TW200820820A - Method of fabricating an organic electroluminescent device and system of dispaying images - Google Patents

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Description

200820820 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 且 本發明係有關於一種電激發光元件之製壤>。 特別有關於一種薄膜電晶體之製造方法。 ' 【先前技術】
般而言’薄膜電晶體主要包括非晶碎薄 螟電 晶 顯示 以區分
與多晶矽薄膜電晶體。習知電激發光元# (electroluminescent device display)之陣歹基被可 為發光區與電路區，而陣列基板的製造方法主I '处分 要包括· 形成薄膜電晶體（thin film transistor; TFT)、步 · 極、以及形成有機發光二極體。其中，薄膜電曰〜f琶 ^ 免晶體的掣 程通常包括下列步驟：在基板之整個表面上& 衣%成緩衝 層、多晶石夕層、閘極絕緣層、閘極、層間介| iθ。在薄 膜電晶體完成之後，接著形成晝素電極，且此查i 思素電極 與薄膜電晶體呈電性連接。之後，再於發光區上％ & & 明陽極、有機發光層、以及反射式陰極，而完成電敦^ 光元件的製作。通常，多晶矽薄膜電晶體製程中包含I 器 準分子雷射退火（ excimer laser anneal; ELA)步驟，以^ 將緩衝層上之非晶矽層轉化為多晶矽層，而形成多晶石夕 薄膜電晶體。 然而，由於準分子雷射退火（eycimer laser anneal; ELA)步驟所製作出之薄膜電晶體（例如，用於驅動之 薄膜電晶體（driving TFT ))具有很大的電子移動率 0773-A31972TWF;P2005125;forever769 6 200820820 ' (mobiHty)變異性，因此會導致每—個子晝 度皆不一致，而產生顏色不均（施⑷的缺陷。&冗 件。因此業界亟需-種可以解決上述問題的電激發光元 【發明内容】 有鑑於上述問題’本發明幾個較佳實施例係 護膜（P_ion fllm)的方式，以改‘曰： 率可:使_、_長度（eh_ellength)而提 =口， 本發明—較佳實施㈣提供—種 :製造方法，包括:提供一基板，該基板包括土=牛 牛£域與-弟二疋件區域；形成一非晶矽層於該 方；形成-保護膜於該第二元件區域c 曰，對该非阳矽層進行一準分子雷射退火製程，以 =轉化為一多晶石夕層；移除該保護膜;以及 石夕層’以在該第-元件區域形成-第-圖 水化夕曰曰矽層，及在該第二元件區域 :π安其㈣-圖案化多晶〜 “弟：圖：化多晶石夕層，藉此形成一有機電激發光元件： 件的實 …k供一基板，該基板包括-第--或與-弟二疋件區域；形成—第一、第二圖案化 0773.A31972TWF;P2005125;forever769 7 200820820 麵 非晶石夕層於該第_、篦一 於該第二罔宏几μ弟一兀件區域上方，·形成一保護膜 回案化非晶矽層上方；以 案化非晶矽層淮弁、隹、7 Τ成弟、罘一圖 一、# 一 進仃一準分子雷射退火製程，以將該第 、弟—圖案化非晶一 ㈣，其中該第一圖;:多ΐ;;:::二圖案化多 第二安^^ 矽層之晶粒尺寸大於該 ::夕曰曰矽層’藉此形成一有機電激發光元件。 从 S明又一較佳實施例係提供一種有機電$ _件的製造方法，包L ^ Η钱電4先兀 1 L括· -基板，該基板包括一第一 第二；上：第二元件區域；形成-圖案化保護膜於該 化保護膜二上Γ ’形成—非晶㈣於該基板與該圖案 程，以將 =§轉晶㈣進行-準分子雷射退火製 多曰石J r化為—多晶石夕層；以及圖案化該 石夕：，1在:—元件區域形成一第-圖案化多晶 曰及在该弟二元件區域形成一第二圖宰化多曰 二，其中該第-圖案化多晶矽層 J一 電曰本發明較佳實施例之方法可以改善薄膜 心曰體_差異過大的問題、提高 增加製程之複雜度。 +曰 【實施方式】 個查f1 ®係繪示-主動轉式有機電激發光元件中 m效電路圖。值得注意的是，在說明書内所 旦素包括一個開關薄膜電晶體（switching^ 0773-A31972TWF;P2005125;forever769 8 200820820 film transistor)與驅動薄膜電晶體（mm transistor ) 如第1圖所不，在一包括複數個晝素之晝素區域（未 顯示）内，一晝素100包含開關薄膜電晶體i 〇2、驅動薄 膜電晶體104、有機發光二極體ι〇6、資料線1〇8、掃描 線110以及儲存電容112。有機發光二極體1〇6更包含陽 極電極、電激發光層與陰極（未顯示）。值得注意的是， 開關薄膜電晶體102與驅動薄膜電晶體1 係形成於同 一晝素内。 第1實施例 第2a〜2f圖係繪示本發明一較佳實施例中有機電激 發光元件之製造方法的剖面圖。 如第2a圖所示，在包括第一元件區域（例如，開關 薄膜電晶體（switching thin film transistor )區域 I )與第 二元件區域（例如，驅動薄膜電晶體（driving thin film transistor)區域II)之基板200上依序形成一緩衝層202、 一非晶矽層204與一保護膜206。其中，保護膜206係形 成於第二元件區域II内之部份非晶矽層204上方；且保 護膜206包括以矽為基材之材料，例如是氧化石夕（si〇x)、 氮化矽（SiNx)、氮氧化矽（SiOxNy)、或氧化石夕與氮 化石夕的疊層結構。 如第2b圖所示，對非晶矽層204進行一準分子雷射 退火製程208，以將該非晶矽層轉化為一多晶石夕層 0773-A31972TWF;P2005125;forever769 9 200820820 (204a，204b );但是，在準分子雷射退火製程208中， 因為保護膜206可以反射部分雷射能量的緣故，所以導 致部分多晶矽層204a與部分多晶矽層204b具有不同結 晶效果。也就是說，由於未被保護膜206覆蓋之部分多 晶矽層204b直接受到完整的準分子雷射能量照射的緣 故，所以具有較大尺寸的晶粒（grain )，而其電子遷移 率大約為100cm2/V-s。另一方面，由於保護膜206反射 部分雷射能量的緣故，因而下方之多晶矽層2〇4a的晶粒 尺寸較小，但是晶粒均一性（uniformity)卻增加，而其 電子遷移率大約小於100cm2/V-s。 如第2c圖所示，移除保護膜206。接著，如第2d 圖所示，圖案化多晶矽層（204a，204b )，而形成位於 開關薄膜電晶體區域I内之第一主動層204’b與位於驅動 薄膜電晶體區域II内之第二主動層204a。 如第2e圖所示，形成一閘極介電層210，以覆蓋第 一主動層204，b與第二主動層204a等圖案化多晶矽層以 及緩衝層202。 接著，如第2f圖所示，依序進行後續製程，以形成 閘極（212，214)、層間介電層216、導線218、覆蓋層 220、及透明電極（晝素電極）224，由於此部分並非本 發明重點，在此省略說明。最後，完成一有機電激發光 元件2000，包括開關薄膜電晶體與驅動薄膜電晶體。上 述開關薄膜電晶體包括閘極212、閘極介電層210與第一 主動層204’b;另外，上述驅動薄膜電晶體包括閘極214、 0773-A31972TWF;P2005125;forever769 10 200820820 Ή- -閘極介電層210與第二主動層204a。其中，第一主動層 204 b 包括通道區 204’c、輕摻雜;;及極（lightly doped drain ) 204’d、源/汲極204’e;第二主動層204a包括通道區204c 與源/汲極204d。 第2實施例 第3a〜3f圖係繪示本發明另一較佳實施例中有機電 激發光元件之製造方法的剖面圖。 如第3a圖所示，在包括開關薄膜電晶體（switching thin film transistor )區域]:與驅動薄膜電晶體（ddving thin film transistor)區域η之基板3〇〇上依序形成一緩衝層 302與一非晶矽層304。 如第3b圖所示，將非晶矽層3〇4圖案化，以形成位 於開關薄膜電晶體區域！之圖案化非晶矽層3〇4b以及位 於驅動薄膜電晶體區域η之圖案化非晶矽層3〇4a。 士弟3c圖所示，形成一覆蓋圖案化非晶石夕層j〇4a 以及部分缓衝層302表面之保護膜3〇6。上述保護膜3〇6 包括以矽為基材之材料，例如是氧化 石夕（狐）、氮氧切⑽卿）、魏㈣錢2 的疊層結構。 如第3d圖所示，進行一準分子雷射退火製程3〇8, 以將圖案化非晶石夕層3〇4a與3〇4b轉化為多晶石夕層3〇4c 與304d。其中，位於開關薄膜電晶體區域ι内之多晶石夕 層304d作為後續形成之開關薄膜電晶體的第—主動層， 0773-A31972TWF;P2005125;forever769 11 200820820 而位於驅動薄膜電晶體區域II内之多晶矽層304c則作為 後縯形成之驅動薄膜電晶體的第二主動層。但是，在準 分子雷射退火製程3〇8中，因為保護膜3〇6可以反射部 分雷射能量的緣故，所以導致多晶矽層3〇4c與多晶矽層 3〇4d具有不同結晶效果。換句話說，由於未被保護膜3恥 覆蓋之多晶矽層304b直接受到完整的準分子雷射能量照 射的緣故，所以具有較大尺寸的晶粒（grain)，而其電 φ 子遷移率大約為100cm”V-s。另一方面，由於保護膜3〇6 反射部分雷射能量的緣故，因而下方之多晶矽層3〇4c的 曰曰粒尺寸較小，但是晶粒均一性（)卻增加， 而其電子遷移率大約小於100cm2/V-s。 如第3e圖所示，形成一閘極介電層309，以覆蓋第 一主動層與第二主動層等圖案化多晶矽層以及緩 302。 曰 接著’如第3f圖所示，依序進行後續製程，以形成 _閑極（31〇,312)、層間介電層314、導線316、覆蓋層 318、及透明電極（晝素電極）322，由於此部分並非本 發明重點，在此省略說明。最後，完成一有機電激發光 兀件3000，包括開關薄膜電晶體與驅動薄膜電晶體。上 述開關薄膜電晶體包括閘極31〇、閘極介電層3〇9與第一 主動層；另外，上述驅動薄膜電晶體包括閘極312、閘極 介電層309與第二主動層。其中，第一主動層包括通道 區 304’a、輕摻雜汲極（lightly d〇ped drain) 飞、源/ 汲極304’c;第二主動層包括通道區3〇4，d與源/汲極 0773-A31972TWF;P2005125;forever769 12 200820820 ' 304’e ° 第3實施例 第4a〜4g圖係繪示本發明又一較佳實施例中有機電 激發光元件之製造方法的剖面圖。 如第4a圖所示，在包括開關薄膜電晶體（3界加11丨叩 thin film transistor )區域 I 與驅動薄膜電晶體（driving thin film transistor)區域II之基板400上形成一圖案化保護 膜402。上述圖案化保護膜位於驅動薄膜電晶體區域II 内。上述圖案化保護膜402之材料包括氧化矽（SiOx)、 氮化矽CSiNx)、氮氧化矽（SiOxNy)、或其疊層結構。 如第4b圖所示，形成一緩衝層404於圖案化保護膜 402與基板400上方。接著，形成一非晶矽層406於缓衝 層404上方，如第4c圖所示。 如第4d圖所示，對非晶石夕層406進行一準分子雷射 退火製程408，以將非晶石夕層406轉化為一多晶石夕層 (406a 5 406b ) 〇 如第4e圖所示，將多晶矽層（406a，406b )圖案化， 而形成圖案化多晶矽層406’a與406b。其中，位於開關 薄膜電晶體區域I内之多晶矽層406’a作為後續形成之開 關薄膜電晶體的第一主動層’而位於驅動溥膜電晶體區 域II内之多晶矽層406b則作為後續形成之驅動薄膜電晶 體的第二主動層。但是，在準分子雷射退火製程408中， 因為圖案化保護膜402可以反射部分雷射能量的緣故， 0773-A31972TWF;P2005125;forever769 13 200820820 所以導致HI安π交s r A ^ ,
由於圖案化保護膜402 ’、、、v 句 iuucm/v_s。另一方 吸收部分雷射能量的緣故， 因而上方之圖案化多晶矽層4〇6，; 晶粒均一性（Unif〇rmjty )卻增加 果。去 子雷射能量照射的緣故 (grain)，而其電子遷移 面，由於圖宏於./里遽赠· /1 1 a的晶粒尺寸較小，但是 口，而其電子遷移率大約
小於 100cm2/V-s。 如第4f圖所示，形成一 一主動層與第二主動層等圖案化多晶矽層以及緩 402。 曰 接著，如第4g圖所示，依序進行後續製程，以形成 閑極（412，414)、層間介電層416、導線418、覆蓋層 420、及透明電極（晝素電極）424，由於此部分並非本 發明重點，在此省略說明。最後，完成一有機電激發光 ⑩元件4000，包括開關薄膜電晶體與驅動薄膜電晶體。上 述開關薄膜電晶體包括閘極412、閘極介電層410與第一 主動層；另外，上述驅動薄膜電晶體包括閘極414、閘極 介電層410與第二主動層。其中，第一主動層包括通道 區 406 d、輕摻雜沒極（lightly doped drain) 406，b、源/ >及極406，c;第二主動層包括通道區4〇6c與源/没極4〇6d。 第4實施例 第5a〜5g圖係緣示本發明又一較佳實施例中有機電 0773-A31972TWF;P2005125;foreyer769 14 200820820 • 激發光元件之製造方法的剖面圖。 如第5a圖所示，在包括開關薄膜電晶體（switching thin film transistor )區域 I 與驅動薄膜電晶體（driving thin film transistor)區域II之基板500上形成一圖案化保護 膜502。上述圖案化保護膜位於驅動薄膜電晶體區域II 内。上述圖案化保護膜502包括任何金屬材料。 如第5b圖所示，形成一緩衝層504於圖案化保護膜 502與基板500上方。接著，形成一非晶矽層506於緩衝 •層504上方，如第5c圖所示。 如第5d圖所示，對非晶矽層506進行一準分子雷射 退火製程508，以將非晶矽層506轉化為一多晶矽層 (506a ， 506b) 〇 如第5e圖所示，將多晶石夕層（506a，506b )圖案化， 而形成圖案化多晶矽層506’a與506b。其中，位於開關 薄膜電晶體區域I内之多晶矽層506’a作為後續形成之開 關薄膜電晶體的第一主動層，而位於驅動薄膜電晶體區 域II内之多晶矽層506b則作為後續形成之驅動薄膜電晶 體的第二主動層。但是，在準分子雷射退火製程508中， 因為圖案化保護膜502散熱較其他部分快的緣故，所以 導致圖案化多晶矽層506’a與506b具有不同結晶效果。 換句話說，由於圖案化多晶矽層5〇6’a直接受到完整的準 分子雷射能量照射的緣故，所以具有較大尺寸的晶粒 (grain )，而其電子遷移率大約為100cm2/V-s。另一方 面，圖案化保護膜502上方之圖案化多晶矽層506’a的晶 0773-A31972TWF;P2005125;forever769 15 200820820 粒尺寸較小，但是晶粒均一性（uniformity)卻增加，而 其電子遷移率大約小於l〇〇cm2/V-s。 如第5 f圖所示，形成一閘極介電層510，以覆蓋第
一主動層與第二主動層等圖案化多晶矽層以及緩衝層 502。 S 接著，如第5g圖所示，依序進行後續製程，以形成 閘極（512 ’514)、層間介電層516'導線518、覆蓋層 520、及透明電極（畫素電極）524，由於此部分並非本 毛明重點，在此省略說明。隶後，完成一有機電激發光 元件5000，包括開關薄膜電晶體與驅動薄膜電晶體。上 述開關薄膜電晶體包括閘極512、閘極介電層51 〇鱼第一 主動層；另外，上述驅動薄膜電晶體包括閘極514、閘極 介電層510與第二主動層。其中，第一主動層包括通道 區 506，d、輕掺雜汲極（lightly doped drain) 5〇6,b、源 汲極506’c;第二主動層包括通道區5〇6c與源/汲極士 /第6圖係緣示本發明一較佳實施例中用於顯示影偉 之系統。在此’此系統為可以是顯示面板62〇、平面面 板元件640或電子元件_。上述有機電激發光元件可 以裝配於顯示面板而作成有機電激發光二極體面板。如 第6圖所示，顯示面板⑽包含有機電激發光元件㈣ :列如第2f、3f#4g分別所示之有機電激發 〇、雇與4_。在其它實施例中，平面面板元科 _可由顯示面板620與控制器㈣所構成。在其它實施 例中，顯示面板62G也可以構成眾多電子元件的一、 0773-A31972TWF;P2005125;forever769 16 200820820 •(例如，在此為電子元件600)。一般而言，電子元件600 可以包含平面面板元件640,而平面面板元件640具有顯 示面板620、控制器630與輸入元件650。而且，輸入元 件650係與平面面板元件640耦接，且提供輸入訊號（例 如，影像訊號）至顯示面板620以產生影像。電子元件600 可以是行動電話、數位相機、個人數位助理（personal digital assistant; PDA)、筆記型電腦、桌上型電腦、電視、 車上顯示器或可攜式DVD播放機。 * 綜上所述，本發明幾個較佳實施例藉由一準分子雷 射退火（excimer laser anneal; ELA)步驟，在緩衝層上 或下、或在閘極絕緣層上增加額外的保護膜或金屬膜， 造成用於開關之薄膜電晶體（switching TFT )與用於驅 動之薄膜電晶體（driving TFT )具有不同的結晶效果。 結果，具有上述不同的結晶效果之薄膜電晶體的主動矩 陣型有機電激發光元件則會有較均勻之驅動電流，而避 ^ 免產生顏色不均（Mura )的缺陷。 【圖式簡單說明】 第1圖係繪示一主動矩陣式有機電激發光元件中一 個畫素之等效電路圖。 第2a〜2f圖係繪示本發明一較佳實施例中有機電激 發光元件之製造方法的剖面圖。 第3a〜3f圖係繪示本發明另一較佳實施例中有機電 激發光元件之製造方法的剖面圖。 0773-A31972TWF;P2005125 ;forever769 17 200820820 ‘ 第4a〜4g圖係繪示本發明又一較佳實施例中有機電 激發光元件之製造方法的剖面圖。 第5a〜5g圖係繪示本發明又一較佳實施例中有機電 激發光元件之製造方法的剖面圖。 第6圖係繪示本發明一較佳實施例中用於顯示影像 之系統。
【主要元件符號說明】 I〜開關薄膜電晶體區域； II〜驅動薄膜電晶體區域； 100〜晝素； 102〜開關薄膜電晶體； 104〜驅動薄膜電晶體； 106〜有機發光二極體； 108〜資料線； 110〜掃描線； 112〜儲存電容； 200〜基板； 202〜緩衝層； 204〜非晶矽層； 204a〜多晶石夕層； 204b〜多晶碎層； 204c〜通道區； 204d〜源/汲極； 2〇4’b〜第一主動層； 204’c〜通道區； 204’d〜輕摻雜没極； 204’e〜源/汲極； 206〜保護膜； 208〜準分子雷射退火製程 • 210〜閘極介電層； 212〜閘極； 214〜閘極； 216〜層間介電層； 218〜導線， 220〜保護層； 224〜透明電極； 3 0 0〜基板； 0773-A31972TWF;P2005125 ;forever769 18 200820820 3 02〜緩衝層； 304〜非晶矽層； 304a〜圖案化非晶矽層 ;304b〜圖案化非晶矽層 304c〜多晶石夕層； 304d〜多晶石夕層； 304’a〜通道區； 304’b〜輕摻雜汲極； 304’c〜源/汲極； 304’d〜通道區； 304’e〜源/汲極； 306〜保護膜； 308〜準分子雷射退火製程； 309〜閘極介電層； 310〜閘極； 312〜閘極； 314〜層間介電層； 316〜導線； 318〜保護層； 322〜透明電極； 400〜基板； 402〜圖案化保護膜； 404〜缓衝層； 406〜非晶石夕層； 406a〜多晶石夕層； 406c〜通道區； 406’a〜圖案化多晶石夕層 406’b〜輕摻雜汲極； 406’c〜源/汲極； 406’d〜通道區； 406b〜圖案化多晶矽層 406d〜源/汲極； 408〜準分子雷射退火製程； 410〜閘極介電層； 412〜閘極； 414〜閘極； 416〜層間介電層； 418〜導線；. 420〜保護層；. 424〜透明電極； 500〜基板； 502〜圖案化保護膜； 5 04〜緩衝層； 506〜非晶矽層； 506a〜多晶石夕層； 0773-A31972TWF;P2005125 ;forever769 19 200820820 5 06 c〜通道區； 506’a、506b〜圖案化多晶碎層； 506’b〜輕摻雜没極； 506’c〜源/没極； 506，d〜通道區； 506b〜圖案化多晶矽層； 506d〜源/没極； 508〜準分子雷射退火製程；
510〜閘極介電層； 514〜閘極； 518〜導線； 524〜透明電極； 610〜有機電激發光元件； 630〜控制器； 650〜輸入元件； 2000〜有機電激發光元件； 4000〜有機電激發光元件。 512〜閘極； 516〜層間介電層； 520〜保護層； 600〜電子元件； 620〜顯示面板； 640〜平面面板元件； 3000〜有機電激發光元件
0773-A31972TWF;P2005125;forever769 20

Claims (1)

  1. 200820820 十、申請專利範圍： -種有機電激發光元件的製造方法，包括： W提基板’该基板包括—含有複數個晝素之書+ 區域，其中每一查'、 一 I I素内包括一第—元件區域— 件區域； 弟一 70 形成一非晶矽層於該基板上方； 層上^成-保護膜於該第二元件區域内之部份該非晶石夕 對该非晶石夕層進行一進八 非晶彻化為-多晶判二雷射退火製程，以將該 -圖宰圖ft亥夕層，以在該第-元件區域形成-第 α木化夕日日石夕層，及在該第二元 知 案化多晶矽層，1巾寸筮 4形成一罘二圖 丄Λ 中5亥弟一圖案化多晶矽層之曰柄π 4 大於該第二圖宰化冬曰昆 ^ ㈢之TO粒尺寸 元件。 〜夕層，猎此形成—有機電激發光 2.如申請專利範圍第】項 的製造方法，其中_#嘈腔孫有械電激發光元件 如申，專:;:ί，係包括简基材之材料。 的製造方法，其尹在該準分子飞激發光元件 膜用以反射部分雷射能量。 、火J程中，該保護 4·如申請專利範圍第][項所述 的製造方法，更包括： K有機電激發光元件 在該圖案化該多晶矽層之步驟 層，以覆蓋該圖案化多晶矽層。，形成-閘極介電 0773-A31972TWF;P2005125;f〇rever769 21 5·如申請專利範圍第1項所述之古 的製造方法，其中位於、=有機電激發光元件 多晶矽層為一第—動 區域内之第一圖案化 q昂主動層，位於該第--从 二圖案化多晶矽層為_第二主動層。-兀件區域内之第 6. 如申請專利範圍第、項所曰 的製造方法，其中兮笛一— 、 機甩激發光元件 ❿ 晶體元件，而哕第：W區域内形成-開關薄膜電 元件。 %件區域内形成—驅動薄膜電晶體 7. 如申請專利範圍第6項 的製造方法，更包括： 、、之有機電激發光元件 -有機發光二極體，其中該 驅動薄膜電晶體元件形成電性連接。4-極體係與該 8 ·如申請專利範圍第 的f迕方、1 ^ 弟員所述之有機電激發光元件 方法’其中在準分子雷射退火製程之後移除該保 的製軌圍第1項所述之有機電激發光元件 %後立/敗’，、+在該非㈣層形成於該基板上方之步 :=該非_圖案化而先形成第-、第二圖案 非4層於㈣―、第二元件區域上方。 的製t利範=9項所述之有機電激發光元件 中该保護膜係包括以矽為基材之材料。 11.如申請專利範圍第9項所述之有機電激發光元件 『衣k方去，其中在該準分子雷射退火製程中，該保護 膜可以反射部分雷射能量。 〇773.A3l972TWF;P20〇5125;forever769 22 200820820 12·如申請專利範圍第9項所述之有機電激發光 的製造方法，更包括·· 在，準分子雷射退火製程之後，形成一閘極介電 層，覆k該未被保護膜覆蓋之多晶矽層、基板與該保 膜。 /、μ >、晏 13.如申請專利範圍第9項所述之有機電激發光元 的製造方法，其中該第一、第圖荦 一 ^ 乐口系化夕日日矽層分別為 :位於该弟一元件區域内之一第一主動層與位於該第二 元件區域内之一第二主動層。 ^如申請專利範圍第9項所述之有機電激發光元件 曰法’其：該第一元件區域内形成-開關薄膜電 曰一曰杜兀’而該第二元件區域内形成-驅動薄膜電晶體 兀仵。 15·如申請專利範圍第14項所诫古 件的製造方法，更包括·· 有機電激發光元 -有機發光二極體，其中該有機發光 驅動薄膜電晶體元件形成電㈣ι 體係…亥 種有機電激發光元件的製造方法，包括： 區域基板包括—含有複油晝素之畫素 件區域； -素内匕括-弟一疋件區域與一第二元 形成-圖案化保護膜於該第二元件區域上方，· $成非aa%層於該基板與該㈣化保護膜上方； 對該非㈣層進行—準分子雷射退火製程以將該非 0773-A31972TWF;P2005125;f〇rever769 23 200820820 晶矽層轉化為一多晶矽層；以及 圖案化該多晶矽層，以在該第一元件區域形成一第 一圖案化多晶矽層，及在該第二元件區域形成一第二圖 案化夕曰曰石夕層’其中該第一圖案化多晶石夕層之晶粒尺寸 大於及第—圖案化多晶矽層，藉此形成一有機電激發光 1/·如曱請專利範圍第 杜 不π厂/丨地〜匁憐m激發光〜 衣以方法，其中該圖案化保護膜係包括金屬材料。 件的請專利範圍第16項所述之有機電激發光元 牛的η方法’其中在該準分子雷射退火製財， 案化保護膜有較高的熱傳係數。 / 57 ㈣===第16項所㈣機_光元 在^t化該多晶梦層之步驟後，形成—閘極 a，以復盍該圖案化多晶矽層與該基板。 仟的衣每方法，其中該第一、第二圖案化 為-位於該第一元件區域曰曰“別 二元件區域内之-第二主動層。#主動層與位於該第 2】.如申請專利範圍第16項 件的製造方法，其中該第—元件 有^激發光元 電晶體元件，而該第二元件區域内开if成-開關薄膜 體元件。 4内形成—驅動薄膜電晶 I如申請專利範圍第U項所逑之有機電激發光元 〇773-A31972TWF;P2〇〇5125;forever769 200820820 件的製造方法，更包括： 驅動蓴膜：曰毛光—極體’其中該有機發光二極體係與該 驅動溥膜兒日日體元件形成電性連接。 23·—種影像顯示系統，包括·· 一有機電激發光元件，包括·· 數個有—晝素區之—基板’其中該晝素區包括複 數個认晝素，且每—個次晝素包括： 一開關區以及一驅動區； 一開關薄膜電晶體’置於該開關區；以及 一驅動薄膜電晶體’置於該驅動區，且至少包括一 Γ:位於該間極下方之-多晶石夕層、與位於該多晶石夕 二：昆之目案化保護膜，其中該圖案化保護膜係為- 金屬層且介於該多晶矽層與該基板之間。 2 4.如申請專利範圍第2 3項所述日之影像顯示系統， 更已括-顯不面板，其中該有機電激發光元件形成該顯 示面板的一部份。 25. 如巾請專利範㈣24項所述之影像顯示系統， 更包括-電子元件，其中該電子元件包括 該顯示面板；以及 -耦接至該顯示面板之輪入單元，且該輸入單元用 以提供-輸人訊號至該顯示面板，因而該顯示面板顯示 影像。 26. 如申μ專利㈣第25項所述之影像顯示系統， 其中該電子元件係為-行動電話、數位相機、個人數位 0773-A31972TWF;P2005125;forever769 25 200820820 ^ 助理、筆記型電腦、桌上型電腦、電視、車上顯示器或 可攜式數位多功能光碟播放機。
    0773-A31972TWF;P2005125;forever769 26
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