200831203 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種基板處理裝置及基板處理方法。作為 •處理對象之基板中，例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置 用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission D i sp 1 ay，％發射顯示為）用基板、光碟用基板、磁碟用基 板、光磁碟用基板、以及光罩用基板等。 【先前技術】 ❿ 於半導體裝置或液晶顯示裝置之製造步驟中，對半導體 晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板之表面進行清洗 處理。用以清洗基板之基板處理裝置例如具備：旋轉夾 盤，使基板保持為水平並使其旋轉；以及清洗液噴嘴，對 保持於旋轉夾盤上之基板之表面供給清洗液。 自清洗液喷嘴對透過旋轉夾盤而旋轉之基板之表面的 方疋轉中心附近供給清洗液。自清洗液喷嘴所喷出之清洗液 φ受到基板旋轉之離心力而遍布基板表面之整個區域。藉 此，於基板之表面上，形成覆蓋該表面整個區域之清洗液 之液膜，對基板之表面進行清洗處理。 於經清洗處理之後，利用旋轉夾盤使基板以特定之高旋 轉速度旋轉。藉此’使清洗液之液膜朝基板之周圍甩開而 使基板乾燥。具體而言，對以特定之高旋轉速度而旋轉之 基板的上述表面之中心部（上述旋轉中心及其附近）自其 正上方供給乾舞用空氣’並自該中心部排除液膜，藉此使 基板乾燥（例如，曰本專利特開平7一 29866號公報）。 312XP/發明說明書(補件)/97-01/96138450 . 200831203 a然而，朝向基板之中心部喷出乾燥用空氣時，於基板之 方疋轉附近有時會殘留有液滴。即便使基板旋轉，離心 :成乎不㈢作用於旋轉中心附近，故上述液滴因乾燥用 2氣而被捕獲於旋轉中心附近，無法簡易地排除。因此， .9導致/月洗液之液滴一直殘留於基板中心部之表面之基 板經乾燥後，於基板中心部之表面產生水印等乾燥不良現 象尤其在經氫氟酸處理之基板或者表面形成有Low 一 k(低；丨包$數）膜之基板等表面為疏水性之基板上，易產 生乾燥不良現象。 【發明内容】 本發明之目的在於提供一種基板處理裝置及基板處理 方法，其可一邊抑制產生乾燥不良現象，一邊使基板均勻 地乾燥。 本發明之基板處理裝置包括：基板保持單元，用以將處 里對象之基板保持為大致水平；處理液喷嘴，用以對保持 _於上述基板保持單元的基板之主面供給處理液；氣體喷 嘴，用以對保持於上述基板保持單元的基板之主面供給惰 性氣體；氣體噴嘴移動單元，用以使上述氣體喷嘴沿著上 述主面移動；以及控制單元，其執行：液膜形成步驟，自 上述處理液噴嘴對由上述基板保持單元所保持的基板之 •主面供給處理液，藉此於上述主面之整個區域形成處理液 -之液膜；液膜去除區域形成步驟，自上述氣體噴嘴對形成 有上述液膜之上述主面供給惰性氣體，藉此於上述主面之 不包括中心之區域形成上述液膜被去除之液膜去除區 312Xp/發明說明書(補件)/97-01/96138450 7 200831203 域，液膜去除區域移動步驟，於上述液膜去除區域形成步 驟之後 邊自上述氣體噴嘴對上述主面供給惰性氣體， 故利用上述氣體喷嘴移動單元使上述氣體喷嘴移動，藉 此使上述液膜去除區域移動，以使上述中心配置於該液膜 •去除區域内；以及基板乾燥步驟，於上述液膜去除區域移 動步驟之後，使上述液膜去除區域擴大，藉此自上述主面 排除處理液而使基板乾燥。 籲對由基板保持單元保持為大致水平之基板之主面供給 處理液，以於上述主面之整個區域上形成處理液之液膜。 之後，自氣體喷嘴對形成有上述液膜之上㉛主面供給惰性 氣體，以於上述主面之不包括中心之區域上形成上述液膜 被去除之液膜去除區域。並且，於上述液膜去除區域形成 後，一邊自氣體喷嘴對上述主面供給惰性氣體，一邊利用 虱體喷嘴移動單元使氣體噴嘴移動，以使上 域朝上述主面之中心部（上述中心及其附近）移動'。去藉除此£ _使上述中心配置於上述液膜去除區域内。 根據該構成，於上述主面之不包括中心之區域預先形成 有上述液膜去除區域，並使上述液膜去除區域移動至上述 主面之包括中心之位置處。藉此，可抑制或防止利用供= 至上述主面之惰性氣體來捕獲該主面上之處理液。又，^ 使惰性氣體吐出時於基板之主面上產生液滴，該液滴亦會 .在液膜去除區域中移動之過程中由主面上之液膜所^ 收。因此，可抑制上述主面上之液滴一直蒸發而產生乾燥 不良現象。 ^ 312XP/發明說明書(補件)/97-01/96138450 200831203 於上述液膜去除區域移動之後，使該液膜去除區域擴 大，藉此可自上述主面上排除處理液以使基板乾燥。此 時，上述液膜去除區域配置於上述中心部，該液膜去除區 域内並未存在處理液。因此，可自上述中心部可靠地排除 處理液，並且可抑制於上述液膜去除區域内產生乾燥不良 現象。藉此，可一邊抑制於上述主面上產生乾燥不良，一 邊使上述基板均勻地乾燥。
較佳為，上述控制單元於上述液膜去除區域形成步驟及 液膜去除區域移動步驟中，使處理液自上述處理液喷嘴供 給至上述主面。如此一來，於上述液膜去除區域形成步驟 及液膜去除區域移動步驟中，自上述處理液喷嘴對上述主 面供給處理液。由此，上述主面上保持有較多處理液量， 可使上述主面上之上述液膜去除區域以外之區域維持由 處理液之上述液膜所覆蓋之狀態。因此，可抑制處理液於 該區域中蒸發而產生乾燥不良現象。 較佳為，上述基板處理裝置更進一步包括用以使上述處 理液噴嘴移動之處理液喷嘴移動單元，上述控制單元係用 以控制上述處理液喷嘴移動單元，以於上述液膜去除區域 形成步驟及液膜去除區域移動步财，使該處理液喷嘴配 置於自上述處理液喷嘴對上述主面所供給之處理液未到 ^述液膜絲區域之位置。藉此，可抑制或防止自處理 =贺嘴所供給之處理㈣達上述液膜去除 :=::處理液之液滴’而可抑制由上述_起 312XP/發明說明書(補件)/97-01/96138450 9 200831203 又於该情况時更佳為，上述控制單元係用以控制上述 二理=貝S移動單元，以於上述液膜去除區域形成步驟及 、文膜除區域移動步驟中，使該處理液噴嘴移動，以使自 (處理液嘴嘴對上述主面供給處理液之供給位置配置 -述主面之周緣部（較佳為，與上述液膜去除區域相距 取退的上返主面之周緣部）。使自上述處理液喷嘴對上述 t、π處理液之供給位置配置於上述主面之周緣部，藉 ⑩此可使自該處理液噴嘴供給至上述主面之處理液不會』 達上述液膜去除區域。因而，可抑制於上述液膜去除區域 内產生乾燥不良。具體而言，較佳為，使自上述處理液噴 嘴所喷出之處理液到達上述基板之主面，以迴避基板之主 面上液膜去除區域所通過之區域。 一又、，上述控制單元亦可用以控制上述處理液喷嘴移動單 兀’以使上述液膜去除區域形成步驟及液膜去除區域移動 步驟中相對於上述主面的上述處理液喷嘴之位置，較上述 鲁液膜形成步驟中的該處理液噴嘴之位置更接近上述主面。 於該情況時，可使上述處理液噴嘴接近上述主面，藉此 使上述液膜去除區域形成步驟及液膜去除區域移動步驟 中的自上述處理液喷嘴朝上述主面喷出處理液之衝勢，弱 於上述液膜形成步驟中的上述衝勢。因而，可使自上述處 理液喷嘴供給至上述主面之處理液之飛沫不會到達上述 液膜去除區域，而可抑制於上述液膜去除區域内產生乾燥 不良。 較佳為，上述控制單元係使上述液膜去除區域形成步驟 312ΧΡ/發明說明書(補件)/97-01/96138450 10 200831203 及液膜去除區域移動步驟中的自上述處理液噴嘴對上述 主:之處理液供給流量，少於上述液膜形成步驟中的供給 流量。如此-來，可使上述液膜去除區域形成步驟及液膜 •去除區域移動步驟中的自上述處理液嘴嘴朝上述主面喷 -出處理液之衝勢’弱於上述液膜形成步驟中的上述衝勢。 因而，可抑制或防止供給至基板之主面後反彈回之處理液 飛床到達上述液膜去除區域，從而可抑制乾燥不良現象。 Φ 、另一方面，上述控制單元亦可係於上述液膜去除區域形 成步驟及液膜去除區域移動步驟中，並不自上述處理液喷 嘴對上述主面供給處理液，而自上述氣體喷嘴對上述主面 供給惰性氣體。 於該情況時，上述液膜去除區域形成步驟及液膜去除區 域移動步驟中，並不自上述處理液喷嘴對上述主面供給處 理液。由此，可阻止處理液進入上述液膜去除區域中。因 而可抑制或防止於上述液膜去除區域内形成處理液之液 _滴。故可抑制由上述液滴而引起之乾燥不良現象。 較佳為，於上述液膜去除區域形成步驟及液膜去除區域 移動步驟中，基板以低旋轉速度（例如，為5〇 rpm以下， 較佳為10 rpm以下）旋轉，或者基板維持為停止狀態。此 時’離心力幾乎不作用於上述主面上之上述液膜，故上述 -主面上之處理液幾乎不會朝基板之侧方飛散。由此可抑制 ， 上述主面上之處理液散逸，從而可抑制上述液膜自上述液 膜去除區域以外之區域散失。藉此，可抑制或防止自處理 液喷嘴所供給之處理液到達上述液膜去除區域後該液膜 312XP/發明說明書(補件)/97-01/96138450 11 200831203 去除，域内形成處理液之液滴。 為上述液膜去除區域形成步驟係於上述主 t周緣之區域上形成上述㈣絲區域之步驟，上述液膜 去除區域移動步驟係使上述液膜去除區域自上述 周緣朝上述中心移動之步驟。 一；、月兄τ上述控制單元控制上述氣體嘴嘴移動單 兀，以使自上述氣體嘴嘴對上述主面供給惰性氣體之供仏 位置自上述主面之周緣朝上述中心移動。即，上述液膜: 除區域形成於上述周緣，並由此朝向上述中心移動。、 竹此f ’上述周緣通常係未形成有元件之非s件形成區 域。又，於上述液膜去除區域形成步驟中，有時因對 主面供給惰性氣體而可朝兮 去師代夕“ 滴下處理液。隨著液膜 去紅域之移動，該液滴由主面上之液膜吸收，暫時生成 $滴’亚且該液滴於液滴去除區域内開始蒸發，由此可能 运導致產生少量乾燥不良現象。因此，將上述液膜去除區 域最初形成於上述周緣，藉此可使乾燥不良部位在非元件 =域中’因而可防止上述非元件形成區域 ==域的乾燥不良’而可抑制或防止形成於該元 件形成區域中之元件的特性惡化。 上述基板處理裝置更進一步包括：對向構件，具 配置於上述主面之對向面，及形成於上述對向面上並用以 =述主=供給惰性氣體之氣體吐出σ;以及對向 動早X，使上述對向構件移動’·較佳為，上述控制單元係 於上述液膜去除區域移動步驟之後’利用上述氣體噴嘴移 312ΧΡ/發明說明書(補件)/97-01/96138450 \2 200831203 動單元使上述氣體喷嘴自上述基板退避，之後，對上述對 向構件移動單元進行控制以使上述對向構件移動，藉此， $上述對向面對向g己置於上述主面，並使惰性氣體自上述 f體吐出口吐出，在上述對向面對向配置於上述主面之狀 =了，執仃上述基板乾燥步驟。由此，可抑制其周圍的環 境氣體進入上述對向面與上述主面之間的空間内，並且可 使上述空間為惰性氣體環境。 _ 又，由於上述基板乾燥步驟係於上述對向面對向配置於 上述主面，且上述空間成為惰性氣體環境之狀態下執行， f上2主面在受到惰性氣體保護之情況下被乾燥。因而， 能可靠地抑制於上述主面上產生乾燥不良現象。 為了於軋體噴嘴所噴出之惰性氣體停止供給之狀態下 將液膜去除區域維持於基板主面上，更佳為，使基板旋 轉，以使離心力作用於液膜去除區域之外側液膜上。又， 亦可取代使基板旋轉，而自上述對向構件所具備之氣體吐 鲁出口朝基板之主面吐出惰性氣體，以阻止液膜進入液膜去 除區域。 又，上述基板處理裝置進一步包括對向構件，其具有對 象配置於上述主面之對向面，且與上述氣體噴嘴形成一 體，上述控制單元亦可利用上述氣體噴嘴移動單元使上述 氣體喷嘴及對向構件-體移動，藉此於上述液膜去除區域 私動步驟中，一邊使上述中心配置於上述液膜去除區域 内，一邊使上述對向面對向配置於上述主面，在上述對向 面對向配置於上述主面之狀態了，執行上述基板乾燥步 312XP/發明說明書(補件)/97-01/9613845() 200831203 驟。如上所述，由於上述氣體噴嘴與上述對向構件形成一 體’故可同時進行上述液膜去除區域之移動及將上述對向 面對向配置於上述主面。因此，於上述液膜去除區域移動 '步驟之後，在上述對向面對向配置於上述主面之狀態下可 •立即執行上述基板乾燥步驟，故可抑制處理時間之增加， 並且能可靠地抑制於上述主面上產生乾燥不良現象。 該情況時，較佳為，於上述基板乾燥步驟中，對上述主 _面所供給之惰性氣體中含有揮發性高於純水之有機溶劑 之蒸氣。如此一來，可利用惰性氣體保護上述主面，並且 可一邊將附著於上述主面上之處理液替換為上述有機溶 劑，一邊使基板乾燥。故能可靠地抑制於上述主面上產生 乾燥不良現象，並且可使上述主面迅速地乾燥。 上述基板處理裝置進一步包括基板旋轉單元，用以使保 持於上述基板保持單元上之基板旋轉，較佳為，上述控制 單兀係於上述基板乾燥步驟中，控制上述基板旋轉單元， 籲以使保持於上述基板保持單元上之基板以特定之旋轉速 度旋轉，並且一邊自上述氣體喷嘴朝向上述主面吐出惰性 氣體，一邊利用上述氣體喷嘴移動單元使上述氣體喷嘴移 動，藉此使自上述氣體喷嘴對上述主面供給惰性氣體之供 給位置自上述中心朝向上述主面之周緣移動， ^ ， 板乾燥。 ，於該情況時’利用上述基板旋轉單元使基板以特定之旋 轉速度旋轉，藉此使上述基板旋轉之離心力作用於上述主 面上所形成之上述液膜上。因而，於内側配置有上述=膜 312XP/發明 |兌明書(夺甫件)/97-〇1/9613845〇 14 200831203 、f:: ΐ: 液膜被擠至上述主面之周緣，並朝上 述基板之周圍甩開。即，隨著上述液膜被擠至 :緣，上述液膜去除區域朝向上述周緣擴大，而將處I; 自上述主面之整個區域排除。 液 又’上述控制單元利用上述基板旋轉單元使上述 ^並且控制上述氣體噴嘴移動單元，以使氣“ 動’猎此使自上述氣體噴嘴對上述主面供給惰性 給位置自上述中心、朝向上述周緣移動。因而，可使上述 =去除區域迅速地擴大，而可使上述基板以更短時間= 本發明之基板處理方法包括：液膜形成步驟，對由基板 保持單元保持為大致水平之基板之主面供給處理液^此 於上述主面之整個區域上形成處理液之液膜；液膜去除區 域形成步驟，對形成有上述液膜之上述主面供給惰性氣 體，藉此於上述主面之不包括中心之區域上形成上述液膜 #被去除之液膜去除區域；液膜去除區域移動步驟，於上述 液膜去除區域形成步驟之後，一邊對上述主面供給惰性氣 體，一邊使對上述主面供給惰性氣體之供給位置移動，藉 此使上述液膜去除區域移動，以使上述中心配置於該液膜 去除區域内；以及基板乾燥步驟，於上述液膜去除區域移 ，動步驟之後，使上述液膜去除區域擴大，藉此自上述主面 -上排除處理液而使基板乾燥。 根據本發明’於上述主面之不包括中心之區域上預先形 成上述液膜去除區域，並使上述液膜去除區域移動至上述 312XP/發明說明書(補件)/97-01/96138450 15 200831203 主面之包括中心之位置處。藉此，可抑制或防止利用供給 至上述主面之惰性氣體捕獲該主面上之處理液。又，即使 惰性氣體吐出時於基板之主面上產生液滴，該液滴亦會在 •液膜去除區域中移動之過程中由主面上之液膜所吸收曰。因 •此，可抑制上述主面上之液滴一直蒸發而產生乾燥不良現 象。 本發明之上述或此外其他之目的、特徵及效果，可參照 隨附圖式，由下述實施形態之說明而明確。 /… *【實施方式】 圖1係用以說明本發明之第丨實施形態之基板處理裝置 1的構成之圖解圖。該基板處理裝置丨係用以 對象基板之半導體晶圓W(以下，僅稱為「晶圓：」為二里 處理液（藥液或純水及其他沖洗液）進行處理之單片式處 理裝置。基板處理裝置丨具備：旋轉夾盤2，使晶圓^呆 持為大致水平並使其旋轉；處理液喷嘴3，對保持於旋轉 _夾盤2上之晶圓w之表面（上表面）供給處理液；以及氣體 喷嘴4,對保持於旋轉夾盤2上之晶圓w之表面供給氣體。 旋轉夾盤2具有：旋轉軸5，於鉛直方向上延伸；以及 圓板狀之旋轉底座6，水平地安裝於旋轉軸5之上端。旋 轉夾盤2可利用立設於旋轉底座6之上表面周緣部的多根 •夾盤銷7而將晶圓f保持為大致水平。 -即，多根夾盤銷7於旋轉底座6之上表面周緣部，在對 應於晶圓W外周形狀之圓周上隔開適當間隔而配置著。多 根夾盤銷7抵接於晶圓W之底面（下表面）周緣部之不同位 312XP/發明說明書(補件)/97·01/9613845〇 16 200831203 以將該晶圓W保持為 置，藉此可相互協動來夾持晶圓w 大致水平。 又，旋轉軸5上，結合右白人 . 有匕3馬達荨驅動源之夾盤旋轉
j構在以讀夾盤銷7保持晶11 W之狀態下，自 =旋轉驅動機構8朝旋轉軸5輸入驅動力，藉此可使晶 圍繞通過晶圓w表面之中心〇的錯直軸線而旋轉。 再者，=為旋轉夾冑2，i不限於上述㈣，例如可採 用真二吸著式（真空夾盤）構成，其係真空吸著晶圓W之底 藉此將晶圓w保持為大致水平姿勢，更進—步於該狀 I、下圍繞鉛直軸線旋轉，以此可使該保持之晶圓w旋轉。 處理液喷嘴3例如係於連續流之狀態下吐出處理液 (DIW，deionization water，去離子水）之直線喷嘴。處
理液噴嘴3係於其吐出口朝向晶圓1側（下方）之狀態下， 安裝於大致水平地延伸之臂9之前端。臂9係由大致鉛直 地延伸之支持軸1〇支持著。臂9自支持軸之上端部大 致水平地延伸。支持軸1〇被設置成可圍繞其中心軸線旋 轉。 支持軸10上，結合有處理液喷嘴移動機構11及處理液 喷嘴升降驅動機構12。處理液喷嘴移動機構π係使支持 軸10旋轉，藉此使處理液喷嘴3大致水平地移動。利用 •處理液噴嘴移動機構11使支持轴10旋轉，以使處理液噴 ， 嘴3大致水平地移動，由此可使處理液噴嘴3配置於旋轉 夾盤2上所保持的晶圓w之上方，或者自晶圓W之上方退 避。具體而言，可使處理液喷嘴3在晶圓W之上方移動， 312XP/發明說明書(補件)/97-0酬138450 17 200831203 使得自處理液噴嘴3對晶圓W之砉 詈名卜表面供給處理液之供給位 置在上迷表面之中心〇與 弧肤鈾跡而梦I /、上31表面之周緣之間描繪成圓 1=::二’處理液噴嘴升降驅動機構12係用 、使支持轴10升降，以使處理液噴嘴3升降。利用 液嘴嘴升降驅動機構12使支持軸1G升降，藉此可= 液噴嘴3接近旋轉爽盤2上所保持的晶圓W之表面，；者 退避至旋轉夾盤2之上方。 衣曲次者
處理液噴嘴3上連接有DIW供給管13。處理液喷嘴3 中，自刚供給管13對處理液嘴嘴3供給 順去離子純水）。則供給管13中安裝有刚旧4 ㈣DIW閥14之開閉而控制對處理液噴嘴3供給則。曰 氣=4係於其吐出口朝向晶圓w侧(下 下’被安裝於臂15之前端。臂15係由大⑽直地延伸之 支持軸16支持著。臂15自支持軸16之上端部大致水平 2伸。支持軸16被設置成可圍繞支持轴16之中 旋轉。 支持軸16上，結合有氣體喷嘴移動機構17。氣體 移動機構17係用以使支持軸16旋轉，以使氣體噴嘴*大 致水平地移動。利用氣體喷嘴移動機構1?使支持軸“旋 轉’以使氣體喷嘴4大致水平地移冑，由Λ可使氣體喷嘴 4配置於旋轉夹盤2上所保持的晶圓w之上方，或者自晶 圓w之上方退避。具體而言，可使氣體噴嘴4在晶圓⑧之 上方移動，使得自氣體噴嘴4對晶圓w之表面供給氣體之 供給位置在上述表面之中c Q與上述表面之周緣之間描 18 312Xp/發明說明書(補件)/97-01/96138450 200831203 繪成圓弧狀執跡而移動。 自上連接有氮氣供給管18。氣體喷嘴4中， .給有作為.㈣氣體之氮氣。氮氣供給 制對' Μ嘖衣亂孔閥2D。藉由該氮氣閥2◦之開閉而控 .制對軋體嘴嘴4供給氮氣。 圖圖：說日:上述基板處理裝置1之電性構成之方塊 :夾二理衣置1具備控制裴置22。控制裝置22控 •二：：轉驅動機構8、處理液噴嘴移動機構U、處理液 唷鳴升卜驅動機構12以及氣體噴嘴移動機構17之動作。 又’控制裝置22控制DIW閥14及氮氣閥2〇之開閉。 圖3係表^上述基板處縣置^晶圓w進行處理之一 例的流程圖，圖4⑷〜4⑷係圖解表示對上述晶圓w進 打處理之-例之處理狀態。圖4(a)〜4⑷表示各個處理 狀恝下的晶圓W之俯視圖（上側）及縱剖視圖（下側）。 以下，苓照圖1〜圖4，來說明對晶圓w進行處理之情 況，該晶圓W係其表面被施加藥液（氫氟酸）處理後，而其 上述表面成為疏水性。 、 處理對象之晶圓w由未圖示之搬送機器人搬送，自搬送 機器人送至旋轉夾盤2(步驟S1)。 在晶圓W送至旋轉夾盤2後，控制裝置22控制夾盤旋 -轉驅動機構8，以使保持於旋轉夾盤2上之晶圓w以特定 -之低旋轉速度（例如，為50 rpm以下，較佳為1〇 rpm以 下）旋轉。又，控制裝置22控制處理液喷嘴移動機構丨】， 使處理液喷嘴3配置於旋轉夾盤2上所保持的晶圓w之上 312XP/發明說明書(補件)/97-01/90138450 19 200831203 方0 其後’控制衮置22關閉氮氣閥20並打開DIW閥ι4後， 如圖4(a)所示，自處理液喷嘴3朝向晶圓w表面之旋轉 ，中心（本實施形態中，與晶圓W之表面之中心〇大致相同 .位置）附近，以第1供給流量吐出DIW(步驟S2)。 供給至晶圓W表面之刚受到晶圓w旋轉之離心力而遍 布晶圓W之表面整個區域。藉此，晶圓w之表面由刚清 洗，對晶圓W之表面整個區域進行沖洗處理。又，於晶圓 W之表面上’形成有覆蓋該表面整個區域之謂之液膜（液 膜形成步驟）。該液膜之膜厚與晶圓w之表面為親水性情 況時相比為較厚。 在DIW之供給經過特定之沖洗處理時間後，控制裂置 22控制夾盤旋轉驅動機構8使晶圓w之旋轉停止。又， 控制裝置22使處理液噴嘴3所供給的削之供給流量自 t述第1供給流量變更為第2供給流量（第2供給流量< #第1供給流量）。而且’控制裝i22控制處理液喷嘴移動 機構1卜以使自處理液噴嘴3對上述表面供給則之供 給位置配置於上述表面之周緣部。更進一步，控制裝置 22控制處理液喷嘴升降驅動機構匕而使處理液噴嘴3下 降，藉此使處理液喷嘴3接近上诫矣品 •其次，控制裝置22控制氣體噴嘴移動機構17，以 ，體噴嘴4配置於晶圓W之上方，並打開氮氣閥20,自氣 體嘴嘴4朝向晶圓W之表面吐出氮氣（步驟s3)n 控制裝置22於自氣體喷嘴4吐出氮氣之狀態下，控制氣 312XP/發明說明書(補件)/97-01/96138450 200831203 體喷嘴移動機構17,以使氣體喷嘴4朝上述旋轉中心之 上方移動（步驟S4)。 藉此’對晶圓W之表面供給氮氣，並且其供給位置朝向 -t述旋轉中心移動。具體而言’如圖4(b)所示，自氣體 .喷嘴4所吐出之氮氣最初供給至上述表面之周緣，並自該 周料除DIW。即，於上述周緣，形成有则液膜被去除 之液膜去除區域T(液膜去除區域形成步驟）。然後，如圖 • >(c)所不，酼著朝上述表面供給氮氣之供給位置之移動' 該液膜去除區域Τ自形成於上述液膜之周緣的凹形狀變 化為圓形狀，並且朝向上述旋轉中心移動。藉此，使上述 旋轉中心配置於該液膜去除區域τ内（液膜去除區域移動 步驟）。此時’晶圓W之表面為疏水性。由此，與上述表 面為親水性時相比，可使液膜去除區域了容易移動。、 又：在氣體喷嘴4朝上述旋轉中心之上方移動期間，自 處理液喷嘴3朝向上述表面以上述第2供給流量持續吐出 #则。自處理液喷嘴3對上述表面供給刚之供給位置被 配置於與下述周緣部夾隔旋轉中心而對向之周緣部，即， 與液膜去除區域T相距最遠的上述表面之周緣部，即最初 形f液膜去除區域T之周緣部。#此，刚之供給位置 被a又疋為迴避液膜去除區域τ之移動路徑。 首先將液膜去除區域τ形成於上述表面之周緣，藉此可 .抑制或防止利用供給至上述周緣之氮氣而捕獲diw。曰又， 即使於氮氣供給時產生液滴，該液滴亦會隨著液膜去除區 域T之移動而被DIW之液膜吸收。因此’可抑制或防止 312XP/發明說明書(補件)/97-01/96138450 21 200831203 β I W於液膜去除區域τ内蒸發後產生水印等乾燥不良現 象。又，假設即使產生因氮氣最初供給時所產生之液滴而 引起之乾燥不良現象，亦會由於上述周緣為非元件形成區 •域，而可抑制或防止形成於上述非元件形成區域之内侧之 • 區域即元件形成區域的元件特性之惡化。 又於上述液膜去除區域形成步驟及液膜去除區域移動 步驟中，自處理液喷嘴3朝向上述表面持續吐出MW，因 此上过表面上之DIW 1較多地被保持，而可維持液膜去除 區域T以外之區域被處理液之液膜所覆蓋之狀態。藉此， 可抑制DIW於液膜去除區支或丁以外之區域蒸發後該區域產 生乾餘不良現象。 、更進步，於上述液膜去除區域形成步驟及液膜去除區 域移動步驟中，使自處理液喷嘴3對上述表面供给之 供給位置配置於與液膜去除區在或T相距最遠的上述表面 之周緣部’藉此’可抑制自處理液噴嘴3所吐出的则之 • 邛刀到達液膜去除區域T内。故可抑制DIW於液膜去除 區域T内瘵發後該液膜去除區域内產生乾燥不良現象。 再進-步’於上述液膜去除區域形成步驟及液膜去除區 域移動步驟中’對上述表面供給刚之供給流量 2供給流量）少於上述液膜形成步驟中之上述供給流 ’述第1供給流量）’處理液喷嘴3相對於上述表面 ,較上述液膜形成步驟之上述位置更接近上述表面，因 使對上述表面供給則之衝勢弱於上述液膜形成 之上述衝勢。故㈣可靠地抑制自處理液喷嘴3所吐出: 312XP/發明說明書(補件)/97-01/96138450 ” 200831203 DIW之一部分(尤其為在晶圓w之表 到達液膜去除區域T内。 殘口之處理液飛沫) 若液膜去除區域Τ朝上述主面之令 及其附近)移動’則控制裝置22關一=:: 理液喷嘴3停止吐出d I f，並且斜卢里+ 处 進行#制^ , 對處理液贺嘴移動機構η 控制，使處理液喷嘴3自晶圓W之上方退避。 -人㉟制褒置22控制夾盤旋轉驅動機構8，使非旋 ，狀態下保躲旋轉夾盤2之晶圓w連續或階段性地提$ J疋轉速度而加速旋轉，直至達到特定之高旋轉速度為 止。又，控制裝置22 -邊自氣體喷嘴4吐出氮氣一邊控 制氣體喷嘴移動_ 17，使氣體噴嘴4朝向上述周緣之 上方移動（步驟S5)。 藉此，晶圓W之加速旋轉而產生的連續或階段性增加之 離心力作用於内侧配置有液膜去除㈣τ之環狀上述液 膜上，使上述液膜逐漸被擠至上述周緣，並向晶圓w之周 圍甩開。X ’自氣體喷嘴4對上述表面供給氮氣之供給位 置自上述旋轉中心朝向上述周緣移動，故上述液膜被迅速 地擠至上述周緣。 如圖4(d)所示，隨著上述液膜被擠至上述周緣，液膜 去除區域T逐漸朝上述周緣擴大。即，隨著液膜去除區域 T之擴大，DIW自上述表面被去除，而液膜去除區域了於 上述表面之整個區域擴展開來，藉此將DI w自上述表面之 正個&域元全地排除。並且，自上述表面之整個區域完全 排除DIW之後，附著於晶圓w之表面上的微量DIW蒸發， 312XP/發明說明書(補件)/97-01/96138450 23 200831203 由此使晶圓w乾燥（基板乾燥步驟）。 此時，液膜去除區域1内不存在刚，且上述表面之中 :、部之被可靠地去除。因&，可—邊抑制於晶圓^ f面整個區域内產生乾燥不良，-邊使該表面整個區域均 勻地乾燥。又，上述表面在受到自氣體噴嘴4所吐出的气 氣之保護情況下而乾燥，古文能夠1靠地抑制於該表面產^ 乾燥不良現象。 自上述表面之整個區域排除D丨w以使晶圓w之表面乾燥 後，控制裝置22關閉氮氣閥20，使氣體噴嘴4停止吐Z 氮氣。又，控制裝置22控制氣體噴嘴移動機構17，以使 氣體噴嘴4自晶圓W之上方退避。並且，使晶^之旋轉 速度減速以停止晶圓W之旋轉，利用未圖示之搬送機器人 自旋轉夾盤2搬送處理後之晶圓w(步驟S6)。 '如上所述，於該第i實施形態中，將液膜去除區域？形 成於晶圓W之表面之周緣，藉此可抑制或防止利用供给至 上述表面之氮氣來捕獲DIW。更進—步，使液膜去㈣域 T朝晶圓W之表面之中心部移動，藉此可自該中心部良好 地排除DIW。# ’可-邊抑制或防止於液膜去除區域τ内 產生乾燥不良現象，-邊自上述表面可靠地排除刚，以 使晶圓W均句地乾燥。因此，即使對於表面為疏水性之晶 圓W’亦可-邊抑制產生乾燥不良現象，—邊使該表面均 勻地乾燥。 圖5係用以說明本發明之第2實施形態之基板處理裝置 la的構成之圖解圖’圖6係表示上述基板處理裝置1&對 312XP/發明說明書(補件)/97·01/9613845〇 24 200831203 ::::行處理之—例的流程圖。於該圖 =及::所示各部分相當之部分，附以與該等各部: ^之^號’故以下省略對附有該相同元件符號之各 砰細說明。又，以下參照圖2、圖5、圖6。 置T【二:ί板處理裝置1a之構成與圖1之基板處理裝 「、主要不同之處在於，將遮斷板24設置於旋
具體而吕’遮斷板24係具有與晶圓w大致相同之直徑 或者稍小於晶圓W之直徑）的圓板狀構件。遮斷板Μ之 下表面為上述對向面23。遮斷板24之上表面上，固定有 沿著與旋轉夾盤2之旋轉軸5共通之鉛直中心軸線的旋轉 忐：7之上方’上述遮斷板24具有對向配置於由旋轉 夾a 2所保持的晶圓w之表面的對向面23。 f旋轉軸25為中空軸。於旋轉軸25之内部形成有用以 對晶圓W之表面供給氮氣之氣體供給路徑％。在氣體供 T路徑26之下端，於對向面23上設有開口，作為用以對 :圓w之表面吐出氮氣之氣體吐出口 27。於氣體供給路 徑26中，經由氮氣閥28而供給有氮氣。 又於凝轉軸25上，結合有遮斷板升降驅動機構29及 遮斷板旋轉驅動機構3〇。利用遮斷板升降驅動機構29使 旋轉軸25及遮斷板24升降，藉此可於以下位置之間升 降，即，遮斷板24接近由旋轉夾盤2上所保持的晶圓w 之表面的接近位置（圖5所示位置），與朝旋轉夾盤2之上 方較大退避的退避位置之間。利用遮斷板旋轉驅動機構 312XP/發明說明書(補件)/97-01/96138450 25 200831203 30，可使遮斷板24與旋轉夾盤2產生的晶圓W之旋轉大 致同步（或者旋轉速度稍有不同）地旋轉。 於忒第2實施形態之基板處理裝置1 a對晶圓w進行處 理之一例中，實施與上述基板處理裝置丨對晶圓w進行處 理之一例相同的處理，直至上述液膜去除區域移動步驟為 止（自步驟S1至S4為止）。 於上述液膜去除區域移動步驟之後，控制裝置22控制 蠹夾盤旋轉驅動機構8，使保持於旋轉夾盤2上之晶圓w以 特疋之低旋轉速度（例如，50 rpm以下，較佳為1〇『⑽ 以下）旋轉。其後，控制裝置22關閉氮氣閥2〇，使氣體 喷嘴4停止吐出氮氣，並對氣體喷嘴移動機構17進行控 制，以使氣體喷嘴4自晶圓W之上方退避（步驟sl〇)。: 犄，由於晶圓W以上述特定之低旋轉速度旋轉，故環狀液 膜受到上述旋轉之離心力而被維持於液膜去除區域τ之 周圍。因此，液膜去除區域Τ被維持於上述中心部。 • 其次，控制裝置22控制遮斷板升降驅動機構29以使遮 斷板24下降，藉此使對向面23接近於晶圓w之表面而對 向配置。又，控制裝置22打開氮氣閥28以朝氣體供給路 徑26供給氮氣’使氮氣自氣體吐出口 ”朝向晶圓w之表 面吐出（步驟S11)。藉此，可抑制周圍環境氣體進入對向 •面]3與晶圓W之表面之間的空間，並且上述空間成為氮 然後’控制裝置22在一直維持對向面23對向配置於晶 圓w之表面之狀態下，使保持於旋轉夾盤2上之晶圓" 312ΧΡ/發明說明書(補件)/97_〇1/9613845〇 26 200831203 上述特定之低旋轉速度連續或階段性地提高其旋轉速度 並加速旋轉，直至達到特定之高旋轉速度為止。又，控^ 裝置22控制遮斷板旋轉驅動機構3〇，以與晶圓w之旋轉 同步（或者旋轉速度稍有不同）之方式使遮斷板2 4旋轉 (步驟12)。 t 藉此，隨著晶圓W與遮斷板24之旋轉，自氣體吐出口 27所吐出之氮氣朝向上述表面之周緣擴展。又，上述液 膜受到因晶圓W之加速旋轉而連續或階段性增加的離心 力之後，一邊被逐漸擠至上述晶圓w之周緣，一邊朝晶圓 W之周圍甩開。因此，晶圓w之表面在受到氮氣保護之情 況下被乾燥（基板乾燥步驟）。 在自上述表面之整個區域排除])If以使晶圓w之表面乾 燥後，控制裝置22關閉氮氣閥28,使氣體吐出口 ”停 止吐出氮氣。並且’控制裝置22控制遮斷板旋轉驅動機 構30，以使遮斷板24之旋轉停止，並控制遮斷板升降驅 鲁動機構29，以使遮斷板24朝旋轉夾盤2之上方較大地退 避。其後’使晶圓w之旋轉速度減速以停止晶圓w之旋轉1 利用未圖示之搬送機器人自旋轉夾盤2搬送處理後之曰 圓W(步驟S6)。 如上所述’於該第2實施形態中，使遮斷板24之對向 面23接近於晶圓W之表面而對向配置，纟此可一邊使對 -向面23與上述表面之間的空間保持氮氣環境，一邊使上 述表面乾燥。藉此，能夠利用氮氣可靠地保護上述表面， 故能夠-邊可靠地抑制上述表面產生乾燥不良現象，一邊 312χΡ/發明說明書(補件)/97-01/96138450 ?7 200831203 使該表面均勻地乾燥。 lb圖的Lt用㈣明本發明之帛3實施形態之基板處理裝置 、《圖解圖’圖8係表示上述基板處理襞置lb對 晶圓W進行處理之—例的流程圖。該圖7及圖8中，在= 圖1及圖3所示各部分相t之部分，卩付以與該等各部分相 :之：件符號’故以下省略對附有該相同元件符號之各部 R评細說明。又，以下參照圖3、圖卜圖8。 ?圖7之基板處理裝置lb之構成與圖i之基板處理裝 f 1之構成的主要不同之處在於，於氣體喷嘴4之前端部 女衣有遮斷板32，該遮斷板32具有對向配置於由旋轉炎 盤2所保持的晶圓¥之表面的對向面31。 具體而s，遮斷板32係具有小於晶圓f之直徑（或者與 晶圓W大致相㈤之直徑）的圓板狀構件。遮斷板⑽之下表: 面成為上述對向面31。遮斷板32以與氣體喷嘴4同軸（氣
體喷嘴4及遮斷板32之中心軸線為同轴)之方式安裝於氣 體喷嘴4上。 ' 氣體噴嘴4及遮斷板32藉由氣體喷嘴移動機構17而大 致水平地-體移動。將氣體喷嘴4配置於旋轉夾盤2上所 保持的晶圓w之上方，藉此可使對向面31接近於該晶圓 W之表面而對向配置（參照圖7)。 於該第3實施形態之基板處理震置lb對晶圓w進行處 理的一例中，貫施與上述基板處理裴置1對晶圓W進行處 理之一例相同的處理，直至上述液膜去除區域形成步驟為 止（自步驟S1至S3為止）。 312XP/發明說明書(補件)/97-01/96138450 28 200831203 並且於上述液膜去除區域形成步驟夕你 22控制氣體噴嘴移動機 噴4 ’空制裝置 大致水平地-體移動，以使液膜吏:除^ -中心部移動’並且使上述對向面31接近於二上 -而對向配置（步驟S20,液膜去除區域移動 „ " 抑制對向面31盘晶圓界之…二動D。错此可 氣體之進入P1、士表間的工間中有周圍環境 之進入，同時上述空間成為氮氣環境。 擧其次’控制裝置22在對向面31對向配置於晶圓w之表 面之狀態下，對夾盤旋轉驅動機構8進行控制，以於非旋 轉狀態下，使保持於旋轉夾盤2之晶圓w連續或階段性地 提高其旋轉速度並加速旋轉，直至達到特定之高旋轉速度 為止（步驟S21)。因此，上述液膜受到因晶圓w之加速= 轉而連續或階段性增加的離心力之後，一邊被逐漸擠至晶 圓W之周緣，一邊朝晶圓w之周圍甩開，晶圓w之表面: 受到氮氣保護之情況下被乾燥（基板乾燥步驟）。此時，與 第1實施形態時相同’可使氣體喷嘴4及遮斷板32朝向 旋轉半徑外方侧一體地移動。 在自上述表面之整個區域排除DIW以使晶圓w之表面乾 燥後’控制裝置2 2關閉氮氣閥2 0，使氣體喷嘴4停止吐 出氮氣。又，控制裝置22控制氣體噴嘴移動機構n，以 '使氣體喷嘴4及遮斷板32自晶圓W之上方退避。並且， ， 使晶圓W之旋轉速度減速，以停止晶圓W之旋轉，利用未 圖不之搬送機裔人自旋轉炎盤2搬送出處理後之晶圓 W(步驟S6)。 312XP/發明說明書(補件)/97-01/96138450 29 200831203 如上所述，於該第3實施形態中，使氣體喷嘴4與遮斷 板32為一體，並利用氣體噴嘴移動機構17而大致水平地 一體移動’故可同時進行液膜去除區域T之移動及將對向 -面31對向配置於上述表面。因此，在使液膜去除區域τ •朝上述中心部移動之後，可立即執行上述基板乾燥步驟， 故:抑制對晶圓W之處理時間之增加，並且可在利用氮氣 可靠地保護上述表面之情況下使該表面乾燥。 圖9係表示本發明之第4實施形態之基板處理裝置對晶 圓W之處理例的流程圖。目l〇(a)〜10(d)圖解表示圖9 之處理例之處理狀態。於該圖9及圖10(a)〜10(d)中， 在與上述第1實施形態之各部分相當之部分，附以與該等 ^部分相同之元件符號。又’以下省略對附有該相同元件 付號之各部分之詳細說明。 、第4實施形態與帛！實施形態之構成+同之處在於，於 液膜去除區域形成步驟中及液膜去除區域移動步驟中，並 ⑩未自處理液噴嘴3對晶圓w之表面供給DIW。 " 於忒第4貫施形態之晶圓w之處理例中，進行與第1實 苑形恶的晶8] W之處理例相同之處理，直至液膜形成步驟 (步驟SI、S2)結束為止（參照圖1〇(a))。 /然後，在自DIW開始供給起經過特定之沖洗處理時間 後，控制裝置22關閉DIW閥14，使處理液喷嘴3停止吐 •出DIW(步驟S30)，並且對處理液喷嘴移動機構11進行控 制，以使處理液喷嘴3自晶圓ψ之上方退避至晶圓w之側 方之退避位置。控制裝置22控制夾盤旋轉驅動機構8， 312XP/發明說明書(補件)/97-01/96138450 30 200831203 使晶圓w以特定之低旌艫 液膜之旋轉速度，可上保持刚之 下）持續旋轉。並且，二壯:⑽以下，較佳為10聊以 使氮氣自氣體喷嘴4朝向晶圓w二且面二(= S3)。具體而言，自齑姆 田土出1梦知 曰圓w#而夕田主 嘴所吐出之氮氣最初供給至 乂 °、、、，亚自晶圓w表面之周緣去除DIW。萨 此，於晶DW表面之用絡 •去除區域τγ/Λ 成有DIW液膜被去除之液膜 二'"5 (液膜去除區域形成步驟，參照圖10(b))。 4 控制裝置22在打開氮氣閥20後維持自氣體嗔嘴 4吐出氮氣之狀態下，控制氣體噴嘴移動機構17，以使氣 體喷嘴4朝晶圓w > # ; β ^ i 、 ㈤曰曰W W之表面之旋轉中心的上方移動（步驟 )。糟此，對晶圓W之表面供給氮氣，並且使該供給位 置朝向晶圓W之表面之旋轉中心移動。隨著對晶圓w之表 面供給氮氣之供給位置的移動，液膜去除區域Τ一邊自形 成於液膜之周緣的凹形狀變為圓形狀，一邊朝向晶圓W之 表面之旋轉中心移動。藉此，將晶圓w之旋轉中心配置於 液膜去除區域T内（液膜去除區域移動步驟，參照圖 10(c))。其後，進行基板乾燥步驟（步驟S5，參照圖 1 〇 (d))，於基板乾燥步驟結束後，利用未圖示之搬送機器 人來搬送出處理後之晶圓W(步驟S6)。 該實施形態中，於上述液膜去除區域形成步驟及液膜去 除區域移動步驟中，並未自處理液喷嘴3對晶圓w之表面 供給DIW。因此可阻止DIW進入液膜去除區域了中，而可 312XP/發明說明書(補件)/97-01/96138450 31 200831203 抑制或防止於液膜去除區域τ内形成DIW之液滴。藉此， 可抑制於液膜去除區域τ内產生乾燥不良。 又，於上述液膜去除區域形成步驟及液膜去除區域移動 步驟中’晶圓W以低旋轉速度旋轉，故此時離心力幾乎未 作用於晶圓w之表面之液膜上，因此晶圓w之表面上的 刚幾乎未朝晶圓W之側方飛散。由此可抑制晶圓w之表 面上的DIW散逸，而可抑制液膜自液膜去除區域τ以外之 區域散失。故可抑制或防止自處理液喷嘴3所供給之刚 到達液膜去除區域T後於液膜去除區_ τ内形成刚之液 滴。因此，可抑制於液膜去除區域τ内產生 再者，上述說明中，於液膜去除區域形成步驟及^膜去 除區域移動步射，以晶圓w於低旋轉速度下_ 行了說明’但於液膜去除區域形成步驟及液膜去除區域移 動步驟中’亦可使晶圓W停止旋轉。於該情況時，可 一步抑制晶圓上之DIW散逸。 以上，對本發明之4個實施形態進行了說明，但本發明 亦可進一步以其他形態而實施。例如，於 :^ 施形態中，於上述基板乾燥步驟中，主要對以下例2行= 明，即’使晶圓W加速旋轉直至達到上述特定之高旋速 度，藉此使DIW之液膜朝晶圓w之周圍甩開，但 圓W不旋轉，或者使其以固定之旋轉速度旋轉，並且使= 晶圓W之表面的氮氣供給流量增加’藉此將上述 至 上述周緣並自該表面排除。 、 又’第2實施形態及第3實施形態之構成亦可為，於液 312XP/發明說明書(補件)/97·01/96138450 32 200831203 膜去除區域形成步驟中及液膜去除區域移動步驟中，並不 自處理液喷嘴3對晶圓W之表面供給DIW。 更進一步，在上述第1〜第4實施形態中，對朝晶圓w -之表面供給氮氣之例進行說明，但供給於上述表面之氮氣 *中亦可包含揮發性而於純水之有機溶劑即IPA(異丙醇， isopropyl alC0h0〇之蒸氣（參照圖1、圖5、圖7)。 將含有IPA蒸氣之氮氣供給至晶圓¥之表面，藉此可於 上述基板乾燥步驟中，將附著於上述表面上之DIf替換為 IP A ’以使晶圓w迅速地乾燥。 又，在將含有IPA蒸氣之氮氣供給至晶圓w之表面時， 於上述乾燥步驟中，亦可使晶圓w不旋轉，增加含有上述 ΪΡΑ瘵氣之氮氣的供給流量，藉此自晶圓w之表面排除 液膜以使該晶圓W乾燥。 作為揮發性高於上述純水之有機溶劑，除IPA以外，例 如可舉出：甲醇、乙醇、丙酮、及HFE(氫氟醚，hydr〇fiu〇r〇 鲁 ether)等。 又，於上述第1〜第4實施形態中，於上述液膜去除區 域移動步驟中’說明了一邊使旋轉夾盤2之旋轉停止，一 邊使氣體噴嘴4朝上述旋轉中心之上方移動之例，但亦可 一邊使旋轉夾盤2及晶圓W以低旋轉速度旋轉，—邊移動 • 氣體喷嘴4。 ' 更進一步，於上述第1〜第4實施形態中，於上述液膜 ^除區域形成步驟中，說明了液膜去除區域τ形成於晶圓 表面之周緣之例’但亦可於除了上述周緣之上述表面之 312ΧΡ/發明說明書(補件)/97-01/96138450 200831203 未包括中心〇的區域，形成液膜去除區域T。 又，上述第1〜第4實施形態中，係將DIW例示為沖洗 液，但並不限於DIW，亦可使用純水、臭氧水、氫水、碳 酸水等其他沖洗液。 . =進一步，於上述第i〜第4實施形態中，將氮氣例示 為惰性氣體，但並不限於氮氣，亦可使用氬氣等其他惰性 氣體。 _ 又更進一步’於上述第i〜第4實施形態中，舉出晶圓 w=為處理對象基板，但並不限於晶圓w，亦可以液晶顯 示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED用基板、光碟用 基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板等其他種 類之基板作為處理對象。 以上對本發明之貫施形態進行了詳細地說明，但該等說 明僅係為了明確本發明之技術内容而使用之具體例，本發 明不應限定於該等具體例而解釋，本發明之精神及範圍僅 _由隨附之申請專利範圍而限定。 本申請案與對日本專利廳於2〇〇6年1〇月19日提出之 特願2006 — 285235號及日本專利廳於2〇〇7年7月5日提 出之特願2007- 177474號相對應，該中請案之所有揭示 此處以引用之方式而編入。 • 【圖式簡單說明】 _ 圖1係用以說明本發明之第1實施形態之基板處理裝置 之構成的圖解圖。 圖2係用以說明目i之基板處理裝置之電性構成的方塊 312XP/發明說明書(補件)/97-01/9613 8450 34 200831203 圖 圖3係表示圖i之基板處理裝置對晶 之流程圖。 & 圖4(a)至4(d)係圖解表示圖3之處理之 例 態 例的處理狀 圖5係用以說明本發明之第2實施形態之基板處理裝置 之構成的圖解圖。 ^ 圖6係表示圖5之基板處理裝置對晶圓進行處理之 攀之流程圖。 J 圖7係用以說明本發明之第3實施形態之基板處理裝 之構成的圖解圖。 ^ 圖8係表示圖7之基板處理裝置對晶圓進行處理之 的流程圖。 圖9係表示本發明之第4實施形態之練處理裳置對 圓之處理例之流程圖。 ' • 圖l〇(a)至l〇(d)係圖解表示圖9之處理例之處理狀 【主要元件符號說明】 置 例 態 1 la lb 5 基板處理裝置 基板處理裝置 基板處理裝置 旋轉夾盤 處理液噴嘴 氣體喷嘴 旋轉軸 312XP/發明說明書(補件)/9101/96138450 35 200831203 6 7 8 9 10 11 12 13 • 14 15 16 17 18 20 22 • 23 24 25 26 27 -28 .29 30 31 旋轉底座 夾盤銷 夾盤旋轉驅動機構 臂 支持軸 處理液喷嘴移動機構 處理液喷嘴升降驅動機構 DIW供給管 DIW閥 臂 支持轴 氣體喷嘴移動機構 氮氣供給管 氮氣閥 控制裝置 對向面 遮斷板 旋轉軸 氣體供給路徑 氣體吐出口 氮氣閥 遮斷板升降驅動機構 遮斷板旋轉驅動機構 對向面 312XP/發明說明書(補件)/97-01/96138450 36 200831203 32 遮斷板 0 中心 T 液膜去除區域 - W 晶圓
312XP/發明說明書(補件)/97-01/96138450 37