 장치.
  41. 청구항 20에 있어서,
    상기 TiO2 나노입자가, 상기 TiO2 나노입자와 상기 결합/분산제 코팅 사이에 더 큰 에너지 밴드갭 재료(실리콘 산화물 등)의 외부 셸-코팅을 가지는, 광 도파 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130106587A (ko) * 2012-03-20 2013-09-30 공주대학교 산학협력단 발광소자 봉지재용 조성물 및 발광소자

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4961829B2 (ja) * 2005-08-09 2012-06-27 ソニー株式会社 ナノ粒子−樹脂複合材料の製造方法
ATE526371T1 (de) * 2006-01-18 2011-10-15 Sparkxis B V Neue monomere und polymere materialien
JP4961828B2 (ja) * 2006-05-12 2012-06-27 ソニー株式会社 ナノ粒子−樹脂複合材料の製造方法
TWI338380B (en) * 2006-10-11 2011-03-01 Chuan Yu Hung Light emitting diode incorporating high refractive index material
JP5162879B2 (ja) * 2006-10-27 2013-03-13 住友大阪セメント株式会社 金属酸化物粒子−シリコーン樹脂複合体とそれを備えた光学部材及び発光装置並びに金属酸化物粒子−シリコーン樹脂複合体の製造方法
JP2008120848A (ja) * 2006-11-08 2008-05-29 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 無機酸化物透明分散液と透明複合体およびその製造方法、発光素子封止用組成物並びに発光素子
US9248383B2 (en) * 2008-04-08 2016-02-02 Waters Technologies Corporation Composite materials containing nanoparticles and their use in chromatography
JP2009275196A (ja) * 2008-05-19 2009-11-26 Sony Corp 硬化性樹脂材料組成物、光学材料、発光装置及びその製造方法、並びに電子デバイス
CN101661983B (zh) * 2008-08-26 2012-03-14 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管及其制备方法
US20100244286A1 (en) * 2008-10-06 2010-09-30 Lagsa Earl Vincent B Nanocomposites for optoelectronic devices
KR101657729B1 (ko) 2009-01-08 2016-09-19 나노그램 코포레이션 폴리실록산 중합체와 무기 나노입자의 복합체
JP5602379B2 (ja) * 2009-04-03 2014-10-08 日東電工株式会社 金属酸化物微粒子含有シリコーン樹脂組成物
DE102010024758A1 (de) 2009-09-30 2011-03-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Optikkörpers, Optikkörper und optoelektronisches Bauteil mit dem Optikkörper
CN102725802B (zh) * 2010-02-03 2016-04-06 Abb研究有限公司 电绝缘体系
MTP4301B (en) * 2010-03-25 2011-10-26 Securency Int Pty Ltd High refractive index coatings and their use in the protection of surface relief structures
JP5844252B2 (ja) 2010-04-02 2016-01-13 株式会社カネカ 硬化性樹脂組成物、硬化性樹脂組成物タブレット、成形体、半導体のパッケージ、半導体部品及び発光ダイオード
JP2013544949A (ja) 2010-12-08 2013-12-19 ダウ コーニング コーポレーション 封止材を形成するのに好適な二酸化チタンナノ粒子を含むシロキサン組成物
US9048396B2 (en) 2012-06-11 2015-06-02 Cree, Inc. LED package with encapsulant having planar surfaces
US10147853B2 (en) * 2011-03-18 2018-12-04 Cree, Inc. Encapsulant with index matched thixotropic agent
DE102011101567A1 (de) 2011-05-16 2012-11-22 Markus Rensburg Vorrichtung zum Aufbau einer im Wesentlichen ebenen Fläche,Verfahren zum Aufbau einer im Wesentlichen ebenen Fläche und ebene Fläche, insbesondere Terrassenfläche
EP2804904B1 (en) 2012-01-16 2018-08-15 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Led containing silicone-grafted core-shell particles in a polymer matrix.
CN102694110B (zh) * 2012-06-08 2015-06-03 北京理工大学 一种含非稀土纳米晶荧光粉的封装材料、制备方法和应用
US9887327B2 (en) 2012-06-11 2018-02-06 Cree, Inc. LED package with encapsulant having curved and planar surfaces
US10424702B2 (en) 2012-06-11 2019-09-24 Cree, Inc. Compact LED package with reflectivity layer
US10468565B2 (en) 2012-06-11 2019-11-05 Cree, Inc. LED package with multiple element light source and encapsulant having curved and/or planar surfaces
TWI565732B (zh) 2012-06-13 2017-01-11 財團法人工業技術研究院 有機－無機金屬氧化物混成樹脂、其形成方法、及其形成的樹脂組成物
CN102916117B (zh) * 2012-09-25 2015-08-26 中山大学 改善颜色空间分布和出光效率多峰光谱led及制作方法
US9117757B2 (en) 2012-10-16 2015-08-25 Brewer Science Inc. Silicone polymers with high refractive indices and extended pot life
CN103131189B (zh) * 2013-01-05 2014-11-05 中科院广州化学有限公司 Led封装用无机/有机杂化纳米复合材料及其制备方法
SG11201508122UA (en) 2013-04-01 2015-10-29 Rensselaer Polytech Inst Organic phosphor-functionalized nanoparticles and compositions comprising the same
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
USD758976S1 (en) 2013-08-08 2016-06-14 Cree, Inc. LED package
FR3015772B1 (fr) * 2013-12-19 2017-10-13 Aledia Dispositif optoelectronique a diodes electroluminescentes a extraction de lumiere amelioree
USD790486S1 (en) 2014-09-30 2017-06-27 Cree, Inc. LED package with truncated encapsulant
USD777122S1 (en) 2015-02-27 2017-01-24 Cree, Inc. LED package
USD783547S1 (en) 2015-06-04 2017-04-11 Cree, Inc. LED package
US10287397B2 (en) 2015-07-27 2019-05-14 Dow Corning Corporation Polyorganosiloxane compositions with metal based N-heterocyclic carbene condensation reaction catalysts and methods for the preparation thereof
WO2017136711A1 (en) * 2016-02-04 2017-08-10 Pixelligent Technologies Llc Nanocomposite formulations for optical applications
US9933577B2 (en) 2016-03-11 2018-04-03 Globalfoundries Inc. Photonics chip
KR101841616B1 (ko) * 2016-05-18 2018-03-23 한국과학기술원 반도체 나노결정 실록산 복합체 수지 조성물 및 그 제조방법
KR102322016B1 (ko) 2016-06-01 2021-11-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN107452752A (zh) * 2016-06-01 2017-12-08 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
GB2566975B (en) * 2017-09-29 2020-03-25 De La Rue Int Ltd Security Device And Method Of Manufacture Thereof
GB201911130D0 (en) * 2019-08-05 2019-09-18 Qinetiq Ltd MAterials and methods

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6949400B2 (en) * 2002-01-25 2005-09-27 Konarka Technologies, Inc. Ultrasonic slitting of photovoltaic cells and modules

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130106587A (ko) * 2012-03-20 2013-09-30 공주대학교 산학협력단 발광소자 봉지재용 조성물 및 발광소자

Also Published As

Publication number Publication date
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WO2006060141A2 (en) 2006-06-08
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JP2008520810A (ja) 2008-06-19
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CN101084112A (zh) 2007-12-05

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