TW200800891A - Carbazole-containing amine compounds and their use - Google Patents

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Tadao Yagi
Yasumasa Toba
Hiroaki Tanaka
Yasumasa Suda
Yoshitake Oryu
Michiko Tamano
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Toyo Ink Mfg Co
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Description

200800891 · % 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種新穎的含有味唾之胺化合物，更詳 =，係，：種當用於有機電激發光元件(以下簡記為 T 一 r )%，由於分子的結晶性較低且玻璃轉移溫度 ’因此具有優良性能（低電墨驅動、壽命長、安定性 南）的含有咔唑之胺化合物。 【先前技術】 •應用已:研Ϊ於味唾何生物在各種機能材料、電子材料之 :及為。利用㈣骨架所具有的電洞輸送性的性質 電的構造，而研究在例如電子照相感光體之 f何輸讀料或有機EL元件㈣料方面之制。曾以 承乙烯基味唾（PVJQ咬N . 饨丰以4 ，— η专唆基-4,4’_聯苯仰巧為 代表’廣為探討該等化合物 而夕處田" σ物在作為有機EL·元件用材料方 面之應用（茶照非專利文獻 一 M VJ - ^ )。一般在高溫環境下使有 癱枝EL το件驅動或保管有 攀變、發光凡件時，會發生發光色改 义^先效革降低、驅動電壓上升、發光毒命短护門仆望 不良影響。為了防止兮笪τ# 光 間化專 轉移^以、良影響，必須提高材料的玻璃 =度Tg)。如pVK或CBp等，坐類 财熱性，但由於構造的對稱性較高，因而在以直q = 旋塗（Spin mating)等形成薄膜 ，、工二、鍍或 易社曰# - p人 膜％具有膜的安定性低、容 易、、、口曰曰化、兀件壽命極短的問題點。 在上述狀況中，已揭示一錄 胺基取代而成的二胺化心，乙基十坐之第3位以 °物（麥照非專利文獻3、4,專利 318649 8 200800891 文獻1)。該等二胺化合物係由於具有適合作為電洞注入材 料、電洞輸送材料的Ip，而且藉由咔唑環的非對稱性成為 非結晶性，因此具有高的膜安定性，但在另一方面，Tg變 得沒有那麼高，耐熱性較差，以el元件而言，並無法獲 得充分的壽命特性。 非專利文獻 1 : Applied Physics Letters，2001 年發行， 78卷，278頁 非專利文獻 2 : Journal of the American Chemical • Society 2001 年發行，123 卷，4304 頁 非專利文獻 3 : European Polymer Journal 2005 年發 行，41卷，1821頁 非專利文獻 4 : Environmental and Chemical Physics 2002年發行，24卷，3〇頁 專利文獻1:曰本專利特表2004-536134號公報 【發明内容】 •(發明所欲解決之課題） 本發明之課題在於提供一種儘管具有高Tg，但分子難 以結晶化，且在作為有機EL元件用材料使用時，具有低 電壓驅動、長壽命等優良特性的含有咔唑之胺化合物。 (用以解決課題之手段） 本發明人等為了解決上述各種問題，反覆精心研究， 結果完成本發明。 亦即，本發明係關於一種以下通式〔1〕所示之含有咔 唾之胺化合物： 9 318649 200800891
Ar1. Ar2 \ / N~—A—H r-n / \ 3
Ar3 Ar4 (式中， A表示： 以下通式〔2〕所示之伸苯基：
’其餘各自獨立 機殘基）；或 (式中，R1至R5中之一表示鍵結鏠 也表不風原子、鹵素原子或一價有 以下通式〔3〕所示之伸聯苯基： 、
[3] 結鍵’其餘各自獨立地表示氫原子、i素原子或- 價有機殘基）； 至ΑΓ各自獨立地表示可具有取代基之碳數6至 —偏芳香族烴基、可具有取代基之碳數2至18之一 環基或以下通式〔4〕所示之㈣基： 10 318649 200800891
(式中’ Ar5表示可具有取代基之碳數6至ι8之一價 芳香族烴基、或可具有取代基之碳數2至18之一價 芳香族雜環基；R!6至R22各自獨立地表示氫原子、 鹵素原子或一價有機殘基）； 惟Ar1至Ar4中之至少一個係通式〔4〕所示之咔唑基）。 此外，本發明係關於上述含有咔唾基之胺化合物，其 中，通式〔1〕中之A係以下通式〔5〕或以下通式〔6〕 所示者：
(式中，R1^ R4各自獨立地表示氫原子、氨素原子 或一價有機殘基）； 11 318649 200800891
(式中’ R6至R10令之一表示鍵結鍵，其餘各自獨立 地5表不氫原子、i素原子或_價有機殘基；Rl2至 R15各自獨立地表示氫原子、㈣原子或—價有機 殘基）。 此外，·本發明係關於上述含有味唾基之胺化合物，其
Ar與Ar各自獨立地為以下通式〔7〕所示者，而且 /與^各自獨立地為可具有取代基之碳數6至18之-‘芳香族烴基：
[7] (式中，Ar5係與上述通式〔4〕之Ar5相同）。 中 此外’本發明係關於上述含有十坐基之胺化合物，盆 ，Ar5係以下通式〔8〕所示者： /、 318649 12 200800891
Εδ] (式中，R23表示氫原子、鹵素原子、碳數ι至3之 烧基、可具有取代基之碳數6至12之一價芳香族炉 基或可具有*代基之碳數2至5之一價雜環基工 此外，本發明係關於上述含有味唾基之胺化合物，复 中，Ar5係以下通式〔9〕所示者： /、
(式中，R33表示氫原子 取代基之碳數1至4 基）。
、鹵素原子、氰基、可具有 之烷基或可具有取代基之笨 此外’本發明係關於上述含有，坐基之胺化合物，^ 中，Ar5係以下通式〔1〇〕所示者：
之R23相同者；R24 鹵素原子、氰基、 (式中，R23表示與上述通式〔8 至R27各自獨立地表示氫原子 318649 13 200800891 可具有取代基之碳數1至4之烷基或可具有取代基 之本基）。 此外’本發明係關於上述含有咔唑基之胺化合物，其 中’ Ar5係以下通式〔u〕所示者：
(弋中 R至R各自獨立地表示氳原子、鹵素原 子、氰基、可具有取代基之碳數1至4之烷基或可 具有取代基之苯基）。 此外，本發明係關於上述含有咔唑基之胺化合物，其 中，玻璃轉移溫度（Tg)為130°C以上。 此外，本發明係關於一種有機電激發光元件用材料， 〃係包含上述含有咔唑之胺化合物。
而成的右擒雪备政、 .-剛对一種有機電激 極之間形成有機層或形成包含發光
此外，本發明係關於—種有機電 種有機電激發光元件，係在一 成包含發光層之複數層有機層 炙有機層之至少一層係
發光元件用材料。 種有機電激發光元件，係具有 ^層的有機電激發光元件，其 洞輸送層係包含上述有機電激 再者，本發明係關於一 種以下通式〔12〕所示之咔唑 318649 14 200800891 1〕所示之含有啼峻之胺 衍生物’其係作為製造上述通式 化合物的原料：
[12] 22 (式中，Ar5與上述通式〔4〕之Ar5相同；r10至r__ 與上述通式〔4〕之π至R22相同；χ表示選自氯 原子、溴原子或碘原子之鹵素原子）。 關於本發明中以通式〔12〕所示之化合 可列舉如：通式〔12〕中之〗关翼十0 L ^之Ar係1-奈基或2-萘基，以 ^為虱原子’又係選自氯原子、演原子或硬原子中之 鹵素原子的咪峻衍生物。 (發明之效果） 材二tr之含有味唾之胺化合物作為有機el元件用 材枓而❹之有機EL元件，由於㈣膜安定 以較低之驅動電壓發光， 冋 A麻以… 五使用可命長’因此可適用於作 為掛壁式笔視荨之平面顯示器或平面發光體， 影印機或印表機等之光源夜 σ 源、顯示板、號諸燈等。 °。或计時器類等之光 【實施方式】 以下詳細說明本發明。首先就通式〔1〕 唑之胺化合物加以說明。 不之3有咔 於通式⑴所示之含有味唾之胺化合物中，Α表示通 318649 15 200800891 式〔2〕所示之伸苯基或通式〔 於通式⑴中，R】至伸聯笨基。 伸苯基。X，於通式Γ3Ί ψ ’'、、鍵結鍵’用以形成 R15中之 為鍵結鍵，用以形成伸聯苯基 於通式〔3〕中，…至Rl。中之
一 1 綠 έ士 从.《 …^ K 對於鍵結鍵的位置並無特別限制， 伸苯基鍵結時，可為_少成通式〔2〕之 形成通式〔3〕之伸聯苯基鍵 ^土，田 ^伸聯苯基、M，-伸聯苯基、2,3，^/苯2其伸葬苯基、 苯基、3,4，-伸聯苯基等。，伸％本基、2,4，-伸聯 該等鍵結中較佳者可列舉如：r5 基、R6與R11為鍵社鍵之4 4，施—* °鍵之對伸苯 Π也一， 鍵之4,4-伸聯苯基。此係基於分子對 滅越^越可期待高耐熱性、冑Tg之故，而且在子 化合物時，亦較為容易之故。 獨立伸聯苯基，於非鍵結位置之碳上可各自 /、有虱原子、鹵素原子或一價有機殘基。 在此所稱之i素原子可列舉：氣原子、子 子、碘原子。 展展 對於-價有機殘基並無㈣關，可縣且 = 之一價脂肪族煙基、可具有取代基之-價芳香 ： 土可具有取代基之—價月旨肪族雜環基、可具有取代美之 一價芳香族雜環基、氰基、焼氧基、芳氧基、炫硫基Γ芳 硫^經取伽基、醯基、烧氧基幾基、芳氧基幾基、院 基石頁Sf基、芳基續酸基等。 在此’一價腊肪族烴基係指碳數1至18之1價脂肪族 318649 16 200800891 烴基’=等基可列舉如：炫基、稀基、块基、環烧基。 以烷基而言，可列舉如：甲基、乙基、丙基、異丙基、 丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、異戊基、己 基庚基辛基、癸基、十二基、十五基、十八基等碳數 1至18之烷基。 、烯土而口可列舉如··乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯 基、異丙稀基、h丁烯基丁烯基、3…丁婦基、1辛烯基、 1’癸烯基、1-十八婦基等石炭數2至18之稀基。 以炔基而言，可列舉如：乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔 基、1-丁炔基、2-丁块基、丁快基、小辛炔基、^癸块基、 1 -十八炔基等碳數2至〗8之炔基。 以環烧基而言，可列舉如：環丙基、環丁基、環戊基、 %己基、庚基、環辛基、環十人基等碳數3至之環烧 基。 再者，以-價芳香族煙基而言，可列舉如：礙數6至 18之-價單環、稠合環、聯環烴基。在此，以碳數6至w 之-價單環芳香族烴基而言，可列舉如：苯基 間甲苯基、對甲苯基、2,4_二甲苯基、對異丙苯基本均土三 甲苯基(mesh削碳數6至18之一價單環芳香族煙基。一 此外，以-價稠合環煙基而言，可列舉如 、 示基、I-恩基、2·蒽基、5_蒽基、L菲基、9_菲基、i二 氫危基（卜咖―—1)、2-奠基、祐基、2_伸聯三装美 (2七iphenylenyl)等石炭數1〇至18之一價祠合環煙基:土 此外Μ知㈣烴基而言，可列舉如：鄰聯苯基、 318649 17 200800891 間聯苯基、對聯苯基等碳數12至18之—價聯環Μ。 此外，以一價脂肪族雜環基而言，可列舉，土 琳基、Ν_Μ基、Ν_嗎琳基、2•嗎琳基等具^ 之1至3個氮原子、氧原子及/或硫原子之3至8 =:子 為5至7員）之碳數3至18之一價脂肪族雜環基。貝乂仏 4- 此外，以一價芳香族雜環基而言，可列舉如··三 3-曙二峻基、2“夫喃基、3_吱喃基、2•嗟吩基、3令八二、、 1-吡咯基、2-吡咯基、3·吡咯基、2_吡啶基、3“比“土： _基、2__井基、坐基、3_異嘻哇基、2+= : 異嘆嗤基、2’嗤基、3』比唾基、2_喧啉基、3-啥琳^ " 喹啉基、5_喹啉基、6_喹啉基、7_喹啉基、啉^ 2- 異喹啉基、2-喹喏啉基（qUinoxalinyl)、2_苯并呋喃美、ζ 苯并噻吩基、N-吲哚基、N_咔唑基、N_吖啶基等具有作為 雜原子之1至3個氮原子、氧原子及/或硫原子之3至’、8 員（較佳為5至7員）之碳數2至18之一價芳香族雜環基。 此外，以烷氧基而言，可列舉如：曱氧基、乙氧基、 丙氧基、丁氧基、第三丁氧基、辛氧基、第三辛氧基等碳 數1至8之烷氧基。 此外，以芳氧基而s，可列舉如：苯氧基、‘第三丁 基笨氧基、1-奈氧基、2-奈氧基、9-蒽氧基等碳數6至14 之芳氧基。 此外，以烷硫基而言，可列舉如··曱硫基、乙硫基、 第三丁硫基、己硫基、辛硫基等碳數1至8之烷硫基。 此外，以芳硫基而言，可列舉如：苯硫基、曱基苯 318649 18 200800891 硫基、4-第三丁基苯硫基等碳數6至14之芳硫基。 此外，以經取代胺基而言，可列舉如：N-曱基胺基、 N-乙基胺基、N，N-二乙基胺基、N，N-二異丙基胺基、N，N-二丁基胺基、N-苄基胺基、N，N-二苄基胺基、N-苯基胺基、 N-苯基-N-曱基胺基、N，N-二苯基胺基、N，N-貳（間曱苯基） 胺基、N，N-貳（對曱苯基）胺基、N，N-貳（對聯苯基）胺基、貳 [4-(4-甲基）聯苯基]胺基、Ν-α -萘基苯基胺基、N-冷-萘基-Ν-苯基胺基等碳數2至16之經取代胺基。 φ 此外，以醯基而言，可列舉如：乙醯基、丙醯基、三 甲基乙醯基、環己基羰基、苄醯基、甲苯曱醯基、大茴香 醯基、桂皮醯基等碳數2至14之醯基。 此外，以烷氧基羰基而言，可列舉如：曱氧基羰基、 乙氧基羰基、苄氧基羰基等碳數2至14之烷氧基羰基。 此外，以芳氧基羰基而言，可列舉如：苯氧基羰基、 萘氧基羰基等碳數7至14之芳氧基羰基。 φ 此外，以烷基磺醯基而言，可列舉如：曱磺醯基、乙 磺醯基、丙磺醯基等碳數2至14之烷基磺醯基。 此外，以芳基磺醯基而言，可列舉如：苯磺醯基、對 甲苯磺醯基等碳數6至14之芳基磺醯基。 如上所述之一價脂肪族烴基、芳香族烴基、脂肪族雜 環基、芳香族雜環基亦可由其他取代基取代。此外，該等 取代基亦可彼此互相鍵結而與相鄰原子共同形成環。該等 取代基可列舉如：鹵素原子、氰基、烷氧基、芳氧基、烷 硫基、芳硫基、經取代胺基、醯基、烷氧基羰基、芳氧基 19 318649 200800891 碳基、炫基伽基、芳基相基等。該等取代基之例，可 列舉如前述者。 以叙么之知有機殘基而言，可列舉選自下列者所成 群組_之基：可經其他取代絲代之碳數〗至18之垸基； 可經其録代絲代之碳數3至18之魏基；可經其他取 代基取代之碳數6至18之單環式、稠合環式或多環式芳香 族烴基；可經其他取代基取代之碳數1至8之烧氧基；可 經其他取代絲代之碳數6至14之芳氧基；及可經碳數2 馨至丨6之«(可經其絲代絲代）所取狀絲。在此之 其他取代基，可列舉選自下列者所成群組中之取代基：烷 基、i素原子、氰基、烧氧基、芳氧基、烧硫基、芳硫基、 經取=胺基、酿基、烧氧基幾基、芳氧基幾基、烧基相 基及芳基續gf基等。 以上所列舉之鍵結鍵以外之R1至R】5中，更佳例可列 舉如為：氫原子、碳數1至3之烧基、苯基、甲苯基等。 籲以該等基作為取代基時，不僅分子量較小，且藉由蒸鑛等 使化合物（材料）昇華時，亦較為容易，此外，安定性方面 來看，亦較佳。 _本發明之通式〔U中較佳之A可列舉如為：通式〔3〕 所示之伸苯基、更佳為通式〔6〕所示之4-伸聯苯基、尤 么為以下通式〔13〕所示之4,4，-伸聯苯基： 318649 20 [13] 200800891
(式中，R7至R10及]^至R〗5各自獨立地表示氳原 子、鹵素原子或一價有機殘基）。 更具體而言，可列舉如：可經選自碳數丨至3之烷基、碳 _數1 S 3之烧氧基、i素原子、苯基及甲苯基所成群組中 之取代基取代的伸聯苯基，較佳為4,4，_伸聯苯基。 接著，就通式〔1〕中的Ari至Ar4加以說明。Arl至 Ar4各自獨立地表示：可具有取代基之碳數6至18之一價 芳香族烴基、可具有取代基之碳數2至18之一價雜環基或 通式〔4〕所不之ϋ卡TI坐基。 碳數6至18之一價芳香族烴基與在Ri至r〗5之一價 鲁有械反基項中所說明者具有相同意義。此外，就可與該等 鍵結的取代基而言，可列舉上述_素原子或上述一價有 殘基。 此外，碳數2至18之一價雜環基與在R〗至R〗5之一 偏有機殘基項中所說明之一價脂肪族雜環基或一價芳香族 箱％基具有相同意義。此外，就可與該等鍵結的取代基而 °可列舉上述S素原子或上述一價有機殘基。 、 本1¾明之通式〔1〕中之Ar1至Ar4之至少1個（較佳 :、 们），更佳為Ar1及Ar2二者為通式〔4〕所示之。卡哇 21 318649 200800891 -價可具有取代基之碳數2至18之 兴=基。就「其餘之A〜」之較佳例而言，可列 :為=、個=個以上，代基取代之碳數6至18(較 咬；細1個1^早％式、多每式或稠合環式芳香族煙基; 個或2似上取代絲代且具有丨至3個作為雜 至，二子、氧原子及/或硫原子之3至8員(較佳為$ :,方香族雜環基。就該等基之取代基而言，可列舉 群組中的取代基：碳數1 i 6之直鏈狀或 ^狀烧基、、經1至6㈣素原子取代之碳數4 =或分枝狀燒基、碳數丨至6之直鏈狀或分枝狀院氧基、 :素原子及亂基。就較佳之芳香族烴基而言，可列舉：苯 ^萘基、惠基、聯苯基等。此外’關於較佳之芳香族雜 衣基，可列舉：吡啶基、呋喃基、噻吩基等。 本發明之通式⑴中之Arl至Αγ4之至少㈠固(較佳 _^2個），更佳為^至Ar2二者為通式〔4〕所示之味哇 二’就通式〔4〕中之心至r22中之「一價有機殘基」而 。可列舉與上述通式〔2〕及〔3〕所說明之r1至厌"之 價有機殘基相同者。就較佳之Rie至R22中之「一價有 j蜮基」而&，可列舉選自下列者所組成群組中之取代基： 反數1至6之直鏈狀或分枝狀烷基、經丨至6個鹵素原子 取代之蛟數1至6之直鏈狀或分枝狀烷基、碳數〗至6之 直6鏈狀或分枝狀烷氧基、及氰基。就通式〔4〕中較佳之 Rl6至R22而言，.可列舉氫原子、鹵素原子或碳數i至6之 318649 22 200800891 直鏈狀或分枝狀烷基，但從製造容易性或成本等方面觀 之，以氫原子較佳。 因此’就本發明之通式〔4〕所示之咔唑基之較佳例而 言’可列舉：上述通式〔7〕所示之咔唑基。 通式〔4〕及〔7〕中，Ar5表示可具有取代基之碳數6 至18之彳貝务香族fe基、或可具有取代基之碳數2至18 之一價芳香族雜環基。 ι在此所明之一價芳香族烴基、一價芳香族雜環基與在 R至R之一價有機殘基項中所說明者具有相同意義。此 卜就可與該等基鍵結的取代基而言，可列舉上述滷素原 子或一價有機殘基。 子、i素原子或一價有機殘基。鹵素原子 與在R1至Ris之一僧右捲焱奚话由％始 義 此外，通式〔4〕中的R16至R22分別獨立地表示氫原 價有機殘基 一價有機殘基項中所說明者具有相同意 、在此通^〔 4〕之3十*基以通式〔7〕所示者為較 土。Ϊ式！/〕之咔唑基係相當於通式〔4〕之咔唑基之R16 至R22為氫原子之情形。當採用此等構造時，不僅分子旦 二容ΓΙΓ等使化合物(材料)昇華而形成薄膜‘ 為合易，此外，由安定性方面來看亦較佳。 或通3二1、〔4〕或通式⑺中之Ar5以採用通式〔8〕 R23 5通式〔n〕之構造為較佳。通式〔8〕中的 、不虱原子、鹵素原子、碳數 、 取代基之碳數6至19+辟— 主3之足基、可具有 彳貝方香族fe基、可具有取代基之 318649 23 200800891 奴數2至5之—價雜環基。就通式〔8〕之R23中之碳數6 之“芳香族烴基、碳數2至5之一償雜環基而言， J :在R至Ri5之一價有機殘基項中所說明之基中，具 有相當之碳數者。此外，可具有之取代基，例如為：上述 之鹵素原子、一價有機殘基。就R23之特佳例而言，可列 舉：氫原子、苯基、聯苯基、甲苯基、二甲苯基、甲基、 乙基、氟原子等。 就本發明之通式〔4〕或通式〔7〕中更佳的Ar5而言， 響可列舉：通式〔8〕中之R23為可具有取代基之魏6至 18之一價芳香族烴基者，以及通式〔10〕及〔11〕之構造。 就通式〔8〕中之R23為可具有取代基之碳數6至18之一 價芳香族烴基者而言，可列舉如：R23為可具有取代基之 苯基。此時，Ar5成為可具有取代基之聯苯基。就較佳之 聯苯基而言，可列舉：上述通式〔9〕所示之4，_經取代或 未經取代之4-聯苯基。 • 本發明之通式〔4〕或通式〔7〕中之Ar5以如通式〔9〕、 〔1〇〕或〔11〕所示之構造為佳的理由列舉如下。 如以下所示之化學構造之比較，一般而言，與未具有 鍵結之二苯基胺基化合物相較，咔唑化合物具有構造較強 固，且熱安定性高之傾向。 318649 24 200800891
隹咔唑化合物中，於氮上尚存之一处 之N-燒基化合物已眾所週知， 鍵-位置配有院！ 一為·鍅钍.兮你班 本毛月之化合物之特徵戈 族基，較佳為如聯苯基或^ ^香知H隹方名 奸甘〇> 又不、基寻較大芳香族基。該等芳考 無基或雜芳香族基可更進一 中可期待能更進—步加大提…性之效果，^ nr 、 乂大美回女定性之效果者為：Ar5传 數…二==者之二3為… 仏方曰無域者為更佳；以及W係通式 L 10〕及〔11〕所示之構造。 A ! 乂上所况明之通式〔1；]之含有咔唑之胺化合物中， ^至ΑΓ中之至少1個係通式〔4〕或通式〔7〕所示之以 矛3位鍵結之㈣基"卡絲的數量可為1至"之任一 者’，以例如Ar!與Αγ2為通式〔7〕所示之十坐基，士3 =Ar各自獨立地為碳數6至18之—㈣香族烴基為較 佳0 在此，所謂碳數6至18之一價芳香族烴基與在厌】至 〜中所說明者具有相同意義，但以例如苯基、甲苯基、 萘基、聯苯基、聯三苯基（terpheny】）為尤佳。 土 318649 25 200800891 以下說明以第3位鍵結之咔唑基的效果。一般而言， 胺基具有作為電子供體（elecir〇n d〇n〇r)之作帛，而咔嗤之 氮原子對於在氮原子上所鍵結之取代基則幾乎不具有供體 $質。此被認為係由於咔唑環具平面性，而且形成體積非 常大的取代基，因此難以與氮原子上之取代基形成平面構 造之故。相反地，以第3位鍵結之味哇m，由於如以下化 學構造所示具有環的平面性，因此對於其苯環部分且有電 子供體性質。 八
面，故咔唑環對於氮 m 原子上之取代基而言 非為電子供體。 氮原子上之取代基 由於可與咔唑環之苯環 形成平面構造，故π卡tr坐 環對於苯環而言為電子 供體。 因此’於本發明之含有十坐之胺化合物中，鍵結於 ％之胺基與㈣環之氮原子雙㈣對於料環 成電子供體，如以下化學構造所示，推測可發揮與伸 一胺構造同等或較大之電子供體效果。 土 318649 26 200800891
基於以上理由，本發明 成離子化電位較小之化合物丨士3有味唾之胺化合物容易形 •高能階之化合物），在製作有=分子之基底狀態位於較 入輸送性較高之化合物。 讀時，可作為電洞注 再者，與讀原子鍵結之㈣環 之味唾環的分子對能較低 $ *位鍵《 晶性變高’故可極有助於在 刀子之…曰曰性變低，^
但是’當使用本㈣t膜時之安定性的提升_ EL - ^ 之3有咔唑之胺化合物作為有;I 之材料時，一般而言，Tg愈高愈好。 上之取代美Α 5 此等高Tg係藉由料之氮原： 之取代基Ar為芳香族基或雜芳香族基始可達成。 之二土：就本發明所使用之以通式⑴所示之含有^ 之化合物加以說明隹者 作為有機電/ 4含料之胺化合杂 士 电咸务光疋件用材料時，以化合物之分子量历 二η 1500以下為佳’ 1300以下為較佳’ 1200以下為更佳 筮铲制二為4寸佳。其理由係考慮到當分子量較大時，藉由 '、、、鍍衣作70件時之蒸鍍性會變差之故。 318649 27 200800891 本發明之化合物之代表例表示於以下表1至表17,但 本發明並非限定於該代表例。 於本說明書中，當標記本發明之通式〔1〕所示之化合 物時，使用表1至表17之各表中左側攔位所記載之化合物 編號。 28 318649 200800891
29 318649 200800891 〔表2〕 化合物 A r 1 Ar 2 Ar3 Ar4 A (11) % % ~o~ (1 2) A -Qt^ ~o~ (13) <y O- ~o~ (14) χχξ ^〇~〇ch, -〇^ <y (1 5) -〇 •<y (16) X) (17) 2 ~o o (1 8) Λ> 4 o ~^y~ (19) i O o -〇 (2 0) o -o <y 30 318649 200800891 〔表3〕 化合物 A r 1 At 2 Ar3 A r 4 A (21) 〇 ~〇 -€K> (22) -〇 -〇 hCH> (2 3) ο -CH> (24) <κ> (25) 〇〇 <y〇 <xy (26) 〇〇 <y〇 <xy {2 7) -〇〇 -oo <xy (28) 飞 <H> (2 9) Λ} δ δ oo (3 0) -oo 31 318649 200800891 〔表4〕
32 318649 200800891 〔表5〕 化合物 Ar 1 Ar 2 A r 3 A r 4 A (4 1) <) -ο <S (4 2) -ο ~Qi ¥ (4 3) ο -ο -ο^ (4 4) A -ο -ο 命 (4 5) ο -ο <xy (46) XXb & -ο οο 33 318649 200800891 〔表6〕 化合物 Ar 1 A r 2 Ar 3 Ar 4 A (4 7) ~Qi 〇~0~" (4 8) Ο (49) -ο όο (5 0) ~ο όο ~ο~ο~ (5 1) ο ΌΟ (5 2) §H<b -ο Ό00 (5 3) §H<b -ο (54) <y〇 -ΟΟ (55) οο όο (56) οο ΌΟ ~〇-〇- (5 7) 5, §H<b 〇〇 34 318649 200800891 〔表7〕 化合物 Ar 1 Ar2 Ar3 Ar 4 A (5 8) ΌΟ Ό3 (59) ^〇~〇Η3 -Q-CH3 (6 0) (6 1) ~〇~cF3 ~0^CF3 <xy (6 2) §H<b -〇^f ^ζ)τψ <y〇- (63) §<b -hQ^cn -〇"cn (64) 如3 (6 5) -o <) (66) o -o ~o~o~ (6 7) -o <) (6 8) -o -o ^D~〇- 35 318649 200800891 〔表8〕 化合物 Ar 1 A r 2 Ar 3 A r 4 A (69) -〇 (TO) ~〇 -〇 ~ο~ο~ (7 1) ~〇 <} (7 2) >3 >3 -〇 -〇 <xy (7 3) >3 ~〇 -〇 (7 4) <) 〇 (7 5) ~Q) ~ο~ο~ (7 6) 〇 -ο ~ΟΌ~ (7 7) 〇 -ο (78) -〇 -ο (7 9) 如3 -Ό ~Οί q^b 36 318649 200800891 〔表9〕 化合物 Ar 1 A r 2 A r 3 Ar4 A (8 0) -ο -ο (8 1) -〇 -ο (8 2) 〇<y (8 3) -Ο -ο <Ρρ- (84) ο (8 5) Ο ο O-^C}·" (8 6) -Ο -ο (8 7) Q ^ Q， ο 37 318649 200800891 〔表 10〕 化合物 Ar 1 Ar 2 Ar 3 Ar 4 A (8 8) 如 Ο O^i ~〇~〇~ (8 9) 〇 (9 0) & (9 1) 〇 όο <^Qr (9 2) 〇 X» <y〇r (9 3) -〇 XXX5 (94) -〇 (9 5) -oo OOr (9 6) 〇〇 00 -〇_hO~ (9 7) οο Ό0 Ό~0~ (9 8) OHO- 38 318649 200800891 〔表 11〕 化合物 At 1 At 2 A r 3 Ar 4 A (9 9) ΌΟ "ΌηΟ~ (10 0) 如 -〇-〇Η3 (10 1) —^-C(CH3)3 ~{^-epHah (102) & ~0^CF3 (10 3) ~0~f ~0^ρ ~0~Ό~ (1 04) Ιέ *^Q~cn ^〇^〇Ν (105) (10 6) ο (10 7) ~o -〇 ~ο~ο^ (10 8) -Ό -ΌΌ^ 39 318649 200800891 〔表 12〕 化合物 A r 1 Ar 2 Ar 3 Ar4 A (10 9) -〇 (110) <) (111) (HChC 〇 -〇 (112) (113) 1¾ -〇 "0^}~ (114) ~〇 -〇 (115) -〇 (1 1 6) h -〇 〇 (1 1 7) -〇 〇 (118) 1¾ -〇 -〇 40 318649 200800891 〔表 13〕 化合物 A r 1 Ar 2 Ar 3 Ar4 A (119) % ~〇 -〇 (12 0) & 〇 〇 (12 1) % -〇 (122) -〇 "O~0- (123) ~〇 \jtQj) (1 24) 〇 {J-〇 (1 25) όο (1 26) ο X» ~〇~〇~ (12 7) 5分 〇 ODD (12 8) 5令 〇 41 318649 200800891 〔表 14〕 化合物 Ar 1 Ar 2 Ar3 Ar4 A (12 9) ^OKD <y〇 (13 0) 5分 <x^ 00 Ό-Ο- (13 1) Ό0 -ηΟμΟ- (13 2) ΟΌ ~Ό"Ό- (13 3) ~〇-〇·" (13 4) ~〇^cH3 ^〇~ch3 -Ό*Ό~ (13 5) --Q^CpHah ηΟηΟ~ (13 6) ~〇"CF3 -〇-〇~ (13 7) ~^hF ~0~f "Ό~Ό~ (13 8〉 ~〇^cn (1 3 9) 5分 *Ό"0~ 42 318649 200800891 .〔表 15〕 化合物 Ar1 Ar2 Ar3 Ar 4 A (14 0) Ο -〇 (14 1) 〇 -〇 ~〇~〇~ (142) 細 ~〇 (143) <) 〇 (144) -〇 -Ώ ~〇-~〇~ (145) (146) ~Qi -〇 ~〇-〇~ (147) ^CH> "Ο -〇 (148) > -〇 -〇 ""0~〇- (14 9) ~0) Ο (15 0) ~〇 43 318649 200800891 〔表 16〕 化合物 Ar1 Ar 2 Ar3 Ar 4 A (15 1) -〇 〇 Ό~0~ (15 2) 〇 〇 <xy (15 3) -〇 <xy (15 4) ~〇 ο οό (15 5) (1 5 6) -〇 -Ό (157) -〇 -ο b-b (1 5 8) -〇 -ο (15 9) ο (1 60) -〇 -ο (16 1) ~〇 -ο 44 318649 200800891 〔表 17〕
A r 3 Ar4 A 、---- Ό Ο CH» '—-——— 命 H»C 本發明之通式〔1〕 方法，可列舉以下所示之含有味峻之胺化合物之製造 代表性之製造方法(惟，二造方法A_至製造方法D作為具 或蛾原子之鹵素原子）。 X表不适自氯原子、漠原子
318649 45 200800891
製造方法A
Ar1
Ar1· Ατ^-ΗΗζ ♦ ΗΝ (反應式A-l)
V
Ar2
Ar2—X + Ar4—NH2
HN
Ar4 (反應式A-2) HN + X-A_
Ar3 (反應式A- 3)
Ar1、 Ar2 N - A，X + HN Ar3 V製造方法B X—A-X + Ar3—NH2
Ar\ 〆 N—A-N J \ A Ar3 Ar4 (反應式A-4)
HN—A一X (反應式B-l) 參 HN-a-X + Ai^-NHa Ar3 HN-A^NH Ar3 Ar4 (反應式B-2 ) HN_A，NH Ar1~X · ArV Ar3 \ . + Ar4 一 Va· -NH a/ Ar4 Ar2—X At1、 Ar2 N- •A-NH + N 一 A- Af3 Ar4 J Ar3 Ar4 (反應式B-3) (反應式B-4) 46 318649 200800891 製造方法c
Ar2 02N-A-X + HN V
Ar2 〇2^—A— N Ar4 (反應式C-l)
Ar2 f Μ Δ M ............ Ar2 ^ A hi U2by A ^ H2N A~N (反應式C-2) Ar4 Ar4
Ar2 / fsl—A—M Ar1—X Ar\ w IJM___ A Ar2 / _u Ρ»2Π MW _ IIN k N Ar4 (反應式C-3)
Ar1、 Ar2 Ai^-X Ai^、 ，Αρ2 HN—A一 N - —► N—A—N Ar4 Ar3' Ar4 製造方法D CH3COX AT4—NHs + 或 ——► Ai^-NHCOCHa (CH3CO)2〇 Af4 Ai^-NHCOCHa + X-A-X · 〆 ——► X-A-N \ COCH3 (反應式C-4) (反應式D-l) (反應式D-2)
Ar4 Ar^ Ar1、 X-A-N + NH -► N-A-NH COCH3 Ar3 a (反應式D-3)
Ar2-X N-A-NH - Ar3’ Ar4
Ar\ Ar2
(反應式D-4)
N
47 318649 200800891 於上述所示之製造方法中，反應式A-l、A-2、Α·3、 Α-4、Β·1、Β_2、Β_3、Β-4、C-l、C-3、C_4、D-l、D_2、 D-3、D-4之反應，為一般被稱為烏耳曼反應（Ullmann reaction)之用以合成二級及三級胺化合物的反應，例如可 使用在硝基苯等高沸點溶媒中，1〇〇至18〇°C左右的溫度 下，於銅粉及無水碳酸鉀等鹼之存在下進行反應之記載於 曰本專利特開平7-126226等中之業界周知的方法。此外， 亦已知一種在鹼存在下，使用鈀化合物與磷化合物作為觸 H媒，來取代銅粉與鹼的方法，此時，可使用三氟曱基磺酸 酯（triflate)或磺酸酯來取代上述反應式中Arl-X、Ar2-X、 Χ- Α-Χ等所表示之鹵素化合物。該等方法可使用記載於如 下文獻之業界周知的方法：曰本特開平10-81667 ;曰本特 開平 10-139742 ;日本特開平 10-310561 ; John F· Hartwig 著，Angew· Chem· Int· Ed·，37 卷，2046 至 2067 頁（1998 年）；Bryant H. Yang，Stephen L Buchwald 著，J· Organomet· • Chem·，576 卷，125 至 146 頁（1999 年）；John P. Wolfe， Stephen L Buchwald 著，J· Org. Chem.，65 卷，1144 至 1157 頁(2000 年）；John P. Wolfe，Stephen L Buchwald 著，J· Org· Chem·，62 卷，1264 至 1267 頁（1997 年）；Janis Louie， Michael S· Driver，Blake C· Hamann，John F· Hartwig 著， J· Org· Chem.，62 卷，1268 至 1273 頁（1997 年)等。以其 他製造方法而言，亦可使用例如日本特開昭63-35548、日 本特開平6-100503、曰本特表2001-515879、曰本再公表 專利W02002/076922號所記載的方法。 48 318649 200800891 上述所示之製造方法中，當Ar1與Ar2、Ar3與Ar4為 相同之基時，反應式A-3與反應式A-4、反應式B-1與反 應式B-2、反應式B-3與反應式B-4可以一階段（One-Pot) 製造。此時亦可使用上述所示之業界周知的方法製造。 此外，製造方法C中之反應式C-2的反應係自以往以 來已為眾所週知之硝基的還原反應，藉由在酸性條件下鋅 或氯化錫（II)所催化的還原、藉由鈀黑或雷氏鎳（Raney nickel)等觸媒存在下氫化所進行的還原、使用氫化鋁鋰等 善還原劑的還原，而可由硝基化合物收率良好地獲得相當之 胺化合物。該還原反應可使用記載於如下文獻之業界周知 的方法：Calvin A. Buehler、Donald E. Peason 共著、 SURVEY OF ORGANIC SYNTHESIS，413 至 417 頁； Wiley-Interscience(1970年），曰本化學會編；新實驗化學 講座14，1333至1335頁，丸善（1978年）等。 此外，上述製造方法中Ar^X或Ar2_X所示之3-鹵-9_ φ芳基咔唑衍生物，例如可使用工業化學雜誌，70卷，63 頁（1967年）所記載之方法等予以合成。 其中，通式〔12〕所示之咔唑衍生物可適用於作為製 造本發明之含有咔唑之胺化合物用的原料。尤其，使用通 式〔12〕的Ar5為1-萘基或2-萘基，R16至R22為氫原子， X為選自氯原子、溴原子或碘原子中之鹵素原子的咔唑衍 生物所製造之本發明之含有咔唑之胺化合物可適用在以下 所示之各種用途。 本發明之通式〔1〕所示之含有味嗤之胺化合物可用於 49 318649 200800891 t種用途。可作為用以呈現增感效果、.發熱效果、發色效 k色放果、蓄光效果、相變化效果、光電變換效果、 =果:觸媒效果、光調變效果、光記錄效果丄 二效果4χ力能的材料而制，或相反地可作為接受該 專效果而具有發光功能的材料而使用。更具體而言，列舉
Ln、光電變換材料、光記錄材料、成像材料、 才枓、有機EL材料、光導電材料、雙色性材料、自 土產生材料、酸產生材料、驗產生、^ ^ ^ ^ ^ 枓、感先材料、光吸收性材料' 近紅外線吸收性材料、光 化學燒孔性（ph()t()ehemieal h()le burning)材料、光敏 =標ί用材料、光化學治療用增感材料、光相變化記 錄材料、光燒結記錄㈣、光磁記騎料、絲力學療法 (photodynamic therapy)用色素等。 上述所列舉的各種料之巾，以作為有機el材料（有 _機EL用材料、有機EL元件用材料）使用尤佳。 當使用作為有機EL元件用材料使用等時，尤其要长 高純度材料，在這種情形下，本發明之含有味唾之胺化合 物可進订汁華精製法或再結晶法、再沈殿法、區域溶融法 (zone-memng method)、管柱精製法、吸附法等，或者組合 上述方法來進行。在該等精製法之中，以藉由再結晶法二 產生者為佳。於具昇華性的化合物中，以藉由昇華精H 所產生者為佳。於昇華精製中，較佳採用將昇華舟維持在 低於目的化合物之昇華溫度的溫度，以預先去除會昇華之 318649 50 200800891 f質的方法。此外，最好在採集昇華物之部分施予溫度梯 X (tempem· gradient)，以使昇華物分成雜質部分盥目的 物部分。如上所述之昇華精製係分離雜質的精製法了其可 ::::明。此外，藉由進行昇華精製，有助於預測材 料瘵鍍性的難易度。 在此，詳細說明可使用本發明之含有咔唑 所製成的有機EL元件。 口 有機EL元件係由在陽極及陰極 :r在:r所構成，但在此所謂的-層== 曰在〜極及陰極之間僅由發光層構成的元件。另一方 面，所謂多層型有機EL元件係指除了發光層 =洞或電子容㈣注人發光層或者使 同 利:;結合，電洞注入層、心層電: 阻止層、電子注入層等加以積層 /电刀 EL元件之具代表性 而丄# 層型有機 積層而成的元件構成：⑴陽夕層構成 極、（2)陽搞/币、门、 /电洞注入層/發光層/陰 nm, 电 入層/電洞輪送層/發光声/降榀 (3)%極/電洞注人層/發光 /日/陰極、 陽極/電洞注入層/電洞輸送層々子光^層^陰極、⑷ 陰極、(5)陽極/電洞注 ：先J電子注入層/ 注入層/陰極、⑹_乂 先層/電洞阻止層/電子 層/電词阻…注入層/電洞輪送層/發光 電洞阻止層/電子注 〆陰極、⑺陽極/發光層/ 注入層/陰極等。e陰極、（8)陽極/發光層/電子 318649 51 200800891 此外，上述各有 成，亦可反覆積層若干層。以此等例而構成形 一種以提升光取出效率為目的，而 1 “已提出 元件的一部分層予以多層化之= ^77hotonemission)j ° ^ =陽極/電洞輸送層/電子輪送層/發光層/電子： 電荷產生層，發光單元/陰極所構成的有機虹元 =。’將電荷產生層與發光單元的部分予以積層複數層的 含有料之胺化合物（有機電激^元^ :::送:、:光層。此外，本發明之有= 用材料，除了當然可以單—的化合 ^件 2種以上的化合物，亦即予^^人物=之外，亦可組合 用。再者，於上述電祠注入層：二：制等而使 亦可與其他材料共同使用。曰㈣輪运層、發光層中’ 入效ί電IT層中，採用對於發光層顯示優異的電洞注 皆佳之電= ^ 積声多声 層的電洞注入材料。此外’當使此等材料 二： 使電洞注入效果高的材料鱼電洞輸逆兮杲* 的材料積層多層時，有 电刃輪达效果商 入材料、電洞輸送材料太义材料分別稱為電洞注 料亦可適用於電洞、/ 明之有機電激發光元件用材 等電洞注入材料或二入料、電洞輸送材料之任-者。該 〃、S毛洞輸送材料的電洞移動度大，離子化 318649 52 200800891 =量:般必須較小，為5.5eV以下。以此等電洞注入層而 :為以較低的電場強度將電洞輸送至發光層的材 =二者，電洞移動度在施加例如1〇4至1〇6v/cm的 =’係^少HTW/V·秒為佳。亦可與本發明 機電激發光元株爾士士斗立、曰人 及電洞H 至於其他電洞注入材料 厂雨迗才料，只要是具有上述較佳性質者，即盔特別 ::以往光傳導材料中慣用作為電洞之電荷輸送j 意ί擇=於有機EL元件之電润注入層之周知者之中任 上述電洞注入材料或電洞輸送材料，具體而言，可列 二)二=生物(參照美國專利第3，112，197號說明書 等）、何生物(參照美國專利f 3，189,447號說明書 等）、个芳^广生物（餐照日本專利特公昭37·16096號公報 專^ 物（參照美國專利第3,615，術號說明 曰杲國專利弟3,820,989号卢爷昍查¥ π由 號說明書、日本專利特公直542’544 昭#“報、日本專利特公 日本專利特開;^ %本專利特開昭51·簡4號公報、 56 4148 ,八^ σ 7105號公報、日本專利特開昭 專利特55__號公報、曰本 =等)、，衍 利第3，180,729萝鳍aa舍、， 〜V，…、秀國專 查、日本真靜 錢專利第4,278,746號說明 Μ-娜5號公報、日本真靜#“報、日本專利特開昭 本專利特開昭49-105537號公報、曰 318649 53 200800891 本專利特開日S 55_5娜號公報、日本專利㈣昭56·80051 唬公報、曰本專利特開昭56-88141 f虎公報、曰本專利 日口 57-45545號公報、日本專利特開日召54-112637號公報、 (日夫開昭Μ4546號公報等）、伸苯基二胺衍生物 錢吳科利第3,615,4G4號說明書、日本專利 51_⑻仍號公報、日本專利特公昭46_3712號公報、日^ 專利特開昭47·25336號公報、日本專利特公昭54_53435 號公報、日本專利特公昭54_11〇536號公報、日本專利特 =54·119925號公報等）、芳基胺街生物（參國 弟3,567,45G號說明書、美國專利第3,⑽，如號說明t利 =^利第3’24G，597號說明書 '美國專利第3姻，52〇曰號 :月曰、關專利第咖，廳號說明書、美國專利第 '75,96i號說明書、美國專利第4,〇12,376號說明書、日 專利特公昭49_35702號公報、日本專利特公昭39_27577 =公報、日本專利特開昭55_14伽號公報、 扣⑹]9132號公報、日本專利特開昭56_22437 = 報、西德專利第號說明書等）、經胺基取代之杳 爾即苯基苯乙烯酮’ chaIc〇ne)(參照美 ，26,501 Λ說明書等）、_衍生物（揭示於美國專利ΐ ’ =7’203號5兄明書等）、苯乙稀基蒽衍生物（參照 ^ 56-46234 ^^ Ί 54，11G837 公報#)、腙衍生物（參照美國專利第 3^462號說明書、日本專利特開昭54_59143號 日本專利特開日召55-52063號公報、日本專利特開昭 318649 54 200800891 號公報、日本專利制昭55 專利特開昭糾5495號公報、曰本專利特、曰本 唬公報、日本專利特開昭57-148749號公報、:直11350 開平2-3U591號公報等）、 曰本專利特 特開昭6^0363 f卢八j —本乙却何生物（參照日本專利 公報、曰本專利特== ㈣则公報、日本專利特寺開昭 專利特開昭62-36674號公 γ報、日本 號公報、曰本專利特開昭 9 ^, ί ##，J#0S 60-94462 ^ d 〇.n 荨）夕氮烷衍生物（參照美國專利鏡 號說明書)、聚錢（日本專利特開平 ^ A報）、本胺系共聚物（日本專利特開平2_2奶卢八 T二f於曰本專利特開平1·2_虎公報的導電： 刀子低來物（尤指噻吩低聚物）等。 電洞注入材料或電洞輪送材料可使用上述者，但亦 1 吏用二化合物（曰本專利特開日召63-2956965號公報）、 芳香族第三級胺化合物及苯乙婦基释化合物（美利第 七取化號說明書、日本專利特開昭53指33號公^ 日本專利特開昭54_58445號公報、曰本專利特開昭 54- 149634號公報、日本專利特開昭⑽侧號公報、 本專利特開昭55-7945〇號公報、曰本專利特開昭 55- 14425G號公報、日本專利特開昭56·ιΐ9ΐ32號公報、日 318649 55 200800891 本專利特開昭61·295558號公報、日本專利特開昭6i_98353 號公報、曰本專利特開昭63_295695號公報等）。可列舉如. 記載於美國專利第5,061，569號之在分子内具有2個二若 香族環的4,4,4(N-(1-萘基)_N_苯基胺基)聯苯等、記载於日 ，專利特開平4-308688號公報之將三苯胺單元3個連結成 星爆型（starWst)的4,4，，4，，-參(Ν·(3_曱基苯基）_N_苯基=基 ”。此外，就電洞注入材料而言，可列舉如：鋼‘ 青或氫酞菁等酞菁衍生物。再者，其他如芳香族二亞甲美系 •化合物、ρ型Si、MSiC等無機化合物亦可使用作為^洞 注入材料或電洞輸送材料的材料。 就芳香族三級胺衍生物的之具體例而言，可列舉如. N，N’·二苯基·Ν，Ν’_(3_τ基苯基聯苯基二胺、 N，N，N’，N，-(4-甲基苯基）_U，·苯基 _4,4，_’ 二胺、 N，N，N’，N’-(4-甲基苯基）_U，_聯苯基_4,4，_二胺、n，n，-二苯 基·Ν，Ν，-二萘基_U，聯苯基_4,4，_二胺、n，n^甲I苯 鲁^七以’-^正丁基苯基卜菲义⑺-二胺^算貳⑷二^甲 苯基胺基苯基）-4-苯基-環己烷、ν,Ν，-貳（4，-二苯基胺基_4_ 聯苯基）-Ν，Ν，-二苯基聯苯胺、N，N，_^ (4，_二苯基胺基·4_ 苯基）-N，N -二苯基聯苯胺、n，N’-貳（4，-二苯基胺基·4_苯 基）-N，N’c(l-萘基）聯苯胺、N，n，^(4，_苯基（1_蔡基）胺基 •4-苯基）-N，N’-二苯基聯苯胺、N_N，-貳（4，_苯基（1_萘基）胺 基-4-苯基）-N，N’-二（1·萘基）聯苯胺等，該等亦可使用於電 洞注入材料、電洞輸送材料中之任一者。 與本發明之化合物（有機EL元件用材料）一起使用之 318649 56 200800891 至 龟洞庄入材料、電洞輸送材料可使用如下述通式〔1 4 〔19〕所示者：
[14] (式中，nRal4各自獨立地表示氫原子、烧氧基或 氰基，惟不會全部同時為氫原子）。 "在此’以烷氧基而言’可列舉如：T氧基、乙氧基、 :氧基、丁氧基、第三丁氧基、辛氧基、第三辛氧基： 宿基氧基、2·㈣基氧基、卜金㈣基氧基等碳數工_ 之^基。尤其以RM1至㈣之較佳組合而言，以" 至R全部為甲氧基、乙氧基或氛基之情形為佳。
Ra23—μ /
Ra24 N一R&25 [15] •(式中，Z21為連結基，矣—σ , 基表不早鍵、二價脂肪族 -“香族烴基、氧原子、硫原子之任一者；”丨基、 各自獨立地表示一價芳香族烴基）。 至 318649 57 200800891 z之連結基以單鍵、伸乙烯基、鄰伸苯基、間伸笨基、 對=本基、1，4·伸萘基、2,6_伸萘基、9，1〇_伸菲基、9,… 伸恩基為佳，又以單鍵、伸乙歸基、對伸苯基、认伸萃 基為更佳。此外，R⑵至Ra26以選自苯基、ι蔡基、 基、鄰聯苯基、間聯苯基及對聯苯.基中的一價芳香族煙^ 為佳。 土
Ra34
Ra36 Ra3l
Ra33—
Ra32——N
[16] [式中，z31為連結基’表示單鍵、二價脂肪族、 4貝方香族烴基、氣斥早、六店2 二土 曰 土乳原子、硫原子之任一者；r叫至y36 〇自獨立地表示一價芳香族烴基）。 Z31之連絲以單鍵、伸乙烯基、 對伸苯基、α伸蔡基、认伸萘基、9，]伸本基、 :萬基為佳，又以單鍵、伸乙稀基、對伸苯基基二 基為更佳。此外，RU1至Ra36以選自苯基、丄，申奈 基、鄰聯苯基、間聯苯基及$基、2-萘 佳。對％本基的一價芳香埃煙基為 318649 58 [17] 200800891
(式中’ Ra41至R 各自獨立地表示一價芳香族煙基） Ra41至Ra48以選自苯基、1-萘基、2-萘基、鄰聯苯基 間聯笨基及對聯苯基的一價芳香族烴基為佳。
Ra53—N
Ra54
U ga5S ^355 [18] (式中，Ra51至Ra56各自獨立地表示一價芳香族烴基） R至R以選自苯基、1_萘基、2-萘基、鄰聯苯基 間聯苯基及對聯苯基的一價芳香族烴基
59 318649 200800891 (式中’ R i 各自獨立地表示 P表示1至4之整數）。 1貝方香知烴基， ㈣至㈣以選自苯基、萘基 間聯苯基及對聯苯基的一價芳香族煙基為^。、邮聯苯基、 以上所述之通式〔14〕至〔i 土 於作為電洞注入材料。較佳例其適用 「<表18至表21中。 本說明書中，當標記本發明之通式〔14〕至〔19〕 所7F化合物時，使用表18至表
载之化合物編號。 4 21之各表中左侧攔位所記
318649 60 200800891 〔表 18〕 化合物 化學構造 fflMl p Q 〇仁加 ^ 0 HIM2 _ p Q 〇-\ d* 册 b . HIM3 _ G Q _ HIM4 ^ P Q ^ 〇-\ /-〇 h d 61 318649 200800891 〔表 19〕
fflM5 Q _ ^ P HIM6 O-v Q ^ ^ Ο <y^ "/： A~ ^ fflM7 ύ b HIM8 o-P Q ^ ^ p ' 〇 b HIM9 q^i cR^ %N<K>& 62 318649 200800891 〔表 20〕 HIM10 HIMll .Ο-κ HIM12 ^ Ο-Q ^ Ολ： Q ^ ^ Ο .、—/、—/ HIM13 〇-Ρ Q • §^b ，. 1 HIM14 Q-P 〇 Ο ύ b - 63 318649 200800891 〔表 21〕
28所示之周知之化合物。 於本說明書中，當標記表22至表28之化合物時，使 修用表22至表28之各表中左侧攔位所記載之化合物編號。 64 318649 200800891 〔表 22〕
65 318649 200800891 〔表 23〕 HTM5 Q ^ P HTM6 HTM7 (yP Q 0 .q p d^xib HTM8 气 % \含 dWg 66 318649 200800891 〔表 24〕 HTM9 _ Ο Q ^ OK： 0 0 Q ^ ^ P ύ 5 HTM10 O Q 0 5 0 U d^b . HTM11 ^ Ο Q ^ Q P n HTM12 Q _ _ Ο Ln^O*0^n)Z d ^ 67 318649 200800891 〔表 25〕
HTM13 Q Q O-O-v HTM14 ^ 0 HTM15 o-P ^ b d q ^ ^ Qr^ "A ° HTM16 ^ 〇Ρ ύ 6 ό b ύ ο 68 318649 200800891 〔表 26〕
69 318649 200800891 〔表 27〕
70 318649 200800891 〔表 28〕 HTM25 % Q P HTM26 _ Q Q ^ 8"b Q 0 ·. HTM27 ryP °v Q p HTM28 O Q _. 8¾ 0"8 Q 0
為了形成該電洞注入層，將上述化合物藉由例如真空 蒸鍍法、旋塗法、澆鑄法、LB(Langnuiir-Blodgett)法等周 71 318649 200800891 知的方法予以薄膜化 恭书 呼膜化电洞 >主入層之膜厚雖未特別限制， 但一般為5nm至5私m。 、另一#面，於電子注入層中採用對於發光層顯示優良 之電子注人效果’而且可形成與陰極界面之密接性及薄膜 形成ΙΉ土之电子注入層的電子注入材料。關於該等電子注 入材料之例’可列舉金屬錯合物類化合物、含氮五員環衍 生物、第_衍生物、蒽醒二甲烧衍生物、聯苯酉昆街生物、 硫代吼哇二‘氧化物（thk)pyrandk)xide)衍生物、花四幾酸衍 生物亞第基甲燒衍生物、惹酉同衍生物、石夕雜環戊二稀 (silole)何生物、三芳基膦氧化物衍生物、乙酸丙嗣約、乙 酸鈉等。此外，將鉋等金屬摻雜在4,7_二苯基_u〇•啡淋 ybathophenanthroline)之無機/有機複合材料（高分子學會 淪文集’第50卷，4號，660頁，2〇〇1年發行）或第刈屆 應用物理學關連連合演講會演講論文集，N〇3, 14〇2頁， 3年發行記載之Bcp、τρρ、了蕭瓜等，亦被列舉作 鲁為電子注人材料之例；•淮只要是可形成元件製作所需之薄 膜，而由陰極注入電子，且可輸送電子之材料，並非特別 限定於上述者。 二就上述電子注入材料中特別具有效果的電子注子材料 而言^列舉：金屬錯合物類化合物、含氮五員環衍生物、 石夕雜環戍二烯（sil〇le)衍生物、三芳基膦氧化物衍生物。本 表月中可使用之杈佳金屬錯合物類化合物係以8_羥基喹啉 或其衍生物之金屬錯合物為較佳。關於、羥基喹啉或^衍 生物之金屬錯合物的具體例，可列舉··參（8_羥基喹啉）鋁、 318649 72 200800891 參（2-曱基_8-羥基喹琳）鋁、參（4-曱基-8-羥基喹琳）鋁、表（5 曱基-8-經基啥淋）銘、參（5-苯基-8-經基啥琳）銘、戴 基喹啉）（1-萘酚）鋁、貳（8_羥基喹啉）(2-萘酚）鋁、貳（8_趣美 喹啉）（酚）鋁、貳（8-羥基喹啉）(4-氰基-1_萘酚）鋁、貳（4、甲 基-8-羥基喹啉）（1_萘酚）鋁、貳（5-曱基-8_羥基喹啉）(2_蔡紛) 銘、家（5-苯基-8-經基啥琳）（齡)铭、家（5-氰基-8-經基_ 淋）(4-氰基-1-萘驗）紹、家（8-經基啥嘛）氯銘、戴(8-經基洛 啉）（鄰曱酚）鋁等鋁錯合物類化合物；參（8-羥基喹啉）録、 馨參（2_曱基-8-經基啥琳)鎵、參（4-曱基-8-經基啥琳）鎵、參（5 曱基_8_羥基喹啉）鎵、參（2-曱基-5-苯基-8-羥基喹淋）鎵、 貳（2-曱基_8_羥基喹啉）（1-萘酚）鎵、貳（2-甲基_8_羥基啥 啉）(2-萘酚）鎵、貳（2-曱基-8-羥基喹啉）（酚）鎵、貳（2_甲基 -8-羥基喹啉）(4-氰基-1_萘酚）鎵、貳（2,4-二曱基-8-羥基喹 琳）（1-奈盼）鎵、篆（2,5-二曱基-8-經基啥琳）(2-萘驗）鎵、寒 (2-曱基-5-苯基-8-羥基喹琳）（酚）鎵、貳（2-曱基-5-氰基_8_ 鲁羥基喹啉）(4-氰基小萘酚）鎵、貳（2-曱基冬羥基喹啉）氯 鎵、貳（2-曱基-8-羥基喹啉）（鄰曱酚）鎵等鎵錯合物類化合 物；除此之外，另有8-經基嘻琳鋰、武經基喧琳）銅、 貳（8-羥基喹啉）錳、貳（10-羥基苯并[h]喧啉）鈹、貳（8-羥基 喹啉）鋅、貳（10-羥基笨并[h]喹啉）鋅等金屬錯合物類化合 物。 此外，本發明中可使用之電子注子材料中，較佳之含 氮五員環衍生物例如為：噚唑衍生物、嗟唑衍生物、曙二 唾衍生物、噻二唑衍生物、三唑衍生物，具體而言如：2,5- 73 318649 200800891 貳（1-苯基）-1，3,4;唑、2,5_€(1苯基 M，3,4_嗟唑、2,5_ 戴 (1-本基）-1，3 4曙二 π坐、2W 镜一 丁甘# # 、 2(4_弟二丁基苯基）-5·(4，，-聯苯 基 Η，3,4·% 二唑、2,5_ 戴（1·萘基)-1，3,4_ 噚二唑、！ 4 武 [一2-(5-苯«二錢)]苯、Μ.私苯謂二唾旬冰第 -丁基苯]、2_(4 ·第：丁基苯基)_5_(4，，_聯苯基)_〗，3，心嗟二 唾、=，5·寒（1_萘基).⑻“塞二哇、以却_(5•苯基喧二峻 基)]苯2-(4 -第二丁基苯基)_5_(4，，_聯苯基)_υ，4_三唾、 2,5-家（1•萘基H，3,4•三苯基三唾基)]苯等。 此外本| g月中可使用之電子注子材料巾，特佳之嗜 二唾衍生物可表示為以下通式〔2()〕所示之曙二唾衍生物： [20】
N-N (式中’ Ar及Arr2各自獨立地表示可具有取代基之一 價芳香族烴基或一價含氮芳香族雜環基）。 就通式〔20〕中之一價含氮芳香族雜環基而言，可列 _舉i2_吼啶基、3-吼啶基、4·吡啶基、3-嗒啡基、4-嗒畊基、 2’咬基、4♦定基、5_射基、2•吼哄基、卜咪唾基等一 價含氮單環芳香族雜環基；2•噎琳基、3_啥嘛基、4_啥琳 基、5-啥啉基、6_啥淋基、7_噎啉基、8_啥啉基、2_喧唑啉 基、4+圭琳基、5+㈣基、2_啥㈣基、5_料琳基、 6-啥嘆#基、ΐ·β|π朵基、9_味唾基等—價含氮稠合環芳香 奴雜壤基，2,2’-聯吼咬_3_基、2,2，-聯吼咬_4_基、3,3Μ|ρπ比 基、3,3，-聯t定·4_基、4_4，_聯吡0定_2_基、4_4，_聯吡 °疋_3-基等-價含氮聯環芳香族雜環基，·此外，該等一價含 318649 74 200800891 氮芳香族雜環基上之 香族烴基取代。 氫原子可經一價脂翁族烴基 或一價芳 以Ar!及Ar2而言 此外 如為可經一價脂 口 乂土 價芳香族烴基例 之下列基團=Γ2ί:價含氮芳香族雜環基所取代 聯苯基；此外，較佳之鄰聯本基、間聯苯基及對 經-價脂肪族煙基或氮”族雜環基可列舉如可 吼咬基、3+定基、“二日純基取代之下列基團：2-聯咄啶-4-基。’/ σ疋基、2,2’·聯吡啶·3-基及2,2，_ 表示本發明中可使用之噚二唑衍 以下在表29至表32 生物之具體例。 於本說明書中，當標 物時，使用表29至表32 物編號。 記本發明中可使用之噚二唑衍生 之各表中左侧攔位所記載之化合
318649 75 200800891 〔表 29〕
化合物 化學構造 EX1 EX2 Q P EX3 Q Ο N-N EX4 P(CH3)3 ^ Q 0 x==/ N-N 76 318649 200800891〔表 30〕 EX5
εχβ
ΕΧ7
ΕΧ8
Ν-Ν ΕΧ9
Ν-Ν 77 318649 200800891 〔表 31〕
EX10 Q Q EX11 P' Q EX12 q p EX13 o p EX14 Q P 78 318649 200800891 〔表 32〕
此外，本發明中可使用之電子注入材料中，尤佳之三 唑衍生物例如為以下通式〔21〕所示之三唑衍生物。
Ar13
N-N
[21] (式中，Aru至Art3各自獨立地表示可具有取代基之一 價芳香族烴基或一價含氮芳香族雜環基）。 在此，作為AP及Art2中之較佳一價芳香族 為可經-價脂肪族烴基或一價含氮芳香族雜環基二之下 列基團：苯基、卜萘基、2_萘基、鄰聯苯基、間聯^下 對聯苯基；而較佳之—價含氮芳香族 〜土及 價脂肪族烴基或一價芳香族烴基取代之下：美’:可經-基、3·吡啶基、4-吡啶基、2 2, F 土 . 吡啶 2,2_#^定_3_基及2,2、聯呢咬 318649 79 200800891 L4^料，-作為Art3之較佳—價芳香族烴基例如為可經 團二價含4芳香族雜環基取代之;列基 聯苯基Γ而較::二t基:鄰聯苯基、間聯苯基以及對 HkA 4 “含氮方香族雜環基例如為可經一價 月日肪敎煙基或一僧矣夫 、 ., 彳貝方香族烴基取代之下列基團·· 2-吼唆 基、3-吡啶基及4_吡啶基。 疋 以下將本發明中可倍用一 33至表37。 使用之二唑竹生物之具體例示於表 於本說明書中，卷辨々I 〇 時，使用表33至表= t明中可使用之三唾衍生物 編號。 各表中左侧攔位所記載之化合物 318649 80 200800891 〔表 33〕 化合物 化學構造 ET1 ET2 Q , Ρ ET3 1 Q Ο ET4 P(CH3)3 Q . 0 81 318649 200800891 〔表 34〕
ET5 .Q . Ο ET6 Q . P 6 飞 ET7 Q Λ Ο Q O ET8 Q ^ Q 〇-ΐ-Γ〇 . ;· · e * ET9 Q ^ Q -〇^N>-〇 x==/ N-N t 82 318649 200800891 〔表 35〕
ET10 Q ^ Q ET11 Ο Q x==/ N-N x==/ N-N ET12 ET13 Q . , P .av：rai^ ET14 Q. ^^ JR 83 318649 200800891 〔表 36〕
ET15 oph ET16 Q , , jP \J ET17 Q Q ET18 ET19 p q 84 318649 200800891 〔表 37〕
本％戊一烯（sll〇le)衍生物例如為以下通式〔〕所示之 雜環戊二浠衍生物。
、sr W [22]
R〆V (式中11及Rp2各自獨立地表示可具有取代美之 價脂肪族烴基、一價苦悉一贫+ 啕取代基之一 A6 A P3夂 基或一價含氮芳香族雜環基; 族煙基立地表示可具有取代基之—價芳香 土次 <貝3虱方香族雜環基。RpI、RP2、ΔρΡΐ s A d2
ArP^^2 經二、二之一價脂肪族烴㈣^ 團，、乙=:=芳:::環^^^ 如為可經-價脂肪族煙基或—價=芳香族烴基例 芳香族二苯基Γ對聯苯基；較佳之-價含氮 為可經一價脂肪族埋基或-價芳香族經 318649 85 200800891 =之下列基團〜基、3，定基、— 二作為Α〜ΓΡ3之較佳-價芳香族烴基例如為可經一 代之下列基團： 本:、基、2·奈基、_苯基、間聯苯基及對聯苯A. ΓΓ::!含氮芳香族雜環基例如為可經-價脂肪心 ^一 u曰族烴基取代之下縣團：絲、定 基、4+定基、2_2，·聯吡咬·3·基及2,2，_聯吡唆_4_基。 以下將本發明中可使用之三唾衍生物之具土 38至表42。 孓表 於本况明書中’當標記本發明中可使用之@雜 一 浠衍生物時，使用表38至表42之各表中左側攔位：：; 之化合物編號。 π11己载 _ 318649 86 200800891 〔表 38〕 化合物 化學構造 ESI GO H3C CH3 ES2 QQPP ES3 op op £S4 · 87 318649 200800891 〔表 39〕
ES5 W H3C 'CH3 ES6 Ο Ο ES7 GO ES8 QOpp 0D ES9 q-p \=/ \=/ /Si、 v_y _(/ OD 88 318649 200800891 〔表 40〕 ES10 op 撒 ES11 w 0D • . * ES12 qp 0D ES13 GO o-^fo QQQQ £S14 89 318649 200800891 〔表 41〕
ES15 GO <y<^^y〇 ES16 0¾¾ WO QQ GO ES17 1暫 ES18 GO ^ h=&o H ES19 Q^O Q^CH^O 90 200800891 〔表 42〕
此外，本發明中可使用之電子注入材料中，尤佳之矽 雜環戊二烯（silole)衍生物例如為以下所示之石夕雜環戊二 _烯衍生物。
91 318649 200800891
伞I啊甲g便用
^ >…丄八珂料中，尤佳之j 方基膦氧化㈣生物❹為：日本專利㈣9⑴ 么報、曰本專利特開2〇〇‘95221 ' 號公報、 ςΑ、3本專利射 記載之輪物==2()G4_2Q414()號公^ 芳基膦氧化物衍生物。物切下通式〔23〕所示之三 318649 [23] 200800891
Ar^1 个， 0=P—Ar^2 Ar^3 (式中，M至W各自獨立地表示可 價芳香族烴基）。 ％代基之一 j此，作為ΑΘ1至ΑΘ3之較佳_價芳香族烴基例如為 可、左-價㈣族烴基或―價含以㈣雜環基所取代 列基團··苯基、1-萘基、2-萘基、鄰萨笼 對聯苯基。 …基、間聯苯基及 以下將本㈣中可使用之三芳基膦氧化物 示於表43至表47中。.巧又，、體例 於本說㈣巾，#標記本發明巾可使用之 衍生物時，使絲43至表47之各表中左側攔== 化合物編號。 戟< 318649 93 200800891〔表 43〕
化合物 * 化學構造 EP1 0〇 0=T"w ό 〇Q EP2 EPS 6 EP4 Om3 °±<>o ό 94 318649 200800891 〔表 44〕
95 318649 200800891〔表 45〕
ΕΡΙΟ (¾¾ ΕΡ11 8^8 EP12 9 .命 EP13 EP14 0 购 96 318649 200800891 〔表 46〕
97 318649 200800891〔表 47〕
EP20 EP21 0 EP22 ό EP23 Op ，确 EP24 〇2^0° ' ό 98 318649 200800891 較佳之三芳基膦氧化物衍生物例如為以下所示之三芳 基膦氧化物衍生物。
99 318649 200800891
再者，對於電洞阻止層，採用可防止經由發光層之電 洞到達電子注入層，且形成薄膜形成性佳之層的電二阻= 材料。關於此等電洞阻止材料之例，可列舉如：貳&羥基 ㈣）(4-苯基龄）錯等銘錯合物化合物；或其二 喹啉)(4-苯基酚)鎵等鎵錯合物類化合物；”二；二土 = 含氮稠合芳相化：^… 能者=之有機^件的發光層，I併具有以下功 318649 100 200800891 ，注二施加電場時，可由陽極或電洞注入層注入 电洞，且可由陰極或電子注入層注入電子之 "月匕， 輸送功能：以㈣的力使所μ之f#( 移動的功能； /、电/丨U 發光!相光=能與提供電子與電簡結合的場域’且使其 '惟’電洞之易注人性及電子之^人性可為不同，而 且以电，同與電子的移動度表示的輸送能亦可有大有小，以 移動任一方之電荷為佳。 有機EL元件的發光材料主要為有機化合物，且體而 言係依所希望的色調，使用如下之化合物。 、例如，當由紫外區獲得紫色發光時，最好使用以下通 式〔24〕所不之化合物。
Of [24] (式中，XI表示以下通式〔25〕所示之基，X2表示苯 基、1-萘基、2_萘基之任一者）。
[25] (式中，m表示2至5之整數）。 #該通式〔24〕中以Χι、χ2所示之苯基、卜茶基、2· 不基伸苯基亦可經單數或複數之碳數丨至4之燒基、碳 數1至4之烧氧基、經基、俩基、幾基、胺基、二甲基 胺基或二苯基絲等取代絲代。此外，料取代基有複 101 318649 200800891 數個時’亦可使其相互踺結 :笨基係《對位彼此鍵結者’因二性:者’X】 戶斤示之 易形成 示之化 :滑的蒸鑛膜’故較為理想。以上述通式 。物的具體例如下所示（惟，！^表示苯基）。
102 318649 200800891
該等化合物中，尤以對聯四苯（p-quaterphenyl)衍生 物、對聯五苯（p-quinquphenyl)衍生物為佳。 此外，為了由可見區、尤其由藍色獲得綠色發光，可 使用例如苯并噻唑系、苯并咪唑系、苯并噚唑系等螢光增 白劑、金屬螯合化之類8-經基啥淋（oxinoide)化合物、苯乙 烯基苯系化合物。至於該等化合物的具體例，可列舉如曰 本專利特開昭59-194393號公報所揭示之化合物。此外， 其他有用之化合物列舉於The Chemistry of Synthetic Dyes(1971)628 至 637 頁及 640 頁。 103 318649 200800891 就上述金屬螯合化之類8-經基喧淋（oxinoide)化合物 而言，例如可使用日本專利特開昭63-295695號公報所揭 示之化合物。其代表例例如為：參（8-喹啉酚）鋁等8-羥基 邊琳系金屬錯合物或埃平崔定酮二鋰（dilithium epintridione)等較佳化合物。 上述苯乙烯基苯系化合物可使用例如歐洲專利第 0319881號說明書或歐洲專利第0373582號說明書所揭示 者。而日本專利特開平2-252793號公報所揭示之二苯乙烯 _基σ比啡衍生物亦可使用作為發光層之材料使用。除此之 外，歐洲專利第0387715號說明書所揭示之聚苯基系化合 物亦可使用作為發光層之材料使用。 再者，除了上述之螢光增白劑、金屬螯合化之類8-羥 基喹啉化合物及苯乙烯基苯系化合物等之外，例如12-酞 派利酉同（phthaloperinone)(J· Appl. Phys.，第 27 卷， L713(1988 年））、1，4·二苯基-1,3-丁二烯、1，1，4,4-四苯基 ⑩-1，3-丁二稀（以上 Appl· Phys· Lett.，第 56 卷，L799(1990 年）)、萘二甲醯亞胺基衍生物（日本專利特開平2-305886 號公報）、茈衍生物（日本專利特開平2-189890號公報）、曙 二唑衍生物（日本專利特開平2-216791號公報、或在第38 屆應用物理學關係連合演講會由濱田等人所揭示之噚二唑 衍生物）、盤連氮（aldazine)衍生物（日本專利特開平 2-220393號公報）、吡唑啉衍生物（日本專利特開平 2-220394號公報）、環戊二烯衍生物（日本專利特開平 2-289675號公報）、吡咯并吡咯衍生物（日本專利特開平 104 318649 200800891 2_296891號公報）、本乙細基胺衍生物（App〗· phys· Lett.， 第56卷，L799( 1990年））、香豆素系化合物（日本專利特開 平2-191694號公報）、國際專利公報wopo/〗3148或Αρρί·
Phys· Lett·，νο158，18，Ρ1982(1991 年）所記载之高分子化 合物、9,9，10，10-四苯基_2,2·聯蒽、ppv(p〇lyparaphenylene vinylene，聚對伸苯基伸乙烯基）衍生物、聚苐衍生物或該 等共聚合物等，例如具有下述通式〔26〕至通式〔28〕之 構造者·
(式中，R及Rx2各自獨立地表示一價脂肪族烴基，Μ表 示3至100之整數）；
(式中’R及RX4各自獨立地表示一價脂肪族煙基，以及 n3各自獨立地表示3至1〇〇之整數）； 318649 105 200800891
(式中，RX5及夂白 m各自獨立地表示3至':地表示-價脂肪族烴基，及 或是心表示苯基） 等亦可作為發光層之材胸)苯基叫苯基胺基)蒽 8-12600號公報 ，、吏用。再者，曰本專利特開平 衍生物亦可=材:::㈣ (式中^及AHA2 ⑵〕 基，該等可相同地表示單苯基葱基或二苯基葱 在此，以L所 表示單鍵或二價連結基）。 價單環、或祠合環係以可具有取代基之二 或通式〔31 1 % — 、工基為佺。尤其以下述通式〔30〕 所示之苯基葱衍生物較為合適：
[30] 318649 106 200800891 (式中’ RZ1至RZ4各自獨立地表示 環烷基、一價芳香族烴基、烷气、風—原子、烷基、烯基、 一價脂肪族雜環基、: 土、方氧基、二芳基胺基、 為不同；η至r4各自獨立、基，該等可相同亦可 至η各自獨立地為2 敕：0或1至5之整數；η P彼此、此各可相同===彼此、P彼此、 RZ3彼此、RZ4彼此亦可鍵結而形成彼此、R 2彼此、 可具有取代基之二價單環或稠合鍵或是 取代基之二價單環或稠合 族：:：垣基，該可具有 間存在㈣基mNR= 遠基亦可為在該等環之 者）； … (在此，厌表示烷基或芳基）
(式中，RZ5& RZ6 各 — 目獨立地表不氧原子、烷基、烯其 %道基、—價芳香族烴基、貌氧基 :却基、 [31] -價脂肪族雜環基、一價 乳土、-方基胺基、 為不同、方曰知嘁裱基，該等可相同亦可 门/5及⑺各自獨立地表示〇或！至 了 及r6各自獨古认劣 心正數，r5 可夂^ ΓΠ、為上之整數時，RZ5彼此及RZ6彼& σ為相同或不同去 zs 破此 成環；u表亍^ <皮此及11彼此亦可鍵結而形 — (不早鍵或是可具有取代基之二 方香族炉其，4 、早衣或稠合環 、大工基该可具有取代基之二價單環哎柄人产# 了為在該#環之間存在伸絲、m(在 318649 107 200800891 此，R表示烧基或芳基）者）。 上述通式〔30〕内，以下述通式〔32〕或通式.〔33〕 所示之苯基蒽衍生物更為合適： >Z23
[32] 環烷基、一價芳香族烴基、烷氧基、芳氧基、二芳基胺基、 一價脂肪族雜環基、一價芳香族雜環基，該等可相同亦可 為不同，此外，RZ11至RZ30中，相鄰基可彼此連結而形 成環；kl表示0至3之整數）； RZ43
[33] 318649 200800891 二中，RZ31 RZ5°各自獨立地表示氫原子、烷基、烯美、 城基、-價芳香族烴基、烧氧基、芳氧基 =、 -價脂肪族雜環基、_價芳香族雜環基，該等-可：：基: 為不同’此外，RZ3I至rZ5G t相鄰基此連二开、: 環；k2表示〇至3之整數）。 錢連“形成 再者，上述通式〔31〕内，以下述 苯基慧衍生物更為合適： …〕所不之 R2S3
(式中，R至Rz6〇各自獨立地表示氯原 環燒夷、一 Θ笔束士a t # 、烧基、却ί基、 衣说基知方香族烴基、院氧基、芳氧基、 —價脂肪族雜環基、一價芳香族 土胺基、 i 丁 m 晋矢雜衣基，該等可相同亦可 為不同，此外，RZ51至rZ6〇 環；k3表示〇至3之整數）。中相❹可彼此連結而形成 [34] 以上述通式〔32〕至通式〔34〕 舉如下述之化合物等： 、體例而吕，可列 318649 109 200800891
再者，亦可列舉以下化合物作為具體例··
318649 200800891 、此外，以下述通式〔35〕所示之胺化合物亦可用於作 為發光材料： 卜(E\ [35] (式中，h為價數，表示之整數；e1表示n價芳香族 L基，Ε表不廷自二烷基胺基、二芳基胺基、烷基芳基胺 基之胺基）。 在此，Ε所不之η價芳香族烴基 籲9—_苯基惠，-二苯基葱、稠四笨、祐4、聯苯^葬 奈基、聯恩基為佳；E1所示之胺基，H芳基胺基為佳。 此外，n以1至4為佳，尤以2為最佳。通式〔35〕中， =以以下通式〔36〕至通式〔45〕所示之胺化合物為較適
[36] (式中R至Ry各自獨立地表示氫原子、烧基、烯基、 環烷基、烷氧基、芳氧基、一價脂肪族雜環基、一價芳香 族雜環基，或選自二烷基胺基、二芳基胺基或烷基芳基胺 基中之胺基，但在Ryi至RyS中，至少一個表示選自二烷 基胺基、二芳基胺基或烷基芳基胺基之胺基；R71至Rys 可相同亦可為不同，其中相鄰基彼此可連結而形成環）； 318649 111 [37] 200800891 RY11 Ry20 Ry19 R^rVW- RyuXisXT^17 =二T各自獨立地表示氣原子、…基^ 基=7?自:?烧基胺基、二芳基胺基或烧基芳基胺 =基二在㈣至Ry2。中，至少一個表示選自二烧基 女基-方基胺基或絲芳基胺基之 相同亦可為不同，其中相鄰基彼此可連結而形成環）；
[38]
Ry34各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、 t、rt、院氧基、芳氧基、一價脂肪族雜環基、—價芳香 基’或選自二減胺基、二芳基胺基或烧基芳基胺 t胺基，但在Ry2^Ry34中，至少-個表示選自二烧基 土、一芳基胺基或烷基芳基胺基之胺基；Ry2；[至Ry34可 相同亦可為不同，其中相鄰基彼此可連結而形成環）； 318649 112 200800891
(式中R至Ry各自獨立地表示氫原子、烧基、烯美 環燒基、純基、芳氧基、1脂肪族雜環基、—價^夭 ^雜環基’或選自二絲胺基、二芳基胺基錢基芳^ 基之胺基，但在㈣至中，至少一個表示選自二= 胺基、一芳基胺基或烷基芳基胺基之胺基；Ry35至厌YU可 同亦可為不同，纟中相鄰基彼此可連結而形成環）；
py53 Ry64 Ry63 Ry62
=中，Ry至Ry64各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、 環烷基、烷氧基、芳氧基、一價脂肪族雜環基、一價芳香 濉環基，或選自二烷基胺基、二芳基胺基或烷基芳基胺 基之胺基，但在R州至中，至少一個表示選自二烷基 私：基、一芳基胺基或烧基芳基胺基之胺基；Ry53至Ry64可 相同亦可為不同，其中相鄰基彼此可連結而形成環）； [40] 318649 113 200800891
(式中，π65至各自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、 環烧基、烧氧基、芳氧基、一價脂肪族雜環基、一價芳香 無雜環基，或選自二烷基胺基、二芳基胺基或烷基芳基胺 基之胺基，但在V65至RW中，至少一個表示選自二烷基 月女基、一务基胺基或烧基芳基胺基之胺基；RyM至Ry74可 相同亦可為不同，其中相鄰基彼此可連結而形成環）；
严栌I 口㈡判儿吧衣不氫原子、烷基、稀基、 [42] :=美=、芳氧基、一價脂肪族雜環基、-價芳香 料自二燒基胺基、二芳基胺基或烧基芳基胺 基之胺基，但在Ry75至R y86 妝 胺基、二若其^I + 至父一個表示選自二烷基 亦可為不同，其中相鄰基彼此可連結而形成環）；
相同才土 烷基芳基胺基之胺基；Ry75至Ry86可 [43] 318649 114 200800891 ^中’ RW至R州各自獨立地表示氯原子、院基、婦基、 %虼基、烷氧基、芳氧基、一價脂肪族雜環基、一價芳香 族雜環基，或選自二垸基胺H基胺基或㈣芳基二 基之胺基y旦在㈣至尺㈣中，至少一個表示選自二烧基 月女基一芳基胺基或烧基芳基胺基之胺基；Ry87 至Ry96可
同亦可為不同，其中相鄰基彼此可連結而形成環）；
[44]
RyllG各自獨立地表示氫原子、炫基、烯基、 族吒土烷氧基、芳氧基、一價脂肪族雜環基、一價芳香 %雜環基，十、阳A 丨只7曰 基之脸I ^自二⑥基胺基、^芳基胺基或縣芳基胺 吞之私基，但在Ry97 10 基胺美、_ # 中，至乂 一個表示選自二烧 π / 土、—方基胺基或烷基芳基胺基之胺基；Ry97至Rylio 可相同亦可盔^ ^
Ryt27 Ryt26 你⑽ RmeRyt2S _Ryt24 …同，，、中相鄰基彼此可連結而形成環）； Ry1^Ry118
Rytt3 Ryn2
Ry”4—f 24 [45] ^23
Ryl21 Ry122 (式中，Ryiu至 12 口自獨立地表示氫原子、烷基、烯基、 318649 115 200800891 環烷基、烷氧基、芳氧基、一價脂肪族雜環基、一價芳香 族雜環基’或選自二烷基胺基、二芳基胺基或烷基芳基胺 基之胺基，但在RylU至Ryl28中，至少一個表示選自二烷 基胺基、二芳基胺基或烧基芳基胺基之胺基；Rylll至Ry〗28 可相同亦可為不同，其中相鄰基彼此可連結而形成環）； 上达之通式〔40〕及通式〔42〕的胺化合物可適用於 取得黃色至紅色發光之情況。以上述之通^〔叫至通式 〔45〕所示之胺化合物的具體例而言，可列 工 化合物（惟，Ph表示苯基）： 化之
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117 318649 200800891
一此外，以含有至少1個下述通式〔46〕或通式〔47〕 所:之苯乙烯基予以替代上述通式〔35〕至通式〔C〕中 之胺基而成的化合物（例如包含歐洲專利第〇388768號說 318649 118 200800891 明書、日本專利特開平 合作為發光材料。 231970號公報等所揭示者）亦適
[46] (式中，Ry至Rym各自獨立 « . ^ ^ _ 表不虱原子、烷基、環烷 基或一價方香族烴基；Rym至Rym 而形成環）。 巾相鄰基彼此可連結
Ry132 |y133
[47] (式中’ Ry至π138各自獨立地表示氫原子、烧基、環烧 基或-價芳香族烴基；R簡至Ryl38各自獨立地表示氮原 子、烷基、環烷基、一價芳香族烴基、或選自二烷基胺基、 修二芳基胺基或烷基芳基胺基之胺基，但在Ry〗34至Rym 中，至少一個為選自二烷基胺基、二芳基胺基或烷基芳基 胺基之胺基，Ry至Ryl38中，相鄰基可彼此連結而形成 環）。 就含有至少1個上述之通式〔46〕或通式〔47〕所示 之苯乙烯基的化合物的具體例而言，可列舉下述構造之化 合物（惟，Ph表示苯基）： 318649 119 200800891
120 318649 200800891
121 318649 200800891
122 318649 200800891
此外，亦列舉於日本專利特開平5-258862號公報等所 記載之以下述通式所示之化合物： 123 318649 200800891 (Rs-Q)2 — Al — Ο — L3 (式中’ L3為含有笨基部分之碳原子6至以個之煙；〇 — L3 _為齡系配位基；q表示經取代之8_喧嘛紛配位基；h 表示立體上可妨礙超個2個經取代之8_喹啉酚配位基鍵結 在鋁原子上的8-喹啉酚環取代基）。具體而言，列舉如：貳 (2_甲基各啥淋驗）（對-苯基酚）铭（III)、貳（2-甲基-8-喹啉 酚）（1_萘酚）鋁（III)等。 t此外，根據日本專利特開平6_9953號公報等，列舉使 用备才准而獲得向效率之藍色與綠色之混合發光的方法。在 此情況’可列舉：以上述發光材料作為主體（host)，以藍色 至、、杂色之強螢光色素（例如香豆素系或與作為上述主體所 使二者相同的★光色素)作為摻雜劑。具體而言，可列舉以 一苯：烯基伸芳基骨架作為主體之發光材料，以4,4·貳 (2,2苯基乙烯基)聯苯為尤佳；至於摻雜劑，可列舉如二苯 基胺基乙稀基伸芳基，以咖二苯基胺基乙稀基苯為尤佳。 獲得白色發^的發光層並無特職制，可使用以下所 述'。規定有機EL積層構造體之各層的能階(㈣烈 ’利用穿隧注入(t_el 而使其發光者(歐洲 Γ1=。551號公報)。記载有白色發光元件且同樣以利 3 2L:"入之兀件作為實施例者（曰本專利特開平 士號公報）。記载有雙錢造之發光層者（日本專利 ί 號公報及日本專利特開平2·216携號公 成複數層，且各以發光波長不同的材料 所構成者（日本專利射科4_51491號公報）。將藍色發光 318649 124 200800891 體（螢光峰值380至480nm)與綠色發光體（480至5 80nm)積 層，復含有紅色螢光體之構成者（日本專利特開平6_2〇7170 號公報）。具有藍色發光層含有藍色螢光色素、綠色發光層 含有紅色螢光色素的區域，且含有綠色螢光體之構成者^ 本專利特開平7-142169號公報）。 的化合物作為發
在該等之中，具有上述構成者為特佳 此外’適合使用例如下述之眾所週知 光材料（惟，Ph表示苯基）。
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126 318649 200800891
127 318649 200800891
128 318649 200800891 此外，在本發明之有機電激發光元件中，可使用鱗光 發光材料。就可使用於本發明 A 另钱电激發光元件之碘光 =1雜材料而言，可列舉如有機金屬錯合物，其 期般為過渡金屬，以周期而言，較佳為第5周 為族而言，較佳為第6族至第11族，更佳 以配位心的70素。具體而言，為銥或料。再者， =基而言，有2_苯基❿定或2·(2，_苯并嗔卿唆 荨，，、彳寸敛為：該等配位基上的碳原子係與金 其他例有卟啉或四氮雜卟啉環錯合尸，· : ° =荨。例如，以下所示之眾所週知的化合物適 碑 光龟光材料使用（惟，ph表示苯基）。 、、夕丰
318649 129 200800891
130 318649 200800891 (H3〇h〇,
(h3c)3c、
IHyOhC： (HaCfeC*
再者，本發明之有機p 使用工作I M v 件之陽極所使用的材料以 便用工作函數大（4eV以上）之金 人 ^ ^ Ή /v ,1/ , W a i、導電性化合物 或4 4之k合物作為電極物質者 皙之且㈣m斑 佳。關於該等電極物 == 等金屬;CUI、IT…一 、、电心為了形成該陽極’可將該等電極物質以装 ==ΐ等方法形成薄膜。當來自上述發光層_ _々出％ ’该％極係以具有陽極對於發光的透射率大 於1〇%的特性為理想。此外，陽極的薄片電阻（Sheet
Res—)以數百Ω/□以下為佳。再者，陽極的膜厚雖 依材枓而異，但一般在1〇nm至l#m的範圍，較佳在1〇 至200nm的範圍内選擇。 此外，本發明之有機EL元件之陰極所使用的材料係 使用工作函數小（4eV以下）之金屬、合金、電傳導性化合 物或該等之混合物作為電極物質者。關於此等電極物質之 具體例’可列舉如鈉、鈉_鉀合金、鎂、鋰、鎂•銀合金、 鋁/氧化鋁、鋁·鋰合金、銦、稀土類金屬等。該陰極可 318649 131 200800891 错由將該等電極物f以練法或輯法等方〜 製成。在此，當來自發光層的發光由陰極導出時，：：： =光：穿透率以大於10%為佳。此外，作為陰極：薄片 私阻以數百□以下為佳，再者，膜厚—般為_ ，以50至20〇nm為較佳。 關於本發明之有機EL元件之製作方法，可 材料及方法形成陽極、發光層、視需要之電洞注二層、： 及視需，之電子注人層，最後形成陰極。此外，亦;以由 陰極至陽極’即與上述相反的順序製造有機肛元件。 該有機EL元件係製作在透光性之基板上。該透光性 基板係支持有機EL元件的基板，關於其透光性，4⑽至 700nm之可見光區域之光穿透率為5〇%以上，以卯％以上 為宜，再者以使用平滑基板為佳。 士該$基板只要具有機械強度、熱強度且為透明，則無 斗寸別限定，例如玻璃板、合成樹脂板等為適用。以玻璃板 而口，尤其可列舉如：以鈉鈣玻璃、含鋇•勰玻璃、鉛玻 璃、鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸玻璃、硼矽酸鋇玻璃、、石英等 所成开y的板再者，以合成樹脂板而言，可列舉如聚碳酸 酉曰树月曰丙烯酸系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚醚 硫醚（P〇lyethersulfide)樹脂、聚砜樹脂等所製成之板。 本發明之有機EL元件之各層的形成方法，可適用： 真工瘵鍍、電子束照射、濺鍍、電漿、離子佈植〇〇n plating) 等乾式成膜法；或旋塗、浸潰、流塗（F1〇w c〇aiing)等濕式 成膜法之任一方法。有機層尤以分子沈積膜為佳。在此， 132 318649 200800891 所謂分子沈積膜係指由氣相 之薄膜、或是由 之材科合化物沈殿而形成 化而形成之膜，—妒而士，诗八心之材科化合物予以固 成的薄膜（分子累積膜），可#由 去所形 同、或因該等不同所引起之功能=二：次構造的不 外，如曰本转_ ς7 c b上的不同而加以區分。此 如曰本将開昭57·51781號公報之揭 黏結劑與材料化合物 亭树月曰專 藉由旋塗法等予《薄膜化，;該溶液 —厚時二= ^ -Λ ^ . 于了苟f獲侍一疋的光輸出， 而效率變差;相反地，若膜厚過 足 义"、孔（Pmh〇le)等’即使施加電場亦難以獲得 足夠的鲞光亮度。因此，各層的 層的料以1疆至km的範 圍較為適备，以1〇11111至〇2//m為更佳。 立々此外，為了提升有機EL元件相對於溫度、濕度、環 兄等的女疋性，亦可在凡件表面設置保護層，或藉由樹脂 將元件整體予以被覆或封裝。尤其在將元件整體予以被覆 或封衣日^•，較適於使用藉由光而硬化的光硬化性樹脂。 施加於本發明之有機EL元件的電流一般為直流，但 亦可使用脈衝電流或交流電。電流值、電壓值只要在不破 壞元件的範圍内，即無特別限制，惟若考量元件之消耗電 力或使用壽命時，則以儘可能小的電能（electricaI energy) 使其有效率地發光為宜。 本發明之有機EL元件的驅動方法除了被動矩陣法 (passive matrix)之外，亦可以主動矩陣法予以驅動。由本 133 318649 200800891 之所碑^機EL凡件導出光的方法’除了由陽極側導出光 emission)^^^ ^ 丄、先之所明頂部發光（Top emission)的方法。嗲 戈技術已記载於域戶淳二著，「有纽概論」，： 本貝業出版社（2〇〇3年發行）。 再者，本發明之有機EL元件亦可採用微腔 1Cr〇cavity)構造。關於此，有機EL元件係發光層夹在 間所成的構造，已發出的光雖會在陽極與陰極 曰生夕重干擾，但藉由適當選擇陽極及陰極 ;穿透率等光學透性、以及夹在該等之間之有機層:： 厚，而積極地利用多重干擾效果，以控制由元件導出之發 先波長的技術。藉此方式，亦可改善發光色度。 4 擾效果的機制已記載於等人所著之AM_LC: Digest of Technical papers，0D_2, p 77 至 8〇(2〇〇2)。 如以上所述，使用本發明之含有味。坐之胺化合物的有 機EL兀件’可以較低的驅動電壓，獲得長時間的發光。 因此’該有機EL元件適於作為掛壁式電視等平面頻示哭 或各種平面發光體’甚至應用在影印機或印表機等之: 源、液晶顯示器或計時器類等之光源、顯示板、號諸燈等。 【實施方式】 (實施例） 但本發明並非限定於該等 以下以實施例說明本發明 實施例。 318649 134 200800891 於實施例中，在鑑定化合物方面，除非特別聲明，係 使用質譜（布魯克道爾頓股份有限公司（Bruker Daltonics Inc·)製，AutoflexII)、W-NMR、13C-NMR(曰本電子公司製、 GSX-270W)。此外，化合物之玻璃轉移溫度（Tg)係使用精 工精密股份有限公司（Seiko Instruments Inc·)製之 DSC6200 示差掃描熱量計（Differential Scanning Calorimeter)予以測定。 此外，於以下實施例中，除非特別聲明，混合比均表 f►示重量比。蒸鍍（真空蒸鍍）係在l(T6Torr的真空下，未控 制基板加熱、冷卻等溫度的條件下進行。於元件之發光特 性評估中，測定電極面積2mmx2mm之有機EL元件的特 性。 (實施例1) 化合物（2)的合成方法 φ 藉由下示合成反應圖式，製造化合物（2)(反應圖式中 的（iii)):
.在氮環境下，將N，N，-二苯基-伸苯二胺 (i)3.9g(15mmol)、3·溴 _9-苯基咔崠（ii)l〇.5g(33mmol)、乙 135 318649 200800891 酸鈀o.ig、二-第二丁基膦015g及碳酸鉀3 4g置入3〇〇ml 的四頸燒瓶，添加無水二曱苯200ml，進行ί 5小時的加 熱回流。將反應液注入甲醇1L中，濾取所析出的固體， 且使其熱真空乾燥。獲得呈粗生成物之（iii)(=化合物 (2))l〇.4g(收率95%)。所得之粗生成物藉由矽膠管柱層析 精製，且進一步進行昇華精製。該化合物之玻璃轉移溫 度為135°C (示差掃描熱量計，精工精密股份有限公司製）。 化合物之質瑨（布魯克道爾頓公司製、Aut〇flexII) •第i圖。 、 計算值：742·31(Μ+) 實測值：742.313 H-NMR、 C-NMR(日本電子公司製、GSX-270W)示 於第2圖至第3圖。 (實施例2) 化合物（22)的合成方法 藉由下文所示之合成反應圖式，製造化合物（2)(反應 圖式中的（ν))。
(iv)
在上述之實施例1中之化合物（2)的合成例中，除了使 用4,4’_二苯基聯苯胺（iv)來取代N，N，_二苯基_伸苯二胺⑴ 318649 136 200800891 之外，進行與化合物（2)之合成方法相同的操作，’獲得呈粗 生成物之（v)(=化合物（22))(粗生成物的收率97%)。藉由矽 膠管柱層析精製所得之粗生成物，且進一步進行昇華精 製。該化合物之玻璃轉移溫度為148°C(示差掃描熱量計， 精工精密股份有限公司製）。 化合物之質譜（布魯克道爾頓公司製、AutoflexII)示於 第4圖。 計算值：818·34(Μ+) 實測值：818.305 ^-NMR、13C-NMR(日本電子公司製、GSX-270W)示 於第5圖至第6圖。 其中，化合物（2)及用於（22)之合成的3-溴-9-苯基咔唑 (ii)係參考工業化學雜誌，1967年發行，70卷，63頁，藉 由將咔唑的第3位溴化，接著藉由採用銅觸媒的烏耳曼法 使碘苯反應而合成者。 (實施例3) 化合物（39)之製造（藉由製造方法A製造化合物（39)) (1)9-聯苯基咔唑之製造 將吟嗤16.7g、4-埃聯苯36.4g、蛾化亞銅1.9g、無水 碳酸鉀 138g、18_冠醚-6(18-crown_6) 0.53g 以及 1，3-二甲 基-3,4,5,6-四氫-(1H)-,咬酮500mL混合，在氮環境下， 於170°C反應8小時。過濾反應生成物，在濾液中添加濃 氨水10mL之後，以乙醚300mL萃取且予以濃縮乾固。將 137 318649 200800891 其用管柱層析（載體：矽膠；溶離液：曱苯/乙酸乙酯）精 製，得到9-聯苯基咔唑27.5g。 (2) 9-聯苯基-3-碘咔唑之製造 在所得之9-聯苯基咔唑16.0g中添加80%乙酸水溶液 500mL之後，添加碘6.79g、正過峨酸（orthoperiodic acid)1.67g，在氮環境下，於80°C反應2小時。將反應生 成物以乙醚250mL萃取，且予以濃縮乾固。將其用管柱層 析（載體：矽膠，溶離液：曱苯/乙酸乙酯）精製，得到9· _聯苯基-3-碘咔唑18.5g。 (3) 9·聯苯基-3-(N-苯基）胺基咔唑之製造 將9-聯苯基-3-碘咔唑13.3g與苯胺3.08g、無水碳酸 鉀4.56g、銅粉0.381g、硝基苯50mL混合，在氮環境下， 於190至200°C反應8小時。將反應生成物以曱苯200mL 萃取，且濾除不溶分之後，予以濃縮乾固。將其用管柱層 析（載體··矽膠，溶離液··曱苯/乙酸乙酯）以精製，得到 赢9-聯苯基-3-(N-苯基）胺基咔唑8.33g。 9 (4) 化合物（39)之製造 將9·聯苯基-3-(N-苯基）胺基咔唑8.21g與4,4’-二碘聯 苯4.06g、無水碳酸鉀1.52g、銅粉0.127g、硝基苯30mL 混合，在氮環境下，於19Ό至200°C反應16小時。將反應 生成物以甲苯100mL萃取，濾除不溶分之後，予以濃縮乾 固。將其用管柱層析（載體：矽膠，溶離液：曱苯）精製， 得到化合物（39)4.95g。化合物（39)之構造係藉由質譜、 W-NMR、13C-NMR予以確認。該化合物（39)之質譜顯示m 138 318649 200800891 /ζ= 970·400(理論值= 970.404)，玻璃轉移溫度為168°C。 在第7圖中呈示質譜圖，在第8圖中呈示1H-NMR光譜。 (實施例4) 化合物（39)之製造（藉由製造方法B製造化合物（39)) 將以實施例3之（2)所記載之方法所製得之9·聯苯基 -3-碘咔唑8.91g與Ν,Ν’-二苯基聯苯胺3.36g、無水碳酸鉀 1.52g、銅粉0.127g、硝基苯30mL混合，在氮環境下，於 痛► 190至200°C反應16小時。將反應生成物以曱苯100mL萃 取，濾除不溶分之後，予以濃縮乾固。將其用管柱層析（載 體：矽膠，溶離液：曱苯）精製，得到化合物（39)4.52g。所 得之化合物（39)之構造，藉由質譜、^-NMR、13C_NMR而 確認出與實施例3所製造之化合物（39)相同。 (實施例5) φ 化合物（46)之製造（藉由製造方法A製造化合物（46)) (1)9-(2-萘基)咔唑之製造 將咔唑16.7g、2·碘萘25.4g、碘化亞銅1.9g、無水碳 酸_ 138g、18-冠醚-6(18-crown-6) 0.53g 以及 1，3·二曱基 -3,4,5,6-四氫-(1H)-鳴咬酮500mL混合，在氮環境下，於 170°C反應10小時。過濾反應生成物，在濾液中添加濃氨 水10mL之後，以乙醚300mL萃取，且予以濃縮乾固。將 其用管柱層析（載體：矽膠，溶離液：曱苯/乙酸乙酯）精 製，得到9·(2-萘基）咔唑25.5g。 139 318649 200800891 (2) 9-(2-萘基）-3-碘咔哇之製造 在所得之9-(2-萘基）咔唑14.7g中添加80%乙酸水溶 液500mL之後，添加碘6,79g、正過碘酸1.678，在氮環境 下，於8(TC反應2小時。將反應生成物以乙醚250mL萃 取，且予以濃縮乾固。將其用管柱層析（載體：矽膠，溶離 液：曱苯/乙酸乙酯）精製，得到· 9-(2-萘基）-3-碘咔唑 16.4g 〇 (3) 9-(2-萘基）-3-(Ν·苯基)胺基咔唑之製造 將9-(2-萘基）-3-碘°卡嗤12.6g與苯胺3.083、無水碳酸 鉀4.56g、銅粉0.3 81g、硝基苯50mL混合，在氮環境下， 於190至200°C反應10小時。將反應生成物以曱苯200mL 萃取，濾除不溶分之後，予以濃縮乾固。將其用管柱層析（載 體：矽膠，溶離液：曱苯/乙酸乙酯）精製，得到9-(2-萘 基）-3-(N-苯基）胺基咔唑7.85g。 (4) 化合物（46)之製造 將9-(2-萘基）-3-(N-苯基）胺基咔唑7.69g與4,4’-二碘 聯苯4.06g、無水碳酸鉀丄52名、銅粉0.127邑、硝基苯3〇1111^ 混合，在氮環境下，於190至200°C反應20小時。將反應 生成物以曱苯lOOmL萃取，濾除不溶分之後，予以濃縮乾 固。將其用管柱層析（載體：矽膠，溶離液：曱苯）精製， 得到化合物（46)4.82g。化合物（46)之構造係藉由質譜、 ^NMR、13C-NMR予以確認。該化合物（46)之質譜顯示m /^= 918.369(理論值=918.372)，玻璃轉移溫度為172°〇。 140 318649 200800891 (實施例ό) 化合物（46)之製造（藉由製造方法Β製造化合物（46)) 將以實施例5之（2)所記載之方法所製得之9-(2-萘 基）-3-碘咔唑8.39g與N，N’-二苯基聯苯胺3.36g、無水碳 酸鉀1.52g、銅粉0.127g、硝基苯30mL混合，在氮環境下， 於190至200°C反應20小時。將反應生成物以曱苯100mL 萃取，濾除不溶分之後，予以濃縮乾固。將其用管柱層析（載 體：矽膠，溶離液：曱苯）精製，得到化合物（46)4.31g。化 參合物（46)之構造，藉由質譜、W-NMR、13C-NMR而確認出 與實施例5所製造之化合物（46)相同。 (實施例7) 化合物（40)之製造 根據實施例5或實施例6所記載之方法，藉由上述之 製造方法D的方法，製造化合物（40)。 ^ 化合物（40)之質譜： 計算值：820·331、 實測值？ 820·334(Μ+) (實施例8) 化合物（45)之製造 根據實施例5或實施例6所記載之方法，藉由上述之 製造方法Β的方法，製造化合物（45)。 化合物（45)之質譜： 141 318649 200800891 計算值：918.372、 實測值：918·370(Μ+) 第9圖表示化合物（45)之質譜圖，第10圖表示化合物 (45)之1H-NMR 光譜。 (實施例9至39) 根據實施例5或實施例6所記載之方法，製造化合物 (47)至化合物（77)。各化合物藉由質譜、h-NMR、13C-NMR 泰而確認構造。在表48中顯示各化合物之製造方法及藉由其 所製造之化合物之質譜的實測值。 142 318649 200800891〔表 48〕
實施例 化合物 製造方法 質譜實測值（M+) 理論值 9 (4 7) A 9 9 4. 4 1 2 9 9 4. 4 0 4 10 (4 8) A 9 9 4. 4 0 9 9 94. 404 11 (4 9) A 9 94.40 1 9 9 4.404 12 (5 0) C 9 6 8. 38 2 9 6 8. 3 8 8 13 (5 1) C 9 6 8. 3 8 6 9 6 8, 38 8 14 (5 2) D 10 18-410 10 18.404 15 (53) D 10 18.408 10 18, 404 1 6 (54) B 1 0 70. 4 40 1 0 7 0. 43 5 17 (5 5) A 1 0 4 4 · 4 2 1 1 044. 4 1 9 18 (56) A 1 0 4 4.4 1 7 1 0 4 4. 4 1 9 19 (5 7) A 1 0 9 4. 43 3 1 0 94.4 3 5 2 0 (58) A 10 18. 407 10 18* 404 2 1 (59) B 9 4 6, 4 0 5 9 4 6. 4 0 4 2 2 (6 0) B 1 0 3 0. 50 1 1 0.3 0. 4 9 7 2 3 (61) B 1 0 5 4. 3 5 1 1 0 5 4· 347 24 (6 2) B 954. 349 9 5 4· 353 2 5 (6 3) B 9 6 8. 3 5 9 9 6 8· 3 6 3 2 6 (64) B 930, 283 9 3 0· 2 8 5 2 7 (6 5) A 10 18. 405 10 18.404 2 8 (6 6) A 10 18. 407 10 18. 404 2 9 (67) A 1 0 30. 494 1 0 3 0. 49 7 3 0 (68) A 1 0 54. 35 1 1 0 5 4. 3 4 7 3 1 (69) A 9 54. 35 2 9 5 4.353 32 (70) A 9 6 8. 3 6 7 9 6 8,363 3 3 (7 1) A 1 0 7 0. 43 7 1 0 70. 4 3 5 34 (72) A 10 3 0.500 1 0 30. 4 9 7 3 5 (7 3) A 1 0 5 4.350 1 0 5 4.34 7 3 6 (74) A 9 5 4* 3 5 0 9 5 4. 3 5 3 37 (7 5) A 9 6 8. 3 6 1 9 6 8. 3 6 3 3 8 (76) A 1 0 70,434 1 0 70,435 3 9 (7 7) A 1 0 7 0. 4 38 1 0 7 0. 4 3 5 143 318649 200800891 (實施例40至70) 根據上述之製造方法，製造化合物（78)至化合物 (108)。各化合物藉由質譜、W-NMR、13C-NMR而確認構 造。在表49中顯示各化合物之製造方法及藉由該製造方法 所製造之化合物之質譜的實測值。
144 318649 200800891〔表 49〕
實施例 化合物 製造方法 質譜實測值（M， 理論值 4 0 (7 8) B 9 18、 3 7 6 9 18. 3 7 2 4 1 (7 9) C 9 18· 3 7 5 9 18. 3 7 2 4 2 (8 0〉 D 8 9 8. 3 3 4 8 9 8. 3 3 1 4 3 (8 1) A 9 3 0. 2 89 9 3 0. 28 5 44 (8 2) A 1 030. 3 18 1 0 3 0. 3 1 6 45 (8 3) D 9 7 8· 3 9 1 9 7 8. 3 9 3 4 6 (8 4) D 9 8 2. 3 19 9 8 2.3 1 6 47 (8 5) D 9 2 0. 36 7 9 2 0. 3 6 3 4 8 (8 6) D 9 3 6、 368 9 3 6、3 6 3 4 9 (8 7) D 9 9 4. 4 10 9 94. 404 5 0 (8 8) A 9 9 4. 4 11 9 94. 404 5 1 (8 9) A 9 94. 4 10 9 9 4. 4 0 4 5 2 (9 〇) A 9 94. 40 2 9 9 4.404 5 3 (9 1) C 9 6 8· 3 8 6 9 6 8.3 8 8 54 (9 2) C 9 6 8. 38 4 9 6 8, 38 8 55 (93) D 10 18, 4 11 10 18.404 5 6 (94) D 10 18. 4 0 9 10 18. 404 57 (9 5) B 1 0 7 0· 44 1 1 0 7 0. 4 3 5 58 (9 6) A 1 044. 4 2 5 1 044. 4 1 9 59 (9 7) A 1 0 4 4. 4 18 10 4 4.419 6 0 (9 8) A 1 0 9 4. 4 3 6 1 0 9 4. 4 3 5 6 1 (9 9) A 10 18. 408 1018.404 62 (100) B 9 4 6. 4 0 7 9 46.404 6 3 (10 1) B 1 0 3 0. 50 2 1 030. 49 7 6 4 (102) B 1 0 5 4. 3 5 3 1 054.347 6 5 (103) B 9 54. 34 8 9 5 4. 3 5 3 6 6 (104) B 9 6 8. 3 5 7 9 6 8. 3 6 3 6 7 (105) B 9 3 0. 28 1 9 3 0. 2 8 5 6 8 (106) A 1 0 3 0. 4 9 9 1 0 30. 4 9 7 6 9 (107) A 1 0 54. 350 1 0 5 4. 34 7 7 0 (10 8) A 9 54. 3 5 8 9 5 4. 3 5 3 145 318649 200800891 (實施例71至126) 根據上述之製造方法，製造化合物（109)至化合物 (164)。各化合物藉由質譜、W-NMR、13C-NMR而確認構 造。在表5 0至表51中顯示各化合物之製造方法與藉由其 所製造之化合物之質譜的實測值。
146 318649 200800891〔表 50〕
實施例 化合物 製造方法 質譜實測值（M+) 理論值 7 1 (10 9) A 9 6 8. 3 6 8 9 6 8· 36 3 72 (110) A 1 0 7 0. 4 3 9 1 0 7 0· 4 3 5 7 3 (111) A 1 0 3 0. 5 02 1 0 3 0, 4 9 7 7 4 (112) A 1 0 5 4. 3 5 2 1 0 5 4· 3 4 7 7 5 (113) A 954. 354 9 5 4· 35 3 7 6 (114) A 96 8. 36 8 9 6 8. 3 6 3 7 7 (115) A 1 0 7 0. 4 3 1 1 0 7 0· 4 3 5 7 8 《116) A 1 0 7 0. 4 39 1 0 7 0. 4 3 5 7 9 (117) B 9 18. 3 7 9 9 18. 3 7 2 8 0 (118) C 9 18. 3 7 8 9 18. 3 7 2 81 (119) B 9 4 6. 4 3 9 94 6. 4 0 4 8 2 (120) D 9 3 6. 36 9 9 36· 3 6 3 8 3 (12 1) D 9 9 4. 4 1 1 994. 40 4 8 4 (122) A 1 04 6. 4 3 8 1 046. 4 3 5 8 5 (12 3) A 1 04 6. 44 1 1 0 4 6. 4 3 5 8 6 (12 4) A 1 0 4 6.43 2 1 0 4 6. 4 35 8 7 (12 5) C 1 0 2 0, 424 1 0 2 0. 4 19 8 8 (126) C 1 0 2 0. 4 2 1 1 020. 4 19 8 9 (12 7) D 1 0 7 0. 4 2 9 1 0 70. 4 3 5 9 0 (12 8) D 1 0 7 0. 4 3 6 1 0 70. 4 3 5 9 1 (129) B 1 1 2 2.4 6 7 112 2, 4 6 6 9 2 (130) A 1 0 9 6. 4 5 3 1 0 9 6. 4 5 0 9 3 (13 1) A 1 0 9 6. 448 1 0 9 6. 4 5 0 94 (13 2) A 114 6,469 114 6. 4 66 9 5 (133) A 1 0 7 0. 4 3 9 1 0 7 0. 43 5 9 6 (134) B 998. 434 9 9 8. 4 3 5 9 7 (13 5) B 1 08 2. 5 3 2 1 0 8 2. 5 2 9 9 8 (13 6) B 1 1 0 6.3 8 2 110 6. 37 8 9 9 (13 7) B 1 0 0 6. 3 8 3 1 0 0 6. 3 8 5 10 0 (138) B 1 0 2 0. 3 9 1 1 0 2 0. 3 9 4 10 1 (13 9) B 9 8 2, 3 1 3 9 8 2. 3 16 147 318649 200800891〔表 51〕
質譜實測值（M+) 9 7 0, 4 11 9 7 0. 4 0 1 10 7 0, 433 1 2 3 4, 596 1 2 5 8. 44 7 1 1 5 8. 44 1 1 1 7 2. 4 5 3 1 2 7 4. 53 1 1 0 7 0· 431 1 2 5 8,447 1 1 5 8. 45 1 1 1 7 2, 46 2 1 2 7 4, 5 3 1 1 2 74. 5 2 5 9 70，408 97(K 40 1 970，402 970. 404 970> 403 984, 422 1 0 3 8.392 9 8 8. 3 9 6 1 046. 4 3 7 99 8. 4 3 9 9 98. 4 3 1 理論值 9 7 0, 404 9 7 0. 4 0 4 1 0 7 0. 4 3 5 1 234. 5 9 1 1 258，44 1 1 1 58. 44 7 1 1 7 2.4 5 7 1 2 7 4，529 1 0 7 0.435 1 2 5 8. 44 1 1 1 5 8.44 7 1 1 7 2. 457 1 2 74.5 2 9 1 2 74.52 9 970，404 970. 404 970> 404 9 7 0. 404 9 70. 404 9 8 4. 4 1 9 1 0 3 8, 39 1 9 8 8. 394 1 0 4 6· 435 9 9 8, 4 3 5 9 9 8. 4 3 5 以下說明作為用以製造本發明之含有咔唑之胺化合物 之原料的咔唑衍生物的合成方法。其中，在鑑定咔唑衍生 物方面，除非特別聲明，係使用質譜（布魯克道爾頓股份有 148 318649 200800891 限公司製，AutoflexII)、iH-NMR、13C-NMR(日本電子公司 製、GSX-270W) 〇 (實施例127) 以下式所示之9-(2-萘基）-3-溴咔唑之製造
在以實施例5之（1)記載之方法所製造之9-(2-萘基）咔 唾14.7g中，添加冰醋酸600mL並使其完全溶解之後，添 加N-溴琥珀醯亞胺8.90g，在室溫下攪拌16小時而使其反 應。將反應生成物投入水1L，析出的生成物以乙醚250mL 萃取，然後予以濃縮乾固。將其用管柱層析（載體：矽膠， 溶離液·曱苯/乙酸乙S旨）精製’得到9-(2•奈基）-3 - >臭ϋ卡ϋ坐 16.4g。質譜實测值：Μ+二 371.029(理論值：Μ+= 371.031)。 (實施例128) 以下式所示之9-(2-萘基）-3-氯咔唑之製造 149 318649 200800891
在以實施例5之⑴記载之方法所合成之9_(2萘基）味 峻中，添加冰酷酸6〇〇mL並使其完全溶解之後，添 加N-氯號站醯亞胺6.68g’在室溫下授拌16小時而使其反 應。將反應生成物投人水1L，析㈣生成物以乙醚25〇虹 萃取，錢予以濃縮乾固。將其用管柱層析（載體：石夕膠， 溶離液：甲苯/乙酸乙酯）精製，得至"_(2_蔡基）冬氯味唾 13.9g。質譜實測值：,= 327.079(理論值：m+= 327 〇8i)。 (實施例129) 以下式所示之9-(1-萘基）_3-碘,卡唾之製造
首先麥考 T· Ahn，Η· K·，Shim，Macromol· Chem· Phys·， 2〇2卷，3180頁（2001年）記载之方法，合成9-(1β萘基）咔 坐將咔唑16.7g、1-溴萘22.4g、銅粉1〇2§、無水碳酸鉀 13’9g、硝基笨250mL混合，在氮環境下，回流1〇小時使 其反應。利用水蒸氣蒸餾，去除硝基苯及未反應的溴萘， 150 318649 200800891 且將殘餘物予以乾燥。將其 液·甲苯/乙酸乙醋）精製， 融點：124至125¾。 用管柱層析（載體：矽膠；溶離 得到9-(1-萘基）咔唑223g。 接者’在9-(1-萘基）w147g中添加·乙酸水溶 液500mL之後，添加碟6.79g及正過蛾们67g，在氮環 ::下’於80 C使其反應2小時。將反應生成物以乙醚25〇虹 卒取，且予以濃縮乾固。將其用管柱層析（載體：石夕膠，溶 離液：甲苯/乙酸乙醋）精製，得到9介茶基）_3♦卡唾 15.7g。質譜實測值：m+=419.〇12(理論值：Μ+=419·017)。 (實施例130) 以下式所示之9-(1-萘基）_3•溴咔唑之製造
在以實施例129所記載之方法合成的9-(]μ萘基）咔唑 14.7g中，添加冰醋酸600mL並使其完全溶解之後，添加 N-溴琥轴醯亞胺8.90g，在室溫下攪拌16小時使其反應。 將反應生成物投入水1L中，析出的生成物以乙醚250mL 萃取，然後予以濃縮乾固。將其用管柱層析（載體：矽膠， 溶離液：己烷/乙酸乙酯）精製，而得9-(1-萘基）-3-溴咔唑 16.4g。在第 11 圖中顯示以 Agilent Technologies 公司 5973N Mass Selective Detector 所測定的質譜（實測值：M+= 371、 151 318649 200800891 理論值：M+= 371)。在第12圖中顯示在氯仿中所測定的 ^-NMR光譜。 (實施例131) ' 以下式所示之9-(1-萘基）-3-氯咔唑之製造
在以實施例129記載之方法所合成的9-(1-萘基)咔唑 14.7g中，添加冰醋酸600mL並使其完全溶解之後，添加 N-氯琥珀醯亞胺6.68g，在室溫下攪拌16小時使其反應。 將反應生成物投入水1L中，析出的生成物以乙醚250mL 萃取，然後予以濃縮乾固。將其用管柱層析（載體：矽膠， ^溶離液：己烷/乙酸乙酯）精製，得到9-(1-萘基）-3-氯咔唑 13.9g。質譜實測值：Μ+= 327·079(理論值：M+= 327.081)。 (實施例132) 在已洗淨之附ITO電極的玻璃板上，真空蒸鍍化合物 (1)，得到膜厚60nm的電洞注入層。接著，將N，N’-(1-萘 基）-N，N’-二苯基-1，Γ·聯苯基-4,4’-二胺（NPD)進行真空蒸 鍍而得膜厚20nm的電洞輸送層。此外，將參（8-經基啥琳) 鋁錯合物進行真空蒸鍍而得膜厚60nm的電子注入型發光 152 318649 200800891 層。在其上，首先蒸鑛氟化鐘Inm，接著蒸鍍銘200nm而 形成電極’而得有機EL元件。 (實施例133) 除了使用化合物（22)代替化合物（1)來製成電洞注入 層之外，製成與實施例132相同的有機EL元件。 (實施例134) 義除了使用化合物（28)代替化合物(1)來製成電洞注入層 之外，製成與實施例132相同的有機EL元件。 (實施例135) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍銅酞菁，形成膜厚 25nm的電洞注入層。接著，將化合物（39)及以下所示化合 物（A)以100 : 8的組成比進行共蒸鐘而形成膜厚45nm的 I發光層。此外，蒸鍍以下所示化合物（B)，形成膜厚20nm
W 的電子注入層。在其上蒸鑛氧化鋰（Li20) 1 nm，再蒸鍍I呂 (Al)lOOnm，藉此形成陰極而得有機電激發光元件。該元件 在直流電壓10V下的外部量子效率為6.2%。此外，以發 光亮度200(cd/m2)進行定電流驅動時，半壽期（半衰期） 為5000小時以上。 153 318649 200800891
(實施例136) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鑛以下所示化合物（〇)， 形成膜厚60nm的電洞注入層之後，蒸鍍化合物（33)，形成 膜厚20nm的電洞輸送層。接著，蒸鍍Alq3,形成膜厚60nm 的電子注入性發光層。在其上真空蒸鍍氟化鋰lnm，再真 φ空蒸鍍鋁200nm，藉此形成電極而得有機電激發光元件。 該元件在直流電壓5V下的發光效率為1.8(lm/W)。此 外，在發光亮度500(cd/m2)下於室溫進行定電流驅動時 的半壽期為5000小時以上。 154 318649 200800891
(實施例137) 在附ITO電極的玻璃板上，將NPD進行真空蒸鍍而 響得膜厚40nm的電洞注入層。接著，將化合物（17)及以下所 示化合物（D)以98 : 3的比率進行共蒸鍍而製成膜厚40nm 的發光層，接著，將Alq3進行真空蒸鍍而製成膜厚30nm 的電子注入層。在其上真空蒸鍍氟化鋰0.7nm，再真空蒸 鍍鋁200nm，藉此形成電極而得有機燐光發光元件。該元 件在直流電壓5V下的發光亮度為360(cd/m2)，得到最大 發光亮度876〇〇(cd/m2)的發光。此外，在發光亮度500(cd A / m2)下進行定電流驅動時的半壽期為4500小時。
(比較例1) 除了使用以下化合物（E)代替化合物（1)來製成電洞注 入層之外，製成與實施例132相同的有機EL元件。 155 318649 200800891
(比較例2) 除了使用以下化合物（F)代替化合物（1)來製成電洞注 入層之外，製成與實施例132相同的有機EL元件。
。將實施例！32至Π4及比較例卜2的元件在室溫及 iooc~的環境中，於10mA/cm2的電流密度下使其連續發
光一定時間，並測定亮度。結果示於表U。 318649 156 200800891 〔表 52〕 初期電壓 (V) 初期亮度 (cd/m2) 室溫、1000小時 後的亮度 (cd/m2) 100°C、1000 小時 後的亮度 (cd/m2) 各化合物的 TgCt：) 實施例132 5.1 400 381 368 135 實施例133 4.8 500 490 479 148 實施例134 4.6 480 465 460 155 比較例1 6.7 350 210 絕緣破壞 113 比較例2 6.5 280 195 80 117 由表52可知，本發明之化合物任一者均高於化合物 (E)、（F)的Tg，與比較例相比較，使用該等化合物製成的 @元件的初期電壓亦較低、壽命較長且獲得較高的亮度。 (實施例138) 在已洗淨之附ITO電極的玻璃板上，真空蒸鍍本發明 之化合物（46)，得到膜厚60nm的電洞注入層。接著，真空 蒸鍍表24中的HTM9而得膜厚20nm的電洞輸送層。然 後，真空蒸鍍參（8-羥基喹啉）鋁錯合物而得膜厚60nm的電 _子注入型發光層。在其上，首先蒸鍍氟化鋰Inm，接著蒸 鍍鋁200nm以形成電極，而得有機EL元件。對於該元件， 測定在發光亮度500(cd/m2)下於室溫進行定電流驅動時 的半壽期。此外，在150°C的環境中，於10mA/ cm2的電 流密度下使其連續發光100小時，並測定亮度。結果示於 表53。 (實施例139至實施例259) 157 318649 200800891 除了使用表53至表59所示化合物代替化合物（46)來 製成電洞注入層之外，製成與實施例138相同的元件。對 於該元件，測定在發光亮度500(cd/m2)下於室溫下進行 定電流驅動時的半壽期。此外，在15 0 °C的環境中，於10mA /cm2的電流密度下使其連續發光100小時，並測定亮度。 將結果與實施例138及後述之比較例3及4 一併示於表59。 (比較例3及比較例4) # 除了使用上述眾所周知的化合物（E)(比較例3)或化合 物（F)(比較例4)代替化合物（46)來製成電洞注入層之外，製 成與實施例138相同的元件。對於該元件，測定在發光亮 度500(cd/m2)下於室溫進行定電流驅動時的半壽期。此 外，在150°C的環境中，於1 〇mA/ cm2的電流密度下使其 連續發光100小時，並測定亮度。將該等結果彙整示於表 53至表59 〇 158 318649 200800891〔表 53〕
實施例 化合物 半壽期 在lOmA/cm2 下的初期亮度 1 5 Ot：、1 〇 0 小時後的亮度 (c d/m2) 化合物的Tg 1 3 8 (4 6) >5000 5 50 5 4 0 17 2 13 9 (4 7) >50 00 55 0 5 3 0 17 8 14 0 (4 8) >5000 56 0 5 6 0 17 5 14 1 (49) >5000 530 520 17 3 14 2 (5 0) >5000 5 40 5 3 0 18 5 14 3 (5 1) >5000 550 5 4 0 18 1 14 4 (5 2) >50 0 0 560 5 50 184 14 5 (5 3) >5000 5 6 0 54 0 19 2 14 6 (54) >5000 540 5 30 19 5 14 7 (55) >5000 58 0 5 70 19 7 14 8 (56) >5000 5 6 0 54 0 19 1 14 9 (5 7) >5000 5 70 5 6 0 19 8 15 0 (5 8) >5000 5 7 0 5 5 0 18 4 15 1 (5 9) >5000 5 8 0 5 6 0 17 1 15 2 (60) >5000 540 530 18 0 15 3 (6 1) >5000 5 70 5 5 0 17 3 1 5 4 (62) >5000 5 8 0 5 6 0 17 1 15 5 (6 3) >5000 5 2 0 4 9 0 19 5 15 6 (6 4) >5000 5 70 4 60 17 0 159 318649 200800891〔表 54〕
實施例 化合物 半壽期 在10mA/cm2 下的初期亮度 1 5 〇1〇、1 0 0 小時後的亮度 (c d/m2) 化合物的Tg 15 7 (4 5) >5000 5 7 0 5 7 0 17 5 15 8 (6 5) >5000 5 8 0 58 0 180 15 9 (6 6) >5000 590 5 8 0 17 3 16 0 (6 7) >5000 550 5 30 17 4 16 1 (6 8) >5000 5 4 0 540 170 16 2 (6 9) >5000 56 0 5 5 0 17 1 16 3 (70) >5000 5 4 0 5 3 0 17 4 16 4 (7 1) >5000 5 6 0 5 4 0 18 1 16 5 (7 2) >50 00 5 70 5 70 17 2 16 6 (7 3) >5000 5 5 0 5 50 17 5 16 7 (74) >5000 5 6 0 5 5 0 17 1 16 8 (7 5) >50 0 0 5 8 0 5 8 0 17 7 16 9 (76) >5 000 540 5 4 0 17 0 17 0 (77) >5000 5 3 0 5 20 17 5 17 1 (78) >5 000 5 7 0 5 6 0 18 0 17 2 (7 9) >50 00 5 90 580 17 1 17 3 (8 0) >5000 5 0 0 4 9 0 17 9 17 4 (8 1) >50 0 0 5 0 0 4 9 0 18 1 17 5 (8 2) >5 0 0 0 5 0 0 4 90 184 160 318649 200800891〔表 55〕
實施例 化合物 半壽期 在10翻A/cm2 下的初期亮度 1 5 〇X：s I 0 0 小時後的亮度 (c d/m2) 化合物的Tg (t：) 17 6 (8 3) >5000 4 80 4 7 0 16 7 17 7 (8 4) >500 0 4 8 0 4 7 0 ， 16 8 17 8 (4 0) >5000 4 6 0 4 5 0 16 3 17 9 (85) >5 0 0 0 500 4 9 0 174 18 0 (8 6) >500 0 5 3 0 5 2 0 17 7 18 1 (8 7) >50 00 520 5 10 17 9 18 2 (8 8) >500 0 560 5 5 0 185 18 3 (8 9) >5000 5 70 56 0 180 18 4 (9 0) >5000 5 40 5 3 0 18 3 18 5 (91) >5000 5 50 5 4 0 19 0 18 6 (92) >5000 56 0 5 50 18 8 18 7 (9 3) >500 0 570 5 6 0 1 8 9 18 8 (94) >5000 5 7 0 5 6 0 19 5 18 9 (95) >5000 5 50 540 2 0 1 19 0 (96) >5000 590 5 8 0 20 5 19 1 (9 7) >50 0 0 5 7 0 5 6 0 19 9 19 2 (98) >5000 5 8 0 5 7 0 2 0 3 19 3 (99) >5 00 0 5 8 0 5 70 18 8 19 4 (10 0) >50 00 5 9 0 580 17 7 161 318649 200800891〔表 56〕
實施例 化合物 半壽期 在lOmA/cm2 下的初期亮度 1 5 Ot：v 1 0 0 小時後的亮度 (c d/m2) 化合物的Tg cc> 19 5 (101) >5000 550 5 4 0 19 0 19 6 (10 2) >5000 580 5 7 0 17 8 19 7 (10 3) >5000 5 9 0 5 8 0 18 5 19 8 (104) >5 000 54 0 5 3 0 19 1 199 (10 5) >5000 5 8 0 5 3 0 17 1 2 00 (1 0 6) >5 00 0 5 6 0 5 5 0 17 8 2 0 1 (10 7) >5 00 0 55^0 54 0 174 2 02 (10 8) >5000 5 70 5 6 0 175 2 0 3 (109) >5000 5 5 0 54 0 17 9 204 (110) >5 000 5 7 0 5 6 0 18 7 205 (1 1 1) >5000 580 5 7 0 17 8 206 (112) >50 00 5 6 0 5 5 0 18 0 2 0 7 (1 1 3) >5000 5 7 0 5 60 17 6 208 (1 14) >50 00 590 58 0 18 4 20 9 (1 1 5) >5000 550 540 17 6 2 10 (1 16) >5000 5 50 5 40 18 1 2 11 (117) >5000 5 8 0 5 7 0 18 7 2 12 (1 18) >5000 6 0 0 5 9 0 17 6 2 13 (1 1 9) >5 000 6 00 5 9 0 17 7 162 318649 200800891〔表 57〕
實施例 化合物 半壽期 在10mA/cm2 下的初期亮度 1 5 〇X：s 1 〇 〇 小時後的亮度 (c d/m2) 化合物的Tg (V) 2 14 (12 0) >5000 5 5 0 54 0 18 6 2 15 (12 1) >5000 5 5 0 54 0 18 5 2 16 (3 9) >5000 49 0 4 6 0 168 217 (122) >5000 47 0 4 3 0 17 6 2 18 (1 2 3) >5000 4 70 4 60 16 3 2 19 (12 4) >5 00 0 4 4 0 420 16 5 2 2 0 (1 2 5) >5000 5 10 4 9 0 17 8 2 2 1 (12 6) >5000 4 9 0 4 6 0 17 1 2 2 2 (12 7) >5000 48 0 4 7 0 '16 8 2 2 3 (1 2 8) >5000 4 6 0 440 » 18 7 2 24 (12 9) >5000 5 0 0 430 19 1 2 2 5 (1 30) >5000 48 0 4 70 188 22 6 (13 1) >5000 4 6 0 44 0 17 8 2 2 7 (13 2) >5 0 00 500 4 6 0 19 3 2 2 8 (1 33) >5000 4 70 4 5 0 18 3 2 29 (13 4) >5000 48 0 4 60 16 3 2 30 (13 5) >5000 44 0 430 17 5 2 3 1 (13 6) >5000 4 7 0 4 5 0 16 3 2 3 2 (1 3 7) >5 0 00 4 8 0 46 0 16 5 163 318649 200800891〔表 58〕
實施例 化合物 半壽期 在10mA/cm2 下的初期亮度 1 5 Ot：、1 0 0 小時後的亮度 (c d/m2) 化合物的Tg (^) 2 3 3 (1 3 8) >5000 5 20 4 90 18 9 2 34 (1 3 9) >5000 4 70 4 60 164 2 3 5 (140) >5000 4 7 0 4 7 0 16 5 2 3 6 (1 41) >50 0 0 4 80 48 0 164 23 7 (14 2) >5000 4 9 0 48 0 16 9 2 3 8 (14 3) >5000 450 4 3 0 18 7 2 3 9 (1 44) >5000 440 4 4 0 16 9 2 4 0 (145) >5000 4 6 0 45 0 17 4 24 1 (1 46) >5000 5 10 4 90 16 8 2 4 2 (14 7) >5000 4 6 0 4 4 0 16 5 2 4 3 (14 8) >5000 4 7 0 4 70 17 1 2 4 4 (1 49) >5000 450 450 16 6 2 4 5 (1 50) >5000 4 6 0 4 50 16 9 24 6 (1 5 1) >5000 4 8 0 480 16 7 2 47 (15 2) >5000 5 10 5 10 1 76 2 4 8 (153) >5000 5 10 4 9 0 16 5 24 9 (1 54) >5000 4 70 4 6 0 17 9 2 5 0 (1 55) >5000 4 90 4 8 0 167 2 5 1 (156) >5000 4 9 0 4 80 18 1 164 318649 200800891 〔表 59〕 實施例 化合物 半壽期 在lOmA/cm2 下的初期亮度 1 5 Ot：, 1〇〇 小時後的亮度 (c d/m2) 化合物的Tg (t：) 2 52 (15 7) >5000 500 490 17 2 5 3 2 54 255 (1 58) (159) >5000 4 90 480 185
500 4 90 25 6 257 (160) (16 1) (162) >5 000 5 50 540
鲁 由表53至表59記載之結果可知，本發明化合物任一 者之Tg均高於化合物（E)、（F^ Tg，與比較例相較，使 用该等化合物製成之元件的半壽期較長且獲得較高的亮 度。 儿 (實施例260) 在附ITO包極的玻璃板上，蒸鍍銅醜菁而形成膜厚 25nm的電洞注入層。接著，將化合物（47)及上述化合物（A) 以100 . 8的組成比進行共蒸鍍而形成膜厚45nm的發光 318649 165 200800891 層。此外，蒸鍍上述化合物（B)而形成膜厚20nm的電子注 入層。在其上蒸鍍氧化鋰（Li20)lnm，再蒸鍍銘（Al)lOOnm， 藉此形成陰極而得有機EL元件。該元件在直流電壓10V 下的外部量子效率顯示8.0%。此外，在發光亮度240(cd /m2)下進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以上。 (實施例261至實施例284) 除了分別使用表1至表17中的化合物（48)、化合物 馨（49)、化合物（50)、化合物（52)、化合物（54)、化合物（5 7)、 化合物（61)、化合物（62)、化合物（64)、化合物（65)、化合 物（69)、化合物（76)、化合物（81)、化合物（84)、化合物（88)、 化合物（91)、化合物（94)、化合物（95)、化合物（96)、化合 物（101)、化合物（109)、化合物（112)、化合物（117)、化合 物（119)代替實施例260中的化合物（47)之外，與實施例260 相同地分別製成元件。該等元件在直流電壓10V下的外部 •量子效率均顯示8%以上。此外，在發光亮度240(cd/m2) 下進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以上。 (實施例285) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍銅酞菁而形成膜厚 25nm的電洞注入層。接著，將化合物（122)及上述化合物 (A)以100 : 8的組成比進行共蒸鍍而形成膜厚45nm的發 光層。此外，蒸鑛上述化合物（B)而形成膜厚20nm的電子 注入層。在其上蒸鍍氧化經（Li20)lnm，再蒸鍍銘 166 318649 200800891 (Al)lOOnm，藉此形成陰極而得有機EL元件。該元件在直 流電壓10V下的外部量子效率顯示7.8%。此外，在發光 亮度200(cd/m2)下進行定電流驅動時的半壽期為5000小 時以上。 (實施例286至實施例296) 除了分別使用表1至表17中的化合物（123)、化合物 (124)、化合物（125)、化合物（127)、化合物（129)、化合物 # (132)、化合物（136)、化合物（137)、化合物（139)、化合物 (145)、化合物（152)代替實施例285中的化合物（122)之外， 與實施例285相同地分別製成元件。該等元件在直流電壓 10V下的外部量子效率均顯示7%以上。此外，在發光亮度 220(cd/m2)下進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以 上。 丨（實施例297) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍表21中的化合物 HIM16而形成膜厚60nm的電洞注入層之後，蒸鑛化合物 (54)而形成膜厚2〇11111的電洞輸送層。接著，蒸鍍八193而 形成膜厚60nm的電子注入性發光層，在其上真空蒸鍍氟 化經Inm，再真空蒸鍍紹200nm，藉此形成電極而得有機 EL元件。該元件在直流電壓5V下的發光效率為2.4(lm/ W)。此外，在發光亮度500(cd/m2)下於室溫進行定電流 驅動時的半壽期為5000小時以上。 167 318649 200800891 (實施例298至實施例302) 除了分別使用表18至表19中的ΗΙΜ2、ΗΙΜ3、ΗΙΜ4、 ΗΙΜ5、ΗΙΜ9代替1111\416之外，與實施例297相同地製成 元件。該等元件在發光亮度500(cd/m2)下於室溫進行定 電流驅動時的半壽期均為5000小時以上。 (實施例303至實施例328)
除了分別使用表1至表17中的化合物（45)、化合物 (46)、化合物（48)、化合物（49)、化合物（50)、化合物（56)、 化合物（58)、化合物（59)、化合物（60)、化合物（62)、化合 物（63)、化合物（67)、化合物（70)、化合物（72)、化合物（74)、 化合物（78)、化合物（80)、化合物（82)、化合物（85)、化合 物（89)、化合物（92)、化合物（93)、化合物（97)、化合物 (102)、化合物（104)、化合物（107)代替實施例297中的化 合物(54)之外，與實施例297相同地製成元件。該等元件 在發光亮度500(cd/ m2)下於室溫進行定電流驅動時的半 壽期均為5000小時以上。 (實施例329) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍表21中的化合物 HIM16而形成膜厚60nm的電洞注入層之後，蒸鍍表1至 表17中的化合物（129)而形成膜厚20nm的電洞輸送層。接 著，蒸鍍Alq3而形成膜厚60nm的電子注入性發光層，在 168 318649 200800891 其上真空蒸鍍氟化鋰Inm，再真空蒸鍍鋁200nm，藉此形 成電極而得有機EL元件。該元件在直流電壓5 V下的發光 效率為2.2(lm/W)。此外，在發光亮度450(cd/m2)下於 室溫進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以上。 (實施例330至實施例334) 除了分別使用表18至表19中的ΗΙΜ2、ΗΙΜ3、ΗΙΜ4、 ΗΙΜ5、ΗΙΜ9代替ΗΙΜ16之外，與實施例329相同地製成 馨元件。該等元件在發光亮度450(cd/m2)下於室溫進行定 電流驅動時的半壽期均為5000小時以上。 (實施例335至實施例344) 除了分別使用表1至表17中的化合物（39)、化合物 (123)、化合物（124)、化合物（125)、化合物（131)、化合物 (133)、化合物（134)、化合物（135)、化合物（137)、化合物 φ (138)代替實施例329中的化合物（129)之外，與實施例329 相同地分別製成元件。該等元件在發光亮度500(cd/m2) 下於室溫進行定電流驅動時的半壽期均為5000小時以上。 (實施例345) 在附ITO電極的玻璃板上，真空蒸鍍HIM4而得膜厚 40nm的電洞注入層。接著，將化合物（51)及上述化合物（D) 以98 : 2的比率進行共蒸鍍而製成膜厚40nm的發光層， 接著，真空蒸鍍Alq3而製成膜厚40nm的電子注入層。在 169 318649 200800891 其上真空蒸鍍氟化鋰0.5nm，再真空蒸鍍鋁200nm，藉此 形成電極而得元件。該元件在直流電壓5V下的發光亮度 為500(cd/m2)，而得最大發光亮度96500(cd/m2)的發 光。此外，在發光亮度500(cd/m2)下進行定電流驅動時 的半壽期為5000小時以上。 (實施例346至實施例367) 除了分別使用表1至表17中的化合物（45)、化合物 H (46)、化合物（53)、化合物（5 5)、化合物（65)、化合物（66).、 化合物（67)、化合物（68)、化合物（70)、化合物（71)、化合 物（73)、化合物（90)、化合物（98)、化合物（100)、化合物 (103)、化合物（110)、化合物（Π1)、化合物（113)、化合物 (114)、化合物（118)、化合物（120)、化合物（121)代替實施 例345中的化合物（51)之外，與實施例345相同地分別製 成元件。該等元件在發光亮度500(cd/m2)下於室溫進行 φ定電流驅動時的半壽期均為5000小時以上。 (實施例368) 在附ITO電極的玻璃板上，真空蒸鍍HIM4而得膜厚 40nm的電洞注入層。接著，將化合物（126)及上述化合物 (D)以98 : 2的比率進行共蒸鍍而製成膜厚40nm的發光 層，接著，真空蒸鍍Alq3而製成膜厚40nm的電子注入層。 在其上真空蒸鍍氟化鋰0.5nm，再真空蒸鍍銘200nm，藉 此形成電極而得元件。該元件在直流電壓5V下的發光亮 170 318649 200800891 度為480(cd/m2)，而得最大發光亮度92100(cd/m2)的發 光。此外，在發光亮度500(cd/m2)下進行定電流驅動時 的半壽期為5000小時以上。 (實施例369至實施例378) 除了分別使用表1至表17中的化合物（39)、化合物 (128)、化合物（130)、化合物（140)、化合物（141)、化合物 (142)、化合物（143)、化合物（144)、化合物（146)、化合物 H (147)代替實施例368中的化合物（126)之外，與實施例368 相同地製成元件。該等元件在發光亮度500(cd/m2)下於 室溫進行定電流驅動時的半壽期均為5000小時以上。 (實施例379) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍HIM9而形成膜厚 50nm的電洞注入層之後，蒸鍍化合物（46) 20nm而形成電 0洞輸送層。此外，蒸鍍Alq3而形成膜厚20nm的發光層。 然後，蒸鑛化合物EX3而形成膜厚3 Onm的電子注入層。 在其上蒸鍍氧化鋰Inm，再蒸鍍铭lOOnm，藉此形成陰極 而得有'機EL元件。該元件在直流電壓5.0V下的發光亮度 顯示850(cd/m2)。此外，關於元件剛製成後在150°C的烘 箱中保存、1小時後的元件，在發光亮度500(cd/m2)下於 室溫進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以上。 (實施例380至實施例392) 171 318649 200800891 使用化合物EX4、化合物EX5、化合物EX7、化合物 EX9、化合物EX10、化合物EX12至化合物EX15、化合 物EX17至化合物EX20代替實施例379中的化合物EX3 作為電子注入層，以與實施例379相同的條件製成元件。 對於元件剛製成後在150°C的烘箱中保存1小時後的元 件，測定元件的特性。結果，任一元件於電流密度10(mA /cm2)下驅動時的元件特性皆為··電壓為4.0(V)以下，亮 度為500(cd/m2)以上，在發光亮度500(cd/m2)下於室溫 鐵I進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以上。 (實施例393至實施例408) 除了分別使用表1至表17中的化合物（40)、化合物 (45)、化合物（72)、化合物（73)、化合物（74)、化合物（75)、 化合物（77)、化合物（78)、化合物（79)、化合物（80)、化合 物（81)、化合物（82)、化合物（99)、化合物（108)、化合物 (115)、化合物（116)代替實施例379中的化合物（46)之外， 以與實施例379相同的條件製成元件。對於元件剛製成後 在150°C的烘箱中保存1小時後的元件，測定元件的特性。 結果，任一元件在電流密度10(mA/ cm2)下驅動時的元件 特性皆為··電壓為4.0(V)以下，亮度為500(cd/m2)以上， 在發光亮度500(cd/m2)下於室溫進行定電流驅動時的半 壽期為5000小時以上。 (實施例409) 172 318649 200800891 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍HIM9而形成膜厚 5Onm的電洞注入層後，蒸鍍化合物（39) 2Onm而形成電洞 輸送層。接著，蒸鍍Alq3而形成膜厚20nm的發光層。然 後，蒸鍍化合物EX3而形成膜厚3 Onm的電子注入層。在 其上蒸鑛氧化經1 nm，再蒸鍍銘1 OOnm，藉此形成陰極而 得有機EL元件。該元件在直流電壓5.0V下的發光亮度為 750(cd/m2)。再者，關於元件剛製成後在150t：的烘箱中 保存1小時後的元件，在發光亮度500(cd/m2)下於室溫 •進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以上。 (實施例410至422) 使用化合物EX4、化合物£乂5、化合物£又7、化合物 EX9、化合物EX10、化合物EX12至化合物EX15、化合 物EX17至化合物EX20代替實施例409中的化合物EX3 作為電子注入層，以與實施例409相同的條件製成元件。 $對於元件剛製成後在150°C的烘箱中保存1小時後的元 件，測定元件的特性。結果，任一元件在電流密度10(mA /cm2)下驅動時的元件特性皆為：電壓為4.0(V)以下，亮 度為400(cd/m2)以上，在發光亮度500(cd/m2)下於室溫 進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以上。 (實施例423至433) 除了分別使用表1至表17中的化合物（148)、化合物 (214)、化合物（150)、化合物（151)、化合物（153)、化合物 173 318649 200800891 (154)、化合物（155)、化合物（156)、化合物（157)、化合物 (15 8)、弗合物（163)代替實施例409中的化合物C39)之外， 以與實施例409相同的條件製成元件。對於元件剛製成後 在150°C的烘箱中保存1小時後的元件，測定元件的特性。 結果，任一元件在電流密度10(mA/ cm2)下驅動時的元件 特性皆為：電壓為4.〇(V)以下，亮度為400(cd/m2)以上， 在發光亮度500(cd/ m2)下於室溫進行定電流驅動時的半 壽期為5000小時以上。 (實施例434) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍化合物HIM10而形成 膜厚55nm的電洞注入層之後，蒸鍍化合物（83)20nm而形 成電洞輸送層。接著，蒸鍍Alq3而形成膜厚20nm的發光 層。然後，蒸鍍化合物ET3而形成膜厚3 Onm的電子注入 層。在其上蒸鍍氧化鋰lnm，再蒸鍍lOOnm，藉此形成 陰極而得有機EL元件。該元件在直流電壓5 V下的發光亮 度為850(cd/m2)。此外，關於元件剛製成後在150°C的烘 箱中保存1小時後的元件，在發光亮度500(cd/m2)下於 室溫進行定電流驅動時的半壽期，任一元件均為5000小時 以上。 (實施例435至實施例447) 使用4匕合物ET4、4匕合物ET5、>fb合物ET7、>[匕合物 ET9、化合物ET10、化合物ET12至化合物ET14、化合物 174 318649 200800891 ΕΤΙό至化合物£Τ20代替實施例434中的化合物£Τ3作為 電子注入層，以與實施例434相同的條件製成元件。對於 元件剛製成後在150°C的烘箱中保存1小時後的元件，測 定元件的特性。結果，任一元件在電流密度10(mA/ cm2) 下驅動時的元件特性皆為：電壓為4.0(V)以下，亮度為 500(cd/m2)以上，在發光亮度500(cd/m2)下於室溫進行 定電流驅動時的半壽期為5000小時以上。 •(實施例448) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍化合物111]\410而形成 膜厚55nm的電洞注入層之後，蒸鍍化合物（159)20nm而形 成電洞輸送層。接著，蒸鍍Alq3而形成膜厚20nm的發光 層。然後，蒸鐘化合物ET3而形成膜厚3〇11111的電子注入 層。在其上蒸鍍氧化鋰1 nm，再蒸鍍銘1 OOnm，藉此形成 陰極而得有機EL元件。該元件在直流電壓5 V下的發光亮 φ度為770(cd/m2)。此外，關於元件剛製成後在150°C的烘 箱中保存1小時後的元件，在發光亮度500(cd/m2)下於 室溫進行定電流驅動時的半壽期，任一元件均為5000小時 以上。 (實施例449至實施例461) 使用合物ET4、4匕合物ET5、4匕合物ET7、4匕合物 ET9、化合物ET10、化合物ET12至化合物ET14、化合物 ET16至化合物ET20代替實施例448中的化合物ET3作為 175 318649 200800891 電子注入層，以與實施例448相同的條件製成元件。對於 元件剛製成後在150°C的烘箱中保存1小時後的元件，測 定元件的特性。結果，任一元件在電流密度10(mA./ cm2) 下驅動時的元件特性皆為：電壓為4.0(V)以下，亮度為 400(cd/m2)以上，在發光亮度500(cd/m2)下於室溫進行 定電流驅動時的半壽期為5000小時以上。 (實施例462) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍化合物HIM11而形成 膜厚60nm的電洞注入層之後，蒸鍍化合物（84)15nm而形 成電洞輸送層。接著，蒸鍍Alq3而形成膜厚20nm的發光 層。然後，蒸鍍化合物ES5而形成膜厚30nm的電子注入 層。在其上蒸鍍氧化裡1 nm，再蒸鍍銘1 OOnm，藉此形成 陰極而得有機EL元件。該元件在直流電壓5.0V下的發光 效率為3.5(lm/W)。此外，關於元件剛製成後在150°C的 烘箱中保存1小時後的元件，在發光亮度500(cd/m2)下 於室溫進行定電流驅動時的半壽期，任一元件均為5000 小時以上。 (實施例463) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鑛化合物HIM11而形成 膜厚60nm的電洞注入層之後，蒸鑛化合物（160)15nm而形 成電洞輸送層。接著，蒸鍍Alq3而形成膜厚20nm的發光 層。然後，蒸鍍化合物ES5而形成膜厚30nm的電子注入 176 318649 200800891 層。在其上蒸鍍氧化鋰Inm，再蒸鍍銘1 OOnm，藉此形成 陰極而得有機EL元件。該元件在直流電壓5.0V下的發光 效率為3.0(lm/W)。此外，關於元件剛製成後在150X：的 烘箱中保存1小時後的元件，在發光亮度5〇〇(cd/m2)下 於室溫進行定電流驅動時的半壽期，任何元件均，為5000 小時以上。 (實施例464) 在附ITO電極的玻璃板上，使化合物（73)溶解於1,2-二氯乙烧，藉由旋塗法形成膜厚5 Onm的電洞注入層。接 著，蒸鍍Alq3而製成膜厚30nm的電子注入性發光層，且 在其上，使用鎂與銀以1 〇 : 1混合而成的合金形成膜厚 lOOnm的電極而得元件。該元件在直流電壓8.0V下的發光 效率為3.0(lm/W)。此外，在發光亮度500(cd/m2)下於 室溫進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以上。 (實施例465) 在附ITO電極的玻璃板上，使化合物（149)溶解於1，2-二氯乙烷，藉由旋塗法形成膜厚50nm的電洞注入層。接 著，蒸鍍Alq3而製成膜厚30nm的電子注入性發光層，且 在其上，使用鎂與銀以1 〇 : 1混合而成的合金形成膜厚 lOOnm的電極而得元件。該元件在直流電壓8.0V下的發光 效率為2.5(lm/W)。此外，於發光亮度500(cd/m2)下於 室溫進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以上。 177 318649 200800891 (實施例466) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍化合物（40)而形成膜 厚35nm的電洞注入層。接著，將以下所示化合物（G)與 Alq3以1 : 50的組成比進行共蒸鍍而形成膜厚40nm的發 光層。接著，蒸鍍Alq3而形成膜厚30nm的電子注入層。 在其上真空蒸鍍氟化鋰（LiF)lnm，再真空蒸鍍 (Al)200nm，藉此形成電極而得元件。該元件在直流電壓 5.0V下的發光效率為〇·75(1πι/W)。此外，於發光亮度 ⑩500(cd/m2)進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以 上0
[G] (實施例4 6 7) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍化合物（161)而形成膜 厚35nm的電洞注入層。接著，將上述化合物（〇)與八1(13 以1:50的組成比進行共蒸鍍而形成膜厚40nm的發光層。 接著，蒸鍍Alq3而形成膜厚30nm的電子注入層。在其上 真空蒸鍍氧化鋰Inm，再真空蒸鍍鋁200nm，藉此形成電 極而得元件。該元件在直流電壓5·〇ν下的發光效率為 0.65(lm/W)。再者，於發光亮度500(cd/m2)進行定電流 驅動時的半壽期為5000小時以上。 318649 178 200800891 (實施例468) 在附ITO電極的玻璃板上，將化合物（85)與化合物（86) 以1 : 1的組成比進行共蒸鍍而形成膜厚60nm的電洞注入 層。接著，蒸鍍以下所示化合物(H)而形成膜厚20nm的發 光層。接著，蒸鍍Alq3而形成膜厚20nm的電子注入層。 在其上真空蒸鍍氟化鋰（LiF)lnm，再真空蒸鍍鋁 (Al)200nm，藉此形成電極而得元件。該元件在直流電壓 5.0V下的發光效率為3.0(lm/W)。再者，於發光亮度 • 500(cd/ m2)進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以
(實施例469) 在附ITO電極的玻璃板上，將化合物（162)與化合物（163) 以1 : 1的組成比進行共蒸鍍而形成膜厚60nm的電洞注入 層。接著，蒸鍍上述化合物（H)而形成膜厚20nm的發光層。 然後，蒸鍍Alq3而形成膜厚20nm的電子注入層。在其上 真空蒸鍍氟化鋰（LiF)lnm，再真空蒸鍍鋁（Al)200nm，藉此 形成電極而得元件。該元件在直流電壓5.2V下的發光效率 為2.5(lm/W)。再者，於發光亮度500(cd/m2)進行定電流 179 318649 200800891 驅動時的半壽期為5000小時以上。 (實施例470) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍化合物（87)而形成膜厚 60nm的電洞注入層。接著，將以下所示化合物（I)與以下所 示化合物（J)以20 : 1的組成比進行共蒸鍍而形成膜厚20nm 的發光層。然後，蒸鍍Alq3而形成膜厚20nm的電子注入 層。在其上真空蒸鍍氟化鋰（LiF)lnm，再真空蒸鍍鋁 (Α1)200ηπι ’錯此形成電極而得兀件。該兀件在直流電壓 5.0V下的發光效率為6.0(lm/W)。再者，於發光亮度500(cd /m2)進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以上。
(實施例471) 在附ITO電極的破璃板上，蒸鍍化合物（164)而形成膜 厚60nm的電洞注入層。接著，將上述化合物（I)與上述化 合物（J)以20 : 1的組成比進行共蒸鍍而形成膜厚20nm的 發光層。然後，蒸鐘Alq3而形成膜厚20nm的電子注入層。 在其上真空蒸鍍氟化鋰（LiF)lnm，再真空蒸鍍鋁 180 318649 200800891 (Al)200nm，藉此形成電極而得元件。該元件在直流電壓 6·0V下的發光效率為5·8(lm/ W)。再者，於發光亮度500(cd /m2)進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以上。 (實施例472) 在附ΙΤΌ電極的玻璃板上，蒸鍍化合物（61)而形成膜 厚45nm的電洞注入層。接著，將以下所示化合物（K)與以 下所示化合物（L)以20 ·· 1的組成比進行共蒸鍍而形成膜厚 ® 40nm的發光層。然後，蒸鍍Alq3而形成膜厚30nm的電子 注入層。在其上真空蒸鍍氟化鋰（LiF)lnm，再真空蒸鍍鋁 (Al)200nm，藉此形成電極而得元件。該元件在直流電壓 4.0V下的發光效率為3.5(lm/W)。再者，於發光亮度500(cd /m2)進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以上。
181 318649 200800891 (實施例473) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍化合物（136)而形成膜 厚45nm的電洞注入層。接著，將上述化合物（Κ)與上述化 合物（L)以20 : 1的組成比進行共蒸鍍而形成膜厚40nm的 發光層。此外，蒸鍍Alq3而形成膜厚30nm的電子注入層。 在其上真空蒸鍍氟化鋰（LiF)lnm，再真空蒸鍍鋁 (Al)200nm，藉此形成電極而得元件。該元件在直流電壓 4.0V下的發光效率為3.0(lm/W)。再者，於發光亮度 • 500(cd/m2)進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以 上0 (實施例474) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍本發明之化合物（54) 而形成膜厚70nm的電洞注入層。接著，將以下所示化合 物（M)與Alq3以1: 1的組成比進行共蒸鍍而形成膜厚4511111 的電子輸送性發光層。然後，在其上，利用將鎂與銀以1 : 3混合的合金形成膜厚200nm的電極而得元件。該元件在 直流電壓，7.0V下的發光效率為2.0(lm/W)。此外，在發 光亮度500(cd/m2)下於室溫進行定電流驅動時的半壽期 為5000小時以上。
182 318649 200800891 (實施例475) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍本發明之化合物（129) 而形成膜厚7〇nm的電洞注入層。接著，將上述化合物（Μ) 與Alq3以1 : 1的組成比進行共蒸鍍而形成膜厚45nm的 電子輸送性發光層。此外，在其上，使用鎂與銀以1:3 混合而成的合金形成膜厚200nm的電極而得元件。該元件 、在直流電壓7.5V下的發光效率為1.5(lm/W)。此外，在 發光亮度400(cd/m2)下於室溫進行定電流驅動時的半壽 馨期為5000小時以上。 (實施例476) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍化合物（19)而形成膜 厚50nm的電洞注入層。接著，將化合物（K)與以下所示化 合物（N)以100: 1的組成比進行共蒸鍍而形成膜厚25nm 的發光層。然後，蒸鍍BCP而形成膜厚25nm的電子注入 0層。在其上，蒸鍍鋰（Li)0.5nm，再蒸鍍銀150nm而得元件。 該元件在直流電壓8.0V下的發光效率為L5(lm/W)。再 者，於發光亮度500(cd/m2)進行定電流驅動時的半壽期 為5000小時以上。 183 318649 200800891
(實施例477)
在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍化合物（139)而形成膜 厚50nm的電洞注入層。接著，將上述化合物（Κ)與上述化 合物（N)以100: 1的組成比進行共蒸鍍而形成膜厚25nm 的發光層。然後，蒸鍍BCP而形成膜厚25nm的電子注入 層。在其上，蒸鑛鋰（Li)0.5nm，再蒸鍍銀150nm而得元件。 該元件在直流電壓9.0V下的發光效率為1.2(lm/W)。再 者，於發光亮度500(cd/m2)進行定電流驅動時的半壽期 為5000小時以上。 (實施例478) 在附ΙΤΌ電極的玻璃板上，蒸鍍本發明之化合物（76) 而形成膜厚40nm的電洞注入層。接著，將以下所示化合 物（〇)蒸鍍l〇nm而形成電洞輸送層。然後，將以下所示化 合物（P)與以下所示化合物（Q)以1 : 9的組成比進行共蒸鍍 而形成膜厚25nm的發光層。此外，將BCP蒸鍍而形成膜 厚15nm的電洞阻止層。再者，蒸鍍Alq3而形成膜厚25nm 184 318649 200800891 白、“子庄人層。在其上，蒸鑛氟化鐘⑽）_，再基鑛铭 8/V 了的外部Γ子效率為8.0%。此外，在發光亮度2〇〇(cd m )下進打^電流驅動時的半壽期為別⑽小上。
⑽議證’藉此形成陰極而得元件。㈣件在直流電壓
[Q] (實施例479) 在附ITO電極的麵板上，蒸财發明之化合物d 而形成膜厚40績的電洞注入層。接著，蒸鍍上述化合 (O)lOnm而形成電洞輸送層。接著，將上述化合物⑺與 述化合物（Q)以1:9的組成比進行共蒸鑛而形成膜厚25 318649 185 200800891 的發光層。然後，蒸鍍BCP而形成膜厚15nm的電洞阻止 層。再者，蒸鑛Alq3而形成膜厚25nm的電子注入層。在 其上，蒸鍍氟化鋰（LiF)lnm，再蒸鍍鋁（Al)lOOnm，藉此形 成陰極而得元件。該元件在直流電壓10V下的外部量子效 率為7·5%。此外，於發光亮度100(cd/m2)進行定電流驅 動時的半壽期為5000小時以上。 (實施例480) 在附ΠΌ電極的玻璃板上，蒸鍍本發明之化合物 (55)60nm而形成電洞注入層。接著，蒸鐘Alq3而形成膜 厚20nm的發光層。蒸鍍以下所示化合物（R)而形成膜厚 30nm的電子注入層。在其上，蒸鍍氧化鐘（Li20)lnm，再 蒸鍵鋁（Al) 1 OOnm，藉此形成陰極而得元件。該元件在直流 電壓4.0V下的發光效率為3.3(lm/W)。再者，於發光亮 度500(cd/m2)進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以
[R] 除了使用ES11、EP2至4、ΕΡΙΟ、EP22代替實施例 480中的化合物（R)作為電子注入層之外，以與實施例480 相同的條件進行實驗。關於元件剛製成後在150°C的烘箱 186 318649 200800891 中保存1小時後的元件，與實施例480相同地測定元件特 性。結果，任一元件在電流密度10(mA/ cm2)下驅動時的 元件特性皆為：電壓為4.0(V)以下，亮度為500(cd/m2) 以上，在發光亮度500(cd/m2)下於室溫進行定電流驅動 時的半壽期為5000小時以上。 (實施例487) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍本發明之化合物（130) 參60nm而形成電洞注入層。接著，蒸鍍Alq3而形成膜厚20nm 的發光層。蒸鍍上述化合物（R):而形成膜厚30nm的電子注 入層。在其上，蒸鍍氧化經（Li20)lnm，再蒸鍍銘 (Al)lOOnm，藉此形成陰極而得元件。該元件在直流電壓 4.0V下的發光效率為2.7(lm/ W)。再者，於發光亮度 500(cd/ m2)進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以 上0 (實施例488至493) 除了使用ES11、EP2至4、ΕΡΙΟ、EP22代替實施例 487中的化合物（R)作為電子注入層之外，以與實施例487 相同的條件進行實驗。關於元件剛製成後在150°C的烘箱 中保存1小時後的元件，與實施例487相同地測定元件特 性。結果，任一元件在電流密度10(mA/cm2)下驅動時的 元件特性皆為：電壓為4.0(V)以下，亮度為400(cd/m2) 以上，在發光亮度500(cd/m2)下於室溫進行定電流驅動 187 318649 200800891 時的半壽期為5000小時以上。 (實施例494) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鍍本發明之化合物（46) 而形成膜厚3 5nm的電洞注入層。接著，蒸鍍HTM9而形 成膜厚20nm的電洞輸送層。將以下所示化合物（S)與以下 所示化合物（T)以50:1的組成比進行共蒸鍍而形成膜厚 35nm的發光層。然後，蒸鍍以下所示化合物（U)而形成膜 馨厚30nm的電子注入層。在其上蒸鍍氟化鋰（LiF)lnm，再蒸 鐘銘（Al)200nm，藉此形成電極而得元件。該元件在直流電 壓3.5V下的發光效率為5.0(lm/W)。再者，於發光亮度 500(cd/m2)進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以上。
188 318649 200800891 (實施例495至511) 分別使用化合物（50)、化合物（54)、化合物（58)、化合 物（61)、化合物（64)、化合物（76)、化合物（80)、化合物（84)、 化合物（88)、化合物（91)、化合物（95)、化合物（97)、化合 物（101)、化合物（104)、化合物（109)、化合物（114)、化合 物（119)代替實施例494中的化合物（49)，以與實施例494 相同的條件製成元件。結果，任一元件在電流密度10(mA /cm2)下驅動時的元件特性皆為：電壓為4.0(V)以下，亮 參度為500(cd/m2)以上，在發光亮度500(cd/m2)下於室溫 進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以上。 (實施例512) 在附ITO電極的玻璃板上，蒸鑛本發明之化合物（3 9) 而形成膜厚35nm的電洞注入層。接著，蒸鍍HTM9而形 成膜厚20nm的電洞輸送層。將上述化合物（S)與上述化合 φ物（T)以50 : 1的組成比進行共蒸鍍而形成膜厚35nm的發 光層。然後，蒸鐘上述化合物（U)而形成膜厚30nm的電子 注入層。在其上蒸鍍氟化鋰(LiF)lnm，再蒸鍍鋁 (A 1)20 Onm ’猎此形成電極而得兀件。該兀件在直流電壓 3.5V下的發光效率為4.5(lm/W)。再者，於發光亮度 500(cd/m2)進行定電流驅動時的半壽期為5000小時以 上0 (實施例513至519) 189 318649 200800891 分別使用化合物（125)、化合物（129)、化合物（133)、 化合物（136)、化合物（139)、化合物（152)、化合物（156)代 替實施例512中的化合物（39)，以與實施例512相同的條 件製成元件。結果，任一元件在電流密度10(mA/cm2)下 驅動時的元件特性皆為：電壓為4.0(V)以下，亮度為450(cd /m2)以上，在發光亮度500(cd/m2)下於室溫進行定電流 驅動.時的半壽期為50Ό0小時以上。 如上所述，藉由使用本發明所示之化合物，可製成性 能較高的EL元件。明顯發揮遠高於比較化合物的性能， 可達成有機EL元件之低驅動電壓化、長壽命化。 本發明係提供一種有用且新穎的含有咔唑之胺化合物 作為有機電激發光元件用材料，本發明之態樣如下所述。 (1) 一種含有吟17坐之胺化合物，係以下通式〔1〕所示者：
(式中， A表不· 以下通式〔2〕所示之伸苯基： 190 318649 200800891
(式中，R1至r5中之一 表示氫原子、齒专 ’、、"鍵，其餘各自獨立地 以下通式〔3〕所Λ素原子或一價有機殘基）；或 J所不之伸聯苯基：
Τ中，反6至Rl〇中之一及Rll至Ri5中之一表示鍵 、°鍵，其餘各自獨立地表示氫原子、鹵素原子或一 價有機殘基）； 至Ar各自獨立地表示可具有取代基之碳數6至 之^芳香族烴基、可具有取代基之碳數2至18之一 4貝4 %基或以下通式〔4〕所示之咔唑基： 191 318649 200800891
(式中’Af5係可具有取代基之碳數6至18之一價芳 香族煙基、或可具有取代基之碳數2至18之一價芳 9知_ %〈基；R16至R22各自獨立地表示氫原子、鹵 素原子或一價有機殘基); 惟ΑΓ至中之至少一個係通式〔4〕所示之咔唑基）。 (2)如上逑⑴之含有料之胺化合物，纟中，通式〔1〕中 之A係以下通式〔5〕或以下通式〔6〕所示之2價基：
示氫原子、齒素原子 Q t ’ Ri至R4各自獨立地表 或一價有機殘基）； 318649 192 200800891
表示氫原子、鹵素原子或一價有機殘基；R12至 R各自獨立地表示氳原子、鹵素原子或一價有機 殘基）。 、 (3)如上述（1)項或之含有咔唑之胺化合物，其中，通式 〔1〕中之A係以下通式〔13〕所示之4,4，_伸聯苯基：工
如上述⑴至⑺中任一者之含有味唾之胺化合物， 中，通式⑴中之中之2個以上係以下 所示之咔唑基·· 318649 193 200800891
&或可具有取代基之碳數2至18之一價芳 香族雜環基· = ^22、 衣&’R至R22各自獨立地表示氫原子、鹵 素原子或一價有機殘基）。 (^?述（4)4之含有㈣之胺化合物，其中，通式⑴中 "至&中之Arl及Ar2係通式〔4〕所示之十坐基。 ⑹如^述（5)之含有㈣之胺化合物 〔 丨之Arl Ar4中之〗 T通式L1J中
Ar3及Ar4伤夂6 < Γ係通式〔4〕所示之咔唑基； 一價芳香族烴基。 了-有取代基之碳數6至18之 ⑺如上述（1)至⑹巾任—者之含有^ 中，通式〔4〕所示之 之胺化y物，其 所示之味唾基： 土之至^姻係以下通式〔7〕 318649 】94 200800891
Ar*
[7] (式中’Ar5係表示可具有取代基之碳數6至is之一
仏芳香知經基或可具有取代基之碳數2至18之一價 芳香族雜環基）。 ()、込（1)至（7)中任一者之含有咔唑之胺化合物，$ 或通式〔7〕中之Af5係可具有取代基之爷 數至18之-價芳香族煙基。 ’其中’通式〔4〕或 所示之基： (9)如上述⑻之含有味峻之胺化合物 通式〔7〕中之Ar5係以下通式〔8〕
(式中’ R23表示氫原子、鹵素原子、碳數！至3 烷基、可具有取代基之碳數6至12之—僧—之 基或可具有取代基之碳數2至5之一價雜广 318649 195 200800891 (10)如上述（9)之含有咔唑之胺化合物，其中，通式〔8〕中 之R23係可具有取代基之碳數6至12之一價芳香族烴基。 (Π)如上述（10)之含有咔唑之胺化合物，其中，通式〔4〕 或通式〔7〕巾之Ars係以下通式〔9〕所示之可具有取 基之聯苯基：
[9] (式中，R3表示氫原子、鹵素原子、氰基、可具有 取代基之;讀丨至4之烧基或可具有取代基之苯 基）。
(12)如上述（1)至（7)中 中’通式〔4〕或通式 基。 任一者之含有咔唑之胺化合物，其 〔7〕中之Ar5係可具有取代基之萘 上述（12)之含有W之胺化合物，其中，通式〔4〕 或通式〔7〕中之Ar5係以下、s 4 、 基之荠美· 、 、式〔1〇〕所示之可具有取代 318649 196 200800891
(式中，R23表示與上述通式〔8〕之R23相同者；R24 至R27各自獨立地表示氫原子、鹵素原子、1基、 可具有取代基之碳數1至4之烷基或可具有取代基 之苯基)。 (14)如上述（12)之含有咔唑之胺化合物，其中，通式〔4〕 或通式〔7〕中之Ar5係以下通式〔11〕所示之可具有取代 基之萘基：
(式中，R28至R32各自獨立地表示氫原子、鹵素原 子、氰基、可具有取代基之碳數丨至4之烷基或可 具有取代基之苯基）。 (15)如上述（1)至（7)中任一者之含有咔唑之胺化合物，其 中，通式〔4〕或通式〔7〕中之Ar5係可具有取代基之卜 318649 197 200800891 蒽基、可具有取代基之2-蒽基、可具有取代基之、蒽基或 可具有取代基之9-菲基（9-phenanthryl)。 (16) 如上述至（15)中任一者之含有咔唑之胺化合物，其 中，玻璃轉移溫度（Tg)為130°C以上。 八 (17) —種有機電激發光元件用材料，係包含上述（丨）至 中任一者之含有咔唑之胺化合物。 對電極之間形成有機 而成的古 兩成的有機電激 包含上述⑴)之；機 Π8)—種有機電激發光元件，係在一 層或形成包含發光層之複數層有機層 元件，其中，
電激發光元件用材料。 (19)種有機電激發光元件，係 春輸运層的有機電激發光元件，其 洞輸送層係含有上述（17)之有機 係具有電洞注入層及/或 其中，該電洞注入層及/ ，其中， 電激發光元 元件用材料。 及/或電 (2〇)—種以下通式〔12〕所示 所示之咔唑衍生物： R17 Ar5
3I8649 198 200800891 (式中Ar係可具有取代基之碳數6至μ之一 香族煙基或可具有取代基之碳數2至18之—價芳夭 族雜環基；R16至R22久白熵 — > 、曰 、 K各自獨立地表不氣原子、鹵素 原子或-價有機殘基；χ表示選自氯原子、漠 或碘原子之鹵素原子）。 、/' (21)如上述(2G)之料衍生物，其中，通式〔丨2〕中之Μ 係可具有取代基之魏6至18之—價芳香族烴基；Ri6至 R22料自獨立地為氫原子、ώ素原子、魏丨至Μ之烧 ，、厌數3至18之壤烧基、碳數6至」8之單環式、稠合 環式或多環式芳香族絲、碳數〗至8之絲基、碳數6 至14之务氧基、或經碳數2至16之烴基所取代的經取代 胺基。 、 (22) 如上述（20)或（21)之咔唑衍生物，其中，通式〔12〕中 鲁之Ar5係碳數6至18之一價芳香族烴基。 (23) 如上述（20)至（22)中任一者之咔唑衍生物，其中，通式 〔12〕中之R16至R22係氫原子。 (產業上之可利用性） 本發明係提供一種有用且新穎的含有咔唑之胺化合物 作為有機電激發光（有機EL)元件用材料，以及使用該含有 咔唑之胺化合物的有機電激發光元件用材料及有機電激發 318649 199 200800891 於電氣產業、日 =兀件等，不僅適用於化學產業，亦適用 $用°口產業等，具有產業利用可能性。 【圖式簡單說明】 第1圖係化合物（2)之質譜圖。 第2圖係化合物（2)之ih_nmr光譜。^中） 第3圖係化合物（2)之i3c_NMR光譜。（ΤΗρ_^中） 第4圖係化合物（22)之質譜圖。 弟5圖係化合物（22)之1H_NMR光譜。（THF-ds中） 第6圖係化合物（22)之13C-NMR光譜。（THF_d8中） 第7圖係化合物（39)之質譜圖。 第8圖係化合物（39)之1H-NMR光譜。（THF-d8中） 第9圖係化合物（45)之質譜圖。 第10圖係化合物（45)之1H-NMR光譜。（THF-d8中） 第11圖係9-(1 -萘基）-3-演味n坐之質譜圖。 第12圖係>(1-萘基）-3-溴咔唑之1H-NMR光譜。（氯 仿-d中） 200 318649

Claims (1)

  1. 200800891 十、申請專利範圍： 1· 一種含有咔唑之胺化合物·，係以下通式〔1〕所示者··
    [1] (式中， A表示：
    以下通式〔2〕所示之伸苯基··
    [2] (式中，RI至R5中之一表示鍵結鍵，其餘各自獨 m、立地表示氫原子、鹵素原子或一價有機殘基）；或 通式〔3〕所示之伸聯苯基：
    (式中， 鍵結鍵 R至^中之-及^至P中之-表示 ’其餘各自獨立地表示氫原子、鹵素原子 318649 201 200800891 或一價有機殘基）； Ar至Ar4各自獨立地表示可具有取代基之碳數6 至18之一彳貝芳香族烴基、可具有取代基之碳數2至18 之一價雜環基或以下通式〔4〕所示之咔唑基··
    (式中，Ar5係可具有取代基之碳數6至18之一價 芳香知烴基、或可具有取代基之碳數2至18之一 價芳香族雜環基;Rl6至R22各自獨立地表示氫原 子、鹵素原子或一價有機殘基）； 准Ar至Ar中之至少一個係通式〔4〕所示之咔唑 基）。 =申μ專利範®第1項之含有。卡峻之胺化合物，其中， ^式〔1〕中之Α係以下通式〔5〕或以下通式〔6〕所 不之2價基：
    318649 202 200800891 (式中’ R至R4各自獨立地表示氫原子、鹵素原 子或一價有機殘基）；
    立地表示氫原子、齒素原子或一價有機殘基；R 至Rl5各自獨立地表示氫原子、翻素原子或一價 有機殘基）。 如申明專利圍第〗項或第2項之含有咔唑之胺化合 物，其中，通式〔1〕中之A係以下通式〔13〕所示之 4,4’_伸聯苯基： R8 R13
    春 ^ [13] R9 R10 R15 \i4 (式中，R7至R10及R12至RI5各自獨立地表示氯原 子、鹵素原子或一價有機殘基）。 4.如申請專利範圍第1項至第3項中任—項之含有咔唑之 胺化合物’其中，通式〔丨〕中之八一至入^中之2個以 上係以下通式〔4〕所示之咔哇基·· 318649 203 200800891
    (式中，Ar5表示可具有取代基之碳數6至18之一價 ® 务香埃烴基或可具有取代基之碳數2至18之一價芳 香族雜環基；R16至R22各自獨立地表示氫原子、齒 素原子或一價有機殘基）。 5 ·如申请專利範圍第4項之含有咔峻之胺化合物，其中， 通式〔1〕中之Ar1至Ar4中之Ar1及Ar2係通式〔4〕 所示之味0坐基。 6.如申請專利範圍第5項之含有咔唑之胺化合物，其中， #通式〔1〕中之Al>1至Ar4中之Ar1及Ar2係通式〔4〕 所不之咔唑基，Ar3及Ar4係各自獨立地為可具有取代 基之碳數6至18之—價芳香族烴基。 7·如申請專利範圍第1項至第6項中任—項之含有吟峻之 胺化合物’其中’通式〔4〕所示之咔唑基之至少一個 係以下通式〔7〕所示之咔唾基： 318649 204 200800891
    係表示可具有取代基之碳數6至18之一 4貝芳s無;Ik基或可具有取代基之碳數2至18之一價 芳香族雜環基）。 、 8. ^申請專利範圍第！項至第7項中任—項之含有味唾之 胺化口物’其中，通式〔4〕或通式〔7〕中之Ar5係可 具有取代基之碳數6至18之一價芳香族煙基。 如申請專利範圍第8項之含有料之胺化合物，其中， ^式〔4〕或通式〔7〕中之Ar5係以下通式〔8〕所示
    C8] (式中，R23表示氫原子、鹵素原子、碳數1至3之 烷基、可具有取代基之碳數6至12之一價芳香族烴 基或可具有取代基之碳數2至5之一價雜環基）。 汝申明專利範圍第9項之含有咔唑之胺化合物，其中， 通式U〕中之R23係可具有取代基之礙數6至u之— 318649 205 200800891 價芳香族烴基。 11.如申請專利範圍第H)項之含有十坐之胺化合物，其 中一通式〔4〕或通式〔7〕中之Ar5係以下通式 所示之可具有取代基之聯苯基：
    [9] (式中’R33表示氫原子、_素原子、氰基、可具有
    取代基之碳數1至4之烷基或可具有取代基之 基）。 12.如申請專利範圍帛1項至第7項中任-項之含有十坐之 胺化合物’其中，通式〔4〕或通式〔7〕中之Ar5係可 具有取代基之萘基。 a如申請專利範圍第12項之含有㈣之胺化合物，其 中丄通式〔4〕或通式〔7〕中之Ar5係以下通式〔1〇〕 所不之可具有取代基之萘基： 參 R23
    (式中η’ R23表示與上述通式〔8〕之R23相同者，R24 至R27各自獨立地表示氳原子、函素原子、氛基、 可，有取代基之礙數1至4之燒基或可具有取代基 之苯基)。 318649 206 200800891 14·如申明專利範圍第12項之含有咔唑之胺化合物，其 中’通式〔4〕或通式〔7〕中之Ar5係以下通式〔U〕 所示之可具有取代基之萘基·· R29 R30
    [11] R28\人人/妒1
    (式中，R28至R32各自獨立地表示氫原子、鹵素原 子、氰基、可具有取代基之碳數i至4之烷基或可 具有取代基之苯基）。 15. 如申請專利範圍第丨項至第7項中任一項之含有咔唑之 胺化合物’其中，通式〔4〕或通式〔7〕中之Ar5係可 具有取代基之1-蒽基、可具有取代基之2_惠基、可具有 取代基之9-；!基或可具有取代基之9_菲基。 16. 如申請專利範圍帛i項至第15項中任一項之含有味唑 •之胺化合物，其中，玻璃轉移溫度（Tg)為130。〇以上。 17·種有機電激發光几件用材料，係包含申請專利範圍第 1項至第15項中任一項之含有咔唑之胺化合物。 18. 種有機電激發光件’係在—對電極之間形成有機層 或形成包§叙光層之袓數層有機層而成的有機電激發 光=件’其巾’該有機層之至少_層係包含申請專利範 圍第17項之有機電激發光元件用材料。 19. 一種有機電激發光元件，係具有電洞注入層及/或電洞 輪送層的有機電激發光元件，其中，該電洞注入層及/ 318649 207 200800891 或電洞輸送層係含有申請專利範圍第17項之 發光元件用材料。 屯放 .種以下通式〔12〕所示之味哇衍生物：
    [12] ，（式中，Ar5係可具有取代基之碳數6至18之一價芳 香族烴基或可具有取代基之碳數2至18之_價芳香 族雜環基;RW至R22各自獨立地表示氫原子、画‘ 原子或一價有機殘基；X表示選自氯原子、溴原子 或碘原子之鹵素原子）。 21·如申請專利範圍第20項之咔唑衍生物，其中，通式〔12〕 中之Ar5係可具有取代基之碳數6至18之一價芳香族 ^基，R R22係各自獨立地為氫原子、鹵素原子、 石炭數1至18之烧基、碳數3至18之環燒基、碳數6至 18之單環式、稠合環式❹環式芳香族烴基、碳數工 至8之院氧基、碳數6至14之芳氧基、或經碳數2至 16之烴基所取代的經取代胺基。 22.如申請專利範圍第2〇項或第以項之咔唑衍生物，豆 中’通式〔12〕中之A?係礙數6至18之一價芳香族 烴基。 22項中任一項之咔唑衍生 R16至H22係氫原子。 23·如申請專利範圍第20項至第 物，其中，通式〔12〕中之 318649 208
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