TW200534421A - Method and system for monitoring component consumption - Google Patents

Description

200534421 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 電漿處理中之元 ^發明係關於電漿處理，特別關於 件之耗損的方法與設備。 工、 【先前技術】 — 於半導體處理機台中，加工室中 響，最後將耗損至需加以替換之程件党處理情形所影 $頭定位環係環繞於晶圓夹頭四周ς受牛;二-，，韻刻系統中， 腐餘所影響。於定位環之厚度減至 之化學作用的 分比或最小厚度後，即以新的定^秩、:子又某預先設定之百 實例包含注入板、電容性輕合電°其他耗損性元件之 與沉積=板、以及批次爐令之耗損性^^。之電極、加工室襯墊 量測耗損性元件；餘:大呈

狀態可能使耗損性元件以不同^=，，而每-種程序的 過之=時間對耗損性元件的耗= 卜，尚存在一種替換排程方法，其係將转—> ± D 一 製晶圓後替換上述元㈡而先決定_ ，以針對所有的晶圓批次執行相同的程序的j之機台係 ，致耗損狀件使用年限方面的浪ΐ舉例法可 =能於生朗先決定數量之減晶线此種方 未:ΐ气ΐ雜至必須替換之程^亦ϊ件’即便 的*能性，故亟需能夠於批次加工期間無需 200534421 機台加工室即可精準監控耗損 於一精簡之系統中提供上述之監控=力。此外，針對 存之加工系統，亦存在迫切之需求。而/、能夠ft易地改良既 【發明内容】 量測Γί接’線-精簡且不與 明使耗損性零件之替換係基於之剩，厚度。本發 長度或初製晶圓之數量。、、肉蝕狀况，而非指定之時間 依據本發明之-實施態樣，本 情形之系統，而上述系統包含触控兀件之耗損 光束至-元件之-第一區域上。配以發射線 經裝配以侧由元件所折射之射線^之二f偵測車元’其 :號。上f系統之-控制單元則根據射線等斷 度，而所判仅厚度將與—預先決定虎之厚 ;ίί:1ΐ上;於或小於預先決定⑶ 加工程序件暴露於可賴科之至少—部分之-

s單元則傳送一 二？ί?:明之另—實施祕，本發明提供-種監控元件之耗 射線光束 由元件所折射之射線来击夕却八…:rϋ衣置’用以偵測 線嫩該部公fiii之一部分:以及至少根據所偵測到之射 統包含發射裝、乂以 ★…^域上。上述系統亦包含偵測裝置， _ 度^質上雜或小於預先決定之厚度值時產生_ 傳送-指令至發射裝置與侧裝置以產生另一 進行比較。控制“用== 狀態訊號’以及 射線等級訊號。上 6 200534421 i於可腐蝕預，定之厚度值， 且元件暴 依據本發明之另二;:；；一力二程序後加以傳送。 損情形之方法。’本發明提供—種監控元件之耗 -預先決定之厚度件之厚度與 預先決定之厚度值晬，目,1脸—从:比較步知判疋兀件之厚度大於 之-加工程序，、比較===叙部分 驟判定元件之厚度_ 知將顿重複，直到比較步

r:f=驟= 二射，束之一部分。接著至= 據射線纽峨靖元叙厚度。將元叙厚靜 ㊁行比較’當比較步驟判定猶之厚度實質上等於或小於 ，先決疋之厚度值時將產生—狀態訊號。#比較步驟判定元件之 厚度大於預先決定之厚度辦，麟元縣露於可_元件之至 少一部分之一加工程序。 實施方式】 請參照圖示所示，接著將說明數個本發明之實施例，其中相 似之參知、數子之命名係用以識別相同或對應之部分。 圖1概略地例示包含一監控系統4之加工機台2的一部分。 加工機台2可裝配為感應耦合電漿（ICP，Inductively Coupled

Plasma)糸統、電容耦合電漿（CCP，Capacitively Coupled Plasma) 系統、磁性加強式反應性離子蝕刻（MERIE，Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching)系統或批次熱處理爐（batch thermal

ProcessingfUmace)，其中上述實例係屬例示性而非限制性。加工 機台2主要係用以於加工室18中供晶圓（未示於圖）之蝕刻作業 7 200534421 之用’而此種蝕刻作業係剎 裝24而執行。於批次熱處提供之氣體所產生之電 應性化學作用將腐韻耗撕生子中無電漿24，但所產生之反 元件26代表於力 刻之化學作用或任何於加工機由於暴露於電漿24、餘 工狀況而耗損之零件。因此，i 巾所產生之其他加 何形狀及/或大小。舉例而t 1 6之功此而定，其可能為任 夾頭四周之夾頭定位環 I 可代表環繞於支撐晶圓之

他可能於加工機台2之作業導體材料、石英或任何其 26可以藉可見波長觀之係透王ϋ之材料製成。此外，元件 成。再者，元件26可以I:異ί透明的或不透明的材料製 银或僅部分躺之方式1、=暴路之表面均於加卫程序期間腐 損性之材料製成，而另2 °牛元件26之-部分可以耗 損性之材料加以塗覆元非耗損性之材料構成或以非耗 件、加工室18自身室财藉由另一加工元 以支撐。 表面或加工室18中之任何其他結構加 監控系統4包含一雷湄徂旛错一 10與、-偵測單元請、=射源6、光學系統 雖未於圖1中顯示，但為ι控糸統4亦包含任何 件。監控系統4可代♦ 控綠4之例示元件所必須之元 可或缺之元^了2改良加工機台2或建置加工機台2之始不 不同大小與形狀之元件。’可峨監控系統4之元件之位置以適應 工室ls中，二貞亦1、控制單元14。電源供應單元I6位於加 1中所示般以單！J加工室18之外。電源供應單元16可如圖 予單元6、8 ΓϋΪί式設置，亦可包含複數個分別供應電源 機台2之其他元件ί 70。此外，電賴應單元16可供加工 統之電源、ΪΠΓ，。電源供應單元16可設置為由整體系 源之電源轉換單^ :卜之^電源操取並轉換電 此外電源供應早兀16亦可設置為任何其他 8 200534421 ”放射^㈣併使用之產生及/或轉換電源之工具。 =源6係置於加卫室18中作為發射射線絲％ 射線光束32可為紅外縣餘何其他具有’而 射、傳送油部反射之波長之射線Hi折 可見光。舉例而言，如典型之宗仂产一妒”配為可發射 因於數種紅外線波長帶中砂^透仏^^ 34c聚焦至偵測單元8之方式設置。然而I替代分 =====丄= ,^^；34c〇 Γ〇^；；^ 、焦鏡片（如圖1中所示）或集合成鏡片組之複

夢由貞測單元8係置於加工室18中，且係以

Si 了 2 ?接^射光束部分36與折射光束部*34c之方 s之放包含—f知之紅外線偵測器或任何其他與所 &用之放射源相各之制工具。彳貞測單元 =據Ξίϊ、ΐι=不欲使反射光束部分36到達偵測器，則 僅ϊΐ折射先束部分4c之強度。所產生之射線等級訊雜經由 ϋ用ϊϊ=送至控制單元14 ’然亦可裝配訊號產生°單^40 2 ，輸之方式傳送射線物峨至控鮮元14。由於無 之膽面以於偵測單元8與控制單元14之間建立 方路’故上述後者進行裝配之作法係為較簡便之更新 万荼。於上述之電源供應單元16係由加工機台中所產生之射頻電 9 200534421 電源2形下，亦可省略電源線2〇a與20b以進-步使得 设計精間之更新更為容易。 控制單元14係設計為習知之處理單元 後而執行後述功能之裝置。控制單元/:彳j、、、工衣配 2處3)/2與-齡校正f料舆關聯#料之储存區域 m 賴以根據所接收之射線等級訊號判斷元件之 r ” ί4#、由監控系統4與耗損性元件之樣本所進行之實 驗所產生。儲存d域44可儲存職於杨域# =t=f料’而-旦識別出所量測之材料為何，便可 刿峤上逑多材料之任一的厚度。 /门斗除圖1 t所，本發明之實施態樣外，力口工機台2亦可包含兩 1以亡控系統。舉例而言，圖3例示三個監控系、統46a、46b 46a =盘ΐΓί %之不同區域的情形。而雖於圖3中監控系統 = 46b^46c係並排設置，然渠等亦可以任何配置方式置於元 ^ η四周。上述監㈣統巾的每—個均包含無控系統4之元 之元件，包含個別之控制單元。監控系統46a、杨與46c ’、口 一置於加工室18外或加工室中之單一之控制單元。

盘測70件26之厚度1:1，首歧置放放射源6、彳貞測單元8 予糸統1G與12，以將自放射源6所發射之射線導向元件％ 亡里測厚度之區域。接著，根據儲存於儲魏域44巾之校正資料 =監控系統4之元件。放射源6發射射、縣束32並藉由光學系 、〇將其聚焦於元件26之第一表面28上。於圖1之實施例中， 束32料反射、部純騎[表面28，造成」反射光束 ^二36與一折射光束部分34a。折射光束部分34a由元件26之内 ί 且由元件26加以部分吸收。於元件26之一第二表面30將 第二次内部反射，所產生之光束部分34b於經由元件26之内 ^傳迗至第一表面28時將受到額外的吸收之影響，而於第一表面 ，射出元件26成為折射光束部分34c。為增加監控系統4之敏 怎X，偵測單元8及/或光學系統12亦可加以設計，以使射線光 200534421

^32之初始折射部分於最終由侧單以加以侧前可於 中經歷多次内部反射。 T Q 如圖1中所見，偵測單元8經由光學系統12接收反射 ί f/f射光束部分34C，而訊號產生單元40則根據所偵測^ 光束1刀34c與36之合併強度產生射線專級訊號。於此種情形 度^時，射線等級訊號所指示之射線等級為队 (1見圖2)。兀件之厚度將影響_單以所 件26相對而言較厚，則當射線穿透元件％時將 巧多之射線被吸收。—般而言，如元件26相對而言較厚，4 ^刀之^射光束部分與反射光束部分施於元件％之内苦田 芒收广，相對而言較為微弱之折射光束部们* ;

要ί反:光束部分36，故所產生之射線等S 則==變=光束部分地將增 而言較高之射線量。種_下’射線等級訊號將指示一相對 而中由職線22料躲等、_舒㈣單元14,

二，判，作係II著合併處理射料級之 ⑺:關聯細與代表元件26= / A女王之取小/子度（凊芩閱圖2)之 _ , ，區域44中。利關2所示之 儲 ，之射線等級訊號將與元件厚度tl產生關1 -將利_所代表之關聯產中=單元 於使用多個監控_，度之加 厚度可以將個別測定之厚声統同嘯行。元件26之 個別之量測數據。前述方之’或分別追縱 餘之-致性，確保元件使機台操作者得以監控元件腐 件26於一或多個位置耗損至最小厚度tmm時 11 200534421 :及時獲2替換。多個監控位置亦使冗餘 ^ 正合進入_系統中。舉例而言，如一 双—之功能得以 量測，明確地識別故障情 障，則可利用其他 當所偵測到之射線等級=叫之f统。 用及/或不安全的程度，列，J 件％之雜已達不堪 • ^。此時，控制單元14 將判定已達最小厚度 .狀態訊號。狀態訊號可用 f傳^^不必須替換耕26之

/或自動停止加工機 =3生=；；幕機台2之操作者及 之厚度關定為-_大於最卜Μ可於元件26 送-警示峨。舉例而言，|子之知厚度時產生並傳 最小厚4匕r行； 料、“商'序號:種以=元件㈣ 以展現其於特定位置之初始严 ，:^中，母一種定位環可 可於判斷位於特定位置之^二的方式衣&，使中央處理單元42

加工機台2中之定位環的種類;度後，便可識別安裝於 所安裝之纽敎種_監妈^=^。父相細’以針對 尺寸將計航^照固定 言=二= 任何相同或不同深度itn觀;if 4多6種深度，然渠等可具有 可配對為-組元件識別資=1。六 初始厚度量測數據 此種方式判斷元件2山钟倚存，儲f區域44中’進而可利用 監控系统所龄护之輕^ j寺政。因此，計數孔38可提供一種識別 ^ 元件之種類的編碼機制。 於“機台加件26執行第一次厚度量測，並 傻對於7L件26進行第二次厚度量測，中央處 12 200534421 5:5二2便二计异臣产凡件26之材料與所執行之加工程序之特定 腐姓逮度。此外，監控系統4可 =之知疋 批次之加王綱錢執行厚度 &序之晶圓 序Γ腐錢久將二^ .資訊配合使用、而 =;之=速元件厚度之 .位判斷特定元件剩餘使用植:圓他任何適宜之單 用以維護排程，於替換時限前::刀十可 減> 成本叩貝之關閉加工機台2之次數。 乍相、、、α合， 少因開啟加i室ίί 牛耗損監控系統減 此，即便加工機台歷經多種加將^生==需求。因 進行安裝與齡。作桃存+導體加頌台上之更新選項而 圖4例示一可於其上實作本發明實施例之帝μ

存取記憶體（SRAM)盥同步動能p擁]：f (DRAM)、靜態隨機 其無流排聰連結而體（SD_))， 指令。此外，主記恒於12Π4 it雜將由處理器執行之 期間所產生之暫時性變數或其他°中間以儲存^理器1203執行指令 步包含-唯讀記憶體（RQM)' 12G5S ^ ° 系統⑽更進-程式化唯讀記憶體（PROM)、可抹除;裝置（例如可 (_)舆電子式可抹除可程 13 200534421 其與匯流排1202連結而用以儲存靜態資訊與供處理器12〇3使用 之指令。 電細系統1201亦包含一磁碟控制器12〇6，其與匯流排12〇2 連結以控制-❹細以儲存資訊與齡之儲存裝置，例如磁性 更寒J207與可移除之媒體磁碟機cog ^例如軟碟機、唯讀光碟 機、項/寫式光碟機、光雜放機、磁帶機與可移除之磁光磁碟 置可利用適合之裝置介面（例如小型電腦系統介面 (scsi)、整合式電子裝置（IDE)、加強型整合式電子裝置 ^ IDE)、直接化憶體存取（DMA)或超高速直接記憶體存取 (ultra-DMA))附加至電腦系統12〇1。 電腦系統1201亦可包含特殊用途之邏輯裝置（ (ASICs)) 璉輯t置（SPLDs)、複合可程式化邏輯裝置（cpLDs)盘現場可 程式化邏輯閘陣列（FPGAs))。電腦系統i謝亦可包含：：或多個 數位訊號，理器（DSPs)，例如德州儀器（TexasInstmments) TMS320 系列之晶片、摩托羅拉（M〇t〇r〇la)Dsp56〇〇〇 Dsp5⑽〇、 ^P5_0、DSP56_與DSP96_系列之晶片、朗訊科技（wnt technologies)之 DSP1600 與 DSP32〇〇 系列或類比裝置（An

Devices)之ADSP2100與ADSP21〇〇〇系列。此外，亦可使用1他 經特別設計以處理已轉換為數位領域之類比訊號的處理哭。〃 、電腦系統1201亦可包含一顯示控制器12〇9,其與匯流排12〇2 Ϊϋ控ff示=#訊予電腦個者之顯示11 121G，例如陰極射線 =(CRT)等。電腦系統1201亦包含輸入裝置，例如一鍵盤ΐ2ιι :心向裝置1212 ’渠等係用以與電腦使用者互動並提供資 ，器1203。舉例而言’指向裝置1212可為滑鼠、軌跡球或指向 杯，渠等係用以傳輸方位資訊、操縱關於處理器12〇3之選項以及 控制顯示器121G上之游標移動。此外’印表機可提供儲存於電腦 糸統1201中及/或由其所產生之資料的列印清單。 、 電腦系統1201藉聽理H *執行本發明之處理步驟 一部或全部，其中處理器1203執行儲存於例如主記憶體12〇4等 14 200534421 之δ己f思體中之一或多舶J：b人> 、 例如㈣1207或抑或乡個序列。此難令可由其他 媒體讀進主記㈣12GU媒f磁碟機圓等電腦可讀取之記錄 多個處理器執行留存於主記-或 實施例中，可使用师12G4中之心令序列。於選擇性之 此，實施例並不 或記=所ί以包含至少一電腦可讀取之記錄媒體

體之實例如光:硬:於=說明ί資料。_可讀取之記錄媒 $抹上可程二ϋ抹除立可程式化唯讀記憶體（epr〇m)、電子式 讀記憶體^ 己憶體（eepr〇m)、快取可抹除可程式化唯 r p左ί六aS R〇M ))、動態隨機存取記憶體（DRAM)、芩 =1取記憶體（SRAM)、同步動態隨 ( 媒體、光碟（如唯讀光碟）t 本發明包含用以控制電腦系統12〇1之軟體，苴 月之衣置以及使電腦系统12〇1與使用者互 ; 體可包錢置驅動程式、作_統、》工 =體，但不限於以上所述。此類電腦可讀取之記錄禅㈣、隹、f 爪口土耘式語言之類別（hvadass)與已完成可執行 之效犯、可罪度及/或成本而加以分散。 思罕乂1 土 此處所使用之「電腦可讀取之記錄媒體」意指任何參與提供 15 200534421 $曰=予處理為1203執行之記錄媒體。電腦可讀取之記錄媒體可為 ，多形式，包含非揮發性記錄媒體、揮發性記錄媒體與傳輸媒體 等’但不限於以上所述。舉例而言，非揮發性記錄媒體包含光學、 磁性磁碟與磁光碟等，例如硬碟12〇7或可移除之媒體磁碟機 ^ 1208 °揮發性記錄媒體包含動態記憶體等，例如主記憶體1204。 傳輸媒體包含同軸電纜、銅線與光纖等，包含組成匯流排12〇2之 ♦ 線路傳輸媒體亦可採取聲波或光波的形式，例如於無線電與紅 外線資料傳輸中所產生者。 〃 士於，作供處理器1203執行之一或多個指令之一或多個序列 •時，I，牽涉到多種電腦可讀取之記錄媒體之形式。舉例而言， •初^寺指令可載於一遠端電腦之磁碟上。遠端電腦可將實作二發 °卩之指令遠端載人動態記憶體中，並利用數據機經由 %話線傳送指令。電腦系統1201端之數據機可接收電話線上之資 紅外線傳輸器將資料轉換為紅外線訊號。與匯流排1202 _器則可接收紅外線號中所載之資料，並將資 料置於匯&排1202上。匯流排12〇2將資料僂镁$ 橋赫

類之實作中，通訊介面丨213傳送以2 位資料流之電子、電磁或光學訊號。 π」μ恶琛还琛加以實作。於任何此 ?送以及概輪餘録資訊之數 網路連線1214 — 般而言經由-或多個網路提供至其他資料 16 200534421 =子光纖電以二^ 電腦系統1201之網路連埯12u 號以及負載數位資料往返 變之電子脈_Ϊ^Ϊ以貫作。基賴號以未經調 個符號載送至少-或多個乏地解11來代表—符號，而每-波’例如利用振幅、相位及乂戈;車;料亦可用_^^ 可將數位資料以未經調變之基頻資料==巧後= ;ssa採;調變 網路連線12H細訊介面Γ2ί4ϊ^:=Ζ；416、 1215提供至例二j固位

之人=逆電8=:= ϊ^ΐ ϊΐΐ需背離本發明之講授與優點即可於例示之實 it iiT2, °因此’所有此類之修改均應包含於本發ί tmnlT 而/ ’發明人認為藉由將超音波轉換器（ultrasonic =riiri元件翻之處，即可制超音波技術監控耗損 里輿^對既存之加工室進行更新將更為困難。 料^ ί ft 年4月14日申請之卿8,652號（放 號中％ )年7 i2=請之_8,544號美國專利申 _的系統 17 200534421 式與本發明相結合。本發明之一式夕 送或反射光譜，從而可判辦^ /f偵測器可經修改以量測傳 號申請針之日日日圓溫度1^=；^之溫度，如同尬號與'544 均於此處納入參照。 又 #心、544號申請案的全部内容 【圖式簡單說明】 &附，，圖不納人並構成說明書之一部分，其例示本發明目前 之較佳實施例’而併同上述之概略說明與較佳實施例之詳細說明 將可進一步闡明本發明之原理。

圖1為依據本發明之一實施態樣之監控系統之概要例示圖。 圖2為射線等級對應元件厚度之曲線之範例。 圖3為依據本發明之另一實施態樣之多感應器監控系統之簡 圖。 圖4例示可於其上實作本發明之〆實施例之一電腦系統。 元件符號說明: 2〜加工機台 4〜監控系統 6〜放射源 8〜偵測單元 10〜光學系統 12〜光學系統 14〜控制單元 16〜電源供應單元 18〜加工室 20a〜電源線 20b〜電源線 20c〜電源線 22〜實體線路 24〜電漿 18 200534421 26〜元件 28〜第一表面 30〜第二表面 32〜射線光束 34a〜折射光束部分 34b〜反射光束部分 34c〜折射光束部分 36〜反射光束部分

38〜計數孔 40〜訊號產生單元 42〜中央處理單元 44〜儲存區域 46a〜監控系統 46b〜監控系統 46c〜監控系統 1201〜電腦系統 1202〜匯流排 1203〜處理器 1204〜主記憶體 1205〜唯讀記憶體 1206〜磁碟控制器 1207〜硬碟 1208〜可移除之媒體磁碟機 1209〜顯示控制器 1210〜顯示器 1211〜鍵盤 1212〜指向裝置 1213〜通訊介面 1214〜網路連線 1215〜區域網路 200534421 1216〜通訊網路 1217〜移動式裝置

Claims (1)

1. 200534421 申請專利範圍： ι· -種監控元件耗損情形之系統，包含·· -放射源，其用以發射—射線光束至 -偵測單^，其用以侧由該 =光束=， 部分’並至少根據所_到之該射線“ϋίίϋίΐΓ 射線等級訊號；以及 几果之^刀之強度產生- 2如康該射線等級訊號判斷該元件之狀態。 制早兀係猎由下列步驟判斷該元件之狀態： 根據該射線荨級訊號判斷該元件之一厚度；以及 件之厚度與—預先決定之厚度值ς行比較。 制ΐ元m其中該控 於或小於該預先決定之厚度 於該元件之厚度經判斷實質上等 值時產生一狀態訊號；以及

   上一於該元件之厚度經判斷大於該預先決定之厚度值時，以及於 件暴露於可腐蝕該元件之至少一部分之一加工程序後，傳送 才曰々至違放射源與該偵測單元以產生另一射線等級訊號。、 4·如申明專利範圍第1項之監控元件耗損情形之系統，其中所偵 測到之該射線光束之該部分係該射線光束之一部分，其由該元件 ^一第一表面進行第一次折射，傳送通過該元件，由該元件之一 第一表面反射，並由該元件之該第一表面進行第二次折射。 5·如申請專利範圍第1項之監控元件耗損情形之系統，其中該射 線光束為一紅外線光束。 6’如申凊專利範圍第1項之監控元件耗損情形之系統，其中該放 射源與該偵測單元係置於一加工室内，而該控制單元係置於該加 工至外。 7·如申請專利範圍第1項之監控元件耗損情形之系統，其中該债 測單元係用以利用無線的方式將該射線等級訊號傳送至該控制單 元0 21 200534421 :哀項，監控^件耗損情形之系統’其中該控 存域，其用來儲存用以根據該射線等級訊號判 斷該兀件之厚度之關聯資料。 乂到 9.如申請專利範圍第8項之監控元件耗損情形之系統，其中 聯貪料包含針對複數個元件材料使射轉級㈣餘關聯之^ 訊0 /只 10·如申请專利範圍第1項之監批 条 件包含-半導體材料。皿^疋件耗祕形之糸統’其中該元 如申請專嫌圍第丨項之監控元

   i2. mi圍u項之監控元件耗損情形之系統，更包含： 二區域ttr以發射—第二射線光束至該树之-第 測，兀’其用以侧由該元件所折射之該第二射線 之靜I ί ^亚至少！·眺所侧到之該第二射線光束之該部分 Μ&ί生―弟二射料級喊，其巾該控制單元_以根據1 1線專級訊號與該第二射_級訊號之至m斷該元件^厚 13· 圍第12項之監控元件耗損情形之系統，其中 。亥70件之δ亥第一區域包含一第一凹孔部分， 该元件之該第二區域包含一第二凹孔部分，以及 -凹S3元至少根據所判定之該第—凹孔部分與該第 與一類型之至少其-。 作序被 Μ·—種監控元件耗損情形之系統，包含： 發射裝置’用以發射—射線光束至一元件之一第一區域上； 八^裝^用以偵測由該元件所折射之該射線光束之一部 i等級測到之該射線光束之該部分之強度產生一射 22 200534421 判斷裝置，用以根據該射線等級訊號判斷該元件之狀態。 15·如申請專利範圍第14項之監控元件耗損情形之系統，其中該 判斷裝置更包含： 厚度判斷裝置，用以根據該射線等級訊號判斷該元件之一厚 度；以及 、 比較裝置，用以將該元件之厚度與一預先決定之厚度值進行 比較。 16·如申请專利範圍第15項之監控元件耗損情形之系統，其中該 判斷裝置更包含：

   αΚί虎產生裝置，用以於邊元件之厚度實質上等於或小於該預 先決定之厚度值時產生一狀態訊號；以及、、 、 傳送裝置，用以於該元件之厚度經判斷大於該預先決定之厚 度值時，以及於該元件暴露於可腐蝕該元件之至少一部分之一加 工= 呈序後，傳送-指令至該發射裝置與該偵測裝置以產生另一射 線等級訊號。 I7:如申請專利範圍帛Μ項之監控元件耗損情形之系統，其 ，測到，該射線光束之該部分係該射線縣之—部分，其由該元 一f表面進行第—次折射，傳送通過該元件，由該元件之 ΓΛ二么Γί射，動該元狀該第—麵猜第二欠折射。 射線先束為一紅外線光束。 :貞9:則tVttl範，14項之監控元件耗損情形之系統，其中該 號傳找置’用以以無線的方式將該射線等級訊 頻電源所提供。 《至夕其之电源係由一電聚機台中之射 泣如申請專利範圍第15項之監控元件耗損情形之系統，更包含： 23 200534421 第二發射裝置，用以發射—第二射線 該 區域上；以及 币一 ，^貞測裝置，用以偵測由該元件所折射之該第二 ΐ:Γ 刀呈亚ί少根據所偵測到之該第二射線光束之該部分之i 度產生一弟二射線等級訊號，其中該判斷裝置包含厚度判斷 Li以ί據，線等級訊號與該第二射線等級訊號之至^一 判該兀件之厚度。 23. Π專利$圍第22項之監控元件耗損情形之系統，其中 Μ兀件之该第一區域包含一第一凹孔部分， 邊元件之該第二區域包含一第二凹孔部分，以及 心置包含識別裝置，用以至少根據所舣之該第一凹 孔j刀/、忒苐一凹孔部分之初始厚度識別該元件之一材 一 造商、一序號與一類型之至少其一。 表 24. —種監控元件之耗損情形之方法，包含·· 發射一射線光束至一元件之一第一區域上； 偵測由該元件所折射之該射線光束之一部分； 等級：根S齡彳之該射線光束之該部分之強度

   根據δ亥射線專級訊號判斷該元件之狀離。 元件^員情形之方法，其中該 根據该射線等級訊號之強度量測該元件之一厚度，以及 將該元件之厚度與-預先決定之厚度值進行比〃 26如申請專利翻第25項之監控元件之耗 該判斷步驟更包含： 〃 T 日士，3比判賴元件之該厚度大於該預先決定之厚度值 π將垓兀件暴路於可腐韻該元件之至少一部分之一加工程序； 牛』ϊί量f步驟、該比較步驟、與該暴露步驟，直到該比較 a判疋叙件之厚度實質上等於或小於該預先決定之厚度值； 以及 24 200534421 定之增⑹、於該預先決 Ξ產如生;麵第24項之赌耕之耗歸敎方法，其中 以無線訊號之形式產生該射線等級訊號。 如申請專利範圍第25項之監控元件之耗損情形之方法，更包 量測該元件之一初始厚度；以及

   商、;度識別該元件之-材料、-製造 如申晴專利細第26項之監控元件之耗損情形之方法，更包 工程㈣細__蝴應於該加 =如申請專利麵第29項之監控元件之耗損情形之方法，更包 Ή 贿率計算該元件之—剩餘使用年限。 Ϊ露=專含利細29項之監控元件之耗編之方法，㈣ 將該元件暴露於可腐倾元件之至少 序，其中該加工程序與第二加工程序不同/ 第-加工程 該方法更包含： 二加度量測數據_該元件對應於該第 3該2暴如露申步:專包，第二 將該元件暴露於電漿處理。 所備獅之方法，其中 元件之-第，4=;:該 25 200534421 之一第二表面反射，並由該元件之該第一表面 μ 一 34·如申請專利範圍第24項之監控元件之耗彳:弟二次折射。 該射線光束為一紅外線光束。 、月^之方法，其中 35·如申請專利範圍帛25狀監控元件之 该判斷步驟包含： 、“开〆之方法，其中 參照所儲存之關聯資料以根據該射線等 該厚度。 卞又戒琥1測該元件之 3該6該敎綠，其中 之資訊。 微種讀材枓使射線等級與厚度相關聯 37, 如申請專利範圍第24項之監控元件之耗 该兀件係以一半導體材料製成。 、^之方法，其中 如申請專纖㈣25項之監控元件之耗損情形之 38. 方法，更包 含： 發射一第二射線光束至該元件之一第二區域上. =由該元件所折射之該第二射線光束之_部分；以及 第二射測ΐΐ該第二射線光束之該部分之強度產生— 判斷步驟包含根據該射線等級訊號與

   39如職71狀該厚度。 該詈伽月-^/圍¥員之監控元件之耗損情形之方法，其中 二厚^讀之擁厚度之步驟包含判斷該元件之—凹孔部分之 十一、圖式·· 26