TW200540819A

TW200540819A - Magnetic recording medium, method of producing magnetic recording medium and magnetic storage apparatus

Info

Publication number: TW200540819A
Application number: TW093134452A
Authority: TW
Inventors: Kenji Sato
Original assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2004-06-14
Filing date: 2004-11-11
Publication date: 2005-12-16
Also published as: JP2005353236A; KR100637107B1; CN1713275A; US20050276998A1; KR20050118649A; EP1607941A1; SG118297A1

Description

200540819 九、發明說明：【發明所屬^技術領域】發明領域 5 10 15 本發明概括有關磁性記錄媒體、製造磁性記方法及磁性儲存裝it 、。’…、-之帝仔衣置’更特別有關_用於縱向磁性磁性記錄媒體、—製造此磁性記錄媒體之方法及用磁性記錄媒體之磁性儲存裝置。在【先前技術】發明背景、豕用個人電腦及動態影像記錄裝置中所使用之磁性儲存裝置的儲存容量已經崎地增大。譬如，要用於動態影像記錄之包含超過刚GBf轉容°量杨= 儲存容量及進—步降低，成本之目前，在用於縱向磁性記錄（或平面中磁性記錄)之磁碟機中，正積極研發增高贿密度財現大_存容量。磁碟的信號雜訊比(SNR)及磁頭的敏感度之改良已經導致超過100 Gbits/in2的平面中記錄密度。 σ 一磁碟鋪由在-歸上料麵成—底層、—磁性 2〇層及-保護層而產生。為了改良磁碟之諸如解析度、非線性過渡移位(NLTS)及SNR等電磁轉換特徵，具有一種使基材表面在磁碟的一圓周方向受到機械紋路化之技術，形^ 磁層之〇)〇·合金的容^磁化㈣係變成在關方向中對準，藉以改善圓周方向的矯頑性（coercivlty)及定向比 200540819 (OR)。此技術可達成高的記錄密度’但因為基材表面受到機械紋路化，紋路狀基材表面的形狀係繼受磁碟的表面形狀。易言之，碟表面的表面粗糙度係由於基材表面的機械紋路化而增加。在碟表面具有增高的表面粗縫度之案例 5 中，難以藉由降低一磁頭與碟表面之間的距離來改善磁碟的電磁轉換特徵，且根據此途徑增高記錄密度將有其極限。為了改良磁性層的容易磁化軸線在圓周方向中之定向，曰本先行公開專利申請案No.8-7250號提出一藉由歪斜蒸鍍來沉積一Cr底層及磁性層之方法。並且，日本先行公 10 開專利申請案No.2002-203312及No.2002-260218號提出以基材與底層之間的傾斜來濺鍍一底層之方法。然而，日本先行公開專利申請案No.8-7250號係對於以該傾斜方式沉積的底層使用Cr，而日本先行公開專利申請案Νο·2002-2033 12及Νο·2002-260218號對於以傾斜濺鍍之 15籽晶層使用Cr合金、Ni合金及c〇合金。這些日本先行公開專利申請案No.8-7250、No.2002-203312及No.2002-260218 號尚未研究其他材料。尚且’根據日本先行公開專利申請案^^〇.8_725〇號的歪斜>儿積，沉積原子的傾斜角係受限於一在圓周方向中部分 20地開啟之罩幕，且藉由旋轉基材使圓周方向中的膜厚度呈現均勻。根據日本先行公開專利申請案ν〇·2〇〇2_2〇3312 破’錢鍵顆粒的傾斜角係受限於一在基材中心附近開啟或在-預定徑向位置以環形開啟之罩幕。根據此沉積或滅錢，大部分沉積或難難不會抵達基材表面，而具有不 200540819 良的生^力。尚且，膜厚度的分佈將變成，日本先行公開 ^利申δ月案No·8一7250號之案例中膜厚度容易在圓周方向立曰加而日本先行公開專利申請案Ν〇·2002_203312號之案 ^中膜厚度*易在控向方向增加。當發生此膜厚度分佈寺疋向刀佈將變成使得偏差發生於磁性層之容易磁化轴 Λ疋向中且磁碟的電磁轉換特徵之不一致係在相同的磾表面中增大，因此難以進-步增加記錄密度。【韻^明内容】發明概要為此，本發明之般目的係提供可抑制上述問題之新穎且有用的磁性記錄媒體、製造磁性記錄媒體之方法及磁性儲存裝置。本么月之另一更確切目的係提供一磁性記錄媒體、一製造磁性記錄媒體之方法及一磁性儲存裝置，其可改良磁 15性層的容易磁化軸線之定向，亦即在磁性記錄媒體具有碟形之案例中改良磁性層的容易磁化軸線之圓周定向，並改良磁性記錄媒體的記錄密度。本發明之另一目的係提供一磁性記錄媒體，包含一基材，其具有一基材表面；一籽晶層，其設置於基材表面上； 20 一底層，其設置於籽晶層上；及一記錄層，其設置於底層上，其中藉由在一記錄方向磁化記錄層使得資訊記錄在記錄層中，且籽晶層係由一具有一Β2結晶結構的合金材料製成之結晶顆粒的一^多晶所形成’而結晶顆粒的一 [1 〇〇]結晶定向係朝向由一平面所分隔之兩側的一者傾斜，該平面係 200540819 :向及’立於基材表面法向之基材法線方向所形、X本發明之磁性記錄媒體，可能改良磁性層的容易磁化軸線之疋向並改良磁性記錄媒體的記錄密度。月之另目的係提供一製造一磁性記錄媒體之方法，該磁性記錄媒體具有-記錄層且此記錄層在-記錄方向中磁化以記錄資訊於兮、、°己錄層中，此方法包含以下步驟:(a) 形成-籽晶層於—基材表面上；（b)形成—底層於杆晶層上，及⑷形成記錄層於底層上，其中步驟⑻使用一由一具有一B2結晶結構的合金材料製成且對峙基材表面之標把， 10 並從被帛-平面所分隔之兩側的一者相對於基材表面在相對於基材法向呈傾斜的預定方向中錢鍍標乾的結晶顆粒’其中第一平面係由記錄方向及一位於基材表面法向之基材法線方向所形成。根據本發明之製造磁性記錄媒體之方法’可能改良磁性層之容易磁化軸線的定向及改良磁性 15 記錄媒體之記錄密度。本發明之另一目的係提供一磁性儲存裝置，其包含至少一磁性記錄媒體；及一頭，其使資訊記錄至及/或再生自磁性記錄媒體，其中磁性記錄媒體係包含一具有一基材表面之基材、一設置於基材表面上之籽晶層、一設置於籽晶 20 層上之底層、及一設置於底層上之記錄層，藉由在一記錄方向中磁化記錄層使資訊記錄於記錄層中，且籽晶層係由一具有一B2結晶結構的合金材料製成之一多晶所形成，而結晶顆粒的一 [100]結晶定向係朝向由一平面所分隔之兩側的一者傾斜，該平面係由記錄方向及一位於基材法向之基 200540819 材法線方向所形成。根據本發明之磁性儲存裝置，可能改良磁性層之容易磁化轴線的定向及改良磁性記錄媒體之記錄密度。可由下文詳細描述並參照圖式來得知本發明之其他目 5 的及其他特徵。圖式簡單說明第1圖為顯示根據本發明之一磁性記錄媒體的一實施例之橫剖視圖；第2圖為顯示磁性記錄媒體的實施例中之結晶顆粒的 10 定向之示意圖；第3圖為顯示形成一籽晶層之結晶顆粒的結晶格構之定向的不意圖，第4A至4C圖為說明根據本發明之一製造磁性記錄媒體之方法的一實施例之橫剖視圖； 15 第5圖為概括顯示一濺鍍裝置的一重要部分之立體圖；第6圖為顯示第5圖所示的濺鍍裝置之一重要部分的橫剖視圖；第7圖顯示實施例樣本及一比較範例的AlRu層之搖晃曲線(rocking curves); 20 第8圖顯示實施例樣本及比較範例之A1Rιι籽晶層的入射角與結晶定向傾斜角之關係；第9圖顯示實施例樣本及比較範例之CoCrPt!2B7Cu4第二磁性層的搖晃曲線；第10圖顯示根據實施例樣本及比較範例之磁碟的磁性 9 200540819 特徵；第11A及11B圖顯示根據實施例樣本及比較範例之磁碟的電磁轉換特徵；第12圖顯示根據實施例樣本及比較範例之磁碟的磁性 5 特徵；第13A及13B圖顯示根據實施例樣本及比較範例之磁碟的電磁轉換特徵；第14圖為顯示根據本發明之一磁性儲存裝置的一實施例之一重要部分的平面圖。 10 【實施方式】較佳實施例之詳細說明第1圖為根據本發明之一磁性記錄媒體的一實施例之 k剖視圖。第1圖所示的一磁性記錄媒體1〇係具有一碟基材 U、及接連地形成於碟基材11上之一籽晶層12、一底層13、 15 一第一磁性層14、一非磁性耦合層15、一第二磁性層16、呆護層19及一潤滑層20。第一磁性層14、非磁性耦合層及第一磁性層16係形成一記錄層18。記錄層18具有一交換耦合結構，其中第一及第二磁性層14及16經由非磁性耦合層15呈現反鐵磁性交換耦合。在並無外部磁場施加至磁 2〇性記錄媒體10上之狀態中，定向在一平面中方向之第一及第二磁性層14及16的磁化係互相呈現反向平行。此實施例的特徵在於籽晶層12。藉由提供此籽晶層 12,即便碟基材n表面及/或軒晶層12上未提供機械紋^ 化，形成記錄層18之結晶顆粒的容易磁化軸線係定向在碟 200540819 基材11的一圓周方向中。結果，改善了磁性記錄媒體1〇(亦即記錄層18)的圓周矯頭性Hcc、定向Hcc/Hcr及圓周矯頑性方正比（circumferential coercivity squareness ratio) S*，其中

Her代表徑向方向橋頭性。 5 譬如，碟基材Η係由一塑料基材、一玻璃基材、一經 ΝιΡ鍍覆Α1基材、一Si基材或具有碟形的類似物所構成。碟基材11的表面可能呈紋路狀或未呈紋路狀。譬如，塑料基材、玻璃基材或NiP鍍覆A1合金基材之表面可能係藉由在圓周方向亦即磁性記錄媒體1〇上所形成之執道縱方向受到機 10械紋路化或雷射紋路化而呈紋路狀。 /籽日日層12係由一具有一諸如A1Ru、NiAl及FeA^B2結曰曰顆粒的5金开》成之結晶顆粒的多晶所製成。籽晶層12係如後述由一傾斜（或歪斜)濺鍍所形成。當籽晶層12由傾斜濺鍍形成時，籽晶層12的結晶顆粒係歪斜地成長至碟基材U 15的基材表面之一法向。第2圖為顯示磁性記錄媒體的此實施例中之結晶顆粒的定向之示意圖。第2圖中，籽晶層12的結晶顆粒係歪斜地形成’亦即朝向碟基材11的外周邊側呈傾斜，其中箭頭0D 代表碟基材11的外周邊側。籽晶層12的結晶顆粒相對於一 20位於基材表面方向之基材法線方向NOR之-傾斜角係认疋為小於或等於實施例樣本的入射角範圍（從见7度到小於9〇度)之-範圍，且描述於後文。接連地形成於籽曰^層 12上之底層13、第一磁性層14、非磁性耦合層15及第二磁 11層16係藉由法向濺鑛亦即一垂直雜所形成，使得結晶 200540819 顆粒與基材表面呈垂直地形成。因此，底層13、第一磁性層14、非磁性耦合層15及第二磁性層16之結晶顆粒 13a，14a，15a及16a係分別成長於基材法線方向NOR的方向中。 5 第3圖為顯示形成軒晶層12之結晶顆粒的結晶格構之定向的示意圖。第3圖中，形成籽晶層12之結晶格構的—格構面12-1，諸如（100)面係譬如從基材平面中方向朝向碟基材11的外周邊側（方向OD)傾斜。格構面12-1的傾斜角可由基材法線方向NOR及[100]結晶定向所形成之一角度0 10 加以描述，此角度Θ CRY將稱為結晶定向傾斜角。根據後述的實施例樣本，當結晶顆粒傾斜角設定在2·ι度到小於5 4 度的範圍中時，結晶顆粒在圓周方向中之定向係獲得改善且電磁轉換特徵亦改善。當籽晶層12的結晶格構以傾斜狀形成時，形成於軒晶 15層12上之底層13的結晶格構亦以傾斜狀形成，且此傾斜係繼承至第1及2圖所示的第一磁性層14及第二磁性層16。形成第一及第一磁性層14及16之結晶顆粒中，本發明人碟認在具有徑向方向傾斜之谷易磁化軸線的結晶顆粒係具有自平面中方向傾斜約2.7度之容易磁化軸線。因此，藉由傾斜 20狀錢鍵之籽晶層12成形係影響第一及第二磁性層μ及16的結晶定向。定向在碟基材11的圓周方向中之第一及第二磁性層14及16的容易磁化軸線增高發生機率之現象係可視為同樣亦由籽晶層12之結晶袼構的傾斜所引起，而且因此改善第一及第一磁性層14及16的結晶顆粒之定向。或者，可 12 200540819 視為因為底層13的結晶格構朝向碟基材丨丨的外周邊側傾斜同時底層13的結晶顆粒在基材法線方向N〇R的方向中成長，壓縮性應力係在結晶顆粒的顆粒介面上施加至結晶格構以在圓周方向中擴張結晶格構，藉以將第一及第二磁性 5 層14及16的c轴線定向在圓周方向中。籽晶層12的厚度設定在5奈米到3〇奈米的一範圍中。自獲得令人滿意之磁性記錄媒體1〇的電磁轉換特徵之觀點來看，如果碟基材11的表面或任意設置於籽晶層12底下的另一籽晶層受到機械紋路化，籽晶層12的厚度較佳係設定在5 10奈米到15奈米的範圍中，且如果機械紋路化未施加至磲基材11的表面或任意設置於籽晶層12底下的其他籽晶層，則其較佳設定在5奈米到25奈米的範圍中。由與籽晶層12所用者相似的一材料製成之一層係可藉由垂直濺鍍直接地形成於籽晶層12上。譬如，此層具有在 15基材法線方向N0R的方向成長之結晶格構，並具有5奈米到 30奈米範圍的一厚度。此層的結晶格構係繼受設置於下方之籽晶層12的結晶格構之傾斜而呈傾斜，並可獲得與進行傾斜濺鍍所成者相似之效果，藉此能夠降低籽晶層12的厚度。 20 譬如，底層13由Cr或一 Cr-X合金製成，其中 X=Mo，W，V，B，Mo或其合金。如上述，底層13磊晶性成長在籽晶層12上，而（〇〇1)或（112)面係定向在一適合結晶成長之方向中。底層13可由一堆積結構所構成，此堆積結構係包括複數個由Cr或Cr-X合金製造之堆積層。利用底層13之堆 200540819 積結構，可以抑制底層13的結晶顆粒變大，且可以抑制第一及第二磁性層14及15的結晶顆粒變大。再度回到第1圖的描述，第一磁性層14具有〇.5奈米到 20奈米範圍的一厚度，且譬如由c〇、Ni、Fe、Co合金、Ni 5合金、Fe合金或類似物製成。最好採用CoCrTa及CoCrB，且可使用一 CoCrPt-M合金作為形成第一磁性層14之〇：〇合金’其中M=B、Mo、Nb、Ta、W、Cu或其合金。第一磁性層14可由一堆積結構製成，此堆積結構包括由c〇、Ni、Fe、 Co合金、Ni合金、Fe合金或類似物製成之複數個堆積層。 10利用第一磁性層14的堆積結構，可以改良第二磁性層16的結晶顆粒之定向。譬如’非磁性麵合層15係由Ru、Rh、Ir、Ru合金、Rh a金合金或類似物製成。Rh及Ir具有一 fee結構，其中 Ru具有一 hep結構。Ru具有格構常數胪〇.27奈米且其接近供 15第一磁性層14及第二磁性層16所用之CoCrPt合金的格構常數这=〇·25奈米，因此，當對於第一及第二磁性層14及16使用C〇CrPt合金時，對於非磁性耦合層15最好使用Ru及Ru合金。Ru合金可包括c〇、Cr、Fe、Ni、Μη或其合金的至少一者。 20 此外’非磁性耦合層15的厚度係位於〇.4奈米到1.5奈米的範圍中、且較佳位於〇·6奈米到〇9奈米的範圍中。在非磁性耦合層15由RU合金製成的案例中，依據1111合金内的1^含 ϊ而定’非磁性耦合層15的厚度可能位於〇·8奈米到1.4奈米的範圍中。第一及第二磁性層14及16係經由非磁性耦合層 14 200540819 15呈父換耦合，並藉由將非磁性耦合層15的厚度設定在上述範圍内，第-及第二磁性層14及16變成反鐵磁性輛合。在並無外部磁場施加至磁性記錄媒體1〇之狀態中，第一及第二磁性層14及16的磁化變成如第丨圖箭頭所示相互反向， 5平打。第-及第二磁性層14及16的交換搞合狀態係依據非磁性耦合層15的厚度而定，而第一及第二磁性層14及16的磁化係依據非磁性耦合層15的厚度而定在相互反向平行狀態與相互平行狀態之間往復移動。特佳將非磁性耦合層15 的厚度設定為匹配一第一反鐵磁性峰值且其中使第一及第修 10二磁性層14及16的磁化變成相互反向平行且非磁性耦合層 15的厚度為最薄。第二磁性層16具有位於5奈米到20奈米範圍之厚度，且如同第一磁性層14的案例同樣由Co、Ni、Fe、Co合金、Ni 合金、Fe合金及類似物製成。較佳使第一磁性層14的殘留 15磁化Mrl與厚度tl之乘積（亦即殘留磁化及厚度乘積]^“ χ tl)以及第二磁性層16的殘留磁化Mr2與厚度t2之乘積（亦即殘留磁化及厚度乘積Mr2 X t2)滿足一關係式(Mrl X ti) < · (Mr2x t2)。第二磁性層16在與磁性記錄媒體10的總殘留磁化相同之方向中具有磁化，且資訊可對應於磁頭的記錄磁 20 場之切換位置精確地寫入第二磁性層16中。當然，殘留磁 ’ 化及厚度乘積Mrl X tl及殘留磁化及厚度乘積Mr2 X t2可滿足一關係式(Mrl X tl) < (Mr2 X t2)。隨著第一及第二磁性層 14及16的厚度降低，可抑止在記錄時所遭遇之上述問題。第一磁性層14及第二磁性層16可具有不同的組成物。 15 200540819 譬如，第二磁性層16所用的材料係選自比第一磁性層Η所用材料導致更大異向性磁場之材料。第二磁性層16所用的合金可添加Pt，對於第一磁性層16所用的合金則不添加Pt ’ 或者合金的Pt含量（以原子百分比表示）對於第二磁性層16 5 可比第一磁性層14更大。譬如，當對於第一及第二磁性層 14及16使用CoCr合金時，只有第二磁性層16可添加Pt。另一方面，對於第一及第二磁性層14及16使用CoCrPt時，可對於第一磁性層14使用CoCrPt8且可對於第二磁性層16使用CoCrPtn，其中Pt的下標數字代表原子百分比(at.%)。其 10 他元素的原子百分比（at·%)同樣以此規格表示。因此，在記錄層18中，第一及第二磁性層14及丨6係經由非磁性麵合層15呈反鐵磁性交換耦合。因此，記錄層18 的視容積（apparent volume)變成大致等於第一及第二磁性層14及16的容積之總和，其比起記錄層藉由單層結構形成 I5之案例來說係相形較大，藉以改善磁化(或寫入位元）的熱穩定性。記錄層18可由-具有不只兩磁性層之堆積結構形成。在此例中，堆積結構的磁性層係交_合，且至少兩磁性層呈反鐵磁性交換輕合。 20

备然’如同類似於習知磁性記錄媒體之案例，記錄層可由不採用交換麵合之單一磁性層形成。米到具有G.5奈姉G奈米範^較佳位撕奈非曰圍之厚度’並譬如由類鑽碳(DLC)、氮化碳、非日日衩及類似物製成。 16 200540819 潤滑層20係由具有全氟聚(perf^oropoiyether)作為主鏈及-OH、苯基、苯環或類似物作為終端官能基之一有機液體潤滑劑製成。更特定言之，對於潤滑層20可使用具有 0.5奈米到3·0奈米範圍厚度之蒙特福洛司（Monte Fluos)製 % 5 造的Zdol(終端官能基· -OH)、奥西芒諾托(Ausimonoto)製造的AM3001(終端官能基：苯環）、蒙特福洛司（M〇nte Flu〇s) 製造的Z25以及類似物。潤滑劑可依據保護層19使用的材料適當地加以選擇。依據所使用保護層19的種類而定，可省略潤滑層20。鲁 1〇另一籽晶層（未圖示）可設置於碟基材11與籽晶層12之間。此另一籽晶層可由一諸如NiP、CoW及CrTi等非磁性材料製成。此另一籽晶層的表面可能為紋路狀或不為紋路狀。當對於此另一軒晶層使用一諸如NiP等非晶系材料時，此另一籽晶層表面較佳受到氧化。由較佳受氧化的Nip製成 !$之此另一籽晶層係改善第一及第二磁性層14及16的c軸線平面中定向。當然，可使用NiP以外的適當材料來改善第一及第二磁性層14及16的c軸線定向。鲁一非磁性中間層（未圖示）可設置於底層13與第一磁性層14之間。非磁性中間層係由一具有一]結構的非磁性合 2〇金製成，諸如一添加一元素或一合金Ml之CoCr合金，其中 Ml=Pt、B、M〇、Nb、Ta、W、Cu或其合金，且譬如具有位於0.5奈米到5奈米範圍的厚度。非磁性中間層係藉由繼受底層13的結晶性(crystallinity)及結晶顆粒尺寸而成長，並改善了磊晶成長在非磁性中間層上方之第一及第二磁性層 17 200540819 14及16的結晶性。此外，非磁性中間層係在結晶顆粒(磁性顆粒）尺寸分佈上降低了顆粒尺寸偏差寬度，並促進c軸線定向在平面中方向中。非磁性中間層可由一堆積結構製成，此堆積結構由上述非磁性合金製造的複數個層所構 5成，且在此例中可以進一步改善第一及第二磁性層14及16 的結晶定向。非磁性中間層的格構常數可設定為相對於第一磁性層14或第二磁性層16的格構常數相差有數個％，藉以在非磁性中間層與第一磁性層14之介面上於平面中方向中產生一内部應力，或在第一磁性層14内產生，藉以增加 · 10第一磁性層14的矯頌性。根據此實施例，籽晶層12係由-具有-B2結晶結構的合金材料之結晶顆粒的一多晶形成，且結晶顆粒的一關結晶定向係朝向由記錄方向及位於基材表面法向之基材法線方向NOR形成的一平面所分隔之兩側的一者傾斜。B2結 15晶顆粒係具有交替式排列在—結晶結構的相鄰原子部位之一合金AB的原子A及原子B。易言之，籽晶層12沉積使得形成籽晶層12之結晶格構的[则]結晶定向相對於基材法線 # 方向NOR朝向碟基材η外周邊側傾斜。因此，記錄層“在圓周方向的結晶定向獲得改善，藉以改良靜態磁性特徵及 20電磁轉換特徵，結果可以增加磁性記錄媒體10的記錄密度 ·，並實現高的記錄密度。 .

[100]結晶定向係包括等同於[100]結晶定向之[〇1〇]結晶定向及[001]結晶定向。當在此說明書中考慮相對於基材法線方向NOR之傾斜角時，假設[100]結晶定向係代表[1〇〇] 18 200540819 結晶定向或一相對於基材法線方向N〇R具有最小角度之結晶定向。此外，可改良第二磁性層16的結晶定向而不需在基材表面或類似物上提供機械紋路化。基於此原因，磁性記錄 5媒體10的表面平坦度獲得改良，藉以能多句降低記憶元件及/ 或再生元件與記錄層之間的間隔，並可進一步改良使用磁性圮錄媒體10之一磁性儲存裝置的記錄密度。接著’將描述根據本發明之一製造磁性記錄媒體之方法。 10 第4八至4<::圖為說明根據本發明之製造磁性記錄媒體之方法的一實施例之橫剖視圖。第4A圖所示的一步驟中，碟基材]^的基材表面被清理及乾燥之後，譬如，碟基材^在一真空大氣内利用一熱解氮化硼(PBN)加熱器加熱至i8〇°C。 15 此外，在第4A圖所示的步驟中，使用一濺鍍裝置在碟基材11的基材表面上藉由傾斜濺鍍形成籽晶層12。室的内側再度排至10-5帕或以下的真空，且一Ar氣壓力設定為0.67 帕而功率設定為2 kW，藉以譬如利用D.C·磁控濺鍍以4秒放電時間將籽晶層形成12至10奈米厚度。構成此實施例的重 20 要部分之傾斜濺鑛係以下列方式進行。第5圖為概括顯示濺鍍裝置的一重要部分之立體圖。第 5圖顯示一錢鑛裝置3〇的一室（未圖示）之内部。在錢鐘裝置 3〇中，由一諸如AlRu合金等具有一B2結晶結構的材料製成之一圓形滅鍵標I巴31係排列使得滅鍵標乾31的一賤錢表面 19 200540819 對峙碟基材11的基材表面。一磁鐵單元32排列在濺鍍標靶 31的一後部上。一旋轉屏蔽元件33係排列在碟基材η與濺鍍輮靶31之間。雖然第5圖未顯示，濺鍍裝置3〇進一步包括用於排取至内部之排取系統、一用於將氣體導入室内之 5氣導入系統、及一用於將放電電力供應至濺鍍標乾31之電源供應器。濺鍍裝置30係沿著磁鐵單元32的磁力線將包括電子及諸如Ar離子等氣體離子之放電電漿困留在濺鍍標靶31的濺錄表面附近。Ar離子係造成进鍍標㈣的標無表面上之一 · 10預定區域的標靶材料以濺鍍粒子濺鍍在碟基材11的基材表面上。濺鍍粒子從濺鍍標靶31近似線性移往基材表面以形成籽晶層12。一侵蝕區31a係形成於濺鍍粒子所發源之濺鍍標乾31的標靶表面之預定區域中。旋轉屏蔽元件33係具有一與與碟基材u呈同轴設置之 15旋轉軸33a、賤鑛標乾31及磁鐵單元33。旋轉屏蔽元件33亦具有自旋轉軸33a往外呈徑向延伸之複數個屏蔽板现。屏蔽板33b的表面係垂直於滅鍍標乾31的標數表面。鲁卜屏蔽板3313以相等角度間隔排列在旋轉軸33a周圍。從如7疋轉轴33a中心到屏蔽板33b外周邊邊緣之各屏蔽板灿在 /向方向的一段長度係近似等於或大於碟基材11的半徑。口此’在碟基仙徑向方㈣動线齡子似在祕材 - 11圓周方向移動之韻粒子更容易抵達碟基材_基材表面，藉以抑制魏粒子在遠離徑向方向的方向中移動而變成傾斜狀沉積在基材表面上。此外，屏蔽板现的排列及尺 20 200540819 寸亦防止濺雜子穿i«基材_巾央縣而變成沉積在碟基材11的相對表面上。為此，在成長方向中具有小偏差之結晶顆粒係成長在碟基㈣的基材表面上以形成軒晶層 12 ° 5 各屏蔽板33b在徑向方向的長度可小於碟基材11的半徑。在此例中，仍可以防止濺鍍粒子穿過碟基材n的中央部分而變成沉積在碟基材11的相對表面上。方疋轉屏蔽元件33的旋轉軸33a係連接至一設置於濺錢私靶31後部上之旋轉驅動元件34(如後述顯示於第6圖中）， φ 10且旋轉屏蔽元件33係由旋轉驅動元件34譬如以6〇 rpm的轉速旋轉。藉由轉動旋轉屏蔽元件33，可使籽晶層12的厚度均勻，且濺鍍粒子將均勻地黏附在屏蔽板33b上藉以延長屏蔽板33b的養護間隔。當然，旋轉屏蔽元件33未必需要旋轉。第6圖為顯示第5圖所示的濺鍍裝置3〇之一重要部分的 15橫剖視圖。第6圖為沿著一穿過一中軸線Αχ的平面所切取之橫剖視圖，中軸線Αχ係近似匹配於第5圖所示的碟基材η、 _ 濺鍍標靶31及磁鐵單元32之中軸線。因為中軸線Αχ上方及下方的結構係沿中軸線Αχ對稱，第6圖中只顯示上方結構。如第6圖所示，磁鐵單元32包括一磁鐵基底32a及一磁 20 鐵元件32b。磁鐵元件32b係由一外環形磁鐵35、一内環形磁鐵36及一軛38構成。外及内環形磁鐵35及36係由在第6圖所示箭頭方向磁化之永久性磁鐵形成。輛38由一軟磁性材料製成。磁鐵元件32b的磁力線(下文簡稱為線MF)係從内環形磁鐵36的N極延伸、穿過濺鍍標靶31、彎轉及再度穿過濺 21 200540819 鑛標鞋31、而回到外環形磁鐵35的S極。沿著線MF困住之形成放電電漿的Ar離子係造成濺鍍粒子從濺鍍標靶31的濺鍵表面排出，並造成侵蝕區31a形成於濺鍍表面上。外及内環形磁鐵35及36可由電磁鐵形成。 5 此實施例中，磁鐵元件32b排列為可使濺鍍標靶31的侵 I虫區3la定位於碟基材^的外周圍侧之外側上，以造成濺鍍粒子從外周圍側到内周邊側呈傾斜狀移往碟基材11，亦即造成濺鑛粒子變成以傾斜角6inc入射至基材表面。濺鍍粒子相對於碟基材11的傾斜角0 inc較佳係設定為38.7度到小 10於90度的範圍中。藉由將傾斜角0INC設定在此範圍中，由基材法線方向NOR及所形成籽晶層12的[1〇〇]結晶定向生成之第3圖所示的結晶定向傾斜角<9 INC係可設定在2.1度到小於5·4度的範圍中。結果，可以改良碟基材n圓周方向中之記錄層18的結晶定向，亦可從後述實施例樣本看出。 15 為了藉由上述濺鍍裝置30的配置獲得令人滿意的濺鍍效率’傾斜角01NC較佳設定在38.7度到80度或更小的範圍中、更佳38.7度到75度或更小的範圍中。尚且，從進一步改善碟基材11的圓周方向中之記錄層18的結晶定向之觀點來看’傾斜角0mc較佳設定在43.0度到75度或更小的範圍 20中。結晶定向傾斜角0 cry的上限（亦即5.4度)係基於結晶定向傾斜角0CRY約為如後述來自第二及第三實施例樣本的傾斜角0INC6%之事實。傾斜角0mc係定義為基材法線方向NOR與一條連接一姓區3la中心TERO與碟基材11的基材表面上之執道區中 22 200540819 5 的一沉積位置之想像性入射線之間所形成的角度。軌、曾區係定義為一内（或最内）周邊位置Din與一外（或最外）周邊位置DOUT之間的區域。侵蝕區31 a的中心Ter〇係定義為濺鍍開始前之錢鑛標乾31的錢鍍表面與一位於外環形磁鐵％的中線35c及内環形磁鐵36的一中線36c之間的平分線35此之一交會部。

因為屏蔽板33b設置於中軸線Αχ附近，在碟基材向方向移動以超過中軸線Αχ之濺鍍粒子將被屏蔽板33b阻擋。因此，此等濺鍍粒子係黏附在屏蔽板33b上且防止其超 10過中轴線Αχ而抵達碟基材11。因此，形成於碟基材η的美材表面上之籽晶層12大致係由在徑向方向往碟基材11外周邊側傾斜之結晶顆粒形成，而籽晶層12的結晶顆粒定向近似均勻。基於此原因，籽晶層12的結晶性獲得改良且籽晶層12的結晶格構之傾斜變成近似均勻，藉以局部抑制記錄 15層18之不均勻的平面中結晶定向。

第4Β圖所示的一步驟中，由上述材料製成之底層13、第一磁性層14、非磁性耦合層15及第二磁性層“係藉由濺鑛接連地形成於籽晶層12上。藉由將^氣壓力設定為〇·67 帕且利用D.C磁控濺鍍來接連地濺鍍層13至16使得濺鍍粒 20子以近似垂直於基材表面的入射角抵達碟基材η的基材表面，藉以形成層13至16。4基材η可在形成第一磁性層14 或非磁㈣合層15之前再度加熱。碟基_的加熱溫度在此例中係设定為270°C或更低，較佳位於2〇(rc到24(rc的範圍。 23 200540819 接著，在第4C圖所示的—步驟中，由⑽或類似物製成的保濩層19係譬如藉由濺鍍、CVD、FAC或類似第二磁性層16上形成至3奈米厚度。從第4A圖所示的絲加熱步驟到第4C圖所示的保護層形成步驟之步驟係在該室内 5進行。碟基㈣即便在運送期間較佳亦未暴露於外界，同時進行各項的這些步驟。第4C圖所示的步驟可使用一由含氟溶劑或類似物稀釋的有機液體潤滑劑，且潤滑層2〇可譬如藉由拉取、旋塗、液體浸泡、蒸汽喷注及類似方式形歧15奈轉度φ 10記錄媒體10係利用此方式由上述步驟生成。根據該方法的此實施例，在形成籽晶層12的步驟中，滅鍍標㈣的侵姓區31讀定位在碟基材_外周邊側之外側上，造成贿粒子係從外周邊側到内周邊側呈傾斜地移往碟基材η，亦即，造成濺鑛粒子變成相對於基材法線 U方向NOR以傾斜角‘C入射至基材表面。基於此原因，可以抑制籽晶層12的結晶顆粒之傾斜角變得不均勻，並抑制軒晶層12的結晶顆粒之[1〇0]結晶定向變得不均句。因此， _ 碟基材11圓周方向中之記錄層18的結晶定向獲得改良，且可以增加磁性記錄媒體10的記錄密度。 2〇此外，根據該方法的此實施例，旋轉屏蔽元件33設置於碟基材11與濺鍍標靶31之間。因此，可以防止濺鍍粒子 - 穿過碟基材11的中央部分及/或外周邊部分而變成沉積在碟基材11的相對表面上。因此，可以防止軒晶層12的結晶顆粒朝向碟基材丨丨的内周邊側或圓周方向傾斜，以進一步 24 200540819 抑制籽晶層12的結晶顆粒之傾斜角變得不均勻。因此，可以抑制籽晶層12的結晶顆粒之[1 〇〇 ]結晶定向變得不均句，且碟基材11的圓周方向中之記錄層18的結晶定向獲得改良。 5 接著，將描述此實施例生成之樣本(下文稱為實施例樣本）。 [第一實施例樣本Emb-1 ] 使用D.C.磁控錢鑛裝置30來形成一具有下列結構的磁碟，以作為磁性記錄媒體10。 10 所生成的磁碟係包括一65公厘直徑的玻璃基材η、一 1〇奈米厚度的AlRu籽晶層12、一4.5奈米厚度的Cr底層13、一2奈米厚度的c〇9〇Cr1()第一磁性層14、一0.7奈米厚度的Ru 非磁性間隔層15、一 15奈米厚度的CoCrPt12B7Cu4第二磁性層16、及一4.5奈米厚度的C保護層19。 15 玻璃基材11在形成AlRu籽晶層12之前係於真空内由 PBN加熱器加熱至180°C。玻璃基材11同樣在形成Ru非磁性間隔層15之前加熱至23(TC。利用第5及6圖所示的濺鍍裝置 30 ’侵蝕區31a係在使半徑與玻璃基材11碟中心相距67.0公厘的一位置與使半徑相距77.0公厘的一位置之間形成於 2〇 AlRu錢錢標乾31中。侵#區31a的一中心位置係定位在與玻璃基材11碟中心相距72.0公厘的一半徑上。來自玻璃基材11 外周邊側之濺鍍粒子的入射角0 ! N c係在第6圖所示的外（或最外）周邊位置D0UT上設定為一46.4度的中心入射角（具有 42.8度到49·6度的範圍），且在第6圖所示的内（或最内）周邊 200540819 位置DIN上設定為一 56·3度的中心入射角（具有54 〇度到58 4 度的範圍）。外（或最外)及内（或最内）周邊位置D0UT&DIN係分別定位在與玻璃基材11的碟中心相距30公厘及12公厘之半徑上。AlRu籽晶層12係形成於一具有067#Ar氣壓力之 5 Ar氣中。旋轉屏蔽元件33的屏蔽板33b沿著玻璃基材1丨圓周方向以30度角度間隔設置，而旋轉屏蔽元件31以60 rpm旋轉。 [第二實施例樣本Emb-2] 利用第5及6圖所示的濺鐘裝置，侵蝕區3ia在一使半徑 10 與玻璃基材11的碟中心相距77.0公厘之位置與一使半徑相距77.0公厘之位置之間形成於AlRu濺鍍標乾31中。侵姓區 31a的一中心位置係定位在與玻璃基材11碟中心相距62 〇公厘的一半徑上。來自玻璃基材11外周邊側之濺鍍粒子的入射角0 inc係在第6圖所示的外（或最外）周邊位置dout上設 15 定為一38.7度的中心入射角（具有23.0度到49.6度的範圍），且在第6圖所示的内（或最内）周邊位置din上設定為一 51.3 度的中心入射角（具有41.2度到58.4度的範圍）。否則就其他方面而言，第二實施例樣本Emb-2在與上述第一實施例樣本 Emb-1相同之條件下生成。 20 [第三實施例樣本Emb-3] 利用第5及6圖所示的濺鍍裝置30,侵蝕區31a在一使半徑與玻璃基材11的碟中心相距47.0公厘之位置與一使半徑相距57.0公厘之位置之間形成於八瓜…賤鍍標靶31中。侵飯區31a的一中心位置係定位在與玻璃基材11碟中心相距52.0 26 200540819 公厘的一半徑上。來自玻璃基材11外周邊側之濺鑛粒子的入射角0 INC係在第6圖所示的外（或最外）周邊位置D0UT上設定為一28.8度的中心入射角（具有23.0度到34.0度的範圍），且在第6圖所示的内（或最内）周邊位置DIN上設定為一 5 45.0度的中心入射角（具有41.2度到48.4度的範圍）。否則就其他方面而言，第三實施例樣本Emb-3在與上述第一實施例樣本Emb-1相同之條件下生成。 [第一比較範例Cmp-1] 當藉由垂直濺鍍形成AlRu籽晶層12時，AlRu濺鍵標革巴 10 31的侵#層31a係設定至一近似對峙玻璃基材11之位置。來自玻璃基材11的外周邊側之濺鍍粒子的入射角0INC係設定為0。未使用旋轉屏蔽元件33。否則就其他方面而言，第一比較範例Cmp-1在與上述第一實施例樣本Emb-1相同之條件下生成。 15 AlRu籽晶層21的結晶格構之結晶定向傾斜角0 cry係從第一及第二實施例樣本Emb-1及Emb-2及第一比較範例 Cmp-1各者獲得。第7圖顯示第一及第二實施例樣本Emb-Ι及Emb-2及第一比較範例Cmp-1的AlRu層12之搖晃曲線。第8圖顯示AlRu 20 籽晶層12的入射角0INC及第一及第二實施例樣本Emb-1及 Emb-2及第一比較範例Cmp-1的結晶定向傾斜角6> cry之一關係。第7及8圖的結果係利用一X射線衍射計（Cu-Κα射線) 從磁碟的外周邊側到内周邊側藉由測量AlRu籽晶層12的 27 200540819 (100)面(X射線衍射角（或衍射角如，細第-及第二實施例樣本_及^2及第=: 例Cmp-D，其中-掃描角0在磁碟的外周邊側呈負值而在内周邊側呈正值。在搖晃曲線的峰值發生於掃描角必呈負 5值時之案例中，（卿)面藉由掃描角0朝向磁碟的外周邊側傾斜，亦即[1〇〇]結晶定向藉由掃描角0(結晶定向傾斜角^ cry)從基材法線方向NOR往磁碟的外周邊側傾斜。當作出測置時，AlRu籽晶層12上方之層，亦即c〇底層13到保護層㊇並未形成於磁碟上藉以降低搖晃曲線中的雜訊，且將AiRu φ 10 籽晶層12的厚度設定為1〇〇奈米。可如第7及8圖看出，對於採用具有〇度入射角0inc之垂直濺鍍的第一比較範例Cmp-1，搖晃曲線的峰值係出現在掃描角0近似〇.1度時。另一方面，對於採用具有56 3度入射角ΘΙΝ(：的傾斜濺鍍（測得半徑為12公厘）之第一實施例樣本 15 Emb-1，搖晃曲線的峰值係出現在掃描角0近似-3·6度時。尚且，在30公厘的測得半徑，對於第一及第二實施例樣本 Emb-1及Emb-2，AlRu籽晶層12的結晶定向傾斜角0(：以係 · 近似錢鍵粒子的入射角0 INC之6%。因此，對於第一及第二實施例樣本Emb-1及Emb-2而言，可確認airu籽晶層12的 20 [ 1 〇〇]結晶定向係相對於基材法線方向NOR往磁碟外周邊側傾斜，而傾斜角<9 me及結晶定向傾斜角0 CRY係近似彼此垂直。第9圖顯示第一實施例樣本Emb-1及第一比較範例 Cmp-1之CoCrPtuBvCu4第二磁性層16的搖晃曲線。類似於 28 200540819 獲得第7圖所示結果之方式，第9圖的結果係藉由測量第一實施例樣本Emb]及第一比較樣本Cmp-i ^oCrPti2B7Cu4

第二磁性層16的（110)面之搖晃曲線獲得。第9圖中當搖晃曲線的峰值出現在掃描角0為負值時，第二 5磁性層16的（110)面（第一實施例樣本咖」）係藉由一對應於掃描角0之角度朝向磁碟的外周邊側傾斜。第9圖顯示X 射線衍射角2Θ=73.55度之案例的結果，且在3〇公厘的測得半徑作出測量。可攸第9圖看出，搖晃曲線的峰值係出現在掃描角0近馨 10似為0且CoCrPti2B7Cu4第二磁性層丨6的（i丨〇)面對於第一比較範例Cmp-1並未傾斜之時。另一方面，搖晃曲線的峰值係出現在掃描角0為-2·7度且具有排列在磁碟徑向方向的咖線或容易磁化軸線之CoCrPt^BfU4第二磁性層16的結晶顆粒之（no)面對於第一實施例樣本]£1111)_1朝向磁碟的外周邊 15側傾斜之時。對於第一實施例樣本Emb-i，可使搖晃曲線對於CoCrPtnBAii4第二磁性層16具有峰值之-2 7度掃描角必係匹配於可使搖晃曲線對於第7及8圖的A1Ru籽晶層12具有鲁峰值之-2.7度掃描角0。易言之，藉由傾斜A1Ru籽晶層12 的（100)面’ AlRu籽晶層12的（1〇〇)面之傾斜係繼承至Cr底層 20 13、C〇9〇Cr1()第一磁性層14&Ru非磁性耦合層15，藉以使

CoCrPtuBfU4第二磁性層16的（11〇)面傾斜。利用此方式來傾斜CoCrPt12B7Cu4第二磁性層 16的（11〇)面，CoCrPt12B7Cu4 第二磁性層16的c軸線或容易磁化軸線變成定向在磁碟的圓周方向中，且可確認使C〇CrPt]2B7Cii4第二磁性層16的結 29 200540819 晶定向在圓周方向中獲得改善。第1 〇圖顯示根據第一至第三實施例樣本E m b _ i至 Emb-3及第-比較範例Cmp-1之磁碟的磁性特徵。利用一振動樣本型磁力計藉由在磁碟的圓周方向及徑向方向中施加 5磁場及測量對應的磁滞迴圈（hysteresis loops)而獲得第二磁性層16的磁性特徵，以獲得圓周矯頑性Hcc、定向Hcc/Hcr 及圓周矯頑性方正比S*，其中Her代表徑向方向矯頑性。當定向HCC/HCr=l.〇〇時，第二磁性層16的容易磁化軸線（或c 軸線）係等向性定向在平面中。可從第1〇圖看出，定向修 10 Hcc/Hcr愈大，愈加促進容易磁化軸線在圓周方向中之定向。亦可從第10圖看出，圓周矯頑性方正比s*愈大，則愈加促進容易磁化軸線在圓周方向中之定向。第10圖中，定向Hcc/Hcr對於第一比較範例Cmp-1係為 1·〇〇，表示第二磁性層16的結晶顆粒為等向性定向。另一 15方面，定向Hcc/Hcr對於第一實施例樣本Emb-1係在12公厘的測得半徑為1.04且在30公厘的測得半徑為1.03，表示促進了第二磁性層16的容易磁化軸線在圓周方向中之定向。相 ® 較於第一比較範例Cmp-1，第一實施例樣本Emb_l之圓周矯頑性方正比S*亦獲得改善，且亦可從圓周矯頑性方正比s* 20 看出，對於第一實施例樣本Emb-1促進了第二磁性層16的容易磁化軸線在圓周方向中之定向。第三實施例樣本Emb-3採用在12公厘的測得半徑具有 45.0度且在30公厘的測得半徑具有28.8度入射角0 INC之傾斜濺鍍。否則就其他方面而言，第三實施例樣本Emb-3係在 30 200540819 與第一及第二實施例樣本Emb-l及Emb-2相同的條件下生成。當第一比較範例Cmp-1的定向Hcc/Hcr超過1.00亦即大於或等於1·〇1時，電磁轉換特徵獲得改善。從第一至第三 5 實施例樣本Emb-1至Emb-3之傾斜角<9 INC與定向Hcc/Hcr之關係’可看出當傾斜角Θ inc為3 8 · 7度(對於第二實施例樣本 Emb-2處於30公厘的測得半徑）時，定向Hcc/Hcr變成1.01，且傾斜角0 inc較佳設定至38.7度或更大。本發明人已經由研究確認，當定向Hcc/Hcr為1.02或更大時，電磁轉換特徵 10 大幅地改善。因為當定向Hcc/Hcr變成1.02時為43.0度（對於第一實施例樣本Emb-1處於30公厘的測得半徑），傾斜角0 inc更佳設定為43.0或更大。此外，從第8圖所示的傾斜角0 inc與AlRix籽晶層12的結晶定向傾斜角<9 CRY之關係，當傾斜角0 inc為38.7度時，所形成之AlRu籽晶層12的結晶定向傾 15 斜角0 cry係為2.1度。因此，可看出結晶定向傾斜角0 cRY 較佳係設定至2.1度或更大、更佳設定至身為用於傾斜角Θ cry呈43.0之案例的結晶定向傾斜角0〇^之2.7度或更大。第11A及11B圖顯示根據第一及第二實施例樣本Emb-1 及Emb-2及第一比較範例cmp-1之磁碟的電磁轉換特徵。利 20用一包括一感應記錄元件及一巨大磁致電阻性(GMR)再生元件之複合磁頭來獲得第HA及11B圖所示的電磁轉換特徵’以測量經隔離的波輸出、解析度及SNR。經隔離的波輸出（# νρ·ρ)係代表i 04 FCI的線性記錄密度之輸出平均值。解析度(％)係從（！〇4 kFCI的平均輸出）/(414 kFCI的平均 31 200540819 輸出）X 100獲得，而SNR(dB)係以414 kFCI的平均輸出s (//

Vp_p)及中級雜訊N (// Vrms)為基礎從20 X log(S/N)獲得。可從第11A圖看出，相較於第一比較範例Cmp-1而言，第一及第二實施例樣本Emb-1及Emb-2處於30公厘測得半 . 5 徑之解析度及SNR係獲得改善。如上述第1〇圖所示，相較於第一比較範例Cmp-1而言，第一及第二實施例樣本Emb-1 及Emb-2的定向Hcc/Hcr具有改善。因此，可看出經改良之定向Hcc/Hcr係改良第一及第二實施例樣本Emb-1及Emb_2 的解析度及SNR。此外，當第一及第二實施例樣本Eml>1 φ 10及Emb-2加以比較時，可看出比第二實施例樣本Emb_2具有更大定向Hcc/Hcr之第一實施例樣本^说-丨係具有相較於第二實施例樣本Emb-2獲得改善之解析度及SNR。因此，確認了傾斜角0INC愈大亦即結晶定向傾斜角Gcry愈大，則解析度及SNR的改善愈大。 15 同樣地，亦可從第11B圖看出，第一及第二實施例樣本

Emb-Ι及Emb-2的解析度及SNR相較於第一比較範例（：11]^1 獲得改善。籲接著，將描述具有-含有一經機械紋路化的基材表面之玻璃基材11之第四至第六實施例樣本Emb_uEmb6& 20 一比較範例Cmp-2。第四實施例樣本Emb-4具有與上述第-實施例樣本 Emb-·似的生衫式’差異在於破縣材⑽基材表面利用-拋光及清理裝置受到機械紋路化以在磁碟圓周方向提供紋路化而有0.3奈米的平均表面粗輪度Ra。 32 200540819 第五實施例樣本Emb-5具有與上述第二實施例樣本 Emb-2類似的生成方式，差異在於玻璃基材u的基材表面類似於第四實施例樣本Emb-4受到機械紋路化。第六實施例樣本Emb-6具有與上述第三實施例樣本 5 Emb-3類似的生成方式，差異在於玻璃基材u的基材表面類似於第四實施例樣本Emb-4受到機械紋路化。第二比較範例Cmp-2具有與上述第一比較範例〇：1111)-1 類似的生成方式’差異在於玻璃基材Η的基材表面類似於第四實施例樣本Emb-4受到機械紋路化。 10 第12圖顯示根據第四至第六實施例樣本Emb-4至

Emb-6及第一比較範例Cmp-2之磁碟的磁性特徵。第12圖所示的磁性特徵係利用與第10圖所示的磁性特徵案例類似之方式加以測量。第12圖中’對於第二比較範例Cmp-2之定向Hcc/Hcr係 15 為且其南於第一比較範例Cmp-1的1·〇〇。相較於第一比較範例Cmp-1而言，第二比較範例Cmp-2之經改良的定向 Hcc/Hcr係由於基材表面上所提供之機械紋路化所致。另一方面，第四實施例樣本Emb-4的定向Hcc/Hcr在12公厘的測得半桎處係為1 · 11而在30公厘的測得半徑處為1 · 1〇，表示可 2〇促進第二磁性層16的容易磁化軸線在圓周方向中之定向。易言之，除了由傾斜濺鍍所形成之AlRu籽晶層12外，藉由經機械紋路化的基材表面係進一步促進第二磁性層16的容易磁化軸線在圓周方向中之定向。相對於第二比較範例 Cmp-2，第二實施例樣本Emb-4之圓周矯頑性方正比S*亦獲 33 200540819 得改良’亦可從圓周矯頑性方正比s*看出，對於第四實施例樣本Emb-4促進了第二磁性層16的容易磁化軸線在二周方向中之定向。當第二比較範例Cmp-2的Hcc/Hcr定向超過！〇8亦即大 5於或等於L09時，電磁轉換特徵獲得改良。從第四至第六實施例樣本Emb-4至Emb-6之傾斜角0 INc及定向Hcc/Hcr之關係，可看出當傾斜角0INC為38.7度(處於第五實施例樣本 Emb-5之30公厘的測得半控）時，定向Hcc/Hcr變成ι·〇9，且傾斜角0INC較佳設定至38.7度或更大。本發明人已經由研 10究確認，當定向Hcc/Hcr為1.1〇或更大時，電磁轉換特徵大幅改良。因為當定向Hcc/Hcr變成1.1〇時傾斜角0INc為43〇度(處於第四實施例樣本Emb-4之30公厘的測得半徑），傾斜角0INC更佳設定至43.0或更大。第13A及13B圖係顯示根據第四至第六實施例樣本 15 Emb-4至Emb-6及第二比較範例Cmp-2之磁碟的電磁轉換特徵。第13A及13B圖所示的電磁轉換特徵係以與第11A及11B 圖所示的電磁轉換特徵案例相似的方式獲得。可從第13A圖看出，相較於第二比較範例Cmp-2，處於 30公厘的測得半徑之第四及第五實施例樣本Emb-4及 2〇 Emb-5的解析度及SNR係獲得改善。如上述的第12圖中所示，相較於第一比較範例Cmp-2，第四及第五實施例樣本 Emb-4及Emb-5的定向Hcc/Hcr獲得改善。因此，可看出經改良的定向Hcc/Hcr係改善了第四及第五實施例樣本Emb~4 及Emb-5的解析度及SNR。此外，當比較第四及第五實施例 34 200540819 樣本Emb-4及Emb-5時，可看出比第五實施例樣本Emb-5具有更大定向Hcc/Hcr之第四實施例樣本Emb-4係具有比起第五實施例樣本Emb-5相形改良之解析度及Snr。因此，可確認傾斜角<9 me愈大，亦即結晶定向傾斜角0CRY愈大，則可 5 愈大幅改善解析度及SNR。同樣地’亦可從第13B圖看出，相較於第二比較範例 Cmp-2，處於16公厘測得半徑之第四及第五實施例樣本 Emb-4及Emb-5的解析度及SNR係獲得改善。第14圖為顯示根據本發明之一磁性儲存裝置的一實施鲁 10 例之一重要部分的平面圖。如第14圖所示，一磁性儲存裝置6〇一般係包括一殼體 61。一轂62、複數個磁性記錄媒體63、一致動器單元料、複數個臂65、複數個懸吊件66及複數個記錄與再生頭(複合頭）68係設置於殼體61内。磁性記錄媒體63安裝在轂以上， 15轂62由一馬達（未圖示）加以旋轉。記錄及再生頭68係由一再生頭及一記錄頭構成。譬如可使用一磁致點阻性（Mr)元件、一巨大磁致電阻性（GMR)元件、一穿隧磁致電阻性鲁 (TMR)元件諸如平面中電流(αρ)元件及_平面垂直電流 (CPP)元件及類似物作為再生頭。另一方面，可使用一感應頭諸如:薄膜頭作為記錄頭。各記錄與再生頭⑽係經㈣吊件66女裝在肖應臂65的梢端上。臂⑹系由致動器單元 64加以移動。此师儲存裝置具有已知的基本構造，本㉟ ’ 明書中省略其詳細描述。磁陸儲存裳置60之特徵在於磁性記錄媒體63。各磁性 35 200540819 記錄媒體63係具有上文參照第丨至13^ 媒體的實施例之堆積結構。易言之，圖所描述之磁性記錄易言之，各磁性記錄媒體63譬

磁性儲存裝置的基本構造不限於第14圖所示者。此外，本發明所使用的磁性記錄媒體63並不限於磁碟。譬如， 10磁性記錄媒體63可為磁帶。當使用磁帶作為磁性記錄媒體 63時，籽晶層可形成於一卷帶形塑料膜上，諸如用於形成基材的PET、PEN及聚醯胺膜。在此例中，可利用從卷帶兩側（沿者卷帶寬度的兩側上之卷帶的兩邊緣）的一者以對於卷帶法向呈預定傾角之一角度來濺鍍籽晶層的粒子藉以在 15 卷帶形膜的縱方向中改良記錄層的結晶定向。並且，本發明不侷限於這些實施例，可作出各種不同的變異及修改而不脫離本發明的範圍。 t圖式簡單説明3 第1圖為顯示根據本發明之一磁性記錄媒體的一實施 2〇例之橫剖視圖；第2圖為顯示磁性記錄媒體的實施例中之結晶顆粒的定向之示意圖；第3圖為顯示形成一籽晶層之結晶顆粒的結晶格構之定向的示意圖； 36 200540819 第4A至4C圖為說明根據本發明之一製造磁性記錄媒體之方法的一實施例之橫剖視圖；第5圖為概括顯示一濺鍵裝置的一重要部分之立體圖；第6圖為顯示第5圖所示的滅鍍裝置之一重要部分的橫 5 剖視圖；第7圖顯示實施例樣本及一比較範例的八1尺11層之搖晃曲線(rocking curves); 第8圖顯示實施例樣本及比較範例之AlRu籽晶層的入射角與結晶定向傾斜角之關係； 10 第9圖顯示實施例樣本及比較範例之CoCrPt12B7Cu4第二磁性層的搖晃曲線；第10圖顯示根據實施例樣本及比較範例之磁碟的磁性特徵；第11A及11B圖顯示根據實施例樣本及比較範例之磁 15 碟的電磁轉換特徵；第12圖顯示根據實施例樣本及比較範例之磁碟的磁性特徵；第13 A及13 B圖顯示根據實施例樣本及比較範例之磁碟的電磁轉換特徵； 20 第14圖為顯示根據本發明之一磁性儲存裝置的一實施例之一重要部分的平面圖。 37 200540819 【主要元件符號說明】 10,63···磁性記錄媒體 11…碟基材 12…籽晶層 12-1…格構面 13…底層 13 a, 14 a, 15 a，16a…結晶顆粒 14…第一磁性層 15…非磁性輛合層 16…第二磁性層 18…記錄層 19…保護層 20…潤滑層 30…濺鍍裝置 31…圓形濺鍍標靶 3 la…侵|虫區 32…磁鐵單元 32a···磁鐵基底 32b…磁鐵元件 33…旋轉屏蔽元件 33a···旋轉車由 33b···屏蔽板 34…旋轉驅動元件 35…外環形磁鐵 35ac…平分線 35c···外環形磁鐵35的中線 36…内環形磁鐵 36c···内環形磁鐵36的中線 38…幸厄 60…磁性儲存裝置 61…殼體 62…轂 64…致動器單元 65…臂 66…懸吊件 68…記錄與再生頭(複合頭) Αχ…中軸線这…格構常數 Cmp-1…第一比較範例 Cmp-2…第二比較範例 DIN…内（或最内)周邊位置 Dour"外(或最外)周邊位置 Emb-1…第一實施例樣本 Emb-2···第二實施例樣本 Emb-3…第三實施例樣本 Emb-4…第四實施例樣本 Emb-5…第五實施例樣本

38 200540819

Emb-6···第六實施例樣本 Hcc···圓周矮頑性 Hcc/Hcr· · ·定向

Her…徑向方向矯頑性 MF…磁力線

Mrl…第一磁性層14的殘留磁化 Mr2…第二磁性層16的殘留磁化 NOR…基材法線方向 OD…箭頭(碟基材^的外周邊側方向） S*…圓周矯頑性方正比 SNR…信號雜訊比 tl…弟一磁性層14的厚度 t2…第二磁性層16的厚度

Tero…侵|虫區31 a中心 Θ cry· ··結晶定向傾斜角 0 GRA…籽晶層12的結晶顆粒相對於一位於基材表面方向之基材法線方向NOR之傾斜角 0 INC…濺鍍粒子的入射角 2 0 ·· ·Χ射線衍射角（或衍射角） 0 ···掃描角

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Claims

200540819 十、申請專利範圍： 1. 一種磁性記錄媒體，包含：一基材，其具有一基材表面；一籽晶層，其設置於該基材表面上； 5 一底層，其設置於該籽晶層上；及一記錄層，其設置於該底層上，其中藉由在一記錄方向中磁化該記錄層以使資訊記錄在該記錄層中，其特徵在於該籽晶層係由一具有一 B2結晶結構的 10 合金材料製造之結晶顆粒的一多晶所形成，而該等結晶顆粒的一 [100]結晶定向係朝向被一平面所分隔之兩側的一者傾斜，其中該平面係由該記錄方向及一位於該基材表面法向之基材法線方向所形成。 2. 如申請專利範圍第1項之磁性記錄媒體，其特徵在於該 15 基材具有一碟形，而該等結晶顆粒的[100]結晶定向係在該碟形的一外周邊側中傾斜。 3. 如申請專利範圍第1或2項之磁性記錄媒體，其特徵在於該等結晶顆粒的[100]結晶定向與該基材法線方向所形成之一角度係位於2.1度到小於5.4度的範圍中。 20 4.如申請專利範圍第1項之磁性記錄媒體，其特徵在於該合金材料選自包括下列各物的群組:AlRu合金、NiAl合金及FeAl合金。 5.如申請專利範圍第4項之磁性記錄媒體，其特徵在於該 AlRu合金具有位於45原子百分比（at·%)到55 at·%範圍之 40 200540819 Ru含量。 6.如申請專利範圍第1、2、4及5項中任一項之磁性記錄媒體，其特徵在於該底層由Cr或一 Qr-X合金製成，其中X 選自包括下列各物的群組:Mo、W、V、B、Mo及其合金。 5 7.如申請專利範圍第2項之磁性記錄媒體，其特徵在於該基材由玻璃製成，而該基材表面受到機械紋路化。 8.如申請專利範圍第1、2、4、5及7項中任一項之磁性記錄媒體，其特徵在於：該記錄層包含接連地堆積在該底層上之一第一磁 10 性層、一非磁性間隔層及一第二磁性層，及該第一及第二磁性層係經由該非磁性間隔層呈反鐵磁性交換搞合。 9 · 一種製造一具有一記錄層的磁性記錄媒體之方法，該磁性層在一記錄方向中磁化以記錄資訊於該記錄層中，該 15 方法包含以下步驟： (a) 形成一籽晶層於一基材表面上； (b) 形成一底層於該軒晶層上；及 (c) 形成該記錄層於該底層上，其特徵在於該步驟(a)係使用一由一具有一 B 2結晶 20 結構的合金材料製成且對峙該基材表面之標靶，並相對於該基材表面從一第一平面所分隔之兩側的一者以一相對於一基材法線方向呈傾斜之預定方向濺鑛該標革巴的濺鍍粒子，該第一平面係由該記錄方向及位於該基材表面法向之基材法線方向所形成。 41 200540819 10·如 4請專利範圍第9項之製造磁性記錄媒特徵在於該步驟⑻係在一與該 ___ 方法，| 平面近似+ 二平面内以該預定方向相對於該美垂直之筹鍍粒子。、面磯鏟該等满 5 其標 11.如申請專利範圍第9項之製造磁性記錄媒體之特徵在於該步驟⑷中該基材法線方向與方法’ 乾的-侵餘區中心與該基材表面上該等c 沉積位置之想像性入射線之間所形成之—t子的一於38·7度到小於90度的範圍中。貝斜角係位

10 小研賵之方法， 15 20 特徵在於該步驟(a)係使用一碟形基材，並相對於上平面從該碟形基材的-外周邊側難該麵錢=第 13.如申請專利第12項之製造魏記錄方法，° 進一步特徵在於以下步驟:(d)進行該步驟(a)時防止相於該基材表面所濺鍍的濺鍍粒子抵達與該基材表相: 相對之該基材的一表面。

14·如申請專利範圍第13項之製造磁性記錄媒體之方法，其特徵在於該步驟⑷係使用一屏蔽元件，該屏蔽元件係對峙*亥基材表面並具有一與該碟形基材的—中心呈同轴排列之軸以及自該轴呈徑向延伸且以相等角度間隔排列之複數個屏蔽板。 a如:請專·_14項之製造师記制體之方法，其特试在於該步驟(d)係沿該軸旋轉該屏蔽元件。 16·如申請專利_第9至15項中任—項之製造磁性記錄媒 42 200540819 體之方法，其特徵在於該步驟(b)及（c)係分別在一近似垂直於該基材表面的方向中相對於該籽晶層及該底層來濺鍍濺鍍粒子。 17. —種磁性儲存裝置，包含： 5 至少一磁性記錄媒體；及一頭，用以使資訊記錄至及/或再生自該磁性記錄媒體，其中該磁性記錄媒體係包含一具有一基材表面之基材、一設置於該基材表面上之籽晶層、一設置於該籽晶層上之底層、及一設置於該底層上之記錄層， 10 藉由在一記錄方向中磁化該記錄層以記錄資訊於該記錄層中，及其特徵在於該籽晶層係由一具有一B2 結晶結構的合金材料製造之結晶顆粒的一多晶所形成，而該等結晶顆粒的一 [10 0 ]結晶定向係朝向一平面所分隔之兩側的一者傾斜，其中該平面藉由該記錄方向及 15 一位於該基材表面法向之基材法線方向所形成。 18. 如申請專利範圍第17項之磁性儲存裝置，其特徵在於該磁性記錄媒體具有一碟形。 43