TW200805365A - Write-once type optical recording medium and its manufacturing method - Google Patents

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Description

200805365 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 此發明係關於追記型光記錄媒體及其製造方法。詳言之 係有關含有無機記錄膜之追記型光記錄媒體及其製造方 法0 【先前技術】 追記型光記錄媒體係如同以CD_R(Compact Disc-Recordable: 可記錄微型 碟片）或DVD-R(Digital Versatile Disc-Recordable ··可記錄數位多功能碟片）而廣為人知，構 成其ό己錄層之S己錄材料使用有機色素者已普及。 另一方面，使用無機記錄材料之記錄媒體亦已做各種提 案（參考例如日本特開平11-144316號公報）。然而，現在， 相車父於記錄材料為無機材料所組成之記錄媒體（以下稱無 機記錄媒體）’廣泛使用記錄材料為有機材料所組成之記 錄媒體（以下稱有機記錄媒體）。其理由為無機材料作為記 錄膜之情況下，由於反射率之自由度侷限，因此會有無法 獲得與ROM(Read only Memory:唯讀記憶體）之互換性之 不便，並且若謀求提升記錄特性或耐久度，則不得不製成 多層膜，需I對其製造纟置㈣賤鐘I置之設備投資 等，因此相較於有機材料組成之情況，具有成本變高等問 題。 相對於此，以有機材料為記錄材料之追記型光記錄媒 體’由於其記錄層可藉由旋轉㈣法朗，為對此進行反 射膜成膜即可之程度，因此其製造方法簡單，製造裝置之 114130.doc 200805365 設備費用亦低廉。 另一方面，光碟之高密度化主要藉由光源之波長之短波 長化及物鏡之數值孔徑（Ν· Α·)來實現。現在由於短波長 400 nm附近之藍色之半導體雷射已實用化，因此必須開發 適於此種波長之光源之有機色素。 然而’符合對短波長光之光學特性之有機色素係色素分 子之尺寸傾向變小，分子設計之自由度變小，結果作為所 獲得之媒體之特性，設計之自由度亦甚少。 而且，作為下一代光碟片之規格而商品化之藍光碟片 (Blu-ray Disc(註冊商標），以下記為BD)中，由於ν· A·為 〇·85，因此從歪斜之容許度小等問題考量，對記錄層之記 錄再生之雷射光之照射係從形成於記錄層上之厚度〇1 mm 之光穿透側來進行。使用有機色素之情況下，為了防止由 於有機色素與光穿透層直接相接而分子擴散至光穿透層， 必須追加地將介電體膜成膜。由於此等狀況，因而尋求取 代有機色素之低廉之記錄膜。 CD-R或DVD-R之光學系統中，亦有於記錄再生特性方 面’無機記錄媒體比有機記錄媒體具優勢之情況。然而， 例如相變型之記錄媒體，藉由濺鍍法形成記錄層之光記錄 媒體中’其構成膜數為多層之情況下，會產生製造繁雜或 成本之問題。因此，該追記型光記錄媒體之構成膜數宜為 3〜4層以下。 【發明内容】 因此’此發明之目的在於提供一種追記型光記錄媒體， 114130.doc 200805365 其係於含有無機記錄膜之追記型光記錄媒體，實現記錄再 生特性或生產性優異，且可實現成本低廉化。 為了解決上述課題，第一發明為一種追記型光記錄媒 體，其特徵為含有無機記錄膜； 無機記錄膜包含： 含Ge之氧化物之氧化物膜；及 含金屬材料之鄰接膜，其係設置成以與氧化物膜相接的 方式； 氧化物膜之吸收係數k為〇15gk^〇9〇2範圍。 第二發明為一種追記型光記錄媒體之製造方法，其特徵 為其係含有無機記錄膜之追記型光記錄媒體之製造方法； 其包含以下步驟： 將含Ti之鄰接膜成膜之步驟；及 將含Ge之氧化物之氧化物膜成膜之步驟； 於氧化物膜及鄰接膜之成膜步驟中，以氧化物膜與鄰接 膜鄰接之方式成膜； 氧化物膜之吸收係數k為〇.i5$k^0.90之範圍。 於第一及第二發明中，氧化物膜之膜厚宜為1〇 nm以 上、35 nm以下。而且，於第一及第二發明中，鄰接膜宜 被氧化’該鄰接膜之氧之組成宜為9原子。/。以上、38原子0/〇 以下。鄰接膜宜含Ti。鄰接膜宜含進而含有si之TiSi合 金。TiSi合金之Si組成為8原子％以上、32原子％以下較 佳。鄰接膜宜含A1。鄰接膜宜為A1與希土類金屬之Tb、 Gd、Dy、Nd之任一種以上之合金膜。 114130.doc 200805365 於第-及第二發明中’宜於氧化物膜與鄰接膜相接侧之 相反侧之面，進而設置介電體膜。介電體膜宜含siN。介 電體膜宜含ZnS-Si〇2。介電體膜宜包含：鄰接於氧化物膜 之第一介電體膜；及形成於該，第一介電體膜上之第二介電 體膜，第”電體膜宜含ZnS-Si〇2，第二介電體膜宜含 SiN。介電體膜之膜厚宜為1〇nm以上、1〇〇nm以下。 於第一及第二發明中，典型上係於形成有平地（land).溝 槽（groove)之凹凸面之基板上，至少形成氧化物膜及鄰接 膜而成。 於第一及第二發明中，宜形成於具有執間距在〇·29 以上、〇·35 μπι以下之範圍之導引溝之基板上而成，且宜 於溝槽深度為18 nm、21.5 nm以下之範圍形成而成。此情 況下，當來自導引溝中進行記錄·再生之溝槽面於再生光 學系統中之返回檢測光量設為r〇n，來自另一方之溝槽面 之返回檢測光量設為Rin時，宜為_〇 〇1<2(r〇n_Rin)/ (R〇n+Rin)。而且，擺動（w〇bble)振幅宜為9⑽以上、13 ΠΠ1以下。 於第一發明中，宜設置記錄有識別資訊之識別資訊記錄 區域。此識別資訊宜藉由於氧化物膜，形成因應識別資訊 之記錄標記而記錄，或宜藉由以因應識別資訊之圖案除去 無機記錄膜而記錄。 於第一發明中，宜進而具備藉由從氧化物臈侧，對追記 型光記錄媒體照射波長35〇 nm以上、45〇 nm以下之雷射 光，以記錄識別資訊之步驟。而且，宜進而包含藉由從鄰 114130.doc 200805365 接膜側，對追記型光記錄媒體照射雷射光，以記錄識別資 訊之步驟，此步驟中照射之雷射光宜以光學頭掃描速度5
m/s以上、9 m/s以下，雷射功率3400 mW以上、4000 mW 以下之條件而照射於追記型光記錄媒體。 於第一及第二發明中，由於無機記錄膜係由含鍺之氧化 物之氧化物膜、及鄰接於此氧化物膜之鄰接膜所組成，因 此若於無機記錄膜照射光，則由於鄰接膜之光觸媒效果， 乳化物膜之乳在鄰接膜側會變多而分離。因此，氧化物膜 分離為氧濃度高之層與氧濃度低之層，氧化物膜之光學常 數大幅變化。因此，由於可獲得調變度大之再生信號，因 此可實現良好記錄特性。 如以上所說明，若根據此發明，可提升具有無機記錄膜 之追記型光記錄媒體之記錄再生特性或生產性，且可實現 成本低廉化。 【實施方式】 以下，參考圖式說明有關此發明之實施型態。此外，以 下之實施型態之所有圖中，於同一或對應部分標示同一符 號。 (1)第一實施型態 追記型光記錄媒體之構成 圖1係表示根據此發明之第一實施形態之追記型光記錄 媒體之一構成例之概略剖面圖。此追記型光記錄媒體i0係 具有於基板1上，依序層疊有無機記錄膜6、介電體膜4及 光穿透層5之構成。 114130.doc -10· 200805365 根據此第-實施型態之追記型光記錄媒體1〇係藉由從光 穿透層5側，將雷射光照射於無機記錄膜2,以進行資訊信 號之記錄及/或再生。例如藉由具有請以上、〇·86以下之 範圍之數值孔徑之物鏡，將具有4〇〇 nm以上、4i〇 nm以下 之犯圍之波長之雷射光聚光，並從光穿透層5側照射於無 機纪錄膜2 ,以進行資訊信號之記錄及/或再生。作為此種 追δ己型光圮錄媒體1 〇 ’可舉例如追記型之bd。 以下，依序說明有關構成追記型光記錄媒體1〇之基板 1、無機記錄膜6、介電體膜4及光穿透層5。 (基板） 基板1具有中央形成有開口（以下稱為中心孔）丨&之圓環形 狀。此基板1之一主面為凹凸面丨丨，無機記錄膜6成膜於此 凹凸面11上。以下稱相對於基板丨之一主面凹陷之凹部為 内溝槽（m-groove)llG，稱相對於基板i之一主面突出之凸 部為外溝槽（on-groove) 11L。 作為此内溝槽11G及外溝槽11L之形狀，可舉例如螺旋 狀、同心圓狀等各種形狀。而且，内溝槽11G及/或外溝槽 11L·係為了附加位址資訊而擺動（蛇行）。 基板1之直徑選為例如12〇 mm。基板1之厚度係考慮剛 性而選擇，宜選自〇·3 mm以上、1 3 mm以下，更宜選自 0.6 mm以上、1.3 mm以下，選為例如ι·ι mm。而且，中心 孔la之徑（半徑）則選為例如15 mm。 作為基板1之材料可使用例如聚碳酸酯系樹脂、聚稀烴 系樹脂或丙烯酸系樹脂等塑膠材料、或玻璃等。此外，於 114130.doc -11 - 200805365 考慮到成本之情況下，作為基板1之材料宜使用塑膠材 料。 (無機記錄膜） 無機記錄膜6係包含依序層疊於基板1之凹凸面丨丨上之金 屬膜2及氧化物膜3。金屬膜2係由Ti或以Ή為主成分之材 料所構成。作為以Ti為主成分之材料可舉出包含例如丁丨及 添加物之材料。若將Ti作為主材料，基本上可獲得良好記 錄特性。添加物係用以提升光學特性、耐久性或記錄感度 等’作為此種添加物可使用例如八卜Ag、Cu、Pd、Ge、
Si、Sn、Ni、Fe、Mg、V、C、Ca、B、Cr、Nb、Zr、S、 Se、Mn、Ga、Mo、W、Tb、Dy、Gd、Nd、Zn、Ta、
Sr。具體而言，例如作為用以，提高反射率之添加物宜為 A卜 乳化物膜3包含例如鍺之氧化物（je〇。氧化物膜3之吸收 係數k宜為〇·ΐ5以上〇·9〇以下，更宜為〇2〇以上〇7〇以下， 進而更宜為〇·25以上〇·60以下之範圍。而且，氧化物膜3之 膜厚宜為10 nm〜35 nm之範圍。藉由符合〇 15以上〇·9〇以下 之範圍，可獲得例如良好調變度及載波對雜訊比（以下記 為C/N比）。藉由符合0.20以上〇·7〇以下之範圍，可獲得 例如更良好之調變度及C/N比。藉由符合〇·25以上〇.6〇以 下之範圍，可獲得例如進而更良好之調變度及C/N比。 此外，此說明書之吸收係數係波長41〇 nm時之吸收係 數。而且，其測定係使用橢圓偏光儀（魯道夫（Rud〇lf)公司 製、商品名：Auto EL-462P17)。 114130.doc •12- 200805365 而且’亦可對氧化物膜3加入添加物，作為此添加物可 使用例如 Te、Pd、Pt、Cu、Zn、Au、Ag、Si、Ti、Fe、 Ni、Sn、Sb等。藉由加入此種添加物，可提升耐久性及/ 或反應性（記錄感度）。此外，為了提升耐久性，特以pd、 Pt、Si、Sb為宜。 (介電體膜） 介電體膜4係與無機記錄膜6上相接而設置，其用以進行 無機記錄膜6之光學性、機械性保護，亦即耐久性之提 升’或用以進行記錄時之無機記錄膜6之變形，亦即膨脹 之抑制。作為此介電體膜4，可使用例如SiN ' ZnS-Si02、 AIN、Al2〇3、Si02、Ti02、SiC等。介電體膜4之厚度為例 如10 nm以上、1〇〇 nm以下之範圍。 (光穿透層） 光穿透層5係由例如具圓環形狀之光穿透性片材（膜）、 及用以將此光穿透性片材對基板1貼合之接著層所構成。 接著層包含例如紫外線硬化樹脂或感壓性黏著劑（pSA :
Pressure Sensitive Adhesive)。光穿透層5之厚度宜選自10 μηι以上、P7 μηι以下之範圍内，選為例如1〇〇 μιη。藉由 組合此種薄層之光穿透層5與例如〇·85程度之高 NA(rmmeriCal apenure ··數值孔徑）化之物鏡，可實現高密 度記錄。 光穿透性片材宜包含對用於記錄及/或再生之雷射光， 吸收能低之材料，具體而言宜使用穿透率9〇百分比以上之 材料。作為光穿透性片材之材料，可使用例如聚碳酸酯樹 114130.doc -13- 200805365 脂材料、聚烯烴系樹脂（例如ΖΕ0ΝΕχ(註冊商標））。 而且，光穿透性片材之厚度宜選為0·3 mm以下，更宜選 自3 μηι以上、177 μηι以下之範圍内。而且，光穿透層5之 内徑（直徑）選為例如22.7 mm。 追記型光記錄媒體之製造方法 其次，說明有關根據此發明之第一實施型態之追記型光 記錄媒體之製造方法。 (基板之成形步驟） 首先，將於一主面形成有凹凸之基板丨成形。作為基板i 之成形方法可使用例如射出成形（injecti〇n)法、光聚合法 (2P法：Photo Polymerization)等。 (金屬膜之成膜步驟） 其次，將基板1搬送至備有包含例如Ti或以丁丨為主成分 之金屬材料之靶材之真空處理室内，將真空處理室抽取真 空至成為特定壓力。其後，一面於真空處理室内導入製程 氣體，一面將靶材濺鍍，於基板丨上將金屬膜2成膜。 於以下表示此成膜步驟中之成膜條件之一例。 真空達到度：5.〇xi〇-5Pa 氣氛：0.1〜0.6 Pa 輸入電力：1〜3 kW 氣體種類：Ar氣體 氣體流里· 10〜40 seem (氧化物膜之成膜步驟） 其次，將基板1搬送至備有包含例如&之靶材之真空處 114130.doc -14- 200805365 理室内，將真空處理室抽取真空至成為特定壓力。其後， 一面於真空處理室内導入製程氣體’一面將乾材賤鐘，於 基板1上將氧化物膜3成膜。 於以下表示此成膜步驟中之成膜條件之一例。 真空達到度：5.〇xl〇-5 Pa 氣氛：0· 1〜0.6 Pa 輸入電力：1〜3 kW 氣體種類：Ar氣體及02氣體 Ar氣體流量：24 seem 〇2氣體流量：9 seem (介電體膜之成膜步驟） 其次’將基板1搬送至備有包含例如Si之無材之真空處 理室内，將真空處理室抽取真空至成為特定壓力。其後， 一面於真空處理室内導入製程氣體，一面將靶材濺鍍，於 基板1上將介電體膜4成膜。 於以下表示此成膜步驟中之成膜條件之一例。 真空達到度·· 5.〇xl(T5 pa 氣氛·· 0.1 〜0.6 Pa 輸入電力：1〜4 kW 氣體種類：Ar氣體及氮氣 Ar氣體流置：50 seem 鼠氣流量：37 seem (光穿透層之形成步驟） 其次，將圓環形狀之光穿透性片材，使用例如預先均勻 114130.doc 200805365 塗佈於此片材一主面之感壓性黏著劑（PSA)，貼合於基板1 上之凹凸面11側。藉此，形成光穿透層5以覆蓋形成於基 板1上之各膜。 藉由以上步驟而獲得圖1所示之追記型光記錄媒體10。 若根據此發明之第一實施型態，可獲得以下效果。 由於僅將金屬膜2、氧化物膜3、介電體膜4及光穿透層5 依序層疊於基板1上，即可形成追記型光記錄媒體，因此 可提供含有單純之膜構成之高記錄密度之追記型光記錄媒 體10 ’亦即可提供低廉之高記錄密度之追記型光記錄媒體 10 ° 藉由將構成無機記錄膜6之氧化物膜3之吸收係數k規定 於0.1 0.90，即可提供記錄再生特性優異之追記型光 記錄媒體10。 於根據此第一實施型態之追記型光記錄媒體丨〇，記錄 時’金屬膜2在記錄前後物理特性幾乎未變化，產生促進 與氧化物膜3之界面之反應，即產生所謂觸媒作用。記錄 後’氧化物膜3之氧會分離，於金屬膜2之界面形成氧组成 多之Ge層。如此，氧化物膜3分離為光學常數不同之保存 女疋性南之安定之2層，於照射再生光時，反射光量會變 化，可獲得良好信號。 而且，根據此第一實施型態之追記型光記錄媒體1〇可獲 得安定之記錄感度提升、記錄特性提升（減少顫動）。而 且，藉由設置ZnS-Si〇2以作為介電體膜4，可提升記錄信 號之S/N ’獲得良好特性。 114130.doc • 16 - 200805365 (2)第二實施型態 其次’說明有關此發明之第二實施型態。 圖2係表示根據此發明之第二實施形態之追記型光記錄 媒體10之一構成例之概略剖面圖。此追記型光記錄媒體1〇 係具有於基板1上，依序層疊有無機記錄膜6、第一介電體 膜4a、第二介電體膜4b及光穿透層5之構成。無機記錄膜6 包含依序層疊於基板丨上之金屬膜2及氧化物膜3。 由於除了金屬膜2、第一介電體膜4a及第二介電體膜作 以外，均與上述第一實施型態相同，因此以下說明有關金 屬膜2、第一介電體膜4a及第二介電體膜4b。 金屬膜2係由Τι之氧化物或以丁丨為主成分之材料之氧化 物所構成。作為以Ti為主成分之材料，可舉出包含例如ή 及添加物之材料。若將Ti作為主材料，基本上可獲得良好 記錄特性。添加物係用以使光學特性、耐久性或記錄感度 等提升，作為此種添加物可使用例如A1、Ag、Cu、Pd、
Ge、Si、Sn、Ni、Fe、Mg、v、c、Ca、b、Cr、Nb、 Zr、S、Se、Mn、Ga、Mo、W、Tb、Dy、Gd、Nd、Zn、
Ta 〇 此金屬膜2之氧含有量宜為9原子％以上、38原子％以下 之耗圍。此金屬膜2含有TiSi之情況下，⑴組成宜為8原子 %以上、32原子％以下之範圍。若小於8原子％，則顏動值 會超過規格值。若超過32原子％，則記錄感度會超過規格 值。 第一介電體膜4a係由例如ZnS_Si〇2所構成。此第一介電 114130.doc •17- 200805365 體膜4a之厚度宜為10 nm以上58 nm以下，更宜為23 nm以 上53 nm以下之範圍。藉由使膜厚為10 nm以上，可獲得良 好顫動。例如追記型光記錄媒體1 〇為BD-R之情況下，藉 由使臈厚為10 nm以上，可符合BD-R之規格之顫動6.5%以 下。另一方面，藉由使膜厚為58 nm以下，可獲得良好之 反射率。例如追記型光記錄媒體1 〇為B D - R之情況下，藉 由使膜厚為58 nm以下，可符合BD-R之規格所要求之反射 率12%以下。 而且，藉由使膜厚為23 nm以上，可獲得更良好之顫 動。另一方面，藉由使膜厚為53 nm以下，可獲得更良好 之反射率。 第二介電體膜4b係由例如SiN所構成。此第二介電體膜 4b之厚度宜選自35 nm以下之範圍。藉由使膜厚為35 下，可獲得良好顫動。例如追記型光記錄媒體10為BD-R 之情況下，藉由使膜厚為35 nm以上，可符合BD-R之規格 之顫動6·5%以下。而且，如上述，藉由疊層第一介電體膜 4a及第二介電體膜4b，可實現大幅之調變度，且可提高 C/N。 (3)第三實施型態 追記型光記錄媒體之構成 根據此第三實施型態之此追記型光記錄媒體丨〇係與上述 第一實施型態相同，具有於基板丨上，依序層疊有無機記 錄膜6、介電體膜4及光穿透層5之構成。由於構成基板丨及 層豐於其上之各層之材料及厚度等，係與上述第一實施型 114130.doc -18- 200805365 態相同，因此省略說明。 圖3係表示根據此發明之第三實施型態之追記型光記錄 媒體之平面圖。如圖3所示，於此追記型光記錄媒體丨〇之 内周部，設有引入區域12，於此引入區域12之外周側，設 有使用者資料區域13。而且，於引入區域12，設有作為識 別ί訊記錄區域之BCA(Burst Cutting Area :燒錄區）14。 使用者資料區域13係使用者用以記錄所需資料之區域。 引入區域12係用以記錄例如識別資訊（id)、密碼鍵及複合 鍵等資訊之區域，此等資訊係於追記型光記錄媒體i 〇之製 造時記錄。BCA 14係用以於追記型光記錄媒體10之製造時 記錄識別資訊之區域。識別資訊為各媒體所固有之資訊， 其例如以防止不當複製等為目的。 追記型光記錄媒體之製造方法 由於從基板之成形步驟至光穿透層之形成步驟係與上述 第一實施型態相同，因此省略說明，以下說明有關光穿透 層之形成步驟之下一步驟之識別資訊記錄步驟。 首先，參考圖4說明有關用於識別資訊之記錄之記錄裝 置。如圖4所示，此記錄裝置包含馬達21、光拾取頭22及 控制電路23。 光拾取頭22係用以對追記型光記錄媒體1〇照射雷射光 24 ’將識別資訊作為條碼記錄之光學系統。雷射光24之波 長宜為與用於使用者資料之記錄或再生之雷射光大致相等 之波長。例如追記型光記錄媒體10為藉由波長405 nm等之 藍色雷射光，進行使用者資料之記錄或再生之媒體之情況 114130.doc -19- 200805365 下’光拾取頭22之雷射光22之波長宜設定為波長350 nm以 上45 0 nm以下之範圍。藉由使用此波長範圍之雷射，可根 據與使用者資料相同之原理，於無機記錄膜6良好地記錄 對應於識別資訊之記錄標記。 控制電路2 3控制§己錄裝置全體。例如進行雷射光2 4之聚 焦控制、光拾取頭22之位置控制、馬達21之旋轉控制、識 別資訊之產生等。馬達21係使載置於省略圖示之旋轉台之 追記型光記錄媒體10旋轉。 其次，說明有關使用上述記錄裝置之識別資訊之記錄步 驟。 首先，將追s己型光§己錄媒體1〇以其光穿透層$侧與光拾 取頭22對向之方式，載置於省略圖示之旋轉台。其次，驅 動馬達21而使追記型光記錄媒體10以特定速度旋轉。 然後’使光拾取頭22移動至設在追記型光記錄媒體1 〇之 内周部之BCA 14後，驅動光拾取頭22，將例如因應於識別 資訊而調變為脈衝狀之雷射光，從光穿透層5侧照射。藉 此，於無機記錄膜6中被雷射光24照射到之部分，氧化物 膜3之氧會分離，氧濃度高之層形成於金屬膜2侧，氧濃度 低之層形成於介電體膜4側。其結果，因應識別資訊之記 錄標記形成為例如條碼狀，識別資訊記錄於Be a 14。此 外，如上述，用於形成此記錄標記之雷射光之波長宜為 3 50 nm以上450 nm以下之範圍。藉由以上，可獲得目的之 追記型光記錄媒體1〇。 圖5(A)係表示形成於BCA 14之記錄標記之一例。圖5(b) 114130.doc -20- 200805365 係表示將記錄於BCA 14之識別資訊再生時之再生信號之波 形之-例。此外’圖5(A)中’附有斜線之部分表示記錄標 記，此記錄標記係藉由照射調變為脈衝狀之雷射光而形 成0
如圖5(A)所示，識別資訊係作為條碼狀之條紋花樣而記 錄於BCA 14。而且，由於反射率會於記錄標記之部分降 低，因此如圖5(B)所示，再生信號成為脈衝狀之波形。 於此第三實施型態中，由於使用例如波長35〇 nm以上、 4 5 0 nm以下之雷射光，於追記型光記錄媒體1〇之bca 14記 錄識別資訊，因此可藉由與記錄使用者資料相同之原理， 將識別資訊記錄於無機記錄膜6。因此，可抑制識別資訊 之再生信號之紊亂，獲得所需之再生信號。而且，相較於 從光穿透層5側照射雷射光，將基板1上之疊層膜熔融除去 而記錄識別資訊之情況，可抑制由基板1之變形等所引起 之信號不良。而且，由於導致疊層膜腐蝕之虞甚少，因此 可獲得優異之保存安定性。 (4)第四實施型態 追記型光記錄媒艘之構成 根據此第四實施型態之追記型光記錄媒體1〇含有bca 14，於此BCA 14記錄有識別資訊。此識別資訊係藉由從基 板1側照射雷射光，以熔融除去層疊於基板1上之層疊膜而 形成。關於此以外之追記型光記錄媒體10之構成’均與上 述第三實施型態相同，因此省略說明。 追記型光記錄媒體之製造方法 114130.doc -21 - 200805365 由於從基板之成形步驟至光穿透層之形成步驟係與上述 第二實施型態相同，因此省略說明，以下說明有關光穿透 層之形成步驟之下一步驟之識別資訊記錄步驟。而且，用 於記錄識別資訊之記錄裝置除了於光拾取頭22包含光路長 補償元件以外，均與上述第三實施型態相同，因此省略說 明。此外，光拾取頭22所包含之光路長補償元件係考慮 到，從與上述第三實施型態不同之基板1側照射雷射光而 設置。 首先，將追記型光記錄媒體10以其基板1侧與光拾取頭 22對向之方式，載置於省略圖示之旋轉台。其次，驅動馬 達21而使追記型光記錄媒體10以特定速度旋轉。 然後，使光拾取頭22移動至設在追記型光記錄媒體丨〇之 内周部之BCA 14後，驅動光拾取頭22，將例如因應於識別 資訊而調變為脈衝狀之雷射光，從基板1側照射。藉此， 於無機記錄膜6中被雷射光24照射到之部分，疊層於基板1 上之金屬膜2、氧化物膜3及介電體膜5會被熔融除去。其 結果，因應識別資訊之標記形成為例如條碼狀，識別資訊 記錄於BCA 14。 此外，雷射光宜為近紅外雷射光或紅外雷射光，其為例 如波長800 nm之雷射光。而且，雷射光照射時之光學頭掃 描速度宜為5 m/s以上、9 m/s以下，雷射功率宜為3400 mW以上、4000 mW以下之範圍。藉由設為此範圍，可抑 制記錄標記邊緣部分之急遽之反射率上升。因此，可減低 識別資訊之再生信號之雜訊。 114130.doc -22- 200805365 於此第四實施型態中，由於從與使用者資料之記錄再生 時不同之基板1側，將雷射光照射於BCA 14以記錄識別資 訊，因此光吸收特性等與從光穿透層5側照射雷射光之情 況不同，因此可獲得抑制在標記之邊界部分產生變形、於 BCA 14之内部殘留疊層膜之一部分、及可抑制基板1之變 形之優點。亦即，可抑制再生信號紊亂而獲得所需之再生 信號。 而且，由於在金屬膜2直接照射雷射光，因此可有效破 壞除去基板1上之疊層膜。此外，從光穿透層5側照射雷射 光之情況下，由於氧化物膜3之吸收發熱等影響，熱會擴 散，因此無法完全地除去基板1上之疊層膜。 以下，根據實施例具體說明此發明，此發明不限定於此 等實施例。此外，於以下實施例中，於與上述實施型態對 應之部分標示同一符號。 作為此發明之實施例，表示有關配合使用藍色光碟之光 學糸統’數值孔徑0· 85之2群物鏡及波長405 nm之藍紫色 半導體雷射光源之光碟記錄再生裝置所設計之追記型光記 錄媒體10。 實施例1〜6為對應於第一實施型態之實施例。實施例 7〜14為對應於第二實施型態之實施例。實施例15〜16為對 應於第三實施型態之實施例。實施例17〜36為對應於第四 實施型態之實施例。 首先，按以下之探討順序來說明有關對應於第一實施型 悲之實施例1〜6。 114130.doc -23 - 200805365 (1 -1)追記型光記錄媒體之膜構成之探討 (1 - 2)氧化物膜之氧組成之探討 (1-3)氧化物膜之膜厚之探討 (1-4)介電體膜之膜厚之探討 (1-1)追記型光記錄媒體之膜構成之探討 首先，根據C/N、調變度及反射率，檢討有關追記型光 記錄媒體10之膜構成。 實施例1 圖6係表示根據實施例1之追記型光記錄媒體之構成之模 式剖面圖。此外，於圖6中省略設於基板1之内溝槽11G及 外溝槽11L之圖示。 首先，藉由射出成形法，將於一主面設有内溝槽11G及 外溝槽11L之基板1成形。作為樹脂材料係使用聚碳酸酯樹 脂。而且’内溝槽·外溝槽之間距，亦即執間距為〇.32 pm(BD規格），溝槽11G之深度設為20 nm，使外溝槽11L擺 動（蛇行）以附加位址資訊。 其次’使用成膜裝置（Unaxis公司製、商品名：Cube)， 將Ti膜2、GeO膜3、SiN膜4依序疊層於基板1上。此外，乾 材尺寸為直徑Φ200 mm。以下依序說明有關由成膜裝置所 進行之各層之成膜步驟。 首先，將真空處理室内抽取真空後，一面於真空處理室 内導入Ar氣體，一面將Ti靶材濺鍍，將膜厚3〇 11111之丁丨膜2 成膜於基板1上。此外，成膜時之Ar氣體流量設為24 seem，濺鍍功率設為3.〇kW。 114130.doc -24- 200805365 其次’不做大氣暴露即將基板1搬送至其他真空處理 室’一面於真空處理室内導AAr氣體及〇2氣體，一面將（^ 把材做反應性濺鍍，將膜厚2〇 nm之GeO膜3成膜於Ti膜2 上。此外’成膜時之Ar氣體流量設為24 seem，02氣體流 量設為9 seem，濺鍍功率設為2kw。 其次’不做大氣暴露即將基板1搬送至其他真空處理 室’一面於真空處理室内導入^氣體及N2氣體，一面將以 輕材做反應性濺鍍，將膜厚6〇 nm之SiN膜4成膜於GeO膜3 上。此外’成膜時之Ar氣體流量設為50 seem，N2氣體流 量設為37 seem，賤鍍功率設為4 kW。而且，此SiN膜4之 組成設為原子比3 : 4、折射率2.0、吸收係數〇。 其次，將圓環狀之聚碳酸酯片材，藉由預先塗佈於此片 材主面之PSA而貼合於基板！上，形成厚度〇1 mm之光穿 透層5。藉由以上獲得目的之追記型光記錄媒體1〇。 其次’為了調查如上述所獲得之追記型光記錄媒體丨〇之 GeO膜3之氧組成，將追記型光記錄媒體1 〇之光穿透層$剝 離，從記錄區域切取2 cmx2 cm之區域，獲得分析用樣 本。其次，藉由RBS(Rutherford Backscattering :拉塞福背 向散射）分析法測定如上述所取得之分析用樣本之氧組 成。其結果，可知GeO膜之組成比（原子數比）為i : i 7。 此外，作為測定裝置係使用索尼（Sony)股份有限公司自製 之裝置。 其次，為了調查如上述所獲得之複數追記型光記錄媒體 10之GeO膜3之吸收係數，如以下製作分析用之取樣。 114130.doc -25- 200805365 亦即，在與上述各追記型光記錄媒體1〇2Ge〇膜3之成 膜步驟相同之條件下，於2 cmx 2 cm之Si晶圓上，將GeO膜 成膜100 nm程度，獲得分析用之樣本。 其次’藉由橢圓偏光計測定如上述所獲得之分析用樣本 在410 nm之波長之吸收係數。其結果可知Ge〇膜之吸收係 數為0.40。此外，作為橢圓偏光計係使用魯道夫（Rud〇lf) 公司製之 Auto EL-462P17。 此外，即使為實際之追記型光記錄媒體1〇之構成，藉由 k追§己型光記錄媒體1 〇剝離光穿透層5，以橢圓偏光計測 定，另外分析各層之膜厚及組成，換算各層之光學常數， 亦可求出GeO膜3之吸收係數。 其次，測定如上述所獲得之追記型光記錄媒體1〇之載體 對雜訊比（以下記為C/N)、調變度及反射率。 以下表示有關用於測定C/N、調變度及反射率之裝置及 其測定條件。 作為評估裝置係使用PULSTEC製DDU-1000，以線速 5.28 m/s、通道位元長8〇 〇 nm進行特性評估。此等係依據 BD之23.3 GB密度之規格。而且，調變方式為17pp，最短 標記長為2Τ(0·16 μηι)，最長標記長為8τ(〇 64 μιη)。 C/N評估係使用光譜分析儀（Takeda Riken製、商品名： TR4171)。RBW(Resoluti〇11 Band Width :解析頻帶寬）之設 定為30 kHz。 8T標記之C/N顯示出高達61犯之值。而且，關於π亦 可獲得超過45 dB之值。此外，作為約略之實用位準，2丁 114130.doc -26- 200805365 標記之C/Ν期望為43 dB以上，8T標記之C/Ν期望為55 dB以 上。 調變度為80%，顯示出極為良好之記錄再生特性。此 外’此調變度之定義係8T標記之空白部分之返回光量設為 Ι8Η，標記部分之返回光量設為I8L時，則為（Ι8Η_ I8L)/I8H。 反射率為1 0%。於此省略詳細說明，除了對^膜2添加A1 以外’均與上述實施例1相同而製作追記型光記錄媒體 10，並與上述實施例1相同地測定此追記型光記錄媒體i 〇 之反射率。其結果，藉由對Ti金屬膜添加A1，可獲得20% 以上之反射率。 根據上述評估結果，可知僅以了丨膜】、Ge〇膜3、siN膜4 之3層之少數膜總數，即可實現具有良好C/N、調變度及反 射率之高記錄密度對應之追記型光記錄媒體1〇。亦即，可 &供低彳貝生產性優異，且對應高記錄密度之追記型光記 錄媒體10。 比較例1 於上述實施例1中，說明有關與膜3相接而設置Ti膜2 之If況而於比較例1中，說明有關於GeO膜3與Ti膜2間進 而設置介電體膜之情況。
、圖7係表示根據比較例丨之追記型光記錄媒體之構成之模 式剖面圖。除了於^膜2與Ge〇膜3間，將膜厚5 nm之siN 、成膜外元王與上述實施例1相同地獲得追記型光記 錄媒體10。 ° 114130.doc -27- 200805365 ' 測疋如上述所獲得之追記型光記錄媒體ι〇之 ,夂度及反射率。此外，關於用於⑽、調變度及 反射率之測定之裝置及其測定條件，則與上述實施例⑺ 同。 .丁己長8T之C/N為44 dB，標記長2T：^C/N為31 dB，記 ，彔特1±心化。依此結果可認為^膜之與&〇膜3必須如實施 例1互相相接。亦即，Ti膜2與&〇膜3在界面反應係可視為 記錄原理。因此，鄰接於以〇膜3而有活性高之金屬材料 或金屬氧化物等之情況下，會進行良好記錄，可知如比較 例1中，以安定之材料之介電體膜4、7保護GeO膜3之兩面 之情況下，未能進行良好記錄。 膜厚5 nm之介電體膜7之介在，幾乎未對熱·光學特性造 成影響’但此介電體膜7會隔離Ti膜2與GeO膜3。其結果， 吞己錄後之反射率比記錄前高，成為所謂1〇w t〇 high(低往 南）記錄’調變度為_ 13%，相較於實施例1為非常小之值。 而且’使用穿透型電子顯微鏡（TEM : Transmission Electron Microscope)，藉由剖面TEM觀察來調查記錄前後 之膜厚分布，可知Ti膜2之膜厚未見變化，GeO膜3分離為 富含氧之層與富含Ge之層，於Ti膜2侧形成富含氧之層。 因此，此發明與上述專利文獻1所記載以使金屬氧化為記 錄原理者完全不同，其使用新記錄原理。 實施例2 圖8係表示根據實施例2之追記型光記錄媒體之構成之模 式剖面圖。除了使用A1膜以作為金屬膜2，介電體膜4之 114130.doc -28· 200805365
SiN膜之厚度設為20 nm以外，均與上述實施例丨相同地獲 得追記型光記錄媒體1〇。 於此實施例2，根據光學上之理由而使SiN膜4之膜厚比 實施例1之情況薄。亦即，作為金屬膜2所使用之A1係光學 常數與Τι大幅不同，因此由SiN所造成之多重干擾效果不 同，故藉由SiN膜4之膜厚之最佳化以獲得所需之反射率。 其次’評估如上述所獲得之追記型光記錄媒體1〇2C/n 及反射率。此外，關於用於C/N及反射率之測定之裝置及 其測定條件，則與上述實施例1相同。 此實施例2之追記型光記錄媒體1〇係記錄標記之返回光 比圯錄前尚。即所謂l〇w t0 high(低往高）記錄。而且，8T 之C/N為5 5 dB，2T之C/N亦有42 dB，記錄特性本身良好。 實施例2之追記型光記錄媒體1〇雖未符合bd之規格，但 可實現兩密度記錄。因此，可作為非按照BD規格之追記 型光記錄媒體10而充分使用，而且可充分推測依製造條件 之選定，亦可配合BD之規格。 而且，於實施例2之追記型光記錄媒體1〇中，藉由使用 A1膜作為金屬膜2，可提升耐久性。而且，實施例2之追記 型光記錄媒體10在能以金屬膜2、氧化物膜3及介電體膜4 之僅3層之構成，實現高密度記錄之點方面，或SiN膜4之 膜厚薄之點方面，均為工業上有利之追記型光記錄媒體 10。 實施例3 圖9係表示根據實施例3之追記型光記錄媒體之構成之模 114130.doc -29- 200805365 式剖面圖。除了藉由A1與希土類金屬Gd之合金之ARM合 金來幵/成金屬膜2’該A1Gd之組成在組成比(原子數 比)A1 Gda又為7 · 3以外，完全與上述實施例2相同地獲得 追記型光記錄媒體1〇。 人孑估如上述所獲得之追記型光記錄媒體10之 C/N、凋變度及反射率。此外，關於用於C/N、調變度及 反射率之測定之裝置及其測定條件，則與上述實施合"相 同。 於此貝訑例3，成為記錄後之反射率比記錄前低之所謂 high to low(高往低）記錄。記錄前之反射率約1〇%，調變度 為5〇%。可知使用入卜光學上必須為hight〇i〇w(高往低)記 錄之情況下，如此加入添加元素為有效。 希土類金屬為容易氧化之材料，而且熱傳導率雖低，但 可藉由將希土類金屬與八丨合金化來調整記錄感度。作為希 土類金屬，Gd以外可舉出Tb、Dy、Nd，而此等之特性非 常類似，於此實施例3中，使用此等希土類金屬亦可獲得 大致相同之特性。 而且’作為容易氧化之其他材料，可舉出Fe、Mg、v、 Ca、B、Nb、Zr、S、Se、Μη、Ga、Mo、W，使用此等材 料亦可獲得相同效果。此等具有降低熱傳導率而提高記錄 感度之效果，且依材料亦有助於耐久性之提升。而且，作 為含A1或Ti之金屬膜2之耐久性提升用之添加物，Cu、 Pd、Si、Ni、C、Cr等為有效。 (1 -2)氧化物膜之氧組成之探討 114130.doc -30- 200805365 其次’改變氧化物膜3之氧組成來探討有關氧化物膜3之 氧組成。 實施例4 除了改變GeO膜3之氧組成以外，完全與上述實施例1相 同地獲得複數追記型光記錄媒體丨〇。此外，於Ge〇膜3之 成膜步驟中’使氧氣流量在6 seem〜9 seem之範圍變化。而 且’適當調整濺鍍時間以使Ge〇膜3之膜厚成為20 nm。 然後’測定如上述所獲得之複數追記型光記錄媒體丨〇之 C/N。此外，關於用於c/N之測定之裝置及其測定條件， 則與上述實施例1相同。 而且’為了調查如上述所獲得之複數追記型光記錄媒體 10之GeO膜3之氧組成，將追記型光記錄媒體1〇之光穿透 層5剝離’從記錄區域切取2 cmx 2 cm之區域，獲得分析用 樣本。其次，藉由RBS(Rutherford Backscattering :拉塞福 月向散射）分析法測定如上述所取得之分析用樣本之氧組 成。其結果，可知GeO膜之組成比（原子數比）為i : 17。 此外，作為測定裝置係使用索尼（Sony)股份有限公司自製 之裝置。 其次，為了調查如上述所獲得之複數追記型光記錄媒體 10之GeO膜3之吸收係數，如以下製作分析用之取樣。 亦即，在與上述各追記型光記錄媒體1〇 膜㈣相同之條件下’於一之以晶面上 成膜loo nm程度，獲得分析用之複數樣本。 其次，藉由橢圓偏光計測定如上述所獲得之分析用樣本 114130.doc -31- 200805365 在410 nm之波長之吸收係數。此外，作為橢圓偏光計係使 用魯道夫（Rudolf)公司製之Auto EL-462P17。 此外，即使為實際之追記型光記錄媒體1〇之構成，藉由 從追記型光記錄媒體1 〇剝離光穿透層5，以橢圓偏光計測 定，另外分析各層之膜厚及組成，換算各層之光學常數， 亦可求出GeO膜3之吸收係數。 然後，根據如此所測定到之C/N、氧組成及吸收係數， 製作如圖10所示之圖。圖1〇係表示氧組成及吸收係數與 C/N之關係之圖。橫軸表示氧組成及吸收係數，縱軸表示 C/N。一般而吕，若為相同材料或相，則吸收係數k與氧組 成X之關係會單一地決定。 從圖10可得知如下。 首先，若著眼於調變度，吸收係數k小於〇·2時，調變度 急遽降低’吸收係數k超過0.9之調制度成為40%以下。 其次，右著眼於2T之C/N，吸收係數k小於〇· 15時，c/N 降低，超過0·9時，C/N成為40 dB以下。 而且，於此省略詳細說明，若吸收係數k小於〇·丨5，則 記錄感度急遽惡化，無法進行資訊信號之記錄。此可視為 吸收不充分，多氧而組成安定所致。 若考慮以上諸點，GeO膜3之吸收係數k之範圍宜為〇 15 以上0.90以下，更宜為〇·20以上〇.70以下，進而宜為〇25以 上0.6以下之範圍。 而且，GeO膜3之氧濃度之範圍宜為〇·9以上2〇以下，更 且為1·2以上1.9以下’更宜為1·4以上υ以下之範圍。 114130.doc -32- 200805365 (1-3)氧化物膜之膜厚之探討 其次，改變氧化物膜3之膜厚來探討有關氧化物膜3之膜 厚。 實施例5 除了改變GeO膜3之膜厚以外，完全與上述實施例1相同 地獲得複數追記型光記錄媒體10。然後，測定如此所獲得 之複數追記型光記錄媒體10之C/N及調變度。此外，關於 用於C/N及調變度之測定之裝置及其測定條件，則與上述 實施例1相同。 圖11係表示GeO膜3之膜厚與C/N及調變度之關係之圖。 從圖11可得知如下。亦即，於GeO膜3之膜厚為20 nm程度 之情況下，調變度及8T、2T之各C/N最高，若GeO膜3之膜 厚變得比20 nm厚或薄，則調變度及8T、2T之各C/N降 低0 而且，若GeO膜3之膜厚小於1〇 nm，則調變度低於 40%，並且2T之C/N小於40 dB，記錄特性劣化。而且，到 膜厚35 nm為止，2T之C/N為40 dB以上。8T之C/N在測定 到之全膜厚範圍内為5 〇 dB以上。 若考慮以上諸點，可知Ge0膜3之膜厚宜為1〇 nm以上、 35 nm以下之範圍，最宜為20 nm。 (1-4)介電體之膜厚之探討 其次，改變介電體膜4之膜厚來探討有關介電體膜4之膜 厚0 114130.doc •33- 200805365 實施例6 除了 SiN膜4為10 ηιη以外，完全與上述實施例2相同地獲 得追記型光記錄媒體1〇。然後，測定此追記型光記錄媒體 10之C/N。此外，關於用於c/N之測定之裝置及其測定條 件，則與上述實施例1相同。其結果，記錄雜訊大幅上 升，8T之C/N降低至40 dB程度。此可視為SiN膜4之剛性不 足所致。因此，SiN膜4之膜厚宜為10 nm以上。 而且，由於此SiN膜4亦作為GeO膜3之保護膜而作用， 因此從保護之觀點考量，以儘量厚者為宜，但從量產性之 觀點考量’宜為1〇〇 nm以下。而且，若為此膜厚範圍，則 可獲得與實施例6相同之效果。 但最佳之介電體膜4之膜厚係依金屬膜2之材料、介電體 膜4之材料而改變，並非單一地決定。例如實施例丨之情況 下，60 nm為最佳膜厚，於實施例2之情況下，2〇 為最 佳膜厚。並且，介電體膜4為Si〇2之情況下，由於折射率 大致與基板1或光穿透層5相同，因此光學上膜厚為任何厚 度均無妨，可從耐久性、量產性、記錄特性之觀點來做最 佳化。 而且，介電體膜4無須為單一層， 亦可例如SiN/Si〇2*
例6相同之效果。 其次， 其次’依以下之探討順序來說明有關對應於此發明之第 二實施型態之實施例7〜14。 (2-1)金屬膜之Si組成之探討 114130.doc -34- 200805365 (2-2)第一及第二介電體膜之膜厚之探討 (2-3)介電體膜之層數之探討 (2-4)氧化物膜之光吸收係數之探討 (2_5)金屬膜及氧化物膜之膜厚之探討 (2·6)金屬膜之氧濃度之探討 (2·7)溝槽深度及擺動振幅之探討 '所有實施例均為BD(藍光碟片）之追記型光記錄媒體1〇， 金屬膜2之氧濃度為21原子％。 而且’其光學系統係根據使用數值孔徑0 · 8 5之2群物 鏡、及波長405 nm之藍紫色半導體雷射光源之光碟記錄再 生裝置。 評估裝置使用PULSTEC工業股份有限公司製之bD碟片 檢查機之ODU-1000。光源之波長為405.2 nm。 再生信號之C/N測定係使用（德國）R0hde_Schwart2^司製 之光譜分析儀之FSP3來測定。 、 而且，顫動測定係透過PULSTEC工業股份有限公司製之 等化器板，並使用橫河電機股份有限公司製之時距分析儀 之TA720來測定。 此外，振幅、調變度等之測定係使用Tektr〇nix公司製之 數位示波器之TDS7104。 以纪錄之線速為9.83 m/s(2倍速記錄），再生時之線速為 4.92 m/s(1倍速），通道位元長為74 5〇 nm(於直徑以^^之 光碟為25 GB之記錄密度）來進行。 調變方式為17PP，最短標記之2丁標記之標記長為〇.149 114130.doc -35- 200805365 μιη ’ 8T標記之標記長為〇 596叫。執間距為〇·32叫。 (2·1)金屬膜之Si組成之探討 首先’改變金屬膜2之組成來探討有關金屬膜2之組成。 實施例7 圖12係表示根據實施例7之追記型光記錄媒體10之構成 之模式剖面圖。 首先’藉由射出成形法，製作厚度LI mm之PC基板1。 此外，省略圖示，於此PC基板丨上，形成含有内溝槽11(} 及外溝槽11L之凹凸面u。此内溝槽11G之深度為21 ， 執間距為0.32 μιη。 其-人’使用成膜裝置（Unaxia公司製、商品名： Sprinter)，將膜厚 25 nm之 TiSi0膜 2、膜厚 22 nm 之 Ge〇 膜 3、膜厚45 nm之ZnS-Si〇2膜4a '膜厚10 nm之SiN膜4b依序 成膜於基板1上。其後，藉由感壓性黏著材（PSA)，將聚碳 酸酯片材貼合於基板凹凸面丨丨側，於SiN膜朴上形成光 穿透層5。此光穿透層5之厚度包含psA及聚碳酸酯片材在 内為100 μιη。藉由以上獲得目的之追記型光記錄媒體1〇。 成膜步驟如下。 首先，將真空處理室内抽取真空後，一面於真空處理室 内導入Ar氣體及氧氣，一面將TiSi靶材濺鍍，將膜厚25 nm之TiSiO膜2成膜於基板丨上。此TiSi靶材中之以組成比 為20原子％’此TiSiO膜2中之氧組成為21原子％。 於以下表示此成膜步驟中之成膜條件之一例。 真空達到度：5.〇xl(T5 Pa 114130.doc -36- 200805365 氣氛：0.2 Pa 輸入電力：3 kW Ar氣體流量：30 seem 氧氣流量：5 seem 其次，將真空處理室内抽取真空後，一面於真空處理室 内導入Ar氣體及〇2氣體，一面將Ge靶材做反應性濺鍍，將 膜厚22 nm之GeO膜3成膜於TiSiO膜2上。此外，GeO膜3之 氧組成係吸收係數k成為0.4之組成。 於以下表示此成膜步驟中之成膜條件之一例。 真空達到度：5·〇χ1〇_5 Pa 氣氛：0.2 Pa 輸入電力：2 kW Ar氣體流量：30 seem 氧氣流量：46 seem 其次，將真空處理室内抽取真空後，一面於真空處理室 内V入製程氣體，一面將ZnS-Si〇2^材賤鐘，將臈厚45 nm之2沾_以〇2膜牦成膜於Ge0膜3上。使ZnS-Si〇2膜仏之 組成比（原子比）ZnS ·· Si02為80 : 20。 於以下表示此成膜步驟中之成膜條件之一例。 真空達到度：5.0X10·5 pa 氣氛：0.1 Pa 輸入電力：1 kW Ar氣體流量： 6 seem 其次，將真空處理室内抽取真空德，工认吉而占 /、二便，一面於真空處理室 114130.doc -37- 200805365 内導入Ar氣體及A製程氣體，一面將Si靶材濺鍍，將膜厚 10nm之Si3N4膜4b成膜於基板1上。 於以下表示此成膜步驟中之成膜條件之一例。 真空達到度：5.〇xl(T5 Pa 氣氛：0.3 Pa 輸入電力：4 kW Ar氣體流量：50 seem N2氣體流量：37 seem 其次，除了改變TISiO膜2之組成以外，完全與上述追記 型光記錄媒體10相同地獲得複數追記型光記錄媒體丨〇。 其次，測定如上述所獲得之複數追記型光記錄媒體1〇之 顫動及功率Pw(記錄感度）。 圖13係表示TiSiO膜之Si之組成與顫動及功率pw之關係 之圖。從圖13可得知如下。亦即，若根據bd之追記型光 記錄媒體（BD-R)l〇之規格，於2倍速記錄、記錄密度25 gb 中要求顫動為6_5%以下、記錄感度為7.〇 mW，但於此 實施例7，藉由選擇丁丨8丨〇膜2之組成，可使其符合3£)規 格。 具體而言’可知為了符合BD之顫動規格，TiSi之Si組成 。又為8原子％以上，為了符合記錄感度，設為32原子％以下 即可。亦即可知藉由使Si之組成為8原子％以上、32原子％ 以下’可製作具有良好特性之BD-R。 此外’於上述構成中，來自Si3N4之SiN膜4b係作為用以 止ZnS Si〇2膜4a與光穿透層5之pSA反應而劣化之隔離層 114130.doc -38- 200805365 而設置。因此，此SiN膜4b之膜厚宜於具有作為此隔離層 之功能之範圍内儘可能變薄。於此，省略詳細說明，但已 確認即使使此SiN膜4b變薄至4 nm，記錄感度、顫動均完 全未有變化，耐久性亦無問題。 此SiN膜4b在未有上述與PSA反應之虞之情況下，於例 如不使用PSA而藉由UV樹脂形成光穿透層5時，或於短時 間利用等條件下，可省略其形成。 (2-2)第一及第二介電體膜之膜厚之探討 其次，改變第一介電體膜4a及第二介電體膜4b之膜厚， 來探討有關第一介電體膜4a及第二介電體膜4b之膜厚。 實施例8 除了使2118-8102膜4&之膜厚T1在10 nm〜43 nm之範圍變 化，使SiN膜4b之膜厚T2在0〜3 5 nm之範圍變化以外，完全 與上述實施例7相同地獲得複數追記型光記錄媒體丨〇。 比較例2 除了未使ZnS_Si〇2膜4a成膜（膜厚T1二0)、SiN膜4b之膜 厚設為60 nm以外，完全與上述實施例7相同地獲得追記型 光記錄媒體10。 其次’測定如上述所獲得之實施例8及比較例3之記錄標 兄之前端侧之顫動（Leading jitter :前導顫動）及後端側之 顫動（Trailing jitter :尾隨顫動）。 於圖14表不記錄標記之前端側及後端側之顫動之測定結 果。從圖14可得知如下。亦即可知，使之膜 厚為10 nm〜43咖之範圍，SiN膜4b之膜厚為0〜35 nm之範 114130.doc -39- 200805365 圍時’可使記錄標記之前端側及後端側之顫動為6.5%以 下。 可知在相對於ZnS-Si〇2膜4a之膜厚為非常廣之膜厚範圍 内，顫動低於6.5%，可實現良好記錄，特別於23 nm以上 之膜厚，特性安定。因此，ZnS-Si〇2膜4a之膜厚宜為1〇 nm以上’更宜為23 nm以上之範圍。而且，關於上限，由 於圖14中係使ZnS-Si〇2膜4a與SiN膜4b之合計膜厚約為5〇 nm，因此未被賦予限定之數值。上限係由反射率決定。總 言之，若ZnS-Si〇2膜4a過厚，反射率降低，藉此而被賦予 限度。例如於BD-R之單層媒體之規格中，反射率規定為 12%以上。於此實施例之型態中，siN膜之膜厚設為4 時’ ZnS_Si02膜4a正好為58 nm時會成為12%之反射率，58 nm以上之膜厚則不符合BD_R之規格。因此，ZnS_Si〇2膜 4a之上限宜為58 nm以下。然而，若制訂反射率限制更寬 鬆之光碟規格，則適用於其之情況下，或即使為BD-R， 但若為2層（Dual Layer)規格，則反射率為4%以上即可，因 此即使超過58 nm之膜厚，仍完全無損此發明之記錄特性 之效果而有效。 然後，如此，由於可從大範圍内選定2118_5|丨〇2膜乜之膜 厚，因此此膜厚可從反射率方面考量，選擇光學上最佳之 膜厚。 另一方面，不形成2沾-81〇2膜牦，僅為SiN膜仆時，由 於顫動降低0.5%，因此符合規格6.5%之範圍變小。總言 之，若為通常之膜厚II圍，貝，！無關於膜厚而將ZnS_si〇# 114130.doc -40- 200805365 為介電體膜4使用’會對提升記錄再生特性有效。 (2-3)關於介電體膜之層數之探討 其次’改變介電體膜4之層數來探討有關介電體膜4之層 數。 實施例9 圖15係表示根據實施例9之追記型光記錄媒體之構成之 模式剖面圖。 除了 TiSiO膜2之Si含有率設為1〇原子。/。，Tisi〇膜2之膜 厚設為30 nm，GeO膜3之膜厚設為20 nm，ZnS_Si0^4a之 膜厚設為3 0 nm以外’完全與上述實施例7相同地獲得追記 型光記錄媒體10。 實施例10 圖16係表示根據實施例1〇之追記型光記錄媒體之構成之 模式剖面圖。 除了省略ZnS-Si〇2膜4a之成膜，僅將膜厚6〇 nm之SiN膜 4b作為介電體膜成膜以外，完全與上述實施例7相同地獲 得複數追記型光記錄媒體1〇。 此外，於上述實施例9及1 〇中，設計為其反射率均為 15%程度’對〇6〇膜3、！^8丨0膜2之光吸收量大致相同。 其次’對如上述所獲得之實施例9及1〇之追記型光記錄 媒體10 ’使記錄功率Pw變化而記錄資訊信號後，測定C/N 及調變度。 於圖17及圖1 8，表示實施例9、10之追記型光記錄媒體 之記錄感度（記錄功率pw)與C/N及調變度之關係。 114130.doc -41 · 200805365 從圖17及圖18可得知‘ 于夫如下。亦即可知，於形成有ZnS一
Si〇2膜4a及SiN膜4b之冷主、口 上 ^月况’相較於僅形成以^膜仆之情 況，可增大其調變度且提高C/N。 而且，對於金屬膜2夕了# 勝之TlSl之其他添加物係作為提升耐 久性、記錄特性者，γI φ J 举出 Cu、Pd、Ni、C、Cr、Fe、
Mg、V、Ca、B、Nb、Zr、ς 〇
Lv S、Se、Mn、Ga、Mo、Tb、
Dy、Nd o (2-4)關於氧化物膜之光吸收係數之探討 改隻氧化物膜3之吸收係數，關於氧化物膜3之吸收係數 進行探討。 實施例11 除了使GeO膜3之氧濃度變化以外，完全與上述實施例7 相同地獲得複數追記型光記錄媒體丨〇。 其次，測定如上述所獲得之複數追記型光記錄媒體1〇分 別之光吸收係數及顫動。此外，於此顫動測定中，如上 述’ 5己錄線速為2x(9.83 m/s)。 於圖19表示相對於氧濃度及吸收係數之顫動之變化。從 圖19可得知如下。可知於Ge〇膜之氧濃度及吸收係數存在 有最佳範圍。例如可知為了符合BD_R之顫動規格值65% 以下，宜使吸收係數k為0.15$k$0.90之範圍。因此，藉 由調整GeO膜3之氧濃度，以使Ge〇膜3之吸收係數k為 〇-15^k^0.90，可獲得具有良好特性之追記型光記錄媒體 10 〇 (2_5)金屬膜及氧化物膜之膜厚之探討 114130.doc -42- 200805365 其次，改變金屬膜2及氧化物膜3之膜厚，關於金屬膜2 及氧化物膜3之膜厚進行探討。 實施例12 於圖20表示TiSiO膜2及GeO膜3之膜厚、以及顫動值之 測定結果。除了將TTiSiO膜2及GeO膜3之膜厚如圖20所示改 變以外，完全與上述實施例7相同地獲得複數追記型光記 錄媒體10。 其次，對於如上述所獲得之複數追記型光記錄媒體10， 藉由評估裝置記錄資訊信號。然後，測定記錄標記之前端 側及後端侧之顫動。此外，由於記錄膜之熱特性會因膜厚 而改變，最佳之記錄脈衝之形狀（寬度、時序、功率）改 變，因此因應於各追記型光記錄媒體1 〇將記錄脈衝形狀最 佳化，僅注意最佳顫動。此顫動表示於圖20。 從圖20可得知如下。 藉由設定金屬膜2之膜厚範圍為20 nm以上27 nm以下， 或設定氧化物膜3之膜厚範圍為16 nm以上22.5 nm以下， 可成為遠低於BD-R之顫動規格值6.5%之值，亦即可非常 增大對於膜厚之邊限。而且，如實施例5所示，氧化物膜 係其吸收係數越低，則膜厚更厚仍可獲得相同結果，若為 35 nm以下，可獲得良好結果。 (2-6)金屬膜之氧濃度之探討 其次，改變金屬膜2之氧濃度來探討有關金屬膜2之氧濃 度。 實施例13 114130.doc -43- 200805365 一面將Ar氣體及氧氣導入於真空處理室，一面將TiSi合 金之靶材做反應性濺鍍，將TiSiO膜2成膜於基板1上。此 外，TiSiO膜2之TiSi合金之組成係將Si組成設為20原子 % ’對各樣本調整導入於真空處理室内之氧氣流量，改變 TiSiO膜2中之氧濃度。然後，於如此成膜之TiSiO膜2上， 將具有吸收係數k=0.4之GeO膜3成膜。除此以外完全與上 述實施例1相同地獲得複數追記型光記錄媒體10。 其次，對於如上述所獲得之複數追記型光記錄媒體丨〇， 藉由評估裝置記錄資訊信號後，藉由BD評估裝置測定顫 動值。此評估裝置為PULSTEC工業股份有限公司製之 〇DU_1000(BD規格）。光源之波長為405.2 nm，物鏡之數 值孔徑Ν· A_為0.85。 記錄密度係於直徑12 cm之碟片相當於25 GB容量，記錄 線速為相當於2倍速記錄之規格之9.83 m/s。 於此記錄密度，作為透過限制等化器之顫動位準為 6.5%，可視為作為記錄媒體具有良好特性之判斷指標。 然後，根據如此所測定之各追記型光記錄媒體1〇之顫動 及氧濃度，製作圖21所示之圖。 圖21係表示金屬膜之氧濃度與顫動特性之關係之圖。從 圖21可得知如下。亦即可知，藉由利用TiSi之氧化物來構 成金屬膜2，可改善顫動。此可視雜訊成分之降低及GeO 膜3之反應性提升為原因。而且，若氧濃度過高，顏動會 變差’此可視TiSi之吸收係數降低，感度逐漸變差，記錄 時之溫度分布不再理想為原因。 114130.doc •44· 200805365 因此，使金屬膜2含有氧，對追記型光記錄媒體1〇之特 性改善非常有效，而且於其氧濃度存在最佳範圍，例如藉 由使氧濃度為9原子％以上、38原子％之範圍，可成為bd 之規格值之顫動6 · 5 %以下。 於此情況下，作為Si相對於Ti之組成比，8原子％以上、 32原子％以下之範圍為良好。 (2-7)溝槽深度及擺動振幅之探討 製作溝槽深度不同之複數追記型光記錄媒體丨〇，進行關 於溝槽深度之探討。 實施例14 圖22係表示根據實施例14之追記型光記錄媒體之構成之 模式剖面圖。首先，藉由射出成形法，將於一主面設有内 溝槽11G及外溝槽11L之基板，改變内溝槽iig之深度而成 形有複數。作為樹脂材料係使用聚碳酸酯樹脂。而且，内 溝槽·外溝槽之間距，亦即軌間距為〇·32 pm(BD規格）， 其次’使用成膜裝置（Unaxia公司製、商品名：
Sprinter)，將 TiSiO膜 2、GeO膜 3、ZnS-Si02膜 4a、SiN膜 4b依序成膜於基板1上。分別之膜厚係TiSiO膜2之膜厚設 為25 nm，GeO膜3之膜厚設為25 nm，ZnS-Si02膜4a之膜厚 設為45 nm，SiN膜4b之膜厚設為10 nm。而且，TiSi之組 成係Si為27原子％。 其後，藉由感壓性黏著材（PSA)，將聚碳酸酯片材貼合 於基板1之凹凸面11，於SiN膜4b上形成光穿透層5。此光 穿透層5之厚度包含PSA及聚碳酸酯片材在内為1〇〇 μιη。 114130.doc -45- 200805365 藉由以上獲得目的之複數追記型光記錄媒體1〇。 其-人估如上述所獲得之複數追記型光記錄媒體丨〇之 顫動值。此外，作為評估裝置係使用PULSTEC工業股份有 限公司製之ODlM000(藍光碟片規格）。此評估裝置之光源 之波長為405 nm，物鏡之數值孔徑1^八為〇.85。 此外’資訊信號之記錄再生係以25 GB密度、i倍速 (4.92 m/s)進行。而且，連續記錄資訊信號，成為有串音 影響之狀態而再生1〇執。 然後，根據如上述所測定之顫動，製作圖23所示之圖。 圖23係表示溝槽深度與顫動之關係之圖。此外，於圖23， 誤差長條之中心附近之點表示顫動之平均值，誤差長條之
,Μ作羽頸動之偏差，平均顫動值 亦良好’可獲得良好之記錄特性。 其次，測定如上述所獲得之複數追記型光記錄媒體丨❹之
圖。圖24係表示顫動⑽與溝槽深度之關係之圖。
於此實施例14之追記型光記錄媒體丨〇，即使以 率10%之功率記錄，仍大致符合26 dB 製作圖24所示之 即使以南出最佳功 但若溝槽深度淺至 114130.doc -46- 200805365 1 8 nm，則降低至20 dB多，C/Ν大幅低於規格值，因此唯 恐無法讀取位址資訊。因此，溝槽深度宜為18 nm以上。 其次，針對如上述所獲得之複數追記型光記錄媒體丨〇中 具有溝槽深度20 nm者，調查使CTS變化時之擺動振幅與 擺動C/Ν之關係。資訊信號之記錄再生係藉由藍光評估裝 置，對外溝槽（平地）11L進行。 CTS係由下式定義。 CTS= 2(R〇n.Rin)/(R〇n+Rin) 其中’ Ron :外溝槽（平地）11 L施以循執時之藍光評估裝 置之返回光量
Rin:内溝槽（溝槽）11G施以循軌時之藍光評估裝 置之返回光量 圖25係表示使CTS變化時之擺動振幅與擺動C/N之關係 之圖。 CTS表示溝槽之寬度之參數，記錄溝槽之寬度越大， CTS變得越大。此外，於圖25中，以虛線表示藍光碟片之 規格值之26 dB，為了較高地取得系統耐受度，宜使擺動 振幅充分比以此虛線所示之26 dB高之值。 從圖25可得知如下。亦即，圖25中低於規格值者，係於 CTS小至_0·〇12、_G.03之情況下1高功率（1 lxpw。)記錄 時之C/Ν。對於CTS，未記錄之狀態下幾乎未見有差距（參 考圖25中之「」），於以高功率進行記錄，記錄標記朝溝 槽寬度方向擴大時，出現甚大差距（參考圖25中之 114130.doc 47- 200805365 若著眼於最佳功率（1.〇倍之功率）之測定結果（參考圖25 中之「〇」），可知CTS為-0.03以上之情況下，會符合上 述規格範圍。然、後，若著眼於U倍之測定結果（參考圖中 之「·」），可知於CTS為-0.01情況，會符合上述規格範 圍。此外，取得OPC時，由於推薦以±1〇%觀察記錄感度， 因此即使以1.1倍之功率進行資訊信號記錄之情況下，仍 宜為規格值26 dB以上。根據以上，作為CTS之值宜為 -0.03以上，更宜為·〇·〇ι以上。 此舉動未見於藍光之可覆寫媒體。因為於可覆寫媒體， 即使以鬲功率記錄之情況下，於記錄相鄰執時會抹除再 記錄往橫向擴大之標記。此發明所代表之追記型媒體之情 況’由於不會抹除一度已記錄之標記，因此其良好條件在 於與以在之可覆寫媒體不同之處，此發明將其明確表示。 對於擺動振幅’以高功率記錄後未觀察到擺動C/N有甚大 差異。關於擺動C/N，其為CTS最佳化之重要參數。 其次，關於同樣之追記型光記錄媒體1 〇，調查使CTS變 化時之擺動振幅與NWS之關係。 NWS係由下式定義。 NWS = Iwpp/Ipp 其中，Iwpp :施以循執時之推挽信號之振幅（擺動信號 之振幅）
Ipp :未施以循執而橫切導引溝時所產生之推挽 4吕號之振幅 於圖26，表示使CTS變化時之擺動振幅與NWS (Normalized 114130.doc -48- 200805365
Wobble Signal :正規化擺動信號）之值之關係之圖。藍光 碟片之規格中，NWS為0.20以上、〇·55以下之範圍，於圖 26中，以虛線表示此範圍。以高功率記錄後，NWS仍以在 此虛線所示之0.20以上、0.55以下之範圍内為宜。 若根據圖26，CTS越大或擺動振幅越大，則NWS變得越 大，此圖26中存在規格外之點。Nws係擺動振幅之依存性 比CTS大’而且由於NWS設定有最小值、最大值，因此為 了獲得良好值，於擺動振幅存在有良好範圍。為了提高擺 動C/N而增大CTS之情況下，擺動振幅宜為9 nm至12 nm， 而且若CTS為-0.01程度，則宜為11 nm至13 nm。 矣示合此專’作為擺動振幅宜為9 ηπι至13 nm。 其次，說明有關對應於第三實施型態之實施例^〜丨6。 (3)藉由藍色雷射之BCA之形成方法之探討 其次，關於藉由藍色雷射之BCA之形成方法進行探討。 以下說明有關此檢討内容。 實施例15 此實施例1 5之追記型光記錄媒體1 〇係具有將Tisi〇膜2、 GeO膜3、ZnS-Si〇2膜4a、SiN膜4b及光穿透層5，依序疊層 於基板1上之構成。 以下，說明有關實施例15之追記型光記錄媒體1 〇之製造 方法。首先，藉由射出成形法，將於一主面設有内溝槽 11G及外溝槽11L·之基板1成形。作為樹脂材料係使用聚碳 酸酉旨樹脂。而且’溝槽間距設為0 · 3 2 μιη，溝槽11G之深度 設為21 nm，使外溝槽11L擺動（蛇行）以附加位址資訊。 114130.doc -49- 200805365 其次，將真空處理室内抽取真空後，一面於真空處理室 内導入Αι*氣體，一面將丁丨以靶材濺鍍，將膜厚27 之
TiSiO膜2成膜於基板丨上。此TiSi〇膜2中之以組成比為”原 子0/〇。 於以下表示此成膜步驟中之成膜條件。 真空達到度·· 5.〇xl〇-5pa 氣氛：0.2 Pa 輸入電力：3 kW Ar氣體流量：30 seem 其次’將真空處理室内抽取真空後，一面於真空處理室 内導入Ar氣體，一面將Ge氧化物靶材濺鍍，將膜厚％ 之GeO膜3成膜於TiSi〇膜2上。此外，&氧化物乾材之氧 組成係調整為，GeO膜3之吸收係數k成為〇.4〇。 於以下表示此成膜步驟中之成膜條件。
真空達到度：5.0X10·5 pa 氣氛：0.2 Pa 輸入電力：2 kW
Ar氣體流量：30 seem 濺鍍，將膜厚45 其次，將真空處理室内抽取真空後，一面於真空處理室 内導入Ar氣體，一面將ZnS-Si〇2乾材 nm 之乙118-8102膜4&成膜於GeO膜3上。 於以下表示此成膜步驟中之成臑條4牛 真空達到度：5·〇χΐ〇_5 Pa 氣氛：0.1 Pa 114130.doc -50- 200805365 輸入電力：1 kw Ar氣體流量：6 seem 其次，將真空處理室内抽取真空後，一面於真空處理室 内導入Ar氣體及N2氣體，一面將Si靶材濺鍍，將膜厚7 之SiN膜4b成膜於基板1上。 於以下表示此成膜步驟中之成膜條件。 真空達到度：5.〇xl〇·5 Pa 氣氛：0.3 Pa 輸入電力：4 kW Ar氣體流量：50 seem N2氣體流量：37 seem 其次，將圓環狀之聚碳酸酯片材，藉由預先塗佈於此片 材主面之感壓性黏著材料（PSA)而貼合於基板1上，形成厚 度0·1 mm之光穿透層5。 其次’將波長4 0 5 nm之雷射光調變為脈衝狀，從光穿透 層5側照射於B C A。藉此獲得於B C A形成有條碼狀之記錄 標記之追記型光記錄媒體10。此外，光束寬設為約5 μιη， 線速設為10 m/s，雷射照射功率設為160 mW，每一旋轉之 光束送出量設為2 μιη。 實施例16 其次，除了照射波長800 nm頻帶之雷射光而形成記錄標 記以外，完全與上述實施例15相同地獲得於BCA形成有條 碼之追記型光記錄媒體1〇。 其次，將如上述所獲得之記錄於實施例I5〜16之BCA之 114130.doc -51 - 200805365 信號再生，評估此再生信號。 圖27(A)係表示形成於BCA之記錄標記之示意圖。圖 27(B)係表示實施例15之再生信號之波形。圖27(C)係表示 實施例16之再生信號之波形。此外，於圖27(B)及圖27(C) 中，為了容易比較實施例15及實施例16，故省略微少雜訊 之圖示。 若比較圖27(B)及圖27(C)，可得知如下。亦即可知，實 施例16中，於記錄標記之邊界部分有反射率急遽變高之區 域，相對地，實施例1 5中，於記錄標記之邊界部分未有反 射率急遽變高之區域。此可視為由於800 nm頻帶之雷射具 有波長依循性，因此經最適化為400 nm頻帶之記錄再生之 追記型光記錄媒體10係難以對BCA記錄資訊信號。而且， 圖示省略，實施例1 5中，BCA部之全體信號之信號位準亦 較平均。 其次，說明有關對應於第四實施型態之實施例17〜36。 (4)藉由紅外雷射之BCA之形成方法之檢討 其次，關於藉由紅外雷射之BCA之形成方法進行探討。 於以下說明有關此探討内容。 實施例17〜21 首先，完全與上述實施例1 5相同地獲得複數追記型光記 錄媒體10。其次，對如上述所獲得之複數追記型光記錄媒 體10之各個，以3 m/s〜11 m/s之範圍改變光學頭掃描速 度，將輸出功率4000 mW、波長810 nm之雷射光調變為脈 衝狀，從基板1側照射於BCA。藉此，溶解除去TiSiO膜 114130.doc -52- 200805365 2、GeO膜3、ZnS-Si02膜4a及SiN膜4b。獲得於BCA形成有 條碼狀之標記之複數追記型光記錄媒體丨〇。此外，光束寬 設為約30 μηι，雷射照射功率設為40〇〇 mW，每一旋轉之 光束送出量為10 μιη。 實施例22〜26 除了輸出功率為3400 mW以外，完全與上述實施例 17〜21相同地獲得於BCA形成有條碼狀之標記之複數追記 型光記錄媒體10。 實施例27〜31 除了從光穿過層侧對BCA照射雷射光以外，完全與實施 例17〜21相同地獲得於BCA形成有條碼狀之標記之複數追 記型光記錄媒體1 〇。 實施例32〜36 除了從光穿過層側對BCA照射雷射光以外，完全與實施 例22〜26相同地獲得於BCA形成有條碼狀之標記之複數追 記型光記錄媒體1 〇。 於上述實施例17〜36，從實用上之觀點考量而使用波長 810 nm之紅外雷射，但雷射光之波長可適當選擇，紅外雷 射不限定於波長810 nm，可使用例如720 nm〜25〇〇 nm之波 長範圍者。於上述實施例17〜36中，具體而言係根據以下 理由而使用波長810 nm之雷射光。亦即，以波長81〇 nm程 度以外之雷射，難以獲得可破壞除去基板丨上之疊層膜之 雷射功率。亦即，650 nm頻帶或4〇〇 nm頻帶之雷射係雷射 功率不足，因此難以破壞除去疊層膜。 114130.doc -53- 200805365 其次，將如上述所獲得之記錄於實施例17〜362BCA之 信號再生，評估此再生信號。 圖28係表示實施例17〜21之BCA之再生信號之評估結 果。圖29係表示實施例22〜26之再生信號之BCA2評估結 果。圖30係表示實施例27〜31之再生信號之BCA之評估結 果。圖31係表示實施例32〜36之再生信號之BCA之評估結 果。圖32係表示實施例17〜21之再生信號。圖33係表示實 %例22〜26之再生信號。圖34係表示實施例27〜3 1之再生信 號。圖35係表示實施例32〜36之再生信號。此外，於圖28〜 圖31之評估結果欄，「〇」表示BCA部之信號位準較平均， 且於標記之邊界部分未有反射率急遽變高之區域之再生信 號，「X」表示BCA部之信號位準不平均，且於標記之邊界 部分有反射率急遽變高之區域之再生信號。而且，於圖 32〜圖35之A〜E之各圖中，下部所示之信號波形係放大上 部所示之信號波形之一部分。A〜E分別對應於以掃描速度 3 m/s〜11 m/s形成有BCA之追記型光記錄媒體1〇之信號波 形。 從圖28〜圖3 1可知，從光穿過層5側照射雷射光之情況， 無關於光學頭掃描速度及雷射功率，BCA部之信號位準不 平均，且於標記之邊界部分有反射率急遽變高之區域。 相對於此，可知從基板1侧照射雷射光之情況，藉由設 定光學頭掃描速度為5 m/s〜9 m/s，設定雷射功率為34〇〇 mW〜4000 mW之範圍，BCA部之信號位準較平均，且於標 記之邊界部分未有反射率急遽變高之區域。 114130.doc •54- 200805365 從上述可知，若根據此發明之實施型態，配合反射率、 感度、光學系統等，以此發明之實施型態之膜構成可實現 優異之追記型光記錄媒體10。 即使為進行短波長、高數值孔徑之藍光對應之高密度記 錄之BD-R，仍可構成特性優異之追記型光記錄媒體1〇。 然後’於無機記錄膜6之構成中，可使其層數止於3層至 4層’可謀求製造成本之低廉化。 而且’如實施例，該光穿透層5即使為PSA/樹脂片材構 成’仍可具有優異特性，可構成保存性安定、耐久性優異 之追記型光記錄媒體1〇之例如BD-R。 如上述，若根據此發明之實施型態之構成，可獲得記錄 特性、耐久性優異之追記型光記錄媒體10。 而且’由於能以金屬膜2、氧化物膜3、介電體膜4之3層 之極少膜層數來獲得良好記錄特性，因此量產性優異，而 且由於層數少，因此可減低不良品之產生率等，可謀求成 本減低化。 如此’於此發明中，基本上藉由設置上述3層以良好地 進行良好之記錄再生，但由於因應於使用態樣、目的而進 步k咼反射率之情況，或提升耐久性等理由，亦可於此 3層以外亦設置金屬膜、介電體膜。 以上，具體說明有關此發明之第--第四實施型態，但 此發明不限定於上述第一〜第四實施型態，可根據此發明 之技術思想做各種變形。 例如於上述第一〜第四實施型態所舉出之數值僅為例 114130.doc -55- 200805365 示’亦可因應於需要而使用於此不同之數值。 而且’於上述第一〜第四實施型態中，說明有關對基板 貼合光穿透性片材以形成光穿透層5之情況，但亦可藉由 备、外線硬化樹脂形成光穿透層5。作為此情況之光穿透層5 之形成方法，可舉例如旋轉塗佈法。 而且，於上述第一〜第四實施型態中，說明有關由丁丨構 成金屬膜3之情況，但即使由Ή以外之顯現光觸媒效果之 金屬材料等來構成金屬膜3，應與上述第一〜第四實施型態 相同’仍可獲得可記錄資訊信號之追記型光記錄媒體。 【圖式簡單說明】 圖1係表不根據此發明之第一實施形態之追記型光記錄 媒體之一構成例之概略剖面圖；圖2係表示根據此發明之 第一 κ施形態之追記型光記錄媒體之一構成例之概略剖面 圖，圖3係表示根據此發明之第三實施型態之追記型光記 錄媒體之平面圖；圖4係表示對根據此發明之第三實施型 態之追記型光記錄媒體記錄固有資訊所使用之記錄裝置之 構成之區塊圖，圖5之圖5(A)係表示形成於BC a之記錄標 圮之一例之簡略線圖，圖5(B)係表示將記錄於BCa之固有. 負fl再生時之再生k號之波形之一例之簡略線圖；圖6係 表不根據實施例1之追記型光記錄媒體之構成之模式剖面 圖’圖7係表示根據比較例丨之追記型光記錄媒體之構成之 '弋j面圖’、圖8係表示根據實施例2之追記型光記錄媒體 構成之模式J面圖；圖9係表示根據實施例3之追記型光 。己錄媒體之構成之模式剖面圖；圖1()係表示氧組成及吸收 114130.doc -56- 200805365 係數與C/N之關係之圖；圖11係表示GeO膜3之膜厚與C/N 及調變度之關係之圖；圖12係表示根據實施例7之追記型 光記錄媒體之構成之模式剖面圖；圖13係表示金屬膜之以 之組成與顫動及功率Pw之關係之圖；圖14係表示記錄標記 之前端側及後端侧之顫動之測定結果之表；圖15係表示根 據實施例9之追記型光記錄媒體之構成之模式剖面圖；圖 16係表示根據實施例1〇之追記型光記錄媒體之構成之模式 剖面圖；圖1 7係表示相對於實施例9之追記型光記錄媒體 之記錄感度（記錄功率pw)之C/N及調變度之依存性之測定 結果之圖；圖18係表示相對於實施例之追記型光記錄媒體 之記錄感度（記錄功率pw)之C/N及調變度之依存性之測定 結果之圖；圖19係表示相對於氧濃度及吸收係數之顫動之 變化之圖，圖20係表示TiSiO膜及GeO膜之膜厚、以及顫動 值之測定結果之表；圖21係表示金屬膜之氧濃度與顫動特 性之關係之圖；圖22係表示根據實施例14之追記型光記錄 媒體之構成之模式剖面圖；圖23係表示根據實施例14之追 吞己型光兄錄媒體之溝槽深度與顫動之關係之圖；圖24係表 示根據實施例14之追記型光記錄媒體之顫動C/N與溝槽深 度之關係之圖；圖25係表示使CTS變化時之擺動振幅與擺 動C/N之關係之圖，·圖26係表示使CTS變化時之擺動振幅 與NWS之值之關係之圖；圖27(八）係表示形成於BCA之記 錄標記之示意之簡略線圖；圖27(B)係表示實施例15之再 生信號之波形之簡略線圖；圖27((：)係表示實施例16之再 生馆唬之波形之簡略線圖；圖28係表示實施例〜2〗之 114130.doc -57- 200805365 BCA之再生信號之評估結果之表；圖29係表示實施例 22〜26之BCA之再生信號之評估結果之表；圖3〇係表示實 施例27〜3 1之BCA之再生#號之评估結果之表；圖3丨係表 示實施例32〜36之BCA之再生信號之評估結果之表，·圖 32A〜E係表示實施例17〜21之再生信號之簡略線圖；圖 33A〜E係表示實施例22〜26之再生信號之簡略線圖；圖 34A〜E係表示實施例27〜3 1之再生信號之簡略線圖；圖 35A〜E係表示實施例32〜36之再生信號之簡略線圖。 【主要元件符號說明】 1 基板 2 無機記錄膜、TiN膜、TiSiO膜 3 氧化物膜、GeO膜 4, 7 介電體膜、SiN膜 4a 第一介電體膜、ZnS-Si〇2 4b 第二介電體膜、SiN膜、Si3N4膜 5 光穿透層 6 無機記錄膜 10 追記型光記錄媒體 11 凹凸面 11G 内溝槽 11L 外溝槽 12 引入區域 13 使用者資料區域 14 BCA 114130.doc -58· 200805365 21 馬達 22 光拾取頭 23 控制電路 24 雷射光 114130.doc - 59

Claims (1)

  1. 200805365 十、申請專利範圍： 種追a型光a錄媒體，其特徵為含有無機記錄膜； 上述無機記錄膜包含： 含Ge之氧化物之氧化物膜；及 a金屬材料之鄰接膜，其係設置成以與上述氧化物膜 相接的方式； 上述氧化物膜之吸收係數k為〇.15$kS〇.9〇之範圍。 2·如請求項1之追記型光記錄媒體，其中上述氧化物膜之 膜厚為10 nm以上3 5 nm以下。 3·如請求項1之追記型光記錄媒體，其中上述鄰接膜被氧 化’該鄰接膜之氧組成為9原子％以上38原子％以下。 4·如請求項1之追記型光記錄媒體，其中上述鄰接膜含Ti。 5·如請求項4之追記型光記錄媒體，其中上述鄰接膜含進 而含有Si之TiSi合金。 6·如請求項5之追記型光記錄媒體，其中上述TiSi合金之以 組成為8原子％以上、32原子％以下。 月求項1之追$己型光s己錄媒體’其中上述鄰接膜含 A1 〇 ' 8·如請求項1之追記型光記錄媒體，其中上述鄰接膜為A1 與希土類金屬之Tb、Gd、Dy、Nd之任一種以上之合金 膜。 9·如請求項丨之追記型光記錄媒體，其中於上述氧化物膜 與上述鄰接膜相接側之相反側之面，進而設置介電體 膜〇 114130.doc 200805365 ι〇·如請求項9之追記型光記錄媒體，其中上述介電體膜含 SiN。 11·如請求項9之追記型光記錄媒體，其中上述介電體膜含 ZnS-Si〇2 〇 12·如請求項9之追記型光記錄媒體，其中上述介電體膜包 含·鄰接於上述氧化物膜之第一介電體膜；及形成於該 第一介電體膜上之第二介電體膜； 上述第一介電體膜含ZnS-Si〇2，上述第二介電體膜含 SiN 〇 13.如請求項9之追記型光記錄媒體，其中上述介電體膜之 膜厚為10 ηηι以上100 nm以下。 14·如請求項1之追記型光記錄媒體，其中於形成有平地·溝 槽之凹凸面之基體上，至少形成上述氧化物膜及鄰接膜 而成。 15·如請求項1之追記型光記錄媒體，其中形成於具有軌間 距為0·29 μηι以上0.35 μηι以下之範圍之導引溝之基板上 而成’且於溝槽深度為18 nm以上21.5 nm以下之範圍形 成而成。 16 ·如睛求項15之追記型光記錄媒體，其中當來自導引溝中 進行記錄·再生之溝槽面於再生光學系統中之返回檢測光 1没為ron，來自另一方之溝槽面之返回檢測光量設為 RIN 時， -〇.〇1<2(RON-RIN)/(RON+RIN) 〇 17.如請求項15之追記型光記錄媒體，其中擺動振幅為9 nm 114130.doc 200805365 以上13 nm以下。 其中包含記錄有識別 18·如請求項1之追記型光記錄媒體 資訊之識別資訊記錄區域； ^述硪別貧訊係藉由於上述氧化物膜形成因應上述識 別資訊之記錄標記而記錄。 19.如請求们之追記型光記錄媒體，其中包含記錄有識別 資訊之識別資訊記錄區域； 上述識別資訊係藉由以因應上述識別資訊之圖案除去 上述無機記錄膜而記錄。 20. —種追記型光記錄媒體之製造方法，其特徵為其係含有 無機記錄膜之追記型光記錄媒體之製造方法；其包含以 下步驟： 將含Ti之鄰接膜成膜之步驟，·及 將含Ge之氧化物之氧化物膜成膜之步驟； 於上述氧化物膜及上述鄰接膜之成膜步驟中，以上述 氧化物膜與上述鄰接膜鄰接之方式成膜； 上述氧化物膜之吸收係數k為0.15$kS0.90之範圍。 21·如請求項20之追記型光記錄媒體之製造方法，其中進而 包含藉由從上述氧化物膜侧，對上述追記型光記錄媒體 照射波長350 nm以上450 nm以下之雷射光，以記錄識別 資訊之步驟。 22·如請求項20之追記型光記錄媒體之製造方法，其中進而 包含藉由從上述鄰接膜側，對上述追記型光記錄媒體照 射雷射光，以記錄識別資訊之步驟。 114130.doc 200805365 23·如請求項22之追記型光記錄媒體之製造方法，其中上述 雷射光係以光學頭掃描速度5 m/s以上9 m/s以下，雷射 功率3400 mW以上4000 mW以下之條件而照射於上述追 記型光記錄媒體。 114130.doc
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