TW200835765A - Optical bonding composition for LED light source - Google Patents

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200835765 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於LED光源，且尤其係關於具有使用光學黏 合組合物黏合於LED晶粒之光學元件之LED光源。 【先前技術】 LED光源具有提供習知光源之亮度、輸出及操作壽命之 • 固有潛力。不幸地，LED光源在常稱為LED晶粒之半導體 材料中產生光，且可難以自LED晶粒有效地提取光而不大 ® 體上降低LED光源之亮度或增加LED光源之表觀發射面 積。該困難常歸因於LED晶粒（折射率η，2·4或更大）與空 氣（η= 1)之間的大折射率錯配，以致大部分在LED晶粒中所 產生之光全部在内部反射且不能脫離晶粒，因此降低亮 度。 用於自LED晶粒提取光之先前方法包括使用密封LED晶 粒之密封劑。密封劑通常具有比空氣更高之折射率（對典 0 型環氧樹脂密封劑而言，η約1.5)，以便晶粒與其環繞物之 介面處之折射率錯配降低。因此，較少光浪費且光源變 亮。然而，存在對效率及亮度之進一步改良之需要。另 . 外，密封劑對自在LED晶粒處產生之熱之大的溫度移動敏 ^ 感，其引起可在許多次溫度循環内損壞晶粒之應力。密封 劑亦可隨時間變黃且另外降解。 提取器亦可用以自LED晶粒提取光。該等光學元件通常 為透明聚合物或玻璃且經安置與LED晶粒之表面接觸或緊 接於LED晶粒之表面。提取器及LED晶粒經光學耦合以便 126897.doc 200835765 自led晶粒提取光。提取器通常具有輸入表面，其經上膠 及成I以大體上與；LED晶粒之主發射表面配合。然而，提 取器之使用已受到將提取器及LED晶粒黏合之固難之阻 礙。已知黏合方法需要高溫（大於35(rc)及壓力，兩者可消 - 極影響led光源之功能性。已知黏合方法亦需要涉及諸如 . 化學氣相沈積、各種形式之磊晶法等等之製造方法，其限 制該等方法選擇應用之有效性。 ^ 【發明内容】 本文中揭示的為光學黏合組合物及包含該組合物之LEd 光源。LED光源可包含：LED晶粒；光學耦合於led晶粒 之光學元件；及黏合層，其包含於非晶形矽酸鹽網狀物中 之、’二表面改貝之金屬氣化物奈来粒子，該黏合層將led晶 粒及光學元件黏合在一起。非晶形矽酸鹽網狀物可衍生矽 酸鹽、矽烷、矽酸、矽酸之聚合形式、烷氧基矽烷或其組 合。經表面改質之金屬氧化物奈米粒子包含金屬氧化物奈 • 米粒子及表面改質劑。有效金屬氧化物奈米粒子包括氧化 锆、二氧化鈦、氧化鋅、氧化鈕、氧化鈮、氧化鑭、氧化 '氧化铪 '氧化錫 '氧化錄及其組合。亦可使 - 帛上述之混合氧化物。在-特定實例中’金屬氧化物奈米 * 粒子包含具有大於約h8之折射率之結晶氧化錯奈米粒 子。有效表面改質劑包括缓酸、膦酸、燒氧基石夕烧或其組 合或混合物。光學元件通常為藉由促進光自㈣晶粒内部 脫離來增加光源之效率之光學提取器。 本文中亦揭示的為製造LED光源之方法，該方法包含： 126897.doc 200835765 a)提供LED晶粒；b)提供光學元件；c)提供包含經表面改 質之金屬氧化物奈求粒子之光學黏合組合物及呈具有pH大 於約8之水溶液之矽來源，該矽來源選自由矽酸鹽、石夕 烷、矽酸、矽酸之聚合形式、烷氧基矽烷及其组合組成之 群；及d)藉由使LED晶粒及光學元件與光學黏合組合物接 觸將LED晶粒及光學元件黏合在一起。 本文中揭示之LED光源可適用於各種光應用，諸如用於 背光標記及可為邊緣點亮或直接點亮之液晶顯示器。本文 中揭示之LED光源亦可用作用於以下者之光源：LED標 誌、汽車應用、投影應用及包括建築、氣氛照明及藝術照 明之全面照明。 本發明之該等及其他態樣將自下文之實施方式而為明顯 的。然而，決不應將上述概要解釋為對所主張之標的之限 制’該標的僅僅藉由附加申請專利範圍定義，如可在檢控 期間修正。 【實施方式】 圖1展示示範性LED光源100之截面示意圖，該LED光源 包含藉由黏合層106黏合在一起之LED晶粒102及光學元件 1〇4。黏合層包含於非晶形矽酸鹽網狀物中之經表面改質 之金屬氧化物奈米粒子。一般而言，LED晶粒及光學元件 經光學耦合以便藉由LED晶粒發射之光能夠傳播且達到光 學元件。光學元件可為提取器，光可進入其中且視元件之 特定性質而以各種方式退出。 為簡化，LED晶粒一般性地展示於圖丨中，但可包括此 126897.doc 200835765 項技術中已知之習知設計特徵。舉例而言，LED晶粒可包 括相異p型及η型之半導體層，其通常係由包括以下者之 III· V半導體形成：氮化物，諸如AIN、GaN、InN ;麟化 物，諸如 InGaP、Α1Ρ、GaP、InP ;及其他，諸如 AlAs、 GaAs、InAs、AlSb、GaSb 及 InSb。LED 晶粒亦可自 II-VI 半導體，諸如ZnS、ZnSe、CdSe及CdTe ;第IV族半導體 Ge、Si及諸如SiC之碳化物形成。LED晶粒亦可包含緩衝 層、基板層及頂置板層。LED晶粒之折射率在其所存在之 光源之典型發射波長下係在約1.7至約4.1之範圍内變化。 儘管展示矩形LED晶粒，但是亦涵蓋其他已知組態，諸 如具有形成截斷倒轉錐形之成角侧表面之LED晶粒。為簡 化未圖示與LED晶粒之電接點，但其可提供於任何一或多 個表面上以施加激勵裝置之功率。實例包括回焊、導線黏 合、捲帶式自動黏合（TAB)或覆晶黏合。組件或晶片之個 別層及其他功能性元件通常以晶圓級來形成，且完成之晶 圓可隨後分割成個別單一零件以產生複數個LED晶粒。 LED晶粒可經配置而用於表面安裝、板載晶片或其他已知 安裝組態。 本文中揭示之光學元件係由具有相對高折射率之固體、 透明材料製得。用於光學元件之適合材料包括諸如光學玻 璃之無機材料，例如可購自Schott North America，Inc.之 Schott 玻璃 LASF35 型或 N-LAF34型，及 US 第 11/381518 號 (Leatherdale等人）中所述之彼等者，其揭示案係以引用之 方式併入本文。其他適合的無機材料包括陶瓷，例如藍寶 126897.doc 200835765 石、氧化鋅、氧化锆、金剛石及碳化矽。該金 J^貝石、氧化 辞、金剛石及碳化矽為尤其有效的，因為該等材料亦I 相對高之導熱率（0.2-5.0 W/cm K)。光學元件亦具有 固性高指數聚合物，諸如丙烯酸聚合物、環氧樹# $

氧、聚碳酸酯及聚環（polycyclic)，或熱塑性高指數聚人 物，諸如聚碳酸酯及環狀烯烴。光學元件可包含與勺括= 化锆、氧化鋅、二氧化鈦及硫化辞之陶瓷奈米粒子組合= 熱固性或熱塑性聚合物。 在LED晶粒之發射波長下，提取器之折射率可為至小約 1 _5 ’例如，大於約1.8或大於約2。在一實例中，光學元件 之折射率可與LED晶粒之光發射表面之彼者相同，幾乎相 同或不大於LED晶粒之光發射表面之彼者。其將允許光之 最大提取。舉例而言，折射率可在約〇2之内。或者，提 取器之折射率可大於或小於LED晶粒之光發射表面之彼 者。舉例而言，若LED晶粒之光發射表面為丨75，則提取 态可具有1·7、1·75、1·9、2·1或2.3之折射率。 在一實例中，光學元件包含一具有至少約1.7之折射率 之光學玻璃。在另一實例中，如US第11/；381518號 (Leatherdale等人）中所述，光學元件包含具有至少約2.〇， 較仏至少2· 1、2.2或2.3或更高之折射率之玻璃或玻璃陶究 材料。一般而言，該等材料包含小於2〇重量％之82〇3，小 於20重量％之Si〇2及小於40重量％之p2〇5。在一些狀況 下’以下材料限於小於20重量％ : As203、Bi2〇3、Ge02、 NaO、Te02、V205、Si02、B2〇3& P2〇5。有效玻璃或玻璃 126897.doc -10- 200835765 陶瓷材料包含至少2種金屬氧化物，諸如八丨2〇3 ; Ti〇2 ;稀 土金屬氧化物；或鹼土金屬氧化物。該等材料之結晶溫度 τχ較佳為在其玻璃轉移溫度\以上至少，其促進材料 成形為光學元件。 光學7G件之一實例為可用以將光提取出LED晶粒之提取 裔。一般而言，提取器改質光之角分布，將第一光發射圖 案轉變成第二 '不同之光發射圖案。視提取器之形狀而 疋，發射光之圖案通常係在前進方向上且可為圍繞提取器 之圓形，或對側面而言，呈一些對稱或非對稱分布。 光學元件可包含如US第11/3 81324號（Leatherdale等人）中 所述之聚光提取器，其揭示案係以引用之方式併入本文。 聚光提取器具有至少一個聚光側面、基底及頂端，頂端經 女置至少部分在该基底之上且具有小於基底之彼者之表面 積，且至少一個聚光側面自基底朝向頂端聚光。聚光提取 器之幵> 狀可為錐體、多面體、楔狀、錐形狀等等或其一些 組合。基底可具有任何形狀，例如正方形、圓形、對稱 形、非對稱形、規則或不規則形。頂端可為點、線或平坦 或圓形表面，且其以基底之中心為中心或偏斜遠離基底之 中、、而位於基底之上。就聚光提取器而言，基底通常經安 置相鄰於且通常平行於led晶粒。又，基底及LED晶粒可 大體上在尺寸上匹配，或基底可比LED晶粒更小或更大。 圖2a-2d展示示範性聚光提取器之透視圖：圖仏展示斗側 面錐形；圖2b展示6側面多邊形；及圖2c&2d展示楔形， 其中頂端（線)安置於基底之上，頂端分別以該中心為中心 126897.doc 200835765 及偏斜遠離該中心。圖2d中所示之提取器亦具有2個起準 直光作用之散光側面，且聚光側面允許光重定向於該等側 面。聚光提取器之其他實例展示於美國申請案第 11/381324號（Leatherdale等人）中。 光學元件可包含如美國申請案第2〇〇6/〇〇91784

Al(Comi〇r 等人）、2006/009141 1 Al(〇uderkirk 等人）、 2006/0091798 Al(〇uderkirk 等人）及 2006/0092532 A1 號 (Ouderkirk等人）中所述之散光提取器，該等申請案之揭示 案以引用之方式併入本文。散光提取器具有至少一個散光 側面、輸入表面及比輸入表面更大之輸出表面。散光提取 器通常成形成錐形形式。圖3a-3c展示示範性散光提取 器：圖3 a展示具有4個側面之截斷反向多邊形之透視圖； 圖3b展示具有拋物線側壁之截斷反向錐形之透視圖；且圖 3 c展示具有凸輸出表面之截斷反向錐形之截面示意圖。 散光提取器之實例亦展示於先前US第11/3 8 1 5 18號 (Leatherdale等人）中所述之圖4a及4b中。該等提取器之表 面經排列以將來自LED晶粒之光重定向於佔優勢之側向方 向上，而非沿LED晶粒之中心軸之前進方向上。侧面發射 LED尤其適於用於液晶顯示器面板之稀薄直接點亮背光， 因為可使光在短距離内橫向傳播，避免亮區及暗區或橫過 顯示器之觀察區域之熱點。 圖4a為楔形提取器400之圖解側視圖。提取器4〇〇具有輸 入表面402、輸出表面404及側表面406a及406b。輸入及輸 出表面可以彼此成實質角度，標稱約9〇度來安置。在該排 126897.doc -12· 200835765 列下’經由輸入表面進入之光線408a反射出側表面之一或 兩者（無論藉由全内反射還是藉助於反射性材料或塗層， 未圖示）且如藉由光線408b所表示，大致側向重定向。隨 後光線408b經由輸出表面退出。提取器4〇〇自俯視圖之形 狀或周邊可採用包括矩形、梯形、餅狀、半圓或其任何組 合之各種形式之任何形式。

圖4b為另一楔形提取器4 10之圖解側視圖。提取器41〇具 有輸入表面412、輸出表面414及側表面416。提取器41〇可 具有提取器400之形狀，其關於與側表面4〇6a一致之垂直 軸旋轉。在一些狀況下，提取器可藉由將2個提取器400在 其各別側表面406a處連接而製造成複合建構。在不同複合 建構中，假想線418表示製成提取器41 〇之相異光學體之間 的可能介面或邊界。 相似於提取器4〇〇，提取器41〇之輸入及輸出表面以彼此 成實質角度，標稱約90度來安置。來自LED之經由輸入表 面進入之光反射出一或兩個側表面（無論藉由全内反射還 是藉助於反射性材料或塗層，未圖示）且大致側向重定 向，隨後經由輪出表面退出。自俯視圖（未圖示），提取器 410可具有包括（例如）多角形（例如正方形或矩形）、圓形及 橢圓形之許多形狀之任何形狀。具有圓形及橢圓形或圓周 時，經由輸入表面進入之光經重定向以形成輸出光之環。 至於聚光提取器’散光提取器之輸人表面通常經安置最 接近於且通常平行於LED晶粒。又，輸入表面及咖晶粒 可大體上在尺寸上匹配’或輸人表面可比LED晶粒更小或 126897.doc -13- 200835765 更大。散光提取器之其他實例描述於US 7,009,213 B2及 US 6,679,621 B2 中。

如上所述，LED晶粒包含交替半導體層。最外層之一可 稱為光發射層且該層具有可稱為光發射表面之最外表面。 亦如上所述，光學元件包含光輸入表面。在一有效組態 中，LED光源包含黏合在一起之LED晶粒及光學元件，以 便光發射表面及光輸入表面如（例如）圖1中所示與黏合層接 觸。 光學黏合組合物係用以形成黏合層。光學黏合組合物包 含經表面改質之金屬氧化物奈米粒子；及呈具有pH大於約 8之水 >谷液之碎來源。梦來源可包含梦酸鹽、梦烧、梦 酸、矽酸之聚合形式、烷氧基矽烷或其組合。溶於水中之 矽石可用以形成矽酸，即Si(OH)4，其在矽石之水合作用 後發生。藉由將pH保持大於約8，聚合縮合藉由氫氧化物 離子催化，形成矽酸之聚合形式。矽酸鹽可藉由將pH增加 (例如）至大於約8或至大於約11來形成。 光學黏合組合物可包含一或多種具有下式之烷氧基石夕 烷： (R^x-Si-COR2^ 其中R1可為烷基、醇、聚二醇或聚醚基團，或其組合或混 合物；R2可為燒基、乙醯氧基或甲氧基乙氧基基團，或其 混合物；x=0至3 ; y=l至4，其限制條件為x+y=4。可添加 -或多種烧氧基我以降低交聯密度且將可撓,&加於石夕酸 鹽網狀物。 126897.doc -14 - 200835765 光學黏合組合物可包含一或多種具有下式之石夕燒： (R^x-Si-Hy 其中R1可為烷基、醇、聚二醇或聚醚基團，或其組合或混 合物；x=l至3 ; y=l至3，其限制條件為χ+产4。 各種材料可用以調整光學黏合組合物之pH。實例包括強 • 驗’諸如氫氧化納、氫氧化鉀、氫氧化舞、氫氧化認、氯 氧化銨及乙醇鈉。若希望減慢氫氧化物催化作用，則亦可 使用诸如聚偏鱗酸納之弱驗。 當LED晶粒及光學元件黏合在一起時’形成咖晶粒與 光學元件之間的黏合層。據信，光學黏合組合物經歷反應 以形成矽酸鹽網狀物。反應可藉由施加熱來加速。矽酸鹽 網狀物係指相似於矽石之整體結構但比其更疏鬆之化學ς 結網狀物。矽石之三維結構係基於矽氧烷橋接（si_〇_Si)， 各矽原子在四面體幾何形狀中鍵結於4個氧原子。同矽石 -樣’石夕酸鹽網狀物包含石夕氧烧橋接，然而，石夕酸鹽網狀 • 物亦包含在網狀物内部作為局部終止基團之經嵌入及/或 經暴露非橋接氧。非橋接氧以錢醇基團⑻领)形式存 在或以具有陽離子’通常為金屬陽離子之更具陰離子性之 - 形式（δί-αΜ+)存在。矽酸鹽網狀物之進一步討論可見於 -(例如）由R· K. Iler之…外〇/似心⑽ York 1979) 〇 光學組合物亦包含經表面改質之金屬氧化物奈米粒子。 經表面改質之金屬氧化物奈米粒子可包含選自由以下者组 成之群之金屬氧化物奈米粒子：氧化錯、氧化鈦、氧化 126897.doc -15 - 200835765 鋅、氧化组、氧化銳、氧化鑭、氧化錯、氧化紀、氧化 2乳化錫、氧化錄及其組合。金屬氧化物奈米粒子亦可 =至少2種選自由以下者組成之群之金屬氧化物之混合 至屬乳化物奈米粒子：氧化石夕、氧化铭、氧化錯、氧化 鈦、乳化鋅、氧化组、氧化銳、氧化鑭、氧錢、氧化紀

。氧化鈦奈米粒子可具有金紅石或銳鈦礦形式。 混合金屬氧化物奈米粒子之特定實例包括包含氧化石夕及氧 ，錯，氧切及氧化鈦；及氧切、氧化錯及氧化欽之彼 等屬乳化物奈米粒子。所使用之特^金屬氧化物奈 子視諸如折射率、於光學組合物中之相容性、成本等 等之各種因素而定。 、金屬氧化物奈米粒子經一或多種表面改質劑來表面改質 以增加金屬氧化物奈米粒子與黏合層及/或光學組合物中 之其他組分之相容性。舉例而言，氧化錘奈米粒子在具有 PH為^至4之酸性水溶液環境中為敎的，且表面改質可用 以保護抵抗奈米粒子於光學組合物之驗性水溶液環境中之 絮凝。表域質涉及金屬氧化物㈣粒子與連接於奈米粒 子之表面且改f其表面特徵之表面改質劑的反應。 表面改質劑可藉由式A_B表示，其巾團能夠連接於 金！乳化物奈米粒子之表面’且3基團為相容基團…般 而吕’A基團需要藉由考慮特定金屬氧化物及光學組合物 之性質來選擇’亦即，經表面改質之金屬氧化物奈米粒子 應為穩定的’以便在高驗性環境巾維持相容性。有效A基 團包括羧酸、膦酸、烷氧基矽烷、胺及其組合及混合物。 126897.doc -16- 200835765 示 烷氧基矽烷可藉由下式表 _Si_(〇R3)z 其中R3為烧基、乙酿鑛f 且Z=1至3。 聽、甲氧基乙氧基，或其混合物； B 有效B基團為親水性基 容於光學組合物中；、團^其使金屬氧化物奈米粒子相 質劑之實例包括聚乙烯俨 來岵表面改 •，諸如2-[-2-(2_甲氧：:：：烧及似聚乙烯之缓酸衍生 #乙氧基）乙酸。 土 *土）乙乳基]乙酸及（2-甲氧基 經表面改質之金屬氧化物太 物不未粒子具有小於光波長，例 如’小於約300 nm之平均粒徑。 經表面改質=金屬氧化物奈米粒子可以重量計以大於石夕 來源之一半的量存在於弁風如人％ a 、予、、且a物中。關於自將LED晶粒 及光學元件黏合在-起形成之黏合層，經表面改質之金屬 氧化物奈米粒子可以相對於黏合層之重量，約i至約95重 • *%之量存在。通常’希望具有相對於黏合層之總重量， 約40至約95重量％之經表面改質之金屬氧化物奈米粒子。 所使用之特定量如下文所述部分係藉由黏合層之所要折射 ^ 率所確定。若奈米粒子於黏合層中之量太大，則（然 κ 而）LED晶粒與光學元件之間難以獲得適合黏合，且另外 LED光源之效率可能受損。 詳言之，經表面改質之金屬氧化物奈米粒子包含具有至 少約1.8，較佳至少約2·〇之折射率之高結晶氧化鍅奈米粒 子，諸如U.S· 6,376,590 Β2中所述之奈米粒子，其揭示案 126897.doc -17- 200835765 係以引用之方式併入本文。高結晶氧化錯奈米粒子可藉由 用上文針對式Α韻述之燒氧基钱中之—或多者進行表 面改質而併入光學組合物中。高結晶氧化錯奈米粒子具有 小於約100 nm之平均粒徑。 ‘ 上文所述之氧化錯奈米粒子之折射率係遠高於非晶形氧 ^之彼者。當併人料鹽網狀物中以得到非晶形石夕酸鹽 網狀物時，氧化錯奈米粒子提供黏合層之折射率之增加。 •=此’黏合層之光學性質可如下文所述般，視欲黏合之特 疋LED晶粒及光學元件而訂製。詳言之，石夕酸鹽網狀物之 f射率為約1.4 ’且對經表面改f之氧化錯奈米粒子而 言’其為約1.8至約2.1。經表面改質之金屬氧化物奈米粒 子亦可包含具有大於約2. 〇，且較佳大於約2 2之折射率之 結晶氧化鈦奈米粒子。 led光源之效率直接與LED晶粒及光學元件光學耦合之 私度有關。應〉主意，在整個本揭示案中，關於LED晶粒之 • 折射率係指LED晶粒之光發射層之折射率。]LED晶粒及光 予元件光學耦合之程度係視包括黏合層之厚度及黏合層、 LED晶粒及光學元件之折射率等若干因素而定。一般而 a，當黏合層之厚度大體上小於發射光於空氣中之波長， - 例如小於約50 nm時，黏合層之折射率對LED晶粒與光學 元件之間的光學耦合而言為較不重要的。隨著厚度增加， 對於光學耦合而言，黏合層之折射率的重要性逐漸增加。 黏合層可具有小於50 nm之厚度，但其通常大於約5〇 nm，例如高達約2〇〇 11111或3〇〇 ，或甚至高達。瓜或 126897.doc -18- 200835765 nm至約 300 nm 或大於約50 100 urn。黏合層可具有約5 nm至約1〇〇 um之厚唐0盔田从τ 。 為取it化LED晶粒與光學元件之間 的光學麵合，黏合層在第—表面與第二表面間之接觸面積 上的厚度理想地為大體上均勻的。黏合層之最小必要厚度 可視欲黏合表面之平坦性或不規則性而定。

、為最佺化效率，黏合層之折射率接近地匹配於LEd晶粒 (或如上所述之光發射層）之光發射表面之彼者，例如在約 0.2以内。若黏合層之折射率太低，貝g藉由led晶粒發射之 光變成陷於晶粒中的，且即使黏合層自身為不吸收的，光 亦損失於吸收。藉由增加黏合層之折射率達到光發射層之 彼者，藉由LED發射之光之較大部分可耦合出晶粒且即使 黏合層吸附一部分發射光，光亦進入光學元件中。 如上所述，在LED晶粒之發射波長下，LED晶粒或光發 射層之折射率在約1.7至約之範圍内變化。不具有經表 面改質之金屬氧化物奈米粒子之非晶形矽酸鹽網狀物的折 射率為大於約1.4。經表面改質之金屬氧化物奈米粒子係 用以將折射率增加高達約2.4。在一實例中，在LED晶粒之 發射波長下，黏合層之折射率為至少約丨·5，例如，大於 約1·8，或大於約2。 在一特定實例中，LED晶粒包含具有大於1.9之折射率之 光發射層，及具有約50 nm至約100 um之厚度之黏合層。 在另一實例中，LED晶粒包含具有小於或等於1 ·9之折射率 之光發射層，及具有大於約5 nm至約300 nm之厚度之黏合 層0 126897.doc -19- 200835765 黏合層對藉由LED晶粒發射之特定波長之光而言為大體 上透明的。在大多數狀況下，至少約70%之透射率為理想 的且可藉由最佳化傳輸路徑長度（黏合層厚度）及吸收常數 來獲得。 本文中亦揭示的為製造LED光源之方法，該方法包含： =提供LED晶粒；b)提供光學元件；e)提供包含經表面改 質之金屬氧化物奈米粒子之光學黏合組合物及呈具有pH大 於約8之水溶液之矽來源，該矽來源選自由矽酸鹽、矽 烷：矽酸二矽酸之聚合形式、烷氧基矽烷及其組合組成之 群，及d)猎由使LED晶粒及光學元件與光學黏合組合物接 觸將LED晶粒及光學元件黏合在一起。 光學組合物可使用節流吸管’或藉由浸塗、旋轉塗佈、 氣溶膠分配、傾倒、分散、在水中噴霧，或藉由在光學組 合物之浴中將表面連接’或藉由其他相似方法而應用於 led晶粒、光學元件或兩者之—或多個表面。隨後，使表 :達到接觸以夾人光學組合物，以便組合物傳播橫過該等 =各者且形成均質層。若泡形成’則其可藉由施加真 工-移除。隨後’使組件在室溫下靜置直至其可操作而無 黏合斷裂；其可為若干分鐘 ' 丁里主右干天。外部壓力或直空可 用以加速黏合方法及/或促進良好黏合。 /、 而可熱以加速黏合層之形成及/或加強黏合層，然 而，組件之溫度必須保持在組分之 溫度以下。通常使用小於約300〇 二、 矛 20n〇r 々，、 皿度，例如，小於約 ，”、於或等於15(TC。希望使用最低可能溫度以最 126897.doc -20- 200835765 小化殘餘應力及在介面處藉由LED晶粒及光學元件之熱膨 脹係數之差異而引起的雙折射。在一些狀況下，必須小心 操作以便黏合層之溫度不超過將在操作光源期間所達到之 溫度。 實例 實例 經表面改質之氧化锆奈米粒子係藉由以提供每公克之氧 化锆1.2 mmol之矽烷之比率，將氧化锆溶膠與聚乙二醇三 烧氧基石夕烧（來自 GE Advanced Materials 之 Silquest® A 1230)混合來製備。將混合物加熱至80°C歷時4小時且冷卻 至室溫。隨後，將所得溶膠添加至矽酸鈉之40重量％溶液 (來自 EMD Chemicals Inc·之 Titri star® SX-0755-6)中以產生 為0.4:1之矽酸鈉：氧化錯之比率。 在上述溶液旋塗於塗有底料之（primed) PET上且在15 (TC 下乾燥1小時。所得薄膜之折射率使用來自Metricon Corp 之Metricon稜鏡耗合器2010型量測為1.7。亦將未添加氧化 锆奈米粒子之矽酸鈉溶液之薄膜旋塗於塗有底料之PET上 且在150°C下乾燥1小時。無氧化锆奈米粒子之該薄膜之平 均折射率再使用Metricon量測未1.5。 上文所述之經表面改質之氧化锆奈米粒子於矽酸鈉中的 溶液係用以將來自〇!Hara Corporation之S-LAH-66黏合於 經拋光之藍寶石（Rubicon Technology)。玻璃及藍寶石藉由 於丙酮接著異丙醇中之超聲波處理來清潔。用N2將板乾燥 且使用對uv/臭氧清潔系統之10分鐘曝露來移除有機殘餘 126897.doc -21 - 200835765 物。將具有S-LAH-66之板置放於光阻劑旋轉器上且將工滴 氧化锆/矽酸鈉溶液置放於玻璃板之中心。在4〇〇 rpm下將 板旋轉30秒。使藍寶石之清潔、經拋光之片材與s_lah_66 玻璃表面接觸。施加適度壓力歷時3〇秒。使所連接之樣本 在室溫下靜置1小時。隨後，以rc/min將所連接之樣本加 熱至15 0 C ’且保持1小時’接著以2°c /min冷卻。 使用不添加經表面改質之氧化鍅奈米粒子之水玻璃溶 液，重複上文所述之連接實驗。矽酸鈉於溶液中之濃度係 藉由在DI水中之稀釋而保持與先前實例中相同（6重量％石夕 酸鈉）。再次，將薄膜旋塗於具有S—LAH-66玻璃之清潔板 上。將藍寶石之經拋光板置放於玻璃之頂部且施加適度壓 力歷時30秒。再次使所連接之樣本在室溫下靜置1小時， 接著在150°C下熱處理1小時（以i°c/min加熱）。 冷卻至室溫後，具有經表面改質之氧化鍅之樣本及僅具 有石夕酸納之樣本的黏合強度足夠高以允許操作而不破壞玻 璃與藍寶石之間新形成之黏合。 比較實例 與石夕酸納混合而無表面改質之氧化錯溶膠 將石夕酸鈉溶液添加至不先於PEG-石夕烧中將氧化錯表面改 質之氧化锆溶膠中。矽酸鹽與Zr〇2之比率再次設定在 0·4·· 1。氧化錯粒子直接落出溶液，在溶液中形成大的白色 凝塊（clump)。 本發明之各種修改及改變將在不脫離本發明之主旨及範 疇時，對熟習此項技術者而言，變得明顯。應瞭解，本發 126897.doc -22- 200835765 明不欲藉由本文中陳述之說明性實施例及實例而不適當地 限制，且該等實例及實施例僅舉例呈現，本發明之範疇欲 僅僅藉由如下在本文中陳述之申請專利範圍來限制。 【圖式簡單說明】 圖1展示示範性LED光源之截面示意圖。 圖2a-2d展示示範性聚光提取器。 圖3a-3c及4a-4b展示示範性散光提取器。 【主要元件符號說明】 100 LED光源 102 LED晶粒 104 光學元件 106 黏合層 400 、 410 提取器 402 > 412 輸入表面 404 > 414 輸出表面 406a、406b ' 416 側表面 408a ' 408b 光線 418 假想線 126897.doc -23 -

Claims (1)

1. 200835765 十、申請專利範圍： 1. 一種LED光源，其包含： 一 LED晶粒； 一光學耦合於該LED晶粒之光學元件；及 一黏合層，其包含於一非晶形石夕酸鹽網狀物中之經表 面改質之金屬氧化物奈米粒子，該黏合層將該LED晶粒 ' 及該光學元件黏合在一起。 2. 如請求項1之LED光源，該非晶形矽酸鹽網狀物係衍生自 W 矽酸鹽、矽烷、矽酸、矽酸之聚合形式、烷氧基矽烷或 其組合。 3. 如請求項1之LED光源，該等經表面改質之金屬氧化物奈 米粒子包含選自由以下者組成之群之金屬氧化物奈米粒 子：氧化锆、氧化鈦、氧化鋅、氧化钽、氧化鈮、氧化 鑭、氧化锶、氧化釔、氧化铪、氧化錫、氧化銻及其組 合0 0 4.如請求項1之LED光源，該等經表面改質之金屬氧化物奈 米粒子包含至少2種選自由以下者組成之群之金屬氧化 物之混合金屬氧化物奈米粒子：氧化石夕、氧化銘、氧化 ^ 錯、氧化鈦、氧化鋅、氧化钽、氧化銳、氧化鋼、氧化 锶、氧化釔、氧化铪、氧化錫、氧化銻及其組合。 5. 如請求項4之LED光源，該等混合金屬氧化物奈米粒子包 含氧化矽及氧化锆。 6. 如請求項4之LED光源，該等混合金屬氧化物奈米粒子包 含氧化矽及氧化鈦。 126897.doc 200835765 7. 如請求項4之LED光源，該等混合金屬氣化物奈米粒子~ 含氧化矽、氧化鍅及氧化鈦。 I 8. 如請求則之㈣光源，該等經表面改質之金屬氧化物太 米粒子包含具有大於約L8之折射率之結晶氧化錯: 子。

   如請求机㈣光源，該等經表面改質之金屬氧化物奈 米粒子包含具有大於約2.0之折射率之結晶氧化欽奈米: 子。 如請求項1之LED光源，該等經表面改質之金屬氧化物奈 米粒子係經表面改質劑表面改質，該表面改質劑包含& 水性基團。 11·如請求項1之LED光源，該等經表面改質之金屬氧化物奈 米粒子係經表面改質劑表面改質，該表面改質劑包含羧 酸、膦酸、烷氧基矽烷或其組合或混合物。 12·如請求項11之LED光源，該烷氧基矽烷包含聚乙二醇烷 氧基珍烧。 13·如請求項1之LED光源，該黏合層包含約4〇至約95重量％ 之該等經表面改質之金屬氧化物奈米粒子。 14·如睛求項1之LED光源，該LED晶粒包含具有大於1.9之 折射率之光發射層，且該黏合層具有約5〇 nm至約100 um之厚度。 15 ·如請求項1之led光源，該LED晶粒包含具有小於或等於 1.9之折射率之光發射層，且該黏合層具有大於約5 nm至 約300 nm之厚度。 126897.doc 200835765 16·如請求項iiLED光源，其中該LED晶粒包含一光發射表 面’該光學元件包含一光輸入表面且該黏合層將該光發 射表面及該光輸入表面黏合在一起。 17·如請求項iiLED光源，該光學元件具有至少約2.0之折 射率。 18·如請求項iiLED光源，該光學元件包含具有至少約1.7 之折射率之光學玻璃。 19·如請求項1之LED光源，該光學元件包含一散光或聚光提 取器。 2〇· —種製造一LED光源之方法，該方法包含： a) 提供一 LED晶粒； b) 提供一光學元件； c) 提供光學黏合組合物，其包含經表面改質之金屬氧 化物奈米粒子及呈具有大於約8之pH值之水溶液形式 的石夕來源，該石夕來源係選自由石夕酸鹽、石夕烧、石夕 酸、矽酸之聚合形式、烷氧基矽烷及其組合組成之 群；及 d) 藉由使該LED晶粒及該光學元件與該光學黏合纟且合 物接觸’將該LED晶粒及該光學元件黏合在^一起。 21·如請求項20之方法，其中將該led晶粒及該光學元件與 該光學黏合組合物接觸係在室溫下進行。 22·如請求項20之方法，其中自將該led晶粒及該光學元件 黏合在一起而形成一組件，且該方法另外包含加熱該組 件0 126897.doc 200835765 23 · —種光學黏合組合物，其包含： 經表面改質之金屬氧化物奈米粒子；及 呈具有大於約8之pH值之水溶液形式的;ε夕央屯 水/原，該矽 來源包含矽酸鹽、矽烷、矽酸、矽酸之聚合形式、、― 工、x燒氣 基石夕烷•或其組合。 24·如請求項23之光學黏合組合物，其中該等經表面改質之 金屬氧化物奈米粒子以重量計係以大於該石夕來源之一半 之量存在。 25·如請求項23之光學黏合組合物，該等經表面改質之金屬 氧化物奈米粒子包含經聚乙二醇烷氧基矽烷表面改質之 氧化錯。

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