TW200810677A - Electronic element module - Google Patents

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TW200810677A
TW200810677A TW096113450A TW96113450A TW200810677A TW 200810677 A TW200810677 A TW 200810677A TW 096113450 A TW096113450 A TW 096113450A TW 96113450 A TW96113450 A TW 96113450A TW 200810677 A TW200810677 A TW 200810677A
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TW
Taiwan
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electronic component
circuit carrier
cooling device
component module
carrier assembly
Prior art date
Application number
TW096113450A
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Inventor
Richard Matz
Bernhard Siessegger
Steffen Walter
Original Assignee
Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh
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Publication date
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Description

200810677 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係一種至少具有一個多層電路載體組件的電子 元件模組。 【先前技術】 元件技術一直朝向使元件模組的效能變得更大，同時 體積變得小的方向努力。新的材料、新的製程技術、以及 新的設計方式使電子元件的開關循環變得更快，同時結構 ® 變得更緊密。在元件微縮化的過程中出現的一個問題是如 何將元件模組在運轉中產生的廢熱排放出去。有許多不同 的方式可以達到使這一類的元件模組的結構變得更緊密的 目的，其中一種非常突出的方式是使用多層電路載體組件 ^ ，原因是經由將面積分配到第三度空間的方式可以大幅縮 小一般二度空間的印刷電路板的體積。一般而言廢熱排放 的問題是因爲能夠供電路載體組件使用的絕緣材料只具有 有限的排熱能力。 ® 功率電子學主要是從材料技術及製程技術的改善來解 決電子元件產生的廢熱的排放問題。例如專利 wo 2004/045016 Α2提出一種多層陶瓷基板複合體的低溫燒結 陶瓷（LTCC: Low Temperature Cofired Ceramic)技術’這種 技術是在陶瓷基板下方形成一個金屬載體，並將功率元件 安裝在陶瓷基板的正面上。然後經由陶瓷基板形成通往金 屬載體的通孔，以便能夠從垂直方向將功率元件產生的廢 熱排出。 -5- 200810677 另外一種達到熱耦合的方法是將功率元件直接安裝在 一個位於電路載體的開口內的金屬載體上。這一類的配置 方式在美國專利 US 2003/00621 85 A1 及 US 2004/0222433 A1中均有提及。 利用黏著劑連接、焊接連接、或是將陶瓷燒結等方法 均可形成陶瓷電路載體及金屬冷卻體之間的連接。但是這 些方法都是針對二度空間配置的元件（例如發光二極體）所 設計，而且所產生的廢熱實際上都只是從垂直於金屬載體 層的方向向下排出。 多層耐熱電路載體也可以採用LTCC技術進行排熱， 這種技術對於電路載體的層數、能夠形成的通孔數量、以 及沖壓窗口的形成都沒有限制。此外，這種技術還可以經 由所謂的球柵格陣列（BaU-Grid-Arrays)將多個陶瓷電路載 體堆疊成一個三度空間的模組。但是卻無法解決如何將組 成這種模組的元件冷卻的問題。 由於已知的元件模組係以垂直方向進行排熱，因此要 將多個電路載體組件堆疊在一起乃是不可能的事。 【發明内容】 本發明的目的是要提出一種結構緊密且具有良好的排 熱效果的電子元件模組。 採用具有本發明之申請專利範圍第丨項之特徵的電子 元件模組即可達到上述目的。 本發明的電子元件模組至少具有第一多層電路載體組 件及一個冷卻裝置，其中冷卻裝置與多層電路載體組件的 -6- 200810677 正面接觸.，而且接觸面積應盡可能的大，同時冷卻裝置的 構造方式使電子元件模組在運轉中產生的廢熱能夠經由冷 卻裝置以橫向於電路載體組件的方向排放出去。這種設計 方式不但可以製造出具有一個多層電路載體組件的結構緊 密的元件模組，而且能夠以更好的方式將產生的廢熱排出 。本發明的電子元件模組不是以垂直方向排出廢熱，而是 以水平方向排出廢熱，因此不必形成通孔以維持與金屬載 體的接觸。這種廢熱排放的方式可以提高電路載體組件的 可堆疊性，以形成一個緊密的類似立方體形的電子元件模 組。此外，從多層電路載體組件的側面橫向排出廢熱的方 式還可以有效提高電子元件模組的散熱效率。爲了盡可能 降低電路載體組件及散熱片之間的熱阻，最好是以導熱性 良好的材料製作冷卻裝置。 冷卻裝置最好是沿著橫向方向從電路載體組件的一個 邊延伸到電路載體組件的範圍之外。這樣做的好處是可以 有效排熱及以簡單的方式使冷卻裝置與電子元件模組的外 殼接觸。 冷卻裝置至少有部分區域的形狀是平板狀，其目的是 爲了與電路載體組件形成大面積的接觸。 冷卻裝置最好至少有部分區域是作爲電子元件模組的 一個外殼的側壁，以達到盡可能縮小電子元件模組的體積 的目的。 一種有利的設計方式是至少有一個多層電路載體組件 具有至少一個絕緣層、至少一個構件層、以及至少一個導 200810677 線層。一種可行的設計方式是使這些層的連接方式爲構件 層與絕緣層連接，以及導線層與構件層連接。另外一種可 行的連接方式是以導線層作爲最上面一層，然後再向下連 接構件層，構件層再向下連接絕緣層。也可以在構件層及 導線層之間另外設置一個絕緣層。最好是在導線層背對構 件層的那一個面上（或是背對另外設置的一個絕緣層的那 一個面上）設置一個冷卻裝置。此外還可以將另外一個冷卻 裝置設置在絕緣層上，這樣在電路載體組件的兩邊（上面及 # 下面）就各有一個橫向排熱的冷卻裝置。 最好是在第一電路載體組件及第二電路載體組件之間 設置一個中間層，尤其是一個絕緣的中間層，以及在這兩 個電路載體組件背對這個中間層的那一個正面上分別設置 一個冷卻裝置。導線層最好是與中間層鄰接，以及冷卻裝 置最好是與絕緣層鄰接。 在中間層的兩個相對而立的面上可以分別設置一個電 路載體組件，而且構成這兩個電路載體組件的層數及其排 ® 列方式可以是相同的，也可以是不同的。 冷卻裝置的兩邊最好是在電路載體組件的側面彼此連 接，尤其是經由可導熱的間隔構件將彼此連接。在以這種 方式形成的電子元件模組中，在中間層的兩個相對而立的 面上各有一個多層電路載體，其中電路載體組件在其露出 的正面（尤其是水平的正面）上至少有部分區域各連接一個 冷卻裝置。冷卻裝置係直接設置在這個正面上。這種具有 一個冷卻裝置（尤其是一個冷卻層）、一個位於這個冷卻裝 -8- 200810677 置之上的第一多層電路載體組件、一個位於第一多層電路 載體組件之上的中間層、一個位於這個中間層之上的第二 多層電路載體組件、以及一個位於第二多層電路載體組件 之上的冷卻裝置的夾持式堆疊結構可以使元件模組的結構 變得非常緊密，以達到更好的排熱效果。此外，這種夾持 式堆疊結構可以堆疊的層數是不受限制的。 當然，冷卻裝置、電路載體組件、以及中間層的堆疊 也可以用其他任意順序進行堆疊。 # 將冷卻層設置在電路載體組件露出的正面上的作法， 尤其是經由間隔構件在垂直方向將水平的冷卻裝置連接在 一起的作法，使冷卻裝置可以同時作爲電子元件模組的外 殼。 另外一種可行的方式是將中間層也製作成具有排熱作 用，尤其是由PCB基板或直接銅鍵結鋁氮化物基板（DCB : Direct Copper Bonded Aluminium Nitride Substrate)構成的 中間層。例如可以中間層具有一個金屬核心，尤其是一個 ® 鋁核心或銅核心。本發明的一種特別有利的實施方式是使 用模鑄導線架技術（Molded-Lead-Frame-Technik)進行連接 。包括冷卻裝置、電路載體組件、以及中間層之間的連接 都可以使用模鑄導線架技術。根據本發明的這種實施方式 ，電路載體組件的每一個層都至少有部分區域是可以彎曲 的，因此絕緣層、構件層、以及導線層都是可以彎曲的。 因此任何一個構件都可以經由其所有露出的表面被冷卻。 另外一種可行的方式是至少在相當厚的線路或金屬深拉構 -9- 200810677 件（例如鋁深拉件或銅深拉件）的部分區域上噴上塑膠，而 且這種配置方式及其普遍化完全由電子元件模組內的電流 負載及熱負載的總合及絕緣強度決定。這樣就可以將通電 及冷卻整合在一起。此外，電路載體組件的外側還可以構 成外殼及任意形狀的散熱片，並具有一個絕緣用的插入模 ，同時還能夠達到下一層的熱耦合。這一類的夾持式堆疊 結構也可以不像模鑄方式一樣將電路載體組件與中間層黏 貼在一起。冷卻裝置最好有一個段落同時作爲冷卻裝置的 • 導電接通用的插塞或插孔之用。 最好是至少有一個冷卻裝置及/或至少有一個中間層 及/或至少有一個電路載體組件是以模鑄導線架技術製成。 冷卻裝置最好是至少有部分區域是由金屬構成，尤其 是由金屬板構成。 冷卻裝置最好是至少有部分區域是設置在第一電路載 體組件及第二電路載體組件之間作爲中間層。這樣就可以 利用一個冷卻裝置使兩個電路載體組件能夠從橫向冷卻， ® 以達到使電子元件模組的結構更爲緊密的目的。 至少可以再設置一個與另外一個冷卻裝置接觸的第三 電路載體組件，並經由至少一個間隔構件將與第一電路載 體組件及第二電路載體組件接觸的冷卻裝置與另外一個冷 卻裝置連接在一起。 最好是形成至少一個球柵格陣列及/或至少一個彈簧 接點及/或至少一個可插入的插座，以作爲第三電路載體組 件與第一電路載體組件或與第二電路載體組件之間的電氣 -10- 200810677 接點。這樣即使是在元件受熱臌脹時也能夠維持穩固的電 氣接點。因此有許多方式可以形成不是設置在一個共同的 中間層或冷卻裝置的相對而立的面上的電路載體組件的電 氣接點。最好是根據所所用的製造技術形成最佳的電氣接 點。 最好是在冷卻裝置內形成貫穿式的電氣接點’尤其是 通孔，以便使兩個電路載體組件彼此接觸，同時冷卻裝置 將電氣接點絕緣。 • 最好是至少有一個電路載體組件具有多個帶有積體電 路的低溫燒結陶瓷（LTCC)層。這樣就可以堆疊成一個三度’ 空間的緊密的立方體形的電子元件模組，同時也是一個具 有排熱作用的金屬陶瓷複合體。 最好是在冷卻裝置內設置一個與電子元件模組的外部 電氣接點連接的插塞連接。這種作法在至少有一個冷卻裝 置構成電子元件模組的一個外殼壁的情況下特別有利。這 個外殼壁可以作爲主要的散熱片。 ® 最好是使用電絕緣的間隔構件·，同時經由電絕緣的間 隔構件連接在一起的冷卻裝置最好是能夠接通不同的電位 。一種有利的設計方式是向外經過至少兩個接通不同電位 的冷卻裝置形成電子元件模組的電氣接點。 最好是至少有在冷卻裝置的兩邊形成散熱片。 冷卻裝置最好是沿著橫向方向延伸，並從電路載體組 件的側面經過間隔構件向外伸出。這表示垂直方向的間隔 構件從冷卻裝置的兩邊被朝電路載體組件的方向壓回，因 -11- 200810677 而在水平方.向形成冷卻裝置的自由端。最好是在冷卻裝置 的兩邊上形成散熱片，以進一步提高排放廢熱的能力。 本發明的其他有利的實施方式將在下面配合圖式及實 施例加以說明。 【實施方式】 本發明的其他有利的實施方式將在下面配合圖式及實 施例加以說明。 在圖式中，凡是相同或是具有相同功能的元件均以相 0同的元件符號表示。 第1圖顯示的電子元件模組系統（1)具有3個第一實施 例的電子元件模組（2，3，4)。第一電子元件模組（2)具有第 一多層電路載體組件（21)及第二多層電路載體組件（22)。在 這兩個電路載體組件（21，22)之間有一個中間層（3)。在本 實施例中，中間層（23)是一片金屬板。由於中間層（23)的作 用是使電子元件模組（2)冷卻，因此在以下的說明中會將中 | 間層（23)稱爲冷卻裝置（23)或冷卻層（23)。冷卻裝置（23)與 電路載體組件（21，22)的正面經由一個平坦的區域的彼此直 接緊靠在一起。這種配置方式可以在冷卻裝置（23)及電路 載體組件（21，22)之間形成一個相當大的橫向（X方向）接觸 區域，因而可以達到較佳的散熱效果。如果這個平坦的接 觸區域的範圍延伸到整個χ-ζ平面（垂直於圖面的平面），則 散熱效果更好。 在本實施例中，第一多層電路載體組件（21)具有3個 彼此垂直疊在一起的由LTCC玻璃陶瓷構成的LTCC層（21a -12- 200810677 至21c)。第1圖並未將在LTCC層（21a至21c)中的元件及 線路繪出。從第1圖可以看出，在LTCC層（2 lc)上有設置 一個積體電路（21d)，而且這個積體電路（21d)係位於LTCC 層（2 la)及LTCC層（2 lb)內的一個缺口（21 e)內。在本實施例 中，設置在冷卻裝置（23)的另外一個面上的第二多層電路 載體組件（22)也具有3個同樣也是由LTCC玻璃陶瓷構成的 LTCC層（22a至22c)。同樣的，在LTCC層（22c)上也有設置 一個積體電路（22d)，而且這個積體電路（22d)係位於LTCC 層（22a)及 （22b)內的一個缺口（22e)內。 從第1圖可以看出，冷卻裝置（23)在X方向上延伸， 而且在整個電子元件模組系統（1)的橫向/水平方向上超出 兩個電路載體組件（21，22)的範圍。在冷卻裝置（23)內的電 氣接點用的通孔（23a，23b，23c，23d)可以形成兩個電路載 體組件（21，22)之間的電氣接點，不過這些形成電氣接點用 的通孔（2 3a，23b，23c，23 d)被冷卻裝置（23)電絕緣。在本 實施例中，冷卻裝置（23)也在一個垂直於圖面的平面（x-z 平面）上延伸超出兩個電路載體組件（21，22)的範圍。也可 以將冷卻裝置設計成只在第1圖的斷面的左邊或右邊從橫 向方向（X方向）延伸超出兩個電路載體組件U1，22)的範圍 〇 經由冷卻裝置（23)可以將電子元件模組（2)運轉時產生 的廢熱從橫向（X方向）向外排放出去，尤其是從電路載體組 件（21，22)側面從橫向排放出去。由於冷卻裝置（23)的範圍 也有在z方向（垂直於圖面的方向）上延伸，因此如果繪出 -13- 200810677 三度空間的立體圖就可以看出，這種橫向散熱的方式也可 以在X-Z平面上進行。 如第1圖所示，電子元件模組系統（1)具有一個位於第 一電子元件模組（2)下方且構造與第一電子元件模組（2)類 似的第二電子元件模組（3)。第二電子元件模組（3)也具有兩 個多層電路載體組件（31，32)。在本實施例中，電路載體組 件（31)具有3個由LTCC玻璃陶瓷構成的LTCC層（31a ’ 31b ，31c)，電路載體組件（32)也具有3個由LTCC玻璃陶瓷構 # 成的LTCC層（32a，32b，32c)。同樣的，冷卻裝置（33)的兩 個相對而的面也是分別與電路載體組件（3 1 ’ 32)的正面緊靠 在一起。 在LTCC層（31c，32c)上分別有設置一個積體電路（31d ，32d)。同樣的，積體電路（31d，32d)也是位於缺口（31e， 32e)內。在冷卻裝置（3 3)內的電氣接點用的垂直狀通孔（33a ，3 3b，3 3c，3 3d)可以形成設置在冷卻裝置（33)的兩個相對 而立的面上的兩個電路載體組件（31，32)之間的電氣接點。 ® 同樣的，通孔（33a，33b，33c，33d)也是被冷卻裝置（33)電 絕緣。 在本實施例中，第一電子元件模組（2)及第二電子元件 模組（3)之間是經由所謂的球柵格陣列（61 ’ 62)形成導電連 接。球柵格陣列（61，62)分別與LTCC層（22a ’ 3 la)的正面 (22f，31f)接觸。 電子元件模組系統（1)還具有一個類似於電子元件模 組（2，3)的第三電子元件模組（4)。在y方向上’第三電子 -14- 200810677 元件模組（4)位於第二電子元件模組（3)下方，因此經由電子 元件模組系統（1)可以形成三度空間的緊密的類似立方體 形的電子元件模組，同時也是一個具有排熱作用的金屬陶 瓷複合體。
第三電子元件模組（4)也具有一個位於中間的金屬平 板狀的冷卻裝置（4 3 )’在冷卻裝置（4 3)的兩個相對而立的面 上也分別設有多層電路載體組件（41，42)。同樣的，電路載 體組件（41)具有3個由1^<：(：玻璃陶瓷構成的1^(：(：層（4；^ _ ，41b，41c)，電路載體組件（41，42)也具有3個由LTCC 玻璃陶瓷構成的LTCC層（4 2a，4 2b，42c)。積體電路（41d ，42d)分別設置在LTCC層（41c，42c)上。積體電路（41d)係 位於LTCC層（4 la)及LTCC層（41b)內的一個缺口（4 le)內， 積體電路（42d)係位於LTCC層（42a)及LTCC層（42b)內的一 個缺口（42e)內。在冷卻裝置（43)內的通孔（43a，43b，43c ，43d)可以形‘成兩個電路載體組件（41，42)之間的電氣接點 。同樣的，通孔（43a，43b，43c，43d)也是被冷卻裝置（43) ®電絕緣。 冷卻裝置（33，43)的尺寸和冷卻裝置（23)相同。 在冷卻裝置（23, 33, 43)的兩邊分別設有將冷卻裝置（23) 及冷卻裝置（3 3 )連接在一起的間隔構件（51)，以及將冷卻裝 置（3 3)及冷卻裝置（43)連接在一起的間隔構件（52)。每一個 間隔構件（51，52)都具有一個被外殼（51b，52b)包圍住的核 心區（51a，52a)。核心區（51a，52a)可以是一個鑽孔。可以 利用螺絲安裝及固定該元件模組（1)之元件’也就是將螺絲 -15- 200810677 鎖入位於冷卻裝置（23，33，43)兩邊的鑽孔。 也可以利用鉚釘或螺栓安裝及固定元件模組（1)，也就 是將鉚釘或螺栓鎖入位於核心區（51a，52a)。 間隔構件（51，52)具有導熱性，而且能夠從橫向將在 電子元件模組系統（1)內產生的廢熱排放出去。從第1圖可 以看出，間隔構件（51，52)在X放向上的位置與冷卻層（23 ，33，43)的側面邊緣對齊。 第二電路載體模組（3)也是經由與LTCC層（32a，41a) • 的正面（32f，41f)接觸的球柵格陣列（63，64)與第三電路載 體模組（4)形成導電連接。 此外，在LTCC層（42a)的正面（42f)上也有連接球柵格 陣列（65，66)，以便在必要時可以和另外一個電子元件模組 或另外一個電子元件模組系統形成電氣接點。經由球柵格 陣列（61至66)形成的接觸可以抵消因元件的熱失調產生的 機械應力，也就是說抵消因爲不同元件之間的熱膨脹係數 相差太大而產生的機械應力。 ® 利用橫向排放廢熱，以及將冷卻裝置（23，33，43)的 尺寸設計成超出電路載體組件（21，22，31，32，41，42) 的範圍，再加上設置在電路載體組件（21，22，31，32，41 ，42)旁邊的間隔構件（51，52)，不但可以形成非常有效的 散熱設計，也可以使電子元件模組系統（1)的結構變得十分 緊密。 電路載體組件（21，22，31，32，41，42)的LTCC層的 數量和配置方式並不是一定要和第1圖的實施例相同，而 -16- 200810677 是可以有其他的數量和配置方式，甚至是完全不同的配置 方式。重要的是，冷卻裝置（23，33，43)的位置和構造要能 夠達到橫向散熱的要求。 LTCC 層（21a 至 21c，22a 至 22c，3 1a 至 3 1c，32a 至 32c，41a至41c，43a至43c)是作爲電路的載體，例如作爲 一個以篩網印刷線路製作的電路的載體。可以利用黏貼、 焊接、或是燒結等方式將電路載體組件（2 1，22，3 1，32， 41，42)與其所屬的冷卻裝置（23，33，43)連接在一起。冷 • 卻裝置（23，33，43)的金屬材料（可以是純金屬、合金、或 是複合材料）一方面作爲必要的溫度窗口要能夠和前述 LTCC層的陶瓷部分的熱膨脹反應配合，另一方面又要盡可 能具有很好的導熱性。一個能夠滿足這個要求的例子是電 路載體組件（21，22，31，32，41，42)的LTCC層是由LTCC 玻璃陶瓷構成，冷卻裝置（23，33，43)則是由一種銅鉬複合 材料構成。這種銅鉬複合材料的熱膨脹係.數最好是8 ppm/K ，導熱率最好是在200 W/mK至300 W/mK之間。這個熱膨 ® 脹係數（8 ppm/K)非常接近LTCC玻璃陶瓷的熱膨脹係數。 可以將第1圖顯示的電子元件模組系統（1)設計在裝置 一個外殻（未第1圖示）內。爲了將廢熱排出外殼，可以在 外殻及至少一個冷卻裝置（2 3，33, 43)之間形成導熱接觸， 及/或在外殼及至少一個間隔構件（51，52)之間形成導熱接 觸。例如可以將第1圖右邊的垂直部分，也就是由冷卻裝 置（23，33，43)的右邊邊緣部分及間隔構件（51，52)的右邊 邊緣部分，緊靠在外殻的內壁上，以形成導熱接觸。可以 -17- 200810677 用螺絲將電子元件模組系統（i)固定在外殼內。也可以在電 子元件模組系統（1)及外殼之間形成多個散熱用的導熱接 hjm 觸。 除了可以如第1圖的實施例以球柵格陣列（61至66)形 成電氣接點外，也可以經由彈簧接點及/或可插入的插座形 成電氣接點，例如在所謂的雙列直接式（DIL : Dual-In-Line) 外殼中形成電氣接點的插座，以抵消可能發生的熱失調。 使用彈簧接點或插座時，層與層之間必須間隔比較大的垂 • 直距離（在y方向上的距離），這樣做還有一個好處是可以 提供較佳的電絕緣效果，這對於相鄰的兩個層之間的電位 差較大的情況尤其重要。另外一種可以的方式是以接合線 (bonding wire)取代球柵格陣列（6 1至66)。 如果要進一步提高電路載體組件之間的電壓安全距離 ’則可以在兩個電路載體組件之間加上一層電絕緣薄膜， 例如加上一層Kapton薄膜。例如第2圖的電子元件模組系 統（1)的斷面圖中的電絕緣薄膜（7)。由於第2圖的電子元件 ® 模組系統（1)和第1圖的電子元件模組系統（1)非常類似，因 此爲了簡化圖面起見，在第2圖中僅標示出若干最重要元 件的元件符號，至於其他的元件符號請參考第1圖的標示 〇 和第1圖的實施例不同的是，第2圖的實施例在第二 電子元件模組（3)及第三電子元件模組（4)之間有設置一層 電絕緣薄膜（7)，說得更精確一些就是在多層電路載體組件 (3 2)及多層電路載體組件（41)之間有設置一層電絕緣薄膜 -18- 200810677 (7)。在本實施例中，電絕緣薄膜（7)是一種Kapton薄膜。 從第2圖可以看出，電絕緣薄膜（7)與多層電路載體組件（32) 的LTCC層（32a)及多層電路載體組件（41)的LTCC層（41a) 均間隔一定的距離。 電絕緣薄膜（7)帶有供球柵格陣列（63，64)或其他導電 連接裝置通過的缺口（7丨，72)。從第2圖可以看出，缺口（71 ，72)的大小要能夠讓球柵格陣列（63，64)與電絕緣薄膜（7) 間隔一定的距離。電絕緣薄膜（7)在水平方向（X方向）上延 • 伸到超出電路載體組件（32，41)的範圍。 另外一種可行的方式是電絕緣薄膜（7)在水平方向（X 方向）的延伸範圍僅侷限於球柵格陣列（63，64)之間。在這 種情況下，電絕緣薄膜（7)是被設置在電路載體組件（32, 41) 之間的中間層內。可以用鬆開的方式將電絕緣薄膜（7)放置 在這個中間層內。放入電絕緣薄膜（7)可以使電路載體組件 (32，41)之間的空氣隙變長，以防止從電路載體組件（32)的 一個LTCC層到電路載體組件（41)的一個LTCC層的火花放 ^ 電。也可以將這種電絕緣薄膜（7)設置在電路載體組件（22) 及電路載體組件（31)之間。也可以將電絕緣薄膜（7)固定在 電路載體組件（3 2)或電路載體組件（41)上，例如以黏貼方式 固定。另外一種可行方式是將電絕緣薄膜（7)固定在間隔構 件（52)上。 第3圖顯示本發明的具有多個電子元件模組（2，3，4’） 的電子元件模組系統（1)的另外一個實施例的斷面圖。和第 1圖及第2圖的實施例不同的是，在第3圖的實施例中電子 -19- 200810677 元件模組（4’）僅具有一個多層電路載體組件（4 Γ)。電路載 體組件（41’）係設置在一個作爲最下方的散熱層的冷卻裝置 (8)上。冷卻裝置（8)是整個電子元件模組系統（1)最主要的散 熱片，因此不論是在水平方向或垂直方向上的尺寸均大於 冷卻裝置（23，33)。冷卻裝置（8)的底面（8a)上的冷卻片/金 屬冷卻配置未裝設任何電子元件、組件、或是電路。除了 冷卻作用外，冷卻裝置（8)還可以作爲整個電子元件模組系 統（1)的外殻的一値外殼壁。 •I 從第3圖可以看出，在冷卻裝置（8)內有一個裝有插塞 連接裝置（9)的貫穿缺口（81)。插塞連接裝置（9)具有一個固 定在缺口（81)內而且可以從外部進入的插塞元件（9 a)。插塞 元件（9b)可以插入插塞元件（9a)。這樣就可以形成與外部的 電氣接點。在被整合到冷卻裝置（8)內的插塞元件（9a)上有3 個最好是焊接固定上去的電觸點接通（91，92，93)，其作用 是與電路載體組件（415)的LTCC層（4 la’）形成導電連接。也 可在冷卻裝置（23，3 3)內設置缺口，讓一個更大的插塞元件 ® (9a)可以延伸穿過這些缺口，並與電子元件模組（2，3)的電 路載體組件形成電氣接點。 可以將冷卻裝置（8)的底面（8 a)整個連接在另外一個冷 卻器上，例如連接在電子元件模組系統（1)的外殼的一個外 殼底部上（圖式未繪出），這樣就可以用這個外殻底部作爲 另外一個冷卻器。 每一個電子元件模組（2至4 ; 2至4 ’）都可以具有不同 的功能。例如可以將電壓及電流都相當大的功率電子元件 -20- 200810677 與控制元件及數位元件分開，以防止不同的元件之間發生 不良或具有破壞性的交互作用。第2圖的實施例就是一個 例子。 第4圖顯示本發明的電子元件模組系統（1)的另外一個 實施例。和第3圖的實施例不同的是，在第4圖的實施例 中間隔構件（51，52)是電絕緣的，因此冷卻裝置（23，，33，） 可以分別接通不同的電位。也就是說間隔構件（51，52)的外 殻（51b ’ 52b)是由電絕緣的材料構成。核心區（51a，52a)內 的連接部分也是由電絕緣的材料構成，或如果是作爲連接 元件則是以導電材料製成，但至少也是被電絕緣的。使用 這種電絕緣的間隔構件（51，52)及必要時另外加上一個外殼 的好處是可以將冷卻裝置（23’，33,，8，）接通到對電路技術 而言有·利的.電位。這樣在必要時還可以經由焊接上去的電 纜（10a，10b)與一個用電器具形成導電連接。另外一種可行 的方式是經由插塞連接形成導電連接，在這種情況下可以 將冷卻裝置設計成具有插座或插塞的功能^ 根據第4圖的實施例，爲了能夠與電纜（i〇a，i〇b)形 成電氣接點，間隔構件（51，52)在X方向上的位置被朝電子 元件模組（2，3，4’）的電路載體組件的方向移動。這樣冷卻 層（23’，33’，8’）的邊緣就會形成自由端，因爲此時間隔構 件（5 1，52)和冷卻層（23’，33’，8，）的邊緣在X方向上已經 不再對齊。 第5圖顯示本發明的具有多個電子元件模組（2，3，4 ’） 的電子元件模組系統（1)的另外一個實施例的斷面圖。第5 -21- 200810677 圖的實施例的對流冷卻可以防止在第4圖的實施例中由於 間隔構件（51，52)的電絕緣性造成間隔構件（51，52)的熱阻 變差的情況發生。從第5圖可以看出，爲了形成對流冷卻 ，水平的冷卻板或冷卻裝置（2 3’’，33’’，8’’）的兩邊在水平 方向（X方向）上一直延伸到超出間隔構件（51，52)的範圍。 此外還可以在冷卻裝置（23’’）向外延伸出去的邊緣部分 (23e，23g)上形成許多個散熱凸起（23f，23h)。同樣的，也 可以在冷卻裝置（33’’）向外延伸出去的邊緣部分（33 e，33 g) • 上形成許多個散熱凸起（33f，33h)，以及在冷卻裝置（8，，） 向外延伸出去的邊緣部分（82，83)上形成許多個散熱凸起 (82a，83a)。在本實施例中，散熱凸起（23f，23h，33f，33h ，82a，83 a)的方向都是垂直向上（y方向）。但這只是舉例之 用，並非一定必須如此，也就是說散熱凸起（23f，23h，33f ，33h，8 2a，83 a)的方向也可以是垂直向下，或是其他任意 方向。 設置散熱凸起（23f，23h，33f，33h，82a，83a)可以加 ® 大冷卻裝置（23’’，33”，8’’）的表面積，達到改善橫向（水 平方向）散熱的能力的目的。 第6圖顯示本發明的電子元件模組系統（1)的另外一種 實施例的斷面圖。在本實施例中，冷卻裝置（23’’’，33’’’ ，8’’）彼此間隔一定的距離。冷卻裝置（23’’’，33…）的形狀 爲罐狀，可利用例如鑄造件來完成之。在本實施例中，間 隔構件係整合在冷卻裝置（23’’’，33”’）內。這種堆疊方式 的好處是可以形成一個能夠防止灰塵及飛濺的水進入的多 -22- 200810677 層式外殼。在接縫處有裝上密封圈（12a，12b)。例如以鋁、 銅、氟化橡膠、或是塑膠製成的密封圈（12a，12b)。此外， 爲達到更好的密封效果，在組裝完成後還可以加上一個液 相塗層或氣相塗層，例如加上一個聚對二甲苯（Parylene)塗 層。在冷卻裝置（23’’’）的整個正面上都可以形成散熱凸起 (2 3f，23h)。可以用螺絲安裝電子元件模組，也就是說可以 將螺絲鎖入鑽孔（如第1圖的核心區（51，52a))內，爲此在 冷卻裝置（8’’）內要有與螺絲配合的螺紋。 # 由於每一層都可以從橫向排除廢熱，因此可以大幅提 升電子元件模組的可堆疊性及結構的緊密性。由於電子元 件模組的核心部分的每一層都有形成電氣接點，因此熱接 觸是被隔開並分佈在周邊區域。此周邊區域同時還具有力 學上的穩定作用，甚至可以構成電子元件模組的整個外殼 。當然，也可以反過來將間隔構件設置在核心區，並由電 路載體將間隔構件圍住，但是這種構造方式就不能以間隔 構作作爲電子元件模組的外殻。具有導熱性的間隔構件可 ® 以和水平的金屬載體（冷卻層）以螺絲鎖在一起，因此在組 裝模組之前可以逐一對每一層進行測試。另外還可以使冷 卻劑循環流過間隔構件和電子元件模組的每一層，以便使 各個部分的溫度趨於均勻’或是更加有效的降低溫度。例 如可以讓冷卻劑依據”熱流管”（Heat-Pipes)的原理流過一 個相變，以提高熱容。 第7圖顯示本發明的具有一個電子元件模組（2’’）的電 子元件系統（1)的另.外一個實施例的斷面圖。電子元件模組 -23- 200810677 (2’’）具有第一多層電路載體組件（2 Γ)及第二多層電路載體 組件（22’’）。一個電絕緣的中間層（24)位於第一多層電路載 體組件（21’）及第二多層電路載體組件（22’’）之間。在電路載 體組件（2 Γ，22’’）背對中間層（24)的那一個正面上各有一個 冷卻裝置（25，26)。在本實施例中，第一多層電路載體組件 (21’）具有兩個絕緣層（21a’，21c’）、一個埋在絕緣層（21a， ，21c’）之間的構件層（21b’）、以及一個導線層（21 (Γ)。導線 層（2 Id’）緊鄰中間層（24)。絕緣層（21a’，21c’）及中間層（24) • 並未含有圖式顯示使兩邊的層形成電氣接點的通孔。這個 通孔還可以使冷卻裝置（25)與外部形成電氣接點。此外， 在導線層（2 Id’)無法讓電流通過或是電流不應通過導線層 (2 Id’）的情況下，這個通孔還可以讓電流通過冷卻裝置（25) 〇 第二多層電路載體組件（22’’）的構造和第一多層電路 載體組件（2 Γ )類似。第二多層電路載體組件（22’’）也具有 兩個絕緣層（22b’’，22d’’），以及一個埋在絕緣層（22b’’， ® 22d’’）的構件層（22c’’）。在絕緣層（22b’’）及中間層（24)之間 有一個導線層（22a’’）。導線層（22a’’）、絕緣層（22b”，22d’’） 、以及構件層（22c’’）均屬於第二多層電路載體組件（22，，）。 在絕緣層（22d’’）下方是另外一個冷卻裝置（26)。 除了 LTCC技術外，以傳統的技術也可以製造出第7 圖的結構。構件層（21b’，22c’’）是由SMD元件或有接線的 元件構成。面對/緊鄰冷卻裝置（25, 26)的絕緣層（21a，，22d’’） 是以導熱性良好的電絕緣灌注材料製成。面對導線層（2 Id’ -24- •200810677 ，22a’’）的絕緣層（21c’，22b’’）是由塗在導線層（2 Id’，22a’5) 上的防焊漆所構成。中間層（24)是由印刷電路板（例如以 FR4或FR5材料製成的印刷電路板）所構成。構成中間層（24) 的印刷電路板也可以是軟性印刷電路板（也稱爲軟板）。另 外一種可行的方式是以模鑄導線架技術 (Μ ο 1 d e d - L e a d - F r a m e - T e c h n i k)製作中間層（2 4)、導線層（2 1 d ’ ，22a’’）、以及絕緣層（21a，，21c’ ； 22b’’，22d’’)。 在本實施例中，除了冷卻裝置（25，26)外，中間層（24) • 及/或一個或多個絕緣層（21a’，21c’ ； 22b’’，22d’，）也有助 於增強電子元件模組系統（1)的力學穩定性。 冷卻裝置（25，26)兩邊超出電路載體組件（2 Γ，22’’） 的邊緣部分最好是彼此連接在一起，而且最好是經由未在 圖式中繪出的具有導熱性的間隔構件連接在一起。在本實 施例中’電子元件模組（2’’）的中間層（24)的兩個相對而立的 面上各有一個多層電路載體組件（21，，22’’），而且多層電 路載體組件（21，，22’’）的水平正面至少有部分區域分別與 ® 一個冷卻裝置（25，26)連接在一起，也就是說冷卻裝置（25 ’ 26)是直接放在多層電路載體組件（2Γ，22〃）的水平正面 上。 第8圖顯示本發明的電子元件模組系統（1)的另外一個 實施例的斷面圖。第8圖的實施例和第7圖的實施例非常 類似’不過第8圖的實施例具有一個垂直的間隔構件（5 1，） 。間隔構件（51，）可作爲散熱片，使兩個冷卻裝置（25，26) 均可散熱。在間隔構件（5 15)上有形成多個水平的散熱凸起 -25- 200810677 (51c’），這些散熱凸起（51c’）都是朝背對電路載體組件（21， ’ 22’’）的方向延伸。 第9圖顯示本發明的電子元件模組系統（1)的另外一個 實施例的斷面圖。從第9圖可以看出，在冷卻裝置（25，）內 有一個供冷媒使用的通道（25’a)。位於冷卻裝置（25，）下方的 是一個中間層（24)。中間層（24)使位於其下方的導線層（2 Id，） 電絕緣。在構件層（21b’）的上面和下面分別有一個絕緣層 (21a’ ’ 21c’），其作用爲防止出現不利的導電連接。前面提 ® 及的這些層（21a，至21d’）均屬於電路元件模組（2’’’）。和第7 圖及第8圖的電子元件模組系統（1)的實施例相反的是，在 第9圖的實施例中，構件層（2 lb’）是經由位於上面和下面的 冷卻裝置（25’，26’）散熱。 在以上提及的所有實施例中，冷卻裝置在水平方向上 的尺寸都是可以更改的，而且也可以具有其他不同的形狀 。尤其是爲了在電子元件模組內容納更多的電子元件，可 以在冷卻裝置內設置一個或多個缺口。此外還可以在電子 ® 元件模組系統（1)內安裝一個點火變壓器，這樣電子元件模 組系統（1)就可以被應用在氣體放電燈中。同樣的，也可以 將鎭流器或電燈操作器安裝到電子元件模組系統（1)內。也 可以按照汽車工業的需求設計電子元件模組系統（1)，例如 將電子元件模組系統（1)設計成可以應用於引擎的控制。 在以上所有實施例中可以將積體電路設置在LTCC層 上。除了積體電路外，還可以設置其他的電子元件，例如 大功率電晶體、電阻、或是發光二極體。將積體電路設置 -26- 200810677 在緊鄰冷卻裝置的LTCC層上的一個好處是不需要設置穿 過位於這個LTCC層上方的LTCC層的通孔，另外—個好處 是更容易將廢熱傳送到冷卻裝置上。在這種情況下，由於 電路載體組件直接與冷卻裝置連接在一起，因此不需另外 設置通孔，僅依靠相當大的橫向散熱面積就可以達到非常 高的水平散熱效果。 【圖式簡單說明】 以下配合圖式及實施例對本發明的內容做進一步的說 明·· 第1圖：本發明的電子元件模組的第一實施例的斷面 圖。 第2圖：本發明的電子元件模組的第二實施例的斷面 圖。 第3圖：本發明的電子元件模組的第三實施例的斷面 圖。 φ 第4圖：本發明的電子元件模組的第四實施例的斷面 圖。 第5圖：本發明的電子元件模組的第五實施例的斷面 圖。 第6圖：本發明的電子元件模組的第六實施例的斷面 圖。 第7圖：本發明的電子元件模組的第七實施例的斷面 圖。 第8圖：本發明的電子元件模組的第八實施例的斷面 -27- 200810677 圖。 第9圖：本發明的電子元件模組的第九實施例的斷面 圖。 【主要元件符號說明】 1 2，3，4，2”，4， 電子元件模組系統 電子元件模組 7 電絕緣薄膜 9 插塞連接裝置 9a，9b 插塞元件 10a ， 10b 電纜 91 ， 92 ， 93 電觸點接通 12a ， 12b 密封圈 21，22，31，32 電路載體組件 21， 第一電路載體組件 IT 第二電路載體組件 41，42，41’ 電路載體組件 8，8,，8” 冷卻裝置 8a 底面 23，33，43 冷卻裝置 23,，23，，，23”， 冷卻裝置 25，26 冷卻裝置 25,，26,，33”，33”， 冷卻裝置 23，33，43 ; 24 中間層 21a， ， 21c， 絕緣層 22” ， 22d” 絕緣層 21b， ， 22c” 構件層 21d，，22a，， 導線層 23e，23g，33e，33g，82，83 邊緣部分 -28- 200810677 23f，23h，33f，33h，51c，，82a，83a 散熱凸起 / 散熱片
51 ， 51， ， 52 51a ， 52a 51b ， 52b 61 至 66 23a 至 23d 33a 至 33d 43a 至 43d 21a 至 21c 22a 至 22c 21d，22d，31d，32d 21e，22e，31e，32e，41e，42e 71 ， 72 ， 81 31a 至 31c 32a 至 32c 41a 至 41c 42a 至 42c 22a，至 22c， 22f，31f，32f，41f，42f 41a，至 41c， 23f，23h 33f，33h 間隔構件 核心區 外殼 球柵格陣列 電氣接點/通孔 電氣接點 電氣接點 低溫燒結陶瓷（LTCC)層 低溫燒結陶瓷（LTCC)層 積體電路 缺口 缺口 低溫燒結陶瓷（LTCC)層 低溫燒結陶瓷（LTCC)層 低溫燒結陶瓷（LTCC)層 低溫燒結陶瓷（LTCC)層 低溫燒結陶瓷（LTCC)層 正面 低溫燒結陶瓷（LTCC)層 散熱片 散熱片 -29-

Claims (1)

  1. 200810677 十、申請專利範圍： 1. 一種電子元件模組，至少具有第一多層電路載體組件（21 ，22 ; 31，32 ; 41，42)及冷卻裝置（23，33，43)，這種電 子元件模組的特徵爲：該冷卻裝置（23，33，43)與該電路 載體組件（21，22 ; 31，32 ; 41，42)的正面接觸，其中該 冷卻裝置（23，33，43)係構成爲使該電子元件模組（2，3 ，4)在運轉中產生的廢熱能夠經由該冷卻裝置（23，33， 43)以橫向於該電路載體組件（21，22 ; 31，32 ; 41，42) φ 的方向排放出去。 2. 如申請專利範圍第1項的電子元件模組，其特徵爲：該 冷卻裝置（23，33，43)沿著橫向方向至少從該電路載體組 件（21，22 ; 31，32 ; 41，42)之一側延伸到該電路載體組 件（21，22; 31，32; 41，4 2)的範圍之外。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項的電子元件模組，其特 徵爲：該冷卻裝置（23，33，43)至少有部分區域的形狀是 平板狀。 • 4.如前述申請專利範圍中任一項的電子元件模組，其特徵 爲：該冷卻裝置（23，33，43 ; 8)至少有部分區域是作爲 該電子元件模組（2，3，4 ; 2’，4’）的外殻之側壁。 5·如前述申請專利範圍中任一項的電子元件模組，其特徵 爲：在該第一電路載體組件（21，22 ; 31，32 ; 41，42)及 該第二電路載體組件（21，22 ; 31，32 ; 41，42)之間設有 一中間層（23，33，43 ; 24)，尤其是一絕緣中間層，以及 在這兩個電路載體組件（21，22 ; 31，32 ; 41，42)背對該 -30- 200810677 中間層（23，33，43 ; 24)的正面上分別設置一個冷卻裝置 (23 ， 33 ， 43卜 6. 如申請專利範圍第5項的電子元件模組，其特徵爲：至 少具有一多層電路載體組件（21，22 ; 31，32 ; 41，42 ; 21，； 22’’）、至少一絕緣層（21a，，21c，； 22b’’，22d”）、 至少一構件層（21b，，22c’’）、以及至少一導線層（21 d’， 22a，’）° 7. 如申請專利範圍第6項的電子元件模組，其特徵爲：該 導線層（2 Id’，22a’，）與該中間層（24)鄰接，而且該冷卻裝 置（23，33，43; 25，26; 25，，26，）與該絕緣層（21a’，21c’ ;22b”，22d，，）鄰接。 8. 如申請專利範圍第5項至第7項中任一項的電子元件模 組，其特徵爲：該冷卻裝置（23，33 ’ 43 ; 23’ ； 23” ； 23’’’ ;8 ; 8’，8，’）的兩邊在該電路載體組件（21，22 ; 31，32 ;4 1，4 2 ; 2 2，； 4 1，）的側面彼此連接，尤其是經由可導 熱的間隔構件（51，51，； 52)將彼此連接。 9. 如前述申請專利範圍中任一項的電子元件模組’其特徵 爲：該冷卻裝置（23，33, 43)至少有部分區域是由金屬構 成。 10. 如前述申請專利範圍中任一項的電子元件模組’其特徵 爲··該冷卻裝置（23，33，43)至少有部分區域是設置在該 第一電路載體組件（21，22 ; 31，32 ; 41，42)及該第二電 路載體組件（21，22 ; 31，32 ; 41，42)之間作爲中間層。 11. 如申請專利範圍第9項的電子元件模組’其特徵爲：至 200810677 少再設置一個與另外一個冷卻裝置（23，33，43)接觸的第 三電路載體組件（21，22; 31，32; 41，42)，並經由至少 一個間隔構件（51，52)將與該第一電路載體組件（21，22 ;31，32 ; 41，42)及該第二電路載體組件（21，22 ; 31， 32 ; 41，42)接觸的冷卻裝置（23，33，43)與另外一個冷 卻裝置（23，33，43)連接在一起。 12.如申請專利範圍第11項的電子元件模組，其特徵爲： 以球柵格陣列（61至66)及/或彈簧接點及/或可插入的插 # 座作爲該第三電路載體組件（21，22 ; 31，32 ; 41，42)與 該第一電路載體組件（21，22 ; 31，32 ; 41，42)或與該第 二電路載體組件（21，22 ; 31，32 ; 41，42)之間的電氣接 點。 1 3 .如申請專利範圍第1 0項至第1 2項中任一項的電子元件 模組，其特徵爲：在該冷卻裝置（23 ; 33 ; 43 ; 23’ ； 23’’ ;23’’’ ； 8’，8’’）內形成貫穿式的電氣接點（23a至23d ; 33a至33d; 43a至43d)，以便使兩個疊在一起的電路載 ® 體組件（21，22 ; 31，32 ; 41，42 ; 22, ； 41，）彼此接觸， 其中該冷卻裝置（23 ; 33 ; 43 ; 23’ ； 23’’ ； 23’’’ ； 8’，8，’） 將電氣接點（23a至23d; 33a至33d; 43a至43d)絕緣。 14.如申請專利範圍第10項至第12項中任一項的電子元件 模組，其特徵爲··至少有一個電路載體組件（21，22 ; 31 ，32 ; 41，42 ; 22’ ； 41’)具有多個帶有積體元件的低溫 燒結陶瓷（LTCC)層（21a 至 21c ; 22a 至 22c ; 31a 至 31c， 32a 至 32c ; 41a 至 41c，42a 至 42c ; 22a，至 22c’ ； 41a，至 -32- 200810677 41c，）。 15.如申請專利範圍第11項的電子元件模組，其特徵爲： 在該冷卻裝置（23 ; 33 ; 43 ; 23’ ； 23’’ ； 23’’’ ； 8 ; 8’’）內 設置一個與該電子元件模組（2，3，4 ; 2’ ； 4’)之外部電 氣接點連接的插塞連接（9)。 1 6.如申請專利範圍第8項或第11項的電子元件模組，其 特徵爲：該間隔構件（51，52)爲電絕緣，而且經由一間隔 構件（51，52)而連接在一起的該冷卻裝置（23 ; 33 ; 43 ; φ 23’ ； 23’’ ； 23’’’ ； 8 ; 8’’）能夠接通不同的電位。 17. 如申請專利範圍第16項的電子元件模組，其特徵爲： 向外經過該至少兩個接通不同電位的冷卻裝置（23 ; 33 ; 43 ; 23’ ； 23’’ ； 23’’’ ； 8 ; 8’’）形成電子元件模組的電氣 接點。 18. 如前述申請專.利範圍中任一項的電子元件模組，其特徵 爲：至少在該冷卻裝置（23; 33; 43; 23’； 23，’； 23’’’； 8 ;8’’）的兩邊有形成散熱片（23f，23h; 33f，33h; 82a， _ 8 3a)。 19. 如前述申請專利範圍中任一項的電子元件模組，其特徵 爲：至少有一個電路載體組件（21，22 ; 31，32 ; 41，42 ;21’，22’； 22’’； 41’）及/或至少有一個中間層（24)及/或 至少有一個冷卻裝置（23; 33; 43; 23’； 23’’； 23’’’； 25 ,，26 ; 25’，26’ ； 8 ; ，8 ’ ’）是以模鑄導線架技術 (Molded-Lead-Frame-Technik)形成。 -33-
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2951019B1 (fr) * 2009-10-07 2012-06-08 Valeo Etudes Electroniques Module de puissance pour vehicule automobile
JP5757573B2 (ja) * 2009-10-08 2015-07-29 日本電気株式会社 半導体装置
JP5709218B2 (ja) * 2009-11-27 2015-04-30 日本電気株式会社 半導体装置、３次元実装型半導体装置、半導体モジュール、電子機器、及びその製造方法
JP5740903B2 (ja) * 2010-10-19 2015-07-01 富士通株式会社 電子装置、半導体装置、サーマルインターポーザ及びその製造方法
WO2013084589A1 (ja) * 2011-12-08 2013-06-13 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置製造方法
AT515100B1 (de) * 2013-12-20 2015-06-15 F & S Vermögensverwaltungs Gmbh Trägermodul mit Überbrückungselement für ein Halbleiterelement
JP2018098927A (ja) * 2016-12-14 2018-06-21 株式会社オートネットワーク技術研究所 電気接続箱
US10978896B2 (en) 2017-06-23 2021-04-13 Dell Products L.P. High efficiency power storage adapter
US10389154B2 (en) 2017-06-23 2019-08-20 Dell Products L.P. Power storage adapter using a high efficiency charging method
US10928880B2 (en) 2017-06-23 2021-02-23 Dell Products L.P. Power storage adapter for communicating battery data with a portable information handling system
US10452102B2 (en) 2017-06-23 2019-10-22 Dell Products L.P. Power delivery contract establishment in a power storage adapter
US10381844B2 (en) 2017-06-23 2019-08-13 Dell Products L.P. Sourcing power from a battery or AC-DC converter of a power storage adapter
US10476288B2 (en) 2017-06-23 2019-11-12 Dell Products L.P. Power storage adapter for peak shift operation with a portable information handling system
US10608443B2 (en) 2017-08-15 2020-03-31 Dell Products L.P. Battery management using battery temperature distribution
US10642333B2 (en) 2017-08-24 2020-05-05 Dell Products L.P. Power storage adapter for efficient supply of power of multiple portable information handling systems
US10620679B2 (en) 2017-09-01 2020-04-14 Dell Products L.P. Prioritizing supplying electrical power by a power storage adapter to connected devices
US10673271B2 (en) 2017-09-01 2020-06-02 Dell Products L.P. Efficient charging of multiple portable information handling systems based on learned charging characteristics
US10404105B2 (en) 2017-09-14 2019-09-03 Dell Products L.P. Power storage adapter for wireless power transmission
US10714797B2 (en) 2017-09-18 2020-07-14 Dell Products L.P. Multilayer thermal laminate with aerogel for battery cell enclosures
US11513928B2 (en) 2017-09-18 2022-11-29 Dell Products L.P. Power storage adapter with power cable validation
US10488906B2 (en) 2017-09-26 2019-11-26 Dell Products L.P. Power delivery based on temperature and other factors in a power storage adapter
US10278279B1 (en) * 2017-10-30 2019-04-30 Dell Products L.P. Transformer thermal radiator for power field effect transistors
JP6693986B2 (ja) * 2018-03-12 2020-05-13 ファナック株式会社 モータ駆動装置
US11307368B2 (en) 2020-04-07 2022-04-19 Cisco Technology, Inc. Integration of power and optics through cold plates for delivery to electronic and photonic integrated circuits
EP3930115A1 (en) * 2020-06-23 2021-12-29 Eltek AS Outdoor power supply system including a passive cooling system
CN114914234A (zh) * 2021-02-10 2022-08-16 华为技术有限公司 一种功率结构体和制备方法以及设备

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4630172A (en) * 1983-03-09 1986-12-16 Printed Circuits International Semiconductor chip carrier package with a heat sink
JPH0752762B2 (ja) * 1985-01-07 1995-06-05 株式会社日立製作所 半導体樹脂パッケージ
WO1993013557A1 (en) * 1985-02-14 1993-07-08 Yoshiyuki Sato Structure for mounting the semiconductor chips in a three-dimensional manner
JPH04257286A (ja) * 1991-02-08 1992-09-11 Hitachi Cable Ltd 複合プリント配線基板
DE4421319A1 (de) * 1994-06-17 1995-12-21 Abb Management Ag Niederinduktives Leistungshalbleitermodul
JPH0888299A (ja) * 1994-09-19 1996-04-02 Fujitsu Ltd 半導体装置
US5542175A (en) * 1994-12-20 1996-08-06 International Business Machines Corporation Method of laminating and circuitizing substrates having openings therein
JP2641041B2 (ja) * 1995-03-01 1997-08-13 智 小野寺 集積回路の実装構造
US5557502A (en) * 1995-03-02 1996-09-17 Intel Corporation Structure of a thermally and electrically enhanced plastic ball grid array package
US5597643A (en) * 1995-03-13 1997-01-28 Hestia Technologies, Inc. Multi-tier laminate substrate with internal heat spreader
US6075287A (en) * 1997-04-03 2000-06-13 International Business Machines Corporation Integrated, multi-chip, thermally conductive packaging device and methodology
RU2133523C1 (ru) * 1997-11-03 1999-07-20 Закрытое акционерное общество "Техно-ТМ" Трехмерный электронный модуль
SE513352C2 (sv) * 1998-10-26 2000-08-28 Ericsson Telefon Ab L M Kretskort och förfarande för framställning av kretskortet
JP2000133745A (ja) * 1998-10-27 2000-05-12 Matsushita Electric Works Ltd 半導体装置
DE19859739A1 (de) * 1998-12-23 2000-07-06 Bosch Gmbh Robert Kühlvorrichtung, insbesondere zur Verwendung in einem elektronischen Steuergerät
JP3127149B2 (ja) * 1999-03-19 2001-01-22 株式会社日立製作所 半導体装置
DE19950026B4 (de) 1999-10-09 2010-11-11 Robert Bosch Gmbh Leistungshalbleitermodul
JP4142227B2 (ja) * 2000-01-28 2008-09-03 サンデン株式会社 車両用電動圧縮機のモータ駆動用インバータ装置
US6284982B1 (en) * 2000-08-18 2001-09-04 Ga-Tek Inc. Method and component for forming an embedded resistor in a multi-layer printed circuit
US6462950B1 (en) * 2000-11-29 2002-10-08 Nokia Mobile Phones Ltd. Stacked power amplifier module
US6518502B2 (en) * 2001-05-10 2003-02-11 Lamina Ceramics, In Ceramic multilayer circuit boards mounted on a patterned metal support substrate
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
DE102004018477B4 (de) * 2004-04-16 2008-08-21 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul
DE102004019443B3 (de) 2004-04-19 2005-08-11 Siemens Ag Leistungsmodul
US8106505B2 (en) * 2007-10-31 2012-01-31 International Business Machines Corporation Assembly including plural through wafer vias, method of cooling the assembly and method of fabricating the assembly

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