TW200822448A - IC tag and inlet for IC tag - Google Patents

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TW200822448A TW096116287A TW96116287A TW200822448A TW 200822448 A TW200822448 A TW 200822448A TW 096116287 A TW096116287 A TW 096116287A TW 96116287 A TW96116287 A TW 96116287A TW 200822448 A TW200822448 A TW 200822448A
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card
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Description

200822448 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於配載著記錄著資訊之IC(Integrated Circuit)晶片及小型天線之1C標籤（以下，亦稱爲「ic卡 」），尤其是，與配載著以不同頻帶驅動2個1C晶片及以 雙頻帶驅動之2個天線之1C標籤相關。 0 【先前技術】 近年來，配載著1C晶片及小型天線之卡片尺寸之ic 標籤，亦即，1C卡，例如，Suica(登錄商標）及Edy(登錄 商標）寺之商品名稱開始普及。此種1C卡，例如，使用頻 率爲2.4 5GHz時，係於長度爲52mm程度之細長傳送天線 之中央部附近配載著寬度0.4mmX縱深〇.4mmX高度0.1mm 程度之小TC晶片。因此，使該1C卡接近讀寫機（讀取終 端），即可以非接觸方式讀取記錄於1C晶片之資訊。此時 $ ’因爲希望1C卡之通信距離能儘量長一點，配載於1C卡 之天線，爲了使其具有良好電波強度及指向性，而必須致 力於各種形狀之環形天線及雙偶天線等。 然而，因爲1C卡之流通現狀，使用者例如分別使用 Suica(登錄商標）及Edy(登錄商標）而必須持有2張或以上 之張數之1C卡。因此，爲了消除此種不便性，有人提出 將2張1C卡之機能匯整於1張ic卡之混合型非接觸1C卡 之相關技術（例如，日本特開2004-240899號公報（參照段 落編號00 12〜0021及第1圖）。依據該技術，將以不同頻帶 -4- 200822448 (2) 驅動之2個天線及2個1C晶片配載於1張1C卡，可以1張 1C卡實現2張1C卡之機能。 【發明內容】 然而，於1張1C卡之同一平面上配置2個天線時，若 任意配置不同頻帶之天線，則會發生互相頻率干涉而降低 天線性能，甚至發生無法讀取1C卡之資訊之情形。其原 因係，重疊以實質不同頻帶驅動之2張1C卡並接近讀寫機 時，會發生互相干涉，至少其中任一之1C卡之通信特性 會降低而容易發生讀取不良。 亦即，以不同頻帶驅動配載於1張1C卡之2個1C晶片 時，必須裝設以各頻帶驅動之2個天線，然而，以不同頻 帶驅動之2個天線之間之配置形態受到限制。然而，何種 配置形態才不會使2個天線互相干涉，目前尙無定論。 有鑑於以上之問題，本發明之目的係在提供可解決上 ^ 述先前技術之問題之1C標籤。 本發明之其他目的係在提供即使於1張卡片配置頻帶 不同之2個天線及2個1C晶片亦不易發生互相頻率千涉之 1C標籤。 爲了達成前述目的，本發明之一例係，配載著以不同 頻帶驅動之至少2個之1C晶片之1C標籤，具備：由動作 波長相對較長之第1天線、及配載於該第1天線之第1 1C晶 片所構成之第1入口；及由動作波長短於第1天線，且以兩 端未接於該第1天線之線之方式以特定角度交叉配置之第2 -5- 200822448 (3) 天線、及配載於該第2天線之第2 1C晶片所構成之第2入口 。其他特徵如後面所述。 依據本發明，可以提供即使於1張卡片配置頻帶不同 之2個天線及2個1C晶片，亦不易發生互相頻率干涉之1C 標籤。 【實施方式】 以下，參照圖面，以適當實例，針針本發明之良好實 施形態（以下稱爲「實施例」）之1C卡（1C標籤之代表例） 進行說明。 本實施例之1C卡係於動作波長相對較長之環狀之第1 天線上，以縮短並交叉之方式配置動作波長相對較短之第 2天線之天線構成。 例如，於第1天線之13.56MHz之環形天線上，以交叉 方式配置第2天線之2.45GHz之天線。亦即，以兩端未接 於第1天線之線而交叉之方式配置第2天線。此外，最佳配 置方法係垂直交叉（以下，垂直相交）於第1天線之方式配 置第2天線。 此外，第2天線爲雙偶天線且其動作波長爲λ時，通 常，第2天線必須爲；I /2之長度，然而，本實施例時，第2 天線之長度爲0.2 λ以下。亦即，因爲第1天線可針對第2 天線發揮輔助天線之機能，故第2天線可以縮短至0.2 λ以 下。此外，於第2天線上，形成以與本身配載之1C晶片間 之阻抗匹配爲目的之縫隙。其次，第1天線及第2天線，分 -6 - 200822448 (4) 別配載著1C晶片，且各天線連結於各1C晶片。 此處，參照第12圖A-第12圖D，針對前述第2天線進 行說明。第12圖A係第2天線及第2 1C晶片之分解圖。如 第12圖A所示，於第2天線61之中央部之供電部份，形成 以第2 1C晶片62及第2天線61間之阻抗整合爲目的之鉤狀 之縫隙6 1 a、短柱6 1 b。 此外，如第12圖B所示，因爲第2 1C晶片62之信號 I 輸出入電極6 2 a及6 2 b係跨越縫隙6 1 a而連結於第2天線6 1 ，故縫隙61a之寬度小於1C晶片3之端子（電極）間隔。第2 天線61及第2 1C晶片62，因爲藉由縫隙61a而形成之短柱 部份61b串聯於天線61及1C晶片62之間，而使短柱部份 61b具有串聯之感應器成分之作用。藉由該感應器成分， 可抵銷第2 1C晶片62內之電容成分，而獲得第2天線61及 第2 1C晶片62之阻抗整合。 第12圖C係第12圖B以箭頭A之方向觀看第2天線及 φ 第2 1C晶片時之剖面圖。第2 1C晶片62之信號輸出入電 極62a、62b係金凸塊，第2 1C晶片62與第2天線61係利用 超音波接合或金屬共晶結合等來進行結合。 此外，亦可如第12圖D所示，用以形成天線之縫隙 係形成爲T字型，短柱部份61d、61e串聯於第2 1C晶片 62，而得到相同之效果。 亦即，本實施例所使用之第2 1C晶片62，被動型之無 線1C晶片。第2天線61從圖上未標示之無線1C晶片讀取 裝置受取電波，經由供電部份將產生於其長邊方向之電位 200822448 (5) 差供應給第2 1C晶片62，藉由該電位差驅動第2 ic晶片 62 ° 此外，波長較長之13·5 6MH頻帶之第1天線、及波長 較短之2.4 5 GHz之第2天線介由絕緣體交叉。此時之絕緣 體之材料樹脂爲樹脂之發泡體、紙等。或者，絕緣體亦可 以爲用以接著第1天線及由第1 1C晶片所構成之第i入口、 與第2天線及由第2 1C晶片所構成之第2入口之黏著材或接 φ 著劑，亦可以爲上述絕緣體之各材料及黏著材或接著劑之 積層構造。 此外，用以形成卡片之外裝材料，亦可以例如以聚對 苯二甲酸乙二酯（PET)、乙二醇變性共聚合PET樹脂（PET-G)、聚氯乙烯（PVC)等積層收容第1入口，並將第2入口貼 附於該外裝材料之表面或背面。亦即，亦可利用形成卡片 之外裝材料做爲絕緣體。此外，無論那一種，絕緣體之厚 度應爲〇.〇 1mm以上。 «第1實施例>> 以下，參照圖面，針對第1實施例之1C卡進行詳細說 明，然而，爲了容易理解，首先，針對重疊動作頻率不同 之2張1C卡時之通信特性進行說明。 第13圖A-第13圖C係重疊動作頻率不同之2張1C卡 (RF.(Radio Frequency)IC卡）時之槪略圖。如第13圖A所 示，於動作頻率爲13.56MHz之第1 1C卡1之內部，安裝動 作波長較長之環形天線1 a及連結於該環形天線1 a之第1 -8- 200822448 (6) 1C晶片lb。該環形天線la係以環狀配置於第1 1C卡1之外 緣附近。 此外，第1 1C卡之大小係寬度爲54mm、長度爲84mm 程度。此外，於動作頻率爲2.45GHz之第2 1C卡2之內部 ，安裝動作波長較短之雙偶天線2a及配載於該雙偶天線 2a之中央部份之第2 1C晶片2b。雙偶天線2a於動作波長 爲λ時，爲λ /2之長度。例如，動作頻率爲2.45GHz時之 雙偶天線2a之長度約爲52mm。此外，第2 1C卡之大小也 是寬度爲54mm、長度爲84mm程度。 其次，如第13圖B所示，重疊動作頻率不同之2張1C 卡，亦即，重疊動作頻率爲13.56MHz之第1 1C卡1及動作 頻率爲2.45GHz之第2 1C卡2，於第1 1C卡1之環形天線la 及第2 1C卡2之雙偶天線2a爲平行之線上，電波會互相干 渉，雨張1C卡之通信性能皆降低。 因此，如第13圖C所示，於1張1C卡3安裝動作頻率 φ 不同之2個RFIC標籤之入口（亦即，由環形天線la及第1 1C晶片lb所構成之第1入口、及由雙偶天線2a及第2 1C 晶片2b所構成之第2入口），通信性能會降低，甚至發生 無法通信之情形。通信性能之所以劣化，係因爲發生於環 形天線1 a之長邊方向之線之電波波長、及發生於雙偶天 線2a之長邊方向之線之電波波長互相干涉而減弱電波所 致。 此外，本說明書中，「平行」係包含「角度偏離數度 之大致平行」在內 -9- 200822448 (7) 此處之第1實施例係針對本發明之1C卡之良好實施形 態進行說明。第1圖係第1實施例之1C卡之平面構成圖。 如第1圖所示，以PET、PET-G、或PVC爲外裝材料 之1C卡13之構成上，係採用13.5 6MHz之頻帶之環形天線 做爲第1天線1 1，以垂直交叉（垂直相交）於該第1天線1 1之 一部份（以下，簡稱爲「第1天線11」）配置2.45 GHz之頻帶 之第2天線12(對應於第12圖之第2天線61)。亦即，以垂直 相交於波長較長之第1天線11之方式配置波長較短之第2天 線1 2。 具體而言，如前面所述，以第2天線1 2之兩端未接於 第1天線11之線之方式交叉配置即可，然而，最佳配置方 法如第1圖所示，係以垂直相交於環狀之第1天線1 1之方式 配置第2天線1 2。 此外，於第1天線11配載第1 1C晶片11a，於第2天線 12配載第2 1C晶片12a(對應於第12圖 A-第12圖D之第2 φ 1C晶片62)。此外，動作頻率爲2.45GHz之第2天線12，一 般而言，應爲λ /2之長度，故爲52mm程度之長度，然而 ，如本實施例之配置時，第1天線11成爲輔助天線而延長 第2天線12之實效天線長度，故第2天線12爲0.2又即可， 亦即，20mm程度之長度之微小天線即可。此外，第2天 線長度可以爲可安裝阻抗匹配電路之縫隙形成部及1C晶 片之最小之大小，故可實現小型化。具體而言，第2天線 長度可以爲4mm，亦即，可以爲約0.03 λ。 此外，於第2天線12之配載著第2 1C晶片12a之部份 -10 - 200822448 (8) ，形成以第2天線12及第2 1C晶片12a之阻抗匹配爲目的 之縫隙做爲整合電路1 2b。以下，將第1天線1 1及第1 1C晶 片11a之構成稱爲第1入口，而將含有第2天線12、第2 1C 晶片12a、以及整合電路12b在內之構成稱爲小型入口（第2 入口）14。 從製造工程之面進行第1圖所示之第1實施例之1C卡 13之說明時，配載著第1 1C晶片1 la之第1天線11係以位 $ 於1C卡13之外緣附近，圖案化爲環狀而形成第i入口，該 第1入口之兩面係藉由PET、PET-G、PVC等之外裝材料 而積層構成卡片。其次，以垂直相交於環狀之第1天線11 之方式，將由第2天線12、第2 1C晶片12a、以及整合電路 12b所構成之小型入口（第2入口）1 4貼附於卡片之表面或背 面之構成。 亦即，以垂直相交於1C卡1 3之預先圖案化之動作頻 率爲13·56ΜΗζ之環狀第1天線1 1之方式，配置由將動作頻 φ 率爲2.45GHz之原本應爲；1/2之長度之雙偶天線縮短成〇.2 λ以下之第2天線12、及以跨越形成於該第2天線12之整合 電路12b之方式配載之第2 1C晶片12a所構成之小型入口（ 第2入口）14。此外，於第2天線12，形成以本身及第2 1C 晶片12a之阻抗匹配爲目的之整合電路12b。該整合電路 1 2b係藉由於第2天線1 2之天線組件之中央部附近形成L 字型或T字型之縫隙，並以跨越該縫隙之方式安裝第2 Ic 晶片來實現。 此外，介由絕緣體，固定垂直相交之小型入口 14及環 -11 - 200822448 (9) 狀之第1天線1 1。此時之絕緣體係藉由用以接著小型入口 14及由第1天線1 1所構成之第丨入口（亦即，ic卡13之外裝） 之丙烯酸系黏著材或接著劑、或於樹脂製之基材貼附黏著 材或塗佈接著劑等來實現。 此外’樹脂製之基材可以使用卡片之外裝材料之PET 、聚丙烯（PP)、PVC、紙等。或者，亦可以將用以構成ic 卡13之塑膠卡片當做絕緣體使用。此時，於用以ic卡13 $ 之塑膠卡片之表面或背面，以垂直相交於環狀之第1天線 1 1之方式配置小型入口 1 4，並利用黏著材、接著材、或密 封材等接著固定小型入口 1 4。 如此，藉由第1天線1 1及第2天線1 2之垂直相交，第1 天線1 1之電波及第2天線1 2之電波不易發生互相干涉，故 於第1天線1 1及第2天線12之各動作頻率，皆可有效率放射 電波。此外，因爲第1天線1 1及第2天線1 2係利用靜電耦合 進行連結，縮短之第2天線1 2之實效天線長度會變長，而 $ 可有效地驅動。 其次，針對以垂直相交於動作波長較長之環狀之第1 天線11之方式配置動作波長較短之第2天線12(亦即，小型 入口 14)時，第2天線12(小型入口 14)配置於何位置爲最佳 來進行說明。第2圖係相對於1C卡之第1天線1 1之第2天線 之配置位置槪略圖。此外，第3圖係第2圖所示之1C卡之 第2天線之配置位置及第1天線之通信距離之關係特性圖’ 橫軸係第2天線之配置位置（No.)，縱軸係第1天線之通信 距離。此外，第4圖係第2圖所示之1C卡之第2天線之配置 -12- 200822448 (10) 位置及第2天線之通信距離之關係特性圖，橫軸係第2天線 之配置位置（N0.)，縱軸係第2天線之通信距離。 亦即，爲了調查第2天線1 2之配置位置及通信距離之 關係，如第2圖所示，相對於環狀之第1天線1 1，於圖之數 字所示之各位置以垂直相交之方式配置第2天線12。換言 之，第2圖係於13.56MHz之動作波長之環狀之第1天線1 1 上，從圖之左下角之位置開始依序朝逆時針方向以垂直相 交之方式配置2.45MHz之第2天線12之位置。因此，圖中 之數字1〜16係依序將第2天線12配置於第1天線11上時之 位置。 由第3圖所不之第2天線12之配置位置及桌1天線11之 通信距離之特性可知，於第1天線11之數字1〜16之任一位 置配置第2天線12，安裝於第1天線1 1之1C晶片之通信距 離皆十分安定而約爲1 8 0mm。可知，將波長較短之第2天 線12配置於任意位置，安裝於波長較長之第1天線U之1c 晶片皆可維持安定之通信距離。亦即’動作頻率爲 13.5 6MHz之波長較長之第1天線11之通信距離，不受動作 頻率爲2·45ΜΗζ之波長較短之第2天線12之配置位置之影 響，而維持於安定之通信距離。換言之，無論第2天線1 2 配置於何位置，皆不影響第1天線1 1之通信特性。 然而，由第4圖所示之第2天線1 2之配置位置及第2天 線1 2之通信距離之特性可知，配置著第2天線1 2之各檢測 點之安裝於第2天線12之1C晶片之通信距離介於5〜65mm 之範圍而有較大誤差。亦即，第2天線12之配置位置爲 -13- 200822448 (11)
No.2、N0.3、及Νο·1〇、No.ll之第2天線12之通信距離爲 良好之55〜65 mm’然而’第2天線12配置於其他位置時’ 第2天線12之通信距離較短。亦即。動作頻率爲2.45MHz 波長較短之第2天線12之通信距離’會因爲相對於動作頻 率爲13·56ΜΗζ波長較長之第1天線11之配置位置而出現較 大之變化。 因爲上述因素’第2天線12於環狀之第1天線11之長邊 (亦即，圖之上下之橫方向之邊）之中央部附近具有良好通 ^ 信特性。換言之，第2天線1 2位於距離平行於第1天線1 1之 線之位置稍遠之位置垂直相交於第1天線11時，可以得到 良好之通信特性。其理由很容易理解，係藉由使第1天線 1 1之線與第2天線1 2之長邊方向之線具有平行間隔，減弱 發生於第1天線11之線之電波之波長及發生於第2天線12之 長邊方向之線之電波之波長之互相干涉。 針對此種天線之配置關係，利用第1圖進行說明時’ φ 小型入口 1 4應如第1圖所示配置於第1天線1 1之上邊之中央 部附近，或者，圖上未標示，應配置於第1天線11之下邊 之中央部附近。此外，電波特性雖然會降低若干，然而， 亦可將小型入口 14配置於第1天線11之左邊或右邊之中央 部附近。 <<第2實施例>> 第2實施例係針對以垂直相交於波長較長之第1天線1 1 之方式配置波長較短之第2天線12(亦即，小型入口 14)之 -14- 200822448 (12) 數種變化進行說明。第5圖A-第5圖D係第2實施例之IC 卡以垂直相交之方式配置第1天線及小型入口之數種變化 圖。亦即，第5圖A-第5圖D係放大第1圖所示之1C卡13 之第1天線1 1及小型入口 1 4之配置部份之部份放大圖。 如第5圖 A所示，相對於環狀形成之第1天線1 1之短 邊之左邊側之複數線，以垂直相交之方式配置小型入口 1 4 。此時，小型入口 1 4之兩端未接於第1天線1 1之線，而使 小型入口 1 4之一半程度之長度接於第1天線1 1之複數之線 — 。當然，亦可相對於環狀之第1天線11之右邊側之複數之 線，以垂直相交之方式配置小型入口 1 4。如第5圖A所示 之配置時，小型入口 1 4之配置位置若接近環狀之角，則小 型入口 1 4及第1天線1 1之上邊之內側線之平行間隔會變小 ，小型入口 14內之第2天線之電波會因爲互相干涉而減弱 。因此，小型入口 1 4之配置位置應儘可能離開環狀之角。 此外，如第5圖B所示，相對於環狀形成之第1天線1 1 之長邊之上邊側之複數之線，以垂直相交之方式配置小型 入口 1 4。此時，小型入口 1 4之兩端未接於第1天線1 1之線 ，而使小型入口 1 4之一半程度之長度接於第1天線1 1之複 數之線。當然，亦可相對於環狀之第1天線1 1之下邊側之 複數之線，以垂直相交之方式配置小型入口 1 4。如第5圖 B所示之配置時，小型入口 14之配置位置若接近環狀之角 ，則小型入口 1 4及第1天線1 1之左邊之內側線之平行間隔 會變小，小型入口 1 4內之第2天線之電波會因爲互相干涉 而減弱。因此，小型入口 1 4之配置位置應儘可能離開環狀 -15- 200822448 (13) 之角。 此外，如第5圖C所示，相對於環狀形成之第1天線11 之上邊（長邊）之中央部附近之複數之線，以垂直相交之方 式配置小型入口 1 4。此時，小型入口 1 4之兩端未接於第1 天線1 1之線，而使小型入口 1 4之一半程度之長度接於第1 天線1 1之複數之線。當然，亦可相對於環狀之第1天線1 1 之下邊之中央部附近之複數之線，以垂直相交之方式配置 小型入口 1 4。如此，只要於第1天線1 1之上邊或下邊之中 ^ 央部附近，以垂直相交之方式配置小型入口 1 4，則因爲小 型入口 1 4內之第2天線與第1天線1 1之任一線之平行間隔會 變大，小型入口 1 4內之第2天線之電波不會因爲互相干涉 而減弱。 此外，如第5圖D所示，環狀形成之第1天線1 1 a之角 部非直角時，亦相對於第1天線1 1 a之複數之線，以垂直 相交之方式配置小型入口 1 4。此時，小型入口 1 4之兩端亦 0 未接於第1 〇天線1 1 a之線，而使小型入口 1 4之一半程度之 長度接於第1天線1 1 a之複數之線。 <<第3實施例>> 第3實施例係針對相對於波長較長之第1天線1 1以一半 平行之方式配置波長較短之第2天線12之數種變化進行說 明。第6圖A及第6圖B係第3實施例之1C卡之相對於第1 天線以一半平行之方式配置小型入口之數種變化圖。亦即 ，第6圖A及第6圖B係放大第1圖所示之1C卡之第1天線 -16- 200822448 (14) 及小型入口 14之配置部份之部份放大圖。 如第6圖A所示，係以一半相對於環狀形成之第1天 線1 1之短邊之左邊側之複數之線當中之1條線爲平行、其 他一半則相對於第1天線1 1之長邊之上邊側之複數之線當 中之至少1條線爲垂直相交之方式配置小型入口 1 4。藉由 此種天線配置，小型入口 1 4內之第2天線亦不易發生互相 干涉，而可有效地放射電波。 此外，如第6圖B所示，環狀形成之第1天線Ua之角 ® 部非直角時，亦以一半相對於第1天線1 1 a之複數之線當 中之1條線爲平行、其餘一半則相對於第1天線1 1 a之複數 之線當中之之至少1條線爲特定角度之方式配置小型入口 1 4。藉由此種天線配置，亦可使小型入口 1 4內之第2天線 不易發生互相干涉而可有效地放射電波。藉由如第6圖A 、第6圖B之配置，可以增大型入口 14之裝設自由度。 <<第4實施例>> 第4實施例係針對相對於波長較長之第1天線1 1，以特 定傾斜角度配置波長較短之第2天線1 2之形態進行說明。 第7圖係第4實施例之1C卡之相對於第1天線以特定傾斜角 度配置小型入口之狀態圖。亦即，第7圖係放大第1圖所示 之1C卡之第1天線及小型入口之配置部份之部份放大圖。 如第7圖所示，第4實施例係只要小型入口 1 4之兩端未 接於環狀形成之天線1 1之相同線，小型入口 1 4內之第2天 線不會受到第1天線1 1之互相干涉而可有效地放射電波之 -17- 200822448 (15) 實例。亦即，相對於環狀形成之第1天線11，只要以非平 行（亦即，具有特定角度）之方式配置小型入口 1 4，因爲小 型入口 1 4之兩端未接於第1天線1 1之相同線，小型入口 1 4 內之第2天線就不會受到第1天線1 1之互相干涉。 <<第5實施例>> 第5實施例時，係利用以L字型形成之L字型入口做 0 爲構成第2天線之小型入口時進行說明。第8圖A-第8圖E 係第5實施例之1C卡之使用L字型入口時之天線配置之數 種變化圖。 如第8圖所示，L字型入口 24係由L字型之第2天線22 、第2 1C晶片22a、以及用以實現整合電路之縫隙22b所 構成。 如第8圖B所示，相對於環狀形成之第1天線11之長邊 之上邊側之複數線，以垂直相交方式配置L字型入口 24之 φ 單方之邊（以下，簡稱爲「L字型入口 24」）。此時，L字 型入口 24之兩端未接於第1天線11之線，而以L字型入口 24之一半接於第1天線1 1之複數之線。當然，亦可相對於 環狀之第1天線1 1之下邊側之複數之線，以一半垂直相交 之方式配置L字型入口 24。如第8圖B所示之配置時，L 字型入口 24之配置位置若接近環狀之角，則L字型入口 24 及第1天線1 1之左邊之內側線之平行間隔會變小，會因爲 互相千涉而使L字型入口 24內之第2天線之電波減弱。因 此，L字型入口 24之配置位置應距離環狀之角較遠。 -18 - 200822448 (16) 如第8圖C所示，相對於環狀形成之第1天線1 1之短邊 之左邊側之複數之線，以垂直相交之方式配置L字型入口 24。此時，L字型入口 24之兩端未接於第1天線1 1之線， 而一半之L字型入口 24則接於第1天線1 1之複數之線。當 然，亦可相對於環狀之第1天線1 1之右邊側之複數之線’ 以一半垂直相交之方式配置L字型入口 24。如第8圖C所 示之配置時，L字型入口 24之配置位置若接近環狀之角’ $ L字型入口 24及第1天線1 1之上邊之內側線之平行間隔會 變小，因爲互相干涉而使L字型入口 24內之第2天線之電 波減弱。因此，L字型入口 24之配置位置應距離環狀之角 較遠。 如第8圖D所示，相對於環狀形成之第1天線1 1之上 邊（長邊）之中央部附近之複數之線，以垂直相交之方式配 置L字型入口 24。此時，L字型入口 24之雨端未接於第1 天線11之線，一半之L字型入口 24則接於第1天線11之複 φ 數之線。當然，亦可相對於環狀之第1天線1 1之下邊之中 央部附近之複數之線，以垂直相交之方式配置L字型入口 24。如此，於第1天線1 1之上邊或下邊之中央部附近’以 垂直相交之方式配置L字型入口 24，L字型入口 24內之第 2天線與第1天線1 1之任一線之平行間隔會擴大，故不會因 爲互相干涉而使L字型入口 2 4內之第2天線之電波減弱。 如第8圖E所示，環狀形成之第1天線Ha之角部非直 角時，亦相對於第1天線1 1 a之複數之線，以垂直相交之 方式配置L字型入口 24。此時，L字型入口 24之兩端亦未 -19- 200822448 (17) 接於第1天線1 1 a之線，而一半之L字型入口 24則接於第1 天線1 1 a之複數之線。 亦即，藉由以L字型入口 2 4做爲小型入口，可以更小 空間配置第2天線。因此，相對於第〗天線丨〗a之L字型入 口 24之配置自由度增大，結果，1C卡可進一步小型化。 <<第6實施例>> 第6實施例係針對於1張IC卡配置複數以同一頻率驅 動之1C晶片時之天線之配置方法進行說明。第9圖A、第 9圖B係第6實施例之於1C卡配置2個以同一頻率驅動之 1C晶片時之天線之配置圖。此外，該圖中，只標示2個天 線之配置關係而省略1C卡。 第9圖 A係針對第1天線配置直線型之小型入口之實 例。亦即，如第9圖A所示，配置長度爲52mm之雙偶天 線做爲以2.45MHz之頻帶驅動之第1天線31。此外，於第1 天線31，配載第1 1C晶片31 a。此外，以相對於第1天線 S1，以部份垂直相交之方式配置配載著第2 1C晶片32a第 2天線3 2。因爲第2天線3 2成爲第1天線3 1之輔助天線，故 第2天線32爲20mm以下之直線型之微小天線。藉由以此 方式配置2個天線，配載於第1天線31之第1 1C晶片31a及 配載於第2天線3 2之第2 1C晶片32a可以相同頻率驅動。 第9圖B係針對第1天線配置L字型入口之實例。亦 即，如第9圖B所示’配置著長度爲52mm之雙偶天線做 爲以2.4 5 MHz之頻帶驅動之第1天線3 1。此外，於第1天線 -20- 200822448 (18) 3 1，配載著第1 1C晶片3 1 a。此外’相對於第1天線3 1 ’以 部份垂直相交之方式配置配載著第2 IC晶片33&之L字型 之第2天線33。因爲L字型第2天線33成爲第1天線31之輔 助天線，故L字型之第2天線32係全體長度爲20mm以下 之微小天線。藉由以此方式配置2個天線’配載於第1天線 31之第1 1C千7 7。31a及配載於L字型之第2天線33之第2 IC晶片3 3 a可以相同頻率驅動。 • <<第7實施例>> 第7實施例係針對以900MHz及2.45GHz之2個頻帶進 行驅動之IC卡之天線配置進行說明。第1 〇圖A、第1 0圖 B係以900MHz及2.45GHz之2個頻帶進行驅動之RFID標 籤之天線配置圖，第1 0圖A係以蛇行配置來縮短900MHz 之天線長度時，第10圖B係以雙偶做爲900MHz之天線時 之天線配置。此外，900MHz之RFID標籤9係使用於工廠 ^ 之資材之物流管理等’ 2.45GHz之RFID標籤則使用於入 場券等。 如第10圖 A所示，900MHz之第1天線41，爲了縮短 入口之長度，而以蛇行方式配置天線線。其次，以垂直相 交於第1天線4 1之方式配置第2天線4 2 °此外’第2天線4 2 之長度爲20mm以下。 如第1 〇圖B所示，因爲9 0 0 Μ Η z之第1天線5 1係由雙 偶天線所構成，故λ /2爲1 5 cm，係稍長之入口。其次，以 垂直相交於第1天線5 1之方式配置第2天線5 2。此外，第2 -21 - 200822448 (19) 天線52之長度爲20mm以下。 <<第8實施例>> 第8實施例係針對於配設著第1天線之行動電話配載小 型入口時進行說明。第1 1圖係配載著第1天線及小型入口 之行動電話之槪略斜視圖。 如第1 1圖所示，於行動電話P之一面，配設著第1天 線1 1，以本身之兩端未接於該第1天線1 1之線之方式配置 小型入口 14。此外，省略覆蓋配載著該第1天線11及小型 入口 14之面之覆罩等之圖示。 藉由此方式，可實現即使配置著頻帶不同之2個天線 及2個1C晶片，亦不易發生互相頻率干涉之行動電話。 如以上之說明所示，通常，於1張1C卡安裝具有不同 頻帶之天線之入口（具體而言，係RFID入口）時，電波會 互相干涉而使其中任一或兩方之入口之通信特性劣化，然 而，如第1實施例所示，以垂直相交之方式配置2個頻帶之 入口，任一入口皆無通信特性劣化之情形。藉此，例如， 對13.56MHz所使用之1C卡貼附2.45GHz所驅動之入口， 很容易就可變更成以2個頻帶驅動之1C卡。因此，不必使 用2張1C卡，利用1張1C卡即可實施2頻帶化，不但可提 高1C卡之付加價値，尙可進一步實現1C卡之低價格化。 此外，應用本發明，可以容易地將複數之頻帶之 RFID標籤安裝於行動電話等之小型移動機器，而容易實 現以複數頻帶驅動之小型移動機器。此外’即使國內及外 -22- 200822448 (20) 國所使用之頻帶’只要於國內所使用之I c卡貼附以外國 之頻帶驅動之入口，該1C卡於國內及外國皆可使用。亦 即，即使通信協定等不明之RFIC標籤，只要附加具備可 適用之頻帶之天線之入口，很容易即可再利用。 此外，藉由對既存之1C卡裝設新的其他頻帶之入口 ，無需變更既存之資料系統即可構築新的資料系統。例如 ，使用A鐵道公司之以13.5 6MHz驅動之Side a (登錄商標） 時，藉由對該卡片貼附以2.45GHz驅動之小型入口（RFID 標籤），1張卡片很容易就可以實現Suica(登錄商標）及對 應小型入口之職員証之2種利用。
亦即，本實施例之1C卡時，於1張1C卡安裝著複數 之1C晶片及複數之天線。此時，不但可以比以RF(Radio Frequency:無線頻率）驅動之1C卡更爲普及之13.56MHz之 天線來驅動1個1C晶片，而且，可以將13.56MHz之天線 當做輔助天線，而以2.45GHz之天線來驅動別一個1C晶 ^ 片。如此，可於1張1C卡配置2個頻帶之天線，無需持有2 張卡片卻可使用2種類之1C晶片。亦即，藉由以交叉於波 長較長之第1天線上之方式來配置波長較短之第2天線，可 以減少天線之互相干涉，即使於1張1C卡配設頻帶不同之 2個天線及2個1C晶片，即可實現不易發生頻率千涉之1C 此外，本實施例係針對第1天線爲四角形之形狀之構 成者，然而，亦可以爲四角形以外之三角形、五角形以上 之多角形、圓形等之其他形狀之構成者。 -23- 200822448 (21) 此外，1C標籤並未限制爲1C卡或行動電話等，亦可 以爲貨物標簽、商品之包裝薄膜等之配載著無線驅動之 I c者，只要可將第1天線當做輔助天線利用者’亦可以爲 其他之物。 【圖式簡單說明】 第1圖係第1實施例之1C卡之平面構成圖。 第2圖係1C卡之相對於第1天線之第2天線之配置位置 之槪略圖。 第3圖係第2圖所示之1C卡之第2天線之配置位置及第 1天線之通信距離之關係特性圖。 第4圖係第2圖所示之1C卡之第2天線之配置位置及第 2天線之通信距離之關係特性圖。 第5圖A-第5圖D係第2實施例之1C卡之第1天線及小 型入口爲垂直相交配置之數種變化圖。 φ 第6圖A、第6圖B係第3實施例之1C卡之相對於第1 天線以一半小型入口爲平行配置之數種變化圖。 第7圖係第4實施例之1C卡之相對於第1天線以小型入 口具有特定傾斜角度配置之狀態圖。 第8圖A-第8圖E係第5實施例之1C卡之採用L字型 入口時之天線配置之數種變化圖。 第9圖A、第9圖B係第6實施例之1C卡之配置2個以 相同頻率驅動之1C晶片時之天線之配置圖。 第10圖A係900MHz及2.45GHz之以2個頻帶驅動之 -24- 200822448 (22) RFID標籤之天線配置圖，係縮短900MHz之天線長度時之 天線配置圖。 第10圖B係900MHz及2.45GHz之以2個頻帶驅動之 RFID標鑛之天線配置圖，係900MHz之天線爲雙偶時之天 線配置圖。 第1 1圖係配載著第1天線及小型入口之行動電話之槪 略斜視圖。 第12圖A係第2天線及第2 1C晶片之分解圖，第12圖 B係於第2天線配載第2 1C晶片之圖，第12圖C係第2天線 及第2 1C晶片之接合部份之剖面圖，第1 2圖D係以T字 型縫隙形成供電部份附近之第2天線之變形例圖。 第13圖A-第13圖C係重疊動作頻率不同之2張1C卡 時之槪略圖。 【主要元件符號說明】 1 ··第1 1C卡 1 a :環狀天線 lb:第1 1C晶片 2 :第2 1C片 2a :雙偶天線 2 b:第2 1C晶片 3 : 1C 卡 11 ··第1天線 11 a :第1 IC晶片 -25- 200822448 (23) • 1 2 :第2天線 12a :第2 1C晶片 12b :整合電路 13 : 1C 卡 1 4 :小型入口 22 : L字型之第2天線 22a :第2 1C晶片 22b :縫隙 24 : L字型入口 3 1 :第1天線 31a :第1 1C晶片 3 2 :第2天線 32a :第2 1C晶片 3 3 : L字型之第2天線 33a :第2 1C晶片 0 4 1 :第1天線 42 :第2天線 5 1 :第1天線 52 :第2天線 6 1 :第2天線 6 1 a :縫隙 6 1 b :短柱 6 1 c :縫隙 6 1 d :短柱 200822448 (24) 6 1 e :短柱 62 :第2 IC晶片 62a:信號輸出入電極 62b :信號輸出入電極 P :行動電話
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Claims (1)

  1. 200822448 (1) 十、申請專利範圍 1. 一種1C標籤，係配載著於不同頻帶執行動作之至 少2個1C晶片之1C標籤，其特徵爲具備： 由動作波長相對較長之第1天線、及配載於該第1天線 之第1 1C晶片所構成之弟1入口；及 由動作波長短於前述第1天線，且以本身的兩端未接 於該第1天線之線之方式以特定角度交叉配置之第2天線、 及配載於該第2天線之第2 1C晶片所構成之第2入口。 2. 如申請專利範圍第1項所記載之1C標籤，其中 前述特定角度係直角。 3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之1C標籤，其中 前述第2天線係具有以執行本身及前述第2 1C晶片之 間之阻抗匹配爲目的之整合電路。 4. 如申請專利範圍第3項所記載之1C標籤，其中 前述整合電路係以位於前述第2天線上，跨越前述第2 Φ 1C晶片之端子間的方式而形成之縫隙。 5. 如申請專利範圍第1或2項所記載之1C標籤，其中 前述第2天線之動作波長爲λ時，該第2天線之長度爲 0.2又以下。 6. 如申請專利範圍第1或2項所記載之1C標籤，其中 前述第1天線及前述第2天線係介由絕緣體之靜電容結 合。 7·如申請專利範圍第6項所記載之1C標籟，其中 前述絕緣體係樹脂、該樹脂之發泡體、或紙之其中任 -28- 200822448 (2) 8·如申請專利範圍第6項所記載之1C標籤，其中 前述絕緣體係用以接著前述第1入口及前述第2入口之 黏著材或接著材。 9·如申請專利範圍第6項所記載之1C標籤，其中 前述絕緣體係樹脂、樹脂之發泡體、或紙之其中任一 、及黏著材或接著材之積層構造。 0 1〇·如申請專利範圍第6項所記載之1C標籤，其中 前述絕緣體之厚度爲0.01mm以上。 11·如申請專利範圍第1或2項所記載之1C標籤，其中 前述第1入口係收容於用以構成1C標籤之樹脂性之外 裝材料，前述第2入口係貼附於前述外裝材料之表面或背 面。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項所記載之I c標籤，其中 前述外裝材料係聚對苯二甲酸乙二酯（PET)、乙二醇 壽 變性共聚合PET樹脂（PET-G)、聚氯乙烯、（p VC)之其中 任一。 1 3 ·如申請專利範圍第1或2項所記載之I c標籤，其中 前述第1天線之動作頻率爲13·56ΜΗζ，前述第2天線 之動作頻率爲2.45GHz。 14.一種入口，係配載著由動作波長相對較長之第1天 線、及配載於該第1天線之第1 I c晶片所構成之第1入口之 1C標籤之前述第1入口以外之其他入口，其特徵爲具備： 由動作波長短於前述第1天線，且以本身的兩端未接 -29- 200822448 (3) 於該第1天線之線之方式以特定角度交叉配置之第2天線； 及 於不同於前述第1 1C晶片之頻帶執行動作，配載於 前述第2天線之第2 1C晶片。
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