TW200809949A - Warpage-inhibitive pressure-sensitive adhesive sheets for wafer grinding - Google Patents

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200809949 九、發明說明： 【务明所屬之技術領域】 ^發明係關於用於半導體晶圓處理之感壓黏著片。更特 二=明係關於適合在將半導體晶圓研磨成極小之 【先前技術】 者月 □ 種封裝及1C卡普及，且希望包括半導體晶 電子令件的厚度進一步減小。因此’將半導體晶片之 已為約350㈣的厚度減小至75”至15〇㈣或75" 以下已變得有必要。此外，正研究對更大之晶圓的使用以 改進生產力。 在半導體晶圓製造過程中，已使用一種技術，其中在電 路图案ffy成之後，對晶圓之背面進行研磨。在此處理中， :感壓黏著片被塗覆至電路表面以保護電路表面且固定 日日圓且此日日圓之背面接著被研磨。傳統上，已在此塗覆 過程中使用藉由以感壓黏著劑來塗覆—個由乙烯/乙酸乙 烯酯共聚物、聚乙烯或類似材料製成之可撓性基板而獲得 的感壓黏著片。然而，存在以下問題。當一個使用該特定 可撓性基板之感壓黏著片被使用時，在塗覆感壓黏著片期 間施加之張力累積成為殘餘應力。此外，感壓黏著片（或 主要為基板）歸因於在晶圓背面研磨步驟及在後續之稱作 乾拋光或CMP之處理步驟中產生的熱而熱收縮，且此收縮 產生一内部應力。在具有大直徑之晶圓被研磨至極小厚度 的情形中’產生於感壓黏著片中之殘餘應力及應力變得高 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96129524 5 200809949 於晶圓之強度 (彎曲）。 且一個消除殘餘應力的力致使晶圓翹曲 用：二，研产使用一硬質基板作為感壓黏著片之基板以 厂’、4超_晶圓或大直徑晶圓。然而，使用硬質基板之 具有缺點在於，當此㈣片自㈣财時，為 。丁；洛而轭加之力由於基板之硬性而轉移至晶圓，且此 :使得已由於研磨至極小厚度而變得脆弱的晶圓斷裂。另 ^使用該❹硬質基板之額料U於在帶 夺增強:⑽ 。 子在虽將半導體晶圓研磨至極小厚度 生晶圓斷裂的問題。 '又 在jp—A_2〇〇〇_15〇432中，已提議一個在張力測試申在 之情況下於1分鐘後具有權或更高之應力鬆弛 比的感壓黏著片作為感塵黏著片，其消除彼等問題且適合 :::::體晶圓進行研磨至極小厚度。然而’此感壓： :片八有-缺點在於，製造用於構成基板之材料的步驟及 4造基^膜之步驟較為複雜，且結果所完成之感壓黏著 片十分昂貴。另外’雖然此感壓黏著片在被用作—個用於 、牙八有大直彳二之半v體晶圓進行之背面研磨的感壓黏著 片a寸，具有極佳之特性，但該等特性並不總是 【發明内容】 本發明之：目的係經由簡單之製造步驟以低成本提供 種用於半導體晶圓處理之感壓黏著片，其可固持大直捏 圓且使得其能夠在半導體晶圓背面拋光步驟及一後處 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 6 200809949 ^被研磨至甚至為極小之厚度而不會使晶圓響曲。 务明人已進行廣泛調查以克服上述問題。結果，鄉 現在+導體晶圓背面研磨步驟中發生晶圓彎曲在相當程 f上與用於半導體晶圓處理之感愿黏著片的四個特性相 \亦即’熱縮率、片伸長時之應力、應力鬆他比及塗覆 ::著物時之伸長度。此外，其發現，可藉由調整此等 ^ 之至^者，以使其在適當範圍内來抑制晶圓彎 曲。因而完成本發明。 【實施方式】 本么月提供種用於半導體晶圓處理之感壓黏著片，其 已:基板及一個裝設在該基板上的感壓黏著層，該感壓 黏著片或該基板在已被允許於6〇。〇下停留1〇分鐘之後， 二有2%或更低之熱縮率。此感壓黏著片希望在對感壓黏 者片進行之矽晶圓塗覆測試中，具有2%或更低之伸長度。 —本發明進一步提供一種用於半導體晶圓處理之感壓黏 著片，其包含-基板及-個裝設在該基板上的感壓黏著 層，该感壓黏著片在張力測試中於伸長 伸長狀態起始後的i分鐘時，具有咖或更高 比。此感壓黏著片希望在伸長2%的情況下，於伸長狀態 起始後的10分鐘時，具有25%或更高之應力鬆弛比。 ，發明再進一步提供一種用於半導體晶圓處理之感壓 黏著片，其包含一基板及一個裝設在該基板上的感壓黏著 層，該感壓黏著片在張力測試中於伸長2%之後，立刻具 有為4·5 N/20 mm2或更低之每單位面積應力。 312XP/發明說明書(補件)/96_09/96129524 200809949 本表明此外提供一種用於半導體曰 片’其包含-基板及一個裝設在今基:圓:理之感壓黏著 該感壓黏著片在對感壓黏著片進：的咸壓黏箸層’ •中，具有2%或更低之伸長度。订切晶圓塗覆測試 二 固由不同材料製成之兩個或兩個以上的 二斤:籌成的層合物。該層合物較佳包括兩個 的 各由謂煙樹脂製成且具有不同之熱㈣θ兩個層 根據本發明之詩半導體晶圓處理的s屢 在對半導艚曰圓、# > j ‘ &黏者片，適合 丁牛*體曰曰圓進仃背面研磨 根據本發明之用於半導體晶圓面用。 體晶圓之“可被研磨至極小/ ^者片導 ，。另外’可容易地以低成本來製造本發明之用：：【二 声的馮於士 . 田在將大直徑晶圓研磨至極小厚 度的過私中，使用感壓黏著 弯曲晶圓之情形下進行。因此作可在不 曰同士 此使用本發明之用於半導體 日日®處理的感壓黏著片可改 磨時的生產力。 $仃牛V體曰曰圓之背面研 ^本發明之用於半導體晶圓處理之錢料片中的一 ^感㈣著片或基板在已被允許在阶下停留^分 後’具有2%或更低、較佳1.5%或更低且更佳i 〇%或 熱縮率。當感壓黏著片或基板之熱縮率在彼範圍内 、此感壓黏者片在（例如）半導體晶圓背面研磨之步驟中 被用作背面研磨片時，則歸因於背面研磨或隨後處理步驟 中產生之熱而產生於此感壓黏著片中的内部應力（殘餘應 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 200809949 力）極低因此’感麼黏著片在背面研磨步驟中不會發生 粵曲、^可使半導體晶圓保持平坦。熱縮率以如下方式判 疋。f壓黏著片或基板被切割為給定大小。藉由測徑規來 2確罝測縱向尺寸之初始值A及橫向尺寸之初始值A,。 榼本被允卉在6〇 c之環境下停留1 〇分鐘。此後，熱收縮 之後的縱向尺寸β及熱收縮之後的橫向尺寸B，被分別量 測使用以下方程式分別計算縱向熱收縮度c及橫向熱收 縮度C’。C與C，中之較大者被定義為感壓黏著片或基板 之熱縮率。 C(%) = (A-B)/A X 100 C (%) = (A’ -Β’）/Α，χ 100 —感壓黏著片《基板之熱縮率可藉由選定基板及感壓黏 著劑之種類及其組合而被調整以便在彼範圍内。 本务月之另一感壓黏著片具有極佳之應力消除特性。特 定言之，在張力測試中，此感壓黏著片在伸長2%的情況 y在伸長狀態起始之後的！分鐘時，具有20%或更高、較 (U或更尚且更佳5〇%或更尚的應力鬆弛比。感壓黏著 片±之在伸長2%的情況下於伸長狀態起始之後的10分鐘 2，被判定之應力鬆弛比可為25%或更高、較佳30%或更 同且更佳50%或£高。當感壓黏著片之應力鬆、弛比在彼範 圍内牯，塗覆至被黏著物之後的應力鬆弛比極低。因此， 即使在作為被黏著物之半導體晶圓被研磨至75 #瓜至15〇 Am之厚度或研磨至更小之厚度時，感壓黏著片仍可固持 半導體晶圓而不會使其彎曲。以如下方式計算應力鬆弛 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 〇 200809949 比。以200 mm/miη之诘盘水吝知 壓黏著片樣本，以量;=:乂 定長度之感 里判在伸長2%時之應力K及在停止伸 長之後的1分鐘時之應力L。接著，應力鬆弛比被計算為 (K L)/K、X 1〇〇(%)。感壓黏著片之應力鬆弛比可藉由選定 基板及感壓黏著劑之種類及其組合而被調整以便在彼 圍内。 本發明之又-感壓黏著片在伸長2%之後，立刻具有為 4. 5 N/_或更低、較佳3. 5 N/ram2或更低且更佳& 〇 N/mm2 或更低^單位面積應力。當感壓黏著片在伸長之後立刻 具有之母早位面積應力在彼範圍内時，作為被黏著物之半 導體晶圓可被防止歸因於塗覆所導致之張力而發生翹曲 (彎曲）。以如下方式計算伸長之後立刻具有的每單位面積 ，力㈣具有給定長度之錢黏著片被切割為15龍之 見度。在至溫下且以200 mm/min之速率將此樣本牽拉找， 且在此牽拉之後立即量測應力。使用伸長2%時之應力a 及感壓黏著片或基板之總厚度B(mm)，將伸長之後立即且 有=每單位面積應力計算為A/(15 x B) (N/mm2)。在感壓 黏著片之感藶黏著劑側被隔片或其類似物所覆蓋的情形 中，對隔片已被移除之樣本執行量測。感壓黏著片在伸長 2厂%之後立即具有之每單位面積應力’可藉由選定基板及感 壓黏者劑之種類及其組合而被調整以便在彼範圍内。 、本發明之另-感壓黏著片在石夕晶圓塗覆測試中具有2% 或更低、較佳1. 5%或更低且更佳丨.⑽或更低之伸長度。 本發明之此具有在彼範圍内之伸長度且具有在塗覆時不 312XP/發明說明書(補件)/96·〇9/96129524 1〇 200809949 邻廡\ 的錢黏著片，在帶塗覆步驟中幾乎不具有内 =應力。此感麗黏著片因此具有極低之殘餘應力。因此， P使在-個作為被黏著物之半導體晶圓被研磨至極小之 士度時：其仍不會彎曲(翹曲）。伸長度以如下方式判定。 ，由測控規來精確量測—個被切割為給定大小之感壓黏 =片的縱向尺f α及橫向尺寸α，。在不向感壓黏著片 鈿加張力之情況下’藉由一 2公斤橡膠滾筒以1〇 cm/sec :速率’將此感壓黏著片塗覆至3〇〇龍矽晶圓。此後， 量測所塗覆之感壓黏著片的縱向尺寸沒及橫向尺寸 3使用以下方程式來計算縱向伸長度γ及橫向伸長度 r , 〇 T (%) = (β-α)/α X 100(%) ’（％)=-a ’）/α，X 1〇〇(%) 縱向伸長度7之值與橫向伸長度r，之值中的較大者 被作為感_著片之伸長度。在錢黏著片之感壓黏著劑 側被隔片或其類似物所覆蓋的情形中，在隔片或其類似物 被移除之後對塗覆感壓黏著片之前的尺寸執行量測。矽晶 圓塗覆測試中之感壓黏著片的伸長度可藉由選定基板及 感壓黏著劑之種類及其組合而被調整以便在彼範圍内。 在半導體晶圓背面研磨步驟中使用之感壓黏著片發生 彎曲（翹曲）係與上文所述之熱縮率、伸長之後的應力鬆弛 比、伸長時之每單位面積應力及塗覆時之伸長度緊密相關 的。雖然只要彼等特性中之任一者在上文所示之範圍内， 感壓黏著片之魅曲便被顯著抑制，但更佳使彼等特性中之 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 11 200809949 兩者或兩者以上在上文所示之各別範圍内。詳言之，至關 重要的是，在60°C下停留10分鐘之後的熱縮率為2%或更 低以用於在半導體晶圓背面研磨步驟中抑制趣曲。因此， .一個在60°C下停留10分鐘之後具有2%或更低之熱縮率且 .亦在伸長2%之情況下於伸長狀態起始之後的1分鐘時具 有2 0 %或更间之應力鬆弛比的感壓黏者片、^ „個在6 〇 °c下 停留10分鐘之後具有2%或更低之熱縮率且亦在伸長2% 之後具有為4.5 N/20 mm2之每單位面積應力的感壓黏著 片、一個在60°C下停留10分鐘之後具有2%或更低之熱縮 率且亦在塗覆時具有2%或更低之伸長度的感壓黏著片或 類似感壓黏著片合適在對半導體晶圓進行背面研磨時作 為表面保護片來使用。熱縮率、伸長之後的應力鬆弛比、 伸長時之每單位面積應力及塗覆至矽晶圓時之伸長度中 之所有者均在各別範圍内的感壓黏著片係用於在對半導 體晶圓進行背面研磨時作為表面保護片使用的尤佳感壓 黏著片。 (感壓黏著劑） 構成本發明之每一感壓黏著片之感壓黏著層的感壓黏 著劑未被特別限定，只要所獲得之感壓黏著片滿足上文所 描述之特性即可。其可適當選自諸如以橡膠為主之感壓黏 •著劑、丙烯酸系感壓黏著劑、聚醯胺感壓黏著劑、聚石夕氧 感壓黏著劑、聚酯感壓黏著劑及胺基甲酸酯感壓黏著劑的 習知感壓黏著劑。在此等感壓黏著劑中，包含丙烯酸系聚 合物作為基質聚合物的丙烯酸系感壓黏著劑適合使用，因 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 12 200809949 為其包括耐熱性及耐候性在内的各種特性極佳且可藉由 選定（例如）用於構成丙烯酸系聚合物之單體成份的種類 而具有所要之特性。 作為丙烯酸系感壓黏著劑之基質聚合物的丙烯酸系聚 合物係由作為主要單體成份之（甲基）丙烯酸的一或多種 烷基酯構成。可使用（例如）（甲基）丙烯酸之。，烷基酯， 諸如（甲基）丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯 酉文丙酉曰、（曱基）丙烯酸異丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲 基）丙烯酸異丁酯、（曱基）丙烯酸第二丁酯、（曱基）丙烯 酸第三丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲 基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸2一乙 基己酯、（曱基）丙烯酸異辛酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲 基）丙烯酸異壬酯、（曱基）丙烯酸癸酯、（曱基）丙烯酸異 癸酯、（曱基）丙烯酸十一烷酯、（甲基）丙烯酸十二烷酯、 (曱基）丙烯酸十三烷酯、（甲基）丙烯酸十四烷酯、（曱基） 丙烯酸十五烷酯、（甲基）丙烯酸十八烷酯、（甲基）丙烯酸 十九烷酯及（曱基）丙烯酸二十烷酯（較佳為（曱基）丙烯酸 之CiM2烷基酯，更佳為（甲基）丙烯酸之8烷基酯）作為 (甲基）丙烯酸之烷基酯。可選定並使用（甲基）丙烯酸之一 或多種烷基酯。 丙烯酸系聚合物可出於修改内聚力、耐熱性、交聯能力 等之目的，而視需要包含由一或多個可與（曱基）丙烯酸之 焼基酯共聚合之其他單體成份衍生得到的單元。該等單體 成份之實施例包括：包含羧基之單體，諸如丙烯酸、甲基 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 13 200809949 丙烯酸、丙稀酸叛乙酯、丙烯酸叛基戊酯、衣康酸、順丁 烯二酸、反丁烯二酸及丁烯酸；包含經基之單體，諸如（甲 基）丙烯酸羥基丁酯、（甲基）丙烯酸羥基己酯、（曱基）丙 * 烯酸羥基辛酯、（曱基）丙烯酸羥基癸酯、（曱基）丙烯酸羥 • 基月桂酯及曱基丙烯酸（4-羥基甲基環己基）曱酯；包含磺 酸基之早體’諸如苯乙婦石黃酸、芳基石黃酸、2-(曱基）丙稀 醯胺基-2-曱基丙磺酸、（曱基）丙烯醯胺基丙磺酸、（曱基） 丙烯酸磺丙酯及（甲基）丙烯醯氧基萘磺酸；包含磷酸酯基 之單體，諸如丙烯醯磷酸2-羥乙基酯；（N-取代）醯胺單 體，諸如（甲基）丙烯醯胺、N，N-二曱基（甲基）丙烯醯胺、 N-丁基（曱基）丙烯醯胺、N-羥甲基（曱基）丙烯醯胺及n-羥甲基丙烷（甲基）丙烯醯胺；（曱基）丙烯酸胺基烷酯單 體’諸如（甲基）丙烯酸胺基乙酯、（甲基）丙烯酸N，二 曱基胺基乙酯及（甲基）丙烯酸第三丁基胺基乙酯；（甲基） 丙烯酸烷氧基烷酯單體；順丁烯二醯亞胺單體，諸如N一 環己基順丁烯二醯亞胺、N-異丙基順丁烯二醯亞胺、N— 月桂基順丁烯二醯亞胺及N-苯基順丁烯二醯亞胺；衣康 醯亞胺單體，諸如N-曱基衣康醯亞胺、N—乙基衣康醯亞 胺、N-丁基衣康醯亞胺、n-辛基衣康醯亞胺、N—2—乙基己 基衣康醯亞胺、N-環己基衣康醯亞胺及N—月桂基衣康醯 •亞胺，琥珀醯亞胺單體，諸如N-（甲基）丙烯醯氧基亞曱 •基琥轴醯亞胺、(甲基）丙烯醯基一6一氧基六亞曱基琥拍 醯亞胺及N-（甲基）丙烯醯基一 8 一氧基八亞甲基琥珀醯亞 月女，乙烯基單體，諸如乙酸乙烯酯、丙酸乙稀酯、N—乙烯 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 14 200809949 基吡咯啶酮、甲基乙烯基吡咯啶酮、乙烯基吡啶、乙烯基 哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基 °比洛、乙烯㈣唾、乙㈣W、乙稀基嗎琳、N-乙婦基 叛醯胺、苯乙烯、α—甲基苯乙烯及N_乙稀基己内酿胺； 氰基丙烯酸酯單體，諸如丙稀腈及甲基丙烯腈；包含環氧 基之丙烯酸系單體’諸如（甲基)丙烯酸縮水甘油酯；二醇 丙烯酸醋單體，諸如聚丙二醇（曱基）丙烯酸醋、甲氧基乙 二醇（曱基）丙烯酸酯及甲氧基聚丙二醇（甲基）丙烯酸 酯；具有-或多個雜環、函素原子、秒原子或其類似物之 丙烯酸酯單體，諸如（曱基）丙烯酸四氫糠酯、氟（甲基） 丙烯酸S曰及聚矽氧（甲基）丙烯酸酯；多官能單體，諸如己 二醇二（甲基）丙烯酸酯、（聚）乙二醇二（曱基）丙烯酸酯、 +丙一醇一（曱基）丙烯酸酯、新戊二醇二（曱基）丙烯酸 酉曰、異戊四醇二（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三（曱基） 丙烯酸酯、異戊四醇三（曱基）丙烯酸酯、二異戊四醇六（曱 基）丙烯酸酯、環氧基丙烯酸酯、丙烯酸聚酯、丙烯酸胺 基甲酸酉旨、二乙烯基苯、二（甲基）丙烯酸丁二酯及二（曱 基）丙烯酸己二酯；烯烴單體，諸如異戊二烯、丁二烯及 異丁細’及乙卸醚單體’諸如乙烯醚。可單獨使用此等單 體成份或可結合其中之兩者或兩者以上來使用此等單體 成份。 可藉由以習知合適方法聚合上文所列舉之（曱基）丙稀 k之烧基g旨中的一或多者（視需要可連同一或多種其他單 體）來製造一種丙烯酸系共聚物。丙烯酸系共聚物之分子 312XI>/發明說明書(補件)/%-09/96129524 15 200809949 里未被特別限定。舉例而言，可使用一種具有在ι〇〇 _ 至2，咖，_、較佳在至1，GGG，_、更件在 3〇〇, 〇〇〇至1，000, 000之範圍内之重 ^ 酸系共聚物。 卞]刀子里的丙烯 感Μ黏著劑可為—種藉由將能量射線可聚合之化人物 ，加至感壓黏著劑中，或藉由使用一種具有引入其中:能 1射線可聚合魏的基f聚合物而獲得的能量射線可固 化感壓黏著劑。由能量射線可固化感壓黏著劑構成的感壓 黏著層在被能量射線照射之前展現出足夠之黏著力，但一 被能量射線照射即具有顯著減小之黏著力。使用此感壓黏 者層之感壓黏著片無需對被黏著物施加應力便可容易地 剝落。能量射線之實施例包括紫外線及電子束。 醇=(曱基）丙烯酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯及聚丙 二醇二（曱基）丙烯酸酯；具有一或多個脂環基之脂族多元 醇的（甲基）丙烯酸酯，諸如環己烷二甲醇二（曱基）丙烯酸 旦可使用在一種化合物之分子中具有兩個或兩個以上能 置射線可聚合之碳碳雙鍵的化合物，作為能量射線可聚合 之化合物。該化合物之實施例包括多官能丙烯酸酯化^ 物。其特定實施例包括：線性脂族多元醇之（曱基）丙稀酸 酯，諸如二（甲基）丙烯酸1>4一丁二酯、^卜戊二醇二（曱 基）丙烯酸酯、1,6-己二醇二（甲基）丙烯酸酯、1>9_壬二 酯及三環癸烷二曱醇二丙烯酸酯；及分枝脂族多元醇之 (甲基）丙烯酸酯，諸如三羥曱基丙烷三（曱基）丙烯酸酯、 異戊四醇三（曱基）丙烯酸酯及異戊四醇四（曱基）丙烯酸 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96129524 16 200809949 醋以及此等之縮合物（例如，二（三羥甲基）丙烧四丙烯酸 酯及二異戊四醇六丙烯酸酯）。 亦可使用諸如丙烯酸胺基甲酸酯寡聚物之多官能丙烯 酉夂s日券承物’作為能置射線可聚合之化合物。丙稀酸胺基 甲酸酯寡聚物係（例如）藉由使二異氰酸酯化合物與多元 醇化合物發生反應以獲得胺基甲酸酯寡聚物，且使此寡聚 物與具有羥基之（甲基）丙烯酸烷酯發生反應而獲得。二異 氰酸酯化合物之實施例包括：曱苯二異氰酸酯、二苯基甲 烧二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、伸苯基二異氰酸 酯、二環己基曱烧二異氰酸酯、二曱苯二異氰酸酯、四曱 基二曱苯二異氰酸酯、萘二異氰酸酯及異佛爾酮二異氰酸 酯。多元醇化合物之實施例包括諸如乙二醇、丨，4—丁二 醇、1，6 -己一醇、二乙二醇、三經甲基丙烧、二丙二醇、 聚乙二醇、聚丙二醇、異戊四醇、二異戊四醇及甘油之多 元醇。其實施例進一步包括藉由使彼等多元醇與諸如己二 酸、癸二酸、壬二酸或順丁烯二酸之脂族二羧酸或與諸如 對笨一曱酸或間笨二甲酸之芳族二羧酸發生縮合反應而 獲知的聚S旨多元醇化合物；諸如聚伸乙基醚乙二醇、聚伸 丙基醚乙二醇、聚四亞曱基醚乙二醇及聚六亞甲基醚乙二 醇之聚醚多元醇化合物；諸如聚己内酯二醇、聚丙内醋二 醇及聚戊内酯二醇之内酯多元醇化合物；及藉由使諸如乙 二醉、丙二醇、丁二醇、戊二醇、辛二醇或壬二醇之多元 醇與碳酸二乙烯酯、碳酸二丙烯酯或其類似物發生脫醇反 應而獲付之I奴酸s曰多元醇化合物。包含經基之（甲美） 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 17 200809949 丙稀酸烧基酯化合物的實施例包括：（曱基）丙烯酸2-經 基乙酯、（曱基）丙烯酸2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸4一羥 基丁酯、（甲基）丙烯酸6-經基己酯、（甲基）丙烯酸8一經 基辛酯、（曱基）丙烯酸10-羥基癸酯、（曱基）丙烯酸12 -羥基月桂酯及（曱基）丙烯酸（4-羥基甲基環己基）曱酯。 在使用能量射線可聚合之化合物的情形中，相對於1 〇 〇 份重量之基質聚合物，能量射線可聚合之化合物的量可在 (例如）5至200份重量、較佳10至1〇〇份重量且更佳1〇 至45份重量的範圍内選定。 在所使用之能量射線可聚合之化合物為（例如）一個在 平均每一分子上存在五個或五個以上反應位置之化合物 的情形中’此導致增加之體積膨脹係數。因此存在感壓黏 著片具有增加之熱縮率或感壓黏著劑一被能量射線照射 即收縮以使感壓黏著片翹曲的情形。 在將此里射線可聚合之雙鍵引入基質聚合物以賦予感 壓黏著劑能量射線固化性的情形中，此可藉由在製造（例 如）作為基吳聚合物之丙婦酸糸聚合物時，聚合且有諸 如羧基、羥基或胺基之反應官能基的可共聚合單體，以由 此將用作反應位置之官能基引入基質聚合物中，且經由用 作反應位置之官能基將具有能量射線可聚合之碳碳雙鍵 的多官能單體或寡聚物與聚合物結合而達成。因此，可獲 付基貝聚合物’该基質聚合物在其側鏈中具有能量射線可 聚合之碳碳雙鍵。 能量射線可固化感壓黏著劑可視需要包含光聚合引發 312xp/發明說明書(補件)/96-09/96129524 18 200809949 劑。光聚合引發劑一被能量射線照射，即被激發並活化， 以產生自由基，且由此加快感壓黏著層之有效聚合/固化 反應。光聚合引發劑之實施例包括：安息香烷基醚引發 劑’諸如安息香甲基醚、安息香乙基驗、安息香異丙基醚 及安息香異丁基醚；二苯曱酮引發劑，諸如二苯曱酮、苯 曱醯苯甲酸、3, 3’-二曱基-4-甲氧基二苯甲酮及聚乙烯二 苯甲酮；芳族酮引發劑，諸如α -羥基環己基苯基酮、4-(2-赵基乙氧基）本基2 -故基-2 -丙基g同、經基-j，j，一二 曱基苯乙酮、甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基—2-苯基苯乙 酮及2, 2-二乙氧基苯乙酮；諸如苄基二甲基縮酮之芳族 縮酮引發劑；噻噸酮引發劑，諸如噻噸酮、2 —氯噻噸酮、 2-甲基噻噸酮、2-乙基噻噸酮、2-異丙基噻噸酮、2 —十二 烷基噻噸酮、2, 4-二氣噻噸酮、2, 4-二甲基噻噸酮、2,4一 二乙基噻噸酮及2, 4-二異丙基噻噸酮；諸如二苯基乙二 酮之二苯基乙二酮引發劑；及諸如安息香之安息香引發 劑。其實施例進一步包括：α —酮醇化合物（例如，2-甲基 -羥基苯丙酮）、芳族磺醯氯化合物（例如，2-萘磺二 氯）、光學活性肟化合物（例如，卜苯基-丨，丨―丙二酮—2 —(鄰 乙氧基叛基）射）、樟腦酿、齒化酮、酿基氧化膦及酿基麟 酸醋。可單獨使用該等光聚合引發劑或可結合其中之兩者 或兩者以上來使用該等光聚合引發劑。 感壓黏著劑可為-種親水性感壓黏著劑，其藉由使用且 有諸如㈣之酸基的聚合物作為基質聚合物，且向盆中 加中和劑以中和該基質聚合物中之酸基中的全部或部 3 lZXP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 〇 200809949 刀#且由此賦予聚合物親水性而獲得。親水性感壓黏著劑 j帛車乂不易在被黏著物上留下黏著劑殘餘物，且即使當其 留下黏著劑殘餘物時，此殘餘物亦可藉由以純水沖洗而被 ^地移除。具有酸基之聚合物可藉由在製造基質聚合物 %共聚合一種具有酸基之單體（諸如上文所列舉之包含 基ί單體）而獲得。可使用（例如）諸如單乙胺或單乙醇胺 之弟一胺、諸如二乙胺或二乙醇胺之第二胺、諸如三乙 ，、三乙醇胺、Ν，Ν，Ν、三甲基乙二胺、"基二乙醇胺 來作為中一和^。胺之第三胺或具有驗度之有機胺基化合物 :壓黏著劑可視需要包含交聯劑。可使用(例如)環氧交 :;八、属购旨交聯劑、三聚氰胺交聯劑、過氧化物交聯 :卜i屬醇鹽交聯劑、金屬螯合物交聯劑、金屬 石:化二醯亞胺交聯劑、噁唑啉交聯劑、氮丙啶交聯；？ 父聯劑或類似交聯劑作為交聯劑。較佳 二: 異氛酸醋交聯劑。環氧交聯劑之實施例包括:二二 四縮水甘油-間苯二甲胺、二縮水甘油苯胺、 一縮水甘油胺基甲基）環己烷、1>6_己二 %(， 驗、新戊二醇二縮水甘㈣、乙二醇二縮水甘=水^由 醇二縮水甘油轉、聚乙二醇二縮水甘㈣、聚丙由，丙二 水甘油_、山梨糖醇聚縮水甘油驗、甘油聚〜知-縮 異戊四醇聚縮水甘油趟、聚甘油聚縮水甘油越、^由® 糖醇聚縮水甘㈣、三經甲基丙院聚縮水甘脱水山梨 二縮水甘油醋、鄰苯二甲酸二縮水甘 、己二酸 〜羥基乙 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 2〇 200809949 二三縮水甘油醋、間笨二驗二縮水甘油峻、 ^固以上環氧基的環氧樹脂。異氰酸較聯劑 = f異氛㈣丁二醋及二異氛酸酿U-己二醋d 4’諸如二異氰酸伸環戊醋、二異氰酸伸環已 酉曰、異佛爾嗣二異氰酸醋、氫化甲苯二異氰酸醋及氫化一 曱苯二異氰酸酯；及关旄咿S备綠 24…匕 方4異鼠酸醋，諸如二異氰酸 2,4一甲本δθ、二異氰酸醋2,6-甲苯酯、二異氰酸醋44，— 一苯基甲烷酯及二異氰酸酯苯二甲酯。 ， 、可使用刀塗機、滾塗機、凹板塗機、模塗機、逆滾塗 或其類似物’藉由適當技術將感壓黏著劑塗覆至基板^ 成感壓黏著層。或者’可使用一種方法，其中感壓黏著層 形成在適當之用於鑄造的處理片上，諸如一個已經受表2 脫模劑處理之薄膜，且此感壓黏著層被轉移至基板。雖然 感壓黏著層之厚度未被特別限定，但其較佳為10 “或 更大（例如，10 "至200 # „0，更佳為15❹或更大（例 如’ 15 ^至100㈣且尤佳為18㈣或更大（例如， 至50 #m)。當感壓黏著層之厚度在彼範圍内時，

感壓黏著層減小基板之應力以改進感壓黏著片之應力鬆 弛比。 A 感壓黏著層之彈性模數較佳在1() χ 1〇4至丨〇 X上以 之範圍内。感壓黏著層之在此範圍以外的彈性模數係不人 而要的，因為存在該感壓黏著層不具有使得該黏著層合適 312XP/發明說明書(補件)/96-〇9/96129524 21 200809949 在用於半導體晶圓背面研磨之感壓黏著片中使用之感壓 黏著特性的情形。在能量射線可固化感壓黏著劑被用作感 壓黏著劑的情形中，彼彈性模數意謂尚未固化（在被能量 • 射線照射之前）之感壓黏著層的彈性模數。 ' - (基板） 可適當選定並使用基板，以使得如上文所描述之熱縮 率、應力鬆弛比、每單位面積應力及塗覆時之伸長度的各 別值在各別所要範圍内。雖然基板未被特別限定，但可使 用（例如）由樹脂（塑膠）製成之薄膜。構成樹脂薄膜之樹脂 未被4寸別限定，且可為經固化之樹脂（例如，熱固性樹脂 或光固化樹脂）或熱塑性樹脂。其實施例包括以下聚合 物··聚烯烴，諸如低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚 乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、丙烯任意共聚物、 丙烯嵌段共聚物、丙烯均聚物、聚丁烯及聚曱基戊烯、乙 烯/乙酸乙烯酯共聚物、離子鍵共聚物樹脂、乙烯/(曱基） 丙晞酸共聚物、乙烯/(曱基）丙烯酸酯（任意或交替）共聚 物、乙烯/丁烯共聚物、乙烯/己烯共聚物，聚胺基甲酸酯， 聚醋’諸如聚（對苯二曱酸乙二酯）及聚（萘二曱酸乙二 醋）’（甲基）丙烯酸系聚合物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚 酿亞胺、聚酸胺、聚（醯胺—醯亞胺）、聚醚醯亞胺、聚砜、 -聚鍵礙、聚（氯乙烯）、聚（氯亞乙烯）、氟樹脂、纖維素樹 月曰’及藉由將此等聚合物交聯而獲得之聚合物。可根據需 要使用此等樹脂中之兩者或兩者以上的摻合物。彼等樹脂 可視需要包括諸如無機填充劑（諸如，碳酸鈣、二氧化矽 22 312XP/發明說明書(補件)/96-〇9/96129524 200809949 或雲母）、金屬填充劑（諸如 十：九糾、 堞及氦）及者色劑（諸如，顏料 或木枓）之添加劑。自改進感壓考著 料二a斗 考月之應力鬆弛比的觀 用於構成基板之材料較佳為諸 之具有高應力消除特性的樹脂。基板可為單層薄膜 利用每一樹脂之優點的層合物（多層薄膜）。 /… 層合物之實施例包括一層合薄膜，該層合薄膜包含一核 心層及-個裝設在該核心層之至少—侧上的表面層。較佳 地’表面層已裝設在核心層之每一側上，及層合薄膜具有 -個由-表面層、-核心層及另一表面層且以此次序層合 而構成的三層結構。待用於構成核心層及表面層之材ϋ 佳係（例如）自諸如低密度聚乙烯、線性聚乙烯、中密度聚 乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、丙烯任意共聚物Τ 丙烯嵌段共聚物、丙烯均聚物、聚丁烯、聚曱基戊烯、乙 烯/乙酸乙烯酯共聚物、離子鍵共聚物樹脂、乙烯/(甲基） 丙烯酸共聚物、乙烯/(甲基）丙烯酸酯（任意或交替）共聚 物、乙烯/丁烯共聚物及乙烯/己烯共聚物之聚烯烴樹脂以 及藉由以1 Mrad至80 Mrad之劑量使用電子束或r射線 射该等聚烯烴樹脂而獲得之聚合物中選定的材料。分別 構成核心層及表面層之材料較佳自彼等聚烯烴樹脂中選 定’以使得層之熱縮率不同且相互干擾以由此降低基板之 總熱Ιί§率。該等組合之實施例包括聚乙烯與聚丙烯之組 合。尤佳為結晶聚乙烯與非結晶聚丙烯之組合。當將使用 一個包括聚乙烯及聚丙烯之層合物作為基板時，自固著特 性之觀點而言，一聚乙烯層較佳裝設在基板之與感壓黏著 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 23 200809949 個包括分別裝設在核心層 ’该兩個表面層較佳由同 層接觸的側上。在層合物具有一 兩側上之表面層之構造的情形中 一種類之材料構成。 構成層合物之層之厚声 而，核心層之厚度較佳大於每—/面層==別=定。然 層之厚度與該核心層 ^子又個表面 1：12 ^ 層合物包括兩個分別Λ在之範圍内選定。在 形中，-熹而μ后 兩側上之表面層的情 同。雖然-表二之旱/與另—表面層之厚度可相同或不 '' 、a旱度與另一表面層之厚度之間的比率 好且H)自1:1 i 1:5之範圍㈣定’但該兩個表面層 較佳具有相同厚度。 該等層合物中之尤佳者係(表面層）:(核心層） 為2··9··2的多層薄膜。一適當之中間層可視需 衣叹在核心層與每一表面層之間。t間層之實施例包括 用於改進該等層之間的黏著之黏著層或底塗層。 用於形成基板之方法未被特別限定。其實施例包括··一 種方法，其中一丸狀樹脂被熔融並藉由擠壓成膜機而形成 =一薄膜；及一種方法，其中藉由以T模或充氣進行之擠 壓成形或藉由壓延來形成薄膜。基板之熱縮率在相當程度 上視成膜步驟中之溫度條件而定。為了將感壓黏著片或基 板之熱縮率調整至2%或更低，需要選定一個經由成膜步 驟（不包括拉伸）而製造之基板。該基板之上側（亦即，上 面待形成感壓黏著層之侧）可以已經接受諸如電暈處理、 24 312XP/發明說明書(補件)/96_〇9/96i29524 200809949 絡酸鹽處理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露於高壓電震、藉 由電離輕射之處理或其類似處理的化學或物理氧化處』 以便具有對感壓黏著劑之經改進的黏著。 基板之厚度可在（例如）30 #„1至looo 、較佳4〇 ㈣至800 ”、更佳50 "至5〇〇㈣且尤佳⑽“ 之範圍内選定。可選定合適之厚度以使得基板 或感壓黏著片具有在上文所示之範圍内的特性。 =上文所描述’本發明之用於半導體晶圓處理的感壓黏 者片各具有-基板及一個形成於該基板上的感壓 :。可根據必要性藉由一適當之隔片來保護該感壓黏著 a。用於半導體晶圓處理之感壓黏著片可各呈滾筒狀或呈 片狀。其可呈片狀或帶狀或類似形狀。 因此獲得之本發明之感壓黏著片可被用作（例如）用於 諸如電子零件之各種被黏著物的表面保護片，且其應用来 被特別限定。本發明之感屬黏著片在塗覆至被黏著物 不易於魅曲且可保持平坦狀態。該等感壓黏著片可因此有 利地在儲存、運輸或處理諸如超薄半導體晶圓之即使 微小之力仍易於彎曲或破裂的被黏著物時作為表面保错 片使用。該㈣著片亦適合切晶ϋ之鏡面拋光過程中^ =。此外，其可被有利地作為用於在半導 ： 步驟中進行處理的錢黏著片使用。詳言之，”黏 ::被：作保護性感壓黏著片（背面研磨片）以用於當— 半導體晶圓被抛光至極小之戸疮士 電路表面。 ！之厂子度㈣護該半導體晶圓之 312ΧΡ/發明g兌明書(補件)/96-09/96129524 25 200809949 在研磨半‘體晶圓之背面的步驟中，本發明之用於半導 體晶圓處理之感塵黏著片的感壓黏著層首先被塗覆至晶 圓表面(電路圖案表面）。此塗覆步驟藉由一個稱作層合機 的裝2盡可能小地向黏著片上施加張力的方式進行。然 而κ貝上不可旎在完全不施加張力的情況下塗覆黏著 片。因此，當至今尚在使用中之習知感壓黏著片被塗覆 時，張力累積成為錢黏著片中之殘餘應力而使半導體晶 或斷歧。相反，本發明之用於半導體晶圓處理的感 壓黏著片在塗覆時具有較低之伸長度，且因此具有減小之 内部應力。 奴後，晶圓之背面藉由研磨器或其類似物來研磨，直至 晶圓厚度減小至-給定值（例如，5〇 ”纟 _為 止。根據需要，進行藉由（例如）蝕刻之化學研磨。在此操 作中用於半‘體晶圓處理之感壓黏著片用以固定半導體 晶圓以及保護半導體晶圓之前侧（電路圖案表面），以由此 防止晶圓表面被弄髒或損壞。傳統上，存在一問題在於， 由於在曰曰圓月面研磨步驟及在研磨之後的處理步驟中所 產生之熱使感壓黏著片發生熱收縮，或在感壓黏著片中累 積之殘餘應力，或其協同效應，作為被黏著物之超薄晶圓 ，生穹曲（翹曲）。順便提及，關於該熱收縮及翹曲之問 題，在許多情形中可歸因於感壓黏著片中之基板。根據本 發明之用於半導體晶圓處理的感壓黏著片，熱收縮、由於 感壓黏著片伸長而產生之應力、應力消除特性及塗覆時之 感壓黏著片伸長度（其為鍾曲之原因）中之至少一者已得 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 26 200809949 到改進。因此，即使當晶輯研磨域小厚 2 =著片亦不會使晶圓f曲且可保持晶圓平扭。二 二在：易於翹曲之大直徑半導體晶圓研厚： :程中使用感壓黏著片時，可進行操作而不會使 希望在晶圓背面研磨之步驟完成之後，歸半導體晶圓 = f黏著片自被黏著物上剝落而不會使半導體晶 0 U €下黏者劑殘餘物。在本發明之用於半導體晶圓 處理之感壓黏著片的感壓黏著層係由一種能量射線可固 化感壓黏著劑構成的情形中，以能量射線（例如，紫外線 ，電子束：>自背面（基板侧）照射感壓黏著片以減小感壓黏 著層之黏著力，藉此感壓黏著片可容易剝落而不會在被黏 著物上留下黏著劑殘餘物或使被黏著物斷裂。 (實施例） 下文中’將參考實施例更為詳細地闡釋本發明，但本發 明不應被解譯為以任何方式為以下實施例所限定。 (實施例1) 在甲苯中，藉由溶液聚合方法，共聚合97份重量之丙 烯酸丁酯、2份重量之甲基丙烯酸曱酯及3份重量之丙烯 酸’以獲得一具有重量平均分子量550, 000的丙烯酸系聚 合物。將100份重量之此丙烯酸系聚合物與〇· 3份重量之 環氧交聯劑（Mitsubishi Gas Chemical Co·，Ltd.製造之 商品名「TETRAD C」）混合以獲得感壓黏著劑組合物A。 藉由喷水模方法（fountain die met hod)，以一導致20 //m 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 27 200809949 之乾煉厚度的量，將該感壓黏著劑組合物A塗覆至一用於 鑄造之處理片（T〇ray Industries，Inc•製造之5〇 “瓜厚 的PET薄膜）。因此，形成一感壓黏著層。 藉由以擠壓機進行共擠壓來製造一個具有15〇 “ju之厚 ，且包括聚乙烯/非結晶聚丙烯/聚乙烯之三個層的層: 薄膜A作為基板。在該層合薄膜a中，該等層之厚度的比 率為：聚乙烯/非結晶聚丙烯/聚乙烯=2:9:2。感壓黏著層 A藉由轉移而層合至層合薄膜a，且生成之層合物在4〇它 下老化持續24小時以獲得一感壓黏著片a。 (實施例2) 在甲笨中，共聚合50份重量之丙烯酸乙酯、5〇份重量 之丙烯酸丁酯及5份重量之丙烯酸，以獲得一種具有重量 平均分子量650, 000的丙烯酸系聚合物。將ι〇〇份重量之 此丙烯酸系聚合物與2〇份重量之UV可固化寡聚物（The

Nippon Synthetic Chemical Industry Co·，Ltd.製造之 商品名「UV-1 700」）、1份重量之聚異氰酸酯交聯劑（Nipp〇n Polyurethane Co·，Ltd·製造之商品名 rc〇r〇nate L」） 及3份重量之光聚合引發劑（ciba Specialty Chemicals Co·製造之商品名「irgacure 651」）混合。因此，獲得一 種月b里射線可固化丙稀酸糸感壓黏著劑組合物B 〇 以與實施例1中相同之方式進行後續操作，除了使用感 壓黏著劑組合物B來替代感壓黏著劑組合物a以外。因 此，獲得一種能量射線可固化感壓黏著片B。 (實施例3) 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96129524 28 200809949 進行與貫施例1中相同之程序，除了使用一個具有為 50 "m之厚度的聚醯亞胺薄膜（DuP〇nt—T〇rayCo.，Ltd. 製造之商品名「20OH」）來作為基板以外。因此，獲得一 感壓黏著片C。 (比較實施例1) 進行與實施例1中相同之程序，除了使用一個丨5〇 " m 厚之單層薄膜作為基板以外，該單層薄膜係藉由熔融具有 以重畺计為17%之乙酸乙烯酯含量的乙烯/乙酸乙烯酯共 聚物且接著以擠壓機來擠壓成形該熔融物而獲得。因此， 獲得一感壓黏著片D。 (比較實施例2) 進行與實施例1中相同之程序，除了使用一個15〇 厚之單層薄膜作為基板以外，該單層薄膜係藉由向1〇〇份 重量之丙烯酸系樹脂（Kuraray Co·，Ltd•製造之 「Parapet SA」）中添加3份重量之聚（曱基丙烯酸甲 酯XArdrich Co·製造之PMMA樹脂），熔融所生成之混合 物且以擠壓機來擠壓成形該熔融物而獲得。因此，獲得: 感壓黏著片E。 ^ (測試評估） 在實施例及比較實施例中獲得之感壓黏著片經受以下 測試評估。所獲得之結果展示於表1中。 (熱縮率） 在實施例及比較實施例中獲得之該等感壓黏著片中的 每一者被切割為一個具有200 mm之邊長的正方形。藉由 3 UXP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 29 200809949 一精密測徑規來量測在感壓黏著劑之塗覆方向上的樣本 長广A及在與a垂直之方向上的樣本長度A，。此樣本被 允許在60t之環境下停留1〇分鐘。在此停留之後，量測 在感壓黏著劑之塗覆方向上的樣本長度B及在與B垂直之 方向上的長度B，。分別計算（Α_Β)/Α χ 1〇〇 (%)及 U:B’）/A’ Χ 100之值且將此等中之較大者定義為感壓 黏著片之熱縮率。 (應力鬆弛比） ^實施例及比較實施例中獲得之該等感壓黏著片中的 每者被切割為一個具有15 mm之寬度及30 mm之長度的 試件。藉由通用張力測試器以2〇〇 mm/min之速率來牽拉 此試件以量測在伸| 2%時的應力κ及在伸長停止之後工 刀！里日才的應力L。使用以下方程式來計算應力鬆弛比。

應力鬆弛比（％) = (κ-L)/K (伸長後之每單位面積應力） —在貫施例及比較實施例中獲得之該等感壓黏著片中的 每一者被切割為一個具有15咖之寬度及3〇〇咖之長度 的試件。藉由通用張力測試器在室溫下以2〇〇 _/m心 速率來牽拉此試件。在試件已被牵拉2%之後，立即量測 所生成之應力。根據伸長2%時之應力P(N)及感壓黏著片 之總，度Q(mm)，使用以下方程式計算每單位面積應力。 每單位面積應力=P/(15 X Q) (在塗覆至晶圓時的伸長度） 在實施例及比較實施例中製造之該等感壓黏著片中的 312XP/發明說明書(補件)抓〇9/96129524 3〇 200809949 每一者被切割為一個具有2〇 試件。在感壓黏著層之表面被及25⑽之長度的 _、 一 百㈢又衣曲被直暴露的同時，藉由一精 後測徑規來量測樣本之寬度 長度α 。此樣本係在 不向樣本施加張力之情況下，藉由2公斤橡膠滾筒以10 ::之速率’塗覆至30〇 _石夕晶圓的表面。在塗覆之 二rr;:本的寬…財。使用以下方程式 末“見度方向上之伸長度r及長度方向上之伸長度 r 〇 r (¾) = (yS - a )/ α χ 1〇〇 r ’（%)=(冷 ’ —α，）/α，χ 1〇〇 。r之值與r之值中的較大者被作為感壓黏著片在晶 圓塗覆時的伸長度。 (晶圓龜曲度） 使用 π黏著為（Nitto Seiki Inc·製造之 DR一85〇〇-II) f在實施例及比較實施例中獲得之該等感壓黏著片中的 每者塗覆至矽晶圓（直徑為200匪；厚度為750 # m)。 此矽晶圓藉由一研磨器（Disc〇 c〇rp•製造之DFD—856〇)來 研磨直至石夕晶圓之厚度達到9 0 // m為止。在研磨之後， 處於被感壓黏著片黏著之狀態下的矽晶圓被置於一個根 據JIS B 7513之具有一級平坦度之用於精密檢驗的壓板 上。相對於20點，對此矽晶圓自作為零級表面之壓板起 的高度進行檢查。矽晶圓高度之最大值與最小值之間的差 值被判疋為晶圓之勉曲度。 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 31 200809949 表1 實施例1 實施例2 實施例3 比較實施例1 比較實施例2 基板厚度（βπι) 150 150 50 150 150 感壓黏著層之厚度（/zm) 20 20 20 20 20 能量射線可固化 否 是 否 否 否 熱縮率(％) 1 1 0.05 2.4 3 1分鐘後的應力鬆弛比00 20 22 1 9 50 10分鐘後的應力鬆弛比(％) 25 26 3 12 70 伸長後立即具有之每單 位面積應力（N/mm2) 3 2. 5 30 4 2.5 伸長度(％) 0.3 0.4 0.02 0.45 2.0 晶圓魏曲（_) 0.5 0.3 0.8 3 4.5 雖然已詳細地且參考本發明之特定具體例描述了本發 明，但熟悉本技藝者將易於瞭解，在不偏離本發明之範曰壽 的情況下可在本文中進行各種改變及修改。 此申請案係基於2006年8月10日申請之曰本專利申請 案第2006-218681號，其全部内容特此以引用的方式併 入0 此外，本文中所引用之所有參考文獻均被全文併入。 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 32

Claims (1)

1. 200809949 十、申請專利範圍： 1. 種用於半導體晶圓處理之感壓黏著片，其包含一某 板及一裳設在該基板上的感壓黏著層，該感壓黏著片或二 2在已被允許於6{rc下停留1()分鐘之後，具有一為2% 或更低之熱縮率。 2. —種用於半導體晶圓處理之感壓黏著片，盆包含一基 板及-褒設在該基板上的感壓黏著層，該感壓黏著片在二 張力測試中於伸長2%之情況下，在該伸長狀態起始後的i 七鐘時，具有一為2〇%或更高之應力鬆弛比。 3广申請專利範圍第2項之感壓黏著片，其在一張力測 ΐ中於伸長2%之情況下’在該伸長狀態起始後的H)分鐘 蚪具有一為25%或更高之應力鬆弛比。 4. 一種用於半導體晶圓處理之感壓黏著片，其包含一基 反及波《在‘基板上的感壓黏著層，該感壓黏著片在— :力測試中於伸長2%之後’立刻具有一為4 5 n/2“〆 或更低之每單位面積應力。 5. —種用於半導體晶圓處理之感壓黏著片，i包含一基 :及-裝設在該基板上的感壓黏著層，在對該感壓黏著； ^丁之-石夕晶圓塗覆測試中’該感壓黏著片具有一為2% 或更低之伸長度。 —6.如申請專利範圍第！項之感壓黏著片，在對該感壓黏 者片進行之-⑪晶圓塗㈣試中，其具有—為2%或更低 之伸長度。 7.如申請專利範圍第μ之感壓黏著片，其中該基板為 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96_〇9/96129524 33 200809949 抖衣成之兩層或兩層以上所構成的物。 8·如申請專利範 θ 一 』乾圍弟2項之感壓黏耆片，其中該基板為 5/料製成之兩層或兩層以上所構成的層合物。 9.如申請專利範圍$ 4項之感壓黏著片，$ —由不同#料製成之兩層或兩層以上所構成的層^物/ 1 一0.如申請專利範圍帛5項之感壓黏著片，其中該基板 為一由^同材料製成之兩層或兩層以上所構成的層合物。 11.如申請專利範圍第7項之感壓黏著片，其中該層合 物包含兩層，該兩層各由一聚烯烴樹脂製成 縮率。 、巧卜U… 12. 如申請專利範圍第8項之感壓黏著片，其中該層合 物包含兩層’該兩層各由一聚烯烴樹脂製成且具有不同熱 縮率。 13. 如申請專利範圍第9項之感壓黏著片，其中該層合 物包含兩層，該兩層各由一聚烯烴樹脂製成且具有不二二 縮率。 14.如申請專利範圍第10項之感壓黏著片，其中該層合 物包含兩層，該兩層各由一聚烯烴樹艏製成且具有不同熱 縮率。 15.如申請專利範圍第1項之感壓黏著片，其係用於在 對该半導體晶圓進行背面研磨時作為一表面保護片使用。 16 ·如申請專利範圍第2項之感壓黏著片，其係用於在 對該半導體晶圓進行背面研磨時作為一表面保護片使用。 17 ·如申請專利範圍第4項之感壓黏著片，其係用於在 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-09/96129524 34 200809949 對，半導ιΛ rf耗圍帛5項之感•黏著片，其係用於在 ㈣+¥體0曰圓進行背面研磨時作為-表面保護片使用。 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 35 200809949 七、指定代表圖·· (一） 本案指定代表圖為：無 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 無 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： 無 312XP/發明說明書(補件)/96-09/96129524 4